JP2001229846A - Tension type shadow mask and its etching treatment method - Google Patents
Tension type shadow mask and its etching treatment methodInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーブラウン管
用の展張型シャドウマスクおよびそのエッチング処理方
法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an extended shadow mask for a color CRT and an etching method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】たとえば一般に、カラーブラウン管は、
3本の電子ビームを放射する電子銃と、この電子銃から
放射された電子ビームを受けて3原色に発光する蛍光体
と、これら蛍光体と電子銃との間に配置され、各電子ビ
ームのうちの必要な方向の電子ビームだけを選択的に通
過させて3原色の蛍光体に導き、不要な方向の電子ビー
ムを遮断するための、丸孔形状や長孔形状の複数の透孔
が形成されたシャドウマスクを備えて構成されている。
また、電子ビームを選択的に蛍光体へ案内する役割を持
つ上記シャドウマスクは、一般に色選別機構と呼ばれて
おり、上記複数の透孔を有する金属薄板からなってい
る。2. Description of the Related Art For example, in general, a color cathode ray tube is
An electron gun that emits three electron beams, a phosphor that receives the electron beam emitted from the electron gun and emits light in three primary colors, and is disposed between the phosphor and the electron gun. A plurality of round or long holes are formed to selectively pass only the electron beam in the required direction and guide it to the three primary color phosphors, and to block the electron beam in the unnecessary direction. The shadow mask is provided.
The shadow mask having a role of selectively guiding the electron beam to the phosphor is generally called a color selection mechanism, and is made of a metal thin plate having the plurality of through holes.
【0003】ここで、たとえば、このシャドウマスクを
製造する工程においては、たとえば、ニッケルを36%
含有するインバー型合金や低炭素アルミキルド鋼等から
なる帯状の金属薄板(以下、シャドウマスク材という)
に対して、以下に説明する様々な処理を順に施して、カ
ラーブラウン管に組込み可能な形態のシャドウマスクと
される。Here, for example, in the process of manufacturing this shadow mask, for example, 36% of nickel is used.
Strip-shaped metal sheet made of Invar-type alloy or low-carbon aluminum killed steel, etc. (hereinafter referred to as shadow mask material)
Is subjected to various processes described below in order to obtain a shadow mask that can be incorporated into a color CRT.
【0004】すなわち、まず、所定の金属材料を用いて
製造された帯状のシャドウマスク材を軸に巻き取ってコ
イル状にし、次に、このコイル状のシャドウマスク材を
順に巻出してその長手方向に沿って搬送しつつ、以下に
示すフォトリソエッチング法を用いた所定の製造工程を
施すことによって、シャドウマスク材の製品として必要
なほぼ矩形の範囲(以下、製品部分という)の内部の領
域(以下、透孔領域という)に上記複数の透孔を形成す
る。That is, first, a band-shaped shadow mask material manufactured by using a predetermined metal material is wound around a shaft to form a coil, and then the coil-shaped shadow mask material is sequentially unwound and longitudinally wound. By carrying out a predetermined manufacturing process using the photolithographic etching method shown below while carrying the wafer along the inside, an area (hereinafter, referred to as a product portion) inside a substantially rectangular range required as a product of the shadow mask material (hereinafter, referred to as a product portion) , A plurality of through-holes).
【0005】ここで、フォトリソエッチング法によるシ
ャドウマスクの製造工程においては、まず、シャドウマ
スク材の表面状態を調整するために、シャドウマスク材
を脱脂処理し整面処理する(整面工程)。次に、シャド
ウマスク材表面(両面)にそれぞれレジスト液を塗布し
て、それぞれ厚みが数μm程度(たとえば、8〜12μ
m)のレジスト膜を形成し(コーティング工程)、次
に、シャドウマスク材の両面を露光して、レジスト膜に
所定の透孔パターンを焼付ける(焼付け工程)。続い
て、シャドウマスク材表面(両面)のレジスト膜を現像
処理して、そのレジスト膜の透孔パターンに対応する部
分を除去し(現像工程)、シャドウマスク材表面(両
面)に残留しているレジスト膜を硬膜処理する(硬膜工
程)。次に、レジスト膜が除去されるべき部分のシャド
ウマスク材表面(両面)に残留している不要なレジスト
膜を除去して面出し処理し(面出し工程)、レジスト膜
が除去された部分のシャドウマスク材表面(両面)に、
たとえば、塩化第二鉄水溶液からなるエッチング液を噴
射して、シャドウマスク材の両面をエッチング処理し、
シャドウマスク材に複数の透孔を形成し(エッチング工
程)、その後、シャドウマスク材表面(両面)に残留し
ているレジスト膜等を剥離処理する(剥膜工程)。そし
て、その後、シャドウマスク材表面(両面)に防錆処理
を施して(防錆工程)、帯状のシャドウマスク材から上
記製品部分を含む範囲を切断して、複数枚の単板状のシ
ャドウマスク材とし(切断工程)、最後に、この単板状
のシャドウマスク材のうちの上記製品部分を剥ぎ取って
(剥ぎ取り工程)、製品としてのシャドウマスクを完成
させる。また、上記各工程のうちの必要な箇所において
は、適宜、シャドウマスク材に対して洗浄処理を行うよ
うになっている。Here, in the manufacturing process of the shadow mask by the photolithographic etching method, first, in order to adjust the surface condition of the shadow mask material, the shadow mask material is subjected to a degreasing treatment and a smoothing process (a smoothing process). Next, a resist solution is applied to each surface (both surfaces) of the shadow mask material, and each has a thickness of about several μm (for example, 8 to 12 μm).
m) A resist film is formed (coating process), and then both surfaces of the shadow mask material are exposed to burn a predetermined through-hole pattern on the resist film (baking process). Subsequently, the resist film on the surface (both surfaces) of the shadow mask material is subjected to a development process, and a portion corresponding to the hole pattern of the resist film is removed (development step), and the resist film remains on the surface (both surfaces) of the shadow mask material. The resist film is hardened (hardening step). Next, an unnecessary resist film remaining on the surface (both surfaces) of the shadow mask material where the resist film is to be removed is removed and exposed (surface exposure step). On the shadow mask material surface (both sides)
For example, an etching solution composed of an aqueous ferric chloride solution is sprayed to etch both surfaces of the shadow mask material,
A plurality of through holes are formed in the shadow mask material (etching step), and thereafter, a resist film or the like remaining on the surface (both surfaces) of the shadow mask material is stripped (film stripping step). After that, the surface (both surfaces) of the shadow mask material is subjected to rust prevention treatment (rust prevention process), and a range including the above product portion is cut from the band-shaped shadow mask material to form a plurality of single plate-shaped shadow masks. Finally, the product portion of the single-plate-shaped shadow mask material is peeled off (stripping step) to complete the shadow mask as a product. Further, in necessary portions of the above steps, a cleaning process is appropriately performed on the shadow mask material.
