JP2001331382A - Method and device for managing nonvolatile memory - Google Patents
Method and device for managing nonvolatile memoryInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性メモリの
書き込みを行う際のデータエラーに対する信頼性を向上
させる不揮発性メモリの管理方法および管理装置に関す
る。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method and an apparatus for managing a nonvolatile memory which improve the reliability against data errors when writing to the nonvolatile memory.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、マイクロプロセッサを搭載したシ
ステムにおいて、電源断後再起動した場合に前回使用し
ていたデータを継続して使用する必要があるシステムで
は、1次電池あるいは2次電池を用いたメモリバックア
ップ回路を付加したRAMが不揮発性メモリとして広く
用いられてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, in a system equipped with a microprocessor, when the power is turned off and the system is restarted, the previously used data must be continuously used. A RAM to which a memory backup circuit has been added has been widely used as a nonvolatile memory.
【0003】このような電池を用いたメモリバックアッ
プ回路と揮発性のRAMを用いて不揮発性メモリを実現
する方法は比較的簡単に実現可能である。システムのメ
インメモリに前述のRAMを用いた不揮発性メモリを用
い、このRAMのアドレスを揮発性メモリ領域と不揮発
性メモリ領域に分割して管理することで1つのデバイス
を揮発性メモリと不揮発性メモリの両方として使用する
ことができ、コストパフォーマンスの点で優れた使用方
式であると言える。しかし、電池電圧が低下すると保持
されているデータが損なわれるのでバックアップに使用
される電池の電圧の低下には細心の注意を払う必要があ
った。A method of realizing a nonvolatile memory using such a memory backup circuit using a battery and a volatile RAM can be realized relatively easily. A non-volatile memory using the above-mentioned RAM is used as a main memory of the system, and an address of the RAM is divided into a volatile memory area and a non-volatile memory area and managed, so that one device can be used as a volatile memory and a non-volatile memory. It can be said that this is an excellent use method in terms of cost performance. However, if the battery voltage drops, the stored data is lost, so it was necessary to pay close attention to the drop in the battery voltage used for backup.
【0004】これに対し電池によるメモリバックアップ
回路が不要な不揮発性メモリデバイスを用いた不揮発性
メモリの実現方法がある。これは主にFLASH−RO
MまたはEEPROMを用いる方法で、電池によるデー
タバックアップなしでデータを長期間保存することはで
きるが、スタティックRAM等の揮発性メモリと比較し
て書込み処理にある程度の時間が必要で、書込み処理中
に電源断などが発生すると書込みエラーが発生する場合
がある。またメモリデバイスの書込み回数に寿命があ
り、頻繁に書込みを行うシステムでは、データの書込み
時にエラーが発生することがあった。On the other hand, there is a method of realizing a nonvolatile memory using a nonvolatile memory device which does not require a memory backup circuit using a battery. This is mainly FLASH-RO
By using the M or EEPROM, data can be stored for a long period of time without data backup by a battery. However, compared to a volatile memory such as a static RAM, a certain amount of time is required for the writing process. When a power failure or the like occurs, a write error may occur. In addition, there is a lifetime in the number of times of writing of a memory device, and in a system that performs frequent writing, an error may occur when writing data.
【0005】また、従来、この種のメモリ制御方法とし
ては、特開平8−138019号公報および図9に記載
のメモリ制御方法が知られている。すなわち、図9に示
すメモリカードからデータを再生する方法においては、
記録された貯蔵単位のうちから1つを選択処理901
し、貯蔵単位属性テーブルを参照して選択された貯蔵単
位の開始貯蔵領域の順番情報を読出処理902し、貯蔵
領域テーブルを参照して読出された順番に対応する使用
情報を読出して次の貯蔵領域の順番を読出す方式によ
り、前記選択された貯蔵単位の読出し終了情報が読出さ
れるまで読出し続ける処理903−905を実行する。
読出された貯蔵領域の順番情報の読出された順番に応じ
て前記データ領域の対応する貯蔵領域からのデータ読出
し処理906を実行する。このメモリ制御方法によれ
ば、不揮発性メモリを用いたメモリカードの記録処理中
に書込みエラーが無いか読出しチェックを行うようにし
ている。Conventionally, as a memory control method of this kind, a memory control method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-138039 and FIG. 9 has been known. That is, in the method of reproducing data from the memory card shown in FIG.
Select one of the recorded storage units 901
Then, the order information of the start storage area of the storage unit selected by referring to the storage unit attribute table is read out 902, and the use information corresponding to the read order is read out by referring to the storage area table, and the next storage is performed. According to a method of reading out the order of the areas, processes 903 to 905 of continuing reading until the reading end information of the selected storage unit is read out are executed.
A data reading process 906 from the corresponding storage area of the data area is executed according to the read order of the read storage area order information. According to this memory control method, a reading check is performed for a writing error during a recording process of a memory card using a nonvolatile memory.
【0006】このメモリ制御方法を用いれば、記録のと
きにエラーを検出した場合、他のブロックを割り当てて
再書込みを行うようにしており、記録時にデータが失わ
れることはない。しかし、この方法では、再生時にエラ
ーを検出することはできず、エラーを修復することはで
きなかった。With this memory control method, when an error is detected during recording, another block is allocated and rewriting is performed, so that data is not lost during recording. However, this method cannot detect an error at the time of reproduction and cannot repair the error.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のメモリ技術においては、不揮発性メモリへの書込み
データと共にこの書込みデータのチェックサムデータを
付加し、エラーを検出する方法は実用化されていたが、
この場合はエラーが検出されたことを使用者に通知して
システムの修理を促したりたり、予め用意していた初期
設定値を使用してシステムの運用を続けたりする範囲に
留められていた。すなわち、書込みデータとともにチェ
ックサムなどのエラー検出用のデータを合わせて記録す
ることにより、エラーの有無を確認して使用者に通知す
るシステムは存在するが、エラーを訂正し修復してシス
テムを継続使用するということはできないという問題が
あった。However, in the above-mentioned conventional memory technology, a method of detecting data errors by adding checksum data of the write data together with data to be written to the nonvolatile memory has been put to practical use. ,
In this case, the user is notified that an error has been detected to prompt the user to repair the system, or the operation of the system is continued using the initial setting value prepared in advance. In other words, there is a system that checks the presence or absence of an error and notifies the user by recording the data for error detection such as a checksum together with the write data, but the error is corrected and repaired and the system is continued. There was a problem that it could not be used.
【0008】本発明は、上記従来の問題を解決するため
になされたもので、EEPROM等の不揮発性メモリを
使用したシステムにおいて、データ更新時の電源断など
による書込み失敗、デバイスの故障、または書込み寿命
などの原因により書込みエラーが発生した場合でも、正
常な格納データを読み出すことができ、さらにエラーを
復旧させ、継続して不揮発性メモリを使用可能にする不
揮発性メモリの管理方法および管理装置を提供するもの
である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. In a system using a nonvolatile memory such as an EEPROM, a writing failure due to a power supply cutoff at the time of updating data, a device failure, or a writing error occurs. Even if a write error occurs due to a cause such as a service life, a normal storage data can be read out, and further, the error can be recovered and the nonvolatile memory management method and the management device can be used so that the nonvolatile memory can be used continuously. To provide.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明における不揮発性
メモリの管理方法は、ユーザデータを格納する不揮発性
メモリの全データ領域を再書込み許可データ領域と再書
込み禁止データ領域とに区分し、前記再書込み許可デー
タ領域には内容の変更を行うデータを格納し、前記再書
込み禁止データ領域には内容の変更を行わないデータを
格納するという構成を有している。この構成により、マ
イクロプロセッサを使用したシステムのハードウェアに
搭載されたEEPROM等の不揮発性メモリにデータを
格納する際に、格納されるデータの性質によってエラー
復旧のために必要な付加データの種別を分け、再書込み
を行うデータについてのみエラー復旧のためのデータ配
列構造を備えることにより不揮発性メモリの使用量を減
少させ、データの管理を容易にすることができる。According to the present invention, there is provided a nonvolatile memory management method comprising the steps of dividing an entire data area of a nonvolatile memory for storing user data into a rewrite-permitted data area and a rewrite-inhibited data area; The rewrite-permitted data area stores data whose contents are to be changed, and the rewrite-prohibited data area stores data whose contents are not to be changed. With this configuration, when storing data in a non-volatile memory such as an EEPROM mounted on hardware of a system using a microprocessor, the type of additional data necessary for error recovery depends on the nature of the stored data. By providing a data array structure for error recovery only for data to be divided and rewritten, the amount of use of the nonvolatile memory can be reduced and data management can be facilitated.
