JP2001281664A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

Info

Publication number
JP2001281664A
JP2001281664A JP2000094993A JP2000094993A JP2001281664A JP 2001281664 A JP2001281664 A JP 2001281664A JP 2000094993 A JP2000094993 A JP 2000094993A JP 2000094993 A JP2000094993 A JP 2000094993A JP 2001281664 A JP2001281664 A JP 2001281664A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
response speed
cell thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000094993A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001281664A5 (en
Inventor
Hideaki Tsuda
英昭 津田
Arihiro Takeda
有広 武田
Kimiaki Nakamura
公昭 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2000094993A priority Critical patent/JP2001281664A/en
Publication of JP2001281664A publication Critical patent/JP2001281664A/en
Publication of JP2001281664A5 publication Critical patent/JP2001281664A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve response speed in a halftone display of an MVA(multi- domain vertical alignment) mode liquid crystal display device, with respect to a liquid crystal display device. SOLUTION: In the liquid crystal display device, which holds a liquid crystal with a negative dielectric anisotropy between two substrates 1, 2 placed opposite to each other, of which at least the one out of electrodes 11, 12 arranged on mutually opposed surfaces of the both substrates 1, 2 is composed of a transparent electrode, of which the liquid crystalline molecules 8 align, so as to make the direction of their long axes be nearly vertical at least to the one principal plane of the substrate 1, 2 without application of voltage and of which the aligned direction of the long axes of the liquid crystalline molecules 8 falls down in a direction parallel to the principal planes of the substrates 1, 2, when a voltage is applied, the retardation Δn.d of the liquid crystal layer 7 is set so that 0.24 μm<Δn.d<0.42 μm, and the thickness d of the liquid crystal layer 7 is set to be 2.0 μm<d<=3.5 μm in the case of vertical alignment.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
るものであり、特に、垂直配向した液晶分子を少なくと
も一方の基板側に設けた突起等の構造物による電界歪み
によって制御し複数の方向にn型の液晶分子の配向分割
を行なったMVA(Multi−domain Ver
tical Alignment)型液晶表示装置にお
ける応答速度を改善するためのセルギャップdと屈折率
異方性Δnの関係規定した点に特徴のある液晶表示装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which vertical alignment of liquid crystal molecules is controlled by electric field distortion caused by a structure such as a projection provided on at least one substrate side, and is controlled in a plurality of directions. (Multi-domain Ver.) That performs orientation division of liquid crystal molecules
The present invention relates to a liquid crystal display device characterized in that the relationship between a cell gap d and a refractive index anisotropy Δn for improving a response speed in a liquid crystal display device is specified.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、アクティブマトリクスを用いた液
晶パネルは、軽量、薄型、低消費電力が実現できるディ
スプレイとして注目されているが、アクティブマトリク
ス型液晶表示装置としては、TN(Twisted N
ematic)液晶を用いたTN方式が主流であった。
2. Description of the Related Art In recent years, a liquid crystal panel using an active matrix has attracted attention as a display capable of realizing lightweight, thin, and low power consumption. However, as an active matrix type liquid crystal display device, a TN (Twisted N) is used.
eTN) The TN method using liquid crystal has been the mainstream.

【0003】しかし、TN方式は、電圧印加時において
も、電圧無印加時の配向方位をある程度保った状態でパ
ネルの法線方向に配向し、液晶分子の配向状態に方位角
依存性が発生するので、視野角特性などが狭いという問
題がある。
However, in the TN mode, even when a voltage is applied, the liquid crystal molecules are oriented in the normal direction of the panel while maintaining the orientation orientation when no voltage is applied to some extent, and the orientation state of the liquid crystal molecules is dependent on the azimuth angle. Therefore, there is a problem that the viewing angle characteristics are narrow.

【0004】これを改善する方式として、垂直配向した
液晶分子を少なくとも一方の基板側に設けた突起等の構
造物による電界歪みによって制御し複数の方向に液晶分
子の配向分割を行なったMVA(Multi−doma
in Vertical Alignment)型液晶
表示装置(必要ならば、特開平11−242225号公
報)が注目されている。
As a method of improving this, MVA (Multi) in which liquid crystal molecules which are vertically aligned are controlled by electric field distortion caused by a structure such as a projection provided on at least one substrate side to perform liquid crystal molecule alignment division in a plurality of directions. -Doma
Attention has been paid to an in Vertical Alignment type liquid crystal display device (if necessary, JP-A-11-242225).

【0005】ここで、図18を参照して従来のMVA型
液晶表示装置を説明する。 図18(a)参照 図18(a)は、電圧を印加しない状態における従来の
MVA型液晶表示装置における概略的要部断面図であ
り、TFT基板31上にITO透明電極からなる画素電
極32を設けるとともに、局所的に液晶分子40の配向
を規制する絶縁体からなる突起33を設け、これらを覆
うように垂直配向膜34を設ける。一方、TFT基板3
1と対向するCF(カラーフィルタ)基板35上には、
ITO透明電極からなる共通電極36を設けるととも
に、局所的に液晶分子40の配向を規制する絶縁体から
なる突起37を突起33と投影的に重ならない位置に設
け、これらを覆うように垂直配向膜38を設け、対向す
るTFT基板31とCF基板35との間に負の誘電率異
方性(Δε<0)を有する液晶39を注入する。
Here, a conventional MVA liquid crystal display device will be described with reference to FIG. FIG. 18A is a schematic cross-sectional view of a main part of a conventional MVA type liquid crystal display device in a state where a voltage is not applied. A pixel electrode 32 made of an ITO transparent electrode is formed on a TFT substrate 31. In addition, a projection 33 made of an insulator for locally regulating the alignment of the liquid crystal molecules 40 is provided, and a vertical alignment film 34 is provided so as to cover these. On the other hand, the TFT substrate 3
On a CF (color filter) substrate 35 facing 1
A common electrode 36 made of an ITO transparent electrode is provided, and a protrusion 37 made of an insulator for locally regulating the alignment of the liquid crystal molecules 40 is provided at a position that does not projectively overlap the protrusion 33, and a vertical alignment film is formed so as to cover these. A liquid crystal 39 having a negative dielectric anisotropy (Δε <0) is injected between the opposed TFT substrate 31 and CF substrate 35.

【0006】この場合、突起33,37の近傍の液晶分
子40は、突起33,37の形状に依存した配向状態を
示すことになり、突起33,37の表面を覆う垂直配向
膜34,38の法線方向に揃うように液晶分子40は傾
斜することになる。一方、突起33,37から離れた位
置の液晶分子40は垂直配向することになる。
In this case, the liquid crystal molecules 40 near the projections 33 and 37 show an alignment state depending on the shapes of the projections 33 and 37, and the liquid crystal molecules 40 of the vertical alignment films 34 and 38 covering the surfaces of the projections 33 and 37. The liquid crystal molecules 40 are inclined so as to be aligned in the normal direction. On the other hand, the liquid crystal molecules 40 at positions away from the protrusions 33 and 37 are vertically aligned.

【0007】この様な液晶表示装置において、TFT基
板31側に設ける偏光子41とCF基板35側に設ける
偏光子42とをクロスニコルに配置することによって、
電圧を印加しない状態においては“黒”表示になる。
In such a liquid crystal display device, the polarizer 41 provided on the TFT substrate 31 side and the polarizer 42 provided on the CF substrate 35 side are arranged in crossed Nicols,
When no voltage is applied, "black" is displayed.

【0008】図18(b)参照図18(b)は電圧を印
加した状態における液晶分子40の配列状態を示す図で
あり、電圧を印加することによって、既に傾斜配向して
いる突起33,37の近傍の液晶分子40の配向の傾斜
が伝搬し、負の誘電率異方性を有する液晶分子40全体
が、印加電圧に応じて傾斜角θp だけ傾斜し、透過状態
乃至中間調状態の表示が得られることになる。
FIG. 18 (b) is a view showing an arrangement state of the liquid crystal molecules 40 in a state where a voltage is applied, and the projections 33 and 37 which are already inclinedly aligned by applying a voltage. , The entire liquid crystal molecules 40 having negative dielectric anisotropy are tilted by the tilt angle θ p according to the applied voltage, and the display in the transmission state or the halftone state is performed. Is obtained.

【0009】この様に、MVA型液晶表示装置において
は、予め突起33,37を設けて液晶分子40の一部を
傾斜配向させているので、従来の液晶表示装置に比べて
速い応答速度が得られるとともに、液晶分子40が複数
の方向に分割されて配向されているので、コントラスト
比が10以上において、上下左右160°の広い視野角
が実現している。なお、突起の替わりに、画素電極32
或いは共通電極36に切り欠き部、即ち、スリット部を
設けても同様の効果が得られる。
As described above, in the MVA type liquid crystal display device, since the projections 33 and 37 are provided in advance and a part of the liquid crystal molecules 40 are tilt-aligned, a higher response speed can be obtained as compared with the conventional liquid crystal display device. In addition, since the liquid crystal molecules 40 are divided and aligned in a plurality of directions, a wide viewing angle of 160 ° vertically, horizontally, and horizontally is realized when the contrast ratio is 10 or more. Note that, instead of the protrusion, the pixel electrode 32
Alternatively, a similar effect can be obtained even if a cutout portion, that is, a slit portion is provided in the common electrode 36.