【0006】なお、上記エッチング工程には、シャドウ
マスク材の両面にエッチング液を噴射して、一気にシャ
ドウマスク材に複数の透孔を形成する1ステップエッチ
ング方法と、まず、シャドウマスクの両面にエッチング
液を噴射して、透孔が貫通して形成される前に処理を終
了して所定深さの窪みをその両面に形成し、次に、シャ
ドウマスク材の一方面に樹脂(裏止め樹脂)を塗布して
上記窪みを塞いだ(裏止め処理)後、シャドウマスク材
の一方面とは反対側の面からエッチング液を噴射して、
シャドウマスク材に複数の透孔を形成する2ステップエ
ッチング方法と、がある。In the above-mentioned etching step, an etching solution is sprayed on both sides of the shadow mask material to form a plurality of holes in the shadow mask material at once, and first, etching is performed on both surfaces of the shadow mask material. The liquid is sprayed to finish the processing before the through-hole is formed, to form a dent of a predetermined depth on both surfaces thereof, and then to form a resin (backing resin) on one surface of the shadow mask material. Is applied to close the recess (backing treatment), and then an etching solution is sprayed from a surface opposite to one surface of the shadow mask material,
There is a two-step etching method for forming a plurality of through holes in a shadow mask material.
【0007】ここで、以上に説明したシャドウマスクの
製造工程が終了して完成されたシャドウマスクは、たと
えば、カラーブラウン管内に、透孔領域Tを取り囲む大
きさのほぼ矩形状の枠体(以下、フレームという)に架
張された状態で組込まれる(このようなシャドウマスク
は、特に展張型シャドウマスクと呼ばれている。)。す
なわち、図5に示すように、シャドウマスクSMは、チ
ャック1〜6によって、シャドウマスクSMの互いに向
かい合う2辺L3,L4に沿うX方向、および互いに向
かい合う2辺L1,L2に沿うY方向に張力をかけられ
た状態で、フレームF全周に溶接取付けされ、その後、
シャドウマスクSMのフレームFよりも外側の不要部分
が除去されて、カラーブラウン管内に組込まれる。Here, the shadow mask completed after the above-described manufacturing process of the shadow mask is completed is, for example, a substantially rectangular frame (hereinafter referred to as a frame) surrounding the through-hole region T in a color cathode ray tube. , A frame) (this kind of shadow mask is particularly called an extended shadow mask). That is, as shown in FIG. 5, the tension of the shadow mask SM is applied by the chucks 1 to 6 in the X direction along the two sides L3 and L4 facing each other and the Y direction along the two sides L1 and L2 facing each other. In the state where it is applied, it is welded and attached to the entire frame F,
Unnecessary portions outside the frame F of the shadow mask SM are removed, and the shadow mask SM is incorporated into a color CRT.
【0008】ここで、この従来のシャドウマスクSMの
フレームFへの取り付け方法について、図5を参照し
て、もう少し詳しく説明する。まず、チャック1および
3と、2および4とがそれぞれ、シャドウマスクSMの
2辺L1,L2の両端部を保持した状態で、シャドウマ
スクSMのX方向に関して互いに離れる方向に移動し、
シャドウマスクSMに対してX方向の張力を架ける。Here, the method of attaching the conventional shadow mask SM to the frame F will be described in more detail with reference to FIG. First, the chucks 1 and 3, and 2 and 4, respectively, move in the X-direction of the shadow mask SM in a direction away from each other while holding both ends of the two sides L1 and L2 of the shadow mask SM,
An X-direction tension is applied to the shadow mask SM.
【0009】この状態から、次に、チャック5と6と
が、シャドウマスクSMの2辺L3,L4の中央部を保
持した状態で、シャドウマスクSMのY方向に関して互
いに離れる方向に移動し、シャドウマスクSMに対して
Y方向の張力を架ける。なお、この際、チャック1およ
び2と、3および4とは、互いに、Y方向に関して移動
可能にされている。From this state, the chucks 5 and 6 move in the direction away from each other with respect to the Y direction of the shadow mask SM while holding the center of the two sides L3 and L4 of the shadow mask SM. A tension in the Y direction is applied to the mask SM. At this time, the chucks 1 and 2 and the chucks 3 and 4 are movable with respect to each other in the Y direction.
【0010】そして、この状態から、シャドウマスクS
Mが、透孔領域Tの周囲においてフレームF全周に溶接
接続され、その後、チャック1〜6によるシャドウマス
クSMの保持が解除される。そして最後に、シャドウマ
スクSMのフレームFの外周部よりも外側の不要部分が
除去されて、シャドウマスクSMのフレームFへの取付
けが完了し、これがカラーブラウン管内に組込まれる。Then, from this state, the shadow mask S
M is welded to the entire periphery of the frame F around the perforated region T, and then the holding of the shadow mask SM by the chucks 1 to 6 is released. Finally, unnecessary portions outside the outer peripheral portion of the frame F of the shadow mask SM are removed, and the attachment of the shadow mask SM to the frame F is completed, and this is assembled into a color CRT.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のシャドウマスクSMにおいては、フレームFに
取付けられたシャドウマスクSMのX方向の張力が不十
分なため、シャドウマスクSM全体として張力が不均一
となって、シャドウマスクSMに皺が発生したり、シャ
ドウマスクSMの耐振特性が低下してしまうという問題
があった。However, in the above-mentioned conventional shadow mask SM, since the tension in the X direction of the shadow mask SM attached to the frame F is insufficient, the tension of the shadow mask SM as a whole is not uniform. As a result, there is a problem that wrinkles are generated in the shadow mask SM and the vibration resistance of the shadow mask SM is reduced.
【0012】ここで、シャドウマスクSMのX方向の張
力が不足する原因は、図5に示したように、シャドウマ
スクSMの2辺L1,L2の中央部(チャック1および
2と、3および4との間の部分)が保持されていないた
め、チャック1〜4によってX方向に張力を付与して
も、X方向に延びる中央部帯状領域(シャドウマスクS
MのY方向に関して中央の透孔領域Tを含む帯状の領
域)には、十分なX方向の張力が付与されないためであ
る。Here, the cause of the lack of tension in the X direction of the shadow mask SM is, as shown in FIG. 5, due to the center portions of the two sides L1, L2 of the shadow mask SM (chucks 1 and 2, 3 and 4). Is not held, the central band-shaped region (shadow mask S) extending in the X direction even if tension is applied in the X direction by the chucks 1-4.
This is because a sufficient X-direction tension is not applied to the M-shaped band region including the central through-hole region T in the Y direction.
【0013】なお、チャック1と3とを、また、チャッ
ク2と4とを繋いだような形の一対のチャックによっ
て、2つの2辺L1,L2の長さ全域を保持するように
すれば、一見したところ問題が解決されるように思われ
る。しかしながら、このようにした場合、チャック5お
よび6によってY方向の張力を付与する際に2辺L1,
L2全域が固定保持されているので、その周辺におい
て、シャドウマスクSMにずれが生じ、皺が発生して、
シャドウマスクSMの耐振特性が低下してしまうとい
う、前述と同じ問題が生じ、これでは上述の問題を解決
したことにはならない。If the chucks 1 and 3 are connected to each other and the chucks 2 and 4 are connected to each other by a pair of chucks, the entire lengths of the two sides L1 and L2 are held. At first glance, the problem seems to be resolved. However, in such a case, when the tension in the Y direction is applied by the chucks 5 and 6, the two sides L1,
Since the entire area of L2 is fixedly held, a shift occurs in the shadow mask SM around the area, and wrinkles occur,
The same problem as described above occurs in that the anti-vibration characteristic of the shadow mask SM is reduced, and this does not mean that the above-mentioned problem has been solved.
