JP2001230638A - 光送受信回路の設計方法 - Google Patents

光送受信回路の設計方法

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JP2001230638A
JP2001230638A JP2000040583A JP2000040583A JP2001230638A JP 2001230638 A JP2001230638 A JP 2001230638A JP 2000040583 A JP2000040583 A JP 2000040583A JP 2000040583 A JP2000040583 A JP 2000040583A JP 2001230638 A JP2001230638 A JP 2001230638A
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Yuko Yoshida
祐子 吉田
Tadashi Ishihara
正 石原
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NEC Engineering Ltd
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NEC Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高精度の光受信回路および光送信回路の設計方
法を提供する。 【解決手段】光部品の単体Sパラメータ特性を抽出し、
シミュレーションに適用可能なデータに変換して電気部
品と同一のシミュレーション上でインピーダンス整合回
路7の設計を行う。光部品と電気部品間のインピーダン
ス整合回路7を、パターン形状、抵抗15、コイル16
およびコンデンサ17の組み合わせにより設計する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信回路、特に光
送受信回路のインピーダンス整合等を行う設計方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】有線又は無線による電気通信信号に対す
る種々の利点があり且つ優れた特性の光ファイバが比較
的安価に入手可能であるので、従来の電気通信に代わっ
て光通信が普及しつつある。斯かる光ファイバを使用す
る光通信には、電気通信の場合と同様に、送受信回路、
即ち光送信回路および光受信回路が必要になる。光送受
信回路の設計方法は、例えば特開平9−44549号公
報の「回路設計方法およびレイアウト設計方法」に開示
されている。即ち、複数の部品から構成される回路に対
し、入力した信号を反射することなく次段に伝送させる
ためのインピーダンス整合回路の設計方法を開示してい
る。
【0003】図16は、上述した従来技術によるインピ
ーダンス整合回路の設計方法の1例を示すフローチャー
トである。先ず、部品単体のSパラメータ特性を抽出し
(ステップU1)、市販の高周波用回路シミュレーショ
ンに適用されるためのデータ変換を行う(ステップU
2)。次に、シミュレーションにより、スミスチャート
上でSパラメータ特性が最適となるようにインピーダン
ス整合回路を設計する(ステップU3)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
技術には、次の如き幾つかの課題を有する。先ず第1
に、光受信機を含んだ回路設計に適していないことであ
る。その理由は、光受信機ではS11特性、S12特性
が得られないためにシミュレーションが適用できず、等
価回路に置き換えてシミュレーションを行わなければな
らないからである。第2に、光送信機を含んだ回路設計
に適しないということである。その理由は、光受信機で
はS12特性、S22特性が得られないためにシミュレ
ーションに適用できず、等価回路に置き換えてシミュレ
ーションを行わなければならないからである。第3に、
広帯域でのシミュレーションが容易に行えないというこ
とである。その理由は、上述した理由により光部品を等
価回路に置き換えた場合に、広帯域でのシミュレーショ
ンを行うためのパラメータ設定が困難であるためであ
る。
【0005】
【発明の目的】本発明の目的は、光部品を電気部品と同
じシミュレーション上で適用させるための光送受信回路
の設計方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の光受信回路の設
