JP2001314810A - ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布方法 - Google Patents
ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価な特殊溶媒を使用しないでポリ（フルオ
ロアルキルエーテル）を塗布する方法を提供することを
目的としている。 【解決手段】 ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗
布に当たり、超臨界または亜臨界流体を用いることを特
徴とする方法。ポリ（フルオロアルキルエーテル）を超
臨界または亜臨界流体に溶解させ、微小な孔から基体に
向けて吹き出すことにより行う。超臨界または亜臨界流
体として超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素を用い
る。基体は磁気記録媒体である。
ロアルキルエーテル）を塗布する方法を提供することを
目的としている。 【解決手段】 ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗
布に当たり、超臨界または亜臨界流体を用いることを特
徴とする方法。ポリ（フルオロアルキルエーテル）を超
臨界または亜臨界流体に溶解させ、微小な孔から基体に
向けて吹き出すことにより行う。超臨界または亜臨界流
体として超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素を用い
る。基体は磁気記録媒体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリ（フルオロア
ルキルエーテル）の基体上への塗布方法に関する。
ルキルエーテル）の基体上への塗布方法に関する。
【０００２】
【従来技術】ポリ（フルオロアルキルエーテル）はフッ
素化されたポリアルキルエーテルであり、その高潤滑
性、低揮発性、高安定性を活かして、各種軸受けの潤滑
剤、シール剤、磁気ディスクの潤滑剤、真空用オイルな
どに用いられている。これらポリ（フルオロアルキルエ
ーテル）は一般に粘度が高いため、薄い膜が必要な場合
には、フッ素系の溶媒で希釈した後、ディップ法、スプ
レー法、スピン法などの方法で塗布される。
素化されたポリアルキルエーテルであり、その高潤滑
性、低揮発性、高安定性を活かして、各種軸受けの潤滑
剤、シール剤、磁気ディスクの潤滑剤、真空用オイルな
どに用いられている。これらポリ（フルオロアルキルエ
ーテル）は一般に粘度が高いため、薄い膜が必要な場合
には、フッ素系の溶媒で希釈した後、ディップ法、スプ
レー法、スピン法などの方法で塗布される。
【０００３】ところがポリ（フルオロアルキルエーテ
ル）は水や通常の有機溶媒に対する溶解性が極めて低
く、希釈には特殊なフッ素系の溶媒が必要である。代表
的なフッ素系溶媒はフロンであるが、オゾン層破壊など
の問題から使用が制限されており、これに変わる溶媒は
溶解性能や価格の点で必ずしも満足できるものではな
い。また、ポリ（フルオロアルキルエーテル）の種類が
変わると、それに合わせて溶媒の種類を変える必要も生
じる。
ル）は水や通常の有機溶媒に対する溶解性が極めて低
く、希釈には特殊なフッ素系の溶媒が必要である。代表
的なフッ素系溶媒はフロンであるが、オゾン層破壊など
の問題から使用が制限されており、これに変わる溶媒は
溶解性能や価格の点で必ずしも満足できるものではな
い。また、ポリ（フルオロアルキルエーテル）の種類が
変わると、それに合わせて溶媒の種類を変える必要も生
じる。
【０００４】一方、ポリ（フルオロアルキルエーテル）
は超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素に溶解すること
が知られている。その溶解性は温度や圧力によって変化
するので、特開平第５−４９８０６号公報に開示されて
いるように、溶解条件を変えることで分子量分画に利用
される場合もある。
は超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素に溶解すること
が知られている。その溶解性は温度や圧力によって変化
するので、特開平第５−４９８０６号公報に開示されて
いるように、溶解条件を変えることで分子量分画に利用
