JP2001332182A - Cathode ray tube - Google Patents

Cathode ray tube

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JP2001332182A
JP2001332182A JP2001076306A JP2001076306A JP2001332182A JP 2001332182 A JP2001332182 A JP 2001332182A JP 2001076306 A JP2001076306 A JP 2001076306A JP 2001076306 A JP2001076306 A JP 2001076306A JP 2001332182 A JP2001332182 A JP 2001332182A
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Japan
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electron beam
cathode ray
ray tube
magnetic flux
magnetic shield
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Application number
JP2001076306A
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Japanese (ja)
Inventor
Ryuichi Murai
隆一 村井
Shinichiro Hatta
真一郎 八田
Hiroshi Iwamoto
洋 岩本
Tetsuo Ozawa
哲郎 小澤
Shigeo Nakadera
茂夫 中寺
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cathode ray tube generating a less amount of mislanding due to the distortion of an electron beam with an external magnetic field such as an earth magnetism and less color drift or irregularity on a whole screen. SOLUTION: An internal magnetic shield 30 has an extension portion 34 at a central portion of a long side wall 31 along the edge on the incident side of an electron beam. A height H1 of the extension portion 34 (the height of a cut portion from a bottom side) is greater than a height H2 of a short side wall 32 (the height of the cut portion from the bottom side) neighboring the long side wall at the edge on the incident side of the electron beam.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管に関する
ものであって、特に、地磁気等に代表される外部磁気特
性の改善を目指した内部磁気シールドの形状に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly to a shape of an internal magnetic shield for improving external magnetic characteristics such as terrestrial magnetism.

【0002】[0002]

【従来の技術】図11には、従来のテレビジョンやパソ
コンモニタ等の陰極線管(以下、「CRT」と記載する。)
を示してある。これに示すようにCRTでは、電子銃から
放出された電子ビーム111を偏向コイル112で垂直
および水平方向に偏向し、画面全体に走査させて映像を
再現する。このとき、CRTに地磁気等の外部磁界がビー
ムの進行方向と直交する方向に作用すると電子ビーム1
11は図の破線のように歪曲し(若干誇張して図示して
いる。)、パネル113上の蛍光体114に対して所定
の位置に到達しないといういわゆるミスランディングが
生じる。この防止対策として、CRT内部(ここではファ
ンネル部内部)に電子ビームの通過経路を囲むように内
部磁気シールド115が一般に設けられる。なお、CRT
において、電子ビームは、偏向コイルにより偏向量が制
御されることによってスクリーンの水平方向に水平走査
され(図面手前側から奥側に或いは図面奥側から手前
側)、並びに垂直方向(図面で矢印Yの方向)に垂直走
査されることでラスターを構成するラスタースキャン方
式が一般に用いられる。
2. Description of the Related Art FIG. 11 shows a conventional cathode ray tube (hereinafter referred to as "CRT") for a television or a personal computer monitor.
Is shown. As shown in the figure, in a CRT, an electron beam 111 emitted from an electron gun is deflected in a vertical and horizontal direction by a deflection coil 112, and is scanned over the entire screen to reproduce an image. At this time, when an external magnetic field such as terrestrial magnetism acts on the CRT in a direction orthogonal to the traveling direction of the beam, the electron beam 1
Numeral 11 is distorted as shown by a broken line in the figure (illustrated in a slightly exaggerated manner), and so-called mislanding that the phosphor 114 on the panel 113 does not reach a predetermined position occurs. As a countermeasure, an internal magnetic shield 115 is generally provided inside the CRT (here, inside the funnel) so as to surround the passage of the electron beam. In addition, CRT
In (2), the electron beam is horizontally scanned in the horizontal direction of the screen (from the near side to the far side of the drawing or from the far side to the near side of the drawing) by controlling the deflection amount by the deflection coil, and in the vertical direction (arrow Y in the drawing). The raster scan method is generally used in which a raster is formed by performing vertical scanning in the direction (1).

【0003】ところで、外部磁界を完全にシールドする
ことは不可能なので、内部磁気シールド115の実質的
な役割は、ある程度の磁界をシールドすること、磁力線
の向きを変化させ電子ビームが力を受けないようにする
か、ある部分で受けた力を補正することにある。さて、
特別な場合を除いて、外部磁界の主因は地磁気である。
そしてこの地磁気は、水平成分(画面に水平な方向のベ
クトル成分)と垂直成分(画面と垂直な方向のベクトル
成分)とに分けられる。このうち垂直成分はよく知られ
ているように、ほぼ画面全面に一様にランディングを変
化させるため、蛍光面形成時に補正レンズ等で蛍光面の
形成位置を補正するために問題にならない。一方、図1
2に示すように水平磁界120は、CRTと磁界の向きの
相対的位置によって向きが変わり、一般的にCRTの管軸
方向121と横方向122に分解される。なお、ここ
で、電子ビームが通過する空間領域は電子ビームの進行
方向に向って末広がりとなる略円錐形状となるが、この
円錐形状をなす電子ビーム通過領域の中心軸を管軸と呼
ぶ。従って、結局地磁気シールドを考える場合、地磁気
の水平成分の分力である横方向磁界と、管軸方向磁界の
磁気特性を考慮する必要である。そして、地磁気相当以
上の磁界を外部から印加しそのときの蛍光面でのビーム
ランディングの変化量を測定することによって、CRTに
おけるこの特性を評価することができる。測定点は、例
えば、図13に示すように4カ所の画面コーナ部と、画
面長辺部の上下中央部(以下NS部と表記)とすること
ができ、ここで特に重要な特性は、 (1)横方向磁界を印加したときの、コーナ部の特性
(以下「横コーナ」と表記)。
Since it is impossible to completely shield the external magnetic field, the internal magnetic shield 115 has a substantial role of shielding a certain magnetic field, changing the direction of the magnetic field lines, and preventing the electron beam from receiving a force. Or to correct the force received at a certain point. Now,
Except in special cases, the main source of external magnetic fields is geomagnetism.
The geomagnetism is divided into a horizontal component (a vector component in a direction horizontal to the screen) and a vertical component (a vector component in a direction perpendicular to the screen). Of these, as is well known, the vertical component uniformly changes the landing over substantially the entire screen, and does not pose a problem because the position of the phosphor screen is corrected by a correction lens or the like when the phosphor screen is formed. On the other hand, FIG.
As shown in FIG. 2, the horizontal magnetic field 120 changes its direction depending on the relative position of the magnetic field and the CRT, and is generally decomposed into a tube axis direction 121 and a lateral direction 122 of the CRT. Note that, here, the space region through which the electron beam passes has a substantially conical shape diverging toward the traveling direction of the electron beam, and the central axis of the conical electron beam passage region is called a tube axis. Therefore, when considering the geomagnetic shield, it is necessary to consider the horizontal magnetic field, which is a component of the horizontal component of the geomagnetic field, and the magnetic characteristics of the tube axial magnetic field. Then, by applying a magnetic field equivalent to geomagnetism or more from the outside and measuring the amount of change in beam landing on the phosphor screen at that time, this characteristic of the CRT can be evaluated. The measurement points can be, for example, four screen corners as shown in FIG. 13 and upper and lower central portions (hereinafter, referred to as NS portions) of a long side of the screen. 1) Characteristics of a corner portion when a lateral magnetic field is applied (hereinafter referred to as “lateral corner”).

