JP2001297781A - Film forming method - Google Patents

Film forming method

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JP2001297781A
JP2001297781A JP2000109195A JP2000109195A JP2001297781A JP 2001297781 A JP2001297781 A JP 2001297781A JP 2000109195 A JP2000109195 A JP 2000109195A JP 2000109195 A JP2000109195 A JP 2000109195A JP 2001297781 A JP2001297781 A JP 2001297781A
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slurry
film
film forming
forming method
powder
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Haruo Nishiyama
治男 西山
Akira Ueno
晃 上野
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Toto Ltd
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Toto Ltd
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    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming method which is economical, suitable for mass production, and easily applicable to big surface area, to form a fine solid state electrolyte film/interconnector film, and a porous air electrode film/fuel electrode film. SOLUTION: The film forming method of slurry coat is a method to form a homogeneous film on a fine or porous cylindrical base board. By forming the film under atmospheric or reduced pressure, arranging the cylindrical base board in horizontal direction, and making the base board rotate on its own axis, such a films as a fine solid state electrolyte film.an interconnector film, a porous air electrode film.a fuel electrode film, which are provided especially to such elements as SOFC with high efficiency at a low cost, oxygen sensor, oxygen pump, are enabled to form so as to have homogeneous thickness.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解質型燃料
電池(以下SOFCとも言う)の円筒形状型をした基盤
上に、固体電解質薄膜、空気極、インターコネクター
(セパレーター)、燃料極の各部材を、安価な製造方法
であるスラリーコート法により均一成膜を行う成膜方法
に関する。
The present invention relates to a solid electrolyte thin film, an air electrode, an interconnector (separator), and a fuel electrode on a cylindrical base of a solid oxide fuel cell (hereinafter also referred to as SOFC). To a film forming method for forming a uniform film by a slurry coating method which is an inexpensive manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】SOFC用固体電解質薄膜を例にとって
緻密電解質膜成膜方法の従来技術を説明する。SOFC
においては、酸素イオン(O2-)透過性を有し、かつ、
ガス透過性の無い固体電解質薄膜が必要とされる。この
固体電解質薄膜(ZrO2、CeO2等)は、これら両特
性を満足するため、薄くて緻密なものであることが要求
される。さらに、経済的に大面積の薄膜を形成できるこ
とも求められる。このSOFCの発電用セルでは、一般
的に厚さ0.3〜5.0mmの多孔質の基体の上に、厚
さ30〜2000μmの固体電解質膜が形成される。さ
らに、その上に、燃料極(Ni基サーメット等)が形成
される。
2. Description of the Related Art The prior art of a method for forming a dense electrolyte membrane will be described by taking a solid electrolyte thin film for SOFC as an example. SOFC
Has oxygen ion (O 2− ) permeability, and
A solid electrolyte thin film having no gas permeability is required. This solid electrolyte thin film (ZrO 2 , CeO 2, etc.) is required to be thin and dense in order to satisfy both these characteristics. Furthermore, it is also required that a large-area thin film can be formed economically. In the power generation cell of this SOFC, a solid electrolyte membrane having a thickness of 30 to 2000 μm is generally formed on a porous substrate having a thickness of 0.3 to 5.0 mm. Further, a fuel electrode (Ni-based cermet or the like) is formed thereon.

【0003】SOFCセル用に、薄くて緻密であり、か
つ、低コストで量産性に優れた固体電解質薄膜を得るこ
とを目標として、以下が提案されている。 CVD・EVD(化学電気蒸着法)による製造方法
(特開昭61−91880):この製造方法では、第一
電極を多孔質支持体に付着させ、導電性で酸素透過性の
中間物質を第一電極上に付着させることにより第一電極
を高温度の金属ハロゲン化物の蒸気から保護し、この中
間層物質を高温度の金属ハロゲン化物の蒸気と接触させ
て中間層全面に金属酸化物からなる固体電解質を形成す
る。
The following has been proposed with the aim of obtaining a thin, dense, low-cost, and highly mass-producible solid electrolyte thin film for an SOFC cell. Production method by CVD / EVD (Chemical Electrodeposition) (JP-A-61-91880): In this production method, a first electrode is adhered to a porous support, and a conductive and oxygen-permeable intermediate substance is first produced. The first electrode is protected from high-temperature metal halide vapor by being deposited on the electrode, and the intermediate layer material is brought into contact with the high-temperature metal halide vapor to form a solid metal oxide on the entire surface of the intermediate layer. Form electrolyte.

【0004】 プラズマ溶射による製造方法(特開昭
61−198570):この製造方法は、酸化ジルコニ
ウムと希土類元素等の金属酸化物からなる固体電解質原
料を固溶化し、ついで固溶化された原料を粉砕し、この
粉砕して得られた粉末の粒度を調整した後、プラズマ溶
射により燃料電池の基板に電解質薄膜として付着せしめ
ることを特徴とする。同公報明細書の実施例によれば、
2μm以下の粒度の溶射粉を用いて、厚さ200μm、
端子電圧790mVの固体電解質薄膜が得られたとされ
ている。
Production method by plasma spraying (Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-198570): In this production method, a solid electrolyte raw material comprising zirconium oxide and a metal oxide such as a rare earth element is dissolved, and then the solidified raw material is pulverized. Then, after adjusting the particle size of the powder obtained by the pulverization, the powder is attached to the substrate of the fuel cell as an electrolyte thin film by plasma spraying. According to the example in the publication,
Using a spray powder having a particle size of 2 μm or less, a thickness of 200 μm,
It is alleged that a solid electrolyte thin film having a terminal voltage of 790 mV was obtained.

