JP2001223430A - Semiconductor laser driving device - Google Patents

Semiconductor laser driving device

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JP2001223430A
JP2001223430A JP2000031528A JP2000031528A JP2001223430A JP 2001223430 A JP2001223430 A JP 2001223430A JP 2000031528 A JP2000031528 A JP 2000031528A JP 2000031528 A JP2000031528 A JP 2000031528A JP 2001223430 A JP2001223430 A JP 2001223430A
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JP
Japan
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current
semiconductor laser
voltage conversion
resistors
driving device
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Application number
JP2000031528A
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Japanese (ja)
Inventor
Kaoru Sato
薫 佐藤
Keiichi Sugimura
圭一 杉村
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Ricoh Optical Industries Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Optical Industries Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that a light emission amount of a semiconductor laser can not be switched in a device wherein an analog comparator is not used. SOLUTION: In a semiconductor laser driving device which has a circuit 14 which is connected to a photodetector 5 for detecting the light emission amount of a semiconductor laser 4 and converts its output current to a voltage and a logic circuit 13 whereto the output voltage of the circuit 14 is input, compares an output voltage of the circuit 14 to a threshold value of an input terminal of the logic circuit 13, amplifies a current of the semiconductor laser 4 according to the result of the comparison and controls a light emission amount of the semiconductor laser 4 to a prescribed light amount, the current voltage conversion circuit 14 has a plurality of current voltage conversion properties.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ駆動装
置に関する。
The present invention relates to a semiconductor laser driving device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体レーザ駆動装置において
は、基準電圧と光検出器の出力信号とを比較するアナロ
グコンパレータに入力される前記基準電圧を切り替える
ことにより、半導体レーザの発光光量を切り替えてい
た。図9は従来の半導体レーザ駆動装置の例を示す。
2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor laser driving device, the light emission amount of a semiconductor laser is switched by switching the reference voltage input to an analog comparator for comparing a reference voltage with an output signal of a photodetector. . FIG. 9 shows an example of a conventional semiconductor laser driving device.

【0003】この半導体レーザ駆動装置は、ホールドコ
ンデンサ3の端子電圧に応じた電流を供給する電流源2
と、半導体レーザ点灯指示信号によってスイッチングす
るスイッチ回路1と、電流源2からスイッチ回路1を通
して供給される電流が流れることにより発光する半導体
レーザ4と、この半導体レーザ4からの光を受光して半
導体レーザ4の発光光量に比例した電流を発生する光検
出器5と、この光検出器5の出力電流を電圧に変換する
電流電圧変換回路6と、この電流電圧変換回路6の出力
電圧と入力基準電圧とを比較するアナログコンパレータ
7と、半導体レーザ点灯指示信号の信号長を検出する点
灯指示信号長検出器12と、この点灯指示信号長検出器
12の出力信号によって、アナログコンパレータ7の出
力信号をスイッチ回路9に加えるかどうかを決めるロジ
ック回路としてのロジックIC8と、このロジックIC
8の出力信号によってスイッチングするスイッチ回路9
と、このスイッチ回路9が閉じた時にホールドコンデン
サ3に充電するための電流を供給する電流源10と、ス
イッチ回路9が開いた時にホールドコンデンサ3を放電
させる抵抗器11とによって構成されている。
This semiconductor laser driving device comprises a current source 2 for supplying a current corresponding to a terminal voltage of a hold capacitor 3.
A switch circuit 1 for switching according to a semiconductor laser lighting instruction signal; a semiconductor laser 4 for emitting light when a current supplied from the current source 2 through the switch circuit 1 flows; and a semiconductor for receiving light from the semiconductor laser 4 A photodetector 5 for generating a current proportional to the amount of light emitted from the laser 4, a current-voltage conversion circuit 6 for converting an output current of the photodetector 5 into a voltage, an output voltage of the current-voltage conversion circuit 6, and an input reference An analog comparator 7 for comparing the voltage with the voltage, a lighting instruction signal length detector 12 for detecting the signal length of the semiconductor laser lighting instruction signal, and an output signal of the lighting instruction signal length detector 12, A logic IC 8 as a logic circuit for determining whether or not to be added to the switch circuit 9;
Switch circuit 9 that switches by the output signal of 8
A current source 10 for supplying a current for charging the hold capacitor 3 when the switch circuit 9 is closed, and a resistor 11 for discharging the hold capacitor 3 when the switch circuit 9 is opened.

【0004】次に、この半導体レーザ駆動装置で半導体
レーザ4を直流点灯させている状態について説明する。
半導体レーザ点灯指示信号によってスイッチ回路1が閉
じ、電流源2がホールドコンデンサ3の端子電圧に比例
した電流を供給する。半導体レーザ4は、電流源2から
スイッチ回路1を通して供給される電流が流れ、その電
流―光変換特性に従って発光する。光検出器5は、ホト
ダイオードからなり、半導体レーザ4が発した光を受け
てその受光量に比例した電流を発生する。この電流は電
流電圧変換回路6によって電圧に変換される。電流電圧
変換回路6の出力電圧はアナログコンパレータ7に入力
され、このアナログコンパレータ7は電流電圧変換回路
6の出力電圧を、所定の光量に相当する基準電圧と比較
する。
Next, a state in which the semiconductor laser 4 is turned on in a direct current by the semiconductor laser driving device will be described.
The switch circuit 1 is closed by the semiconductor laser lighting instruction signal, and the current source 2 supplies a current proportional to the terminal voltage of the hold capacitor 3. The semiconductor laser 4 receives a current supplied from the current source 2 through the switch circuit 1, and emits light according to the current-light conversion characteristics. The photodetector 5 is composed of a photodiode, receives light emitted by the semiconductor laser 4, and generates a current proportional to the amount of light received. This current is converted into a voltage by the current-voltage conversion circuit 6. The output voltage of the current-voltage conversion circuit 6 is input to an analog comparator 7, and the analog comparator 7 compares the output voltage of the current-voltage conversion circuit 6 with a reference voltage corresponding to a predetermined light amount.

【0005】アナログコンパレータ7の比較結果はロジ
ックIC8を通じてスイッチ回路9に加えられ、半導体
レーザ4の発光光量が所定の光量に達してしなかった場
合には、スイッチ回路9が閉じて電流源10からスイッ
チ回路9を通して供給される電流がホールドコンデンサ
3と抵抗器11に流れる。抵抗器11に流れる電流は電
流源10から供給される電流に比べて小さいので、ホー
ルドコンデンサ3は電流源10からスイッチ回路9を通
して流れる電流により電荷が蓄えられ、徐々にホールド
コンデンサ3の端子電圧が上昇する。ホールドコンデン
サ3の端子電圧が上昇すると、その端子電圧の上昇に伴
って電流源2の発生する電流が増加し、半導体レーザ4
の発光光量が増加する。
[0005] The comparison result of the analog comparator 7 is applied to the switch circuit 9 through the logic IC 8. If the light emission amount of the semiconductor laser 4 does not reach the predetermined light amount, the switch circuit 9 is closed and the current source 10 The current supplied through the switch circuit 9 flows through the hold capacitor 3 and the resistor 11. Since the current flowing through the resistor 11 is smaller than the current supplied from the current source 10, the charge is stored in the hold capacitor 3 by the current flowing from the current source 10 through the switch circuit 9, and the terminal voltage of the hold capacitor 3 gradually decreases. To rise. When the terminal voltage of the hold capacitor 3 increases, the current generated by the current source 2 increases with the increase of the terminal voltage, and the semiconductor laser 4
The amount of emitted light increases.

【0006】電流電圧変換回路6からアナログコンパレ
ータ7に入力された電圧が基準電圧に達すると、スイッ
チ回路9が開き、電流源10からホールドコンデンサ3
と抵抗器11への電流供給が停止される。そうすると、
ホールドコンデンサ3から抵抗器11を通して放電され
ることにより、ホールドコンデンサ3に蓄えられた電荷
が徐々に抜かれてホールドコンデンサ3の端子電圧が徐
々に下降する。ホールドコンデンサ3の端子電圧が下降
すると、その端子電圧の下降に伴って電流源2の発生す
る電流が減少し、半導体レーザ4の発光光量が減少す
る。
When the voltage input from the current-voltage conversion circuit 6 to the analog comparator 7 reaches the reference voltage, the switch circuit 9 opens, and the current source 10
And the current supply to the resistor 11 is stopped. Then,
By discharging from the hold capacitor 3 through the resistor 11, the charge stored in the hold capacitor 3 is gradually discharged, and the terminal voltage of the hold capacitor 3 gradually decreases. When the terminal voltage of the hold capacitor 3 decreases, the current generated by the current source 2 decreases with the decrease of the terminal voltage, and the light emission amount of the semiconductor laser 4 decreases.