【0010】この様なMVA型液晶表示装置の量産品に
おける表示パネルの製造条件は、セルギャップdをd=
4.0μmとし、液晶の屈折率異方性ΔnがΔn=0.
0822のものを用いており、正面からのコントラスト
比が非常に高く、また、白黒の応答性が優れる等の特徴
を有しているため、高性能な液晶モニタに適しているも
のである。
The manufacturing conditions of the display panel in mass-produced products of such an MVA type liquid crystal display device are as follows.
4.0 μm, and the refractive index anisotropy Δn of the liquid crystal is Δn = 0.
It is suitable for a high-performance liquid crystal monitor because it has characteristics such as a very high contrast ratio from the front and excellent black-and-white responsiveness.

【0011】近年、パーソナルコンピュータ等の静止画
用のモニタから、動画対応モニタの需要が高まると、残
像や表示ボケを生じさせない中間調(グレースケール)
での優れた応答性が要請されてきており、特に、TN型
液晶表示装置や横方向電界を印加することによって液晶
分子をパネル面内で駆動するIPS(In−Plane
Switching)型液晶表示装置においては中間
調応答速度の高速化が図られているので、MVA型液晶
表示装置においても応答速度の改善が要請されている。
In recent years, as the demand for a monitor for moving images has increased from a monitor for still images such as a personal computer, a halftone (gray scale) that does not cause an afterimage or a display blur.
IPS (In-Plane), which drives liquid crystal molecules in a panel surface by applying a TN type liquid crystal display device or a lateral electric field, is required.
In the case of a switching type liquid crystal display device, an increase in the halftone response speed has been achieved. Therefore, an improvement in the response speed has been demanded also in the MVA type liquid crystal display device.

【0012】しかし、MVA型液晶表示装置において
は、傾斜方向を規制する構造、即ち、突起33,37の
ない領域を液晶配向の傾斜が伝播するのには時間がかか
り、画素全体の液晶が応答するのに時間が必要となり、
必ずしも十分な応答性が得られず、特に、中間調表示が
低階調の場合、電圧が低いために液晶配向の伝播が遅く
なり、応答時間が通常の3倍以上となるという問題があ
るので、この事情を図19及び図20を参照して説明す
る。
However, in the MVA type liquid crystal display device, it takes time for the structure for regulating the tilt direction, that is, for the tilt of the liquid crystal to propagate in the region without the protrusions 33 and 37, and the liquid crystal of the entire pixel responds. It takes time to do
Sufficient responsiveness is not always obtained. Particularly, when the halftone display is at a low gradation, there is a problem that the propagation of the liquid crystal alignment becomes slow due to a low voltage, and the response time becomes three times or more than usual. This situation will be described with reference to FIGS.

【0013】図19参照 図19は、液晶39として液晶D(MJ961213:
メルクジャパン製商品名)を用いた場合の黒表示から白
表示への立ち上がり時間、即ち、応答速度Tonの印加電
圧依存性の説明図である、5V程度の電圧を印加して完
全な白表示を得る場合には、Ton〜20ミリ秒(ms)
と応答速度が早いものの、中間調を表示する場合には数
十ms以上の応答速度を要し、モニタ画面では残像・表
示ボケ等を招く原因となっていた。なお、印加電圧が5
V以上になると応答速度が増大するが、これは液晶分子
の配向のブレによるものである。
Referring to FIG. 19, FIG. 19 shows a liquid crystal D (MJ96213:
Rise time to white display when using Merck Japan Ltd. trade name), i.e., an illustration of the applied voltage dependence of the response speed T on, full white display by applying a voltage of about 5V Is obtained, T on 2020 ms (ms)
Although the response speed is high, displaying a halftone requires a response speed of several tens of milliseconds or more, which causes afterimages and display blur on a monitor screen. When the applied voltage is 5
When the voltage exceeds V, the response speed increases. This is due to the deviation of the alignment of the liquid crystal molecules.

【0014】図20参照 図20は、白表示から黒表示への立ち上がり時間、即
ち、応答速度Toff の印加電圧依存性の説明図である、
印加電圧の増加とともに、応答速度Toff も増大する
が、5V程度の印加電圧においてToff 〜10ms程度
であり、Tonに比べてかなり小さいので問題となること
はない。
FIG. 20 is a diagram illustrating the rise time from white display to black display, that is, the dependence of the response speed T off on the applied voltage.
With increasing applied voltage, but also it increases the response speed T off, a T off ~10ms about at an applied voltage of about 5V, not a problem since quite small compared to T on.

【0015】このMVA型液晶表示装置の様な垂直配向
型はECB(Electrically Contro
lled Birefringence)効果を利用し
たモードであり、一般に、その電気光学特性に関する応
答速度τは、τr を黒表示から白表示への立ち上がり時
間、τd を白表示から黒表示への立ち上がり時間、dを
セル厚、ε0 を比誘電率、Δεを誘電率異方性、ηi
粘性パラメータ、K33を弾性パラメータ(ベンド)、V
を印加電圧とした場合、夫々、 τr =ηi 2 (ε0 ・|Δε|V2 −K33π2 -1 τd =ηi 2 (K33π2 -1 となることが知られている。
A vertical alignment type such as this MVA type liquid crystal display device is an ECB (Electrically Controlled).
This is a mode utilizing the LLed effect (Leed Birefringence) effect. Generally, the response speed τ relating to the electro-optical characteristics is represented by τ r , a rise time from black display to white display, τ d , a rise time from white display to black display, d Is the cell thickness, ε 0 is the relative permittivity, Δε is the dielectric anisotropy, η i is the viscosity parameter, K 33 is the elastic parameter (bend), V
If the applied voltage, respectively, τ r = η i d 2 becomes (ε 0 · | V 2 -K 33 π 2 | Δε) -1 τ d = η i d 2 (K 33 π 2) -1 It is known.

【0016】したがって、MVA型液晶表示装置におい
ても、上記の関係式を参酌すると、応答速度τを速くす
るためにはセル厚dを小さくすること及び液晶粘性(η
i )を小さくすることが有利であると考えられていた。
Therefore, also in the MVA type liquid crystal display device, in consideration of the above relational expression, in order to increase the response speed τ, the cell thickness d must be reduced and the liquid crystal viscosity (η
It was considered advantageous to reduce i ).

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】しかし、セル厚dを小
さくした場合には、液晶セルの透過率低下を生じさせな
いためには、高Δnの液晶が必要になり、粘性等を考慮
する必要がある。即ち、一般に、液晶分子が横方向に伸
びると屈折率異方性Δnが大きくなるとともに、分子量
が大きくなるので粘性が高まる傾向(η∝Δn)があ
り、高Δnの液晶を選択すると粘性ηが大きくなり、上
記の関係式から応答速度τが大きくなり、セル厚dを小
さくした効果が相殺されることになるという問題があ
る。また、液晶パネルの使用温度範囲を拡げたいという
要請に応えるためには、粘性の大きな液晶が必要になる
が、そうすると、やはり応答速度τが大きくなる。
However, when the cell thickness d is reduced, a liquid crystal with a high Δn is required in order to prevent the transmittance of the liquid crystal cell from decreasing, and it is necessary to consider the viscosity and the like. is there. That is, in general, when the liquid crystal molecules extend in the lateral direction, the refractive index anisotropy Δn increases, and the molecular weight increases, so that the viscosity tends to increase (η∝Δn). There is a problem that the response speed τ increases from the above relational expression, and the effect of reducing the cell thickness d is offset. In addition, in order to meet the demand for extending the operating temperature range of the liquid crystal panel, a liquid crystal having a high viscosity is required, but this also increases the response speed τ.

【0018】したがって、できるだけΔnが大きく且つ
粘性ηが小さな液晶材料を選択する必要があるが、n型
液晶はp型液晶に比べて種類が少ないため選択の自由度
は少なく、粘性の小さな液晶材料を使用できない状況に
あった。
Therefore, it is necessary to select a liquid crystal material having a large Δn and a small viscosity η as much as possible. Was not available.

【0019】また、MVA型液晶表示装置においては、
突起やスリット部の近傍における配向性が関係するの
で、単純に印加電圧を大きくしても「配向ブレ」が発生
して残像が生じる等の問題も有していた。
Further, in the MVA type liquid crystal display device,
Since the orientation in the vicinity of the projections and slits is involved, there is also a problem that even if the applied voltage is simply increased, "alignment blur" occurs and an afterimage occurs.