される場合もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、超臨界または
亜臨界状態の二酸化炭素は、高温、高圧の特殊条件下で
のみ存在するものであり、通常の方法では塗布用の希釈
溶媒とはなり得ない。本発明は、高価な特殊溶媒を使用
しないでポリ（フルオロアルキルエーテル）を塗布する
方法を提供することを目的としている。
亜臨界状態の二酸化炭素は、高温、高圧の特殊条件下で
のみ存在するものであり、通常の方法では塗布用の希釈
溶媒とはなり得ない。本発明は、高価な特殊溶媒を使用
しないでポリ（フルオロアルキルエーテル）を塗布する
方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポリ（フルオ
ロアルキルエーテル）の塗布に当たり、超臨界または亜
臨界流体を用いることを特徴とする方法を要旨としてお
り、高価な特殊溶媒を使用しないでポリ（フルオロアル
キルエーテル）の塗布が可能な手法を提供するものであ
る。
ロアルキルエーテル）の塗布に当たり、超臨界または亜
臨界流体を用いることを特徴とする方法を要旨としてお
り、高価な特殊溶媒を使用しないでポリ（フルオロアル
キルエーテル）の塗布が可能な手法を提供するものであ
る。
【０００７】より具体的には、ポリ（フルオロアルキル
エーテル）を超臨界または亜臨界流体に溶解させ、微小
な孔から基体に向けて吹き出すことにより行っており、
その場合、本発明は、ポリ（フルオロアルキルエーテ
ル）の塗布に当たり、ポリ（フルオロアルキルエーテ
ル）を超臨界または亜臨界流体に溶解させ、微小な孔か
ら基体に向けて吹き出すことを特徴とするポリ（フルオ
ロアルキルエーテル）の塗布方法である。
エーテル）を超臨界または亜臨界流体に溶解させ、微小
な孔から基体に向けて吹き出すことにより行っており、
その場合、本発明は、ポリ（フルオロアルキルエーテ
ル）の塗布に当たり、ポリ（フルオロアルキルエーテ
ル）を超臨界または亜臨界流体に溶解させ、微小な孔か
ら基体に向けて吹き出すことを特徴とするポリ（フルオ
ロアルキルエーテル）の塗布方法である。
【０００８】超臨界または亜臨界流体として超臨界また
は亜臨界状態の二酸化炭素を用いており、その場合、本
発明は、ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布に当
たり、超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素を用いるこ
とを特徴とする、より具体的には、ポリ（フルオロアル
キルエーテル）を超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素
に溶解させ、微小な孔から基体に向けて吹き出すことを
特徴とするポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布方
法である。すなわち、超臨界または亜臨界状態の二酸化
炭素にポリ（フルオロアルキルエーテル）を溶解させ、
この流体を微細な孔から吹き出して基体に塗布すること
を特徴とする。
は亜臨界状態の二酸化炭素を用いており、その場合、本
発明は、ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布に当
たり、超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素を用いるこ
とを特徴とする、より具体的には、ポリ（フルオロアル
キルエーテル）を超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素
に溶解させ、微小な孔から基体に向けて吹き出すことを
特徴とするポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布方
法である。すなわち、超臨界または亜臨界状態の二酸化
炭素にポリ（フルオロアルキルエーテル）を溶解させ、
この流体を微細な孔から吹き出して基体に塗布すること
を特徴とする。
【０００９】基体が磁気記録媒体であり、その場合、本
発明は、ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布に当
たり、ポリ（フルオロアルキルエーテル）を超臨界また
は亜臨界流体、好ましくは超臨界または亜臨界状態の二
酸化炭素に溶解させ、微小な孔から磁気記録媒体に向け
て吹き出すことを特徴とするポリ（フルオロアルキルエ
