JP2001332808A - Optical module and light source device - Google Patents

Optical module and light source device

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JP2001332808A
JP2001332808A JP2000154097A JP2000154097A JP2001332808A JP 2001332808 A JP2001332808 A JP 2001332808A JP 2000154097 A JP2000154097 A JP 2000154097A JP 2000154097 A JP2000154097 A JP 2000154097A JP 2001332808 A JP2001332808 A JP 2001332808A
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JP
Japan
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light
light source
photoelectric conversion
conversion element
source device
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Application number
JP2000154097A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoki Nishida
直樹 西田
Shunichi Hayamizu
俊一 速水
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Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical module and a light source device which can adjust accurately the quantity of light of luminous flux with which a photosensitive body or the like is irradiated, and is capable of miniaturization. SOLUTION: This light source device is provided with waveguides 25, 26, 27 and transmission type photoelectric transducers 41, 42, 43, and outputs of the light sources 21, 22, 23 are changed based on the quantities of lights which are detected by the photoelectric transducers 41, 42, 43. The waveguides introduce incident lights to output surfaces 25b, 26b, 27b which lights are outputted from the light sources 21, 22, 23 and enter from planes 25a, 26a, 27a of incidence. The photoelectric transducers are arranged on the output surfaces 25b, 26b, 27b, transmit luminous fluxes passing the waveguides 25, 26, 27, and detect the quantities of lights of a part of the luminous fluxes.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光源の出力をフィ
ードバックして調整する光源装置及び、光源からの光束
を所定方向に導く導波路を有する光モジュールに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light source device for adjusting the output of a light source by feedback, and an optical module having a waveguide for guiding a light beam from the light source in a predetermined direction.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザプリンタや複写機は、光源から射
出される光束を走査して感光体に書込みを行う。また、
複数の光束を使用して感光体の周方向の異なる位置に集
光することによって高速に走査することができるように
なっている。
2. Description of the Related Art A laser printer or a copying machine scans a light beam emitted from a light source to write on a photosensitive member. Also,
High-speed scanning can be performed by using a plurality of light beams and condensing the light at different positions in the circumferential direction of the photoconductor.

【0003】光源は、図8に示すような半導体レーザー
から成っている。光源17は、基板12上に下部クラッ
ド層13及び上部クラッド層15に挟まれた活性層14
が形成され、基板12の下面及び上部クラッド層15の
上面に電極11、16が配されている。電極11、16
間に電圧を印加することによって活性層14の二面に形
成される発光点14a、14b(14aは不図示)から
光束L1、L2が射出される。
The light source is composed of a semiconductor laser as shown in FIG. The light source 17 includes an active layer 14 sandwiched between a lower clad layer 13 and an upper clad layer 15 on a substrate 12.
Are formed, and electrodes 11 and 16 are arranged on the lower surface of the substrate 12 and the upper surface of the upper cladding layer 15. Electrodes 11, 16
Light beams L1 and L2 are emitted from light emitting points 14a and 14b (14a not shown) formed on two surfaces of the active layer 14 by applying a voltage therebetween.

【0004】発光点14aからの光束L1は感光体に向
けて射出されて書込みのために用いられる。発光点14
bから射出される光束L2は図示しない光電変換素子に
照射される。光電変換素子は受光した光量を検出し、そ
の検出結果に基づいて、制御部(不図示)によってAP
C(Automatic Power Control)調整が行われる。
The light beam L1 from the light emitting point 14a is emitted toward the photosensitive member and used for writing. Light emitting point 14
The light beam L2 emitted from b is applied to a photoelectric conversion element (not shown). The photoelectric conversion element detects the amount of received light, and based on the detection result, the control unit (not shown) controls the AP.
C (Automatic Power Control) adjustment is performed.

【0005】APC調整により、半導体レーザーの駆動
電流を可変し、半導体レーザーの周囲温度の変化等に起
因する発光強度の変動を打ち消す。これにより、光源1
7から射出される光束の光量を一定にし、光量の変動に
よる形成画像の劣化を防止するようになっている。
[0005] The APC adjustment changes the driving current of the semiconductor laser to cancel the fluctuation of the light emission intensity caused by the change of the ambient temperature of the semiconductor laser. Thereby, the light source 1
The light amount of the light beam emitted from the light source 7 is made constant to prevent the deterioration of the formed image due to the fluctuation of the light amount.

【0006】しかし、光源17から射出された光束L1
が通る導波路や光ファイバー等の光学系の光学的特性が
周囲温度等によって変化した場合には、該光学系を通過
しない光束L2によってAPC調整が行われるため、感
光体等に照射される光束の光量が一定に維持されない。
However, the light beam L1 emitted from the light source 17
When the optical characteristics of an optical system such as a waveguide or an optical fiber through which the light beam changes due to the ambient temperature or the like, the APC adjustment is performed by the light beam L2 that does not pass through the optical system. Light intensity is not kept constant.

【0007】このため、例えば、導波路に光源を結合し
た場合、周囲温度が20℃から80℃に変化すると、そ
の結合効率の低下によって導波路を通過した後の光束の
光量は約10%変動する。特に、複数の光束によって画
像を形成する場合には各光束の光量差が5%以下に維持
されていないと、形成画像に縞等の悪影響が生じるた
め、良好な画像が得られない問題がある。
For this reason, for example, when a light source is coupled to a waveguide, if the ambient temperature changes from 20 ° C. to 80 ° C., the light quantity of the light beam after passing through the waveguide fluctuates by about 10% due to a decrease in the coupling efficiency. I do. In particular, when an image is formed by a plurality of light beams, if the difference in the light amounts of the light beams is not maintained at 5% or less, a bad image such as stripes occurs in the formed image, and thus there is a problem that a good image cannot be obtained. .