【0005】 スラリー塗布による製造方法(特開平
1−93065):この製造方法は、空気極層か燃料極
層かのいずれか一方の層を筒状に形成し、電解質および
他の極層を構成するそれぞれの材料の粉末スラリーを筒
状物表面に順次塗布乾燥させた後、焼成することを特徴
とする。同公報明細書の実施例によれば、厚さ150μ
mのYSZ膜が得られたとされている。
[0005] Manufacturing method by slurry application (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-93065): In this manufacturing method, one of an air electrode layer and a fuel electrode layer is formed in a cylindrical shape, and an electrolyte and another electrode layer are formed. The method is characterized in that a powder slurry of each material to be applied is sequentially applied to the surface of the cylindrical material, dried, and then fired. According to the embodiment of the publication, a thickness of 150 μm
It is said that m YSZ films were obtained.

【0006】 溶射+スラリー目止剤塗布による製造
方法(特開平2−220361):この製造方法は、基
体管上に溶射により形成した固体電解質層の隙間部に、
固形物濃度として40重量%以上のイットリア安定化ジ
ルコニアを含む目止剤を塗布した後、乾燥・焼成するこ
とを特徴とする。同公報明細書の実施例によれば、厚さ
100μmの空気プラズマ溶射膜に、粒径0.05〜
2.5μmのYSZ粉含有スラリーを塗布(刷毛手塗
り)後、乾燥・焼成して、通気率が極めて低い固体電解
質薄膜が得られたとされている。
[0006] Manufacturing method by thermal spraying + slurry filler (Japanese Patent Laid-Open No. 220361/1990): This manufacturing method uses a method in which a solid electrolyte layer formed on a base tube by thermal spraying is formed in a gap portion.
It is characterized in that after applying a filler containing yttria-stabilized zirconia at a solid concentration of 40% by weight or more, drying and firing are performed. According to the example of the publication, a particle diameter of 0.05 to 100 μm is applied to an air plasma sprayed film having a thickness of 100 μm.
It is said that a 2.5 μm YSZ powder-containing slurry was applied (hand-painted with a brush), dried and fired to obtain a solid electrolyte thin film having an extremely low air permeability.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上述の従来提案されて
いる技術には次のような技術的課題がある。 CVD法・EVD法:この方法は、緻密な薄膜を形
成するには適している。しかし、成膜を大気と遮断され
た特殊な雰囲気・物理条件下で行う必要があるため、高
価な装置を必要とする。大型の部材用には、当然その部
材を収容可能な大型の装置を必要とする。そのため、大
型部材への膜付は困難で、かつ生産性も低く、高コスト
である。また、腐食性の原料ガスを用いるため基板が腐
食されるリスクが高い。
The above-mentioned prior arts have the following technical problems. CVD method / EVD method: This method is suitable for forming a dense thin film. However, it is necessary to perform the film formation under a special atmosphere and physical conditions shielded from the atmosphere, so that an expensive apparatus is required. For a large member, a large device capable of accommodating the member is required. Therefore, it is difficult to apply a film to a large member, the productivity is low, and the cost is high. Further, since a corrosive raw material gas is used, there is a high risk that the substrate is corroded.

【0008】 プラズマ溶射法:同法による膜は、基
本的にポーラス(多孔質)である。そのため通気性を無
くするためには、ある程度の厚い膜としなければならな
い。そのため、高性能のセルを得ることができない。ま
た、量産性も低い。
[0008] Plasma spraying: A film formed by this method is basically porous. Therefore, in order to eliminate air permeability, it is necessary to form a thick film to some extent. Therefore, a high-performance cell cannot be obtained. In addition, mass productivity is low.

【0009】 スラリー塗布法:膜形成作業を大気下
で行え、かつ高価な装置も不要なため、経済的な方法で
ある。しかし、膜の緻密性、薄膜化に問題があるとされ
ていた。実際、特開平2−220361の実施例として
開示されている固体電解質薄膜は厚さ200μmと、こ
の種の膜の開発目標10〜50μmと比べて、かなり厚
いものである。また、膜の焼成切れが起きやすかったの
で、そのクラックを埋めながら緻密化を図るため、複数
回の焼成が必要であった。このような問題点を解決すべ
く、膜材料の焼結性を増すため、焼成温度の高温化やス
ラリー粉の微粉化も検討されていたが、前者については
基板と固体電解質との反応が問題となり、後者について
は0.1μm以下の粒径の微粉の大量作製に難があっ
た。
Slurry coating method: This is an economical method because the film forming operation can be performed in the atmosphere and no expensive equipment is required. However, it was said that there was a problem in the denseness and thinning of the film. In fact, the solid electrolyte thin film disclosed in the embodiment of JP-A-2-220361 has a thickness of 200 μm, which is considerably larger than the development target of such a film of 10 to 50 μm. In addition, since the firing of the film was apt to occur, a plurality of firings were required to achieve densification while filling the cracks. In order to solve such problems, raising the sintering temperature and pulverizing the slurry powder have been studied to increase the sinterability of the film material, but in the former case, the reaction between the substrate and the solid electrolyte is problematic. As for the latter, it was difficult to produce a large amount of fine powder having a particle size of 0.1 μm or less.

【0010】 溶射+スラリー目止法:2重工程とな
るとともに膜厚は厚くなりがちである。
[0010] Thermal spraying + slurry filling method: The film thickness tends to become thicker as the number of steps increases.

