JP2001325912A - Electron beam inspection device - Google Patents

Electron beam inspection device

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JP2001325912A
JP2001325912A JP2000148574A JP2000148574A JP2001325912A JP 2001325912 A JP2001325912 A JP 2001325912A JP 2000148574 A JP2000148574 A JP 2000148574A JP 2000148574 A JP2000148574 A JP 2000148574A JP 2001325912 A JP2001325912 A JP 2001325912A
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JP
Japan
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sample
electron beam
chamber
electron
active species
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JP2000148574A
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Japanese (ja)
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Osamu Sato
佐藤  修
Hiroyuki Kitsunai
浩之 橘内
Minoru Shimizu
実 清水
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent contamination of samples in a simple structure without deterioration of resolution in an electron beam inspection device. SOLUTION: The electron beam inspection device irradiates electron beam from an electron gun in an electron gun chamber onto samples placed in a sample room and detects secondary electron and reflected electron generated from the samples. With this kind of the electron beam inspection device, a means for generating active species of hydrogen is provided in the sample room, where hydrocarbon system gas remaining in the sample room is dissolved into carbon dioxide (CO2) and water (H2O) through oxidization by activated species of oxygen, to eliminate hydrocarbon system gas from inside the sample room, thus, contamination of the samples can be cut off.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム検査装置
に係わり、特に半導体装置等の検査を行うのに好適な電
子ビーム検査装置に関する。
The present invention relates to an electron beam inspection apparatus, and more particularly to an electron beam inspection apparatus suitable for inspecting a semiconductor device or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子ビームを試料上に走査して、得られ
た二次電子像または反射電子像により試料上に形成され
たパターンまたはコンタクトホールの寸法および形状を
測定・観察する電子ビーム検査装置は、半導体素子の微
細化が進むにつれて、その役割の重要性が増している。
2. Description of the Related Art An electron beam inspection apparatus which scans an electron beam on a sample and measures and observes the size and shape of a pattern or contact hole formed on the sample based on the obtained secondary electron image or reflected electron image. As the size of the semiconductor element advances, the role of the element increases.

【0003】一方、古くから知られていることだが、電
子顕微鏡を用いて観察を行う際には、試料の電子線を照
射した部分に汚染物が付着する。例えば文献SpecimenPr
otection in the Electron Microscope(HEYWOOD J A,P
ract Metallogr 19(1982)465)にあるように、試料汚
染の原因となるのは、試料に吸着していたハイドロカー
ボン系ガス分子と、装置の残留ガス中のハイドロカーボ
ンの試料への吸着によるものが考えられる。いずれの場
合も、吸着ガスが電子線エネルギーを受けることにより
固体化すると言われている。
[0003] On the other hand, it has been known for a long time that when observing using an electron microscope, contaminants adhere to a portion of a sample irradiated with an electron beam. For example, SpecimenPr
otection in the Electron Microscope (HEYWOOD JA, P
As described in ract Metallogr 19 (1982) 465), the cause of sample contamination is due to the adsorption of hydrocarbon gas molecules adsorbed on the sample and the adsorption of hydrocarbons in the residual gas of the device to the sample. Can be considered. In either case, it is said that the adsorbed gas is solidified by receiving electron beam energy.

【0004】このように試料表面に汚染物が付着した場
合、最表面に観察されるのは汚染物の表面であるため、
真の表面の像を捕らえることはできなくなる。半導体装
置の検査装置の場合は、寸法計測,外観検査が目的であ
るため、検査中に汚染物が付着し、寸法,形状が変化し
てしまうことは重大な問題である。事実、半導体の検査
装置である電子ビーム測長装置においては、パターンの
寸法計測の際にコンタクトホール径が小さくなるなどの
問題が生じている。
[0004] When contaminants adhere to the sample surface as described above, since what is observed on the outermost surface is the surface of the contaminants,
You will not be able to capture the true surface image. In the case of a semiconductor device inspection apparatus, the purpose is to measure dimensions and inspect the appearance. Therefore, it is a serious problem that contaminants adhere during inspection and the dimensions and shape change. In fact, in an electron beam length measuring device, which is a semiconductor inspection device, there arises a problem that the diameter of a contact hole becomes small when measuring the dimension of a pattern.