【0008】このため、図9に示すように、光源17か
ら射出される光束が光学系を通過した後にAPC調整を
行うことのできる光源装置が提案されている。同図によ
ると、半導体レーザー等から成る光源17から射出され
る光束L1はコリメータレンズ2により平行光束とな
り、ハーフミラー9を透過した光束L3が感光体(不図
示)に照射される。ハーフミラー9で反射する所定の割
合の光束L4は、フォトダイオード等から成る光電変換
素子8によってその光量が検出される。
For this reason, as shown in FIG. 9, there has been proposed a light source device capable of performing APC adjustment after a light beam emitted from a light source 17 passes through an optical system. According to the figure, a light beam L1 emitted from a light source 17 composed of a semiconductor laser or the like is converted into a parallel light beam by a collimator lens 2, and a light beam L3 transmitted through a half mirror 9 is irradiated on a photosensitive member (not shown). The light amount of the light flux L4 of a predetermined ratio reflected by the half mirror 9 is detected by the photoelectric conversion element 8 including a photodiode or the like.

【0009】制御部31は、光電変換素子8の検出結果
に基づいて光源17のAPC調整を行う。これにより、
半導体レーザーの駆動電流を可変し、半導体レーザー及
び光学系の周囲温度の変化等に起因する光量の変動を打
ち消して光学系を通過した後の光束L3の光量を一定に
する。その結果、形成画像に生じる縞等を防止できるよ
うになっている。
The control section 31 performs APC adjustment of the light source 17 based on the detection result of the photoelectric conversion element 8. This allows
The drive current of the semiconductor laser is varied to cancel the fluctuation of the light amount caused by the change of the ambient temperature of the semiconductor laser and the optical system, and the light amount of the light beam L3 after passing through the optical system is made constant. As a result, stripes and the like generated in the formed image can be prevented.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の光源装置10によると、光源17から射出される
光束L1の光量検出のためにハーフミラー9及び光電変
換素子8を必要とするため光源装置10が大型になる問
題があった。
However, according to the above-described conventional light source device 10, the half mirror 9 and the photoelectric conversion element 8 are required for detecting the light amount of the light beam L1 emitted from the light source 17, so that the light source device is required. There was a problem that 10 became large.

【0011】本発明は、感光体等に照射される光束の光
量を正確に調節することができるとともに小型に構成す
ることのできる光モジュール及び光源装置を提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an optical module and a light source device capable of accurately adjusting the amount of a light beam irradiated to a photoreceptor or the like and having a small size.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1に記載された発明の光モジュールは、入射面
から入射した入射光を出射面に導く導波路と、前記導波
路を通った光束を透過するとともに該光束の一部によっ
てその光量を検出する光電変換素子とを備え、前記導波
路と前記光電変換素子とを一体に設けたことを特徴とし
ている。
According to an aspect of the present invention, there is provided an optical module comprising: a waveguide for guiding incident light incident from an entrance surface to an exit surface; A photoelectric conversion element that transmits the light beam and detects the amount of light by a part of the light beam, and the waveguide and the photoelectric conversion element are provided integrally.

【0013】この構成によると、入射面に入射した光束
は導波路を導波して出射面から出射される。該光束は導
波路の途中或いは導波路を通過後に、光電変換素子を透
過して感光体等に照射される。光電変換素子では透過光
の所定の割合の光束を用いてその光量が検出される。そ
の結果、検出された光量に応じて導波路の入射光の光量
を可変することにより、導波路を通過した後の光束の光
量を所定値に維持することができる。
According to this configuration, the light beam incident on the incident surface is guided through the waveguide and exits from the exit surface. The light flux passes through the photoelectric conversion element and irradiates the photoconductor or the like in the middle of the waveguide or after passing through the waveguide. In the photoelectric conversion element, the light amount is detected using a light flux having a predetermined ratio of the transmitted light. As a result, by varying the amount of incident light on the waveguide according to the detected amount of light, the amount of light of the light beam after passing through the waveguide can be maintained at a predetermined value.

【0014】また請求項2に記載された発明は、請求項
1に記載された光モジュールにおいて、前記光電変換素
子を前記出射面に接して設けたことを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, in the optical module according to the first aspect, the photoelectric conversion element is provided in contact with the emission surface.

【0015】また請求項3に記載された発明は、請求項
1または請求項2に記載された光モジュールにおいて、
前記導波路を分断する溝を設け、前記光電変換素子を前
記溝内に配したことを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, in the optical module according to the first or second aspect,
A groove for dividing the waveguide is provided, and the photoelectric conversion element is disposed in the groove.

【0016】また請求項4に記載された発明は、請求項
1〜請求項3のいずれかに記載された光モジュール及び
光源装置において、前記光電変換素子は、アモルファス
シリコンのpin結合を有したフォトダイオードから成
ることを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the optical module and the light source device according to any one of the first to third aspects, the photoelectric conversion element includes a photo diode having a pin bond of amorphous silicon. It is characterized by comprising a diode.

【0017】また請求項5に記載された発明の光源装置
は、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の光モジュー
ルと、前記入射面に光束を照射する光源と、前記光電変
換素子の検出結果に基づいて前記光源の出力を制御する
制御部とを備えたことを特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a light source device comprising: the optical module according to any one of the first to fourth aspects; a light source for irradiating the incident surface with a light beam; A control unit for controlling the output of the light source based on the detection result.

