JP2001264737A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータ、ワークステーション等に用いられる液晶表示装
置に係わり、特に、バックライトユニットから照射され
る照射光の有効活用を図る際に有効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device used for a personal computer, a work station, and the like, and more particularly to a technique effective for effectively utilizing light emitted from a backlight unit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＴＦＴ（Thin Film Transister）の液晶
表示モジュールは、ノート型パソコン等の表示装置とし
て広く使用されている。これらの液晶表示モジュール
は、周囲に半導体チップ（ドレインドライバあるいはゲ
ートドライバを構成する半導体集積回路装置）が配置さ
れた液晶表示パネルと、当該液晶表示パネルを照射する
バックライトユニットとを有する。なお、このような技
術は、例えば、特公昭６０−１９４７４号公報、実開平
４−２２７８０号公報に記載されている。The liquid crystal display module of the Related Art TFT (T hin F ilm T ransister ) is widely used as a display device such as a notebook personal computer. These liquid crystal display modules include a liquid crystal display panel around which a semiconductor chip (a semiconductor integrated circuit device constituting a drain driver or a gate driver) is arranged, and a backlight unit that irradiates the liquid crystal display panel. Such a technique is described in, for example, Japanese Patent Publication No. Sho 60-19474 and Japanese Utility Model Laid-Open Publication No. 4-22780.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】一般に、前述したよう
な液晶表示モジュールでは、液晶表示パネルの輝度の向
上、あるいは消費電力の低減を図るためには、バックラ
イトユニットからの照射光の有効利用を図る必要があ
る。一方、ＴＦＴ方式の液晶表示モジュールでは、ＴＦ
Ｔ基板が、ガラス基板と、ガラス基板上に設けられるゲ
ート絶縁膜とを有し、このゲート絶縁膜は、窒化珪素
（ＳｉＮｘ；以下、単にＳｉＮｘという。）膜で構成さ
れている。しかしながら、ＳｉＮｘ膜の屈折率（ｎ１）
が、ガラス基板の屈折率（ｎ０）より大きい（ｎ１＞ｎ
０）ため、バックライトユニットからの照射光の一部
が、ガラス基板とＳｉＮｘ膜との界面で反射されるとい
う問題点があった。このように、従来の液晶表示モジュ
ールでは、バックライトユニットから照射される照射光
を有効に利用していないという問題点があった。本発明
は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたも
のであり、本発明の目的は、液晶表示装置において、バ
ックライトユニットから照射される照射光の有効活用を
図り、輝度を向上させ、かつ、低消費電力化を図ること
が可能となる技術を提供することにある。本発明の前記
ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述
及び添付図面によって明らかにする。Generally, in the above-described liquid crystal display module, in order to improve the brightness of the liquid crystal display panel or reduce the power consumption, it is necessary to effectively use the light emitted from the backlight unit. It is necessary to plan. On the other hand, in a TFT type liquid crystal display module, TF
The T substrate has a glass substrate and a gate insulating film provided on the glass substrate, and the gate insulating film is formed of a silicon nitride (SiNx; hereinafter, simply referred to as SiNx) film. However, the refractive index (n1) of the SiNx film
Is larger than the refractive index (n0) of the glass substrate (n1> n
0), there is a problem that a part of the irradiation light from the backlight unit is reflected at the interface between the glass substrate and the SiNx film. As described above, the conventional liquid crystal display module has a problem that the irradiation light emitted from the backlight unit is not effectively used. The present invention has been made in order to solve the problems of the conventional technology, and an object of the present invention is to improve the luminance by effectively utilizing the irradiation light emitted from a backlight unit in a liquid crystal display device. It is another object of the present invention to provide a technology that can achieve low power consumption. The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、一対基板間に狭持
される液晶を有する液晶表示素子を備える液晶表示装置
であって、前記一対の基板の一方の基板は、前記一方の
基板上に設けられる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層
上に設けられる第２の絶縁層とを有し、前記第１の絶縁
層は、前記第２の絶縁層と接する領域の組成比が前記第
２の絶縁層の組成比と同じになるように、その組成比が
膜厚方向に連続的に変化しており、かつ、前記一方の基
板と接する領域の屈折率と前記一方の基板の屈折率との
差が、前記第２の絶縁層と接する領域の屈折率と前記一
方の基板の屈折率との差よりも小さいことを特徴とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows. That is, the present invention is a liquid crystal display device including a liquid crystal display element having a liquid crystal held between a pair of substrates, wherein one of the pair of substrates has a first substrate provided on the one substrate. An insulating layer and a second insulating layer provided on the first insulating layer, wherein the first insulating layer has a composition ratio of a region in contact with the second insulating layer, The composition ratio is continuously changed in the film thickness direction so as to be the same as the composition ratio of the layer, and the difference between the refractive index of the region in contact with the one substrate and the refractive index of the one substrate. Is smaller than the difference between the refractive index of the region in contact with the second insulating layer and the refractive index of the one substrate.
