JP2001278919A - Polymeric compound for resist and resist composition - Google Patents

Polymeric compound for resist and resist composition

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JP2001278919A
JP2001278919A JP2000093286A JP2000093286A JP2001278919A JP 2001278919 A JP2001278919 A JP 2001278919A JP 2000093286 A JP2000093286 A JP 2000093286A JP 2000093286 A JP2000093286 A JP 2000093286A JP 2001278919 A JP2001278919 A JP 2001278919A
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adamantane
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resist
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JP2000093286A
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Takashi Arai
隆 新井
Katsunori Funaki
克典 舩木
Masashi Shudo
真史 首藤
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Daicel Chemical Industries Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymeric compound for a resist having a superior film forming property as well as keeping resist characteristics such as an alkali- solubility and an adhesiveness to substrate. SOLUTION: The polymeric compound for a resist comprises a repetition unit having an acid-eliminating group, a repetition unit having an adhesion group to substrate, and a repetition unit expressed by formula (1), wherein R1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R2 represents a 3-8C alkyl group (provided that a tertiary alkyl group is excluded). The repetition unit expressed by formula (1) is about 0.01-30 mol % of all the repetition units composing a polymer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体の微細加工な
どを行う際に用いるレジスト用高分子化合物とレジスト
組成物、並びに該レジスト組成物を用いた半導体の製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist polymer compound and a resist composition for use in fine processing of a semiconductor, and a method for producing a semiconductor using the resist composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程で用いられるレジスト
は、光照射により照射部がアルカリ可溶性に変化する性
質、シリコンウエハーへの密着性、プラズマエッチング
耐性、用いる光に対する透明性等の特性を兼ね備えてい
なくてはならない。該レジストは、一般に、主剤である
ポリマーと、光酸発生剤と、上記特性を調整するための
数種の添加剤を含む溶液として用いられるが、用途に応
じたレジストを調製するには、主剤であるポリマーが上
記の各特性をバランス良く備えていることが極めて重要
である。
2. Description of the Related Art A resist used in a semiconductor manufacturing process does not have characteristics such as a property that an irradiated portion changes to alkali-soluble due to light irradiation, adhesion to a silicon wafer, plasma etching resistance, and transparency to light used. must not. The resist is generally used as a solution containing a polymer as a main agent, a photoacid generator, and several additives for adjusting the above properties. It is extremely important that the polymer has the above-mentioned properties in a well-balanced manner.

【0003】半導体の製造に用いられるリソグラフィの
露光光源は、年々短波長になってきており、次世代の露
光光源として、波長193nmのArFエキシマレーザ
ーが有望視されている。このArFエキシマレーザー露
光機に用いられるレジスト用ポリマーのモノマーユニッ
トとして、前記波長に対して透明度が高く、且つエッチ
ング耐性のある脂環式炭化水素骨格を含むユニットを用
いることが提案されている(特許第2776273号な
ど)。また、脂環式炭化水素骨格の中でも特にエッチン
グ耐性に優れているアダマンタン骨格を有するポリマー
をレジスト用ポリマーとして用いることも知られてい
る。ところが、脂環式炭化水素骨格は、上記のようにエ
ッチング耐性に優れるものの、疎水性が高いことから基
板に対する密着性が低いという欠点を有する。そのた
め、上記文献では、これを改善する目的でカルボキシル
基やラクトン環などを有する親水性の高いモノマーユニ
ット(密着性付与モノマーユニット)を組み込んだ共重
合ポリマーを提案している。
[0003] The exposure light source for lithography used in the manufacture of semiconductors has become shorter in wavelength year by year, and an ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm is expected as a next-generation exposure light source. It has been proposed to use a unit containing an alicyclic hydrocarbon skeleton having high transparency to the wavelength and etching resistance as a monomer unit of a resist polymer used in the ArF excimer laser exposure machine (Patent) No. 2776273). It is also known that a polymer having an adamantane skeleton which is particularly excellent in etching resistance among alicyclic hydrocarbon skeletons is used as a resist polymer. However, although the alicyclic hydrocarbon skeleton is excellent in etching resistance as described above, it has a disadvantage that adhesion to a substrate is low due to high hydrophobicity. Therefore, the above-mentioned literature proposes a copolymer in which a highly hydrophilic monomer unit having a carboxyl group or a lactone ring (adhesion imparting monomer unit) is incorporated for the purpose of improving the above.

【0004】一方、特開平11−109632号公報に
は、ヒドロキシル基を導入して親水性を付与したアダマ
ンタン骨格を有するモノマーユニット(密着性付与モノ
マーユニット)と、光照射により発生した酸によってア
ルカリ可溶性となるモノマーユニット(アルカリ可溶性
モノマーユニット)とを有する共重合体が開示されてい
る。
On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-109632 discloses a monomer unit having an adamantane skeleton into which a hydroxyl group is introduced to impart hydrophilicity (adhesion imparting monomer unit), and an alkali-soluble monomer produced by irradiation with light. A copolymer having the following monomer unit (alkali-soluble monomer unit) is disclosed.

【0005】また、アダマンタン骨格を持つモノマーユ
ニットそのものをアルカリ可溶性モノマーユニットとす
る試みもなされている(特開平9−73173号公報、
特開平9−90637号公報、特開平10−27485
2号公報、特開平10−319595号公報、特開平1
1−12326号公報、特開平11−119434号公
報など)。
Further, an attempt has been made to use a monomer unit having an adamantane skeleton itself as an alkali-soluble monomer unit (JP-A-9-73173,
JP-A-9-90637, JP-A-10-27485
No. 2, JP-A-10-319595, JP-A-10-319595
1-112326, JP-A-11-119434).

【0006】しかし、上記の脂環式炭化水素骨格を有す
る共重合体、特にアダマンタン骨格を含むモノマーユニ
ットを有する共重合体は、一般にガラス転移点(Tg)
が高いため、塗膜が脆くて硬く、レジスト薄膜に加工す
る際にレジスト製造条件の選定が容易でない(薄膜を形
成しにくい)という問題があった。このガラス転移点は
共重合体の組成比によって調整できるものであるが、従
来、アルカリ可溶性や基板密着性等のレジスト特性を保
持しつつガラス転移点を広い範囲でコントロールできる
方法は知られていない。
However, the above copolymer having an alicyclic hydrocarbon skeleton, particularly a copolymer having a monomer unit having an adamantane skeleton, generally has a glass transition point (Tg).
Therefore, there is a problem that the coating film is brittle and hard, and it is not easy to select the resist manufacturing conditions when processing it into a resist thin film (it is difficult to form a thin film). Although this glass transition point can be adjusted by the composition ratio of the copolymer, conventionally, there is no known method capable of controlling the glass transition point in a wide range while maintaining resist properties such as alkali solubility and substrate adhesion. .

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、アルカリ可溶性や基板密着性等のレジスト特性を保
持しつつ優れた成膜性を有するレジスト用高分子化合物
と、この高分子化合物を含むレジスト組成物を提供する
ことにある。本発明の他の目的は、脆さの改善されたレ
ジスト薄膜を形成可能なレジスト用高分子化合物及びレ
ジスト組成物を提供することにある。本発明のさらに他
の目的は、均質で脆さの低いレジスト薄膜を簡易に且つ
効率よく形成できる半導体の製造方法を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a resist polymer having excellent film-forming properties while maintaining resist properties such as alkali solubility and substrate adhesion. And a resist composition containing the same. Another object of the present invention is to provide a resist polymer compound and a resist composition capable of forming a resist thin film having improved brittleness. Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor which can easily and efficiently form a uniform and low-brittle resist thin film.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するため鋭意検討した結果、特定構造の繰り返し
単位(モノマーユニット)を含むポリマーを化学増幅型
レジスト用樹脂として用いると、アルカリ可溶性や基板
に対する密着性等を保持しつつ、ガラス転移点を広い範
囲に調整でき、成膜性や被膜の脆さ等の塗膜物性を大き
く改善できることを見出し、本発明を完成した。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, when a polymer containing a repeating unit (monomer unit) having a specific structure is used as a resin for a chemically amplified resist, alkali The present inventors have found that the glass transition point can be adjusted to a wide range while maintaining solubility and adhesion to a substrate, and film properties such as film formability and film brittleness can be greatly improved, and the present invention has been completed.

【0009】すなわち、本発明は、酸脱離性基を有する
繰り返し単位と、基板密着性基を有する繰り返し単位
と、下記式(1)
That is, the present invention provides a repeating unit having an acid leaving group and a repeating unit having a substrate adhesive group, represented by the following formula (1):

【化6】 [式中、R1は水素原子又はメチル基、R2はC3-8アル
キル基(但し、第3級アルキル基を除く)を示す]で表
される繰り返し単位とで構成されているレジスト用高分
子化合物を提供する。
Embedded image [Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents a C 3-8 alkyl group (excluding a tertiary alkyl group)]. A polymer compound is provided.

【0010】前記酸脱離性基を有する繰り返し単位とし
て、下記式(2)
The repeating unit having an acid leaving group is represented by the following formula (2)

【化7】 [式中、R3は水素原子又はメチル基、R4は下記式
(4)〜(7)
Embedded image [Wherein, R 3 is a hydrogen atom or a methyl group, and R 4 is a compound represented by the following formulas (4) to (7)]

【化8】 (式中、R7〜R12は、同一又は異なって、C1-6アルキ
ル基、X、Yはアダマンタン環に結合している置換基で
あって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されてい
てもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよ
いヒドロキシメチル基又は保護基で保護されていてもよ
いカルボキシル基を示し、m、nは、それぞれ、0〜3
の整数、pは1又は2を示す)で表される基を示す]で
表される繰り返し単位が挙げられる。
Embedded image (Wherein R 7 to R 12 are the same or different and each is a C 1-6 alkyl group, X and Y are substituents bonded to an adamantane ring, and are protected by an oxo group, an alkyl group, or a protecting group. Represents a hydroxyl group which may be protected, a hydroxymethyl group which may be protected by a protecting group, or a carboxyl group which may be protected by a protecting group, and m and n each represent 0 to 3
And p represents 1 or 2), and a repeating unit represented by the following formula:

【0011】また、前記基板密着性基を有する繰り返し
単位として、下記式(3)
The repeating unit having the substrate adhesive group is represented by the following formula (3)

【化9】 [式中、R5は水素原子又はメチル基、R6は下記式
(8)又は(9)
Embedded image [Wherein, R 5 is a hydrogen atom or a methyl group, and R 6 is a compound represented by the following formula (8) or (9)

【化10】 (式中、環Aは脂環式炭化水素環、Zは環Aに結合して
いる置換基であって、オキソ基、アルキル基、保護基で
保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護さ
れていてもよいヒドロキシメチル基又は保護基で保護さ
れていてもよいカルボキシル基を示し、q個のZのうち
少なくとも1つはオキソ基、保護基で保護されていても
よいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒ
ドロキシメチル基又は保護基で保護されていてもよいカ
ルボキシル基である。R13は水素原子又はメチル基、R
14〜R17は、同一又は異なって、水素原子又はアルキル
基を示す。tは0又は1、qは1〜3の整数、rは1〜
3の整数、sは0〜2の整数を示し、r+s=2〜4で
ある。但し、環Aがアダマンタン環の場合、−(C
2t−はアダマンタン環の橋頭位に結合している)で
表される基を示す]で表される繰り返し単位が挙げられ
る。
Embedded image(Wherein ring A is an alicyclic hydrocarbon ring, Z is bonded to ring A
Substituents, such as oxo, alkyl, and protecting groups
Hydroxyl groups, which may be protected, protected with protecting groups
Protected by an optionally protected hydroxymethyl group or a protecting group.
Represents a carboxyl group which may be
Even if at least one is protected by an oxo group or a protecting group
Good hydroxyl groups,
A group that may be protected by a droxymethyl group or a protecting group
It is a ruboxyl group. R13Is a hydrogen atom or a methyl group, R
14~ R17Are the same or different and each represents a hydrogen atom or an alkyl
Represents a group. t is 0 or 1, q is an integer of 1 to 3, r is 1 to
An integer of 3, s represents an integer of 0 to 2, and r + s = 2 to 4
is there. However, when ring A is an adamantane ring,-(C
H Two)t-Is attached to the bridgehead of the adamantane ring)
Represents a group represented by the formula]
You.

【0012】前記式(1)で表される繰り返し単位は、
例えば、ポリマーを構成する全繰り返し単位の0.01
〜30モル%である。本発明は、また、上記のレジスト
用高分子化合物と光酸発生剤とを含むレジスト組成物を
提供する。本発明は、さらに、上記のレジスト組成物を
基材又は基板上に塗布してレジスト塗膜を形成し、露光
及び現像を経てパターンを形成する工程を含む半導体の
製造方法を提供する。
The repeating unit represented by the above formula (1) is
For example, 0.01 of all repeating units constituting the polymer
3030 mol%. The present invention also provides a resist composition comprising the above resist polymer compound and a photoacid generator. The present invention further provides a method for producing a semiconductor, comprising a step of forming a resist coating film by applying the above-described resist composition on a substrate or a substrate, and forming a pattern through exposure and development.

【0013】なお、本明細書において、酸脱離性基と
は、酸により特定部位が脱離して、カルボキシル基など
のアルカリ可溶性基を生成する基を意味する。また、基
板密着性基とは、極性基を有し、シリコンウエハーなど
の基板に対する密着性を向上させる基を意味する。さら
に、本明細書では、「アクリル」と「メタクリル」とを
「(メタ)アクリル」、「アクリロイル」と「メタクリ
ロイル」とを「(メタ)アクリロイル」と総称する場合
がある。
In the present specification, the term "acid-eliminable group" means a group which is eliminated at a specific site by an acid to form an alkali-soluble group such as a carboxyl group. The term “substrate adhesive group” means a group having a polar group and improving the adhesiveness to a substrate such as a silicon wafer. Furthermore, in this specification, “acryl” and “methacryl” may be collectively referred to as “(meth) acryl”, and “acryloyl” and “methacryloyl” may be collectively referred to as “(meth) acryloyl”.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明のレジスト用高分子化合物
は、ポリマー分子を構成する繰り返し単位(モノマーユ
ニット)として、酸脱離性基を有する繰り返し単位と、
基板密着性基を有する繰り返し単位と、前記式(1)で
表される繰り返し単位とで構成されている。前記各繰り
返し単位は、それぞれ1種であってもよく2種以上であ
ってもよい。また、酸脱離性基を有する繰り返し単位と
基板密着性基を有する繰り返し単位は同一であってもよ
い。すなわち、1つの繰り返し単位に酸脱離性基と基板
密着性基とを含んでいてもよい。この場合、本発明のレ
ジスト用高分子化合物は、酸脱離性基及び基板密着性基
を含む繰り返し単位と、前記式(1)で表される繰り返
し単位とで構成できる。本発明のレジスト用高分子化合
物は、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重
合体等の何れであってもよい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The resist polymer compound of the present invention comprises, as a repeating unit (monomer unit) constituting a polymer molecule, a repeating unit having an acid-labile group,
It is composed of a repeating unit having a substrate adhesive group and a repeating unit represented by the formula (1). Each of the repeating units may be one type or two or more types. Further, the repeating unit having an acid leaving group and the repeating unit having a substrate adhesive group may be the same. That is, one repeating unit may contain an acid leaving group and a substrate adhesion group. In this case, the resist polymer compound of the present invention can be composed of a repeating unit containing an acid-labile group and a substrate adhesion group, and a repeating unit represented by the formula (1). The resist polymer compound of the present invention may be any of a random copolymer, an alternating copolymer, a block copolymer and the like.

【0015】前記酸脱離性基を有する繰り返し単位(以
下、単に「繰り返し単位2」と称することがある)は、
光酸発生剤から発生した酸によって遊離のカルボキシル
基等を生成させるため、アルカリ現像時に可溶化するア
ルカリ可溶性ユニットとして機能する。また、前記基板
密着性基を有する繰り返し単位(以下、単に「繰り返し
単位3」と称することがある)は、基板への密着性を高
める密着性付与ユニットとして機能する。そして、前記
式(1)で表される繰り返し単位(以下、単に「繰り返
し単位1」と称することがある)は、ポリマーのガラス
転移温度を調整し、成膜性やレジスト被膜の脆さなどを
改善するレジスト膜特性調整ユニットとして機能する。
The repeating unit having an acid leaving group (hereinafter, may be simply referred to as “repeating unit 2”) is
Since a free carboxyl group or the like is generated by the acid generated from the photoacid generator, it functions as an alkali-soluble unit solubilized during alkali development. Further, the repeating unit having a substrate adhesion group (hereinafter, may be simply referred to as “repeating unit 3”) functions as an adhesion imparting unit that enhances adhesion to a substrate. The repeating unit represented by the formula (1) (hereinafter, may be simply referred to as “repeating unit 1”) adjusts the glass transition temperature of the polymer and adjusts the film forming property and the brittleness of the resist film. It functions as a resist film characteristic adjustment unit that improves.