【0018】この構成によると、光源から射出された光
束は導波路の入射面に入射し、導波路を導波して出射面
から出射される。該光束は導波路の途中或いは導波路を
通過後に、光電変換素子を透過して感光体等に照射され
る。光電変換素子では透過光の所定の割合の光束を用い
てその光量が検出される。そして、検出された光量に応
じて光源の出力を制御部によって可変することにより、
導波路を通過した後の光束の光量が所定値に維持され
る。
According to this configuration, the light beam emitted from the light source enters the incident surface of the waveguide, is guided through the waveguide, and is emitted from the emission surface. The light flux passes through the photoelectric conversion element and irradiates the photoconductor or the like in the middle of the waveguide or after passing through the waveguide. In the photoelectric conversion element, the light amount is detected using a light flux having a predetermined ratio of the transmitted light. Then, by changing the output of the light source by the control unit according to the detected light amount,
The light amount of the light beam after passing through the waveguide is maintained at a predetermined value.

【0019】また請求項6に記載された発明は、請求項
5に記載された光源装置において、前記光モジュールと
前記光源とを一体に設けたことを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the light source device according to the fifth aspect, the optical module and the light source are provided integrally.

【0020】また請求項7に記載された発明の光源装置
は、光源と、前記光源から射出された光束を透過すると
ともに該光束の一部によってその光量を検出する光電変
換素子と、前記光電変換素子の検出結果に基づいて前記
光源の出力を制御する制御部とを備えたことを特徴とし
ている。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a light source device, wherein: a light source; a photoelectric conversion element which transmits a light beam emitted from the light source and detects the amount of light by a part of the light beam; A control unit for controlling an output of the light source based on a detection result of the element.

【0021】この構成によると、光源から射出された光
束は光電変換素子を透過して感光体等に照射される。光
電変換素子では透過光の所定の割合の光束を用いてその
光量が検出される。そして、検出された光量に応じて光
源の出力を制御部によって可変することにより、光電変
換素子を通過した後の光束の光量が所定値に維持され
る。
According to this configuration, the light beam emitted from the light source passes through the photoelectric conversion element and irradiates the photosensitive member or the like. In the photoelectric conversion element, the light amount is detected using a light flux having a predetermined ratio of the transmitted light. Then, the output of the light source is varied by the control unit according to the detected light amount, so that the light amount of the light beam after passing through the photoelectric conversion element is maintained at a predetermined value.

【0022】また請求項8に記載された発明は、請求項
7に記載された光源装置において、前記光電変換素子
は、アモルファスシリコンのpin結合を有したフォト
ダイオードから成ることを特徴としている。
According to an eighth aspect of the present invention, in the light source device according to the seventh aspect, the photoelectric conversion element is formed of a photodiode having a pin combination of amorphous silicon.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。説明の便宜上、従来例の図8、図9
と同一の部分については同一の符号を付している。図1
は第1実施形態の光源装置を備えた光ビーム書込装置を
示す概略斜視図である。光ビーム書込装置1は、レーザ
プリンタやデジタル複写機等に搭載され、画像を形成で
きるようになっている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. For convenience of explanation, FIGS.
The same reference numerals are given to the same parts as. FIG.
1 is a schematic perspective view showing a light beam writing device provided with a light source device of a first embodiment. The light beam writing device 1 is mounted on a laser printer, a digital copier, or the like, and can form an image.

【0024】光源装置10には光源が内蔵されており、
集光位置の異なる複数の光束が射出される。光源装置1
0から射出された光束は、コリメータレンズ2によりコ
リメートされた後に、ポリゴンミラー3を照射する。ポ
リゴンミラー3で反射する光束はポリゴンミラー3の回
転に伴って走査される。走査レンズ4によって走査速度
を一定にした後、感光体(不図示)上に焦点を結ぶこと
により感光体の所望位置を感光して書込みが行われる。
The light source device 10 has a built-in light source.
A plurality of light beams having different light condensing positions are emitted. Light source device 1
The luminous flux emitted from 0 illuminates the polygon mirror 3 after being collimated by the collimator lens 2. The light beam reflected by the polygon mirror 3 is scanned as the polygon mirror 3 rotates. After the scanning speed is made constant by the scanning lens 4, a desired position of the photoconductor is exposed by focusing on a photoconductor (not shown), and writing is performed.

【0025】また、ポリゴンミラー3で反射した光束
は、各走査ラインの先頭位置で反射ミラー5を照射す
る。反射ミラー5で反射した光束は、受光センサ6によ
り捉えられて複数の光束の同期を検知できるようになっ
ている。
The light beam reflected by the polygon mirror 3 irradiates the reflection mirror 5 at the leading position of each scanning line. The light beam reflected by the reflecting mirror 5 is captured by the light receiving sensor 6 so that the synchronization of the plurality of light beams can be detected.

【0026】光源装置10は図2(a)、(b)の平面
図及び側面図に示すような光モジュール30を有してい
る。光モジュール30は基板24上に下部クラッド層2
8が形成され、下部クラッド層28上に導波路25、2
6、27が形成されている。導波路25、26、27の
上部は上部クラッド層29により覆われている。
The light source device 10 has an optical module 30 as shown in the plan view and the side view of FIGS. The optical module 30 has a lower cladding layer 2 on a substrate 24.
8 are formed, and the waveguides 25, 2
6, 27 are formed. The upper portions of the waveguides 25, 26, 27 are covered by an upper cladding layer 29.

