JP2001307392A - Magneto-optical recording medium - Google Patents
Magneto-optical recording mediumInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体に
係わる。[0001] The present invention relates to a magneto-optical recording medium.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、情報記録媒体開発の分野において
は、光記録方式に関する研究が各所で進められている。
この光記録方式は、レーザー光を用いて情報の記録再生
を行うものであり、この方式を利用した光学記録媒体と
して、再生専用型のディジタルオーディオディスク（い
わゆるコンパクトディスク）や、光学方式ビデオディス
ク（いわゆるレーザーディスク（登録商標））等が広く
普及している。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of information recording medium development, researches on optical recording systems have been conducted in various places.
This optical recording system records and reproduces information using a laser beam. As an optical recording medium using this system, a read-only digital audio disk (so-called compact disk) and an optical video disk ( So-called laser disks (registered trademark)) are widely used.
【０００３】一方、ユーザーが、繰り返して情報の記
録、および消去を行うことができる、書き込み可能型の
光学記録媒体として、光磁気記録媒体の開発が進められ
ており、商品化されている。このような光磁気記録媒体
として、ミニディスク（ＭＤ）が広く普及している。On the other hand, magneto-optical recording media are being developed and commercialized as writable optical recording media in which a user can repeatedly record and erase information. As such a magneto-optical recording medium, a mini disk (MD) is widely used.
【０００４】このような光磁気記録媒体は、例えばポリ
カーボネートよりなる透明基板上に、基板面と垂直方向
に磁化容易軸を有し、かつ磁気光学効果の大きな磁性薄
膜よりなる磁気記録層が形成されてなり、この磁気記録
層と、金属反射層と、誘電体層とが積層されて、透明基
板上に積層構成の記録部が構成されてなり、この記録部
上に、例えば紫外線硬化性樹脂よりなる保護層が積層形
成された構成を有するものである。In such a magneto-optical recording medium, a magnetic recording layer made of a magnetic thin film having an easy axis of magnetization perpendicular to the substrate surface and having a large magneto-optical effect is formed on a transparent substrate made of, for example, polycarbonate. The magnetic recording layer, the metal reflective layer, and the dielectric layer are laminated to form a recording unit having a laminated configuration on a transparent substrate. On the recording unit, for example, an ultraviolet curable resin is used. Has a configuration in which protective layers are formed in layers.
【０００５】例えば、ミニディスク（ＭＤ）のような光
磁気記録媒体においては、民生用録音機器として手軽に
音楽等を記録することができ、この情報信号の録音時間
に関しても、６０〔分〕から７４〔分〕、さらに近年に
おいては８０〔分〕と長時間化が実現されている。For example, in a magneto-optical recording medium such as a mini disk (MD), music or the like can be easily recorded as a consumer recording device, and the recording time of this information signal can be reduced from 60 [minutes]. A long time of 74 [minutes] and more recently 80 [minutes] have been realized.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録時
間の長時間化に伴い、ディスク型の光磁気記録媒体の線
速度が、６０〔分〕記録の場合には１．４〔ｍ／ｓ〕で
あったものが、１．２〔ｍ／ｓ〕になり、記録する情報
信号のトラックピッチに関しても、１．６〔μｍ〕から
１．５〔μｍ〕になり、情報信号の高密度化が進んでお
り、これが、光磁気記録媒体の特性の一つであるＣ／Ｎ
特性に関して、劣化を引き起こす原因となっている。However, as the recording time becomes longer, the linear velocity of the disk-type magneto-optical recording medium becomes 1.4 [m / s] when the recording speed is 60 [min]. However, the track pitch of the information signal to be recorded also changes from 1.6 [μm] to 1.5 [μm], and the density of the information signal increases. This is one of the characteristics of the magneto-optical recording medium, that is, C / N
This is a cause of deterioration in characteristics.
【０００７】Ｃ／Ｎ特性が劣化してしまうと、エラーレ
ートに関してマージンが少なくなってしまう傾向にあ
り、外乱によって安定した信号特性が得られなくなって
しまいがちである。場合によっては、信号が読めなくな
ってしまうこともあった。When the C / N characteristic is deteriorated, a margin for an error rate tends to be reduced, and stable signal characteristics tend not to be obtained due to disturbance. In some cases, the signal could not be read.
【０００８】従来においては、レーザー光が光磁気記録
媒体の信号記録層を正確にトレースするように、光磁気
記録媒体に形成されたグルーブ溝の特性を向上させた
り、また、記録層近傍に誘電体層を形成してこの膜厚を
調整し、エンハンスト効果により、記録精度を向上させ
たりしたが、今後さらに高いＣ／Ｎ特性を有する光磁気
記録媒体の実現が望まれている。Conventionally, the characteristics of the groove formed in the magneto-optical recording medium have been improved so that the laser light accurately traces the signal recording layer of the magneto-optical recording medium, and a dielectric film has been formed near the recording layer. The body layer was formed to adjust the film thickness, and the recording effect was improved by the enhanced effect. However, it is desired to realize a magneto-optical recording medium having higher C / N characteristics in the future.