【0020】したがって、本発明は、MVA型液晶表示
装置の中間調表示における応答速度を改善することを目
的とする。
Therefore, an object of the present invention is to improve the response speed in the halftone display of the MVA type liquid crystal display device.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】ここで、図1を参照して
本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図1は本発明のMVA型液晶表示装置の概略的要
部断面図である。 図1参照 (1)本発明は、互いに対向する二枚の基板1,2の間
に負の誘電率異方性を有する液晶を挟持するとともに、
両方の基板1,2の対向する表面に設けた電極11,1
2の少なくとも一方を透明電極で構成し、電圧無印加状
態において液晶分子8の長軸方向が少なくとも一方の基
板1,2の主面に対してほぼ垂直になるように配向し、
電圧印加時に、液晶分子8の長軸の配向方位が基板1,
2の主面に平行方向に倒れこむ液晶表示装置において、
垂直配向時の液晶層7のリタデーションΔn・dは、 0.24μm<Δn・d<0.42μm であり、液晶層7の厚さdは、 2.0μm<d≦3.5μm であることを特徴とする。
Here, means for solving the problems in the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is a schematic sectional view of an essential part of an MVA type liquid crystal display device of the present invention. See FIG. 1 (1) The present invention sandwiches a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between two substrates 1 and 2 facing each other,
Electrodes 11, 1 provided on opposing surfaces of both substrates 1, 2.
2 is composed of a transparent electrode, and the liquid crystal molecules 8 are oriented such that the major axis direction is substantially perpendicular to the main surface of at least one of the substrates 1 and 2 in a state where no voltage is applied,
When a voltage is applied, the orientation of the major axis of the liquid crystal molecules 8 is
In the liquid crystal display device which falls in the direction parallel to the main surface of No. 2,
The retardation Δn · d of the liquid crystal layer 7 during vertical alignment is 0.24 μm <Δnd <0.42 μm, and the thickness d of the liquid crystal layer 7 is 2.0 μm <d ≦ 3.5 μm. Features.

【0022】この様にMVA型液晶表示装置における垂
直配向時の液晶層のリタデーションΔn・dは、現状の
液晶パネル構成及び使用材料を考慮すると、ECB効果
からみて、0.24μm<Δn・d<0.42μmにす
る必要がある。因に、現在の典型的MVA型表示パネル
のΔn=0.0822、d=4.0μmであり、したが
って、Δn・d=0.3288μmであり、上記の範囲
のほぼ中間値となる。
As described above, the retardation Δn · d of the liquid crystal layer at the time of vertical alignment in the MVA liquid crystal display device is 0.24 μm <Δn · d <in view of the ECB effect in consideration of the current liquid crystal panel configuration and the materials used. It needs to be 0.42 μm. Incidentally, Δn = 0.0822 and d = 4.0 μm of the current typical MVA type display panel, and therefore Δn · d = 0.3288 μm, which is almost an intermediate value in the above range.

【0023】また、セル厚dが、3.5μmを越えると
応答速度Tonの粘性依存性が大きくなりすぎ、一方、セ
ル厚dが小さくなると応答速度Tonの粘性依存性が小さ
くなり、各種の液晶材料の使用が可能になるが、セル厚
dが小さくなりすぎると製造が困難になり、且つ、保存
安定性等の観点から使用可能な高Δnの液晶材料のΔn
の上限は0.1200程度であるので、リタデーション
Δn・dの下限0.24μmとの関係から、セル厚dの
下限は2.0μmとなる。即ち、本発明は、応答速度を
改善するためのセル厚dと粘性ηの2つのファクタの
内、セル厚dの寄与が大きいことを実験的に確認したも
のである。
Further, the cell thickness d is, too a large viscosity dependence of the response speed T on exceeding 3.5 [mu] m, whereas, the viscosity dependence of the response speed T on the cell thickness d is reduced decreases, various Can be used. However, if the cell thickness d is too small, the production becomes difficult, and the Δn of the high Δn liquid crystal material that can be used from the viewpoint of storage stability and the like can be used.
Is about 0.1200, so the lower limit of the cell thickness d is 2.0 μm from the relationship with the lower limit of retardation Δn · d of 0.24 μm. That is, the present invention has experimentally confirmed that the contribution of the cell thickness d among the two factors of the cell thickness d and the viscosity η for improving the response speed is large.

【0024】また、本発明は、上記(1)において、液
晶の屈折率異方性Δnが、 0.0900<Δn<0.1200 であることを特徴とする。即ち、現在入手可能な液晶材
料の屈折率異方性Δnは0.0700〜0.1600程
度の範囲であるが、保存安定性等を考慮すると、0.1
200以下とすることが現実的であり、また、セル厚d
の減少に伴う透過率の低下を抑制するためには現在使用
されている液晶のΔn(=0.0822)より大きくす
る必要があり、したがって、Δn>0.0900とする
ことが好適である。
Further, the present invention is characterized in that, in the above (1), the refractive index anisotropy Δn of the liquid crystal satisfies 0.0900 <Δn <0.1200. That is, the refractive index anisotropy Δn of the currently available liquid crystal material is in the range of about 0.0700 to 0.1600.
It is realistic to set it to 200 or less, and the cell thickness d
In order to suppress a decrease in transmittance due to a decrease in the value, it is necessary to make Δn (= 0.0822) larger than that of a currently used liquid crystal. Therefore, it is preferable that Δn> 0.0900.

【0025】(2)また、本発明は、上記(1)におい
て、液晶分子8の倒れこむ方向が2方向以上であり、且
つ、一対の基板1,2がクロスニコルに配置された一対
の偏光子9,10で挟持されていることを特徴とする。
(2) Further, according to the present invention, in the above (1), the liquid crystal molecules 8 fall in two or more directions, and the pair of substrates 1 and 2 are arranged in a crossed Nicols. It is characterized in that it is sandwiched between the children 9 and 10.

【0026】この様に、上記(1)の構成を液晶分子8
の倒れこむ方向が2方向以上である液晶表示装置、即
ち、MVA型液晶表示装置に適用することによって、M
VA型液晶表示装置の中間調表示における応答速度を速
くすることができる。特に、一対の偏光子9,10をク
ロスニコルにすることによって、黒表示から白表示への
立ち上がり時間、即ち、応答速度Tonを小さくすること
ができる。
As described above, the configuration of the above (1) is changed to the liquid crystal molecule 8
By applying the present invention to a liquid crystal display device having two or more falling directions, that is, an MVA type liquid crystal display device,
The response speed in the halftone display of the VA liquid crystal display device can be increased. In particular, a pair of polarizers 9 and 10 by a cross nicol state, the rise time of the white display, i.e., it is possible to reduce the response speed T on.

【0027】(3)また、本発明は、上記(2)におい
て、液晶分子8を2方向以上に倒れこませるための手段
が、少なくとも一方の基板1,2に形成された突起6或
いは電極11のスリット部5であり、且つ、突起6或い
は電極11のスリット部5間の間隙部分が25μm以下
であることを特徴とする。
(3) According to the present invention, in the above (2), the means for causing the liquid crystal molecules 8 to fall down in two or more directions includes a projection 6 or an electrode 11 formed on at least one of the substrates 1 and 2. And the gap between the protrusions 6 or the slits 5 of the electrode 11 is 25 μm or less.

【0028】この様に、MVA型液晶表示装置を構成す
るためには、少なくとも一方の基板1,2に突起6或い
は電極11のスリット部5を形成する必要があるが、こ
の突起6或いは電極11のスリット部5間の間隙部分が
25μm以下にすることによって、セル厚dを小さくす
ることによる中間調表示の応答速度の改善効果を効果的
に発揮することができる。因に、突起6或いは電極11
のスリット部5間の間隙部分が30μm以上の場合に
は、中間調表示の応答速度の改善効果が得られない。
As described above, in order to constitute the MVA type liquid crystal display device, it is necessary to form the projection 6 or the slit portion 5 of the electrode 11 on at least one of the substrates 1 and 2. By setting the gap between the slit portions 5 to 25 μm or less, the effect of improving the response speed of halftone display by reducing the cell thickness d can be effectively exhibited. Note that the protrusion 6 or the electrode 11
When the gap between the slit portions 5 is 30 μm or more, the effect of improving the response speed of halftone display cannot be obtained.

【0029】また、本発明は、上記(1)乃至(3)の
いずれかにおいて、一方の基板1,2がカラーフィルタ
基板であり、赤、緑、青の画素における突起6またはス
リット部5の間隙wを各画素毎に設定することを特徴と
する。
Further, according to the present invention, in any one of the above (1) to (3), one of the substrates 1 and 2 is a color filter substrate, and the projections 6 or the slits 5 of the red, green and blue pixels are formed. The gap w is set for each pixel.

【0030】一般に、屈折率異方性Δnには波長依存性
があり、波長が短くなるほどΔnが大きく、屈折率異方
性Δnが大きな液晶では、波長の短い青(B)の場合、
透過率(T)−印加電圧(V)特性において、比較的低
電圧で極大値が現れ、完全白表示の5.4V程度の印加
電圧においては緑(G)及び赤(R)に比べて相対的強
度が低くなるので、表示が黄色みを帯び、色度が低下す
るということが起こりうる。したがって、間隙wをwB
<wG <wR の関係に設定することによって、青(B)
の飽和・減衰を補償して色度の低下を抑制することがで
きる。
In general, the refractive index anisotropy Δn has wavelength dependence. As the wavelength becomes shorter, Δn becomes larger, and in a liquid crystal having a larger refractive index anisotropy Δn, in the case of blue (B) having a shorter wavelength,
In the transmittance (T) -applied voltage (V) characteristic, a maximum value appears at a relatively low voltage, and at an applied voltage of about 5.4 V for complete white display, the relative value is higher than that of green (G) and red (R). Since the target strength is reduced, the display may be yellowish and the chromaticity may be reduced. Therefore, the gap w is set to w B
By setting the relation of <w G <w R , blue (B)
Chromaticity can be suppressed by compensating for the saturation and attenuation of the chromaticity.