【0005】特に、近年半導体の微細化が進み、サブミ
クロンオーダーのパターンやコンタクトホールの寸法計
測,形状観察が行われるようになり、倍率を数万〜十数
万倍の高倍率で観察する場合もある。このような高倍率
で観察した場合、汚染物の付着量はパターンの10%程
度に、例えば、0.5 μmのパターンに対して数十nm
というレベルになることもある。たとえば、微小コンタ
クトホールであれば、電子線を照射することによりホー
ル径が小さくなりホールが塞がってしまうという問題も
起こるため、製品の不良原因にもつながる。
In particular, in recent years, miniaturization of semiconductors has been advanced, and dimensions and shapes of patterns and contact holes on the order of submicrons have been measured and observed, and observations at a high magnification of tens of thousands to hundreds of thousands have been made. There is also. When observed at such a high magnification, the amount of contaminants attached is about 10% of the pattern, for example, several tens nm for a 0.5 μm pattern.
It may be at the level. For example, in the case of a minute contact hole, irradiation with an electron beam causes a problem that the hole diameter is reduced and the hole is closed, which also leads to a cause of a product failure.

【0006】このような、走査型電子顕微鏡における試
料汚染の防止に関する従来技術としては、特開平5−820
62号公報や、特開平10−64467 号公報に開示されたもの
がある。
As a prior art relating to the prevention of sample contamination in such a scanning electron microscope, Japanese Patent Laid-Open No. 5-820 is disclosed.
No. 62 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-64467.

【0007】特開平5−82062号公報では、試料汚染防止
装置の冷却板を断熱体とバネを介して対物レンズに取り
付け、対物レンズ下面および試料自体から放出されたガ
スを冷却板で吸着しトラップするものである。冷却によ
り試料汚染を防止するという方法は現在最も一般的な方
法であり、試料近傍のガスをトラップする、すなわち試
料近傍に存在するガス分子の数を減少させることによっ
て、試料汚染を防止するというものである。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-82062, a cooling plate of a sample contamination prevention device is attached to an objective lens via a heat insulator and a spring, and gas released from the lower surface of the objective lens and the sample itself is adsorbed by the cooling plate and trapped. Is what you do. Preventing sample contamination by cooling is currently the most common method, which involves trapping gas near the sample, that is, reducing sample contamination by reducing the number of gas molecules present near the sample. It is.

【0008】また、特開平10−64467 号公報では、電子
ビーム照射によって試料から発生したハイドロカーボン
系のガス等が鏡体内に蓄積して、試料汚染の原因となる
ので、鏡体と試料室の間を真空的に隔絶するような隔離
膜を設けて試料汚染を防止している。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-64467, a hydrocarbon gas or the like generated from a sample by electron beam irradiation accumulates in the mirror body and causes sample contamination. The sample is prevented from being contaminated by providing an isolating film that isolates them in a vacuum.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平5−82062号公報に開示された技術では、冷却トラッ
プされるのは主に水(H2O)や窒素(N2)であり、ハ
イドロカーボンをトラップする効率は良くない。試料汚
染はハイドロカーボンを主体とするガス成分が、電子線
からエネルギーを受けることにより重合して膜となり試
料表面上に付着する現象であり、ハイドロカーボンを効
率良くトラップできるものでなければ、試料汚染を効果
的に防止することはできない。
However, in the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-82062, water (H 2 O) and nitrogen (N 2 ) are mainly trapped in the cooling trap. The efficiency of trapping carbon is not good. Sample contamination is a phenomenon in which a gas component mainly composed of hydrocarbons is polymerized by receiving energy from an electron beam to form a film and adheres to the sample surface. Unless the hydrocarbons can be trapped efficiently, sample contamination will occur. Cannot be prevented effectively.

【0010】さらに、冷却板を冷却するための冷媒とし
ては一般に液体窒素や水などが用いられるが、液体窒素
などの冷媒を使用する場合には冷却槽を設けなければな
らないし、水であれば配管を設けなければならないな
ど、構造が複雑化する欠点がある。
[0010] Further, as a refrigerant for cooling the cooling plate, liquid nitrogen, water or the like is generally used. When a refrigerant such as liquid nitrogen is used, a cooling tank must be provided. There is a disadvantage that the structure is complicated, for example, a pipe must be provided.

【0011】また、特開平10−64467 号公報に開示され
た技術では、鏡体と試料室とを真空的に隔絶するだけで
あるので、試料汚染防止の十分な効果を期待することは
できない。すなわち、試料汚染の原因となる残留ガスは
鏡体の中だけでなく、むしろ試料室内に多く存在してお
り、試料室内の残留ガスについては何も対策がなされな
いため、試料汚染防止の十分な効果を得ることはできな
い。
Further, in the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-64467, the mirror body and the sample chamber are merely isolated from each other in a vacuum, so that a sufficient effect of preventing sample contamination cannot be expected. That is, the residual gas that causes sample contamination exists not only in the mirror body but rather in the sample chamber, and no measures are taken for the residual gas in the sample chamber. No effect.