【0010】本発明における不揮発性メモリの管理方法
は、前記再書き込み許可データ領域がそれぞれ配列要素
を有する複数のユーザデータ配列で構成され、前記ユー
ザデータ配列にはユーザデータ領域と妥当性確認情報格
納領域および書込みエラー発生検出回数格納領域を有す
る管理情報領域とを設け、前記ユーザデータ領域には任
意に使用するデータを格納し、前記妥当性確認情報格納
領域は前記ユーザデータ領域の内容の妥当性を確認する
妥当性確認情報を格納し、前記書込みエラー発生検出回
数格納領域は同一のデータ領域に対する書込みエラーの
発生回数を格納するという構成を有している。この構成
により、不揮発性メモリに格納する再書込みを行うユー
ザデータと、その内容の妥当性を確認するためのチェッ
クサムデータおよび書込みエラー発生検出回数をグルー
プ化して一組にまとめ、このデータグループを配列要素
としてユーザデータ配列に複数格納することによりユー
ザデータ配列内でデータエラーの原因となるデータの検
出を容易にしてデータエラー検出時には他のユーザデー
タ配列のデータを読み出すというデータ救済の手段を提
供し、不揮発性メモリに格納したユーザーデータの信頼
性を高め、また頻繁にデータエラーが発生するユーザデ
ータ配列の領域の検出し、ユーザデータ配列の領域を代
替することで、データエラーによるデータ消失の可能性
を低下させることができる。In the method of managing a nonvolatile memory according to the present invention, the rewrite permission data area is constituted by a plurality of user data arrays each having an array element, and the user data array includes a user data area and validity check information storage. An area and a management information area having a write error occurrence count storage area, wherein the user data area stores data to be used arbitrarily, and the validity check information storage area stores the validity of the contents of the user data area. , And the write error occurrence count storage area stores the number of write error occurrences for the same data area. With this configuration, the user data to be rewritten, which is stored in the non-volatile memory, the checksum data for confirming the validity of the contents, and the number of times the write error has been detected are grouped into one set, and this data group is By storing a plurality of array elements in the user data array, it is possible to easily detect data causing a data error in the user data array and provide a data rescue means of reading data of another user data array when a data error is detected. In addition, by improving the reliability of user data stored in the non-volatile memory, detecting the area of the user data array where data errors frequently occur, and replacing the area of the user data array, data loss due to the data error can be prevented. Possibility can be reduced.
【0011】本発明における不揮発性メモリの管理方法
は、前記再書き込み許可データ領域に複数のユーザデー
タ配列参照情報を設け、前記ユーザデータ配列領域の各
ユーザデータ配列を指し示す指定情報をそれぞれ重複せ
ずに対応する前記ユーザデータ配列参照情報に記録する
という構成を有している。この構成により、配列要素を
格納した複数のユーザデータ配列を参照するために各ユ
ーザデータ配列を指し示すアドレスまたは番号といった
ユーザデータ配列参照情報を格納したポインタを複数用
いることにより現在使用中のユーザデータ配列を明確に
指し示し、合わせてエラー検出により使用不能になった
ユーザデータ配列を再利用しないように管理することが
できる。In the nonvolatile memory management method according to the present invention, a plurality of user data array reference information are provided in the rewrite permission data area, and designation information indicating each user data array in the user data array area is not overlapped. Is recorded in the user data array reference information corresponding to. With this configuration, the user data array that is currently in use by using a plurality of pointers that store user data array reference information such as addresses or numbers pointing to each user data array to refer to a plurality of user data arrays that store array elements , And the user data array disabled by the error detection can be managed so as not to be reused.
【0012】本発明における不揮発性メモリの管理方法
は、前記ユーザデータ配列参照情報が指し示すユーザデ
ータ配列の内容の妥当性を判定し、妥当性の確証が得ら
れない場合には他のユーザデータ配列参照情報が指し示
すユーザデータ配列の配列要素の内容の妥当性を判定
し、妥当性の確証が得られたユーザデータ配列のデータ
を出力するよう制御するという構成を有している。この
構成により、現在使用中のユーザデータ配列のデータの
妥当性を検証し、データエラーを検出した場合の制御方
法を提供するもので、複数のユーザデータ配列のうちの
1つについてエラーを検出した場合でも、他のユーザデ
ータ配列のデータの妥当性が確認できたときはそのデー
タを出力することにより、エラーを検出した場合であっ
ても、正常なユーザデータが取得可能で装置を通常状態
同様に継続して稼動することができる。In the method of managing a nonvolatile memory according to the present invention, the validity of the contents of the user data array pointed to by the user data array reference information is determined, and if the validity cannot be confirmed, another user data array is determined. The configuration is such that the validity of the contents of the array element of the user data array indicated by the reference information is determined, and control is performed to output the data of the user data array for which the validity has been confirmed. With this configuration, the validity of the data of the currently used user data array is verified, and a control method when a data error is detected is provided. The error is detected for one of the plurality of user data arrays. Even in this case, when the validity of the data of the other user data array can be confirmed, by outputting the data, even if an error is detected, normal user data can be obtained and the device can be returned to the normal state. Can be operated continuously.
【0013】本発明における不揮発性メモリの管理方法
は、前記ユーザデータ配列参照情報が指し示すユーザデ
ータ配列の妥当性を判定し、妥当性の確証が得られない
場合には、そのユーザデータ配列に対する書込みまたは
読出し機能を検証し、機能検証したユーザデータ配列に
対する書込みまたは読出し機能が正常であると判定され
た場合はそのユーザデータ配列を継続使用し、書込みま
たは読出し機能が不良であると判定された場合には、そ
のユーザデータ配列を指し示すユーザデータ配列参照情
報を更新し、更新されたユーザデータ配列参照情報が指
し示すユーザデータ配列を使用するようエラー復旧処理
を行うという構成を有している。この構成により、ユー
ザデータ配列のデータにエラーを検出した場合の復旧処
理で、該当するユーザデータ配列に対してテストパター
ンの書込みおよび読出しテストを行い再使用が可能か判
定し、再使用が不可能であれば次に使用可能なユーザデ
ータ配列に制御を移し、必要なユーザデータ配列を確保
することができる。According to the nonvolatile memory management method of the present invention, the validity of the user data array indicated by the user data array reference information is determined, and if the validity cannot be confirmed, writing to the user data array is performed. Or, when the read function is verified and the write or read function for the verified user data array is determined to be normal, the user data array is continuously used, and the write or read function is determined to be defective. Has a configuration in which the user data array reference information indicating the user data array is updated, and error recovery processing is performed so as to use the user data array indicated by the updated user data array reference information. With this configuration, in a recovery process when an error is detected in the data of the user data array, a test pattern write and read test is performed on the corresponding user data array to determine whether the data can be reused. If so, the control is shifted to the next available user data array, and the necessary user data array can be secured.
【0014】本発明における不揮発性メモリの管理方法
は、前記ユーザデータ配列参照情報が完全な初期化また
は工場出荷時にそれぞれ重複しない昇順または降順のユ
ーザデータ配列指定情報に初期化し、前記ユーザデータ
配列に再書き込み不可能なエラーを検出した後の復旧時
には、昇順の場合は現在使用されている複数の指定情報
のうち最も大きい指定情報の次の指定情報に更新し、降
順の場合は現在使用されている複数の指定情報のうち最
も小さい指定情報の次の指定情報に更新するという構成
を有している。この構成により、ユーザデータ配列にエ
ラーを検出した場合に、次に使用可能なユーザデータ配
列を決定するアルゴリズムであり、ユーザデータ配列毎
に過剰な付加情報をつけることなく簡単な方法でユーザ
データ配列を決定し、および管理することができる。In the nonvolatile memory management method according to the present invention, the user data array reference information is completely initialized or initialized to ascending or descending user data array designation information which does not overlap at the time of factory shipment, respectively. At the time of recovery after detecting an error that cannot be rewritten, in the case of ascending order, update the specified information next to the largest specified information among the currently used specified information, and in the case of descending order, use the currently used information. It is configured to update the specified information next to the smallest specified information among the plurality of specified information. According to this configuration, when an error is detected in the user data array, an algorithm for determining the next usable user data array can be determined by a simple method without adding excessive additional information to each user data array. Can be determined and managed.
【0015】本発明における不揮発性メモリの管理方法
は、前記ユーザデータ配列参照情報の指定情報が対応す
るユーザデータ配列の順位に対応して初期化され、書き
込み動作途上の電源遮断後に復帰した場合、前記ユーザ
データ配列参照情報が指し示すユーザデータ配列の内容
と対応する妥当性確認情報とを判定することにより、書
き込み動作の途上で電源が遮断された瞬間に更新中だっ
たユーザデータ配列を特定し、エラー復旧処理を行うと
いう構成を有している。この構成により、不揮発性メモ
リの書込み更新途中で電源断が発生した場合の電源復旧
後に電源断が発生した時に書込み中だったユーザデータ
配列を特定することが可能で、電源復旧後、ユーザデー
タ配列の更新を有効にするか、あるいは以前の状態に復
旧させるか判断を行い、併せて書込み途中の状態にある
ユーザデータ配列を復旧させることができる。In the method of managing a nonvolatile memory according to the present invention, when the designation information of the user data array reference information is initialized in accordance with the order of the corresponding user data array, and the power supply is restored after the power is turned off during the write operation, By determining the content of the user data array indicated by the user data array reference information and the corresponding validity check information, the user data array that was being updated at the moment when the power was turned off during the write operation was specified, It has a configuration to perform error recovery processing. According to this configuration, it is possible to identify the user data array that was being written when the power supply was lost after the power supply was restored after the power supply was restored after the power supply was restored during the write update of the nonvolatile memory. It is possible to determine whether to make the update valid or to restore the previous state, and at the same time, to restore the user data array in the state of being written.
