JP2001297692A - Plasma display panel producing method and laser beam machining method - Google Patents

Plasma display panel producing method and laser beam machining method

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JP2001297692A
JP2001297692A JP2000110667A JP2000110667A JP2001297692A JP 2001297692 A JP2001297692 A JP 2001297692A JP 2000110667 A JP2000110667 A JP 2000110667A JP 2000110667 A JP2000110667 A JP 2000110667A JP 2001297692 A JP2001297692 A JP 2001297692A
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JP
Japan
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laser beam
thin film
transparent electrode
substrate
irradiated
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Application number
JP2000110667A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Okada
敏幸 岡田
Yasuhisa Ishikura
靖久 石倉
Keizo Mori
啓蔵 森
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma display panel producing method for achieving simple and small production facilities, having less production processes. SOLUTION: A transparent electrode 18 is formed, by radiating a laser beam 64 on a transparent electrode thin film 44, provided on a front glass substrate 16, on a continuous base in the X-direction and on a preset-interval base in the Y-direction, while leaving a thin film between linear regions radiated with the laser beam 64. An image processor 104 is provided for photographing a thin-film missing portion 73 formed by the one-pulse laser beam 64 and judging the quality of formed shape. After judging the shape, the image processor 104 feeds the judgment result back to an attribute determining site of the laser beam 64 and regulates the thin-film missing portion to be formed as desired.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネ
ル、特に、プラズマディスプレイパネルの前面側に配置
される前面パネルの背後に透明電極を形成する方法に関
する。本発明はまた、基板上に設けた薄膜にレーザビー
ムを照射して加工する方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel and a plasma display panel, and more particularly, to a method for forming a transparent electrode behind a front panel disposed on the front side of the plasma display panel. The present invention also relates to a method for processing a thin film provided on a substrate by irradiating the thin film with a laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的に、プラズマディスプレイパネル
は、前面パネルと、この前面パネルに所定の間隔をあけ
て配置された背面パネルとを有し、これら前面パネルと
背面パネルとの間に放電空間が形成されている。前面パ
ネルは、一般にガラスからなる前面基板の背面側に、複
数の平行に配置された透明電極と、各透明電極の背面側
に配置されたバス電極と、これら透明電極とバス電極を
被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆する保護膜を
備えている。他方、背面パネルは、一般にガラスからな
る背面基板の前面側に、透明電極の長手方向と直交する
方向に伸びる複数の平行なデータ電極と、隣接するデー
タ電極の間に配置された隔壁と、隣接する隔壁の間に配
置された蛍光体とを備えている。
2. Description of the Related Art In general, a plasma display panel has a front panel and a rear panel arranged at a predetermined distance from the front panel, and a discharge space is provided between the front panel and the rear panel. Are formed. The front panel is composed of a plurality of transparent electrodes arranged in parallel on the back side of a front substrate generally made of glass, bus electrodes arranged on the back side of each transparent electrode, and a dielectric covering these transparent electrodes and the bus electrodes. A body layer and a protective film for covering the dielectric layer are provided. On the other hand, the rear panel has a plurality of parallel data electrodes extending in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the transparent electrode, a partition wall arranged between adjacent data electrodes, And a phosphor disposed between the partition walls.

【0003】プラズマディスプレイパネルを構成する複
数の構成要素のうち、特に、透明電極に着目すると、こ
の透明電極の形成方法は、透明電極に使用する材料の違
いに応じて、異なっている。現在利用されている透明電
極の材料は2つあり、一つはITO(Indium T
in Oxide)と呼ばれる、酸化インジウムIn 2
3に錫Snを3〜10%ドーピングした材料であり、
もう一つはネサ膜と呼ばれる、酸化錫SnO2を主成分
とする材料である。
[0003] The multiple components constituting a plasma display panel.
When focusing on the transparent electrode among the number of components,
The method of forming the transparent electrode differs depending on the material used for the transparent electrode.
Depending on the situation. Transparent electronics currently used
There are two pole materials, one of which is ITO (Indium T
in Oxide) Two
OThreeIs a material doped with 3 to 10% of tin Sn,
The other is tin oxide SnO, called a Nesa film.TwoThe main component
Material.

【0004】透明電極にITOを用いる場合、透明電極
は次のようにして形成される。まず、ガラス基板上に、
ITO膜をその全面に成膜する。次に、ITO膜上にフ
ォトレジストを塗布し、目的の透明電極パターンと同一
のパターンを有する金属マスクを用いて、フォトレジス
トを露光する。その後、フォトレジストを現像し、必要
な部分のITO膜をエッチングした後、残ったフォトレ
ジストを除去し、透明電極を形成する。
When ITO is used for the transparent electrode, the transparent electrode is formed as follows. First, on a glass substrate,
An ITO film is formed on the entire surface. Next, a photoresist is applied on the ITO film, and the photoresist is exposed using a metal mask having the same pattern as the target transparent electrode pattern. After that, the photoresist is developed and a necessary portion of the ITO film is etched. Then, the remaining photoresist is removed to form a transparent electrode.

【0005】透明電極にネサ膜を用いる場合、透明電極
は次のようにして形成される。まず、ガラス基板上に、
ネサ膜をその全面に成膜する。次に、ITOの場合と同
様に、エッチング法により透明電極を形成する。ただ
し、ネサ膜の場合、リフトオフ法により、透明電極を形
成することもある。
When a Nesa film is used for a transparent electrode, the transparent electrode is formed as follows. First, on a glass substrate,
A Nesa film is formed on the entire surface. Next, as in the case of ITO, a transparent electrode is formed by an etching method. However, in the case of a Nesa film, a transparent electrode may be formed by a lift-off method.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の透明電極形成方法は、数多くの工程(透明電極用薄膜
の成膜、フォトレジストの塗布、フォトレジストの露
光、現像、透明電極用薄膜のエッチング、残留フォトレ
ジストの除去)を必要とするため、製造設備が大型化
し、工程リードフレームも長くなるという問題がある。
However, the above-mentioned conventional method for forming a transparent electrode involves a number of steps (film formation of a thin film for a transparent electrode, application of a photoresist, exposure and development of a photoresist, development of a thin film for a transparent electrode). (E.g., etching and removal of residual photoresist), there is a problem that the manufacturing equipment becomes large and the process lead frame becomes long.

【0007】特に、プラズマディスプレイパネルは、小
型テレビはもとより、大型テレビの大型画面に利用が期
待されており、その際に要求される縦横長は最小10c
mから最大2mとなる。したがって、最大2mにも及ぶ
大きな基板に対して上述した多くの工程を順番に実施し
たり、各工程間で基板を搬送したりしなければならず、
その製造設備は非常に大型となる。
In particular, the plasma display panel is expected to be used for a large screen of a large-sized television as well as a small-sized television.
m to a maximum of 2 m. Therefore, many steps described above must be performed on a large substrate as large as 2 m in order, or the substrate must be transported between each step.
The manufacturing equipment becomes very large.

【0008】また、透明電極の配置パターンを設計変更
するには、フォトレジストを露光するマスクを新たに製
作し直す必要があり、迅速な設計変更に対応し難い。
Further, in order to change the design of the arrangement pattern of the transparent electrodes, it is necessary to newly manufacture a mask for exposing the photoresist, and it is difficult to respond to a rapid change in the design.

【0009】さらに、環境問題が重視される現在、従来
の製造工程で使用されているフォトレジスト液、エッチ
ング液などの廃液処理に、非常に高額な費用がかかる。
また、環境保護の観点からすれば、そのような環境に負
荷を与える物質は、出来るだけ使用しないことが望まし
い。
Further, at present, where environmental issues are emphasized, the treatment of waste liquids such as a photoresist solution and an etching solution used in a conventional manufacturing process requires a very high cost.
Also, from the viewpoint of environmental protection, it is desirable to use as little substances as possible that load the environment.

