JP2001319782A - Hydrocarbon compound and organic electroluminescent element - Google Patents

Hydrocarbon compound and organic electroluminescent element

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JP2001319782A
JP2001319782A JP2000137194A JP2000137194A JP2001319782A JP 2001319782 A JP2001319782 A JP 2001319782A JP 2000137194 A JP2000137194 A JP 2000137194A JP 2000137194 A JP2000137194 A JP 2000137194A JP 2001319782 A JP2001319782 A JP 2001319782A
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努 石田
Takehiko Shimamura
武彦 島村
Masakatsu Nakatsuka
正勝 中塚
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element which is superior in the luminous efficiency, and which emits light in a high luminance. SOLUTION: This is a compound and the electroluminescent element which uses the compound expressed in a formula (1-A). In the formula, X1 to X22 respectively represent independently hydrogen atom, halogen atom, straight chain, branched or cyclic alkyl group, straight chain, branched or cyclic alkoxy group, or substituted or unsubstituted aryl group.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
および該発光素子に好適に使用できる新規な炭化水素化
合物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device and a novel hydrocarbon compound which can be suitably used for the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、無機電界発光素子は、例えば、バ
ックライトなどのパネル型光源として使用されてきた
が、該発光素子を駆動させるには、交流の高電圧が必要
である。最近になり、発光材料に有機材料を用いた有機
電界発光素子(有機エレクトロルミネッセンス素子:有
機EL素子)が開発された[ Appl. Phys. Lett.,51, 91
3(1987)] 。有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物を
含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持された構造を有し、該
薄膜に電子および正孔(ホール)を注入して、再結合さ
せることにより励起子(エキシトン)を生成させ、この
励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する
素子である。有機電界発光素子は、数V〜数十V程度の
直流の低電圧で、発光が可能であり、また、蛍光性有機
化合物の種類を選択することにより種々の色(例えば、
赤色、青色、緑色)の発光が可能である。このような特
徴を有する有機電界発光素子は、種々の発光素子、表示
素子等への応用が期待されている。しかしながら、一般
に、発光輝度が低く、実用上十分ではない。
2. Description of the Related Art Conventionally, an inorganic electroluminescent device has been used as a panel-type light source such as a backlight. However, driving the light emitting device requires a high AC voltage. Recently, an organic electroluminescent device (organic electroluminescent device: organic EL device) using an organic material as a light emitting material has been developed [Appl. Phys. Lett., 51 , 91].
3 (1987)]. An organic electroluminescent element has a structure in which a thin film containing a fluorescent organic compound is sandwiched between an anode and a cathode, and electrons and holes are injected into the thin film and recombined to form excitons. (Exciton), and emits light using light emitted when the exciton is deactivated. The organic electroluminescent element can emit light at a low DC voltage of about several volts to several tens of volts, and has various colors (for example,
(Red, blue, green). Organic electroluminescent devices having such characteristics are expected to be applied to various light emitting devices, display devices, and the like. However, in general, the emission luminance is low and is not practically sufficient.

【0003】発光輝度を向上させる方法として、発光層
として、例えば、トリス(8−キノリノラート)アルミ
ニウムをホスト化合物、クマリン誘導体、ピラン誘導体
をゲスト化合物(ドーパント)として用いた有機電界発
光素子が提案されている[ J.Appl. Phys., 65, 3610 (1
989)]。また、発光層として、例えば、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラート)(4−フェニルフェノラー
ト)アルミニウムをホスト化合物、アクリドン誘導体
(例えば、N−メチル−2−メトキシアクリドン)をゲ
スト化合物として用いた有機電界発光素子が提案されて
いる(特開平8−67873号公報)。しかしながら、
これらの発光素子も充分な発光輝度を有しているとは言
い難い。現在では、一層高輝度に発光する有機電界発光
素子が望まれている。
As a method for improving light emission luminance, an organic electroluminescent device using, for example, tris (8-quinolinolato) aluminum as a host compound, a coumarin derivative, or a pyran derivative as a guest compound (dopant) has been proposed as a light emitting layer. [J. Appl. Phys., 65 , 3610 (1
989)]. For the light emitting layer, for example, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (4-phenylphenolate) aluminum is used as a host compound, and an acridone derivative (for example, N-methyl-2-methoxyacridone) is used as a guest compound. An organic electroluminescent device has been proposed (JP-A-8-67873). However,
It is hard to say that these light-emitting elements also have sufficient light emission luminance. At present, an organic electroluminescent device that emits light with higher luminance is desired.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、発光
効率に優れ、高輝度に発光する有機電界発光素子を提供
することである。さらには、該発光素子に好適に使用で
きる新規な炭化水素化合物を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device which is excellent in luminous efficiency and emits light with high luminance. Another object is to provide a novel hydrocarbon compound that can be suitably used for the light-emitting element.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機電界
発光素子に関して鋭意検討した結果、本発明を完成する
に到った。すなわち本発明は、 一対の電極間に、s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'
d'] ジペリレン誘導体を少なくとも一種含有する層を、
少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子、 s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd'] ジペリレン誘
導体を含有する層が発光層である前記記載の有機電界
発光素子、 s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd'] ジペリレン誘
導体を含有する層が、さらに、発光性有機金属錯体を含
有することを特徴とする前記または記載の有機電界
発光素子、 s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd'] ジペリレン誘
導体を含有する層が、さらに、トリアリールアミン誘導
体を含有することを特徴とする前記または記載の有
機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd'] ジペリレン誘
導体が一般式(1−A)(化3)で表される化合物であ
る前記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、に
関するものである。
Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies on the organic electroluminescent device, and as a result, have completed the present invention. That is, the present invention provides a method for preparing s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c ′ between a pair of electrodes.
d '] a layer containing at least one diperylene derivative,
An organic electroluminescent device having at least one layer sandwiched therein, wherein the layer containing the s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd '] diperylene derivative is a light emitting layer. The light-emitting element, wherein the layer containing the s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd '] diperylene derivative further contains a light-emitting organometallic complex. Or the organic electroluminescent device according to the above, wherein the layer containing the s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd '] diperylene derivative further contains a triarylamine derivative. The organic electroluminescent device according to the above or the above, wherein the organic electroluminescent device according to any one of the above-mentioned, further comprising a hole injecting / transporting layer, between a pair of electrodes, further between the pair of electrodes, further electron injection. The organic electroluminescent device according to any one of the above, having a transport layer, s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd '] diperylene derivative Is the compound represented by the general formula (1-A) (Formula 3).

【0006】[0006]

【化3】 (式中、X1 〜X22はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または
未置換のアリール基を表す。) さらに、本発明は、一般式(1−A)(化4)で表さ
れる炭化水素化合物、に関するものである。
Embedded image (Wherein X 1 to X 22 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a straight-chain, branched or cyclic alkyl group, a straight-chain,
Represents a branched or cyclic alkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group. Furthermore, the present invention relates to a hydrocarbon compound represented by the general formula (1-A) (Formula 4).

【0007】[0007]

【化4】 (式中、X1 〜X22はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または
未置換のアリール基を表す。)
Embedded image (Wherein X 1 to X 22 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a straight-chain, branched or cyclic alkyl group, a straight-chain,
Represents a branched or cyclic alkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group. )

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明に関して、詳細に説
明する。本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間
に、s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd'] ジペリレン
誘導体を少なくとも一種含有する層を、少なくとも一層
挟持してなるものである。本発明に係るs−インダセノ
[1,2,3-cd:5,6,7-c'd'] ジペリレン誘導体(以下、本発
明に係る化合物Aと略記する)とは、一般式(1)(化
5)で表される骨格を有する化合物を表すものである。
一般式(1)で表される骨格は、種々の置換基で置換さ
れていてもよく、本発明に係る化合物Aは、好ましく
は、一般式(1−A)(化5)で表される炭化水素化合
物である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. The organic electroluminescent device of the present invention has at least one layer containing at least one s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd '] diperylene derivative between a pair of electrodes. It is something that is pinched. S-Indaseno according to the present invention
[1,2,3-cd: 5,6,7-c'd '] diperylene derivative (hereinafter abbreviated as compound A according to the present invention) is represented by the following general formula (1): It represents a compound having a skeleton.
The skeleton represented by the general formula (1) may be substituted with various substituents, and the compound A according to the present invention is preferably represented by the general formula (1-A) It is a hydrocarbon compound.

【0009】[0009]

【化5】 (式中、X1 〜X22はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未
置換のアリール基を表す。)
Embedded image (Wherein X 1 to X 22 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a straight-chain, branched or cyclic alkyl group, a straight-chain,
Represents a branched or cyclic alkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group. )

【0010】一般式(1−A)で表される化合物におい
て、X1 〜X22はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン
原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐
または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または未置
換のアリール基を表す。尚、本発明において、アリール
基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環
式芳香族基、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル
基などの複素環式芳香族基を表す。一般式(1−A)で
表される化合物において、好ましくは、X1 〜X22は水
素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐ま
たは環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐ま
たは環状のアルコキシ基、あるいは炭素数4〜20の置
換または未置換のアリール基を表す。
In the compound represented by the general formula (1-A), X 1 to X 22 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkyl group. Represents an alkoxy group or a substituted or unsubstituted aryl group. In the present invention, the aryl group means a carbocyclic aromatic group such as a phenyl group and a naphthyl group, and a heterocyclic aromatic group such as a furyl group, a thienyl group and a pyridyl group. In the compound represented by the general formula (1-A), X 1 to X 22 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. Represents a linear, branched or cyclic alkoxy group or a substituted or unsubstituted aryl group having 4 to 20 carbon atoms.

【0011】一般式(1−A)におけるX1 〜X22の具
体例としては、例えば、水素原子;例えば、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子;例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、イソブチル基、sec −ブチル基、te
rt−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオ
ペンチル基、tert−ペンチル基、n−ヘキシル基、1−
メチルペンチル基、4−メチル−2−ペンチル基、3,
3−ジメチルブチル基、2−エチルブチル基、n−ヘプ
チル基、1−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル
基、n−オクチル基、tert−オクチル基、1−メチルヘ
プチル基、2−エチルヘキシル基、2−プロピルペンチ
ル基、n−ノニル基、2,2−ジメチルヘプチル基、
2,6−ジメチル−4−ヘプチル基、3,5,5−トリ
メチルヘキシル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
1−メチルデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル
基、1−ヘキシルヘプチル基、n−テトラデシル基、n
−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデ
シル基、n−オクタデシル基、n−エイコシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘ
キシル基、4−tert−ブチルシクロヘキシル基、シクロ
ヘプチル基、シクロオクチル基などの直鎖、分岐または
環状のアルキル基;
Specific examples of X 1 to X 22 in the general formula (1-A) include, for example, a hydrogen atom; for example, a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom and a bromine atom;
Methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, te
rt-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, n-hexyl group, 1-
Methylpentyl group, 4-methyl-2-pentyl group, 3,
3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, n-heptyl group, 1-methylhexyl group, cyclohexylmethyl group, n-octyl group, tert-octyl group, 1-methylheptyl group, 2-ethylhexyl group, 2-propyl Pentyl group, n-nonyl group, 2,2-dimethylheptyl group,
2,6-dimethyl-4-heptyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, n-undecyl group,
1-methyldecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, 1-hexylheptyl group, n-tetradecyl group, n
-Pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-eicosyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4-tert-butylcyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl Linear, branched or cyclic alkyl groups such as groups;

【0012】例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソ
ブトキシ基、sec −ブトキシ基、n−ペンチルオキシ
基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、
n−ヘキシルオキシ基、3,3−ジメチルブチルオキシ
基、2−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ
基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2
−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−
デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシ
ルオキシ基、n−トリデシルオキシ基、n−テトラデシ
ルオキシ基、n−ペンタデシルオキシ基、n−ヘキサデ
シルオキシ基、n−ヘプタデシルオキシ基、n−オクタ
デシルオキシ基、n−エイコシルオキシ基などの直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基;
For example, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, n-butoxy, isobutoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, cyclopentyloxy,
n-hexyloxy group, 3,3-dimethylbutyloxy group, 2-ethylbutyloxy group, cyclohexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, 2
-Ethylhexyloxy group, n-nonyloxy group, n-
Decyloxy group, n-undecyloxy group, n-dodecyloxy group, n-tridecyloxy group, n-tetradecyloxy group, n-pentadecyloxy group, n-hexadecyloxy group, n-heptadecyloxy group , N-octadecyloxy group, n-eicosyloxy group and other straight-chain,
A branched or cyclic alkoxy group;

【0013】例えば、フェニル基、2−メチルフェニル
基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4
−エチルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、4
−イソプロピルフェニル基、4−n−ブチルフェニル
基、4−イソブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェ
ニル基、4−イソペンチルフェニル基、4−tert−ペン
チルフェニル基、4−n−ヘキシルフェニル基、4−シ
クロヘキシルフェニル基、4−n−ヘプチルフェニル
基、4−n−オクチルフェニル基、4−n−ノニルフェ
ニル基、4−n−デシルフェニル基、4−n−ウンデシ
ルフェニル基、4−n−ドデシルフェニル基、4−n−
テトラデシルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル
基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフ
ェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,4−ジメ
チルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3,
4,5−トリメチルフェニル基、2,3,5,6−テト
ラメチルフェニル基、5−インダニル基、1,2,3,
4−テトラヒドロ−5−ナフチル基、1,2,3,4−
テトラヒドロ−6−ナフチル基、2−メトキシフェニル
基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル
基、3−エトキシフェニル基、4−エトキシフェニル
基、4−n−プロポキシフェニル基、4−イソプロポキ
シフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、4−イソ
ブトキシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル
基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、4−シクロヘ
キシルオキシフェニル基、4−n−ヘプチルオキシフェ
ニル基、4−n−オクチルオキシフェニル基、4−n−
ノニルオキシフェニル基、4−n−デシルオキシフェニ
ル基、4−n−ウンデシルオキシフェニル基、4−n−
ドデシルオキシフェニル基、4−n−テトラデシルオキ
シフェニル基、
For example, phenyl, 2-methylphenyl, 3-methylphenyl, 4-methylphenyl, 4
-Ethylphenyl group, 4-n-propylphenyl group, 4
-Isopropylphenyl group, 4-n-butylphenyl group, 4-isobutylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-isopentylphenyl group, 4-tert-pentylphenyl group, 4-n-hexylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-n-heptylphenyl group, 4-n-octylphenyl group, 4-n-nonylphenyl group, 4-n-decylphenyl group, 4-n-undecylphenyl group, 4-n -Dodecylphenyl group, 4-n-
Tetradecylphenyl group, 2,3-dimethylphenyl group, 2,4-dimethylphenyl group, 2,5-dimethylphenyl group, 2,6-dimethylphenyl group, 3,4-dimethylphenyl group, 3,5-dimethyl Phenyl group, 3,
4,5-trimethylphenyl group, 2,3,5,6-tetramethylphenyl group, 5-indanyl group, 1,2,3
4-tetrahydro-5-naphthyl group, 1,2,3,4-
Tetrahydro-6-naphthyl group, 2-methoxyphenyl group, 3-methoxyphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 3-ethoxyphenyl group, 4-ethoxyphenyl group, 4-n-propoxyphenyl group, 4-isopropoxyphenyl Group, 4-n-butoxyphenyl group, 4-isobutoxyphenyl group, 4-n-pentyloxyphenyl group, 4-n-hexyloxyphenyl group, 4-cyclohexyloxyphenyl group, 4-n-heptyloxyphenyl group , 4-n-octyloxyphenyl group, 4-n-
Nonyloxyphenyl group, 4-n-decyloxyphenyl group, 4-n-undecyloxyphenyl group, 4-n-
Dodecyloxyphenyl group, 4-n-tetradecyloxyphenyl group,

