JP2001313166A - Manufacturing method of organic electroluminescent element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の製造方法に関す
る。The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence device (organic EL device).
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的に、半導体素子やＥＬ素子等に用
いられる導電膜や絶縁膜等の薄膜パターンは、以下のよ
うにして得られる。まず、真空蒸着法により、ＳｉＯ2
や金属等の蒸着材料を基板上に蒸着し、薄膜を形成す
る。この後、前記薄膜上にフォトレジストを塗布し、フ
ォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、前記導
電膜や前記絶縁膜の薄膜パターンを得る。2. Description of the Related Art Generally, a thin film pattern such as a conductive film or an insulating film used for a semiconductor element or an EL element is obtained as follows. First, by vacuum deposition, SiO 2
An evaporation material such as metal or metal is evaporated on a substrate to form a thin film. Thereafter, a photoresist is applied on the thin film, and a thin film pattern of the conductive film or the insulating film is obtained by using a photolithography method and an etching method.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記蒸
着材料が有機物である場合やＭｇ等のイオン化傾向の低
い金属である場合には、フォトリソグラフィ法及びエッ
チング法で用られる有機溶剤や水により、溶解したり、
酸化したりしてしまうといった問題を生じていた。However, when the vapor deposition material is an organic substance or a metal having a low ionization tendency such as Mg, it is dissolved by an organic solvent or water used in a photolithography method and an etching method. Or
A problem such as oxidation was caused.
【０００４】この問題を解消するために、一般的にフォ
トリソグラフィ法及びエッチング法を用いないで薄膜パ
ターンを形成するマスク蒸着法を用いる。マスク蒸着法
は、基板に金属マスクを密着させ、この金属マスク側か
ら前記基板上に、有機物、ＳｉＯ2や金属の蒸着材料を
蒸着することによって、有機溶剤や水を用いることな
く、有機ＥＬ膜、前記絶縁膜や前記導電膜等の薄膜パタ
ーンを形成する方法である。ところが、金属マスクは、
一般的に所定の厚さを有する金属板にレーザ加工等によ
り作製されるため、１００μｍ程度が限界であるので、
数μｍ程度の微細な薄膜パタ−ンを形成することができ
なかった。このため、前記基板上に微細な画素を形成す
ることができず、高精細な画像が得られる有機ＥＬ素子
を作製できなかった。In order to solve this problem, a mask vapor deposition method for forming a thin film pattern without using photolithography and etching is generally used. In the mask evaporation method, an organic EL film is deposited without using an organic solvent or water by depositing a metal mask on a substrate and depositing an organic material, SiO 2 or a metal deposition material on the substrate from the metal mask side. And a method of forming a thin film pattern such as the insulating film or the conductive film. However, metal masks
Generally, a metal plate having a predetermined thickness is manufactured by laser processing or the like.
A fine thin film pattern of about several μm could not be formed. For this reason, fine pixels could not be formed on the substrate, and an organic EL element capable of obtaining a high-definition image could not be manufactured.
【０００５】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、微細化した画素を有す
る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供
することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic electroluminescence device having miniaturized pixels.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明における第１の発
明は、予め互いに所定の間隔を有した複数の画素電極が
配列された第１電極を有する透明な第１基板を用意し、
この第１電極上に発光層を形成し、一方、フォトリソグ
ラフィ法及びエッチング法により、第２基板に凹部を形
成する第１工程と、前記第２基板の表面及び凹部に発光
材料を形成後、前記第２基板表面に形成されている発光
材料を除去する第２工程と、前記凹部と前記画素電極と
が前記発光層を介して対向配置するようにして、前記第
２基板を前記第１基板上に載置した後、密着させる第３
工程と、前記凹部中の前記発光材料を前記発光層中に拡
散して色発光層を形成する第４工程と、前記第１基板を
前記第２基板から離間させた後、前記色発光層上に第２
電極を形成する第５工程とを含むことを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
第２の発明は、予め互いに所定の間隔を有した複数の画
素電極が配列された第１電極を有する透明な第１基板を
用意し、この第１電極上に発光層を形成し、一方、フォ
トリソグラフィ法及びエッチング法により、第２基板に
凸部を形成する第１工程と、前記凸部側の前記第２基板
に発光材料を形成後、前記凸部と前記画素電極とが前記
発光層を介して対向配置するようにして、前記第２基板
を前記第１基板上に載置した後、密着させる第２工程
と、前記凸部上の前記発光材料を前記発光層中に拡散し
て色発光層を形成する第３工程と、前記第１基板を前記
第２基板から離間させた後、前記色発光層上に第２電極
を形成する第４工程とを含むことを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。According to a first aspect of the present invention, there is provided a transparent first substrate having a first electrode on which a plurality of pixel electrodes having predetermined intervals are arranged in advance.