ーテル）の塗布方法である。
発明は、ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布に当
たり、ポリ（フルオロアルキルエーテル）を超臨界また
は亜臨界流体、好ましくは超臨界または亜臨界状態の二
酸化炭素に溶解させ、微小な孔から磁気記録媒体に向け
て吹き出すことを特徴とするポリ（フルオロアルキルエ
ーテル）の塗布方法である。
【００１０】
【発明実施の形態】本発明において使用するポリ（フル
オロアルキルエーテル）は、一般式(Ｉ)、(II)および(I
II)で表されるポリ（パーフルオロアルキルエーテル）
が好ましいものとして例示されるが、これらに限定され
るものではない。
オロアルキルエーテル）は、一般式(Ｉ)、(II)および(I
II)で表されるポリ（パーフルオロアルキルエーテル）
が好ましいものとして例示されるが、これらに限定され
るものではない。
【化１】 Ｆ-(ＣＦ(Ｒ)-ＣＦ2-Ｏ-)n-ＣＦ2ＣＦ3 (Ｉ)
【化２】 Ｆ-(ＣＦ(Ｒ)-ＣＦ2-ＣＦ2-Ｏ-)m-ＣＦ2ＣＦ3 (II)
【化３】 Ｆ-(ＣＦ(Ｒ)-ＣＦ2-Ｏ-)x-(ＣＦ2-Ｏ-)y-ＣＦ2ＣＦ3 (III) （式中、ｎ、ｍ、ｘ、ｙは２から数百である。） また、必要ならばポリ（フルオロアルキルエーテル）の
溶解性を高めるために、フロリナートの登録商標（スリ
ーエム社）で知られる種々のフッ素系溶媒などを助溶媒
として少量添加することもできる。
溶解性を高めるために、フロリナートの登録商標（スリ
ーエム社）で知られる種々のフッ素系溶媒などを助溶媒
として少量添加することもできる。
【００１１】ポリ（フルオロアルキルエーテル）は超臨
界または亜臨界流体、好ましくは超臨界または亜臨界状
態の二酸化炭素に溶解させる。すなわち、超臨界または
亜臨界状態でポリ（フルオロアルキルエーテル）を溶解
する超臨界または亜臨界流体が用いられるが、その溶解
性の点で超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素が好まし
い。二酸化炭素は３１．１℃、７．３７ＭＰａを超える
条件で、気体と液体の区別が無くなる超臨界状態とな
る。また、上記の温度、圧力よりも低いがこれらに近い
温度、圧力にある状態を、一般に亜臨界状態と呼ぶ。こ
れら超臨界、亜臨界流体域にある二酸化炭素は、気体に
匹敵する高い拡散係数を持ちながら、液体に近い密度を
有し、物質溶解性が高く、温度、圧力の条件を適当に選
べば、ポリ（フルオロアルキルエーテル）を溶解して、
均一な流体とすることが可能である。
界または亜臨界流体、好ましくは超臨界または亜臨界状
態の二酸化炭素に溶解させる。すなわち、超臨界または
亜臨界状態でポリ（フルオロアルキルエーテル）を溶解
する超臨界または亜臨界流体が用いられるが、その溶解
性の点で超臨界または亜臨界状態の二酸化炭素が好まし
い。二酸化炭素は３１．１℃、７．３７ＭＰａを超える
条件で、気体と液体の区別が無くなる超臨界状態とな
る。また、上記の温度、圧力よりも低いがこれらに近い
温度、圧力にある状態を、一般に亜臨界状態と呼ぶ。こ
れら超臨界、亜臨界流体域にある二酸化炭素は、気体に
匹敵する高い拡散係数を持ちながら、液体に近い密度を
有し、物質溶解性が高く、温度、圧力の条件を適当に選
べば、ポリ（フルオロアルキルエーテル）を溶解して、
均一な流体とすることが可能である。
【００１２】このようなポリ（フルオロアルキルエーテ
ル）を溶解した流体を微細な孔から基体に向けて噴き出
すと、微細孔から出た流体は急速に減圧、降温されるた
め、二酸化炭素は瞬時に超臨界または亜臨界状態から通
常の気体状態に戻る。この過程で物質溶解性が急減する
ため、溶解していたポリ（フルオロアルキルエーテル）
は微小な液滴として急激に析出し、基体に到達して、基
体表面を被覆する。
ル）を溶解した流体を微細な孔から基体に向けて噴き出
すと、微細孔から出た流体は急速に減圧、降温されるた
め、二酸化炭素は瞬時に超臨界または亜臨界状態から通
常の気体状態に戻る。この過程で物質溶解性が急減する
ため、溶解していたポリ（フルオロアルキルエーテル）
は微小な液滴として急激に析出し、基体に到達して、基
体表面を被覆する。
【００１３】塗布対象の基体は、好ましくは磁気記録媒
体であり、これは金属、ガラス、プラスチック等の基材
の上に磁性層や保護層を設けたものであり、形態として
は、ディスク、テープ、カードなどがある。