【0014】2,3−ジメトキシフェニル基、2,4−
ジメトキシフェニル基、2,5−ジメトキシフェニル
基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキ
シフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、2−メ
トキシ−4−メチルフェニル基、2−メトキシ−5−メ
チルフェニル基、2−メチル−4−メトキシフェニル
基、3−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル
−5−メトキシフェニル基、2−フルオロフェニル基、
3−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、2
−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−クロ
ロフェニル基、4−ブロモフェニル基、4−トリフルオ
ロメチルフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、
2,4−ジクロロフェニル基、3,4−ジクロロフェニ
ル基、3,5−ジクロロフェニル基、2−メチル−4−
クロロフェニル基、2−クロロ−4−メチルフェニル
基、3−クロロ−4−メチルフェニル基、2−クロロ−
4−メトキシフェニル基、3−メトキシ−4−フルオロ
フェニル基、3−メトキシ−4−クロロフェニル基、3
−フルオロ−4−メトキシフェニル基、4−フェニルフ
ェニル基、3−フェニルフェニル基、4−(4’−メチ
ルフェニル)フェニル基、4−(4’−メトキシフェニ
ル)フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、4
−メチル−1−ナフチル基、4−エトキシ−1−ナフチ
ル基、6−n−ブチル−2−ナフチル基、6−メトキシ
−2−ナフチル基、7−エトキシ−2−ナフチル基、2
−フリル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−ピ
リジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基などの置換
または未置換のアリール基を挙げることができる。
2,3-dimethoxyphenyl group, 2,4-
Dimethoxyphenyl group, 2,5-dimethoxyphenyl group, 3,4-dimethoxyphenyl group, 3,5-dimethoxyphenyl group, 3,5-diethoxyphenyl group, 2-methoxy-4-methylphenyl group, 2-methoxy -5-methylphenyl group, 2-methyl-4-methoxyphenyl group, 3-methyl-4-methoxyphenyl group, 3-methyl-5-methoxyphenyl group, 2-fluorophenyl group,
3-fluorophenyl group, 4-fluorophenyl group, 2
-Chlorophenyl group, 3-chlorophenyl group, 4-chlorophenyl group, 4-bromophenyl group, 4-trifluoromethylphenyl group, 2,4-difluorophenyl group,
2,4-dichlorophenyl group, 3,4-dichlorophenyl group, 3,5-dichlorophenyl group, 2-methyl-4-
Chlorophenyl group, 2-chloro-4-methylphenyl group, 3-chloro-4-methylphenyl group, 2-chloro-
4-methoxyphenyl group, 3-methoxy-4-fluorophenyl group, 3-methoxy-4-chlorophenyl group, 3
-Fluoro-4-methoxyphenyl group, 4-phenylphenyl group, 3-phenylphenyl group, 4- (4'-methylphenyl) phenyl group, 4- (4'-methoxyphenyl) phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 4
-Methyl-1-naphthyl group, 4-ethoxy-1-naphthyl group, 6-n-butyl-2-naphthyl group, 6-methoxy-2-naphthyl group, 7-ethoxy-2-naphthyl group, 2
And substituted or unsubstituted aryl groups such as -furyl, 2-thienyl, 3-thienyl, 2-pyridyl, 3-pyridyl and 4-pyridyl.

【0015】より好ましくは、水素原子、フッ素原子、
塩素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜1
0のアルコキシ基、あるいは、炭素数6〜12のアリー
ル基であり、さらに好ましくは、水素原子、フッ素原
子、塩素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜
6のアルコキシ基、あるいは、炭素数6〜10のアリー
ル基である。
More preferably, a hydrogen atom, a fluorine atom,
Chlorine atom, C1-C10 alkyl group, C1-C1
An alkoxy group having 0 or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
It is an alkoxy group having 6 or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

【0016】本発明の有機電界発光素子においては、s
−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd'] ジペリレン誘導体
を少なくとも一種使用することが特徴であり、例えば、
s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd'] ジペリレン誘導
体を発光成分として発光層に用いると、従来にはない高
輝度で耐久性に優れた赤色に発光する有機電界発光素子
を提供することが可能となる。また、他の発光成分と組
み合わせて発光層を形成すると、高輝度で耐久性に優れ
た白色に発光する有機電界発光素子も提供することが可
能となる。本発明に係る化合物Aの具体例としては、例
えば、以下の化合物(化6〜化22)を挙げることがで
きるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
In the organic electroluminescent device of the present invention, s
-Indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd '] is characterized by using at least one diperylene derivative, for example,
When a s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd '] diperylene derivative is used as a light emitting component in a light emitting layer, it emits red light with high luminance and excellent durability, which has not been achieved in the past. It is possible to provide an organic electroluminescent device having the following characteristics. In addition, when a light-emitting layer is formed in combination with another light-emitting component, an organic electroluminescent element that emits white light with high luminance and excellent durability can be provided. Specific examples of the compound A according to the present invention include, for example, the following compounds (Chemical Formulas 6 to 22), but the present invention is not limited thereto.

【0017】[0017]

【化6】 Embedded image

【0018】[0018]

【化7】 Embedded image

【0019】[0019]

【化8】 Embedded image

【0020】[0020]

【化9】 Embedded image

【0021】[0021]

【化10】 Embedded image

【0022】[0022]

【化11】 Embedded image

【0023】[0023]

【化12】 Embedded image

【0024】[0024]

【化13】 Embedded image

【0025】[0025]

【化14】 Embedded image

【0026】[0026]

【化15】 Embedded image

【0027】[0027]

【化16】 Embedded image

【0028】[0028]

【化17】 Embedded image

【0029】[0029]

【化18】 Embedded image

【0030】[0030]

【化19】 Embedded image

【0031】[0031]

【化20】 Embedded image

【0032】[0032]

【化21】 Embedded image

【0033】[0033]

【化22】 Embedded image

【0034】本発明に係る化合物A、例えば、一般式
(1−A)で表される化合物は、例えば、以下の方法に
より製造することができる。すなわち、例えば、一般式
(2)(化23)で表される化合物を、酸化剤(例え
ば、塩化アルミニウム/塩化第二銅、塩化アルミニウム
/塩化ナトリウム、三フッ化コバルト、トリフルオロ酢
酸タリウム、四酢酸鉛、または塩化第二鉄)の存在下で
反応させて閉環する〔例えば、J. Amer. Chem. Soc.,10
2 , 6504 (1980) 、Chem. Rev., 87, 357 (1987)に記載
の方法を参考にすることができる〕ことにより製造する
ことができる。
The compound A according to the present invention, for example, the compound represented by the general formula (1-A) can be produced, for example, by the following method. That is, for example, a compound represented by the general formula (2) (Formula 23) is converted to an oxidizing agent (eg, aluminum chloride / cupric chloride, aluminum chloride / sodium chloride, cobalt trifluoride, thallium trifluoroacetate, The reaction is performed in the presence of lead acetate or ferric chloride to close the ring [for example, J. Amer. Chem. Soc., 10
2 , 6504 (1980) and Chem. Rev., 87 , 357 (1987) can be referred to].

【0035】[0035]

【化23】 〔上式中、X1 〜X22は、一般式(1−A)の場合と同
じ意味を表す〕
Embedded image [In the above formula, X 1 to X 22 represent the same meaning as in the case of the general formula (1-A)]

【0036】尚、一般式(2)で表される化合物は、例
えば、一般式(3)(化24)および一般式(4)(化
24)で表されるホウ酸化合物を、一般式(5)(化2
4)で表されるジハロゲノアセナフト[1,2-k] フルオラ
ンテン誘導体と、例えば、パラジウム化合物〔例えば、
テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム、
ビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウムクロライ
ド〕および塩基(例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナ
トリウム、トリエチルアミン)の存在下で反応させる
〔例えば、Chem. Rev., 95, 2457 (1995) に記載の方法
を参考にすることができる〕ことにより製造することが
できる。
The compound represented by the general formula (2) is, for example, a boric acid compound represented by the general formula (3) (formula 24) and the general formula (4) (formula 24), 5) (Chemical 2)
4) a dihalogenoacenaphtho [1,2-k] fluoranthene derivative and a palladium compound [for example,
Tetrakis (triphenylphosphine) palladium,
Bis (triphenylphosphine) palladium chloride] and a base (eg, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, triethylamine) [see, for example, the method described in Chem. Rev., 95 , 2457 (1995). Can be produced].

【0037】[0037]

【化24】 〔上式中、X1 〜X22は、一般式(1−A)の場合と同
じ意味を表し、Z1 およびZ2 はハロゲン原子を表す〕 一般式(5)において、Z1 およびZ2 はハロゲン原子
を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
を表す。
Embedded image [In the above formula, X 1 to X 22 represent the same meaning as in the case of the general formula (1-A), and Z 1 and Z 2 represent a halogen atom.] In the general formula (5), Z 1 and Z 2 Represents a halogen atom, and preferably represents a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.

【0038】尚、一般式(3)および一般式(4)で表
される化合物はそれぞれ、例えば、一般式(6)(化2
5)および一般式(7)(化25)で表される化合物よ
り、例えば、n−ブチルリチウム、金属マグネシウムを
作用させて調整できるリチオ化合物またはグリニヤール
試薬と、例えば、トリメトキシホウ素、トリイソプロポ
キシホウ素などにより調整することができる〔例えば、
Chem. Rev., 95, 2457(1995)に記載の方法を参考にする
ことができる〕。
The compounds represented by the general formulas (3) and (4) are, for example, each represented by the general formula (6)
From the compounds represented by 5) and the general formula (7) (Formula 25), for example, n-butyllithium, a lithio compound or a Grignard reagent which can be adjusted by the action of magnesium metal, for example, trimethoxyboron, triisopropoxy It can be adjusted by boron or the like [for example,
Chem. Rev., 95 , 2457 (1995) can be referred to].

【0039】[0039]

【化25】 〔上式中、X1 〜X6 、X12〜X17は、一般式(1−
A)の場合と同じ意味を表し、Z3 およびZ4 はハロゲ
ン原子を表す〕 一般式(6)および一般式(7)において、Z3 および
4 はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子を表す。
Embedded image [In the above formula, X 1 to X 6 and X 12 to X 17 are represented by the general formula (1-
A represents the same meaning as in the case of A), and Z 3 and Z 4 represent a halogen atom.] In the general formulas (6) and (7), Z 3 and Z 4 represent a halogen atom, and preferably a chlorine atom , A bromine atom or an iodine atom.

【0040】尚、一般式(5)で表される化合物は、例
えば、3−ハロゲノシクロペンタ[a]アセナフチレン
−8−オン誘導体と5−ハロゲノアセナフチレン誘導体
を反応させた後、脱水素〔例えば、脱水素剤として、ク
ロラニル、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−1,
4−ベンゾキノン(DDQ)を使用する〕させることに
より製造することができる〔例えば、Angew. Chem. In
t. Ed. Engl.,30, 172 (1991)に記載の方法を参考にす
ることができる〕。
The compound represented by the general formula (5) can be obtained, for example, by reacting a 3-halogenocyclopenta [a] acenaphthylene-8-one derivative with a 5-halogenoacenaphthylene derivative, followed by dehydrogenation [ For example, as a dehydrogenating agent, chloranil, 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,
Using 4-benzoquinone (DDQ)] [for example, Angew. Chem. In
t. Ed. Engl., 30 , 172 (1991) can be referred to].

【0041】本発明に係る化合物Aは、場合により使用
した溶媒(例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶
媒)との溶媒和を形成した形で製造されることがある
が、本発明においては、本発明に係る化合物Aはこのよ
うな溶媒和物を包含するものである。勿論、溶媒を含有
しない無溶媒和物をも包含するものである。本発明の有
機電界発光素子には、本発明に係る化合物Aの無溶媒和
物は勿論、このような溶媒和物をも使用することができ
る。尚、本発明に係る化合物Aを有機電界発光素子に使
用する場合、再結晶法、カラムクロマトグラフィー法、
昇華精製法などの精製方法、あるいはこれらの方法を併
用して、純度を高めた化合物を使用することは好ましい
ことである。
The compound A according to the present invention may be produced in the form of a solvation with a solvent (for example, an aromatic hydrocarbon solvent such as toluene) used in some cases. The compound A according to the present invention includes such a solvate. Needless to say, a non-solvate containing no solvent is also included. In the organic electroluminescent device of the present invention, not only a non-solvate of the compound A according to the present invention but also such a solvate can be used. When the compound A according to the present invention is used in an organic electroluminescent device, a recrystallization method, a column chromatography method,
It is preferable to use a purification method such as a sublimation purification method, or a compound having an increased purity by using these methods in combination.

【0042】有機電界発光素子は、通常、一対の電極間
に、少なくとも一種の発光成分を含有する発光層を、少
なくとも一層挟持してなるものである。発光層に使用す
る化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電
子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注
入輸送成分を含有する正孔注入輸送層および/または電
子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けること
もできる。例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入
機能、正孔輸送機能および/または電子注入機能、電子
輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層お
よび/または電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成と
することができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸
送層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素
子(一層型の素子)の構成とすることもできる。また、
正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞ
れの層は、一層構造であっても、また、多層構造であっ
てもよく、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、そ
れぞれの層において、注入機能を有する層と輸送機能を
有する層を別々に設けて構成することもできる。
The organic electroluminescent device generally has at least one light-emitting layer containing at least one light-emitting component sandwiched between a pair of electrodes. In consideration of the functional levels of hole injection and hole transport, electron injection and electron transport of the compound used in the light emitting layer, a hole injection transport layer containing a hole injection transport component and / or An electron injection / transport layer containing an injection / transport component can also be provided. For example, when the compound used for the light emitting layer has a good hole injection function, a hole transport function and / or an electron injection function, and an electron transport function, the light emitting layer is formed of the hole injection transport layer and / or the electron injection transport layer. The element can also be configured to serve as Needless to say, depending on the case, a structure of a device (single-layer device) in which both the hole injection transport layer and the electron injection transport layer are not provided may be employed. Also,
Each of the hole injecting and transporting layer, the electron injecting and transporting layer, and the light emitting layer may have a single-layer structure or a multilayer structure, and the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer may have respective structures. In the layer, a layer having an injection function and a layer having a transport function may be separately provided.