【0007】ここで、アナログコンパレータ7に入力さ
れる基準電圧を上記所定の光量よりも高い光量に相当す
る電圧に切り替えると、アナログコンパレータ7の基準
電圧と電流電圧変換回路6出力電圧との比較結果は、半
導体レーザ4の発光光量が上記高い基準電圧に相当する
光量に達していないことになり、スイッチ回路9が閉じ
て電流源10から供給される電流がホールドコンデンサ
3と抵抗器11に流れる。抵抗器11に流れる電流は電
流源10から供給される電流に比べて小さいので、ホー
ルドコンデンサ3は電流源10からスイッチ回路9を通
じて流れる電流により電荷が蓄えられ、ホールドコンデ
ンサ3の端子電圧が徐々に上昇する。ホールドコンデン
サ3の端子電圧が上昇すると、その端子電圧の上昇に伴
って電流源2の発生する電流が増加し、半導体レーザ4
の発光光量が増加する。
Here, when the reference voltage input to the analog comparator 7 is switched to a voltage corresponding to a light amount higher than the predetermined light amount, the result of comparison between the reference voltage of the analog comparator 7 and the output voltage of the current-voltage conversion circuit 6 is obtained. Means that the light emission amount of the semiconductor laser 4 has not reached the light amount corresponding to the high reference voltage, the switch circuit 9 is closed, and the current supplied from the current source 10 flows through the hold capacitor 3 and the resistor 11. Since the current flowing through the resistor 11 is smaller than the current supplied from the current source 10, the charge is stored in the hold capacitor 3 by the current flowing from the current source 10 through the switch circuit 9, and the terminal voltage of the hold capacitor 3 gradually increases. To rise. When the terminal voltage of the hold capacitor 3 increases, the current generated by the current source 2 increases with the increase of the terminal voltage, and the semiconductor laser 4
The amount of emitted light increases.

【0008】また、ここで、アナログコンパレータ7に
入力される基準電圧を上記所定の光量よりも低い光量に
相当する電圧に切り替えると、アナログコンパレータ7
の基準電圧と電流電圧変換回路6出力電圧との比較結果
は、半導体レーザ4の上記低い基準電圧に相当する光量
よりも高い光量で発光していることになり、スイッチ回
路9が開き、電流源10からホールドコンデンサ3と抵
抗値11への電流供給が停止される。
When the reference voltage input to the analog comparator 7 is switched to a voltage corresponding to a light amount lower than the predetermined light amount, the analog comparator 7
Is compared with the output voltage of the current-voltage conversion circuit 6, the result is that the semiconductor laser 4 emits light with a light amount higher than the light amount corresponding to the low reference voltage, the switch circuit 9 opens, and the current source The current supply from 10 to the hold capacitor 3 and the resistance value 11 is stopped.

【0009】そうすると、ホールドコンデンサ3から抵
抗器11を通して放電されることにより、ホールドコン
デンサ3に蓄えられた電荷が徐々に抜かれてホールドコ
ンデンサ3の端子電圧が徐々に下降する。ホールドコン
デンサ3の端子電圧が下降すると、その端子電圧の下降
に伴って電流源2の発生する電流が減少し、半導体レー
ザ4の発光光量が減少する。以上のように、この従来の
半導体レーザ駆動装置は、基準電圧を切り替えることに
より半導体レーザ4の発光光量を切り替えることができ
る。
Then, the electric charge stored in the hold capacitor 3 is gradually discharged by discharging from the hold capacitor 3 through the resistor 11, and the terminal voltage of the hold capacitor 3 gradually decreases. When the terminal voltage of the hold capacitor 3 decreases, the current generated by the current source 2 decreases with the decrease of the terminal voltage, and the light emission amount of the semiconductor laser 4 decreases. As described above, this conventional semiconductor laser driving device can switch the light emission amount of the semiconductor laser 4 by switching the reference voltage.

【0010】次に、この半導体レーザ駆動装置で半導体
レーザ4をスイッチングしている時について説明する。
まず、半導体レーザ点灯指示信号により上述のような直
流点灯状態にされ、半導体レーザ4の発光光量が所定の
光量になる。その後、半導体レーザ点灯指示信号がスイ
ッチングしてスイッチ回路1がオン/オフし、電流源2
からスイッチ回路1を通して半導体レーザ4に供給され
る電流がオン/オフされることで半導体レーザ4がオン
/オフにスイッチングされる。
Next, a case where the semiconductor laser 4 is switched by the semiconductor laser driving device will be described.
First, the semiconductor laser 4 is turned on as described above by the semiconductor laser lighting instruction signal, and the light emission amount of the semiconductor laser 4 becomes a predetermined light amount. Thereafter, the semiconductor laser lighting instruction signal is switched to turn on / off the switch circuit 1 and the current source 2
The semiconductor laser 4 is switched on / off by turning on / off the current supplied to the semiconductor laser 4 from the switch circuit 1 through the switch circuit 1.

【0011】半導体レーザ4のスイッチングが高速で行
われて光検出器5及び電流電圧変換回路6が半導体レー
ザ4の出力信号に追従できなくなった時には、半導体レ
ーザ4の発光光量が実際には所定の光量(設定光量)に
達していても、電流電圧変換回路6からアナログコンパ
レータ7に入力される電圧は半導体レーザ4が所定の光
量よりも少ない光量で発光しているかのような値にな
る。このため、スイッチ回路9が閉じて電流源10から
ホールドコンデンサ3と抵抗器11に電流が供給され、
ホールドコンデンサ3の端子電圧が上昇して電流源2か
ら半導体レーザ4への電流が増加し、半導体レーザ4の
発光光量が増加してしまう。
When the switching of the semiconductor laser 4 is performed at a high speed and the photodetector 5 and the current-voltage conversion circuit 6 cannot follow the output signal of the semiconductor laser 4, the light emission amount of the semiconductor laser 4 is actually reduced to a predetermined value. Even if the light amount (set light amount) has been reached, the voltage input from the current-voltage conversion circuit 6 to the analog comparator 7 has a value as if the semiconductor laser 4 emits light with a light amount smaller than a predetermined light amount. As a result, the switch circuit 9 is closed and current is supplied from the current source 10 to the hold capacitor 3 and the resistor 11,
The terminal voltage of the hold capacitor 3 increases, the current from the current source 2 to the semiconductor laser 4 increases, and the light emission amount of the semiconductor laser 4 increases.

【0012】そこで、これを防ぐために、光検出器5及
び電流電圧変換回路6が半導体レーザ4の出力信号に追
従するまでホールドコンデンサ3の充電が点灯指示信号
長検出器12によって禁止される。すなわち、点灯指示
信号長検出器12は、光検出器5及び電流電圧変換回路
6が半導体レーザ4の出力信号に追従するまで半導体レ
ーザ4の点灯指示が継続しているかどうかを半導体レー
ザ点灯指示信号の継続長さから検出し、光検出器5及び
電流電圧変換回路6が半導体レーザ4の出力信号に追従
するまで半導体レーザ4の点灯指示が継続している時に
はロジックIC8に充電制御の許可を与える。
In order to prevent this, the charging of the hold capacitor 3 is prohibited by the lighting instruction signal length detector 12 until the photodetector 5 and the current-voltage conversion circuit 6 follow the output signal of the semiconductor laser 4. That is, the lighting instruction signal length detector 12 determines whether or not the lighting instruction of the semiconductor laser 4 is continued until the photodetector 5 and the current-voltage conversion circuit 6 follow the output signal of the semiconductor laser 4. From the continuation length, and when the light-instruction of the semiconductor laser 4 is continued until the photodetector 5 and the current-voltage conversion circuit 6 follow the output signal of the semiconductor laser 4, the charge control permission is given to the logic IC 8. .

【0013】ロジックIC8は、点灯指示信号長検出器
12の出力信号により制御されるアンドゲートであり、
点灯指示信号長検出器12による充電制御の許可でアナ
ログコンパレータ7の比較結果をスイッチ回路9に加え
る。また、点灯指示信号長検出器12は、光検出器5及
び電流電圧変換回路6が半導体レーザ4の出力信号に追
従するまで半導体レーザ4の点灯指示が継続していない
時にはロジックIC8に充電制御の許可を与えず、ロジ
ックIC8がアナログコンパレータ7の比較結果をスイ
ッチ回路9に加えなくなってホールドコンデンサ3の充
電が禁止される。
The logic IC 8 is an AND gate controlled by an output signal of the lighting instruction signal length detector 12,
When the charge control by the lighting instruction signal length detector 12 is permitted, the comparison result of the analog comparator 7 is added to the switch circuit 9. The lighting instruction signal length detector 12 controls the logic IC 8 to control charging when the lighting instruction of the semiconductor laser 4 is not continued until the photodetector 5 and the current-voltage conversion circuit 6 follow the output signal of the semiconductor laser 4. Without permission, the logic IC 8 does not add the comparison result of the analog comparator 7 to the switch circuit 9 and the charging of the hold capacitor 3 is prohibited.