【０００９】本発明者等は、上述した点に鑑みて、Ｃ／
Ｎ特性を向上させ、繰り返し記録後においても、特性劣
化の少なく、安定した高いＣ／Ｎ特性を維持し得る磁界
変調オーバーライトが可能な光磁気記録媒体を提供する
こととした。In view of the above points, the present inventors have developed C /
It is intended to provide a magneto-optical recording medium capable of improving the N characteristic and maintaining stable and high C / N characteristics even after repeated recording and capable of magnetic field modulation overwriting.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、光透過性基板上に、少なくとも第１の記録層と、第
２の記録層とを有する光磁気記録媒体であり、第１の記
録層は、Ｇｄ、Ｆｅ，Ｃｏから成り、Ｇｄが２８〜３０
〔ａｔｏｍ％〕含有されて成り、かつ膜厚を５０〜１０
０Åに選定し、第２の記録層は、少なくともＴｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏから成り、Ｔｂが２２〜２４〔ａｔｏｍ％〕含
有されて成るものとし、膜厚を１８０〜２５０Åに選定
する。The magneto-optical recording medium of the present invention is a magneto-optical recording medium having at least a first recording layer and a second recording layer on a light-transmitting substrate. Is made of Gd, Fe, and Co, and Gd is 28-30.
[Atom%] and has a film thickness of 50 to 10%.
0 °, and the second recording layer has at least Tb, F
e, Co, and 22 to 24 [atom%] of Tb, and the thickness is selected to be 180 to 250 °.
【００１１】本発明によれば、Ｃ／Ｎ特性を向上させ、
繰り返し記録後においても、特性劣化の少なく高いＣ／
Ｎ特性を維持した磁界変調オーバーライトが可能な光磁
気記録媒体を提供することとした。According to the present invention, the C / N characteristics are improved,
Even after repeated recording, high C /
It is intended to provide a magneto-optical recording medium capable of magnetic field modulation overwriting while maintaining N characteristics.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明の光磁気記録媒体は、光透
過性基板上に、少なくとも第１の記録層と、第２の記録
層とを有するものであり、第１の記録層は、Ｇｄ、Ｆ
ｅ，Ｃｏから成り、Ｇｄが２８〜３０〔ａｔｏｍ％〕含
有されて成り、かつ膜厚が５０〜１００Åであり、第２
の記録層は、少なくともＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏから成り、Ｔ
ｂが２２〜２４〔ａｔｏｍ％〕含有されて成り、かつ膜
厚が１８０〜２５０Åであるものとする。また、第２の
記録層中にＣｒを含有させるときは、これを１〔ａｔｏ
ｍ％〕以下とする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The magneto-optical recording medium of the present invention has at least a first recording layer and a second recording layer on a light-transmitting substrate. Gd, F
e, Co, 28 to 30 [atom%] of Gd, a film thickness of 50 to 100 °, and a second
Is made of at least Tb, Fe, and Co.
It is assumed that b contains 22 to 24 [atom%] and the film thickness is 180 to 250 °. Further, when Cr is contained in the second recording layer, the content thereof is 1 [atom].
m%] or less.
【００１３】以下、発明の光磁気記録媒体について、例
を挙げて説明するが、本発明の光磁気記録媒体は、以下
に示す例に限定されるものではない。Hereinafter, the magneto-optical recording medium of the present invention will be described with reference to examples, but the magneto-optical recording medium of the present invention is not limited to the examples shown below.
【００１４】図１に、本発明の光磁気記録媒体１の一例
の概略断面図を示す。本発明の光磁気記録媒体１は、熱
可塑性樹脂からなる透明基板２上に、第１の誘電体層
３、第１の記録層４、第２の記録層５、および第２の誘
電体層６が順次積層されて成る記録層１０が形成されて
おり、この記録層１０上に、反射層７および保護層８が
形成された構成を有するものである。FIG. 1 is a schematic sectional view of an example of the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention. The magneto-optical recording medium 1 of the present invention comprises a first dielectric layer 3, a first recording layer 4, a second recording layer 5, and a second dielectric layer on a transparent substrate 2 made of a thermoplastic resin. A recording layer 10 is formed by sequentially laminating the recording layers 6 on the recording layer 10, and a reflective layer 7 and a protective layer 8 are formed on the recording layer 10.
【００１５】この図１に示す光磁気記録媒体１に対して
情報の記録あるいは再生を行う場合には、透明基板２側
から、所定の波長のレーザー光、例えば７８０ｎｍの波
長のレーザー光を、対物レンズにより集光し照射するこ
とによって行う。When recording or reproducing information on or from the magneto-optical recording medium 1 shown in FIG. 1, a laser beam having a predetermined wavelength, for example, a laser beam having a wavelength of 780 nm, is irradiated from the transparent substrate 2 side. This is performed by focusing and irradiating with a lens.
【００１６】透明基板２は、レーザー光に対して、透過
性を有する材料により形成されるものとし、例えば、ポ
リカーボネート、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィ
ン、スチレン系の樹脂を用いて射出成形により作製する
ことができる。また、透明基板材料として樹脂の他、ガ
ラスも適用することができる。透明基板の面上には、ピ
ットやグルーブを構成する所定の微細凹凸が形成されて
いてもよい。グルーブを形成した場合には、これを案内
溝としてレーザー光をディスク上の任意の位置へ移動さ
せることができ、ピットの場合には、これが情報信号と
なってレーザー光の照射により記録情報を読み取りを行
うことができる。所定の微細凹凸は、射出成形や、フォ
トポリマリゼイション法（２Ｐ法）によって形成するこ
とができる。The transparent substrate 2 is formed of a material having a property of transmitting laser light, and is manufactured by injection molding using, for example, polycarbonate, acrylic resin, amorphous polyolefin, or styrene resin. be able to. In addition, glass as well as resin can be used as the transparent substrate material. On the surface of the transparent substrate, predetermined fine irregularities constituting pits and grooves may be formed. When a groove is formed, the groove can be used as a guide groove to move the laser beam to any position on the disk. In the case of a pit, this becomes an information signal and the recorded information is read by irradiating the laser beam. It can be performed. The predetermined fine irregularities can be formed by injection molding or a photopolymerization method (2P method).