【0012】また、この方法では、試料には隔離膜を通
過した一次電子のみが照射されるが、大部分の一次電子
は膜中に拡散,吸収されてしまうため、プローブ電流
(照射ビームのエネルギー)が低下し、結果的に分解能
が低下するという欠点もある。
In this method, the sample is irradiated only with the primary electrons that have passed through the isolation film, but most of the primary electrons are diffused and absorbed into the film. ) Is reduced, resulting in a reduced resolution.

【0013】本発明の目的は、分解能の低下を生じさせ
ることがなく、簡単な構造で試料汚染を防止することが
できる電子ビーム検査装置を提案することにある。
An object of the present invention is to propose an electron beam inspection apparatus capable of preventing sample contamination with a simple structure without lowering the resolution.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的は、電子ビーム
検査装置において、観察対象である試料を設置する試料
室に、酸素の活性種を生成する手段を備え、酸素活性種
の原料となる酸素ガスを供給し、かつ生成された活性種
をガス流れにより試料室に輸送する酸素ガスの導入手段
を備えることにより達成される。
An object of the present invention is to provide an electron beam inspection apparatus, wherein a sample chamber for installing a sample to be observed is provided with a means for generating an active species of oxygen. This is achieved by providing an oxygen gas introducing means for supplying a gas and transporting the generated active species to the sample chamber by the gas flow.

【0015】また、上記目的は、試料室に質量分析装置
を設け残留ガスの分析を行い、ある質量数の範囲の分圧
が、設定値を超えた場合に酸素活性種を試料室内に流す
ことにより達成される。
Another object of the present invention is to provide a mass spectrometer in a sample chamber to analyze residual gas, and to allow oxygen active species to flow into the sample chamber when a partial pressure within a certain mass range exceeds a set value. Is achieved by

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に従って説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】(実施の形態1)図1は本発明に係わる電
子ビーム検査装置の概略構成を示している。図1におい
て、電子銃室1,コンデンサレンズ室2,試料室3が縦
方向に配置され、コンデンサレンズ室2と試料室3の間
には中間室4が設けられている。また、試料室3に隣接
して予備排気室5が配置され、この予備排気室5の上部
には試料交換室6が設けられている。
(Embodiment 1) FIG. 1 shows a schematic configuration of an electron beam inspection apparatus according to the present invention. In FIG. 1, an electron gun chamber 1, a condenser lens chamber 2, and a sample chamber 3 are vertically arranged, and an intermediate chamber 4 is provided between the condenser lens chamber 2 and the sample chamber 3. A preliminary exhaust chamber 5 is arranged adjacent to the sample chamber 3, and a sample exchange chamber 6 is provided above the preliminary exhaust chamber 5.

【0018】電子銃室1には、電子銃7,引出電極8,
加速電極9および固定絞り10が、コンデンサレンズ室
2にはコンデンサレンズ11が、中間室4には偏向コイ
ル12,対物レンズ13および対物レンズ固定絞り14
が各々設けられている。また、試料室3には試料ホルダ
15が設けられ、この試料ホルダ15の上に試料16が
載置される。試料室3と予備排気室5との間にはゲート
バルブ17が設けられ、このゲートバルブ17を開いた
ときには、試料ホルダ15は試料室3と予備排気室5の
間を行き来できる。予備排気室5と試料交換室6との間
には開口部18がある。
An electron gun 7, an extraction electrode 8,
An accelerating electrode 9 and a fixed stop 10 are provided. A condenser lens 11 is provided in the condenser lens chamber 2. A deflection coil 12, an objective lens 13 and an objective lens fixed stop 14 are provided in the intermediate chamber 4.
Are provided. A sample holder 15 is provided in the sample chamber 3, and a sample 16 is placed on the sample holder 15. A gate valve 17 is provided between the sample chamber 3 and the preliminary exhaust chamber 5. When the gate valve 17 is opened, the sample holder 15 can move between the sample chamber 3 and the preliminary exhaust chamber 5. There is an opening 18 between the preliminary exhaust chamber 5 and the sample exchange chamber 6.