【0016】前記式(1)において、R1は水素原子又
はメチル基を示し、R2はC3-8アルキル基(但し、第3
級アルキル基を除く)を示す。前記R2におけるC3-8
ルキル基としては、例えば、プロピル、イソプロピル、
ブチル、イソブチル、s−ブチル、ペンチル、イソペン
チル、1−メチルブチル、1−エチルプロピル、ヘキシ
ル、イソヘキシル、1−メチルペンチル、1−エチルブ
チル、ヘプチル、1−メチルヘキシル、オクチル、1−
メチルヘプチル基などが挙げられる。これらの中でも、
2としてC4-6アルキル基、特にブチル基などのC4
ルキル基が好ましい。また、R2としては直鎖状のアル
キル基が好ましい。
In the above formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 is a C 3-8 alkyl group (however,
Excluding a lower alkyl group). Examples of the C 3-8 alkyl group for R 2 include propyl, isopropyl,
Butyl, isobutyl, s-butyl, pentyl, isopentyl, 1-methylbutyl, 1-ethylpropyl, hexyl, isohexyl, 1-methylpentyl, 1-ethylbutyl, heptyl, 1-methylhexyl, octyl, 1-
And a methylheptyl group. Among these,
R 2 is preferably a C 4-6 alkyl group, particularly a C 4 alkyl group such as a butyl group. R 2 is preferably a linear alkyl group.

【0017】前記酸脱離性基を有する繰り返し単位とし
ては、酸によって特定部位が脱離してアルカリ可溶性基
が生成する基を有する繰り返し単位であれば特に限定さ
れないが、その代表的な例として、例えば、前記式
(2)で表される繰り返し単位が挙げられる。
The repeating unit having an acid-eliminable group is not particularly limited as long as it is a repeating unit having a group in which a specific site is eliminated by an acid to produce an alkali-soluble group. For example, a repeating unit represented by the formula (2) can be mentioned.

【0018】前記式(2)において、R3は水素原子又
はメチル基を示し、R4は前記式(4)〜(7)で表さ
れる基を示す。式(4)〜(7)中、R7〜R12は、同
一又は異なって、C1-6アルキル基を示し、X、Yはア
ダマンタン環に結合している置換基であって、オキソ
基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロ
キシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメ
チル基又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル
基を示し、m、nは、それぞれ、0〜3の整数を示し、
pは1又は2を示す。
In the above formula (2), R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 4 represents a group represented by the above formulas (4) to (7). In the formulas (4) to (7), R 7 to R 12 are the same or different and each represent a C 1-6 alkyl group, and X and Y are substituents bonded to an adamantane ring, and are oxo groups. An alkyl group, a hydroxyl group which may be protected with a protecting group, a hydroxymethyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, and m and n each represent Represents an integer of 0 to 3,
p represents 1 or 2.

【0019】前記R7〜R12におけるC1-6アルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、s−ブチル、ペンチル、イソペンチ
ル、1−メチルブチル、1−エチルプロピル、ヘキシ
ル、イソヘキシル、1−メチルペンチル、1−エチルブ
チル基などが挙げられる。これらの中でも、C1-4アル
キル基、特に、メチル基及びエチル基が好ましい。
The C 1-6 alkyl group for R 7 to R 12 includes methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, pentyl, isopentyl, 1-methylbutyl, 1-ethylpropyl, hexyl, Examples include isohexyl, 1-methylpentyl, and 1-ethylbutyl. Among these, a C 1-4 alkyl group, particularly a methyl group and an ethyl group, are preferred.

【0020】X、Yにおけるアルキル基としては、前記
例示のC1-6アルキル基などが挙げられる。好ましいア
ルキル基には、メチル基及びエチル基などが含まれる。
Examples of the alkyl group for X and Y include the C 1-6 alkyl group exemplified above. Preferred alkyl groups include a methyl group and an ethyl group.

【0021】X、Yにおけるヒドロキシル基及びカルボ
キシル基の保護基としては、有機合成の分野で慣用の保
護基を使用できる。例えば、ヒドロキシル基の保護形態
として、メチルエーテル、メトキシメチルエーテル、2
−メトキシエトキシメチルエーテル、2−テトラヒドロ
ピラニルエーテル、2−テトラヒドロフラニルエーテ
ル、1−エトキシエチルエーテル、1−メチル−1−メ
トキシエチルエーテル、t−ブチルエーテル、ベンジル
エーテルなどのエーテル;ギ酸エステル、酢酸エステ
ル、安息香酸エステルなどのエステル;メチルカーボネ
ート、エチルカーボネート、ベンジルカーボネートなど
のカーボネート;アセトアルデヒドやベンズアルデヒド
等のアルデヒドとのヘミアセタールなどが挙げられる。
As the protecting group for the hydroxyl group and the carboxyl group in X and Y, a protecting group commonly used in the field of organic synthesis can be used. For example, protected forms of hydroxyl groups include methyl ether, methoxymethyl ether, 2
Ethers such as -methoxyethoxymethyl ether, 2-tetrahydropyranyl ether, 2-tetrahydrofuranyl ether, 1-ethoxyethyl ether, 1-methyl-1-methoxyethyl ether, t-butyl ether and benzyl ether; formate esters, acetate esters, Esters such as benzoic acid esters; carbonates such as methyl carbonate, ethyl carbonate and benzyl carbonate; hemiacetals with aldehydes such as acetaldehyde and benzaldehyde.

【0022】また、カルボキシル基の保護形態として
は、例えば、メチルエステル、メトキシメチルエステ
ル、2−テトラヒドロピラニルエステル、2−テトラヒ
ドロフラニルエステル、2−メトキシエトキシメチルエ
ステル、ベンジルオキシメチルエステル、エチルエステ
ル、t−ブチルエステル、シクロヘキシルエステル、ア
リルエステル、フェニルエステル、ベンジルエステル、
トリフェニルメチルエステル、ジフェニルメチルエステ
ル、トリメチルシリルエステル、N−ヒドロキシスクシ
ンイミドイルエステルなどのエステル;N,N−ジメチ
ルアミドなどのアミドなどが挙げられる。
Examples of the protected form of the carboxyl group include, for example, methyl ester, methoxymethyl ester, 2-tetrahydropyranyl ester, 2-tetrahydrofuranyl ester, 2-methoxyethoxymethyl ester, benzyloxymethyl ester, ethyl ester, t -Butyl ester, cyclohexyl ester, allyl ester, phenyl ester, benzyl ester,
Esters such as triphenylmethyl ester, diphenylmethyl ester, trimethylsilyl ester and N-hydroxysuccinimidoyl ester; and amides such as N, N-dimethylamide.

【0023】X、Yが複数個の場合、それぞれが異なる
置換基であってもよい。X、Yのうちオキソ基以外の基
はアダマンタン環の橋頭位に結合している場合が多い。
なお、式(4)及び式(5)のアダマンタン環には、レ
ジスト特性を損なわない範囲で前記以外の置換基が結合
していてもよい。
When X and Y are plural, each may be a different substituent. Of X and Y, groups other than the oxo group are often bonded to the bridgehead of the adamantane ring.
In addition, substituents other than those described above may be bonded to the adamantane rings of the formulas (4) and (5) as long as the resist properties are not impaired.

【0024】前記式(2)で表される繰り返し単位のう
ち、R4が式(4)で表される基であり、且つmが1〜
3で、Xの少なくとも1つがオキソ基、保護基で保護さ
れていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されてい
てもよいヒドロキシメチル基又は保護基で保護されてい
てもよいカルボキシル基である繰り返し単位、及びR 4
が式(5)で表される基であり、且つnが1〜3で、Y
の少なくとも1つがオキソ基、保護基で保護されていて
もよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよい
ヒドロキシメチル基又は保護基で保護されていてもよい
カルボキシル基である繰り返し単位は、アルカリ可溶性
ユニットとしてだけでなく密着性付与ユニットとしても
機能する。
The repeating unit represented by the above formula (2)
Chi, RFourIs a group represented by the formula (4), and m is 1 to
In 3, at least one of X is protected with an oxo group and a protecting group.
Hydroxyl group, which may be protected
May be protected by a hydroxymethyl group or a protecting group.
A repeating unit which may be a carboxyl group, and R Four
Is a group represented by the formula (5), and n is 1 to 3, and Y is
At least one of which is protected by an oxo group or a protecting group;
May be protected with a hydroxyl group or a protecting group.
May be protected with a hydroxymethyl group or a protecting group
Carboxyl repeating units are alkali soluble
Not only as a unit but also as an adhesion-imparting unit
Function.

【0025】前記基板密着性基を有する繰り返し単位と
しては、基板に対する密着性を向上させる基を有してい
れば特に限定されないが、その代表的な例として、例え
ば、前記式(3)で表される繰り返し単位が挙げられ
る。
The repeating unit having the substrate adhesive group is not particularly limited as long as it has a group that improves the adhesiveness to the substrate, and a typical example thereof is, for example, a compound represented by the above formula (3). Repeating unit to be used.

【0026】前記式(3)において、R5は水素原子又
はメチル基を示し、R6は前記式(8)又は(9)で表
される基を示す。式(8)、(9)中、環Aは脂環式炭
化水素環を示し、Zは環Aに結合している置換基であっ
て、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていても
よいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒ
ドロキシメチル基又は保護基で保護されていてもよいカ
ルボキシル基を示し、q個のZのうち少なくとも1つは
オキソ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル
基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基
又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基であ
る。R13は水素原子又はメチル基を示し、R14〜R
17は、同一又は異なって、水素原子又はアルキル基を示
す。tは0又は1、qは1〜3の整数、rは1〜3の整
数、sは0〜2の整数を示し、r+s=2〜4である。
但し、環Aがアダマンタン環の場合、−(CH2t−は
アダマンタン環の橋頭位に結合している。なお、式
(9)において、基−CR14(R15)−、又は基−CR
16(R17)−が2以上の場合、各基は同一でもよく異な
っていてもよい。
In the above formula (3), R 5 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 6 represents a group represented by the above formula (8) or (9). In the formulas (8) and (9), ring A represents an alicyclic hydrocarbon ring, and Z is a substituent bonded to ring A, and is protected by an oxo group, an alkyl group, or a protecting group. A hydroxyl group, a hydroxymethyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, wherein at least one of q Zs is an oxo group or a protecting group. A hydroxyl group which may be protected, a hydroxymethyl group which may be protected by a protecting group, or a carboxyl group which may be protected by a protecting group. R 13 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 14 to R
17 is the same or different and represents a hydrogen atom or an alkyl group. t is 0 or 1, q is an integer of 1 to 3, r is an integer of 1 to 3, s is an integer of 0 to 2, and r + s is 2 to 4.
However, when the ring A is adamantane ring, - (CH 2) t - is bonded to a bridgehead position of the adamantane ring. In the formula (9), the group -CR 14 (R 15 )-or the group -CR
When 16 (R 17 )-is 2 or more, each group may be the same or different.

【0027】環Aにおける脂環式炭化水素環としては、
例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロ
ヘキセン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シ
クロデカン環、シクロドデカン環などの単環の脂環式炭
化水素環(シクロアルカン環、シクロアルケン環);パ
ーヒドロナフタレン環(デカリン環)、パーヒドロフル
オレン環、パーヒドロインデン環、イソボルナン環、ピ
ナン環、ノルピナン環、ボルナン環、ノルボルナン環、
ノルボルネン環、ビシクロ[2.2.2]オクタン環、
アダマンタン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デ
カン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10
ドデカン環などの多環の脂環式炭化水素環(橋かけ環)
などが挙げられる。これらの脂環式炭化水素環の中で
も、シクロヘキサン環及び橋かけ環(特に、アダマンタ
ン環など)が好ましい。
The alicyclic hydrocarbon ring in the ring A includes:
For example, monocyclic alicyclic hydrocarbon rings (cycloalkane ring, cycloalkene ring) such as cyclopentane ring, cyclohexane ring, cyclohexene ring, cycloheptane ring, cyclooctane ring, cyclodecane ring and cyclododecane ring; perhydronaphthalene Ring (decalin ring), perhydrofluorene ring, perhydroindene ring, isobornane ring, pinane ring, norpinane ring, bornan ring, norbornane ring,
A norbornene ring, a bicyclo [2.2.2] octane ring,
Adamantane ring, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ]
Polycyclic alicyclic hydrocarbon ring such as dodecane ring (bridged ring)
And the like. Among these alicyclic hydrocarbon rings, a cyclohexane ring and a bridged ring (particularly, an adamantane ring, etc.) are preferred.

【0028】前記Zにおけるアルキル基、ヒドロキシル
基やカルボキシル基の保護基としては、前記X、Yの場
合と同様である。Zが複数個の場合、それぞれが異なる
置換基であってもよい。なお、式(8)の環Aには、レ
ジスト特性を損なわない範囲で前記以外の置換基が結合
していてもよい。
The protective groups for the alkyl group, hydroxyl group and carboxyl group in Z are the same as those in X and Y described above. When Z is plural, each may be a different substituent. Note that a substituent other than those described above may be bonded to the ring A of the formula (8) as long as the resist properties are not impaired.

【0029】前記R14〜R17におけるアルキル基として
は、前記例示のC1-6アルキル基などが挙げられる。好
ましいアルキル基には、メチル基及びエチル基などが含
まれる。rは1又は2であることが多く、sは0又は1
であることが多い。また、r+sは、好ましくは2又は
3である。
Examples of the alkyl group for R 14 to R 17 include the C 1-6 alkyl group exemplified above. Preferred alkyl groups include a methyl group and an ethyl group. r is often 1 or 2, and s is 0 or 1.
Often it is. R + s is preferably 2 or 3.

【0030】前記式(3)で表される繰り返し単位のう
ち、R6が式(8)で表される基であり、且つZの少な
くとも1つが2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニ
ル基、2−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル基、
t−ブトキシカルボニル基などの酸脱離性基である繰り
返し単位は、密着性付与ユニットとしてのみならずアル
カリ可溶性ユニットとしても機能する。
In the repeating unit represented by the formula (3), R 6 is a group represented by the formula (8), and at least one of Z is a 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group or 2-tetrahydrofuran. Nyloxycarbonyl group,
The repeating unit which is an acid-eliminable group such as a t-butoxycarbonyl group functions not only as an adhesion-imparting unit but also as an alkali-soluble unit.

【0031】本発明では、繰り返し単位2及び繰り返し
単位3のうち少なくとも一方が、嵩高くて且つリジッド
なアダマンタン骨格を有している場合に特に大きな効果
が得られる。また、アダマンタン骨格を有する繰り返し
単位を含む共重合体、例えば、該アダマンタン骨格を有
する繰り返し単位をポリマーを構成する全繰り返し単位
に対して30〜100モル%(特に、50〜100モル
%)程度含む共重合体は、レジスト用樹脂として用いた
場合、透明性に優れるとともに、極めて高い耐エッチン
グ性を示すという特徴がある。
In the present invention, a particularly great effect is obtained when at least one of the repeating units 2 and 3 has a bulky and rigid adamantane skeleton. Further, a copolymer containing a repeating unit having an adamantane skeleton, for example, about 30 to 100 mol% (particularly, 50 to 100 mol%) of the repeating unit having the adamantane skeleton is contained in all the repeating units constituting the polymer. When the copolymer is used as a resin for a resist, it is excellent in transparency and exhibits extremely high etching resistance.

【0032】前記繰り返し単位1の割合は、所望する物
性に応じて適宜選択できるが、通常、ポリマーを構成す
る全繰り返し単位に対して0.01〜30モル%程度、
好ましくは0.05〜10モル%程度、さらに好ましく
は0.05〜5モル%程度である。
The proportion of the repeating unit 1 can be appropriately selected according to the desired physical properties, but is usually about 0.01 to 30 mol% based on all repeating units constituting the polymer.
Preferably it is about 0.05 to 10 mol%, more preferably about 0.05 to 5 mol%.

【0033】また、前記繰り返し単位2と繰り返し単位
3との比率は、例えば、前者/後者(モル比)=1/9
9〜99/1、好ましくは20/80〜90/10、さ
らに好ましくは35/65〜80/20程度である。
The ratio of the repeating unit 2 to the repeating unit 3 is, for example, the former / the latter (molar ratio) = 1/9.
It is about 9-99 / 1, preferably about 20 / 80-90 / 10, and more preferably about 35 / 65-80 / 20.