【００１７】第１の誘電体層３および第２の誘電体層６
は、Ｃ／Ｎ特性を向上させ、第１の記録層４および第２
の記録層５の腐食を防止するために形成される。すなわ
ち、透明基板２や、保護層８中には、塩素イオン等、金
属を腐食させる成分が含まれている場合が多いので、第
１の誘電体層３および第２の誘電体層６を、中間に第１
の記録層４および第２の記録層５を挟み込むようにして
形成することにより、金属を腐食させる成分に直接影響
されることを回避することができる。First dielectric layer 3 and second dielectric layer 6
Improves the C / N characteristics, and improves the first recording layer 4 and the second
Is formed in order to prevent the recording layer 5 from being corroded. That is, since the transparent substrate 2 and the protective layer 8 often contain components that corrode metals such as chlorine ions, the first dielectric layer 3 and the second dielectric layer 6 are First in the middle
By interposing the recording layer 4 and the second recording layer 5 therebetween, it is possible to avoid being directly affected by components that corrode the metal.
【００１８】なお、第１の誘電体層３および第２の誘電
体層６は、記録再生用のレーザー光の適用波長に対し
て、吸収能の低い材料により形成することが必要であ
る。例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合体や、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｂ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｌａ，Ｇｅ
等の金属および半金属の元素の窒化物、酸化物、炭化
物、フッ化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物、ＳＩＡ
ｌＯＮ等からなる層、およびこれらを主成分とする材料
を適用することができる。なお、第１の誘電体層３は、
例えば３０〜１００〔ｎｍ〕の膜厚に形成することがで
き、第２の誘電体層６は、例えば５〜１００〔ｎｍ〕の
膜厚に形成することができる。The first dielectric layer 3 and the second dielectric layer 6 need to be formed of a material having a low absorptivity with respect to the application wavelength of the recording / reproducing laser beam. For example, a ZnS—SiO 2 mixture, Al, Si,
Ta, Ti, Zr, Mg, B, Zn, Pd, La, Ge
Metal and semi-metal elements such as nitrides, oxides, carbides, fluorides, oxynitrides, oxycarbides, oxycarbides, SIA
A layer made of 1ON or the like, or a material containing these as a main component can be used. Note that the first dielectric layer 3
For example, it can be formed to a thickness of 30 to 100 [nm], and the second dielectric layer 6 can be formed to a thickness of, for example, 5 to 100 [nm].
【００１９】反射層７には、例えば、Ａｌ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ．Ｐｄ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｇｅ等の金属単体、あるいはこれらを主
成分とする合金により形成することができる。例えば、
Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｍｇ−Ｓ
ｉ，Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ−，Ｓｉ−Ｂ
等を適用することができる。特に、Ａｌ系やＡｇ系の材
料は、短波長領域においても、レーザー光に対して高反
射率を有するので、反射層７を形成する材料として好適
である。なお、この反射層７は、単層構造であってもよ
く２層以上の多層構造とすることもできる。For example, Al, Ag, A
u, Cu, Ni, Cr, Ti. Pd, Co, Si, T
It can be formed of a single metal such as a, W, Mo, Ge or the like, or an alloy containing these as a main component. For example,
Al-Ti, Al-Cr, Al-Co, Al-Mg-S
i, Ag-Pd-Cu, Ag-Pd-Ti-, Si-B
Etc. can be applied. In particular, an Al-based or Ag-based material has a high reflectance to laser light even in a short wavelength region, and is therefore suitable as a material for forming the reflective layer 7. The reflection layer 7 may have a single-layer structure or a multi-layer structure of two or more layers.
【００２０】保護層８は、反射層７上に積層形成される
ものとし、これは、紫外線硬化性樹脂によって形成する
ことができる。保護層８は、５〜２０〔μｍ〕程度の膜
厚にすることができる。The protective layer 8 is formed on the reflective layer 7 by lamination, and can be formed of an ultraviolet curable resin. The protective layer 8 can have a thickness of about 5 to 20 [μm].
【００２１】本発明の光磁気記録媒体１を構成する第１
の記録層４は、Ｇｄ、Ｆｅ，Ｃｏから成るものとし、Ｇ
ｄが２８〜３０〔ａｔｏｍ％〕含有されて成り、かつ膜
厚が５０〜１００Åであるものとする。The first part of the magneto-optical recording medium 1 of the present invention
The recording layer 4 is made of Gd, Fe, Co.
It is assumed that d is 28 to 30 [atom%] and the film thickness is 50 to 100 °.
【００２２】また、本発明の光磁気記録媒体を構成する
第２の記録層５は、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏから成るもの、あ
るいはＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒから成るものとし、Ｔｂ
が２２〜２４〔ａｔｏｍ％〕であって、Ｃｒを構成要素
とするときにはその含有量は、１〔ａｔｏｍ％〕以下と
し、第２の記録層の膜厚は、１８０〜２５０Åであるも
のとする。The second recording layer 5 constituting the magneto-optical recording medium of the present invention is made of Tb, Fe, Co, or Tb, Fe, Co, Cr.
Is 22 to 24 [atom%], and when Cr is a constituent element, its content is 1 [atom%] or less, and the thickness of the second recording layer is 180 to 250 [deg.]. .
【００２３】次に、本発明の光磁気記録媒体について、
具体的な〔実施例〕および〔比較例〕を挙げて説明する
が、本発明は、以下に示す例に限定されるものではな
い。Next, regarding the magneto-optical recording medium of the present invention,
The present invention will be described with reference to specific examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.