【0019】電子銃室1には真空ポンプ19,20が、
コンデンサレンズ室2には真空ポンプ21がそれぞれ接
続され、鏡体が電子源7から安定した電子線を得るため
に真空ポンプ19,20,21で差動排気され、これに
よって、電子銃室1およびコンデンサレンズ室2は10
-7Pa以下の圧力に減圧されている。試料室3には真空
ポンプ22が接続され、10-3Pa以下に真空排気され
ている。さらに予備排気室5には真空ポンプ23が接続
され、予備排気室5は10-2Pa以下に真空排気されて
いる。
In the electron gun chamber 1, vacuum pumps 19 and 20 are provided.
A vacuum pump 21 is connected to the condenser lens chamber 2, and the mirror body is differentially evacuated by the vacuum pumps 19, 20, and 21 to obtain a stable electron beam from the electron source 7. Condenser lens room 2 is 10
The pressure is reduced to -7 Pa or less. A vacuum pump 22 is connected to the sample chamber 3 and evacuated to 10 −3 Pa or less. Further, a vacuum pump 23 is connected to the preliminary exhaust chamber 5, and the preliminary exhaust chamber 5 is evacuated to 10 −2 Pa or less.

【0020】また、中間室4には、電子銃7からの電子
ビームB1を試料16に照射したときに、試料16表面
からの二次電子または反射電子B2を検出する反射電子
・二次電子検出器24が取り付けられている。試料室3
には、本実施の形態の特徴部分である酸素活性種生成装
置25が取り付けられている。
In the intermediate chamber 4, when the sample 16 is irradiated with the electron beam B 1 from the electron gun 7, reflected electron / secondary electron detection for detecting secondary electrons or reflected electrons B 2 from the surface of the sample 16 is performed. A vessel 24 is attached. Sample room 3
Is provided with an oxygen active species generating device 25 which is a feature of the present embodiment.

【0021】なお、26は試料室3と中間室4とを連通
する排気バイパスである。
An exhaust bypass 26 connects the sample chamber 3 and the intermediate chamber 4 to each other.

【0022】上記構成の電子ビーム検査装置において、
試料ホルダ15上に試料16をセットする場合、試料ホ
ルダ15は予備排気室5内に存在し開口部18の真下に
ある、ゲートバルブ17は閉じた状態である。予備排気
室5および試料交換室6は真空排気されており、開口部
18の真下にある試料ホルダ15は上昇し開口部18を
塞ぐ。つぎに試料交換室6のみを大気開放し試料ホルダ
15上に試料16を載置する。
In the electron beam inspection apparatus having the above structure,
When the sample 16 is set on the sample holder 15, the sample holder 15 is present in the preliminary exhaust chamber 5, just below the opening 18, and the gate valve 17 is closed. The preliminary evacuation chamber 5 and the sample exchange chamber 6 are evacuated, and the sample holder 15 immediately below the opening 18 rises to close the opening 18. Next, only the sample exchange chamber 6 is opened to the atmosphere, and the sample 16 is placed on the sample holder 15.

【0023】試料16を観察するため試料室3まで搬送
する時は、試料交換室6を粗引きポンプ(図示しない)
で排気し、その後、試料ホルダ15の下降と共に予備排
気室5まで搬送される。予備排気室5内が10-2Pa以
下に真空排気されたら、ゲートバルブ17を開けて、試
料16を上面に載せた状態で試料ホルダ15を、ゲート
バルブ17を介して、試料室3に搬送する。試料室3内
では試料ホルダ15は電子銃7のほぼ真下に位置させ
る。そして、ゲートバルブ17を閉じてから、真空ポン
プ22によって試料室3内を10-3Pa以下に真空排気
する。
When the sample 16 is transported to the sample chamber 3 for observation, the sample exchange chamber 6 is roughened by a pump (not shown).
Then, the sample holder 15 is conveyed to the preliminary exhaust chamber 5 as the sample holder 15 descends. When the inside of the preliminary exhaust chamber 5 is evacuated to 10 −2 Pa or less, the gate valve 17 is opened, and the sample holder 15 is transferred to the sample chamber 3 via the gate valve 17 with the sample 16 placed on the upper surface. I do. In the sample chamber 3, the sample holder 15 is located almost directly below the electron gun 7. Then, after closing the gate valve 17, the inside of the sample chamber 3 is evacuated to 10 −3 Pa or less by the vacuum pump 22.