【0014】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、展張型シャドウマスクのフレーム取付け時
の張力を均一化させることで、皺の発生を抑制でき、耐
振特性を向上できる展張型シャドウマスク、およびその
エッチング処理方法を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problem and to make the tension at the time of mounting the frame of the stretchable shadow mask uniform, thereby suppressing the occurrence of wrinkles and improving the vibration resistance. An object of the present invention is to provide a shadow mask and an etching method thereof.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
するための、請求項1に係る発明はカラーブラウン管内
に展張された状態で組込まれる展張型シャドウマスクに
おいて、電子ビームを通過させるための複数の透孔が形
成された透孔領域と、展張型シャドウマスクの互いに向
かい合う2辺に平行な方向に延びるように、上記透孔領
域の両側に設けられ、複数の欠損部が形成された一対の
緩衝領域と、を備えることを特徴とする展張型シャドウ
マスクである。According to a first aspect of the present invention, there is provided an extended shadow mask which is mounted in a color cathode ray tube in a state in which the electron beam is passed. And a plurality of defective portions are provided on both sides of the through-hole region so as to extend in a direction parallel to two opposing sides of the stretchable shadow mask. An extended shadow mask, comprising: a pair of buffer regions.
【0016】この発明によると、展張型シャドウマスク
の互いに向かい合う2辺に平行な方向に延びるように、
透孔領域の両側の、通常は孔が形成されない部分に、一
対の緩衝領域が設けられている。According to the present invention, the extending type shadow mask extends in a direction parallel to two sides facing each other.
A pair of buffer areas are provided on both sides of the through-hole area, where no holes are normally formed.
【0017】ここで、緩衝領域には、複数の欠損部が形
成されているため、緩衝領域の剛性は周囲より低くな
る。このため、緩衝領域には、シャドウマスクの伸縮
(ずれ)を吸収できるいわゆる緩衝作用がある。よっ
て、シャドウマスクを、上記一対の緩衝領域の近傍の、
シャドウマスクの互いに向かい合う2辺(以下、単に近
傍2辺という)のほぼ全域で保持して展張させつつ、上
記近傍2辺以外の残りの2辺(以下、単に残り2辺とい
う)のほぼ全域を保持して展張させたとしても、近傍2
辺の周辺において生ずるずれを吸収でき、透孔領域T周
辺における張力を均一化させることができる。したがっ
て、シャドウマスク4辺のほぼ全域を保持して、シャド
ウマスクを互いに直交する2方向に展張させた状態で、
フレームに取付け可能となるので、シャドウマスクの張
力が均一化され、シャドウマスクの皺の発生および耐振
特性の低下を防止できる。Here, since a plurality of defective portions are formed in the buffer area, the rigidity of the buffer area is lower than that of the surrounding area. For this reason, the buffer region has a so-called buffering action capable of absorbing the expansion and contraction (deviation) of the shadow mask. Therefore, the shadow mask is positioned near the pair of buffer regions,
While holding and extending substantially the entire two sides (hereinafter, simply referred to as two nearby sides) of the shadow mask facing each other, substantially the entire remaining two sides (hereinafter, simply referred to as the remaining two sides) other than the two nearby sides described above are held. Even if it is held and expanded, the neighborhood 2
The displacement occurring around the side can be absorbed, and the tension around the through-hole region T can be made uniform. Therefore, while maintaining almost the entire area of the four sides of the shadow mask, the shadow mask is extended in two directions orthogonal to each other.
Since the shadow mask can be attached to the frame, the tension of the shadow mask is made uniform, and the generation of wrinkles and the deterioration of the vibration resistance of the shadow mask can be prevented.
【0018】なおここで、上記「欠損部」とは、シャド
ウマスクの表裏面を貫通する貫通孔、またはシャドウマ
スクの少なくともどちらか一方の面に形成される凹部
(窪み)等を含み、緩衝領域の剛性を低下させるために
シャドウマスクの一部を欠損させた部分のことを指す。
また、その貫通孔および凹部の、シャドウマスク表面側
から見た形状は、正方形、円形、楕円形、三角形などい
ずれの形状であってもよい。Here, the "defected portion" includes a through-hole penetrating the front and back surfaces of the shadow mask, a concave portion (dent) formed on at least one of the surfaces of the shadow mask, and the like, and includes a buffer region. Refers to a portion in which a part of a shadow mask is deleted to reduce the rigidity of the shadow mask.
The shape of the through hole and the concave portion as viewed from the shadow mask surface side may be any shape such as a square, a circle, an ellipse, and a triangle.
【0019】また、請求項2に係る発明は、請求項1に
記載の展張型シャドウマスクにおいて、透孔領域は、上
記一対の緩衝領域で挟まれる範囲内に形成されているこ
とを特徴とする展張型シャドウマスクである。According to a second aspect of the present invention, in the stretchable shadow mask according to the first aspect, the through-hole region is formed in a range sandwiched by the pair of buffer regions. It is an expansion type shadow mask.
【0020】この発明によると、透孔領域は、一対の緩
衝領域で挟まれる範囲内、すなわち一対の緩衝領域と、
それぞれの緩衝領域の向かい合う両端部を結ぶ2本の線
分と、で囲まれたほぼ矩形の範囲内、に形成されてい
る。このため、透孔領域全域が、緩衝領域の緩衝作用の
恩恵を受けることができる。したがって、シャドウマス
クの特に透孔領域内における、皺の発生および耐振特性
の低下を防止することができる。According to the present invention, the through-hole region is within a range sandwiched by the pair of buffer regions, that is, the pair of buffer regions,
It is formed in a substantially rectangular range surrounded by two line segments connecting opposite ends of each buffer region. Therefore, the entire region of the through-hole region can benefit from the buffering action of the buffer region. Therefore, it is possible to prevent the generation of wrinkles and the deterioration of the anti-vibration characteristics particularly in the through-hole region of the shadow mask.
【0021】なお、一対の緩衝領域は、シャドウマスク
の上記近傍2辺に平行な方向に関する透孔領域の幅より
も長く形成されていればよく、さらに、上記近傍2辺と
ほぼ同じ長さで形成される(すなわち、緩衝領域の両端
がシャドウマスクの上記残り2辺に到達する)のが最も
好ましい。The pair of buffer regions may be formed to be longer than the width of the through-hole region in the direction parallel to the two sides of the shadow mask, and have a length substantially the same as the two sides of the shadow mask. Most preferably, it is formed (that is, both ends of the buffer region reach the remaining two sides of the shadow mask).
【0022】また、請求項3に係る発明は、請求項1ま
たは2に記載の展張型シャドウマスクにおいて、緩衝領
域は、上記複数の欠損部が規則的に配列された領域であ
ることを特徴とする展張型シャドウマスクである。According to a third aspect of the present invention, in the stretch type shadow mask according to the first or second aspect, the buffer region is a region in which the plurality of defective portions are regularly arranged. This is a stretch type shadow mask.
【0023】この発明によると、緩衝領域内には、複数
の欠損部が規則的に配列されている。このため、緩衝領
域の緩衝作用が緩衝領域内のどの箇所においてもほぼ均
一となり、その結果、シャドウマスクの張力をさらに均
一化させて、さらに皺の発生および耐振特性の低下を防
止することができる。According to the present invention, a plurality of defective portions are regularly arranged in the buffer region. For this reason, the buffering action of the buffering area becomes almost uniform at any point in the buffering area, and as a result, the tension of the shadow mask can be made more uniform, and the generation of wrinkles and the deterioration of the vibration resistance can be prevented. .