【0034】本発明のレジスト用高分子化合物は、レジ
スト用樹脂としての諸特性のバランスを微調整するた
め、前記以外の繰り返し単位を有していてもよい。この
ような前記繰り返し単位1〜3以外の繰り返し単位の割
合は、例えば、ポリマーを構成する全繰り返し単位の0
〜30モル%程度、好ましくは0〜20モル%程度であ
る。
The polymer compound for resist of the present invention may have a repeating unit other than the above in order to fine-tune the balance of various properties as a resin for resist. The proportion of the repeating units other than the repeating units 1 to 3 is, for example, 0% of all the repeating units constituting the polymer.
About 30 mol%, preferably about 0 to 20 mol%.

【0035】本発明のレジスト用高分子化合物の重量平
均分子量(Mw)は、例えば3000〜200000程
度、好ましくは3000〜20000程度であり、分子
量分布(Mw/Mn)は、例えば1.8〜3.0程度で
ある。なお、前記Mnは数平均分子量(ポリスチレン換
算)を示す。
The polymer compound for resist of the present invention has a weight average molecular weight (Mw) of, for example, about 3,000 to 200,000, preferably about 3,000 to 20,000, and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of, for example, 1.8 to 3,000. It is about 0.0. Here, Mn indicates a number average molecular weight (in terms of polystyrene).

【0036】本発明のレジスト用高分子化合物におい
て、前記繰り返し単位2と繰り返し単位3の好ましい組
み合わせとして以下のものが挙げられる。 (a)繰り返し単位2のうちR4が式(4)又は式
(5)で表される基である繰り返し単位と、繰り返し単
位3のうちR6が式(9)で表される基である繰り返し
単位との組み合わせ (b)繰り返し単位2のうちR4が式(6)又は式
(7)で表される基である繰り返し単位と、繰り返し単
位3のうちR6が式(8)で表される基であって且つ式
(8)におけるA環が橋かけ環(例えば、アダマンタン
環など)である繰り返し単位との組み合わせ (c)繰り返し単位2のうちR4が式(4)又は式
(5)で表される基である繰り返し単位と、繰り返し単
位3のうちR6が式(8)で表される基であって且つ式
(8)におけるA環が単環の脂環式炭化水素環(例え
ば、シクロヘキサン環など)である繰り返し単位との組
み合わせ
In the polymer compound for resist of the present invention, the following are preferred combinations of the repeating unit 2 and the repeating unit 3. (A) In the repeating unit 2, R 4 is a group represented by the formula (4) or (5), and in the repeating unit 3, R 6 is a group represented by the formula (9). Combination with repeating unit (b) In repeating unit 2, R 4 is a group represented by formula (6) or (7), and in repeating unit 3, R 6 is represented by formula (8) In which the ring A in the formula (8) is a bridged ring (for example, an adamantane ring or the like). (C) In the repeating unit 2, R 4 is a group represented by the formula (4) or the formula ( A repeating unit which is a group represented by 5) and a repeating unit 3 in which R 6 is a group represented by formula (8) and ring A in formula (8) is a monocyclic alicyclic hydrocarbon Combination with a repeating unit that is a ring (eg, a cyclohexane ring)

【0037】前記式(1)〜(3)で表される各繰り返
し単位は、それぞれ対応する(メタ)アクリル酸エステ
ルをコモノマーとして重合に付すことにより形成でき
る。
Each of the repeating units represented by the above formulas (1) to (3) can be formed by subjecting the corresponding (meth) acrylic acid ester as a comonomer to polymerization.

【0038】[式(1)で表される繰り返し単位]前記
繰り返し単位1に対応するモノマーは、下記式(10)
[Repeating Unit Represented by Formula (1)] The monomer corresponding to the repeating unit 1 is represented by the following formula (10)

【化11】 (式中、R1、R2は前記に同じ)で表され、その代表的
な例として下記の化合物が挙げられる。 [1-1](メタ)アクリル酸プロピル [1-2](メタ)アクリル酸ブチル [1-3](メタ)アクリル酸イソブチル [1-4](メタ)アクリル酸s−ブチル [1-5](メタ)アクリル酸ペンチル [1-6](メタ)アクリル酸ヘキシル [1-7](メタ)アクリル酸イソヘキシル [1-8](メタ)アクリル酸ヘプチル [1-9](メタ)アクリル酸オクチル [1-10](メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル
Embedded image (Wherein R 1 and R 2 are the same as described above), and typical examples thereof include the following compounds. [1-1] propyl (meth) acrylate [1-2] butyl (meth) acrylate [1-3] isobutyl (meth) acrylate [1-4] s-butyl (meth) acrylate [1-5] ] Pentyl (meth) acrylate [1-6] Hexyl (meth) acrylate [1-7] Isohexyl (meth) acrylate [1-8] Heptyl (meth) acrylate [1-9] (meth) acrylic acid Octyl [1-10] 2-ethylhexyl (meth) acrylate

【0039】[式(2)で表される繰り返し単位]前記
繰り返し単位2に対応するモノマーは、下記式(11)
[Repeating Unit Represented by Formula (2)] The monomer corresponding to the repeating unit 2 is represented by the following formula (11)

【化12】 (式中、R3、R4は前記に同じ)で表される。Embedded image (Wherein, R 3 and R 4 are the same as described above).

【0040】上記式(11)で表されるモノマーのうち、
4が前記式(4)で表される基である化合物の代表的
な例として下記の化合物が挙げられる。 [2-1]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−
メチルエチル)アダマンタン(R3=H又はCH3、R7
=R8=CH3、m=0) [2-2]1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロ
イルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン(R3
H又はCH3、R7=R8=CH3、X=OH、m=1) [2-3]1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)ア
クリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン
(R3=H又はCH3、R7=R8=CH3、X=OH、m
=2) [2-4]1−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイル
オキシプロピル)アダマンタン(R3=H又はCH3、R
7=R8=エチル基、m=0) [2-5]1−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイル
オキシプロピル)−3−ヒドロキシアダマンタン(R3
=H又はCH3、R7=R8=エチル基、X=OH、m=
1) [2-6]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−
メチルプロピル)アダマンタン(R3=H又はCH3、R
7=CH3、R8=エチル基、m=0) [2-7]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−
メチルプロピル)−3−ヒドロキシアダマンタン(R3
=H又はCH3、R7=CH3、R8=エチル基、X=O
H、m=1) [2-8]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1,
2−ジメチルプロピル)アダマンタン(R3=H又はC
3、R7=CH3、R8=イソプロピル基、m=0) [2-9]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1,
2−ジメチルプロピル)−3−ヒドロキシアダマンタン
(R3=H又はCH3、R7=CH3、R8=イソプロピル
基、X=OH、m=1) [2-10]1−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイル
オキシプロピル)−3,5−ジヒドロキシアダマンタン
(R3=H又はCH3、R7=R8=エチル基、X=OH、
m=2) [2-11]1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)ア
クリロイルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン
(R3=H又はCH3、R7=CH3、R8=エチル基、X
=OH、m=2) [2-12]1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)ア
クリロイルオキシ−1,2−ジメチルプロピル)アダマ
ンタン(R3=H又はCH3、R7=CH3、R8=イソプ
ロピル基、X=OH、m=2)
Of the monomers represented by the above formula (11),
Typical examples of the compound in which R 4 is a group represented by the above formula (4) include the following compounds. [2-1] 1- (1- (meth) acryloyloxy-1-
Methylethyl) adamantane (R 3 HH or CH 3 , R 7
= R 8 = CH 3, m = 0) [2-2] 1- hydroxy-3- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl) adamantane (R 3 =
H or CH 3, R 7 = R 8 = CH 3, X = OH, m = 1) [2-3] 1,3- dihydroxy-5- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl) adamantane (R 3 = H or CH 3, R 7 = R 8 = CH 3, X = OH, m
= 2) [2-4] 1- (1-ethyl-1- (meth) acryloyloxypropyl) adamantane (R 3 HH or CH 3 , R
7 = R 8 = ethyl, m = 0) [2-5] 1- (1- ethyl-1 (meth) acryloyloxy propyl) -3-hydroxy adamantane (R 3
= H or CH 3 , R 7 = R 8 = ethyl group, X = OH, m =
1) [2-6] 1- (1- (meth) acryloyloxy-1-)
Methylpropyl) adamantane (R 3 HH or CH 3 , R
7 = CH 3 , R 8 = ethyl group, m = 0) [2-7] 1- (1- (meth) acryloyloxy-1-)
Methylpropyl) -3-hydroxyadamantane (R 3
HH or CH 3 , R 7 CHCH 3 , R 8 = ethyl group, X = O
H, m = 1) [2-8] 1- (1- (meth) acryloyloxy-1,
2-dimethylpropyl) adamantane (R 3 = H or C
H 3, R 7 = CH 3 , R 8 = isopropyl, m = 0) [2-9] 1- (1- ( meth) acryloyloxy-1,
2-dimethylpropyl) -3-hydroxy-adamantane (R 3 = H or CH 3, R 7 = CH 3 , R 8 = isopropyl, X = OH, m = 1 ) [2-10] 1- (1- ethyl 1- (meth) acryloyloxy propyl) -3,5-dihydroxy-adamantane (R 3 = H or CH 3, R 7 = R 8 = ethyl, X = OH,
m = 2) [2-11] 1,3- dihydroxy-5- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylpropyl) adamantane (R 3 = H or CH 3, R 7 = CH 3 , R 8 = Ethyl group, X
= OH, m = 2) [ 2-12] 1,3- dihydroxy-5- (1- (meth) acryloyloxy-1,2-dimethylpropyl) adamantane (R 3 = H or CH 3, R 7 = CH 3 , R 8 = isopropyl group, X = OH, m = 2)

【0041】上記式(11)で表されるモノマーのうちR
4が式(4)で表される基である化合物(11a)は、例え
ば、下記反応工程式に従って得ることができる。
Of the monomers represented by the above formula (11), R
The compound (11a) in which 4 is a group represented by the formula (4) can be obtained, for example, according to the following reaction step formula.

【化13】 (式中、X1はハロゲン原子を示し、RXは、ハロゲン原
子、ヒドロキシル基、アルコキシ基又はアルケニルオキ
シ基を示す。R3、R7、R8、X、mは前記に同じ)
Embedded image (Wherein, X 1 represents a halogen atom, R X represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group or an alkenyloxy group. R 3 , R 7 , R 8 , X and m are the same as described above)

【0042】この反応工程式において、原料として用い
るアダマンタン誘導体(13)のうちXがヒドロキシル基
である化合物は、アダマンタン環にヒドロキシル基を導
入することにより得ることができる。例えば、アダマン
タン化合物をN−ヒドロキシフタルイミド等のN−ヒド
ロキシイミド系触媒と、必要に応じてコバルト化合物
(例えば、酢酸コバルト、コバルトアセチルアセトナト
等)などの金属系助触媒の存在下、酸素と接触させるこ
とにより、アダマンタン環にヒドロキシル基を導入でき
る。この方法において、N−ヒドロキシイミド系触媒の
使用量は、アダマンタン化合物1モルに対して、例えば
0.0001〜1モル、好ましくは0.001〜0.5
モル程度である。また、金属系助触媒の使用量は、アダ
マンタン化合物1モルに対して、例えば0.0001〜
0.7モル、好ましくは0.001〜0.5モル程度で
ある。酸素はアダマンタン化合物に対して過剰量用いる
場合が多い。反応は、例えば、酢酸などの有機酸、アセ
トニトリルなどのニトリル類、ジクロロエタンなどのハ
ロゲン化炭化水素などの溶媒中、常圧又は加圧下、0〜
200℃程度、好ましくは30〜150℃程度の温度で
行われる。反応条件を選択することにより、アダマンタ
ン環に複数のヒドロキシル基を導入することができる。
In this reaction scheme, a compound of the adamantane derivative (13) used as a raw material, wherein X is a hydroxyl group, can be obtained by introducing a hydroxyl group into the adamantane ring. For example, an adamantane compound is contacted with oxygen in the presence of an N-hydroxyimide catalyst such as N-hydroxyphthalimide and, if necessary, a metal promoter such as a cobalt compound (eg, cobalt acetate, cobalt acetylacetonate, etc.). By doing so, a hydroxyl group can be introduced into the adamantane ring. In this method, the amount of the N-hydroxyimide-based catalyst used is, for example, from 0.0001 to 1 mol, preferably from 0.001 to 0.5, per mol of the adamantane compound.
It is about a mole. The amount of the metal promoter used is, for example, from 0.0001 to 1 mol of the adamantane compound.
0.7 mol, preferably about 0.001 to 0.5 mol. Oxygen is often used in excess with respect to the adamantane compound. The reaction is performed, for example, in a solvent such as an organic acid such as acetic acid, a nitrile such as acetonitrile, or a halogenated hydrocarbon such as dichloroethane, at normal pressure or under pressure, from 0 to 0.
The reaction is performed at a temperature of about 200 ° C, preferably about 30 to 150 ° C. By selecting the reaction conditions, a plurality of hydroxyl groups can be introduced into the adamantane ring.

【0043】また、原料として用いるアダマンタン誘導
体(13)のうちXがカルボキシル基である化合物は、ア
ダマンタン環にカルボキシル基を導入することにより製
造できる。例えば、アダマンタン化合物をN−ヒドロキ
シフタルイミドなどのN−ヒドロキシイミド系触媒と、
必要に応じて、コバルト化合物(例えば、酢酸コバル
ト、コバルトアセチルアセトナト等)などの金属系助触
媒の存在下、一酸化炭素及び酸素と接触させることによ
り、アダマンタン化合物のアダマンタン環にカルボキシ
ル基を導入できる。このカルボキシル化反応において、
N−ヒドロキシイミド系触媒の使用量は、アダマンタン
化合物1モルに対して、例えば0.0001〜1モル、
好ましくは0.001〜0.5モル程度である。また、
金属系助触媒の使用量は、アダマンタン化合物1モルに
対して、例えば0.0001〜0.7モル、好ましくは
0.001〜0.5モル程度である。一酸化炭素及び酸
素の使用量は、例えば、アダマンタン化合物1モルに対
して、それぞれ1モル以上及び0.5モル以上である。
一酸化炭素と酸素の割合は、例えば、前者/後者(モル
比)=1/99〜99/1程度、好ましくは50/50
〜95/5程度である。カルボキシル化反応は、例え
ば、酢酸などの有機酸、アセトニトリルなどのニトリル
類、ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素などの溶
媒中、常圧又は加圧下、0〜200℃程度、好ましくは
10〜150℃程度の温度で行われる。なお、反応条件
を選択することにより、アダマンタン環に複数のカルボ
キシル基を導入できる。
Further, among the adamantane derivatives (13) used as raw materials, compounds wherein X is a carboxyl group can be produced by introducing a carboxyl group into the adamantane ring. For example, an adamantane compound is treated with an N-hydroxyimide-based catalyst such as N-hydroxyphthalimide,
If necessary, a carboxyl group is introduced into the adamantane ring of the adamantane compound by contacting with carbon monoxide and oxygen in the presence of a metal-based cocatalyst such as a cobalt compound (eg, cobalt acetate, cobalt acetylacetonate, etc.). it can. In this carboxylation reaction,
The amount of the N-hydroxyimide-based catalyst to be used is, for example, 0.0001 to 1 mol per 1 mol of the adamantane compound,
Preferably it is about 0.001-0.5 mol. Also,
The amount of the metal promoter used is, for example, about 0.0001 to 0.7 mol, preferably about 0.001 to 0.5 mol, per 1 mol of the adamantane compound. The amounts of carbon monoxide and oxygen used are, for example, 1 mol or more and 0.5 mol or more, respectively, per 1 mol of the adamantane compound.
The ratio of carbon monoxide to oxygen is, for example, the former / latter (molar ratio) = about 1/99 to 99/1, preferably 50/50.
It is about 95/5. The carboxylation reaction is, for example, an organic acid such as acetic acid, a nitrile such as acetonitrile, a solvent such as a halogenated hydrocarbon such as dichloroethane, at normal pressure or under pressure, at about 0 to 200 ° C., preferably about 10 to 150 ° C. At a temperature of By selecting reaction conditions, a plurality of carboxyl groups can be introduced into the adamantane ring.