【０００５】また、本発明は、一対基板間に狭持される
液晶を有する液晶表示素子を備える液晶表示装置であっ
て、前記一対の基板の一方の基板は、前記一方の基板上
に設けられる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設
けられる第２の絶縁層とを有し、前記第２の絶縁層はＳ
ｉＮｘであり、前記第１の絶縁層は、前記一方の基板と
接する領域の組成比がＳｉＮｘＯｙで、前記第２の絶縁
層と接する領域の組成比がＳｉＮｘになるように、その
組成比が膜厚方向に連続的に変化していることを特徴と
する。According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a liquid crystal display element having a liquid crystal sandwiched between a pair of substrates, wherein one of the pair of substrates is provided on the other of the substrates. A first insulating layer, a second insulating layer provided on the first insulating layer, wherein the second insulating layer is
iNx, and the first insulating layer has a film ratio such that the composition ratio of the region in contact with the one substrate is SiNxOy and the composition ratio of the region in contact with the second insulating layer is SiNx. It is characterized by continuously changing in the thickness direction.
【０００６】前述の手段によれば、一方の基板上に設け
られる第１の絶縁層（ゲート絶縁層）の組成比を、第１
の絶縁層の第２の絶縁層（層間絶縁膜）と接する領域の
組成比が、第２の絶縁層の組成比と同じになるように、
膜厚方向に連続して変化させ、かつ、第１の絶縁層の一
方の基板と接する領域の屈折率と前記一方の基板の屈折
率との差を、第１の絶縁層の第２の絶縁層と接する領域
の屈折率と前記一方の基板の屈折率との差よりも小さく
したので、第１の絶縁層と第２の絶縁層との界面で反射
される、バックライトユニットからの照射光を少なくす
ることが可能となる。これにより、液晶表示素子の輝度
を向上させ、かつ、低消費電力化を図ることが可能とな
る。According to the above-described means, the composition ratio of the first insulating layer (gate insulating layer) provided on one of the substrates is adjusted to the first ratio.
So that the composition ratio of the region of the insulating layer in contact with the second insulating layer (interlayer insulating film) is the same as the composition ratio of the second insulating layer.
The difference between the refractive index of the region of the first insulating layer in contact with the one substrate and the refractive index of the one substrate is continuously changed in the film thickness direction, and the difference between the refractive index of the first insulating layer and the second insulating layer of the first insulating layer. Irradiation light from the backlight unit reflected at the interface between the first insulating layer and the second insulating layer because the difference between the refractive index of the region in contact with the layer and the refractive index of the one substrate is smaller. Can be reduced. As a result, it is possible to improve the brightness of the liquid crystal display element and reduce power consumption.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 ［実施の形態１］ ［本発明が適用されるＴＦＴ方式の液晶表示モジュール
の基本構造］図１は、本発明が適用されるＴＦＴ方式の
液晶表示モジュール（ＬＣＭ）の基本構造を示す断面図
である。図１に示すＴＦＴ方式の液晶表示モジュール
（ＬＣＭ）は、液晶表示パネル（ＬＣＤ；本発明の液晶
表示素子）１、バックライトユニット２とを備える。液
晶表示パネル１は、画素電極、薄膜トランジスタ等が形
成されるＴＦＴ基板１０と、コモン電極（対向電極）、
カラーフィルタ等が形成されるフィルタ基板２０とを、
所定の間隙を隔てて重ね合わせ、該両基板間の周縁部近
傍に枠状に設けたシール材３０により、両基板を貼り合
わせると共に、シール材３０の一部に設けた液晶封入口
から両基板間のシール材３０の内側に液晶（ＬＣＤ）を
封入、封止し、さらに、両基板の外側に偏光板（ＰＯＬ
１，ＰＯＬ２）を貼り付けて構成される。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments, components having the same functions are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof will be omitted. [Embodiment 1] [Basic structure of TFT type liquid crystal display module to which the present invention is applied] FIG. 1 is a sectional view showing a basic structure of a TFT type liquid crystal display module (LCM) to which the present invention is applied. is there. The TFT type liquid crystal display module (LCM) shown in FIG. 1 includes a liquid crystal display panel (LCD; liquid crystal display element of the present invention) 1 and a backlight unit 2. The liquid crystal display panel 1 includes a TFT substrate 10 on which pixel electrodes and thin film transistors are formed, a common electrode (a counter electrode),
A filter substrate 20 on which a color filter or the like is formed;
The two substrates are overlapped with each other by a frame-shaped sealing material 30 provided in the vicinity of the peripheral edge between the two substrates, and both substrates are bonded together. A liquid crystal (LCD) is sealed and sealed inside the sealing material 30 between them, and a polarizing plate (POL) is formed outside the both substrates.
