JP2001284810A - Wiring board and method of manufacturing the same - Google Patents

Wiring board and method of manufacturing the same

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JP2001284810A
JP2001284810A JP2000090227A JP2000090227A JP2001284810A JP 2001284810 A JP2001284810 A JP 2001284810A JP 2000090227 A JP2000090227 A JP 2000090227A JP 2000090227 A JP2000090227 A JP 2000090227A JP 2001284810 A JP2001284810 A JP 2001284810A
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JP
Japan
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layer
wiring
wiring board
plating
insulating layer
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Application number
JP2000090227A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuro Imamura
達郎 今村
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board having a via structure and capable of solving a problem of connection reliability and coping with higher level integration, and its manufacturing method, and further provide a wiring board which can be easily manufactured by using the exsisting facilities for manufacturing of general printed wiring boards, ensure connection reliability and cope with higher level integration and has a filled via, and to provide its manufacturing method. SOLUTION: This wiring board is formed by a method wherein a wiring board in which a wiring part is formed on the surface is made a base substrate, and at least one wiring layer is laminated on the surface of the base substrate on which surface the wiring part is formed by interposing an insulating layer every one wiring layer. A via formed on the insulating layer is filled with a conductor layer. Further, a conductor layer is formed by plating.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板と配線形
成方法に関し、特に、配線間を接続するビアが、導体層
で埋め込まれている構造を有する配線基板と、その製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board and a wiring forming method, and more particularly to a wiring board having a structure in which a via connecting between wirings is buried in a conductive layer, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】マルチメデイアの到来とともに携帯電
話、ビデオカメラ、パソコン等民生用機器を中心に小型
化、軽量化、高速化、高機能化が進展し、チップやチッ
プ周辺部品などの小型化や半導体パッケージの形態、実
装方式の変革が進行する。このことは、必然的にチップ
やチップ周辺部品等を搭載するプリント配線板の高密度
化を促し、その結果として高密度配線のプリント配線板
が要求される。近年、対応する技術として、ビルドアッ
プ工法と呼はれる製造方法の注目が高まっている。この
方法は、これまでの層間接続として貫通スルーホール構
造を主体とした2層基板あるいは3層以上の多層板をコ
ア基板として、絶縁層と配線層を繰り返し積層形成する
ものである。従来は、コア基板の片面あるいは両面に感
光性絶縁樹脂を塗布あるいはラミネートし、フォトリソ
グラフィーにて電気的な層間接続用のビア孔を形成し、
全面に無電解めっき(例えば化学銅めっき)を施し、さ
らにドライフィルムを用いたフォトリソグラフィーにて
回路形成領域を製版後、電気銅めっきを施し、ビアの形
状に沿った構造のコンベンショナル・ビアを形成し、最
終的に回路部以外の無電解めっき層をエッチングするこ
とで配線形成、配線絶縁、層間導通を実現し、このプロ
セスを複数回繰り返す事で多層配線基板を形成してい
る。
2. Description of the Related Art With the advent of multimedia, miniaturization, weight reduction, high speed, and high functionality have progressed mainly in consumer devices such as mobile phones, video cameras, and personal computers, and the miniaturization of chips and chip peripheral parts has been increasing. Changes in the form and mounting method of semiconductor packages will progress. This inevitably increases the density of printed wiring boards on which chips and chip peripheral components are mounted, and as a result, printed wiring boards with high-density wiring are required. In recent years, as a corresponding technology, a manufacturing method called a build-up method has been attracting attention. In this method, an insulating layer and a wiring layer are repeatedly formed by laminating a two-layer board or a multilayer board having three or more layers having a through-hole structure as a core board as a conventional interlayer connection. Conventionally, photosensitive insulating resin is applied or laminated on one or both sides of the core substrate, and via holes for electrical interlayer connection are formed by photolithography,
Electroless plating (for example, chemical copper plating) is applied to the entire surface, and after making a circuit forming area by photolithography using a dry film, electroplating is performed to form a conventional via having a structure according to the shape of the via. Finally, wiring formation, wiring insulation, and interlayer conduction are realized by etching the electroless plating layer other than the circuit portion, and a multilayer wiring board is formed by repeating this process a plurality of times.

【0003】この従来の方法によるコンベンショナル・
ビアの形成と、配線層の形成を、図6に基づいて、以
下、簡単に説明しておく。先ず、第1の配線部620を
その一面に形成した配線基材610を用意し(図6
(a))、配線を形成する面側に、所定の形状にエポキ
シ樹脂等の絶縁層630を形成する。(図6(b)) 絶縁層630の形成は、スクリーン印刷法、カーテンコ
ーティング法、ラミネート法などで行なわれる。次い
で、絶縁層630表面部を過マンガン酸薬液処理640
等により粗面化した(図6(c))後、触媒付与を行
い、無電解めっきにより、無電解めっき層650を、絶
縁層630の表面部全面を覆うように配設する。(図6
(d)) 無電解めっきとしては、後続する電解めっきの下地、且
つ、給電層となるもので、無電解ニッケルめっき、無電
解銅めっきが一般的で、後続する電解銅めっき等の電解
めっきができる程度の厚さに形成しておく。次いで、無
電解めっき層650上に、形成する配線部形状に合せ、
所定形状の開口を有するレジスト層660を形成し(図
6(e))、配設された無電解めっき層650を給電層
として、レジスト層660を耐めっきマスクとして、無
電解めっき層650上に電解めっきを行い、配線部とな
る電解めっき層670を形成する。(図6(f)) 電解めっき層670は、第2の配線部となるもので、通
常、導電性、コスト面から銅めっき層が用いられるが、
金めっき層、銀めっき層、ニッケルめっき層等、他のめ
っき層単層、あるいは、銅めっき層を含め、これらのめ
っき層を多層に形成したものでも良い。次いで、レジス
ト層660を除去して(図6(g))から、配線部を損
なわないように余分の無電解めっき層650をソフトエ
ッチングする。(図6(h)) このようにして、第1の配線部620をその一面に設け
た配線基材610の、第1の配線部上に絶縁層層630
を介して、第2の配線部675(電解めっき層670と
その下の無電解めっき層650)が形成される。尚、ソ
フトエッチングとは、極めて短時間のエッチングを言
い、特に形成する配線部に影響がでない程度のエッチン
グを言う。
[0003] The conventional method by this conventional method
The formation of the via and the formation of the wiring layer will be briefly described below with reference to FIG. First, a wiring base material 610 having a first wiring portion 620 formed on one surface thereof is prepared (FIG. 6).
(A)) An insulating layer 630 of epoxy resin or the like is formed in a predetermined shape on the surface side on which the wiring is formed. (FIG. 6B) The insulating layer 630 is formed by a screen printing method, a curtain coating method, a laminating method, or the like. Next, the surface of the insulating layer 630 is treated with a permanganate chemical solution 640.
After the surface is roughened (FIG. 6C), a catalyst is applied, and the electroless plating layer 650 is disposed by electroless plating so as to cover the entire surface of the insulating layer 630. (FIG. 6
(D) As the electroless plating, the electroless nickel plating and the electroless copper plating are generally used as the base of the subsequent electrolytic plating and the power supply layer. It is formed to a thickness as small as possible. Next, on the electroless plating layer 650, according to the shape of the wiring portion to be formed,
A resist layer 660 having an opening of a predetermined shape is formed (FIG. 6E), and the provided electroless plating layer 650 is used as a power supply layer, the resist layer 660 is used as a plating resistance mask, and is formed on the electroless plating layer 650. Electroplating is performed to form an electroplating layer 670 to be a wiring portion. (FIG. 6 (f)) The electrolytic plating layer 670 is to be the second wiring portion, and usually a copper plating layer is used in terms of conductivity and cost.
Other plating layers, such as a gold plating layer, a silver plating layer, and a nickel plating layer, may be single layers, or a multilayer of these plating layers including a copper plating layer may be used. Next, after removing the resist layer 660 (FIG. 6G), an extra electroless plating layer 650 is soft-etched so as not to damage the wiring portion. (FIG. 6 (h)) Thus, the insulating layer layer 630 is formed on the first wiring portion of the wiring base 610 having the first wiring portion 620 provided on one surface thereof.
, A second wiring portion 675 (electrolytic plating layer 670 and electroless plating layer 650 thereunder) is formed. Note that soft etching refers to etching in a very short time, and in particular does not affect the wiring portion to be formed.

【0004】更に、外部回路と接続するための半田ボー
ルからなる外部電極部を設ける場合は、ビア部(接続部
675A)とは離れた平坦な配線部(端子部とも言う)
に形成される。(図6(i)) 尚、半田ボールからなる外部電極部は形成は、所定位置
に半田ペーストをスクリーン印刷した後、リフローを行
ってなされる。
Further, when an external electrode portion made of a solder ball for connecting to an external circuit is provided, a flat wiring portion (also referred to as a terminal portion) separated from the via portion (connection portion 675A).
Formed. (FIG. 6 (i)) The external electrode portion made of a solder ball is formed by screen-printing a solder paste at a predetermined position and then performing reflow.