【0044】アダマンタン誘導体(13)と1,2−ジカ
ルボニル化合物(例えば、ビアセチルなど)(14)及び
酸素との反応は、コバルト化合物(例えば、酢酸コバル
ト、コバルトアセチルアセトナト等)などの金属化合物
及び/又はN−ヒドロキシフタルイミドなどのN−ヒド
ロキシイミド系触媒の存在下で行うことができる。1,
2−ジカルボニル化合物(14)の使用量は、アダマンタ
ン誘導体(13)1モルに対して1モル以上(例えば1〜
50モル)、好ましくは1.5〜20モル、さらに好ま
しくは3〜10モル程度である。前記金属化合物の使用
量は、アダマンタン誘導体(13)1モルに対して、例え
ば0.0001〜0.1モル程度である。N−ヒドロキ
シイミド系触媒の使用量は、アダマンタン誘導体(13)
1モルに対して、例えば、0.001〜0.7モル程度
である。酸素はアダマンタン誘導体(13)に対して過剰
量用いる場合が多い。反応は、通常、有機溶媒中で行わ
れる。有機溶媒としては、例えば、酢酸などの有機酸ベ
ンゾニトリルなどのニトリル類、トリフルオロメチルベ
ンゼンなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。反
応は、常圧又は加圧下、例えば30〜250℃、好まし
くは40〜200℃程度の温度で行われる。
The reaction of the adamantane derivative (13) with a 1,2-dicarbonyl compound (eg, biacetyl) (14) and oxygen is carried out by reacting a metal compound such as a cobalt compound (eg, cobalt acetate, cobalt acetylacetonato). And / or in the presence of an N-hydroxyimide-based catalyst such as N-hydroxyphthalimide. 1,
The amount of the 2-dicarbonyl compound (14) used is 1 mol or more per 1 mol of the adamantane derivative (13) (for example, 1 to 1 mol).
50 mol), preferably 1.5 to 20 mol, more preferably about 3 to 10 mol. The amount of the metal compound to be used is, for example, about 0.0001 to 0.1 mol per 1 mol of the adamantane derivative (13). The amount of the N-hydroxyimide-based catalyst used is determined based on the adamantane derivative (13).
The amount is, for example, about 0.001 to 0.7 mol per 1 mol. Oxygen is often used in excess with respect to the adamantane derivative (13). The reaction is usually performed in an organic solvent. Examples of the organic solvent include nitriles such as benzonitrile, an organic acid such as acetic acid, and halogenated hydrocarbons such as trifluoromethylbenzene. The reaction is carried out at normal pressure or under pressure, for example, at a temperature of about 30 to 250 ° C, preferably about 40 to 200 ° C.

【0045】こうして得られるアシルアダマンタン誘導
体(15)とグリニヤール試薬(16)との反応は、通常の
グリニヤール反応に準じて行うことができる。グリニヤ
ール試薬(16)の使用量は、アシルアダマンタン誘導体
(15)1モルに対して、例えば0.7〜3モル、好まし
くは0.9〜1.5モル程度である。アシルアダマンタ
ン誘導体(15)がアダマンタン環にヒドロキシル基やカ
ルボキシル基を有するときは、その数に応じて前記グリ
ニヤール試薬の量を増加する。反応は、例えば、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類等の
中で行われる。反応温度は、例えば0〜150℃、好ま
しくは20〜100℃程度である。
The reaction between the acyladamantane derivative (15) thus obtained and the Grignard reagent (16) can be carried out according to a usual Grignard reaction. The amount of the Grignard reagent (16) to be used is, for example, about 0.7 to 3 mol, preferably about 0.9 to 1.5 mol, per 1 mol of the acyladamantane derivative (15). When the acyl adamantane derivative (15) has a hydroxyl group or a carboxyl group on the adamantane ring, the amount of the Grignard reagent is increased according to the number thereof. The reaction is performed, for example, in ethers such as diethyl ether and tetrahydrofuran. The reaction temperature is, for example, about 0 to 150 ° C, preferably about 20 to 100 ° C.

【0046】上記反応で生成したアダマンタンメタノー
ル誘導体(17)と(メタ)アクリル酸又はその誘導体
(18)との反応(エステル化反応)は、酸触媒やエステ
ル交換触媒を用いた慣用の方法により行うことができ
る。また、アダマンタンメタノール誘導体(17)と(メ
タ)アクリル酸ビニル、(メタ)アクリル酸2−プロペ
ニルなどの(メタ)アクリル酸アルケニルとを、周期表
第3族元素化合物触媒(例えば、酢酸サマリウム、トリ
フルオロメタンスルホン酸サマリウム、サマリウム錯体
などのサマリウム化合物等)の存在下で反応(エステル
交換反応)させると、温和な条件下で効率よく式(11
a)で表される化合物を得ることができる。この場合、
(メタ)アクリル酸アルケニルの使用量は、アダマンタ
ンメタノール誘導体(17)1モルに対して、例えば0.
8〜5モル、好ましくは1〜1.5モル程度である。周
期表第3族元素化合物触媒の使用量は、アダマンタンメ
タノール誘導体(17)1モルに対して、例えば0.00
1〜1モル、好ましくは0.01〜0.25モル程度で
ある。この反応は、反応に不活性な溶媒中、例えば0〜
150℃、好ましくは25〜120℃程度の温度で行わ
れる。
The reaction (esterification reaction) between the adamantane methanol derivative (17) produced by the above reaction and (meth) acrylic acid or its derivative (18) is carried out by a conventional method using an acid catalyst or a transesterification catalyst. be able to. Further, an adamantane methanol derivative (17) and an alkenyl (meth) acrylate such as vinyl (meth) acrylate and 2-propenyl (meth) acrylate are combined with a catalyst of a Group 3 element compound of the periodic table (for example, samarium acetate, trifluorofluoride). Reaction (transesterification reaction) in the presence of samarium compounds such as samarium methanesulfonate and samarium complex), the formula (11) can be efficiently obtained under mild conditions.
The compound represented by a) can be obtained. in this case,
The amount of the alkenyl (meth) acrylate used is, for example, 0.1 mol per 1 mol of the adamantane methanol derivative (17).
It is about 8 to 5 mol, preferably about 1 to 1.5 mol. The amount of the catalyst of the Group 3 element compound of the periodic table is, for example, 0.001 mol per mol of the adamantane methanol derivative (17).
It is about 1 to 1 mol, preferably about 0.01 to 0.25 mol. This reaction is carried out in a solvent inert to the reaction, for example, from 0 to
The reaction is performed at a temperature of 150 ° C, preferably about 25 to 120 ° C.

【0047】なお、上記の反応工程の適宜の段階でヒド
ロキシル基又はカルボキシル基に保護基を導入すること
により、前記化合物(11a)のうちXが保護基で保護さ
れたヒドロキシル基又は保護基で保護されたカルボキシ
ル基である化合物を得ることができる。保護基の導入は
慣用の方法により行うことができる。
Incidentally, by introducing a protecting group into a hydroxyl group or a carboxyl group at an appropriate stage of the above reaction step, X of the compound (11a) is protected by a hydroxyl group or a protecting group in which X is protected by a protecting group. A compound which is a carboxyl group obtained can be obtained. Introduction of the protecting group can be performed by a conventional method.

【0048】また、上記式(11a)で表される化合物の
うち、R7とR8とが同一の基である化合物(11a′)
は、例えば、下記反応工程式に従って得ることができ
る。
Further, among the compounds represented by the above formula (11a), the compound (11a ') wherein R 7 and R 8 are the same group
Can be obtained, for example, according to the following reaction scheme.

【化14】 (式中、Ryは炭化水素基を示す。R3、R7、X、X1
X、mは前記に同じ)
Embedded image (Wherein, R y represents a hydrocarbon group. R 3 , R 7 , X, X 1 ,
R x and m are the same as above.

【0049】前記Ryにおける炭化水素基としては、例
えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル基など
のC1-6脂肪族炭化水素基;フェニル基等が挙げられ
る。
Examples of the hydrocarbon group for R y include a C 1-6 aliphatic hydrocarbon group such as a methyl, ethyl, propyl, and isopropyl group; and a phenyl group.

【0050】この反応工程式において、原料として用い
るアダマンタンカルボン酸誘導体(19)は、前記アダマ
ンタン誘導体(13)の場合に準じて製造できる。アダマ
ンタンカルボン酸誘導体(19)とヒドロキシ化合物(2
0)との反応は、例えば酸触媒等を用いた慣用のエステ
ル化法に従って行うことができる。式(21)で表される
アダマンタンカルボン酸エステルとグリニヤール試薬
(16)との反応は、通常、反応に不活性な溶媒、例え
ば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエー
テル類中などで行われる。反応温度は、例えば0〜10
0℃程度、好ましくは10〜40℃程度である。グリニ
ヤール試薬(16)の使用量は、アダマンタンカルボン酸
エステル(21)に対して、例えば2〜4当量程度であ
る。
In this reaction scheme, the adamantanecarboxylic acid derivative (19) used as a raw material can be produced in the same manner as in the case of the adamantane derivative (13). Adamantanecarboxylic acid derivative (19) and hydroxy compound (2
The reaction with 0) can be carried out, for example, according to a conventional esterification method using an acid catalyst or the like. The reaction between the adamantanecarboxylic acid ester represented by the formula (21) and the Grignard reagent (16) is usually performed in a solvent inert to the reaction, for example, ethers such as diethyl ether and tetrahydrofuran. The reaction temperature is, for example, 0 to 10
The temperature is about 0 ° C, preferably about 10 to 40 ° C. The amount of the Grignard reagent (16) used is, for example, about 2 to 4 equivalents based on the adamantanecarboxylic acid ester (21).

【0051】アダマンタンメタノール誘導体(17a)と
(メタ)アクリル酸又はその誘導体(18)との反応(エ
ステル化反応)は、前記式(17)で表される化合物と
(メタ)アクリル酸又はその誘導体(18)との反応に準
じて行うことができる。このようにして、式(11a)で
表される化合物のうちR7とR8とが同一の基である(例
えばR7=R8=エチル基)化合物(11a′)を簡易に調
製することができる。
The reaction (esterification reaction) between the adamantane methanol derivative (17a) and (meth) acrylic acid or its derivative (18) is carried out by reacting the compound represented by the formula (17) with (meth) acrylic acid or its derivative. The reaction can be carried out according to the reaction with (18). In this way, the compound (11a ′) in which R 7 and R 8 are the same group (for example, R 7 = R 8 = ethyl group) among the compounds represented by the formula (11a) can be easily prepared. Can be.

【0052】上記式(11)で表されるモノマーのうち、
4が前記式(5)で表される基である化合物の代表的
な例として下記の化合物が挙げられる。 [2-13]1,3−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロ
イルオキシ−2−メチルアダマンタン(R3=H又はC
3、R9=CH3、Y=1−OH,3−OH、n=2) [2-14]1,5−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロ
イルオキシ−2−メチルアダマンタン(R3=H又はC
3、R9=CH3、Y=1−OH,5−OH、n=2) [2-15]1,3−ジヒドロキシ−6−(メタ)アクリロ
イルオキシ−6−メチルアダマンタン(R3=H又はC
3、R9=CH3、Y=1−OH,3−OH、n=2) [2-16]1−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオ
キシ−2−メチルアダマンタン(R3=H又はCH3、R
9=CH3、Y=1−OH、n=1) [2-17]5−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオ
キシ−2−メチルアダマンタン(R3=H又はCH3、R
9=CH3、Y=5−OH、n=1) [2-18]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチル
アダマンタン(R3=H又はCH3、R9=CH3、n=
0)
Of the monomers represented by the above formula (11),
Typical examples of the compound in which R 4 is a group represented by the above formula (5) include the following compounds. [2-13] 1,3-dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R 3 = H or C
H 3, R 9 = CH 3 , Y = 1-OH, 3-OH, n = 2) [2-14] 1,5- dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyl-adamantane (R 3 = H or C
H 3, R 9 = CH 3 , Y = 1-OH, 5-OH, n = 2) [2-15] 1,3- dihydroxy-6 (meth) acryloyloxy-6-methyl-adamantane (R 3 = H or C
H 3 , R 9 CHCH 3 , Y = 1-OH, 3-OH, n = 2) [2-16] 1-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R 3又 は H or CH 3 , R
9 CHCH 3 , Y = 1-OH, n = 1) [2-17] 5-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R 3 HH or CH 3 , R
9 = CH 3, Y = 5 -OH, n = 1) [2-18] 2- ( meth) acryloyloxy-2-methyl-adamantane (R 3 = H or CH 3, R 9 = CH 3 , n =
0)

【0053】上記式(11)で表されるモノマーのうちR
4が式(5)で表される基である化合物(11b)は、例え
ば、下記反応工程式に従って得ることができる。
Of the monomers represented by the above formula (11), R
The compound (11b) in which 4 is a group represented by the formula (5) can be obtained, for example, according to the following reaction step formula.

【化15】 (式中、R3、R9、RX、X1、Y、nは前記に同じ)Embedded image (Wherein, R 3 , R 9 , R X , X 1 , Y and n are the same as above)

【0054】この反応工程式において、アダマンタノン
誘導体(22)とグリニヤール試薬(23)との反応は、慣
用のグリニヤール反応に準じて行うことができる。グリ
ニヤール試薬(23)の使用量は、アダマンタノン誘導体
(22)1モルに対して、例えば0.7〜3モル、好まし
くは0.9〜1.5モル程度である。アダマンタノン誘
導体(22)がアダマンタン環にヒドロキシル基やカルボ
キシル基を有するときは、その数に応じて前記グリニヤ
ール試薬の量を増加する。反応は、反応に不活性な溶
媒、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランな
どのエーテル類等の中で行われる。反応温度は、例えば
0〜150℃、好ましくは20〜100℃程度である。
In this reaction scheme, the reaction between the adamanthanone derivative (22) and the Grignard reagent (23) can be carried out according to a conventional Grignard reaction. The amount of the Grignard reagent (23) to be used is, for example, about 0.7 to 3 mol, preferably about 0.9 to 1.5 mol, per 1 mol of the adamantanone derivative (22). When the adamantane derivative (22) has a hydroxyl group or a carboxyl group on the adamantane ring, the amount of the Grignard reagent is increased according to the number thereof. The reaction is carried out in a solvent inert to the reaction, for example, ethers such as diethyl ether and tetrahydrofuran. The reaction temperature is, for example, about 0 to 150 ° C, preferably about 20 to 100 ° C.

【0055】こうして得られる2−アダマンタノール誘
導体(24)を(メタ)アクリル酸又はその誘導体(18)
と反応させることにより(エステル化反応)、式(11
b)で表される化合物を得ることができる。エステル化
反応は、前記式(17)の化合物と(メタ)アクリル酸又
はその誘導体(18)との反応に準じて行うことができ
る。
The 2-adamantanol derivative (24) thus obtained is converted from (meth) acrylic acid or its derivative (18)
(Esterification reaction) to give a compound of the formula (11)
The compound represented by b) can be obtained. The esterification reaction can be performed according to the reaction between the compound of the formula (17) and (meth) acrylic acid or its derivative (18).

【0056】なお、上記方法において原料として用いる
アダマンタノン誘導体(22)のうちアダマンタン環にヒ
ドロキシル基を有する化合物は、2−アダマンタノン類
を、N−ヒドロキシフタルイミド等のN−ヒドロキシイ
ミド系触媒と、必要に応じてコバルト化合物、マンガン
化合物、バナジウム化合物などの金属系助触媒の存在
下、酸素と接触させて、アダマンタン環にヒドロキシル
基を導入することにより製造できる。この方法におい
て、N−ヒドロキシイミド系触媒の使用量は、2−アダ
マンタノン類1モルに対して、例えば0.0001〜1
モル、好ましくは0.001〜0.5モル程度である。
また、金属系助触媒の使用量は、2−アダマンタノン類
1モルに対して、例えば0.0001〜0.7モル、好
ましくは0.001〜0.5モル程度である。酸素は2
−アダマンタノン類に対して過剰量用いる場合が多い。
反応は、例えば、酢酸などの有機酸、アセトニトリルな
どのニトリル類、ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化
水素等の溶媒中、常圧又は加圧下、0〜200℃程度、
好ましくは30〜150℃程度の温度で行われる。
The adamantane derivative (22) having a hydroxyl group on the adamantane ring of the adamantanone derivative (22) used as a raw material in the above method can be obtained by converting 2-adamantanone into an N-hydroxyimide catalyst such as N-hydroxyphthalimide. If necessary, it can be produced by bringing into contact with oxygen in the presence of a metal-based cocatalyst such as a cobalt compound, a manganese compound and a vanadium compound to introduce a hydroxyl group into the adamantane ring. In this method, the amount of the N-hydroxyimide-based catalyst used is, for example, 0.0001 to 1 with respect to 1 mol of the 2-adamantanones.
Mol, preferably about 0.001 to 0.5 mol.
The amount of the metal promoter used is, for example, about 0.0001 to 0.7 mol, and preferably about 0.001 to 0.5 mol, per 1 mol of the 2-adamantanones. Oxygen is 2
-Often used in excess with respect to adamantanones.
The reaction is, for example, an organic acid such as acetic acid, a nitrile such as acetonitrile, a solvent such as a halogenated hydrocarbon such as dichloroethane, at normal pressure or under pressure, at about 0 to 200 ° C.
Preferably, it is performed at a temperature of about 30 to 150 ° C.