【0004】(2)管軸方向磁界を印加したときの、N
S部の特性(以下「管軸NS」と表記)。である。さ
て、内部磁気シールド115の形状は、図14に示すよ
うな、相対する長辺側壁141と相対する短辺側壁14
2とで形成された多角錐筒状であって、錘の頂部に開口
部143を有しているものが一般的である。一方、近年
大画面化や、フェイスプレートが平面であるCRTが主流
となりつつある。そして、特にフェースプレートが平面
のCRTでは、上記のようなシャドウマスクにテンション
を与えた方式が一般に採用される。これは、線状材をフ
レームに張架することによってテンションを付与する。
(2) When a magnetic field in the tube axis direction is applied, N
Characteristics of S part (hereinafter referred to as “tube axis NS”). It is. Now, the shape of the internal magnetic shield 115 is as shown in FIG.
2 is generally a polygonal pyramidal cylinder formed with an opening 143 at the top of the weight. On the other hand, in recent years, CRTs having a large screen and a flat face plate have become mainstream. In particular, in a CRT having a flat face plate, a method in which tension is applied to the shadow mask as described above is generally adopted. This imparts tension by stretching a linear material on a frame.

【0005】この方式のCRTでは、従来技術の内部磁気
シールドでは、地磁気によるミスランディングが、著し
く悪化する傾向があった。これは、シャドウマスクにテ
ンションを加えることで、シャドウマスクの磁気抵抗が
大きくなり、シャドウマスク近傍に不所望な磁界が発生
していることによると考えられる(村井他、SID2000DIG
EST,P582〜585)。例えば、従来の25”CRTでは横コ
ーナ、管軸NSとも10μm程度であったのが、シャド
ウマスクにテンションを与えると横コーナ:30μm、
管軸NS:25μmと悪化してしまう。
In this type of CRT, mislanding due to terrestrial magnetism tends to be significantly deteriorated in the conventional internal magnetic shield. This is thought to be due to the fact that the application of tension to the shadow mask increases the magnetic resistance of the shadow mask and generates an undesirable magnetic field near the shadow mask (Murai et al., SID2000DIG
EST, P582-585). For example, in the conventional 25 ″ CRT, both the horizontal corner and the tube axis NS are about 10 μm, but when tension is applied to the shadow mask, the horizontal corner: 30 μm,
Tube axis NS: deteriorates to 25 μm.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図14に示す構造の内
部磁気シールドの特性を改善すべく、前記短辺側壁にV
字形の切り込み部144を設けこの切り込みの深さや、
幅を変えるなどして最適化を図るという試みもなされて
いる。特に、V字状切り欠き部の深さを変える方が、幅
等を変化させるより特性は大きく変化する。その様子を
図15に示す。図15に示すように、切り込み深さを大
きくしていくと、横コーナの特性は、大幅に改善され
る。しかし管軸NSの特性はほとんど変化しない。V字
状の深さを、0mmから150mmと変化させた場合、横
コーナは約10μm変化するが、管軸NSはほとんど変
化しない。
In order to improve the characteristics of the internal magnetic shield having the structure shown in FIG.
The cut portion 144 having a character shape is provided, and the depth of the cut,
Attempts have been made to optimize by changing the width. In particular, changing the depth of the V-shaped cutout changes the characteristics more greatly than changing the width or the like. This is shown in FIG. As shown in FIG. 15, as the cutting depth is increased, the characteristics of the horizontal corner are significantly improved. However, the characteristics of the tube axis NS hardly change. When the V-shaped depth is changed from 0 mm to 150 mm, the horizontal corner changes by about 10 μm, but the tube axis NS hardly changes.

【0007】結局V字状形状の最適化では、 地磁気相
当の外部磁界に対する、ビームランディングの変化量
は、 (横コーナ、管軸NS) = (20μm、23μm) まで改善されたが、さらに両方の特性を同時に改善する
ことは不可能であった。そして、横コーナと、管軸NS
の特性は変化率がほぼ同じで符号が逆のトレードオフの
関係にあり、さらに両方の特性を同時に改善することは
不可能であった。
After all, in the optimization of the V-shape, the amount of change in beam landing with respect to an external magnetic field equivalent to the earth's magnetism was improved to (lateral corner, tube axis NS) = (20 μm, 23 μm). It was not possible to improve the properties at the same time. And the horizontal corner and the tube axis NS
Are in a trade-off relationship with almost the same rate of change and opposite signs, and it was impossible to improve both properties simultaneously.

【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、地磁気等の外部磁界による電子ビーム
の歪曲によるミスランディング量を少なくし、画面全体
において、色ずれや色むらを少なくする陰極線管を提供
することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and reduces the amount of mislanding due to distortion of an electron beam due to an external magnetic field such as terrestrial magnetism, and reduces color shift and color unevenness over the entire screen. It is intended to provide a cathode ray tube.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、この
ような目的を達成するために、内部磁気シールドの偏向
コイル側端部近傍の磁界分布と、シャドウマスク近傍の
磁界分布とを工夫した。CRT画面周辺部を表示するとき
に相当する電子ビームが、通過する軌道上の磁界分布が
重要である。これは内部磁気シールドの入口平面でいう
と、縁に沿った部分で、平面の約20%の面積に相当す
る。
In order to achieve the object, the present invention devises a magnetic field distribution near the end of the internal magnetic shield near the deflection coil and a magnetic field distribution near the shadow mask. . When displaying the periphery of the CRT screen, the magnetic field distribution on the orbit through which the electron beam passes is important. This corresponds to about 20% of the plane of the inner magnetic shield at the entrance plane, along the edge.

【0010】先に述べた管軸NSを改善させるために
は、管軸方向から磁界が印加された場合に、垂直方向磁
界(By、垂直方向とは、垂直走査方向に沿った方向の
こと)の分布を工夫する必要があることが分かってい
る。そして、具体的には、図16に示すように、偏向コ
イル近傍のBy成分と、シャドウマスク近傍のBy成分と
をプラス・マイナス逆方向とすることが極めて効果的で
ある。なお、この図で磁界Byは相対値である。このこ
とで、電子ビームの軌道上でマスク近傍にて生じるずれ
とは反対方向に内部磁気シールドの電子ビーム入射側入
口部分で予め電子ビームの軌道を変位させられるので、
電子ビームが垂直方向に受ける力を相殺し、電子ビーム
の磁界による移動量を軽減することが可能となる。
In order to improve the tube axis NS described above, when a magnetic field is applied from the tube axis direction, a vertical magnetic field (By, the vertical direction is a direction along the vertical scanning direction). It is known that it is necessary to devise the distribution of. Specifically, as shown in FIG. 16, it is extremely effective to set the By component near the deflection coil and the By component near the shadow mask in the plus / minus reverse direction. Note that in this figure, the magnetic field By is a relative value. As a result, the electron beam trajectory can be displaced in advance in the electron beam entrance side entrance of the internal magnetic shield in the direction opposite to the shift occurring near the mask on the electron beam trajectory.
The force that the electron beam receives in the vertical direction is canceled, and the amount of movement of the electron beam by the magnetic field can be reduced.