【0014】この従来の半導体レーザ駆動装置におい
て、半導体レーザ4の発光光量を所定の光量に設定する
方法では、半導体レーザ4の出力が所定の光量になった
時に電流電圧変換回路6の出力電圧が、アナログコンパ
レータ7に入力される基準電圧と同じ電圧になるように
電流電圧変換特性を調整する。その後、半導体レーザ4
の発光光量を変更もしくは切り替える場合は、アナログ
コンパレータ7に入力される基準電圧の設定値を変更も
しくは切り替える。
In this conventional semiconductor laser driving apparatus, in the method of setting the light emission amount of the semiconductor laser 4 to a predetermined light amount, when the output of the semiconductor laser 4 reaches the predetermined light amount, the output voltage of the current-voltage conversion circuit 6 is changed. The current-voltage conversion characteristic is adjusted so that the voltage becomes the same as the reference voltage input to the analog comparator 7. Then, the semiconductor laser 4
When changing or switching the light emission amount of the reference voltage, the set value of the reference voltage input to the analog comparator 7 is changed or switched.

【0015】次に、アナログコンパレータを使用しない
従来の半導体レーザ駆動装置について説明する。図10
はアナログコンパレータを使用しない従来の半導体レー
ザ駆動装置の例を示す。この半導体レーザ駆動装置で
は、上記図9に示す半導体レーザ駆動装置において、基
準電圧入力が無くなり、アナログコンパレータ7と点灯
指示信号長検出器12による充電制御の許可でアナログ
コンパレータ7の比較結果をスイッチ回路9に加えるロ
ジックIC8の機能を、ロジック回路を構成するロジッ
クICとしてのアンドゲート13にまとめている。この
アンドゲート13は、入力端子内部の閾値を基準電圧と
して利用し、電流電圧変換回路6の出力電圧を入力端子
の閾値と比較してその比較結果を出力する。また、点灯
指示信号長検出器12は、光検出器5及び電流電圧変換
回路6が半導体レーザ4の出力信号に追従するまで半導
体レーザ4の点灯指示が継続していない時にはアンドゲ
ート13に充電制御の許可を与えず、アンドゲート13
がその比較結果をスイッチ回路9に加えなくなってホー
ルドコンデンサ3の充電が禁止される。
Next, a conventional semiconductor laser driving device which does not use an analog comparator will be described. FIG.
Shows an example of a conventional semiconductor laser driving device which does not use an analog comparator. In this semiconductor laser driving device, in the semiconductor laser driving device shown in FIG. 9 described above, the reference voltage input is lost, and the charge of the analog comparator 7 and the lighting instruction signal length detector 12 is allowed to perform the charge control. The functions of the logic IC 8 added to the logic circuit 9 are combined into an AND gate 13 as a logic IC constituting a logic circuit. The AND gate 13 uses the threshold value inside the input terminal as a reference voltage, compares the output voltage of the current-voltage conversion circuit 6 with the threshold value of the input terminal, and outputs the comparison result. The lighting instruction signal length detector 12 controls the AND gate 13 when the lighting instruction of the semiconductor laser 4 is not continued until the photodetector 5 and the current-voltage conversion circuit 6 follow the output signal of the semiconductor laser 4. Without permission, AND gate 13
Does not add the comparison result to the switch circuit 9 and the charging of the hold capacitor 3 is prohibited.

【0016】この半導体レーザ駆動装置は、アナログコ
ンパレータを使用しないために、アナログコンパレータ
7を使用する従来の半導体レーザ駆動装置に比べて部品
コストを低減することができる。また、アンドゲート1
3の入力端子内部の閾値を基準電圧として利用している
ために、外部から基準電圧を変えることはできない。
Since this semiconductor laser driving device does not use an analog comparator, the component cost can be reduced as compared with a conventional semiconductor laser driving device using an analog comparator 7. And gate 1
Since the threshold value inside the input terminal of No. 3 is used as the reference voltage, the reference voltage cannot be changed externally.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】上記アナログコンパレ
ータを使用しない半導体レーザ駆動装置では、基準電圧
がロジックIC13内部の閾値であるため、従来のアナ
ログコンパレータを持つ半導体レーザ駆動装置のように
外部から基準電圧を切り替えて半導体レーザ4の発光光
量を切り替えることはできない。
In the above-described semiconductor laser driving apparatus which does not use an analog comparator, since the reference voltage is a threshold value inside the logic IC 13, the reference voltage is externally applied like a conventional semiconductor laser driving apparatus having an analog comparator. Cannot be changed to switch the light emission amount of the semiconductor laser 4.

【0018】本発明は、上記問題点を解決し、アナログ
コンパレータを使用せずに安価に実現できると共に、半
導体レーザの発光光量を切り替えることができる半導体
レーザ駆動装置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a semiconductor laser driving device which can be realized at low cost without using an analog comparator and which can switch the light emission amount of the semiconductor laser.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に係る発明は、発光する半導体レーザと、
この半導体レーザの発光光量を検出して該発光光量に比
例した電流信号を出力する光検出器と、この光検出器に
接続され該光検出器が出力する電流を電圧に変換する電
流電圧変換回路と、この電流電圧変換回路によって変換
された電圧が入力されるロジック回路とを備え、前記電
流電圧変換回路により変換された電圧を前記ロジック回
路の入力端子の閾値と比較し、この比較の結果により前
記半導体レーザの電流を増減させて前記半導体レーザの
発光光量を所定の光量に制御する半導体レーザ駆動装置
において、前記電流電圧変換回路は複数の電流電圧変換
特性を持つものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 1 comprises a light-emitting semiconductor laser,
A photodetector for detecting a light emission amount of the semiconductor laser and outputting a current signal proportional to the light emission amount, and a current-voltage conversion circuit connected to the photodetector and converting a current output from the photodetector into a voltage And a logic circuit to which the voltage converted by the current-voltage conversion circuit is input, and compares the voltage converted by the current-voltage conversion circuit with a threshold value of the input terminal of the logic circuit. In a semiconductor laser driving device that controls the light emission amount of the semiconductor laser to a predetermined light amount by increasing or decreasing the current of the semiconductor laser, the current-voltage conversion circuit has a plurality of current-voltage conversion characteristics.

【0020】請求項2に係る発明は、請求項1記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電流電圧変換回路
は、少なくとも抵抗値が異なり且つ並列に接続された複
数の抵抗器と、電流電圧変換特性切り替え指示信号によ
って前記複数の抵抗器のうちの一つ若しくは複数の抵抗
器を選択するスイッチ回路とを有するものである。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the first aspect, the current-to-voltage conversion circuit includes a plurality of resistors having different resistance values and connected in parallel with each other. And a switch circuit for selecting one or more of the plurality of resistors according to a switching instruction signal.

【0021】請求項3に係る発明は、請求項2記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電流電圧変換回路に
おける前記並列に接続された複数の抵抗器それぞれは、
前記光検出器と直列に直接接続され、若しくは前記電流
電圧変換特性切り替え指示信号によって前記複数の抵抗
器のうちの一つ若しくは複数の抵抗器を選択するスイッ
チ回路を介して前記光検出器と直列に接続されるもので
ある。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the second aspect, each of the plurality of resistors connected in parallel in the current-to-voltage conversion circuit includes:
Directly connected in series with the photodetector, or in series with the photodetector via a switch circuit that selects one or more of the plurality of resistors according to the current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. It is connected to.

【0022】請求項4に係る発明は、請求項3記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電流電圧変換回路に
おける前記並列に接続された複数の抵抗器それぞれは電
源に接続されるものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the third aspect, each of the plurality of resistors connected in parallel in the current-voltage conversion circuit is connected to a power supply.

【0023】請求項5に係る発明は、請求項3記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電流電圧変換回路は
オペアンプを含み、前記並列に接続された複数の抵抗器
それぞれは前記電流電圧変換特性切り替え指示信号によ
って前記複数の抵抗器のうちの一つ若しくは複数の抵抗
器を選択するスイッチ回路を介して前記オペアンプと並
列に接続されるものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the third aspect, the current-voltage conversion circuit includes an operational amplifier, and each of the plurality of resistors connected in parallel switches the current-voltage conversion characteristics. It is connected in parallel with the operational amplifier via a switch circuit that selects one or more of the plurality of resistors according to an instruction signal.

【0024】請求項6に係る発明は、請求項1記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電流電圧変換回路
は、少なくとも抵抗値が異なり且つ直列に接続された複
数の抵抗器と、電流電圧変換特性切り替え指示信号によ
って前記複数の抵抗器のうちの一つ若しくは複数の抵抗
器の両端をショートするスイッチ回路とを有するもので
ある。
According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the first aspect, the current-voltage conversion circuit comprises a plurality of resistors having at least different resistance values and connected in series; A switch circuit for short-circuiting both ends of one or more of the plurality of resistors according to a switching instruction signal.

【0025】請求項7に係る発明は、請求項6記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電流電圧変換回路に
おける前記直列に接続された複数の抵抗器のうちの一端
にある抵抗器は前記光検出器に接続されるものである。
According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the sixth aspect, a resistor at one end of the plurality of serially connected resistors in the current-voltage conversion circuit is the photodetector. Is connected to the vessel.