【0010】しかも、費用を押さえつつも、精度誤差の
少ない透明電極を形成することが望まれている。
[0010] In addition, it is desired to form a transparent electrode having a small accuracy error while keeping costs low.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたものである。請求項8に記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法は、前面基板と該前
面基板との間に所定の間隔をあけて略平行に配置された
背面基板とを有し、背面基板に対向する前面基板の背面
上に、順次、第1の方向に平行に伸びる複数の透明電極
と、各透明基板の背面上を透明電極と平行に伸びるバス
電極と、これら透明電極とバス電極とを被覆する誘電体
層と、誘電体層を被覆する保護膜とを設け、前面基板に
対向する背面基板の前面上に、第1の方向に略直交する
第2の方向に平行に伸びる複数のデータ電極と、隣接す
るデータ電極の間にデータ電極と平行に伸びる隔壁と、
隣接する隔壁の間に設けられた蛍光体とを設けたプラズ
マディスプレイパネルにおいて、前面基板の背面上の所
定領域に透明電極用薄膜を形成し、レーザ発振器から周
期的に出射されるレーザビームを、開口部を備える整形
プレートに当て、その開口部を介することで形成される
整形後レーザビームを、その透明電極用薄膜に照射して
透明電極を形成する工程に、(a)上記整形後レーザビ
ームに対して前面基板を移動させながら、透明電極用薄
膜上において一つの整形後レーザビームが照射される領
域とこの整形後レーザビームに続いて出射される次の整
形後レーザビームが照射される領域とが少なくとも一部
で重ねるようにレーザビームを出射して透明電極用薄膜
部分を順次消失させ、これにより前面基板の露出する長
溝を第1の方向に連続して形成する工程と、(b)工程
(a)の終了後、形成された長溝から第2の方向に所定
の距離だけ離れた場所に整形後レーザビームの照射位置
を移動する工程と、(c)工程(a)と(b)を繰り返
し、透明電極用薄膜に複数の長溝を平行に形成し、これ
により各隣接する長溝の間にそれぞれ透明電極を形成す
る工程とを含み、整形後レーザビームが照射される上記
の1つの領域を撮影し、所定の画像処理を与え、撮影さ
れた該領域の精度を所定の基準により判定することを特
徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems. 9. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 8, comprising a front substrate and a rear substrate disposed substantially in parallel with a predetermined distance between the front substrate and the front substrate facing the rear substrate. A plurality of transparent electrodes extending in parallel with the first direction, a bus electrode extending in parallel with the transparent electrode on the back of each transparent substrate, and a dielectric covering these transparent electrodes and the bus electrode. A plurality of data electrodes extending parallel to a second direction substantially orthogonal to the first direction on a front surface of the rear substrate facing the front substrate; A partition wall extending in parallel with the data electrode between the data electrodes
In a plasma display panel provided with a phosphor provided between adjacent partitions, a transparent electrode thin film is formed in a predetermined region on the back surface of the front substrate, and a laser beam periodically emitted from a laser oscillator is provided. (A) forming the transparent electrode by irradiating the shaped thin film for a transparent electrode with a shaped laser beam formed by passing the shaping plate having an opening through the opening; A region where one shaped laser beam is irradiated on the transparent electrode thin film and a region where the next shaped laser beam emitted following the shaped laser beam is irradiated on the transparent electrode thin film while moving the front substrate with respect to The laser beam is emitted so that at least a part of them overlaps, and the thin film portion for the transparent electrode is sequentially erased, whereby the exposed long groove of the front substrate is moved in the first direction. (B) moving the irradiation position of the shaped laser beam to a place away from the formed long groove by a predetermined distance in the second direction after the step (a), (C) repeating steps (a) and (b) to form a plurality of long grooves in the transparent electrode thin film in parallel, thereby forming a transparent electrode between each adjacent long grooves, A method for manufacturing a plasma display panel, characterized in that the above-mentioned one area to be irradiated with a laser beam is photographed, given image processing is performed, and the accuracy of the photographed area is determined based on a prescribed standard.

【0012】請求項2に記載のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法は、整形後レーザビームが照射される1
つの領域の精度を所定の基準により判定することにより
得られるデータを基にして、レーザビームの属性を調整
し、上記の整形後レーザビームが照射される領域の精度
を向上させることを特徴とする、請求項1に記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel manufacturing method, wherein a shaped laser beam is irradiated.
Adjusting the attribute of the laser beam based on data obtained by determining the accuracy of the two regions based on a predetermined standard, and improving the accuracy of the region irradiated with the laser beam after the shaping. A method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1.

【0013】請求項3に記載のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法は、透明電極用薄膜がITO膜又はネサ
膜である、請求項1乃至請求項2に記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel manufacturing method according to the first or second aspect, wherein the transparent electrode thin film is an ITO film or a Nesa film.

【0014】請求項4に記載のレーザ加工方法は、基板
の表面に薄膜を設け、周期的に発振されるレーザビーム
を薄膜に照射して所定の方向に連続した薄膜消失部を形
成するレーザ加工方法であって、レーザビームの横断面
が整形プレートの開口部に制限されて整形後レーザビー
ムが出射されるように該レーザビームが該プレートに当
てられ、薄膜上にはその整形後レーザビームが照射さ
れ、整形後レーザビームの照射により形成される上記の
1つの薄膜消失部を撮影し、所定の画像処理を与え、撮
影された該薄膜消失部の精度を所定の基準により判定す
ることを特徴とするレーザ加工方法である。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a laser processing method comprising: providing a thin film on a surface of a substrate; and irradiating the thin film with a periodically oscillated laser beam to form a continuous thin film disappearing portion in a predetermined direction. A method wherein the laser beam is applied to the plate such that the cross section of the laser beam is limited to the opening of the shaping plate and the shaped laser beam is emitted, and the shaped laser beam is applied to the thin film. The above-mentioned one thin film disappeared portion which is irradiated and formed by the irradiation of the laser beam after shaping is photographed, given image processing is performed, and the accuracy of the photographed thin film disappeared portion is determined based on a prescribed standard. Is a laser processing method.

【0015】請求項5に記載のレーザ加工方法は、整形
後レーザビームが照射される1つの薄膜消失部の精度を
所定の基準により判定することにより得られるデータを
基にして、レーザビームの属性を調整し、上記の整形後
レーザビームが照射される薄膜消失部の精度を向上させ
ることを特徴とする、請求項4に記載のレーザ加工方法
である。
According to a fifth aspect of the present invention, in the laser processing method, the laser beam attribute is determined based on data obtained by determining the accuracy of one thin-film lost portion irradiated with the shaped laser beam based on a predetermined standard. 5. The laser processing method according to claim 4, wherein the precision of the thin-film disappearing portion irradiated with the laser beam after the shaping is improved.

【0016】請求項6に記載のレーザ加工方法は、薄膜
が透明電極用薄膜である、請求項4乃至請求項5に記載
のレーザ加工方法である。
The laser processing method according to claim 6 is the laser processing method according to claims 4 or 5, wherein the thin film is a thin film for a transparent electrode.

【0017】請求項7に記載のレーザ加工方法は、透明
電極用薄膜がITO膜又はネサ膜である、請求項6に記
載のレーザ加工方法である。
The laser processing method according to claim 7 is the laser processing method according to claim 6, wherein the transparent electrode thin film is an ITO film or a Nesa film.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の好適な実施の形態を説明する。図1は、プラズマディ
スプレイパネルの一部を切り出した、プラズマディスプ
レイパネルの断面構造を示す図である。この図に示すよ
うに、プラズマディスプレイパネル10は、概略、透光
性を有する前面パネル12と、この前面パネル12の背
面側に配置され、画像情報に応じて光を発する背面パネ
ル14とで構成されており、背面パネル14から前面パ
ネル12に向かう方向に光を発するようにしてある。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional structure of a plasma display panel, in which a part of the plasma display panel is cut out. As shown in FIG. 1, the plasma display panel 10 includes a light-transmitting front panel 12 and a rear panel 14 disposed on the rear side of the front panel 12 and emitting light in accordance with image information. The light is emitted in a direction from the rear panel 14 to the front panel 12.

【0019】前面パネル12は、図面上最上層を構成す
る前面ガラス基板(前面基板)16を有する。前面ガラ
ス基板16の背面側に、第1の方向(X方向)に伸びる
複数の透明電極18が、第1の方向に直交する第2の方
向(Y方向)に所定の間隔をあけて、平行に配置されて
いる。各透明電極18は、その背面側に、この透明電極
18に沿って伸びる、高誘電材料からなるバス電極20
を支持している。透明電極18とバス電極20は、誘電
体22と、ガス放電によるスパッタリングから誘電体2
2を保護する、酸化マグネシウムMgOからなる保護膜
24とで被覆されている。
The front panel 12 has a front glass substrate (front substrate) 16 constituting the uppermost layer in the drawing. On the back side of the front glass substrate 16, a plurality of transparent electrodes 18 extending in a first direction (X direction) are arranged in parallel in a second direction (Y direction) orthogonal to the first direction at predetermined intervals. Are located in Each transparent electrode 18 has a bus electrode 20 made of a high dielectric material, which extends along the transparent electrode 18 on its back side.
I support. The transparent electrode 18 and the bus electrode 20 are connected to the dielectric 22 and the dielectric 2 by sputtering by gas discharge.
2 is protected with a protective film 24 made of magnesium oxide MgO.