計方法は、光−電気変換器および増幅回路間にインピー
ダンス整合回路を有する光受信回路の設計方法であっ
て、光−電気変換器の光−電気変換部品のS21特性お
よびS22特性を測定により抽出し、入出力Sパラメー
タS11、S12、S21、S22特性のデータに変換
する。本発明の好適実施形態例によると、変換された光
−電気変換部品のデータを、その他の電気部品の単体デ
ータと共に同一のシミュレーションを使用してインピー
ダンス整合回路を設計する。基板への部品実装用パット
を含む部品の特性を測定により抽出し、この測定データ
を使用してシミュレーションする。また、この基板への
部品実装用パットを含む部品の特性抽出は、信号入出力
コネクタおよび配線パターンを含むキャリブレーション
キットを使用する。
【0007】また、本発明による光送信回路の設計方法
は、レベル制御回路および電気−光変換器間にインピー
ダンス整合回路を有する光送信回路の設計方法であっ
て、電気−光変換器の電気−光変換部品のS11特性お
よびS21特性を測定により抽出し、入出力Sパラメー
タS11、S12、S21、S22特性データに変換す
る。本発明の好適実施形態例によると、変換された電気
−光変換部品のデータを、その他の電気部品の単体デー
タと共に同一のシミュレーションを使用してインピーダ
ンス整合回路を設計する。基板への部品実装用パットを
含む部品の特性を測定により抽出し、この測定データを
使用してシミュレーションする。また、基板への部品実
装用パットを含む部品の特性を抽出する測定は、信号入
出力コネクタおよび配線パターンを含むキャリブレーシ
ョンキットを使用する。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明による光送受信回路
の設計方法の好適実施形態例を、添付図を参照して詳細
に説明する。
【0009】先ず、図1は、本発明の第1実施形態例に
よる光受信回路の設計方法のフローチャートを示す。こ
の光受信回路の設計方法は、それぞれ順次実行されるス
テップS1乃至S3、これらのステップS1〜S3と並
列に実行されるステップS4およびS5、更にこれらス
テップS3およびS5の後で実行されるステップS6よ
りなる。
【0010】上述したステップS1では、光−電気(O
−E)変換器の出力SパラメータS21およびS22特
性を市販のSパラメータ測定器により抽出する。次に、
ステップS2では、ステップS1で抽出した光−電気変
換器の出力Sパラメータ特性を、入出力SパラメータS
11、S12、S21、S22特性に変換する。次に、
ステップS3では、ステップS2で変換された入出力S
パラメータ特性を市販の高周波回路用シミュレーション
に入力するためのデータ変換を行う。ステップS4で
は、電気部品の入出力SパラメータS11、S12、S
21、S22特性を抽出する。次に、ステップS5で
は、ステップS4で抽出した電気部品の入出力Sパラメ
ータ特性をシミュレーションに入力するためのデータ変
換を行う。最後に、ステップS6は、シミュレーション
用に変換された電気部品および光部品のデータをそれぞ
れ入力してインピーダンス整合回路の設計を行う。
【0011】次に、図1に示す本発明による光受信回路
の設計方法を更に詳細に説明する。光受信回路に使用す
る光−電気変換器のSパラメータ特性をSパラメータ測
定器により抽出する(ステップS1)。光−電気変換器
では、S22特性およびS21特性の出力Sパラメータ
しか得られないために、不足した入力SパラメータS1
1特性およびS12特性を補充して入出力Sパラメータ
S11、S12、S21およびS22に変換する(ステ
ップS2)。例えば、光−電気変換機の測定データの1
例を図2(A)に示す。測定により得られるのはS21
特性2aとS22特性4aだけである。光の接続では、
インピーダンスの不整合が見られないため、光−電気変
換機の光入力部を、理想的にインピーダンス整合された
電気の入力部と仮定し、不足したS11特性1aおよび
S12特性3aに、図3に示した入出力通過接続時のS
11特性1bおよびS12特性3bを入力することによ
って、図2(B)に示す入出力Sパラメータに変換す
る。変換した入出力Sパラメータを次に示す(式1)に
代入し、シミュレーションに入力するための振幅および
位相のデータに変換する(ステップS3)。変換された
光−電気変換機のデータをシミュレーションに入力す
る。シミュレーション既存値である各電器部品データを