【００２４】〔実施例１〕以下のようにして、図１に示
した構造の光磁気記録媒体を作製した。透明基板２とし
て、ポリカーボネート樹脂により、外径６４〔ｍｍ〕、
厚さ１．２〔ｍｍ〕のディスク状基板を作製する。続い
て、Ａｒ雰囲気中において、Ｓｉをターゲットとして、
スパッタ法により透明基板２上に窒化ケイ素膜を成膜し
て第１の誘電体層３を形成した。次に、Ｇｄ、Ｆｅ、お
よびＣｏを用いて、Ａｒ雰囲気下でスパッタ法により、
第１の記録層４を成膜した。このとき、第１の記録層４
におけるＧｄ含有量を、２９〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚
を７０〔Å〕とした。次に、Ｔｂ、Ｆｅ、およびＣｏを
用いて、Ａｒ雰囲気下で、スパッタ法により、第２の記
録層５を成膜した。このとき、第２の記録層５における
Ｔｂ含有量を、２２〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を２３０
〔Å〕とした。続いて、Ａｒ雰囲気中において、Ｓｉを
ターゲットとして、スパッタ法により窒化ケイ素膜を成
膜して第２の誘電体層６を形成した。第２の誘電体層６
上に、Ａｌ−Ｔｉ合金をターゲットとして、スパッタ法
により金属層を成膜して反射層７を形成した。次に、反
射層７上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートすること
にことにより、保護層８を形成し、目的とする光磁気記
録媒体７を作製した。Example 1 A magneto-optical recording medium having the structure shown in FIG. 1 was manufactured as follows. As the transparent substrate 2, an outer diameter of 64 [mm] made of polycarbonate resin,
A disk-shaped substrate having a thickness of 1.2 [mm] is manufactured. Then, in an Ar atmosphere, using Si as a target,
A first dielectric layer 3 was formed by forming a silicon nitride film on the transparent substrate 2 by a sputtering method. Next, using Gd, Fe, and Co by an sputtering method in an Ar atmosphere,
The first recording layer 4 was formed. At this time, the first recording layer 4
Was 29 [atom%], and the film thickness was 70 [Å]. Next, the second recording layer 5 was formed by sputtering using Tb, Fe, and Co in an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 22 [atom%], and the film thickness was set to 230 [atom%].
[Å]. Subsequently, a silicon nitride film was formed by a sputtering method using Si as a target in an Ar atmosphere to form a second dielectric layer 6. Second dielectric layer 6
A reflective layer 7 was formed thereon by forming a metal layer by sputtering using an Al-Ti alloy as a target. Next, the protective layer 8 was formed by spin-coating an ultraviolet-curable resin on the reflective layer 7, thereby producing a target magneto-optical recording medium 7.
【００２５】〔実施例２〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、２９〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を５０〔Å〕と
した。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔｂ、
Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ雰囲気下で、スパッタ
法により成膜した。このとき、第２の記録層５における
Ｔｂ含有量を、２２〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を２５０
〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘電体層
３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８につい
ては、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するものと
し、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として光磁
気記録媒体を作製した。[Embodiment 2] The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe, and Co to form an Ar layer.
The film was formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content was 29 [atom%], and the film thickness was 50 [Å]. The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with Tb,
A film was formed by sputtering using Fe and Co under an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 22 [atom%], and the film thickness was set to 250 [atom%].
[Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8 are formed in the same manner as in [Example 1]. A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] for the film order.
【００２６】〔実施例３〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、２８〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を１００〔Å〕
とした。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔ
ｂ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ雰囲気下で、スパ
ッタ法により成膜した。このとき、第２の記録層５にお
けるＴｂ含有量を、２４〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を２
００〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘電体
層３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８につ
いては、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するものと
し、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として光磁
気記録媒体を作製した。[Embodiment 3] The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe, and Co to form an Ar layer.
The film is formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content is 28 atom%, and the film thickness is 100 [Å].
And The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with T
A film was formed by sputtering using b, Fe, and Co under an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 24 [atom%], and the film thickness was set to 2 [atom%].
00 [Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8 are formed in the same manner as in [Example 1]. A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] for the film order.
【００２７】〔実施例４〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、３０〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を５０〔Å〕と
した。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔｂ、
Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ雰囲気下で、スパッタ
法により成膜した。このとき、第２の記録層５における
Ｔｂ含有量を、２２〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を２５０
〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘電体層
３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８につい
ては、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するものと
し、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として光磁
気記録媒体を作製した。[Embodiment 4] The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe, and Co to form an Ar layer.
The film was formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content was 30 [atom%], and the film thickness was 50 [Å]. The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with Tb,
A film was formed by sputtering using Fe and Co under an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 22 [atom%], and the film thickness was set to 250 [atom%].
[Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8 are formed in the same manner as in [Example 1]. A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] for the film order.
【００２８】〔実施例５〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、２８〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を１００〔Å〕
とした。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔ
ｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＣｒを用いて、Ａｒ雰囲気下
で、スパッタ法により成膜した。このとき、第２の記録
層５におけるＴｂ含有量を、２２〔ａｔｏｍ％〕とし、
第２の記録層５におけるＣｒの含有量を、１〔ａｔｏｍ
％〕とし、膜厚を２００〔Å〕とした。その他、透明基
板２、第１の誘電体層３、第２の誘電体層６、反射層７
および保護層８については、上記〔実施例１〕と同様に
して成膜するものとし、各成膜順についても〔実施例
１〕と同様として光磁気記録媒体を作製した。[Embodiment 5] The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe, and Co to form an Ar layer.
The film is formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content is 28 atom%, and the film thickness is 100 [Å].