【0020】背面パネル14は、図面上最下層を構成す
る背面ガラス基板(背面基板)26を有する。背面ガラ
ス基板26の前面側に、第2の方向に伸びる複数のデー
タ電極28が、第1の方向に所定の間隔をあけて、平行
に配置されており、これらのデータ電極28が誘電体3
0で被覆されている。誘電体30は、隣接するデータ電
極28の中間に位置し、データ電極28と平行に伸びる
隔壁32を支持している。また、隣接する隔壁32の間
には、これら隔壁32の対向する側面と、隔壁32の間
に位置する誘電体30部分の表面を被覆するように、蛍
光体34が塗布されている。図示するように、蛍光体3
4はその横断面が略U形状をしており、この蛍光体34
で囲まれた放電空間36に、前面パネル12と背面パネ
ル14を図示するように貼り合わせた後、放電ガスが封
入される。
The rear panel 14 has a rear glass substrate (rear substrate) 26 constituting the lowermost layer in the drawing. A plurality of data electrodes 28 extending in the second direction are arranged in parallel in the first direction at predetermined intervals on the front side of the back glass substrate 26.
0. The dielectric 30 supports a partition wall 32 located in the middle of the adjacent data electrode 28 and extending in parallel with the data electrode 28. A phosphor 34 is applied between adjacent partitions 32 so as to cover the opposing side surfaces of the partitions 32 and the surface of the dielectric 30 located between the partitions 32. As shown in FIG.
4 has a substantially U-shaped cross section.
After the front panel 12 and the rear panel 14 are bonded to each other in a discharge space 36 surrounded by a circle as shown in the figure, a discharge gas is sealed.

【0021】図2は、前面ガラス基板16の製造過程で
用いられる電極基板を示し、長方形の前面ガラス基板1
6の片面に、透明電極18を形成した段階のものであ
る。透明電極18は、前面ガラス基板16の周縁に沿っ
て伸びる所定のマージン領域に囲まれた中央の長方形領
域40に形成されており、この長方形領域40におい
て、前面ガラス基板16の長辺方向と平行にかつ前面ガ
ラス基板16の短辺方向に所定の間隔をあけて、細い線
状に伸びている。
FIG. 2 shows an electrode substrate used in the manufacturing process of the front glass substrate 16 and has a rectangular front glass substrate 1.
6 at a stage where a transparent electrode 18 was formed on one surface. The transparent electrode 18 is formed in a central rectangular region 40 surrounded by a predetermined margin region extending along the periphery of the front glass substrate 16, and in this rectangular region 40, the transparent electrode 18 is parallel to the long side direction of the front glass substrate 16. At a predetermined interval in the short side direction of the front glass substrate 16 and extends in a thin line shape.

【0022】図2の一部を拡大した図3に詳細に示すよ
うに、透明電極18は、隣接する2つの透明電極18が
一つの透明電極対42を構成している。本実施形態で
は、一つの透明電極対42を構成する2つの隣接する透
明電極18は同一の横幅L1を有し、それらの間に所定
の空間ギャップG1が設けてある。また、隣接する透明
電極対42の間には、透明電極18間の空間ギャップG
1よりも大きな空間ギャップG2が設けてある。
As shown in detail in FIG. 3 in which a part of FIG. 2 is enlarged, two adjacent transparent electrodes 18 constitute one transparent electrode pair 42 in the transparent electrode 18. In the present embodiment, two adjacent transparent electrodes 18 forming one transparent electrode pair 42 have the same width L1, and a predetermined space gap G1 is provided between them. The space gap G between the transparent electrodes 18 is provided between the adjacent transparent electrode pairs 42.
A space gap G2 larger than 1 is provided.

【0023】具体例を挙げると、42インチのテレビ受
像器に利用されるプラズマディスプレイパネルの場合、
約560mm×1000mmの前面ガラス基板16を用
いる。透明電極18には、ITO膜、又はネサ膜を用
い、その厚みは約1000Åである。透明電極18は、
横幅が300〜400μm、空間ギャップG1は50〜
100μm、空間ギャップG2は200〜400μmの
範囲で、使用用途により、ある一定の値に設定される。
また、透明電極対42のピッチP1は約1mmに設定さ
れ、このように設定された透明電極対42が約480組
配置される。
As a specific example, in the case of a plasma display panel used for a 42-inch television receiver,
A front glass substrate 16 of about 560 mm × 1000 mm is used. An ITO film or a Nesa film is used for the transparent electrode 18 and its thickness is about 1000 °. The transparent electrode 18
The width is 300 to 400 μm, and the space gap G1 is 50 to
The space gap G2 is set to a certain value within a range of 200 to 400 μm depending on the intended use.
The pitch P1 of the transparent electrode pairs 42 is set to about 1 mm, and about 480 sets of the transparent electrode pairs 42 set as described above are arranged.

【0024】透明電極18の形成方法について説明す
る。まず、所定の縦横長さを有する前面ガラス基板16
を用意する[図4(A)]。次に、前面ガラス基板16
の片面に、透明電極用薄膜44を、従来と同様の方法
(例えば、PVD:物理的気相成長法、CVD:化学的
気相成長法)で成膜する[図4(B)]。本実施形態で
は、透明電極用薄膜44として、厚さ約1000ÅのI
TO膜を用いている。なお、透明電極用薄膜44は、前
面ガラス基板16の前面に形成する必要はなく、必要な
領域、またはこの必要な領域を囲むわずかに大きな領域
に形成してもよい[図4(C)]。なお、説明を簡略化
するために、以後、前面ガラス基板16に透明電極用薄
膜44の形成された基板を、透明電極基板46という。
A method for forming the transparent electrode 18 will be described. First, a front glass substrate 16 having a predetermined vertical and horizontal length is provided.
Is prepared [FIG. 4 (A)]. Next, the front glass substrate 16
A thin film 44 for a transparent electrode is formed on one side of the substrate by a method similar to the conventional method (for example, PVD: physical vapor deposition, CVD: chemical vapor deposition) [FIG. 4B]. In the present embodiment, as the transparent electrode thin film 44, an I
A TO film is used. The transparent electrode thin film 44 does not need to be formed on the front surface of the front glass substrate 16, and may be formed in a necessary region or a slightly larger region surrounding the necessary region [FIG. 4 (C)]. . For simplicity of description, the substrate on which the transparent electrode thin film 44 is formed on the front glass substrate 16 is hereinafter referred to as a transparent electrode substrate 46.

【0025】次に、図5に示すレーザ加工装置50を用
い、透明電極基板46を加工して透明電極18を形成す
る。レーザ加工装置50は、透明電極基板46を載せる
ワークテーブル52と、このワークテーブル52を支持
するXYテーブル54を有する。XYテーブル54は、
図示しない基台に固定された固定テーブル56を有す
る。固定テーブル56は、Y方向に往復移動可能に摺動
テーブル58を支持している。また、摺動テーブル58
は、Y方向に直交するX方向に往復移動可能にワークテ
ーブル52を支持している。ワークテーブル52と摺動
テーブル58は、それぞれ図示しない駆動連結機構(例
えば、ねじ軸とねじ、又はベルトとプーリを含む機構)
を介して図示しないモータに駆動連結されており、対応
するモータの駆動に基づいて、それぞれX方向、Y方向
に往復移動できるようにしてある。
Next, the transparent electrode substrate 46 is processed using the laser processing apparatus 50 shown in FIG. The laser processing device 50 includes a work table 52 on which the transparent electrode substrate 46 is placed, and an XY table 54 that supports the work table 52. The XY table 54 is
It has a fixed table 56 fixed to a base (not shown). The fixed table 56 supports a sliding table 58 so as to be able to reciprocate in the Y direction. In addition, the sliding table 58
Supports the work table 52 so as to be able to reciprocate in the X direction orthogonal to the Y direction. The work table 52 and the slide table 58 are each connected to a drive mechanism (not shown) (for example, a mechanism including a screw shaft and a screw, or a belt and a pulley).
And is connected to a motor (not shown) via a motor, and can reciprocate in the X and Y directions based on the driving of the corresponding motor.