【0027】上部クラッド層29及び下部クラッド層2
8は導波路25、26、27よりも低い屈折率になって
いる。これにより、入射面25a、26a、27aから
入射した光束を閉じこめて出射面25b、26b、27
bに導波する。出射面25b、26b、27bには、光
透過型の光電変換素子41、42、43が結合されてい
る。これにより、出射面25b、26b、27bから出
射する光束の所定の割合の光束を光電変換して光量を検
出できるようになっている。
Upper cladding layer 29 and lower cladding layer 2
8 has a lower refractive index than the waveguides 25, 26, 27. Thereby, the light beams incident from the incident surfaces 25a, 26a, 27a are confined, and the exit surfaces 25b, 26b, 27
Waveguide b. Light transmitting photoelectric conversion elements 41, 42, and 43 are coupled to the emission surfaces 25b, 26b, and 27b. Thus, the light amount can be detected by photoelectrically converting a predetermined percentage of the light beams emitted from the emission surfaces 25b, 26b, 27b.

【0028】このような光モジュール30は以下のよう
な方法により製造することができる。まず、シリコン等
から成る基板24上にCVDによってフッ素をドーピン
グしながら石英を7μm堆積して下部クラッド層28を
形成する。次に、石英をCVDによってドーピングせず
に5μm堆積する。そして、フォトリソ工程により所定
の形状にパターニングした後、反応性イオンエッチング
加工を行うことにより導波路25、26、27を形成す
る。
Such an optical module 30 can be manufactured by the following method. First, 7 μm of quartz is deposited on a substrate 24 made of silicon or the like while doping fluorine by CVD to form a lower cladding layer 28. Next, 5 μm of quartz is deposited without doping by CVD. After patterning into a predetermined shape by a photolithography process, reactive ion etching is performed to form waveguides 25, 26, and 27.

【0029】次に、フッ素をドーピングしながら石英を
7μm堆積して上部クラッド層29を形成する。そし
て、出射面25b、26b、27bに光電変換素子4
1、42、43をUV硬化樹脂或いは熱硬化樹脂により
接着する。これにより、光モジュール30を得ることが
できる。
Next, 7 μm of quartz is deposited while doping with fluorine to form an upper cladding layer 29. Then, the photoelectric conversion elements 4 are provided on the emission surfaces 25b, 26b, and 27b.
1, 42, and 43 are bonded with a UV curable resin or a thermosetting resin. Thereby, the optical module 30 can be obtained.

【0030】図3は光電変換素子41、42、43の断
面図である、ガラス等の透明絶縁基板50上に、透明電
極51、52に挟まれた半導体膜63が形成されてい
る。透明電極51、52はITO等をスパッタリングし
て形成される。透明電極52の上部は保護絶縁膜54で
保護されている。透明電極51、52間に電圧を印加す
ると、半導体膜63において光電変換が行われる。
FIG. 3 is a sectional view of the photoelectric conversion elements 41, 42 and 43. A semiconductor film 63 sandwiched between transparent electrodes 51 and 52 is formed on a transparent insulating substrate 50 such as glass. The transparent electrodes 51 and 52 are formed by sputtering ITO or the like. The upper part of the transparent electrode 52 is protected by a protective insulating film 54. When a voltage is applied between the transparent electrodes 51 and 52, photoelectric conversion is performed in the semiconductor film 63.

【0031】半導体膜63は、キャリア注入阻止層64
としてp型a−SiC:H(p型水素化アモルファス炭
化シリコン)、光電変換膜65としてi型a−Si:H
(真性型水素化アモルファスシリコン)、キャリア注入
阻止層66としてn型a−SiC:H(n型水素化アモ
ルファス炭化シリコン)をプラズマCVD法で連続成膜
して形成される。そして、可視光が半導体膜63を透過
可能で、かつ光電変換及び増倍ができるように各層で膜
厚と膜特性が最適化されている。また、保護絶縁膜54
は、a−SiN:H(水素化アモルファス窒化シリコ
ン)で形成されている。
The semiconductor film 63 includes a carrier injection blocking layer 64
P-type a-SiC: H (p-type hydrogenated amorphous silicon carbide), and i-type a-Si: H as the photoelectric conversion film 65
(Intrinsic hydrogenated amorphous silicon) and n-type a-SiC: H (n-type hydrogenated amorphous silicon carbide) are continuously formed as a carrier injection blocking layer 66 by a plasma CVD method. The thickness and film characteristics of each layer are optimized so that visible light can pass through the semiconductor film 63 and photoelectric conversion and multiplication can be performed. Further, the protective insulating film 54
Is formed of a-SiN: H (hydrogenated amorphous silicon nitride).

【0032】光電変換膜65は、光の透過率を向上させ
るために薄膜に形成されるが、薄膜にしたことによって
出力特性の低下が生じる。このためa−Si:Hから成
る光電変換膜65により光電変換を行うことによって光
電流を増倍し、出力特性の低下を防止するようになって
いる。そして、キャリア注入阻止層64、66で、光電
変換膜65を挟むことで、光を透過しやすくかつ外部か
らのキャリアの注入を阻止し、光電変換膜65において
発生した光電流のみを読み出せるようになっている。
Although the photoelectric conversion film 65 is formed as a thin film in order to improve the light transmittance, the thin film causes deterioration in output characteristics. For this reason, the photoelectric conversion is performed by the photoelectric conversion film 65 made of a-Si: H, so that the photocurrent is multiplied and the deterioration of the output characteristics is prevented. By sandwiching the photoelectric conversion film 65 between the carrier injection blocking layers 64 and 66, light is easily transmitted and injection of carriers from the outside is prevented, so that only the photocurrent generated in the photoelectric conversion film 65 can be read. It has become.

