JP2001274670A - Output circuit for lsi - Google Patents

Output circuit for lsi

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JP2001274670A
JP2001274670A JP2000087401A JP2000087401A JP2001274670A JP 2001274670 A JP2001274670 A JP 2001274670A JP 2000087401 A JP2000087401 A JP 2000087401A JP 2000087401 A JP2000087401 A JP 2000087401A JP 2001274670 A JP2001274670 A JP 2001274670A
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output
output buffer
circuit
buffer circuit
driving capability
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Tsuneo Kudo
統夫 工藤
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Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an output signal for an LSI that can automatically and properly adjust a leading time/a trailing time of an output waveform and avoid an operation defect with respect to interface timing with an external component even when an external load capacity of an output buffer circuit is increased more than an expected capacity. SOLUTION: The output circuit for the LSI is provided with an output buffer circuit 11 of a drive capability variable type having PMOS and NMOS transistors(TRs) for adjusting the drive capability and with an output buffer drive capability adjustment circuit 13 that discriminates a degree of an external load giving effect on the output buffer circuit and controls an ON/OFF state of respective TRs for adjusting the drive capability on the basis of its discrimination output by detecting a rounding leading/trailing of the output waveform of the output buffer circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路
(LSI)の出力回路に係り、特に出力バッファ回路の
駆動能力を自動的に調整する出力バッファ駆動能力調整
回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output circuit of a semiconductor integrated circuit (LSI), and more particularly, to an output buffer driving capability adjusting circuit for automatically adjusting the driving capability of an output buffer circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、LSIの出力バッファ回路の駆
動能力は、LSIを基板に実装した時にLSIの各出力
端子(もしくは入出力端子)につながるLSI外部の負
荷容量の大きさを想定して決定されている。
2. Description of the Related Art In general, the driving capability of an output buffer circuit of an LSI is determined by assuming the magnitude of a load capacitance external to the LSI connected to each output terminal (or input / output terminal) of the LSI when the LSI is mounted on a substrate. Have been.

【0003】しかし、基板特有の特性や接続される部品
特有の特性により、負荷容量が予想以上に大きくなる
と、出力波形の立ち上がり/立ち下がりがなまり、期待
された出力特性が得られず、外部部品とのインターフェ
ースタイミングに関する動作不具合を生じる場合があ
る。それを憂慮してバッファ駆動能力を高めに設定する
と、LSIの消費電流が大きくなり、ノイズの面からも
良くない。
However, if the load capacity becomes larger than expected due to the characteristics peculiar to the substrate and the characteristics of the connected components, the rising / falling of the output waveform is reduced, and the expected output characteristics cannot be obtained. There is a case where an operation defect relating to the interface timing with the interface occurs. If the buffer driving capability is set to a higher level in consideration of this, the current consumption of the LSI increases, which is not good in terms of noise.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
LSIの出力バッファ回路は、外部負荷容量が予想以上
に大きくなると、出力波形の立ち上がり/立ち下がりが
なまり、期待された出力特性が得られない場合があると
いう問題があった。
As described above, in the conventional output buffer circuit of the LSI, when the external load capacity becomes larger than expected, the rising / falling of the output waveform is reduced, and the expected output characteristics are obtained. There was a problem that there might not be.

【0005】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、出力バッファ回路の外部負荷容量が予想以上
に大きくなった場合でも、出力波形の立上がり時間/立
下がり時間の値を自動的に適正に調整でき、外部部品と
のインターフェースタイミングに関する動作不具合を回
避し得るLSIの出力回路を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problem. Even when the external load capacitance of the output buffer circuit becomes larger than expected, the rise time / fall time value of the output waveform is automatically set. It is an object of the present invention to provide an output circuit of an LSI which can appropriately adjust the operation time and can avoid an operation defect relating to an interface timing with an external component.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明のLSIの出力回
路は、駆動能力可変型の出力バッファ回路と、前記出力
バッファ回路の出力波形の立ち上がり/立ち下がりのな
まりを検出することにより当該出力バッファ回路に影響
を及ぼす外部負荷の度合いについて判別し、その判別出
力に基づいて前記出力バッファ回路の駆動能力を調整す
る出力バッファ駆動能力調整回路とを具備することを特
徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An output circuit of an LSI according to the present invention comprises an output buffer circuit of a variable driving capacity and an output buffer circuit which detects rising / falling transitions of an output waveform of the output buffer circuit. An output buffer drive capacity adjusting circuit for determining the degree of an external load affecting the circuit and adjusting the drive capacity of the output buffer circuit based on the output of the determination.

【0007】上記LSIの出力回路の具体例として、前
記出力バッファ回路は、通常のバッファリング用のPMOS
トランジスタとNMOSトランジスタとは別に、駆動能力調
整用のPMOSトランジスタとNMOSトランジスタを備えてな
り、前記出力バッファ駆動能力調整回路は、前記出力バ
ッファ回路の出力波形の立ち上がり/立ち下がりのなま
りを検出することにより当該出力バッファ回路に影響を
及ぼす外部負荷の度合いについて判別し、その判別出力
に基づいて前記出力バッファ回路の駆動能力調整用の個
々のトランジスタのオン/オフ状態を制御するように構
成すればよい。
[0007] As a specific example of the output circuit of the LSI, the output buffer circuit includes a normal buffering PMOS.
In addition to the transistor and the NMOS transistor, a PMOS transistor and an NMOS transistor for adjusting the driving capability are provided, and the output buffer driving capability adjusting circuit detects the rising / falling transition of the output waveform of the output buffer circuit. Thus, the degree of an external load affecting the output buffer circuit may be determined, and the on / off state of each transistor for adjusting the driving capability of the output buffer circuit may be controlled based on the determined output. .

【0008】また、前記出力バッファ回路は、通常のバ
ッファリング用のPMOSトランジスタとNMOSトランジスタ
とは別に、駆動能力調整用のPMOSトランジスタとNMOSト
ランジスタを複数組備え、各組に対応してそれぞれ一対
の制御信号を入力し、複数組の出力バッファ駆動能力調
整のために同時に使用する数が異なるように制御するこ
とにより、駆動能力を複数段階に調整可能にしてもよ
い。
In addition, the output buffer circuit includes a plurality of sets of PMOS transistors and NMOS transistors for adjusting driving capability, separately from the PMOS transistors and NMOS transistors for normal buffering. By inputting a control signal and performing control so that the numbers used simultaneously for adjusting a plurality of sets of output buffer driving capacities are different, the driving capacities may be adjusted in a plurality of stages.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0010】<実施形態1>図1は、本発明の実施形態
1に係るLSIの出力回路を示している。
<First Embodiment> FIG. 1 shows an output circuit of an LSI according to a first embodiment of the present invention.