【0011】偏向コイル側のBy成分をマイナス方向と
するためには、発明者らは、内部磁気シールドにおい
て、(1)形状を工夫することで、偏向コイル側の電子
ビーム入口側の垂直走査方向に沿った方向上方下方側両
端の部分(実施形態では長辺側壁)での磁束の吸収量を
水平走査方向に沿った方向の左右両端に位置する部分
(実施形態では短辺側壁)での磁束の吸収量よりも多く
した。また、(2)実効的な透磁率を変えることで、偏
向コイル側の電子ビーム入口側の垂直走査方向に沿った
方向上方下方側両端の部分での磁束の吸収量を水平走査
方向に沿った方向の左右両端に位置する部分での磁束の
吸収量よりも多くした。
In order for the By component on the deflection coil side to be in the minus direction, the present inventors devised (1) the shape of the internal magnetic shield so that the vertical scanning direction on the electron beam entrance side on the deflection coil side. The amount of magnetic flux absorbed by the upper and lower ends (long side walls in the embodiment) along the direction of the horizontal axis is determined by the magnetic flux at the left and right ends (short side walls in the embodiment) along the horizontal scanning direction. More than the absorption. (2) By changing the effective magnetic permeability, the amount of magnetic flux absorbed at both ends on the upper and lower sides in the vertical scanning direction on the electron beam entrance side on the deflection coil side is increased along the horizontal scanning direction. More than the amount of magnetic flux absorbed at the portions located at the left and right ends in the direction.

【0012】透磁率を変える方法としては、内部磁気シ
ールドにおいて、偏向コイル側の電子ビーム入口側の垂
直走査方向に沿った方向上方下方側両端の部分の透磁率
を実質的に大きい材料で構成し、水平走査方向に沿った
方向の左右両端に位置する部分の透磁率を実質的に小さ
い材料で構成することが挙げられる。このように、本発
明は、内部磁気シールドの偏向コイル側端部近傍の磁界
分布と、シャドウマスク近傍の磁界分布とを工夫するこ
とで、電子ビームのミスランディング量を減らすことを
可能とする。
As a method of changing the magnetic permeability, the inner magnetic shield is made of a material having substantially large magnetic permeability at both ends on the upper and lower sides in the vertical scanning direction on the electron beam entrance side on the deflection coil side. And that the portions located at the left and right ends in the direction along the horizontal scanning direction are made of a material having a substantially low magnetic permeability. As described above, the present invention makes it possible to reduce the amount of mislanding of the electron beam by devising the magnetic field distribution near the deflection coil side end of the internal magnetic shield and the magnetic field distribution near the shadow mask.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】[実施の形態]以下に本発明に係る
CRTについて具体的に説明する。 <CRTの概略構成、内部磁気シールドの構造について>図
1は本発明の実施の形態における断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [Embodiments]
The CRT will be specifically described. <Schematic Configuration of CRT and Structure of Internal Magnetic Shield> FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of the present invention.

【0014】このCRTは、近年主流になりつつあるフラ
ットタイプ(フェースプレート前部面がフラット)及び
シャドウマスクが張架方式の25‘’のCRTである。具
体的には、当該CRTは、前部面が平坦なフェースプレー
ト10と、内部磁気シールド30を備えたファンネル部
15と、ネック部20と、ネック部20に挿設された電
子銃25とを主たる構成要素とする。
This CRT is a flat type (front surface of a face plate is flat) which is becoming mainstream in recent years, and a 25 ″ CRT in which a shadow mask is stretched. Specifically, the CRT includes a face plate 10 having a flat front surface, a funnel portion 15 having an internal magnetic shield 30, a neck portion 20, and an electron gun 25 inserted into the neck portion 20. Main components.

【0015】前記フェースプレート10の前部内面には
各色の蛍光体部11が形成されている。ファンネル部1
5のフェースプレート10と反対側の端部外周面には偏
向コイル16が全周を覆うように取り付けられている。
図2は前記CRTの発明と関連する部分における主たる内
部構造を示す図であり、内部磁気シールド30とマスク
フレーム40の取り付け状態からの分解斜視図である。
On the inner surface of the front portion of the face plate 10, phosphor portions 11 of each color are formed. Funnel part 1
A deflection coil 16 is attached to the outer peripheral surface of the end opposite to the face plate 10 so as to cover the entire circumference.
FIG. 2 is a diagram showing a main internal structure of a portion related to the invention of the CRT, and is an exploded perspective view of the state where the internal magnetic shield 30 and the mask frame 40 are attached.

【0016】図2において、内部磁気シールド30は、
相対する長辺側壁31と相対する短辺側壁32とで形成
された多角錐形状であって、錘の頂部に開口部33を有
していている。前記長辺側壁31の両上端部(偏向コイ
ル側)にはその左右両端近傍を残して中央部分が偏向コ
イル側に延長された矩形上の延長部34が形成されてい
る。
In FIG. 2, the internal magnetic shield 30 is
It has a polygonal pyramid shape formed by opposing long side walls 31 and opposing short side walls 32, and has an opening 33 at the top of the weight. At both upper end portions (deflection coil side) of the long side wall 31, rectangular extension portions 34 are formed, the center portions of which are extended to the deflection coil side except for the vicinity of both left and right ends thereof.

【0017】この結果、延長部34の両隣には切り欠き
部35が形成された状態となる。短辺側壁32の上端部
における長辺側壁31側近傍部分にも切り欠き部35と
連なった切り欠き部36が形成されている。そして、更
に、前記延長部34の上端縁34Aの切り欠き部35の
底辺からの高さH1は、前記短辺側壁32の上端縁部3
2Aの最上端の高さ、つまり切り欠き部36の底辺から
の高さH2よりも高く規定されている。なお、両切り欠
き部35、36の底辺は同じ高さである。
As a result, notches 35 are formed on both sides of the extension 34. A cutout portion 36 connected to the cutout portion 35 is also formed in a portion near the long side wall 31 at the upper end of the short side wall 32. Further, the height H1 of the upper edge 34A of the extension 34 from the bottom of the notch 35 is equal to the upper edge 3 of the short side wall 32.
The height is defined to be higher than the height of the uppermost end of 2A, that is, the height H2 from the bottom of the notch 36. Note that the bottom sides of both cutouts 35 and 36 have the same height.

【0018】次に、マスクフレーム40は、一対の張架
部材41と外観コの字形の一対の保持部材42とからな
る。張架部材41は同方向に伸びるように対向して配置
され、この両端部にコの字形の前記保持部材42が溶接
固定されている。そして、張架部材41には複数の線状
材が集合してなるシャドウマスクMaがテンションが与
えられて上下端部が保持されている。保持部材42は、
シャドウマスクMaのテンションを保持し、及びフレー
ムの強度を増すために、テンション方向に沿って張架部
材を位置決するように設けられている。
Next, the mask frame 40 includes a pair of stretching members 41 and a pair of holding members 42 having a U-shaped appearance. The tension members 41 are arranged to face each other so as to extend in the same direction, and the U-shaped holding member 42 is fixed to both ends by welding. A tension is applied to the stretching member 41 by a shadow mask Ma formed by assembling a plurality of linear members, and the upper and lower ends are held. The holding member 42 is
In order to maintain the tension of the shadow mask Ma and increase the strength of the frame, the tension member is provided to position the tension member along the tension direction.