【0033】同図において、キャリア注入阻止層64、
光電変換膜65、キャリア注入阻止層66をp型、i
型、n型半導体の順に成膜したが、この逆でもよい。キ
ャリア注入阻止層64、66のp型、n型半導体は、電
極とのコンタクト特性のよいμc−Si:H(水素化微
結晶シリコン)を用いてもよい。
In the figure, the carrier injection blocking layer 64,
The photoelectric conversion film 65 and the carrier injection blocking layer 66 are p-type, i
Although the film is formed in the order of the mold and the n-type semiconductor, the reverse is also possible. As the p-type and n-type semiconductors of the carrier injection blocking layers 64 and 66, μc-Si: H (hydrogenated microcrystalline silicon) having good contact characteristics with electrodes may be used.

【0034】また、光電変換素子41、42、43は透
明な基板上に形成可能であれば他の構造であっても良
い。図3では、ガラス基板等の平板の透明絶縁基板50
を用いて説明したが、プリズムやレンズなどを基板とし
て、その上に、光電変換素子を作製することも可能であ
る。
The photoelectric conversion elements 41, 42 and 43 may have other structures as long as they can be formed on a transparent substrate. In FIG. 3, a flat transparent insulating substrate 50 such as a glass substrate is shown.
However, it is also possible to use a prism, a lens, or the like as a substrate and manufacture a photoelectric conversion element thereon.

【0035】図2において、基板24上には光源21、
22、23が光モジュール30と一体に形成されてい
る。光源21、22、23は、前述の図8に示すような
半導体レーザーから成っており、それぞれ導波路25、
26、27の入射面25a、26a、27aに結合され
ている。
In FIG. 2, a light source 21 is provided on a substrate 24.
22 and 23 are formed integrally with the optical module 30. The light sources 21, 22, and 23 are composed of semiconductor lasers as shown in FIG.
26, 27 are coupled to incident surfaces 25a, 26a, 27a.

【0036】光源装置10の構成を図4のブロック図に
示すと、光源装置10は光源21、22、23の出力を
制御する制御部31を有している。光源21、22、2
3から射出される光束は、導波路25、26、27を導
波して出射され、光電変換素子41、42、43により
その光量が検出される。
FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of the light source device 10. The light source device 10 has a control unit 31 for controlling the outputs of the light sources 21, 22, and 23. Light sources 21, 22, 2
The light beam emitted from 3 is guided through waveguides 25, 26, and 27 and emitted, and the amount of light is detected by photoelectric conversion elements 41, 42, and 43.

【0037】光電変換素子41、42、43により検出
された結果は、記憶部34に記憶された所定の光量デー
タと比較部32によって比較される。比較部32による
比較の結果、導波路25、26、27の出射光の光量が
所定の範囲にない場合は、駆動部33によって光源2
1、22、23の駆動電流を可変して光源21、22、
23の出力が可変される。
The results detected by the photoelectric conversion elements 41, 42, 43 are compared with predetermined light amount data stored in the storage unit 34 by the comparison unit 32. As a result of the comparison by the comparing unit 32, when the amount of light emitted from the waveguides 25, 26, and 27 is not within a predetermined range, the driving unit 33 outputs
The drive currents of the light sources 21, 22, 23
The output of 23 is variable.

【0038】導波路25、26、27の出射光の光量が
所定の範囲内の時は駆動部33は光源21、22、23
の駆動電流を維持する。これにより、導波路25、2
6、27の出射面25b、26b、27bからは常に一
定の光量の光束が射出されるように調整される。
When the amount of light emitted from the waveguides 25, 26, and 27 is within a predetermined range, the driving unit 33 controls the light sources 21, 22, and 23.
Maintain the drive current of Thereby, the waveguides 25, 2
Adjustments are made so that a constant amount of light flux is always emitted from the emission surfaces 25b, 26b, 27b of the light emitting devices 6 and 27.

【0039】本実施形態によると、導波路25、26、
27の出射面に光量を検出できる光透過型の光電変換素
子41、42、43を配することにより、周囲温度の変
化等によって光源21、22、23と光モジュール30
との相対位置が変化し、それに伴ってこれらの結合効率
が低下した際であっても、それに追随して光モジュール
30から出射される出射光の光量を一定に維持すること
ができる。
According to the present embodiment, the waveguides 25, 26,
27, light-transmitting photoelectric conversion elements 41, 42, and 43 capable of detecting the amount of light are disposed on the exit surface of the light module 27, and the light sources 21, 22, and 23
Even when the relative position of the optical module 30 changes and the coupling efficiency decreases, the amount of light emitted from the optical module 30 can be kept constant.

【0040】これにより、近接する複数の導波路25、
26、27から出射される各光束の光量の変動量を0.
5%以下(20〜80℃)にすることができるので、各
光量の差が5%以下になり、良好な画像を得ることがで
きる。また、前述の図9に示すようなハーフミラー9を
必要としないため、光源装置10を小型化して省スペー
ス化及びコスト削減を図ることができる。更に、出射面
25b、26b、27bに光電変換素子41、42、4
3を接して設けているので、出射面25b、26b、2
7bを保護することができる。
Thus, a plurality of adjacent waveguides 25,
The amount of change in the amount of light of each light beam emitted from 26 and 27 is set to 0.
Since it can be set to 5% or less (20 to 80 ° C.), the difference between the respective light amounts becomes 5% or less, and a good image can be obtained. Further, since the half mirror 9 as shown in FIG. 9 is not required, the light source device 10 can be reduced in size and space and cost can be reduced. Furthermore, the photoelectric conversion elements 41, 42, 4 are provided on the emission surfaces 25b, 26b, 27b.
3 are provided in contact with each other, so that the emission surfaces 25b, 26b, 2
7b can be protected.