【0024】試料室3内が10-3Pa以下に真空排気さ
れたら、電子銃7から電子ビームB1が、引出電極8に
印加された電圧により引き出され、その引き出された電
子ビームB1は加速電極9に印加された加速電圧により
所望のエネルギーに調整される。さらに、電子ビームB
1は固定絞り10を通過した後、コンデンサレンズ1
1,対物レンズ13により試料16上に収束される。収
束された電子ビームB1は変更コイル12により試料1
6上を走査する。このとき、試料16表面からは二次電
子および反射電子B2が発生し、これら二次電子および
反射電子B2は反射電子・二次電子検出器24によって
検出され、試料像を得ることができる。
When the inside of the sample chamber 3 is evacuated to 10 −3 Pa or less, an electron beam B1 is extracted from the electron gun 7 by the voltage applied to the extraction electrode 8, and the extracted electron beam B1 is accelerated by the acceleration electrode. 9 is adjusted to a desired energy by the acceleration voltage applied. Further, the electron beam B
Reference numeral 1 denotes a condenser lens 1 after passing through a fixed aperture 10.
1. The light is converged on the sample 16 by the objective lens 13. The converged electron beam B1 is applied to the sample 1 by the changing coil 12.
6 is scanned. At this time, secondary electrons and reflected electrons B2 are generated from the surface of the sample 16, and these secondary electrons and reflected electrons B2 are detected by the reflected electron / secondary electron detector 24, and a sample image can be obtained.

【0025】ところで、電子線B1を照射することによ
り、ハイドロカーボンを主体とする残留ガス成分が、電
子線からエネルギーを受けてカーボンを含む汚染膜とな
って試料16の表面に徐々に堆積する。堆積量はごくわ
ずかであるが、数万倍以上の高倍率観察の場合には、実
際に見たい表面とは別のものを観察していることにな
る。
By irradiating the electron beam B 1, the residual gas component mainly composed of hydrocarbons receives energy from the electron beam and becomes a contaminated film containing carbon, and is gradually deposited on the surface of the sample 16. Although the amount of deposition is very small, in the case of high-magnification observation of several tens of thousands or more, it means that a different surface from the one actually desired to be observed is observed.

【0026】先に述べたように、走査型電子顕微鏡にお
ける試料汚染は、ハイドロカーボンを主体とする残留ガ
ス分子が、電子線からエネルギーを受けて重合すること
によって起こる。したがって、試料汚染を防止するに
は、ハイドロカーボンを主体とする残留ガス分子を低減
する必要がある。残留ガスとしては、試料近傍のガスの
ことであり、試料室3内に残留ガスが最も注目される。
試料室3のガスとしては、試料室3の内壁からの放出ガ
スの他各種部品からの放出ガスが有り、特に樹脂材料等
からは多くのハイドロカーボンガスが放出される。ま
た、試料に吸着していたガスが脱離し試料室3内のハイ
ドロカーボン系残留ガスになることも考えられる。この
場合、試料の導入回数によってハイドロカーボン系残留
ガスが徐々に増加することになる。
As described above, sample contamination in the scanning electron microscope is caused by polymerization of residual gas molecules mainly composed of hydrocarbons by receiving energy from an electron beam. Therefore, in order to prevent sample contamination, it is necessary to reduce residual gas molecules mainly composed of hydrocarbons. The residual gas is a gas in the vicinity of the sample, and the residual gas is most noticed in the sample chamber 3.
Examples of the gas in the sample chamber 3 include a gas emitted from various parts in addition to a gas emitted from the inner wall of the sample chamber 3, and particularly a large amount of hydrocarbon gas is emitted from a resin material or the like. It is also conceivable that the gas adsorbed on the sample is desorbed and becomes a hydrocarbon-based residual gas in the sample chamber 3. In this case, the hydrocarbon-based residual gas gradually increases with the number of sample introductions.

【0027】本発明によれば、電子ビーム検査装置には
試料室3に酸素活性種生成装置25が取り付けられてい
る。バルブを開けて酸素ガスを導入し、酸素活性種が生
成される。さらに酸素ガスの流れによって、酸素活性種
を試料室3内に導入し試料室3内にまんべんなく行きわ
たらせることができる。その結果、試料観察の際に試料
汚染を無くすることができる。このとき、酸素活性種を
生成する手段はどのような方法でもよく、たとえば酸素
ガスをプラズマによって解離させる方法がある。
According to the present invention, the electron beam inspection apparatus is provided with the oxygen active species generation device 25 in the sample chamber 3. The valve is opened to introduce oxygen gas, and oxygen active species are generated. Further, by the flow of the oxygen gas, the oxygen active species can be introduced into the sample chamber 3 and can be evenly distributed in the sample chamber 3. As a result, sample contamination can be eliminated during sample observation. At this time, any means may be used for generating the oxygen active species, for example, a method of dissociating oxygen gas by plasma.