【0011】本発明は、円筒形状の基盤の外周面に経済
性、量産性、大面積適用容易な、均質な膜厚にて、組織
の緻密性・多孔性を制御した、固体電解質膜、空気極、
インターコネクター、燃料極の形成を提供することを目
的とする。
[0011] The present invention provides a solid electrolyte membrane, air, which has a uniform thickness, is economical, mass-producible, can be easily applied to a large area, and has a dense and porous structure of the tissue. very,
It is intended to provide the formation of interconnectors and anodes.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】第1の発明では、円筒基
盤を準備する第1の工程と、該円筒基盤を水平方向に設
置し、該円筒基盤を自転させながらスラリーを塗布する
第2の工程と、前記スラリーを塗布した円筒基盤を乾燥
・焼成する第3の工程と、を有する成膜方法を提供す
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a first step of preparing a cylindrical base, and a second step of setting the cylindrical base in a horizontal direction, and applying a slurry while rotating the cylindrical base. And a third step of drying and firing the cylindrical substrate coated with the slurry.

【0013】本発明において円筒基盤を水平方向に設置
するのは、軸方向における膜厚を均一にするためであ
り、また、自転させながらスラリーを塗布するのは、円
周方向における膜厚を均一にするためである。垂直方向
に設置し成膜を行うと、軸方向において下方側が厚膜化
となり、上方側が薄膜となり、軸方向に膜厚の差を生じ
るためでもある。
In the present invention, the cylindrical base is set in the horizontal direction to make the film thickness uniform in the axial direction, and the slurry is applied while rotating, so that the film thickness in the circumferential direction is made uniform. In order to This is also because if the film is installed in the vertical direction and the film is formed, the lower side becomes thicker in the axial direction and the upper side becomes thinner, and a difference in film thickness occurs in the axial direction.

【0014】第2の発明では、前記第2の工程のスラリ
ーの塗布方法として、円筒基盤をスラリー中に浸積する
ディッピングによることを特徴とする第1の発明に記載
の成膜方法を提供する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the film forming method according to the first aspect, wherein the slurry is applied in the second step by dipping in which a cylindrical base is immersed in the slurry. .

【0015】本発明においてディッピングにより成膜す
るのは、ディッピングでは基盤全体をスラリー中に均質
に浸積することが容易であるため、均一性膜に適してい
るためである。
The reason why the film is formed by dipping in the present invention is that dipping is suitable for a uniform film because it is easy to uniformly immerse the entire substrate in a slurry.

【0016】第3の発明では、前記第2の工程のスラリ
ーの塗布方法として、円筒基盤の上方よりスラリーを流
すフローコートによることを特徴とする第1の発明に記
載の成膜方法を提供する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the film forming method according to the first aspect, wherein the slurry is applied in the second step by flow coating in which the slurry flows from above the cylindrical base. .

【0017】本発明においてフローコートにより成膜す
るのは、基盤を自転させながら成膜する場合にはディッ
ピングと同程度の均質性膜に適しており、また、ディッ
ピングよりも少ないスラリー量にて成膜をすることが可
能であるからである。
In the present invention, film formation by flow coating is suitable for a uniform film of the same degree as dipping when forming a film while rotating the substrate, and is performed with a smaller amount of slurry than dipping. This is because a film can be formed.

【0018】第4の発明では、前記第2の工程のスラリ
ーの塗布方法として、円筒基盤にスラリーを噴霧する事
によることを特徴とする第1の発明に記載の成膜方法を
提供する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the film forming method according to the first aspect, wherein the slurry is applied to the cylindrical substrate by spraying the slurry in the second step.

【0019】本発明においてスラリーを噴霧する事によ
り成膜するのは、基盤を自転させながら成膜する場合に
はディッピングと同程度の均質性膜に適しており、ま
た、成膜装置として安価であるためである。
In the present invention, film formation by spraying a slurry is suitable for a uniform film of the same degree as dipping when forming a film while rotating the substrate, and is inexpensive as a film forming apparatus. Because there is.

【0020】第5の発明では、前記円筒基盤は多孔質で
あって、長手方向の片側が封止されており、前記第2の
工程においては、前記円筒基盤内部を減圧することを特
徴とする第1の発明乃至第4の発明のいずれかに記載の
成膜方法を提供する。
According to a fifth aspect of the present invention, the cylindrical base is porous and one side in the longitudinal direction is sealed, and the inside of the cylindrical base is depressurized in the second step. A film forming method according to any one of the first to fourth inventions is provided.

【0021】本発明において基盤内部を減圧にしながら
成膜するのは、固体電解質やインタコネクタの成膜にお
いて緻密な組織を得るためである。
In the present invention, the reason why the film is formed while the inside of the substrate is being depressurized is to obtain a fine structure in the film formation of the solid electrolyte and the interconnector.

【0022】第6の発明では、前記第3の工程において
は、前記円筒基盤を自転させながら乾燥することを特徴
とする第1の発明乃至第5の発明のいずれかに記載の成
膜方法を提供する。
According to a sixth aspect of the present invention, in the film forming method according to any one of the first to fifth aspects, in the third step, the cylindrical substrate is dried while rotating. provide.

【0023】本発明において円筒基盤を自転させながら
乾燥するのは、未乾燥時に基盤の自転を止めることによ
り、スラリーによる垂れが生じ不均一膜となるのを防止
するためである。
The reason why the cylindrical substrate is dried while rotating in the present invention is to prevent the substrate from rotating when it is not dried, thereby preventing the slurry from dripping and forming an uneven film.

【0024】第7の発明では、前記スラリーの粘度を1
〜500cpsに調整することを特徴とする第1の発明
乃至第6の発明のいずれかに記載の成膜方法を提供す
る。
In the seventh invention, the viscosity of the slurry is 1
A film forming method according to any one of the first to sixth inventions, wherein the method is adjusted to 500 cps.