【0041】尚、光モジュール30と光源21、22、
23とを一体に構成しているが、別体に形成して、光フ
ァイバーやプリズムを光モジュール30に結合して光源
からの光束を光モジュール30に入射しても良い。ま
た、各導波路25、26、27毎に光源21、22、2
3を設けているが、1つの光源から分岐させて入射させ
るようにしても良い。この場合には、分岐後の各光束の
光量を調節する調節手段か別途必要となる。
Incidentally, the optical module 30 and the light sources 21, 22,
Although the light source 23 and the light source 23 are integrally formed, they may be formed separately, and an optical fiber or a prism may be coupled to the light module 30 so that the light beam from the light source is incident on the light module 30. Also, the light sources 21, 22, 2 for each of the waveguides 25, 26, 27
Although 3 is provided, the light may be branched from one light source and incident. In this case, an adjusting means for adjusting the light amount of each light beam after branching is separately required.

【0042】次に、図5(a)、(b)は、第2実施形
態の光源装置10を示す平面図及び側面図である。説明
の便宜上、前述の図2に示す第1実施形態と同一の部分
には同一の符号を付している。第1実施形態と異なる点
は、各導波路25、26、27から出射される光束の光
量を検出するために、光電変換素子41、42、43に
替えて1つの光電変換素子44が設けられている点であ
る。その他の構成は第1実施形態と同様である。
FIGS. 5A and 5B are a plan view and a side view showing a light source device 10 according to a second embodiment. For convenience of explanation, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. The difference from the first embodiment is that one photoelectric conversion element 44 is provided instead of the photoelectric conversion elements 41, 42, and 43 in order to detect the amount of light flux emitted from each of the waveguides 25, 26, and 27. That is the point. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

【0043】本実施形態によると、各導波路25、2
6、27から射出される光量を検出する際に、次の手順
によって受光素子44によって各出射光の光量を検出す
ることができる。即ち、光源21をONにし、光源2
2、23をOFFにして受光素子44の検出光量を基に
導波路25に対する光量制御を行う。次に、光源22を
ONにし、光源21、23をOFFにして受光素子44
の検出光量を基に導波路26に対する光量制御を行う。
次に、光源23をONにし、光源21、22をOFFに
して受光素子44の検出光量を基に導波路27に対する
光量制御を行う。これにより、光モジュール30から射
出される光束の光量を一定に維持することができる。
According to the present embodiment, each of the waveguides 25, 2
When detecting the amount of light emitted from 6, 27, the amount of each emitted light can be detected by the light receiving element 44 by the following procedure. That is, the light source 21 is turned on, and the light source 2 is turned on.
By turning off the light sources 2 and 23, light amount control for the waveguide 25 is performed based on the light amount detected by the light receiving element 44. Next, the light source 22 is turned on, the light sources 21 and 23 are turned off, and the light receiving element 44 is turned on.
The light quantity control for the waveguide 26 is performed based on the detected light quantity.
Next, the light source 23 is turned on, the light sources 21 and 22 are turned off, and the light amount control for the waveguide 27 is performed based on the light amount detected by the light receiving element 44. Thereby, the light amount of the light beam emitted from the optical module 30 can be kept constant.

【0044】次に、図6(a)、(b)は、第3実施形
態の光源装置10を示す平面図及び側面図である。説明
の便宜上、前述の図5に示す第2実施形態と同一の部分
には同一の符号を付している。第2実施形態と異なる点
は、光モジュール30に、導波路25、26、27を分
断する溝30aを形成し、光電変換素子44を溝30a
内に配している点である。その他の構成は第2実施形態
と同様である。
Next, FIGS. 6A and 6B are a plan view and a side view showing a light source device 10 according to a third embodiment. For convenience of explanation, the same parts as those in the above-described second embodiment shown in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals. The difference from the second embodiment is that a groove 30a for dividing the waveguides 25, 26 and 27 is formed in the optical module 30, and the photoelectric conversion element 44 is formed in the groove 30a.
It is a point that is arranged inside. Other configurations are the same as in the second embodiment.

【0045】溝30aは光モジュール30形成後、ダイ
シング加工或はエッチング加工によって形成することが
できる。そして、光電変換素子44を溝30aに嵌合し
てUV硬化樹脂或いは熱硬化樹脂等により接着する。従
って、溝30aを出射面25a、26a、27aの近傍
に形成することにより、導波路25、26、27からの
出射光と略等しい光量を光電変換素子44により検出す
ることができ、第2実施形態と同様の効果を得ることが
できる。更に、光電変換素子44の位置合せが容易とな
り、組立工数を削減することができる。尚、第1実施形
態と同様に、各導波路25、26、27毎に独立の光電
変換素子を設けても良い。
The groove 30a can be formed by dicing or etching after the formation of the optical module 30. Then, the photoelectric conversion element 44 is fitted into the groove 30a and bonded with a UV curable resin or a thermosetting resin. Therefore, by forming the groove 30a in the vicinity of the emission surfaces 25a, 26a, and 27a, the amount of light substantially equal to the light emitted from the waveguides 25, 26, and 27 can be detected by the photoelectric conversion element 44. The same effect as in the embodiment can be obtained. Further, the positioning of the photoelectric conversion element 44 becomes easy, and the number of assembly steps can be reduced. In addition, as in the first embodiment, an independent photoelectric conversion element may be provided for each of the waveguides 25, 26, and 27.