【0043】本発明の有機電界発光素子において、本発
明に係る化合物Aは、正孔注入輸送成分、発光成分また
は電子注入輸送成分に用いることが好ましく、正孔注入
輸送成分または発光成分に用いることがより好ましく、
発光成分に用いることが特に好ましい。本発明の有機電
界発光素子においては、本発明に係る化合物Aは、単独
で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
In the organic electroluminescent device of the present invention, the compound A according to the present invention is preferably used for a hole injection / transport component, a light emitting component or an electron injection / transport component, and is preferably used for a hole injection / transport component or a light emitting component. Is more preferable,
It is particularly preferable to use it for a light emitting component. In the organic electroluminescent device of the present invention, the compound A according to the present invention may be used alone or in combination.

【0044】本発明の有機電界発光素子の構成として
は、特に限定するものではなく、例えば、(A)陽極/
正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極型素子
(図1)、(B)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極
型素子(図2)、(C)陽極/発光層/電子注入輸送層
/陰極型素子(図3)、(D)陽極/発光層/陰極型素
子(図4)などを挙げることができる。さらには、発光
層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である(E)
陽極/正孔注入輸送層/電子注入輸送層/発光層/電子
注入輸送層/陰極型素子(図5)とすることもできる。
(D)型の素子構成としては、発光成分を一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子を包含するものである
が、さらには、例えば、(F)正孔注入輸送成分、発光
成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子(図6)、(G)正孔
注入輸送成分および発光成分を混合させた一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子(図7)、(H)発光
成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一
対の電極間に挟持させた型の素子(図8)がある。
The structure of the organic electroluminescent device of the present invention is not particularly limited.
(B) anode / hole injection / transport layer / light emitting layer / cathode device (FIG. 2), (C) anode / light emission Layer / electron injection / transport layer / cathode device (FIG. 3), (D) anode / light-emitting layer / cathode device (FIG. 4), and the like. Further, the device is a device of a type in which a light emitting layer is sandwiched between electron injection transport layers (E).
Anode / hole injection / transport layer / electron injection / transport layer / emission layer / electron injection / transport layer / cathode device (FIG. 5).
The element configuration of the (D) type includes an element of a type in which a light-emitting component is sandwiched between a pair of electrodes in a single layer form. Further, for example, (F) a hole injection / transport component, (FIG. 6), and a pair of electrodes in the form of a single layer in which the hole injection / transport component and the light emitting component are mixed. There is an element of the type sandwiched between (FIG. 7) and (H) an element of the type sandwiched between a pair of electrodes (FIG. 8) in the form of a single layer in which a light emitting component and an electron injection transport component are mixed.

【0045】本発明の有機電界発光素子においては、こ
れらの素子構成に限るものではなく、それぞれの型の素
子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
を複数層設けたりすることができる。また、それぞれの
型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、
正孔注入輸送成分と発光成分の混合層および/または発
光層と電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸
送成分の混合層を設けることもできる。より好ましい有
機電界発光素子の構成は、(A)型素子、(B)型素
子、(C)型素子、(E)型素子、(F)型素子、
(G)型素子または(H)型素子であり、さらに好まし
くは、(A)型素子、(B)型素子、(C)型素子、
(F)型素子、または(H)型素子である。
The organic electroluminescent device of the present invention is not limited to these device configurations, but may be provided with a plurality of hole injection / transport layers, light emitting layers, and electron injection / transport layers in each type of device. Can be. In each type of device, between the hole injection transport layer and the light emitting layer,
A mixed layer of a light emitting component and an electron injecting and transporting component may be provided between the light emitting layer and the electron injecting and transporting layer. More preferred configurations of the organic electroluminescent element include (A) type element, (B) type element, (C) type element, (E) type element, (F) type element,
(G) type element or (H) type element, more preferably (A) type element, (B) type element, (C) type element,
(F) type element or (H) type element.

【0046】本発明の有機電界発光素子として、例え
ば、(図1)に示す(A)陽極/正孔注入輸送層/発光
層/電子注入輸送層/陰極型素子について説明する。
(図1)において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入
輸送層、4は発光層、5は電子注入輸送層、6は陰極、
7は電源を示す。
As the organic electroluminescent device of the present invention, for example, (A) anode / hole injection / transport layer / light emitting layer / electron injection / transport layer / cathode device shown in FIG. 1 will be described.
In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection / transport layer, 4 is a light emitting layer, 5 is an electron injection / transport layer, 6 is a cathode,
Reference numeral 7 denotes a power supply.

【0047】本発明の電界発光素子は、基板1に支持さ
れていることが好ましく、基板としては、特に限定する
ものではないが、透明ないし半透明であることが好まし
く、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート(例え
ば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリ
エチレンなどのシート)、半透明プラスチックシート、
石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた
複合シートからなるものを挙げることができる。さら
に、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、
誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールす
ることもできる。
The electroluminescent device of the present invention is preferably supported on a substrate 1. The substrate is not particularly limited, but is preferably transparent or translucent. Plastic sheets (eg, sheets of polyester, polycarbonate, polysulfone, polymethyl methacrylate, polypropylene, polyethylene, etc.), translucent plastic sheets,
Examples thereof include quartz, transparent ceramics, and a composite sheet obtained by combining these. Further, on the substrate, for example, a color filter film, a color conversion film,
Emission color can also be controlled by combining dielectric reflection films.

【0048】陽極2としては、比較的仕事関数の大きい
金属、合金または電気伝導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陽極に使用する電極物質として
は、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化
亜鉛、ITO(インジウム・ティン・オキサイド)、ポ
リチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができ
る。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、ある
いは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極物質を
用いて、例えば、蒸着法、スパッタリング法などの方法
により、基板の上に形成することができる。また、陽極
は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であって
もよい。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω
/□以下、より好ましくは、5〜50Ω/□程度に設定
する。陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよる
が、一般に、5〜1000nm程度、より好ましくは、
10〜500nm程度に設定する。
As the anode 2, it is preferable to use a metal, an alloy or an electrically conductive compound having a relatively large work function as an electrode material. As the electrode material used for the anode, for example, gold, platinum, silver, copper, cobalt, nickel,
Palladium, vanadium, tungsten, tin oxide, zinc oxide, ITO (indium tin oxide), polythiophene, polypyrrole, and the like can be given. These electrode substances may be used alone or in combination of two or more. The anode can be formed on a substrate by using such an electrode material by a method such as an evaporation method or a sputtering method. Further, the anode may have a single-layer structure or a multilayer structure. The sheet electric resistance of the anode is preferably several hundred Ω.
/ □ or less, more preferably about 5 to 50Ω / □. The thickness of the anode depends on the material of the electrode substance used, but is generally about 5 to 1000 nm, more preferably,
It is set to about 10 to 500 nm.

【0049】正孔注入輸送層3は、陽極からの正孔(ホ
ール)の注入を容易にする機能、および注入された正孔
を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。正
孔注入輸送層は、本発明に係る化合物Aおよび/または
他の正孔注入輸送機能を有する化合物(例えば、フタロ
シアニン誘導体、トリアリールメタン誘導体、トリアリ
ールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘
導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラ
ン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、
ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−N−ビニルカ
ルバゾール誘導体など)を少なくとも一種用いて形成す
ることができる。尚、正孔注入輸送機能を有する化合物
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。
The hole injection / transport layer 3 is a layer containing a compound having a function of facilitating the injection of holes (holes) from the anode and a function of transporting the injected holes. The hole injecting and transporting layer is formed of the compound A according to the present invention and / or another compound having a hole injecting and transporting function (for example, phthalocyanine derivative, triarylmethane derivative, triarylamine derivative, oxazole derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative) , Pyrazoline derivatives, polysilane derivatives, polyphenylenevinylene and its derivatives,
Polythiophene and a derivative thereof, a poly-N-vinylcarbazole derivative, or the like). The compounds having a hole injection / transport function may be used alone or in combination.

【0050】本発明において用いる他の正孔注入輸送機
能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体
(例えば、4,4’−ビス〔N−フェニル−N−(4''
−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニル、4,4’−ビ
ス〔N−フェニル−N−(3''−メチルフェニル)アミ
ノ〕ビフェニル、4,4’−ビス〔N−フェニル−N−
(3''−メトキシフェニル)アミノ〕ビフェニル、4,
4’−ビス〔N−フェニル−N−(1''−ナフチル)ア
ミノ〕ビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ビ
ス〔N−フェニル−N−(3''−メチルフェニル)アミ
ノ〕ビフェニル、1,1−ビス〔4’−[N,N−ジ
(4''−メチルフェニル)アミノ]フェニル〕シクロヘ
キサン、9,10−ビス〔N−(4’−メチルフェニ
ル)−N−(4''−n−ブチルフェニル)アミノ〕フェ
ナントレン、3,8−ビス(N,N−ジフェニルアミ
ノ)−6−フェニルフェナントリジン、4−メチル−
N,N−ビス〔4'',4''' −ビス[N’,N’−ジ
(4−メチルフェニル)アミノ]ビフェニル−4−イ
ル〕アニリン、N,N’−ビス〔4−(ジフェニルアミ
ノ)フェニル〕−N,N’−ジフェニル−1,3−ジア
ミノベンゼン、N,N’−ビス〔4−(ジフェニルアミ
ノ)フェニル〕−N,N’−ジフェニル−1,4−ジア
ミノベンゼン、5,5''−ビス〔4−(ビス[4−メチ
ルフェニル]アミノ)フェニル〕−2,2’:5’,
2''−ターチオフェン、1,3,5−トリス(ジフェニ
ルアミノ)ベンゼン、4,4’,4''−トリス(N−カ
ルバゾリイル)トリフェニルアミン、4,4’,4''−
トリス〔N−(3''' −メチルフェニル)−N−フェニ
ルアミノ〕トリフェニルアミン、4,4’,4''−トリ
ス〔N,N−ビス(4''' −tert−ブチルビフェニル−
4''''−イル)アミノ〕トリフェニルアミン、1,3,
5−トリス〔N−(4’−ジフェニルアミノフェニル)
−N−フェニルアミノ〕ベンゼンなど)、ポリチオフェ
ンおよびその誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾール誘
導体が好ましい。本発明に係る化合物Aと他の正孔注入
輸送機能を有する化合物を併用する場合、正孔注入輸送
層中に占める本発明に係る化合物Aの割合は、好ましく
は、0.1〜40重量%程度に調製する。
Other compounds having a hole injection / transport function used in the present invention include triarylamine derivatives (for example, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (4 ″)).
-Methylphenyl) amino] biphenyl, 4,4'-bis [N-phenyl-N- (3 "-methylphenyl) amino] biphenyl, 4,4'-bis [N-phenyl-N-
(3 ″ -methoxyphenyl) amino] biphenyl, 4,
4'-bis [N-phenyl-N- (1 "-naphthyl) amino] biphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-bis [N-phenyl-N- (3" -methylphenyl) Amino] biphenyl, 1,1-bis [4 ′-[N, N-di (4 ″ -methylphenyl) amino] phenyl] cyclohexane, 9,10-bis [N- (4′-methylphenyl) -N -(4 "-n-butylphenyl) amino] phenanthrene, 3,8-bis (N, N-diphenylamino) -6-phenylphenanthridine, 4-methyl-
N, N-bis [4 ″, 4 ′ ″-bis [N ′, N′-di (4-methylphenyl) amino] biphenyl-4-yl] aniline, N, N′-bis [4- ( Diphenylamino) phenyl] -N, N'-diphenyl-1,3-diaminobenzene, N, N'-bis [4- (diphenylamino) phenyl] -N, N'-diphenyl-1,4-diaminobenzene, 5,5 ″ -bis [4- (bis [4-methylphenyl] amino) phenyl] -2,2 ′: 5 ′,
2 ″ -terthiophene, 1,3,5-tris (diphenylamino) benzene, 4,4 ′, 4 ″ -tris (N-carbazolyyl) triphenylamine, 4,4 ′, 4 ″-
Tris [N- (3 ′ ″-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine, 4,4 ′, 4 ″ -tris [N, N-bis (4 ′ ″-tert-butylbiphenyl-
4 ""-yl) amino] triphenylamine, 1,3
5-tris [N- (4'-diphenylaminophenyl)
-N-phenylamino] benzene), polythiophene and derivatives thereof, and poly-N-vinylcarbazole derivatives are preferred. When the compound A according to the present invention is used in combination with another compound having a hole injecting and transporting function, the proportion of the compound A according to the present invention in the hole injecting and transporting layer is preferably 0.1 to 40% by weight. Prepare to about.