体であり、これは金属、ガラス、プラスチック等の基材
の上に磁性層や保護層を設けたものであり、形態として
は、ディスク、テープ、カードなどがある。
【００１４】以下に、二酸化炭素を用いる場合を例に、
本発明の実施形態について説明する。図１は本発明を実
施する際に用いる装置例の概略図である。二酸化炭素ボ
ンベ１から供給された二酸化炭素は高圧ポンプ２によっ
て昇圧され、保圧弁３により一定圧力を維持された状態
で、ポリ（フルオロアルキルエーテル）が入れられた溶
解槽４に送られる。溶解槽４はヒーター５によって所定
温度に昇温されているので、ここで二酸化炭素は超臨界
または亜臨界流体域にある二酸化炭素となり、ポリ（フ
ルオロアルキルエーテル）を溶解する。溶解槽４内の圧
力は圧力計６によってモニターされている。バルブ７を
開くと、加圧状態にある溶解槽４内の流体が、微細な孔
をあけた部品８を通して基体９上に塗布される。溶解槽
４からバルブ７を経て微細な孔を空けた部品８に至る経
路や各部品、および高圧ポンプ２から溶解槽４に至る経
路についても、必要に応じてヒーターによって加熱でき
る。
本発明の実施形態について説明する。図１は本発明を実
施する際に用いる装置例の概略図である。二酸化炭素ボ
ンベ１から供給された二酸化炭素は高圧ポンプ２によっ
て昇圧され、保圧弁３により一定圧力を維持された状態
で、ポリ（フルオロアルキルエーテル）が入れられた溶
解槽４に送られる。溶解槽４はヒーター５によって所定
温度に昇温されているので、ここで二酸化炭素は超臨界
または亜臨界流体域にある二酸化炭素となり、ポリ（フ
ルオロアルキルエーテル）を溶解する。溶解槽４内の圧
力は圧力計６によってモニターされている。バルブ７を
開くと、加圧状態にある溶解槽４内の流体が、微細な孔
をあけた部品８を通して基体９上に塗布される。溶解槽
４からバルブ７を経て微細な孔を空けた部品８に至る経
路や各部品、および高圧ポンプ２から溶解槽４に至る経
路についても、必要に応じてヒーターによって加熱でき
る。
【００１５】一般に溶解槽の温度、圧力を高くすると、
より高分子量のポリ（フルオロアルキルエーテル）まで
溶解するようになるので、用いるポリ（フルオロアルキ
ルエーテル）に応じて温度、圧力は適当に設定すればよ
い。また、投入したポリ（フルオロアルキルエーテル）
のうちの分子量の低い部分のみを溶解させて塗布し、分
子量の高い成分は液体として溶解槽の底に残すこともで
きる。さらに、塗布の途中で温度、圧力の条件を変える
ことで、段階的に異なるポリ（フルオロアルキルエーテ
ル）の成分を塗布して行くことも可能である。
より高分子量のポリ（フルオロアルキルエーテル）まで
溶解するようになるので、用いるポリ（フルオロアルキ
ルエーテル）に応じて温度、圧力は適当に設定すればよ
い。また、投入したポリ（フルオロアルキルエーテル）
のうちの分子量の低い部分のみを溶解させて塗布し、分
子量の高い成分は液体として溶解槽の底に残すこともで
きる。さらに、塗布の途中で温度、圧力の条件を変える
ことで、段階的に異なるポリ（フルオロアルキルエーテ
ル）の成分を塗布して行くことも可能である。
【００１６】溶解槽４に入れるポリ（フルオロアルキル
エーテル）の量は、必要な塗布膜厚に応じて調整すれば
よく、厚く塗布する必要があるときには多く、薄い塗布
膜が必要な時には少なくする。
エーテル）の量は、必要な塗布膜厚に応じて調整すれば
よく、厚く塗布する必要があるときには多く、薄い塗布
膜が必要な時には少なくする。
【００１７】
【作用】上記のような超臨界または亜臨界流体域にある
二酸化炭素を用いることにより、高価な溶媒を用いる必
要がなく、乾燥工程も不要で、極めて容易に塗布が可能
である。また、液滴の発生は通常の溶媒の蒸発によるよ
りもはるかに短時間で起こるため、液滴の径が小さく、
通常のスプレー塗布と比べて塗膜の均一性を高くでき
る。
二酸化炭素を用いることにより、高価な溶媒を用いる必
要がなく、乾燥工程も不要で、極めて容易に塗布が可能
である。また、液滴の発生は通常の溶媒の蒸発によるよ
りもはるかに短時間で起こるため、液滴の径が小さく、
通常のスプレー塗布と比べて塗膜の均一性を高くでき
る。
【００１８】さらに、超臨界または亜臨界流体域にある
二酸化炭素は、温度や圧力などの条件を変えることで溶
解性能を変化させることも可能であるため、条件の制御
によって多種多様のポリ（フルオロアルキルエーテル）
に対応でき、分子量分画と塗布とを同時に行うこともで