【0024】なお、欠損部が上述した貫通孔である場合
には、緩衝領域は、いわゆる網目(メッシュ)形態を呈
しており、欠損部が上述した凹部である場合には、緩衝
領域は、ゴルフボールのディンプル表面に似たような形
態を呈している。いずれの形態であっても、シャドウマ
スクの張力をさらに均一化させる効果がある。When the defective portion is the above-described through hole, the buffer region has a so-called mesh shape. When the defective portion is the above-described concave portion, the buffer region is a golf ball. It has a shape similar to the dimple surface of the ball. Either form has the effect of making the tension of the shadow mask more uniform.
【0025】また、請求項4に係る発明は、請求項3に
記載の展張型シャドウマスクにおいて、一対の緩衝領域
における複数の欠損部の配列方向は、展張型シャドウマ
スクの互いに向かい合う2辺に平行な方向に対して傾斜
していることを特徴とする展張型シャドウマスクであ
る。According to a fourth aspect of the present invention, in the stretchable shadow mask according to the third aspect, the arrangement direction of the plurality of defective portions in the pair of buffer regions is parallel to two opposing sides of the stretchable shadow mask. An extended shadow mask characterized by being inclined with respect to various directions.
【0026】この発明によると、一対の緩衝領域におけ
る複数の欠損部は、展張型シャドウマスクの上記近傍2
辺に平行な方向に対して傾斜して配列されている。すな
わち、複数の欠損部の間の部分(ブリッジ部分)が、上
記近傍2辺に対して傾斜している。このため、シャドウ
マスクが、上記近傍2辺に平行な方向に展張された場
合、または上記近傍2辺に直交する方向に展張された場
合、のいずれの場合であっても、緩衝領域がずれを吸収
でき、緩衝作用を有することとなる。したがって、シャ
ドウマスクの展張する方向に関わらず、シャドウマスク
の張力をさらに均一化させて、さらに皺の発生および耐
振特性の低下を防止することができる。According to the present invention, the plurality of defective portions in the pair of buffer regions are located in the vicinity of the extended shadow mask.
They are arranged inclined with respect to the direction parallel to the side. That is, a portion (bridge portion) between the plurality of defective portions is inclined with respect to the above two neighboring sides. Therefore, in either case where the shadow mask is extended in a direction parallel to the two adjacent sides or in a direction orthogonal to the two adjacent sides, the buffer region shifts. It can be absorbed and has a buffering action. Therefore, irrespective of the direction in which the shadow mask extends, the tension of the shadow mask can be made more uniform, and the occurrence of wrinkles and a decrease in vibration resistance can be prevented.
【0027】また、請求項5に係る発明は、カラーブラ
ウン管内に展張された状態で組込まれる展張型シャドウ
マスクのエッチング処理方法において、帯状のシャドウ
マスク材に対して、電子ビームを通過させるための複数
の透孔が形成される透孔領域をエッチングによって形成
する透孔エッチング工程と、上記展張型シャドウマスク
の互いに向かい合う2辺に平行な方向に延びるように、
上記透孔領域の両側に設けられ、複数の欠損部を有する
一対の緩衝領域をエッチングによって形成する欠損部エ
ッチング工程と、を備えることを特徴とする展張型シャ
ドウマスクのエッチング処理方法である。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for etching an extended shadow mask which is assembled in a state of being extended in a color cathode-ray tube. A hole etching step of forming a hole region in which a plurality of holes are formed by etching, and extending in a direction parallel to two opposite sides of the stretchable shadow mask.
A method of etching a stretchable shadow mask, comprising: a step of etching a pair of buffer regions provided on both sides of the through-hole region and having a plurality of defect portions by etching.
【0028】この発明によると、帯状のシャドウマスク
材に対して、透孔エッチング工程と欠損部エッチング工
程とが施される結果、透孔領域と緩衝領域とがシャドウ
マスク材にエッチング形成される。このため、このよう
なエッチング処理方法を用いて完成したシャドウマスク
は、カラーブラウン管に組込まれた際に、張力が均一
で、皺の発生が少なく、耐振特性が優れたものすること
ができる。According to the present invention, the through hole etching step and the defective portion etching step are performed on the strip-shaped shadow mask material, so that the through hole region and the buffer region are formed in the shadow mask material by etching. For this reason, a shadow mask completed by using such an etching method can have uniform tension, less wrinkles, and excellent vibration resistance when incorporated into a color CRT.
【0029】なお、上記透孔エッチング工程と欠損部エ
ッチング工程とは同時に行ってもよいし、時間的に前後
して行われてもよい。また、エッチング処理方法として
は、従来の技術の項で説明した上記1ステップエッチン
グまたは2ステップエッチングのいずれの処理方法であ
ってもよい。たとえば、また、欠損部は、上述した貫通
孔または凹部のいずれであってもよい。The through hole etching step and the defective portion etching step may be performed at the same time, or may be performed at different times. The etching method may be any one of the one-step etching and the two-step etching described in the section of the related art. For example, the defective portion may be any of the above-described through hole or concave portion.
【0030】[0030]
【発明の実施の形態】以下に、上述の技術的課題を解決
するためのいくつかの本発明の実施の形態を、順に添付
図面を参照して詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Several embodiments of the present invention for solving the above-mentioned technical problems will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【0031】まず最初に、本発明の第1実施形態に係る
展張型シャドウマスクについて説明する。図1は、本発
明の第1実施形態に係る展張型シャドウマスクの構成を
簡略して示す平面図である。この図1において、完成さ
れたほぼ矩形状のシャドウマスクSMは、電子ビームを
通過させるための丸孔形状や長孔形状の複数の透孔tが
形成された透孔領域Tと、シャドウマスクSMの2辺L
1,L2に平行な方向に延びるように、透孔領域Tの両
側に設けられ、複数の貫通孔kが形成された一対の緩衝
領域Kと、を有している。First, the stretchable shadow mask according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of the stretchable shadow mask according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the completed substantially rectangular shadow mask SM has a through-hole region T in which a plurality of round or long holes t for passing an electron beam are formed, and a shadow mask SM. Two sides L of
A pair of buffer regions K provided on both sides of the through-hole region T and formed with a plurality of through-holes k so as to extend in a direction parallel to L1 and L2.
【0032】そして、この緩衝領域Kは、図2にその詳
細図を示すように、いわゆる網目(メッシュ)形態を呈
しており、貫通孔kの1つは、ほぼ正方形状を呈してい
る。また、複数の貫通孔kは、斜め45度の方向、すな
わち、シャドウマスクSMの2辺L1,L2に平行な方
向に対して45度傾斜して配列されている。なお、図2
においては、貫通孔kの四隅部を直角な角で描いている
が、実際には若干の丸みを帯びた形状となっている。ま
た、一対の緩衝領域Kは、、シャドウマスクSMの2辺
L1,L2に平行な方向に関する透孔領域Tの幅よりも
長く形成されている。厳密には、シャドウマスクSMの
2辺L1,L2とほぼ同じ長さで形成され、緩衝領域K
の両端がシャドウマスクのシャドウマスクSMの残り2
辺L3,L4に到達している。As shown in detail in FIG. 2, the buffer region K has a so-called mesh shape, and one of the through holes k has a substantially square shape. Further, the plurality of through holes k are arranged at an angle of 45 degrees with respect to a diagonal direction of 45 degrees, that is, a direction parallel to the two sides L1 and L2 of the shadow mask SM. Note that FIG.