【0005】このようにして、ビア形成用の孔の形状に
沿った、コンベンショナル・ビアが形成される。しか
し、ビア孔の形状に沿ったったコンベンショナル・ビア
構造は、ビア下孔形状、無電解めっき、電気めっきのビ
ア孔へのつきまわり具合によってはビアボトム部の未接
続断線あるいはクビレ形状による熱ストレス時の断線が
発生する。特に、高密度化としてのビアの小径化(50
μm以下)、高アスペクト化(アスペクト比=1)の場
合、いっそう各めっき液のつきまわり性が悪くなるた
め、これらの接続信頼性を確保できる構造のものが求め
られていた。また、このようにして形成されたコンベン
ショナル・ビア構造においては、配線層間の接続あるい
は、チップ接続等の際に、ビア部とは別の平坦なに箇所
に端子を引き出す必要があり、回路配線の引き回しが、
それだけ複雑になる為、更なる高密度化に対しても不利
である。
[0005] In this manner, a conventional via is formed along the shape of the via forming hole. However, the conventional via structure that conforms to the shape of the via hole may be affected by thermal stress due to unconnected disconnection or crack shape at the bottom of the via, depending on how the via hole is formed, electroless plating, and electroplating around the via hole. Disconnection occurs. In particular, via diameter reduction (50
(μm or less) and high aspect ratio (aspect ratio = 1), the throwing power of each plating solution is further deteriorated. Therefore, a structure that can secure the connection reliability of these plating solutions has been required. Further, in the conventional via structure formed in this way, it is necessary to draw out the terminal to a flat place different from the via part at the time of connection between wiring layers or chip connection, etc. Routing
Because of the complexity, it is disadvantageous for higher density.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
コンベンショナル・ビア構造を有する配線基板において
は、コンベンショナル・ビアにおける、接続信頼性の面
での問題や、その形状からの、更なる高密度化への対応
が難しいという問題がある。本発明は、これに対応する
もので、ビア構造を有する配線基板であって、接続信頼
性の面での問題を解決でき、更なる高密度化へ対応でき
る配線基板と、その製造方法を提供しようとするもので
ある。更には、一般的なプリント配線板製造の既存設備
を用いて簡単に作製でき、接続信頼性を確保でき、更な
る高密度化へ対応できる、充填ビアを有する配線基板
と、その製造方法を提供しようとするものである。特
に、L/S=30/30μm以下の超微細パターン化に
おいても、安価なドライフィルムレジストを用い、その
ような配線基板の製造ができる製造方法を提供しようと
するものである。
As described above, in the conventional wiring board having the conventional via structure, the conventional via has a problem in connection reliability and a further problem due to its shape. There is a problem that it is difficult to deal with densification. The present invention provides a wiring substrate having a via structure, which can solve the problem of connection reliability and can cope with further higher density, and a method of manufacturing the same. What you want to do. Further, the present invention provides a wiring board having a filling via, which can be easily manufactured using existing facilities for manufacturing a general printed wiring board, can secure connection reliability, and can cope with further densification, and a manufacturing method thereof. What you want to do. In particular, an object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of manufacturing such a wiring board by using an inexpensive dry film resist even in the case of forming an ultrafine pattern of L / S = 30/30 μm or less.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、表
面に配線部が形成された配線基板をベース基板とし、ベ
ース基板の配線部が形成された表面上に、更に、配線層
1層毎に絶縁層を介して、配線層を1層以上積層して形
成した配線基板であって、前記絶縁層に形成されたビア
が、導体層で埋め込まれていることを特徴とするもので
ある。そして、上記において、導体層がめっき形成され
たものであることを特徴とするものである。そしてま
た、上記において、ベース基板は、その両面に配線部が
形成され、且つ、両面の配線部を接続するスルーホール
を設けた配線基板で、これをコア基板とし、ベース基板
の配線部が形成された両面上に、それぞれ、更に、配線
層1層毎に絶縁層を介して、配線層を1層以上積層して
形成した配線基板であることを特徴とするものである。
また、上記において、隣接する絶縁層の一方の絶縁層に
形成した導体層で埋め込まれているビアの真上に、他方
の絶縁層に形成した導体層で埋め込まれているビアが積
み重なった構造であるビアオンビアの構造を有すること
を特徴とするものである。また、上記において、最外層
の絶縁層に形成された、導体層にて埋め込まれたビアを
端子部(パッド)としていることを特徴とするものであ
る。
According to the present invention, there is provided a wiring substrate having a wiring substrate having a wiring portion formed on a surface as a base substrate, and a wiring layer having one layer formed on the surface of the base substrate having the wiring portion formed thereon. A wiring board formed by laminating at least one wiring layer via an insulating layer every time, wherein a via formed in the insulating layer is embedded in a conductive layer. . In the above, the conductor layer is formed by plating. Further, in the above, the base substrate is a wiring substrate in which wiring portions are formed on both surfaces thereof and through holes for connecting the wiring portions on both surfaces are provided. This is used as a core substrate, and the wiring portion of the base substrate is formed. The wiring board is further formed by laminating one or more wiring layers on each of the two surfaces with an insulating layer interposed between the wiring layers.
Further, in the above, a structure in which vias embedded in a conductor layer formed in the other insulating layer are stacked immediately above vias embedded in a conductor layer formed in one of the adjacent insulating layers. It has a certain via-on-via structure. Further, in the above, a via formed in the outermost insulating layer and embedded in the conductor layer is used as a terminal portion (pad).

【0008】本発明の配線基板の製造方法は、表面に配
線部が形成された配線基板をベース基板とし、ベース基
板の配線部が形成された表面上に、更に、配線層1層毎
に絶縁層を介して、配線層を1層以上積層して形成した
配線基板で、且つ、各絶縁層に形成されたビアが導体層
で埋め込まれている配線基板を製造するための、配線基
板の製造方法であって、順に、(a)配線を形成する被
処理基板の、配線を形成する面上に絶縁層を積層形成す
る、絶縁層形成工程と、(b)積層形成された絶縁層
の、ビア形成領域を短波長レーザーを照射して、絶縁層
を開孔し、ビア形成用の孔部を形成するビア用孔部形成
工程と、(c)絶縁層の表面部全面を覆うように、無電
解めっきにより、無電解めっき層を配設する無電解めっ
き工程と、(d)無電解めっき層上に、形成するビア部
を含む配線にあわせた、所定形状の開口を有する第1の
レジスト層を形成する第1のレジスト層形成工程と、
(e)第1のレジスト層をめっきマスクとして配設され
た無電解めっき層を給電層として、無電解めっき層上
に、電解めっきを行う、第1の電解めっき工程と、
(f)第1のレジスト層を剥離除去後、形成するビア部
の、充填する導電性層形成領域のみを開口させた第2の
レジスト層を形成する第2のレジスト層形成工程と、
(g)第2のレジスト層をめっきマスクとして、前記無
電解めっき層を給電層として、電解めっきを行い、ビア
内を電解めっき層からなる導電性層で充填する第2のめ
っき工程と、(h)第2のレジスト層を剥離除去後、エ
ッチングを行い、ビア部を含む配線部を損なわないよう
に、露出した余分な無電解めっき層をエッチング除去す
るエッチング工程とを施す、一連の(a)〜(h)の工
程を、積層する配線層の数に応じて繰り返すことを特徴
とするものである。
According to the method of manufacturing a wiring board of the present invention, a wiring board having a wiring portion formed on a surface is used as a base substrate, and the wiring board is further insulated for each wiring layer on the surface of the base substrate on which the wiring portion is formed. Manufacture of a wiring board for manufacturing a wiring board formed by laminating one or more wiring layers via layers and in which a via formed in each insulating layer is embedded with a conductor layer A method for sequentially forming (a) an insulating layer on a surface of a substrate on which a wiring is to be formed on which a wiring is to be formed, and (b) an insulating layer forming step of: Irradiating the via formation region with a short-wavelength laser to open the insulating layer, forming a via hole forming step for forming a via forming hole, and (c) covering the entire surface of the insulating layer. An electroless plating step of providing an electroless plating layer by electroless plating; On the solution plating layer, matching the wiring including the via portion forming a first resist layer forming step of forming a first resist layer having an opening of a predetermined shape,
(E) a first electrolytic plating step of performing electrolytic plating on the electroless plating layer using the electroless plating layer provided as a plating mask with the first resist layer as a power supply layer;
(F) a second resist layer forming step of forming a second resist layer in which only the conductive layer forming region to be filled in the via portion to be formed is opened after peeling and removing the first resist layer;
(G) a second plating step in which electrolytic plating is performed using the second resist layer as a plating mask and the electroless plating layer as a power supply layer, and the inside of the via is filled with a conductive layer made of the electrolytic plating layer; h) After the second resist layer is peeled and removed, etching is performed, and an etching step of etching and removing the exposed extra electroless plating layer is performed so as not to damage the wiring portion including the via portion. ) To (h) are repeated according to the number of wiring layers to be laminated.

【0009】[0009]

【作用】本発明の配線基板は、上記のように構成するこ
とにより、ビア構造を有する配線基板であって、接続信
頼性の面での問題を解決でき、更なる高密度化へ対応で
きる配線基板の提供を可能とするものである。更には、
一般的なプリント配線板製造の既存設備を用いて簡単に
作製でき、接続信頼性を確保でき、更なる高密度化へ対
応できる、充填ビアを有する配線基板の提供を可能とし
ている。具体的には、表面に配線部が形成された配線基
板をベース基板とし、ベース基板の配線部が形成された
表面上に、更に、配線層1層毎に絶縁層を介して、配線
層を1層以上積層して形成した配線基板であって、前記
絶縁層に形成されたビアが、導体層で埋め込まれている
ことにより、更に、導体層がめっき形成されたものであ
ることにより、これを達成している。
The wiring board according to the present invention is a wiring board having a via structure by being configured as described above. The wiring board can solve the problem of connection reliability and can cope with further densification. A substrate can be provided. Furthermore,
It is possible to provide a wiring board having a filling via, which can be easily manufactured using existing facilities for manufacturing a general printed wiring board, can secure connection reliability, and can cope with higher density. Specifically, a wiring board having a wiring portion formed on the surface is used as a base substrate, and a wiring layer is further formed on the surface of the base substrate, on which the wiring portion is formed, via an insulating layer for each wiring layer. A wiring board formed by laminating one or more layers, wherein the via formed in the insulating layer is embedded with a conductive layer, and further, the conductive layer is formed by plating; Have achieved.