【0057】また、アダマンタノン誘導体(22)のうち
アダマンタン環にヒドロキシル基を有する化合物は、ア
ダマンタン類と酸素とを、前記N−ヒドロキシイミド系
触媒と強酸(例えば、ハロゲン化水素、硫酸など)と、
必要に応じて前記金属系助触媒の存在下で反応させるこ
とにより製造することもできる。前記強酸の使用量は、
アダマンタン類1モルに対して、例えば0.00001
〜1モル、好ましくは0.0005〜0.7モル程度で
ある。他の反応条件は、前記のヒドロキシル基導入反応
と同様である。
Among the adamantanone derivatives (22), compounds having a hydroxyl group on the adamantane ring include the adamantane and oxygen, the N-hydroxyimide-based catalyst and a strong acid (eg, hydrogen halide, sulfuric acid or the like). ,
If necessary, it can be produced by reacting in the presence of the metal-based cocatalyst. The amount of the strong acid used is
For example, 0.00001 per mole of adamantane
To 1 mol, preferably about 0.0005 to 0.7 mol. Other reaction conditions are the same as the above-mentioned hydroxyl group introduction reaction.

【0058】上記式(11)で表されるモノマーのうち、
4が前記式(6)で表される基である化合物には下記
の化合物が含まれる。 [2-19]2−テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート
(R3=H又はCH3、p=2) [2-20]2−テトラヒドロフラニル(メタ)アクリレート
(R1=H又はCH3、p=1)
Of the monomers represented by the above formula (11),
The compounds in which R 4 is a group represented by the above formula (6) include the following compounds. [2-19] 2-tetrahydropyranyl (meth) acrylate (R 3 HH or CH 3 , p = 2) [2-20] 2-tetrahydrofuranyl (meth) acrylate (R 1 1H or CH 3 , p = 1)

【0059】上記式(11)で表されるモノマーのうち、
4が前記式(7)で表される基である化合物として下
記の化合物が挙げられる。 [2-21]t−ブチル(メタ)アクリレート(R3=H又は
CH3、R10=R11=R12=CH3) [2-22]t−アミル(メタ)アクリレート(R3=H又は
CH3、R10=R11=CH 3、R12=エチル基)
Of the monomers represented by the above formula (11),
RFourIs a compound represented by the formula (7):
The compounds described above are included. [2-21] t-butyl (meth) acrylate (RThree= H or
CHThree, RTen= R11= R12= CHThree) [2-22] t-amyl (meth) acrylate (RThree= H or
CHThree, RTen= R11= CH Three, R12= Ethyl group)

【0060】[式(3)で表される繰り返し単位]前記
繰り返し単位3に対応するモノマーは、下記式(12)
[Repeating Unit Represented by Formula (3)] The monomer corresponding to the repeating unit 3 is represented by the following formula (12)

【化16】 (式中、R5、R6は前記に同じ)で表される。Embedded image (Wherein, R 5 and R 6 are the same as described above).

【0061】上記式(12)で表されるモノマーのうち、
6が前記式(8)で表される基である化合物の代表的
な例として下記の化合物が挙げられる。 [3-1]1−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロイルオ
キシアダマンタン(R5=H又はCH3、t=0、A環=
アダマンタン環、Z=OH、q=1) [3-2]1,3−ジヒドロキシ−5−(メタ)アクリロ
イルオキシアダマンタン(R5=H又はCH3、t=0、
A環=アダマンタン環、Z=OH、q=2) [3-3]1−カルボキシ−3−(メタ)アクリロイルオ
キシアダマンタン(R5=H又はCH3、t=0、A環=
アダマンタン環、Z=COOH、q=1) [3-4]1,3−ジカルボキシ−5−(メタ)アクリロ
イルオキシアダマンタン(R5=H又はCH3、t=0、
A環=アダマンタン環、Z=COOH、q=2)[3-
5]1−カルボキシ−3−ヒドロキシ−5−(メタ)ア
クリロイルオキシアダマンタン(R5=H又はCH3、t
=0、A環=アダマンタン環、Z=COOH,OH、q
=2) [3-6]1−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキソ
アダマンタン(R5=H又はCH3、t=0、A環=アダ
マンタン環、Z=オキソ基、q=1) [3-7]3−ヒドロキシ−1−(メタ)アクリロイルオ
キシ−4−オキソアダマンタン(R5=H又はCH3、t
=0、A環=アダマンタン環、Z=OH,オキソ基、q
=2) [3-8]7−ヒドロキシ−1−(メタ)アクリロイルオ
キシ−4−オキソアダマンタン(R5=H又はCH3、t
=0、A環=アダマンタン環、Z=OH,オキソ基、q
=2) [3-9]1−t−ブトキシカルボニル−3−(メタ)ア
クリロイルオキシアダマンタン(R5=H又はCH3、t
=0、A環=アダマンタン環、Z=t−ブトキシカルボ
ニル基、q=1) [3-10]1,3−ビス(t−ブトキシカルボニル)−5
−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R5=H
又はCH3、t=0、A環=アダマンタン環、Z=t−
ブトキシカルボニル基,t−ブトキシカルボニル基、q
=2) [3-11]1−t−ブトキシカルボニル−3−ヒドロキシ
−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R5
=H又はCH3、t=0、A環=アダマンタン環、Z=
OH,t−ブトキシカルボニル基、q=2) [3-12]1−(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボ
ニル)−3−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン
(R5=H又はCH3、t=0、A環=アダマンタン環、
Z=2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、q
=1) [3-13]1,3−ビス(2−テトラヒドロピラニルオキ
シカルボニル)−5−(メタ)アクリロイルオキシアダ
マンタン(R5=H又はCH3、t=0、A環=アダマン
タン環、Z=2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニ
ル基,2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、
q=2) [3-14]1−ヒドロキシ−3−(2−テトラヒドロピラ
ニルオキシカルボニル)−5−(メタ)アクリロイルオ
キシアダマンタン(R5=H又はCH3、t=0、A環=
アダマンタン環、Z=OH,2−テトラヒドロピラニル
オキシカルボニル基、q=2) [3-15]8−ヒドロキシメチル−4−(メタ)アクリロイ
ルオキシメチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ
ン(R5=H又はCH3、t=1、A環=トリシクロ
[5.2.1.02,6]デカン環、Z=ヒドロキシメチ
ル基、q=1) [3-16]4−ヒドロキシメチル−8−(メタ)アクリロイ
ルオキシメチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ
ン(R5=H又はCH3、t=1、A環=トリシクロ
[5.2.1.02,6]デカン環、Z=ヒドロキシメチ
ル基、q=1) [3-17]3−オキソシクロヘキシル(メタ)アクリレー
ト(R5=H又はCH3、t=0、A環=シクロヘキサン
環、Z=オキソ基、q=1)
Of the monomers represented by the above formula (12),
Typical examples of the compound in which R 6 is a group represented by the above formula (8) include the following compounds. [3-1] 1-hydroxy-3- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H or CH 3, t = 0, A ring =
Adamantane ring, Z = OH, q = 1 ) [3-2] 1,3- dihydroxy-5- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H or CH 3, t = 0,
A ring = adamantane ring, Z = OH, q = 2 ) [3-3] 1- carboxy-3- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H or CH 3, t = 0, A ring =
Adamantane ring, Z = COOH, q = 1 ) [3-4] 1,3- dicarboxy-5- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H or CH 3, t = 0,
A ring = adamantane ring, Z = COOH, q = 2) [3-
5] 1-carboxy-3-hydroxy-5- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H or CH 3, t
= 0, A ring = adamantane ring, Z = COOH, OH, q
= 2) [3-6] 1- (meth) acryloyloxy-4-oxo-adamantane (R 5 = H or CH 3, t = 0, A ring = adamantane ring, Z = oxo group, q = 1) [3 -7] 3-hydroxy-1- (meth) acryloyloxy-4-oxoadamantane (R 5 HH or CH 3 , t
= 0, ring A = adamantane ring, Z = OH, oxo group, q
= 2) [3-8] 7-hydroxy-1- (meth) acryloyloxy-4-oxo-adamantane (R 5 = H or CH 3, t
= 0, ring A = adamantane ring, Z = OH, oxo group, q
= 2) [3-9] 1- t- butoxycarbonyl-3- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H or CH 3, t
= 0, ring A = adamantane ring, Z = t-butoxycarbonyl group, q = 1) [3-10] 1,3-bis (t-butoxycarbonyl) -5
- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H
Or CH 3 , t = 0, ring A = adamantane ring, Z = t-
Butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, q
= 2) [3-11] 1- t- butoxycarbonyl-3-hydroxy-5- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5
= H or CH 3 , t = 0, ring A = adamantane ring, Z =
OH, t-butoxycarbonyl group, q = 2) [3-12] 1- (2- tetrahydropyranyloxy) -3- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H or CH 3, t = 0, A ring = adamantane ring,
Z = 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, q
= 1) [3-13] 1,3-bis (2-tetrahydropyranyloxy carbonyl) -5- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H or CH 3, t = 0, A ring = adamantane ring, Z = 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group,
q = 2) [3-14] 1- hydroxy-3- (2-tetrahydropyranyloxy carbonyl) -5- (meth) acryloyloxy adamantane (R 5 = H or CH 3, t = 0, A ring =
Adamantane ring, Z = OH, 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, q = 2) [3-15] 8-hydroxymethyl-4- (meth) acryloyloxymethyltricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] decane (R 5 HH or CH 3 , t = 1, ring A = tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring, Z = hydroxymethyl group, q = 1) [3-16] 4-hydroxymethyl-8- (meth) acryloyloxymethyltricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane (R 5 = H or CH 3 , t = 1, Ring A = tricyclo [5.2. 1.0 2,6 ] decane ring, Z = hydroxymethyl group, q = 1) [3-17] 3-oxocyclohexyl (meth) acrylate (R 5 HH or CH 3 , t = 0, ring A = cyclohexane Ring, Z = oxo group, q = 1)

【0062】上記式(12)で表されるモノマーのうちR
6が式(8)で表される基である化合物は、例えば、下
記反応工程式に従って得ることができる。
Of the monomers represented by the above formula (12), R
The compound in which 6 is a group represented by the formula (8) can be obtained, for example, according to the following reaction step formula.

【化17】 (式中、A環、R5、Rx、Z、t、qは前記に同じ)Embedded image (Wherein, A ring, R 5 , R x , Z, t, and q are the same as described above)

【0063】この反応工程式において、原料として用い
る式(25)で表される化合物のうちA環がアダマンタン
環である化合物は、アダマンタン化合物のアダマンタン
環にヒドロキシル基やカルボキシル基等を導入すること
により得られる。アダマンタン環へのヒドロキシル基、
カルボキシル基等の導入方法としては前記の方法が挙げ
られる。化合物(25)と(メタ)アクリル酸又はその誘
導体(26)との反応(エステル化反応)は、前記式(1
7)で表される化合物と(メタ)アクリル酸又はその誘
導体(18)との反応に準じて行うことができる。
In this reaction scheme, among the compounds represented by the formula (25) used as a raw material, the compound in which the ring A is an adamantane ring is obtained by introducing a hydroxyl group, a carboxyl group or the like into the adamantane ring of the adamantane compound. can get. A hydroxyl group to the adamantane ring,
Examples of the method for introducing a carboxyl group or the like include the above-described methods. The reaction (esterification reaction) between the compound (25) and (meth) acrylic acid or its derivative (26) is carried out according to the above formula (1)
The reaction can be carried out according to the reaction of the compound represented by 7) with (meth) acrylic acid or its derivative (18).

【0064】上記式(12)で表されるモノマーのうち、
6が前記式(9)で表される基である化合物の代表的
な例として下記の化合物が挙げられる。 [3-18]2−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラ
クトン [3-19]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチル−
γ−ブチロラクトン [3-20]2−(メタ)アクリロイルオキシ−4,4−ジメ
チル−γ−ブチロラクトン [3-21]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2,4,4−
トリメチル−γ−ブチロラクトン [3-22]2−(メタ)アクリロイルオキシ−3,4,4−
トリメチル−γ−ブチロラクトン [3-23]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2,3,4,
4−テトラメチル−γ−ブチロラクトン [3-24]2−(メタ)アクリロイルオキシ−3,3,4−
トリメチル−γ−ブチロラクトン [3-25]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2,3,3,
4−テトラメチル−γ−ブチロラクトン [3-26]2−(メタ)アクリロイルオキシ−3,3,4,
4−テトラメチル−γ−ブチロラクトン [3-27]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2,3,3,
4,4−ペンタメチル−γ−ブチロラクトン [3-28]3−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロ
ラクトン [3-29]3−(メタ)アクリロイルオキシ−3−メチル
−γ−ブチロラクトン [3-30]3−(メタ)アクリロイルオキシ−4−メチル
−γ−ブチロラクトン [3-31]3−(メタ)アクリロイルオキシ−3,4−ジ
メチル−γ−ブチロラクトン [3-32]3−(メタ)アクリロイルオキシ−4,4−ジ
メチル−γ−ブチロラクトン [3-33]3−(メタ)アクリロイルオキシ−3,4,4
−トリメチル−γ−ブチロラクトン
Of the monomers represented by the above formula (12),
Representative examples of the compound in which R 6 is a group represented by the above formula (9) include the following compounds. [3-18] 2- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone [3-19] 2- (meth) acryloyloxy-2-methyl-
γ-butyrolactone [3-20] 2- (meth) acryloyloxy-4,4-dimethyl-γ-butyrolactone [3-21] 2- (meth) acryloyloxy-2,4,4-
Trimethyl-γ-butyrolactone [3-22] 2- (meth) acryloyloxy-3,4,4-
Trimethyl-γ-butyrolactone [3-23] 2- (meth) acryloyloxy-2,3,4
4-tetramethyl-γ-butyrolactone [3-24] 2- (meth) acryloyloxy-3,3,4-
Trimethyl-γ-butyrolactone [3-25] 2- (meth) acryloyloxy-2,3,3
4-tetramethyl-γ-butyrolactone [3-26] 2- (meth) acryloyloxy-3,3,4,4
4-tetramethyl-γ-butyrolactone [3-27] 2- (meth) acryloyloxy-2,3,3
4,4-pentamethyl-γ-butyrolactone [3-28] 3- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone [3-29] 3- (meth) acryloyloxy-3-methyl-γ-butyrolactone [3-30] 3- (meth) acryloyloxy-4-methyl-γ-butyrolactone [3-31] 3- (meth) acryloyloxy-3,4-dimethyl-γ-butyrolactone [3-32] 3- (meth) acryloyloxy- 4,4-dimethyl-γ-butyrolactone [3-33] 3- (meth) acryloyloxy-3,4,4
-Trimethyl-γ-butyrolactone

【0065】上記式(12)で表されるモノマーのうち、
6が式(9)で表される基であって、且つs=0、r
=2である化合物(12b)は、例えば、下記反応工程式
に従って得ることができる。
Of the monomers represented by the above formula (12),
R 6 is a group represented by the formula (9), and s = 0, r
= 2 can be obtained, for example, according to the following reaction scheme.

【化18】 (式中、Rzは炭化水素基を示す。R14a、R14b
15a、R15bは、同一又は異なって、水素原子又はアル
キル基を示す。R5、R13、RXは前記に同じ)
Embedded image (Wherein, R z represents a hydrocarbon group. R 14a , R 14b ,
R 15a and R 15b are the same or different and each represent a hydrogen atom or an alkyl group. R 5 , R 13 and RX are the same as described above)

【0066】上記反応工程式中、Rzにおける炭化水素
基としては、メチル、エチル、プロピル、s−ブチル、
t−ブチル、ビニル、アリル基などの炭素数1〜6程度
の脂肪族炭化水素基(アルキル基、アルケニル基又はア
ルキニル基);フェニル基、ナフチル基などの芳香族炭
化水素基;シクロアルキル基などの脂環式炭化水素基な
どが挙げられる。R14a、R14b、R15a、R15bにおける
アルキル基は、R14、R15におけるアルキル基と同様で
ある。
In the above reaction scheme, the hydrocarbon group for R z includes methyl, ethyl, propyl, s-butyl,
aliphatic hydrocarbon groups having about 1 to 6 carbon atoms such as t-butyl, vinyl and allyl groups (alkyl groups, alkenyl groups or alkynyl groups); aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group and naphthyl group; cycloalkyl groups And an alicyclic hydrocarbon group. The alkyl group for R 14a , R 14b , R 15a and R 15b is the same as the alkyl group for R 14 and R 15 .