And The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with T
Films were formed by sputtering using b, Fe, Co, and Cr in an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 22 [atom%],
The content of Cr in the second recording layer 5 is set to 1 [atom
%] And the film thickness was 200 [２００]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflection layer 7
The protective layer 8 was formed in the same manner as in [Example 1], and a magneto-optical recording medium was manufactured in the same order as in [Example 1].
【００２９】〔比較例１〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、２７〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を１２０〔Å〕
とした。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔ
ｂ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ雰囲気下で、スパ
ッタ法により成膜した。このとき、第２の記録層５にお
けるＴｂ含有量を、２４．５〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚
を１８０〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘
電体層３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８
については、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するも
のとし、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として
光磁気記録媒体を作製した。[Comparative Example 1] The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe, and Co to form an Ar layer.
The film is formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content is 27 [atom%], and the film thickness is 120 [１２０].
And The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with T
A film was formed by sputtering using b, Fe, and Co under an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 24.5 [atom%], and the film thickness was set to 180 [Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8
Was formed in the same manner as in [Example 1], and a magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] in each film formation order.
【００３０】〔比較例２〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、２９〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を１４０〔Å〕
とした。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔ
ｂ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ雰囲気下で、スパ
ッタ法により成膜した。このとき、第２の記録層５にお
けるＴｂ含有量を、２１〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を１
６０〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘電体
層３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８につ
いては、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するものと
し、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として光磁
気記録媒体を作製した。Comparative Example 2 The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe and Co,
The film is formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content is 29 [atom%], and the film thickness is 140 [１４０].
And The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with T
A film was formed by sputtering using b, Fe, and Co under an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 21 [atom%], and the film thickness was set to 1
60 [Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8 are formed in the same manner as in [Example 1]. A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] for the film order.
【００３１】〔比較例３〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、３１〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を５０〔Å〕と
した。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔｂ、
Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ雰囲気下で、スパッタ
法により成膜した。このとき、第２の記録層５における
Ｔｂ含有量を、２２〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を２５０
〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘電体層
３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８につい
ては、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するものと
し、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として光磁
気記録媒体を作製した。[Comparative Example 3] The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe, and Co to form an Ar layer.
The film was formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content was 31 [atom%], and the film thickness was 50 [Å]. The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with Tb,
A film was formed by sputtering using Fe and Co under an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 22 [atom%], and the film thickness was set to 250 [atom%].
[Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8 are formed in the same manner as in [Example 1]. A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] for the film order.
【００３２】〔比較例４〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、２７〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を１００〔Å〕
とした。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔ
ｂ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ雰囲気下で、スパ
ッタ法により成膜した。このとき、第２の記録層５にお
けるＴｂ含有量を、２５〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を２
００〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘電体
層３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８につ
いては、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するものと
し、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として光磁
気記録媒体を作製した。COMPARATIVE EXAMPLE 4 The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe, and Co to form an Ar layer.
The film is formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content is 27 [atom%], and the film thickness is 100 [Å].
And The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with T
A film was formed by sputtering using b, Fe, and Co under an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 25 [atom%], and the film thickness was set to 2 [atom%].
00 [Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8 are formed in the same manner as in [Example 1]. A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] for the film order.
【００３３】〔比較例５〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、３０〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を２０〔Å〕と
した。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔｂ、
Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ雰囲気下で、スパッタ
法により成膜した。このとき、第２の記録層５における
Ｔｂ含有量を、２２〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を２８０
〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘電体層
３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８につい
ては、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するものと
し、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として光磁
気記録媒体を作製した。COMPARATIVE EXAMPLE 5 The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe, and Co to form an Ar layer.
The film was formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content was 30 [atom%], and the film thickness was 20 [Å]. The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with Tb,
A film was formed by sputtering using Fe and Co under an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 22 [atom%], and the film thickness was set to 280.
[Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8 are formed in the same manner as in [Example 1]. A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] for the film order.
【００３４】〔比較例６〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、２８〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を１２０〔Å〕
とした。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔ
ｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＣｒを用いて、Ａｒ雰囲気下
で、スパッタ法により成膜した。このとき、第２の記録
層５におけるＴｂ含有量を、２４〔ａｔｏｍ％〕とし、
Ｃｒの含有量を、２〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を１８０
〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘電体層
３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８につい
ては、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するものと
し、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として光磁
気記録媒体を作製した。[Comparative Example 6] The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe, and Co to form an Ar layer.
The film is formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content is 28 atom%, and the film thickness is 120 [膜厚].
And The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with T
Films were formed by sputtering using b, Fe, Co, and Cr in an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 was set to 24 [atom%],
The content of Cr is set to 2 [atom%], and the film thickness is set to 180 [atom%].
[Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8 are formed in the same manner as in [Example 1]. A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] for the film order.
【００３５】〔比較例７〕第１の記録層４は、第１の誘
電体層３上に、Ｇｄ、Ｆｅ、およびＣｏを用いて、Ａｒ
雰囲気下でスパッタ法により成膜するものとし、Ｇｄ含
有量を、３１〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を５０〔Å〕と
した。第２の記録層５は、第１の記録層４上に、Ｔｂ、
Ｆｅ、Ｃｏ、およびＣｒを用いて、Ａｒ雰囲気下で、ス
パッタ法により成膜した。このとき、第２の記録層５に
おけるＴｂ含有量を、２３〔ａｔｏｍ％〕とし、Ｃｒの
含有量を、１．５〔ａｔｏｍ％〕とし、膜厚を２５０
〔Å〕とした。その他、透明基板２、第１の誘電体層
３、第２の誘電体層６、反射層７および保護層８につい
ては、上記〔実施例１〕と同様にして成膜するものと
し、各成膜順についても〔実施例１〕と同様として光磁
気記録媒体を作製した。Comparative Example 7 The first recording layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by using Gd, Fe and Co,
The film was formed by a sputtering method in an atmosphere, the Gd content was 31 [atom%], and the film thickness was 50 [Å]. The second recording layer 5 is provided on the first recording layer 4 with Tb,
A film was formed by sputtering using Fe, Co, and Cr in an Ar atmosphere. At this time, the Tb content in the second recording layer 5 is 23 [atom%], the Cr content is 1.5 [atom%], and the film thickness is 250.
