JP2001270150A - Self-scanning type light emitting element array - Google Patents
Self-scanning type light emitting element arrayInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、自己走査型発光素
子アレイ、特に給電点の位置に起因する電流の発光点位
置依存性を緩和、もしくは解消した自己走査型発光素子
アレイに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a self-scanning light-emitting element array, and more particularly to a self-scanning light-emitting element array in which the dependence of current caused by the position of a feeding point on a light-emitting point is reduced or eliminated.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ｐｎｐｎ構造の発光サイリスタを用いた
自己走査型発光素子アレイチップは、ボンディングパッ
ドが少なくてよいのが大きな特徴である。シフト部と発
光部を分離した自己走査型発光素子アレイでは、発光部
の給電点へ電流を流入させるためのボンディングパッド
は１チップあたり少なくとも１つあればよい。このよう
な自己走査型発光素子アレイは、本出願人に係る特開平
２−２６３６６８号公報に既に開示されている種類のも
のである。2. Description of the Related Art A self-scanning light-emitting element array chip using a light-emitting thyristor having a pnpn structure has a great feature that it requires a small number of bonding pads. In a self-scanning light-emitting element array in which the shift section and the light-emitting section are separated, at least one bonding pad for flowing a current to a feeding point of the light-emitting section may be provided per chip. Such a self-scanning light emitting element array is of the kind already disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-263668 of the present applicant.
【０００３】給電点がチップ中央にある１２８発光点を
もつ自己走査型発光素子アレイチップの等価回路を、図
１に示す。自己走査型発光素子アレイ２００のシフト部
は、スイッチ素子（発光サイリスタ）アレイＴ1 〜Ｔ
128 と、スイッチ素子Ｔのゲート電極間を接続するダイ
オードＤと、負荷抵抗Ｒ1 〜Ｒ128 よりなり、発光部は
書込み用発光素子（発光サイリスタ）アレイＬ1 〜Ｌ
128 よりなる。FIG. 1 shows an equivalent circuit of a self-scanning light-emitting element array chip having a 128 light-emitting point whose feeding point is at the center of the chip. The shift portion of the self-scanning light emitting element array 200 includes switch element (light emitting thyristor) arrays T 1 to T
128, a diode D for connecting the gate electrode of the switch element T, consists load resistor R 1 to R 128, the light emitting unit is writing light emitting element (light-emitting thyristor) array L 1 ~L
Consists of 128 .
【０００４】図中、１はスタートパルス用ボンディング
パッド、２，４は転送のための２相クロックパルス用ボ
ンディングパッド、３は書込み信号用ボンディングパッ
ド、５は電源用ボンディングパッドである。図からわか
るように、書込み信号用のボンディングパッド３は、発
光素子アレイの中央の給電点９の近辺に設けられてい
る。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a bonding pad for a start pulse, reference numerals 2 and 4 denote bonding pads for a two-phase clock pulse for transfer, reference numeral 3 denotes a bonding pad for a write signal, and reference numeral 5 denotes a bonding pad for a power supply. As can be seen from the figure, the bonding pad 3 for the write signal is provided in the vicinity of the feeding point 9 at the center of the light emitting element array.
【０００５】図２は、このような自己走査型発光素子ア
レイ２００に、スタートパルス（ｖ S ），２相クロック
（ｖ1 ，ｖ2 ），書込み信号（ｖＩ），電源電圧ｖGKを
供給するドライブ回路１００を示す。ドライブ回路１０
０のｖS ，ｖ1 ，ｖＩ，ｖ2の各出力端子は、抵抗１
１，１２，１３，１４を介して、自己走査型発光素子ア
レイ２００の対応するボンディングパッド１，２，３，
４に接続されている。FIG. 2 shows such a self-scanning light emitting device.
The start pulse (v S ), Two-phase clock
(V1 , VTwo ), Write signal (vI), power supply voltage vGKTo
1 shows a drive circuit 100 for supplying. Drive circuit 10
V of 0S , V1 , VI, vTwoEach output terminal of the
Via self-scanning light emitting element
The corresponding bonding pads 1, 2, 3, 3 of the ray 200
4 is connected.