【0051】発光層4は、正孔および電子の注入機能、
それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を
生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発
光層は、本発明に係る化合物Aおよび/または他の発光
機能を有する化合物(例えば、アクリドン誘導体、キナ
クリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳
香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラ
セン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コ
ロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフ
ェニルシクロヘキサジエン、9,10−ジフェニルアン
トラセン、9,10−ビス(フェニルエチニル)アント
ラセン、1,4−ビス(9’−エチニルアントラセニ
ル)ベンゼン、4,4’−ビス(9''−エチニルアント
ラセニル)ビフェニル〕、トリアリールアミン誘導体
〔例えば、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述
した化合物を挙げることができる〕、有機金属錯体〔例
えば、トリス(8−キノリラート)アルミニウム、ビス
(10−ベンゾ[h] キノリノラート)ベリリウム、2−
(2’−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾールの亜
鉛塩、2−(2’−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾ
ールの亜鉛塩、4−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、3
−ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、5−ヒドロキシフラボ
ンのベリリウム塩、5−ヒドロキシフラボンのアルミニ
ウム塩〕、スチルベン誘導体{例えば、1,1,4,4
−テトラフェニル−1,3−ブタジエン、4,4’−ビ
ス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル、4,4’
−ビス〔(1,1,2−トリフェニル)エテニル〕ビフ
ェニル}、
The light emitting layer 4 has a hole and electron injection function,
This is a layer containing a compound having a transport function thereof and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. The light-emitting layer is formed of the compound A according to the present invention and / or another compound having a light-emitting function (eg, an acridone derivative, a quinacridone derivative, a diketopyrrolopyrrole derivative, a polycyclic aromatic compound [eg, rubrene, anthracene, tetracene, pyrene , Perylene, chrysene, decacyclene, coronene, tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclohexadiene, 9,10-diphenylanthracene, 9,10-bis (phenylethynyl) anthracene, 1,4-bis (9'-ethynylanthracenyl) ) Benzene, 4,4′-bis (9 ″ -ethynylanthracenyl) biphenyl], triarylamine derivatives [for example, the compounds described above as compounds having a hole injecting and transporting function], and organic metals Complexes [for example, tris (8-quino Relate) aluminum, bis (10-benzo [h] quinolinolato) beryllium, 2-
Zinc salt of (2′-hydroxyphenyl) benzoxazole, zinc salt of 2- (2′-hydroxyphenyl) benzothiazole, zinc salt of 4-hydroxyacridine,
Zinc salt of hydroxyflavone, beryllium salt of 5-hydroxyflavone, aluminum salt of 5-hydroxyflavone], stilbene derivatives {eg, 1,1,4,4
-Tetraphenyl-1,3-butadiene, 4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl, 4,4 '
-Bis [(1,1,2-triphenyl) ethenyl] biphenyl},

【0052】クマリン誘導体〔例えば、クマリン1、ク
マリン6、クマリン7、クマリン30、クマリン10
6、クマリン138、クマリン151、クマリン15
2、クマリン153、クマリン307、クマリン31
1、クマリン314、クマリン334、クマリン33
8、クマリン343、クマリン500〕、ピラン誘導体
〔例えば、DCM1、DCM2〕、オキサゾン誘導体
〔例えば、ナイルレッド〕、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導
体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−
N−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフ
ェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導
体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレン
ビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレン
およびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよび
その誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導
体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体など)を
少なくとも一種用いて形成することができる。
Coumarin derivatives [for example, coumarin 1, coumarin 6, coumarin 7, coumarin 30, coumarin 10
6, Coumarin 138, Coumarin 151, Coumarin 15
2, Coumarin 153, Coumarin 307, Coumarin 31
1. Coumarin 314, Coumarin 334, Coumarin 33
8, coumarin 343, coumarin 500], pyran derivatives [eg, DCM1, DCM2], oxazone derivatives [eg, Nile Red], benzothiazole derivatives,
Benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, pyrazine derivatives, cinnamate derivatives, poly-
N-vinyl carbazole and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polyphenylene and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, polyphenylene vinylene and its derivatives, polybiphenylene vinylene and its derivatives, polyterphenylene vinylene and its derivatives, polynaphthylene vinylene and Derivatives, polythienylenevinylene and derivatives thereof).

【0053】本発明の有機電界発光素子においては、発
光層に本発明に係る化合物Aを含有していることが好ま
しい。本発明に係る化合物Aと他の発光機能を有する化
合物を併用する場合、発光層中に占める本発明に係る化
合物Aの割合は、好ましくは、0.001〜99.99
9重量%程度、より好ましくは、0.01〜99.99
重量%程度、さらに好ましくは、0.1〜99.9重量
%程度に調製する。
In the organic electroluminescent device of the present invention, the light emitting layer preferably contains the compound A of the present invention. When the compound A according to the present invention and a compound having another light-emitting function are used in combination, the ratio of the compound A according to the present invention in the light-emitting layer is preferably 0.001 to 99.99.
About 9% by weight, more preferably 0.01 to 99.99
% By weight, more preferably about 0.1 to 99.9% by weight.

【0054】本発明において用いる他の発光機能を有す
る化合物としては、発光性有機金属錯体が好ましい。例
えば、J. Appl. Phys., 65, 3610 (1989) 、特開平5−
214332号公報に記載のように、発光層をホスト化
合物とゲスト化合物(ドーパント)とより構成すること
もできる。本発明に係る化合物Aをホスト化合物として
用いて発光層を形成することができ、さらには、ゲスト
化合物として用いて発光層を形成することもできる。本
発明に係る化合物Aをゲスト化合物として用いて発光層
を形成する場合、ホスト化合物としては、例えば、前記
の他の発光機能を有する化合物を挙げることができ、例
えば、発光性有機金属錯体またはトリアリールアミンは
より好ましい。この場合、発光性有機金属錯体またはト
リアリールアミン誘導体に対して、本発明に係る化合物
Aを、好ましくは、0.001〜40重量%程度、より
好ましくは、0.01〜30重量%程度、特に好ましく
は、0.1〜20重量%程度使用する。
As another compound having a light emitting function used in the present invention, a light emitting organic metal complex is preferable. For example, J. Appl. Phys., 65 , 3610 (1989);
As described in Japanese Patent No. 214332, the light emitting layer may be composed of a host compound and a guest compound (dopant). A light-emitting layer can be formed using the compound A according to the present invention as a host compound, and further, a light-emitting layer can be formed using a guest compound. When the light-emitting layer is formed using the compound A according to the present invention as a guest compound, examples of the host compound include the compounds having the other light-emitting functions described above. Reelamine is more preferred. In this case, the compound A according to the present invention is preferably used in an amount of about 0.001 to 40% by weight, more preferably about 0.01 to 30% by weight, based on the luminescent organometallic complex or the triarylamine derivative. Particularly preferably, about 0.1 to 20% by weight is used.

【0055】本発明に係る化合物Aと併用する発光性有
機金属錯体としては、特に限定するものではないが、発
光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換または未置
換の8−キノリノラート配位子を有する発光性有機アル
ミニウム錯体がより好ましい。好ましい発光性有機金属
錯体としては、例えば、一般式(a)〜一般式(c)で
表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げることがで
きる。 (Q )3 −Al (a) (式中、Qは置換または未置換の8−キノリノラート配
位子を表す) (Q )2 −Al−O−L (b) (式中、Qは置換8−キノリノラート配位子を表し、O
−Lはフェノラート配位子であり、Lはフェニル部分を
含む炭素数6〜24の炭化水素基を表す) (Q )2 −Al−O−Al−(Q )2 (c) (式中、Qは置換8−キノリノラート配位子を表す)
The light-emitting organometallic complex used in combination with the compound A according to the present invention is not particularly limited, but a light-emitting organic aluminum complex is preferable, and a light-emitting having a substituted or unsubstituted 8-quinolinolate ligand. Organic aluminum complexes are more preferred. Preferred luminescent organic metal complexes include, for example, luminescent organic aluminum complexes represented by general formulas (a) to (c). (Q) 3- Al (a) (wherein Q represents a substituted or unsubstituted 8-quinolinolate ligand) (Q) 2- Al-OL (b) (wherein Q represents substituted 8 -Represents a quinolinolate ligand, O
-L is a phenolate ligand, and L represents a hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms including a phenyl moiety.) (Q) 2 -Al-O-Al- (Q) 2 (c) Q represents a substituted 8-quinolinolate ligand)

【0056】発光性有機金属錯体の具体例としては、例
えば、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、ト
リス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウ
ム、トリス(5−メチル−8−キノリノラート)アルミ
ニウム、トリス(3,4−ジメチル−8−キノリノラー
ト)アルミニウム、トリス(4,5−ジメチル−8−キ
ノリノラート)アルミニウム、トリス(4,6−ジメチ
ル−8−キノリノラート)アルミニウム、
Specific examples of the luminescent organometallic complex include, for example, tris (8-quinolinolate) aluminum, tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinolate) aluminum, tris ( 3,4-dimethyl-8-quinolinolate) aluminum, tris (4,5-dimethyl-8-quinolinolate) aluminum, tris (4,6-dimethyl-8-quinolinolate) aluminum,

【0057】ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
(フェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8
−キノリノラート)(2−メチルフェノラート)アルミ
ニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3
−メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラート)(4−メチルフェノラート)
アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラー
ト)(2−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)(3−フェニルフ
ェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラート)(4−フェニルフェノラート)アルミニ
ウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,
3−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−
メチル−8−キノリノラート)(2,6−ジメチルフェ
ノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノ
リノラート)(3,4−ジメチルフェノラート)アルミ
ニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
(3,5−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)(3,5−ジ−te
rt−ブチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メ
チル−8−キノリノラート)(2,6−ジフェニルフェ
ノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノ
リノラート)(2,4,6−トリフェニルフェノラー
ト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ート)(2,4,6−トリメチルフェノラート)アルミ
ニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
(2,4,5,6−テトラメチルフェノラート)アルミ
ニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(1
−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8
−キノリノラート)(2−ナフトラート)アルミニウ
ム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)
(2−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)(3−フェ
ニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメ
チル−8−キノリノラート)(4−フェニルフェノラー
ト)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノ
リノラート)(3,5−ジメチルフェニルフェノラー
ト)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノ
リノラート)(3,5−ジ−tert−ブチルフェニルフェ
ノラート)アルミニウム、
Bis (2-methyl-8-quinolinolate)
(Phenolate) aluminum, bis (2-methyl-8)
-Quinolinolate) (2-methylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (3
-Methylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (4-methylphenolate)
Aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2-phenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (3-phenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (4-phenylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2
3-dimethylphenolate) aluminum, bis (2-
Methyl-8-quinolinolate) (2,6-dimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (3,4-dimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate)
(3,5-dimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (3,5-di-te
rt-butylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2,6-diphenylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2,4,6-triphenylphenolate) ) Aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2,4,6-trimethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate)
(2,4,5,6-tetramethylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (1
-Naphtholate) aluminum, bis (2-methyl-8)
-Quinolinolate) (2-naphtholate) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate)
(2-phenylphenolato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) (3-phenylphenolato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) (4-phenylphenolato) aluminum , Bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) (3,5-dimethylphenylphenolate) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) (3,5-di-tert-butylphenylphenolate) )aluminum,

【0058】ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル
−8−キノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビ
ス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニ
ウム、ビス(2−メチル−4−エチル−8−キノリノラ
ート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−
4−エチル−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス
(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリノラート)ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−4−メト
キシ−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−
メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−シアノ−8−
キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−5
−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニ
ウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラート)アルミニウムなどを挙
げることができる。勿論、発光性有機金属錯体は、単独
で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
Bis (2-methyl-8-quinolinolate)
Aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum, Bis (2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-
4-ethyl-8-quinolinolate) aluminum, bis (2-methyl-4-methoxy-8-quinolinolate) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-4-methoxy-8-quinolinolate) aluminum, bis (2-
Methyl-5-cyano-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-5-cyano-8-
Quinolinolate) aluminum, bis (2-methyl-5)
-Trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum. Of course, the luminescent organometallic complex may be used alone or in combination.

【0059】電子注入輸送層5は、陰極からの電子の注
入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する
機能を有する化合物を含有する層である。電子注入輸送
層は、本発明に係る化合物Aおよび/または他の電子注
入輸送機能を有する化合物(例えば、有機金属錯体〔例
えば、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、ビ
ス(10−ベンゾ[h] キノリノラート)ベリリウム、5
−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、5−ヒドロキシ
フラボンのアルミニウム塩〕、オキサジアゾール誘導体
〔例えば、1,3−ビス[5’−(p−tert−ブチルフ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2’−イ
ル]ベンゼン〕、トリアゾール誘導体〔例えば、3−
(4’−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−
(4”−ビフェニル)−1,2,4−トリアゾール〕、
トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、
キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ
置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導
体など)を少なくとも一種用いて形成することができ
る。本発明に係る化合物Aと他の電子注入輸送機能を有
する化合物を併用する場合、電子注入輸送層中に占める
本発明に係る化合物Aの割合は、好ましくは、0.1〜
40重量%程度に調製する。本発明において、本発明に
係る化合物Aと有機金属錯体〔例えば、前記一般式
(a)〜一般式(c)で表される化合物〕を併用して、
電子注入輸送層を形成することは好ましい。
The electron injection / transport layer 5 is a layer containing a compound having a function of facilitating the injection of electrons from the cathode and a function of transporting the injected electrons. The electron injecting / transporting layer is formed of the compound A according to the present invention and / or another compound having an electron injecting / transporting function (eg, an organometallic complex [eg, tris (8-quinolinolate) aluminum, bis (10-benzo [h] quinolinolate) ) Beryllium, 5
Beryllium salt of -hydroxyflavone, aluminum salt of 5-hydroxyflavone], oxadiazole derivative [for example, 1,3-bis [5 ′-(p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole] -2'-yl] benzene], a triazole derivative [eg, 3-
(4′-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5-
(4 "-biphenyl) -1,2,4-triazole],
Triazine derivatives, perylene derivatives, quinoline derivatives,
Quinoxaline derivative, diphenylquinone derivative, nitro-substituted fluorenone derivative, thiopyrandioxide derivative, etc.). When the compound A according to the present invention and another compound having an electron injecting and transporting function are used in combination, the proportion of the compound A according to the present invention in the electron injecting and transporting layer is preferably from 0.1 to 0.1.
It is adjusted to about 40% by weight. In the present invention, the compound A according to the present invention and an organometallic complex [for example, the compounds represented by the general formulas (a) to (c)] are used in combination,
It is preferable to form an electron injection transport layer.

【0060】陰極6としては、比較的仕事関数の小さい
金属、合金または電気伝導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陰極に使用する電極物質として
は、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナ
トリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マ
グネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−イ
ンジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、
マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム
−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アル
ミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄膜などを
挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用
してもよく、あるいは、複数併用してもよい。陰極は、
これらの電極物質を用いて、例えば、蒸着法、スパッタ
リング法、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、
クラスターイオンビーム法などの方法により、電子注入
輸送層の上に形成することができる。また、陰極は一層
構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよ
い。尚、陰極のシート電気抵抗は、数百Ω/□以下に設
定することが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極物
質の材料にもよるが、一般に、5〜1000nm程度、
より好ましくは、10〜500nm程度に設定する。
尚、有機電界発光素子の発光を効率よく取り出すため
に、陽極または陰極の少なくとも一方の電極が、透明な
いし半透明であることが好ましく、一般に、発光光の透
過率が70%以上となるように陽極の材料、厚みを設定
することがより好ましい。
As the cathode 6, it is preferable to use a metal, an alloy or an electrically conductive compound having a relatively small work function as an electrode material. Examples of the electrode material used for the cathode include lithium, lithium-indium alloy, sodium, sodium-potassium alloy, calcium, magnesium, magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, indium, ruthenium, titanium,
Manganese, yttrium, aluminum, an aluminum-lithium alloy, an aluminum-calcium alloy, an aluminum-magnesium alloy, a graphite thin film, and the like can be given. These electrode substances may be used alone or in combination. The cathode is
Using these electrode substances, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, an ionization vapor deposition method, an ion plating method,
It can be formed on the electron injection transport layer by a method such as a cluster ion beam method. Further, the cathode may have a single-layer structure or a multilayer structure. Note that the sheet electric resistance of the cathode is preferably set to several hundred Ω / □ or less. The thickness of the cathode depends on the material of the electrode substance used, but is generally about 5 to 1000 nm,
More preferably, it is set to about 10 to 500 nm.
In order to efficiently extract the light emitted from the organic electroluminescent device, it is preferable that at least one of the anode and the cathode is transparent or translucent, and the transmittance of the emitted light is generally 70% or more. It is more preferable to set the material and thickness of the anode.