Forming a light emitting layer on the first electrode, forming a concave portion on the second substrate by photolithography and etching, and forming a light emitting material on the surface and the concave portion of the second substrate; A second step of removing a luminescent material formed on the surface of the second substrate, and the second substrate is provided on the first substrate such that the concave portion and the pixel electrode face each other with the light emitting layer interposed therebetween. After placing on the top, the third
Forming a color light emitting layer by diffusing the light emitting material in the recess into the light emitting layer; and separating the first substrate from the second substrate, Second
And a fifth step for forming an electrode.
According to a second aspect of the present invention, a transparent first substrate having a first electrode in which a plurality of pixel electrodes having predetermined intervals are arranged in advance is prepared, and a light emitting layer is formed on the first electrode. A first step of forming a protrusion on the second substrate by photolithography and etching, and forming a light emitting material on the second substrate on the protrusion side, and then forming the protrusion and the pixel electrode on the light emitting layer; A second step of placing the second substrate on the first substrate, and then adhering the second substrate to the first substrate, and diffusing the luminescent material on the protrusions into the luminescent layer. An organic method comprising: a third step of forming a color light emitting layer; and a fourth step of forming a second electrode on the color light emitting layer after separating the first substrate from the second substrate. Provided is a method for manufacturing an electroluminescence element.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】本発明の有機エレクトロルミネッ
センス素子の製造方法における実施形態について図１乃
至図１１を参照しながら以下に説明する。図１は、本発
明の第１実施形態の第１工程を示す図であり、（Ａ）
は、Ｓｉ基板に凹部を形成した断面図、（Ｂ）は、透明
基板上に発光層を形成した断面図である。図２は、本発
明の第１実施形態の第２工程を示す図である。図３は、
本発明の第１実施形態の第３工程を示す図である。図４
は、本発明の第１実施形態の第４工程を示す図である。
図５は、Ｓｉ基板をガラス基板から離間させた様子を示
す図である。図６は、本発明の実施形態で作製された有
機ＥＬ素子を示す図である。図７は、陽極と陰極とを逆
にした場合の有機ＥＬ素子を示す図である。図８は、本
発明の実施形態を応用して作製された有機ＥＬ素子を示
す図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a method for manufacturing an organic electroluminescence device according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a view showing a first step of the first embodiment of the present invention, and FIG.
Is a cross-sectional view in which a concave portion is formed in a Si substrate, and (B) is a cross-sectional view in which a light emitting layer is formed on a transparent substrate. FIG. 2 is a view showing a second step of the first embodiment of the present invention. FIG.
It is a figure showing the 3rd process of a 1st embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 4 is a view showing a fourth step of the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a state where the Si substrate is separated from the glass substrate. FIG. 6 is a diagram illustrating an organic EL device manufactured according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a diagram showing an organic EL device in which the anode and the cathode are reversed. FIG. 8 is a diagram showing an organic EL device manufactured by applying the embodiment of the present invention.
【０００８】まず始めに、本発明の第１実施形態の有機
ＥＬ素子の製造方法について説明する。 （第１工程）図１（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１上に
フォトリソグラフィ法によりフォトレジストパターンを
形成し、エッチング法によりこのＳｉ基板１の表面をエ
ッチングして所定の間隔を有した複数の凹部１ａを形成
した後、真空蒸着法により、このＳｉ基板１の表面及び
凹部１ａに赤色発光色素を真空蒸着して厚さ５０ｎｍの
赤色色素層２を形成する。なお、フォトリソグラフィ法
及びエッチング法により凹部１ａの幅は０．１〜０．２
μｍ程度まで小さくできる。ここで、Ｓｉ基板１の表面
が凸部１ｂとなる。First, a method for manufacturing the organic EL device according to the first embodiment of the present invention will be described. (First Step) As shown in FIG. 1A, a photoresist pattern was formed on a Si substrate 1 by a photolithography method, and the surface of the Si substrate 1 was etched by an etching method to have a predetermined interval. After forming the plurality of concave portions 1a, a red light-emitting dye is vacuum-deposited on the surface of the Si substrate 1 and the concave portions 1a by vacuum vapor deposition to form a red dye layer 2 having a thickness of 50 nm. The width of the concave portion 1a is 0.1 to 0.2 by photolithography and etching.