【0019】かかるマスクフレーム40のシャドウマス
クMaを張架する面とは反対側に内部磁気シールドの下
端が溶接等によって固定されている。 <内部磁気シールドの作用・効果について>上記のよう
に、長辺側壁の上端部に延長部を設けて、この端縁部の
高さを短辺側壁の上端縁部の高さよりも高くすることに
よって、偏向コイル側の電子ビーム入口側の垂直走査方
向に沿った方向上方下方側の部分での磁束の吸収量(Φ
1)を水平走査方向に沿った方向の左右に位置する部分
での磁束の吸収量(Φ2)よりも多くする(Φ1>Φ
2)ことができる。言い換えると、偏向コイル側の電子
ビーム入口側の垂直走査方向に沿った方向上方下方側の
部分での磁束密度(B1)を水平走査方向に沿った方向
の左右に位置する部分での磁束密度(B2)よりも大き
くする(B1>B2)ことができる。
The lower end of the internal magnetic shield is fixed to the mask frame 40 on the side opposite to the surface on which the shadow mask Ma is stretched by welding or the like. <Function and effect of internal magnetic shield> As described above, an extension is provided at the upper end of the long side wall, and the height of this edge is higher than the height of the upper end of the short side wall. The amount of magnetic flux absorption (Φ) in the upper and lower portions in the direction along the vertical scanning direction on the electron beam entrance side on the deflection coil side
1) is set to be larger than the amount of absorbed magnetic flux (Φ2) in the portions located on the left and right sides in the horizontal scanning direction (Φ1> Φ)
2) Yes. In other words, the magnetic flux density (B1) in the upper and lower portions in the direction along the vertical scanning direction on the electron beam entrance side on the deflection coil side is changed to the magnetic flux density (B1) in the right and left portions in the direction along the horizontal scanning direction. B2) (B1> B2).

【0020】また、同じ長辺側壁近傍に着目すると、延
長部34での磁束の吸収量は切り欠き部35よりも多
く、従って、延長部34で吸収される磁束の磁束密度は
切り欠き部35近傍よりも高い。つまり、延長部34に
磁界が集中することになる。このように磁束の内部磁気
シールドによる吸収量・磁束密度に水平方向及び垂直方
向とで差を形成することによって、偏向コイル側のBy
成分と、シャドウマスク近傍のBy成分とはプラス・マ
イナス逆方向となる。このことで、電子ビームの軌道上
でマスク近傍にて生じるずれとは反対方向に内部磁気シ
ールドの電子ビーム入射側入口部分で予め電子ビームの
軌道を変位させられるので、電子ビームが垂直方向に受
ける力が相殺される。この結果、管軸NS特性を効果的
に改善し、電子ビームのミスランディングを特に管軸N
Sにおいて効果的に改善することができる。
When attention is paid to the vicinity of the same long side wall, the amount of magnetic flux absorbed by the extension 34 is larger than that of the notch 35, and therefore, the magnetic flux density of the magnetic flux absorbed by the extension 34 is reduced by the notch 35. Higher than near. That is, the magnetic field concentrates on the extension 34. By forming a difference between the absorption amount and the magnetic flux density of the magnetic flux by the internal magnetic shield in the horizontal direction and the vertical direction, the By on the deflection coil side is formed.
The component and the By component near the shadow mask are in the plus / minus opposite directions. As a result, the trajectory of the electron beam is displaced in advance in the electron beam entrance side entrance portion of the internal magnetic shield in the direction opposite to the shift occurring near the mask on the trajectory of the electron beam, so that the electron beam is received in the vertical direction. Power is offset. As a result, the NS characteristics of the tube axis are effectively improved, and mislanding of the electron beam is reduced particularly in the tube axis N.
S can be effectively improved.

【0021】また、このように、長辺側壁の上端部に延
長部を設けて、この端縁部の高さを短辺側壁の上端縁部
の高さよりも高くすることによって、磁束の吸収量に差
が生まれるため、偏向コイル側の電子ビーム入口側の垂
直走査方向に沿った方向上方下方側の磁束の吸収量が多
い部分での磁束の吸収曲率(R1)は、水平走査方向に
沿った方向の左右に位置する磁束の吸収量が少ない部分
での磁束の吸収曲率(R2)よりも大きくされる(R1
>R1)状態が実現される。
In this way, by providing the extension at the upper end of the long side wall and making the height of this edge higher than the height of the upper end of the short side wall, the amount of magnetic flux absorption can be improved. Therefore, the absorption curvature (R1) of the magnetic flux at the portion where the amount of magnetic flux absorption is large on the upper and lower sides in the vertical scanning direction on the electron beam entrance side on the deflection coil side is higher than that on the horizontal scanning direction. The magnetic flux absorption curvature (R2) is made larger than the magnetic flux absorption curvature (R2) at the portion where the magnetic flux absorption amount located on the left and right sides of the direction is small.
> R1) state is realized.

【0022】また、同じ長辺側壁近傍に着目すると、延
長部34で磁束が吸収される際の曲率は切り欠き部35
より大きい。つまり、延長部34に磁界が集中すること
になる。これは、管軸に沿って直進する外部磁界が内部
磁気シールドの電子ビーム入口部分で吸収されるが、垂
直走査方向に沿った方向上方下方側の磁束の吸収量の方
が水平方向よりも多く、垂直方向の方が吸収効率が高い
ため、磁束の曲率にこのような違いが現れるのではない
かと考えられる。
When attention is paid to the vicinity of the same long side wall, the curvature at the time when the magnetic flux is absorbed by the extension portion 34 is reduced by the notch portion 35.
Greater than. That is, the magnetic field concentrates on the extension 34. This is because the external magnetic field traveling straight along the tube axis is absorbed by the electron beam entrance of the internal magnetic shield, but the amount of magnetic flux absorbed in the upper and lower directions along the vertical scanning direction is larger than in the horizontal direction. Since the absorption efficiency is higher in the vertical direction, it is considered that such a difference appears in the curvature of the magnetic flux.

【0023】通常は、外界から入ってきた外部磁界は、
内部磁気シールドの電子ビーム入口部分で電子ビーム通
過領域を囲む全ての部分によって吸収される。これに対
して、上記のように長辺側壁の上端部分に延長部を設け
ることによって、外部磁界は内部磁気シールドの電子ビ
ーム入口部分で電子ビーム通過領域を囲む全ての部分で
一様に吸収されるのではなく、延長部での吸収がより優
先的に行なわれることになる。
Normally, an external magnetic field coming from the outside world is
It is absorbed by all parts surrounding the electron beam passage area at the electron beam entrance part of the internal magnetic shield. On the other hand, by providing the extended portion at the upper end portion of the long side wall as described above, the external magnetic field is uniformly absorbed in all portions surrounding the electron beam passage area at the electron beam entrance portion of the internal magnetic shield. Instead, the absorption in the extension will take precedence.