【０００６】抵抗１１，１２，１３，１４は、それぞ
れ、３．３ｋΩ、１．５ｋΩ、２５０Ω、１．５ｋΩで
あり、クロックパルスのＨレベルは＋５Ｖ、Ｌレベルは
０Ｖである。なお、自己走査型発光素子アレイ２００の
裏面電極（カソード電極）は０Ｖに接続されている。The resistances 11, 12, 13, and 14 are 3.3 kΩ, 1.5 kΩ, 250 Ω, and 1.5 kΩ, respectively. The H level of the clock pulse is +5 V and the L level is 0 V. The back electrode (cathode electrode) of the self-scanning light emitting element array 200 is connected to 0V.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】図３は、図１の自己走
査型発光素子アレイ２００の発光部に供給される発光部
電流（書込み信号電流）の分布を示す。給電点をピーク
にして両側に向かって直線状に低下するＶ字型の分布と
なっている。このような、Ｖ字型の分布になるのは、発
光部電流を給電している給電点９がチップ中央の６４番
発光点（発光素子）Ｌ64と、６５番発光点Ｌ65の真ん中
にあり、給電点９から離れるにつれて配線抵抗の影響が
出てくるからである。この電流分布は、そのまま発光量
の分布になる。６００ｄｐｉ，１２８発光点の自己走査
型発光素子アレイの場合、このＶ字の周期は５．４ｍｍ
となり、人間の目の分解能からいうと、最も目立つ周期
であり、問題となる。配線抵抗の影響を排除しようとす
れば、定電流源で駆動すればよいが、回路規模が大きく
なってしまい実際的ではない。FIG. 3 shows a distribution of a light emitting portion current (writing signal current) supplied to the light emitting portion of the self-scanning light emitting element array 200 of FIG. It has a V-shaped distribution in which the power supply point peaks and decreases linearly toward both sides. Such, become the distribution of V-shape, 64th emission point of the feeding point 9 is the chip center that power the light emitting portion current (light emitting element) L 64, in the middle of the 65th emission point L 65 This is because the influence of the wiring resistance appears as the distance from the feeding point 9 increases. This current distribution becomes the distribution of the light emission amount as it is. In the case of a self-scanning light-emitting element array having 600 dpi and 128 light-emitting points, the V-shaped period is 5.4 mm.
In terms of the resolution of the human eye, this is the most prominent period, which is problematic. In order to eliminate the influence of the wiring resistance, it is sufficient to drive with a constant current source, but this is not practical because the circuit scale becomes large.
【０００８】本発明の目的は、上述のような問題を、チ
ップの回路によって解決することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems by a circuit of a chip.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、しきい電圧も
しくはしきい電流が外部から制御可能な制御電極を有す
る３端子スイッチ素子多数個を配列した３端子スイッチ
素子アレイの各スイッチ素子の制御電極を互いに第１の
電気的手段にて接続すると共に、各スイッチ素子の制御
電極に電源ラインを第２の電気的手段を用いて接続し、
かつ各スイッチ素子の残りの２端子の一方にクロックラ
インを接続して形成したスイッチ素子アレイと、しきい
電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制御電極
を有する３端子発光素子多数個を配列した発光素子アレ
イとからなり、前記発光素子アレイの制御電極と前記ス
イッチ素子の制御電極とを接続し、各発光素子の残りの
２端子の一方に発光のための電流を印加する書込み信号
ラインを設けた自己走査型発光素子アレイのチップの回
路の構成に関する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a control of each switch element of a three-terminal switch element array in which a plurality of three-terminal switch elements having control electrodes whose threshold voltage or threshold current can be externally controlled are arranged. The electrodes are connected to each other by a first electric means, and a power supply line is connected to a control electrode of each switch element using a second electric means.
In addition, a switch element array formed by connecting a clock line to one of the remaining two terminals of each switch element, and a large number of three-terminal light emitting elements having control electrodes capable of controlling a threshold voltage or a threshold current from outside are arranged. A write signal line for connecting a control electrode of the light emitting element array and a control electrode of the switch element, and applying a current for light emission to one of the remaining two terminals of each light emitting element. The present invention relates to a circuit configuration of a provided chip of a self-scanning light-emitting element array.
【００１０】このような自己走査型発光素子アレイにお
いて、配線抵抗の影響を軽減することによって、給電点
の位置に起因する電流の発光点位置依存性を緩和、もし
くは解消させる。In such a self-scanning type light emitting element array, by reducing the influence of wiring resistance, the dependence of the current caused by the position of the feeding point on the position of the light emitting point is reduced or eliminated.
【００１１】このためには、本発明の基本的な考え方に
よれば、発光素子アレイの各発光素子に電流を印加する
書込み信号ラインの両側から電流を供給する。このた
め、書込み信号用のボンディングパッドをチップの両端
に配置することとなる。To this end, according to the basic concept of the present invention, a current is supplied from both sides of a write signal line for applying a current to each light emitting element of the light emitting element array. For this reason, bonding pads for write signals are arranged at both ends of the chip.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below based on examples.
【００１３】[0013]
【実施例１】図４に、第１の実施例の自己走査型発光素
子アレイ２１０の等価回路を示す。また、図５に、ドラ
イブ回路との接続を示す。Embodiment 1 FIG. 4 shows an equivalent circuit of the self-scanning light-emitting element array 210 of the first embodiment. FIG. 5 shows the connection with the drive circuit.
【００１４】図１に示した従来例では、ボンディングパ
ッド３によりチップ中央から給電していたが、本実施例
では、ボンディングパッド６，７よりチップ両端から給
電する。図１の従来例と異なる点は、給電点が異なるの
みで、その他の構成は同じである。図５に示すように、
このチップを使って、ボンディングパッド６，７をチッ
プの外側で接続し、抵抗１３を介してドライブ回路１０
０のｖＩ端子に接続する。In the conventional example shown in FIG. 1, power is supplied from the center of the chip by the bonding pad 3, but in the present embodiment, power is supplied from both ends of the chip by the bonding pads 6 and 7. The only difference from the conventional example of FIG. 1 is that the feeding point is different, and the other configurations are the same. As shown in FIG.