It can be reduced to about μm. Here, the surface of the Si substrate 1 becomes the projection 1b.
【０００９】赤色発光色素の材料としては、ニールレッ
ドやＤＣＭＩ等のピラン誘導体、スクリリウム誘導体、
ポルフィリン誘導体、ユーロジリン誘導体がある。上記
では、凹部１ａ及び凸部１ｂ上に直接赤色色素層２を形
成したが、真空蒸着法により、Ｓｉ基板１の凸部１ｂ及
び凹部１ａにＡｕ層を形成し、このＡｕ層上に赤色色素
層２を形成しても良い。Examples of the material for the red light-emitting dye include pyran derivatives such as Neil Red and DCMI, scrylium derivatives,
There are porphyrin derivatives and eurodiline derivatives. In the above description, the red dye layer 2 was formed directly on the concave portion 1a and the convex portion 1b. However, an Au layer was formed on the convex portion 1b and the concave portion 1a of the Si substrate 1 by a vacuum evaporation method, and the red dye layer was formed on the Au layer. The layer 2 may be formed.
【００１０】このようにすると、Ａｕ層とＳｉ基板１と
の間の付着力が弱いので、Ａｕ層を剥がすと同時に赤色
色素層２も同時に剥がすことができる。なお、このＡｕ
層の代わりにワックスを用いても良い。また、Ａｕとワ
ックスを同時に用いても良い。ここで、前記した凹部１
ａの幅は、１３μｍ、凸部１ｂの幅は、２９μｍであ
り、凹部１ａの深さは、１０μｍである。In this case, since the adhesive force between the Au layer and the Si substrate 1 is weak, the red dye layer 2 can be peeled at the same time as the Au layer is peeled. In addition, this Au
Wax may be used instead of the layer. Au and wax may be used at the same time. Here, the above-described recess 1
The width of “a” is 13 μm, the width of the projection 1b is 29 μm, and the depth of the depression 1a is 10 μm.
【００１１】一方、図１（Ｂ）に示すように、予め所定
の間隔を有した赤色画素電極４Ｒ、緑色画素電極４Ｇ、
青色画素電極４Ｂを１組としてこれらをマトリクス状に
配置した導電性の陽極４を有するガラス基板３を用意
し、真空蒸着法により、赤色画素電極４Ｒ、緑色画素電
極４Ｇ、青色画素電極４Ｂ及び赤色画素電極４Ｒ、緑色
画素電極４Ｇ、青色画素電極４Ｂから露出したガラス基
板３上にスピンコート法により高分子材料を塗布して、
厚さ１００ｎｍの発光層５を形成する。なお、陽極４の
材料としては、透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）膜等がある。On the other hand, as shown in FIG. 1B, a red pixel electrode 4R, a green pixel electrode 4G,
A glass substrate 3 having a conductive anode 4 in which a set of blue pixel electrodes 4B are arranged in a matrix is prepared, and a red pixel electrode 4R, a green pixel electrode 4G, a blue pixel electrode 4B, and a red A polymer material is applied on the glass substrate 3 exposed from the pixel electrode 4R, the green pixel electrode 4G, and the blue pixel electrode 4B by a spin coating method,
A light emitting layer 5 having a thickness of 100 nm is formed. The material of the anode 4 is a transparent ITO (Indium Tin).
Oxide) film.