【0011】図1の出力回路においては、内部ロジック
回路10からの信号を出力バッファ回路11でバッファ増幅
して外部端子12を通じてLSI 外部の負荷に供給するもの
である。
In the output circuit of FIG. 1, a signal from the internal logic circuit 10 is buffer-amplified by an output buffer circuit 11 and supplied to a load external to the LSI through an external terminal 12.

【0012】上記出力バッファ回路11は、通常のバッフ
ァリング用のPMOSトランジスタとNMOSトランジスタとは
別に、駆動能力調整用のPMOSトランジスタとNMOSトラン
ジスタを備え、駆動能力が可変である。
The output buffer circuit 11 includes a PMOS transistor and an NMOS transistor for adjusting driving capability, separately from a PMOS transistor and an NMOS transistor for normal buffering, and has a variable driving capability.

【0013】出力バッファ駆動能力調整回路(以下、調
整回路と記す)13は、出力バッファ回路11の出力波形の
立ち上がり/立ち下がりのなまりを検出することにより
当該出力バッファ回路11に影響を及ぼす外部負荷の度合
いについて判別し、その判別出力に基づいて前記駆動能
力調整用の個々のトランジスタのオン/オフ状態を制御
して出力バッファ回路11による出力波形の立ち上がり/
立ち下がりの駆動能力を調整するものである。
An output buffer drive capacity adjusting circuit (hereinafter, referred to as an adjusting circuit) 13 detects an external load which affects the output buffer circuit 11 by detecting the rising / falling of the output waveform of the output buffer circuit 11. And controlling the on / off state of each of the transistors for adjusting the driving capability based on the discriminated output, and controlling the on / off state of the output waveform by the output buffer circuit 11.
This is for adjusting the falling drive capability.

【0014】次に、図1の出力回路におけるバッファ駆
動能力調整動作のシーケンスを説明する。
Next, the sequence of the buffer drive capability adjustment operation in the output circuit of FIG. 1 will be described.

【0015】調整回路13は、例えばLSIのリセット動
作中に内部ロジック回路10から発生される制御パルス信
号16を受けて起動される。そして、出力バッファ回路11
の外部負荷容量の影響を受けていない出力バッファ前段
側の信号波形(入力波形)と外部負荷容量の影響を受け
た出力バッファ後段側の信号波形(出力波形)を受け取
り、各々の信号波形の積分特性を分析することにより外
部負荷容量の度合いを比較分析する。その結果に応じ
て、前記リセット動作の解除後に、出力バッファ駆動能
力を可変する制御信号14、15を対応して出力バッファ回
路11のPMOSトランジスタのゲートおよびNMOSトランジス
タのゲートへ供給し、出力バッファ回路11の出力波形の
立上がり時間Tr/立下がり時間Tfのバランスを補正す
る。
The adjustment circuit 13 is activated by receiving a control pulse signal 16 generated from the internal logic circuit 10 during, for example, an LSI reset operation. Then, the output buffer circuit 11
Receives the signal waveform (input waveform) on the front stage of the output buffer not affected by the external load capacitance and the signal waveform (output waveform) on the rear stage of the output buffer affected by the external load capacitance, and integrates the respective signal waveforms By analyzing the characteristics, the degree of the external load capacity is comparatively analyzed. According to the result, after the reset operation is released, control signals 14 and 15 for varying the output buffer driving capability are supplied to the gates of the PMOS transistor and the NMOS transistor of the output buffer circuit 11 correspondingly, and the output buffer circuit Correct the balance of the rise time Tr / fall time Tf of the 11 output waveforms.

【0016】即ち、上記実施形態1の調整回路13によれ
ば、外部負荷容量の影響を受けていない出力バッファ前
段の信号波形と外部負荷容量の影響を受けた出力バッフ
ァ後段の信号波形を抽出し、それらの積分特性を分析す
ることにより外部負荷容量の度合いを調べ、その結果に
応じて出力バッファ回路11の駆動能力を変化させるよう
に制御するものである。
That is, according to the adjusting circuit 13 of the first embodiment, the signal waveform of the front stage of the output buffer not affected by the external load capacitance and the signal waveform of the rear stage of the output buffer affected by the external load capacitance are extracted. The degree of the external load capacitance is examined by analyzing the integration characteristics of the above, and the driving capability of the output buffer circuit 11 is controlled to be changed according to the result.

【0017】したがって、外部負荷容量が予想以上に大
きくなった場合でも、出力波形の立上がり時間Tr/立下
がり時間Tfの値を自動的に適正に調整し、外部部品との
インターフェースタイミングに関する動作不具合を回避
することができる。
Therefore, even when the external load capacity becomes larger than expected, the rise time Tr / fall time Tf value of the output waveform is automatically and appropriately adjusted to prevent the operation failure relating to the interface timing with the external parts. Can be avoided.

【0018】この場合、制御信号として、出力バッファ
回路11の駆動能力調整用のPMOSトランジスタに繋がる信
号と駆動能力調整用のNMOSトランジスタに繋がる信号の
2種類を用意することにより、出力波形の立上がり時間
Tr/立下がり時間Tfのバランスを補正することが可能に
なっている。
In this case, by preparing two types of control signals, a signal connected to the PMOS transistor for adjusting the driving capability of the output buffer circuit 11 and a signal connected to the NMOS transistor for adjusting the driving capability, the rise time of the output waveform is obtained.
It is possible to correct the balance of Tr / fall time Tf.

【0019】図2は、図1中の駆動能力が可変の出力バ
ッファ回路11の回路例を示す。
FIG. 2 shows a circuit example of the output buffer circuit 11 having a variable driving capability in FIG.

【0020】この出力バッファ回路は、内部ロジック回
路10からの信号(入力信号)2をバッファ増幅して出力
するバッファ回路20と、上記入力信号2と前記制御信号
14、15の一方14が入力するナンド回路21と、前記入力信
号2と前記制御信号14、15の他方15が入力するノア回路
22と、電源ノードVCCと接地ノードGNDとの間に直列
接続されたPMOSトランジスタ23およびNMOSトランジスタ
24とを有し、上記PMOSトランジスタ23のゲートに前記ナ
ンド回路21の出力が入力され、上記NMOSトランジスタ24
のゲートに前記ノア回路22の出力が入力され、上記PMOS
トランジスタ23およびNMOSトランジスタ24の直列接続ノ
ード(各ドレイン相互の接続ノード)が前記バッファ回
路20の出力ノードに接続されてなる。
The output buffer circuit includes a buffer circuit 20 for buffer-amplifying and outputting a signal (input signal) 2 from the internal logic circuit 10, the input signal 2 and the control signal
A NAND circuit 21 to which one of 14 and 15 is input, and a NOR circuit to which the other 15 of the input signal 2 and the control signals 14 and 15 are input
22, a PMOS transistor 23 and an NMOS transistor connected in series between the power supply node VCC and the ground node GND.
24, the output of the NAND circuit 21 is input to the gate of the PMOS transistor 23, and the NMOS transistor 24
The output of the NOR circuit 22 is input to the gate of the
A series connection node (a connection node between drains) of the transistor 23 and the NMOS transistor 24 is connected to an output node of the buffer circuit 20.