1, POL2).
【０００８】図２は、図１に示す液晶表示モジュールの
画素を示す平面図である。各画素は、隣接する２本の走
査信号線（ゲート信号線または水平信号線）（Ｇ）と、
隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または垂直
信号線）（Ｄ）との交差領域内（４本の信号線で囲まれ
た領域内）に配置されている。各画素は、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）と、画素電極（ＩＴＯ１）とを含む。な
お、図２では、後述するコンタクトホール（ＣＨ）の図
示は省略しており、また、付加容量（Ｃａｄｄ）の図示
も省略している。画素電極（ＩＴＯ１）は、薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）と接続され、
また、ドレイン電極（ＳＤ２）は映像信号線（Ｄ）と電
気的に接続される。画素電極（ＩＴＯ１）は、液晶層
（ＬＣ）を介してコモン電極と対向しており、各画素電
極（ＩＴＯ１）とコモン電極との間の電界により液晶層
（ＬＣ）の光学的な状態を制御し、画像表示を行う。FIG. 2 is a plan view showing a pixel of the liquid crystal display module shown in FIG. Each pixel includes two adjacent scanning signal lines (gate signal lines or horizontal signal lines) (G),
It is arranged in an intersecting region with an adjacent two video signal lines (drain signal lines or vertical signal lines) (D) (in an area surrounded by four signal lines). Each pixel includes a thin film transistor (TFT) and a pixel electrode (ITO1). In FIG. 2, the illustration of a contact hole (CH) described later is omitted, and the illustration of an additional capacitance (Cadd) is also omitted. The pixel electrode (ITO1) is connected to the source electrode (SD1) of the thin film transistor (TFT),
The drain electrode (SD2) is electrically connected to the video signal line (D). The pixel electrode (ITO1) is opposed to the common electrode via the liquid crystal layer (LC), and controls the optical state of the liquid crystal layer (LC) by an electric field between each pixel electrode (ITO1) and the common electrode. Then, an image is displayed.
【０００９】図３は、図１の液晶表示モジュールにおけ
る、図２に示すＡ−Ａ’切断線に沿った要部断面構造を
示す断面図である。以下、図２、図３を用いて、図１に
示す液晶表示モジュールの概略構成を説明する。図２、
図３に示すように、ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板（Ｓ
ＵＢ１）と、ガラス基板（ＳＵＢ１）に設けられる走査
信号線（Ｇ）およびゲート電極（ＧＤ）と、走査信号線
（Ｇ）およびゲート電極（ＧＤ）上に設けられるゲート
絶縁膜（ＧＩ）と、ゲート絶縁膜（ＧＩ）上に設けられ
る半導体層（アモルファスシリコン；ＡＳ）と、半導体
層（ＡＳ）に設けられるソース電極（ＳＤ１）、ドレイ
ン電極（ＳＤ２）および映像信号線（Ｄ）と、ソース電
極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）および映像信号
線（Ｄ）上に設けられる層間絶縁膜（ＰＡＳ）と、層間
絶縁膜（ＰＡＳ）上に形成される画素電極（ＩＴＯ１）
と、画素電極（ＩＴＯ１）上に設けられる配向膜（ＯＲ
Ｉ１）とを有する。ここで、ゲート電極（ＧＤ）、半導
体層（ＡＳ）、ソース電極（ＳＤ１）およびドレイン電
極（ＳＤ２）で薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、
また、画素電極（ＩＴＯ１）は、コンタクトホール（Ｃ
Ｈ）を介してソース電極（ＳＤ１）と電気的に接続され
ている。さらに、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外側の表面
には偏光板（ＰＯＬ１）が設けられる。FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid crystal display module of FIG. 1 showing a cross-sectional structure along a line AA 'shown in FIG. Hereinafter, a schematic configuration of the liquid crystal display module shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. FIG.