【００１２】発光層５は、紫外領域から可視光領域まで
ブロードな発光を示し、各色の色素にエネルギー移動を
起き易くすることが必要なことから、材料として、例え
ば、ボリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が用いられ
る。凹部１ａ、１ａ間のピッチ幅は、互いに所定の間隔
を有した赤色画素電極４Ｒ、青色画素電極４Ｇ、青色画
素電極４Ｂを１組とする単位画素電極とした時のピッチ
幅Ａであり、かつ凹部１ａの幅は、凹部１ａと対向する
色画素電極に隣接する色画素電極にオーバーラップしな
い程度まで広くしても良い。具体的には、赤色画素電極
４Ｒ、青色画素電極４Ｇ、青色画素電極４Ｂの形状は、
例えば１３μｍ×１３μｍの正方形であり、各赤色画素
電極４Ｒ、青色画素電極４Ｇ、青色画素電極４Ｂの間隔
は、１μｍである。The light-emitting layer 5 emits light broadly from the ultraviolet region to the visible light region, and it is necessary to make it easy for the dye of each color to transfer energy. Therefore, the material is, for example, polyvinyl carbazole (PVCz) or the like. Is used. The pitch width between the concave portions 1a and 1a is a pitch width A when a unit pixel electrode is a set of a red pixel electrode 4R, a blue pixel electrode 4G, and a blue pixel electrode 4B having a predetermined interval from each other, and The width of the concave portion 1a may be widened to such an extent that it does not overlap the color pixel electrode adjacent to the color pixel electrode facing the concave portion 1a. Specifically, the shapes of the red pixel electrode 4R, the blue pixel electrode 4G, and the blue pixel electrode 4B are as follows.
For example, it is a square of 13 μm × 13 μm, and the interval between each red pixel electrode 4R, blue pixel electrode 4G, and blue pixel electrode 4B is 1 μm.
【００１３】（第２工程）図２に示すように、赤色発光
色素層２を介してＳｉ基板１表面に粘着テープ６を貼り
付ける。この後、粘着テープ６を剥がすと共にこの粘着
性を利用してＳｉ基板１の凸部１ｂ表面に形成されてい
る赤色色素層２を剥離する。凸部１ｂ表面に形成されて
いる赤色色素層２を除去するのにカッターナイフ等で削
り取っても良い。(Second Step) As shown in FIG. 2, an adhesive tape 6 is attached to the surface of the Si substrate 1 via the red light emitting dye layer 2. Thereafter, the adhesive tape 6 is peeled off, and the red dye layer 2 formed on the surface of the convex portion 1b of the Si substrate 1 is peeled off using the adhesiveness. The red dye layer 2 formed on the surface of the convex portion 1b may be removed by a cutter knife or the like to remove the red dye layer 2.
【００１４】（第３工程）次に、図３に示すように、凹
部１ａが赤色画素電極４Ｒに対応するようにしてＳｉ基
板１を発光層５に対向配置させて、このＳｉ基板１をガ
ラス基板３の上に載置した後、押圧して密着させる。(Third Step) Next, as shown in FIG. 3, the Si substrate 1 is disposed so as to face the light emitting layer 5 so that the concave portions 1a correspond to the red pixel electrodes 4R. After being placed on the substrate 3, it is pressed and brought into close contact.
【００１５】（第４工程）図４に示すように、この状態
でＳｉ基板１及びガラス基板３をオーブン中に入れ、１
００℃〜１２０℃の範囲で、数分〜１日間加熱して、凹
部１ａ中の赤色色素層２を発光層５中に拡散させて赤色
発光層７Ｒを形成する。この後、図５に示すように、Ｓ
ｉ基板１をガラス基板３から離間させる。赤色色素層２
がＡｕ層を介してＳｉ基板１に形成されている場合に
は、Ａｕ層に電流を通電して加熱し、凹部１ａ中の赤色
発光色素層２を蒸発させるようにして、赤色発光層７Ｒ
を形成しても良い。Ａｕ層に電流を通電する代わりに、
陽極４に電流を通電して過熱するようにしても良い。(Fourth Step) As shown in FIG. 4, the Si substrate 1 and the glass substrate 3 are placed in an oven in this state, and
The red dye layer 2 in the concave portion 1a is diffused into the light emitting layer 5 by heating at a temperature in the range of 00 ° C. to 120 ° C. for several minutes to one day to form a red light emitting layer 7R. Thereafter, as shown in FIG.
The i-substrate 1 is separated from the glass substrate 3. Red dye layer 2
Is formed on the Si substrate 1 via the Au layer, a current is applied to the Au layer and heated to evaporate the red luminescent dye layer 2 in the concave portion 1a.