【0021】図3は、図1中の調整回路13の一例として
積分回路を使用した場合の回路例を示す。
FIG. 3 shows a circuit example in which an integrating circuit is used as an example of the adjusting circuit 13 in FIG.

【0022】図3において、積分回路31および32は、対
応して前記出力バッファ前段の信号2および出力バッフ
ァ後段の信号3が入力され、これを積分するものであ
り、それぞれ例えば図4に示すように抵抗素子41および
コンデンサ42により構成されている。
In FIG. 3, the integration circuits 31 and 32 receive the signal 2 at the preceding stage of the output buffer and the signal 3 at the latter stage of the output buffer, and integrate the signals. For example, as shown in FIG. And a resistance element 41 and a capacitor 42.

【0023】サンプルホールド回路33および34は、対応
して前記積分回路31および32の積分出力7、8が入力さ
れ、前記内部ロジック回路10からの制御パルス信号16を
受けている間に入力をサンプルし、その後はホールドす
るものであり、それぞれ例えば図5に示すようにスイッ
チ用のPMOSトランジスタ51および電荷保持用のコンデン
サ52により構成されている。
The sample and hold circuits 33 and 34 receive the integrated outputs 7 and 8 of the integrating circuits 31 and 32, respectively, and sample the input while receiving the control pulse signal 16 from the internal logic circuit 10. Thereafter, the data is held, and for example, as shown in FIG. 5, each is constituted by a PMOS transistor 51 for switching and a capacitor 52 for holding electric charge.

【0024】第1のA/D変換回路35は、対応して前記
サンプルホールド回路33および34のホールド出力9、30
が比較入力ノード(+)および基準入力ノード(−)に
入力し、両入力電位を比較され、その比較結果に応じて
異なる論理レベルの信号を出力する。この場合、比較入
力ノード(+)の電位が基準入力ノード(−)の電位よ
りも高い場合(つまり、出力バッファ前段の信号レベル
よりも出力バッファ後段の信号レベルの方が低い場合)
には"H" 、上記とは逆の関係の場合には"L" の信号を出
力する。
The first A / D conversion circuit 35 corresponds to the hold outputs 9, 30 of the sample and hold circuits 33 and 34, respectively.
Are input to a comparison input node (+) and a reference input node (−), the two input potentials are compared, and a signal of a different logic level is output according to the comparison result. In this case, when the potential of the comparison input node (+) is higher than the potential of the reference input node (-) (that is, the signal level of the latter stage of the output buffer is lower than the signal level of the former stage of the output buffer).
Outputs a signal of "H", and in the case of the opposite relation to the above, outputs a signal of "L".

【0025】これに対して、第2のA/D変換回路36
は、対応して前記サンプルホールド回路33および34のホ
ールド出力9、30が基準入力ノード(−)および比較入
力ノード(+)に入力され、両入力電位を比較され、そ
の比較結果に応じて異なる論理レベルの信号を出力す
る。この場合、比較入力ノード(+)の電位が基準入力
ノード(−)の電位よりも高い場合(つまり、出力バッ
ファ前段の信号レベルよりも出力バッファ後段の信号レ
ベルの方が高い場合)には"H" 、上記とは逆の関係の場
合には"L" の信号を出力する。したがって、第1のA/
D変換回路35の出力信号と第2のA/D変換回路36の出
力信号とは相補的な信号になる。
On the other hand, the second A / D conversion circuit 36
Correspondingly, the hold outputs 9, 30 of the sample and hold circuits 33 and 34 are input to the reference input node (-) and the comparison input node (+), and both input potentials are compared. Outputs a logic level signal. In this case, when the potential of the comparison input node (+) is higher than the potential of the reference input node (-) (that is, the signal level of the output buffer rear stage is higher than the signal level of the output buffer front stage). A signal of "H" is output in the case of the opposite relation to the above. Therefore, the first A /
The output signal of the D conversion circuit 35 and the output signal of the second A / D conversion circuit 36 are complementary signals.

【0026】RSフリップフロップ回路37および38は、
セット入力Sとして対応して前記A/D変換回路36およ
び37の相補的な出力信号が入力され、リセット入力Rと
して前記内部ロジック回路10からの制御パルス信号16が
入力され、その出力は対応して前記制御信号14、15とな
る。
The RS flip-flop circuits 37 and 38 are
Complementary output signals of the A / D conversion circuits 36 and 37 are input correspondingly as a set input S, and a control pulse signal 16 from the internal logic circuit 10 is input as a reset input R. Thus, the control signals 14 and 15 are obtained.

【0027】図6は、図2の出力バッファ回路におい
て、負荷容量の影響を受けていない出力バッファ前段の
信号波形と、負荷容量の影響を受けた出力バッファ後段
の信号波形の二例A、Bを示す。
FIG. 6 shows two examples A and B of the output buffer circuit of FIG. 2 showing a signal waveform at the front stage of the output buffer not affected by the load capacitance and a signal waveform at the rear stage of the output buffer affected by the load capacitance. Is shown.

【0028】ここで、波形例Aは、負荷の影響により立
ち下がりがなまった様子を示しており、波形例Bは負荷
の影響により立ち上がりがなまった様子を示している。
Here, waveform example A shows a state in which the falling edge is affected by the load, and waveform example B shows a state in which the rising edge is affected by the load.

【0029】図7は、図6に示した波形例A、Bについ
て、図3中の積分回路31、32を通過してサンプルホール
ド回路33、34によりサンプルホールドされた時の電位関
係を示している。
FIG. 7 shows the potential relationship when the waveform examples A and B shown in FIG. 6 pass through the integration circuits 31 and 32 in FIG. 3 and are sampled and held by the sample and hold circuits 33 and 34. I have.

【0030】次に、図6および図7を参照しながら、図
3の駆動能力調整回路による図2の出力バッファ回路に
対する駆動能力調整動作を具体的に説明する。
Next, the operation of adjusting the driving capability of the output buffer circuit of FIG. 2 by the driving capability adjusting circuit of FIG. 3 will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7.

【0031】図6中の波形例Aの場合は、図2に示した
出力バッファ回路における出力バッファ前段の信号レベ
ルが"H" の期間および"L" の期間とも、出力バッファ前
段の信号レベルよりも出力バッファ後段の信号レベルの
方が高いので、図3中のA/D変換回路35および36の出
力信号が対応して"L"/"H" となり、RSフリップフロッ
プ回路37および38から出力する制御信号14、15が対応し
て"L"/"H" となる。
In the case of waveform example A in FIG. 6, the signal level of the output buffer preceding stage in the output buffer circuit shown in FIG. 2 is higher than the signal level of the output buffer preceding stage in both the "H" period and the "L" period. Also, since the signal level of the latter stage of the output buffer is higher, the output signals of the A / D conversion circuits 35 and 36 in FIG. 3 become "L" / "H" correspondingly, and the output from the RS flip-flop circuits 37 and 38 The corresponding control signals 14 and 15 become "L" / "H".