【0026】XYテーブル54の上方には、周期的にレ
ーザビーム64を発振するレーザ発振器62を備えた光
学系60が配置されている。例えば、レーザ発振器62
としては、AOQSW(電気音響光学素子)を用いた、
短パルス発振のNd:YAGレーザが好適に利用でき
る。光学系60はまた、レーザ発振器62で発振された
レーザビーム64を透明電極基板46に導くために、可
変コリメータ、シリンドリカルコリメータ(共に図示せ
ず。)等と、マスク66、全反射ミラー68、結像レン
ズ70が配置されている。マスク66には、スリット状
長方形の開口部72が形成されている。マスク66に到
達するレーザビーム64の横断面は、例えば、円形又は
楕円形78を有するのであるが、後で説明するように、
開口部72を通過したレーザビーム64の横断面形状
は、開口部72により制限を受けて長方形になる(図6
(A))。開口部72を通過したレーザビーム64は、
全反射ミラー68で反射した後、結像レンズ70で絞ら
れて透明電極基板46に照射される。このとき透明電極
基板46に照射されるレーザビーム64のスポット形
状、すなわち透明電極基板46でレーザビーム64の照
射される領域の形状は、開口部72により制限を受けて
形成された形(図6(A)参照)を縮小した形となる
(図6(B))。
Above the XY table 54, an optical system 60 having a laser oscillator 62 for periodically oscillating a laser beam 64 is arranged. For example, the laser oscillator 62
As an example, an AOQSW (electroacoustic optical element) was used.
A short pulse oscillation Nd: YAG laser can be suitably used. The optical system 60 also includes a variable collimator, a cylindrical collimator (both not shown), a mask 66, a total reflection mirror 68, and the like, for guiding the laser beam 64 oscillated by the laser oscillator 62 to the transparent electrode substrate 46. An image lens 70 is provided. The mask 66 has a slit-shaped rectangular opening 72 formed therein. The cross section of the laser beam 64 arriving at the mask 66 has, for example, a circular or elliptical shape 78, as described below.
The cross-sectional shape of the laser beam 64 that has passed through the opening 72 becomes rectangular due to the restriction by the opening 72 (FIG. 6).
(A)). The laser beam 64 that has passed through the opening 72 is
After being reflected by the total reflection mirror 68, the light is squeezed by the imaging lens 70 and is irradiated on the transparent electrode substrate 46. At this time, the spot shape of the laser beam 64 irradiated on the transparent electrode substrate 46, that is, the shape of the area of the transparent electrode substrate 46 irradiated with the laser beam 64 is limited by the opening 72 (FIG. 6). (See FIG. 6 (A)) (FIG. 6 (B)).

【0027】以上のように、レーザ発振器62から出射
されたレーザビーム64を透明電極基板46上のレーザ
加工点において透明電極用薄膜44に照射する。それと
同時に、XYテーブル54を用いてワークテーブル52
及び透明電極基板46をX方向、Y方向に移動させる。
このとき、レーザビーム64の発振(オン、オフ)を、
XYテーブル54のX方向への相対速度に応じて同期制
御する。
As described above, the transparent electrode thin film 44 is irradiated with the laser beam 64 emitted from the laser oscillator 62 at the laser processing point on the transparent electrode substrate 46. At the same time, the work table 52 is
Then, the transparent electrode substrate 46 is moved in the X and Y directions.
At this time, the oscillation (on / off) of the laser beam 64 is
Synchronous control is performed according to the relative speed of the XY table 54 in the X direction.

【0028】具体的に、図7(A)に示すように、マス
ク66により制限を受けて形成される長方形のレーザビ
ーム64スポット形状において2長辺の方向をX方向に
一致させ、1パルス分のレーザビーム64を透明電極用
薄膜44に照射し、薄膜消失部73を形成し、対応する
部分の前面ガラス基板16を露出させる。次に、図7
(B)に示すように、XYテーブル54により透明電極
基板46をX方向に所定距離(X方向送り量)δxだけ
移動し、再び1パルス分のレーザビーム64を透明電極
用薄膜44に照射して、薄膜消失部73を形成する。同
様にして、透明電極基板46をX方向に移動しながら、
透明電極基板46がX方向にX方向送り量δxだけ送ら
れるごとに、1パルス分のレーザビーム64を透明電極
用薄膜44に照射し、図7(C)、(D)に示すよう
に、X方向に薄膜消失部73を連続した長溝74を形成
する。
More specifically, as shown in FIG. 7A, in a rectangular laser beam 64 spot shape formed by being restricted by the mask 66, the directions of the two long sides are made to coincide with the X direction, and one pulse is applied. Is irradiated to the transparent electrode thin film 44 to form a thin film disappearing portion 73, and the corresponding portion of the front glass substrate 16 is exposed. Next, FIG.
As shown in (B), the transparent electrode substrate 46 is moved by the XY table 54 in the X direction by a predetermined distance (X-direction feed amount) δx, and the laser beam 64 for one pulse is again irradiated on the transparent electrode thin film 44. Thus, a thin film disappearing portion 73 is formed. Similarly, while moving the transparent electrode substrate 46 in the X direction,
Each time the transparent electrode substrate 46 is fed in the X direction by the feed amount δx in the X direction, one pulse of the laser beam 64 is irradiated on the transparent electrode thin film 44, and as shown in FIGS. 7C and 7D, A long groove 74 is formed in which the thin film disappearing portion 73 is continuous in the X direction.

【0029】X方向送り量δxは、透明電極基板46上
において、1パルス分のレーザビーム64の照射領域
と、これに続く1パルス分のレーザビーム64の照射領
域が、X方向に重なり、その結果、透明電極基板46上
で薄膜消失部73が一定幅を備えて連続するように設定
する。なお、図7において、照射領域の重合部76が、
網点で表示してある。
In the X-direction feed amount δx, the irradiation area of the laser beam 64 for one pulse and the irradiation area of the laser beam 64 for the next one pulse overlap on the transparent electrode substrate 46 in the X direction. As a result, the thin-film disappearing portion 73 is set to be continuous with a certain width on the transparent electrode substrate 46. Note that, in FIG.
It is indicated by halftone dots.

【0030】X方向に所定の長さの薄膜消失部73が形
成されると、XYテーブル54をY方向に所定距離(Y
方向送り量)δyだけ移動し、上述と同様に、X方向に
長溝74を形成し、これにより、図7(D)に示すよう
に、隣接する長溝74の間に透明電極用薄膜44の未消
失部が残り、この未消失部が透明電極18として利用さ
れる。このようにして、X方向に連続した透明電極18
を、Y方向に所定の間隔をあけて、並列に形成する。
When the thin film disappearance portion 73 having a predetermined length is formed in the X direction, the XY table 54 is moved a predetermined distance (Y
In the same manner as described above, a long groove 74 is formed in the X direction. As a result, as shown in FIG. The lost portion remains, and the undeleted portion is used as the transparent electrode 18. Thus, the transparent electrode 18 continuous in the X direction
Are formed in parallel at predetermined intervals in the Y direction.

【0031】ところで、透明電極18間のギャップ、即
ち長溝74においては、精度が極力高いことが望まし
い。しかし、以下のような状況が発生すると、透明電極
用薄膜44が精度良く加工されることが妨げられる。 .レーザビーム64のパワーが適当でない。 .レーザビーム64のビームプロファイルが適当でな
い。 .透明電極基板46の位置がレーザビーム64の焦点
位置から外れている。
In the gap between the transparent electrodes 18, that is, in the long groove 74, it is desirable that the accuracy be as high as possible. However, when the following situation occurs, it is prevented that the transparent electrode thin film 44 is accurately processed. . The power of the laser beam 64 is not appropriate. . The beam profile of the laser beam 64 is not appropriate. . The position of the transparent electrode substrate 46 is out of the focus position of the laser beam 64.