【0026】請求項8に係る発明は、請求項7記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電流電圧変換回路に
おける前記直列に接続された複数の抵抗器のうちの他の
一端にある抵抗器は電源に接続されるものである。
According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the seventh aspect, the resistor at the other end of the series-connected resistors in the current-voltage conversion circuit is a power supply. It is connected to.

【0027】請求項9に係る発明は、請求項7記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電流電圧変換回路は
オペアンプを含み、前記直列に接続された複数の抵抗器
が構成する抵抗器ブロックは前記オペアンプと並列に接
続されるものである。
According to a ninth aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the seventh aspect, the current-to-voltage conversion circuit includes an operational amplifier, and the resistor block formed by the plurality of resistors connected in series includes the resistor block. It is connected in parallel with the operational amplifier.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施例を示
す。この第1の実施例は、請求項1に係る発明の一実施
例である。この第1の実施例では、前述した図10に示
す従来の半導体レーザ駆動装置において、電流電圧変換
回路6の代りに、光検出器5の出力電流を直流電圧に変
換する、複数の電流電圧変換特性を持つ電流電圧変換回
路14が用いられ、この電流電圧変換回路14の出力電
圧がロジック回路を構成するロジックICとしてのアン
ドゲート13に入力される。
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. The first embodiment is an embodiment of the first aspect of the present invention. In the first embodiment, in the conventional semiconductor laser driving device shown in FIG. 10 described above, a plurality of current-voltage converters for converting the output current of the photodetector 5 into a DC voltage instead of the current-voltage conversion circuit 6 are used. A current-voltage conversion circuit 14 having characteristics is used, and an output voltage of the current-voltage conversion circuit 14 is input to an AND gate 13 as a logic IC constituting a logic circuit.

【0029】このアンドゲート13は、電流電圧変換回
路14の出力電圧を入力端子の閾値と比較してその比較
結果をスイッチ回路9へ出力する。また、点灯指示信号
長検出器12は、光検出器5及び電流電圧変換回路14
が半導体レーザ4の出力信号に追従するまで半導体レー
ザ4の点灯指示が継続していない時にはアンドゲート1
2に充電制御の許可を与えず、アンドゲート13がその
比較結果をスイッチ回路9に加えなくなってホールドコ
ンデンサ3の充電が禁止される。
The AND gate 13 compares the output voltage of the current-voltage conversion circuit 14 with the threshold value of the input terminal and outputs the comparison result to the switch circuit 9. The lighting instruction signal length detector 12 includes the photodetector 5 and the current-voltage conversion circuit 14.
When the lighting instruction of the semiconductor laser 4 is not continued until the signal follows the output signal of the semiconductor laser 4, the AND gate 1
2, the charge control is not permitted, and the AND gate 13 does not add the comparison result to the switch circuit 9, so that the charging of the hold capacitor 3 is prohibited.

【0030】ここで、電流電圧変換回路14の複数、例
えば5つの電流電圧変換特性について図2を参照して説
明する。図2において、横軸は光検出器5の出力電流で
あり、縦軸は電流電圧変換回路14の出力電圧である。
図2には電流電圧変換回路14の5つの電流電圧変換特
性〜とアンドゲート13の入力端子閾値電圧を示
す。電流電圧変換回路14は5つの電流電圧変換特性
〜のいずれかを電流電圧変換特性切り替え指示信号に
より選択できるものである。光検出器5の出力電流は半
導体レーザ4の発光光量に比例することから、電流電圧
変換回路14の電流電圧変換特性〜のいずれかを電
流電圧変換特性切り替え指示信号で切り替えることによ
り、半導体レーザ4の発光光量を5通り選べることにな
る。
Here, a plurality of, for example, five current-voltage conversion characteristics of the current-voltage conversion circuit 14 will be described with reference to FIG. 2, the horizontal axis represents the output current of the photodetector 5, and the vertical axis represents the output voltage of the current-voltage conversion circuit 14.
FIG. 2 shows five current-voltage conversion characteristics of the current-voltage conversion circuit 14 and the input terminal threshold voltage of the AND gate 13. The current-voltage conversion circuit 14 can select any one of the five current-voltage conversion characteristics through a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. Since the output current of the photodetector 5 is proportional to the amount of light emitted from the semiconductor laser 4, the semiconductor laser 4 is switched by switching any one of the current-voltage conversion characteristics of the current-voltage conversion circuit 14 using the current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. , The amount of emitted light can be selected in five ways.

【0031】次に、第1の実施例の動作について説明す
る。光検出器5は半導体レーザ4の発した光を受けてそ
の光量を電流に変換し、この電流は電流電圧変換回路1
4により電圧に変換される。この電圧はアンドゲート1
3の入力端子に入力されて該入力端子の閾値と比較さ
れ、その比較結果(電流電圧変換回路14の出力電圧と
閾値との差)と点灯指示信号長検出器12からの充電制
御停止信号との論理積がアンドゲート13でとられ、ア
ンドゲート13の出力信号がスイッチ回路9に加えられ
る。
Next, the operation of the first embodiment will be described. The photodetector 5 receives the light emitted from the semiconductor laser 4 and converts the amount of light into a current.
4 is converted to a voltage. This voltage is AND gate 1
3 and compared with the threshold value of the input terminal. The comparison result (the difference between the output voltage of the current-voltage conversion circuit 14 and the threshold value) and the charge control stop signal from the lighting instruction signal length detector 12 Is obtained by the AND gate 13, and the output signal of the AND gate 13 is applied to the switch circuit 9.

【0032】従って、半導体レーザ4を直流点灯させて
いる場合には、点灯指示信号長検出着12からの充電制
御停止信号が高レベルとなり、光検出器5の出力電流が
電流電圧変換回路14によって電圧に変換されて該電圧
がアンドゲート13でその入力端子の閾値と比較され、
その比較結果がスイッチ回路9に加えられる。
Therefore, when the semiconductor laser 4 is lit by direct current, the charge control stop signal from the lighting instruction signal length detection terminal 12 becomes high level, and the output current of the photodetector 5 is changed by the current-voltage conversion circuit 14. Is converted into a voltage, and the voltage is compared with a threshold value of the input terminal by the AND gate 13;
The comparison result is applied to the switch circuit 9.

【0033】また、半導体レーザ4をスイッチングして
いる場合には、光検出器5と電流電圧変換回路14が半
導体レーザ4の出力信号に追従するまで半導体レーザ点
灯指示が継続していない時は、点灯指示信号長検出着1
2からの充電制御停止信号が低レベルとなり、光検出器
5の出力電流が電流電圧変換回路14によって電圧に変
換されて該電圧がアンドゲート13でその入力端子の閾
値と比較されるが、その比較結果は阻止されてスイッチ
回路9は開いたままとなる。
When the semiconductor laser 4 is switched, if the semiconductor laser lighting instruction is not continued until the photodetector 5 and the current-voltage conversion circuit 14 follow the output signal of the semiconductor laser 4, Lighting instruction signal length detection 1
2 becomes low level, the output current of the photodetector 5 is converted into a voltage by the current-voltage conversion circuit 14, and the voltage is compared with the threshold value of the input terminal by the AND gate 13. The comparison result is blocked and the switch circuit 9 remains open.

【0034】半導体レーザ4の発光光量を複数の所定の
光量に切り替えられるようにするためには、電流電圧変
換回路14が持つ複数の電流電圧変換特性それぞれを、
半導体レーザ4の発光光量がそれぞれ所定の光量になる
ように設定しておく。
In order to switch the light emission amount of the semiconductor laser 4 to a plurality of predetermined light amounts, each of the plurality of current-voltage conversion characteristics of the current-voltage conversion circuit 14 must be
The light emission amount of the semiconductor laser 4 is set so as to be a predetermined light amount.

【0035】この第1の実施例によれば、発光する半導
体レーザ4と、この半導体レーザ4の発光光量を検出し
て該発光光量に比例した電流信号を出力する光検出器5
と、この光検出器5に接続され該光検出器5が出力する
電流を電圧に変換する電流電圧変換回路14と、この電
流電圧変換回路14によって変換された電圧が入力され
るロジック回路としてのアンドゲート13とを備え、電
流電圧変換回路14により変換された電圧をロジック回
路13の入力端子の閾値と比較し、この比較の結果によ
り半導体レーザ4の電流を増減させて半導体レーザ4の
発光光量を所定の光量に制御するので、アナログコンパ
レータを用いずに安価に実現できる。さらに、電流電圧
変換回路14は複数の電流電圧変換特性を持つので、半
導体レーザの発光光量を複数の所定の発光光量に切り替
えることができる。
According to the first embodiment, the semiconductor laser 4 emits light, and the photodetector 5 detects the amount of light emitted from the semiconductor laser 4 and outputs a current signal proportional to the amount of light emitted.
A current-voltage conversion circuit 14 connected to the photodetector 5 and converting the current output from the photodetector 5 into a voltage; and a logic circuit to which the voltage converted by the current-voltage conversion circuit 14 is input. An AND gate 13 for comparing the voltage converted by the current-voltage conversion circuit 14 with the threshold value of the input terminal of the logic circuit 13, and increasing or decreasing the current of the semiconductor laser 4 based on the result of the comparison; Is controlled to a predetermined light amount, so that it can be realized at low cost without using an analog comparator. Further, since the current-voltage conversion circuit 14 has a plurality of current-voltage conversion characteristics, the light emission amount of the semiconductor laser can be switched to a plurality of predetermined light emission amounts.