【0032】したがって、図2の出力バッファ回路にお
いて、出力バッファ前段の信号レベルが"L" の期間に
は、ナンド回路21の出力が"H" となってPMOSトランジス
タ23がオフ状態になる。また、この時、ノア回路22は制
御信号15の"H" によって動作し、その出力は"H" となっ
てNMOSトランジスタ24がオン状態になる。これにより、
バッファ回路20の出力レベルが引き下げられる(NMOSト
ランジスタの駆動能力が高くなる)ことにより出力バッ
ファ回路の出力が補正される。なお、出力バッファ前段
の信号レベルが"H" の期間もナンド回路21の出力は"H"
であり、PMOSトランジスタ23はオフ状態である。
Therefore, in the output buffer circuit of FIG. 2, while the signal level of the preceding stage of the output buffer is "L", the output of the NAND circuit 21 becomes "H" and the PMOS transistor 23 is turned off. At this time, the NOR circuit 22 operates according to the "H" of the control signal 15, the output thereof becomes "H", and the NMOS transistor 24 is turned on. This allows
When the output level of the buffer circuit 20 is reduced (the driving capability of the NMOS transistor is increased), the output of the output buffer circuit is corrected. Note that the output of the NAND circuit 21 is also "H" while the signal level of the previous stage of the output buffer is "H".
And the PMOS transistor 23 is off.

【0033】一方、図6中の波形例 Bの場合は、図2に
示した出力バッファ回路における出力バッファ前段の信
号レベルが"H" の期間および"L" の期間とも、出力バッ
ファ前段の信号レベルよりも出力バッファ後段の信号レ
ベルの方が低いので、図3中のA/D変換回路35および
36の出力信号が対応して"H"/"L" となり、RSフリップ
フロップ回路37および38から出力する制御信号14、15が
対応して"H"/"L" となる。
On the other hand, in the case of the waveform example B in FIG. 6, the signal level of the output buffer before the output buffer circuit in the output buffer circuit shown in FIG. Since the signal level after the output buffer is lower than the signal level, the A / D conversion circuit 35 and the
The output signal of 36 becomes "H" / "L" correspondingly, and the control signals 14 and 15 output from the RS flip-flop circuits 37 and 38 become "H" / "L" correspondingly.

【0034】したがって、図2の出力バッファ回路にお
いて、出力バッファ前段の信号レベルが"H" の期間に
は、ナンド回路21の出力が"L" となってPMOSトランジス
タ23がオン状態になる。また、この時、ノア回路22は制
御信号15の"L" によって禁止制御され、その出力"L" に
よってNMOSトランジスタ24がオフ状態になる。これによ
り、バッファ回路20の出力レベルが引き上げられる(PM
OSトランジスタの駆動能力が高くなる)ことにより出力
バッファ回路の出力が補正される。なお、出力バッファ
前段の信号レベルが"L" の期間には、ナンド回路21の出
力が"H" となってPMOSトランジスタ23がオフ状態にな
る。
Therefore, in the output buffer circuit of FIG. 2, while the signal level of the preceding stage of the output buffer is "H", the output of the NAND circuit 21 becomes "L" and the PMOS transistor 23 is turned on. At this time, the NOR circuit 22 is controlled to be inhibited by the control signal 15 at "L", and the output "L" turns off the NMOS transistor 24. As a result, the output level of the buffer circuit 20 is raised (PM
The output of the output buffer circuit is corrected by increasing the driving capability of the OS transistor). Note that while the signal level at the previous stage of the output buffer is "L", the output of the NAND circuit 21 becomes "H" and the PMOS transistor 23 is turned off.

【0035】即ち、第1のサンプルホールド回路33の出
力を基準電位として第2のサンプルホールド回路34の出
力電位(調整対象電位)が高い場合にはバッファ回路20
のNMOSトランジスタの駆動能力を上げ、これとは逆に、
第1のサンプルホールド回路33の出力を基準電位として
第2のサンプルホールド回路34の出力電位(調整対象電
位)が低い場合にはバッファ回路20のPMOSトランジスタ
の駆動能力を上げるような動作が行われる。これにより
出力波形のTr/Tfのバランスを自動的に適正値に補正
し、LSI基板実装時のタイミングに関する動作トラブ
ルの回避を実現することができる。
That is, when the output potential of the second sample and hold circuit 34 (potential to be adjusted) is high with the output of the first sample and hold circuit 33 as the reference potential, the buffer circuit 20
The drive capacity of the NMOS transistor has been increased, and conversely,
When the output potential (potential to be adjusted) of the second sample and hold circuit 34 is low with the output of the first sample and hold circuit 33 as a reference potential, an operation is performed to increase the driving capability of the PMOS transistor of the buffer circuit 20. . As a result, the Tr / Tf balance of the output waveform is automatically corrected to an appropriate value, and it is possible to avoid the operation trouble related to the timing when mounting the LSI substrate.

【0036】<実施形態2>図8は、本発明の実施形態
2に係るLSI の出力回路を示している。
<Embodiment 2> FIG. 8 shows an output circuit of an LSI according to Embodiment 2 of the present invention.

【0037】図8の出力回路においては、内部ロジック
回路10からの信号を出力バッファ回路11でバッファ増幅
して外部端子12を通じてLSI 外部の負荷に供給するもの
であり、上記出力バッファ回路11は、図1中の出力バッ
ファ回路11と同様に複数個のPMOSトランジスタとNMOSト
ランジスタを備え、駆動能力が可変である。
In the output circuit of FIG. 8, a signal from the internal logic circuit 10 is buffer-amplified by an output buffer circuit 11 and supplied to a load external to the LSI through an external terminal 12. The output buffer circuit 11 Like the output buffer circuit 11 in FIG. 1, the output buffer circuit includes a plurality of PMOS transistors and NMOS transistors, and has a variable driving capability.

【0038】出力バッファ駆動能力調整回路80は、出力
バッファ回路11の出力波形の立ち上がり/立ち下がりの
なまりを検出することにより当該出力バッファ回路11に
影響を及ぼす外部負荷の度合いについて判別し、その判
別出力に基づいて出力バッファ回路11の個々のトランジ
スタのオン/オフ状態を制御して出力バッファ回路11に
よる出力波形の立ち上がり/立ち下がりの駆動能力を調
整するものである。
The output buffer drive capacity adjusting circuit 80 detects the degree of the external load affecting the output buffer circuit 11 by detecting the rising / falling transition of the output waveform of the output buffer circuit 11, and determines the degree. The on / off state of each transistor of the output buffer circuit 11 is controlled based on the output to adjust the drive capability of the output buffer circuit 11 for the rising / falling of the output waveform.