【0032】上記の「.レーザビーム64のパワーが
適当でない。」状況について詳しく述べる。レーザビー
ム64のパワーは、レーザ発信器62の励起ランプの使
用時間やレーザ発信器62自体の連続運転時間等によ
り、変動することは不可避である。また一方、透明電極
用薄膜44の膜厚が厳密なレベルまで一定であるとは必
ずしも言い切れない。これらの場合いずれも、レーザビ
ーム64のパワーが適当では無くなる。例えば、レーザ
ビーム64のパワーが必要量より不足すると、特に、照
射されるレーザビーム64のパワー密度が低い周辺部
分、即ち矩形形状のレーザビーム64の四隅部分におい
て、透明電極用薄膜44を完全に除去しきれる程度のパ
ワー密度にならない。そのとき、1パルス分のレーザビ
ーム64による薄膜消失部73に着目すると、図8
(A)に示すように、鈍い角部を備える薄膜消失部7
3’が形成されてしまう。さらに、この薄膜消失部7
3’を連続させるとしても、図8(B)に示すような、
境界部に波線形状が混入する長溝74’にしかなり得
ず、図から明白なように、長溝74’の形状の精度は不
充分なものになりがちである。
The above-mentioned situation ". The power of the laser beam 64 is not appropriate" will be described in detail. It is inevitable that the power of the laser beam 64 fluctuates due to the use time of the excitation lamp of the laser transmitter 62, the continuous operation time of the laser transmitter 62 itself, and the like. On the other hand, it cannot always be said that the thickness of the transparent electrode thin film 44 is constant to a strict level. In any of these cases, the power of the laser beam 64 becomes inappropriate. For example, if the power of the laser beam 64 is less than the required amount, the transparent electrode thin film 44 is completely removed, particularly at the peripheral portion where the power density of the irradiated laser beam 64 is low, that is, at the four corners of the rectangular laser beam 64. The power density is not enough to be removed. At this time, focusing on the thin-film disappearance portion 73 due to the laser beam 64 for one pulse, FIG.
(A) As shown in FIG.
3 'is formed. Further, the thin film disappearing portion 7
Even if 3 ′ is continuous, as shown in FIG.
A long groove 74 'in which a wavy line shape is mixed at the boundary cannot be obtained much, and as is apparent from the drawing, the accuracy of the shape of the long groove 74' tends to be insufficient.

【0033】また、透明電極18形成時に上記のような
不具合があったとしても、それらの不具合による製品上
の不都合は、製造工程がかなり進んだ後での検査工程で
しか判明しない。即ち、プラズマディスプレイパネルと
しての形状を略整えた時点での検査工程で初めて判明す
るものである。所謂パネルとしての「製造歩留まり」を
低下させる要因であり、製造コストをアップさせる要素
でもある。
Even if the above-mentioned inconveniences occur when the transparent electrode 18 is formed, inconveniences on the product due to these inconveniences can be found only in an inspection process after a considerable progress in the manufacturing process. That is, it becomes clear for the first time in the inspection process when the shape of the plasma display panel is substantially adjusted. This is a factor that lowers the “production yield” as a so-called panel, and is also an element that increases the manufacturing cost.

【0034】従って、本発明では、 ・透明電極18形成時点若しくは形成直前時において、
1パルス分のレーザビーム64による薄膜消失部73を
試験的に形成しその形状を直接確認して所望の精度基準
を満たしているか否かを判断し(形状判定機能)、 ・更にその確認により得られる情報(データ)を、レー
ザ加工装置50を構成する諸機能にフィードバックして
上記の「透明電極用薄膜44が精度良く加工されること
が妨げられる」状況を自動的に除去し、以って透明電極
18を精度良く形成する(フィードバック機能)。 図5におけるCCDカメラ102、画像処理装置10
4、表示装置106、及び出力制御部108、図9にお
ける位置移動制御部(マスク位置移動制御部110、結
像レンズ位置移動制御部112)、及び位置移動駆動部
(マスク位置移動駆動部114、結像レンズ位置移動駆
動部116)は、上記の「形状判定機能」「フィードバ
ック機能」を実現するための部位である。これら部位の
役割について、以下で詳しく説明する。
Therefore, in the present invention, at the time of forming the transparent electrode 18 or immediately before the formation thereof,
A thin film disappearing portion 73 is experimentally formed by one pulse of the laser beam 64, and its shape is directly checked to determine whether or not a desired accuracy standard is satisfied (a shape determining function). The obtained information (data) is fed back to the various functions constituting the laser processing apparatus 50 to automatically remove the above-mentioned situation where "the transparent electrode thin film 44 is prevented from being processed with high accuracy". The transparent electrode 18 is formed with high accuracy (feedback function). CCD camera 102 and image processing device 10 in FIG.
4, display device 106 and output control unit 108, position movement control unit (mask position movement control unit 110, imaging lens position movement control unit 112) and position movement drive unit (mask position movement drive unit 114 in FIG. 9) The imaging lens position movement drive unit 116) is a part for realizing the “shape determination function” and “feedback function” described above. The role of these parts will be described in detail below.

【0035】図5のレーザ加工装置50において、レー
ザビーム64により形成される薄膜消失部73を細微に
まで撮像するCCDカメラ102が、光学系60の内部
若しくは近傍に備えられている。CCDカメラ102に
より(例えば)1パルス分のレーザビーム64により形
成された薄膜消失部73が撮像される。尚ここで薄膜消
失部73に係る映像データを撮像し得る装置であれば、
CCDカメラ102に取って代わることは可能である。
撮像された薄膜消失部73に係る映像データは自動的に
画像処理装置104に送られる。画像処理装置104
は、例えば、適切な能力を備える計算機であればよい。
画像処理装置104では、該映像データに対して形状が
判定される。判定に基づいて、レーザ加工装置50各部
位へのフィードバック制御データが形成され、その内容
に応じてレーザ加工装置50の各部位に係る制御部、例
えば、レーザ出力制御部108や位置移動制御部(マス
ク位置移動制御部110、結像レンズ位置移動制御部1
12)に伝送される。レーザ出力制御部108は、上記
のフィードバック制御データを受けてレーザ発信器62
から出力されるレーザビーム64のパワー(密度)を調
整する。マスク位置移動制御部110と結像レンズ位置
移動制御部112は、上記のフィードバック制御データ
を受けてマスク位置移動駆動部114と結像レンズ位置
移動駆動部116を夫々制御して、マスク66と結像レ
ンズ70の位置を移動させる。
In the laser processing apparatus 50 shown in FIG. 5, a CCD camera 102 for minutely capturing an image of a thin film disappearance portion 73 formed by a laser beam 64 is provided inside or near the optical system 60. The thin film disappearance portion 73 formed by the laser beam 64 for one pulse (for example) is imaged by the CCD camera 102. Here, if it is an apparatus capable of capturing video data related to the thin film disappearance section 73,
It is possible to replace the CCD camera 102.
The imaged video data relating to the thin film disappearance section 73 is automatically sent to the image processing device 104. Image processing device 104
May be a computer having appropriate capabilities, for example.
The image processing device 104 determines the shape of the video data. Based on the determination, feedback control data for each part of the laser processing device 50 is formed, and a control unit related to each part of the laser processing device 50, for example, a laser output control unit 108 or a position movement control unit ( Mask position movement control unit 110, imaging lens position movement control unit 1
12). The laser output control unit 108 receives the feedback control data and
The power (density) of the laser beam 64 output from is adjusted. The mask position movement control unit 110 and the imaging lens position movement control unit 112 control the mask position movement drive unit 114 and the imaging lens position movement drive unit 116 in response to the feedback control data to form the image with the mask 66. The position of the image lens 70 is moved.

【0036】続いて、CCDカメラ102で取り込んだ
映像データに対する、画像処理装置104の、.形状
判定処理、.を利用したフィードバック指示データ
形成処理、について更に説明する。図10は、.形状
判定処理の1つの実施形態の順序を示すフローチャート
である。該フローチャートは、画像処理装置104であ
る計算機にて稼動するコンピュータプログラム(群)に
より実施される。
Subsequently, the image processing device 104 outputs the video data captured by the CCD camera 102 to the. Shape determination processing,. Is further described. FIG. It is a flowchart which shows the order of one Embodiment of a shape determination process. The flowchart is implemented by a computer program (group) that runs on a computer that is the image processing apparatus 104.