【0010】表面に配線部が形成された配線基板として
は、特に限定されないが、配線基板としては、ベース基
板の両面に配線部が形成され、且つ、両面の配線部を接
続するスルーホールを設けた配線基板が挙げられる。本
発明の配線基板におけるビアは、ビアに導電層を充填し
た充填ビアで、隣接する絶縁層の一方の絶縁層に形成し
た導体層で埋め込まれているビアの真上に、他方の絶縁
層に形成した導体層で埋め込まれているビアが積み重な
った構造であるビアオンビアの構造を設けることがで
き、コンベンショナル・ビアの場合より、配線の引き回
しの自由度を上げることができる。また、最外層の絶縁
層に形成された、導体層にて埋め込まれたビア(充填ビ
ア)を端子部(パッド)とする(これをパッドオンビア
構造とも言う)こともでき、コンベンショナル・ビアの
場合のように、別の箇所に端子部を形成する必要もな
く、配線の引き回しが楽で、高密度化に対応できる。
The wiring board having a wiring portion formed on the surface is not particularly limited. The wiring board is formed with wiring portions on both sides of a base substrate and provided with through holes for connecting the wiring portions on both surfaces. Wiring board. The via in the wiring board of the present invention is a filled via in which a conductive layer is filled in the via, directly above the via embedded with the conductive layer formed in one of the adjacent insulating layers, and in the other insulating layer. A via-on-via structure in which vias embedded in the formed conductor layer are stacked can be provided, and the degree of freedom of wiring can be increased as compared with the case of a conventional via. Also, vias (filled vias) formed in the outermost insulating layer and embedded in the conductor layer can be used as terminal portions (pads) (this is also referred to as a pad-on-via structure). As described above, there is no need to form a terminal portion in another place, wiring can be easily routed, and high density can be accommodated.

【0011】本発明の配線基板の製造方法は、上記のよ
うに構成することにより、ビア構造を有する配線基板で
あって、接続信頼性の面での問題を解決でき、更なる高
密度化へ対応できる配線基板を製造する配線基板の製造
方法の提供を可能とするものである。更には、一般的な
プリント配線板製造の既存設備を用いて簡単に作製で
き、接続信頼性を確保でき、更なる高密度化へ対応でき
る、充填ビアを有する配線基板の製造方法の提供を可能
としている。特に、L/S=30/30μm以下の超微
細パターン化においても、安価なドライフィルムレジス
トを用い、そのような配線基板の製造することを可能と
するものである。
The method of manufacturing a wiring board according to the present invention, which is configured as described above, is a wiring board having a via structure, and can solve the problem of connection reliability, and can further increase the density. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a wiring board for manufacturing a compatible wiring board. Furthermore, it is possible to provide a method of manufacturing a wiring board having a filling via, which can be easily manufactured using existing facilities for manufacturing a general printed wiring board, can secure connection reliability, and can respond to further densification. And In particular, even in the case of forming an ultrafine pattern with L / S = 30/30 μm or less, it is possible to manufacture such a wiring board by using an inexpensive dry film resist.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を挙げて、図
を基に説明する。図1(a)は本発明の配線基板の実施
の形態の第1の例の特徴部の断面図で、図1(b)は本
発明の配線基板の実施の形態の第2の例の特徴部の断面
図で、図1(c)は第2の例の変形例の特徴部の断面図
で、図2は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の
1例の工程の一部を示した工程図で、図3は図2に続く
工程を示した工程図で、図4も本発明の配線基板の製造
方法の実施の形態の1例の工程の一部を示した工程図
で、図5は図4に続く工程を示した工程図である。尚、
第1図〜第5図とも、ベース基材110の片面のみに配
線部、ビア部が形成されているように、見えるが、作製
された配線基板の特徴部、あるいは作製する配線基板の
特徴部の位置における状態のみ示したもので、実際に
は、ベース基材110の両面に、配線部、ビア部が形成
された、あるいは形成するものである。図1〜図5中、
110はベース基材、120は配線部、125はスルー
ホール、130は絶縁層、135は(ビア形成用)孔
部、140は無電解めっき層、150、155はレジス
ト層、160は電解めっき層、165はランド、170
は(充填用の)電解めっき層、180は配線部、185
はビア部(充填ビア部とも言う)、230は絶縁層、2
35、235Aはビア形成用)孔部、240は無電解め
っき層、250、255はレジスト層、260は電解め
っき層、270は(充填用の)電解めっき層、285は
ビア部(充填ビア部とも言う)、287はビアオンビア
(ビア部)、290はソルダーレジストである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a sectional view of a characteristic portion of a first example of an embodiment of a wiring board according to the present invention, and FIG. 1B is a characteristic of a second example of an embodiment of the wiring substrate of the present invention. FIG. 1C is a cross-sectional view of a characteristic portion of a modification of the second example, and FIG. 2 is a part of a process of an example of an embodiment of a method of manufacturing a wiring board according to the present invention. FIG. 3 is a process diagram showing a process subsequent to FIG. 2, and FIG. 4 is a process diagram showing a part of a process of an example of an embodiment of a method of manufacturing a wiring board according to the present invention. FIG. 5 is a process diagram showing a process following FIG. still,
1 to 5, the wiring portion and the via portion appear to be formed only on one surface of the base substrate 110, but the characteristic portion of the manufactured wiring board or the characteristic portion of the manufactured wiring board. Only the state at the position is shown. Actually, wiring portions and via portions are formed or formed on both surfaces of the base substrate 110. 1 to 5,
110 is a base material, 120 is a wiring portion, 125 is a through hole, 130 is an insulating layer, 135 is a hole (for forming a via), 140 is an electroless plating layer, 150 and 155 are a resist layer, and 160 is an electrolytic plating layer. 165 is a land, 170
Is an electrolytic plating layer (for filling), 180 is a wiring portion, 185
Is a via portion (also called a filled via portion), 230 is an insulating layer, 2
35 and 235A are holes for forming vias; 240 is an electroless plating layer; 250 and 255 are resist layers; 260 is an electrolytic plating layer; 270 is an electrolytic plating layer (for filling); 287 is a via-on-via (via portion), and 290 is a solder resist.

【0013】本発明の配線基板の実施の形態例を説明す
る。先ず、本発明の配線基板の実施の形態の第1の例を
図1(a)に基づいて説明する。第1の例の配線基板
は、ベース基材110の両面に配線層120を設け、且
つ、両面の配線部をスルーホール125にて接続した構
造のベース基板を、コア基板とし、ベース基板の配線部
が形成された両面上に、それぞれ、更に、絶縁層130
介して、配線層を1層積層して形成した配線基板で、絶
縁層130に形成された、配線間(配線160と配線1
20)を接続するビア185が、めっき形成された電解
めっき層(導体層である)170で埋め込まれているも
のである。
An embodiment of a wiring board according to the present invention will be described. First, a first example of an embodiment of a wiring board of the present invention will be described with reference to FIG. In the wiring board of the first example, a wiring board of a structure in which wiring layers 120 are provided on both surfaces of a base substrate 110 and wiring portions of both surfaces are connected by through holes 125 is used as a core substrate, and wiring of the base substrate is performed. The insulating layer 130 is further provided on both sides on which the portions are formed.
A wiring board formed by laminating one wiring layer between the wirings (wiring 160 and wiring 1) formed on the insulating layer 130.
The via 185 connecting the substrate 20) is embedded with an electroplating layer (a conductor layer) 170 formed by plating.

【0014】コア基板となる両面配線基板としては、ベ
ース基材110をアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポ
リイミド等のフレキシブルなフィルム状のものや、ガラ
スエポキシ、BTレジン等のプリント基板用ベース材と
し、その両面に配線層を形成したものが適用でき、従来
の工法により形成された両面配線基板が適用できる。絶
縁層130としては、エポキシ系等が挙げられるが、ポ
リイミドからなるものが、絶縁性、安定性の面から好ま
しい。限定はされない。無電解めっき層140として
は、無電解ニッケルめっき層、無電解銅めっき層等が挙
げられる。電解めっき層160としては、配線部となる
もので、通常、導電性、コスト面から銅めっき層が用い
られるが、金めっき層、銀めっき層、ニッケルめっき層
等、他のめっき層単層、あるいは、銅めっき層を含め、
これらのめっき層を多層に形成したものでも良い。電解
めっき層170も、電解めっき層160と同様のものが
使用できる。
As a double-sided wiring substrate serving as a core substrate, the base substrate 110 is made of a flexible film-shaped material such as an acrylic resin, an epoxy resin, or a polyimide, or a base material for a printed circuit board such as a glass epoxy or a BT resin. In addition, those having a wiring layer formed on both sides thereof can be applied, and a double-sided wiring board formed by a conventional method can be applied. Examples of the insulating layer 130 include an epoxy-based material, and a material made of polyimide is preferable in terms of insulation and stability. There is no limitation. Examples of the electroless plating layer 140 include an electroless nickel plating layer and an electroless copper plating layer. As the electrolytic plating layer 160, which is to be a wiring portion, usually a copper plating layer is used in terms of conductivity and cost, but other plating layers such as a gold plating layer, a silver plating layer, and a nickel plating layer, Or, including the copper plating layer,
These plating layers may be formed in multiple layers. As the electrolytic plating layer 170, the same as the electrolytic plating layer 160 can be used.