【0016】本発明における不揮発性メモリの管理方法
は、前記ユーザデータ配列参照情報が指し示す現在使用
中のユーザデータ配列の妥当性の確証が得られずに、不
揮発性メモリの機能検証が行われる度に前記ユーザデー
タ配列のエラー発生検出回数情報を更新し、同一ユーザ
データ配列について所定の回数以上の機能検証を実施し
た場合は、現在使用しているユーザデータ配列を指し示
すユーザデータ配列参照情報を変更し、それに対応する
新しいユーザデータ配列を使用するという構成を有して
いる。この構成により、特定のユーザデータ配列にエラ
ーを検出した場合にそのユーザデータ配列の再利用を行
うか否かを判定するアルゴリズムを実装し、該当するユ
ーザデータ配列に対して行うテストパターンの書込みお
よび読出しテストの実施回数が予め規定した回数を越え
た場合にこのユーザデータ配列の信頼性が低下している
と判断し、このユーザデータ配列の使用を取りやめ、別
なユーザデータ配列へユーザーのデータを格納すること
により、データ内容の信頼性を高めることができる。In the method of managing a nonvolatile memory according to the present invention, the function verification of the nonvolatile memory is performed every time the validity of the currently used user data array indicated by the user data array reference information is not obtained. In the case where the error occurrence detection number information of the user data array is updated and the function verification for the same user data array is performed a predetermined number of times or more, the user data array reference information indicating the currently used user data array is changed. Then, a new user data array corresponding thereto is used. With this configuration, when an error is detected in a specific user data array, an algorithm for determining whether or not to reuse the user data array is implemented. When the number of times of execution of the read test exceeds a predetermined number, it is determined that the reliability of the user data array is degraded, the use of the user data array is stopped, and the user data is transferred to another user data array. By storing, the reliability of the data content can be improved.
【0017】本発明における不揮発性メモリの管理装置
は、ユーザデータを格納する不揮発性メモリと、前記不
揮発性メモリに対しデータの読出しおよび書き込みを制
御する制御手段とからなり、前記制御手段により前記不
揮発性メモリに対し請求項1ないし8のいずれかに記載
の不揮発性メモリの管理方法を実行し、稼動中にデータ
エラーを検出したときに、そのデータエラーを回避して
正常に動作を継続するという構成を有している。この構
成により、不揮発性メモリにデータエラーを検出した場
合でも、通常状態同様に継続稼動可能でかつ、不揮発性
メモリが記憶するデータの内容の信頼性を高めることが
できるという作用を有する。A nonvolatile memory management device according to the present invention comprises: a nonvolatile memory for storing user data; and control means for controlling reading and writing of data to and from the nonvolatile memory. Executing the method of managing a nonvolatile memory according to any one of claims 1 to 8 for a non-volatile memory, and, when a data error is detected during operation, avoids the data error and continues normal operation. It has a configuration. With this configuration, even when a data error is detected in the non-volatile memory, the operation can be continued as in the normal state, and the reliability of the data stored in the non-volatile memory can be improved.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、図1ないし図8に基づき、
本発明の第1ないし第7の実施の形態を詳細に説明す
る。 (第1の実施の形態)まず、図1を参照して、本発明の
第1の実施の形態における不揮発性メモリの管理方法お
よび管理装置について説明する。図1に示す不揮発性メ
モリの管理装置(情報処理装置)は、装置全体を制御す
るマイクロプロセッサ(CPU)101と、プログラム
実行に必要なデータを記憶するRAM102と、プログ
ラム等を記憶するROM103と、不揮発性を必要とす
るデータを記憶する不揮発性メモリ104と、入力デー
タをインタフェースする入力インタフェース105と、
データを入力する情報入力手段106と、出力データを
インタフェースする出力インタフェース107と、デー
タを出力する情報出力手段108と、データバス109
とにより構成される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIGS.
The first to seventh embodiments of the present invention will be described in detail. (First Embodiment) First, a management method and a management device for a nonvolatile memory according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. A non-volatile memory management device (information processing device) illustrated in FIG. 1 includes a microprocessor (CPU) 101 that controls the entire device, a RAM 102 that stores data necessary for executing a program, a ROM 103 that stores a program and the like, A non-volatile memory 104 for storing data requiring non-volatility, an input interface 105 for interfacing input data,
Information input means 106 for inputting data, output interface 107 for interfacing output data, information output means 108 for outputting data, data bus 109
It is composed of
【0019】次に、図1を参照して、本発明の第1の実
施の形態における不揮発性メモリの管理装置の情報処理
装置としての全体的動作を説明する。この不揮発性メモ
リの管理装置は、マイクロプロセッサ101の制御の下
に行われる。すなわち、電源を投入すると、マイクロプ
ロセッサ101のリセットが解除され、マイクロプロセ
ッサ101はデータバス109を介して接続されている
ROM103に格納されているアプリケーションプログ
ラムを実行する。実行に際して必要なデータ領域をRA
M102に確保し、アプリケーションプログラム実行時
に必要なユーザデータの記録再生にEEPROM等の不
揮発性メモリ104を使用する。アプリケーションプロ
グラムの実行時には入力インタフェース105を介して
接続された情報入力手段106から入力された情報を処
理し、出力インタフェース107を介して接続された情
報出力手段108から処理結果を出力する。Next, the overall operation of the nonvolatile memory management device as an information processing device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This nonvolatile memory management device is performed under the control of the microprocessor 101. That is, when the power is turned on, the reset of the microprocessor 101 is released, and the microprocessor 101 executes an application program stored in the ROM 103 connected via the data bus 109. The data area required for execution is
M102, and a non-volatile memory 104 such as an EEPROM is used for recording and reproducing user data required when executing the application program. When the application program is executed, information input from the information input unit 106 connected via the input interface 105 is processed, and a processing result is output from the information output unit 108 connected via the output interface 107.
【0020】次に、図2を参照して、不揮発性メモリ1
04のメモリマップを説明する。不揮発性メモリ104
はメモリマップの上で2つの領域に区分されており、格
納するデータはその用途によりそれぞれの領域に格納す
る。システム固有の番号や、システムの調整データ、ユ
ーザが設定する情報の初期値等、工場出荷時に設定して
出荷後ユーザが変更しないデータは再書込み禁止データ
領域201へ格納され、ユーザが設定する情報や、日
付、システムの運用の際に生成されシステム終了時や不
慮の電源断の時にも保存する必要がある記録データは、
再書込み許可データ領域202へ格納される。Next, referring to FIG.
The memory map No. 04 will be described. Non-volatile memory 104
Is divided into two areas on the memory map, and the data to be stored is stored in each area according to its use. Data that is set at the time of shipment from the factory and is not changed by the user after shipment, such as a system-specific number, system adjustment data, and initial values of information set by the user, are stored in the rewrite-inhibited data area 201, and information set by the user. And date, record data that is generated during the operation of the system and needs to be saved at the time of system shutdown or accidental power off,
The data is stored in the rewrite permission data area 202.
【0021】以上説明したように、本発明の第1の実施
の形態における不揮発性メモリの管理装置は、不揮発性
メモリを、再書込みを行うデータ領域と再書込みを行わ
ないデータ領域とに分離して管理することにより、大規
模なデータエラー対策が必要なデータ領域の数を絞り、
エラー対策が不要なデータまでデータエラー対策をする
ことなく、不揮発性メモリの使用量を減少させ、データ
の管理を容易にすることができる。As described above, the nonvolatile memory management device according to the first embodiment of the present invention divides the nonvolatile memory into a data area for rewriting and a data area for non-rewriting. Management to reduce the number of data areas that require large-scale data error countermeasures,
The amount of non-volatile memory used can be reduced and data management can be facilitated without taking measures against data errors up to data for which error measures are unnecessary.
【0022】(第2の実施の形態)次に、図3を参照し
て、本発明の第2の実施の形態における不揮発性メモリ
104の再書込み許可領域のメモリマップを説明する。
図3に示す不揮発性メモリ104の再書込み許可データ
領域202は、ユーザデータ配列領域301とそのユー
ザデータ配列を参照するユーザデータ配列参照情報領域
302とから構成される。ユーザデータ配列領域301
はその配列要素として複数のユーザデータ配列303を
有し、各々のユーザデータ配列(Second Embodiment) Next, with reference to FIG. 3, a memory map of a rewrite-permitted area of the nonvolatile memory 104 according to a second embodiment of the present invention will be described.
3 includes a user data array area 301 and a user data array reference information area 302 that refers to the user data array. User data array area 301
Has a plurality of user data arrays 303 as its array elements.