【0036】図3は本発明の第2の実施例における電流
電圧変換回路の構成を示す。この第2の実施例は、請求
項2に係る発明の一実施例である。この第2の実施例で
は、上記第1の実施例において、電流電圧変換回路14
は、抵抗値が互いに異なり且つ並列に接続された4つの
抵抗器15〜18と、これらの4つの抵抗器15〜18
のうちの一つ若しくは複数の抵抗器を電流電圧変換特性
切り替え指示信号(4つの指示信号からなる)によって
選択する4つのスイッチ回路19〜22とで構成され、
光検出器5の出力電流を4つの抵抗器15〜18のうち
スイッチ回路19〜22で選択された抵抗器により電圧
に変換する。
FIG. 3 shows a configuration of a current-voltage conversion circuit according to a second embodiment of the present invention. This second embodiment is an embodiment of the second aspect of the present invention. The second embodiment is different from the first embodiment in that the current-voltage conversion circuit 14
Are four resistors 15 to 18 having different resistance values and connected in parallel, and these four resistors 15 to 18
And four switch circuits 19 to 22 for selecting one or a plurality of resistors by a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal (consisting of four instruction signals).
The output current of the photodetector 5 is converted into a voltage by one of the four resistors 15 to 18 selected by the switch circuits 19 to 22.

【0037】電流電圧変換回路14は、4つのスイッチ
回路19〜22のうちの一つのみを閉じることで1つの
抵抗器を選択する場合はその選択した抵抗器の抵抗値が
電流電圧変換特性となる。また、4つのスイッチ回路1
9〜22のうちの複数のスイッチ回路を閉じることで複
数の抵抗器を選択する場合はその選択された複数の抵抗
器の合成抵抗値が電流電圧変換特性となる。
If one resistor is selected by closing only one of the four switch circuits 19 to 22, the current-voltage conversion circuit 14 determines whether the resistance value of the selected resistor is a current-voltage conversion characteristic. Become. Also, four switch circuits 1
When a plurality of resistors are selected by closing a plurality of switch circuits out of 9 to 22, a combined resistance value of the selected plurality of resistors becomes a current-voltage conversion characteristic.

【0038】ここで、電流電圧変換回路14は抵抗器の
数を4つとしているので、一つ又は複数の抵抗器を選択
する組合せの種類は全部で15通りある。もし、電流電
圧変換回路14の抵抗器の数を3つとした場合には上記
組合せの種類は7通りであり、電流電圧変換回路14の
抵抗器の数を5つとした場合には上記組合せの種類は3
1通りである。なお、抵抗器が一つも選択されないとい
う状態は、電流電圧変換回路14の合成抵抗値が無限大
となり、本実施例が機能しなくなるので、ここでは対象
とならない。
Here, since the current-voltage conversion circuit 14 has four resistors, there are a total of fifteen combinations of selecting one or a plurality of resistors. If the number of resistors of the current-to-voltage conversion circuit 14 is three, there are seven types of combinations. If the number of resistors of the current-to-voltage conversion circuit 14 is five, the types of the combinations are Is 3
One way. Note that the state where no resistor is selected is not considered here because the combined resistance value of the current-voltage conversion circuit 14 becomes infinite and the present embodiment does not function.

【0039】この第2の実施例は、上記第1の実施例の
半導体レーザ駆動装置において、電流電圧変換回路14
は、少なくとも抵抗値が異なり且つ並列に接続された複
数の抵抗器15〜18と、電流電圧変換特性切り替え指
示信号によって複数の抵抗器15〜18のうちの一つ若
しくは複数の抵抗器を選択するスイッチ回路19〜22
とを有するものであり、アナログコンパレータを用いず
に安価に実現でき、さらに、半導体レーザの発光光量を
複数の所定の発光光量に切り替えることができる。
The second embodiment is different from the first embodiment in that the current-voltage conversion circuit 14
Selects at least one of a plurality of resistors 15 to 18 having different resistance values and connected in parallel, and one or more of the plurality of resistors 15 to 18 according to a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. Switch circuits 19-22
It can be realized at low cost without using an analog comparator, and can switch the light emission amount of the semiconductor laser to a plurality of predetermined light emission amounts.

【0040】図4は本発明の第3の実施例における電流
電圧変換回路の構成を示す。この第3の実施例は、請求
項3、4に係る発明の一実施例である。この第3の実施
例では、上記第2の実施例において、電流電圧変換回路
14は、抵抗値が互いに異なり且つ並列に接続された4
つの抵抗器15〜18を、この4つの抵抗器15〜18
のうちの一つ若しくは複数の抵抗器を電流電圧変換特性
切り替え指示信号により選択する4つのスイッチ回路1
9〜22をそれぞれ介して光検出器5と直列に接続し、
抵抗器15〜18においてスイッチ回路19〜22に接
続される端子とは反対側の端子を電源(+V)に接続し
たものである。なお、光検出器5の一端(アノード)は
接地されている。
FIG. 4 shows the configuration of a current-voltage conversion circuit according to a third embodiment of the present invention. The third embodiment is an embodiment of the third and fourth aspects of the present invention. In the third embodiment, in the second embodiment, the current-voltage conversion circuit 14 is different from the second embodiment in that the current-voltage conversion circuits 14 have different resistance values and are connected in parallel.
The four resistors 15-18 are connected to the four resistors 15-18.
Switch circuits 1 for selecting one or a plurality of resistors among them by a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal
Connected in series with the photodetector 5 through 9 to 22, respectively.
The terminals of the resistors 15 to 18 opposite to the terminals connected to the switch circuits 19 to 22 are connected to a power supply (+ V). Note that one end (anode) of the photodetector 5 is grounded.

【0041】光検出器5の出力電流は、4つの抵抗器1
5〜18のうちから4つのスイッチ回路19〜22のう
ちの一つ若しくは複数のスイッチ回路が閉じることで選
択された一つ若しくは複数の抵抗器によりその合成抵抗
値で電圧に変換される。また、4つの抵抗器15〜18
が電源に接続されていることで、電流電圧変換回路14
の出力電圧は電源電圧を基準としてそこから光検出器5
の出力電流が4つのスイッチ回路15〜18によって選
択された一つ若しくは複数の抵抗器の合成抵抗値で電圧
に変換された値だけ下がった電圧となる。
The output current of the photodetector 5 has four resistors 1
When one or a plurality of switch circuits among the four switch circuits 19 to 22 out of 5 to 18 are closed, the voltage is converted into a voltage by one or more resistors selected by the selected resistor. Also, four resistors 15 to 18
Is connected to the power supply, the current-voltage conversion circuit 14
The output voltage of the photodetector 5 is determined based on the power supply voltage.
Is a voltage reduced by a value converted into a voltage by a combined resistance value of one or a plurality of resistors selected by the four switch circuits 15 to 18.

【0042】この第3の実施例は、上記第2の実施例の
半導体レーザ駆動装置において、電流電圧変換回路14
における並列に接続された複数の抵抗器15〜18それ
ぞれは、電流電圧変換特性切り替え指示信号によって複
数の抵抗器15〜18のうちの一つ若しくは複数の抵抗
器を選択するスイッチ回路19〜22を介して光検出器
5と直列に接続されるものであり、アナログコンパレー
タを用いずに安価に実現でき、さらに、半導体レーザの
発光光量を複数の所定の発光光量に切り替えることがで
きる。
The third embodiment is different from the semiconductor laser driving device of the second embodiment in that the current-voltage conversion circuit 14
Each of the plurality of resistors 15 to 18 connected in parallel includes a switch circuit 19 to 22 for selecting one or a plurality of resistors among the plurality of resistors 15 to 18 according to a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. It is connected in series with the photodetector 5 via an intermediary, and can be realized at low cost without using an analog comparator. Further, the light emission amount of the semiconductor laser can be switched to a plurality of predetermined light emission amounts.

【0043】なお、第3の実施例において、4つの抵抗
器15〜18はそのうちの一つ若しくは複数の抵抗器を
電流電圧変換特性切り替え指示信号により選択する4つ
のスイッチ回路19〜22を介して光検出器5と直列に
接続したが、4つの抵抗器15〜18はスイッチ回路1
9〜22を介さずに光検出器5と直列に直接接続しても
構わない。その場合、4つのスイッチ回路19〜22は
光検出器5と4つの抵抗器15〜18との間以外の箇所
に接続される。
In the third embodiment, the four resistors 15 to 18 are connected via four switch circuits 19 to 22 for selecting one or more of the resistors by a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. Although connected in series with the photodetector 5, the four resistors 15 to 18 are connected to the switch circuit 1
It may be directly connected in series with the photodetector 5 without passing through 9 to 22. In that case, the four switch circuits 19 to 22 are connected to portions other than between the photodetector 5 and the four resistors 15 to 18.