In, the four corners of the through hole k are drawn at right angles, but they are actually slightly rounded. The pair of buffer regions K is formed to be longer than the width of the through-hole region T in a direction parallel to the two sides L1 and L2 of the shadow mask SM. Strictly speaking, the shadow mask SM is formed to have almost the same length as the two sides L1 and L2, and the buffer region K
Are the remaining two of the shadow mask SM of the shadow mask.
Sides L3 and L4 have been reached.
【0033】なお、この第一の実施形態においては、た
とえば、隣り合う貫通孔kのピッチは約1mmで、貫通
孔kの一辺の長さ(孔幅)は0.5〜0.6mm(開口
率25%〜36%)としているが、本発明はこれに限定
されず、ピッチや孔幅を適宜変更可能である。ただし、
緩衝領域Kの緩衝作用とシャドウマスクSM自体の強度
とのバランスから、開口率を20〜40%程度とするの
が好ましい。In the first embodiment, for example, the pitch between adjacent through holes k is about 1 mm, and the length (hole width) of one side of the through hole k is 0.5 to 0.6 mm (opening). (25% to 36%), but the present invention is not limited to this, and the pitch and the hole width can be appropriately changed. However,
From the balance between the buffering action of the buffer region K and the strength of the shadow mask SM itself, the aperture ratio is preferably set to about 20 to 40%.
【0034】次に、このようなシャドウマスクSMの製
造工程について説明する。このシャドウマスクSMは、
帯状のシャドウマスク材に一連の所定の処理、たとえ
ば、従来の技術の項で説明したような、脱脂、整面、コ
ーティング、焼付け、現像、硬膜、面出し、エッチン
グ、剥離、防錆、切断、および剥ぎ取りなどと同様の工
程が順に施されて製造されている。ただし、これらシャ
ドウマスクSMの製造工程のうち、焼付け工程およびエ
ッチング工程については、従来の技術とは異なる処理が
行われる。Next, the manufacturing process of such a shadow mask SM will be described. This shadow mask SM
A series of predetermined treatments for the band-shaped shadow mask material, for example, degreasing, leveling, coating, baking, developing, hardening, surfacing, etching, peeling, rust prevention, cutting as described in the section of the prior art. , And stripping, and the like. However, of the manufacturing steps of the shadow mask SM, the baking step and the etching step are performed in a different manner from the conventional technique.
【0035】すなわち、焼付け工程においては、帯状の
シャドウマスク材に対して、その搬送方向(長手方向)
に沿って、透孔領域T、およびこの透孔領域Tの両側の
一対の緩衝領域K内のレジスト膜に、図2に示したよう
な、規則的に配列された複数の貫通孔kのパターンが焼
付けられる。そして、さらに、帯状のシャドウマスク材
が搬送されて、現像、硬膜、および面出し工程が順に施
される。That is, in the baking step, the transport direction (longitudinal direction) of the belt-shaped shadow mask material is
Along the through-hole region T and the resist film in the pair of buffer regions K on both sides of the through-hole region T, a pattern of a plurality of through-holes k regularly arranged as shown in FIG. Is burned. Then, the belt-shaped shadow mask material is further conveyed, and subjected to development, hardening, and surfacing steps in this order.
【0036】その後のエッチング工程においては、帯状
のシャドウマスク材の一方面または両面にエッチング液
が供給され、透孔領域T内に複数の透孔tがエッチング
形成され(透孔エッチング工程)、さらに、この透孔領
域Tの両側の一対の緩衝領域K内に複数の貫通孔kがエ
ッチング形成される(貫通孔エッチング工程)。そし
て、剥離、防錆、切断、または剥ぎ取りなどの工程が順
に施されて、図1に示すようなシャドウマスクSMが完
成する。なお、上記透孔エッチング工程と貫通孔エッチ
ング工程とは同時に行ってもよいし、時間的に前後して
行われてもよい。また、エッチング処理方法としては、
上記1ステップエッチングまたは2ステップエッチング
のいずれの処理方法であってもよい。In the subsequent etching step, an etching solution is supplied to one or both surfaces of the strip-shaped shadow mask material, and a plurality of holes t are formed in the hole region T by etching (a hole etching step). Then, a plurality of through holes k are formed by etching in a pair of buffer regions K on both sides of the through hole region T (through hole etching step). Then, steps such as peeling, rust prevention, cutting, and stripping are sequentially performed, and the shadow mask SM as shown in FIG. 1 is completed. The through hole etching step and the through hole etching step may be performed at the same time, or may be performed at different times. Also, as the etching method,
Either one-step etching or two-step etching may be used.
【0037】ここでさらに、このようなシャドウマスク
SMをフレームFに溶接取り付けする際の手順について
図3を用いて説明する。まず、図3(a)に示すよう
に、シャドウマスクSMの2辺L1,L2のそれぞれに
沿ってY方向に長く延びる形状のチャックC1,C2に
よって、2辺L1,L2の全域を保持した状態で、チャ
ックC1,C2を互いに離れる方向(X方向)に移動さ
せる。これにより、シャドウマスクSMにX方向の張力
が付与される。なお、チャックC1,C2の長さは、少
なくとも、辺L1,L2にほぼ平行な(Y方向の)フレ
ームFの辺F1,F2の長さよりも長く形成されていれ
ばよい。また、チャックC1,C2は、緩衝領域K1お
よび緩衝領域K2の一部も保持するのがよい。Now, a procedure for welding and attaching such a shadow mask SM to the frame F will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 3A, a state in which the entire area of the two sides L1 and L2 is held by the chucks C1 and C2 each extending long in the Y direction along each of the two sides L1 and L2 of the shadow mask SM. Then, the chucks C1 and C2 are moved in a direction away from each other (X direction). As a result, tension in the X direction is applied to the shadow mask SM. The lengths of the chucks C1 and C2 only need to be at least longer than the lengths of the sides F1 and F2 of the frame F substantially parallel to the sides L1 and L2 (in the Y direction). Further, it is preferable that the chucks C1 and C2 hold the buffer region K1 and a part of the buffer region K2.
【0038】さらにこのX方向に張力が付与された状態
で、シャドウマスクSMの2辺L3,L4のそれぞれに
沿って図3のX方向に長く延びる形状のチャックC3,
C4によって、2辺L3,L4の中央部(詳しくは、緩
衝領域K1の一部から緩衝領域K2の一部に至る部分)
を保持した状態で、チャックC3,C4を互いに離れる
方向(Y方向)に移動させる。これにより、シャドウマ
スクSMにY方向の張力が付与される。なお、チャック
C3,C4の長さは、少なくとも、辺L3,L4にほぼ
平行な(図3のX方向の)フレームFの辺F3,F4の
長さよりも長く形成されていればよい。また、チャック
C3,C4は、緩衝領域K1および緩衝領域K2の一部
も保持するのがよい。Further, in a state where tension is applied in the X direction, the chucks C3 and C3 extend in the X direction in FIG. 3 along each of the two sides L3 and L4 of the shadow mask SM.