用いて(ステップS4およびS5)、光−電気変換機お
よび電気−光変換器と電気部品間とのインピーダンス整
合回路を設計する(ステップS6)。 Mag=20・log[√{(re)+(im)}] Ang=Ph・180/π Ph=tan−1(im/re)+π(∵re<0、im>0) =tan−1(im/re)−π(∵re<0、im<0) =tan−1(im/re) (∵re≧0) (Mag:振幅(dB)、Ang:位相(deg)、r
e:Sパラメータ実数部、im:Sパラメータ虚数部)
【0012】次に、図4は、光受信回路のブロック図で
ある。この光受信回路は、光ファイバ5、光−電気変換
器6、インピーダンス整合回路7a、増幅回路8および
信号出力端子9より構成される。インピーダンス整合回
路7aは、抵抗、コイルおよびコンデンサの3種類の受
動素子の組み合わせおよびパターン形状によって構成さ
れる。インピーダンス整合回路7aの出力は、増幅回路
8に接続され、その出力は信号出力端子9に接続され
る。
【0013】図5は、図4に示す光−電気変換器6のS
パラメータ特性測定系の構成図である。このSパラメー
タ特性測定系は、光コンポーネントアナライザ10、光
ファイバケーブル11、光−電気変換器Sパラメータ特
性測定基板12および同軸ケーブル13によりなる。光
コンポーネントアナライザ10の光出力が光ファイバ1
1を介して光−電気変換器Sパラメータ測定基板12に
接続される。光−電気変換器Sパラメータ特性測定基板
12の電気出力は、同軸ケーブル13を介して、光コン
ポーネントアナライザ10の電気入力端子に接続され
る。
【0014】次に、図4および図5に示す光受信回路の
動作を説明する。図4に示す光受信回路に使用する光−
電気変換器6のSパラメータ特性を、基板に実装した状
態で、図5に示す測定系を使用して抽出する。光−電気
変換器6では、S22特性およびS21特性の出力Sパ
ラメータのみが得られる。そこで、不足する入力Sパラ
メータS11特性およびS12特性に、図3に示す入出
力通過接続時のS11特性およびS12特性を補充し
て、入出力SパラメータS11、S12、S21、S2
2に変換する。変換した入出力Sパラメータを上述した
(式1)に代入し、シミュレーションに入力するための
振幅および位相データに変換する。次に、変換された光
−電気変換器6のデータをシミュレーションに入力し、
シミュレーション既存知である各電気部品データを使用
して、光−電気変換器+インピーダンス整合回路のS2
2特性が、増幅回路8のS11特性と複素共役関係とな
るようなインピーダンス整合回路を、パターン形状、抵
抗、コンデンサおよびコイルを使用して設計する。
【0015】図6は、光受信回路の入出力インピーダン
スを示すスミスチャートを示す。図6を参照すると、例
えば光−電気変換器の出力インピーダンスが14a且つ
増幅回路8の入力インピーダンスが14bのとき、図7
に示す抵抗15、コイル16およびコンデンサ17で構
成され、インピーダンス整合回路7aを設定すること
で、インピーダンス整合回路7aの出力インピーダンス
が14cとなる。そして、増幅回路8の入力インピーダ
ンス14bと複素共役関係となり、インピーダンスが整
合できる。
【0016】
【発明の他の実施の形態】次に、図8を参照して本発明
の第2実施形態例を説明する。図8は、本発明による光
送信回路の設計方法を示すフローチャートである。この
実施形態例にあっても、ステップT1〜T3およびステ
ップT4〜T5が並行して実行され、最後にステップT
6を実行される。ステップT1で、光部品である電気−
光変換器の入力SパラメータS11およびS21特性を
市販のSパラメータ測定器により抽出する。ステップT
2で、抽出した電気−光変換器の入力Sパラメータ特性
を入出力SパラメータS11、S12、S21、S22
特性に変換する。ステップT3で、変換された入出力S
パラメータ特性を市販の高周波回路用シミュレーション
に入力するためのデータ変換を行う。また、ステップT
4で、電気部品の入出力SパラメータS11、S12、
S21、S22特性を抽出する。ステップT5で、抽出
した電気部品の入出力Sパラメータ特性をシミュレーシ
ョンに入力するためデータ変換を行う。最後のステップ
T6で、シミュレーション用に変換された電気部品およ
び光部品のデータを夫々入力してインピーダンス整合回
路7bの設計を行う。
【0017】次に、図8に示す本発明による光送信回路