【0015】次に、本発明の配線基板の実施の形態の第
2の例を図1(b)に基づいて説明する。第2の例の配
線基板は、第1の例の配線基板を、コア基板とし、その
両面上に、それぞれ、更に、絶縁層230介して、配線
層を1層積層して形成した配線基板で、絶縁層230に
形成された、ビア285、287が、めっき形成された
電解めっき層(導体層である)270で埋め込まれてい
るものである。ビア287は、図1(a)に示す絶縁層
130に設けられたビア185上に、更に絶縁層230
に設けられたビア(充填タイプのビア)を積み重ねた、
ビアオンビアの構造である。絶縁層230、無電解めっ
き層240、電解めっき層260、270は、それぞ
れ、第1の例の絶縁層130、無電解めっき層140、
電解めっき層160、170と、同じ材質が適用でき
る。
Next, a second embodiment of the wiring board according to the present invention will be described with reference to FIG. The wiring board of the second example is a wiring board formed by laminating one wiring layer on both sides of the core board using the wiring board of the first example and further interposing an insulating layer 230 therebetween. The via holes 285 and 287 formed in the insulating layer 230 are filled with an electroplated layer (conductor layer) 270 formed by plating. The via 287 is further provided on the via 185 provided in the insulating layer 130 shown in FIG.
Stacked vias (fill-type vias)
This is a via-on-via structure. The insulating layer 230, the electroless plating layer 240, and the electrolytic plating layers 260 and 270 are respectively the insulating layer 130 and the electroless plating layer 140 of the first example.
The same material as the electrolytic plating layers 160 and 170 can be applied.

【0016】第2の例の変形例としては、第2の配線基
板を用い、図1(c)に示すように、ビア部285、2
87の最外表面を端子面とし、端子面のみを露出するよ
うに開口して、第2の例の基板の両表面部をソルダーレ
ジストで覆ったものが挙げられる。更に、半導体装置用
基板として用いる場合には、端子面に半田ボールからな
る外部電極を設けた構造としても良い。また別の、第2
の例の変形例としては、図1(a)に示す、ビア185
上に、図1(b)に示すようなビア285を重ねた、ビ
アオンビアの構造も挙げられる。同じ様に、第1の例の
変形例としては、第1の配線基板を用い、ビア部185
の最外表面を端子面とし、端子面のみを露出するように
開口して、第1の例の基板の両表面部をソルダーレジス
トで覆ったものや、更に、端子面に半田ボールからなる
外部電極を設けた構造のものが挙げられる。
As a modification of the second example, a second wiring board is used, and as shown in FIG.
The outermost surface of the substrate 87 is a terminal surface, an opening is formed so as to expose only the terminal surface, and both surfaces of the substrate of the second example are covered with solder resist. Further, when used as a substrate for a semiconductor device, a structure may be employed in which external electrodes made of solder balls are provided on terminal surfaces. Another, second
As a modification of the example shown in FIG. 1, a via 185 shown in FIG.
There is also a via-on-via structure in which a via 285 as shown in FIG. Similarly, as a modified example of the first example, the first wiring board is used, and the via portion 185 is used.
The outermost surface of the substrate is a terminal surface, an opening is formed so that only the terminal surface is exposed, and both surface portions of the substrate of the first example are covered with solder resist. One having a structure provided with an electrode is exemplified.

【0017】次に、本発明の配線基板の製造方法実施の
形態例を説明する。先ず、図1(a)に示す実施の形態
の第1の例の配線基板の製造方法の1例を、図2、図3
に基づいて説明する。従来の工法により形成された、ベ
ース基材110の両面に配線を設け、且つ両面配線を接
続するスルーホール125を設けた、配線基板を用意し
(図2(a))、この両面に、絶縁層130を形成す
る。(図2(b)) アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド等のフレ
キシブルなフィルム状のものや、ガラスエポキシ、BT
レジン等のプリント基板用ベース材等を、ベース基材1
10とし、その両面に配線層を形成した配線基板が適用
できる。絶縁層130の形成は、絶縁性フィルムを用い
たラミネート法や、スクリーン印刷、カーテンコーティ
ング等により行う。絶縁層130としては、ポリイミド
からなるものが、絶縁性、安定性の面から好ましいが、
これに限定はされない。次いで、ビア形成領域に、UV
−YAGレーザ等の短波長レーザを照射して、絶縁層1
30に貫通孔(孔部135)を開ける。(図2(c)) 次いで、両面全面に触媒を付与して、無電解めっき層
を、後続する電解めっきの、下地層、給電層として形成
する。(図2(d)) 無電解めっきとしては、無電解銅めっき、無電解ニッケ
ルめっきが一般的で、下地層、給電層として機能できる
厚さに形成する。尚、必要に応じ、無電解めっきに先た
ち、絶縁層130の表面部を粗面化する粗面化処理を行
っておく。粗面化処理としては、薬液処理による方法
や、砥粒を含む水を吹きつけるウエットブラスト法が挙
げられる。
Next, an embodiment of a method of manufacturing a wiring board according to the present invention will be described. First, one example of a method of manufacturing a wiring board according to the first example of the embodiment shown in FIG.
It will be described based on. A wiring board is prepared by providing wiring on both sides of the base substrate 110 and providing through holes 125 for connecting both-side wiring (FIG. 2A). A layer 130 is formed. (FIG. 2 (b)) A flexible film-shaped material such as acrylic resin, epoxy resin, polyimide, glass epoxy, or BT
A base material for a printed circuit board such as resin is used as a base material 1
10, and a wiring board having a wiring layer formed on both surfaces thereof can be applied. The insulating layer 130 is formed by a lamination method using an insulating film, screen printing, curtain coating, or the like. As the insulating layer 130, a layer made of polyimide is preferable in terms of insulation and stability,
It is not limited to this. Next, in the via formation region, UV
Irradiating a short wavelength laser such as a YAG laser to the insulating layer 1
A through hole (hole 135) is opened in 30. (FIG. 2 (c)) Next, a catalyst is applied to the entire surface on both sides to form an electroless plating layer as a base layer and a power supply layer for the subsequent electrolytic plating. (FIG. 2 (d)) As the electroless plating, electroless copper plating and electroless nickel plating are generally used. The electroless plating is formed to a thickness that can function as an underlayer and a power supply layer. Note that, if necessary, prior to the electroless plating, a surface roughening process for roughening the surface of the insulating layer 130 is performed. Examples of the surface roughening treatment include a method using a chemical solution treatment and a wet blast method in which water containing abrasive grains is blown.

【0018】次いで、両面全面にレジスト層150を配
設した(図2(e))後、形成する配線形状に合せ、所
定形状のパターン版を用い、露光、現像して、所定形状
に開口を有するレジスト層150を形成する。(図2
(f)) レジスト層150としては、耐めっき性があり、処理性
の良いものであればとくに限定はされない。作業性の面
からは、ドライフィルムレジストが好ましい。
Next, after a resist layer 150 is provided on the entire surface of both sides (FIG. 2E), exposure and development are performed using a pattern plate having a predetermined shape in accordance with the wiring shape to be formed, and an opening is formed in a predetermined shape. Is formed. (Figure 2
(F) The resist layer 150 is not particularly limited as long as it has plating resistance and good processability. From the viewpoint of workability, a dry film resist is preferable.

【0019】次いで、無電解めっき層を給電層として、
電解めっきを行い、電解めっき層により孔部135に沿
った形状のコンベンショナル・ビアと、配線を形成す
る。(図2(g)) 電解めっき層160は、配線部となるもので、通常、導
電性、コスト面から電解銅めっきにより銅めっき層を形
成して用いられる。場合によっては、金めっき層、銀め
っき層、ニッケルめっき層等、他のめっき層単層、ある
いは、銅めっき層を含め、これらのめっき層を多層に、
電解めっき形成しても良い。次いで、レジスト層150
を剥離除去した(図2(h))後、ビア部(コンベンシ
ョナル・ビア)の孔を導電層で埋めるための電解めっき
を部分的に行うため、再度、レジスト155で両面を覆
い(図2(i))、所定のパターン版を用い、露光、現
像して、所定の領域のみを開口させる。(図3(j)) レジスト層155も、レジスト層150と同様、耐めっ
き性があり、処理性の良いものであればとくに限定はさ
れない。作業性の面からは、ドライフィルムレジストが
好ましい。次いで、電解めっきを行い、レジスト層15
5の開口部から露出したビア部に電解めっき層170を
埋め込む。(図3(k)) ここでも、電解めっきとしては、通常、電解銅めっきが
施される。尚、コンベンショナル・ビア内部(孔部13
5)を充填し、ランド165上にポスト状に形成される
導電層(電解めっき層170)を、充填ビアポスト、あ
るいは単にポストとも言う。
Next, using the electroless plating layer as a power supply layer,
Electroplating is performed, and a conventional via having a shape along the hole 135 and a wiring are formed by the electrolytic plating layer. (FIG. 2 (g)) The electrolytic plating layer 160 is to be a wiring portion, and is usually used by forming a copper plating layer by electrolytic copper plating in terms of conductivity and cost. Depending on the case, other plating layer single layer, such as gold plating layer, silver plating layer, nickel plating layer, or copper plating layer, these plating layers are multilayered,
Electroplating may be formed. Next, the resist layer 150
After stripping and removing (FIG. 2 (h)), both sides are again covered with a resist 155 to partially perform electrolytic plating for filling a hole of a via portion (conventional via) with a conductive layer (FIG. i)) Using a predetermined pattern plate, exposing and developing to open only a predetermined region. (FIG. 3 (j)) Similarly to the resist layer 150, the resist layer 155 is not particularly limited as long as it has plating resistance and good processability. From the viewpoint of workability, a dry film resist is preferable. Next, electrolytic plating is performed to form a resist layer 15
The electrolytic plating layer 170 is embedded in the via portion exposed from the opening of No. 5. (FIG. 3 (k)) Also here, electrolytic copper plating is usually applied as electrolytic plating. The inside of the conventional via (hole 13)
The conductive layer (electrolytic plating layer 170) formed in a post shape on the land 165 by filling 5) is also referred to as a filled via post or simply a post.