【0025】本発明におけるスラリー粘度を1〜500
cps、好ましくは5〜100cpsに調整するのは、
下限が1cpsに制限されている理由は、緻密質基盤上
への成膜では低粘度の場合、はじきが生じることにより
膜に斑が発生したり、スラリー自身の粘性(粘り気)に
よる成膜が十分行われないためである。また、多孔質基
盤上への成膜では、スラリーが基盤中に侵入するのを防
ぐためである。上限が500cpsに制限されている理
由は、成膜後の乾燥中のクラックを防止するためであ
る。
The slurry viscosity in the present invention is from 1 to 500.
adjusting to cps, preferably 5-100 cps,
The reason why the lower limit is limited to 1 cps is that when the film is formed on a dense substrate and the viscosity is low, the film is repelled, causing unevenness in the film, or the film itself due to the viscosity (stickiness) of the slurry itself is insufficient. This is because it is not performed. In addition, in film formation on the porous substrate, it is to prevent the slurry from entering the substrate. The reason why the upper limit is limited to 500 cps is to prevent cracks during drying after film formation.

【0026】第8の発明では、前記スラリー中に固体電
解質粉末を混合することを特徴とする第1の発明乃至第
7の発明のいずれかに記載の成膜方法を提供する。
According to an eighth aspect, there is provided the film forming method according to any one of the first to seventh aspects, wherein a solid electrolyte powder is mixed into the slurry.

【0027】本発明のスラリー中に固体電解質粉末を混
合するのは、本成膜方法が固体電解質などに要求される
緻密な薄膜を均質に成膜するのに適しているからであ
る。
The reason why the solid electrolyte powder is mixed into the slurry of the present invention is that the present film forming method is suitable for uniformly forming a dense thin film required for a solid electrolyte or the like.

【0028】第9の発明では、前記固体電解質粉末とし
てジルコニア系固体電解質を用いることを特徴とする第
8の発明に記載の成膜方法を提供する。
According to a ninth aspect, there is provided the film forming method according to the eighth aspect, wherein a zirconia-based solid electrolyte is used as the solid electrolyte powder.

【0029】本発明において固体電解質粉末としてジル
コニア系を用いるのは、固体電解質としてはジルコニア
系が最も有望な材料であるからである。
In the present invention, zirconia is used as the solid electrolyte powder because zirconia is the most promising material for the solid electrolyte.

【0030】第10の発明では、前記ジルコニア系固体
電解質としてイットリアをドープした粉末(YSZ)を
用いることを特徴とする第9の発明に記載の成膜方法を
提供する。
According to a tenth aspect, there is provided the film forming method according to the ninth aspect, wherein a powder (YSZ) doped with yttria is used as the zirconia-based solid electrolyte.

【0031】本発明においてジルコニア系固体電解質に
イットリアをドープしたYSZを用いるのは、イットリ
アをドープしたジルコニア系固体電解質が最も入手が容
易であるからである。
The reason for using YSZ in which zirconia-based solid electrolyte is doped with yttria in the present invention is that yttria-doped zirconia-based solid electrolyte is most easily available.

【0032】第11の発明では、前記YSZ粉末のイッ
トリアのドープ量を8〜12mol%とすることを特徴
とする第10の発明に記載の成膜方法を提供する。
According to an eleventh aspect, there is provided the film forming method according to the tenth aspect, wherein the yttria doping amount of the YSZ powder is 8 to 12 mol%.

【0033】本発明においてYSZ粉末中のイットリア
のドープ量を8〜12mol%とするのは、イオン導電
性の点でこの範囲が大変優れるからである。
In the present invention, the doping amount of yttria in the YSZ powder is set to 8 to 12 mol% because this range is very excellent in terms of ionic conductivity.

【0034】第12の発明では、前記スラリー中に空気
極粉末として、(La,Sr)MnO3及び/又は(L
a,Ca)MnO3系ペロブスカイト型酸化物粉末を混
合することを特徴とする第1の発明乃至第7の発明のい
ずれかに記載の成膜方法を提供する。
In the twelfth aspect, (La, Sr) MnO 3 and / or (L
a, Ca) A film forming method according to any one of the first to seventh inventions, wherein a MnO 3 -based perovskite oxide powder is mixed.

【0035】本発明のスラリー中に空気極として、(L
a,Sr)MnO3及び/又は(La,Ca)MnO3
ペロブスカイト型酸化物粉末を混合するのは、本成膜方
法が空気極などに要求される多孔性を制御し、均質に成
膜することが可能であるからである。
In the slurry of the present invention, (L
The reason for mixing the (a, Sr) MnO 3 and / or (La, Ca) MnO 3 -based perovskite-type oxide powder is that the present film formation method controls the porosity required for an air electrode or the like and forms a uniform film. This is because it is possible.

【0036】第13の発明では、前記スラリー中にイン
ターコネクター粉末として、(La,Ca)CrO3
ペロブスカイト型酸化物粉末を混合することを特徴とす
る第1の発明乃至第7の発明のいずれかに記載の成膜方
法を提供する。
In the thirteenth invention, any of the first to seventh inventions is characterized in that (La, Ca) CrO 3 -based perovskite oxide powder is mixed as the interconnector powder in the slurry. And a film forming method described in

【0037】本発明のスラリー中にインターコネクター
粉末として、(La,Ca)CrO 3系ペロブスカイト
型酸化物粉末を混合するのは、本成膜方法がインタコネ
クタなどに要求される緻密な薄膜を均質に成膜するのに
適しているからである。
The interconnector in the slurry of the present invention
(La, Ca) CrO as powder ThreeSystem perovskite
This type of film formation method is used for interconnecting
To form the dense thin film required for
Because it is suitable.