【0044】また、第3の実施例は、電流電圧変換回路
14における並列に接続された複数の抵抗器15〜18
それぞれが電源に接続されるものであり、電源電圧を基
準とした電流電圧変換特性を電流電圧変換特性切り替え
指示信号により切り替えることができる。
In the third embodiment, a plurality of resistors 15 to 18 connected in parallel in the current / voltage conversion circuit 14 are used.
Each of them is connected to a power supply, and a current-voltage conversion characteristic based on a power supply voltage can be switched by a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal.

【0045】図5は本発明の第4の実施例における電流
電圧変換回路の構成を示す。この第4の実施例は、請求
項5に係る発明の一実施例である。この第4の実施例で
は、上記第2の実施例において、電流電圧変換回路14
は、抵抗値が互いに異なり且つ並列に接続された4つの
抵抗器15〜18を、この4つの抵抗器15〜18のう
ちの一つ若しくは複数の抵抗器を電流電圧変換特性切り
替え指示信号により選択する4つのスイッチ回路19〜
22をそれぞれ介して光検出器5と直列に接続し、4つ
の抵抗器15〜18は4つのスイッチ回路19〜22を
それぞれ介してオペアンプ(演算増幅器)23と並列に
(−入力端子と出力端子との間に)接続される。なお、
光検出器5の一端(アノード)は接地されている。
FIG. 5 shows a configuration of a current-voltage conversion circuit according to a fourth embodiment of the present invention. The fourth embodiment is an embodiment of the present invention. The fourth embodiment is different from the second embodiment in that the current-voltage conversion circuit 14
Selects four resistors 15 to 18 having different resistance values and connected in parallel, using one or more of the four resistors 15 to 18 by a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. Four switch circuits 19 to
The four resistors 15 to 18 are connected in series with an operational amplifier (operational amplifier) 23 via four switch circuits 19 to 22, respectively (−input terminal and output terminal). Between). In addition,
One end (anode) of the photodetector 5 is grounded.

【0046】光検出器5の出力電流は、4つの抵抗器1
5〜18のうちから4つのスイッチ回路19〜22のう
ちの一つ若しくは複数のスイッチ回路が閉じることで選
択された一つ若しくは複数の抵抗器の合成抵抗値によっ
てゲインが設定されたオペアンプ23で電圧に変換され
る。
The output current of the photodetector 5 has four resistors 1
The operational amplifier 23 in which the gain is set by the combined resistance value of one or more resistors selected by closing one or more of the four switch circuits 19 to 22 from 5 to 18 is selected. Converted to voltage.

【0047】この第4の実施例は、上記第2の実施例の
半導体レーザ駆動装置において、電流電圧変換回路14
はオペアンプ23を含み、並列に接続された複数の抵抗
器15〜18それぞれは電流電圧変換特性切り替え指示
信号によって複数の抵抗器15〜18のうちの一つ若し
くは複数の抵抗器を選択するスイッチ回路19〜22を
介してオペアンプ23と並列に接続されるものであり、
アナログコンパレータを用いずに安価に実現でき、さら
に、半導体レーザの発光光量を複数の所定の発光光量に
切り替えることができる。
The fourth embodiment is different from the semiconductor laser driving device of the second embodiment in that the current-voltage conversion circuit 14
Includes an operational amplifier 23, and each of a plurality of resistors 15 to 18 connected in parallel selects one or more of the plurality of resistors 15 to 18 according to a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. 19 to 22 are connected in parallel with the operational amplifier 23,
This can be realized at low cost without using an analog comparator, and further, the light emission amount of the semiconductor laser can be switched to a plurality of predetermined light emission amounts.

【0048】図11は本発明の第5の実施例及び第6の
実施例における電流電圧変換回路の抵抗器の選択、非選
択と合成抵抗値、半導体レーザ4の発光光量の関係を示
す。第5の実施例及び第6の実施例は、請求項4、5に
係る発明の一実施例であり、上記第3の実施例及び第4
の実施例において、それぞれ、電流電圧変換回路14の
抵抗器15〜18の各抵抗値の関係を次のようにしたも
のである。
FIG. 11 shows the relationship between the selection and non-selection of the resistors of the current-voltage conversion circuit, the combined resistance value, and the light emission amount of the semiconductor laser 4 in the fifth and sixth embodiments of the present invention. The fifth embodiment and the sixth embodiment are one embodiment of the invention according to claims 4 and 5, and the third embodiment and the fourth embodiment are described below.
In the embodiment of the present invention, the relationship between the resistance values of the resistors 15 to 18 of the current-voltage conversion circuit 14 is as follows.

【0049】すなわち、抵抗器15の抵抗値をRとし、
抵抗器16の抵抗値を抵抗器15の抵抗値の1/2(つ
まり1/2R)、抵抗器17の抵抗値を抵抗器15の抵
抗値の1/4(つまり1/4R)、抵抗器18の抵抗値
を抵抗器15の抵抗値の1/8(つまり1/8R)とす
る。図11において、○は各抵抗器15〜18がスイッ
チ回路19〜22で選択された状態を示し、×は各抵抗
器15〜18がスイッチ回路19〜22で選択されなか
った状態を示す。Poはスイッチ回路19〜22で選択
された抵抗器の合成抵抗値がRのときの半導体レーザ4
の発光光量を示す。
That is, the resistance value of the resistor 15 is R,
The resistance value of the resistor 16 is 1 / of the resistance value of the resistor 15 (that is, RR), the resistance value of the resistor 17 is 1 / of the resistance value of the resistor 15 (that is, 1 / R), The resistance value of 18 is 1 / of the resistance value of the resistor 15 (that is, 1 / R). In FIG. 11, ○ indicates a state in which each of the resistors 15 to 18 is selected by the switch circuits 19 to 22, and X indicates a state in which each of the resistors 15 to 18 is not selected by the switch circuits 19 to 22. Po is the semiconductor laser 4 when the combined resistance value of the resistors selected by the switch circuits 19 to 22 is R.
Are shown.

【0050】この第5の実施例及び第6の実施例では、
図11から分かるように、抵抗器15を2進数の最下位
ビット、抵抗器18を2進数の最上位ビットとして扱
い、抵抗器の抵抗値を最下位ビットから順次にカウント
アップしていくように4つの抵抗器15〜18を4つの
スイッチ回路19〜22で選択することにより、その選
択された抵抗器の合成抵抗値を1/2R、1/3R、1
/4R、・・・1/15Rと順次に減って行くようにす
ることができる。これにより、スイッチ回路19〜22
で選択された抵抗器の合成抵抗値がR、1/2R、1/
3R、1/4R、・・・1/15Rと順次に減って行く
ことで、半導体レーザ4の発光光量が2Po、3Po、4
Po、・・・15Poと整数倍で上がって行く。
In the fifth and sixth embodiments,
As can be seen from FIG. 11, the resistor 15 is treated as the least significant bit of a binary number, the resistor 18 is treated as the most significant bit of a binary number, and the resistance value of the resistor is counted up sequentially from the least significant bit. By selecting the four resistors 15 to 18 by the four switch circuits 19 to 22, the combined resistance values of the selected resistors are set to 1 / 2R, 1 / 3R, 1
.. / 4R,... 1 / 15R. Thereby, the switch circuits 19 to 22
The combined resistance value of the resistor selected by R is R, 1 / 2R, 1 /
3R, 1 / 4R,... 1 / 15R, the light emission amount of the semiconductor laser 4 becomes 2Po, 3Po, 4Po,
Po,... It goes up by an integral multiple of 15Po.

【0051】この第5の実施例及び第6の実施例は、上
記第3の実施例、上記第4の実施例と同様に、アナログ
コンパレータを用いずに安価に実現でき、さらに、半導
体レーザの発光光量を複数の所定の発光光量に切り替え
ることができる。また、半導体レーザの発光光量を整数
倍で上げて行くようにすることができる。
The fifth and sixth embodiments can be realized at low cost without using an analog comparator, as in the third and fourth embodiments. The light emission amount can be switched to a plurality of predetermined light emission amounts. Further, the light emission amount of the semiconductor laser can be increased by an integral multiple.

【0052】図6は本発明の第7の実施例における電流
電圧変換回路の構成を示す。この第7の実施例は、請求
項6に係る発明の一実施例である。この第7の実施例で
は、上記第1の実施例において、電流電圧変換回路14
は、抵抗値が互いに異なり且つ直列に接続された4つの
抵抗器24〜27と、これらの抵抗器24〜27それぞ
れに並列に接続され、電流電圧変換特性切り替え指示信
号によってそれぞれの抵抗器24〜27の両端をショー
ト(短絡)するスイッチ回路28〜31で構成される。
FIG. 6 shows the configuration of a current-voltage conversion circuit according to a seventh embodiment of the present invention. The seventh embodiment is an embodiment of the present invention. The seventh embodiment is different from the first embodiment in that the current-voltage conversion circuit 14
Are connected in series with four resistors 24 to 27 having different resistance values and connected in series, and each of the resistors 24 to 27 is connected in parallel to each of the resistors 24 to 27 by a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. It is composed of switch circuits 28 to 31 for short-circuiting both ends of 27.

