JP2001284539A - Microwave integrated circuit device - Google Patents
Microwave integrated circuit deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波用通信
機器などに使用されるマイクロ波集積回路装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave integrated circuit device used for communication equipment for microwaves and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のマイクロ波集積回路装置につい
て、マイクロ波集積回路（以下ＭＩＣという）基板上
に、マイクロストリップ線路や抵抗パターンを形成した
マイクロ波Ｔ形固定減衰器を例にとり図２を参照して説
明する。ＭＩＣ基板２１上に高周波入力端子２２が設け
られ、高周波入力端子２２に、マイクロストリップ線路
で構成された第１上部電極２３が接続されている。第１
上部電極２３は、第１直列接続用抵抗パターン２４を介
してマイクロストリップ線路で構成された第２上部電極
２５に接続されている。第２上部電極２５は第２直列接
続用抵抗パターン２６を介して、マイクロストリップ線
路で構成された第３上部電極２７に接続されている。第
３上部電極２７は高周波出力端子２８に接続されてい
る。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a conventional microwave integrated circuit device using a microwave T-type fixed attenuator having a microstrip line and a resistance pattern formed on a microwave integrated circuit (hereinafter referred to as MIC) substrate. I will explain. A high-frequency input terminal 22 is provided on the MIC substrate 21, and a first upper electrode 23 composed of a microstrip line is connected to the high-frequency input terminal 22. First
The upper electrode 23 is connected to a second upper electrode 25 formed of a microstrip line via a first series connection resistance pattern 24. The second upper electrode 25 is connected to a third upper electrode 27 formed of a microstrip line via a second series connection resistance pattern 26. The third upper electrode 27 is connected to the high frequency output terminal 28.
【０００３】また、第２上部電極２５は、並列接続用抵
抗パターン２９に接続され、並列接続用抵抗パターン２
９はバイアホール３０を通して接地されている。Further, the second upper electrode 25 is connected to the parallel connection resistance pattern 29, and is connected to the parallel connection resistance pattern 2.
9 is grounded through a via hole 30.
【０００４】上記した構成において、第１、第２の直列
接続用抵抗パターン２４、２６のシート抵抗値、およ
び、並列接続用抵抗パターン２９のシート抵抗値は、い
ずれも同じ大きさたとえば５０Ωに設定されている。In the above configuration, the sheet resistance values of the first and second series connection resistance patterns 24 and 26 and the sheet resistance value of the parallel connection resistance pattern 29 are all set to the same size, for example, 50Ω. Have been.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波集積
回路装置では、１つの基板上に複数の抵抗パターンを形
成する場合、複数の抵抗パターンは、通常、同じ工程で
形成される。そのため、複数の抵抗パターンのシート抵
抗値は同じ値に設定されている。In the conventional microwave integrated circuit device, when a plurality of resistance patterns are formed on one substrate, the plurality of resistance patterns are usually formed in the same process. Therefore, the sheet resistance values of the plurality of resistance patterns are set to the same value.
【０００６】しかし、ＭＩＣ基板上に抵抗パターンをＴ
形に配置する固定減衰器は、減衰量を小さくする場合、
並列接続用抵抗パターン２９の抵抗値を大きくし、第
１、第２の直列接続用抵抗パターン２４、２６の抵抗値
を小さくする必要がある。However, the resistance pattern on the MIC substrate is T
A fixed attenuator placed in a shape can reduce the amount of attenuation.
It is necessary to increase the resistance value of the parallel connection resistance pattern 29 and to decrease the resistance values of the first and second series connection resistance patterns 24 and 26.
【０００７】そのため、直列接続用および並列接続用の
抵抗パターンのシート抵抗値が同じ値であると、大きな
抵抗値の並列接続用抵抗パターンが長くなり、固定減衰
器の寸法が大きくなるという問題がある。[0007] Therefore, if the sheet resistance of the series connection and the parallel connection resistance patterns is the same, the parallel connection resistance pattern having a large resistance value becomes long, and the size of the fixed attenuator becomes large. is there.