【0031】また、本発明は、上記(1)乃至(3)の
いずれかにおいて、一方の基板1,2がカラーフィルタ
基板1,2であり、赤、緑、青の画素におけるセル厚d
を各画素毎に設定することを特徴とする。
Further, according to the present invention, in any one of the above (1) to (3), one of the substrates 1 and 2 is a color filter substrate 1 or 2 and has a cell thickness d in red, green and blue pixels.
Is set for each pixel.

【0032】セル厚dをdB <dG <dR の関係に設定
することによって、青(B)の飽和・減衰をなくすこと
ができ、それによって、色度の低下を抑制することがで
きる。なお、セル厚dをdB <dG <dR の関係に設定
するためには、カラーフィルタの膜厚tをtB >tG
R の関係に設定すれば良い。
By setting the cell thickness d to satisfy the relationship of d B <d G <d R , saturation and attenuation of blue (B) can be eliminated, thereby suppressing a decrease in chromaticity. . In order to set the cell thickness d in a relationship of d B <d G <d R , the thickness t of the color filter is set to t B > t G >
It may be set in the relationship of t R.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】ここで、図1乃至図9を参照して
本発明の第1の実施の形態のMVA型液晶表示装置を説
明する。なお、図においては、TFT等のアクティブ素
子及びカラーフィルタ等の図示を省略している。 再び、図1参照 図1は、本発明の実施の形態のMVA型液晶表示装置の
概略的要部断面図であり、図に示すように、TFT基板
となるガラスからなる基板1上に画素電極となるITO
からなる電極11を設け、一方、TFT基板と対向する
CF基板となるガラスからなる基板2上には、共通電極
となるITOからなる電極12を設ける。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Here, an MVA type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the drawings, illustration of active elements such as TFTs, color filters, and the like is omitted. Referring again to FIG. 1, FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an essential part of an MVA type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a pixel electrode is formed on a glass substrate 1 serving as a TFT substrate. ITO to become
On the other hand, an electrode 12 made of ITO as a common electrode is provided on the substrate 2 made of glass as a CF substrate facing the TFT substrate.

【0034】この場合、電極11には幅w3 が、例え
ば、10μmのスリット部5を設けたのち、電極11を
覆うように垂直配向膜3(JALS−684:JSR製
商品名)を設け、一方、電極12上には感光性樹脂(例
えば、レジスト等)からなる、例えば、幅w1 が10μ
mで、高さが1.3〜1.6μmの突起6を相互の間
隔、即ち、間隙w2 が25μm以下、例えば、25μm
になり、且つ、スリット部5と投影的に重ならないよう
に設けたのち、全面に垂直配向膜4(JALS−68
4:JSR製商品名)を設ける。
In this case, the electrode 11 is provided with a slit portion 5 having a width w 3 of, for example, 10 μm, and then a vertical alignment film 3 (JALS-684: trade name, manufactured by JSR) is provided so as to cover the electrode 11. on the other hand, a photosensitive resin is formed on the electrode 12 (e.g., a resist or the like), for example, the width w 1 10 [mu]
In m, height mutual spacing projections 6 of 1.3~1.6Myuemu, i.e., the gap w 2 are 25 [mu] m or less, for example, 25 [mu] m
And a vertical alignment film 4 (JALS-68) is provided on the entire surface after being provided so as not to overlap with the slit portion 5 in a projected manner.
4: JSR product name).

【0035】次いで、直径Dの樹脂ビーズからなるスペ
ーサ13を散布し、熱硬化シール材を用いて貼り合わせ
ることによって、セル厚がdの空セルを形成する。な
お、この場合のスペーサ13の直径Dとしては、3.0
μm、3.5μm、4.0μm、及び、4.5μmを用
い、4タイプの空セルを作製した。
Then, spacers 13 made of resin beads having a diameter D are scattered and bonded using a thermosetting sealing material to form empty cells having a cell thickness of d. The diameter D of the spacer 13 in this case is 3.0
Using μm, 3.5 μm, 4.0 μm, and 4.5 μm, four types of empty cells were produced.

【0036】次いで、この空セルに負の誘電率異方性を
有する液晶を注入したのち、封止し、次いで、偏光子1
1,12をクロスニコルの状態に貼り合わせてMVA型
液晶表示装置を構成した。なお、この場合のセル厚dは
オーク製作所製のセル厚測定装置により求めたものであ
り、d≒Dであった。
Next, a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is injected into the empty cell, which is then sealed.
The MVA liquid crystal display device was constructed by laminating 1 and 12 in a crossed Nicols state. Note that the cell thickness d in this case was obtained by a cell thickness measuring device manufactured by Oak Manufacturing Co., and d ≒ D.

【0037】この場合の液晶としては、下記の表1に示
す特性を有する液晶A〜液晶Dの4種類の液晶を用いた
が、液晶Dは従来のMVA型液晶表示装置に用いている
MJ961213(メルクジャパン製商品名)である。
As the liquid crystal in this case, four types of liquid crystal A to liquid crystal D having the characteristics shown in Table 1 below were used, and the liquid crystal D was MJ9621313 (used in a conventional MVA type liquid crystal display device). (Merck Japan's trade name).

【表1】 [Table 1]

【0038】この場合、液晶分子8は、図18に示した
従来例と同様に、垂直配向膜3,4の規制を受けて基板
1及び基板2に対して垂直に配向することになるが、突
起6の近傍の液晶分子8は、突起6の形状に依存した配
向状態を示すことになり、突起6の表面を覆う垂直配向
膜4の法線方向に揃うように液晶分子8は傾斜すること
になる。
In this case, the liquid crystal molecules 8 are vertically aligned with respect to the substrates 1 and 2 under the control of the vertical alignment films 3 and 4, as in the conventional example shown in FIG. The liquid crystal molecules 8 in the vicinity of the projections 6 exhibit an alignment state depending on the shape of the projections 6, and the liquid crystal molecules 8 are inclined so as to be aligned with the normal direction of the vertical alignment film 4 covering the surface of the projections 6. become.

【0039】図2参照 図2は、セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装置
のT−V特性図であり、一番Δnの大きなΔn=0.1
003の液晶Aにおいて、5V近傍においてピークが現
れ、それ以上で透過率は徐々に減少する傾向が見られ
る。
FIG. 2 is a TV characteristic diagram of an MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.5 μm, where Δn = 0.1, which is the largest Δn.
In the liquid crystal A of 003, a peak appears near 5 V, and above this, the transmittance tends to decrease gradually.

【0040】図3参照 図3は、セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装置
のT−V特性図であり、一般にΔnの大きなほど透過率
が大きくなる傾向が見られ、極大点は現れないものの、
図2の場合に比べてセル厚dの減少とともに、透過率の
絶対値が減少していることが理解される。
FIG. 3 is a TV characteristic diagram of an MVA liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.0 μm. In general, the transmittance tends to increase as Δn increases. Although not appearing,
It is understood that the absolute value of the transmittance decreases as the cell thickness d decreases as compared with the case of FIG.

【0041】図4参照 図4は、セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装置
の応答速度Ton−透過率変化の粘性依存性の説明図であ
り、回転粘性γ1 が大きいほど応答速度Tonが遅いこと
が理解される。なお、この場合の透過率変化は、5.4
Vにおける透過率を100%として規格化したものであ
る。
[0041] See Figure 4. Figure 4, the response speed T on the cell thickness d is 4.5μm in MVA type liquid crystal display device - is an illustration of the viscosity dependence of transmittance change, the response the larger rotational viscosity gamma 1 It is understood that the speed Ton is slow. The change in transmittance in this case is 5.4.
The transmittance is normalized by setting the transmittance at V to 100%.

【0042】図5参照 図5は、セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装置
の応答速度Ton−透過率変化の粘性依存性の説明図であ
り、透過率変化の小さな中間調領域ではγ1 が大きいほ
ど応答速度Tonが遅い傾向が見られ、透過率変化の大き
な領域ではγ1が大きいほど応答速度Tonが速くなる
が、全体的にはセル厚dが小さくなることにより、応答
速度Tonの粘性依存性が見られなくなった。
FIG. 5 is an explanatory diagram of the response speed T on of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.0 μm and the viscosity dependency of the transmittance change, and shows a halftone region where the transmittance change is small. in gamma 1 is seen as the response speed T on is slow trend fairly high, as the response speed T on a large gamma 1 is a large area of the transmittance change is increased, by the cell thickness d is smaller as a whole , viscosity dependence of the response speed T on is no longer seen.