As shown in FIG. 3, the TFT substrate 10 is a glass substrate (S
UB1), a scanning signal line (G) and a gate electrode (GD) provided on the glass substrate (SUB1), a gate insulating film (GI) provided on the scanning signal line (G) and the gate electrode (GD), A semiconductor layer (amorphous silicon; AS) provided on the gate insulating film (GI); a source electrode (SD1), a drain electrode (SD2) and a video signal line (D) provided on the semiconductor layer (AS); (SD1), an interlayer insulating film (PAS) provided on the drain electrode (SD2) and the video signal line (D), and a pixel electrode (ITO1) formed on the interlayer insulating film (PAS)
And an alignment film (OR) provided on the pixel electrode (ITO1).
I1). Here, a thin film transistor (TFT) is constituted by the gate electrode (GD), the semiconductor layer (AS), the source electrode (SD1), and the drain electrode (SD2).
The pixel electrode (ITO1) is connected to the contact hole (C
H) and is electrically connected to the source electrode (SD1). Further, a polarizing plate (POL1) is provided on the outer surface of the glass substrate (SUB1).
【００１０】フィルタ基板２０は、ガラス基板（ＳＵＢ
２）と、ガラス基板（ＳＵＢ２）上に設けられる遮光用
のブラックマトリクスパターン（ＢＭ）と、ガラス基板
（ＳＵＢ２）上で、一部がブラックマトリクスパターン
（ＢＭ）を覆うようにブラックマトリクスパターン（Ｂ
Ｍ）の間に設けられるＲ・Ｇ・Ｂ用のカラーフィルタ
（ＦＩＬ）と、ブラックマトリクスパターン（ＢＭ）お
よびカラーフィルタ（ＦＩＬ）上に設けられる保護膜
（ＰＳＶ）と、保護膜（ＰＳＶ）上に設けられるコモン
電極（ＩＴＯ２）と、コモン電極（ＩＴＯ２）上に設け
られる配向膜（ＯＲＩ２）とを有する。また、ガラス基
板（ＳＵＢ２）の外側の表面には偏光板（ＰＯＬ２）が
設けられる。[0010] The filter substrate 20 is a glass substrate (SUB).
2), a black matrix pattern (BM) for light shielding provided on a glass substrate (SUB2), and a black matrix pattern (B) on the glass substrate (SUB2) so as to partially cover the black matrix pattern (BM).
M), a color filter (FIL) for R, G, and B provided between the black matrix pattern (BM) and the color filter (FIL), and a protective film (PSV) provided on the color filter (FIL). And an alignment film (ORI2) provided on the common electrode (ITO2). A polarizing plate (POL2) is provided on the outer surface of the glass substrate (SUB2).