May be formed. Instead of passing a current through the Au layer,
A current may be applied to the anode 4 to heat it.
【００１６】（第５工程）次に、（第１工程）と同様に
して、緑色発光色素を真空蒸着して緑色色素層をＳｉ基
板１の凹部１ａ及び凸部１ｂに形成した後、（第２工
程）と同様の工程を行った後、（第３工程）と同様にし
て、凹部１ａが緑色画素電極４Ｇに対応するようにして
Ｓｉ基板１を発光層５に対向配置させて、このＳｉ基板
１をガラス基板３の上に載置した後、押圧して密着させ
る。(Fifth Step) Next, in the same manner as in the (First Step), a green dye is vacuum-deposited to form a green dye layer on the concave portion 1a and the convex portion 1b of the Si substrate 1, and After performing the same step as in (2 step), in the same manner as in (3rd step), the Si substrate 1 is disposed so as to face the light emitting layer 5 so that the recess 1a corresponds to the green pixel electrode 4G. After placing the substrate 1 on the glass substrate 3, the substrate 1 is pressed and adhered.
【００１７】図６に示すように、この状態で、（第４工
程）と同様にして凹部１ａ中の上記緑色色素層を発光層
５中に拡散させて緑色発光層７Ｇを形成し、前記と同様
にして青色発光層７Ｂを形成する。上記の赤色色素層７
Ｒ、緑色発光層７Ｇ、青色発光層７Ｂは、赤色発光色
素、緑色発光色素、青色発光色素をそれぞれ溶剤に溶か
してスピンコート法によりＳｉ基板１に塗布し、前記と
同様にして形成しても良い。As shown in FIG. 6, in this state, the green dye layer in the concave portion 1a is diffused into the light emitting layer 5 in the same manner as in the (fourth step) to form a green light emitting layer 7G. Similarly, a blue light emitting layer 7B is formed. Red dye layer 7 described above
R, the green light-emitting layer 7G, and the blue light-emitting layer 7B may be formed in the same manner as described above by dissolving a red light-emitting dye, a green light-emitting dye, and a blue light-emitting dye in a solvent and applying the solution to the Si substrate 1 by spin coating. good.
【００１８】緑色発光色素の材料としては、クマリン６
等のクマリン誘導体、キナクリドン誘導体がある。青色
発光色素の材料としては、クマリン４７等のクマリン誘
導体、テトラフェニルブタジェン、ペリレンがある。こ
の後、赤色発光層７Ｒ、緑色発光層７Ｇ、青色発光層７
Ｂが形成された発光層５上にＭｇ0.9Ａｇ0.1やＡｌ等か
らなる陰極８を形成して、図６に示す有機ＥＬ素子を作
製する。Coumarin 6
Coumarin derivatives and quinacridone derivatives. Examples of the material for the blue luminescent dye include coumarin derivatives such as coumarin 47, tetraphenylbutadiene, and perylene. After that, the red light emitting layer 7R, the green light emitting layer 7G, and the blue light emitting layer 7
A cathode 8 made of Mg 0.9 Ag 0.1 , Al, or the like is formed on the light emitting layer 5 on which B is formed, and the organic EL device shown in FIG. 6 is manufactured.
【００１９】上記した有機ＥＬ素子における陽極４と陰
極８とを逆にした図７に示す構造の有機ＥＬ素子を製造
する場合についても同様である。更にまた、上記した有
機ＥＬ素子における陽極４と発光層５の間に正孔注入層
９、正孔輸送層１０を、陰極８と発光層５の間に電子注
入層１２、電子輸送層１１を挿入した図８に示す構造の
有機ＥＬ素子を製造する場合についても同様である。The same applies to the case of manufacturing an organic EL device having the structure shown in FIG. 7 in which the anode 4 and the cathode 8 in the above-mentioned organic EL device are reversed. Furthermore, a hole injection layer 9 and a hole transport layer 10 are provided between the anode 4 and the light emitting layer 5 in the above-described organic EL device, and an electron injection layer 12 and an electron transport layer 11 are provided between the cathode 8 and the light emitting layer 5. The same applies to the case where the inserted organic EL element having the structure shown in FIG. 8 is manufactured.