の第2実施形態例の動作を説明する。光送信回路に使用
される電気−光変換器のSパラメータ特性を市販のSパ
ラメータ測定器により抽出する(ステップT1)。電気
−光変換器では、S11特性およびS21特性の入力S
パラメータしか得られないため、不足した出力Sパラメ
ータS12特性およびS22特性を補充して入出力Sパ
ラメータS11、S12、S21、S22に変換する
(ステップT2)。例えば、電気−光変換器の測定デー
タの1例を、図9(A)に示す。測定により得られるの
は、S11特性1cとS21特性2cだけである。光の
接続ではインピーダンスの不整合が見られないため、電
気−光変換器の光の出力部を理想的にインピーダンス整
合された電気回路の出力部と仮定し、不足したS12特
性3cおよびS22特性4cに、図3に示す通過のS1
2特性3bおよびS22特性4bを入力することによ
り、図9(B)に示す入出力Sパラメータに変換する。
そして、変換された入出力Sパラメータを上述した(式
1)に代入し、シミュレーションに入力するための振幅
および位相のデータに変換する(ステップT3)。次
に、変換された光−電気変換器のデータをシミュレーシ
ョンに入力する。シミュレーション既存値である各電気
部品データを使用して(ステップT4およびT5)、光
−電気変換器および電気−光変換器と電気部品間とのイ
ンピーダンス整合回路7bを設計する(ステップT
6)。
【0018】次に、図10および図11を参照して、図
8に示す光送信回路の設計方法を詳細且つ具体的に説明
する。図10は、光送信回路のブロック図である。この
光送信回路は、信号入力端子18、レベル制御回路1
9、インピーダンス整合回路7b、電気−光変換器20
および光ファイバ5より構成される。信号入力端子18
は、レベル制御回路19に接続されている。レベル制御
回路19は、インピーダンス整合回路7bに接続され
る。このインピーダンス整合回路7bは、抵抗、コイル
およびコンデンサの3種類の受動電気素子の組み合わせ
およびパターン形状によって構成される。インピーダン
ス整合回路7bの出力は、電気−光変換器20に接続さ
れ、光ファイバ5に接続される。
【0019】図11は、図10に示した電気−光変換器
20のSパラメータ特性測定系の構成図である。光コン
ポーネントアナライザ10、同軸ケーブル13、電気−
光変換器Sパラメータ特性測定基板21および光ファイ
バ11より構成される。光コンポーネントアナライザ1
0の電気出力が、同軸ケーブル13を介して電気−光変
換器Sパラメータ特性測定基板21に接続される。電気
−光変換器Sパラメータ特性測定基板21の光出力は、
光ファイバケーブル11を介して光コンポーネントアナ
ライザ10の光入力端子に接続される。
【0020】次に、動作を説明する。図10に示す光送
信回路に使用する電気−光変換器20のSパラメータ特
性を、基板に実装した状態で、図11に示す測定系を使
用して抽出する。電気−光変換器20では、S11特性
およびS21特性の出力Sパラメータしか得られないた
めに、不足する出力SパラメータS12およびS22特
性に図3に示す入出力通過接続時のS12特性およびS
22特性を補充して、入出力SパラメータS11、S1
2、S21、S22に変換する。変換した入出力Sパラ
メータを上述した(式1)に代入し、シミュレーション
に入力するための振幅および位相のデータに変換する。
変換された電気−光変換器20のデータをシミュレーシ
ョンに入力し、シミュレーション既存値である各電気部
品データを使用して、レベル制御回路+インピーダンス
整合回路のS22特性が、電気−光変換器のS11特性
と複素共役関係となるようなインピーダンス整合回路
を、パターン形状、抵抗、コンデンサおよびコイルを使
用して設計する。
【0021】次に、本発明の第3実施形態例を説明す
る。光部品と同様に、各電気部品も実測データをシミュ
レーションに使用するために、図4に示した光受信回路
に使用している増幅回路8又は図10に示す光送信回路
に使用されるレベル制御回路19、チップ抵抗、チップ
コンデンサ、チップコイルおよびそれぞれの部品パッド
を含んでいる入出力Sパラメータを、基板に実装した状
態で抽出する。抽出した入出力Sパラメータを上述した
(式1)に代入して、シミュレーションに入力するため
の振幅および位相のデータに変換する。変換されたデー
タをシミュレーションに入力し、光部品とのインピーダ
ンス整合回路を設計する。
【0022】次に、図12は、図5に示す光−電気変換