Due to C4, the center of the two sides L3 and L4 (specifically, the part from a part of the buffer area K1 to a part of the buffer area K2)
Is held, the chucks C3 and C4 are moved in a direction away from each other (Y direction). As a result, tension in the Y direction is applied to the shadow mask SM. The lengths of the chucks C3 and C4 only need to be at least longer than the lengths of the sides F3 and F4 of the frame F substantially parallel to the sides L3 and L4 (in the X direction in FIG. 3). Further, the chucks C3 and C4 preferably hold a part of the buffer area K1 and a part of the buffer area K2.
【0039】次に、フレームFがシャドウマスクSMの
裏面側(図3紙面の裏面側)に溶接取付けされる。この
際、フレームFの全周部分が溶接される。そして、すべ
てのチャックC1〜C4によるシャドウマスクSMの保
持が解除される。この状態で、フレームFの外周部分
(辺F1〜F4)において、シャドウマスクSMが切断
されて、フレームFの外側の不要部分が除去され、図3
(b)に示す状態となり、カラーブラウン管に組込み可
能な形態となる。Next, the frame F is attached by welding to the back side of the shadow mask SM (the back side in FIG. 3). At this time, the entire periphery of the frame F is welded. Then, the holding of the shadow mask SM by all the chucks C1 to C4 is released. In this state, the shadow mask SM is cut off at the outer peripheral portion (sides F1 to F4) of the frame F, and unnecessary portions outside the frame F are removed.
The state shown in (b) is obtained, and it is in a form that can be incorporated into a color CRT.
【0040】ここで、フレームFの全周部分が溶接され
た後に、シャドウマスクSMの保持が解除されたときに
は、XおよびY方向の張力が若干開放されて、シャドウ
マスクSMにその中心部に向けて収縮しようとする力
(収縮力)が作用する。この収縮力により、通常、フレ
ームFは中心部に若干縮んだ形状、いわゆる糸巻き型に
変形を起こす場合がある。このような場合には、シャド
ウマスクSMに付与されている張力が低下してしまうと
いう問題が生じるが、たとえば、フレームFを予め糸巻
き型にした状態でシャドウマスクSMを溶接すれば、こ
んぽ張力低下を防止することができる。Here, when the holding of the shadow mask SM is released after the entire periphery of the frame F is welded, the tensions in the X and Y directions are slightly released, and the shadow mask SM is directed toward the center thereof. A force to shrink (shrink force) acts. Due to this contraction force, the frame F may be deformed into a slightly shrunk shape at the center, that is, a so-called pincushion type. In such a case, there is a problem that the tension applied to the shadow mask SM decreases. For example, if the shadow mask SM is welded in a state where the frame F is wound in advance, the tension is reduced. The drop can be prevented.
【0041】また、シャドウマスクSMに付与する張力
について、X方向の張力とY方向の張力とは、等しくて
もよいし、異なっていてもよい。たとえば、Y方向の張
力をX方向の張力よりも若干大きくしてもよい。さら
に、シャドウマスクSMがフレームFに溶接取付けされ
た後、熱処理が施されるような場合には、その熱処理に
よる熱膨張によって張力が低下するので、それを見越し
て、シャドウマスクSMに付与する張力を予め大きく設
定してもよい。As for the tension applied to the shadow mask SM, the tension in the X direction and the tension in the Y direction may be equal or different. For example, the tension in the Y direction may be slightly larger than the tension in the X direction. Further, in a case where heat treatment is performed after the shadow mask SM is welded and attached to the frame F, the tension decreases due to thermal expansion due to the heat treatment. May be set large in advance.
【0042】以上説明したように、この一実施形態のシ
ャドウマスクSMによると、シャドウマスクSMの互い
に向かい合う2辺L1,L2に平行な方向に延びるよう
に、透孔領域Tの両側の、通常は孔が形成されない部分
に、一対の緩衝領域Kが設けられている。そして、この
緩衝領域Kには、複数の貫通孔kが形成されているた
め、シャドウマスクSMの伸縮(ずれ)を吸収できるい
わゆる緩衝作用がある。よって、シャドウマスクSM
を、一対の緩衝領域Kの近傍の2辺L1,L2のほぼ全
域で保持して展張させつつ、残りの2辺L3,L4のほ
ぼ全域を保持して展張させたとしても、2辺L1,L2
の周辺において生ずるずれを吸収でき、透孔領域T周辺
における張力を均一化させることができる。したがっ
て、シャドウマスクSMの4辺L1〜L4のほぼ全域を
保持して、シャドウマスクSMを互いに直交する2方向
(XおよびY方向)に展張させた状態で、フレームFに
取付け可能となるので、シャドウマスクSMの皺の発生
および耐振特性の低下を防止できる。As described above, according to the shadow mask SM of this embodiment, the two sides L1 and L2 of the shadow mask SM extend in a direction parallel to the two sides L1 and L2 of the shadow mask SM. A pair of buffer regions K is provided in a portion where no hole is formed. Since a plurality of through-holes k are formed in the buffer area K, the buffer area K has a so-called buffering action capable of absorbing expansion and contraction (shift) of the shadow mask SM. Therefore, the shadow mask SM
Is held and extended over substantially the entire area of the two sides L1 and L2 near the pair of buffer areas K, and is extended while maintaining substantially the entire area of the remaining two sides L3 and L4. L2
Can be absorbed, and the tension around the through-hole region T can be made uniform. Therefore, the shadow mask SM can be attached to the frame F in a state where the shadow mask SM is extended in two directions (X and Y directions) orthogonal to each other while holding substantially the entire four sides L1 to L4 of the shadow mask SM. It is possible to prevent wrinkles of the shadow mask SM and decrease in the vibration resistance.
【0043】また、この一実施形態のシャドウマスクS
Mによると、透孔領域Tは、一対の緩衝領域Kで挟まれ
る範囲内に形成されている。このため、透孔領域T全域
が、緩衝領域Kの緩衝作用の恩恵を受けることができ
る。したがって、シャドウマスクSMの特に透孔領域T
内における、皺の発生および耐振特性の低下を防止する
ことができる。The shadow mask S of this embodiment is
According to M, the through-hole region T is formed in a range sandwiched between the pair of buffer regions K. Therefore, the entire region of the through-hole region T can benefit from the buffering action of the buffer region K. Therefore, in particular, the aperture region T of the shadow mask SM
It is possible to prevent the occurrence of wrinkles and a decrease in vibration-proof characteristics in the inside.
【0044】また、この一実施形態のシャドウマスクS
Mによると、緩衝領域K内には、複数の貫通孔kが規則
的に配列されている。このため、緩衝領域Kの緩衝作用
が緩衝領域K内のどの箇所においてもほぼ均一となり、
その結果、シャドウマスクSMの張力をさらに均一化さ
せて、さらに皺の発生および耐振特性の低下を防止する
ことができる。The shadow mask S of this embodiment is
According to M, a plurality of through holes k are regularly arranged in the buffer region K. For this reason, the buffering action of the buffer area K becomes almost uniform at any point in the buffer area K,
As a result, the tension of the shadow mask SM can be made more uniform, and the generation of wrinkles and the deterioration of the vibration resistance can be prevented.