【０００８】この場合、並列接続用抵抗パターンを短く
するために、抵抗パターンのシート抵抗値を大きくする
ことが考えられる。抵抗パターンのシート抵抗値を大き
くすると、逆に、直列接続用抵抗パターンの長さが短く
なり過ぎ、抵抗パターンの精度が低下し、抵抗値の精度
が悪くなるという問題がある。In this case, in order to shorten the resistance pattern for parallel connection, it is conceivable to increase the sheet resistance value of the resistance pattern. On the contrary, when the sheet resistance value of the resistance pattern is increased, the length of the resistance pattern for series connection becomes too short, so that the accuracy of the resistance pattern is reduced and the accuracy of the resistance value is deteriorated.
【０００９】たとえば、ＭＩＣ基板の比誘電率が９．
８、ＭＩＣ基板の厚さが０．２５４ｍｍ、マイクロスト
リップ線路の上部電極の幅が０．２４ｍｍ、抵抗パター
ンのシート抵抗値が５０Ω、抵抗パターンの実用になる
長さの最小値が０．０５ｍｍ、固定減衰器の減衰量が３
ｄＢの場合、並列接続用抵抗パターンの長さは約０．６
７ｍｍと長くなる。For example, the relative permittivity of the MIC substrate is 9.
8. The thickness of the MIC substrate is 0.254 mm, the width of the upper electrode of the microstrip line is 0.24 mm, the sheet resistance value of the resistance pattern is 50Ω, and the minimum value of the practical length of the resistance pattern is 0.05 mm. The attenuation of the fixed attenuator is 3
In the case of dB, the length of the resistance pattern for parallel connection is about 0.6
It is as long as 7 mm.
【００１０】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、抵抗値が相違する複数の抵抗パターンを基板上に形
成する場合に、抵抗値が大きい抵抗パターンの大型化を
防止し、かつ、抵抗値の小さい抵抗パターンの抵抗値の
精度低下を防止したマイクロ波集積回路装置を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned drawbacks. In the case where a plurality of resistance patterns having different resistance values are formed on a substrate, it is possible to prevent a resistance pattern having a large resistance value from increasing in size. It is an object of the present invention to provide a microwave integrated circuit device in which the resistance value of a resistance pattern having a small value is prevented from lowering.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロスト
リップ線路と、このマイクロストリップ線路の両側に直
接接続した第１の抵抗パターンと、前記マイクロストリ
ップ線路と並列に接続した第２の抵抗パターンとを基板
上に形成したＴ字形固定減衰器であって、前記第１の抵
抗パターンと前記第２の抵抗パターンとで用いられるシ
ート抵抗値が異なることを特徴としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a microstrip line, a first resistor pattern directly connected to both sides of the microstrip line, and a second resistor pattern connected in parallel with the microstrip line. In a T-shaped fixed attenuator formed on a substrate, wherein a sheet resistance value used in the first resistance pattern is different from a sheet resistance value used in the second resistance pattern.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、ＭＩ
Ｃ基板上に複数の抵抗パターンを形成したマイクロ波Ｔ
形固定減衰器を例にとり図１を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Microwave T with multiple resistance patterns formed on C substrate
An example of a fixed attenuator will be described with reference to FIG.
【００１３】ＭＩＣ基板１１上に高周波入力端子１２が
設けられている。高周波入力端子１２に、マイクロスト
リップ線路で構成された第１上部電極１３が接続されて
いる。第１上部電極１３は、第１直列接続用抵抗パター
ン１４を介してマイクロストリップ線路で構成された第
２上部電極１５に接続されている。第２上部電極１５は
第２直列接続用抵抗パターン１６を介して、マイクロス
トリップ線路で構成された第３上部電極１７に接続され
ている。第３上部電極１７に高周波出力端子１８が接続
されている。また、第２上部電極１５は並列接続用抵抗
パターン１９に接続され、並列接続用抵抗パターン１９
はバイアホール２０を通して接地されている。A high frequency input terminal 12 is provided on an MIC substrate 11. A first upper electrode 13 composed of a microstrip line is connected to the high frequency input terminal 12. The first upper electrode 13 is connected to a second upper electrode 15 formed of a microstrip line via a first series connection resistor pattern 14. The second upper electrode 15 is connected to a third upper electrode 17 composed of a microstrip line via a second series connection resistance pattern 16. The high frequency output terminal 18 is connected to the third upper electrode 17. The second upper electrode 15 is connected to the parallel connection resistance pattern 19, and is connected to the parallel connection resistance pattern 19.