【0028】酸素活性種を導入することによって、試料
室3内のハイドロカーボン系ガスは次のように分解され
る。ハイドロカーボン系ガスはいくつかの炭素(C)と
いくつかの水素(H)が化合したものであり、それぞれ
をx個,y個とするとCxyの形で表される。該ハイド
ロカーボン系ガスに酸素活性種が加わると、酸素活性種
の酸化作用により二酸化炭素(CO2)および水(H
2O)へ分解される。このため、試料室3内のハイドロ
カーボン系ガスは除去することができる。すなわち、C
xy+O⇒CO2+H2Oの反応が起こる。
By introducing the oxygen active species, the hydrocarbon gas in the sample chamber 3 is decomposed as follows. The hydrocarbon-based gas is a mixture of some carbon (C) and some hydrogen (H), and when each of them is x and y , it is expressed in the form of CxHy. When oxygen active species are added to the hydrocarbon-based gas, carbon dioxide (CO 2 ) and water (H
Decomposed into 2 O). For this reason, the hydrocarbon-based gas in the sample chamber 3 can be removed. That is, C
x H y + O⇒CO 2 + H 2 O reaction occurs.

【0029】(実施の形態2)図2は本発明の実施の形
態2を示している。本実施の形態では、酸素活性種生成
装置25の動作は、本発明の特徴である試料室3に取り
付けた質量分析装置29によって試料室3内の残留ガス
分析を行い、分析結果を制御装置30でハイドロカーボ
ン系ガスの有無や量の判断処理を行い、その結果を表示
器31に表示させ、制御装置30による自動運転あるい
は手動で酸素活性装置25を運転する。このとき質量分
析装置29は試料室3内のガスを測定・分析できればよ
いので、取付位置は上下面,側面を問わない。また、酸
素活性種の導入位置についても試料室3の上下面,側面
のいずれでもよい。
(Embodiment 2) FIG. 2 shows Embodiment 2 of the present invention. In the present embodiment, the operation of the oxygen active species generating device 25 is such that the residual gas in the sample chamber 3 is analyzed by the mass spectrometer 29 attached to the sample chamber 3 which is a feature of the present invention, and the analysis result is transmitted to the control device 30. , The presence / absence and amount of the hydrocarbon-based gas are determined, the result is displayed on the display 31, and the oxygen activation device 25 is operated automatically by the control device 30 or manually. At this time, since the mass spectrometer 29 only needs to be able to measure and analyze the gas in the sample chamber 3, the mounting position is not limited to the upper, lower, and side surfaces. Further, the introduction position of the oxygen active species may be any of the upper and lower surfaces and side surfaces of the sample chamber 3.

【0030】試料の汚染源であるハイドロカーボン系ガ
スは、質量数50以上に多く検出されるものである。酸
素活性種生成装置の自動運転を行う場合は、たとえば質
量数1から200まで測定できる質量分析装置を用いた
とき、質量数50から200まで存在量の合計値を求
め、その値が任意に定めた量以上になったらバルブ27
を開け酸素供給源28より酸素を送る。つぎに酸素活性
種生成装置25の運転を開始し、酸素活性種を生成し試
料室3内へ導入する。これら酸素活性種生成装置25の
運転およびバルブ27の開閉を制御装置30で自動で制
御する。このとき酸素活性種生成装置25を先に運転を
開始し、その後バルブ27を開け酸素を導入してもよ
い。また、手動運転においても酸素活性種生成装置25
の運転開始とバルブ27を開ける動作の順序は、どちら
が先になってもよい。試料室3内への酸素活性種の供給
は、質量分析装置で測定した質量数50から200まで
の存在量の値が、任意に定めた値より低くなるまで続け
る。
The hydrocarbon-based gas, which is a contamination source of the sample, is detected in a large amount with a mass number of 50 or more. When performing automatic operation of the oxygen active species generating apparatus, for example, when using a mass spectrometer capable of measuring a mass number of 1 to 200, the total value of the abundance is obtained from a mass number of 50 to 200, and the value is arbitrarily determined. Valve 27
And oxygen is sent from the oxygen supply source 28. Next, the operation of the oxygen active species generation device 25 is started, and oxygen active species are generated and introduced into the sample chamber 3. The operation of the oxygen active species generation device 25 and the opening and closing of the valve 27 are automatically controlled by the control device 30. At this time, the operation of the oxygen active species generation device 25 may be started first, and then the valve 27 may be opened to introduce oxygen. Further, even in the manual operation, the oxygen active species generation device 25
The order of the operation start and the operation of opening the valve 27 may be either first. The supply of the oxygen active species into the sample chamber 3 is continued until the value of the abundance at a mass number of 50 to 200 measured by the mass spectrometer becomes lower than an arbitrarily determined value.