【0020】次いで、レジスト層155を剥離除去した
(図3(l))後、露出している無電解めっき層140
を、配線部180、ビア部185を損なわないようにし
て、エッチング除去する。(図3(m)) このようなエッチングをソフトエッチングないしフラッ
シュエッチングとも言う。このようにして、図1(a)
に示す、第1の例の配線基板は作製される。
Next, after the resist layer 155 is peeled off (FIG. 3 (l)), the exposed electroless plating layer 140 is removed.
Is removed by etching without damaging the wiring section 180 and the via section 185. (FIG. 3 (m)) Such etching is also called soft etching or flash etching. In this way, FIG.
The wiring board of the first example shown in FIG.

【0021】次に、図1(a)に示す第1の例の配線基
板を用いた、図1(b)に示す第2の例の配線基板の製
造方法の例を図4、図5に基づいて説明する。先ず、図
1(a)に示す第1の例の配線基板を用意(図4
(a))し、図2、図3に示す第1の例の配線基板の製
造方法と同様にして、ビア形成部、配線形成部(図示し
ていない)を開口して、絶縁層230を両面に形成した
(図4(b))後、全面に無電解めっきを行い、無電解
めっき層240を形成する。(図4(c))次いで、図
2、図3に示す製造方法と同様にして、ビア形成部を開
口して、両面にレジスト層250を形成し、電解めっき
を行い、開口部の孔部235形状に沿った形状のコンベ
ンショナル・ビアと、配線を形成する。(図4(d)) ここでは、図1(b)に示すビアオンビアを形成する領
域を開口していないが、場合によっては、開口しても良
い。
Next, FIGS. 4 and 5 show an example of a method of manufacturing the wiring board of the second example shown in FIG. 1B using the wiring board of the first example shown in FIG. It will be described based on the following. First, a wiring board of the first example shown in FIG.
(A)) Then, in the same manner as in the method of manufacturing the wiring board of the first example shown in FIGS. 2 and 3, the via forming portion and the wiring forming portion (not shown) are opened, and the insulating layer 230 is formed. After forming on both surfaces (FIG. 4B), electroless plating is performed on the entire surface to form an electroless plating layer 240. (FIG. 4C) Next, in the same manner as in the manufacturing method shown in FIGS. 2 and 3, the via forming portion is opened, a resist layer 250 is formed on both surfaces, electrolytic plating is performed, and the hole of the opening is formed. A conventional via having a shape along the 235 shape and a wiring are formed. (FIG. 4D) Here, the region for forming the via-on-via shown in FIG. 1B is not opened, but may be opened in some cases.

【0022】次いで、レジスト250を剥離除去した
(図4(e))後、ビア部(コンベンショナル・ビア)
の孔を導電層で埋めるための、そして、図1(b)に示
すビアオンビアを形成するための電解めっきを、部分的
に行うため、再度、レジスト255で両面を覆い、所定
のパターン版を用い、露光、現像して、所定の領域のみ
を開口させたる。(図4(f)) 更に、電解めっきを行い、レジスト層255の開口部か
ら露出したビア部に電解めっき層270を埋め込んだ
(図5(g))後、レジスト255を剥離除去し(図5
(h))、露出した無電解めっき層を、配線部(図示し
ていない)、ビア部185、185Aを損なわないよう
にして、エッチング除去する。(図5(i)) いずれの工程も、図2、図3の製造工程と同様に行うこ
とができる。このようにして、図1(b)に示す第2の
例の配線基板は作製される。
Next, after removing and removing the resist 250 (FIG. 4E), a via portion (conventional via) is formed.
In order to partially fill the hole with a conductive layer and partially perform electrolytic plating for forming a via-on-via shown in FIG. 1B, both surfaces are again covered with a resist 255, and a predetermined pattern plate is used. Exposure and development are performed to open only a predetermined area. (FIG. 4F) Further, electrolytic plating is performed to bury the electrolytic plating layer 270 in the via portion exposed from the opening of the resist layer 255 (FIG. 5G), and then the resist 255 is peeled off. 5
(H)) The exposed electroless plating layer is removed by etching without damaging the wiring portions (not shown) and the via portions 185 and 185A. (FIG. 5 (i)) Both steps can be performed in the same manner as the manufacturing steps of FIGS. Thus, the wiring board of the second example shown in FIG. 1B is manufactured.

【0023】更に、ソルダーレジストで第2の例の配線
基板の全面を覆い、端子面のみが露出するように、製版
により、開口を設けて(図5(j))、図1(c)に示
す配線基板が形成される。図1(c)に示す配線基板
は、ビア上に端子部(パッド)を設ける、パッドオンビ
アの構造である。
Further, an opening is provided by plate making so that the entire surface of the wiring board of the second example is covered with a solder resist and only the terminal surface is exposed (FIG. 5 (j)). The wiring board shown is formed. The wiring board shown in FIG. 1C has a pad-on-via structure in which a terminal portion (pad) is provided on a via.

【0024】[0024]

【実施例】(実施例1)実施例1は、図1(a)に示す
第1の例の配線基板を、図2,図3に示す工程で製造し
た例である。図2,図3に基づいて説明する。先ず、以
下のようにして、ベース基材110の両面に配線層12
0を設け、且つ、両面の配線部をスルーホール125に
て接続した構造のベース基板を作製し、これをコア基板
とした。(図2(a))
(Embodiment 1) Embodiment 1 is an example in which the wiring board of the first example shown in FIG. 1A is manufactured by the steps shown in FIGS. This will be described with reference to FIGS. First, the wiring layers 12 are formed on both sides of the base substrate 110 as follows.
0, and a base substrate having a structure in which wiring portions on both surfaces were connected by through holes 125 was produced, and this was used as a core substrate. (FIG. 2 (a))

【0025】ベース基板(両面配線基板)を図7に示す
工程にて作製した。BTレジンからなるベース基材71
0の両面に18μm厚の銅箔720を積層した、厚み
0.3mmの積層板(三菱ガス化学(株)製、BTレジ
ンCCL一HL832)に、ドリルで0. 3mmφのス
ルーホール形成用の貫通孔(スルーホール下穴とも言
う)730を形成した(図7(b))後、過マンガン酸
粗化処理液(シプレイ社製)に浸漬して内部を洗浄し、
シプレイ社仕様の製法により無電解銅めっき層740を
0.3μm製膜して貫通孔(スルーホール下穴)730
内部を導電化させた。(図7(c)) 次いで、無電解銅めっき層740を給電層として、下記
組成の硫酸銅めっき浴にて、電流密度2A/dm2 で4
5分間の通電を行い、20μm厚の銅めっき膜からなる
電解めっき層750を形成した。(図7(d)) <硫酸銅めっき浴組成(浴温25℃)> CuS04 ・5H2 O 75g/l H2 S04 180g/l HCl 0.15ml/l (C1として60ppm) Cu‐Board HA MU 10ml/l (荏原ユージライト(株)製) 次いで、酸洗、乾燥を行った後、両面に市販のドライフ
ィルムレジスト(旭化成(株)サンフオートAQ255
8)をラミネートし、回路配線(ランド・サイズ長さL
1.5mm×幅W0.5mm、配線ピッチ1mmよりな
るディジ−回路形成用のフオトマスクを用いて下記条件
にて露光を行い、現像、水洗、乾燥し、所定形状のレジ
スト層760を形成した。(図7(e)) <露光条件> 密着露光機 (株)小野測器製TN800CL 露光量 80mJ/cm2 次いで、レジスト層760を耐エッチングマスクとし
て、両面から45ボーメ塩化第二鉄を用いて、マスキン
グされていない部分をスプレーエツチングし、両面に配
線部を形成した。(図7(f)) レジスト層760を苛性ソーダにて剥離し、水洗、乾燥
して両面の配線780とスルーホール785とを配設し
たベース基板を作製した。(図7(g))
A base substrate (double-sided wiring substrate) was manufactured according to the process shown in FIG. Base material 71 made of BT resin
Penetration for forming a through-hole of 0.3 mmφ by drilling on a 0.3 mm-thick laminated plate (BT resin CCL-HL832, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) having 18 μm-thick copper foil 720 laminated on both sides After forming a hole (also referred to as a through-hole prepared hole) 730 (FIG. 7B), the inside is washed by immersing in a permanganic acid roughening treatment solution (manufactured by Shipley),
An electroless copper plating layer 740 is formed in a thickness of 0.3 μm by a manufacturing method according to Shipley Co., Ltd. to form a through-hole (a prepared through-hole) 730.
The inside was made conductive. (FIG. 7 (c)) Next, using the electroless copper plating layer 740 as a power supply layer, in a copper sulfate plating bath having the following composition at a current density of 2 A / dm 2 ,
The energization was performed for 5 minutes to form an electrolytic plating layer 750 made of a copper plating film having a thickness of 20 μm. (60 ppm as C1) (Fig. 7 (d)) <a copper sulfate plating bath composition (bath temperature 25 ℃)> CuS0 4 · 5H 2 O 75g / l H 2 S0 4 180g / l HCl 0.15ml / l Cu-Board HA MU 10 ml / l (manufactured by Ebara Ujilight Co., Ltd.) Then, after pickling and drying, a commercially available dry film resist (Sanfu Auto AQ255, Asahi Kasei Corp.)
8) is laminated, and the circuit wiring (land size length L
Using a photomask for forming a digital circuit having a size of 1.5 mm × width W of 0.5 mm and a wiring pitch of 1 mm, exposure was performed under the following conditions, development, washing with water, and drying to form a resist layer 760 having a predetermined shape. (FIG. 7 (e)) <Exposure conditions> Contact exposure machine TN800CL manufactured by Ono Sokki Co., Ltd. Exposure amount: 80 mJ / cm 2 Next, using resist layer 760 as an etching resistant mask, 45 Baume ferric chloride was used from both sides The unmasked portions were spray-etched to form wiring portions on both surfaces. (FIG. 7 (f)) The resist layer 760 was peeled off with caustic soda, washed with water and dried to produce a base substrate provided with wiring 780 on both sides and through holes 785. (FIG. 7 (g))