〔0〕〜〔n〕はそれぞ
れ同じ構造とされる。また、ユーザデータ配列参照情報
領域302はその配列要素として複数のユーザデータ配
列参照情報304を格納するポインタを有し、各々のユ
ーザデータ配列参照情報[0] to [n] have the same structure. Further, the user data array reference information area 302 has pointers for storing a plurality of user data array reference information 304 as array elements thereof.
〔0〕〜〔2〕はそれぞれ同様
の構造である。[0] to [2] have the same structure.
【0023】次に、図3を参照して、本発明の第2の実
施の形態における不揮発性メモリ104の再書込み許可
領域の動作を説明する。完全な初期化時や工場出荷時に
それぞれユーザが使用するユーザデータ配列303を、
各ユーザデータ配列303のアドレスまたは番号等の指
定情報を用いて、重複せず一意に指し示す値に初期化す
る。例えば、ユーザデータ配列を番号で指定し、かつ番
号を昇順に管理する場合、それぞれのユーザデータ配列
参照情報304は、ユーザデータ配列参照情報Next, with reference to FIG. 3, an operation of the rewrite permitted area of the nonvolatile memory 104 according to the second embodiment of the present invention will be described. The user data array 303 used by the user at the time of complete initialization or factory shipment is
Using designation information such as the address or the number of each user data array 303, it is initialized to a value that uniquely points without duplication. For example, when the user data array is designated by a number and the numbers are managed in ascending order, each user data array reference information 304
〔0〕=
0、ユーザデータ配列参照情報〔1〕=1、ユーザデー
タ配列参照情報〔2〕=2、のように初期化する。[0] =
0, user data array reference information [1] = 1, and user data array reference information [2] = 2.
【0024】また、このユーザデータ配列参照情報の値
を変更し、使用するユーザデータ配列303の番号を変
更することにより、ユーザデータ配列領域301上の配
置アドレスを変更し、書込み不能に陥ったアドレスを避
けて新しい配置アドレスに変更することができる。変更
または更新する場合には、その番号を全てのユーザデー
タ配列参照情報304に割当られている最高の番号より
1つ大きい番号に変更することによりユーザデータ配列
参照情報304の値の変更を完了する。Further, by changing the value of the user data array reference information and changing the number of the user data array 303 to be used, the arrangement address in the user data array area 301 is changed, and the address at which writing becomes impossible Can be changed to a new location address. In the case of changing or updating, the number is changed to a number one greater than the highest number assigned to all the user data array reference information 304, thereby completing the change of the value of the user data array reference information 304. .
【0025】ユーザデータ配列参照情報304の最高の
値より小さい値で、かつどのユーザデータ配列参照情報
でも使用していない番号に対応するユーザデータ配列
は、書き込みエラーによる使用不能のユーザデータ配列
として管理される。A user data array having a value smaller than the highest value of the user data array reference information 304 and corresponding to a number not used in any user data array reference information is managed as an unusable user data array due to a write error. Is done.
【0026】以上説明したように、本発明の第2の実施
の形態における不揮発性メモリの再書込み許可領域は、
再書込みを行うユーザデータを格納する領域を配列化し
てユーザデータ配列として多数備え、使用中のユーザデ
ータ配列を番号またはアドレスで指定することにより、
使用中のユーザデータ配列が書込み不能に陥った場合で
も、そのユーザデータ配列を避けて新しいユーザデータ
配列に変更することにより、書込みエラーを復旧し、書
込み不能領域の管理を容易にすることができる。As described above, the rewrite permitted area of the nonvolatile memory according to the second embodiment of the present invention
By arraying areas for storing user data to be rewritten and providing a large number of user data arrays, and specifying the user data array in use by a number or an address,
Even if the user data array in use becomes unwritable, by changing to a new user data array avoiding the user data array, a write error can be recovered and the management of the unwritable area can be facilitated. .
【0027】(第3の実施の形態)次に、図4を参照し
て、本発明の第3の実施の形態における不揮発性メモリ
104のユーザデータ配列(図3の303)のメモリマ
ップを説明する。ユーザデータ配列領域301の配列要
素の1つであるユーザデータ配列401(図3の30
3)は、ユーザデータ領域402と、管理情報領域40
3とを有し、さらに管理情報領域403は、ユーザデー
タ領域402のチェックサムデータを格納する妥当性確
認情報格納領域404と、書込みエラー発生検出回数格
納領域405とを有する。(Third Embodiment) Next, a memory map of a user data array (303 in FIG. 3) of the nonvolatile memory 104 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. I do. A user data array 401 (30 in FIG. 3) which is one of the array elements of the user data array area 301
3) the user data area 402 and the management information area 40
The management information area 403 further includes a validity check information storage area 404 for storing checksum data of the user data area 402, and a write error occurrence detection number storage area 405.
【0028】次に、図4を参照して、本発明の第3の実
施の形態における不揮発性メモリ104のユーザデータ
配列の動作を説明する。ユーザデータ領域402には、
使用者が任意に使用するデータを格納する。そのデータ
を格納する際に書込みデータの妥当性を確認するための
チェックサムデータを算出し、管理情報領域403の構
成要素である妥当性確認情報格納領域404にそのチェ
ックサムデータを格納する。Next, the operation of the user data array of the nonvolatile memory 104 according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the user data area 402,
Stores data used arbitrarily by the user. At the time of storing the data, checksum data for checking the validity of the write data is calculated, and the checksum data is stored in a validity check information storage area 404 which is a component of the management information area 403.
【0029】また、データ書込み時にエラーを検出し、
エラーを検出した領域に対してメモリチェックを実行
し、そのメモリチェックでもデータ書込みエラーを検出
した場合、その度にエラー発生検出回数格納領域405
の値を1つ増加して格納する書込みエラー発生検出回数
加算手段(図示せず)を設けて、書込みエラー発生回数
が所定の値以上になった場合には、他のユーザデータ領
域402に書込むよう動作する(詳細は後述する)。Also, when an error is detected during data writing,
A memory check is performed on the area in which the error is detected, and when a data write error is also detected in the memory check, the error occurrence count storage area 405 is stored each time.
A write error occurrence count adding means (not shown) for increasing and storing the value of “1” is provided, and when the number of write error occurrences exceeds a predetermined value, writing to another user data area 402 is performed. (Details will be described later).
【0030】以上説明したように、本発明の第3の実施
の形態における不揮発性メモリのユーザデータ配列は、
ユーザデータの妥当性を確認するチェックサムデータを
格納し、このチェックサムデータと、データ読出し時に
ユーザデータ領域から計算したチェックサムデータとを
比較することにより、ユーザデータの内容の妥当性を確
認するユーザデータ妥当性確認手段と、併せて、書込み
エラー発生検出回数を加算して格納管理することによ
り、ユーザデータ領域の信頼性を向上する書込みエラー
発生検出回数加算手段とを提供することができる。As described above, the user data array of the nonvolatile memory according to the third embodiment of the present invention is:
The checksum data for confirming the validity of the user data is stored, and the validity of the contents of the user data is confirmed by comparing the checksum data with the checksum data calculated from the user data area at the time of data reading. It is possible to provide a user data validity checking means and a write error occurrence detection number adding means for improving the reliability of the user data area by adding and storing the number of write error detection times and managing the storage.
【0031】(第4の実施の形態)次に、図5を参照し
て、本発明の第4の実施の形態における不揮発性メモリ
104の初期化方法について説明する。図5に示す第4
の実施の形態における不揮発性メモリ104の初期化手
順は、書込み禁止領域メモリチェック・初期化処理50
1と、書込み禁止データ領域メモリチェック処理の結果
判定処理502と、書込み禁止データ領域書込処理50
3と、ユーザデータ配列参照情報メモリチェック・初期
化処理504と、ユーザデータ配列参照情報メモリチェ
ック処理の結果判定処理505と、ユーザデータ配列参
照情報初期値設定処理506と、ユーザデータ配列領域
初期化処理507と、ユーザデータ配列管理処理508
とにより構成される。(Fourth Embodiment) Next, a method for initializing a nonvolatile memory 104 according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The fourth shown in FIG.
The initialization procedure of the non-volatile memory 104 according to the embodiment includes a write-protected area memory check / initialization process 50.