【0053】電流電圧変換回路14は、4つの抵抗器2
4〜27のうちスイッチ回路28〜31で両端がショー
トされなかった1つ若しくは複数の抵抗器の合成抵抗値
が電流電圧変換特性となる。ここで、電流電圧変換回路
14は、抵抗器の数と、抵抗器をショートするスイッチ
回路の数を4つとしているので、両端がショートされる
抵抗器の組合せの種類は全部で15通りある。電流電圧
変換回路14は、もし、抵抗器の数と、抵抗器をショー
トするスイッチ回路の数を3つとした場合には両端がシ
ョートされる抵抗器の組合せの種類が7通りとなり、抵
抗器の数と、抵抗器をショートするスイッチ回路の数を
5つとした場合には両端がショートされる抵抗器の組合
せの種類が31通りとなる。なお、全ての抵抗器がショ
ートされるという状態は、合成抵抗値が0となり、本実
施例が機能しなくなるため、ここでは対象とならない。
The current-voltage conversion circuit 14 includes four resistors 2
Out of 4 to 27, the combined resistance value of one or a plurality of resistors whose both ends are not short-circuited by the switch circuits 28 to 31 is the current-voltage conversion characteristic. Here, in the current-voltage conversion circuit 14, since the number of resistors and the number of switch circuits for short-circuiting the resistors are four, there are a total of fifteen combinations of resistors whose both ends are short-circuited. If the number of resistors and the number of switch circuits for short-circuiting the resistors are three, the current-voltage conversion circuit 14 has seven types of combinations of resistors whose both ends are short-circuited. When the number and the number of switch circuits for short-circuiting the resistors are set to five, there are 31 types of combinations of the resistors whose both ends are short-circuited. Note that a state in which all the resistors are short-circuited is not a target here because the combined resistance value becomes 0 and the present embodiment does not function.

【0054】この第7の実施例は、上記第1の実施例の
半導体レーザ駆動装置において、電流電圧変換回路14
は、少なくとも抵抗値が異なり且つ直列に接続された複
数の抵抗器24〜27と、電流電圧変換特性切り替え指
示信号によって複数の抵抗器24〜27のうちの一つ若
しくは複数(3つ以下)の抵抗器の両端をショートする
スイッチ回路28〜31とを有するものであり、アナロ
グコンパレータを用いずに安価に実現でき、さらに、半
導体レーザの発光光量を複数の所定の発光光量に切り替
えることができる。
The seventh embodiment is different from the semiconductor laser driving device of the first embodiment in that the current-voltage conversion circuit 14
Is at least one of a plurality of resistors 24 to 27 having different resistance values and connected in series, and one or more (three or less) of the plurality of resistors 24 to 27 according to a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. It has switch circuits 28 to 31 for short-circuiting both ends of the resistor, can be realized at low cost without using an analog comparator, and can switch the light emission amount of the semiconductor laser to a plurality of predetermined light emission amounts.

【0055】図7は本発明の第8の実施例における電流
電圧変換回路の構成を示す。この第8の実施例は請求項
7、8に係る発明の一実施例である。この第8の実施例
では、上記第7の実施例において、電流電圧変換回路1
4は、抵抗値が互いに異なり且つ直列に接続された複数
の抵抗器24〜27と、これらの抵抗器24〜27それ
ぞれに並列に接続されて電流電圧変換特性切り替え指示
信号によって抵抗器24〜27の両端をそれぞれショー
トする複数のスイッチ回路28〜31とを有し、抵抗器
24〜27においては、一端にある抵抗器27が光検出
器5に接続され、もう一端にある抵抗器24が電源に接
続される。
FIG. 7 shows a configuration of a current-voltage conversion circuit according to an eighth embodiment of the present invention. This eighth embodiment is an embodiment of the invention according to claims 7 and 8. The eighth embodiment is different from the seventh embodiment in that the current-voltage conversion circuit 1
Reference numeral 4 denotes a plurality of resistors 24 to 27 having different resistance values and connected in series, and resistors 24 to 27 connected in parallel to the respective resistors 24 to 27 by a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. And a plurality of switch circuits 28 to 31 respectively short-circuiting both ends of each of the resistors 24 to 27. In the resistors 24 to 27, the resistor 27 at one end is connected to the photodetector 5, and the resistor 24 at the other end is Connected to.

【0056】光検出器5の出力電流は、4つの抵抗器2
4〜27のうち両端をスイッチ回路28〜31でショー
トされていない1つ又は複数の抵抗器の合成抵抗値によ
って電圧に変換される。また、直列に接続された4つの
抵抗器24〜27のうちの光検出器5に接続されていな
い一端の抵抗器24が電源(+V)に接続されているこ
とで、電流電圧変換回路14の出力電圧は電源電圧を基
準として、そこから光検出器5の出力電流が電圧に変換
された値だけ下がった電圧となる。
The output current of the photodetector 5 is determined by the four resistors 2
The voltage is converted into a voltage by a combined resistance value of one or a plurality of resistors that are not short-circuited at both ends among the switch circuits 4 to 27 by the switch circuits 28 to 31. In addition, one of the four resistors 24 to 27 connected in series, which is not connected to the photodetector 5, is connected to the power supply (+ V) at one end, so that the current-voltage conversion circuit 14 The output voltage is a voltage lower than the power supply voltage by a value obtained by converting the output current of the photodetector 5 into a voltage.

【0057】この第8の実施例は、第7の実施例の半導
体レーザ駆動装置において、電流電圧変換回路14にお
ける直列に接続された複数の抵抗器24〜27のうちの
一端にある抵抗器は光検出器5に接続されるものであ
り、アナログコンパレータを用いずに安価に実現でき、
さらに、半導体レーザの発光光量を複数の所定の発光光
量に切り替えることができる。
The eighth embodiment is different from the semiconductor laser driving device of the seventh embodiment in that the resistor at one end of the plurality of series-connected resistors 24-27 in the current / voltage conversion circuit 14 is It is connected to the photodetector 5 and can be realized at low cost without using an analog comparator.
Further, the light emission amount of the semiconductor laser can be switched to a plurality of predetermined light emission amounts.

【0058】また、第8の実施例は、電流電圧変換回路
14における直列に接続された複数の抵抗器24〜27
のうちの他の一端にある抵抗器は電源に接続されるもの
であり、電源電圧を基準とした電流電圧変換特性を電流
電圧変換特性切り替え指示信号により切り替えることが
できる。
In the eighth embodiment, a plurality of resistors 24 to 27 connected in series in the current / voltage conversion circuit 14 are used.
The resistor at the other end is connected to the power supply, and the current-voltage conversion characteristic based on the power supply voltage can be switched by the current-voltage conversion characteristic switching instruction signal.

【0059】図8は本発明の第9の実施例における電流
電圧変換回路の構成を示す。この第9の実施例は、請求
項9に係る発明の一実施例である。この第9の実施例で
は、上記第7の実施例において、電流電圧変換回路14
は、抵抗値が互いに異なり且つ直列に接続された4つの
抵抗器24〜27において一端にある抵抗器27が光検
出器5に接続され、また、直列に接続された4つの抵抗
器24〜27はオペアンプ32と並列に接続され、4つ
の抵抗器24〜27それぞれに並列にスイッチ回路28
〜31が接続されて電流電圧変換特性切り替え指示信号
によってスイッチ回路28〜31が抵抗器24〜27そ
れぞれの両端をショートする。なお、光検出器5の一端
(アノード)は接地されている。
FIG. 8 shows the configuration of a current-voltage conversion circuit according to a ninth embodiment of the present invention. The ninth embodiment is an embodiment of the present invention. The ninth embodiment is different from the seventh embodiment in that the current-voltage conversion circuit 14
In the four resistors 24 to 27 having different resistance values and being connected in series, the resistor 27 at one end is connected to the photodetector 5 and the four resistors 24 to 27 connected in series are connected. Is connected in parallel with the operational amplifier 32, and the switch circuit 28 is connected in parallel with each of the four resistors 24-27.
To 31 are connected, and the switch circuits 28 to 31 short-circuit both ends of the resistors 24 to 27 in response to the current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. Note that one end (anode) of the photodetector 5 is grounded.

【0060】光検出器5の出力電流は、4つの抵抗器2
4〜27のうち両端がスイッチ回路28〜31でショー
トされていない一つ若しくは複数の抵抗器の合成抵抗値
でゲンイが設定されたオペアンプ32によって電圧に変
換される。
The output current of the photodetector 5 is determined by the four resistors 2
The voltage is converted to a voltage by an operational amplifier 32 whose gain is set by a combined resistance value of one or a plurality of resistors, both ends of which are not short-circuited by the switch circuits 28 to 31.