Are grounded through via holes 20.
【００１４】上記した構成において、直列接続用抵抗パ
ターン１４、１６のシート抵抗値を、たとえば５０Ω
に、また、並列接続用抵抗パターン１９のシート抵抗値
を、たとえば２００Ωに設定している。In the above configuration, the sheet resistance of the series-connected resistance patterns 14 and 16 is set to, for example, 50Ω.
Further, the sheet resistance value of the parallel connection resistance pattern 19 is set to, for example, 200Ω.
【００１５】上記した構成の固定減衰器において、減衰
量を小さくする場合、並列接続用抵抗パターン１９の抵
抗値を大きくし、直列接続用抵抗パターン１４、１６の
抵抗値を小さくする必要がある。この場合、大きな抵抗
値が要求される並列接続用抵抗パターン１９のシート抵
抗値を、直列接続用抵抗パターン１４、１６のシート抵
抗値よりも大きくしている。したがって、並列接続用抵
抗パターン１９が大型化することがない。また、直列接
続用抵抗パターン１４、１６のシート抵抗値を小さくし
ているため、直列接続用抵抗パターン１４、１６が短く
なり過ぎることもない。In the fixed attenuator having the above-described structure, when the amount of attenuation is reduced, it is necessary to increase the resistance value of the parallel connection resistance pattern 19 and decrease the resistance value of the series connection resistance patterns 14 and 16. In this case, the sheet resistance value of the parallel connection resistance pattern 19, which requires a large resistance value, is set larger than the sheet resistance value of the series connection resistance patterns 14 and 16. Therefore, the size of the parallel connection resistance pattern 19 does not increase. Further, since the sheet resistance values of the series-connected resistance patterns 14 and 16 are reduced, the series-connected resistance patterns 14 and 16 do not become too short.
【００１６】たとえば、ＭＩＣ基板の比誘電率が９．
８、ＭＩＣ基板の厚さが０．２５４ｍｍ、マイクロスト
リップ線路の上部電極の幅が０．２４ｍｍ、直列接続用
抵抗パターンのシート抵抗値が５０Ω、並列接続用抵抗
パターンのシート抵抗値が２００Ω、抵抗パターンの実
用になる長さの最小値が０．０５ｍｍ、固定減衰器の減
衰量が３ｄＢの場合、並列接続用抵抗パターンの長さは
約０．１７ｍｍと短くなる。なお、抵抗パターンのシー
ト抵抗値は、マイクロ波集積回路装置の場合、１０〜２
０００Ωの範囲に設定される。For example, the relative permittivity of the MIC substrate is 9.
8. The thickness of the MIC substrate is 0.254 mm, the width of the upper electrode of the microstrip line is 0.24 mm, the sheet resistance value of the series connection resistance pattern is 50Ω, the sheet resistance value of the parallel connection resistance pattern is 200Ω, and the resistance. When the minimum practical length of the pattern is 0.05 mm and the attenuation of the fixed attenuator is 3 dB, the length of the parallel connection resistor pattern is as short as about 0.17 mm. Note that the sheet resistance value of the resistance pattern is 10 to 2 in the case of a microwave integrated circuit device.
000Ω range.