【００１１】［従来の液晶表示モジュールのゲート絶縁
膜の構成］図４は、従来の液晶表示モジュールの、ゲー
ト絶縁膜（ＧＩ）と層間絶縁膜（ＰＡＳ）の構成を説明
するための図である。図４に示すように、従来の液晶表
示モジュールでは、製造プロセスの理由により、ゲート
絶縁膜（ＧＩ）および層間絶縁膜（ＰＡＳ）は、ともに
窒化シリコン（ＳｉＮｘ；以下、単に、ＳｉＮｘとい
う）で作成されていた。しかしながら、図４に示すよう
に、ガラス基板（ＳＵＢ１）の屈折率（ｎ０）が１．５
４（ｎ＝１．５４）、ＳｉＮｘの屈折率（ｎ１）が１．
８（ｎ＝１．８）であり、ＳｉＮｘ膜の屈折率（ｎ１）
が、ガラス基板（ＳＵＢ１）の屈折率（ｎ０）より大き
い（ｎ１＞ｎ０）ため、バックライトユニット２からの
照射光の一部が、ガラス基板（ＳＵＢ１）とゲート絶縁
膜（ＧＩ）との界面で反射してしまうので、従来の液晶
表示モジュールでは、バックライトユニット２から照射
される照射光の利用効率が低いという問題があった。[Configuration of Gate Insulating Film of Conventional Liquid Crystal Display Module] FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration of a gate insulating film (GI) and an interlayer insulating film (PAS) of a conventional liquid crystal display module. . As shown in FIG. 4, in the conventional liquid crystal display module, the gate insulating film (GI) and the interlayer insulating film (PAS) are both made of silicon nitride (SiNx; hereinafter, simply referred to as SiNx) due to the manufacturing process. It had been. However, as shown in FIG. 4, the refractive index (n0) of the glass substrate (SUB1) is 1.5.
4 (n = 1.54), the refractive index (n1) of SiNx is 1.
8 (n = 1.8), and the refractive index (n1) of the SiNx film
Is larger than the refractive index (n0) of the glass substrate (SUB1) (n1> n0), so that a part of the irradiation light from the backlight unit 2 causes an interface between the glass substrate (SUB1) and the gate insulating film (GI). Therefore, in the conventional liquid crystal display module, there is a problem that the utilization efficiency of irradiation light emitted from the backlight unit 2 is low.
【００１２】［本発明の実施の形態の液晶表示モジュー
ルのゲート絶縁膜の構成］図５は、本発明の実施の形態
のＴＦＴ方式の液晶表示モジュールのゲート絶縁膜（Ｇ
Ｉ）と層間絶縁膜（ＰＡＳ）の構成を説明するための図
である。図５に示すように、本実施の形態では、層間絶
縁膜（ＰＡＳ）は従来と同様ＳｉＮｘで構成されるが、
ゲート絶縁膜は、その組成比が、ガラス基板（ＳＵＢ
１）との界面でＳｉＮｘＯｙ、層間絶縁膜（ＰＡＳ）と
の界面でＳｉＮｘとなるように、厚み方向に連続して変
化している。一般に、ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、化学気
相成長法（ＣＶＤ；Chemical VaporDeposition）で作成
される。本実施の形態のゲート絶縁膜（ＧＩ）は、化学
気相成長法でゲート絶縁膜（ＧＩ）を作成する際に、ガ
スの種類をゲート絶縁膜（ＧＩ）の膜厚方向に変化させ
ることにより、容易に作成することができる。[Structure of Gate Insulating Film of Liquid Crystal Display Module of Embodiment of the Present Invention] FIG. 5 shows a gate insulating film (G) of a TFT type liquid crystal display module of the embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram for explaining a configuration of I) and an interlayer insulating film (PAS). As shown in FIG. 5, in this embodiment, the interlayer insulating film (PAS) is made of SiNx as in the related art.
The gate insulating film has a composition ratio of a glass substrate (SUB).
1), and continuously changes in the thickness direction so as to become SiNxOy at the interface with the interlayer insulating film (PAS). In general, the gate insulating film (GI) is a chemical vapor deposition method; created in (CVD C hemical V apor D eposition ). The gate insulating film (GI) of this embodiment is obtained by changing the type of gas in the thickness direction of the gate insulating film (GI) when the gate insulating film (GI) is formed by a chemical vapor deposition method. , Can be easily created.
【００１３】ＳｉＮｘＯｙの屈折率（ｎ２）は、１．４
６以上（ｎ２≧１．４６）であるので、本実施の形態で
は、ガラス基板（ＳＵＢ１）とゲート絶縁膜（ＧＩ）と
の界面における屈折率の差を、従来の液晶表示モジュー
ルよりも小さくすることができる。したがって、本実施
の形態では、バックライトユニット２からの照射光で、
ガラス基板（ＳＵＢ１）とゲート絶縁膜（ＧＩ）との界
面で反射される照射光を少なくすることができる。さら
に、本実施の形態では、バックライトユニット２からの
照射光で、ゲート絶縁膜（ＧＩ）と層間絶縁膜との界面
で反射される照射光をも少なくすることができる。これ
により、本実施の形態では、液晶表示パネル１を透過す
る照射光を増大させることができるので、バックライト
ユニット２から照射される照射光の利用効率を、従来の
液晶表示モジュールより向上させることが可能となり、
液晶表示パネルの輝度を向上させ、かつ、低消費電力化
を図ることが可能となる。以上、本発明者によってなさ
れた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明した
が、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることは勿論である。The refractive index (n2) of SiNxOy is 1.4.