【0024】上記のような外部磁界を吸収する量(磁束
の吸収量)に差を生じさせるという作用は、H1とH2
との差に左右され最適範囲が存在する。なお、H1の寸
法は、偏向コイルによって囲まれた空間部分に内部磁気
シールドの縁部が侵入し、偏向コイルによる偏向制御を
阻害することのない範囲で規定することが望まれる。こ
こで、H1とH2との差を変化させたとき(H2を2c
m又は4cmと一定値としたときにH1を変化させた場
合。なお、W1=W2=3cmに規定)の、電子ビーム
のミスランディング量の変化量を測定した結果を図3に
示す。
The effect of causing a difference in the amount of absorbing the external magnetic field (absorbing amount of magnetic flux) as described above is caused by H1 and H2.
There is an optimum range depending on the difference between It is desirable that the dimension of H1 be defined within a range that does not prevent the edge of the internal magnetic shield from entering the space surrounded by the deflection coil and hindering the deflection control by the deflection coil. Here, when the difference between H1 and H2 is changed (H2 is set to 2c
When H1 is changed when a fixed value of m or 4 cm is set. FIG. 3 shows the result of measuring the variation in the amount of mislanding of the electron beam when W1 = W2 = 3 cm).

【0025】この図に示すように、H2=2cmとH2
=4cmの場合では、ビームミスランディング量の変化
量は絶対値は異なっているが、同じ様な傾向を示す。そ
して、H2=2cmの場合に、特に効果が高いことが分
かり、この場合に、H1=2cm〜4cmの範囲に最適
値があり、それ以外の範囲では悪化することが分かる。
As shown in this figure, H2 = 2 cm and H2
In the case of = 4 cm, the amount of change in the amount of beam mislanding has a similar tendency, although the absolute value is different. It can be seen that the effect is particularly high when H2 = 2 cm. In this case, there is an optimum value in the range of H1 = 2 cm to 4 cm, and it is understood that the effect is worse in other ranges.

【0026】また、この外部磁界を吸収する量(磁束の
吸収量)に差を生じさせるという作用は、上記のように
短辺側壁との境界部分近傍の上端部分に切り欠き部3
5、36を設けることによって、より一層顕著なものと
なる。これは、切り欠き部35、36を設けることによ
って、その部分から吸収される磁束をより少なくでき、
延長部からの磁束の吸収がより効果的に行われることに
なるためと考えられる。そして、この切り欠き部の寸法
には最適範囲が存在する。
The effect of causing a difference in the amount of absorbing the external magnetic field (absorbing amount of magnetic flux) is caused by the notch 3 in the upper end portion near the boundary with the short side wall as described above.
Providing 5, 36 makes it even more remarkable. This is because, by providing the notches 35 and 36, the magnetic flux absorbed from the portions can be reduced,
It is considered that the magnetic flux from the extension is more effectively absorbed. There is an optimum range for the size of the notch.

【0027】ここで、切り欠き部35、36の深さを2
cmとしたきの切り欠きの幅W1、W2を変化させたと
きのビームランディング量変化を、図4に示す。なお、
ここでは、切り欠き幅W1=W2と規定して測定した。図
4からわかるように、コーナ部を中心に、切り欠き部を
設けることで磁気シールドの短辺側壁のV字状切り欠き
のパラメータを変えたときよりも(図15参照)、横コ
ーナの変化は小さいが、管軸NSの変化を若干大きくす
ることが可能となり、両特性を両立させられる。なお、
この結果から、実験データでは現れていないが切り欠き
部35の長さは長辺側壁の上端の幅の1/2未満とする
ことが望ましいことが判明している。
Here, the notches 35 and 36 have a depth of 2
FIG. 4 shows a change in the amount of beam landing when the widths W1 and W2 of the notches in cm are changed. In addition,
Here, the measurement was performed by defining the notch width W1 = W2. As can be seen from FIG. 4, the change in the lateral corners is more pronounced by providing a notch around the corner than when changing the parameters of the V-shaped notch on the short side wall of the magnetic shield (see FIG. 15). Is small, but the change of the tube axis NS can be slightly increased, and both characteristics can be compatible. In addition,
From this result, although not shown in the experimental data, it has been found that the length of the notch 35 is desirably less than half the width of the upper end of the long side wall.

【0028】従って、横コーナの特性があまり問題でな
い管種の場合、管軸NS特性を改善するのに非常に有効
な改善方法である。さらに細かな調整が必要な場合、W
1とW2が異なるような切り欠きの長さを長辺側(W
1)と、短辺側(W2)で変えることで可能となる。今
まで述べてきたのは、切り込みの深さが2cmと一定と
した場合であったが、切り込みの深さを変えることでも
同様な効果が得られる。
Therefore, in the case of a pipe type in which the characteristics of the horizontal corner are not so problematic, this is a very effective method for improving the pipe axis NS characteristics. If further adjustment is required,
1 and W2 are different from each other on the long side (W
1) and by changing it on the short side (W2). What has been described so far has been the case where the cut depth is fixed at 2 cm. However, a similar effect can be obtained by changing the cut depth.

【0029】ちなみに、図5に短辺側の切り欠き幅3c
m、長辺側の切り欠き幅5cmのときの切り欠き深さを
変化させた場合の、ビームランディング量変化を示す。
以上のような内部磁気シールドを用いることで、電子ビ
ームが蛍光面までの軌道上で地磁気等の外部磁界から受
ける力を相殺させる反磁界を形成させ、その結果、電子
ビームが受ける力が少なくなり、電子ビームの歪曲によ
るミスランディングを少なくし、画面全体において、色
ズレや色ムラを防止することができる。また、ミスラン
ディングを画面全体において少なくしながら、特に、地
磁気に代表される外部磁界の影響を相殺し管軸NS特性
の改善を図ることができる。
FIG. 5 shows the notch width 3c on the short side.
m shows the change in beam landing amount when the notch depth is changed when the notch width on the long side is 5 cm.
By using the internal magnetic shield as described above, a demagnetizing field is formed that cancels out the force that the electron beam receives from an external magnetic field such as terrestrial magnetism on the trajectory to the phosphor screen. As a result, the force that the electron beam receives is reduced. In addition, mislanding due to electron beam distortion can be reduced, and color shift and color unevenness can be prevented over the entire screen. In addition, it is possible to improve the tube axis NS characteristic by canceling out the influence of an external magnetic field represented by geomagnetism while reducing the mislanding in the entire screen.