【００２０】このように、フォトリソグラフィ法及びエ
ッチング法により、微細加工された凹部１ａを有するＳ
ｉ基板１を用いて、微細化した赤色発光層７Ｒ、緑色発
光層７Ｇ、青色発光層７Ｂを形成するので、高精細な画
像が得られる有機ＥＬ素子を作製できる。As described above, the S having the concave portion 1a finely processed by the photolithography method and the etching method is used.
Since the miniaturized red light emitting layer 7R, green light emitting layer 7G, and blue light emitting layer 7B are formed using the i-substrate 1, an organic EL element capable of obtaining a high-definition image can be manufactured.
【００２１】次に、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ素
子の製造方法について図９乃至図１１を用いて説明す
る。本発明の第１実施形態と同一構成には同一符号を付
し、その説明を省略する。図９は、本発明の第２実施形
態における加工されたＳｉ基板を示す図である。図１０
は、本発明の第２実施形態の（第１工程）を示す図であ
る。図１１は、本発明の第２実施形態の（第２工程）を
示す図である。図９に示すように、本発明の第２実施形
態は、本発明の第１実施形態において、凸部１ｂに各色
発光色素層を形成し、この各色発光色素層を発光層５中
に拡散するようにしたものである。凸部１ｂ、１ｂとの
間のピッチ幅は、互いに所定の間隔を有した赤色画素電
極４Ｒ、青色画素電極４Ｇ、青色画素電極４Ｂを１組と
する単位画素電極とした時のピッチ幅Ａであり、凸部１
ｂの幅は、凸部１ｂと対向させる１つの色画素電極に隣
接する色画素電極にオーバーラップしない程度まで広
い。ここでは、赤色画素電極４Ｒ、青色画素電極４Ｇ、
青色画素電極４Ｂそれぞれは、例えば、１３μｍ×１３
μｍの正方形であり、凸部１ｂの幅は１３μｍ、凹部１
ａの幅は、２９μｍであり、凹部１ａの深さは、１０μ
ｍである。Next, a method of manufacturing an organic EL device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The same components as those in the first embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. FIG. 9 is a diagram showing a processed Si substrate according to the second embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 4 is a view showing (first step) of the second embodiment of the present invention. FIG. 11 is a view showing (second step) of the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, the second embodiment of the present invention is different from the first embodiment of the present invention in that each color luminescent pigment layer is formed on the convex portion 1 b and the respective color luminescent pigment layers are diffused into the luminescent layer 5. It is like that. The pitch width between the convex portions 1b and 1b is a pitch width A when a unit pixel electrode is a set of a red pixel electrode 4R, a blue pixel electrode 4G, and a blue pixel electrode 4B having a predetermined interval. Yes, convex part 1
The width of b is wide enough to not overlap a color pixel electrode adjacent to one color pixel electrode facing the convex portion 1b. Here, the red pixel electrode 4R, the blue pixel electrode 4G,
Each of the blue pixel electrodes 4B is, for example, 13 μm × 13
μm square, the width of the projection 1 b is 13 μm,
a is 29 μm, and the depth of the concave portion 1 a is 10 μm.
m.
【００２２】以下に、その製造方法について図１０及び
図１１を用いて説明する。 （第１工程）本発明の第１実施形態における（第１工
程）と同様に行った後、図１０に示すように凸部１ｂが
赤色画素電極４Ｒに対応するようにして、凹部１ａ、凸
部１ｂに対向配置させて、Ｓｉ基板１をガラス基板３上
に載置した後、押圧して密着する。Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIGS. (First Step) After performing the same as (First Step) in the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 10, the concave portions 1 a and the convex portions 1 b correspond to the red pixel electrodes 4 </ b> R. After the Si substrate 1 is placed on the glass substrate 3 so as to be opposed to the portion 1b, the Si substrate 1 is pressed and adhered.
【００２３】（第２工程）次に、図１１に示すように、
この状態でＳｉ基板１及びガラス基板３をオーブン中に
入れ、１００℃〜１１０℃の範囲で、数分〜１日間程度
加熱して、凸部１ｂ上の赤色色素層２を発光層５中に拡
散させて赤色発光層７Ｒを形成する。この時、凹部１ａ
に形成されている赤色色素層２が発光層５中に拡散しな
いように、加熱温度と加熱時間を設定することが必要で
ある。(Second Step) Next, as shown in FIG.