【0026】このようにして作製されたベース基板の両
面上に、絶縁層130を下記条件に基づき形成した。
(図2(b)) 密着性向上のため配線表面を粗化(メック(株)製、エ
ッチボンドCZ‐8100)した後、両面にエポキシ系
絶縁樹脂フィルム(味の素ファインテクノ(株)製、A
BF−45SH)を下記条件にて真空ラミネータ
((株)名機製作所製、MLVP500)を用いて加圧
積層後、170℃、1時間のキュアによってスルーホー
ル内の樹脂埋め込みと同時に40μm厚の絶縁層130
を形成した。 <真空ラミネート条件> 温皮 90℃ 真空度 0.3mmHg 加圧時圧力 2.0kg/cm2 真空引き時間 30sec 加圧時問 30sec
An insulating layer 130 was formed on both sides of the base substrate thus manufactured under the following conditions.
(FIG. 2 (b)) After the surface of the wiring is roughened (etch bond CZ-8100 manufactured by Mec Co., Ltd.) in order to improve the adhesion, an epoxy-based insulating resin film (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., A
BF-45SH) was laminated under pressure using a vacuum laminator (MLVP500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) under the following conditions. Layer 130
Was formed. <Vacuum lamination conditions> Warm skin 90 ° C Vacuum degree 0.3 mmHg Pressure at pressurization 2.0 kg / cm 2 Vacuum evacuation time 30 sec Pressurization 30 sec

【0027】次いで、絶縁層130のビア形成領域に、
UV−YAGレーザを照射して、絶縁層130に貫通孔
(孔部135)を開けた。(図2(c)) UV−YAGLASERドリル装置(ESI社製、モデ
ル5100)を用いて下記加工条件にて直径(トップ
径)0. 05mmの第1層目と第2層目の接続用のビア
形成用孔(下孔とも言う)135を形成した。 <LASER加工条件> HOLE size 50μm polwer 300mW Drill type trepan Z offset 0.5mm Rep rate 11.111kHz
Next, in the via formation region of the insulating layer 130,
The insulating layer 130 was irradiated with UV-YAG laser to form a through hole (hole 135). (FIG. 2 (c)) For connection of the first layer and the second layer having a diameter (top diameter) of 0.05 mm using a UV-YAGLAZER drill device (Model 5100, manufactured by ESI) under the following processing conditions. Via formation holes (also referred to as pilot holes) 135 were formed. <LASER processing conditions> HOLE size 50 μm power 300 mW Drill type trepane Z offset 0.5 mm Rep rate 11.111 kHz

【0028】次いで、絶縁層130の表面およびビア形
成用孔(下孔とも言う)135表面の樹脂粗化のため基
材を過マンガン酸処理した後、無電解銅めっきにて、無
電解めっき層140を0.3μm厚に成膜して導電化し
た。(図2(d)) <無電解銅めっき条件> コンディショナー 5min ソフトエッチング 1min 酸洗 0. 5min プレディップ 1min キャタリスト 5min アクセレータ 7min 無電銅解めっき 20min
Next, after the base material is treated with permanganate to roughen the resin on the surface of the insulating layer 130 and the surface of the via-forming hole 135 (also referred to as a hole), the electroless plating layer is formed by electroless copper plating. 140 was formed into a film having a thickness of 0.3 μm to make it conductive. (FIG. 2 (d)) <Electroless copper plating conditions> Conditioner 5min Soft etching 1min Pickling 0.5min Pre-dip 1min Catalyst 5min Accelerator 7min Electroless copper unplating 20min

【0029】次いで、120℃、1時間のアニール、酸
洗、乾燥を行った後、両面にドライフィルムレジスト
(旭化成株式会社製、サンフォートAQ2558)をラ
ミネートし(図2(e))、ベース基板の配線形成の際
と同様に、回路配線形成用のフオトマスクを用いて露光
を行い、現像、水洗、乾燥をし、所定の形状を有するレ
ジスト層150を形成した。(図2(f))
Next, after annealing at 120 ° C. for 1 hour, pickling, and drying, a dry film resist (Sunfort AQ2558, manufactured by Asahi Kasei Corporation) was laminated on both sides (FIG. 2E), and a base substrate was formed. As in the case of the wiring formation, exposure was performed using a photomask for forming circuit wirings, development, washing with water, and drying were performed to form a resist layer 150 having a predetermined shape. (FIG. 2 (f))

【0030】めっき前処埋として酸洗した後、硫酸銅め
っき浴にて、電流密度4A/dm2で25分間の通電を
行い、回路配線部およびビア(ランド含む)に20μm
厚の銅めっきを選択的に形成、配線部を形成した。(図
2(g)) この段階で、コンベンショナル・ビアは形成されたこと
となる。
After being pickled as a pretreatment for plating, a current was applied for 25 minutes at a current density of 4 A / dm 2 in a copper sulfate plating bath, and 20 μm was applied to circuit wiring portions and vias (including lands).
Thick copper plating was selectively formed to form a wiring portion. (FIG. 2 (g)) At this stage, a conventional via has been formed.

【0031】次いで、レジスト層150を苛性ソーダに
て剥離し、酸洗後、水洗、乾燥した(図2(h))後、
さらに、両面に、ドライフィルムレジストをラミネート
し(図2(i))、所定のパターン版(フォトマスク)
を用いて露光、現像、水洗、乾燥を行い、コンベンショ
ナル・ビアの上部周辺部のみを選択的に開口したレジス
ト層155を形成した。(図3(j))
Then, the resist layer 150 was peeled off with caustic soda, pickled, washed with water and dried (FIG. 2 (h)).
Further, a dry film resist is laminated on both sides (FIG. 2 (i)), and a predetermined pattern plate (photomask)
Exposure, development, washing with water, and drying were carried out to form a resist layer 155 in which only the upper peripheral portion of the conventional via was selectively opened. (FIG. 3 (j))

【0032】次いで、めっき前処理として酸洗した後、
レジスト層155をめっきマスクとして、硫酸銅めっき
浴にて、電流密度4A/dm2で35分間の通電を行
い、コンベンショナル・ビア内部(孔部135)の充填
およぴランド165上にさらに30μm厚の銅めっき層
170をポスト状に選択的に形成した。(図3(k)) 尚、前にも述べたが、コンベンショナル・ビア内部(孔
部135)を充填し、ランド165上にポスト状に形成
される導電層(電解めっき層170)を、充填ビアポス
ト、あるいは単にポストとも言う。
Then, after pickling as a plating pretreatment,
Using the resist layer 155 as a plating mask, a current is applied at a current density of 4 A / dm 2 for 35 minutes in a copper sulfate plating bath to fill the inside of the conventional via (hole 135) and further increase the thickness by 30 μm on the land 165. The copper plating layer 170 was selectively formed in a post shape. (FIG. 3 (k)) As described above, the inside of the conventional via (hole 135) is filled, and the conductive layer (electrolytic plating layer 170) formed in a post shape on the land 165 is filled. Also called a via post, or simply a post.

【0033】次いで、レジスト層155を苛性ソーダに
て剥離し(図3(l))、全面を希塩化第二鉄液にてス
プレーエッチングして、配線部以外の不要な無電解めっ
き層140除去し、配線部とビア部を形成した配線基板
を作製した。(図3(m)) このようにして、図1(a)に示す配線基板を作製し
た。
Next, the resist layer 155 is peeled off with caustic soda (FIG. 3 (l)), and the entire surface is spray-etched with a dilute ferric chloride solution to remove the unnecessary electroless plating layer 140 other than the wiring portion. Then, a wiring board in which a wiring portion and a via portion were formed was manufactured. (FIG. 3 (m)) Thus, the wiring board shown in FIG. 1 (a) was produced.