Since n is 6 or more (n2 ≧ 1.46), in the present embodiment, the difference in the refractive index at the interface between the glass substrate (SUB1) and the gate insulating film (GI) is made smaller than in the conventional liquid crystal display module. be able to. Therefore, in the present embodiment, with the irradiation light from the backlight unit 2,
Irradiation light reflected at the interface between the glass substrate (SUB1) and the gate insulating film (GI) can be reduced. Further, in this embodiment, irradiation light from the backlight unit 2 reflected at the interface between the gate insulating film (GI) and the interlayer insulating film can be reduced. Thereby, in the present embodiment, the irradiation light transmitted through the liquid crystal display panel 1 can be increased, so that the utilization efficiency of the irradiation light irradiated from the backlight unit 2 can be improved as compared with the conventional liquid crystal display module. Becomes possible,
It is possible to improve the brightness of the liquid crystal display panel and reduce power consumption. As described above, the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and can be variously modified without departing from the gist of the invention. Of course, it is.
【００１４】[0014]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 （１）本発明の液晶表示装置によれば、バックライトユ
ニットから照射される照射光の利用効率を、従来の液晶
表示モジュールより向上させることが可能となる。 （２）本発明の液晶表示装置によれば、液晶表示素子の
輝度を向上させ、かつ、低消費電力化を図ることが可能
となる。The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. (1) According to the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to improve the utilization efficiency of the irradiation light emitted from the backlight unit as compared with the conventional liquid crystal display module. (2) According to the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to improve the luminance of the liquid crystal display element and reduce power consumption.
【図１】本発明が適用されるＴＦＴ方式の液晶表示モジ
ュール（ＬＣＭ）の基本構造を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a basic structure of a TFT type liquid crystal display module (LCM) to which the present invention is applied.
【図２】図１に示す液晶表示モジュールの一画素を示す
平面図である。FIG. 2 is a plan view showing one pixel of the liquid crystal display module shown in FIG.
【図３】図１の液晶表示モジュールにおける、図２に示
すＡ−Ａ’切断線に沿った要部断面構造を示す断面図で
ある。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of a main part of the liquid crystal display module of FIG. 1 taken along the line AA ′ shown in FIG. 2;
【図４】従来の液晶表示モジュールの、ゲート絶縁膜
（ＧＩ）と層間絶縁膜（ＰＡＳ）の構成を説明するため
の図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration of a gate insulating film (GI) and an interlayer insulating film (PAS) of a conventional liquid crystal display module.
【図５】本発明の実施の形態のＴＦＴ方式の液晶表示モ
ジュールのゲート絶縁膜（ＧＩ）と層間絶縁膜（ＰＡ
Ｓ）の構成を説明するための図である。FIG. 5 shows a gate insulating film (GI) and an interlayer insulating film (PA) of a TFT type liquid crystal display module according to an embodiment of the present invention.
It is a figure for explaining composition of S).
１…液晶表示パネル、２…バックライトユニット、１０
…ＴＦＴ基板、２０…フィルタ基板、３０…シール材、
ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＳＵＢ…ガラス基板、ＬＣ
…液晶、Ｇ…走査信号線（ゲート信号線または水平信号
線）、ＧＤ…ゲート電極、ＧＩ…ゲート絶縁膜、Ｄ…映
像信号線（ドレイン信号線または垂直信号線）、ＰＡＳ
…層間絶縁膜、ＡＳ…半導体層、ＳＤ１…ソース電極、
ＳＤ２…ドレイン電極、ＩＴＯ１…画素電極、ＩＴＯ２
…コモン電極、ＣＨ…コンタクトホール、ＯＲＩ…配向
膜、ＰＳＶ…保護膜、ＦＩＬ…カラーフィルタ、ＢＭ…
ブラックマトリクスパターン、ＰＯＬ…偏光板。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal display panel, 2 ... Backlight unit, 10
... TFT substrate, 20 ... Filter substrate, 30 ... Seal material,
TFT: Thin film transistor, SUB: Glass substrate, LC
... Liquid crystal, G ... Scan signal line (gate signal line or horizontal signal line), GD ... Gate electrode, GI ... Gate insulating film, D ... Video signal line (Drain signal line or vertical signal line), PAS
... Interlayer insulating film, AS ... Semiconductor layer, SD1 ... Source electrode,
SD2: drain electrode, ITO1: pixel electrode, ITO2
... Common electrode, CH ... Contact hole, ORI ... Orientation film, PSV ... Protective film, FIL ... Color filter, BM ...