【0061】また、本発明の有機電界発光素子において
は、その少なくとも一層中に、一重項酸素クエンチャー
が含有されていてもよい。一重項酸素クエンチャーとし
ては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、
ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなどが挙げ
られ、特に好ましくは、ルブレンである。一重項酸素ク
エンチャーが含有されている層としては、特に限定する
ものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸
送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。
尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項クエンチャーを含
有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させても
よく、正孔注入輸送層と隣接する層(例えば、発光層、
発光機能を有する電子注入輸送層)の近傍に含有させて
もよい。一重項酸素クエンチャーの含有量としては、含
有される層(例えば、正孔注入輸送層)を構成する全体
量の0.01〜50重量%、好ましくは、0.05〜3
0重量%、より好ましくは、0.1〜20重量%であ
る。
The organic electroluminescent device of the present invention may contain a singlet oxygen quencher in at least one layer. The singlet oxygen quencher is not particularly limited and includes, for example, rubrene,
Nickel complexes, diphenylisobenzofuran and the like can be mentioned, and rubrene is particularly preferable. The layer containing the singlet oxygen quencher is not particularly limited, but is preferably a light emitting layer or a hole injection transport layer, and more preferably a hole injection transport layer.
For example, when a singlet quencher is contained in the hole injecting and transporting layer, the singlet quencher may be contained uniformly in the hole injecting and transporting layer.
(An electron injection / transport layer having a light emitting function). The content of the singlet oxygen quencher is 0.01 to 50% by weight, preferably 0.05 to 3% by weight of the total amount of the contained layer (for example, the hole injection transport layer).
0% by weight, more preferably 0.1 to 20% by weight.

【0062】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例
えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法(例え
ば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、
バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロゼ
ット法、インクジェット法など)により薄膜を形成する
ことにより作成することができる。真空蒸着法により、
各層を形成する場合、真空蒸着の条件は、特に限定する
ものではないが、10-5Torr程度の真空下で、50〜6
00℃程度のボート温度(蒸着源温度)、−50〜30
0℃程度の基板温度で、0.005〜50nm/sec程
度の蒸着速度で実施することが好ましい。この場合、正
孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層などの各層は、
真空下で、連続して形成することにより、諸特性に一層
優れた有機電界発光素子を製造することができる。真空
蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送
層などの各層を、複数の化合物を用いて形成する場合、
化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、共蒸着
することが好ましい。
The method for forming the hole injecting and transporting layer, the light emitting layer, and the electron injecting and transporting layer is not particularly limited. Method, dip coating method,
It can be formed by forming a thin film by a bar coating method, a roll coating method, a Langmuir-Brosette method, an inkjet method, or the like. By vacuum evaporation method,
In the case of forming each layer, the conditions of vacuum deposition are not particularly limited.
Boat temperature of about 00 ° C (deposition source temperature), -50 to 30
It is preferable to perform the deposition at a substrate temperature of about 0 ° C. and at a deposition rate of about 0.005 to 50 nm / sec. In this case, each layer such as a hole injection transport layer, a light emitting layer, and an electron injection transport layer,
By continuously forming the organic electroluminescent element under vacuum, an organic electroluminescent device having more excellent various characteristics can be manufactured. When each layer such as a hole injection transport layer, a light emitting layer, and an electron injection transport layer is formed using a plurality of compounds by a vacuum evaporation method,
It is preferred that the temperature of each boat containing the compound be individually controlled and co-evaporated.

【0063】溶液塗布法により、各層を形成する場合、
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。正孔
注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用しう
るバインダー樹脂としては、例えば、ポリ−N−ビニル
カルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエ
ステル、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、ポ
リメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネ
ート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサ
イド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンおよびそ
の誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェ
ニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよ
びその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導
体などの高分子化合物が挙げられる。バインダー樹脂
は、単独で使用してもよく、あるいは、複数併用しても
よい。溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を
形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂を、適
当な有機溶媒(例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、
トルエン、キシレン、エチルベンゼン、1−メチルナフ
タレンなどの炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サノンなどのケトン系溶媒、例えば、ジクロロメタン、
クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、
トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン
化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、
酢酸アミルなどのエステル系溶媒、例えば、メタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサ
ノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系
溶媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、例
えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリドン、1−メ
チル−2−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイ
ドなどの極性溶媒)および/または水に溶解、または分
散させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成
することができる。
When each layer is formed by a solution coating method,
The components forming each layer or the components and the binder resin are dissolved or dispersed in a solvent to form a coating solution. Examples of the binder resin that can be used for each of the hole injection transport layer, the light emitting layer, and the electron injection transport layer include poly-N-vinylcarbazole, polyarylate, polystyrene, polyester, polysiloxane, polymethyl acrylate, and polymethyl methacrylate. , Polyether, polycarbonate, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyparaxylene, polyethylene, polyphenylene oxide, polyethersulfone, polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polyphenylenevinylene and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, polythienyl And high molecular compounds such as lenvinylene and derivatives thereof. The binder resin may be used alone or in combination of two or more. When each layer is formed by a solution coating method, a component forming each layer or the component and a binder resin are mixed with a suitable organic solvent (for example, hexane, octane, decane,
Toluene, xylene, ethylbenzene, hydrocarbon solvents such as 1-methylnaphthalene, for example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ketone solvents such as cyclohexanone, for example, dichloromethane,
Chloroform, tetrachloromethane, dichloroethane,
Halogenated hydrocarbon solvents such as trichloroethane, tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, chlorotoluene, for example, ethyl acetate, butyl acetate,
Ester solvents such as amyl acetate, for example, methanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, cyclohexanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, alcohol solvents such as ethylene glycol, for example, dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, anisole and the like Ether solvents such as polar solvents such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2-pyrrolidone, 1-methyl-2-imidazolidinone, dimethylsulfoxide) and / or Alternatively, a thin film can be formed by various coating methods by dissolving or dispersing in water to form a coating solution.

【0064】尚、分散する方法としては、特に限定する
ものではないが、例えば、ボールミル、サンドミル、ペ
イントシェーカー、アトライター、ホモジナイザーなど
を用いて微粒子状に分散することができる。塗布液の濃
度に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗
布法により、所望の厚みを作成するに適した濃度範囲に
設定することができ、一般には、0.1〜50重量%程
度、好ましくは、1〜30重量%程度の溶液濃度であ
る。尚、バインダー樹脂を使用する場合、その使用量に
関しては、特に制限するものではないが、一般には、各
層を形成する成分に対して(一層型の素子を形成する場
合には、各成分の総量に対して)、5〜99.9重量%
程度、好ましくは、10〜99.9重量%程度、より好
ましくは、15〜90重量%程度に設定する。
The method of dispersion is not particularly limited. For example, the particles can be dispersed in fine particles using a ball mill, a sand mill, a paint shaker, an attritor, a homogenizer, or the like. The concentration of the coating solution is not particularly limited, and can be set to a concentration range suitable for forming a desired thickness depending on a coating method to be performed, and is generally about 0.1 to 50% by weight. Preferably, the solution concentration is about 1 to 30% by weight. When a binder resin is used, the amount of the binder resin is not particularly limited, but is generally relative to the components forming each layer (when forming a single-layer device, the total amount of each component is 5) to 99.9% by weight
Degree, preferably about 10 to 99.9% by weight, more preferably about 15 to 90% by weight.

【0065】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般
に、5nm〜5μm程度に設定することが好ましい。
尚、作製した素子に対し、酸素や水分との接触を防止す
る目的で、保護層(封止層)を設けたり、また、素子
を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオ
イル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカ
ーボン油などの不活性物質中に封入して保護することが
できる。保護層に使用する材料としては、例えば、有機
高分子材料(例えば、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリ
エチレン、ポリフェニレンオキサイド)、無機材料(例
えば、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶
縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、
金属硫化物)、さらには光硬化性樹脂などを挙げること
ができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよ
く、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造
であってもよく、また多層構造であってもよい。
The thicknesses of the hole injecting and transporting layer, the light emitting layer and the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, but are generally preferably set to about 5 nm to 5 μm.
A protective layer (sealing layer) may be provided on the manufactured device for the purpose of preventing contact with oxygen or moisture, or the device may be formed of, for example, paraffin, liquid paraffin, silicon oil, fluorocarbon oil, zeolite, or the like. It can be protected by being enclosed in an inert substance such as a contained fluorocarbon oil. Examples of the material used for the protective layer include organic polymer materials (for example, fluorinated resin, epoxy resin, silicone resin, epoxy silicone resin, polystyrene, polyester, polycarbonate, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyparaxylene, polyethylene) , Polyphenylene oxide), inorganic materials (for example, diamond thin film, amorphous silica, electrically insulating glass, metal oxide, metal nitride, metal carbide,
Metal sulfide), and a photocurable resin. The material used for the protective layer may be used alone or in combination of two or more. The protective layer may have a single-layer structure or a multilayer structure.

【0066】また、電極に保護層として、例えば、金属
酸化膜(例えば、酸化アルミニウム膜)、金属フッ化膜
を設けることもできる。また、例えば、陽極の表面に、
例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘
導体、フタロシアニン誘導体から成る界面層(中間層)
を設けることもできる。さらに、電極、例えば、陽極は
その表面を、例えば、酸、アンモニア/過酸化水素、あ
るいはプラズマで処理して使用することもできる。
Further, for example, a metal oxide film (for example, aluminum oxide film) or a metal fluoride film can be provided as a protective layer on the electrode. Also, for example, on the surface of the anode,
For example, an interface layer (intermediate layer) composed of an organic phosphorus compound, polysilane, an aromatic amine derivative, and a phthalocyanine derivative
Can also be provided. Further, electrodes, eg, anodes, can be used by treating the surface with, eg, acid, ammonia / hydrogen peroxide, or plasma.

【0067】本発明の有機電界発光素子は、一般に、直
流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型また
は交流駆動型の素子としても使用することができる。
尚、印可電圧は、一般に、2〜30V程度である。本発
明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種
の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセン
サーなどに使用することができる。
The organic electroluminescent device of the present invention is generally used as a DC-driven device, but can also be used as a pulse-driven or AC-driven device.
The applied voltage is generally about 2 to 30V. The organic electroluminescent device of the present invention can be used for, for example, a panel light source, various light emitting devices, various display devices, various labels, various sensors, and the like.

【0068】[0068]

【実施例】以下、製造例および実施例により、本発明を
更に詳細に説明するが、勿論、本発明はこれらにより限
定されるものではない。 製造例1 例示化合物A−1の化合物の製造 3,11−ジ(1’−ナフチル)アセナフト[1,2-k] フ
ルオランテン5.79gと三フッ化コバルト11.59
gを、トリフルオロ酢酸100ml中、室温にて、5時
間撹拌した。水500mlを加えた後、析出している結
晶を濾取し、水で洗浄した。この結晶をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(溶出液:トルエン)で処理し
た。トルエンを減圧下留去した後、残渣をトルエンとア
セトンの混合溶媒より再結晶し、例示化合物A−1の化
合物を紫色の結晶として3.42g得た。 質量分析:m/z=574 融点250℃以上 尚、この化合物は、500℃、10-5 Torr の条件下で
昇華した。 吸収極大(トルエン中)595nm
EXAMPLES The present invention will be described below in more detail with reference to Production Examples and Examples, but it should be understood that the present invention is not limited by these. Production Example 1 Production of Compound of Exemplified Compound A-1 5.79 g of 3,11-di (1′-naphthyl) acenaphtho [1,2-k] fluoranthene and 11.59 of cobalt trifluoride
g was stirred in 100 ml of trifluoroacetic acid at room temperature for 5 hours. After adding 500 ml of water, the precipitated crystals were collected by filtration and washed with water. The crystals were subjected to silica gel column chromatography (eluent: toluene). After distilling off toluene under reduced pressure, the residue was recrystallized from a mixed solvent of toluene and acetone to obtain 3.42 g of a compound of Exemplified Compound A-1 as purple crystals. Mass spec: m / z = 574 Melting point: 250 ° C. or more This compound sublimated under the conditions of 500 ° C. and 10 −5 Torr. Absorption maximum (in toluene) 595 nm

【0069】尚、使用した、3,11−ジ(1’−ナフ
チル)アセナフト[1,2-k] フルオランテンは、以下の方
法により製造した。3,11−ジブロモアセナフト[1,2
-k] フルオランテン9.68g、1−ナフチルホウ酸
5.69g、炭酸ナトリウム8.48gおよびテトラキ
ス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム1.38g
を、トルエン(100ml)および水(50ml)中で
5時間還流した。反応混合物よりトルエンを留去した
後、析出している固体を濾過した。この固体をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(溶出液:トルエン)で処
理した。トルエンを減圧下留去した後、残渣をトルエン
とアセトンの混合溶媒により再結晶し、3,11−ジ
(1’−ナフチル)アセナフト[1,2-k] フルオランテン
を黄色の結晶として8.46g得た。
The 3,11-di (1′-naphthyl) acenaphtho [1,2-k] fluoranthene used was produced by the following method. 3,11-dibromoacenaphtho [1,2
-k] fluoranthene 9.68 g, 1-naphthyl boric acid 5.69 g, sodium carbonate 8.48 g and tetrakis (triphenylphosphine) palladium 1.38 g
Was refluxed in toluene (100 ml) and water (50 ml) for 5 hours. After the toluene was distilled off from the reaction mixture, the precipitated solid was filtered. This solid was subjected to silica gel column chromatography (eluent: toluene). After the toluene was distilled off under reduced pressure, the residue was recrystallized with a mixed solvent of toluene and acetone, and 8.46 g of 3,11-di (1′-naphthyl) acenaphtho [1,2-k] fluoranthene as yellow crystals. Obtained.