【0067】α,β−不飽和カルボン酸エステル(27)
とアルコール(28)と酸素との反応は、N−ヒドロキシ
フタルイミドなどのN−ヒドロキシイミド系触媒と、必
要に応じてコバルト化合物(例えば、酢酸コバルト、コ
バルトアセチルアセトナト等)などの金属系助触媒の存
在下で行われる。α,β−不飽和カルボン酸エステル
(27)とアルコール(28)の比率は、両化合物の種類
(価格、反応性等)により適宜選択できる。例えば、ア
ルコール(28)をα,β−不飽和カルボン酸エステル
(27)に対して過剰(例えば、2〜50モル倍程度)に
用いてもよく、逆に、α,β−不飽和カルボン酸エステ
ル(27)をアルコール(28)に対して過剰に用いてもよ
い。N−ヒドロキシイミド系触媒の使用量は、α,β−
不飽和カルボン酸エステル(27)とアルコール(28)の
うち少量用いる方の化合物1モルに対して、例えば0.
0001〜1モル、好ましくは0.001〜0.5モル
程度である。また、金属系助触媒の使用量は、α,β−
不飽和カルボン酸エステル(27)とアルコール(28)の
うち少量用いる方の化合物1モルに対して、例えば0.
0001〜0.7モル、好ましくは0.001〜0.5
モル程度である。酸素はα,β−不飽和カルボン酸エス
テル(27)とアルコール(28)のうち少量用いる方の化
合物に対して過剰量用いる場合が多い。反応は、例え
ば、酢酸などの有機酸、アセトニトリルなどのニトリル
類、トリフルオロメチルベンゼンなどのハロゲン化炭化
水素、酢酸エチルなどのエステル類などの溶媒中、常圧
又は加圧下、0〜150℃程度、好ましくは30〜10
0℃程度の温度で行われる。
Α, β-unsaturated carboxylic acid ester (27)
The reaction between alcohol and alcohol (28) with oxygen is carried out by an N-hydroxyimide-based catalyst such as N-hydroxyphthalimide and, if necessary, a metal-based cocatalyst such as a cobalt compound (eg, cobalt acetate, cobalt acetylacetonate, etc.). Done in the presence of The ratio between the α, β-unsaturated carboxylic acid ester (27) and the alcohol (28) can be appropriately selected depending on the type (price, reactivity, etc.) of both compounds. For example, the alcohol (28) may be used in excess (for example, about 2 to 50 times by mole) with respect to the α, β-unsaturated carboxylic acid ester (27). The ester (27) may be used in excess with respect to the alcohol (28). The amount of the N-hydroxyimide-based catalyst used is α, β-
For example, 0.1 mol of the unsaturated carboxylic acid ester (27) and the alcohol (28) may be used with respect to 1 mol of the compound used in a small amount.
It is about 0001 to 1 mol, preferably about 0.001 to 0.5 mol. The amount of the metal promoter used is α, β-
For example, 0.1 mol of the unsaturated carboxylic acid ester (27) and the alcohol (28) may be used with respect to 1 mol of the compound used in a small amount.
0001-0.7 mol, preferably 0.001-0.5
It is about a mole. Oxygen is often used in excess of the α, β-unsaturated carboxylic acid ester (27) and the alcohol (28), which are used in small amounts. The reaction is, for example, in a solvent such as an organic acid such as acetic acid, a nitrile such as acetonitrile, a halogenated hydrocarbon such as trifluoromethylbenzene, or an ester such as ethyl acetate, at about 0 to 150 ° C. under normal pressure or pressure. , Preferably 30 to 10
This is performed at a temperature of about 0 ° C.

【0068】こうして得られたα−ヒドロキシ−γ−ブ
チロラクトン誘導体(29)と(メタ)アクリル酸又はそ
の誘導体(26)との反応は、前記1−アダマンタノール
誘導体(17)と(メタ)アクリル酸又はその誘導体(1
8)との反応に準じて行うことができる。
The reaction of the α-hydroxy-γ-butyrolactone derivative (29) thus obtained with (meth) acrylic acid or its derivative (26) is carried out by the above-mentioned 1-adamantanol derivative (17) and (meth) acrylic acid. Or its derivative (1
8).

【0069】上記式(12)で表されるモノマーのうち、
6が前記式(9)で表される基であって、且つs=r
=1、R16=R17=Hである化合物(12c)は、例え
ば、下記反応工程式に従って得ることができる。
Of the monomers represented by the above formula (12),
R 6 is a group represented by the above formula (9), and s = r
= 1 and R 16 = R 17 = H can be obtained, for example, according to the following reaction scheme.

【化19】 (式中、R5、R13、R14、R15、RXは前記に同じ)Embedded image (Wherein, R 5 , R 13 , R 14 , R 15 and R X are the same as described above)

【0070】上記の反応工程式において、式(30)で表
されるα−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン類の式(3
1)で表されるβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン類
への変換(異性化)は、式(30)の化合物を、必要に応
じて水や、硫酸、塩酸等の酸を少量添加した溶媒中に溶
解させることにより行うことができる。溶媒としては、
特に限定されず、例えば、アセトニトリル、酢酸、酢酸
エチルなどを使用できる。反応温度は、例えば0〜15
0℃、好ましくは20〜100℃程度である。原料とし
て用いるα−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン類(30)
は、前記式(29)で表される化合物と同様にして製造で
きる。なお、式(31)の化合物は、式(30)の化合物を
五酸化リンと反応させて(脱水反応)、対応するα,β
−不飽和−γ−ブチロラクトンとし、これを過酸化水素
やm−クロロ過安息香酸等の過酸と反応させて二重結合
をエポキシ化し、次いでPd−C等の触媒の存在下、水
素添加することにより得ることもできる。また、式(3
1)の化合物は、β−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン
類を得る公知の方法により製造することもできる。
In the above reaction scheme, the α-hydroxy-γ-butyrolactone represented by the formula (30) is represented by the formula (3
The conversion (isomerization) to the β-hydroxy-γ-butyrolactone represented by 1) is performed by converting the compound of the formula (30) into a solvent to which a small amount of an acid such as water or sulfuric acid or hydrochloric acid is added, if necessary. Can be performed. As the solvent,
There is no particular limitation, and for example, acetonitrile, acetic acid, ethyl acetate and the like can be used. The reaction temperature is, for example, 0 to 15
0 ° C., preferably about 20 to 100 ° C. Α-Hydroxy-γ-butyrolactones used as raw materials (30)
Can be produced in the same manner as in the compound represented by the formula (29). The compound of the formula (31) is obtained by reacting the compound of the formula (30) with phosphorus pentoxide (dehydration reaction) to obtain the corresponding α, β
-Unsaturated-γ-butyrolactone, which is reacted with hydrogen peroxide or a peracid such as m-chloroperbenzoic acid to epoxidize the double bond, and then hydrogenated in the presence of a catalyst such as Pd-C Can also be obtained. Equation (3
The compound of 1) can also be produced by a known method for obtaining β-hydroxy-γ-butyrolactones.

【0071】β−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン類
(31)と式(26)で表される(メタ)アクリル酸又はそ
の誘導体との反応は、前記式(17)の化合物と(メタ)
アクリル酸又はその誘導体(18)との反応に準じて行う
ことができる。
The reaction of β-hydroxy-γ-butyrolactones (31) with (meth) acrylic acid represented by the formula (26) or a derivative thereof is carried out by reacting the compound of the above formula (17) with (meth)
The reaction can be carried out according to the reaction with acrylic acid or its derivative (18).

【0072】本発明の高分子化合物のレジスト特性を微
調整するために用いてもよい単量体として、以下の化合
物が例示できる。 [4-1]1−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン [4-2]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3,5−ジ
メチルアダマンタン [4-3]4−(メタ)アクリロイルオキシメチルテトラシ
クロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン [4-4]2−(メタ)アクリロイルオキシノルボルナン [4-5]2−(メタ)アクリロイルオキシイソボルナン [4-6]2−(メタ)アクリロイルオキシメチルノルボル
ナン [4-7](メタ)アクリル酸 前記モノマーの共重合は、イオン重合、リビング重合で
あってもよいが、通常はラジカル重合により行われる。
ラジカル重合の場合に使用される重合開始剤としては、
特に限定されず、例えば、過硫酸カリウム、過硫酸アン
モニウム、t−ブチルパーオキサイド、クメンヒドロパ
ーオキサイド、過酸化アセチル、過酸化ベンゾイル、過
酸化ラウロイル、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビ
スシクロヘキサンカルボニトリル、アゾビスイソ酪酸メ
チル、アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩、アゾビスシ
アノ吉草酸等が挙げられる。
The following compounds can be exemplified as monomers which may be used for finely adjusting the resist properties of the polymer compound of the present invention. [4-1] 1- (meth) acryloyloxyadamantane [4-2] 1- (meth) acryloyloxy-3,5-dimethyladamantane [4-3] 4- (meth) acryloyloxymethyltetracyclo [4. 4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane [4-4] 2- (meth) acryloyloxynorbornane [4-5] 2- (meth) acryloyloxyisobornane [4-6] 2- (meth) acryloyloxymethylnorbornane [4 -7] (Meth) acrylic acid The copolymerization of the monomer may be ionic polymerization or living polymerization, but is usually performed by radical polymerization.
As the polymerization initiator used in the case of radical polymerization,
Not particularly limited, for example, potassium persulfate, ammonium persulfate, t-butyl peroxide, cumene hydroperoxide, acetyl peroxide, benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, azobisisobutyronitrile, azobiscyclohexanecarbonitrile, Examples include methyl azobisisobutyrate, azobisisobutylamidine hydrochloride, and azobiscyanovaleric acid.

【0073】重合方式は溶液重合、塊状重合、乳化重合
等の何れであってもよいが、通常は溶液重合である。重
合温度は重合方式によっても異なるが、通常50〜12
0℃、好ましくは60〜90℃程度である。
The polymerization method may be any of solution polymerization, bulk polymerization, emulsion polymerization and the like, but is usually solution polymerization. The polymerization temperature varies depending on the polymerization system, but is usually 50 to 12
0 ° C., preferably about 60 to 90 ° C.

【0074】生成したポリマーは慣用の方法により精製
できる。例えば、重合反応終了後、ポリマー溶液にペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、石油エーテルなどの炭化水
素系溶媒を加えてポリマーを沈殿させ、ポリマーを濾別
した後、テトラヒドロフラン(THF)などの溶媒に溶
解し、再度前記炭化水素系溶媒等を加えて再沈殿させる
ことにより高純度のポリマーを得ることができる。
The produced polymer can be purified by a conventional method. For example, after the polymerization reaction is completed, a hydrocarbon solvent such as pentane, hexane, heptane, petroleum ether or the like is added to the polymer solution to precipitate the polymer, the polymer is separated by filtration, and then dissolved in a solvent such as tetrahydrofuran (THF). A high-purity polymer can be obtained by re-precipitation by adding the above-mentioned hydrocarbon solvent or the like again.

【0075】本発明のレジスト組成物は、前記本発明の
高分子化合物と光酸発生剤とを含んでいる。光酸発生剤
としては、露光により効率よく酸を生成する慣用乃至公
知の化合物、例えば、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩
(例えば、ジフェニルヨードヘキサフルオロホスフェー
トなど)、スルホニウム塩(例えば、トリフェニルスル
ホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニル
スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニ
ルスルホニウムメタンスルホネートなど)、スルホン酸
エステル[例えば、1−フェニル−1−(4−メチルフ
ェニル)スルホニルオキシ−1−ベンゾイルメタン、
1,2,3−トリスルホニルオキシメチルベンゼン、
1,3−ジニトロ−2−(4−フェニルスルホニルオキ
シメチル)ベンゼン、1−フェニル−1−(4−メチル
フェニルスルホニルオキシメチル)−1−ヒドロキシ−
1−ベンゾイルメタンなど]、オキサチアゾール誘導
体、s−トリアジン誘導体、ジスルホン誘導体(ジフェ
ニルジスルホンなど)、イミド化合物、オキシムスルホ
ネート、ジアゾナフトキノン、ベンゾイントシレートな
どを使用できる。これらの光酸発生剤は単独で又は2種
以上組み合わせて使用できる。
The resist composition of the present invention contains the polymer compound of the present invention and a photoacid generator. Examples of the photoacid generator include commonly used or known compounds that efficiently generate an acid upon exposure to light, such as diazonium salts, iodonium salts (eg, diphenyliodohexafluorophosphate), and sulfonium salts (eg, triphenylsulfonium hexafluoroantimony). , Triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium methanesulfonate, etc.), sulfonic acid esters [for example, 1-phenyl-1- (4-methylphenyl) sulfonyloxy-1-benzoylmethane,
1,2,3-trisulfonyloxymethylbenzene,
1,3-dinitro-2- (4-phenylsulfonyloxymethyl) benzene, 1-phenyl-1- (4-methylphenylsulfonyloxymethyl) -1-hydroxy-
1-benzoylmethane, etc.], oxathiazole derivatives, s-triazine derivatives, disulfone derivatives (eg, diphenyldisulfone), imide compounds, oxime sulfonates, diazonaphthoquinone, benzoin tosylate, and the like. These photoacid generators can be used alone or in combination of two or more.

【0076】光酸発生剤の使用量は、光照射により生成
する酸の強度や前記高分子化合物における各モノマー単
位の比率などに応じて適宜選択でき、例えば、前記高分
子化合物100重量部に対して0.1〜30重量部、好
ましくは1〜25重量部、さらに好ましくは2〜20重
量部程度の範囲から選択できる。
The amount of the photoacid generator to be used can be appropriately selected according to the strength of the acid generated by light irradiation, the ratio of each monomer unit in the polymer compound, and the like. 0.1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 25 parts by weight, more preferably about 2 to 20 parts by weight.

【0077】レジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂
(例えば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、イミド樹
脂、カルボキシル基含有樹脂など)などのアルカリ可溶
成分、着色剤(例えば、染料など)、有機溶媒(例え
ば、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、アルコール
類、エステル類、アミド類、ケトン類、エーテル類、セ
ロソルブ類、カルビトール類、グリコールエーテルエス
テル類、これらの混合溶媒など)などを含んでいてもよ
い。
The resist composition includes an alkali-soluble component such as an alkali-soluble resin (eg, a novolak resin, a phenol resin, an imide resin, a carboxyl group-containing resin), a coloring agent (eg, a dye), and an organic solvent (eg, a dye). Hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, alcohols, esters, amides, ketones, ethers, cellosolves, carbitols, glycol ether esters, mixed solvents thereof, and the like). .

【0078】このレジスト組成物を基材又は基板上に塗
布し、乾燥した後、所定のマスクを介して、塗膜(レジ
スト膜)に光線を露光して(又は、さらに露光後ベーク
を行い)潜像パターンを形成し、次いで現像することに
より、微細なパターンを高い精度で形成できる。
The resist composition is applied on a substrate or a substrate, dried, and then exposed to light (or a post-exposure bake) on the coating film (resist film) through a predetermined mask. By forming a latent image pattern and then developing it, a fine pattern can be formed with high precision.

【0079】本発明では、前記高分子化合物が特定構造
の繰り返し単位1を含んでいるため、成膜性に優れ、均
質なレジスト膜を作業性よく簡易に形成できる。また、
形成されたレジスト膜は脆さが改善され、割れにくいと
いう優れた特性を有する。
In the present invention, since the polymer compound contains the repeating unit 1 having a specific structure, the polymer compound is excellent in film formability, and a uniform resist film can be easily formed with good workability. Also,
The formed resist film has excellent characteristics that the brittleness is improved and the film is hard to be broken.

【0080】基材又は基板としては、シリコンウエハ、
金属、プラスチック、ガラス、セラミックなどが挙げら
れる。レジスト組成物の塗布は、スピンコータ、ディッ
プコータ、ローラコータなどの慣用の塗布手段を用いて
行うことができる。塗膜の厚みは、例えば0.1〜20
μm、好ましくは0.3〜2μm程度である。
As the substrate or substrate, a silicon wafer,
Examples include metal, plastic, glass, and ceramic. The application of the resist composition can be performed using a conventional application means such as a spin coater, a dip coater, and a roller coater. The thickness of the coating film is, for example, 0.1 to 20.
μm, preferably about 0.3 to 2 μm.