[Å]. In addition, the transparent substrate 2, the first dielectric layer 3, the second dielectric layer 6, the reflective layer 7, and the protective layer 8 are formed in the same manner as in [Example 1]. A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in [Example 1] for the film order.
【００３６】上述のようにして作製した〔実施例１〕〜
〔実施例５〕および〔比較例１〕〜〔比較例７〕の各光
磁気記録媒体を、光磁気ディスク標準評価装置を用い
て、それぞれのＣ／Ｎ特性評価を行った。Ｃ／Ｎ特性評
価は、初期のＣ／Ｎ〔ｄＢ〕の測定を行い、繰り返し記
録後のＣ／Ｎ〔ｄＢ〕の測定を行うものとした。なお、
繰り返し記録に関しては１０6 回記録を行うものとし、
その後、Ｃ／Ｎ〔ｄＢ〕の測定を行い、繰り返し記録後
のＣ／Ｎ特性評価とした。Ｃ／Ｎレベルとしては、初期
のＣ／Ｎ〔ｄＢ〕および繰り返し記録後のＣ／Ｎ〔ｄ
Ｂ〕の双方において４９ｄＢ以上を確保することを実用
上の目的値とするものとし、さらに、繰り返し記録後の
劣化のレベルは、１〔ｄＢ〕未満に抑えられているもの
を、実用上、良好なレベルとして設定する。測定条件
は、以下の通りとする。 レーザー波長：７８０〔ｎｍ〕 開口率ＮＡ ：０．４５ 記録時レーザーパワー：４．５５〔ｍＷ〕 再生レーザーパワー：０．６〔ｍＷ〕 バイアス磁界：１００〔Ｏｅ〕 各光磁気記録媒体の作製条件と、上記Ｃ／Ｎ特性評価の
評価結果について、下記〔表１〕に示す。[Example 1]
Each of the magneto-optical recording media of [Example 5] and [Comparative Examples 1] to [Comparative Example 7] was evaluated for C / N characteristics using a magneto-optical disk standard evaluation device. In the C / N characteristic evaluation, the initial C / N [dB] was measured, and the C / N [dB] after repeated recording was measured. In addition,
For repetitive recording, it shall be recorded 10 6 times,
Thereafter, C / N [dB] was measured, and the C / N characteristics after repeated recording were evaluated. The C / N level includes an initial C / N [dB] and a C / N [d after repeated recording.
B], a practical objective value is to secure 49 dB or more. Further, the deterioration level after repeated recording is suppressed to less than 1 [dB]. Set as a suitable level. The measurement conditions are as follows. Laser wavelength: 780 [nm] Aperture ratio NA: 0.45 Recording laser power: 4.55 [mW] Reproduction laser power: 0.6 [mW] Bias magnetic field: 100 [Oe] Manufacturing conditions of each magneto-optical recording medium And the evaluation results of the C / N characteristic evaluation are shown in [Table 1] below.
【００３７】[0037]
【表１】 [Table 1]
【００３８】〔表１〕に示すように、第１の記録層４
が、Ｇｄ、Ｆｅ，Ｃｏから成り、特にＧｄの含有量を２
８〜３０〔ａｔｏｍ％〕の範囲とし、第１の記録層４の
膜厚が５０〜１００Åであり、第２の記録層５が、少な
くともＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏからなり、Ｔｂの含有量を２２
〜２４〔ａｔｏｍ％〕の範囲とし、第２の記録層５の膜
厚が１８０〜２５０Åの範囲に形成するものとした〔実
施例１〕〜〔実施例５〕の光磁気記録媒体においては、
それぞれの初期Ｃ／Ｎレベルおよび繰り返し記録後のＣ
／Ｎレベルは、ともに４９〔ｄＢ〕程度以上確保されて
おり、かつ初期Ｃ／Ｎレベルに比較して繰り返し記録後
のＣ／Ｎレベルの劣化が、１〔ｄＢ〕未満であり、光磁
気記録媒体の実用上、良好なレベルを有することがわか
った。As shown in Table 1, the first recording layer 4
Is composed of Gd, Fe, and Co. In particular, the content of Gd is 2
The thickness of the first recording layer 4 is 50 to 100 °, the second recording layer 5 is made of at least Tb, Fe, and Co, and the content of Tb is 22%.
In the magneto-optical recording media of [Examples 1] to [Example 5], the second recording layer 5 is formed to have a thickness of 180 to 250 °.
Initial C / N level and C after repeated recording
/ N level is secured at least about 49 [dB], and the deterioration of the C / N level after repeated recording is less than 1 [dB] compared to the initial C / N level. It has been found that the medium has a good level for practical use.
【００３９】〔表１〕中、〔実施例５〕の光磁気記録媒
体は、第２の記録層５にＣｒを１〔ａｔｏｍ％〕含有さ
せた例であるが、Ｃｒを含有させないものとした〔実施
例１〕〜〔実施例４〕に比較して、さらに繰り返し記録
後のＣ／Ｎレベルの劣化度が、少なくなっており、Ｃｒ
を含有させたことにより耐久性に優れた光磁気記録媒体
が得られることがわかった。In Table 1, the magneto-optical recording medium of [Example 5] is an example in which the second recording layer 5 contains 1 [atom%] of Cr, but does not contain Cr. Compared with [Example 1] to [Example 4], the degree of deterioration of the C / N level after repeated recording was further reduced.