In this state, the Si substrate 1 and the glass substrate 3 are placed in an oven and heated at a temperature in the range of 100 ° C. to 110 ° C. for several minutes to one day, so that the red dye layer 2 on the convex portion 1 b is placed in the light emitting layer 5. The red light emitting layer 7R is formed by diffusion. At this time, the recess 1a
It is necessary to set the heating temperature and the heating time so that the red dye layer 2 formed in the first layer does not diffuse into the light emitting layer 5.
【００２４】この後、本発明の第１実施形態と同様にし
て、図６に示す有機ＥＬ素子を作製する。なお、前記し
たような図７及び図８に示した構造の有機ＥＬ素子を製
造する場合についても同様である。この場合も本発明の
第１実施形態と同様の効果が得られる。Thereafter, the organic EL device shown in FIG. 6 is manufactured in the same manner as in the first embodiment of the present invention. The same applies to the case of manufacturing the organic EL device having the structure shown in FIGS. 7 and 8 as described above. In this case, the same effect as in the first embodiment of the present invention can be obtained.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明は、予め複数の画素電極が形成さ
れた第１基板上に発光層を形成し、一方第２基板表面に
凹部、又は凸部を形成し、この凹部、又は凸部に発光材
料を形成した後、発光材料を介して凹部、又は凸部を発
光層に対向配置させて、第１基板上に第２基板を載置
し、次に発光材料を発光層中に拡散して色発光層を形成
するようにしているので、微細化した色発光層を有する
有機ＥＬ素子が得られるため、高精細な画像が得られ
る。According to the present invention, a light emitting layer is formed on a first substrate on which a plurality of pixel electrodes have been formed in advance, while a concave or convex portion is formed on the surface of a second substrate, and the concave or convex portion is formed. After the light emitting material is formed, the concave portion or the convex portion is arranged to face the light emitting layer via the light emitting material, the second substrate is placed on the first substrate, and then the light emitting material is diffused into the light emitting layer. Since the color light-emitting layer is formed in this manner, an organic EL element having a finer color light-emitting layer can be obtained, and a high-definition image can be obtained.
【図１】本発明の第１実施形態の第１工程を示す図であ
り、（Ａ）は、Ｓｉ基板に凹部を形成した断面図、
（Ｂ）は、透明基板上に発光層を形成した断面図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a first step of a first embodiment of the present invention, in which (A) is a cross-sectional view in which a concave portion is formed in a Si substrate,
(B) is a sectional view in which a light emitting layer is formed on a transparent substrate.
【図２】本発明の第１実施形態の第２工程を示す図であ
る。FIG. 2 is a view showing a second step of the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１実施形態の第３工程を示す図であ
る。FIG. 3 is a view showing a third step of the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１実施形態の第４工程を示す図であ
る。FIG. 4 is a view showing a fourth step of the first embodiment of the present invention.
【図５】Ｓｉ基板をガラス基板から離間させた様子を示
す図である。FIG. 5 is a diagram showing a state where a Si substrate is separated from a glass substrate.
【図６】本発明の実施形態で作製された有機ＥＬ素子を
示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an organic EL device manufactured according to an embodiment of the present invention.
【図７】陽極と陰極とを逆にした場合の有機ＥＬ素子を
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an organic EL element in a case where an anode and a cathode are reversed.
【図８】本発明の実施形態を応用して作製された有機Ｅ
Ｌ素子を示す図である。FIG. 8 shows an organic E prepared by applying an embodiment of the present invention.
It is a figure showing an L element.
【図９】本発明の第２実施形態における加工されたＳｉ
基板を示す図である。FIG. 9 shows processed Si according to a second embodiment of the present invention.
It is a figure showing a substrate.
【図１０】本発明の第２実施形態の（第１工程）を示す
図である。FIG. 10 is a view showing (first step) of the second embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第２実施形態の（第２工程）を示す
図である。FIG. 11 is a view showing a (second step) according to the second embodiment of the present invention.