きる。
二酸化炭素は、温度や圧力などの条件を変えることで溶
解性能を変化させることも可能であるため、条件の制御
によって多種多様のポリ（フルオロアルキルエーテル）
に対応でき、分子量分画と塗布とを同時に行うこともで
きる。
【００１９】磁気記録媒体の表面にポリ（フルオロアル
キルエーテル）を塗布することにより、データの記録、
再生、消去を行う磁気ヘッドとの間の摩擦や、それに伴
う摩耗を低減することができる。
キルエーテル）を塗布することにより、データの記録、
再生、消去を行う磁気ヘッドとの間の摩擦や、それに伴
う摩耗を低減することができる。
【００２０】
【実施例】本願発明の内容を実施例を用いて説明する。
本願発明はこれらの実施例によって何ら限定されるもの
ではない。
本願発明はこれらの実施例によって何ら限定されるもの
ではない。
【００２１】実施例１
【化４】 Ｆ-(ＣＦ(ＣＦ3)-ＣＦ2-Ｏ-)n-ＣＦ2ＣＦ3 (IV) 容量５００ｃｍ3のステンレススチール製の溶解槽に２
０ｇのポリ（フルオロアルキルエーテル）〔デュポン社
製クライトックス１４３ＡＢ、化学式：一般式（IV）、
ただし、式中、ｎは約２１〕を入れ、９０℃で、２５Ｍ
Ｐａの二酸化炭素を導入した。温度、圧力を一定に保ち
１時間撹拌した後、内径０．３ｍｍのノズルを通して、
１０ｃｍ離して設置したガラス基板上に１０分間噴射し
た。塗布後のガラス表面は撥水性を示すようになり、ポ
リ（フルオロアルキルエーテル）でコーティングされて
いることが確認できた。
０ｇのポリ（フルオロアルキルエーテル）〔デュポン社
製クライトックス１４３ＡＢ、化学式：一般式（IV）、
ただし、式中、ｎは約２１〕を入れ、９０℃で、２５Ｍ
Ｐａの二酸化炭素を導入した。温度、圧力を一定に保ち
１時間撹拌した後、内径０．３ｍｍのノズルを通して、
１０ｃｍ離して設置したガラス基板上に１０分間噴射し
た。塗布後のガラス表面は撥水性を示すようになり、ポ
リ（フルオロアルキルエーテル）でコーティングされて
いることが確認できた。
【００２２】実施例２
【化５】 Ｆ-(ＣＦ(ＣＦ3)-ＣＦ2-Ｏ-）n-ＣＦ2ＣＦ3 (Ｖ) 容量５００ｃｍ3のステンレススチール製の溶解槽に２
０ｇのポリ（フルオロアルキルエーテル）〔デュポン社
製クライトックス１５０６、化学式：一般式(Ｖ)、ただ
し、式中、ｎは約１４〕を入れ、８０℃で、２０ＭＰａ
の二酸化炭素を導入した。温度、圧力を一定に保ち１時
間撹拌した後、内径０．３ｍｍのノズルを通して、１０
ｃｍ離して設置したガラス基板上に１０分間噴射した。
塗布後のガラス基板は、実施例１と同様にポリ（フルオ
ロアルキルエーテル）でコーティングされていた。
０ｇのポリ（フルオロアルキルエーテル）〔デュポン社
製クライトックス１５０６、化学式：一般式(Ｖ)、ただ
し、式中、ｎは約１４〕を入れ、８０℃で、２０ＭＰａ
の二酸化炭素を導入した。温度、圧力を一定に保ち１時
間撹拌した後、内径０．３ｍｍのノズルを通して、１０
ｃｍ離して設置したガラス基板上に１０分間噴射した。
塗布後のガラス基板は、実施例１と同様にポリ（フルオ
ロアルキルエーテル）でコーティングされていた。
【００２３】実施例３ ガラス基板上に下地層、磁性層、カーボン層を順次スパ
ッタリングで形成したハードディスク上に、実施例１と
同様の材料、同様の方法でポリ（フルオロアルキルエー
テル）を塗布した。磁気ヘッドを表面に接触させてディ
スクを回転させた時の摩擦力は、塗布前と比べて塗布後
では低下していることが認められた。
ッタリングで形成したハードディスク上に、実施例１と
同様の材料、同様の方法でポリ（フルオロアルキルエー
テル）を塗布した。磁気ヘッドを表面に接触させてディ
スクを回転させた時の摩擦力は、塗布前と比べて塗布後
では低下していることが認められた。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、特殊な溶媒を用いること
なく、ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布が可能
になる。
なく、ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布が可能
になる。
【図１】本願発明を実施する際に用いる装置例の概略図
である。
である。
１ 二酸化炭素ボンベ ２ 高圧ポンプ ３ 保圧弁 ４ 溶解槽 ５ ヒーター ６ 圧力計 ７ バルブ ８ 微細な孔をあけた部品 ９ 基体