【0043】したがって、図4と図5との比較からは、
MVA型液晶表示装置における中間調の応答速度T
on(LV)は液晶粘性(γ1 )よりセル厚dの依存性が高い
ことが理解され、したがって、セル厚dを小さくした場
合には、回転粘性γ1 の大きな液晶を用いても、中間調
の応答速度Ton(LV)は大きく改善されることになり、回
転粘性γ1 の大きな液晶は前述のように、一般には、Δ
nも大きいので、セル厚dの低下に伴う透過率の減少を
補うことが可能になる。
Therefore, from the comparison between FIG. 4 and FIG.
Response speed T of halftone in MVA type liquid crystal display device
It is understood that on (LV) is more dependent on the cell thickness d than on the liquid crystal viscosity (γ 1 ). Therefore, when the cell thickness d is reduced, even if a liquid crystal with a large rotational viscosity γ 1 is used, response speed T on (LV) of the tone will be greatly improved, a large liquid crystal rotational viscosity gamma 1, as described above, generally, delta
Since n is also large, it is possible to compensate for a decrease in transmittance due to a decrease in cell thickness d.

【0044】この様なセル厚dの低減による中間調の応
答速度Ton(LV)の改善効果は粘性の大きな液晶ほど大き
く、例えば、回転粘性γ1 が282mPa・s(ミリパ
スカル・秒)の液晶Aにおいては、約1/2(透過率変
化50%)〜1/3強(透過率変化25%)まで高速化
することができ、回転粘性γ1 が72mPa・sで一番
小さな液晶Cにおいても、約4/5(透過率変化50
%)〜1/2強(透過率変化25%)まで高速化するこ
とができる。
The effect of improving the halftone response speed Ton (LV) by reducing the cell thickness d is greater for liquid crystals having a higher viscosity. For example, when the rotational viscosity γ 1 is 282 mPa · s (millipascal · second), In the liquid crystal A, the speed can be increased from about ((transmittance change 50%) to slightly more than 1 / (transmittance change 25%), and the rotational viscosity γ 1 is 72 mPa · s, which is the smallest liquid crystal C. About 4/5 (transmissivity change 50
%) To slightly more than half (a change in transmittance of 25%).

【0045】したがって、Δn=0.1003の液晶A
を用いたセル厚d=3.0μmのMVA型液晶表示装置
は、Δn=0.0822の従来の液晶Dを用いたセル厚
d=4.5μmのMVA型液晶表示装置より中間調の応
答速度Ton(LV)を速くすることができる。
Therefore, the liquid crystal A of Δn = 0.003
The MVA liquid crystal display device having a cell thickness d = 3.0 μm using a liquid crystal display device has a halftone response speed compared to the MVA liquid crystal display device having a cell thickness d = 4.5 μm using a conventional liquid crystal D having Δn = 0.0822. Ton (LV) can be made faster.

【0046】なお、Δn=0.0821でγ1 =72m
Pa・sの液晶Cが最も応答速度T onが良好であるが、
寿命、保存安定性の点で製品化への問題点も残ってお
り、例えば、安定して保存できる温度範囲は、透明点N
IがNI=50℃であることからもわかるように、例え
ば、0〜60℃程度にすぎないので使用環境が限定され
量産に向かないことが確認された。
Note that when Δn = 0.0821, γ1= 72m
The liquid crystal C of Pa · s has the highest response speed T onIs good, but
There are still problems with commercialization in terms of longevity and storage stability.
For example, the temperature range that can be stored stably is the clear point N
As can be seen from the fact that I is NI = 50 ° C.,
If it is only about 0-60 ° C, the usage environment is limited.
It was confirmed that it was not suitable for mass production.

【0047】図6参照 図6は、セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装置
の応答速度Toff −透過率変化の粘性依存性の説明図で
あり、この場合も、回転粘性γ1 が大きいほど応答速度
off が遅いことが理解される。なお、この場合の透過
率変化も、5.4Vにおける透過率を100%として規
格化したものである。
[0047] Figure 6 Referring to FIG. 6, the response speed T off of the cell thickness d is 4.5μm in MVA type liquid crystal display device - is an illustration of the viscosity dependence of transmittance change, also in this case, rotational viscosity gamma 1 It is understood that the response speed Toff is slower as is larger. The transmittance change in this case is also normalized by setting the transmittance at 5.4 V to 100%.

【0048】図7参照 図7は、セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装置
の応答速度Toff −透過率変化の粘性依存性の説明図で
あり、この場合も、回転粘性γ1 が大きいほど応答速度
off が遅いことが理解される。
[0048] Figure 7 Referring to FIG. 7, the response speed T off of the cell thickness d is 3.0μm in MVA type liquid crystal display device - is an illustration of the viscosity dependence of transmittance change, also in this case, rotational viscosity gamma 1 It is understood that the response speed Toff is slower as is larger.

【0049】したがって、図6と図7との比較からは、
MVA型液晶表示装置における応答速度Toff −透過率
変化は、セル厚dが小さくなることにより、応答速度T
offの粘性依存性が小さくなることが理解される。ま
た、応答速度Toff は、応答速度Tonに比べて1/4程
度であるので、問題はないものの、粘度依存性がより小
さくなるので、応答速度Toff の観点からも高Δnの液
晶用いることに何の支障もないことが理解される。
Therefore, from the comparison between FIG. 6 and FIG.
The response speed T off in the MVA type liquid crystal display device—the change in the transmittance is due to the reduction in the cell thickness d, the response speed T off
It is understood that the viscosity dependence of off becomes smaller. The response speed T off is about 4 of the response speed T on , so there is no problem. However, since the viscosity dependency is reduced, a liquid crystal having a high Δn is used from the viewpoint of the response speed T off. It is understood that there is no particular problem.

【0050】図8参照 図8は、応答速度Ton(25%) −回転粘度γ1 特性のセル
厚d依存性の説明図であり、上記においては説明しなか
ったd=3.5μm及びd=4.0μmのMVA型液晶
表示装置の特性も合わせて示している。図から明らかな
ように、セル厚dが小さいほど、透過率が0%から25
%になるまでの低階調表示における応答速度Ton(25%)
の回転粘性γ1 依存性が低下することが理解され、この
点からも低〜中間調における応答速度Tonの改善にはセ
ル厚dの減少が効果があることが理解される。
FIG. 8 is an explanatory diagram of the dependence of the response speed T on (25%) -rotational viscosity γ 1 characteristic on the cell thickness d, and d = 3.5 μm and d not explained above. Also, the characteristics of the MVA type liquid crystal display device of = 4.0 μm are shown. As is clear from the figure, as the cell thickness d decreases, the transmittance increases from 0% to 25%.
% Response speed Ton (25%) in low gradation display
Be understood that the rotational viscosity gamma 1-dependent decreases, decreasing the cell thickness d that is understood to be effective for improving the response speed T on even in the low-halftone from this point.

【0051】図9参照 図9は、図8に示した応答速度Ton(25%) −回転粘度γ
1 特性のセル厚d依存性を別の観点から、セル厚d−応
答速度Ton(25%) 特性の回転粘性γ1 依存性として見た
ものである。図から明らかなように、セル厚dが小さい
ほど、透過率が0%から25%になるまでの低階調表示
における応答速度Ton(25%) の回転粘性γ1 依存性が低
下することが理解される。
FIG. 9 shows the response speed Ton (25%) -rotational viscosity γ shown in FIG.
The cell thickness d dependence of one characteristic is viewed from another viewpoint as the rotational viscosity γ 1 dependence of the cell thickness d-response speed Ton (25%) characteristic. As is apparent from the figure, the smaller the cell thickness d, the lower the rotational viscosity γ 1 dependence of the response speed T on (25%) in the low gradation display from 0% to 25% in transmittance. Is understood.

【0052】以上を総合的に判断すると、セル厚dとし
ては3.5μm以下とすることが望ましい。一方、上限
としては、製造容易性が一つのファクタになるととも
に、現在の現実的なΔnの上限は0.12程度と考えら
れるので、現在の液晶表示装置におけるリタデーション
Δn・dの最適範囲と考えられている0.24μm<Δ
n・d<0.42μmの下限である0.24μmを考慮
すると2.0μm(=0.24μm/0.12)とな
る。
Judging comprehensively from the above, it is desirable that the cell thickness d be 3.5 μm or less. On the other hand, as the upper limit, the manufacturability is one factor, and the current realistic upper limit of Δn is considered to be about 0.12. Therefore, the upper limit is considered to be the optimum range of the retardation Δn · d in the current liquid crystal display device. 0.24 μm <Δ
Considering the lower limit of 0.24 μm for n · d <0.42 μm, the value is 2.0 μm (= 0.24 μm / 0.12).

【0053】したがって、MVA型液晶表示装置の応答
速度を改善するためには、セル厚dとしては、 2.0μm<d≦3.5μm とすることが望ましい。
Therefore, in order to improve the response speed of the MVA type liquid crystal display device, it is desirable that the cell thickness d is 2.0 μm <d ≦ 3.5 μm.