【0045】また、この一実施形態のシャドウマスクS
Mによると、複数の貫通孔kは、シャドウマスクSMの
2辺L1,L2に平行な方向に対して傾斜して配列され
ている。すなわち、複数の貫通孔kの間の部分(図2の
ブリッジ部分B)が、2辺L1,L2に対して傾斜して
いる。このため、シャドウマスクSMが、2辺L1,L
2に平行な方向(Y方向)に展張された場合、または2
辺L1,L2に直交する方向(X方向)に展張された場
合、のいずれの場合であっても、緩衝領域Kがずれを吸
収でき、緩衝作用を有することとなる。したがって、シ
ャドウマスクSMの展張する方向に関わりなく、シャド
ウマスクSMの張力をさらに均一化させて、さらに皺の
発生および耐振特性の低下を防止することができる。The shadow mask S of this embodiment is
According to M, the plurality of through holes k are arranged to be inclined with respect to a direction parallel to the two sides L1 and L2 of the shadow mask SM. That is, a portion between the plurality of through holes k (bridge portion B in FIG. 2) is inclined with respect to the two sides L1 and L2. For this reason, the shadow mask SM has two sides L1 and L
If it is extended in the direction parallel to 2 (Y direction), or
In either case, the buffer region K can absorb the displacement, and has a buffering effect in any case where the buffer region K is extended in the direction (X direction) orthogonal to the sides L1 and L2. Therefore, irrespective of the direction in which the shadow mask SM extends, the tension of the shadow mask SM can be made more uniform, and the generation of wrinkles and the deterioration of the vibration resistance can be prevented.
【0046】また、この一実施形態で説明したシャドウ
マスクSMの製造方法によると、帯状のシャドウマスク
材に対して、透孔領域T内に複数の透孔tがエッチング
形成される透孔エッチング工程と、一対の緩衝領域K内
に複数の貫通孔kがエッチング形成される貫通孔エッチ
ング工程と、が施される結果、透孔領域Tと緩衝領域K
とがシャドウマスク材にエッチング形成される。このた
め、このようなエッチング処理方法を用いて完成したシ
ャドウマスクSMは、カラーブラウン管に組込まれた際
に、張力が均一で、皺の発生が少なく、耐振特性が優れ
たものすることができる。Further, according to the method of manufacturing the shadow mask SM described in this embodiment, a through hole etching step in which a plurality of through holes t are formed in the through region T by etching the strip-shaped shadow mask material. And a through-hole etching step in which a plurality of through-holes k are formed by etching in a pair of buffer regions K. As a result, the through-hole region T and the buffer region K are formed.
Are etched on the shadow mask material. For this reason, the shadow mask SM completed by using such an etching method can have uniform tension, less wrinkles, and excellent vibration resistance when incorporated into a color CRT.
【0047】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも
できる。たとえば、上述の一実施形態においては、緩衝
領域Kに形成されているのは、シャドウマスクSMの表
裏面を貫通する貫通孔kであるが、シャドウマスクSM
の少なくともどちらか一方の面に形成される凹部(窪
み)であってもよい。この場合であっても、シャドウマ
スクSMの一部が欠損しているので、緩衝領域Kの剛性
を低下させ、緩衝作用を有することができ、したがっ
て、シャドウマスクSMの張力を均一化させて、皺の発
生および耐振特性の低下を防止することができる。な
お、この場合、緩衝領域Kは、ゴルフボールのディンプ
ル表面に似たような形態を呈することになる。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above-described embodiment, the through hole k penetrating the front and back surfaces of the shadow mask SM is formed in the buffer region K.
May be formed on at least one of the surfaces. Even in this case, since a part of the shadow mask SM is missing, the rigidity of the buffer region K can be reduced, and the buffer region K can have a buffering effect. It is possible to prevent generation of wrinkles and a decrease in vibration resistance. In this case, the buffer region K has a shape similar to the dimple surface of the golf ball.
【0048】また、貫通孔kや上記凹部のシャドウマス
クSM表面側から見た形状としては、一実施形態のよう
な正方形以外にも、円形、楕円形、三角形などいずれの
形状であってもよい。これらいずれの形状の場合であっ
ても、規則的に配列させるほうが、緩衝作用の均一化の
面から考えて、より好ましい。ただし、シャドウマスク
SMの張力の均一さが高く要求されない場合には、複数
の貫通孔kが不規則に配列されていてもよい。The shape of the through hole k and the concave portion as viewed from the surface side of the shadow mask SM may be any shape such as a circle, an ellipse, and a triangle, in addition to the square as in the embodiment. . In any of these shapes, it is more preferable to arrange them regularly from the viewpoint of uniform buffering action. However, when high uniformity of the tension of the shadow mask SM is not required, the plurality of through holes k may be irregularly arranged.
【0049】また、上述の一実施形態においては、一対
の緩衝領域Kにおける複数の貫通孔kは、シャドウマス
クSMの2辺L1,L2に平行な方向に対して45度だ
け傾斜して配列されているが、たとえば、2辺L1,L
2に平行な方向に対して0〜45度の任意の範囲で傾斜
して配列されてもよい。なお、傾斜が0度の場合には、
図4に示すように、貫通孔kはシャドウマスクSMの2
辺L1,L2に平行な方向に配列されることとなる。In the above-described embodiment, the plurality of through holes k in the pair of buffer regions K are arranged at an angle of 45 degrees with respect to a direction parallel to the two sides L1 and L2 of the shadow mask SM. However, for example, two sides L1 and L
They may be arranged to be inclined at an arbitrary range of 0 to 45 degrees with respect to the direction parallel to 2. When the inclination is 0 degree,
As shown in FIG.
They are arranged in a direction parallel to the sides L1 and L2.
【0050】また、上述の一実施形態においては、一対
の緩衝領域Kは、いずれもシャドウマスクSMの2辺L
1,L2と同じ長さで形成されているが、それよりも短
く形成されていてもよい。ただし、張力の均一化の面で
は、フレームFの辺F1,F2よりも長く形成されてい
るのが好ましい。Further, in the above-described embodiment, each of the pair of buffer regions K has two sides L of the shadow mask SM.
1 and L2, the length is the same, but may be shorter. However, in terms of equalizing the tension, the frame F is preferably formed to be longer than the sides F1 and F2.
【0051】また、上述の一実施形態においては、一対
の緩衝領域Kは、シャドウマスクSMの2辺L1,L2
の近傍において、2辺L1,L2と平行な方向に延びる
ように設けられているが、シャドウマスクSMの残り2
辺L3,L4の近傍において、2辺L3,L4と平行な
方向に延びるように設けられていてもよい。また、この
場合には、図3(a)におけるチャックC1,C2は、
シャドウマスクSMの辺L1,L2の中央部を保持し、
チャックC3,C4は、シャドウマスクSMの辺L3,
L4の全域を保持することができるように変更するのが
好ましい。Further, in the above-described embodiment, the pair of buffer regions K correspond to the two sides L1, L2 of the shadow mask SM.
Is provided so as to extend in a direction parallel to the two sides L1 and L2, but the remaining two
In the vicinity of the sides L3, L4, it may be provided so as to extend in a direction parallel to the two sides L3, L4. In this case, the chucks C1 and C2 in FIG.
Holding the center of the sides L1 and L2 of the shadow mask SM,
The chucks C3 and C4 are connected to the side L3 of the shadow mask SM.
It is preferable to make changes so that the entire area of L4 can be maintained.