【0081】露光には、種々の波長の光線、例えば、紫
外線、X線などが利用でき、半導体レジスト用では、通
常、g線、i線、エキシマレーザー(例えば、XeC
l、KrF、KrCl、ArF、ArClなど)などが
使用される。露光エネルギーは、例えば1〜1000m
J/cm2、好ましくは10〜500mJ/cm2程度で
ある。
Light of various wavelengths, for example, ultraviolet rays, X-rays, etc., can be used for exposure. For semiconductor resists, g-rays, i-rays, excimer lasers (eg, XeC
1, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc.) are used. Exposure energy is, for example, 1 to 1000 m
J / cm 2 , preferably about 10 to 500 mJ / cm 2 .

【0082】光照射により光酸発生剤から酸が生成し、
この酸により前記高分子化合物のうち酸脱離性基が速や
かに脱離して、可溶化に寄与するカルボキシル基等が生
成する。そのため、水又はアルカリ現像液による現像に
より、所定のパターンを精度よく形成できる。
Upon irradiation with light, an acid is generated from the photoacid generator,
With this acid, the acid-eliminable group in the polymer compound is quickly eliminated to form a carboxyl group or the like that contributes to solubilization. Therefore, a predetermined pattern can be accurately formed by development with water or an alkali developing solution.

【0083】[0083]

【発明の効果】本発明によれば、高分子化合物がガラス
転移温度を広い範囲で調整できる特定構造の繰り返し単
位を有しているので、アルカリ可溶性や基板密着性等の
レジスト特性を保持しつつ、成膜性及びレジスト膜の脆
さ等の塗膜特性を大きく改善できる。そのため、均質で
脆さの低いレジスト薄膜を簡易に且つ効率よく形成する
ことができる。
According to the present invention, since the polymer compound has a repeating unit having a specific structure capable of adjusting the glass transition temperature in a wide range, the resist properties such as alkali solubility and substrate adhesion can be maintained. And film properties such as film formability and brittleness of the resist film can be greatly improved. Therefore, a uniform and low brittle resist thin film can be easily and efficiently formed.

【0084】[0084]

【実施例】以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定
されるものではない。なお、化合物番号(モノマー番
号)の後ろに「アクリレート」とあるのは、明細中に記
載の化合物番号に相当する2つの化合物のうちアクリロ
イルオキシ基を有する化合物を示し、「メタクリレー
ト」とあるのは、前記2つの化合物のうちメタクリロイ
ルオキシ基を有する化合物を示す。構造式中の括弧の右
下の数字は該モノマー単位のモル%を示す。「n−B
u」はn−ブチル基、「n−Pr」はn−プロピル基を
表す。
The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, which should not be construed as limiting the invention thereto. In addition, "acrylate" after the compound number (monomer number) indicates a compound having an acryloyloxy group among two compounds corresponding to the compound number described in the specification, and "methacrylate" means And a compound having a methacryloyloxy group among the above two compounds. The number at the lower right of the parenthesis in the structural formula indicates the mol% of the monomer unit. "N-B
“u” represents an n-butyl group, and “n-Pr” represents an n-propyl group.

【0085】製造例1 (2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジメチル−γ−
ブチロラクトン[3-20(メタクリレート)]の製造) アクリル酸エチル3ミリモル、2−プロパノール3m
l、N−ヒドロキシフタルイミド0.6ミリモル、酢酸
コバルト(II)0.003ミリモル、コバルトアセチル
アセトナト(III)0.015ミリモル、及びアセトニ
トリル1mlの混合物を、酸素雰囲気下(1気圧)、6
0℃で12時間撹拌した。反応混合液を濃縮し、濃縮液
をシリカゲルクロマトグラフィーに付すことにより、2
−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−γ−ブチロラクトン
を収率75%で得た。 [2−ヒドロキシ−4,4−ジメチル−γ−ブチロラク
トンのスペクトルデータ]1 H−NMR(CDCl3) δ:1.42(s,3
H),1.51(s,3H),2.06(dd,1
H),2.52(dd,1H),3.03(brs,1
H),4.63(t,1H) 上記方法により得た2−ヒドロキシ−4,4−ジメチル
−γ−ブチロラクトン100ミリモル、メタクリル酸ク
ロリド150ミリモル、トリエチルアミン150ミリモ
ル及びトルエン300mlの混合物を、25℃で4時間
攪拌した。反応混合液に水を加えた後、有機層を濃縮
し、濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付
すことにより、2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジ
メチル−γ−ブチロラクトンを収率85%で得た。 [2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジメチル−γ−
ブチロラクトンのスペクトルデータ]1 H−NMR(CDCl3) δ:1.42(s,3
H),1.48(s,3H),1.90(s,3H),
2.15(dd,1H),2.62(dd,1H),
5.66(brs,1H),6.18(brs,1H)
Production Example 1 (2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-γ-
Production of butyrolactone [3-20 (methacrylate)] Ethyl acrylate 3 mmol, 2-propanol 3 m
1, a mixture of 0.6 mmol of N-hydroxyphthalimide, 0.003 mmol of cobalt (II) acetate, 0.015 mmol of cobalt acetylacetonato (III), and 1 ml of acetonitrile under an oxygen atmosphere (1 atm.)
Stirred at 0 ° C. for 12 hours. The reaction mixture is concentrated and the concentrate is subjected to silica gel chromatography to give 2
-Hydroxy-4,4-dimethyl-γ-butyrolactone was obtained in a yield of 75%. [Spectral data of 2-hydroxy-4,4-dimethyl-γ-butyrolactone] 1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.42 (s, 3)
H), 1.51 (s, 3H), 2.06 (dd, 1
H), 2.52 (dd, 1H), 3.03 (brs, 1
H), 4.63 (t, 1H) A mixture of 100 mmol of 2-hydroxy-4,4-dimethyl-γ-butyrolactone, 150 mmol of methacrylic acid chloride, 150 mmol of triethylamine and 300 ml of toluene obtained by the above method was added at 25 ° C. For 4 hours. After water was added to the reaction mixture, the organic layer was concentrated, and the concentrate was subjected to silica gel column chromatography to obtain 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-γ-butyrolactone in a yield of 85%. . [2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-γ-
Spectrum data of butyrolactone] 1 H-NMR (CDCl 3 ) δ: 1.42 (s, 3
H), 1.48 (s, 3H), 1.90 (s, 3H),
2.15 (dd, 1H), 2.62 (dd, 1H),
5.66 (brs, 1H), 6.18 (brs, 1H)

【0086】実施例1 下記に示す構造の樹脂の合成Example 1 Synthesis of a resin having the structure shown below

【化20】 三角フラスコに、メタクリル酸n−ブチル[1-2](メタ
クリレート)0.0003g(0.002ミリモル)、
2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン
[2-18](メタクリレート)2.31g(10ミリモ
ル)、2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジメチル−
γ−ブチロラクトン[3-20] (メタクリレート)1.9
9g(10ミリモル)および開始剤(和光純薬工業
(株)製 V-65)を0.43gを入れ、テトラヒドロフ
ラン(THF)25gに溶解させてモノマー溶液とし
た。一方、還流管および3方コックを備えた100ml
フラスコにTHFを15g張り込み、ここへ先に調製し
たモノマー溶液を送液ポンプを用いて窒素雰囲気下、9
0分かけて導入した。送液終了後、温度を60℃に保
ち、10時間攪拌した後、反応液を500mlのヘキサ
ンに落とし、生じた沈殿をろ別した。さらにもう一度再
沈精製操作を行なうことにより目的とする樹脂3gを得
た。回収したポリマーをGPC分析したところ、Mwが
7200、分子量分布(Mw/Mn)が1.8であった。
Embedded image In an Erlenmeyer flask, 0.0003 g (0.002 mmol) of n-butyl methacrylate [1-2] (methacrylate),
2.31 g (10 mmol) of 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane [2-18] (methacrylate), 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-
γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate) 1.9
9 g (10 mmol) and 0.43 g of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added, and dissolved in 25 g of tetrahydrofuran (THF) to obtain a monomer solution. On the other hand, 100 ml with a reflux tube and a three-way cock
The flask was charged with 15 g of THF, and the monomer solution prepared above was added to the flask under a nitrogen atmosphere using a liquid sending pump.
Introduced over 0 minutes. After the completion of the liquid feeding, the temperature was maintained at 60 ° C., and the mixture was stirred for 10 hours. Then, the reaction solution was dropped into 500 ml of hexane, and the generated precipitate was separated by filtration. The reprecipitation purification operation was performed once again to obtain 3 g of the target resin. GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 7,200 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.8.

【0087】実施例2 下記に示す構造の樹脂の合成Example 2 Synthesis of resin having the following structure

【化21】 モノマーとして、メタクリル酸n−ブチル[1-2](メタ
クリレート)を0.0028g(0.02ミリモル)、
2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン
[2-18](メタクリレート)を2.31g(10ミリモ
ル)、2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジメチル−
γ−ブチロラクトン[3-20] (メタクリレート)を1.
99g(10ミリモル)用い、開始剤(和光純薬工業
(株)製 V-65)を0.4303g用いた以外は実施例
1と同様の操作を行い、目的とする樹脂2.9gを得
た。回収したポリマーをGPC分析したところ、Mwが
8600、分子量分布(Mw/Mn)が2.1であった。
Embedded image As a monomer, 0.0028 g (0.02 mmol) of n-butyl methacrylate [1-2] (methacrylate),
2.31 g (10 mmol) of 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane [2-18] (methacrylate), 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-
γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate)
The same operation as in Example 1 was performed except that 99 g (10 mmol) and 0.4303 g of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were used, to obtain 2.9 g of a target resin. . GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 8,600 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.1.

【0088】実施例3 下記に示す構造の樹脂の合成Example 3 Synthesis of a resin having the following structure

【化22】 モノマーとして、メタクリル酸n−ブチル[1-2](メタ
クリレート)を0.0284g(0.2ミリモル)、2
−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン[2-
18](メタクリレート)を2.31g(10ミリモ
ル)、2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジメチル−
γ−ブチロラクトン[3-20] (メタクリレート)を1.
99g(10ミリモル)用い、開始剤(和光純薬工業
(株)製 V-65)を0.4328g用いた以外は実施例
1と同様の操作を行い、目的とする樹脂3.3gを得
た。回収したポリマーをGPC分析したところ、Mwが
8300、分子量分布(Mw/Mn)が1.9であった。
Embedded image 0.0284 g (0.2 mmol) of n-butyl methacrylate [1-2] (methacrylate) as a monomer,
-Methacryloyloxy-2-methyladamantane [2-
18] (methacrylate), 2.31 g (10 mmol), 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-
γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate)
The same operation as in Example 1 was carried out except that 99 g (10 mmol) and 0.4328 g of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were used, to obtain 3.3 g of a target resin. . GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 8,300 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.9.

【0089】実施例4 下記に示す構造の樹脂の合成Example 4 Synthesis of resin having the following structure

【化23】 モノマーとして、メタクリル酸n−ブチル[1-2](メタ
クリレート)を0.3124g(2.2ミリモル)、2
−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン[2-
18](メタクリレート)を2.31g(10ミリモ
ル)、2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジメチル−
γ−ブチロラクトン[3-20] (メタクリレート)を1.
99g(10ミリモル)用い、開始剤(和光純薬工業
(株)製 V-65)を0.4612g用いた以外は実施例
1と同様の操作を行い、目的とする樹脂2.8gを得
た。回収したポリマーをGPC分析したところ、Mwが
9000、分子量分布(Mw/Mn)が2.6であった。
Embedded image As a monomer, 0.3124 g (2.2 mmol) of n-butyl methacrylate [1-2] (methacrylate), 2
-Methacryloyloxy-2-methyladamantane [2-
18] (methacrylate), 2.31 g (10 mmol), 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-
γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate)
The same operation as in Example 1 was carried out except that 99 g (10 mmol) and 0.4612 g of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were used to obtain 2.8 g of a target resin. . GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 9000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.6.

【0090】実施例5 下記に示す構造の樹脂の合成Example 5 Synthesis of a resin having the following structure

【化24】 モノマーとして、メタクリル酸n−プロピル[1-1](メ
タクリレート)を0.0026g(0.02ミリモ
ル)、2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマン
タン[2-18](メタクリレート)を2.31g(10ミ
リモル)、2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジメチ
ル−γ−ブチロラクトン[3-20] (メタクリレート)を
1.99g(10ミリモル)用い、開始剤(和光純薬工
業(株)製 V-65)を0.4303g用いた以外は実施
例1と同様の操作を行い、目的とする樹脂2.7gを得
た。回収したポリマーをGPC分析したところ、Mwが
7700、分子量分布(Mw/Mn)が2.4であった。
Embedded image As monomers, 0.0026 g (0.02 mmol) of n-propyl methacrylate [1-1] (methacrylate) and 2.31 g of 2-methacryloyloxy-2-methyl adamantane [2-18] (methacrylate) (10 Mmol), 1.99 g (10 mmol) of 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate), and an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) Was used in the same manner as in Example 1 except that 0.4303 g of the resin was used to obtain 2.7 g of a target resin. GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 7,700 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.4.

【0091】実施例6 下記に示す構造の樹脂の合成Example 6 Synthesis of a resin having the structure shown below

【化25】 モノマーとして、メタクリル酸n−プロピル[1-1](メ
タクリレート)を0.0256g(0.2ミリモル)、
2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン
[2-18](メタクリレート)を2.31g(10ミリモ
ル)、2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジメチル−
γ−ブチロラクトン[3-20] (メタクリレート)を1.
99g(10ミリモル)用い、開始剤(和光純薬工業
(株)製 V-65)を0.4326g用いた以外は実施例
1と同様の操作を行い、目的とする樹脂3.1gを得
た。回収したポリマーをGPC分析したところ、Mwが
8600、分子量分布(Mw/Mn)が2.7であった。
Embedded image 0.0256 g (0.2 mmol) of n-propyl methacrylate [1-1] (methacrylate) as a monomer,
2.31 g (10 mmol) of 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane [2-18] (methacrylate), 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-
γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate)
The same operation as in Example 1 was performed except that 99 g (10 mmol) and 0.4326 g of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were used, to obtain 3.1 g of a target resin. . GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 8,600 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.7.

【0092】実施例7 下記に示す構造の樹脂の合成Example 7 Synthesis of a resin having the following structure

【化26】 モノマーとして、メタクリル酸n−ブチル[1-2](メタ
クリレート)を0.0028g(0.02ミリモル)、
1−(1−メタクリロイルオキシ−1−メチルエチル)
アダマンタン[2-1](メタクリレート)を2.6g
(10ミリモル)、2−メタクリロイルオキシ−4,4
−ジメチル−γ−ブチロラクトン[3-20](メタクリレー
ト)を1.99g(10ミリモル)用い、開始剤(和光
純薬工業(株)製 V-65)を0.4593g用いた以外
は実施例1と同様の操作を行い、目的とする樹脂3.0
gを得た。回収したポリマーをGPC分析したところ、
Mwが9300、分子量分布(Mw/Mn)が2.9であっ
た。
Embedded image As a monomer, 0.0028 g (0.02 mmol) of n-butyl methacrylate [1-2] (methacrylate),
1- (1-methacryloyloxy-1-methylethyl)
2.6 g of adamantane [2-1] (methacrylate)
(10 mmol), 2-methacryloyloxy-4,4
Example 1 except that 1.99 g (10 mmol) of -dimethyl-γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate) was used and 0.4593 g of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used. The same operation as described above was carried out to obtain the desired resin 3.0.
g was obtained. GPC analysis of the recovered polymer revealed that
Mw was 9,300 and molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.9.

【0093】実施例8 下記に示す構造の樹脂の合成Example 8 Synthesis of a resin having the following structure

【化27】 モノマーとして、メタクリル酸n−ブチル[1-2](メタ
クリレート)を0.0284g(0.2ミリモル)、1
−(1−メタクリロイルオキシ−1−メチルエチル)ア
ダマンタン[2-1](メタクリレート)を2.6g(1
0ミリモル)、2−メタクリロイルオキシ−4,4−ジ
メチル−γ−ブチロラクトン[3-20] (メタクリレー
ト)を1.99g(10ミリモル)用い、開始剤(和光
純薬工業(株)製 V-65)を0.4618g用いた以外
は実施例1と同様の操作を行い、目的とする樹脂2.9
gを得た。回収したポリマーをGPC分析したところ、
Mwが7900、分子量分布(Mw/Mn)が2.4であっ
た。
Embedded image As a monomer, 0.0284 g (0.2 mmol) of n-butyl methacrylate [1-2] (methacrylate), 1
2.6 g (1) of-(1-methacryloyloxy-1-methylethyl) adamantane [2-1] (methacrylate)
0 mmol) and 1.99 g (10 mmol) of 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate), and an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) ) Was performed in the same manner as in Example 1 except that 0.4618 g of the target resin 2.9 was used.
g was obtained. GPC analysis of the recovered polymer revealed that
Mw was 7,900 and molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.4.