【0030】<変形例> 偏向中心側の開口部33における短辺側壁32にV
字形状の切り込み部を形成して、更に、特性を改善する
こともできる。具体的には、図6A、図6Bに示すよう
な形状とすることができる。図6において、内部磁気シ
ールド60は、相対する長辺側壁61と相対する短辺側
壁62とで形成された多角錐形状であって、錘の頂点に
開口部63を有するとともに、偏向中心側の開口部にお
ける短辺側壁に切り込み部64が形成されたものであ
る。
<Modification> The short side wall 32 in the opening 33 on the deflection center side has V
Characteristic cuts can be formed to further improve the characteristics. Specifically, it can be shaped as shown in FIGS. 6A and 6B. 6, the internal magnetic shield 60 has a polygonal pyramid shape formed by opposing long side walls 61 and opposing short side walls 62. The inner magnetic shield 60 has an opening 63 at the apex of the weight and is located on the deflection center side. The cut portion 64 is formed on the short side wall of the opening.

【0031】図6Aのものでは、切り込み部64は、単
純に一定の切り込み角度(Θ1)で切り込んであるに過
ぎないという単純なものである。一方、図6Bのもので
は、切り込み部64は、単純に一定の切り込み角度で切
り込んであるのではなく、深い切り込み角度(Θ2)と
それよりも浅い切り込み角度(Θ3)の少なくとも2つ
の切り込み角度で切り込んであり、いわばホームベース
形状となっている。 次に、図7Aに示すように、切り込み部64の底部
64Aの形状は鋭角状ではなく、平坦に一定の幅をもた
せたり、図7Bに示すように円弧状としてもよい。
In FIG. 6A, the cut portion 64 is a simple one in which the cut is simply made at a fixed cut angle (Θ1). On the other hand, in FIG. 6B, the cut portion 64 is not simply cut at a fixed cut angle but at least two cut angles of a deep cut angle (Θ2) and a shallower cut angle (Θ3). It has a notch, so to speak, a home base shape. Next, as shown in FIG. 7A, the shape of the bottom portion 64A of the cut portion 64 is not an acute angle, but may be flat and have a constant width, or may be an arc shape as shown in FIG. 7B.

【0032】ここで、実測値として、前記切り込み部6
4の最大開口部の幅(図6AにてLで示す寸法)を変化
させたときのビームランディング量の変化を図8に示
す。このとき管軸NSと横コーナの変化がほぼ同等とな
る。この結果L=30mmとすれば、 管軸NS = 15μm 横コーナ = 10μm の特性を実現することが可能となった。
Here, as the actually measured value, the notch 6
FIG. 8 shows a change in the beam landing amount when the width of the maximum opening of No. 4 (the dimension indicated by L in FIG. 6A) is changed. At this time, the change between the tube axis NS and the horizontal corner is substantially equal. As a result, if L = 30 mm, it was possible to realize the characteristics of tube axis NS = 15 μm and horizontal corner = 10 μm.

【0033】 上記延長部は、図9A、図9Bに示す
ように複数の突起91…とすることもできる。そして、
この突起の形状を図9Aに示すような矩形形状とした
り、図9Bに示すように半円形状することもできる。ま
た、図10に示すように延長部の中央部分を鋭角状とす
ることもできる。これにより、この部分での磁束の吸収
がより効果的に行なえる。
The extension may be a plurality of projections 91 as shown in FIGS. 9A and 9B. And
The shape of the projection may be a rectangular shape as shown in FIG. 9A or a semicircular shape as shown in FIG. 9B. Further, as shown in FIG. 10, the central portion of the extension may be formed into an acute angle. Thereby, the magnetic flux can be more effectively absorbed in this portion.

【0034】なお、図1から図10においては、磁気シ
ールド体とマスクフレームの間隔は、理解を容易にする
ためにやや離して描いている。最後に、本実施例では、
25”CRTを想定したが、このサイズのみならず他のサ
イズのCRTにも適応でき、そのときの延長部の高さや切
り欠き部の幅等の各部の寸法は、CRTの大きさやそれが
使用時に置かれる環境によって異なってくる。また、同
じサイズのCRTであっても、電子ビームがミスランディ
ングを生じる要素としては、外部磁界の他にも偏向コイ
ルによって発生する磁界の影響も否定することはできな
いため、偏向コイルの特性が異なればその電子ビームの
軌道も同様に内部磁気シールドの形状を工夫しても異な
るので、最適な内部磁気シールドの各要素の細かな寸法
は偏向コイルの特性によっても左右される。
In FIGS. 1 to 10, the distance between the magnetic shield and the mask frame is drawn slightly apart for easy understanding. Finally, in this embodiment,
A 25 ”CRT was assumed, but it can be applied to CRTs of other sizes as well as this size. At that time, the dimensions of each part such as the height of the extension and the width of the notch are the size of the CRT and the size of the CRT used In addition, even if the CRT has the same size, the fact that the electron beam causes mislanding as a factor causing mislanding does not negate the effect of the magnetic field generated by the deflection coil in addition to the external magnetic field. Therefore, if the characteristics of the deflection coil are different, the trajectory of the electron beam will be different even if the shape of the internal magnetic shield is devised, so the optimal fine dimensions of each element of the internal magnetic shield will also depend on the characteristics of the deflection coil. It depends.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の陰極
線管によればその内部の磁気分布が調整され、地磁気等
の外部磁界による電子ビームの歪曲によるミスランディ
ング量が低減され、画面全体において、色ずれや色むら
を少なくすることが可能となる。
As described above, according to the cathode ray tube of the present invention, the internal magnetic distribution is adjusted, the amount of mislanding caused by the distortion of the electron beam due to an external magnetic field such as terrestrial magnetism is reduced, and the entire screen is displayed. In addition, it is possible to reduce color shift and color unevenness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る実施の形態のCRTの断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view of a CRT according to an embodiment of the present invention.

【図2】前記CRTの内部構造の主たる部分を示す図であ
り、内部磁気シールド30とマスクフレーム40の取り
付け状態からの分解斜視図である。
FIG. 2 is a diagram showing a main part of an internal structure of the CRT, and is an exploded perspective view of the internal magnetic shield 30 and a mask frame 40 in a mounted state.

【図3】H1とH2との差を変化させたときの、電子ビ
ームのミスランディング量の変化を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a change in an amount of mislanding of an electron beam when a difference between H1 and H2 is changed.

【図4】切り欠き部35の幅W1と電子ビームのミスラ
ンディング量との関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a width W1 of a notch 35 and a mislanding amount of an electron beam.

【図5】切り欠き部35の深さと電子ビームのミスラン
ディング量との関係を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the depth of a notch 35 and the amount of mislanding of an electron beam.

【図6】図6A、図6B;共に実施の形態の変形例に係
る内部磁気シールドの構成を示す斜視図である。
6A and 6B are perspective views each showing a configuration of an internal magnetic shield according to a modification of the embodiment.

【図7】図7A、図7B;共に実施の形態の変形例に係
る内部磁気シールドの構成を示す短辺側壁部分のみを示
す平面図である。
7A and 7B are both plan views showing only a short side wall portion showing a configuration of an internal magnetic shield according to a modification of the embodiment;

【図8】切り込み部64の長さLと電子ビームのミスラ
ンディング量との関係を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a relationship between a length L of a cut portion 64 and an amount of mislanding of an electron beam.

【図9】図9A、図9B;共に実施の形態の変形例に係
る内部磁気シールドの構成を示す斜視図である。
9A and 9B are perspective views each showing a configuration of an internal magnetic shield according to a modification of the embodiment.