【0037】図10のフローチャートにおいて、先ず取
り込んだ濃淡ある映像データに対し「前処理」を行なう
(ステップS02)。ここでは、映像上のノイズを除去
する。当業者によく知られている「膨張(dilati
on、拡大)と収縮(erosion、contrac
tion、縮小)によるノイズ除去」の方法を利用して
行なうことが望ましい。
In the flowchart of FIG. 10, first, "pre-processing" is performed on the captured video data having gradation (step S02). Here, noise on the video is removed. "Dilati" well known to those skilled in the art
on, expansion) and contraction (erosion, contrast)
It is desirable to use a method of “noise removal by the use of a“ tion, reduction ”).

【0038】次に、「2値化」処理を行う(ステップS
04)。この処理を行えば、例えば、図8(A)に示さ
れる薄膜消失部73’において薄膜の消失に相当する部
位の画素が“1”(または“0”)になり、その他の部
位の画素が“0”(または“1”)の状態になる。2値
化処理においては、濃淡を備える各々の画素に対し
“0”と“1”とを分ける閾値を設定することが必要で
あるが、この閾値設定に際しては、ヒストグラム(等)
を用いる可変閾値法でも、固定閾値法でもいずれも利用
することができる。いずれも公知の技術である。
Next, "binarization" processing is performed (step S).
04). When this process is performed, for example, in the thin film disappearance part 73 ′ shown in FIG. 8A, the pixel corresponding to the disappearance of the thin film becomes “1” (or “0”), The state becomes "0" (or "1"). In the binarization process, it is necessary to set a threshold value for separating “0” and “1” for each pixel having shading.
Both the variable threshold method and the fixed threshold method can be used. Both are known techniques.

【0039】次に、2値化された映像データに対して、
「輪郭線抽出」処理を行う(ステップS06)。この輪
郭線抽出処理においては、例えば、よく知られた「輪郭
追跡法」を利用することができる。
Next, for the binarized video data,
An "outline extraction" process is performed (step S06). In the contour extraction processing, for example, a well-known “contour tracking method” can be used.

【0040】輪郭線抽出された薄膜消失部73に係る映
像データは、略4角形をしている。そこで、4つのコー
ナを抽出するため「折点検出」処理を行う(ステップS
08)。ここでは、例えば、よく知られた「複数のベク
トルを曲線上に設定するベクトルトレーサによる直線近
似化法」を利用することができる。
The image data relating to the thin film disappearance portion 73 from which the contour line has been extracted has a substantially quadrangular shape. Therefore, a "break point detection" process is performed to extract four corners (step S
08). Here, for example, a well-known “linear approximation method using a vector tracer that sets a plurality of vectors on a curve” can be used.

【0041】次に、折点間の各4辺の輪郭線の各点に関
して直線近似を行なう(ステップS10)。直線近似処
理においては、最小自乗法(等)を利用することができ
る。
Next, a straight line approximation is performed for each point of the outline of each of the four sides between the folding points (step S10). In the straight line approximation processing, a least squares method (or the like) can be used.

【0042】そして、薄膜消失部73に係る映像データ
の形状(の可否)の判定を行う(ステップS12)。判
定基準として、以下のものが想定できる。 (1)近似直線と辺の輪郭線との距離の平方和が、一定
の閾値以上であれば、薄膜消失部73が図8(A)に示
すような樽形状であることを示すため、不可である。 (2)隣接する近似直線が為す角度が、直角よりも相当
に大きければ、マスク66の形状が正確に転写されてい
ないことを示すため、不可である。 (3)近似直線(曲線)により画定される薄膜消失部7
3の面積が、一定の値から所定量離れていれば、不可で
ある。以上、いずれの基準においても、可となることが
望ましい。図11のフローチャートは、ステップS12
の処理内容の詳細な具体例を示したものであり、上記の
3つの判定基準のいずれにおいても可となる場合のみ、
全体として「可」の判定を与えるものである。
Then, the shape of the video data relating to the thin-film disappearance portion 73 is determined (step S12). The following can be assumed as criteria. (1) If the sum of the squares of the distance between the approximate straight line and the outline of the side is equal to or more than a certain threshold value, it indicates that the thin film disappearing portion 73 has a barrel shape as shown in FIG. It is. (2) If the angle formed by the adjacent approximate straight lines is considerably larger than the right angle, it is impossible because the shape of the mask 66 is not accurately transferred. (3) Thin film vanishing part 7 defined by an approximate straight line (curve)
It is impossible if the area of No. 3 is apart from a certain value by a predetermined amount. As described above, it is desirable that any of the criteria be acceptable. The flowchart of FIG.
This shows a detailed specific example of the processing content of the above, and only when the above three determination criteria are acceptable,
The determination of "OK" is given as a whole.

【0043】また、当業者には明白であるが、判定基準
は上記の3基準若しくはそれらの組み合わせに限定され
るものではない。例えば、テンプレートを用いたテンプ
レートマッチングによる形状認識の基準(等)が考えら
れる。
Also, as will be apparent to those skilled in the art, the criteria are not limited to the above three criteria or a combination thereof. For example, a criterion (such as) for shape recognition by template matching using a template can be considered.

【0044】更に、図12は、上記の図10に示される
形状判定処理を利用した、フィードバック指示データ形
成処理の1つの実施形態の順序を示すフローチャートで
ある。該フローチャートは、画像処理装置104である
計算機にて稼動するコンピュータプログラム(群)によ
り実施される。
FIG. 12 is a flowchart showing the sequence of one embodiment of the feedback instruction data forming process utilizing the shape determining process shown in FIG. The flowchart is implemented by a computer program (group) that runs on a computer that is the image processing apparatus 104.

【0045】先ず、画像処理装置104である計算機か
らレーザビーム出力制御部108に対し、レーザビーム
1パルス分による薄膜消失部73形成処理の指示が与え
られる(ステップS22)。該指示を受けて、レーザ発
信器62はレーザビーム64を1パルス発射する。これ
により、薄膜消失部73が1つだけ透明電極用薄膜46
に生成される。
First, the computer serving as the image processing device 104 gives an instruction to the laser beam output control unit 108 for forming the thin film disappearing portion 73 by one pulse of the laser beam (step S22). Upon receiving the instruction, the laser transmitter 62 emits one pulse of the laser beam 64. As a result, only one thin film disappearing portion 73 is provided for the transparent electrode thin film 46.
Is generated.

【0046】次に、画像処理装置104である計算機か
らCCDカメラ102に対し、上記の薄膜消失部73を
撮像する指示が与えられる(ステップS24)。撮像デ
ータは自動的に画像処理装置104に取り込まれる。
Next, the computer serving as the image processing device 104 gives the CCD camera 102 an instruction to image the thin film disappearance portion 73 (step S24). The image data is automatically taken into the image processing device 104.

【0047】次に、取り込まれた薄膜消失部73に係る
撮像データの判定処理が行なわれる(ステップS2
6)。このステップの詳細は、図10、図11、及び上
記にて、詳しく示している。
Next, a process of judging the image data relating to the taken-in thin-film disappearance portion 73 is performed (step S2).
6). The details of this step are shown in detail in FIGS. 10, 11 and above.

【0048】次に(ステップS28)、取り込まれた薄
膜消失部73に係る撮像データの判定が、“可”であれ
ば、処理を終了する。該判定が、“不可”であれば、フ
ィードバック処理のため、ステップS30に進む。
Next (step S28), if the judgment of the taken image data relating to the thin film disappearance portion 73 is "OK", the process is terminated. If the determination is "impossible", the process proceeds to step S30 for feedback processing.

【0049】ステップS30では、レーザビームのパワ
ー(エネルギ)の変更を、出力制御部108に対し指示
する。例えば、ステップS26において、・近似直線
(曲線)により画定される薄膜消失部73の面積が、一
定の値から所定量以上少ないと判断されていれば、レー
ザビ−プのパワーを微小量増加し、・同面積が、一定の
値より所定量以上多いと判断されていれば、レーザビ−
プのパワーを微小量減する、というような変更が想定さ
れ得る。このような変更後、再度、レーザビーム1パル
ス分による薄膜消失部73形成処理、その薄膜消失部7
3の撮像処理、及び判定処理が繰り返される。即ち、再
度形成される薄膜消失部73に係る撮像データの判定が
“可”となるまで繰り返される。
In step S30, the output control unit 108 is instructed to change the power (energy) of the laser beam. For example, in step S26, if it is determined that the area of the thin film disappearing portion 73 defined by the approximate straight line (curve) is smaller than a predetermined value by a predetermined amount or more, the power of the laser beep is increased by a small amount;・ If it is determined that the area is larger than a predetermined value by a predetermined amount or more, the laser beam
A change such as a small reduction in the power of the pump may be envisaged. After such a change, the processing for forming the thin-film disappearing portion 73 by one pulse of the laser beam is performed again,
The imaging process 3 and the determination process 3 are repeated. That is, the determination is repeated until the determination of the imaging data relating to the thin film disappearing portion 73 formed again becomes “OK”.