Using this chip, the bonding pads 6 and 7 are connected outside the chip, and the drive circuit 10 is connected via the resistor 13.
0 vI terminal.
【００１５】ドライブ回路１００により自己走査型発光
素子アレイ２１０をドライブしたときの各発光点での電
流分布を図６に示す。中央給電の場合の図３の電流分布
に比べて、電流の振幅が１／２となっており、電流分布
に改善が見られた。FIG. 6 shows a current distribution at each light-emitting point when the self-scanning light-emitting element array 210 is driven by the drive circuit 100. Compared with the current distribution of FIG. 3 in the case of the central power supply, the amplitude of the current is １ ／, and the current distribution is improved.
【００１６】その理由を、以下に説明する。図７は、両
端にボンディングパッド３１，３２のついた配線３３を
示す。配線３３の全抵抗がＲで、配線上の一点Ａと、外
付け抵抗Ｘの片側端子Ｂの間の抵抗値Ｚ１を考える。配
線上の１点Ａは、配線抵抗Ｒを、ｒと（Ｒ−ｒ）に分割
しているものとする。Ｚ１は、次式で与えられる。The reason will be described below. FIG. 7 shows a wiring 33 having bonding pads 31 and 32 at both ends. The total resistance of the wiring 33 is R, and a resistance value Z1 between a point A on the wiring and one terminal B of the external resistance X is considered. One point A on the wiring divides the wiring resistance R into r and (R−r). Z1 is given by the following equation.
【００１７】[0017]
【数１】Ｚ１＝Ｘ＋ｒ（Ｒ−ｒ）／Ｒ （１） となる。式（１）の最大値Ｚ１max はｒ＝１／Ｒのとき
で、Ｚ１max ＝Ｘ＋Ｒ／４、最小値Ｚ１min は、ｒ＝Ｒ
またはｒ＝０のときで、Ｚ１min ＝Ｘである。抵抗値の
位置Ａによる影響は、Ｚ１max −Ｚ１min ＝Ｒ／４であ
る。これは、中央給電のときの影響の半分である。Z1 = X + r (R-r) / R (1) When the maximum value Z1 max is r = 1 / R of formula (1), Z1 max = X + R / 4, the minimum value Z1 min is, r = R
Or, when r = 0, Z1 min = X. The effect of the position A on the resistance value is Z1 max -Z1 min = R / 4. This is half the effect of a central feed.
【００１８】[0018]
【実施例２】図８は、第２の実施例を示す。第１の実施
例では、ボンディングパッド６，７を接続してから抵抗
１３に接続しているが、本実施例では、ボンディングパ
ッド６，７それぞれに抵抗１６，１７を接続し、抵抗の
他端を相互に接続し、ドライブ回路１００のｖＩ端子に
接続している。抵抗１１，１２，１４，１６，１７は、
それぞれ、３．３ｋΩ、１．５ｋΩ、１．５ｋΩ、５０
０Ω、５００Ωである。FIG. 8 shows a second embodiment. In the first embodiment, the bonding pads 6 and 7 are connected and then connected to the resistor 13. In the present embodiment, the resistors 16 and 17 are connected to the bonding pads 6 and 7, respectively, and the other end of the resistor is connected. Are connected to each other and to the vI terminal of the drive circuit 100. The resistances 11, 12, 14, 16, 17 are
3.3 kΩ, 1.5 kΩ, 1.5 kΩ, 50
0Ω and 500Ω.
【００１９】ドライブ回路１００により自己走査型発光
素子アレイ２１０をドライブしたときの各発光点におけ
る電流分布を図９に示す。図９の縦軸は、図３および図
６と同じスケールで描いているため、図８の電流分布は
ほとんど直線に見えている。実際には、振幅は約３０ｎ
Ａにすぎない。これは、図３の電流分布の振幅の１／４
００、図６の電流分布の１／２００である。このよう
に、電流分布がほとんどなくなる理由を以下に説明す
る。FIG. 9 shows a current distribution at each light emitting point when the self-scanning light emitting element array 210 is driven by the drive circuit 100. Since the vertical axis in FIG. 9 is drawn on the same scale as in FIGS. 3 and 6, the current distribution in FIG. 8 looks almost straight. In practice, the amplitude is about 30n
It's just A. This is １ ／ of the amplitude of the current distribution in FIG.
00, 1/200 of the current distribution in FIG. The reason why the current distribution hardly disappears will be described below.
【００２０】図１０に示すように、図７と同じ配線３３
で、各ボンディングパッド３１，３２に抵抗Ｙ１，Ｙ２
を接続し、これら抵抗の他端を相互に接続し端子Ｃとす
る。端子Ｃと、配線３３上の端子Ａとの間の抵抗値Ｚ２
は、簡単のため、Ｙ１＝Ｙ２＝Ｙとすると、次式で表さ
れる。As shown in FIG. 10, the same wiring 33 as in FIG.