【図10】実施の形態の変形例に係る内部磁気シールド
の構成を示す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a configuration of an internal magnetic shield according to a modification of the embodiment.

【図11】従来例のCRTの断面図である。FIG. 11 is a sectional view of a conventional CRT.

【図12】CRT内に生じる水平磁界のベクトル成分を示
す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a vector component of a horizontal magnetic field generated in a CRT.

【図13】CRTのスクリーン上でのミスランディング量
の測定点を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing measurement points of a mislanding amount on a screen of a CRT.

【図14】従来のCRTで用いられている内部磁気シール
ドの構成を示す斜視図である。
FIG. 14 is a perspective view showing a configuration of an internal magnetic shield used in a conventional CRT.

【図15】従来のCRTにおける内部磁気シールドにおい
て切り込み部の切り込み深さと電子ビームのミスランデ
ィング量との関係を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a relationship between a cut depth of a cut portion and a mislanding amount of an electron beam in an internal magnetic shield in a conventional CRT.

【図16】本発明のCRT内垂直方向に発生している磁界
の分布状態を示す図である。
FIG. 16 is a diagram illustrating a distribution state of a magnetic field generated in a vertical direction in a CRT according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 フェースプレート 11 蛍光体 15 ファンネル部 16 偏向コイル 20 ネック部 25 電子銃 30 内部磁気シールド 31 長辺側壁 32 短辺側壁 33 開口部 34 延長部 35 切り欠き部 36 切り欠き部 40 マスクフレーム 41 張架部材 42 保持部材 Ma シャドウマスク H1 長辺側壁の高さ(切り欠き部の底辺から) H2 短辺側壁の高さ(切り欠き部の底辺から) DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Face plate 11 Phosphor 15 Funnel part 16 Deflection coil 20 Neck part 25 Electron gun 30 Internal magnetic shield 31 Long side wall 32 Short side wall 33 Opening 34 Extension 35 Notch 36 Notch 40 Mask frame 41 Stretch Member 42 Holding member Ma Shadow mask H1 Height of long side wall (from bottom of cutout) H2 Height of short side wall (from bottom of cutout)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩本 洋 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小澤 哲郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中寺 茂夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5C031 CC01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hiroshi Iwamoto 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Tetsuro Ozawa 1006 Odaka Kadoma Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Shigeo Nakadera 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F term (reference) 5C031 CC01