1, write-inhibited data area memory check processing result determination processing 502, and write-inhibited data area write processing 50
3, user data array reference information memory check / initialization processing 504, user data array reference information memory check result determination processing 505, user data array reference information initial value setting processing 506, user data array area initialization Process 507 and user data array management process 508
It is composed of
【0032】次に、図5を参照して、本発明の第4の実
施の形態における不揮発性メモリの初期化動作を説明す
る。まず、再書込み禁止データ領域201のメモリチェ
ック・初期化処理501により不揮発性メモリ104の
再書込み禁止データ領域201の全ての領域にテストパ
ターンを書込み、その後読出す動作を行い書込みデータ
と読出しデータを照合する。次に、再書込み禁止データ
領域201の全ての記録内容をクリアし、先程のデータ
照合結果を通知する。再書込み禁止データ領域201の
メモリチェック処理の結果判定処理502では、前のデ
ータ照合結果を判定し、データエラーを検出した場合に
はシステムエラーを通知し、システムの稼動を停止す
る。データ照合結果が正常終了の場合は、書込み禁止デ
ータ領域201の書込処理503を実行し、システム固
有のID番号など、製品出荷後書き換えを行わないデー
タを再書込み禁止データ領域に書込む。Next, an initialization operation of the nonvolatile memory according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. First, a test pattern is written in all the areas of the non-rewriteable data area 201 of the non-volatile memory 104 by the memory check / initialization processing 501 of the non-rewriteable data area 201, and then the read operation is performed to write the read data and the read data. Collate. Next, all the recorded contents of the rewrite prohibition data area 201 are cleared, and the result of the data collation is notified. In the result determination process 502 of the memory check process of the rewrite prohibition data area 201, the previous data collation result is determined, and when a data error is detected, a system error is notified and the operation of the system is stopped. If the data collation result is a normal end, write processing 503 of the write-protected data area 201 is executed, and data that is not rewritten after product shipment, such as an ID number unique to the system, is written to the rewrite-protected data area.
【0033】次に、ユーザデータ配列参照情報領域30
2のメモリチェック・初期化処理504を実行し、ユー
ザデータ配列303を参照するユーザデータ配列参照情
報304を格納する領域にテストパターンを書込み、そ
の後読出し動作を行い、書込みデータと読出しデータと
を照合する。次に、ユーザデータ配列参照情報304を
クリアし、先程のデータ照合結果を通知する。Next, the user data array reference information area 30
2 performs a memory check / initialization process 504, writes a test pattern in an area for storing user data array reference information 304 that refers to the user data array 303, and then performs a read operation to compare the write data with the read data. I do. Next, the user data array reference information 304 is cleared, and the result of the data collation is notified.
【0034】次に、ユーザデータ配列参照情報領域30
2のメモリチェック処理の結果の判定処理505では、
上記のデータ照合結果を判定し、データエラーを検出し
た場合にはシステムエラーを通知し、システムの稼動を
停止する。データ照合結果が正常終了の場合は、ユーザ
データ配列参照情報304にそれぞれ重複しない初期値
を書込むユーザデータ配列参照情報304の初期値設定
処理506を実行する。Next, the user data array reference information area 30
In the determination process 505 of the result of the memory check process of No. 2,
The data collation result is determined, and if a data error is detected, a system error is notified and the operation of the system is stopped. If the data collation result is a normal end, an initial value setting process 506 of the user data array reference information 304 for writing a non-overlapping initial value to the user data array reference information 304 is executed.
【0035】次に、ユーザデータ配列領域301を初期
化するユーザデータ配列領域初期化処理507を実行
し、ユーザデータ配列領域301に初期値を書込む。続
いてユーザデータ配列初期値設定処理508を実行し、
それぞれのユーザデータ配列303に初期値を設定す
る。Next, a user data array area initialization process 507 for initializing the user data array area 301 is executed, and an initial value is written in the user data array area 301. Subsequently, a user data array initial value setting process 508 is executed,
An initial value is set in each user data array 303.
【0036】以上説明したように、本発明の第4の実施
の形態における不揮発性メモリの初期化方法は、不揮発
性メモリの初期化を行い初期値を書込むことができる。
またユーザデータ配列参照情報に初期値を設定し、デー
タ読出しを行うユーザデータ配列を指定するとともに、
書込みエラーから復旧するための新しいユーザデータ配
列を指定するに必要な初期値を提供することができる。As described above, in the method for initializing a nonvolatile memory according to the fourth embodiment of the present invention, the nonvolatile memory can be initialized and an initial value can be written.
Also, an initial value is set in the user data array reference information, and a user data array for performing data reading is specified,
The initial values needed to specify a new user data array to recover from a write error can be provided.
【0037】(第5の実施の形態)次に、図6を参照し
て、本発明の第5の実施の形態における不揮発性メモリ
104のエラー検出時の復旧処理について説明する。第
5の実施の形態におけるユーザデータ配列管理処理手順
は、エラーチェック中フラグリセット処理601と、エ
ラー発生検出回数判定処理602と、ユーザデータ配列
先頭アドレス計算処理603と、テストデータ書込み処
理604と、不揮発性メモリ状態判定処理605と、ユ
ーザデータ配列データベリファイ処理606と、ベリフ
ァイ結果判定処理607と、エラーチェック中フラグ判
定処理608と、書込みエラー発生検出回数加算処理6
09と、エラーチェック中フラグセット610処理と、
ユーザデータ配列領域容量チェック処理611と、ユー
ザデータ配列参照情報更新処理612とにより構成され
る。(Fifth Embodiment) Next, with reference to FIG. 6, a description will be given of a recovery process when an error is detected in the nonvolatile memory 104 according to a fifth embodiment of the present invention. The user data array management processing procedure according to the fifth embodiment includes an error checking flag resetting processing 601, an error occurrence detection number determination processing 602, a user data array head address calculation processing 603, a test data writing processing 604, Non-volatile memory state determination processing 605, user data array data verification processing 606, verification result determination processing 607, error check flag determination processing 608, and write error occurrence detection number addition processing 6
09, error check flag set 610 processing,
It comprises a user data array area capacity check process 611 and a user data array reference information update process 612.
【0038】次に、図6を参照して、本発明の第5の実
施の形態における不揮発性メモリ104のエラー検出時
の復旧処理の動作を説明する。まず、エラーチェック中
フラグリセット処理601を実行し、エラーチェック中
フラグをリセットする。続いて、エラー発生検出回数判
定処理602実行し、現在指定されているユーザデータ
配列303の書込みエラー発生検出回数が指定した値を
超えていないかどうか判定する。指定値を超えていない
場合は、ユーザデータ配列先頭アドレス計算処理603
を実行して、指定されたユーザデータ配列303の先頭
アドレスを計算する。Next, with reference to FIG. 6, the operation of a recovery process when an error is detected in the nonvolatile memory 104 according to the fifth embodiment of the present invention will be described. First, an error checking flag reset process 601 is executed to reset the error checking flag. Subsequently, an error occurrence detection number determination process 602 is executed to determine whether the number of write error occurrence detections of the currently specified user data array 303 does not exceed a specified value. If it does not exceed the specified value, the user data array head address calculation processing 603
To calculate the start address of the designated user data array 303.
【0039】次に、テストデータ書込み処理604を実
行して指定されたユーザデータ配列303にテストデー
タを書込み、続いて不揮発性メモリ状態判定処理605
を実行し、不揮発性メモリ104の制御レジスタ(図示
せず)のデータ書込み結果を判定する。書込みに成功し
ていれば、ユーザデータ配列データベリファイ(検証)
処理606を実行し、書込みデータと読出しデータとが
一致するか検証する。次に、ベリファイ結果判定処理6
07を実行して、書込みデータと読出しデータとの一致
が確認できた場合は、このユーザデータ配列管理処理を
終了する。しかし、書込みデータと読出しデータとの一
致が確認できなかった場合は、エラーチェック中フラグ
判定処理608を実行する。また、上記の不揮発性メモ
リ状態判定処理605の実行の結果、不揮発性メモリ1
04へのデータ書込みに失敗していると判定された場合
も、同様にエラーチェック中フラグ判定処理608を実
行する。Next, test data write processing 604 is executed to write test data to the specified user data array 303, and then, the non-volatile memory state determination processing 605
To determine the result of writing data in the control register (not shown) of the nonvolatile memory 104. If writing is successful, user data array data verification (verification)
Step 606 is executed to verify whether the write data matches the read data. Next, verify result determination processing 6
07 is executed, and if the coincidence between the write data and the read data can be confirmed, the user data array management processing ends. However, if the match between the write data and the read data cannot be confirmed, an error check flag determination process 608 is executed. Also, as a result of the execution of the above-described nonvolatile memory state determination processing 605, the nonvolatile memory 1
Also, when it is determined that the data write to the data 04 has failed, the error checking flag determination processing 608 is executed in the same manner.
【0040】エラーチェック中フラグ判定処理608に
よりエラーチェック中フラグの値を判定し、このフラグ
がセットされている場合は、書込みエラー検出が2回以
上連続して発生した場合であり、書込みエラー発生検出
回数加算処理609を実行して指定したユーザデータ配
列303の書込みエラー発生検出回数を1つ加算する。
それ以外の場合は書込みエラー検出が1回のみで、書込
みエラー発生検出回数の加算は行わない。この場合は、
不揮発性メモリ104の異常ではなく、書込み中の電源
断などに起因するエラーの場合もある。The value of the error check flag is determined by the error check flag determination process 608. If this flag is set, it means that write error detection has occurred two or more times in succession. The detection count addition processing 609 is executed to add one to the number of write error occurrence detections of the specified user data array 303.
In other cases, only one write error detection is performed, and the number of write error occurrences is not added. in this case,
There may be an error caused not by an abnormality of the nonvolatile memory 104 but by a power supply interruption during writing.