【0046】次に、図7は、第3実施形態の光源装置1
0を示す概略構成図である。前述の図1に示すコリメー
タレンズ2は光源装置10内に配されている。半導体レ
ーザーから成る光源17から射出される光束L1はコリ
メータレンズ2により平行光束となり、第1〜第3実施
形態と同様の光電変換素子44を透過した光束L3が感
光体(不図示)に照射される。光電変換素子44は、コ
リメータレンズ2を通った光束の一部を光電変換して光
量を検出する。
FIG. 7 shows a light source device 1 according to a third embodiment.
It is a schematic block diagram which shows 0. The above-mentioned collimator lens 2 shown in FIG. The light beam L1 emitted from the light source 17 composed of a semiconductor laser is converted into a parallel light beam by the collimator lens 2, and the light beam L3 transmitted through the photoelectric conversion element 44 similar to the first to third embodiments is irradiated on a photoconductor (not shown). You. The photoelectric conversion element 44 photoelectrically converts a part of the light beam that has passed through the collimator lens 2 and detects the amount of light.

【0047】制御部31は、光電変換素子44の検出結
果に基づいて光源17のAPC調整を行う。これによ
り、半導体レーザーの駆動電流を可変し、コリメータレ
ンズ2等の光学系や半導体レーザーの周囲温度の変化等
に起因する光量の変動を打ち消して光学系を通過した後
の光束L3の光量を一定にする。その結果、形成画像に
生じる縞等を防止できるようになっている。
The control section 31 performs APC adjustment of the light source 17 based on the detection result of the photoelectric conversion element 44. Thereby, the drive current of the semiconductor laser is varied, and the fluctuation of the light amount caused by the optical system such as the collimator lens 2 and the change of the ambient temperature of the semiconductor laser is canceled to keep the light amount of the light beam L3 after passing through the optical system constant. To As a result, stripes and the like generated in the formed image can be prevented.

【0048】本実施形態によると、第1実施形態と同様
に、前述の図9に示す従来例の光源装置10に対してハ
ーフミラー9を必要としないため、光源装置10を小型
化して省スペース化及びコスト削減を図ることができ
る。
According to the present embodiment, similarly to the first embodiment, since the half mirror 9 is not required for the above-described conventional light source device 10 shown in FIG. 9, the light source device 10 is downsized to save space. And cost reduction can be achieved.

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明によると、導波路の出射面に光量
を検出できる透過型の光電変換素子を配することによ
り、周囲温度の変化等に起因して光源等と光モジュール
との相対位置が変化してこれらの結合効率が低下した際
であっても、それに追随して光モジュールから出射され
る出射光を一定に維持することができる。
According to the present invention, by disposing a transmissive photoelectric conversion element capable of detecting the amount of light on the exit surface of the waveguide, the relative position between the light source and the optical module due to a change in ambient temperature or the like is obtained. , The light emitted from the optical module can be kept constant.

【0050】これにより、近接する複数の導波路から出
射される各光束の光量の変動量を小さくすることがで
き、各光量の差を低減することができるので、良好な画
像を得ることができる。また、従来のようなハーフミラ
ーを必要としないため、光源装置を小型化するとともに
コスト削減を図ることができる。
As a result, it is possible to reduce the amount of change in the amount of light of each light beam emitted from a plurality of adjacent waveguides, and to reduce the difference between the amounts of light, thereby obtaining a good image. . Further, since a half mirror is not required unlike the related art, the size of the light source device can be reduced and the cost can be reduced.

【0051】また、複数の導波路を通る光束の光量を共
通の光電変換素子によって検出する場合には、導波路を
分断する溝内に光電変換素子を配することによって、光
電変換素子の位置合せが容易となり、組立工数を削減す
ることができる。
In the case where the light quantity of the light beam passing through a plurality of waveguides is detected by a common photoelectric conversion element, the positioning of the photoelectric conversion element is performed by disposing the photoelectric conversion element in a groove for dividing the waveguide. And the number of assembling steps can be reduced.

【0052】また本発明によると、光源から射出された
光束は導波路やコリメータレンズ等の光学系を通過した
後に透過型の光電変換素子によって光量が検出される。
そして、その検出結果に基づいて光源の出力を可変して
光電変換素子を透過する光束の光量を一定に調整するこ
とができる。従って、形成画像を良好に維持するととも
に、従来のようなハーフミラーを必要としないため、光
源装置を小型化して省スペース化及びコスト削減を図る
ことができる。
Further, according to the present invention, the amount of light emitted from the light source is detected by the transmission type photoelectric conversion element after passing through the optical system such as the waveguide and the collimator lens.
Then, based on the detection result, the output of the light source can be varied to adjust the light amount of the light beam transmitted through the photoelectric conversion element to be constant. Therefore, the formed image is maintained well, and a half mirror as in the related art is not required. Therefore, the light source device can be downsized to save space and reduce costs.

【0053】また本発明によると、アモルファスシリコ
ンのpin結合を有したフォトダイオードにより光電変
換素子を形成することによって、光束を透過するととも
に所定の割合の光束の光量を簡単に検出することができ
る。
Further, according to the present invention, by forming a photoelectric conversion element by a photodiode having a pin bond of amorphous silicon, it is possible to transmit a light beam and easily detect the light amount of a predetermined ratio of the light beam.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1実施形態の光源装置を備えた光
ビーム書込装置を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a light beam writing device including a light source device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第1実施形態の光源装置を示す平面
図及び側面図である。
FIG. 2 is a plan view and a side view showing the light source device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第1実施形態の光源装置の光電変換
素子の構成を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a photoelectric conversion element of the light source device according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第1実施形態の光源装置の構成を示
すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration of the light source device according to the first embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第2実施形態の光源装置を示す平面
図及び側面図である。
FIG. 5 is a plan view and a side view showing a light source device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第3実施形態の光源装置を示す平面
図及び側面図である。
FIG. 6 is a plan view and a side view showing a light source device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の第4実施形態の光源装置を示す構成
図である。
FIG. 7 is a configuration diagram illustrating a light source device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】 従来の光源を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a conventional light source.