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部磁気シールドと、マスクと、フレー
ムとからなる陰極線管であって、 陰極線管内部に生じる磁界に起因するマスク近傍での電
子ビームのずれ方向とは反対側に、内部磁気シールドの
電子ビーム入射側で、予め電子ビームの軌道を変位させ
る手段を備えることを特徴とする陰極線管。
1. A cathode ray tube comprising an internal magnetic shield, a mask, and a frame, wherein an internal magnetic shield is provided on a side opposite to a direction in which an electron beam is shifted near the mask due to a magnetic field generated inside the cathode ray tube. A means for previously displacing the trajectory of the electron beam on the electron beam incident side.
【請求項2】 内部磁気シールドと、マスクと、フレー
ムとからなる陰極線管であって、 電子ビーム通過領域の垂直走査方向に沿った方向の上下
端の20%領域を通過する電子ビームに作用する磁束お
いて、電子ビーム通過領域の中心軸を管軸とするとき、
電子ビーム入射側から入射方向中央付近までの磁束の方
向は管軸から当該領域に向う方向あり、中央付近からマ
スク側までの磁束の方向は当該領域から管軸に向う方向
であり両者の磁束の方向は互いに反対であることを特徴
とする陰極線管。
2. A cathode ray tube comprising an internal magnetic shield, a mask, and a frame, wherein the cathode ray tube acts on an electron beam passing through 20% of upper and lower ends in a direction along a vertical scanning direction of an electron beam passage area. In magnetic flux, when the central axis of the electron beam passage area is the tube axis,
The direction of the magnetic flux from the electron beam incident side to the vicinity of the incident direction center is the direction from the tube axis to the region, and the direction of the magnetic flux from the vicinity of the center to the mask side is the direction from the region to the tube axis and A cathode ray tube, wherein directions are opposite to each other.
【請求項3】内部磁気シールドと、マスクと、フレーム
とからなる陰極線管であって、 電子ビーム通過領域の垂直走査方向に沿った方向の上下
端の20%を通過する電子ビームに作用する磁束におい
て、電子ビーム通過領域の中心軸を管軸とするとき、内
部磁気シールドの電子ビーム入射側入口部分における管
軸から当該領域方向に生じる磁束の磁束密度は、管軸か
ら水平走査方向に沿った方向の両端部分に生じる磁束の
磁束密度よりも大きいことを特徴とする陰極線管。
3. A cathode ray tube comprising an internal magnetic shield, a mask, and a frame, the magnetic flux acting on an electron beam passing through 20% of upper and lower ends of a direction along a vertical scanning direction of an electron beam passage area. In the case where the central axis of the electron beam passage area is defined as the tube axis, the magnetic flux density of the magnetic flux generated from the tube axis at the entrance of the electron beam incident side of the internal magnetic shield in the direction of the relevant region is in the horizontal scanning direction from the tube axis. A cathode ray tube characterized in that the magnetic flux density is higher than the magnetic flux density of the magnetic flux generated at both ends in the direction.
【請求項4】内部磁気シールドと、マスクと、フレーム
とからなる陰極線管であって、 電子ビーム通過領域の垂直走査方向に沿った方向の上下
端の20%を通過する電子ビームに対して、電子ビーム
通過領域の中心軸を管軸とするとき、管軸からの磁束に
対して内部磁気シールドの電子ビーム入射側の垂直走査
方向に沿った方向両端部分に位置する部分に吸収される
際の磁束の曲率が、水平走査方向に沿った方向の両端部
分に位置する部分に吸収される際の磁束の曲率よりも大
きいことを特徴とする陰極線管。
4. A cathode ray tube comprising an internal magnetic shield, a mask, and a frame, wherein the electron beam passes through 20% of the upper and lower ends of the electron beam passage area in the direction along the vertical scanning direction. When the center axis of the electron beam passage area is the tube axis, the magnetic flux from the tube axis is absorbed by the portions located at both ends in the direction along the vertical scanning direction of the electron beam incident side of the internal magnetic shield. A cathode ray tube, wherein the curvature of the magnetic flux is larger than the curvature of the magnetic flux when the magnetic flux is absorbed by the portions located at both ends in the horizontal scanning direction.
【請求項5】内部磁気シールドと、マスクと、フレーム
とからなる陰極線管であって、 電子ビーム通過領域の垂直走査方向に沿った方向の上下
端の20%を通過する電子ビームに作用する磁束におい
て、電子ビーム通過領域の中心軸を管軸とするとき、内
部磁気シールドの電子ビーム入射側入口部分における管
軸から当該領域方向に生じる磁束の磁束密度は、管軸か
ら水平走査方向に沿った方向の両端部分に生じる磁束の
磁束密度よりも大きく、かつ、管軸から垂直走査方向に
沿った方向端部より電子ビームの入射側入口部分で生じ
る磁束の磁束密度に関して、当該入口部分の縁部の中央
部分におけるものは周辺部分のそれよりも大きいことを
特徴とする陰極線管。
5. A magnetic flux acting on an electron beam passing through 20% of upper and lower ends of a cathode ray tube comprising an internal magnetic shield, a mask, and a frame in a direction along a vertical scanning direction of an electron beam passage area. In the case where the central axis of the electron beam passage area is defined as the tube axis, the magnetic flux density of the magnetic flux generated from the tube axis at the entrance of the electron beam incident side of the internal magnetic shield in the direction of the relevant region is in the horizontal scanning direction from the tube axis. Regarding the magnetic flux density which is larger than the magnetic flux density of the magnetic flux generated at both ends in the direction, and which is generated at the entrance side of the electron beam incident side from the direction end along the vertical scanning direction from the tube axis, the edge of the entrance A cathode ray tube having a central portion larger than that of a peripheral portion.
【請求項6】内部磁気シールドと、マスクと、フレーム
とからなる陰極線管であって、 電子ビーム通過領域の垂直走査方向に沿った方向の上下
端の20%を通過する電子ビームに作用する20%を通
過する電子ビームに対して、電子ビーム通過領域の中心
軸を管軸とするとき、管軸からの磁束に対して内部磁気
シールドの電子ビーム入射側の垂直走査方向に沿った方
向両端部分に位置する部分に吸収される際の磁束の曲率
が、水平走査方向に沿った方向の両端部分に位置する部
分に吸収される際の磁束の曲率よりも大きく、かつ、管
軸からの磁束に対して内部磁気シールドの電子ビーム入
射側の垂直走査方向に沿った方向両端部分に位置する部
分に吸収される際の磁束の曲率に関して、電子ビーム入
射入口部分の縁部の方向に沿った部分において中央部分
におけるものは周辺部分のそれよりも大きいことを特徴
とする陰極線管。
6. A cathode ray tube comprising an internal magnetic shield, a mask, and a frame, wherein the cathode ray tube acts on an electron beam passing through 20% of upper and lower ends of an electron beam passage area in a direction along a vertical scanning direction. % Of the electron beam passing through the central axis of the electron beam passage area with respect to the tube axis, and both ends of the internal magnetic shield in the vertical scanning direction on the electron beam incident side of the internal magnetic shield with respect to the magnetic flux from the tube axis. The curvature of the magnetic flux when absorbed in the portion located in the horizontal scanning direction is larger than the curvature of the magnetic flux when absorbed in the portions located at both ends in the direction along the horizontal scanning direction, and the magnetic flux from the tube axis On the other hand, regarding the curvature of magnetic flux when absorbed by the portions located at both ends in the direction along the vertical scanning direction of the electron beam incident side of the internal magnetic shield, the portion along the direction of the edge of the electron beam entrance entrance portion You A cathode ray tube wherein the central portion is larger than the peripheral portion.
【請求項7】内部磁気シールドと、マスクと、フレーム
とからなる陰極線管であって、 前記内部磁気シールドにおいて垂直走査方向に沿った方
向両端部分に位置する電子ビーム入射側端縁の高さは、
水平走査方向に沿った方向の両端部分に位置する電子ビ
ーム入射側端縁の高さよりも高いことを特徴とする陰極
線管。
7. A cathode ray tube comprising an internal magnetic shield, a mask, and a frame, wherein the height of the electron beam incident side edge located at both ends in the vertical scanning direction in the internal magnetic shield is ,
A cathode ray tube, wherein the height of the cathode ray tube is higher than the height of an electron beam incident side edge located at both ends in a direction along a horizontal scanning direction.
【請求項8】請求項7に記載の陰極線管であって、前記
内部磁気シールドにおいて、電子ビーム入射側端縁の相
対的に高い前記端縁部の端縁に沿った方向両端に、切り
欠き部を備えることを特徴とする陰極線管。
8. The cathode ray tube according to claim 7, wherein said internal magnetic shield has cutouts at both ends in a direction along an edge of said electron beam incident side edge which is relatively high along said edge. A cathode ray tube characterized by comprising a part.
【請求項9】請求項8に記載の陰極線管であって、前記
切り欠き部は、垂直走査方向に沿った方向両端部分に位
置する電子ビーム入射側端縁それぞれの端縁に沿った方
向の幅の1/2未満であることを特徴とする陰極線管。
9. The cathode ray tube according to claim 8, wherein the notch is formed in a direction along each edge of the electron beam incident side edges located at both ends in the vertical scanning direction. A cathode ray tube having a width of less than half the width.
【請求項10】錐の頂部に開口部を有した角錘筒形状で
あって、相対する長辺側壁と、相対する短辺側壁とから
なる内部磁気シールドと、マスクと、フレームとからな
る陰極線管であって、 前記内部磁気シールドは、前記長辺側壁の電子ビーム入
射側端縁において当該端縁に沿った方向における中央部
分に延長部を備え、当該延長部の高さは当該長辺側壁に
隣接する短辺側壁の電子ビーム入射側端縁の高さよりも
高いことを特徴とする陰極線管。
10. A cathode ray tube having a pyramidal cylindrical shape having an opening at the top of a cone, comprising an internal magnetic shield comprising opposing long side walls and opposing short side walls, a mask, and a frame. A tube, wherein the internal magnetic shield includes an extension at a central portion in a direction along the edge at an electron beam incident side edge of the long side wall, and a height of the extension is set to the long side wall. A height of which is higher than a height of an electron beam incident side edge of a short side wall adjacent to the cathode ray tube.
【請求項11】 請求項10に記載の陰極線管であっ
て、前記延長部は、複数の突起であることを特徴とする
陰極線管。
11. The cathode ray tube according to claim 10, wherein the extension is a plurality of protrusions.
【請求項12】 請求項11に記載の陰極線管であっ
て、前記複数の突起は、矩形状又は半円形状であること
を特徴とする陰極線管。
12. The cathode ray tube according to claim 11, wherein the plurality of projections have a rectangular shape or a semicircular shape.
【請求項13】 請求項1乃至請求項12の何れかに記
載の陰極線管であって、 前記内部磁気シールドは、前記短辺側壁に電子ビーム入
射側端縁からマスク側に向けて幅が漸減する切り込み部
を備えることを特徴とする陰極線管。
13. The cathode ray tube according to claim 1, wherein the width of the internal magnetic shield gradually decreases from the electron beam incident side edge to the mask side on the short side wall. A cathode ray tube, comprising:
【請求項14】 請求項13に記載の陰極線管であっ
て、前記切り込み部は、少なくとも2以上の切り込み角
度でもって形成されていることを特徴とする陰極線管。
14. The cathode ray tube according to claim 13, wherein the cut portion is formed with at least two cut angles.
【請求項15】 請求項1乃至CL14の何れかに記載
の陰極線管であって、前記マスクには、テンションが付
与されていることを特徴とする陰極線管。
15. The cathode ray tube according to claim 1, wherein a tension is applied to the mask.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005006382A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Cathode ray tube
KR100846582B1 (en) * 2002-09-26 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 Inner shield for CRT

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