【0054】また、上述のように、セル厚dが小さくな
ると透過率が低下するので、この透過率の低下を補償す
るするためには従来の液晶D(Δn=0.0822)よ
りΔnが大きな液晶を用いることが望ましく、この様な
観点からは、屈折率異方性Δnとしては、 0.0900<Δn<0.1200 の範囲が望ましいことになる。
As described above, since the transmittance decreases as the cell thickness d decreases, Δn is larger than that of the conventional liquid crystal D (Δn = 0.0822) in order to compensate for the reduction in the transmittance. It is desirable to use liquid crystal, and from such a viewpoint, the refractive index anisotropy Δn is desirably in the range of 0.0900 <Δn <0.1200.

【0055】次に、図10乃至図17を参照して、突起
間或いはスリット部間の間隙w2 に特徴のある本発明の
第2の実施の形態を説明する。この場合のMVA型液晶
表示装置の構造は実質的に図1に示したMVA型液晶表
示装置と同様であり、但し、間隙w2 として、w2 =1
0μm、20μm、30μmの3タイプをセルを用意し
た。なお、液晶としては、液晶Dを用いている。
Next, with reference to FIGS. 10 to 17, a description will be given of a second embodiment of the present invention that the gap w 2 between the projections or between the slit portion of features. The structure of the MVA-type liquid crystal display device in this case is similar to the MVA liquid crystal display device shown in substantially 1, provided that the gap w 2, w 2 = 1
Three types of cells of 0 μm, 20 μm, and 30 μm were prepared. Note that a liquid crystal D is used as the liquid crystal.

【0056】図10参照 図10は、セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装
置の応答速度Ton−透過率変化特性の間隙w2 依存性の
説明図であり、w2 ≦20μm以下においては、応答速
度Tonは透過率変化の増大とともに小さくなるが、w2
=30μmの場合には応答速度Tonが劣化する。
FIG. 10 is an explanatory diagram of the dependence of the response speed T on -transmissivity change characteristic on the gap w 2 of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.0 μm, where w 2 ≦ 20 μm or less. in, the response speed T on is smaller with increasing transmittance change, w 2
= 30 μm, the response speed Ton deteriorates.

【0057】図11参照 図11は、セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装
置の応答速度Toff −透過率変化特性の間隙w2 依存性
の説明図であり、いずれの場合の応答速度Tonは透過率
変化の増大とともに劣化するが、変化自体は小さく、且
つ、間隙w2 依存性も小さいことが理解される。
FIG. 11 is an explanatory diagram of the dependence of the response speed T off -transmissivity change characteristic on the gap w 2 of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.0 μm. Although the rate T on degrades with increasing transmission change, change itself is small, and it is understood the gap w 2 dependent also small.

【0058】図12参照 図12は、セル厚dが3.5μmのMVA型液晶表示装
置の応答速度Ton−透過率変化特性の間隙w2 依存性の
説明図であり、w2 ≦20μm以下においては、応答速
度Tonは透過率変化の増大とともに小さくなるが、w2
=30μmの場合には透過率変化が50%以上で応答速
度Tonが大幅に劣化する。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing the dependence of the response speed T on -transmissivity change characteristic on the gap w 2 of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.5 μm, where w 2 ≦ 20 μm or less. in, the response speed T on is smaller with increasing transmittance change, w 2
In the case of = 30 μm, the response speed Ton is greatly deteriorated when the transmittance change is 50% or more.

【0059】図13参照 図13は、セル厚dが3.5μmのMVA型液晶表示装
置の応答速度Toff −透過率変化特性の間隙w2 依存性
の説明図であり、いずれの場合の応答速度Tof f は透過
率変化の増大とともに劣化するが、変化自体は小さく、
且つ、間隙w2依存性も小さいことが理解される。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing the dependence of the response speed T off -transmittance change characteristic on the gap w 2 of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.5 μm. speed T of f deteriorates with increasing transmission change, but change itself is small,
It is also understood that the gap w 2 dependence is small.

【0060】図14参照 図14は、セル厚dが4.0μmのMVA型液晶表示装
置の応答速度Ton−透過率変化特性の間隙w2 依存性の
説明図であり、w2 ≦20μm以下においては、応答速
度Tonは透過率変化の増大とともに小さくなるが、w2
=30μmの場合には透過率変化が75%以上で応答速
度Tonが大幅に劣化する。
FIG. 14 is an explanatory view of the dependence of the response speed T on -transmissivity change characteristic on the gap w 2 of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.0 μm, where w 2 ≦ 20 μm or less. in, the response speed T on is smaller with increasing transmittance change, w 2
In the case of = 30 μm, the response speed Ton is greatly deteriorated when the change in transmittance is 75% or more.

【0061】図15参照 図15は、セル厚dが4.0μmのMVA型液晶表示装
置の応答速度Toff −透過率変化特性の間隙w2 依存性
の説明図であり、いずれの場合の応答速度Tof f は透過
率変化の増大とともに劣化するが、変化自体は小さく、
且つ、間隙w2依存性も小さいことが理解される。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing the dependence of the response speed T off -transmittance change characteristic on the gap w 2 of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.0 μm. speed T of f deteriorates with increasing transmission change, but change itself is small,
It is also understood that the gap w 2 dependence is small.

【0062】図16参照 図16は、セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装
置の応答速度Ton−透過率変化特性の間隙w2 依存性の
説明図であり、w2 ≦20μm以下においては、応答速
度Tonは透過率変化の増大とともに小さくなるが、w2
=30μmの場合には透過率変化が75%以上で応答速
度Tonが大幅に劣化する。但し、応答速度Tonの絶対値
は、いずれの場合もd=3.0μmの液晶表示装置より
大幅に大きくなっている。
FIG. 16 is an explanatory diagram of the dependence of the response speed T on -transmissivity change characteristic on the gap w 2 of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.5 μm, and w 2 ≦ 20 μm or less. in, the response speed T on is smaller with increasing transmittance change, w 2
In the case of = 30 μm, the response speed Ton is greatly deteriorated when the change in transmittance is 75% or more. However, the absolute value of the response speed T on is made considerably larger than even d = 3.0 [mu] m liquid crystal display device of the cases.

【0063】図17参照 図17は、セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装
置の応答速度Toff −透過率変化特性の間隙w2 依存性
の説明図であり、いずれの場合の応答速度Tof f は透過
率変化の増大とともに劣化するが、変化自体は小さく、
且つ、間隙w2依存性も小さいことが理解される。但
し、応答速度Toff の絶対値は、いずれの場合もd=
3.0μmの液晶表示装置より2倍程度に大きくなって
いる。
FIG. 17 is an explanatory diagram showing the dependence of the response speed T off -transmittance change characteristic on the gap w 2 of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.5 μm. speed T of f deteriorates with increasing transmission change, but change itself is small,
It is also understood that the gap w 2 dependence is small. However, the absolute value of the response speed T off is d =
It is about twice as large as that of a 3.0 μm liquid crystal display device.

【0064】以上の図10乃至図17を総合的に判断す
るならば、応答速度Ton及び応答速度Toff の間隙w2
依存性は、セル厚dが大きくなると依存性が小さくなる
ので、この点からも間隙w2 によって応答速度Ton及び
応答速度Toff 、特に、応答速度Tonを改善するために
は、セル厚dとしては、3.5μm以下にすることが望
ましい。
If the above-described FIGS. 10 to 17 are comprehensively determined, the gap w 2 between the response speed Ton and the response speed Toff can be determined.
Dependence, since the dependent cell thickness d is increased is reduced, velocity response by a gap w 2 from this point T on and the response speed T off, in particular, to improve the response speed T on the cell thickness It is desirable that d be 3.5 μm or less.

【0065】また、d≦3.5μmの表示セルにおい
て、間隙w2 により応答速度Tonの改善効果を得るため
には、間隙w2 を効果の得られる20μmと効果の得ら
れなかった30μmを考慮すると、25μm以下にする
ことが望ましいことが理解される。なお、応答速度Ton
−透過率変化特性において、極小値が現れるのは、液晶
材料に依存するものではなく、MVA型液晶表示装置に
おける電界応答の本質、即ち、液晶分子が極角方向に配
向してから、方位角方向に配向することによって全体の
配向が完了するという本質によるものである。
[0065] In the display cells of d ≦ 3.5 [mu] m, in order to obtain the effect of improving the response speed T on the gap w 2 is a 30μm which could not be obtained with 20μm and effect obtained a gap w 2 effective Considering this, it is understood that the thickness is desirably 25 μm or less. The response speed Ton
In the transmittance change characteristic, the local minimum value does not depend on the liquid crystal material, but the nature of the electric field response in the MVA type liquid crystal display device, that is, the azimuth angle after the liquid crystal molecules are oriented in the polar angle direction. This is due to the essence that the whole orientation is completed by orienting in the direction.