【0041】次に、エラーチェック中フラグのセット処
理610を実行し、書込みエラー検出が1回あったこと
を記憶する。再び処理手順の先頭に戻り、エラー発生検
出回数判定処理602を実行して、エラーがなくなるま
で繰り返し実行する。ただし、現在指定されているユー
ザデータ配列303の書込みエラー発生検出回数が指定
した値を超えた場合は、現在使用中のユーザデータ配列
303の信頼性が低いと判断し、新しいユーザデータ配
列303を割当てる。Next, an error checking flag setting process 610 is executed to store that a write error has been detected once. Returning again to the beginning of the processing procedure, the error occurrence detection number determination processing 602 is executed, and the processing is repeatedly executed until the error disappears. However, if the number of write error occurrences detected in the currently specified user data array 303 exceeds the specified value, it is determined that the reliability of the currently used user data array 303 is low, and a new user data array 303 is stored. Assign.
【0042】新しいユーザデータ配列303の割当て
は、まず、ユーザデータ配列領域容量チェック処理61
1を実行し、未使用のユーザデータ配列303があるか
調べる。未使用のユーザデータ配列303がある場合
は、ユーザデータ配列参照情報更新処理612を実行
し、現在使用中のユーザデータ配列参照情報の設定値の
うち、最も大きい設定値より1つ大きい値を新しい設定
値として対応する新しいユーザデータ配列303に割当
てる。なお、ユーザデータ配列参照情報の初期設定値が
昇順の場合は、現在最も大きいアドレスまたは番号の次
のユーザデータ配列303を割当て、降順の場合は現在
最も小さいアドレスまたは番号の次のユーザデータ配列
303を割当てるよう更新する。また、未使用のユーザ
データ配列303がない場合は、新たなユーザデータ配
列を割当てることができないため、システムエラーを通
知してシステムの稼動を停止する。To allocate a new user data array 303, first, a user data array area capacity check processing 61
1 to check whether there is an unused user data array 303. If there is an unused user data array 303, the user data array reference information update processing 612 is executed, and among the set values of the currently used user data array reference information, a value one larger than the largest set value is set as a new value. It is assigned to the corresponding new user data array 303 as a setting value. When the initial setting value of the user data array reference information is in the ascending order, the user data array 303 next to the currently highest address or number is allocated, and in the descending order, the user data array 303 next to the currently lowest address or number is allocated. Update to assign If there is no unused user data array 303, a new user data array cannot be allocated, so a system error is notified and the operation of the system is stopped.
【0043】以上説明したように、本発明の第5の実施
の形態における不揮発性メモリのエラー検出時の復旧処
理方法は、指定したユーザデータ配列へのデータ書込み
エラーを検出した場合に、不揮発性メモリの機能チェッ
クを行い、その配列の動作に異常がなければ再度その配
列を使用し、異常を検出した場合には、新しい配列を割
当てることができるメモリ管理機能を実行することがで
きる。As described above, the recovery processing method when detecting an error in the nonvolatile memory according to the fifth embodiment of the present invention is a method for recovering data from a nonvolatile memory when a data write error to a specified user data array is detected. The function of the memory is checked, and if there is no abnormality in the operation of the array, the array is used again. If an abnormality is detected, a memory management function capable of allocating a new array can be executed.
【0044】(第6の実施の形態)次に、図7を参照し
て、本発明の第6の実施の形態における不揮発性メモリ
104のユーザデータ書込み処理について説明する。第
6の実施の形態におけるユーザデータ書込み処理手順
は、ユーザデータ配列参照情報インデックスiの初期値
設定処理701と、ユーザデータ領域書込み処理702
と、不揮発性メモリ104の状態判定処理703と、ユ
ーザデータ領域読出し処理704と、妥当性確認情報演
算書込み処理705と、妥当性判定処理706と、ユー
ザデータ配列管理処理707と、ユーザデータ配列参照
情報インデックスiの判定処理708と、ユーザデータ
配列参照情報インデックスiの加算処理709とにより
構成される。(Sixth Embodiment) Next, with reference to FIG. 7, a description will be given of a process of writing user data in the nonvolatile memory 104 according to a sixth embodiment of the present invention. The user data writing processing procedure in the sixth embodiment includes an initial value setting processing 701 of a user data array reference information index i, and a user data area writing processing 702.
A state determination process 703 of the nonvolatile memory 104, a user data area read process 704, a validity check information calculation write process 705, a validity determination process 706, a user data array management process 707, and a user data array reference. It is composed of a judgment processing 708 of the information index i and an addition processing 709 of the user data array reference information index i.
【0045】次に、図7を参照して、本発明の第6の実
施の形態における不揮発性メモリ104のユーザデータ
書込み処理の動作を説明する。まず、ユーザデータ配列
参照情報インデックスiの初期値設定処理701で、ユ
ーザデータ配列参照情報インデックスiに初期値0を設
定する。次のユーザデータ領域書込み処理702で、ユ
ーザデータ配列参照情報インデックスiで指定したユー
ザデータ配列参照情報304が指し示すユーザデータ配
列303を構成するユーザデータ領域402にユーザデ
ータを書込む。なお、ここで、iは書き込むべきユーザ
データ配列303の数である。Next, with reference to FIG. 7, the operation of the process of writing user data in the nonvolatile memory 104 according to the sixth embodiment of the present invention will be described. First, in an initial value setting process 701 of the user data array reference information index i, an initial value 0 is set to the user data array reference information index i. In the next user data area writing process 702, the user data is written to the user data area 402 constituting the user data array 303 indicated by the user data array reference information 304 specified by the user data array reference information index i. Here, i is the number of user data arrays 303 to be written.
【0046】それに続く不揮発性メモリ状態判定処理7
03では、不揮発性メモリ104の制御レジスタ(図示
せず)のデータ書込み結果を判定し、書込みに成功して
いれば、ユーザデータ配列参照情報インデックスiの指
し示すユーザデータ領域402を読出すユーザデータ領
域読出し処理704と妥当性確認情報演算書込み処理7
05を実行し、書込みデータと読出しデータが一致する
か照合する。次に妥当性判定処理706で、書込みデー
タと読出しデータの内容が一致していると判定された場
合は、ユーザデータ配列参照情報インデックスi判定処
理708でユーザデータ配列参照情報304がインデッ
クスiの数だけユーザデータ配列303に書込みを完了
したか判定し、完了している場合はこの処理を終了す
る。まだ書込むべきユーザデータ配列303が残されて
いる場合には、ユーザデータ配列参照情報インデックス
i加算処理709でインデックスiに1を加えてユーザ
データ領域書込み処理702から再度実行する。Subsequent nonvolatile memory state determination processing 7
At 03, the data write result of the control register (not shown) of the non-volatile memory 104 is determined, and if the write is successful, the user data area 402 for reading the user data area 402 indicated by the user data array reference information index i is read. Read processing 704 and validity check information calculation write processing 7
Step 05 is performed to check whether the write data and the read data match. Next, in the validity determination processing 706, when it is determined that the contents of the write data and the read data match, in the user data array reference information index i determination processing 708, the user data array reference information 304 indicates the number of the index i. It is determined whether writing to the user data array 303 has been completed, and if completed, this processing ends. When the user data array 303 to be written still remains, 1 is added to the index i in the user data array reference information index i addition processing 709, and the processing is executed again from the user data area writing processing 702.
【0047】また、妥当性判定処理706で、書込みデ
ータと読出しデータの内容が不一致を検出した場合は、
本発明の第5の実施の形態において説明したように、ユ
ーザデータ配列303を新しいユーザデータ配列303
に変更する等ユーザデータ配列管理処理707を実行
し、エラー復旧を行った後、ユーザデータ領域書込み処
理702から再度実行する。When the validity determination processing 706 detects that the contents of the write data and the contents of the read data do not match,
As described in the fifth embodiment of the present invention, the user data array 303 is replaced with the new user data array 303.
The user data array management process 707 is performed, for example, the error is recovered, and after the error recovery, the process is executed again from the user data area writing process 702.
【0048】以上説明したように、本発明の第6の実施
の形態における不揮発性メモリのユーザデータ書込み処
理方法は、任意のデータをユーザデータ領域に書込み、
確かに書込めたことを確認し、書込みエラーを検出した
場合にはエラー復旧を行い、確実なデータ書込み動作を
提供することができる。As described above, the user data write processing method of the nonvolatile memory according to the sixth embodiment of the present invention writes arbitrary data to the user data area,
It is possible to confirm that the data has been written, and if a write error is detected, perform error recovery to provide a reliable data write operation.
【0049】(第7の実施の形態)次に、図8を参照し
て、本発明の第7の実施の形態における不揮発性メモリ
104のユーザデータ読出し処理について説明する。第
7の実施の形態におけるユーザデータ読出し処理手順
は、ユーザデータ配列参照情報インデックスiの初期値
設定処理801と、ユーザデータ配列読出し処理802
と、妥当性判定処理803と、ユーザデータ配列参照情
報インデックスi加算処理804と、ユーザデータ配列
読出し回数判定処理805と、ユーザデータ領域初期値
設定処理806と、リードエラー通知処理807と、ユ
ーザデータリカバー終了判定処理808と、ユーザデー
タ配列管理処理809と、ユーザデータリカバー処理8
10と、ユーザデータ配列参照情報インデックスi減算
処理811とから構成される。(Seventh Embodiment) Next, with reference to FIG. 8, a process of reading user data from the nonvolatile memory 104 according to a seventh embodiment of the present invention will be described. The user data read processing procedure in the seventh embodiment includes an initial value setting processing 801 of the user data array reference information index i and a user data array read processing 802.