【0050】薄膜消失部73に係る撮像データの判定が
“可”となれば、処理は終了する。
When the judgment of the imaging data relating to the thin film disappearance section 73 becomes “OK”, the processing is terminated.

【0051】上記のステップS30では、マスク66と
結像レンズ70の位置を移動させて透明電極基板46の
位置とレーザビーム64の焦点位置とを合わせることを
指示するデータを、マスク位置移動制御部110と結像
レンズ位置移動制御部112に対して、与えるようにし
てもよい。また、同ステップS30では、レーザビーム
64のビームプロフィルの変更を指示するデータを、出
力制御部108に対し指示するものであってもよい。
In step S30, data for instructing the position of the mask 66 and the imaging lens 70 to be moved to align the position of the transparent electrode substrate 46 with the focal position of the laser beam 64 is transmitted to the mask position movement controller. The information may be provided to the image data 110 and the imaging lens position movement control unit 112. In step S30, data for instructing a change in the beam profile of the laser beam 64 may be instructed to the output control unit 108.

【0052】以上で説明してきた「形状判定機能」「フ
ィードバック機能」は、例えば、図4(B)の透明電極
用薄膜44のうち消失されることが確実な端部にてレー
ザビーム64の「試し打ち」をする際に実施することが
想定され得る。即ち、確実に消失する端部で、薄膜消失
部73の形状を調整すればよい、ということである。
The “shape determination function” and “feedback function” described above are performed, for example, at the end of the transparent beam thin film 44 in FIG. It can be assumed that this is performed when performing “trial hitting”. That is, the shape of the thin-film disappearing portion 73 may be adjusted at the end portion where the thin film disappears reliably.

【0053】なお、図3に示すように、各透明電極対4
2を構成している2つの透明電極18の空間ピッチG1
と、隣接する透明電極対42の間の空間ピッチG2とが
異なる場合、それぞれの空間ピッチG1、G2に対応し
たスリット幅を有する開口部72をそれぞれ備えた2つ
のマスクを用意し、XYテーブル54をY方向に移動す
る際に、これらのマスクを切り替えるようにする。また
は、一つのマスクを使用する場合、狭い空間ピッチG1
用のマスクだけを設け、このマスクを利用し、広い空間
ピッチG2の透明電極薄膜部分を除去する場合、電極消
失部がY方向に重なるように、Y方向に僅かだけXYテ
ーブル54を移動させて複数回にわたってレーザビーム
を照射してもよい。
As shown in FIG. 3, each transparent electrode pair 4
2, the spatial pitch G1 of the two transparent electrodes 18 constituting
And the spatial pitch G2 between the adjacent transparent electrode pairs 42 is different, two masks each having an opening 72 having a slit width corresponding to each spatial pitch G1, G2 are prepared, and the XY table 54 is prepared. These masks are switched when is moved in the Y direction. Alternatively, when one mask is used, the narrow spatial pitch G1
When the transparent electrode thin film portion having a wide space pitch G2 is removed using this mask, the XY table 54 is slightly moved in the Y direction so that the electrode disappearance portions overlap in the Y direction. The laser beam may be irradiated a plurality of times.

【0054】以上、プラズマディスプレイパネル及びそ
の製造方法について説明したが、上述した、薄膜を有す
る基板にレーザビームを照射して加工する方法は、プラ
ズマディスプレイパネルの製造方法だけに適用されるも
のでなく、広く、電極加工などの薄膜加工技術に適用で
きるものである。
The plasma display panel and the method of manufacturing the same have been described above. However, the above-described method of irradiating a substrate having a thin film with a laser beam for processing is not limited to the method of manufacturing a plasma display panel. The present invention can be widely applied to thin film processing techniques such as electrode processing.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法等によれ
ば、従来の透明電極形成方法に比べて、製造工程が格段
に少なく、かつ簡素で小型の製造設備を実現できる。ま
た、マスクの設計変更等にも容易に対応でき、環境に対
しても負荷の少ない、高品質の透明電極を得ることがで
きる。
As is apparent from the above description, according to the method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention, the number of manufacturing steps is much smaller, and the manufacturing method is simpler and smaller than the conventional method of forming a transparent electrode. Manufacturing equipment can be realized. Further, it is possible to easily cope with a change in mask design and the like, and it is possible to obtain a high-quality transparent electrode with little load on the environment.

【0056】特に、レーザビーム1パルスにより形成さ
れる1つの薄膜消失部73の形状の具合を細微に到るま
で判定し、その判定結果を光学系60を構成する各部位
にフィードバックする機能を備えることにより、透明電
極の形状の精度を向上させることができ、従って、所謂
プラズマディスプレイパネルとしての「製造歩留まり」
を向上させ製造コストを下げることが可能になる。
In particular, a function is provided for judging the state of the shape of one thin-film disappearance portion 73 formed by one pulse of the laser beam until it reaches a minute level, and feeding the judgment result back to each part constituting the optical system 60. As a result, the accuracy of the shape of the transparent electrode can be improved, and therefore, the “production yield” as a so-called plasma display panel can be improved.
And the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 プラズマディスプレイパネルの部分斜視図で
ある。
FIG. 1 is a partial perspective view of a plasma display panel.

【図2】 透明電極を備えた前面ガラス基板の平面図で
ある。
FIG. 2 is a plan view of a front glass substrate provided with a transparent electrode.

【図3】 前面ガラス基板上に形成された透明電極の部
分拡大平面図である。
FIG. 3 is a partially enlarged plan view of a transparent electrode formed on a front glass substrate.

【図4】 透明電極の製造工程に用いられる透明電極基
板及びその製造工程説明図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a transparent electrode substrate used in a transparent electrode manufacturing process and a manufacturing process thereof.

【図5】 レーザ加工装置の斜視図、及び画像処理装置
とそれに係る制御部とのブロック図である。
FIG. 5 is a perspective view of a laser processing apparatus, and a block diagram of an image processing apparatus and a control unit related thereto.

【図6】 マスクの開口部とレーザビームの横断面との
関係図と、透明電極用薄膜に形成した薄膜消失部の拡大
平面図及び断面図である。
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between an opening of a mask and a cross section of a laser beam, and an enlarged plan view and a sectional view of a thin film disappearing portion formed on a thin film for a transparent electrode.

【図7】 透明電極の製造工程を説明する図(1)であ
る。
FIG. 7 is a diagram (1) illustrating a manufacturing step of a transparent electrode.

【図8】 透明電極の製造工程を説明する図(2)であ
る。
FIG. 8 is a diagram (2) illustrating a process for manufacturing a transparent electrode.

【図9】 画像処理装置とそれに係る制御部とのブロッ
ク図である。
FIG. 9 is a block diagram of an image processing apparatus and a control unit related thereto.

【図10】 形状判定処理の1つの実施形態の順序を示
すフローチャートである。
FIG. 10 is a flowchart showing the order of one embodiment of a shape determination process.

【図11】 薄膜消失部の形状の可・不可を判定するス
テップの詳細な具体例を示すフローチャートである。
FIG. 11 is a flowchart showing a detailed specific example of a step of determining whether the shape of the thin film disappearance portion is acceptable or not.