【0039】なお、図8中の出力バッファ回路11は、例
えば図2に示したように構成を有するものである。
The output buffer circuit 11 in FIG. 8 has a configuration as shown in FIG. 2, for example.

【0040】次に、図8の出力回路におけるバッファ駆
動能力調整動作のシーケンスを説明する。
Next, the sequence of the buffer drive capability adjustment operation in the output circuit of FIG. 8 will be described.

【0041】出力バッファ駆動能力調整回路80は、例え
ばLSIのリセット動作中に内部ロジック回路10から発
生される制御パルス信号16を受けて起動される。そし
て、外部負荷容量の影響を受けた出力バッファ後段側の
信号波形(出力波形)を受け取り、その信号波形の微分
特性を分析することにより外部負荷容量の度合いを分析
する。その結果に応じて、前記リセット動作の解除後
に、出力バッファ駆動能力を変化させる制御信号24、25
を対応して出力バッファ回路11の駆動能力調整用のPMOS
トランジスタのゲートおよび駆動能力調整用のNMOSトラ
ンジスタのゲートへ供給し、出力バッファ回路11の出力
波形の立上がり時間Tr/立下がり時間Tfのバランスを補
正する。
The output buffer drive capability adjusting circuit 80 is activated by receiving the control pulse signal 16 generated from the internal logic circuit 10 during, for example, an LSI reset operation. Then, a signal waveform (output waveform) on the subsequent stage of the output buffer affected by the external load capacitance is received, and the degree of the external load capacitance is analyzed by analyzing the differential characteristics of the signal waveform. According to the result, after the reset operation is released, the control signals 24 and 25 for changing the output buffer drive capability are changed.
A PMOS for adjusting the driving capability of the output buffer circuit 11
The output voltage is supplied to the gate of the transistor and the gate of the NMOS transistor for adjusting the driving capability, and the balance of the rise time Tr / fall time Tf of the output waveform of the output buffer circuit 11 is corrected.

【0042】即ち、上記実施形態2の調整回路80によれ
ば、外部負荷容量の影響を受けた出力バッファ後段の信
号波形を抽出し、その微分特性を分析することにより外
部負荷容量の度合いを調べ、その結果に応じて出力バッ
ファ回路11の駆動能力を変化させるように制御するもの
である。
That is, according to the adjusting circuit 80 of the second embodiment, the degree of the external load capacitance is determined by extracting the signal waveform at the subsequent stage of the output buffer affected by the external load capacitance and analyzing its differential characteristic. The control is performed to change the driving capability of the output buffer circuit 11 according to the result.

【0043】したがって、外部負荷容量が予想以上に大
きくなった場合でも、出力波形の立上がり時間Tr/立下
がり時間Tfの値を自動的に適正に調整し、外部部品との
インターフェースタイミングに関する動作不具合を回避
することができる。
Therefore, even when the external load capacity becomes larger than expected, the rise time Tr / fall time Tf of the output waveform is automatically and appropriately adjusted to prevent an operation defect relating to the interface timing with external parts. Can be avoided.

【0044】図9は、図8中の出力バッファ駆動能力調
整回路80の一例として微分回路を使用した場合の回路例
を示す。
FIG. 9 shows a circuit example in which a differentiating circuit is used as an example of the output buffer driving capability adjusting circuit 80 in FIG.

【0045】図9において、微分回路90は、前記出力バ
ッファ後段の信号3が入力され、これを微分するもので
あり、例えば図10に示すようにコンデンサ111 および
抵抗素子112 により構成されている。
In FIG. 9, the differentiating circuit 90 receives the signal 3 at the stage after the output buffer and differentiates the signal. For example, as shown in FIG. 10, the differentiating circuit 90 includes a capacitor 111 and a resistance element 112.

【0046】第1のプリバッファ回路91は、前記微分回
路90の微分出力27が入力され、ある一定のハイレベルVI
H を基準として高い(微分出力の正方向の振幅が大き
い)時に"H" レベルを検出し、バッファリングするもの
である。
The first pre-buffer circuit 91 receives the differentiated output 27 of the differentiating circuit 90 and receives a certain high level VI.
When H is high (the positive amplitude of the differential output is large) with reference to H, the "H" level is detected and buffered.

【0047】第2のプリバッファ回路92は、前記微分回
路90の微分出力27が入力され、ある一定のロウレベルVI
L を基準として低い(微分出力の負方向の振幅が大き
い)時に"L" レベルを検出し、バッファリングするもの
である。
The second pre-buffer circuit 92 receives the differentiated output 27 of the differentiating circuit 90 and receives a certain low level VI.
When the level is low relative to L (the negative amplitude of the differential output is large), the "L" level is detected and buffered.

【0048】第1のRSフリップフロップ回路93は、セ
ット入力Sとして前記第1のプリバッファ回路91の出力
28が入力され、リセット入力Rとして前記内部ロジック
回路10からの制御パルス信号16が入力される。
The first RS flip-flop circuit 93 outputs the output of the first pre-buffer circuit 91 as a set input S.
28, and the control pulse signal 16 from the internal logic circuit 10 is input as the reset input R.

【0049】第2のRSフリップフロップ回路94は、セ
ット入力Sとして前記第2のプリバッファ回路92の出力
29が負論理として入力され、リセット入力Rとして前記
内部ロジック回路10からの制御パルス信号16が入力され
る。
The second RS flip-flop circuit 94 outputs the output of the second pre-buffer circuit 92 as a set input S.
29 is input as negative logic, and the control pulse signal 16 from the internal logic circuit 10 is input as a reset input R.

【0050】第3のRSフリップフロップ回路95は、セ
ット入力Sとして前記第1のRSフリップフロップ回路
93の出力がインバータ回路96により反転されて入力さ
れ、リセット入力Rとして前記内部ロジック回路10から
の制御パルス信号16が入力され、その出力が制御信号14
となる。
The third RS flip-flop circuit 95 receives the first RS flip-flop circuit as a set input S.
An output of the inverter 93 is inverted and input by an inverter circuit 96, a control pulse signal 16 from the internal logic circuit 10 is input as a reset input R, and an output of the control pulse signal
Becomes

【0051】第4のRSフリップフロップ回路97は、セ
ット入力Sとして前記第2のRSフリップフロップ回路
94の出力がインバータ回路97により反転されて入力さ
れ、リセット入力Rとして前記内部ロジック回路10から
の制御パルス信号16が入力され、その出力が制御信号15
となる。
The fourth RS flip-flop circuit 97 receives the second RS flip-flop circuit as a set input S.
The output of 94 is inverted and input by the inverter circuit 97, the control pulse signal 16 from the internal logic circuit 10 is input as the reset input R, and the output is the control signal 15
Becomes

【0052】図11は、図2の出力バッファ回路におい
て、負荷容量の影響を受けて出力バッファ後段の信号波
形の立ち上がりがなまった場合における図9の駆動能力
調整回路の動作シーケンスの一例を示す。
FIG. 11 shows an example of the operation sequence of the drive capability adjusting circuit of FIG. 9 when the rise of the signal waveform at the subsequent stage of the output buffer is affected by the load capacitance in the output buffer circuit of FIG.