It has been found that the inclusion of the compound provides a magneto-optical recording medium having excellent durability.
【００４０】〔比較例１〕は、第１の記録層４中のＧｄ
の含有量が２８〔ａｔｏｍ％〕未満の２７〔ａｔｏｍ
％〕とし、第１の記録層４の膜厚を１００〔Å〕を越え
る１２０〔Å〕とし、第２の記録層５中のＴｂの含有量
を２４〔ａｔｏｍ％〕を越える２４．５〔ａｔｏｍ％〕
としたものであるが、この例においては、繰り返し記録
後のＣ／Ｎレベルの劣化が大きく、実用上必要な４９
〔ｄＢ〕を確保できないものとなった。[Comparative Example 1] shows that Gd in the first recording layer 4
[Atom content of less than 28 [atom%]
%], The thickness of the first recording layer 4 is set to 120 [Å] exceeding 100 [Å], and the content of Tb in the second recording layer 5 is set to 24.5 [%] exceeding 24 [atom%]. atom%]
However, in this example, the C / N level after repetitive recording greatly deteriorates, and it is necessary for practical use.
[DB] could not be secured.
【００４１】〔比較例２〕は、第１の記録層４の膜厚を
１００〔Å〕を越える１４０〔Å〕とし、第２の記録層
５の膜厚を１８０〔Å〕未満である１６０〔Å〕とし、
第２の記録層５中のＴｂの含有量を２２〔ａｔｏｍ％〕
未満の２１〔ａｔｏｍ％〕としたものであるが、この例
においては、初期Ｃ／Ｎレベルおよび繰り返し記録後の
Ｃ／Ｎレベルの双方が４９〔ｄＢ〕に達しておらず、繰
り返し記録後のＣ／Ｎレベルの劣化も大きいものとなっ
た。In [Comparative Example 2], the thickness of the first recording layer 4 was set to 140 [Å] exceeding 100 [Å], and the thickness of the second recording layer 5 was set to less than 180 [Å] 160. [Å]
When the content of Tb in the second recording layer 5 is 22 [atom%]
In this example, both the initial C / N level and the C / N level after repetitive recording did not reach 49 [dB], and thus after repetitive recording. The deterioration of the C / N level was also large.
【００４２】〔比較例３〕は、第１の記録層４中のＧｄ
の含有量が３０〔ａｔｏｍ％〕を越える３１〔ａｔｏｍ
％〕としたものであるが、この例においては、繰り返し
記録後のＣ／Ｎレベルの劣化が大きく、実用上必要な４
９〔ｄＢ〕を確保できないものとなった。[Comparative Example 3] shows that Gd in the first recording layer 4
Content of more than 30 [atom%] to 31 [atom%]
%], However, in this example, the C / N level after repetitive recording greatly deteriorates,
9 [dB] could not be secured.
【００４３】〔比較例４〕は、第１の記録層４中のＧｄ
の含有量が２８〔ａｔｏｍ％〕未満の２７〔ａｔｏｍ
％〕とし、第２の記録層５中のＴｂの含有量を２４〔ａ
ｔｏｍ％〕を越える２５〔ａｔｏｍ％〕としたものであ
るが、この例においては、初期Ｃ／Ｎレベルおよび繰り
返し記録後のＣ／Ｎレベルの双方が４９〔ｄＢ〕に達し
ておらず、繰り返し記録後のＣ／Ｎレベルの劣化も大き
いものとなった。[Comparative Example 4] shows that Gd in the first recording layer 4
[Atom content of less than 28 [atom%]
%] And the content of Tb in the second recording layer 5 is 24 [a
In this example, both the initial C / N level and the C / N level after repeated recording have not reached 49 [dB], and The deterioration of the C / N level after recording was also large.
【００４４】〔比較例５〕は、第１の記録層４の膜厚を
５０〔Å〕未満である２０〔Å〕とし、第２の記録層５
の膜厚を２５０〔Å〕を越える２８０〔Å〕としたもの
であるが、この例においては、初期Ｃ／Ｎレベルおよび
繰り返し記録後のＣ／Ｎレベルの双方が４９〔ｄＢ〕に
達しておらず、繰り返し記録後のＣ／Ｎレベルの劣化も
大きいものとなった。In [Comparative Example 5], the thickness of the first recording layer 4 was set to 20 [Å], which is less than 50 [Å], and the thickness of the second recording layer 5 was set to 20 [Å].
Is 280 [８０] exceeding 250 [Å]. In this example, both the initial C / N level and the C / N level after repeated recording reach 49 [dB]. However, the deterioration of the C / N level after repeated recording became large.
【００４５】〔比較例６〕は、第１の記録層４の膜厚を
１００〔Å〕を越える１２０〔Å〕とし、第２の記録層
５中のＣｒの含有量を、２〔ａｔｏｍ％〕としたもので
あるが、この例においては、初期Ｃ／Ｎレベルおよび繰
り返し記録後のＣ／Ｎレベルの双方が４９〔ｄＢ〕に達
していないものとなった。In [Comparative Example 6], the thickness of the first recording layer 4 was set to 120 [Å] exceeding 100 [Å], and the content of Cr in the second recording layer 5 was set to 2 [atom%]. In this example, both the initial C / N level and the C / N level after repeated recording did not reach 49 [dB].