【0038】第14の発明では、前記スラリー中に燃料
極粉末として、Ni及び/又はNiOとYSZの複合粉
末を混合することを特徴とする第1の発明乃至第7の発
明のいずれかに記載の成膜方法を提供する。
According to a fourteenth aspect of the present invention, any one of the first to seventh aspects of the present invention is characterized in that Ni and / or a composite powder of NiO and YSZ is mixed as the fuel electrode powder in the slurry. Is provided.

【0039】本発明のスラリー中に燃料極粉末として、
Ni及び/又はNiOとYSZの複合粉末を混合するの
は、本成膜方法が燃料極などに要求される多孔性を制御
し、均質に成膜することが可能であるからである。
As the fuel electrode powder in the slurry of the present invention,
The reason why the composite powder of Ni and / or NiO and YSZ is mixed is that the film forming method can control the porosity required for the fuel electrode and the like, and can form a uniform film.

【0040】[0040]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

【0041】固体電解質粉末及びインターコネクター粉
末の比表面積としては、50m2/g以下とすることが
望ましい。50m2/gよりも大きい粉末では、焼結性
が高すぎるために、基盤上での焼成においては固体電解
質膜及びインターコネクター膜にクラックが生じるから
である。
The specific surface area of the solid electrolyte powder and the interconnector powder is desirably 50 m 2 / g or less. This is because if the powder is larger than 50 m 2 / g, the sinterability is too high and cracks occur in the solid electrolyte membrane and the interconnector membrane during firing on the substrate.

【0042】空気極粉末及び燃料極粉末粒径としては、
1〜200μm程度の範囲とすることが望ましい。空気
極及び燃料極においては、高い導電性とガス透過性が要
求されるためである。これらは、相反する特性を有して
おり、高い導電性を得るためには、細かな粒径の粉末を
用いることが望ましいが、一方、高いガス透過性を得る
ためには、粗大な粒径の粉末を用いることが望ましい。
したがって、空気極及び燃料極となる材料の導電率によ
り、1〜200μm程度の範囲により粒径を決定すべき
である。
The particle diameters of the air electrode powder and the fuel electrode powder are as follows:
It is desirable to set the range to about 1 to 200 μm. This is because the air electrode and the fuel electrode require high conductivity and gas permeability. These have contradictory characteristics, and it is desirable to use a powder having a small particle size in order to obtain high conductivity, but to obtain a high gas permeability, it is preferable to use a powder having a large particle size. It is desirable to use a powder of
Therefore, the particle size should be determined in the range of about 1 to 200 μm depending on the electric conductivity of the material to be the air electrode and the fuel electrode.

【0043】固体電解質膜及びインターコネクター膜の
膜厚としては、5〜150μmとすることが望ましい。
5μm以下であると十分な緻密膜が得られないことと、
150μm以上であると内部抵抗が大きすぎるためであ
る。望ましくは、100μm以下であり、より望ましく
は50μm以下である。
It is desirable that the thickness of the solid electrolyte membrane and the interconnector membrane be 5 to 150 μm.
If it is less than 5 μm, a sufficiently dense film cannot be obtained;
If the thickness is 150 μm or more, the internal resistance is too large. Preferably, it is 100 μm or less, more preferably 50 μm or less.

【0044】空気極及び燃料極膜の膜厚としては、50
〜500μmとすることが望ましい。空気極及び燃料極
においては、高い導電性とガス透過性が要求されるため
である。これらは、相反する特性を有しており、高い導
電性を得るためには、膜厚を厚くすることが望ましい
が、一方、高いガス透過性を得るためには、膜厚を薄く
することが望ましい。したがって、空気極及び燃料極と
なる材料の導電率により、50〜500μm程度の範囲
により膜厚を決定すべきである。
The thickness of the air electrode and fuel electrode films is 50
It is desirable to set it to 500 μm. This is because the air electrode and the fuel electrode require high conductivity and gas permeability. These have contradictory characteristics, and it is desirable to increase the film thickness in order to obtain high conductivity, but to reduce the film thickness in order to obtain high gas permeability. desirable. Therefore, the film thickness should be determined in the range of about 50 to 500 μm depending on the conductivity of the material to be the air electrode and the fuel electrode.

【0045】ジルコニア系固体電解質材料において、Y
23を3〜20mol%ドープさせることが好ましい、
より好ましくは8〜12mol%ドープさせることが良
い。これは、イオン導電性の点でこの範囲が大変優れて
いるからである。
In the zirconia-based solid electrolyte material, Y
It is preferable to dope 3 to 20 mol% of 2 O 3 ,
More preferably, it is good to dope 8 to 12 mol%. This is because this range is very excellent in terms of ionic conductivity.