Black matrix pattern, POL ... Polarizing plate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 亨 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HB03X HC03 HD06 LA04 LA05 2H092 JA36 KA12 KB25 MA07 NA01 NA26 PA13 5C058 AA09 AB01 AB03 AB05 BA05 BA26 5C094 AA10 AA22 BA03 BA43 CA19 CA23 DA15 EA03 EA04 EA07 FB02 FB15 JA13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tohru Sasaki 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba F-term in Display Group, Hitachi, Ltd. (reference) 2H090 HA04 HB03X HC03 HD06 LA04 LA05 2H092 JA36 KA12 KB25 MA07 NA01 NA26 PA13 5C058 AA09 AB01 AB03 AB05 BA05 BA26 5C094 AA10 AA22 BA03 BA43 CA19 CA23 DA15 EA03 EA04 EA07 FB02 FB15 JA13
Claims (2)
子を備える液晶表示装置であって、 前記一対の基板の一方の基板は、前記一方の基板上に設
けられる第１の絶縁層と、 前記第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層とを有
し、 前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層と接する領域の
組成比が前記第２の絶縁層の組成比と同じになるよう
に、その組成比が膜厚方向に連続的に変化しており、か
つ、前記一方の基板と接する領域の屈折率と前記一方の
基板の屈折率との差が、前記第２の絶縁層と接する領域
の屈折率と前記一方の基板の屈折率との差よりも小さい
ことを特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal display device comprising a liquid crystal display element having a pair of substrates and a liquid crystal held between the pair of substrates, wherein one substrate of the pair of substrates is provided on the one substrate. A first insulating layer provided on the first insulating layer, and a second insulating layer provided on the first insulating layer, wherein the first insulating layer has a composition ratio of a region in contact with the second insulating layer. The composition ratio continuously changes in the film thickness direction so that the composition ratio is the same as the composition ratio of the second insulating layer, and the refractive index of the region in contact with the one substrate and the one substrate A difference between the refractive index of the first insulating substrate and the refractive index of a region in contact with the second insulating layer.
子を備える液晶表示装置であって、 前記一対の基板の一方の基板は、前記一方の基板上に設
けられる第１の絶縁層と、 前記第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層とを有
し、 前記第２の絶縁層はＳｉＮｘであり、 前記第１の絶縁層は、前記一方の基板と接する領域の組
成比がＳｉＮｘＯｙで、前記第２の絶縁層と接する領域
の組成比がＳｉＮｘになるように、その組成比が膜厚方
向に連続的に変化していることを特徴とする液晶表示装
置。2. A liquid crystal display device comprising a liquid crystal display element having a pair of substrates and a liquid crystal sandwiched between the pair of substrates, wherein one substrate of the pair of substrates is provided on the one substrate. A first insulating layer provided on the first insulating layer, and a second insulating layer provided on the first insulating layer, wherein the second insulating layer is SiNx; The composition ratio continuously changes in the film thickness direction such that the composition ratio of the region in contact with one substrate is SiNxOy and the composition ratio of the region in contact with the second insulating layer is SiNx. Liquid crystal display device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071443A JP2001264737A (en) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071443A JP2001264737A (en) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001264737A true JP2001264737A (en) | 2001-09-26 |
Family
ID=18590029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000071443A Pending JP2001264737A (en) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001264737A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005242339A (en) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device |
| US7977685B2 (en) | 2004-01-26 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
-
2000
- 2000-03-15 JP JP2000071443A patent/JP2001264737A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005242339A (en) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device |
| US7977685B2 (en) | 2004-01-26 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8669567B2 (en) | 2004-01-26 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
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