【0053】図12は、図2の出力バッファ回路におい
て、負荷容量の影響を受けて出力バッファ後段の信号波
形の立ち下がりがなまった場合における図9の駆動能力
調整回路の動作シーケンスの一例を示す。
FIG. 12 shows an example of the operation sequence of the drive capability adjusting circuit of FIG. 9 in the case where the falling edge of the signal waveform at the subsequent stage of the output buffer is affected by the load capacitance in the output buffer circuit of FIG. .

【0054】次に、図11および図12を参照しなが
ら、図9の出力バッファ駆動能力調整回路の内部動作お
よび図2の出力バッファ回路に対する駆動能力調整動作
を具体的に説明する。
Next, the internal operation of the output buffer driving capability adjusting circuit of FIG. 9 and the driving capability adjusting operation of the output buffer circuit of FIG. 2 will be specifically described with reference to FIGS.

【0055】図9の出力バッファ駆動能力調整回路にお
いて、出力バッファ後段のパルス信号3の反転時におけ
る微分出力27の正方向の振幅が大きい時を第1のプリバ
ッファ回路91により検出した信号"H" によって第1のR
Sフリップフロップ回路93がセットされ、さらにインバ
ータ回路96により反転された後に第3のRSフリップフ
ロップ回路95によりラッチされ、その出力である制御信
号24は"L" になる。この時、第4のRSフリップフロッ
プ回路97の出力である制御信号14は"H" になる。
In the output buffer drive capacity adjusting circuit shown in FIG. 9, the signal "H" detected by the first pre-buffer circuit 91 when the positive amplitude of the differential output 27 is large when the pulse signal 3 at the subsequent stage of the output buffer is inverted is large. "By the first R
The S flip-flop circuit 93 is set, and after being inverted by the inverter circuit 96, is latched by the third RS flip-flop circuit 95, and the control signal 24 as its output becomes "L". At this time, the control signal 14, which is the output of the fourth RS flip-flop circuit 97, becomes "H".

【0056】これに対して、出力バッファ後段のパルス
信号3の反転時における微分出力27の負方向の振幅が大
きい時を第2のプリバッファ回路92により検出した信
号"L"によって第2のRSフリップフロップ回路94がセ
ットされ、さらにインバータ回路98により反転された後
に第4のRSフリップフロップ回路97によりラッチさ
れ、その出力である制御信号15は"L" になる。この時、
第3のRSフリップフロップ回路95の出力である制御信
号14は"H" になる。
On the other hand, the second pre-buffer circuit 92 detects when the negative amplitude of the differential output 27 is large when the pulse signal 3 at the subsequent stage of the output buffer is inverted by the second pre-buffer circuit 92 and the second RS The flip-flop circuit 94 is set, and after being inverted by the inverter circuit 98, is latched by the fourth RS flip-flop circuit 97, and the control signal 15 as its output becomes "L". At this time,
The control signal 14, which is the output of the third RS flip-flop circuit 95, becomes "H".

【0057】出力バッファ後段のパルス信号3の反転時
における微分出力の振幅が小さい時には、第1のプリバ
ッファ回路91による検出は行われないので、第1のRS
フリップフロップ回路93の出力は"L" のままであり、さ
らにインバータ回路96により反転された後に第3のRS
フリップフロップ回路95によりラッチされ、その出力で
ある制御信号14は"H" になる。また、この時、第2のプ
リバッファ回路92による検出も行われないので、第2の
RSフリップフロップ回路94の出力は"L" のままであ
り、さらにインバータ回路98により反転された後に第4
のRSフリップフロップ回路97によりラッチされ、その
出力である制御信号15は"H" になる。
When the amplitude of the differential output at the time of inversion of the pulse signal 3 at the subsequent stage of the output buffer is small, the detection by the first pre-buffer circuit 91 is not performed.
The output of the flip-flop circuit 93 remains “L”, and after being inverted by the inverter circuit 96, the third RS
The control signal 14 which is latched by the flip-flop circuit 95 and is the output thereof becomes "H". At this time, since the detection by the second pre-buffer circuit 92 is not performed, the output of the second RS flip-flop circuit 94 remains “L”.
, And the control signal 15 as the output thereof becomes "H".

【0058】図11に示すように、出力バッファ後段の
信号波形の立ち上がりがなまった場合には、信号波形の
立ち上がり時の微分信号の振幅は小さく、信号波形の立
ち下がり時の微分信号の振幅は大きくなる。これによ
り、図9の出力バッファ駆動能力調整回路から出力する
制御信号14は"H" 、制御信号15が"L" になる。
As shown in FIG. 11, when the rising edge of the signal waveform after the output buffer is blunted, the amplitude of the differential signal at the rising edge of the signal waveform is small, and the amplitude of the differential signal at the falling edge of the signal waveform is small. growing. As a result, the control signal 14 output from the output buffer drive capability adjustment circuit in FIG. 9 becomes "H" and the control signal 15 becomes "L".

【0059】したがって、図2中の出力バッファ前段の
信号レベルが"H" の期間には、ナンド回路21の出力が"
L" となってPMOSトランジスタ23がオン状態になる。ま
た、この時、ノア回路22は制御信号25の"L" によって禁
止制御され、その出力"L" によってNMOSトランジスタ24
がオフ状態になる。これにより、バッファ回路20の出力
レベルが引き上げられる(PMOSトランジスタの駆動能力
が高くなる)ことによりバッファ回路20の出力が補正さ
れる。なお、出力バッファ前段の信号レベルが"L" の期
間には、ナンド回路21の出力が"H" となってPMOSトラン
ジスタ23がオフ状態になる。
Therefore, while the signal level at the previous stage of the output buffer in FIG. 2 is "H", the output of the NAND circuit 21 is "H".
L "to turn on the PMOS transistor 23. At this time, the NOR circuit 22 is inhibited from being controlled by" L "of the control signal 25, and its output" L "causes the NMOS transistor 24 to be turned off.
Is turned off. As a result, the output level of the buffer circuit 20 is increased (the driving capability of the PMOS transistor is increased), so that the output of the buffer circuit 20 is corrected. Note that while the signal level at the previous stage of the output buffer is "L", the output of the NAND circuit 21 becomes "H" and the PMOS transistor 23 is turned off.