【0070】製造例2〜32 製造例1において、3,11−ジ(1’−ナフチル)ア
セナフト[1,2-k] フルオランテンを使用する代わりに、
種々の3,11−ジ(1’−ナフチル)アセナフト[1,2
-k] フルオランテン誘導体を使用した以外は、製造例1
に記載した方法に従い、種々のs−インダセノ[1,2,3-c
d:5,6,7-c'd'] ジペリレン誘導体を製造した。第1表
(表1〜表5)には使用した3,11−ジ(1’−ナフ
チル)アセナフト[1,2-k] フルオランテン誘導体、およ
び製造したs−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd'] ジペ
リレン誘導体を例示化合物番号で示した。また、トルエ
ン中の吸収極大(nm)も併せて示した。尚、製造され
た化合物は、紫色の結晶であり、それらの化合物の融点
は、250℃以上であった。
Production Examples 2 to 32 In Production Example 1, instead of using 3,11-di (1′-naphthyl) acenaphtho [1,2-k] fluoranthene,
Various 3,11-di (1′-naphthyl) acenaphtho [1,2
-k] Production Example 1 except that a fluoranthene derivative was used
Various s-indaceno [1,2,3-c
d: 5,6,7-c'd '] diperylene derivative. Table 1 (Tables 1 to 5) shows the 3,11-di (1′-naphthyl) acenaphtho [1,2-k] fluoranthene derivative used and the s-indaceno [1,2,3-cd] produced. : 5,6,7-c'd '] diperylene derivatives are shown by way of example compound numbers. The maximum absorption (nm) in toluene is also shown. The produced compounds were purple crystals, and the melting points of those compounds were 250 ° C. or higher.

【0071】[0071]

【表1】 [Table 1]

【0072】[0072]

【表2】 [Table 2]

【0073】[0073]

【表3】 [Table 3]

【0074】[0074]

【表4】 [Table 4]

【0075】[0075]

【表5】 [Table 5]

【0076】実施例1 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)(4−フェニルフ
ェノラート)アルミニウムとs−インダセノ[1,2,3-cd:
5,6,7-c'd'] ジペリレン(例示化合物番号A−1の化合
物)を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2nm/sec
で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:0.5)
し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリノラー
ト)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50
nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec
で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸
着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電
界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加
したところ、55mA/cm2 の電流が流れた。輝度2
420cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 1 A glass substrate having a 200-nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Then, on top of this, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (4-phenylphenolate) aluminum and s-indaceno [1,2,3-cd:
5,6,7-c'd '] diperylene (compound of Exemplified Compound No. A-1) was obtained from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2 nm / sec.
Co-deposition to a thickness of 50 nm (weight ratio 100: 0.5)
Thus, a light emitting layer was obtained. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum is deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
It was deposited to a thickness of nm to form an electron injection transport layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
Then, co-evaporation (weight ratio: 10: 1) was performed to a thickness of 200 nm to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 55 mA / cm 2 flowed. Brightness 2
Red light emission of 420 cd / m 2 was confirmed.

【0077】実施例2〜32 実施例1において、発光層の形成に際して、例示化合物
A−1の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号A
−2の化合物(実施例2)、例示化合物番号A−4の化
合物(実施例3)、例示化合物番号A−5の化合物(実
施例4)、例示化合物番号A−8の化合物(実施例
5)、例示化合物番号A−10の化合物(実施例6)、
例示化合物番号A−11の化合物(実施例7)、例示化
合物番号A−13の化合物(実施例8)、例示化合物番
号A−15の化合物(実施例9)、例示化合物番号B−
2の化合物(実施例10)、例示化合物番号B−4の化
合物(実施例11)、例示化合物番号B−9の化合物
(実施例12)、例示化合物番号C−1の化合物(実施
例13)、例示化合物番号C−4の化合物(実施例1
4)、例示化合物番号C−5の化合物(実施例15)、
例示化合物番号C−8の化合物(実施例16)、例示化
合物番号C−10の化合物(実施例17)、例示化合物
番号C−13の化合物(実施例18)、例示化合物番号
C−15の化合物(実施例19)、例示化合物番号D−
1の化合物(実施例20)、例示化合物番号D−2の化
合物(実施例21)、例示化合物番号D−6の化合物
(実施例22)、例示化合物番号D−8の化合物(実施
例23)、例示化合物番号D−10の化合物(実施例2
4)、例示化合物番号D−12の化合物(実施例2
5)、例示化合物番号D−15の化合物(実施例2
6)、例示化合物番号D−17の化合物(実施例2
7)、例示化合物番号E−1の化合物(実施例28)、
例示化合物番号E−2の化合物(実施例29)、例示化
合物番号E−4の化合物(実施例30)、例示化合物番
号E−6の化合物(実施例31)、例示化合物番号E−
7の化合物(実施例32)を使用した以外は、実施例1
に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。それ
ぞれの素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加
したところ、橙赤〜赤色の発光が確認された。さらにそ
の特性を調べ、結果を第2表(表6〜表7)に示した。
Examples 2 to 32 In Example 1, instead of using the compound of Exemplified Compound A-1 in forming the light emitting layer, Exemplified Compound No. A
-2 (Example 2), Exemplified Compound No. A-4 (Example 3), Exemplified Compound No. A-5 (Example 4), Exemplified Compound No. A-8 (Example 5) ), Compound of Exemplified Compound No. A-10 (Example 6),
Compound of Exemplified Compound No. A-11 (Example 7), Compound of Exemplified Compound No. A-13 (Example 8), Compound of Exemplified Compound No. A-15 (Example 9), Exemplified Compound No. B-
Compound No. 2 (Example 10), Compound No. B-4 (Example 11), Compound No. B-9 (Example 12), Compound No. C-1 (Example 13) Compound of Exemplified Compound No. C-4 (Example 1)
4), Compound of Exemplified Compound No. C-5 (Example 15),
Compound of Exemplified Compound No. C-8 (Example 16), Compound of Exemplified Compound No. C-10 (Example 17), Compound of Exemplified Compound No. C-13 (Example 18), Compound of Exemplified Compound No. C-15 (Example 19), Exemplified Compound No. D-
Compound No. 1 (Example 20), Compound No. D-2 (Example 21), Compound No. D-6 (Example 22), Compound No. D-8 (Example 23) Compound of Exemplified Compound No. D-10 (Example 2)
4), Compound of Exemplified Compound No. D-12 (Example 2)
5), Compound of Exemplified Compound No. D-15 (Example 2)
6), Compound of Exemplified Compound No. D-17 (Example 2)
7), Compound of Exemplified Compound No. E-1 (Example 28),
Compound of Exemplified Compound No. E-2 (Example 29), Compound of Exemplified Compound No. E-4 (Example 30), Compound of Exemplified Compound No. E-6 (Example 31), Exemplified Compound No. E-
Example 1 except that the compound of Example 7 (Example 32) was used.
An organic electroluminescent device was produced by the method described in (1). When a DC voltage of 12 V was applied to each element under a dry atmosphere, orange-red to red light emission was confirmed. The characteristics were further examined, and the results are shown in Table 2 (Tables 6 and 7).

【0078】比較例1 実施例1において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号A−1の化合物を使用せずに、ビス(2−メチル−
8−キノリノラート)(4−フェニルフェノラート)ア
ルミニウムだけを用いて、50nmの厚さに蒸着し、発
光層とした以外は、実施例1に記載の方法により有機電
界発光素子を作製した。この素子に、乾燥雰囲気下、1
2Vの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認さ
れた。さらにその特性を調べ、結果を第2表に示した。
Comparative Example 1 In Example 1, when forming the light emitting layer, the compound of Exemplified Compound No. A-1 was not used, and bis (2-methyl-
An organic electroluminescent device was prepared by the method described in Example 1, except that only 8-quinolinolate) (4-phenylphenolate) aluminum was used to form a light emitting layer by vapor deposition to a thickness of 50 nm. 1
When a DC voltage of 2 V was applied, blue light emission was confirmed. The characteristics were further examined, and the results are shown in Table 2.

【0079】比較例2 実施例1において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号A−1の化合物を使用する代わりに、N−メチル−
2−メトキシアクリドンを使用した以外は、実施例1に
記載の方法により有機電界発光素子を作製した。この素
子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加したとこ
ろ、青色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、
結果を第2表に示した。
Comparative Example 2 In Example 1, when forming the light emitting layer, instead of using the compound of Exemplified Compound No. A-1, N-methyl-
An organic electroluminescent device was produced by the method described in Example 1 except that 2-methoxyacridone was used. When a DC voltage of 12 V was applied to this device under a dry atmosphere, blue light emission was confirmed. Further investigate its characteristics,
The results are shown in Table 2.

【0080】[0080]

【表6】 [Table 6]

【0081】[0081]

【表7】 [Table 7]

【0082】実施例33 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)(4−フェニルフ
ェノラート)アルミニウムと例示化合物番号A−4の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2nm/sec
で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:1.0)
し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリノラー
ト)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50
nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec
で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸
着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電
界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加
したところ、56mA/cm2 の電流が流れた。輝度2
420cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 33 A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 200 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (4-phenylphenolate) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. A-4 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2 nm / sec.
Co-deposition to a thickness of 50 nm (weight ratio 100: 1.0)
Thus, a light emitting layer was obtained. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum is deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
It was deposited to a thickness of nm to form an electron injection transport layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
Then, co-evaporation (weight ratio: 10: 1) was performed to a thickness of 200 nm to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 56 mA / cm 2 flowed. Brightness 2
Red light emission of 420 cd / m 2 was confirmed.

【0083】実施例34 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム−μ
−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラート)ア
ルミニウムと例示化合物番号A−8の化合物を、異なる
蒸着源から、蒸着速度0.2nm/sec で50nmの厚
さに共蒸着(重量比100:2.0)し、発光層とし
た。次に、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム
を、蒸着速度0.2nm/sec で50nmの厚さに蒸着
し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシ
ウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec で200nmの厚
さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界
発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を
保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に、乾
燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加したところ、55
mA/cm2 の電流が流れた。輝度2360cd/m2
の赤色の発光が確認された。
Example 34 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Then, on top of this, bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum-μ
-Oxo-bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. A-8 were co-deposited from different deposition sources at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm (weight ratio: 100: 2.0) to form a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm to form an electron injecting and transporting layer. Further, magnesium and silver were co-deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio: 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device under a dry atmosphere,
A current of mA / cm 2 flowed. Brightness 2360 cd / m 2
Red light emission was confirmed.

【0084】実施例35 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリ
ノラート)アルミニウムと例示化合物番号A−11の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2nm/sec
で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:4.0)
し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリノラー
ト)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50
nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec
で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸
着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電
界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加
したところ、53mA/cm2 の電流が流れた。輝度2
220cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 35 A glass substrate having a 200-nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Then, on this, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. A-11 were deposited by different vapor deposition. From source, deposition rate 0.2nm / sec
Co-deposition to a thickness of 50 nm (weight ratio 100: 4.0)
Thus, a light emitting layer was obtained. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum is deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
It was deposited to a thickness of nm to form an electron injection transport layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
Then, co-evaporation (weight ratio: 10: 1) was performed to a thickness of 200 nm to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 53 mA / cm 2 flowed. Brightness 2
Red light emission of 220 cd / m 2 was confirmed.

【0085】実施例36 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムと例示化合物番号
A−13の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.
2nm/sec で50nmの厚さに共蒸着(重量比10
0:6.0)し、発光層とした。次に、トリス(8−キ
ノリノラート)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/
sec で50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とし
た。さらにその上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.
2nm/sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比1
0:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの
直流電圧を印加したところ、56mA/cm2 の電流が
流れた。輝度2280cd/m2 の赤色の発光が確認さ
れた。
Example 36 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, tris (8-quinolinolate) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. A-13 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0,1.
Co-deposition to a thickness of 50 nm at 2 nm / sec (weight ratio 10
0: 6.0) to obtain a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolate) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm /
The film was deposited to a thickness of 50 nm in sec to form an electron injection / transport layer. Further, magnesium and silver were further deposited thereon at a vapor deposition rate of 0.1 mm.
Co-deposition to a thickness of 200 nm at 2 nm / sec (weight ratio 1
0: 1) to form a cathode to produce an organic electroluminescent device.
In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank.
When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 56 mA / cm 2 flowed. Red light emission with a luminance of 2280 cd / m 2 was confirmed.

【0086】実施例37 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムと例示化合物番号
B−2の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2
nm/sec で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:
10)し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリノ
ラート)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で
50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さら
にその上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/
sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)し
て陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧
を印加したところ、58mA/cm2 の電流が流れた。
輝度2270cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 37 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, tris (8-quinolinolate) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. B-2 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2.
Co-deposition to a thickness of 50 nm at nm / sec (weight ratio 100:
10) to form a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm to form an electron injecting and transporting layer. Further thereon, magnesium and silver were deposited at a deposition rate of 0.2 nm /
A co-evaporation (weight ratio: 10: 1) was performed to a thickness of 200 nm in sec to form an organic electroluminescent device as a cathode. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 58 mA / cm 2 flowed.
Red light emission with a luminance of 2270 cd / m 2 was confirmed.

【0087】実施例38 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムと例示化合物番号
C−4の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2
nm/sec で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:
1.0)し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とした。さ
らにその上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm
/sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)
して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧
を印加したところ、56mA/cm2 の電流が流れた。
輝度2420cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 38 A glass substrate having a 200-nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. C-4 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2.
Co-deposition to a thickness of 50 nm at nm / sec (weight ratio 100:
1.0) to form a light-emitting layer also serving as an electron injection / transport layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm.
/ Sec to co-evaporate to a thickness of 200nm (weight ratio 10: 1)
This was used as a cathode to produce an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 56 mA / cm 2 flowed.
Red light emission with a luminance of 2420 cd / m 2 was confirmed.

【0088】実施例39 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)(4−フェニルフ
ェノラート)アルミニウムと例示化合物番号C−10の
化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2nm/se
c で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:1.0)
し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリノラー
ト)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50
nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec
で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸
着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電
界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加
したところ、58mA/cm2 の電流が流れた。輝度2
380cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 39 A glass substrate having a 200-nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned with a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (4-phenylphenolate) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. C-10 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2 nm / se.
Co-deposition to a thickness of 50 nm with c (weight ratio 100: 1.0)
Thus, a light emitting layer was obtained. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum is deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
It was deposited to a thickness of nm to form an electron injection transport layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
Then, co-evaporation (weight ratio: 10: 1) was performed to a thickness of 200 nm to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 58 mA / cm 2 flowed. Brightness 2
Red light emission of 380 cd / m 2 was confirmed.