【0034】(実施例2)実施例2は、実施例1にて作
製された図1に示す配線基板を用い、図1(b)に示す
配線基板を,図4、図5に示す工程にて作製したもので
ある。実施例1にて得られた配線基板(図4(a))上
に、実施例1の場合と同様、絶緑層230を真空加圧ラ
ミネートし、絶縁層230のビアオンビアを形成するた
めの充填ビアポスト上部領域、および新たに設けるビア
部領域に、UV−YAGレーザーにて開口してビア形成
用の孔(下孔)を形成した(図4(b))後、絶緑層2
30の表面およぴビア形成用の孔(下孔)の表面を、過
マンガン酸処理し、粗化し、無電解銅めっきにて、無電
解めっき層250を0.3μmの厚さに成膜した。(図
4(c)) 次いで、120℃、1時間のアニール、酸洗、乾燥を行
った後、実施例1と同様にして、両面にドライフィルム
レジストをラミネートし、所定の配線形成用のパターン
版(フォトマスク)を用いて露光を行い、現像、水洗、
乾燥し、新たなビア形成領域のみを開口してレジスト層
250を形成した。(図4(d))
Example 2 In Example 2, the wiring substrate shown in FIG. 1 manufactured in Example 1 was used, and the wiring substrate shown in FIG. It was produced by As in the case of the first embodiment, the green layer 230 is laminated under vacuum pressure on the wiring board (FIG. 4A) obtained in the first embodiment, and the insulating layer 230 is filled to form a via-on-via. In the upper region of the via post and the newly provided via portion region, a hole (a lower hole) for forming a via is formed by opening with a UV-YAG laser (FIG. 4B), and then the green layer 2 is formed.
The surface of No. 30 and the surface of the via-forming hole (prepared hole) are treated with permanganic acid, roughened, and electroless plated layer 250 is formed to a thickness of 0.3 μm by electroless copper plating. did. (FIG. 4 (c)) Next, after annealing, pickling and drying at 120 ° C. for 1 hour, a dry film resist was laminated on both sides in the same manner as in Example 1 to obtain a predetermined wiring forming pattern. Exposure using a plate (photomask), development, washing with water,
After drying, only the new via formation region was opened to form a resist layer 250. (FIG. 4 (d))

【0035】次いで、実施例1と同様に、めっき前処理
として酸洗した後、硫酸銅めっき浴にて、電流密度4A
/dm2 で25分間の通電を行い、ビア部を含む配線部
に20μm厚の銅めっきを選択的に形成した。(図4
(e)) 次いで、レジスト250を苛性ソーダにて剥離し、酸
洗、水洗、乾燥を行った後、さらにこの両面にドライフ
ィルムレジストをラミネートし、所定のパターン版(フ
ォトマスク)を用いて露光、現像、水洗、乾燥を行い、
ビアオンビアを形成するための充填ビアポスト上部領
域、および新たに設けるビア部領域の、充填ビアポスト
を形成する部分のみを選択的に開口したレジスト層25
5を形成した。(図4(f)) 次いで、めっき前処埋として酸洗した後、実施例1と同
様にして、硫酸銅めっき浴にて、電流密度4A/dm2
で10分間の通電を行い、10μm厚の銅めっきからな
る充填ビアポストを形成し(図4(g))、更に、レジ
スト255を苛性ソーダにて剥離し(図4(h))、全
面を希塩化第二鉄液にてスプレーエッチングし、配線部
以外の不要な無電解銅めっき層からなる無電解めっき層
240を除去し、本発明のビア285、287を形成し
た。287は、絶縁層130に形成した導体層(めっき
層)で埋め込まれているビアの真上に、絶縁層230に
形成した導体層(めっき層)で埋め込まれているビアが
積み重なった構造であるビアオンビアである。次いで、
ビア表面部を含む表面配線部の整面を実施した。このよ
うにして、図1(b)に示す配線基板を作製した。
Next, in the same manner as in Example 1, pickling was performed as a plating pretreatment, and the current density was changed to 4 A in a copper sulfate plating bath.
/ Dm 2 for 25 minutes to selectively form a 20 μm thick copper plating on the wiring portion including the via portion. (FIG. 4
(E)) Next, after the resist 250 is peeled off with caustic soda, pickled, washed with water, and dried, a dry film resist is further laminated on both sides thereof, and exposed using a predetermined pattern plate (photomask). After developing, washing and drying,
A resist layer 25 in which only a portion where a filled via post is to be formed is selectively opened in an upper region of a filled via post for forming a via-on via and a newly provided via portion region.
5 was formed. (FIG. 4 (f)) Next, after pickling as pretreatment for plating, the current density was 4 A / dm 2 in a copper sulfate plating bath in the same manner as in Example 1.
For 10 minutes to form a filled via post made of copper plating with a thickness of 10 μm (FIG. 4 (g)). Further, the resist 255 is peeled off with caustic soda (FIG. 4 (h)), and the entire surface is diluted with chlorine. Spray etching was performed with a ferric liquid to remove unnecessary portions of the electroless plating layer 240 made of an electroless copper plating layer other than the wiring portion, thereby forming vias 285 and 287 of the present invention. Reference numeral 287 denotes a structure in which vias embedded in the conductor layer (plated layer) formed in the insulating layer 230 are stacked immediately above vias embedded in the conductor layer (plated layer) formed in the insulating layer 130. Beer on beer. Then
The surface wiring portion including the via surface was trimmed. Thus, the wiring substrate shown in FIG. 1B was manufactured.

【0036】(実施例3)実施例3は、実施例2で得ら
れた図1(b)に示す配線基板を用い、端子面部のみを
開口してソルダーレジストで覆って、図1(c)に示す
配線基板を得たものである。以下に示す条件により、図
1(b)に示す配線基板を、端子面部のみを開口してソ
ルダーレジストで覆い、図1(c)に示す配線基板を得
た。(図5(j)) 実施例2で得られた図1(b)に示す配線基板に、ソル
ダーレジスト(太陽インキ製造(株)製AUS9)をス
クリーン印刷機(マイクロテック(株)製、MT−15
0)で印刷し、下記条件にてソルダーレジスト被膜を形
成した。 <ソルダーレジスト被膜形成条件> 第1面塗布〈1回目〉後 熱風循環式オーブン 80℃、15分 第2面塗布〈1回目〉後 熱風循環式オーブン 80℃、25分 第1面塗布〈2回目〉後 熱風循環式オーブン 80℃、30分
Example 3 In Example 3, the wiring board shown in FIG. 1B obtained in Example 2 was used, and only the terminal surface was opened and covered with a solder resist. Was obtained. Under the conditions shown below, the wiring board shown in FIG. 1B was covered with a solder resist with only the terminal surface portion opened to obtain the wiring board shown in FIG. 1C. (FIG. 5 (j)) A solder resist (AUS9 manufactured by Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd.) was applied to the wiring board shown in FIG. 1 (b) obtained in Example 2 by a screen printing machine (MT manufactured by Microtech Co., Ltd., MT). -15
0), and a solder resist film was formed under the following conditions. <Solder resist film formation conditions> After applying the first surface <First time> After applying hot air circulating oven at 80 ° C for 15 minutes Second applying after <First time> Applying hot air circulating oven at 80 ° C for 25 minutes First applying <Second time> > After hot air circulation type oven 80 ℃, 30 minutes

【0037】次いで、所定の形状を有するパターン版
(フォトマスク)を用いて露光し、炭酸ナトリウム溶液
にて現像、水洗,150℃、60分のポストキュア、1
00mJ/cm2の露光を行い、ソルダーレジスト被膜
を硬化させ、端子面部のみを開口してソルダーレジスト
で覆った、図1(c)に示す配線基板を得た。(図5
(j) <露光条件> 密着露光機 (株)小野測器製TN800CL 露光量 500mJ/cm2
Next, exposure is performed using a pattern plate (photomask) having a predetermined shape, development with a sodium carbonate solution, washing with water, post-curing at 150 ° C. for 60 minutes, and 1 hour.
Exposure was performed at 00 mJ / cm 2 to cure the solder resist coating, and only the terminal surface was opened and covered with the solder resist to obtain a wiring board shown in FIG. 1C. (FIG. 5
(J) <Exposure conditions> Contact exposure machine TN800CL manufactured by Ono Sokki Co., Ltd. Exposure amount 500 mJ / cm 2

【0038】実施例3にて得られた配線基板の一部(テ
ストピース)について、表1に示す試験を、それぞれ実
施し、試験の接続信頼性ならびに外観変化を調べたが、
導通抵抗変化率10%以下で、外観、ビア部に異常な
く、いずれも良好であった。
The tests shown in Table 1 were performed on a part (test piece) of the wiring board obtained in Example 3 to examine the connection reliability and the change in appearance of the test.
The rate of change in conduction resistance was 10% or less, and there was no abnormality in appearance and via portions, and both were good.