【0060】図12に示すように、出力バッファ後段の
信号波形の立ち下がりがなまった場合には、信号波形の
立ち下がり時の微分信号の振幅は小さく、信号波形の立
ち上がり時の微分信号の振幅は大きくなる。これによ
り、図9の出力バッファ駆動能力調整回路から出力する
制御信号14は"L" 、制御信号15が"H" になる。
As shown in FIG. 12, when the falling edge of the signal waveform at the subsequent stage of the output buffer is blunted, the amplitude of the differential signal at the falling edge of the signal waveform is small, and the amplitude of the differential signal at the rising edge of the signal waveform is small. Becomes larger. As a result, the control signal 14 output from the output buffer drive capability adjustment circuit in FIG. 9 becomes "L" and the control signal 15 becomes "H".

【0061】したがって、図2中の出力バッファ前段の
信号レベルが"L" の期間には、ナンド回路21の出力が"
H" となってPMOSトランジスタ23がオフ状態になる。ま
た、この時、ノア回路22は制御信号15の"H" によって動
作し、ノア回路22の出力が"H"となってNMOSトランジス
タ24がオン状態になる。これにより、バッファ回路20の
出力レベルが引き下げられる(NMOSトランジスタの駆動
能力が高くなる)ことによりバッファ回路20の出力が補
正される。なお、出力バッファ前段の信号レベルが"H"
の期間もナンド回路21の出力は"H" であり、PMOSトラン
ジスタ23はオフ状態である。
Therefore, while the signal level at the previous stage of the output buffer in FIG. 2 is "L", the output of the NAND circuit 21 is "L".
H "to turn off the PMOS transistor 23. At this time, the NOR circuit 22 operates according to" H "of the control signal 15, the output of the NOR circuit 22 becomes" H ", and the NMOS transistor 24 is turned off. In this state, the output level of the buffer circuit 20 is reduced (the driving capability of the NMOS transistor is increased) to correct the output of the buffer circuit 20. The signal level of the previous stage of the output buffer is "H". "
During this period, the output of the NAND circuit 21 is "H", and the PMOS transistor 23 is off.

【0062】図13は、図2に示した出力バッファ回路
の変形例を示す。
FIG. 13 shows a modification of the output buffer circuit shown in FIG.

【0063】この出力バッファ回路は、図2に示した出
力バッファ回路に対して、ナンド回路21、ノア回路22、
PMOSトランジスタ23およびNMOSトランジスタ24を1組と
する駆動段が複数組並列に接続され、各組に対応してそ
れぞれ一対の制御信号が入力するように変更されたもの
であり、図2中と同一部分には同一符号を付している。
This output buffer circuit is different from the output buffer circuit shown in FIG. 2 in that a NAND circuit 21, a NOR circuit 22,
A plurality of driving stages each including a PMOS transistor 23 and an NMOS transistor 24 are connected in parallel, and a pair of control signals are input in correspondence with each group. Parts are given the same reference numerals.

【0064】この出力バッファ回路の動作は、図2に示
した出力バッファ回路の動作と基本的には同様である
が、複数の駆動段のうちで出力バッファ駆動能力調整の
ために同時に使用する段数を異ならせるように制御する
ことにより、駆動能力を複数段階に調整することが可能
になる。
The operation of this output buffer circuit is basically the same as the operation of the output buffer circuit shown in FIG. 2, except that the number of stages simultaneously used for adjusting the output buffer driving capability among the plurality of driving stages is described. , The driving capability can be adjusted in a plurality of stages.

【0065】[0065]

【発明の効果】上述したように本発明LSIの出力回路
によれば、出力バッファ回路の外部負荷容量が予想以上
に大きくなった場合でも、出力波形の立上がり時間/立
下がり時間の値を自動的に適正に調整でき、外部部品と
のインターフェースタイミングに関する動作不具合を回
避することができる。
As described above, according to the output circuit of the LSI of the present invention, even if the external load capacity of the output buffer circuit becomes larger than expected, the rise time / fall time value of the output waveform is automatically set. In this case, it is possible to appropriately adjust the timing and to avoid an operation defect relating to the interface timing with the external component.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1に係るLSIの出力回路を
示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing an output circuit of an LSI according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1中の駆動能力が可変の出力バッファ回路の
回路例を示す回路図。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit example of an output buffer circuit having a variable driving capability in FIG. 1;

【図3】図1中の出力バッファ駆動能力調整回路の一例
として積分回路を使用した場合の回路例を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit example when an integrating circuit is used as an example of the output buffer drive capability adjustment circuit in FIG. 1;

【図4】図3中の積分回路を取り出して一例を示す回路
図。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the integration circuit in FIG. 3;

【図5】図3中のサンプルホールド回路を取り出して一
例を示す回路図。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of the sample-and-hold circuit in FIG. 3;

【図6】図2の出力バッファ回路において負荷容量の影
響を受けていない出力バッファ前殴の信号波形と負荷容
量の影響を受けた出力バッファ後段の信号波形の二例
A、Bを示す波形図。
FIG. 6 is a waveform chart showing two examples A and B of a signal waveform of the output buffer before hitting which is not affected by the load capacitance and a signal waveform of the latter stage of the output buffer which is affected by the load capacitance in the output buffer circuit of FIG. .

【図7】図6に示した波形例A、Bについて図3中の積
分回路を通過してサンプルホールド回路によりサンプル
ホールドされた時の電位関係を示す相関図。
7 is a correlation diagram showing a potential relationship when the waveform examples A and B shown in FIG. 6 pass through the integration circuit in FIG. 3 and are sampled and held by a sample and hold circuit.

【図8】本発明の実施形態2に係るLSIの出力回路を
示すブロック図。
FIG. 8 is a block diagram showing an output circuit of an LSI according to a second embodiment of the present invention.

【図9】図8中の出力バッファ駆動能力調整回路の一例
として微分回路を使用した場合の回路例を示す図。
FIG. 9 is a diagram showing a circuit example when a differentiating circuit is used as an example of the output buffer drive capability adjusting circuit in FIG. 8;

【図10】図9中の微分回路を取り出して一例を示す回
路図。
FIG. 10 is a circuit diagram showing an example of the differential circuit shown in FIG. 9;

【図11】実施形態2の出力バッファ回路において負荷
容量の影響を受けて出力バッファ後段の信号波形の立ち
上がりがなまった場合における図9の駆動能力調整回路
の動作シーケンスの一例を示す波形図。
FIG. 11 is a waveform chart showing an example of an operation sequence of the drive capability adjustment circuit of FIG. 9 in a case where the rising edge of the signal waveform at the subsequent stage of the output buffer is affected by the load capacitance in the output buffer circuit of the second embodiment.