器のSパラメータ特性測定系、図11に示す電気−光変
換器のSパラメータ特性測定系および各電気部品のSパ
ラメータ測定系の校正用キャリブレーションキットの断
面図である。Sパラメータ特性測定基板に使用したもの
と同じコネクタ22および基板23で構成される。図1
2中、(A1)は通過であり、その回路図を図13(A
2)に示す。図12(B1)は開放であり、その回路図
を図13(B2)に示す。図12(C1)は短絡であ
り、その回路図を図13(C2)に示す。また、図12
(D1)は終端であり、チップ抵抗24が接続され、そ
の回路を図13(D2)に示す。図12に示すキャリブ
レーションキットには、信号入出力コネクタ22および
配線パターンが含まれているために、これらを使用して
測定系の校正を行うことにより、基板の予備部品パット
の影響を含んだ部品単体のみの特性が測定により抽出で
きる。
【0023】次に、図14は、AC(交流)結合を要す
る部品の特性を得るために使用されるキャリブレーショ
ンキットであり、Sパラメータ特性国定系を校正する。
Sパラメータ特性測定基板に使用したものと同じコネク
タ22、基板23およびチップコンデンサ25で校正さ
れる。図14(A3)は通過であり、その回路図を図1
5(A4)に示す。図14(B3)は開放であり、その
回路図を図15(B4)に示す。図14(C3)は短絡
であり、その回路図を図15(C4)に示す。また、図
14(D3)は終端であり、チップ抵抗24がチップコ
ンデンサ25と直列に接続され、その回路図を図15
(D4)に示す。図14に示すキャリブレーションキッ
トには信号入出力コネクタ22、配線パターンおよびコ
ンデンサ25が含まれているために、これらを使用して
測定系の校正を行うことにより、基板および部品パット
の影響を含んだ部品単体のみの特性が測定により抽出で
きる。
【0024】以上、本発明による光通信回路の設計方法
の好適実施形態例を詳述した。しかし、これら実施形態
例は、本発明の単なる例示に過ぎないと解するべきであ
る。
【0025】
【発明の効果】上述の説明から明らかな如く、本発明の
光送受信回路の設計方法によると、次の如き実用上の顕
著な効果が得られる。第1に、高精度の光送受信回路が
設計可能である。その理由は、光部品および電気部品単
体の実測データを使用して同一シミュレーション上でイ
ンピーダンス整合回路を設計するためである。第2に、
部品の特性のばらつきに対応したインピーダンス整合回
路の設計時間が短縮可能である。その理由は、基板およ
び部品パットの影響を含んだシミュレーションを行うこ
とにより実測に対する誤差の少ないシミュレーションが
行えるためである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態例による光受信回路の設
計方法のフローチャートである。
【図2】光−電気変換器の測定・変換データの1例であ
る。
【図3】通過の測定データの1例である。
【図4】一般的な光受信回路のブロック図である。
【図5】光−電気変換器のSパラメータ特性測定系を示
す構成図である。
【図6】光受信回路の入出力インピーダンスを示すスミ
スチャートである。
【図7】インピーダンス整合回路の1例の回路図であ
る。
【図8】本発明の第2実施形態例による光送信回路の設
計方法のフローチャートである。
【図9】電気−光変換器の測定・変換データの1例であ
る。
【図10】一般的な光送信回路のブロック図である。
【図11】電気−光変換器のSパラメータ特性測定系を
示す構成図である。
【図12】測定系校正用キャリブレーションキットの構
成図である。
【図13】図12に示す測定系キャリブレーションキッ
トの回路図である。
【図14】図12に示す校正用キャリブレーションキッ
トの他の例の構成図である。
【図15】図14に示す測定系校正用キャリブレーショ
ンキットの回路図である。
【図16】従来のインピーダンス整合回路設計方法のフ
ローチャートである。
【符号の説明】