１…Ｓｉ基板（第２基板）、１ａ…凹部、１ｂ…凸部、
２…赤色色素層（発光材料）、３…ガラス基板（第１基
板）、４…陽極（第１電極）、４Ｒ…赤色画素電極、４
Ｇ…緑色画素電極、４Ｂ…青色画素電極、５…発光層、
６…粘着シート、７Ｒ…赤色発光層（色発光層）、７Ｇ
…緑色発光層（色発光層）、７Ｂ…青色発光層（色発光
層）、８…陰極（第２電極）、９…正孔注入層、１０…
正孔輸送層、１１…電子輸送層、１２…電子注入層1. Si substrate (second substrate), 1a recess, 1b projection
2 red dye layer (light emitting material), 3 glass substrate (first substrate), 4 anode (first electrode), 4R red pixel electrode, 4
G: green pixel electrode, 4B: blue pixel electrode, 5: light emitting layer,
6 ... Adhesive sheet, 7R ... Red light emitting layer (color light emitting layer), 7G
... green light emitting layer (color light emitting layer), 7B ... blue light emitting layer (color light emitting layer), 8 ... cathode (second electrode), 9 ... hole injection layer, 10 ...
Hole transport layer, 11: electron transport layer, 12: electron injection layer
Claims (2)
電極が配列された第１電極を有する透明な第１基板を用
意し、この第１電極上に発光層を形成し、一方、フォト
リソグラフィ法及びエッチング法により、第２基板に凹
部を形成する第１工程と、 前記第２基板の表面及び凹部に発光材料を形成後、前記
第２基板表面に形成されている発光材料を除去する第２
工程と、 前記凹部と前記画素電極とが前記発光層を介して対向配
置するようにして、前記第２基板を前記第１基板上に載
置した後、密着させる第３工程と、 前記凹部中の前記発光材料を前記発光層中に拡散して色
発光層を形成する第４工程と、 前記第１基板を前記第２基板から離間させた後、前記色
発光層上に第２電極を形成する第５工程とを含むことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。1. A transparent first substrate having a first electrode on which a plurality of pixel electrodes having predetermined intervals are arranged in advance is prepared, and a light emitting layer is formed on the first electrode. A first step of forming a recess in the second substrate by lithography and etching, and after forming a light emitting material on the surface and the recess of the second substrate, removing the light emitting material formed on the surface of the second substrate. Second
A third step of placing the second substrate on the first substrate and then closely contacting the second substrate so that the concave portion and the pixel electrode face each other with the light emitting layer interposed therebetween; Forming a color light emitting layer by diffusing the light emitting material into the light emitting layer, and forming a second electrode on the color light emitting layer after separating the first substrate from the second substrate. A method of manufacturing an organic electroluminescence device, comprising:
電極が配列された第１電極を有する透明な第１基板を用
意し、この第１電極上に発光層を形成し、一方、フォト
リソグラフィ法及びエッチング法により、第２基板に凸
部を形成する第１工程と、 前記凸部側の前記第２基板に発光材料を形成後、前記凸
部と前記画素電極とが前記発光層を介して対向配置する
ようにして、前記第２基板を前記第１基板上に載置した
後、密着させる第２工程と、 前記凸部上の前記発光材料を前記発光層中に拡散して色
発光層を形成する第３工程と、 前記第１基板を前記第２基板から離間させた後、前記色
発光層上に第２電極を形成する第４工程とを含むことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。2. A transparent first substrate having a first electrode on which a plurality of pixel electrodes having predetermined intervals are arranged in advance is prepared, and a light emitting layer is formed on the first electrode. A first step of forming a projection on the second substrate by lithography and etching, and after forming a light emitting material on the second substrate on the side of the projection, the projection and the pixel electrode form the light emitting layer. A second step of placing the second substrate on the first substrate so as to be opposed to the first substrate and then bringing the second substrate into close contact with the second substrate; An organic electroluminescent device comprising: a third step of forming a light emitting layer; and a fourth step of forming a second electrode on the color light emitting layer after separating the first substrate from the second substrate. A method for manufacturing a luminescence element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000129363A JP2001313166A (en) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | Manufacturing method of organic electroluminescent element |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063458A (en) * | 2002-06-07 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Pattern film formation method |
-
2000
- 2000-04-28 JP JP2000129363A patent/JP2001313166A/en active Pending
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