Claims (4)
- 【請求項１】 ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗
布に当たり、超臨界または亜臨界流体を用いることを特
徴とする方法。 - 【請求項２】 ポリ（フルオロアルキルエーテル）を超
臨界または亜臨界流体に溶解させ、微小な孔から基体に
向けて吹き出すことにより行う請求項１のポリ（フルオ
ロアルキルエーテル）の塗布方法。 - 【請求項３】 超臨界または亜臨界流体として超臨界ま
たは亜臨界状態の二酸化炭素を用いる請求項１または２
のポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布方法。 - 【請求項４】 基体が磁気記録媒体である請求項２また
は３のポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000134603A JP2001314810A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000134603A JP2001314810A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001314810A true JP2001314810A (ja) | 2001-11-13 |
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ID=18642858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000134603A Pending JP2001314810A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | ポリ（フルオロアルキルエーテル）の塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001314810A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002352420A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
| WO2003072264A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-09-04 | Terrasimco Inc. | Direct pressure apparatus and method for dispensing coatings |
| WO2007126327A1 (fr) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Faculty Of Physics Lomonosov M | Élément hydrofuge et procédé de production d'un revêtement hydrophobe |
| JP2008509010A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 付着防止層を堆積する方法 |
| JP2008540078A (ja) * | 2005-05-04 | 2008-11-20 | リンデ アクチエンゲゼルシヤフト | 物品表面への材料物質の堆積被着方法 |
-
2000
- 2000-05-08 JP JP2000134603A patent/JP2001314810A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20051219 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051219 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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| A521 | Written amendment |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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