Validity determination processing 803, user data array reference information index i addition processing 804, user data array read count determination processing 805, user data area initial value setting processing 806, read error notification processing 807, user data Recovery end determination processing 808, user data array management processing 809, user data recovery processing 8
10 and a user data array reference information index i subtraction process 811.
【0050】次に、図8を参照して、本発明の第7の実
施の形態における不揮発性メモリ104のユーザデータ
読出し処理の動作を説明する。まず、ユーザデータ配列
参照情報インデックスiの初期値設定処理801で、ユ
ーザデータ配列参照情報インデックスiに初期値0を設
定する。ユーザデータ配列読出し処理802で、ユーザ
データ配列参照情報インデックスiで指定されたユーザ
データ配列参照情報304が指し示すユーザデータ配列
303を構成するユーザデータ配列情報を読出し、併せ
ててユーザデータ配列情報の妥当性確認情報を計算す
る。なお、ここで、iは読み出し回数である。Next, with reference to FIG. 8, the operation of the process of reading user data from the nonvolatile memory 104 according to the seventh embodiment of the present invention will be described. First, in an initial value setting process 801 of the user data array reference information index i, an initial value 0 is set to the user data array reference information index i. In the user data array read processing 802, the user data array information constituting the user data array 303 indicated by the user data array reference information 304 specified by the user data array reference information index i is read, and the validity of the user data array information is also determined. Calculate gender confirmation information. Here, i is the number of times of reading.
【0051】それに続く妥当性判定処理803で、読出
したデータから計算した妥当性確認情報と、ユーザデー
タ配列303内にある妥当性確認情報の値とが一致する
かどうか照合し、照合結果が不一致の場合は、ユーザデ
ータ配列参照情報インデックスi加算処理804でイン
デックス値に1を加算し、ユーザデータ配列読出し回数
判定処理805で、ユーザデータ配列参照情報304の
数を超えていなければ、ユーザデータ配列読出し処理8
02から再び実行して、次に読み出すべきユーザデータ
配列303からデータを読出す。しかし、インデックス
iがユーザデータ配列参照情報304の数を超えている
場合は、正しいユーザデータ配列303を保存している
ユーザデータ配列303が存在しないと判定し、ユーザ
データ領域初期値設定処理806で、予め不揮発性メモ
リ104の再書込み禁止領域などに記憶しておいたデフ
ォルトデータ列をユーザデータ配列303に設定すると
共にリードエラー通知処理807を実行して、ユーザデ
ータ配列303の読出しに失敗し、暫定処置でデフォル
ト値を設定したことを外部に通知する。引続き、後述す
るように、ユーザデータリカバー終了判定処理808を
実行する。In the subsequent validity determination processing 803, it is checked whether the validity check information calculated from the read data matches the value of the validity check information in the user data array 303. In the case of (1), 1 is added to the index value in the user data array reference information index i addition processing 804, and in the user data array read number determination processing 805, if the number of the user data array reference information 304 is not exceeded, the user data array Read processing 8
02 is executed again, and data is read from the user data array 303 to be read next. However, if the index i exceeds the number of the user data array reference information 304, it is determined that there is no user data array 303 storing the correct user data array 303, and the user data area initial value setting processing 806 determines The user sets the default data string previously stored in the non-rewriteable area of the nonvolatile memory 104 in the user data array 303 and executes the read error notification processing 807 to read the user data array 303, Notify outside that the default value was set in the provisional action. Subsequently, the user data recovery end determination processing 808 is executed as described later.
【0052】上記妥当性判定処理803で、読出したデ
ータから計算した妥当性確認情報と、ユーザデータ配列
内にある妥当性確認情報との値が一致した場合も、同様
にユーザデータリカバー終了判定処理808を実行す
る。すなわち、ユーザデータ配列参照情報インデックス
iが0であればエラーを検出したユーザデータ配列が1
つもないと判断し、ユーザデータ配列のリカバーを行わ
ずこの処理を終了する。しかし、ユーザデータ配列参照
情報インデックスiが1であればエラーを検出したユー
ザデータ配列が1つ以上あると判断し、第5の実施の形
態におけるものと同様なユーザデータ配列管理処理80
9を実行し、エラー復旧を行った後、ユーザデータリカ
バー処理810で、正常に読出したユーザデータ列、ま
たはデフォルトデータ列を書込む。When the validity check information calculated from the read data and the value of the validity check information in the user data array match in the validity judgment processing 803, the user data recovery end judgment processing is similarly performed. Execute 808. That is, if the user data array reference information index i is 0, the user data array in which the error is detected is 1
If it is determined that there is no data, the process is terminated without recovering the user data array. However, if the user data array reference information index i is 1, it is determined that there is one or more user data arrays in which an error has been detected, and the user data array management processing 80 similar to that in the fifth embodiment is performed.
After executing the step 9 and performing error recovery, the user data recovery processing 810 writes the user data string normally read or the default data string.
【0053】これらの処理を実行した後、ユーザデータ
配列参照情報インデックスiの減算処理811でユーザ
データ配列参照情報インデックスiを減算し、ユーザデ
ータリカバー終了判定処理808から再度実行し、エラ
ーが発生した全てのユーザデータ配列303のデータリ
カバーを完了後、この処理を終了する。After executing these processes, the user data array reference information index i is subtracted in a user data array reference information index i subtraction process 811, and the process is executed again from the user data recovery end determination process 808, and an error occurs. After the data recovery of all the user data arrays 303 is completed, this processing ends.
【0054】以上説明したように、本発明の第7の実施
の形態における不揮発性メモリのユーザデータ読出し処
理方法は、ユーザデータ情報の妥当性の判定を行い、デ
ータエラーを検出した場合でも、他のユーザデータ配列
からデータを読出し、正常なユーザデータ列を読出すこ
とができる。また、データ書込み中の電源断などで不揮
発性メモリへの書込みにエラー発生の場合も既に書込み
済みのデータを読み出し、または更新前のデータを読出
し、さらに書込みにエラーを検出したユーザデータ配列
を復旧させることが可能で、確実なデータ読出し動作を
提供することができる。As described above, the user data read processing method of the nonvolatile memory according to the seventh embodiment of the present invention determines the validity of user data information, and performs the other processing even if a data error is detected. , And a normal user data string can be read. Also, if an error occurs in writing to the non-volatile memory due to power failure during data writing, etc., read the already written data or read the data before updating, and recover the user data array that detected the error in writing And a reliable data reading operation can be provided.
【0055】[0055]
【発明の効果】本発明における不揮発性メモリの管理方
法および管理装置は、上記のように構成され、データ更
新時の電源断などによる書込み失敗やデバイスの故障や
書込み寿命などの原因によるエラーを検出した場合で
も、格納データを読み出すことができ、さらにエラーを
復旧させ、継続して不揮発性メモリを使用可能にするこ
とができる。The method and apparatus for managing a nonvolatile memory according to the present invention are configured as described above, and detect an error due to a write failure due to a power failure at the time of updating data, a device failure, a write life, or the like. Even in this case, the stored data can be read, the error can be recovered, and the nonvolatile memory can be continuously used.
【図1】本発明の第1の実施の形態における不揮発性メ
モリの管理装置のブロック図、FIG. 1 is a block diagram of a management device of a nonvolatile memory according to a first embodiment of the present invention;
【図2】図1に示す不揮発性メモリのメモリマップを示
す図、FIG. 2 is a view showing a memory map of the nonvolatile memory shown in FIG. 1;
【図3】本発明の第2の実施の形態における不揮発性メ
モリの再書込み許可領域のメモリマップを示す図、FIG. 3 is a diagram showing a memory map of a rewrite permission area of a nonvolatile memory according to a second embodiment of the present invention;
【図4】本発明の第3の実施の形態における不揮発性メ
モリのユーザデータ配列のメモリマップを示す図、FIG. 4 is a diagram showing a memory map of a user data array in a nonvolatile memory according to a third embodiment of the present invention;
【図5】本発明の第4の実施の形態における不揮発性メ
モリ104の初期化方法を示すフローチャート、FIG. 5 is a flowchart showing a method for initializing a nonvolatile memory 104 according to a fourth embodiment of the present invention;
【図6】本発明の第5の実施の形態における不揮発性メ
モリのユーザデータ配列管理処理を示すフローチャー
ト、FIG. 6 is a flowchart showing user data array management processing of a nonvolatile memory according to a fifth embodiment of the present invention;
【図7】本発明の第6の実施の形態における不揮発性メ
モリのユーザデータ書込み処理を示すフローチャート、FIG. 7 is a flowchart showing a process of writing user data in a nonvolatile memory according to a sixth embodiment of the present invention;
【図8】本発明の第7の実施の形態における不揮発性メ
モリのユーザデータ読出し処理を示すフローチャート、FIG. 8 is a flowchart showing a process of reading user data from a nonvolatile memory according to a seventh embodiment of the present invention;
【図9】従来技術における不揮発性メモリのデータ読出
し処理を示すフローチャート。FIG. 9 is a flowchart showing a data reading process of a nonvolatile memory according to the related art.