5 光ファイバ 6 光−電気変換器 7a、7b インピーダンス整合回路 8 増幅回路 9 信号出力端子 10 光コンポーネントアナライザ 11 光ファイバケーブル 12 光−電気変換器Sパラメータ特性測定基板 13 同軸ケーブル 14 入出力インピーダンス 15 抵抗 16 コイル 17 コンデンサ 18 信号入力端子 19 レベル制御回路 20 電気−光変換器 21 電気−光変換器Sパラメータ特性測定基板 22 コネクタ 23 基板 24 チップ抵抗 25 チップコンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5B046 AA07 BA03 JA04 5J091 AA01 AA56 CA71 CA73 CA75 FA19 FA20 HA25 HA29 HA33 HA44 KA29 SA13 TA01 TA05 TA07 5J092 AA01 AA56 CA71 CA73 CA75 FA19 FA20 HA25 HA29 HA33 HA44 KA29 SA13 TA01 TA05 TA07 UL01 UL07

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光ファイバからの光信号を電気信号に変換
    する光−電気変換器および前記変換された電気信号を増
    幅して出力する増幅回路間に前記光−電気変換器および
    前記増幅回路のインピーダンス整合するインピーダンス
    整合回路を有する光受信回路の設計方法において、 前記光−電気変換器の光−電気変換部品のS21特性お
    よびS22特性を測定により抽出し、入出力Sパラメー
    タS11、S12、S21、S22特性のデータに変換
    することを特徴とする光受信回路の設計方法。
  2. 【請求項2】前記変換された光−電気変換部品のデータ
    を、その他の電気部品の単体データと共に同一のシミュ
    レーションを使用して前記インピーダンス整合回路を設
    計することを特徴とする請求項1に記載の光受信回路の
    設計方法。
  3. 【請求項3】基板への部品実装用パットを含む部品の特
    性を測定により抽出し、該測定データを使用してシミュ
    レーションすることを特徴とする請求項1又は2に記載
    の光受信回路の設計方法。
  4. 【請求項4】前記基板への部品実装用パットを含む部品
    の特性抽出は、信号入出力コネクトおよび配線パターン
    を含むキャリブレーションキットを使用することを特徴
    とする請求項3に記載の光受信回路の設計方法。
  5. 【請求項5】入力電気信号のレベルを制御するレベル制
    御回路および前記電気信号を光信号に変換して光ファイ
    バに出力する電気−光変換器間にインピーダンスを整合
    するインピーダンス整合回路を有する光送信回路の設計
    方法において、 前記電気−光変換器の電気−光変換部品のS11特性お
    よびS21特性を測定により抽出し、入出力Sパラメー
    タS11、S12、S21、S22特性のデータに変換
    することを特徴とする光送信回路の設計方法。
  6. 【請求項6】前記変換された電気−光変換部品のデータ
    を、その他の電気部品の単体データと共に同一のシミュ
    レーションを使用して前記インピーダンス整合回路を設
    計することを特徴とする請求項5に記載の光送信回路の
    設計方法。
  7. 【請求項7】基板への部品実装用パットを含んだ部品の
    特性を測定により抽出し、該測定データを使用してシミ
    ュレーションすることを特徴とする請求項5又は6に記
    載の光送信回路の設計方法。
  8. 【請求項8】前記基板への部品実装用パットを含んだ部
    品の特性抽出は、信号入出力コネクタおよび配線パター
    ンを含むキャリブレーションキットを使用することを特
    徴とする請求項7に記載の光送信回路の設計方法。
JP2000040583A 2000-02-18 2000-02-18 光送受信回路の設計方法 Pending JP2001230638A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008509452A (ja) * 2004-06-23 2008-03-27 シオプティカル インコーポレーテッド モノリシックなシリコンベースの光電子回路の設計、シミュレーション、及び検査用の統合的アプローチ

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JP2008509452A (ja) * 2004-06-23 2008-03-27 シオプティカル インコーポレーテッド モノリシックなシリコンベースの光電子回路の設計、シミュレーション、及び検査用の統合的アプローチ

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