Then, the resistances Y1, Y2 are connected to the respective bonding pads 31, 32.
And the other ends of these resistors are connected to each other to form a terminal C. Resistance value Z2 between terminal C and terminal A on wiring 33
For simplicity, if Y1 = Y2 = Y, it is expressed by the following equation.
【００２１】[0021]
【数２】 Ｚ２＝（Ｙ＋ｒ）（Ｙ＋Ｒ−ｒ）／（Ｙ＋ｒ＋Ｙ＋Ｒ−ｒ） ＝（Ｙ2 ＋（Ｒ−ｒ＋ｒ）Ｙ＋Ｒｒ−ｒ2 ）／（２Ｙ＋Ｒ） 分母および分子とも、Ｙ2 で割ると、Z2 = (Y + r) (Y + R−r) / (Y + r + Y + R−r) = (Y 2 + (R−r + r) Y + Rr−r 2 ) / (2Y + R) When both the denominator and the numerator are divided by Y 2 ,
【００２２】[0022]
【数３】 Ｚ２＝（１＋Ｒ／Ｙ＋Ｒｒ／Ｙ2 −ｒ2 ／Ｙ2 ）／（２／Ｙ＋Ｒ／Ｙ2 ） となる。いま、Ｒ≪Ｙのとき、Ｒ≧ｒであるから、Ｒｒ
／Ｙ2 およびｒ2 ／Ｙ2は、１に比べて十分小さい。し
たがって、Ｚ２は、次のように近似できる。Equation 3] Z2 = become (1 + R / Y + Rr / Y 2 -r 2 / Y 2) / (2 / Y + R / Y 2). Now, when R≪Y, since R ≧ r, Rr
/ Y 2 and r 2 / Y 2 are sufficiently smaller than 1. Therefore, Z2 can be approximated as follows.
【００２３】[0023]
【数４】 Ｚ２≒（１＋Ｒ／Ｙ）／（２／Ｙ＋Ｒ／Ｙ2 ）＝（Ｙ2 ＋ＲＹ）／（２Ｙ＋ Ｒ） （２） この（２）式は、定数であるＹとＲのみとなり、位置に
関係するｒの項が無くなっている。このため、抵抗値Ｚ
２は位置に依存しない。## EQU4 ## Z2 ／ (1 + R / Y) / (2 / Y + R / Y 2 ) = (Y 2 + RY) / (2Y + R) (2) In this equation (2), only Y and R are constants. The term of r relating to the position is eliminated. Therefore, the resistance value Z
2 is position independent.
【００２４】以上では、Ｙ１＝Ｙ２＝Ｙとして計算した
が、Ｙ１＝Ｙ、Ｙ２＝Ｙ＋ｙとすると、ｙを配線抵抗側
に組み込んで、Ｒ＋ｙの配線抵抗とみなしても同じであ
る。よって、（２）式のＲをＲ＋ｙに置き換えればよ
い。置き換えると、次式のようになる。In the above description, Y1 = Y2 = Y. However, if Y1 = Y and Y2 = Y + y, the same applies even if y is incorporated into the wiring resistance side and regarded as R + y wiring resistance. Therefore, R in equation (2) may be replaced with R + y. After replacement, the following equation is obtained.
【００２５】[0025]
【数５】 Ｚ２≒（Ｙ2 ＋（Ｒ＋ｙ）Ｙ）／（２Ｙ＋Ｒ＋ｙ） （３） （３）式は、やはり定数だけからできた式となる。ただ
し、Ｒ＋ｙがＹに対して十分小さいというのが近似の前
提であるので、ｙが大きくなると分布に悪影響を与え
る。ｙの影響を図１１に示す。## EQU5 ## Z2 ≒ (Y 2 + (R + y) Y) / (2Y + R + y) (3) Equation (3) is also an equation made up of only constants. However, since it is a premise of approximation that R + y is sufficiently smaller than Y, an increase in y adversely affects the distribution. FIG. 11 shows the effect of y.
【００２６】Ｙ＝（Ｙ１＋Ｙ２）／２＝５００Ωとし、
Δ＝（Ｙ１−Ｙ２）／Ｙと定義する。図１１には、Δが
０％，４％，１０％，２０％の場合について、発光点に
おける電流分布を示す。Δ＝２０％でも、電流の変動は
０．２％程度におさえられていることがわかる。Y = (Y1 + Y2) / 2 = 500Ω,
Δ = (Y1−Y2) / Y is defined. FIG. 11 shows the current distribution at the light emitting point when Δ is 0%, 4%, 10%, and 20%. It can be seen that even when Δ = 20%, the fluctuation of the current is suppressed to about 0.2%.
【００２７】以上の２つの実施例では、抵抗をチップに
外付けしたが、チップに内蔵してもよい。また、配線抵
抗に比べて十分大きな抵抗値の抵抗を内蔵し、これをチ
ップの外でまとめた後、外付けの抵抗で電流値の微調整
を行ってもよい。In the above two embodiments, the resistor is externally mounted on the chip, but it may be built in the chip. Further, a resistor having a resistance value sufficiently larger than the wiring resistance may be built in, and the resistance may be integrated outside the chip, and then the current value may be finely adjusted by an external resistor.