【図12】 フィードバック指示データ形成処理の1つ
の実施形態の順序を示すフローチャートである。
FIG. 12 is a flowchart showing a sequence of one embodiment of a feedback instruction data forming process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…プラズマディスプレイパネル、12…前面パネ
ル、14…背面パネル、16…前面ガラス基板、18…
透明電極、20…バス電極、22…誘電体、24…保護
膜、26…背面ガラス基板、28…データ電極、30…
誘電体、32…隔壁、34…蛍光体、36…放電空間、
44…透明電極用薄膜、50…レーザ加工装置、54…
XYテーブル、62…レーザ発振器、64…レーザビー
ム、66…マスク、70…結像レンズ、72…開口部、
73…薄膜消失部、74…長溝、80…境界辺部、82
…周辺曲線部、102…CCDカメラ、104…画像処
理装置、106…表示装置、108…出力制御部、11
0…マスク位置移動制御部、112…結像レンズ位置移
動制御部、114…マスク位置移動駆動部、116…結
像レンズ位置移動駆動部。
10 Plasma display panel, 12 Front panel, 14 Rear panel, 16 Front glass substrate, 18
Transparent electrode, 20: bus electrode, 22: dielectric, 24: protective film, 26: rear glass substrate, 28: data electrode, 30 ...
Dielectric, 32 ... partition, 34 ... phosphor, 36 ... discharge space,
44: a thin film for a transparent electrode, 50: a laser processing device, 54:
XY table, 62 laser oscillator, 64 laser beam, 66 mask, 70 imaging lens, 72 opening
73: Thin film disappearance part, 74: Long groove, 80: Boundary side, 82
... Peripheral curve part, 102... CCD camera, 104... Image processing device, 106.
0: mask position movement control unit, 112: imaging lens position movement control unit, 114: mask position movement drive unit, 116: imaging lens position movement drive unit.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B23K 101:36 B23K 101:36 (72)発明者 森 啓蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4E068 CD05 CD10 CE04 DA09 5C027 AA01 AA03 5C040 GC06 GC19 JA07 JA11 JA31 LA17 MA23 MA26 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court II (Reference) // B23K 101: 36 B23K 101: 36 (72) Inventor Keizo Mori 1006 Kazuma Kazuma, Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Company F term (reference) 4E068 CD05 CD10 CE04 DA09 5C027 AA01 AA03 5C040 GC06 GC19 JA07 JA11 JA31 LA17 MA23 MA26

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 前面基板と該前面基板との間に所定の間
隔をあけて略平行に配置された背面基板とを有し、 背面基板に対向する前面基板の背面上に、順次、第1の
方向に平行に伸びる複数の透明電極と、各透明基板の背
面上を透明電極と平行に伸びるバス電極と、これら透明
電極とバス電極とを被覆する誘電体層と、誘電体層を被
覆する保護膜とを設け、 前面基板に対向する背面基板の前面上に、第1の方向に
略直交する第2の方向に平行に伸びる複数のデータ電極
と、隣接するデータ電極の間にデータ電極と平行に伸び
る隔壁と、隣接する隔壁の間に設けられた蛍光体とを設
けたプラズマディスプレイパネルにおいて、 前面基板の背面上の所定領域に透明電極用薄膜を形成
し、 レーザ発振器から周期的に出射されるレーザビームを、
開口部を備える整形プレートに当て、その開口部を介す
ることで形成される整形後レーザビームを、その透明電
極用薄膜に照射して透明電極を形成する工程に、(a)
上記整形後レーザビームに対して前面基板を移動させな
がら、透明電極用薄膜上において一つの整形後レーザビ
ームが照射される領域とこの整形後レーザビームに続い
て出射される次の整形後レーザビームが照射される領域
とが少なくとも一部で重ねるようにレーザビームを出射
して透明電極用薄膜部分を順次消失させ、これにより前
面基板の露出する長溝を第1の方向に連続して形成する
工程と、(b)工程(a)の終了後、形成された長溝か
ら第2の方向に所定の距離だけ離れた場所に整形後レー
ザビームの照射位置を移動する工程と、(c)工程
(a)と(b)を繰り返し、透明電極用薄膜に複数の長
溝を平行に形成し、これにより各隣接する長溝の間にそ
れぞれ透明電極を形成する工程とを含み、 整形後レーザビームが照射される上記の1つの領域を撮
影し、所定の画像処理を与え、撮影された該領域の精度
を所定の基準により判定することを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。
1. A front substrate comprising: a front substrate; and a rear substrate disposed substantially parallel to the front substrate with a predetermined distance between the front substrate and a first substrate disposed on a rear surface of the front substrate facing the rear substrate. A plurality of transparent electrodes extending in parallel to the direction of, a bus electrode extending in parallel with the transparent electrode on the back surface of each transparent substrate, a dielectric layer covering these transparent electrodes and the bus electrode, and a dielectric layer A plurality of data electrodes extending in parallel in a second direction substantially orthogonal to the first direction on a front surface of the rear substrate facing the front substrate; and a data electrode between the adjacent data electrodes. In a plasma display panel provided with partition walls extending in parallel and phosphors provided between adjacent partition walls, a thin film for a transparent electrode is formed in a predetermined area on the back surface of a front substrate, and the thin film is periodically emitted from a laser oscillator. Laser beam,
(A) forming a transparent electrode by irradiating a shaping plate having an opening with a shaped laser beam formed through the opening to the transparent electrode thin film to form a transparent electrode;
While the front substrate is moved with respect to the shaped laser beam, a region to be irradiated with one shaped laser beam on the transparent electrode thin film and the next shaped laser beam emitted following the shaped laser beam Emitting a laser beam so that at least a part of the region to be irradiated overlaps the thin film portion for the transparent electrode, thereby continuously forming a long groove exposed on the front substrate in the first direction. (B) moving the irradiation position of the shaped laser beam to a place away from the formed long groove by a predetermined distance in the second direction after the step (a), and (c) step (a). ) And (b) are repeated to form a plurality of long grooves in parallel in the thin film for a transparent electrode, thereby forming a transparent electrode between each adjacent long grooves. Up A method for producing a plasma display panel, comprising: photographing one area described above, applying predetermined image processing, and determining the accuracy of the photographed area based on a predetermined standard.
【請求項2】 整形後レーザビームが照射される1つの
領域の精度を所定の基準により判定することにより得ら
れるデータを基にして、レーザビームの属性を調整し、
上記の整形後レーザビームが照射される領域の精度を向
上させることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。
2. An attribute of a laser beam is adjusted based on data obtained by determining the accuracy of one area irradiated with a laser beam after shaping based on a predetermined criterion,
The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the accuracy of an area irradiated with the shaped laser beam is improved.
【請求項3】 透明電極用薄膜がITO膜又はネサ膜で
ある、請求項1乃至請求項2に記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。
3. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the transparent electrode thin film is an ITO film or a Nesa film.
【請求項4】 基板の表面に薄膜を設け、周期的に発振
されるレーザビームを薄膜に照射して所定の方向に連続
した薄膜消失部を形成するレーザ加工方法であって、 レーザビームの横断面が整形プレートの開口部に制限さ
れて整形後レーザビームが出射されるように該レーザビ
ームが該プレートに当てられ、 薄膜上にはその整形後レーザビームが照射され、 整形後レーザビームの照射により形成される上記の1つ
の薄膜消失部を撮影し、所定の画像処理を与え、撮影さ
れた該薄膜消失部の精度を所定の基準により判定するこ
とを特徴とするレーザ加工方法。
4. A laser processing method comprising: providing a thin film on a surface of a substrate; and irradiating the thin film with a periodically oscillated laser beam to form a continuous thin film disappearing portion in a predetermined direction. The laser beam is applied to the plate so that the surface is limited to the opening of the shaping plate and the laser beam is emitted after the shaping, and the thin film is irradiated with the shaped laser beam, and irradiated with the shaped laser beam. A method for photographing the one thin film disappeared portion formed by the method, applying predetermined image processing, and judging the accuracy of the photographed thin film disappeared portion based on a predetermined standard.
【請求項5】 整形後レーザビームが照射される1つの
薄膜消失部の精度を所定の基準により判定することによ
り得られるデータを基にして、レーザビームの属性を調
整し、上記の整形後レーザビームが照射される薄膜消失
部の精度を向上させることを特徴とする、請求項4に記
載のレーザ加工方法。
5. The laser beam after adjusting the attribute of the laser beam based on data obtained by determining the accuracy of one thin film erasure portion irradiated with the laser beam after shaping based on a predetermined standard. The laser processing method according to claim 4, wherein the accuracy of the thin film disappearance portion irradiated with the beam is improved.
【請求項6】 薄膜が透明電極用薄膜である、請求項4
乃至請求項5に記載のレーザ加工方法。
6. The thin film for a transparent electrode according to claim 4, wherein the thin film is a thin film for a transparent electrode.
The laser processing method according to claim 5.
【請求項7】 透明電極用薄膜がITO膜又はネサ膜で
ある、請求項6に記載のレーザ加工方法。
7. The laser processing method according to claim 6, wherein the transparent electrode thin film is an ITO film or a Nesa film.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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