101 マイクロプロセッサ(CPU) 102 RAM 103 ROM 104 不揮発性メモリ 105 入力インタフェース 106 情報入力手段 107 出力インタフェース 108 情報出力手段 109 データバス 201 再書込み禁止データ領域 202 再書込み許可データ領域 301 ユーザデータ配列領域 302 ユーザデータ配列参照情報領域 303 ユーザデータ配列(配列要素) Reference Signs List 101 Microprocessor (CPU) 102 RAM 103 ROM 104 Nonvolatile memory 105 Input interface 106 Information input means 107 Output interface 108 Information output means 109 Data bus 201 Rewrite prohibited data area 202 Rewrite permitted data area 301 User data array area 302 User Data array reference information area 303 User data array (array element)
〔0〕〜〔n〕 304 ユーザデータ配列参照情報[0] to [n] 304 User data array reference information
〔0〕〜〔2〕 401 ユーザデータ配列 402 ユーザデータ領域 403 管理情報領域 404 妥当性確認情報格納領域 405 書込みエラー発生検出回数格納領域[0] to [2] 401 User data array 402 User data area 403 Management information area 404 Validation information storage area 405 Write error occurrence detection number storage area
Claims (9)
全データ領域を再書込み許可データ領域と再書込み禁止
データ領域とに区分し、前記再書込み許可データ領域に
は内容の変更を行うデータを格納し、前記再書込み禁止
データ領域には内容の変更を行わないデータを格納する
ことを特徴とする不揮発性メモリの管理方法。An entire data area of a nonvolatile memory for storing user data is divided into a rewrite-permitted data area and a rewrite-inhibited data area, and data for changing contents is stored in the rewrite-permitted data area. A method for managing a non-volatile memory, characterized in that data whose contents are not changed is stored in the rewrite-inhibited data area.
配列要素を有する複数のユーザデータ配列で構成され、
前記ユーザデータ配列にはユーザデータ領域と妥当性確
認情報格納領域および書込みエラー発生検出回数格納領
域を有する管理情報領域とを設け、前記ユーザデータ領
域には任意に使用するデータを格納し、前記妥当性確認
情報格納領域は前記ユーザデータ領域の内容の妥当性を
確認する妥当性確認情報を格納し、前記書込みエラー発
生検出回数格納領域は同一のデータ領域に対する書込み
エラーの発生回数を格納することを特徴とする請求項1
記載の不揮発性メモリの管理方法。2. The rewrite permission data area is composed of a plurality of user data arrays each having an array element.
The user data array is provided with a user data area and a management information area having a validity check information storage area and a write error occurrence count storage area, and the user data area stores data to be used arbitrarily. The sex check information storage area stores validity check information for checking the validity of the contents of the user data area, and the write error occurrence count storage area stores the write error occurrence count for the same data area. Claim 1.
The management method of the nonvolatile memory described in the above.
ーザデータ配列参照情報を設け、前記ユーザデータ配列
領域の各ユーザデータ配列を指し示す指定情報をそれぞ
れ重複せずに対応する前記ユーザデータ配列参照情報に
記録することを特徴とする請求項2記載の不揮発性メモ
リの管理方法。3. A plurality of user data array reference information is provided in said rewrite permission data area, and said user data array reference information corresponding to designation information indicating each user data array of said user data array area without overlapping each other. 3. The method for managing a nonvolatile memory according to claim 2, wherein the information is recorded in a non-volatile memory.
ユーザデータ配列の内容の妥当性を判定し、妥当性の確
証が得られない場合には他のユーザデータ配列参照情報
が指し示すユーザデータ配列の配列要素の内容の妥当性
を判定し、妥当性の確証が得られたユーザデータ配列の
データを出力するよう制御することを特徴とする請求項
3記載の不揮発性メモリの管理方法。4. A validity of the contents of the user data array indicated by the user data array reference information is determined, and if the validity cannot be confirmed, an array of the user data array indicated by another user data array reference information. 4. The method according to claim 3, wherein the validity of the contents of the element is determined, and control is performed so as to output the data of the user data array for which the validity has been confirmed.
ユーザデータ配列の妥当性を判定し、妥当性の確証が得
られない場合には、そのユーザデータ配列に対する書込
みまたは読出し機能を検証し、機能検証したユーザデー
タ配列に対する書込みまたは読出し機能が正常であると
判定された場合はそのユーザデータ配列を継続使用し、
書込みまたは読出し機能が不良であると判定された場合
には、そのユーザデータ配列を指し示すユーザデータ配
列参照情報を更新し、更新されたユーザデータ配列参照
情報が指し示すユーザデータ配列を使用するようエラー
復旧処理を行うことを特徴とする請求項3記載の不揮発
性メモリの管理方法。5. A method for determining the validity of the user data array indicated by the user data array reference information, and verifying the function of writing or reading the user data array if the validity cannot be confirmed. If it is determined that the write or read function for the user data array is normal, the user data array is continuously used,
If it is determined that the write or read function is defective, the user data array reference information indicating the user data array is updated, and an error recovery is performed so that the user data array indicated by the updated user data array reference information is used. The method according to claim 3, wherein the processing is performed.
期化または工場出荷時にそれぞれ重複しない昇順または
降順のユーザデータ配列指定情報に初期化し、前記ユー
ザデータ配列に再書き込み不可能なエラーを検出した後
の復旧時には、昇順の場合は現在使用されている複数の
指定情報のうち最も大きい指定情報の次の指定情報に更
新し、降順の場合は現在使用されている複数の指定情報
のうち最も小さい指定情報の次の指定情報に更新するこ
とを特徴とする請求項3ないし5のいずれかに記載の不
揮発性メモリの管理方法。6. The user data array reference information is completely initialized or initialized to non-overlapping ascending or descending order user data array designation information at the time of factory shipment, and an error that cannot be rewritten in the user data array is detected. At the time of later recovery, in the case of ascending order, update to the next specified information after the largest specified information among the currently used specified information, and in the case of descending order, the smallest specified among the currently used specified information 6. The method according to claim 3, wherein the specified information is updated to the next specified information.
は対応するユーザデータ配列の順位に対応して初期化さ
れ、書き込み動作途上の電源遮断後に復帰した場合、前
記ユーザデータ配列参照情報が指し示すユーザデータ配
列の内容と対応する妥当性確認情報とを判定することに
より、書き込み動作の途上で電源が遮断された瞬間に更
新中だったユーザデータ配列を特定し、エラー復旧処理
を行うことを特徴とする請求項3記載の不揮発性メモリ
の管理方法。7. The specified information of the user data array reference information is initialized in accordance with the order of the corresponding user data array, and when the power supply is restored after power-off during write operation, the user indicated by the user data array reference information is indicated. By determining the contents of the data array and the corresponding validity check information, the user data array that was being updated at the moment when the power was turned off during the write operation is specified, and error recovery processing is performed. The method for managing a nonvolatile memory according to claim 3.
現在使用中のユーザデータ配列の妥当性の確証が得られ
ずに、不揮発性メモリの機能検証が行われる度に前記ユ
ーザデータ配列のエラー発生検出回数情報を更新し、同
一ユーザデータ配列について所定の回数以上の機能検証
を実施した場合は、現在使用しているユーザデータ配列
を指し示すユーザデータ配列参照情報を変更し、それに
対応する新しいユーザデータ配列を使用することを特徴
とする請求項5記載の不揮発性メモリの管理方法。8. An error occurrence detection of the user data array every time the function verification of the non-volatile memory is performed without confirming the validity of the currently used user data array indicated by the user data array reference information. When the frequency information is updated and the function verification is performed more than a predetermined number of times for the same user data array, the user data array reference information indicating the currently used user data array is changed, and a new user data array corresponding thereto is changed. 6. The method for managing a nonvolatile memory according to claim 5, wherein:
と、前記不揮発性メモリに対しデータの読出しおよび書
き込みを制御する制御手段とからなり、前記制御手段に
より前記不揮発性メモリに対し請求項1ないし8のいず
れかに記載の不揮発性メモリの管理方法を実行し、稼動
中にデータエラーを検出したときに、そのデータエラー
を回避して正常に動作を継続するようにしたことを特徴
とする不揮発性メモリの管理装置。9. A nonvolatile memory for storing user data, and control means for controlling reading and writing of data to and from said nonvolatile memory, wherein said control means controls said nonvolatile memory for said nonvolatile memory. Wherein when a data error is detected during operation, the data error is avoided and normal operation is continued. Memory management device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000147172A JP2001331382A (en) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | Method and device for managing nonvolatile memory |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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JP (1) | JP2001331382A (en) |
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