【００２８】[0028]
【実施例３】図１２に、第３の実施例の自己走査型発光
素子アレイの等価回路図を示す。この実施例は、第２の
実施例の変形例であり、抵抗をチップに対し外付けする
のではなく、チップに内蔵させている。図中、１８，１
９が、内蔵された抵抗を示している。Embodiment 3 FIG. 12 shows an equivalent circuit diagram of a self-scanning light emitting element array according to a third embodiment. This embodiment is a modification of the second embodiment, and a resistor is built in a chip instead of being externally attached to the chip. In the figure, 18, 1
Reference numeral 9 denotes a built-in resistor.
【００２９】さらに、この実施例では、戻り線２０を設
けて配線３３（書込み信号ライン）を折り返し、ボンデ
ィングパッドを片側１個とした、図では、このボンディ
ングパッドを、８で示している。このように、抵抗をチ
ップに内蔵させることにより、ボンディングパッドの数
を減らすことができるので、チップ面積をさらに小さく
することが可能となる。Further, in this embodiment, the return line 20 is provided, the wiring 33 (the write signal line) is turned back, and one bonding pad is provided on one side. In the drawing, the bonding pad is indicated by 8. Since the number of bonding pads can be reduced by incorporating the resistor in the chip in this manner, the chip area can be further reduced.
【００３０】[0030]
【実施例４】図１３に、第４の実施例の自己走査型発光
素子アレイの等価回路図を示す。この実施例は、第３の
実施例の変形例であり、１個のボンディングパッド８か
ら内蔵の抵抗１８，１９にそれぞれ接続された配線３
４，３５に、発光素子を交互に接続する。配線３３，３
４の他端は、相互に接続されている。第３の実施例と同
様に、ボンディングパッドの数を減らすことができる。Fourth Embodiment FIG. 13 shows an equivalent circuit diagram of a self-scanning light-emitting element array according to a fourth embodiment. This embodiment is a modification of the third embodiment, in which wirings 3 connected from one bonding pad 8 to built-in resistors 18 and 19, respectively.
Light emitting elements are connected alternately to 4, 35. Wiring 33, 3
The other ends of 4 are connected to each other. As in the third embodiment, the number of bonding pads can be reduced.
【００３１】[0031]
【実施例５】図１４に、第５の実施例の自己走査型発光
素子アレイの等価回路図を示す。この実施例は、第２の
実施例の変形例であり、ボンディングパッド８をチップ
中央に配置したものである。Fifth Embodiment FIG. 14 shows an equivalent circuit diagram of a self-scanning light emitting element array according to a fifth embodiment. This embodiment is a modification of the second embodiment, in which a bonding pad 8 is arranged at the center of a chip.
【００３２】配線は中央部で不連続であり、２本の配線
３６，３７よりなる。配線３６の中央側端部は抵抗１８
を介してボンディングパッド１８に接続され、配線３７
の中央側端部は抵抗１９を介してボンディングパッド１
８に接続されている。配線３６，３７の他端は、配線３
８を介して相互に接続される。The wiring is discontinuous at the center and is composed of two wirings 36 and 37. The center side end of the wiring 36 has a resistor 18
Is connected to the bonding pad 18 via the
Is connected to the bonding pad 1 via a resistor 19.
8 is connected. The other ends of the wirings 36 and 37 are connected to the wiring 3
8 to each other.
【００３３】[0033]
【実施例６】図１５に、第６の実施例の自己走査型発光
素子アレイの等価回路図を示す。この実施例は、発光素
子アレイを２列にした例である。一方の発光素子アレイ
には、チップの一方の片側に設けられたボンディングパ
ッド２１に接続された配線２３から、他方の発光素子列
には、チップの他方の片側に設けられたボンディングパ
ッド２２に接続された配線２４から給電される。Embodiment 6 FIG. 15 shows an equivalent circuit diagram of a self-scanning light emitting element array according to a sixth embodiment. This embodiment is an example in which the light emitting element array is arranged in two rows. One of the light emitting element arrays is connected to a wiring 23 connected to a bonding pad 21 provided on one side of the chip, and the other light emitting element array is connected to a bonding pad 22 provided on the other side of the chip. Power is supplied from the supplied wiring 24.
【００３４】各列ごとに見ると、配線抵抗による電流分
布が存在する。しかし、別々の列の隣接する発光点に供
給される発光電流の平均値は、チップ内で一定となる。Looking at each column, there is a current distribution due to wiring resistance. However, the average value of the light-emitting currents supplied to adjacent light-emitting points in different columns is constant in the chip.
【００３５】この例では、発光素子アレイを２列に配置
したが、１列に配置してもよい。この場合には、１列に
配列された発光素子アレイの各発光素子は、交互に配線
２３，２４に接続されることになる。In this example, the light emitting element arrays are arranged in two rows, but they may be arranged in one row. In this case, the light emitting elements of the light emitting element array arranged in one row are connected to the wirings 23 and 24 alternately.