【0046】本発明におけるスラリー中の固体電解質粉
末の含有量は、スラリー溶液100部に対して10部〜
50部が好ましい。本発明におけるスラリーのスラリー
溶液の組成も特に限定されるものではない。スラリー
は、溶剤、バインダー、分散剤、消泡剤等を含んでいて
良い。しかし、溶剤として難揮発性溶剤を、スラリー溶
剤の10〜80wt%、含むことが望ましい。この難揮
発性溶剤の作用は、スラリー作製、保管中のスラリーの
粘度変化を抑え、また、このスラリーを用いて成膜(例
えば、ディッピング)した後の乾燥に起因するクラック
の発生を抑制することである。ここで、難揮発性の程度
は、例えば、酢酸ブチルの揮発度を100とした時、1
以下が望ましい。例えば、αテルピネオール等を挙げる
ことができる。
In the present invention, the content of the solid electrolyte powder in the slurry is from 10 parts to 100 parts of the slurry solution.
50 parts are preferred. The composition of the slurry solution of the slurry in the present invention is not particularly limited. The slurry may include solvents, binders, dispersants, defoamers, and the like. However, it is desirable that a non-volatile solvent be contained as a solvent in an amount of 10 to 80% by weight of the slurry solvent. The effect of the hardly volatile solvent is to suppress a change in viscosity of the slurry during preparation and storage of the slurry, and to suppress the occurrence of cracks due to drying after film formation (for example, dipping) using the slurry. It is. Here, the degree of low volatility is, for example, 1 when the volatility of butyl acetate is 100.
The following is desirable. For example, α-terpineol and the like can be mentioned.

【0047】スラリー溶液には、難揮発性溶剤以外に一
般の揮発性の溶剤が含まれて良い。その溶液に含まれる
溶剤の作用は、粉末の分散性の向上および脱泡性の向上
である。そのような溶剤の一例として、エチルアルコー
ルが好適である。その望ましい含有量は、スラリー溶液
の20〜90wt%である。
The slurry solution may contain a general volatile solvent in addition to the hardly volatile solvent. The action of the solvent contained in the solution is to improve the dispersibility of the powder and the defoaming property. As an example of such a solvent, ethyl alcohol is suitable. Its desirable content is 20-90 wt% of the slurry solution.

【0048】スラリー溶液に含まれるバインダーの作用
は、粉末の基板へのコーティング性(密着度)を向上さ
せることである。バインダーの量は、溶剤100部に対
して0.1〜10部が好ましい。その理由は、低濃度
(0.1wt%未満)だとコーティング性が低く、高濃
度(10wt%越え)だと、粉末の分散性が悪くなるか
らである。バインダーの具体例として、エチルセルロー
スが好適である。
The function of the binder contained in the slurry solution is to improve the coating property (degree of adhesion) of the powder on the substrate. The amount of the binder is preferably 0.1 to 10 parts based on 100 parts of the solvent. The reason is that if the concentration is low (less than 0.1 wt%), the coating property is low, and if the concentration is high (exceeding 10 wt%), the dispersibility of the powder becomes poor. As a specific example of the binder, ethyl cellulose is suitable.

【0049】スラリー溶液に含まれる分散剤の作用は、
粉末の分散性の向上である。分散剤の量は、溶剤100
部に対して0.1〜4部が好ましい。その理由は、低濃
度(0.1wt%未満)だと分散性が低く、高濃度(4
wt%越え)だと、スラリーの変性が生じやすくなるか
らである。分散剤の具体例として、ポリオキシエチレン
アルキルリン酸エステルが挙げられる。
The action of the dispersant contained in the slurry solution is as follows:
This is an improvement in the dispersibility of the powder. The amount of dispersant is 100
0.1 to 4 parts per part is preferred. The reason is that when the concentration is low (less than 0.1 wt%), the dispersibility is low, and when the concentration is high (4 wt%).
This is because, if it exceeds 0.1% by weight, the slurry tends to be denatured. Specific examples of the dispersant include polyoxyethylene alkyl phosphate.

【0050】スラリー溶液に含まれる消泡剤は、スラリ
ー中の気泡を消す作用をする。消泡剤の量は、溶剤10
0部に対して0.1〜4部が好ましい。その理由は、低
濃度(0.1wt%未満)だと効果があまり期待できな
いし、高濃度(4wt%越え)だと、スラリーの変性が
生じやすくなるからである。消泡剤の具体例として、ソ
ルビタンセスキオレエートが挙げられる。各剤・粉末の
混合方法は、ボールミル等の方法を採用できる。
The antifoaming agent contained in the slurry solution has the function of eliminating air bubbles in the slurry. The amount of the defoamer is 10
0.1 to 4 parts is preferable to 0 part. The reason is that if the concentration is low (less than 0.1 wt%), the effect is not so expected, and if the concentration is high (more than 4 wt%), the slurry is likely to be denatured. Specific examples of the antifoaming agent include sorbitan sesquioleate. A method such as a ball mill can be adopted as a mixing method of each agent / powder.

【0051】本発明のスラリーコート法としては、大気
圧あるいは減圧下においてディッピング、フローコー
ト、スプレー法を選択できる。
As the slurry coating method of the present invention, dipping, flow coating and spraying methods can be selected under atmospheric pressure or reduced pressure.

【0052】[0052]

【実施例】以下、本発明の実施例を10mol%Y23
添加ZrO2(10YSZ)粉末を用いたスラリーによ
るディッピングによる成膜を説明する。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below with reference to 10 mol% Y 2 O 3.
Film formation by dipping with slurry using added ZrO 2 (10YSZ) powder will be described.

【0053】スラリー溶液の調整:スラリー用の溶液と
して、溶剤、バインダー、分散剤、消泡剤を含んでい
る。溶剤には、エチルアルコール60wt%に、αテル
ピネオール40wt%を混合する。バインダーには、エ
チルセルロースを、分散剤には、ポリオキシエチレンア
ルキルリン酸エステルを、消泡剤には、ソルビタンセス
キオレエートを用いる。溶液中のそれぞれの混合比は、
溶剤:バインダー:分散剤:消泡剤=93:6.8:
0.1:0.1とした。スターラーにより24時間混合
を行った。
Preparation of slurry solution: The solution for the slurry contains a solvent, a binder, a dispersant, and an antifoaming agent. As a solvent, 40 wt% of α-terpineol is mixed with 60 wt% of ethyl alcohol. Ethyl cellulose is used as a binder, polyoxyethylene alkyl phosphate is used as a dispersant, and sorbitan sesquioleate is used as a defoaming agent. Each mixing ratio in the solution is
Solvent: binder: dispersant: defoamer = 93: 6.8:
0.1: 0.1 was set. Mixing was performed for 24 hours with a stirrer.