【0061】この第9の実施例は、第7の実施例の半導
体レーザ駆動装置において、電流電圧変換回路14はオ
ペアンプ32を含み、直列に接続された複数の抵抗器2
4〜27が構成する抵抗器ブロックはオペアンプ32と
並列に接続されるものであり、アナログコンパレータを
用いずに安価に実現でき、さらに、半導体レーザの発光
光量を複数の所定の発光光量に切り替えることができ
る。
The ninth embodiment is different from the semiconductor laser driving device of the seventh embodiment in that the current-voltage conversion circuit 14 includes an operational amplifier 32 and a plurality of resistors 2 connected in series.
The resistor blocks 4 to 27 are connected in parallel with the operational amplifier 32 and can be realized at low cost without using an analog comparator. Further, the light emission amount of the semiconductor laser can be switched to a plurality of predetermined light emission amounts. Can be.

【0062】[0062]

【発明の効果】以上のように請求項1〜9に係る発明に
よれば、アナログコンパレータを用いずに安価に実現で
き、さらに、半導体レーザの発光光量を複数の所定の発
光光量に切り替えることができる。
As described above, according to the first to ninth aspects of the present invention, the semiconductor laser can be realized at low cost without using an analog comparator, and the light emission amount of the semiconductor laser can be switched to a plurality of predetermined light emission amounts. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示すブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】同第1の実施例における電流電圧変換回路の複
数の電流電圧変換特性を示す特性図である。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing a plurality of current-voltage conversion characteristics of the current-voltage conversion circuit according to the first embodiment.

【図3】本発明の第2の実施例における電流電圧変換回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a current-voltage conversion circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施例における電流電圧変換回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a current-voltage conversion circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施例における電流電圧変換回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a current-voltage conversion circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第7の実施例における電流電圧変換回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a current-voltage conversion circuit according to a seventh embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第8の実施例における電流電圧変換回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a current-voltage conversion circuit according to an eighth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第9の実施例における電流電圧変換回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a current-voltage conversion circuit according to a ninth embodiment of the present invention.

【図9】従来の半導体レーザ駆動装置の例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 9 is a block diagram showing an example of a conventional semiconductor laser driving device.

【図10】アナログコンパレータを使用しない従来の半
導体レーザ駆動装置の例を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram illustrating an example of a conventional semiconductor laser driving device that does not use an analog comparator.

【図11】本発明の第5の実施例及び第6の実施例にお
ける電流電圧変換回路の抵抗器の選択、非選択と合成抵
抗値、半導体レーザの発光光量の関係を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a relationship between selection and non-selection of a resistor of a current-voltage conversion circuit, a combined resistance value, and a light emission amount of a semiconductor laser in a fifth embodiment and a sixth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、9、19〜22、28〜31 スイッチ回路 2、10 電流源 3 ホールドコンデンサ 4 半導体レーザ 5 光検出器 6 電流電圧変換回路 7 アナログコンパレータ 8 ロジックIC 11、15〜18、24〜27 抵抗器 12 点灯指示信号長検出器 13 アンドゲート 14 複数の電流電圧変換特性を持つ電流電圧変換
回路 23、32 オペアンプ
1, 9, 19 to 22, 28 to 31 Switch circuit 2, 10 Current source 3 Hold capacitor 4 Semiconductor laser 5 Photodetector 6 Current / voltage conversion circuit 7 Analog comparator 8 Logic IC 11, 15 to 18, 24 to 27 Resistor DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Lighting instruction signal length detector 13 AND gate 14 Current-voltage conversion circuit having plural current-voltage conversion characteristics 23, 32 Operational amplifier

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】発光する半導体レーザと、この半導体レー
ザの発光光量を検出して該発光光量に比例した電流信号
を出力する光検出器と、この光検出器に接続され該光検
出器が出力する電流を電圧に変換する電流電圧変換回路
と、この電流電圧変換回路によって変換された電圧が入
力されるロジック回路とを備え、前記電流電圧変換回路
により変換された電圧を前記ロジック回路の入力端子の
閾値と比較し、この比較の結果により前記半導体レーザ
の電流を増減させて前記半導体レーザの発光光量を所定
の光量に制御する半導体レーザ駆動装置において、前記
電流電圧変換回路は複数の電流電圧変換特性を持つこと
を特徴とする半導体レーザ駆動装置。
1. A semiconductor laser for emitting light, a photodetector for detecting a light emission amount of the semiconductor laser and outputting a current signal proportional to the light emission amount, and a photodetector connected to the photodetector and having an output And a logic circuit to which the voltage converted by the current-voltage conversion circuit is input, and a voltage converted by the current-voltage conversion circuit to an input terminal of the logic circuit. In the semiconductor laser driving device for controlling the light emission amount of the semiconductor laser to a predetermined light amount by increasing or decreasing the current of the semiconductor laser based on the result of the comparison, the current-voltage conversion circuit includes a plurality of current-voltage conversion circuits. A semiconductor laser driving device having characteristics.
【請求項2】請求項1記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電流電圧変換回路は、少なくとも抵抗値が異
なり且つ並列に接続された複数の抵抗器と、電流電圧変
換特性切り替え指示信号によって前記複数の抵抗器のう
ちの一つ若しくは複数の抵抗器を選択するスイッチ回路
とを有することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
2. The semiconductor laser driving device according to claim 1, wherein said current-to-voltage conversion circuit includes a plurality of resistors having different resistance values and connected in parallel with each other, and a current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. And a switch circuit for selecting one or more of the resistors.
【請求項3】請求項2記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電流電圧変換回路における前記並列に接続さ
れた複数の抵抗器それぞれは、前記光検出器と直列に直
接接続され、若しくは前記電流電圧変換特性切り替え指
示信号によって前記複数の抵抗器のうちの一つ若しくは
複数の抵抗器を選択するスイッチ回路を介して前記光検
出器と直列に接続されることを特徴とする半導体レーザ
駆動装置。
3. The semiconductor laser driving device according to claim 2, wherein each of the plurality of resistors connected in parallel in the current-voltage conversion circuit is directly connected in series with the photodetector, or A semiconductor laser driving device connected in series with the photodetector via a switch circuit for selecting one or more of the plurality of resistors according to a conversion characteristic switching instruction signal.
【請求項4】請求項3記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電流電圧変換回路における前記並列に接続さ
れた複数の抵抗器それぞれは電源に接続されることを特
徴とする半導体レーザ駆動装置。
4. The semiconductor laser driving device according to claim 3, wherein each of the plurality of resistors connected in parallel in the current-voltage conversion circuit is connected to a power supply.
【請求項5】請求項3記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電流電圧変換回路はオペアンプを含み、前記
並列に接続された複数の抵抗器それぞれは前記電流電圧
変換特性切り替え指示信号によって前記複数の抵抗器の
うちの一つ若しくは複数の抵抗器を選択するスイッチ回
路を介して前記オペアンプと並列に接続されることを特
徴とする半導体レーザ駆動装置。
5. The semiconductor laser driving device according to claim 3, wherein said current-voltage conversion circuit includes an operational amplifier, and each of said plurality of resistors connected in parallel receives said plurality of resistors by said current-voltage conversion characteristic switching instruction signal. A semiconductor laser driving device connected in parallel with the operational amplifier via a switch circuit for selecting one or a plurality of resistors among the resistors.
【請求項6】請求項1記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電流電圧変換回路は、少なくとも抵抗値が異
なり且つ直列に接続された複数の抵抗器と、電流電圧変
換特性切り替え指示信号によって前記複数の抵抗器のう
ちの一つ若しくは複数の抵抗器の両端をショートするス
イッチ回路とを有することを特徴とする半導体レーザ駆
動装置。
6. The semiconductor laser driving device according to claim 1, wherein said current-to-voltage conversion circuit includes a plurality of resistors having different resistance values and connected in series, and said plurality of current-to-voltage conversion characteristics switching instruction signals. And a switch circuit for short-circuiting both ends of one or more of the resistors.
【請求項7】請求項6記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電流電圧変換回路における前記直列に接続さ
れた複数の抵抗器のうちの一端にある抵抗器は前記光検
出器に接続されることを特徴とする半導体レーザ駆動装
置。
7. The semiconductor laser driving device according to claim 6, wherein one of the plurality of series-connected resistors in the current-voltage conversion circuit is connected to the photodetector. A semiconductor laser driving device characterized by the above-mentioned.
【請求項8】請求項7記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電流電圧変換回路における前記直列に接続さ
れた複数の抵抗器のうちの他の一端にある抵抗器は電源
に接続されることを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
8. The semiconductor laser driving device according to claim 7, wherein the resistor at the other end of the series-connected resistors in the current-voltage conversion circuit is connected to a power supply. Characteristic semiconductor laser driving device.
【請求項9】請求項7記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電流電圧変換回路はオペアンプを含み、前記
直列に接続された複数の抵抗器が構成する抵抗器ブロッ
クは前記オペアンプと並列に接続されることを特徴とす
る半導体レーザ駆動装置。
9. The semiconductor laser driving device according to claim 7, wherein said current-voltage conversion circuit includes an operational amplifier, and a resistor block formed by said plurality of series-connected resistors is connected in parallel with said operational amplifier. And a semiconductor laser driving device.
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