【００３６】[0036]
【発明の効果】本発明によれば、自己走査型発光素子ア
レイにおいて、回路を工夫することによって、配線抵抗
の影響を軽減することによって、給電点の位置に起因す
る電流の発光点位置依存性を緩和、もしくは解消するこ
とが可能となった。これにより、発光量分布の均一な自
己走査型発光素子アレイを実現できる。According to the present invention, in the self-scanning type light emitting element array, the circuit is devised to reduce the influence of the wiring resistance, so that the dependence of the current caused by the position of the feeding point on the light emitting point position. Can be alleviated or eliminated. As a result, a self-scanning light emitting element array having a uniform light emission amount distribution can be realized.
【図１】給電点がチップの中央にある１２８発光点をも
つ自己走査型発光素子アレイチップの等価回路を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing an equivalent circuit of a self-scanning light-emitting element array chip having a 128 light-emitting point whose feeding point is at the center of the chip.
【図２】自己走査型発光素子アレイとドライブ回路とを
示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a self-scanning light emitting element array and a drive circuit.
【図３】発光部電流の分布を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a distribution of a light emitting unit current.
【図４】第１の実施例の自己走査型発光素子アレイの等
価回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of the self-scanning light emitting element array of the first embodiment.
【図５】第１の実施例の自己走査型発光素子アレイとド
ライブ回路との接続を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a connection between the self-scanning light-emitting element array of the first embodiment and a drive circuit.
【図６】各発光点での電流分布を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a current distribution at each light emitting point.
【図７】両端にボンディングパッドのついた配線を示す
図である。FIG. 7 is a diagram showing a wiring having bonding pads on both ends.
【図８】第２の実施例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a second embodiment.
【図９】各発光点での電流分布を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a current distribution at each light emitting point.
【図１０】配線のボンディングパッドにそれぞれ抵抗を
接続した例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example in which a resistor is connected to each of bonding pads of wiring.
【図１１】ｙの影響を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the influence of y.
【図１２】第３の実施例の自己走査型発光素子アレイの
等価回路を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an equivalent circuit of a self-scanning light-emitting element array according to a third embodiment.
【図１３】第４の実施例の自己走査型発光素子アレイの
等価回路を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a self-scanning light emitting element array according to a fourth embodiment.
【図１４】第５の実施例の自己走査型発光素子アレイの
等価回路を示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a self-scanning light emitting element array according to a fifth embodiment.
【図１５】第６の実施例の自己走査型発光素子アレイの
等価回路を示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a self-scanning light emitting element array according to a sixth embodiment.
１ スタートパルス用ボンディングパッド ２，４ 転送のためのクロックパルス用ボンディングパ
ッド ３，６，７，３１，３２ 書込み信号用ボンディングパ
ッド ５ 電源用ボンディングパッド ９ 給電点 １１，１２，１３，１４ 抵抗 ２０ 戻り線 ３３，３４，３５，３６，３７ 配線 １００ ドライブ回路 ２００，２１０ 自己走査型発光素子アレイREFERENCE SIGNS LIST 1 bonding pad for start pulse 2, 4 bonding pad for clock pulse for transfer 3, 6, 7, 31, 32 bonding pad for write signal 5 bonding pad for power supply 9 feeding point 11, 12, 13, 14 resistor 20 return Lines 33, 34, 35, 36, 37 Wiring 100 Drive circuit 200, 210 Self-scanning light emitting element array
Claims (10)
制御可能な制御電極を有する３端子スイッチ素子多数個
を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子
の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共
に、各スイッチ素子の制御電極に電源ラインを第２の電
気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの
２端子の一方にクロックラインを接続して形成したスイ
ッチ素子アレイと、 しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制
御電極を有する３端子発光素子多数個を配列した発光素
子アレイとからなり、 前記発光素子アレイの制御電極と前記スイッチ素子の制
御電極とを接続し、各発光素子の残りの２端子の一方に
発光のための電流を印加する書込み信号ラインを設けた
自己走査型発光素子アレイにおいて、 前記自己走査型発光素子アレイが作製されているチップ
を単位として、前記書込み信号ラインへの給電が、ライ
ンの両側から行われていることを特徴とする自己走査型
発光素子アレイ。A control electrode of each switch element of a three-terminal switch element array in which a plurality of three-terminal switch elements having control electrodes whose threshold voltage or threshold current can be controlled from the outside is connected to each other by a first electrical connection. And a switch formed by connecting a power supply line to the control electrode of each switch element using the second electrical means and connecting a clock line to one of the remaining two terminals of each switch element. An element array, and a light-emitting element array in which a large number of three-terminal light-emitting elements having control electrodes capable of controlling a threshold voltage or a threshold current from the outside are arranged. Control of the control electrodes of the light-emitting element array and the control of the switch elements A self-scanning light emitting element array in which electrodes are connected and a write signal line for applying a current for light emission to one of the remaining two terminals of each light emitting element is provided. There are the units of chip self-scanning light-emitting element array is fabricated, the power supply to the write signal line, a self-scanning light-emitting element array which is characterized by being carried out from both sides of the line.