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明は、上記のように、ビア構造を有
する配線基板であって、接続信頼性の面での問題を解決
でき、更なる高密度化へ対応できる配線基板と、その製
造方法の提供を可能とした。更には、一般的なプリント
配線板製造の既存設備を用いて簡単に作製でき、接続信
頼性を確保でき、更なる高密度化へ対応できる、充填ビ
アを有する配線基板と、その製造方法の提供を可能とし
た。詳しくは、本発明による多層配線板は、コンベンシ
ョナル・ビア構造に比べ、ビア接続信頼性があきらかに
向上することに加え、ビアオンビア、ビア上に端子部
(パッド)を設けるパッドオンビアの実現により配線層
間あるいはフリップチップ接続用パッドを引き出す必要
がなくなり、配線形成を行うための平面空間を広く取れ
る為、 結果として、高密度化に対応できる多層配線基
板の提供を可能にした。
As described above, the present invention relates to a wiring board having a via structure, which can solve the problem of connection reliability and can cope with further densification, and its manufacture. The method can be provided. Further, the present invention provides a wiring board having a filling via, which can be easily manufactured using existing facilities for manufacturing a general printed wiring board, can secure connection reliability, and can cope with further densification, and a manufacturing method thereof. Was made possible. More specifically, in the multilayer wiring board according to the present invention, not only the via connection reliability is clearly improved as compared with the conventional via structure, but also via-on vias and pad-on-vias in which terminal portions (pads) are provided on vias are realized. There is no need to pull out the flip-chip connection pads, and the plane space for forming the wiring can be widened. As a result, it has become possible to provide a multilayer wiring board that can respond to high density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(a)は本発明の配線基板の実施の形態の
第1の例の特徴部の断面図で、図1(b)は本発明の配
線基板の実施の形態の第2の例の特徴部の断面図で、図
1(c)は第2の例の変形例の特徴部の断面図である。
FIG. 1A is a sectional view of a characteristic portion of a first example of an embodiment of a wiring board of the present invention, and FIG. 1B is a second view of a second embodiment of the wiring board of the present invention. FIG. 1C is a cross-sectional view of a characteristic portion of a modification of the second example.

【図2】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の1
例の工程の一部を示した工程図
FIG. 2 shows a first embodiment of a method of manufacturing a wiring board according to the present invention;
Process diagram showing a part of the process of the example

【図3】図2に続く工程を示した工程図FIG. 3 is a process drawing showing a step following FIG. 2;

【図4】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の1
例の工程の一部を示した工程図
FIG. 4 shows a first embodiment of a method of manufacturing a wiring board according to the present invention;
Process diagram showing a part of the process of the example

【図5】図4に続く工程を示した工程図FIG. 5 is a process chart showing a step following FIG. 4;

【図6】ベース基板の作製工程を示した工程断面図FIG. 6 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of a base substrate.

【図7】従来の方法によるコンベンショナル・ビアの形
成と、配線層の形成を示した工程断面図
FIG. 7 is a process sectional view showing the formation of a conventional via and the formation of a wiring layer by a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110 ベース基材 120 配線部 125 スルーホール 130 絶縁層 135 (ビア形成用)孔部 140 無電解めっき層 150、155 レジスト層 160 電解めっき層 170 (充填用の)電解めっき層 180 配線部 185 ビア部(充填ビア部とも言う) 230 絶縁層 235、235A ビア形成用)孔部 240 無電解めっき層 250、255 レジスト層 260 電解めっき層 270 (充填用の)電解めっき層 285 ビア部(充填ビア部とも言う) 287 ビアオンビア(ビア部) 290 ソルダーレジスト Reference Signs List 110 base substrate 120 wiring section 125 through hole 130 insulating layer 135 hole (for forming via) 140 electroless plating layer 150, 155 resist layer 160 electrolytic plating layer 170 (for filling) electrolytic plating layer 180 wiring section 185 via section 230 (insulating layer 235, 235A for via formation) Hole 240 Electroless plating layer 250, 255 Resist layer 260 Electroplating layer 270 Electroplating layer (for filling) 285 Via section (also called filling via section) 287) Via-on-via (via) 290 Solder resist

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E346 AA02 AA12 AA15 AA22 AA32 AA42 AA43 CC04 CC05 CC10 CC32 CC37 CC53 CC54 DD02 DD25 DD33 DD46 EE08 EE19 EE38 FF01 FF06 FF07 FF10 FF15 FF22 FF27 GG15 GG17 GG25 GG27 GG28 HH07 HH25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference)

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に配線部が形成された配線基板をベ
ース基板とし、ベース基板の配線部が形成された表面上
に、更に、配線層1層毎に絶縁層を介して、配線層を1
層以上積層して形成した配線基板であって、前記絶縁層
に形成されたビアが、導体層で埋め込まれていることを
特徴とする配線基板。
A wiring substrate having a wiring portion formed on a surface thereof is used as a base substrate, and a wiring layer is further formed on the surface of the base substrate on which the wiring portion is formed, further via an insulating layer for each wiring layer. 1
A wiring board formed by laminating at least two layers, wherein a via formed in the insulating layer is embedded in a conductor layer.
【請求項2】 請求項1において、導体層がめっき形成
されたものであることを特徴とする配線基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein the conductive layer is formed by plating.
【請求項3】 請求項1ないし2において、ベース基板
は、その両面に配線部が形成され、且つ、両面の配線部
を接続するスルーホールを設けた配線基板で、これをコ
ア基板とし、ベース基板の配線部が形成された両面上
に、それぞれ、更に、配線層1層毎に絶縁層を介して、
配線層を1層以上積層して形成した配線基板であること
を特徴とする配線基板。
3. The base substrate according to claim 1, wherein the base substrate has a wiring portion formed on both surfaces thereof, and a through-hole for connecting the wiring portions on both surfaces is provided. On both sides of the substrate on which the wiring portion is formed, further via an insulating layer for each wiring layer,
A wiring board, which is a wiring board formed by laminating one or more wiring layers.
【請求項4】 請求項1ないし3において、隣接する絶
縁層の一方の絶縁層に形成した導体層で埋め込まれてい
るビアの真上に、他方の絶縁層に形成した導体層で埋め
込まれているビアが積み重なった構造であるビアオンビ
アの構造を有することを特徴とする配線基板。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the conductive layer formed on the other insulating layer is buried directly above the via buried with the conductive layer formed on one of the adjacent insulating layers. A wiring board having a via-on-via structure in which vias are stacked.
【請求項5】 請求項1ないし4において、最外層の絶
縁層に形成された、導体層にて埋め込まれたビアを端子
部(パッド)としていることを特徴とする配線基板。
5. The wiring board according to claim 1, wherein a via formed in the outermost insulating layer and embedded in the conductor layer is used as a terminal portion (pad).
【請求項6】 表面に配線部が形成された配線基板をベ
ース基板とし、ベース基板の配線部が形成された表面上
に、更に、配線層1層毎に絶縁層を介して、配線層を1
層以上積層して形成した配線基板で、且つ、各絶縁層に
形成されたビアが導体層で埋め込まれている配線基板を
製造するための、配線基板の製造方法であって、順に、
(a)配線を形成する被処理基板の、配線を形成する面
上に絶縁層を積層形成する、絶縁層形成工程と、(b)
積層形成された絶縁層の、ビア形成領域を短波長レーザ
ーを照射して、絶縁層を開孔し、ビア形成用の孔部を形
成するビア用孔部形成工程と、(c)絶縁層の表面部全
面を覆うように、無電解めっきにより、無電解めっき層
を配設する無電解めっき工程と、(d)無電解めっき層
上に、形成するビア部を含む配線にあわせた、所定形状
の開口を有する第1のレジスト層を形成する第1のレジ
スト層形成工程と、(e)第1のレジスト層をめっきマ
スクとして配設された無電解めっき層を給電層として、
無電解めっき層上に、電解めっきを行う、第1の電解め
っき工程と、(f)第1のレジスト層を剥離除去後、形
成するビア部の、充填する導電性層形成領域のみを開口
させた第2のレジスト層を形成する第2のレジスト層形
成工程と、(g)第2のレジスト層をめっきマスクとし
て、前記無電解めっき層を給電層として、電解めっきを
行い、ビア内を電解めっき層からなる導電性層で充填す
る第2のめっき工程と、(h)第2のレジスト層を剥離
除去後、エッチングを行い、ビア部を含む配線部を損な
わないように、露出した余分な無電解めっき層をエッチ
ング除去するエッチング工程とを施す、一連の(a)〜
(h)の工程を、積層する配線層の数に応じて繰り返す
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
6. A wiring substrate having a wiring portion formed on a surface thereof is used as a base substrate, and a wiring layer is further formed on the surface of the base substrate on which the wiring portion is formed, further via an insulating layer for each wiring layer. 1
A method for manufacturing a wiring board in which a wiring board formed by laminating layers or more, and a via formed in each insulating layer is embedded with a conductive layer, and
(A) an insulating layer forming step of laminating and forming an insulating layer on a surface of a substrate on which a wiring is to be formed, on a surface on which the wiring is to be formed;
A via-hole forming step of irradiating a via-forming region of the laminated insulating layer with a short-wavelength laser to open the insulating layer and form a hole for forming a via; An electroless plating step of arranging an electroless plating layer by electroless plating so as to cover the entire surface, and (d) a predetermined shape adapted to the wiring including a via portion to be formed on the electroless plating layer. A first resist layer forming step of forming a first resist layer having an opening of (e), and (e) using an electroless plating layer provided with the first resist layer as a plating mask as a power supply layer,
A first electrolytic plating step in which electrolytic plating is performed on the electroless plating layer, and (f) after peeling and removing the first resist layer, only the filled conductive layer forming region of the via portion to be formed is opened. A second resist layer forming step of forming a second resist layer, and (g) performing electrolytic plating using the second resist layer as a plating mask, the electroless plating layer as a power supply layer, and electrolyzing the inside of the via. A second plating step of filling with a conductive layer composed of a plating layer; and (h) etching after removing and removing the second resist layer so as not to damage the wiring portion including the via portion. A series of steps (a) to (c) in which an etching step of etching and removing the electroless plating layer is performed.
A method for manufacturing a wiring board, wherein the step (h) is repeated according to the number of wiring layers to be laminated.
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