【0054】スラリーの調整 比表面積10m2/gの10YSZ粉末を用いて、粉末
30部に、上記溶液を70部とし、ボールミルにより2
4時間混合を行いスラリーの作製を行った。該スラリー
の粘度は35cpsであった。
Preparation of Slurry Using 10 YSZ powder having a specific surface area of 10 m 2 / g, 30 parts of the powder was added to 70 parts of the above solution, and 2 parts were added by a ball mill.
Mixing was performed for 4 hours to prepare a slurry. The viscosity of the slurry was 35 cps.

【0055】(3)成膜:上記スラリーを用いて、全長
1100mm、外形22mm、平均気孔径11μmの片
側が封止された多孔質な空気極上に空気極材料とYSZ
複合粉末を成膜した基盤を水平方向(横向き成膜)に
設置し、基盤内部を1×102Pa程度の減圧にしなが
ら円筒基盤の中心軸を0.5回転/secのスピードに
て回転させながらディッピング法によりYSZ膜の成膜
を行った。基盤はディッピング槽内に1分間浸積したの
ち、水平方向に保持し減圧下で回転させながらスラリー
中より取り出し100℃乾燥を行った。また垂直方向
(縦向き成膜)に設置し、基盤内部を同様に1×102
Pa程度の減圧にしながらディッピング法によりYSZ
膜の成膜を行った。基盤はディッピング槽内に1分間浸
積したのち、減圧下で垂直方向に50mm/secのス
ピードでスラリー中より取り出し100℃乾燥を行っ
た。なお両成膜方法ともサンプルへのYSZ成膜厚が平
均約50μmとなるように、ディッピング・乾燥を繰り
返した。
(3) Film formation: The above-mentioned slurry was used to form an air electrode material and YSZ on a porous air electrode having a total length of 1100 mm, an outer diameter of 22 mm, and an average pore diameter of 11 μm and sealed on one side.
The substrate on which the composite powder was formed was placed in a horizontal direction (horizontal film formation), and the central axis of the cylindrical substrate was rotated at a speed of 0.5 rotation / sec while reducing the pressure inside the substrate to about 1 × 10 2 Pa. The YSZ film was formed by a dipping method. After the substrate was immersed in the dipping tank for 1 minute, it was taken out of the slurry while being held horizontally and rotated under reduced pressure, and dried at 100 ° C. Also, the substrate is installed in the vertical direction (vertical film formation), and the inside of the substrate is similarly set to 1 × 10 2
YSZ by dipping while reducing the pressure to about Pa
A film was formed. After the substrate was immersed in the dipping tank for 1 minute, it was taken out of the slurry at a speed of 50 mm / sec under reduced pressure and dried at 100 ° C. In both film forming methods, dipping and drying were repeated so that the YSZ film thickness on the sample was about 50 μm on average.

【0056】(4)焼成:成膜サンプルを1500℃、
5時間にて焼成を行った。
(4) Firing: A film forming sample was heated at 1500 ° C.
The firing was performed for 5 hours.

【0057】(5)成膜体サンプル評価:焼成後のサン
プルについて、サンプルの長手方向に100mm間隔に
て、膜厚および緻密性の測定を行った。膜厚測定方法と
しては、サンプルの断面について電子顕微鏡を用いて実
測を行った。緻密性の測定としては、サンプルに窒素ガ
スにて9.8×104Paの差圧を掛けたときのガスリ
ーク量を測定することで行った。図1に、サンプルの長
手方向各部におけるYSZ断面の膜厚を示す。図2に、
サンプルの長手方向各部におけるガス透過流束を示す。
なお、図1、2においてセル長手方向0mmの位置がサ
ンプルの封止側であり、1000mmの位置がサンプル
の開放側である。図1に示す結果より、縦向き成膜では
膜厚が50μm±6μmとなったが、横向き成膜を行う
と膜厚を50μm±2μmの範囲で均一に成膜する事が
可能となることがわかる。また、図2に示す結果より、
縦向き成膜ではサンプル封止部の緻密性が非常に悪く、
またサンプル開口部側においても緻密性が低下する傾向
にあるが、横向き成膜を行うとサンプル位置による緻密
性の差は殆ど認められず、ガス透過流束の絶対値につい
ても縦向き成膜より少なく緻密性が良好であることがわ
かる。
(5) Evaluation of film sample: The film thickness and the density of the fired sample were measured at intervals of 100 mm in the longitudinal direction of the sample. As a method of measuring the film thickness, a cross section of the sample was actually measured using an electron microscope. The denseness was measured by measuring a gas leak amount when a differential pressure of 9.8 × 10 4 Pa was applied to the sample with nitrogen gas. FIG. 1 shows the film thickness of the YSZ cross section at each portion in the longitudinal direction of the sample. In FIG.
4 shows the gas permeation flux at each part in the longitudinal direction of the sample.
In FIGS. 1 and 2, the position at 0 mm in the cell longitudinal direction is the sealed side of the sample, and the position at 1000 mm is the open side of the sample. From the results shown in FIG. 1, the film thickness was 50 μm ± 6 μm in the vertical film formation, but it was possible to form the film uniformly in the range of 50 μm ± 2 μm in the horizontal film formation. Understand. Also, from the results shown in FIG.
In the vertical film formation, the density of the sample sealing part is very poor,
The density also tends to decrease on the sample opening side, but when the film is formed horizontally, there is almost no difference in the density depending on the sample position, and the absolute value of the gas permeation flux is also smaller than that in the vertical film formation. It can be seen that the density is small and the density is good.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明における成膜向きによる膜厚分布を説明
する一実施例の図である。
FIG. 1 is a diagram of one embodiment illustrating a film thickness distribution according to a film forming direction in the present invention.