【0031】(実施の形態3)図3は本発明の実施の形
態3を示している。本実施の形態では、試料室3と酸素
活性種生成装置25の間に可変バルブ32が設けてあ
る。他の構成は実施の形態1の場合と同様である。前述
したように、試料室3内は真空ポンプ22で10-3Pa
以下の圧力に排気されている。該可変バルブ32により
酸素活性種の導入量を調節することができるので、試料
室3内の大きな圧力上昇を押さえターボ分子ポンプ22
への過負荷を防ぎ、該ターボ分子ポンプ22の損傷を防
止しながらハイドロカーボン系ガスの分解を行うことが
できる。また、該可変バルブ32を閉じた状態であれ
ば、酸素活性種生成装置25間の接続部より切り離すこ
とができ、酸素活性種生成装置25が故障した場合でも
試料室3を大気へ開放すること無く酸素活性種生成装置
25を交換することができる。なお、該可変バルブ32
の開閉は制御装置30による自動制御でも、手動操作で
もよい。
(Third Embodiment) FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention. In the present embodiment, a variable valve 32 is provided between the sample chamber 3 and the oxygen active species generation device 25. Other configurations are the same as those in the first embodiment. As described above, the inside of the sample chamber 3 is controlled to 10 −3 Pa by the vacuum pump 22.
It is evacuated to the following pressure. The variable valve 32 can adjust the introduction amount of the oxygen active species, so that a large pressure increase in the sample chamber 3 is suppressed and the turbo molecular pump 22
The hydrocarbon-based gas can be decomposed while preventing an overload on the turbo molecular pump 22 and preventing damage to the turbo molecular pump 22. When the variable valve 32 is closed, it can be disconnected from the connection between the oxygen active species generators 25, and even when the oxygen active species generator 25 fails, the sample chamber 3 can be opened to the atmosphere. It is possible to replace the oxygen active species generation device 25 without the need. The variable valve 32
May be automatically controlled by the control device 30 or manually operated.

【0032】上記実施の形態1から3では、常に電子ビ
ーム検査装置に酸素活性種生成装置25を取り付けた状
態について説明したが、酸素活性種生成装置25は必要
なときに取り付け稼働させてもよい。たとえば、電子ビ
ーム検査装置を製作直後やメンテナンス時、または質量
分析装置29で測定したハイドロカーボン残留量が任意
に設定した値を超えたときに、取り付けて稼働させ試料
室3内のハイドロカーボン系ガスを分解してもよい。
In the first to third embodiments, the description has been given of the state where the oxygen active species generating device 25 is always attached to the electron beam inspection device. However, the oxygen active species generating device 25 may be attached and operated when necessary. . For example, immediately after the production or maintenance of the electron beam inspection apparatus, or when the residual amount of hydrocarbons measured by the mass spectrometer 29 exceeds an arbitrarily set value, the electron beam inspection apparatus is mounted and operated, and the hydrocarbon gas in the sample chamber 3 is operated. May be disassembled.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
酸素活性種生成手段を設けたので、試料室内のハイドロ
カーボン系ガス等を効果的に除去することができ、試料
の寸法計測,形状観察をする際の汚染物付着による分解
能低下を回避することが可能となる。
As described above, according to the present invention,
Oxygen-active species generating means is provided, so that hydrocarbon-based gases and the like in the sample chamber can be effectively removed, and the degradation of resolution due to adhesion of contaminants when measuring the dimensions of the sample and observing the shape can be avoided. It becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1による電子ビーム検査装
置の全体構成図である。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of an electron beam inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態2による電子ビーム検査装
置の全体構成図である。
FIG. 2 is an overall configuration diagram of an electron beam inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態3による電子ビーム検査装
置の全体構成図である。
FIG. 3 is an overall configuration diagram of an electron beam inspection device according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電子銃室、2…コンデンサレンズ室、3…試料室、
4…中間室、5…予備排気室、6…試料交換室、7…電
子銃、8…引出電極、9…加速電極、10…固定絞り、
11…コンデンサレンズ、12…偏向コイル、13…対
物レンズ、14…対物レンズ可動絞り、15…試料ホル
ダ、16…試料、17,18…ゲートバルブ、19〜2
3…真空ポンプ、24…反射電子・二次電子検出器、2
5…酸素活性種生成装置、26…排気バイパス、27…
バルブ、28…酸素供給源、29…質量分析装置、30
…制御装置、31…表示器、32…可変バルブ。
1 ... Electron gun room, 2 ... Condenser lens room, 3 ... Sample room,
4 ... Intermediate chamber, 5 ... Preliminary exhaust chamber, 6 ... Sample exchange chamber, 7 ... Electron gun, 8 ... Extraction electrode, 9 ... Acceleration electrode, 10 ... Fixed throttle,
11: condenser lens, 12: deflection coil, 13: objective lens, 14: objective lens movable diaphragm, 15: sample holder, 16: sample, 17, 18: gate valve, 19-2
3: vacuum pump, 24: backscattered electron / secondary electron detector, 2
5 ... oxygen active species generation device, 26 ... exhaust bypass, 27 ...
Valve, 28: oxygen supply source, 29: mass spectrometer, 30
... Control device, 31 ... Display device, 32 ... Variable valve.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 37/16 H01J 37/16 (72)発明者 清水 実 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器グループ内 Fターム(参考) 2F067 AA21 AA54 BB01 BB04 CC17 FF03 HH06 JJ05 KK04 LL00 TT02 TT07 2G001 AA03 BA07 BA15 CA03 GA06 GA16 PA02 PA07 5C001 AA08 CC04 DD01 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01J 37/16 H01J 37/16 (72) Inventor Minoru Shimizu 882-Chair, Ota-shi Ichimo, Hitachinaka City, Ibaraki Pref. F term in Hitachi Measuring Instruments Group (reference) 2F067 AA21 AA54 BB01 BB04 CC17 FF03 HH06 JJ05 KK04 LL00 TT02 TT07 2G001 AA03 BA07 BA15 CA03 GA06 GA16 PA02 PA07 5C001 AA08 CC04 DD01