【0089】実施例40 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム−μ
−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラート)ア
ルミニウムと例示化合物番号C−13の化合物を、異な
る蒸着源から、蒸着速度0.2nm/sec で50nmの
厚さに共蒸着(重量比100:2.0)し、発光層とし
た。次に、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム
を、蒸着速度0.2nm/sec で50nmの厚さに蒸着
し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシ
ウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec で200nmの厚
さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界
発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を
保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に、乾
燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加したところ、56
mA/cm2 の電流が流れた。輝度2320cd/m2
の赤色の発光が確認された。
Example 40 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Then, on top of this, bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum-μ
-Oxo-bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. C-13 were co-deposited from different evaporation sources at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm (weight ratio: 100: 2.0) to form a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm to form an electron injecting and transporting layer. Further, magnesium and silver were co-deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio: 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the produced organic electroluminescent device in a dry atmosphere,
A current of mA / cm 2 flowed. Brightness 2320 cd / m 2
Red light emission was confirmed.

【0090】実施例41 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリ
ノラート)アルミニウムと例示化合物番号D−1の化合
物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2nm/sec で
50nmの厚さに共蒸着(重量比100:4.0)し、
発光層とした。次に、トリス(8−キノリノラート)ア
ルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50nmの
厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上
に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec で2
00nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加した
ところ、58mA/cm2 の電流が流れた。輝度220
0cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 41 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. D-1 were deposited thereon by different vapor deposition. From the source, co-deposit (weight ratio 100: 4.0) to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec,
It was a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm to form an electron injecting and transporting layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
A cathode was formed by co-evaporation (weight ratio: 10: 1) to a thickness of 00 nm to produce an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 58 mA / cm 2 flowed. Brightness 220
Red light emission of 0 cd / m 2 was confirmed.

【0091】実施例42 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムと例示化合物番号
D−6の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2
nm/sec で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:
6.0)し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリ
ノラート)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec
で50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さ
らにその上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm
/sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)
して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧
を印加したところ、56mA/cm2 の電流が流れた。
輝度2280cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 42 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. D-6 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2.
Co-deposition to a thickness of 50 nm at nm / sec (weight ratio 100:
6.0) to form a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolate) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
Was deposited to a thickness of 50 nm to form an electron injection transport layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm.
/ Sec to co-evaporate to a thickness of 200nm (weight ratio 10: 1)
This was used as a cathode to produce an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 56 mA / cm 2 flowed.
Red light emission with a luminance of 2280 cd / m 2 was confirmed.

【0092】実施例43 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムと例示化合物番号
D−8の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2
nm/sec で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:
10)し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリノ
ラート)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で
50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さら
にその上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/
sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)し
て陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧
を印加したところ、56mA/cm2 の電流が流れた。
輝度2320cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 43 A glass substrate having a 200-nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. D-8 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2.
Co-deposition to a thickness of 50 nm at nm / sec (weight ratio 100:
10) to form a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm to form an electron injecting and transporting layer. Further thereon, magnesium and silver were deposited at a deposition rate of 0.2 nm /
A co-evaporation (weight ratio: 10: 1) was performed to a thickness of 200 nm in sec to form an organic electroluminescent device as a cathode. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 56 mA / cm 2 flowed.
Red light emission with a luminance of 2320 cd / m 2 was confirmed.

【0093】実施例44 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムと例示化合物番号
D−10の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.
2nm/sec で50nmの厚さに共蒸着(重量比10
0:1.0)し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とし
た。さらにその上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.
2nm/sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比1
0:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの
直流電圧を印加したところ、56mA/cm2 の電流が
流れた。輝度2320cd/m2 の赤色の発光が確認さ
れた。
Example 44 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, tris (8-quinolinolate) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. D-10 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.
Co-deposition to a thickness of 50 nm at 2 nm / sec (weight ratio 10
0: 1.0) to obtain a light-emitting layer also serving as an electron injection / transport layer. Further, magnesium and silver were further deposited thereon at a vapor deposition rate of 0.1 mm.
Co-deposition to a thickness of 200 nm at 2 nm / sec (weight ratio 1
0: 1) to form a cathode to produce an organic electroluminescent device.
In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank.
When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 56 mA / cm 2 flowed. Red light emission with a luminance of 2320 cd / m 2 was confirmed.

【0094】実施例45 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)(4−フェニルフ
ェノラート)アルミニウムと例示化合物番号E−1の化
合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2nm/sec
で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:1.0)
し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリノラー
ト)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50
nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにそ
の上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec
で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸
着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電
界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加
したところ、54mA/cm2 の電流が流れた。輝度2
320cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 45 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (4-phenylphenolate) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. E-1 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2 nm / sec.
Co-deposition to a thickness of 50 nm (weight ratio 100: 1.0)
Thus, a light emitting layer was obtained. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum is deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
It was deposited to a thickness of nm to form an electron injection transport layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
Then, co-evaporation (weight ratio: 10: 1) was performed to a thickness of 200 nm to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 54 mA / cm 2 flowed. Brightness 2
Red light emission of 320 cd / m 2 was confirmed.

【0095】実施例46 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム−μ
−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラート)ア
ルミニウムと例示化合物番号E−2の化合物を、異なる
蒸着源から、蒸着速度0.2nm/sec で50nmの厚
さに共蒸着(重量比100:2.0)し、発光層とし
た。次に、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム
を、蒸着速度0.2nm/sec で50nmの厚さに蒸着
し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシ
ウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec で200nmの厚
さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界
発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を
保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に、乾
燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加したところ、58
mA/cm2 の電流が流れた。輝度2340cd/m2
の赤色の発光が確認された。
Example 46 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Then, on top of this, bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum-μ
-Oxo-bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. E-2 were co-evaporated from different evaporation sources at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm (weight ratio 100: 2.0) to form a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm to form an electron injecting and transporting layer. Further, magnesium and silver were co-deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio: 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the produced organic electroluminescent device under a dry atmosphere, the voltage was 58%.
A current of mA / cm 2 flowed. Brightness 2340 cd / m 2
Red light emission was confirmed.

【0096】実施例47 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリ
ノラート)アルミニウムと例示化合物番号E−4の化合
物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2nm/sec で
50nmの厚さに共蒸着(重量比100:4.0)し、
発光層とした。次に、トリス(8−キノリノラート)ア
ルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50nmの
厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上
に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec で2
00nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加した
ところ、56mA/cm2 の電流が流れた。輝度233
0cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 47 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) aluminum-μ-oxo-bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. E-4 were deposited thereon by different vapor deposition. From the source, co-deposit (weight ratio 100: 4.0) to a thickness of 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec,
It was a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm to form an electron injecting and transporting layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
A cathode was formed by co-evaporation (weight ratio: 10: 1) to a thickness of 00 nm to produce an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 56 mA / cm 2 flowed. Brightness 233
Red light emission of 0 cd / m 2 was confirmed.

【0097】実施例48 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムと例示化合物番号
E−7の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2
nm/sec で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:
6.0)し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリ
ノラート)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec
で50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さ
らにその上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm
/sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)
して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧
を印加したところ、58mA/cm2 の電流が流れた。
輝度2380cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 48 A glass substrate having a 200-nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. E-7 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2.
Co-deposition to a thickness of 50 nm at nm / sec (weight ratio 100:
6.0) to form a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolate) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
Was deposited to a thickness of 50 nm to form an electron injection transport layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm.
/ Sec to co-evaporate to a thickness of 200nm (weight ratio 10: 1)
This was used as a cathode to produce an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 58 mA / cm 2 flowed.
Red light emission with a luminance of 2380 cd / m 2 was confirmed.

【0098】実施例49 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、トリス
(8−キノリノラート)アルミニウムと例示化合物番号
D−8の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2
nm/sec で50nmの厚さに共蒸着(重量比100:
10)し、発光層とした。次に、トリス(8−キノリノ
ラート)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で
50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さら
にその上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/
sec で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)し
て陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着
は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した
有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧
を印加したところ、58mA/cm2 の電流が流れた。
輝度2270cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 49 A glass substrate having a 200-nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. D-8 were further deposited thereon from different evaporation sources at an evaporation rate of 0.2.
Co-deposition to a thickness of 50 nm at nm / sec (weight ratio 100:
10) to form a light emitting layer. Next, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm to form an electron injecting and transporting layer. Further thereon, magnesium and silver were deposited at a deposition rate of 0.2 nm /
A co-evaporation (weight ratio: 10: 1) was performed to a thickness of 200 nm in sec to form an organic electroluminescent device as a cathode. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 12 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 58 mA / cm 2 flowed.
Red light emission with a luminance of 2270 cd / m 2 was confirmed.

【0099】実施例50 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(3''−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニ
ルを蒸着速度0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、例示化
合物番号D−10の化合物を、蒸着速度0.2nm/se
c で50nmの厚さに蒸着し、発光層とした。次いで、
その上に、1,3−ビス〔5’−(p−tert−ブチルフ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2’−イ
ル〕ベンゼンを、蒸着速度0.2nm/sec で50nm
の厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上
に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec で2
00nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、14Vの直流電圧を印加した
ところ、41mA/cm2 の電流が流れた。輝度188
0cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 50 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 75 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec. The hole injection transport layer was used. Next, the compound of Exemplified Compound No. D-10 was further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / se.
Evaporated to a thickness of 50 nm at c to obtain a light emitting layer. Then
On top of that, 1,3-bis [5 ′-(p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2′-yl] benzene was deposited at 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
To form an electron injecting and transporting layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
A cathode was formed by co-evaporation (weight ratio: 10: 1) to a thickness of 00 nm to produce an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 14 V was applied to the manufactured organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 41 mA / cm 2 flowed. Brightness 188
Red light emission of 0 cd / m 2 was confirmed.

【0100】実施例51 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、例示化合物番号E−1の化
合物を蒸着速度0.2nm/sec で55nmの厚さに蒸
着し、発光層とした。次いで、その上に、1,3−ビス
〔5’−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−
オキサジアゾール−2’−イル〕ベンゼンを、蒸着速度
0.2nm/sec で75nmの厚さに蒸着し、電子注入
輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を蒸
着速度0.2nm/sec で200nmの厚さに共蒸着
(重量比10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を
作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま
実施した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気
下、14Vの直流電圧を印加したところ、63mA/c
2 の電流が流れた。輝度1450cd/m2 の赤色の
発光が確認された。
Example 51 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, the compound of Exemplified Compound No. E-1 was deposited on the ITO transparent electrode to a thickness of 55 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec to form a light emitting layer. Then, on top of that, 1,3-bis [5 ′-(p-tert-butylphenyl) -1,3,4-
[Oxadiazol-2'-yl] benzene was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 75 nm to form an electron injecting and transporting layer. Further, magnesium and silver were co-deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio: 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 14 V was applied to the produced organic electroluminescent device under a dry atmosphere, the voltage was 63 mA / c.
m 2 of current flowed. Red light emission with a luminance of 1450 cd / m 2 was confirmed.

【0101】実施例52 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。
まず、ITO透明電極上に、4,4’,4''−トリス
〔N−(3'''−メチルフェニル)−N−フェニルアミ
ノ〕トリフェニルアミンを蒸着速度0.1nm/sec
で、50nmの厚さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とし
た。次いで、4,4’−ビス〔N−フェニル−N−
(1''−ナフチル)アミノ〕ビフェニルと例示化合物番
号A−1の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度0.
2nm/sec で20nmの厚さに共蒸着(重量比10
0:5)し、第二正孔注入輸送層を兼ねた発光層とし
た。次いで、その上に、トリス(8−キノリノラート)
アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50nm
の厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上
に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec で2
00nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、15Vの直流電圧を印加した
ところ、64mA/cm2 の電流が流れた。輝度264
0cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 52 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas, further washed with UV / ozone, fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and then the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr.
First, 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3 ′ ″-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine was deposited on the ITO transparent electrode at a deposition rate of 0.1 nm / sec.
Then, it was deposited to a thickness of 50 nm to form a first hole injection transport layer. Then, 4,4'-bis [N-phenyl-N-
(1 ″ -naphthyl) amino] biphenyl and the compound of Exemplified Compound No. A-1 were obtained from different evaporation sources at a deposition rate of 0.1%.
Co-deposition to a thickness of 20 nm at 2 nm / sec (weight ratio 10
0: 5) to form a light-emitting layer also serving as a second hole injection / transport layer. Then, on top of this, tris (8-quinolinolate)
Aluminum is deposited at 50 nm at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
To form an electron injecting and transporting layer. Further, magnesium and silver are further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
A cathode was formed by co-evaporation (weight ratio: 10: 1) to a thickness of 00 nm to produce an organic electroluminescent device. In addition, vapor deposition was performed while maintaining the reduced pressure state of the vapor deposition tank. When a DC voltage of 15 V was applied to the produced organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 64 mA / cm 2 flowed. Brightness 264
Red light emission of 0 cd / m 2 was confirmed.

【0102】実施例53〜74 実施例52において、発光層の形成に際して、例示化合
物A−1の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号
A−5の化合物(実施例53)、例示化合物番号A−8
の化合物(実施例54)、例示化合物番号A−13の化
合物(実施例55)、例示化合物番号B−2の化合物
(実施例56)、例示化合物番号B−9の化合物(実施
例57)、例示化合物番号C−1の化合物(実施例5
8)、例示化合物番号C−4の化合物(実施例59)、
例示化合物番号C−8の化合物(実施例60)、例示化
合物番号C−13の化合物(実施例61)、例示化合物
番号C−15の化合物(実施例62)、例示化合物番号
D−1の化合物(実施例63)、例示化合物番号D−2
の化合物(実施例64)、例示化合物番号D−6の化合
物(実施例65)、例示化合物番号D−8の化合物(実
施例66)、例示化合物番号D−10の化合物(実施例
67)、例示化合物番号D−12の化合物(実施例6
8)、例示化合物番号D−15の化合物(実施例6
9)、例示化合物番号D−17の化合物(実施例7
0)、例示化合物番号E−1の化合物(実施例71)、
例示化合物番号E−2の化合物(実施例72)、例示化
合物番号E−4の化合物(実施例73)、例示化合物番
号E−7の化合物(実施例74)を使用した以外は、実
施例52に記載の方法により有機電界発光素子を作製し
た。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流電
圧を印加したところ、橙赤〜赤色の発光が確認された。
さらにその特性を調べ、結果を第3表(表8)に示し
た。
Examples 53 to 74 In Example 52, instead of using the compound of Exemplified Compound A-1 in forming the light emitting layer, the compound of Exemplified Compound No. A-5 (Example 53) -8
(Example 54), the compound of Exemplified Compound No. A-13 (Example 55), the compound of Exemplified Compound No. B-2 (Example 56), the compound of Exemplified Compound No. B-9 (Example 57), Compound of Exemplified Compound No. C-1 (Example 5
8), Compound of Exemplified Compound No. C-4 (Example 59),
Compound of Exemplified Compound No. C-8 (Example 60), Compound of Exemplified Compound No. C-13 (Example 61), Compound of Exemplified Compound No. C-15 (Example 62), Compound of Exemplified Compound No. D-1 (Example 63), Exemplified Compound No. D-2
(Example 64), the compound of Exemplified Compound No. D-6 (Example 65), the compound of Exemplified Compound No. D-8 (Example 66), the compound of Exemplified Compound No. D-10 (Example 67), Compound of Exemplified Compound No. D-12 (Example 6
8), Compound of Exemplified Compound No. D-15 (Example 6)
9), Compound of Exemplified Compound No. D-17 (Example 7)
0), Compound of Exemplified Compound No. E-1 (Example 71),
Example 52 except that the compound of Exemplified Compound No. E-2 (Example 72), the compound of Exemplified Compound No. E-4 (Example 73), and the compound of Exemplified Compound No. E-7 (Example 74) were used. An organic electroluminescent device was produced by the method described in (1). When a DC voltage of 12 V was applied to each element under a dry atmosphere, orange-red to red light emission was confirmed.
The characteristics were further examined, and the results are shown in Table 3 (Table 8).