【図9】 従来の光源装置を示す構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram showing a conventional light source device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光ビーム書込装置 2 コリメータレンズ 3 ポリゴンミラー 4 走査レンズ 5 反射ミラー 6 受光センサ 9 ハーフミラー 10 光源装置 11、16 電極 12 基板 13 下部クラッド層 14 活性層 15 上部クラッド層 21、22、23 光源 24 基板 25、26、27 導波路 28 下部クラッド層 29 上部クラッド層 30 光モジュール 31 制御部 32 比較部 33 駆動部 34 記憶部 41、42、43、44 光電変換素子 51、52 透明電極 54 保護絶縁膜 63 半導体膜 64、66 キャリア注入阻止層 65 光電変換膜 Reference Signs List 1 light beam writing device 2 collimator lens 3 polygon mirror 4 scanning lens 5 reflection mirror 6 light receiving sensor 9 half mirror 10 light source device 11, 16 electrode 12 substrate 13 lower cladding layer 14 active layer 15 upper cladding layer 21, 22, 23 light source Reference Signs List 24 substrate 25, 26, 27 waveguide 28 lower cladding layer 29 upper cladding layer 30 optical module 31 control unit 32 comparison unit 33 driving unit 34 storage unit 41, 42, 43, 44 photoelectric conversion element 51, 52 transparent electrode 54 protective insulation Film 63 semiconductor film 64, 66 carrier injection blocking layer 65 photoelectric conversion film

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01S 5/026 H01L 31/02 D Fターム(参考) 2C362 AA43 AA45 AA53 AA54 DA08 2H047 KA04 KA12 MA07 RA04 5F073 AB13 AB15 AB21 AB25 AB27 AB29 BA07 FA02 FA06 GA03 GA12 GA18 GA37 GA38 5F088 AA03 AB04 AB05 BA15 BA20 BB10 CA02 DA01 FA04 GA02 HA12 JA14 5F089 AA02 AA10 AB20 AC30 BC16 CA15 GA10 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H01S 5/026 H01L 31/02 DF term (reference) 2C362 AA43 AA45 AA53 AA54 DA08 2H047 KA04 KA12 MA07 RA04 5F073 AB13 AB15 AB21 AB25 AB27 AB29 BA07 FA02 FA06 GA03 GA12 GA18 GA37 GA38 5F088 AA03 AB04 AB05 BA15 BA20 BB10 CA02 DA01 FA04 GA02 HA12 JA14 5F089 AA02 AA10 AB20 AC30 BC16 CA15 GA10

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入射面から入射した入射光を出射面に導
く導波路と、前記導波路を通った光束を透過するととも
に該光束の一部によってその光量を検出する光電変換素
子とを備え、前記導波路と前記光電変換素子とを一体に
設けたことを特徴とする光モジュール。
A waveguide for guiding incident light incident from an entrance surface to an exit surface; and a photoelectric conversion element that transmits a light beam passing through the waveguide and detects the amount of light by a part of the light beam; An optical module, wherein the waveguide and the photoelectric conversion element are provided integrally.
【請求項2】 前記光電変換素子を前記出射面に接して
設けたことを特徴とする請求項1に記載の光モジュー
ル。
2. The optical module according to claim 1, wherein said photoelectric conversion element is provided in contact with said emission surface.
【請求項3】 前記導波路を分断する溝を設け、前記光
電変換素子を前記溝内に配したことを特徴とする請求項
1に記載の光モジュール。
3. The optical module according to claim 1, wherein a groove for dividing the waveguide is provided, and the photoelectric conversion element is disposed in the groove.
【請求項4】 前記光電変換素子は、アモルファスシリ
コンのpin結合を有したフォトダイオードから成るこ
とを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の
光モジュール。
4. The optical module according to claim 1, wherein said photoelectric conversion element comprises a photodiode having a pin bond of amorphous silicon.
【請求項5】 請求項1〜請求項4のいずれかに記載の
光モジュールと、前記入射面に光束を照射する光源と、
前記光電変換素子の検出結果に基づいて前記光源の出力
を制御する制御部とを備えたことを特徴とする光源装
置。
5. An optical module according to claim 1, wherein said light source irradiates a light beam onto said incident surface.
A light source device comprising: a control unit that controls an output of the light source based on a detection result of the photoelectric conversion element.
【請求項6】 前記光モジュールと前記光源とを一体に
設けたことを特徴とする請求項5に記載の光源装置。
6. The light source device according to claim 5, wherein the optical module and the light source are provided integrally.
【請求項7】 光源と、前記光源から射出された光束を
透過するとともに該光束の一部によってその光量を検出
する光電変換素子と、前記光電変換素子の検出結果に基
づいて前記光源の出力を制御する制御部とを備えたこと
を特徴とする光源装置。
7. A light source, a photoelectric conversion element that transmits a light beam emitted from the light source and detects a light amount by a part of the light beam, and outputs an output of the light source based on a detection result of the photoelectric conversion element. A light source device comprising: a control unit that controls the light source.
【請求項8】 前記光電変換素子は、アモルファスシリ
コンのpin結合を有したフォトダイオードから成るこ
とを特徴とする請求項7に記載の光源装置。
8. The light source device according to claim 7, wherein the photoelectric conversion element is formed of a photodiode having a pin bond of amorphous silicon.
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WO2003073147A1 (en) * 2002-02-21 2003-09-04 Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beam-guiding and/or frequency-converting optical system and method for producing the same
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