【図12】実施形態2の出力バッファ回路において負荷
容量の影響を受けて出力バッファ後段の信号波形の立ち
下がりがなまった場合における図9の駆動能力調整回路
の動作シーケンスの一例を示す波形図。
FIG. 12 is a waveform chart showing an example of an operation sequence of the drive capability adjustment circuit of FIG. 9 in a case where the falling edge of the signal waveform at the subsequent stage of the output buffer is affected by the load capacitance in the output buffer circuit of Embodiment 2;

【図13】図2に示した出力バッファ回路の変形例を示
す回路図。
FIG. 13 is a circuit diagram showing a modification of the output buffer circuit shown in FIG. 2;

【符号の説明】 10…内部ロジック回路、 11…出力バッファ回路、 12…外部端子、 13…出力バッファ駆動能力調整回路。[Description of Signs] 10: Internal logic circuit, 11: Output buffer circuit, 12: External terminal, 13: Output buffer drive capacity adjustment circuit.

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Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 駆動能力可変型の出力バッファ回路と、 前記出力バッファ回路の出力波形の立ち上がり/立ち下
がりのなまりを検出することにより当該出力バッファ回
路に影響を及ぼす外部負荷の度合いについて判別し、そ
の判別出力に基づいて前記出力バッファ回路の駆動能力
を調整する出力バッファ駆動能力調整回路とを具備する
ことを特徴とするLSIの出力回路。
An output buffer circuit having a variable driving capability; and a degree of an external load affecting the output buffer circuit is detected by detecting a rising / falling edge of an output waveform of the output buffer circuit. An output buffer driving capability adjusting circuit for adjusting the driving capability of the output buffer circuit based on the discrimination output.
【請求項2】 前記出力バッファ回路は、通常のバッフ
ァリング用のPMOSトランジスタとNMOSトランジスタとは
別に、駆動能力調整用のPMOSトランジスタとNMOSトラン
ジスタを備えてなり、 前記出力バッファ駆動能力調整回路は、前記出力バッフ
ァ回路の出力波形の立ち上がり/立ち下がりのなまりを
検出することにより当該出力バッファ回路に影響を及ぼ
す外部負荷の度合いについて判別し、その判別出力に基
づいて前記出力バッファ回路の駆動能力調整用の個々の
トランジスタのオン/オフ状態を制御することを特徴と
するLSIの出力回路。
2. The output buffer circuit according to claim 1, further comprising a PMOS transistor and an NMOS transistor for adjusting a driving capability, separately from a PMOS transistor and an NMOS transistor for normal buffering. The degree of the external load affecting the output buffer circuit is determined by detecting the rising / falling transition of the output waveform of the output buffer circuit, and the driving capability adjustment of the output buffer circuit is performed based on the determined output. Wherein the on / off state of each of the transistors is controlled.
【請求項3】 前記出力バッファ駆動能力調整回路は、 LSIのリセット動作中に内部ロジック回路から発生さ
れる制御パルス信号を受けて起動され、前記出力バッフ
ァ回路の外部負荷容量の影響を受けていない出力バッフ
ァ前段側の信号波形と外部負荷容量の影響を受けた出力
バッファ後段側の信号波形を受け取り、各々の信号波形
の積分特性を分析することにより外部負荷容量の度合い
を比較分析し、その結果に応じて、前記リセット動作の
解除後に、2種類の出力バッファ駆動能力制御信号を対
応して前記出力バッファ回路の駆動能力調整用のPMOSト
ランジスタのゲートおよびNMOSトランジスタのゲートへ
供給し、出力バッファ回路の出力波形の立上がり時間/
立下がり時間のバランスを補正することを特徴とする請
求項2記載のLSIの出力回路。
3. The output buffer drive capacity adjustment circuit is activated by receiving a control pulse signal generated from an internal logic circuit during an LSI reset operation, and is not affected by an external load capacitance of the output buffer circuit. Receives the signal waveform of the front stage of the output buffer and the signal waveform of the rear stage of the output buffer affected by the external load capacitance, and analyzes the integration characteristics of each signal waveform to compare and analyze the degree of the external load capacitance. After the reset operation is released, two types of output buffer driving capability control signals are supplied to the gates of the PMOS transistor and the NMOS transistor for adjusting the driving capability of the output buffer circuit in response to the output buffer circuit. Rise time of output waveform of /
3. The output circuit according to claim 2, wherein the fall time balance is corrected.
【請求項4】 前記出力バッファ駆動能力調整回路は、 LSIのリセット動作中に内部ロジック回路から発生さ
れる制御パルス信号を受けて起動され、前記出力バッフ
ァ回路の外部負荷容量の影響を受けた出力バッファ後段
側の信号波形を受け取り、その信号波形の微分特性を分
析することにより外部負荷容量の度合いを分析し、その
結果に応じて、前記リセット動作の解除後に、2種類の
出力バッファ駆動能力可変制御信号を対応して前記出力
バッファ回路の駆動能力調整用のPMOSトランジスタのゲ
ートおよびNMOSトランジスタのゲートへ供給し、出力バ
ッファ回路の出力波形の立上がり時間/立下がり時間の
バランスを補正することを特徴とする請求項2記載のL
SIの出力回路。
4. The output buffer drive capability adjustment circuit is activated upon receiving a control pulse signal generated from an internal logic circuit during a reset operation of an LSI, and outputs the output buffer circuit affected by an external load capacitance of the output buffer circuit. After receiving the signal waveform at the latter stage of the buffer and analyzing the differential characteristics of the signal waveform, the degree of the external load capacitance is analyzed. According to the result, after the reset operation is released, two types of output buffer driving capability variable. A control signal is supplied correspondingly to the gate of a PMOS transistor and the gate of an NMOS transistor for adjusting the driving capability of the output buffer circuit, and the balance of the rise time / fall time of the output waveform of the output buffer circuit is corrected. L according to claim 2,
Output circuit of SI.
【請求項5】 前記出力バッファ回路は、通常のバッフ
ァリング用のPMOSトランジスタとNMOSトランジスタとは
別に、駆動能力調整用のPMOSトランジスタとNMOSトラン
ジスタを複数組備えてなり、各組に対応してそれぞれ一
対の制御信号が入力し、複数組の出力バッファ駆動能力
調整のために同時に使用する数が異なるように制御され
ることにより、駆動能力を複数段階に調整可能であるこ
とを特徴とする請求項1記載のLSIの出力回路。
5. The output buffer circuit comprises a plurality of sets of PMOS transistors and NMOS transistors for adjusting driving capability, separately from the PMOS transistors and NMOS transistors for normal buffering. A pair of control signals are input, and a plurality of sets of output buffers are controlled so that the numbers used simultaneously for adjusting the driving capacity are different, so that the driving capacity can be adjusted in a plurality of stages. 2. The output circuit of the LSI according to 1.
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