【0103】[0103]

【表8】 [Table 8]

【0104】実施例75 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した。次に、ITO透明電極上
に、ポリ−N−ビニルカルバゾール(重量平均分子量1
50000)、1,1,4,4−テトラフェニル−1,
3−ブタジエン(青色の発光成分)、クマリン6〔”3
−(2’−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノク
マリン”(緑色の発光成分)〕、および例示化合物番号
A−13の化合物を、それぞれ重量比100:5:3:
2の割合で含有する3重量%のジクロロエタン溶液を用
いて、ディップコート法により400nmの発光層を形
成した。次に、この発光層を有するガラス基板を、蒸着
装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を3×10-6
Torr に減圧した。さらに、発光層の上に、3−(4’
−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4”
−ビフェニル)−1,2,4−トリアゾールを蒸着速度
0.2nm/sec で20nmの厚さに蒸着した後、さら
にその上に、トリス(8−キノリノラート)アルミニウ
ムを、蒸着速度0.2nm/sec で30nmの厚さに蒸
着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネ
シウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec で200nmの
厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電
界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に、
乾燥雰囲気下、12Vの直流電圧を印加したところ、6
4mA/cm2 の電流が流れた。輝度1160cd/m
2 の白色の発光が確認された。
Example 75 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas and further washed with UV / ozone. Next, poly-N-vinylcarbazole (weight average molecular weight 1
50,000), 1,1,4,4-tetraphenyl-1,
3-butadiene (blue light-emitting component), coumarin 6 ["3
-(2'-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin "(green light-emitting component)] and the compound of Exemplified Compound No. A-13 at a weight ratio of 100: 5: 3:
Using a 3% by weight dichloroethane solution containing 2 parts by weight, a 400 nm light emitting layer was formed by dip coating. Next, after fixing the glass substrate having the light emitting layer to a substrate holder of a vapor deposition apparatus, the vapor deposition tank was set to 3 × 10 −6.
The pressure was reduced to Torr. Further, on the light emitting layer, 3- (4 ′
-Tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4 "
-Biphenyl) -1,2,4-triazole was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 20 nm, and tris (8-quinolinolate) aluminum was further deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec. Was deposited to a thickness of 30 nm to form an electron injection transport layer. Further, magnesium and silver were co-deposited thereon at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio: 10: 1) to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. In the manufactured organic electroluminescent element,
When a DC voltage of 12 V was applied in a dry atmosphere,
A current of 4 mA / cm 2 flowed. Brightness 1160 cd / m
2 was emitted.

【0105】実施例76〜84 実施例75において、例示化合物番号A−13の化合物
を用いる代わりに、例示化合物番号A−15の化合物
(実施例76)、例示化合物番号B−4の化合物(実施
例77)、例示化合物番号C−5の化合物(実施例7
8)、例示化合物番号C−10の化合物(実施例7
9)、例示化合物番号C−13の化合物(実施例8
0)、例示化合物番号D−1の化合物(実施例81)、
例示化合物番号D−6の化合物(実施例82)、例示化
合物番号D−12の化合物(実施例83)、例示化合物
番号E−4の化合物(実施例84)を使用した以外は、
実施例75に記載の方法により有機電界発光素子を作製
した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、12Vの直流
電圧を印加したところ、白色の発光が観察された。さら
にその特性を調べ、結果を第4表(表10)に示した。
Examples 76 to 84 In Example 75, instead of using the compound of Exemplified Compound No. A-13, the compound of Exemplified Compound No. A-15 (Example 76) and the compound of Exemplified Compound No. B-4 (Example Example 77), a compound of Exemplified Compound No. C-5 (Example 7)
8), Compound of Exemplified Compound No. C-10 (Example 7)
9), Compound of Exemplified Compound No. C-13 (Example 8)
0), compound of Exemplified Compound No. D-1 (Example 81),
Except for using the compound of Exemplified Compound No. D-6 (Example 82), the compound of Exemplified Compound No. D-12 (Example 83), and the compound of Exemplified Compound No. E-4 (Example 84),
An organic electroluminescent device was manufactured by the method described in Example 75. When a DC voltage of 12 V was applied to each device under a dry atmosphere, white light emission was observed. The characteristics were further examined, and the results are shown in Table 4 (Table 10).

【0106】[0106]

【表9】 [Table 9]

【0107】実施例85 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した。次に、ITO透明電極上
に、ポリ−N−ビニルカルバゾール(重量平均分子量1
50000)、1,3−ビス〔5’−(p−tert−ブチ
ルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2’−
イル〕ベンゼンおよび例示化合物番号C−10の化合物
を、それぞれ重量比100:30:3の割合で含有する
3重量%のジクロロエタン溶液を用いて、ディップコー
ト法により、300nmの発光層を形成した。次に、こ
の発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定した後、蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧し
た。さらに、発光層の上に、マグネシウムと銀を蒸着速
度0.2nm/sec で200nmの厚さに共蒸着(重量
比10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製し
た。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、15
Vの直流電圧を印加したところ、72mA/cm2 の電
流が流れた。輝度1460cd/m2 の赤色の発光が確
認された。
Example 85 A glass substrate having a 200-nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas and further washed with UV / ozone. Next, poly-N-vinylcarbazole (weight average molecular weight 1
50000), 1,3-bis [5 '-(p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole-2'-
Il] benzene and a compound of Exemplified Compound No. C-10 were formed by dip coating using a 3% by weight dichloroethane solution containing 100: 30: 3 by weight to form a 300 nm light emitting layer. Next, after fixing the glass substrate having the light emitting layer to the substrate holder of the vapor deposition apparatus, the pressure in the vapor deposition tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr. Further, on the light emitting layer, magnesium and silver were co-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 200 nm (weight ratio: 10: 1) to form a cathode to produce an organic electroluminescent device. The prepared organic electroluminescent device was dried under a dry atmosphere for 15 minutes.
When a DC voltage of V was applied, a current of 72 mA / cm 2 flowed. Red light emission with a luminance of 1460 cd / m 2 was confirmed.

【0108】比較例3 実施例85において、発光層の形成に際して、例示化合
物番号C−10の化合物の代わりに、1,1,4,4−
テトラフェニル−1,3−ブタジエンを使用した以外
は、実施例85に記載の方法により有機電界発光素子を
作製した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気
下、15Vの直流電圧を印加したところ、86mA/c
2 の電流が流れた。輝度750cd/m2 の青色の発
光が確認された。
Comparative Example 3 In Example 85, when forming the light emitting layer, 1,1,4,4-
An organic electroluminescent device was produced by the method described in Example 85 except that tetraphenyl-1,3-butadiene was used. When a DC voltage of 15 V was applied to the produced organic electroluminescent device in a dry atmosphere, the voltage was 86 mA / c.
m 2 of current flowed. Blue light emission with a luminance of 750 cd / m 2 was confirmed.

【0109】実施例86 厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにUV/オゾン洗浄した。次に、ITO透明電極上
に、ポリカーボネート(重量平均分子量50000)、
4,4’−ビス〔N−フェニル−N−(3''−メチルフ
ェニル)アミノ〕ビフェニル、ビス(2−メチル−8−
キノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2
−メチル−8−キノリノラート)アルミニウムおよび例
示化合物番号A−13の化合物を、それぞれ重量比10
0:40:60:1の割合で含有する3重量%のジクロ
ロエタン溶液を用いて、ディップコート法により、30
0nmの発光層を形成した。次に、この発光層を有する
ガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、
蒸着槽を3×10-6 Torr に減圧した。さらに、発光層
の上に、マグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/sec
で200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電
界発光素子に、乾燥雰囲気下、15Vの直流電圧を印加
したところ、62mA/cm2 の電流が流れた。輝度9
40cd/m2 の赤色の発光が確認された。
Example 86 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was dried using nitrogen gas and further washed with UV / ozone. Next, on the ITO transparent electrode, polycarbonate (weight average molecular weight: 50,000),
4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ″ -methylphenyl) amino] biphenyl, bis (2-methyl-8-
Quinolinolate) aluminum-μ-oxo-bis (2
-Methyl-8-quinolinolate) aluminum and the compound of Exemplified Compound No. A-13 were each added at a weight ratio of 10
Using a 3% by weight dichloroethane solution containing 0: 40: 60: 1 at a ratio of 30% by a dip coating method.
A 0 nm light emitting layer was formed. Next, after fixing the glass substrate having the light emitting layer to a substrate holder of a vapor deposition device,
The pressure in the evaporation tank was reduced to 3 × 10 −6 Torr. Further, on the light emitting layer, magnesium and silver are deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
Then, co-evaporation (weight ratio: 10: 1) was performed to a thickness of 200 nm to form a cathode, thereby producing an organic electroluminescent device. When a DC voltage of 15 V was applied to the produced organic electroluminescent device in a dry atmosphere, a current of 62 mA / cm 2 flowed. Brightness 9
Red light emission of 40 cd / m 2 was confirmed.

【0110】[0110]

【発明の効果】本発明により、発光輝度が優れた有機電
界発光素子を提供することが可能になった。さらに、該
発光素子に適した炭化水素化合物を提供することが可能
になった。
According to the present invention, it has become possible to provide an organic electroluminescent device having excellent light emission luminance. Further, it has become possible to provide a hydrocarbon compound suitable for the light-emitting element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。FIG. 1 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent device.

【図2】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。FIG. 2 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent device.

【図3】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。FIG. 3 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent device.

【図4】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。FIG. 4 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent device.

【図5】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。FIG. 5 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent device.

【図6】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。FIG. 6 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent device.

【図7】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。FIG. 7 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent device.

【図8】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。FIG. 8 is a schematic structural diagram of an example of an organic electroluminescent device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 :基板 2 :陽極 3 :正孔注入輸送層 3a:正孔注入輸送成分 4 :発光層 4a:発光成分 5 :電子注入輸送層 5’:電子注入輸送層 5a:電子注入輸送成分 6 :陰極 7 :電源 1: substrate 2: anode 3: hole injection / transport layer 3a: hole injection / transport component 4: light emitting layer 4a: light emitting component 5: electron injection / transport layer 5 ': electron injection / transport layer 5a: electron injection / transport component 6: cathode 7: Power supply

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 11/06 620 C09K 11/06 620 660 660 (72)発明者 中塚 正勝 千葉県袖ヶ浦市長浦580番地32 三井化学 株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB03 AB04 AB11 CA01 CB01 DA01 DB03 DC00 EB00 4H006 AA01 AB92 GP03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C09K 11/06 620 C09K 11/06 620 660 660 (72) Inventor Masakatsu Nakatsuka 580-32 Nagaura, Sodegaura-shi, Chiba Prefecture 32 Mitsui Chemicals, Inc. F term (reference) 3K007 AB02 AB03 AB04 AB11 CA01 CB01 DA01 DB03 DC00 EB00 4H006 AA01 AB92 GP03

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の電極間に、s−インダセノ[1,2,3
-cd:5,6,7-c'd'] ジペリレン誘導体を少なくとも一種含
有する層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光
素子。
A s-indaceno [1,2,3] is provided between a pair of electrodes.
-cd: 5,6,7-c'd '] An organic electroluminescent device in which at least one layer containing at least one diperylene derivative is sandwiched.
【請求項2】 s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']
ジペリレン誘導体を含有する層が発光層である請求項1
記載の有機電界発光素子。
2. s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd ']
2. The layer containing a diperylene derivative is a light emitting layer.
The organic electroluminescent device according to claim 1.
【請求項3】 s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']
ジペリレン誘導体を含有する層が、さらに、発光性有機
金属錯体を含有することを特徴とする請求項1または2
記載の有機電界発光素子。
3. s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd ']
The layer containing a diperylene derivative further contains a luminescent organometallic complex.
The organic electroluminescent device according to claim 1.
【請求項4】 s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']
ジペリレン誘導体を含有する層が、さらに、トリアリー
ルアミン誘導体を含有することを特徴とする請求項1ま
たは2記載の有機電界発光素子。
4. s-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd ']
3. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the layer containing a diperylene derivative further contains a triarylamine derivative.
【請求項5】 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送
層を有する請求項1〜4のいずれかに記載の有機電界発
光素子。
5. The organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising a hole injection transport layer between the pair of electrodes.
【請求項6】 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送
層を有する請求項1〜5のいずれかに記載の有機電界発
光素子。
6. The organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising an electron injection / transport layer between the pair of electrodes.
【請求項7】 s−インダセノ[1,2,3-cd:5,6,7-c'd']
ジペリレン誘導体が一般式(1−A)(化1)で表され
る化合物である請求項1〜6のいずれかに記載の有機電
界発光素子。 【化1】 (式中、X1 〜X22はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または
未置換のアリール基を表す。)
7. S-indaceno [1,2,3-cd: 5,6,7-c'd ']
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the diperylene derivative is a compound represented by the general formula (1-A) (Formula 1). Embedded image (Wherein X 1 to X 22 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a straight-chain, branched or cyclic alkyl group, a straight-chain,
Represents a branched or cyclic alkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group. )
【請求項8】 一般式(1−A)(化2)で表される炭
化水素化合物。 【化2】 (式中、X1 〜X22はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、
分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または
未置換のアリール基を表す。)
8. A hydrocarbon compound represented by the general formula (1-A) (formula 2). Embedded image (Wherein X 1 to X 22 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a straight-chain, branched or cyclic alkyl group, a straight-chain,
Represents a branched or cyclic alkoxy group, or a substituted or unsubstituted aryl group. )
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