【0066】次に、カラー表示における色度の劣化を抑
制するための各画素の構成に特徴のある本発明の第3の
実施の形態を説明するが、基本的技術思想は上記の第1
の実施の形態或いは第2の実施の形態と同様であるので
図示は省略する。即ち、上述のように、一般に、屈折率
異方性Δnには波長依存性があり、波長が短くなるほど
Δnが大きい。したがって、屈折率異方性Δnの大きな
液晶を用いてMVA型液晶セルを作製すると、波長の短
い青(B)の場合、透過率(T)−印加電圧(V)特性
において、比較的低電圧で極大値が現れ、完全白表示の
5V.4程度の印加電圧においては緑(G)及び赤
(R)に比べて相対的強度が低くなるので、表示が黄色
みを帯び、色度が低下するということが起こりうる。
Next, a description will be given of a third embodiment of the present invention which is characterized by the configuration of each pixel for suppressing the deterioration of chromaticity in color display. The basic technical concept is as described in the first embodiment.
The illustration is omitted because it is similar to the second embodiment or the second embodiment. That is, as described above, generally, the refractive index anisotropy Δn has wavelength dependence, and the shorter the wavelength, the larger Δn. Therefore, when a MVA type liquid crystal cell is manufactured using a liquid crystal having a large refractive index anisotropy Δn, in the case of blue (B) having a short wavelength, the transmittance (T) -applied voltage (V) characteristic is relatively low. , A maximum value appears, and 5V. At an applied voltage of about 4, the relative intensity is lower than that of green (G) and red (R), so that the display may be yellowish and the chromaticity may be reduced.

【0067】この場合、カラー表示における1ドットを
構成する赤、緑、青の各画素における突起或いはスリッ
ト同士の間隔、即ち、間隙w2 をwB <wG <wR の関
係に設定することによって、青(B)の飽和・減衰を補
償して色度の低下を抑制することができる。
In this case, the interval between the projections or slits in each of the red, green, and blue pixels constituting one dot in the color display, that is, the gap w 2 , is set to have a relationship of w B <w G <w R. Thereby, saturation and attenuation of blue (B) can be compensated, and a decrease in chromaticity can be suppressed.

【0068】即ち、間隙w2 が狭い場合、上記の第2の
実施の形態から明らかなように、応答速度が速くなるの
で、従来、5.4Vで完全な白表示を得ているが、完全
な白表示を5.4Vより低い電圧に設定すると、完全な
白表示においては青(B)の画素において極大値に達し
ていないので、B−G−Rのバランスが崩れず、黄色み
を帯びない白表示が得られる。
That is, when the gap w 2 is narrow, the response speed is increased as is apparent from the second embodiment. Thus, a perfect white display is conventionally obtained at 5.4 V. When the white display is set to a voltage lower than 5.4 V, the blue (B) pixel does not reach the maximum value in the complete white display, so that the balance of BGR is not disturbed and the image is yellowish. No white display is obtained.

【0069】或いは、赤、緑、青の各画素におけるセル
厚dをカラーフィルタの膜厚tをt B >tG >tR の関
係に設定することによって、dB <dG <dR の関係に
設定することによっても色度の低下を抑制することがで
きる。
Alternatively, a cell in each pixel of red, green, and blue
The thickness d is set to the thickness t of the color filter. B> TG> TRNoseki
By setting theB<DG<DRIn the relationship
By setting, it is possible to suppress the decrease in chromaticity.
Wear.

【0070】即ち、セル厚dが小さい場合、上記の第1
の実施の形態から明らかなように、応答速度が速くなる
ので、完全な白表示を5.4Vより低い電圧に設定する
と、完全な白表示においては青(B)の画素において極
大値に達していないので、B−G−Rのバランスが崩れ
ず、黄色みを帯びない白表示が得られる。
That is, when the cell thickness d is small, the first
As is clear from the embodiment, since the response speed becomes faster, when the perfect white display is set to a voltage lower than 5.4 V, the maximum value is reached in the blue (B) pixel in the complete white display. Since there is no white balance, the B-G-R balance is not lost and a white display that does not have a yellow tint is obtained.

【0071】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、上記の各実施の形態においてはマルチドメインを構
成するために、TFT基板側にスリット部を設け、CF
基板側に突起を設けているが、反対に、TFT基板側に
突起を設け、CF基板側にスリット部を設けても良いも
のである。また、両方を突起として或いは両方をスリッ
ト部をしても同様の効果が得られるものである。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the configurations and conditions described in the embodiments, and various changes can be made. For example, in each of the above embodiments, in order to configure a multi-domain, a slit portion is provided on the TFT substrate side and CF is provided.
Although the projection is provided on the substrate side, conversely, a projection may be provided on the TFT substrate side, and a slit portion may be provided on the CF substrate side. The same effect can be obtained even if both are formed as projections or both are formed as slits.

【0072】[0072]

【発明の効果】本発明によれば、セル厚dを小さくした
場合に、応答速度Tonの粘性依存性が小さくなることが
確認されたので、応答速度Tonを改善するためにセル厚
dを小さくした場合、粘性が大きく屈折率異方性Δnの
大きな液晶を用いても問題がないので、Δnの大きな液
晶を用いてセル厚dの低下による透過率の低下を補償す
ることができ、それによって、高品位で広視野角のMV
A型液晶表示装置の高速化が可能になり、中間調表示に
おける残像や表示ボケのない高表示品位のMVA型液晶
表示装置の実用化に寄与するところが大きい。
According to the present invention, it has been confirmed that when the cell thickness d is reduced, the viscosity dependency of the response speed T on is reduced. Therefore, in order to improve the response speed T on , the cell thickness d is improved. In the case where is small, there is no problem even if a liquid crystal having a large viscosity and a large refractive index anisotropy Δn is used. As a result, MV with high quality and wide viewing angle
It is possible to increase the speed of the A-type liquid crystal display device and greatly contribute to the practical use of a high-quality MVA type liquid crystal display device having no afterimage or display blur in halftone display.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態のMVA型液晶表示装置の
概略的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of an MVA liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装置
のT−V特性図である。
FIG. 2 is a TV characteristic diagram of an MVA liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.5 μm.

【図3】セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装置
のT−V特性図である。
FIG. 3 is a TV characteristic diagram of an MVA liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.0 μm.

【図4】セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装置
の応答特性Ton−透過率変化の粘性依存性の説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory diagram of the response characteristic T on of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.5 μm and the viscosity dependence of the transmittance change.

【図5】セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装置
の応答特性Ton−透過率変化の粘性依存性の説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a response characteristic T on of a MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.0 μm and a viscosity dependency of a transmittance change.

【図6】セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装置
の応答特性Toff −透過率変化の粘性依存性の説明図で
ある。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a response characteristic T off of a MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.5 μm-viscosity dependence of transmittance change.

【図7】セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装置
の応答特性Toff −透過率変化の粘性依存性の説明図で
ある。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a response characteristic T off of a MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.0 μm-viscosity dependence of transmittance change.

【図8】応答速度−回転粘性γ1 特性のセル厚d依存性
の説明図である。
[8] the response speed - is an illustration of a cell thickness d dependence of rotational viscosity gamma 1 properties.

【図9】応答速度−セル厚d特性の回転粘性依存性の説
明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of the rotational viscosity dependence of the response speed-cell thickness d characteristic.

【図10】セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装
置の応答特性Ton−透過率変化特性の間隙w2 依存性の
説明図である。
[10] response T on the cell thickness d is 3.0μm in MVA type liquid crystal display device - is an explanatory view of the gap w 2 dependence of the transmittance change characteristic.

【図11】セル厚dが3.0μmのMVA型液晶表示装
置の応答特性Toff −透過率変化特性の間隙w2 依存性
の説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram of the dependence of the response characteristic T off -transmittance change characteristic on the gap w 2 of the MVA liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.0 μm.

【図12】セル厚dが3.5μmのMVA型液晶表示装
置の応答特性Ton−透過率変化特性の間隙w2 依存性の
説明図である。
[12] response T on the cell thickness d is 3.5μm in MVA type liquid crystal display device - is an explanatory view of the gap w 2 dependence of the transmittance change characteristic.

【図13】セル厚dが3.5μmのMVA型液晶表示装
置の応答特性Toff −透過率変化特性の間隙w2 依存性
の説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing the dependence of the response characteristic T off -transmittance change characteristic on the gap w 2 of the MVA liquid crystal display device having a cell thickness d of 3.5 μm.

【図14】セル厚dが4.0μmのMVA型液晶表示装
置の応答特性Ton−透過率変化特性の間隙w2 依存性の
説明図である。
[14] the cell thickness d is response T on the MVA type liquid crystal display device of 4.0 .mu.m - is an explanatory view of the gap w 2 dependence of the transmittance change characteristic.

【図15】セル厚dが4.0μmのMVA型液晶表示装
置の応答特性Toff −透過率変化特性の間隙w2 依存性
の説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram of the dependence of the response characteristic T off -transmittance change characteristic on the gap w 2 of the MVA liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.0 μm.

【図16】セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装
置の応答特性Ton−透過率変化特性の間隙w2 依存性の
説明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram of the gap w 2 dependence of the response characteristic T on -transmittance change characteristic of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.5 μm.