つ、合計２個のボンディングパッドを有することを特徴
とする請求項１記載の自己走査型発光素子アレイ。2. The self-scanning light emitting element array according to claim 1, wherein a total of two bonding pads are provided, one at each end of said write signal line.
に外付けされた１個の抵抗の一端に接続され、前記抵抗
の他端はドライブ回路の１個の端子に接続されているこ
とを特徴とする請求項２記載の自己走査型発光素子アレ
イ。3. The two bonding pads are connected to one end of one resistor externally attached to a chip, and the other end of the resistor is connected to one terminal of a drive circuit. The self-scanning light-emitting element array according to claim 2, wherein
に外付けされたまたはチップに内蔵された２個の抵抗の
一端にそれぞれ接続され、前記２個の抵抗の他端は、ド
ライブ回路の１個の端子に接続されていることを特徴と
する請求項２記載の自己走査型発光素子アレイ。4. The two bonding pads are respectively connected to one ends of two resistors external to or embedded in the chip, and the other ends of the two resistors are connected to one end of a drive circuit. The self-scanning light-emitting element array according to claim 2, wherein the self-scanning light-emitting element array is connected to a plurality of terminals.
ンディングパッドを有し、このボンディングパッドにチ
ップ内蔵の２個の抵抗の一端を接続し、一方の抵抗の他
端を前記書込み信号ラインの一端に接続し、他方の抵抗
の他端を、戻り線を介して前記書込み信号ラインの他端
に接続したことを特徴とする請求項１記載の自己走査型
発光素子アレイ。5. One end of the write signal line has one bonding pad, and one end of two resistors built into the chip is connected to the bonding pad, and the other end of one resistor is connected to the write signal line. 2. The self-scanning light-emitting element array according to claim 1, wherein the other end of the resistor is connected to the other end of the write signal line via a return line.
制御可能な制御電極を有する３端子スイッチ素子多数個
を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子
の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共
に、各スイッチ素子の制御電極に電源ラインを第２の電
気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの
２端子の一方にクロックラインを接続して形成したスイ
ッチ素子アレイと、 しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制
御電極を有する３端子発光素子多数個を配列した発光素
子アレイとからなり、 前記発光素子アレイの制御電極と前記スイッチ素子の制
御電極とを接続し、交互の各発光素子の残りの２端子の
一方に発光のための電流を印加する第１および第２の書
込み信号ラインを設けた自己走査型発光素子アレイにお
いて、 前記自己走査型発光素子アレイが作製されているチップ
を単位として、１個のボンディングパッドを有し、この
ボンディングパッドにチップ内蔵の２個の抵抗の一端を
接続し、一方の抵抗の他端を前記第１の書込み信号ライ
ンの一端に接続し、他方の抵抗の他端を、前記第２の書
込み信号ラインの一端に接続し、前記第１の書込み信号
ラインの他端と前記第２の書込み信号ラインの他端とを
接続したことを特徴とする自己走査型発光素子アレイ。6. The control electrode of each switch element of a three-terminal switch element array in which a plurality of three-terminal switch elements having control electrodes whose threshold voltage or threshold current can be externally controlled is connected to each other by a first electrical connection. And a switch formed by connecting a power supply line to the control electrode of each switch element using the second electrical means and connecting a clock line to one of the remaining two terminals of each switch element. An element array, and a light-emitting element array in which a large number of three-terminal light-emitting elements having control electrodes capable of controlling a threshold voltage or a threshold current from the outside are arranged. Control of the control electrodes of the light-emitting element array and the control of the switch elements A first and a second write signal line for connecting an electrode and applying a current for light emission to one of the remaining two terminals of each of the alternate light emitting elements; In the self-scanning light emitting element array, the chip in which the self-scanning light emitting element array is manufactured has one bonding pad, and one end of two built-in resistors is connected to the bonding pad, The other end of one resistor is connected to one end of the first write signal line, the other end of the other resistor is connected to one end of the second write signal line, and the other end of the first write signal line is connected to the other end of the first write signal line. A self-scanning light-emitting element array, wherein one end is connected to the other end of the second write signal line.