【0094】比較例1 下記に示す構造の樹脂の合成Comparative Example 1 Synthesis of a resin having the following structure

【化28】 モノマーとして、2−メタクリロイルオキシ−2−メチ
ルアダマンタン[2-18](メタクリレート)を2.31
g(10ミリモル)、2−メタクリロイルオキシ−4,
4−ジメチル−γ−ブチロラクトン[3-20] (メタクリ
レート)を1.99g(10ミリモル)用い、開始剤
(和光純薬工業(株)製 V-65)を0.43g用いた以
外は実施例1と同様の操作を行い、目的とする樹脂2.
9gを得た。回収したポリマーをGPC分析したとこ
ろ、Mwが8000、分子量分布(Mw/Mn)が2.7で
あった。
Embedded image As a monomer, 2.31 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane [2-18] (methacrylate) was used.
g (10 mmol), 2-methacryloyloxy-4,
Example 1 except that 1.99 g (10 mmol) of 4-dimethyl-γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate) was used and 0.43 g of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used. 1. Perform the same operation as in 1.
9 g were obtained. GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 8000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.7.

【0095】比較例2 下記に示す構造の樹脂の合成Comparative Example 2 Synthesis of resin having the following structure

【化29】 モノマーとして、1−(1−メタクリロイルオキシ−1
−メチルエチル)アダマンタン[2-1](メタクリレー
ト)を2.6g(10ミリモル)、2−メタクリロイル
オキシ−4,4−ジメチル−γ−ブチロラクトン[3-20]
(メタクリレート)を1.99g(10ミリモル)用
い、開始剤(和光純薬工業(株)製 V-65)を0.45
9g用いた以外は実施例1と同様の操作を行い、目的と
する樹脂2.6gを得た。回収したポリマーをGPC分
析したところ、Mwが8800、分子量分布(Mw/Mn)
が2.9であった。
Embedded image As a monomer, 1- (1-methacryloyloxy-1)
2.6 g (10 mmol) of -methylethyl) adamantane [2-1] (methacrylate), 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-γ-butyrolactone [3-20]
1.99 g (10 mmol) of (methacrylate) and 0.45 of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
The same operation as in Example 1 was performed except that 9 g was used, to obtain 2.6 g of a target resin. GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 8,800 and a molecular weight distribution (Mw / Mn).
Was 2.9.

【0096】比較例3 下記に示す構造の樹脂の合成Comparative Example 3 Synthesis of a resin having the following structure

【化30】 モノマーとして、メタクリル酸メチルを0.02g
(0.2ミリモル)、2−メタクリロイルオキシ−2−
メチルアダマンタン[2-18](メタクリレート)を2.
31g(10ミリモル)、2−メタクリロイルオキシ−
4,4−ジメチル−γ−ブチロラクトン[3-20] (メタ
クリレート)を1.99g(10ミリモル)用い、開始
剤(和光純薬工業(株)製 V-65)を0.432g用い
た以外は実施例1と同様の操作を行い、目的とする樹脂
2.8gを得た。回収したポリマーをGPC分析したと
ころ、Mwが7000、分子量分布(Mw/Mn)が2.8
であった。
Embedded image 0.02 g of methyl methacrylate as a monomer
(0.2 mmol), 2-methacryloyloxy-2-
1. Methyl adamantane [2-18] (methacrylate)
31 g (10 mmol), 2-methacryloyloxy-
Except that 1.99 g (10 mmol) of 4,4-dimethyl-γ-butyrolactone [3-20] (methacrylate) was used and 0.432 g of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used. The same operation as in Example 1 was performed to obtain 2.8 g of a target resin. GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 7000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.8.
Met.

【0097】比較例4 下記に示す構造の樹脂の合成Comparative Example 4 Synthesis of a resin having the following structure

【化31】 モノマーとして、メタクリル酸メチルを0.02g
(0.2ミリモル)、1−(1−メタクリロイルオキシ
−1−メチルエチル)アダマンタン[2-1](メタクリ
レート)を2.6g(10ミリモル)、2−メタクリロ
イルオキシ−4,4−ジメチル−γ−ブチロラクトン[3
-20] (メタクリレート)を1.99g(10ミリモ
ル)用い、開始剤(和光純薬工業(株)製 V-65)を
0.461g用いた以外は実施例1と同様の操作を行
い、目的とする樹脂3.3gを得た。回収したポリマー
をGPC分析したところ、Mwが7200、分子量分布
(Mw/Mn)が3.1であった。
Embedded image 0.02 g of methyl methacrylate as a monomer
(0.2 mmol), 2.6 g (10 mmol) of 1- (1-methacryloyloxy-1-methylethyl) adamantane [2-1] (methacrylate), 2-methacryloyloxy-4,4-dimethyl-γ -Butyrolactone [3
-20] The same operation as in Example 1 was performed except that 1.99 g (10 mmol) of (methacrylate) and 0.461 g of an initiator (V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were used. 3.3 g of a resin was obtained. GPC analysis of the recovered polymer showed a Mw of 7,200 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 3.1.

【0098】評価試験 実施例及び比較例で得たポリマーについて下記の試験を
行った。結果を表1に示す。 (塗膜の脆さ)実施例及び比較例で得られたポリマーを
用い、コーティング法によりシリコンウエハー上に厚み
0.3〜0.5μmの薄膜を形成した。この薄膜に対し
て、荷重1kg、3Hの鉛筆により、JIS K 54
01(塗膜用鉛筆引かき試験機)に記載の方法に準じて
引掻き試験を10回行い、下記の基準で塗膜の脆さを評
価した。 ◎:全ての場合において薄膜は破壊されなかった。 ○:10回のうち5回〜9回、薄膜は破壊されなかった ×:何れの場合も薄膜が破壊された。
Evaluation Test The following tests were performed on the polymers obtained in the examples and comparative examples. Table 1 shows the results. (Brittleness of Coating Film) Using the polymers obtained in Examples and Comparative Examples, a thin film having a thickness of 0.3 to 0.5 μm was formed on a silicon wafer by a coating method. A JIS K54 was applied to this thin film using a pencil with a load of 1 kg and 3H.
A scratch test was performed 10 times in accordance with the method described in “01 (pencil scratch tester for coating film)”, and the brittleness of the coating film was evaluated based on the following criteria. A: The thin film was not broken in all cases. :: The thin film was not destroyed 5 to 9 times out of 10 times ×: The thin film was destroyed in any case.

【0099】(レジスト特性)ポリマー100重量部と
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト10重量部とを溶媒である乳酸エチルと混合し、ポリ
マー濃度17重量%のレジスト組成物を調製した。この
レジスト組成物をシリコンウエハーにスピンコーティン
グ法により塗布し、厚み1.0μmの感光層を形成し
た。ホットプレート上で温度100℃で150秒間プリ
ベークした後、波長247nmのKrFエキシマレーザ
ーを用い、マスクを介して、照射量30mJ/cm2
露光した後、100℃の温度で60秒間ポストベークし
た。次いで、0.3Mのテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液により60秒間現像し純水でリンスし、
レジスト特性を下記の基準で評価した。 ◎:0.3μmのライン・アンド・スペースパターンが
得られた。 ○:0.5μmのライン・アンド・スペースパターンが
得られた。 ×:解像できなかった。
(Resist Characteristics) 100 parts by weight of the polymer and 10 parts by weight of triphenylsulfonium hexafluoroantimonate were mixed with ethyl lactate as a solvent to prepare a resist composition having a polymer concentration of 17% by weight. This resist composition was applied to a silicon wafer by spin coating to form a 1.0 μm-thick photosensitive layer. After pre-baking on a hot plate at a temperature of 100 ° C. for 150 seconds, exposure was performed at a dose of 30 mJ / cm 2 through a mask using a KrF excimer laser having a wavelength of 247 nm, followed by post-baking at a temperature of 100 ° C. for 60 seconds. Next, the film was developed with a 0.3 M aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 60 seconds and rinsed with pure water,
The resist properties were evaluated according to the following criteria. ◎: A 0.3 μm line and space pattern was obtained. :: A 0.5 μm line and space pattern was obtained. ×: Could not be resolved.

【表1】 [Table 1]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/039 601 G03F 7/039 601 H01L 21/027 H01L 21/30 502R Fターム(参考) 2H025 AA09 AA13 AA14 AB16 AC08 AD03 BE00 BG00 CB14 CB41 CB43 CB45 CB51 CB60 4J002 BG041 BG051 BG071 EQ036 EV296 EW176 FD206 GP03 GQ05 4J100 AL03R AL04P AL04R AL05P AL08P AL08Q BA03P BA04Q BA16H BA16Q BC02Q BC03Q BC04Q BC09P BC09Q BC52Q BC53P CA05 FA03 FA19 HA15 HC04 HC42 HC69 HC75 HE22 JA38 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/039 601 G03F 7/039 601 H01L 21/027 H01L 21/30 502R F-term (Reference) 2H025 AA09 AA13 AA14 AB16 AC08 AD03 BE00 BG00 CB14 CB41 CB43 CB45 CB51 CB60 4J002 BG041 BG051 BG071 EQ036 EV296 EW176 FD206 GP03 GQ05 4J100 AL03R AL04P AL04R AL05P AL08P AL08Q BA03P BA04Q HC16 BC03 BC02 BC02 BC02 BC02 BC02

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 酸脱離性基を有する繰り返し単位と、基
板密着性基を有する繰り返し単位と、下記式(1) 【化1】 [式中、R1は水素原子又はメチル基、R2はC3-8アル
キル基(但し、第3級アルキル基を除く)を示す]で表
される繰り返し単位とで構成されているレジスト用高分
子化合物。
1. A repeating unit having an acid-eliminable group, a repeating unit having a substrate adhesive group, and a compound represented by the following formula (1): [Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents a C 3-8 alkyl group (excluding a tertiary alkyl group)]. High molecular compounds.
【請求項2】 酸脱離性基を有する繰り返し単位が、下
記式(2) 【化2】 [式中、R3は水素原子又はメチル基、R4は下記式
(4)〜(7) 【化3】 (式中、R7〜R12は、同一又は異なって、C1-6アルキ
ル基、X、Yはアダマンタン環に結合している置換基で
あって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されてい
てもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよ
いヒドロキシメチル基又は保護基で保護されていてもよ
いカルボキシル基を示し、m、nは、それぞれ、0〜3
の整数、pは1又は2を示す)で表される基を示す]で
表される繰り返し単位である請求項1記載のレジスト用
高分子化合物。
2. The repeating unit having an acid leaving group is represented by the following formula (2): [Wherein, R 3 is a hydrogen atom or a methyl group, and R 4 is a compound represented by the following formulas (4) to (7)] (Wherein R 7 to R 12 are the same or different and each is a C 1-6 alkyl group, X and Y are substituents bonded to an adamantane ring, and are protected by an oxo group, an alkyl group, or a protecting group. Represents a hydroxyl group which may be protected, a hydroxymethyl group which may be protected by a protecting group, or a carboxyl group which may be protected by a protecting group, and m and n each represent 0 to 3
And p represents 1 or 2).] The resist polymer compound according to claim 1, which is a repeating unit represented by the following formula:
【請求項3】 基板密着性基を有する繰り返し単位が、
下記式(3) 【化4】 [式中、R5は水素原子又はメチル基、R6は下記式
(8)又は(9) 【化5】 (式中、環Aは脂環式炭化水素環、Zは環Aに結合して
いる置換基であって、オキソ基、アルキル基、保護基で
保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護さ
れていてもよいヒドロキシメチル基又は保護基で保護さ
れていてもよいカルボキシル基を示し、q個のZのうち
少なくとも1つはオキソ基、保護基で保護されていても
よいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒ
ドロキシメチル基又は保護基で保護されていてもよいカ
ルボキシル基である。R13は水素原子又はメチル基、R
14〜R17は、同一又は異なって、水素原子又はアルキル
基を示す。tは0又は1、qは1〜3の整数、rは1〜
3の整数、sは0〜2の整数を示し、r+s=2〜4で
ある。但し、環Aがアダマンタン環の場合、−(C
2t−はアダマンタン環の橋頭位に結合している)で
表される基を示す]で表される繰り返し単位である請求
項1記載のレジスト用高分子化合物。
3. A repeating unit having a substrate adhesive group,
The following formula (3)[Wherein, RFiveIs a hydrogen atom or a methyl group, R6Is the following formula
(8) or (9)(Wherein ring A is an alicyclic hydrocarbon ring, Z is bonded to ring A
Substituents, such as oxo, alkyl, and protecting groups
Hydroxyl groups, which may be protected, protected with protecting groups
Protected by an optionally protected hydroxymethyl group or a protecting group.
Represents a carboxyl group which may be
Even if at least one is protected by an oxo group or a protecting group
Good hydroxyl groups,
A group that may be protected by a droxymethyl group or a protecting group
It is a ruboxyl group. R13Is a hydrogen atom or a methyl group, R
14~ R17Are the same or different and each represents a hydrogen atom or an alkyl
Represents a group. t is 0 or 1, q is an integer of 1 to 3, r is 1 to
An integer of 3, s represents an integer of 0 to 2, and r + s = 2 to 4
is there. However, when ring A is an adamantane ring,-(C
H Two)t-Is attached to the bridgehead of the adamantane ring)
A repeating unit represented by the following formula:
Item 4. The resist polymer compound according to Item 1.
【請求項4】 式(1)で表される繰り返し単位がポリ
マーを構成する全繰り返し単位の0.01〜30モル%
である請求項1〜3の何れかの項に記載のレジスト用高
分子化合物。
4. The repeating unit represented by the formula (1) accounts for 0.01 to 30 mol% of all repeating units constituting the polymer.
The resist polymer compound according to claim 1, wherein
【請求項5】 請求項1〜4の何れかの項に記載のレジ
スト用高分子化合物と光酸発生剤とを含むレジスト組成
物。
5. A resist composition comprising the polymer compound for a resist according to claim 1 and a photoacid generator.
【請求項6】 請求項5記載のレジスト組成物を基材又
は基板上に塗布してレジスト塗膜を形成し、露光及び現
像を経てパターンを形成する工程を含む半導体の製造方
法。
6. A method for producing a semiconductor, comprising a step of applying the resist composition according to claim 5 on a substrate or a substrate to form a resist coating film, and forming a pattern through exposure and development.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004514952A (en) * 2000-11-29 2004-05-20 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Protecting groups in polymers, photoresists, and microlithography methods
WO2005035602A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-21 Daicel Chemical Industries, Ltd. Photoresist resin and photoresist resin composition
KR20170001651A (en) 2015-06-26 2017-01-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Resist composition
KR20170001652A (en) 2015-06-26 2017-01-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Resist composition
KR20170001650A (en) 2015-06-26 2017-01-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Resist composition
JP2017016123A (en) * 2015-06-26 2017-01-19 住友化学株式会社 Resist Composition

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004514952A (en) * 2000-11-29 2004-05-20 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Protecting groups in polymers, photoresists, and microlithography methods
WO2005035602A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-21 Daicel Chemical Industries, Ltd. Photoresist resin and photoresist resin composition
JP2005120157A (en) * 2003-10-14 2005-05-12 Daicel Chem Ind Ltd Resin for photoresist and resin composition for photoresist
KR101055915B1 (en) * 2003-10-14 2011-08-09 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Resin for photoresist and resin composition for photoresist
KR20170001651A (en) 2015-06-26 2017-01-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Resist composition
KR20170001652A (en) 2015-06-26 2017-01-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Resist composition
KR20170001650A (en) 2015-06-26 2017-01-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Resist composition
JP2017016122A (en) * 2015-06-26 2017-01-19 住友化学株式会社 Resist Composition
JP2017016123A (en) * 2015-06-26 2017-01-19 住友化学株式会社 Resist Composition
JP2017016119A (en) * 2015-06-26 2017-01-19 住友化学株式会社 Resist Composition
US10126650B2 (en) 2015-06-26 2018-11-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition
US10571805B2 (en) 2015-06-26 2020-02-25 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition
US10795258B2 (en) 2015-06-26 2020-10-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition

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