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】試料室に置かれた試料に電子銃室の電子銃
から電子線を照射し、前記試料から発生する反射電子お
よび二次電子を検出することにより、前記試料の形状観
察または寸法測定を行う電子ビーム検査装置において、
前記試料室には、酸素の活性種を生成する手段を設け、
原料となる酸素ガスを供給し、かつ生成された酸素活性
種をガス流れにより前記試料室に輸送する酸素ガス供給
手段を備えたことを特徴とする電子ビーム検査装置。
1. A sample placed in a sample chamber is irradiated with an electron beam from an electron gun in an electron gun chamber, and reflected and secondary electrons generated from the sample are detected to observe the shape or size of the sample. In electron beam inspection equipment that performs measurements,
The sample chamber is provided with a means for generating active species of oxygen,
An electron beam inspection apparatus comprising: oxygen gas supply means for supplying oxygen gas as a raw material and transporting generated oxygen active species to the sample chamber by a gas flow.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1515358A2 (en) * 2003-09-10 2005-03-16 Hitachi High-Technologies Corporation Small electron gun
JP2006164893A (en) * 2004-12-10 2006-06-22 Horon:Kk Charged particle beam device and contamination removing method of the same
WO2006123437A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Advantest Corporation Charged particle beam apparatus, contamination removing method and sample observing method
JP2009146791A (en) * 2007-12-17 2009-07-02 Hitachi High-Technologies Corp Electron beam inspection device
JP2011029044A (en) * 2009-07-28 2011-02-10 Hitachi High-Technologies Corp Vacuum evacuation method, and vacuum device
WO2012014362A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 株式会社 日立ハイテクノロジーズ Charged particle beam device

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8232712B2 (en) 2003-09-10 2012-07-31 Hitachi I High-Technologies Corporation Small electron gun
US7238939B2 (en) 2003-09-10 2007-07-03 Hitachi High-Technologies Corporation Small electron gun
EP1515358A3 (en) * 2003-09-10 2010-11-17 Hitachi High-Technologies Corporation Small electron gun
EP1515358A2 (en) * 2003-09-10 2005-03-16 Hitachi High-Technologies Corporation Small electron gun
JP2006164893A (en) * 2004-12-10 2006-06-22 Horon:Kk Charged particle beam device and contamination removing method of the same
JP4681291B2 (en) * 2004-12-10 2011-05-11 株式会社ホロン Charged particle beam apparatus and its contamination removal method
WO2006123437A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Advantest Corporation Charged particle beam apparatus, contamination removing method and sample observing method
JP2009146791A (en) * 2007-12-17 2009-07-02 Hitachi High-Technologies Corp Electron beam inspection device
JP2011029044A (en) * 2009-07-28 2011-02-10 Hitachi High-Technologies Corp Vacuum evacuation method, and vacuum device
JP2012028280A (en) * 2010-07-28 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp Charged particle beam apparatus
WO2012014362A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 株式会社 日立ハイテクノロジーズ Charged particle beam device
US20130200271A1 (en) * 2010-07-28 2013-08-08 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam device
US8933422B2 (en) 2010-07-28 2015-01-13 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam device

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