【0052】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
【0053】[0053]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項1に
係る発明の展張型シャドウマスクによると、シャドウマ
スク4辺のほぼ全域を保持して、シャドウマスクを互い
に直交する2方向に展張させた状態で、フレームに取付
け可能となるので、シャドウマスクの皺の発生および耐
振特性の低下を防止できるという効果を奏する。As described above in detail, according to the stretch type shadow mask of the first aspect of the present invention, the shadow mask is stretched in two directions orthogonal to each other while maintaining almost all of the four sides of the shadow mask. In this state, it can be attached to the frame, so that it is possible to prevent the wrinkles of the shadow mask from occurring and to prevent the anti-vibration characteristics from deteriorating.
【0054】また、請求項2に係る発明の展張型シャド
ウマスクによると、透孔領域全域が、緩衝領域の緩衝作
用の恩恵を受けることができるので、シャドウマスクの
特に透孔領域内における、皺の発生および耐振特性の低
下を防止することができるという効果を奏する。According to the stretch type shadow mask of the second aspect of the present invention, the entire area of the through-hole area can benefit from the buffering action of the buffer area. It is possible to prevent the generation of vibrations and the deterioration of the vibration resistance characteristics.
【0055】また、請求項3に係る発明の展張型シャド
ウマスクによると、緩衝領域の緩衝作用が緩衝領域内の
どの箇所においてもほぼ均一となり、その結果、シャド
ウマスクの張力をさらに均一化させて、さらに皺の発生
および耐振特性の低下を防止することができるという効
果を奏する。Further, according to the stretch type shadow mask of the third aspect of the present invention, the buffering action of the buffering area becomes substantially uniform at any point in the buffering area. As a result, the tension of the shadow mask is further made uniform. Further, it is possible to prevent the occurrence of wrinkles and the deterioration of the vibration resistance characteristics.
【0056】また、請求項4に係る発明の展張型シャド
ウマスクによると、シャドウマスクの展張する方向に関
わらず、シャドウマスクの張力をさらに均一化させて、
さらに皺の発生および耐振特性の低下を防止することが
できるという効果を奏する。According to the stretch type shadow mask of the present invention, the tension of the shadow mask is further made uniform regardless of the direction in which the shadow mask extends.
Further, there is an effect that generation of wrinkles and a decrease in vibration resistance can be prevented.
【0057】また、請求項5に係る発明の展張型シャド
ウマスクのエッチング処理方法によると、カラーブラウ
ン管に組込まれた際に、張力が均一で、皺の発生が少な
く、耐振特性が優れたシャドウマスクを提供することが
できるという効果を奏する。According to the method for etching a stretchable shadow mask according to the fifth aspect of the present invention, when incorporated into a color CRT, the tension is uniform, the wrinkles are less likely to occur, and the shadow mask has excellent vibration resistance. Is provided.
【図1】本発明の一実施形態に係るシャドウマスクの構
成を簡略的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a shadow mask according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施形態に係るシャドウマスクの、
特に緩衝領域の構成を簡略的に示す平面図である。FIG. 2 shows a shadow mask according to an embodiment of the present invention.
It is a top view which shows especially the structure of a buffer area simply.
【図3】本発明の一実施形態に係るシャドウマスクをフ
レームに溶接取り付けする手順を説明するための平面図
である。FIG. 3 is a plan view for explaining a procedure for welding and attaching a shadow mask according to an embodiment of the present invention to a frame.
【図4】本発明の他の実施形態に係るシャドウマスク
の、特に緩衝領域の構成を簡略的に示す平面図である。FIG. 4 is a plan view schematically showing a configuration of a shadow mask according to another embodiment of the present invention, particularly, a buffer region.
【図5】従来のシャドウマスクをフレームに溶接取り付
けする手順を説明するための平面図である。FIG. 5 is a plan view for explaining a procedure for welding and attaching a conventional shadow mask to a frame.
1〜6 チャック C1〜C4 チャック F フレーム F1〜F4 フレームの辺 K(K1,K2) 緩衝領域 k 貫通孔(欠損部) L1〜L4 シャドウマスクの辺 SM シャドウマスク T 透孔領域 t 透孔 X シャドウマスクの2辺L3,L4に平行な方向 Y シャドウマスクの2辺L1,L2に平行な方向 1 to 6 chuck C1 to C4 chuck F frame F1 to F4 frame side K (K1, K2) buffer region k through hole (deleted portion) L1 to L4 shadow mask side SM shadow mask T through hole region t through hole X shadow The direction parallel to the two sides L3 and L4 of the mask Y The direction parallel to the two sides L1 and L2 of the shadow mask
Claims (5)
込まれる展張型シャドウマスクにおいて、 電子ビームを通過させるための複数の透孔が形成された
透孔領域と、 展張型シャドウマスクの互いに向かい合う2辺に平行な
方向に延びるように、上記透孔領域の両側に設けられ、
複数の欠損部が形成された一対の緩衝領域と、を備える
ことを特徴とする展張型シャドウマスク。1. A stretchable shadow mask which is mounted in a state expanded in a color cathode ray tube, wherein: a through-hole region in which a plurality of through holes for passing an electron beam are formed; Provided on both sides of the through-hole region so as to extend in a direction parallel to the side,
An extended shadow mask, comprising: a pair of buffer regions in which a plurality of defective portions are formed.
まれる範囲内に形成されていることを特徴とする請求項
1に記載の展張型シャドウマスク。2. The stretchable shadow mask according to claim 1, wherein said through-hole region is formed in a range sandwiched by said pair of buffer regions.
的に配列されていることを特徴とする請求項1または2
のいずれかに記載の展張型シャドウマスク。3. The buffer region according to claim 1, wherein the plurality of defective portions are regularly arranged.
The stretchable shadow mask according to any one of the above.
損部の配列方向は、上記展張型シャドウマスクの互いに
向かい合う2辺に平行な方向に対して傾斜していること
を特徴とする請求項3に記載の展張型シャドウマスク。4. An arrangement direction of said plurality of defective portions in said pair of buffer regions is inclined with respect to a direction parallel to two opposite sides of said stretchable shadow mask. The stretchable shadow mask according to 1.
込まれる展張型シャドウマスクのエッチング処理方法に
おいて、 帯状のシャドウマスク材に対して、電子ビームを通過さ
せるための複数の透孔が形成される透孔領域をエッチン
グによって形成する透孔エッチング工程と、 上記展張型シャドウマスクの互いに向かい合う2辺に平
行な方向に延びるように、上記透孔領域の両側に設けら
れ、複数の欠損部を有する一対の緩衝領域をエッチング
によって形成する欠損部エッチング工程と、を備えるこ
とを特徴とする展張型シャドウマスクのエッチング処理
方法。5. A method of etching an extended shadow mask to be incorporated in an extended state in a color cathode ray tube, wherein a plurality of through holes for passing an electron beam are formed in a strip-shaped shadow mask material. A hole etching step of forming a hole region by etching, and a pair of holes provided on both sides of the hole region so as to extend in a direction parallel to two opposite sides of the stretchable shadow mask and having a plurality of defective portions. An etching process for a stretchable shadow mask, comprising: a defective portion etching step of forming a buffer region by etching.
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JP2000036715A JP2001229846A (en) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | Tension type shadow mask and its etching treatment method |
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