【００４６】〔比較例７〕は、第１の記録層４中のＧｄ
の含有量が３０〔ａｔｏｍ％〕を越える３１〔ａｔｏｍ
％〕とし、第２の記録層５中のＣｒの含有量を、１．５
〔ａｔｏｍ％〕としたものであるが、この例において
は、初期Ｃ／Ｎレベルおよび繰り返し記録後のＣ／Ｎレ
ベルの双方が４９〔ｄＢ〕に達しておらず、繰り返し記
録後のＣ／Ｎレベルの劣化も大きいものとなった。な
お、この〔比較例６〕および〔比較例７〕の評価結果と
上記〔実施例５〕の評価結果とを比較して、第２の記録
層５中のＣｒの含有量は、１〔ａｔｏｍ％〕以下とする
ことが必要であることがわかった。[Comparative Example 7] shows that Gd in the first recording layer 4
Content of more than 30 [atom%] to 31 [atom%]
%] And the content of Cr in the second recording layer 5 is 1.5%
In this example, both the initial C / N level and the C / N level after repeated recording have not reached 49 [dB], and the C / N after repeated recording has been set. The deterioration of the level was also large. By comparing the evaluation results of [Comparative Example 6] and [Comparative Example 7] with the evaluation results of [Example 5], the content of Cr in the second recording layer 5 was 1 [atom]. %] Or less.
【００４７】[0047]
【発明の効果】本発明によれば、初期Ｃ／Ｎレベルおよ
び繰り返し記録後のＣ／Ｎレベルの双方を、実用充分な
高いレベルに確保でき、かつ特性劣化の少なく高いＣ／
Ｎ特性を維持した磁界変調オーバーライトが可能な光磁
気記録媒体を提供することができた。According to the present invention, both the initial C / N level and the C / N level after repetitive recording can be secured at a practically high level, and the C / N level is high with little characteristic deterioration.
It was possible to provide a magneto-optical recording medium capable of performing magnetic field modulation overwriting while maintaining N characteristics.
【００４８】本発明によれば、スパッタリングにより第
１の記録層および第２の記録層を形成し、２層構造の記
録層を形成したので、低い磁界の際に記録される記録層
と、高い磁界においても記録される記録層の双方を形成
したものとでき、これにより、Ｃ／Ｎ特性の向上を効果
的に図ることができた。According to the present invention, the first recording layer and the second recording layer are formed by sputtering, and the recording layer having a two-layer structure is formed. Both of the recording layers on which recording was performed even in a magnetic field could be formed, thereby effectively improving the C / N characteristics.
【００４９】本発明の光磁気記録媒体によれば、Ｃ／Ｎ
特性を向上させることができるので、エラーレートのマ
ージンも向上し、外乱の影響を受けにくくなり、レーザ
ー光照射により読みだされる信号の品質の向上を図るこ
とができ、安定した信号再生を行うことができるように
なる。さらに、第１および第２の記録層の膜厚を最適化
することにより、繰り返し記録を行った場合において
も、信号の劣化を回避した高い安定性を維持することが
できた。According to the magneto-optical recording medium of the present invention, C / N
Since the characteristics can be improved, the margin of the error rate is also improved, the influence of disturbance is reduced, the quality of the signal read by laser beam irradiation can be improved, and stable signal reproduction is performed. Will be able to do it. Further, by optimizing the film thicknesses of the first and second recording layers, it was possible to maintain high stability in which signal deterioration was avoided even when repeated recording was performed.
【００５０】本発明によれば、特に、第２の記録層中に
Ｃｒを１〔ａｔｏｍ％〕以下含有させることにより、初
期Ｃ／Ｎレベルおよび繰り返し記録後のＣ／Ｎレベルの
双方を、実用充分な高いレベルに確保でき、かつ特性劣
化の少ない高耐久性の光磁気記録媒体とすることができ
た。According to the present invention, in particular, by including 1 [atom%] or less of Cr in the second recording layer, both the initial C / N level and the C / N level after repeated recording are practically used. A sufficiently high level was obtained, and a highly durable magneto-optical recording medium with little characteristic deterioration was obtained.
【００５１】[0051]
【図１】本発明の光磁気記録媒体の一例の概略断面図を
示す。FIG. 1 is a schematic sectional view of an example of a magneto-optical recording medium according to the present invention.
１ 光磁気記録媒体、２ 透明基板、３ 第１の誘電体
層、４ 第１の記録層、５ 第２の記録層、６ 第２の
誘電体層、７ 反射層、８ 保護層、１０ 記録層REFERENCE SIGNS LIST 1 magneto-optical recording medium, 2 transparent substrate, 3 first dielectric layer, 4 first recording layer, 5 second recording layer, 6 second dielectric layer, 7 reflective layer, 8 protective layer, 10 recording layer
Claims (2)
録層と、第２の記録層とを有する光磁気記録媒体であっ
て、 上記第１の記録層は、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏから成り、上記
Ｇｄが２８〜３０〔ａｔｏｍ％〕含有されて成り、膜厚
が５０〜１００Åであり、 上記第２の記録層は、少なくともＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏから
成り、かつＴｂが２２〜２４〔ａｔｏｍ％〕含有されて
成り、膜厚が１８０〜２５０Åであることを特徴とする
光磁気記録媒体。1. A magneto-optical recording medium having at least a first recording layer and a second recording layer on a light-transmitting substrate, wherein the first recording layer is made of Gd, Fe, Co. The second recording layer is made of at least Tb, Fe, and Co, and has a Tb of 22 to 24 [atomic%]. atom%], and has a film thickness of 180 to 250 °.
およびＣｒから成り、 上記Ｃｒが１〔ａｔｏｍ％〕以下含有されて成ることを
特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。2. The second recording layer is composed of Tb, Fe, Co
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein said magneto-optical recording medium is composed of at least 1 atom%.
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