制御可能な制御電極を有する３端子スイッチ素子多数個
を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子
の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共
に、各スイッチ素子の制御電極に電源ラインを第２の電
気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの
２端子の一方にクロックラインを接続して形成したスイ
ッチ素子アレイと、 しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制
御電極を有する３端子発光素子多数個を配列した発光素
子アレイとからなり、 前記発光素子アレイの制御電極と前記スイッチ素子の制
御電極とを接続し、各発光素子の残りの２端子の一方に
発光のための電流を印加する書込み信号ラインを設けた
自己走査型発光素子アレイにおいて、 前記自己走査型発光素子アレイが作製されているチップ
を単位として、前記書込み信号ラインは、その中央部は
不連続であり、第１の書込みラインと第２の書込みライ
ンとで構成され、前記中央部付近に１個のボンディング
パッドを有し、このボンディングパッドにチップ内蔵の
２個の抵抗の一端を接続し、一方の抵抗の他端を前記第
１の書込み信号ラインの前記中央部側の一端に接続し、
他方の抵抗の他端を、前記第２の書込み信号ラインの前
記中央部側の一端に接続し、前記第１の書込み信号ライ
ンの他端と前記第２の書込み信号ラインの他端とを接続
したことを特徴とする自己走査型発光素子アレイ。7. The control electrode of each switch element of a three-terminal switch element array in which a plurality of three-terminal switch elements having control electrodes whose threshold voltage or threshold current can be controlled from the outside is connected to each other by a first electrical connection. And a switch formed by connecting a power supply line to the control electrode of each switch element using the second electrical means and connecting a clock line to one of the remaining two terminals of each switch element. An element array, and a light-emitting element array in which a large number of three-terminal light-emitting elements having control electrodes capable of controlling a threshold voltage or a threshold current from the outside are arranged. Control of the control electrodes of the light-emitting element array and the control of the switch elements A self-scanning light emitting element array in which electrodes are connected and a write signal line for applying a current for light emission to one of the remaining two terminals of each light emitting element is provided. The write signal line is discontinuous at a central portion thereof in units of a chip on which the self-scanning light-emitting element array is manufactured, and includes a first write line and a second write line, One bonding pad is provided near the central portion, one end of two resistors built in the chip is connected to the bonding pad, and the other end of one resistor is connected to the central portion of the first write signal line. To one end of the
The other end of the other resistor is connected to one end of the second write signal line on the center side, and the other end of the first write signal line is connected to the other end of the second write signal line. A self-scanning light-emitting element array, characterized in that:
制御可能な制御電極を有する３端子スイッチ素子多数個
を配列した３端子スイッチ素子アレイの各スイッチ素子
の制御電極を互いに第１の電気的手段にて接続すると共
に、各スイッチ素子の制御電極に電源ラインを第２の電
気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子の残りの
２端子の一方にクロックラインを接続して形成したスイ
ッチ素子アレイと、 しきい電圧もしくはしきい電流が外部から制御可能な制
御電極を有する３端子発光素子多数個を配列した発光素
子アレイとからなり、 前記発光素子アレイの制御電極と前記スイッチ素子の制
御電極とを接続し、交互の各発光素子アレイの各発光素
子の残りの２端子の一方に発光のための電流を印加する
第１の書込み信号ラインおよび第２の書込み信号ライン
を設けた自己走査型発光素子アレイにおいて、 前記自己走査型発光素子アレイが作製されているチップ
を単位として、前記第１の書込み信号ラインへの給電
が、ラインの片側から行われ、前記第２の書込み信号ラ
インへの給電が、前記第１の書込み信号ラインへの給電
とは反対側の、第２の書込み信号ラインの片側から行わ
れていることを特徴とする自己走査型発光素子アレイ。8. The control electrode of each switch element of a three-terminal switch element array in which a plurality of three-terminal switch elements having control electrodes whose threshold voltage or threshold current can be externally controlled is connected to each other by a first electrical connection. And a switch formed by connecting a power supply line to the control electrode of each switch element using the second electrical means and connecting a clock line to one of the remaining two terminals of each switch element. An element array, and a light-emitting element array in which a large number of three-terminal light-emitting elements having control electrodes capable of controlling a threshold voltage or a threshold current from the outside are arranged. Control of the control electrodes of the light-emitting element array and the control of the switch elements A first write signal line for connecting the electrodes and applying a current for light emission to one of the remaining two terminals of each light emitting element of each of the alternating light emitting element arrays; In a self-scanning light-emitting element array provided with a second write signal line, power is supplied to the first write signal line from one side of the line in units of a chip on which the self-scanning light-emitting element array is manufactured. Wherein the power supply to the second write signal line is performed from one side of the second write signal line opposite to the power supply to the first write signal line. Scanning light emitting element array.
加される発光素子と、前記第２の書込み信号ラインから
電流が印加される発光素子とが、２列に配列されている
ことを特徴とする請求項８記載の自己走査型発光素子ア
レイ。9. A light emitting element to which current is applied from the first write signal line and a light emitting element to which current is applied from the second write signal line are arranged in two rows. The self-scanning light-emitting element array according to claim 8, wherein
印加される発光素子と、前記第２の書込み信号ラインか
ら電流が印加される発光素子とが、１列に配列されてい
ることを特徴とする請求項８記載の自己走査型発光素子
アレイ。10. A light emitting element to which a current is applied from the first write signal line and a light emitting element to which a current is applied from the second write signal line are arranged in one line. The self-scanning light-emitting element array according to claim 8, wherein
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|---|---|---|---|
| JP2000085780A JP2001270150A (en) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | Self-scanning type light emitting element array |
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2000
- 2000-03-27 JP JP2000085780A patent/JP2001270150A/en active Pending
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