【図2】本発明における成膜向きによるガス透過流束分
布を説明する一実施例の図である。
FIG. 2 is a view of one embodiment for explaining a gas permeation flux distribution according to a film forming direction in the present invention.

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 円筒基盤を準備する第1の工程と、 該円筒基盤を水平方向に設置し、該円筒基盤を自転させ
ながらスラリーを塗布する第2の工程と、 前記スラリーを塗布した円筒基盤を乾燥・焼成する第3
の工程と、 を有する成膜方法。
1. A first step of preparing a cylindrical base, a second step of installing the cylindrical base in a horizontal direction, and applying a slurry while rotating the cylindrical base, and a cylindrical base to which the slurry is applied 3rd to dry and bake
And a film forming method comprising:
【請求項2】 前記第2の工程のスラリーの塗布方法と
して、円筒基盤をスラリー中に浸積するディッピングに
よることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
2. The film forming method according to claim 1, wherein the slurry is applied in the second step by dipping in which a cylindrical substrate is immersed in the slurry.
【請求項3】 前記第2の工程のスラリーの塗布方法と
して、円筒基盤の上方よりスラリーを流すフローコート
によることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
3. The film forming method according to claim 1, wherein the slurry is applied in the second step by flow coating in which the slurry flows from above a cylindrical base.
【請求項4】 前記第2の工程のスラリーの塗布方法と
して、円筒基盤にスラリーを噴霧する事によることを特
徴とする請求項1記載の成膜方法。
4. The film forming method according to claim 1, wherein the slurry is applied to the cylindrical substrate by spraying the slurry in the second step.
【請求項5】 前記円筒基盤は多孔質であって、長手方
向の片側が封止されており、 前記第2の工程においては、前記円筒基盤内部を減圧す
ることを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項に記載
の成膜方法。
5. The cylindrical base is porous, and one side in a longitudinal direction is sealed, and the inside of the cylindrical base is depressurized in the second step. 4. The film forming method according to any one of the above items 4.
【請求項6】 前記第3の工程においては、前記円筒基
盤を自転させながら乾燥することを特徴とする請求項1
乃至5いずれか1項に記載の成膜方法。
6. The method according to claim 1, wherein in the third step, the cylindrical substrate is dried while rotating.
6. The film forming method according to any one of claims 1 to 5.
【請求項7】 前記スラリーの粘度を1〜500cps
に調整することを特徴とする請求項1乃至6いずれか1
項に記載の成膜方法。
7. The slurry has a viscosity of 1 to 500 cps.
7. The method according to claim 1, wherein the adjustment is made to:
The film forming method according to the above section.
【請求項8】 前記スラリー中に固体電解質粉末を混合
することを特徴とする請求項1乃至7いずれか1項に記
載の成膜方法。
8. The film forming method according to claim 1, wherein a solid electrolyte powder is mixed into the slurry.
【請求項9】 前記固体電解質粉末としてジルコニア系
固体電解質を用いることを特徴とする請求項8記載の成
膜方法。
9. The method according to claim 8, wherein a zirconia-based solid electrolyte is used as the solid electrolyte powder.
【請求項10】 前記ジルコニア系固体電解質としてイ
ットリアをドープした粉末(YSZ)を用いることを特
徴とする請求項9記載の成膜方法。
10. The film forming method according to claim 9, wherein a powder (YSZ) doped with yttria is used as the zirconia-based solid electrolyte.
【請求項11】 前記YSZ粉末のイットリアのドープ
量を8〜12mol%とすることを特徴とする請求項1
0記載の成膜方法。
11. The method according to claim 1, wherein the doping amount of yttria in the YSZ powder is 8 to 12 mol%.
0. The film forming method according to item 0.
【請求項12】 前記スラリー中に空気極粉末として、
(La,Sr)MnO 3及び/又は(La,Ca)Mn
3系ペロブスカイト型酸化物粉末を混合することを特
徴とする請求項1乃至7いずれか1項に記載の成膜方
法。
12. An air electrode powder in the slurry,
(La, Sr) MnO ThreeAnd / or (La, Ca) Mn
OThreeIt is especially important to mix a perovskite oxide powder.
The film forming method according to any one of claims 1 to 7, wherein
Law.
【請求項13】 前記スラリー中にインターコネクター
粉末として、(La,Ca)CrO3系ペロブスカイト
型酸化物粉末を混合することを特徴とする請求項1乃至
7いずれか1項に記載の成膜方法。
13. The film forming method according to claim 1, wherein (La, Ca) CrO 3 -based perovskite oxide powder is mixed as the interconnector powder in the slurry. .
【請求項14】 前記スラリー中に燃料極粉末として、
Ni及び/又はNiOとYSZの複合粉末を混合するこ
とを特徴とする請求項1乃至7いずれか1項に記載の成
膜方法。
14. A fuel electrode powder in the slurry,
The film forming method according to any one of claims 1 to 7, wherein a composite powder of Ni and / or NiO and YSZ is mixed.
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