【００１７】上記した構成によれば、大きな抵抗値を必
要とする抵抗パターンに大きなシート抵抗値のものを使
用し、小さな抵抗値の抵抗パターンにそれよりも小さな
シート抵抗値のものを使用している。したがって、大き
な抵抗値と小さな抵抗値とが混在する回路を構成する場
合に、大きな抵抗値が必要される抵抗パターンの大型化
を防止でき、同時に、小さな抵抗値が短くなることによ
る抵抗値の精度低下を防止できる。According to the above configuration, a resistor pattern having a large sheet resistance value is used for a resistor pattern requiring a large resistance value, and a resistor pattern having a smaller sheet resistance value is used for a resistor pattern having a small resistance value. I have. Therefore, when configuring a circuit in which a large resistance value and a small resistance value are mixed, it is possible to prevent the resistance pattern that requires a large resistance value from becoming large, and at the same time, to reduce the resistance value due to the shortened small resistance value. Drop can be prevented.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、抵抗値が相違する複数
の抵抗パターンを基板上に形成する場合に、抵抗値が大
きい抵抗パターンの大型化を防止し、かつ、抵抗値の小
さい抵抗パターンの抵抗値の精度低下を防止したマイク
ロ波集積回路装置を実現できる。According to the present invention, when a plurality of resistance patterns having different resistance values are formed on a substrate, it is possible to prevent a resistance pattern having a large resistance value from increasing in size and to reduce a resistance pattern having a small resistance value. And a microwave integrated circuit device in which a decrease in the precision of the resistance value is prevented.
【図１】本発明の実施形態を説明する回路パターン図で
ある。FIG. 1 is a circuit pattern diagram illustrating an embodiment of the present invention.
【図２】従来例を説明する回路パターン図である。FIG. 2 is a circuit pattern diagram illustrating a conventional example.
１１…ＭＩＣ基板 １２…入力端子 １３…マイクロストリップ線路の第１上部電極 １４…第１直列接続用抵抗パターン １５…マイクロストリップ線路の第２上部電極 １６…第１直列接続用抵抗パターン １７…マイクロストリップ線路の第２上部電極 １８…出力端子 １９…並列接続用抵抗パターン ２０…バイアボール DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... MIC board 12 ... Input terminal 13 ... First upper electrode of microstrip line 14 ... First series connection resistance pattern 15 ... Second upper electrode of microstrip line 16 ... First series connection resistance pattern 17 ... Microstrip Second upper electrode of line 18 Output terminal 19 Resistance pattern for parallel connection 20 Via ball
Claims (3)
ロストリップ線路の両側に直接接続した第１の抵抗パタ
ーンと、前記マイクロストリップ線路と並列に接続した
第２の抵抗パターンとを基板上に形成したＴ字形固定減
衰器であって、前記第１の抵抗パターンと前記第２の抵
抗パターンとで用いられるシート抵抗値が異なることを
特徴とするマイクロ波集積回路装置。1. A T-shape in which a microstrip line, a first resistance pattern directly connected to both sides of the microstrip line, and a second resistance pattern connected in parallel with the microstrip line are formed on a substrate. A fixed attenuator, wherein a sheet resistance value used in the first resistance pattern is different from a sheet resistance value used in the second resistance pattern.
ターンの抵抗値を大きくすることを特徴とした請求項１
記載のマイクロ波集積回路装置。2. The method according to claim 1, wherein the resistance value of the second resistance pattern is larger than that of the first resistance pattern.
The microwave integrated circuit device as described in the above.
ターンのシート抵抗値が１０〜２０００Ωの範囲である
ことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波集積回路装
置。3. The microwave integrated circuit device according to claim 1, wherein the sheet resistance values of the first resistance pattern and the second resistance pattern are in a range of 10 to 2000 Ω.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000159169A JP2001284539A (en) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | Microwave integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000159169A JP2001284539A (en) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | Microwave integrated circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284539A true JP2001284539A (en) | 2001-10-12 |
Family
ID=18663530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000159169A Pending JP2001284539A (en) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | Microwave integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001284539A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006100726A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Fujitsu Limited | Variable attenuator and integrated circuit |
| JP2012054890A (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | Attenuator |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000159169A patent/JP2001284539A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006100726A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Fujitsu Limited | Variable attenuator and integrated circuit |
| US7453329B2 (en) | 2005-03-18 | 2008-11-18 | Fujitsu Limited | Variable attenuator and integrated circuit |
| JP2012054890A (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | Attenuator |
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