【図17】セル厚dが4.5μmのMVA型液晶表示装
置の応答特性Toff −透過率変化特性の間隙w2 依存性
の説明図である。
FIG. 17 is an explanatory diagram showing the dependence of the response characteristic T off -transmittance change characteristic on the gap w 2 of the MVA type liquid crystal display device having a cell thickness d of 4.5 μm.

【図18】従来のMVA型液晶表示装置の説明図であ
る。
FIG. 18 is an explanatory diagram of a conventional MVA liquid crystal display device.

【図19】従来のMVA型液晶表示装置の応答速度Ton
の印加電圧依存性の説明図である。
FIG. 19 shows the response speed T on of a conventional MVA liquid crystal display device.
FIG. 4 is an explanatory diagram of an applied voltage dependence of the present invention.

【図20】従来のMVA型液晶表示装置の応答速度T
off の印加電圧依存性の説明図である。
FIG. 20 shows a response speed T of a conventional MVA liquid crystal display device.
FIG. 4 is an explanatory diagram of an applied voltage dependency of off .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 基板 3 垂直配向膜 4 垂直配向膜 5 スリット部 6 突起 7 液晶層 8 液晶分子 9 偏光子 10 偏光子 11 電極 12 電極 13 スペーサ 31 TFT基板 32 画素電極 33 突起 34 垂直配向膜 35 CF基板 36 共通電極 37 突起 38 垂直配向膜 39 液晶 40 液晶分子 41 偏光子 42 偏光子 Reference Signs List 1 substrate 2 substrate 3 vertical alignment film 4 vertical alignment film 5 slit portion 6 projection 7 liquid crystal layer 8 liquid crystal molecule 9 polarizer 10 polarizer 11 electrode 12 electrode 13 spacer 31 TFT substrate 32 pixel electrode 33 projection 34 vertical alignment film 35 CF substrate 36 common electrode 37 protrusion 38 vertical alignment film 39 liquid crystal 40 liquid crystal molecule 41 polarizer 42 polarizer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 公昭 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 2H090 KA04 KA05 KA07 LA09 LA15 MA01 2H091 FA07X FA07Z HA07 HA09 KA02 LA16 LA30 2H092 GA14 GA15 NA01 NA05 PA08 QA07 QA09  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Kimiaki Nakamura 4-1-1, Kamidadanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa F-term in Fujitsu Limited (Reference) 2H090 KA04 KA05 KA07 LA09 LA15 MA01 2H091 FA07X FA07Z HA07 HA09 KA02 LA16 LA30 2H092 GA14 GA15 NA01 NA05 PA08 QA07 QA09

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに対向する二枚の基板の間に負の誘
電率異方性を有する液晶を挟持するとともに、前記両方
の基板の対向する表面に設けた電極の少なくとも一方を
透明電極で構成し、電圧無印加状態において液晶分子の
長軸方向が前記少なくとも一方の基板の主面に対してほ
ぼ垂直になるように配向し、電圧印加時に、液晶分子の
長軸の配向方位が前記基板の主面に平行方向に倒れこむ
液晶表示装置において、垂直配向時の液晶層のリタデー
ションΔn・dは、 0.24μm<Δn・d<0.42μm であり、液晶層の厚さdは、 2.0μm<d≦3.5μm であることを特徴とする液晶表示装置。
1. A liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sandwiched between two substrates opposed to each other, and at least one of electrodes provided on opposed surfaces of both substrates is constituted by a transparent electrode. In a state where no voltage is applied, the major axis direction of the liquid crystal molecules is oriented so as to be substantially perpendicular to the main surface of the at least one substrate, and when a voltage is applied, the orientation of the major axis of the liquid crystal molecules is oriented in the substrate. In a liquid crystal display device that falls down in a direction parallel to the main surface, the retardation Δn · d of the liquid crystal layer during vertical alignment is 0.24 μm <Δn · d <0.42 μm, and the thickness d of the liquid crystal layer is 2. A liquid crystal display device, wherein 0 μm <d ≦ 3.5 μm.
【請求項2】 上記液晶分子の倒れこむ方向が2方向以
上であり、且つ、上記一対の基板がクロスニコルに配置
された一対の偏光子で挟持されていることを特徴とする
請求項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said liquid crystal molecules are inclined in two or more directions, and said pair of substrates is sandwiched between a pair of polarizers arranged in crossed Nicols. Liquid crystal display device.
【請求項3】 上記液晶分子を2方向以上に倒れこませ
るための手段が、上記少なくとも一方の基板に形成され
た突起或いは電極のスリット部であり、且つ、前記突起
或いは電極のスリット部間の間隙部分が25μm以下で
あることを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。
3. A means for causing the liquid crystal molecules to fall in two or more directions is a projection or a slit of an electrode formed on at least one of the substrates, and a gap between the projection or the slit of the electrode. 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the gap is 25 μm or less.
JP2000094993A 2000-03-30 2000-03-30 Liquid crystal display device Pending JP2001281664A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000094993A JP2001281664A (en) 2000-03-30 2000-03-30 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000094993A JP2001281664A (en) 2000-03-30 2000-03-30 Liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001281664A true JP2001281664A (en) 2001-10-10
JP2001281664A5 JP2001281664A5 (en) 2005-04-07

Family

ID=18609953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000094993A Pending JP2001281664A (en) 2000-03-30 2000-03-30 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001281664A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003001285A1 (en) * 2001-06-26 2003-01-03 Sony Corporation Reflection type liquid crystal display element, display unit, projection optical system, and projection displaysystem
JP2005055880A (en) * 2003-07-24 2005-03-03 Sharp Corp Liquid crystal display device and driving method for the same
US7106401B2 (en) 2001-06-26 2006-09-12 Sony Corporation Reflex liquid crystal display device, display apparatus, projection optical system, and projection display system
US7274421B2 (en) 2003-10-21 2007-09-25 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device with alignment regulating device deviating from center of sub-dot regions
CN100359372C (en) * 2003-04-08 2008-01-02 京东方显示器科技公司 VVA mode liquid crystal display device
KR100830393B1 (en) * 2002-04-01 2008-05-20 삼성전자주식회사 simple transmissive and reflective type liquid crystal device and method of manufacturing the same
JP2008287119A (en) * 2007-05-18 2008-11-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for driving liquid crystal display device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003001285A1 (en) * 2001-06-26 2003-01-03 Sony Corporation Reflection type liquid crystal display element, display unit, projection optical system, and projection displaysystem
US7106401B2 (en) 2001-06-26 2006-09-12 Sony Corporation Reflex liquid crystal display device, display apparatus, projection optical system, and projection display system
US7903212B2 (en) 2001-06-26 2011-03-08 Sony Corporation Reflex liquid crystal display device, display apparatus, projection optical system, and projection display system
KR100830393B1 (en) * 2002-04-01 2008-05-20 삼성전자주식회사 simple transmissive and reflective type liquid crystal device and method of manufacturing the same
CN100359372C (en) * 2003-04-08 2008-01-02 京东方显示器科技公司 VVA mode liquid crystal display device
JP2005055880A (en) * 2003-07-24 2005-03-03 Sharp Corp Liquid crystal display device and driving method for the same
US7274421B2 (en) 2003-10-21 2007-09-25 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device with alignment regulating device deviating from center of sub-dot regions
JP2008287119A (en) * 2007-05-18 2008-11-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for driving liquid crystal display device
US8907879B2 (en) 2007-05-18 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7391489B2 (en) Liquid crystal display device
JP4338511B2 (en) Liquid crystal display
Chen et al. Fringe-field switching with a negative dielectric anisotropy liquid crystal
US7995887B2 (en) Liquid crystal display device and electronic device using the same
JP4371356B2 (en) Display comprising IPS mode liquid crystal cell and method for producing the same
WO2009157271A1 (en) Liquid crystal display device
KR100319467B1 (en) Liquid Crystal Display device
JP2004301979A (en) Liquid crystal display device
US8199299B2 (en) Liquid crystal panel, liquid crystal display device, and display method of liquid crystal panel
JP2001281664A (en) Liquid crystal display device
JP2000081618A (en) Liquid crystal display device
Ge et al. High transmittance in-plane switching liquid crystal displays
JP4347144B2 (en) Liquid crystal display
US7646459B2 (en) Liquid crystal display device
JP4870945B2 (en) Liquid crystal display
JP3207374B2 (en) Liquid crystal display device
JPH0643452A (en) Liquid crystal display device
KR101108387B1 (en) Twisted nematic mode liquid crystal display device and method for manufacturing lcd
JP2009031437A (en) Liquid crystal display panel
US8681294B2 (en) Optical compensation film for LCD viewing angles reduction
JP2006018116A (en) Liquid crystal display device
JPH06235914A (en) Liquid crystal display device
JP4545770B2 (en) Liquid crystal display
KR100466394B1 (en) Fringe field switching mode lcd
JP2003228069A (en) Thin film transistor type liquid crystal display panel

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040519

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040519

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20040519

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050712

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050713

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050809

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060606

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060731

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060912