JP2001222696A - Non-contact ic card and non-contact ic card communication system - Google Patents

Non-contact ic card and non-contact ic card communication system

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JP2001222696A
JP2001222696A JP2000031419A JP2000031419A JP2001222696A JP 2001222696 A JP2001222696 A JP 2001222696A JP 2000031419 A JP2000031419 A JP 2000031419A JP 2000031419 A JP2000031419 A JP 2000031419A JP 2001222696 A JP2001222696 A JP 2001222696A
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JP
Japan
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circuit
card
contact type
resonance
voltage
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Application number
JP2000031419A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Asada
浩明 浅田
Joji Nakane
譲治 中根
Tatsumi Sumi
辰己 角
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem that a communication hindrance cause such as deterioration in modulation data, reduction in the output voltage of a voltage generating circuit or the occurrence of over-voltage has existed in a non-contact IC card. SOLUTION: The modulation circuit 40 of the non-contact IC card changes a capacitance load to perform modulation. Then the resonance frequency of a resonance circuit 3 is shifted to suppress deterioration in modulation data and reduction in the output voltage of a voltage generating circuit 33. Besides, a circuit with a configuration being the same as that of the circuit 40 is utilized and the capacitance of the resonance circuit is made to be variable by an output voltage so that the over-voltage is prevented from occurring.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路を
搭載した非接触型ICカードおよび非接触型ICカード
通信システムに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a non-contact type IC card equipped with a semiconductor integrated circuit and a non-contact type IC card communication system.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体集積回路搭載の非接触型I
Cカードに関する技術について図8から図11を用いて
説明する。
2. Description of the Related Art Conventional non-contact type I mounted on a semiconductor integrated circuit
The technique relating to the C card will be described with reference to FIGS.

【0003】図8は、従来の非接触型ICカードの構成
を示すブロック図およびリーダーライターとの電波の送
受信を示す図である。
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a conventional non-contact type IC card and a diagram showing transmission and reception of radio waves with a reader / writer.

【0004】図8において、非接触型ICカード1は、
電波により非接触でデータの送信および受信を行うとと
もに電源電圧を発生させるアナログ回路2と、データを
記憶するための不揮発性メモリー14と、送受信するデ
ータを制御するディジタル回路13で構成されている。
アナログ回路2は、電波を受けて電圧を発生させる電圧
発生回路3と、受信データを復調する復調回路9と、送
信データを変調する変調回路10で構成されている。
[0004] In FIG. 8, a non-contact type IC card 1 comprises:
It comprises an analog circuit 2 for transmitting and receiving data by radio waves in a non-contact manner and generating a power supply voltage, a nonvolatile memory 14 for storing data, and a digital circuit 13 for controlling data to be transmitted and received.
The analog circuit 2 includes a voltage generation circuit 3 for receiving a radio wave to generate a voltage, a demodulation circuit 9 for demodulating received data, and a modulation circuit 10 for modulating transmission data.

【0005】非接触型ICカード1とリーダーライター
15は、それぞれに接続された非接触ICカード1のア
ンテナコイル5およびリーダーライター15のアンテナ
コイル16を通して電波17の送信および受信を行う。
非接触型ICカード1が電波17を受信すると、アンテ
ナコイル5の両端に交流電圧が発生する。発生した交流
電圧は、電圧発生回路3の中の整流回路7で直流電圧に
変換され、出力電圧Vとして各ブロックに供給される。
また、非接触型ICカード1とリーダーライター15の
間で送受信されるデータは、交流電圧に重畳され、復調
回路9で復調(非接触型ICカード1がリーダーライタ
ー15からのデータを受信する場合)、あるいは変調回
路10で変調(非接触型ICカード1がリーダーライタ
ー15にデータを送信する場合)される。非接触型IC
カード1とリーダーライター15の間で送受信されるデ
ータは、ディジタル回路13で制御され、不揮発性メモ
リー14に蓄えられる。
[0005] The non-contact type IC card 1 and the reader / writer 15 transmit and receive radio waves 17 through the antenna coil 5 of the non-contact type IC card 1 and the antenna coil 16 of the reader / writer 15 which are connected to each other.
When the non-contact type IC card 1 receives the radio wave 17, an AC voltage is generated at both ends of the antenna coil 5. The generated AC voltage is converted into a DC voltage by the rectifier circuit 7 in the voltage generating circuit 3 and supplied to each block as an output voltage V.
Data transmitted and received between the non-contact type IC card 1 and the reader / writer 15 is superimposed on an AC voltage and demodulated by the demodulation circuit 9 (when the non-contact type IC card 1 receives data from the reader / writer 15). ) Or modulated by the modulation circuit 10 (when the non-contact type IC card 1 transmits data to the reader / writer 15). Non-contact type IC
Data transmitted and received between the card 1 and the reader / writer 15 is controlled by the digital circuit 13 and stored in the nonvolatile memory 14.

【0006】ここで図9および図10を用いて、電圧発
生回路3の中の共振回路4および変調回路10について
さらに説明する。
Here, the resonance circuit 4 and the modulation circuit 10 in the voltage generation circuit 3 will be further described with reference to FIGS.

【0007】図9は、従来の非接触型ICカードの共振
周波数に対する電圧発生回路3の出力電圧の変化を示す
図である。
FIG. 9 is a diagram showing a change in the output voltage of the voltage generating circuit 3 with respect to the resonance frequency of the conventional non-contact type IC card.

【0008】共振回路4は、所定の周波数帯域の成分を
通過させるためにあり、アンテナコイル5と容量6で構
成される。非接触ICカード1とリーダーライター15
とが通信を行う非接触ICカード通信システムにおい
て、リーダーライター15から送られる電波17の伝送
周波数(以下、単に周波数と記載する。)は、通信プロ
トコルにより定められており(例えばISO14443
では13.56MHz、以下リーダーライター15から
送られる電波17の周波数を13.56MHzとして話
しを進める)、通常アンテナコイル5のインダクタンス
Lと容量6のキャパシタンスCで決まる共振周波数f
を、この13.56MHzに合わせる。すなわち、 f=1/2π√LC=13.56MHz とする。このように、共振周波数をリーダーライター1
5から送られる電波17の周波数13.56MHzに合
わせた時、最も効率良く電圧を発生することができる。
図9は、この様子を示している。縦軸は電圧発生回路3
の出力電圧V、横軸は共振回路4で決まる非接触型IC
カード1の共振周波数fである。共振周波数が13.5
6MHzの時、最も高い電圧が発生する。また、図の中
の曲線(21)および(22)に示したように、非接触
型ICカード1とリーダーライター15との距離が遠く
なるほど、出力電圧Vは低下する。非接触型ICカード
のように中に電源を持たないようなシステムでは、いか
に効率良く電圧を発生させるかが非接触型ICカード1
とリーダーライター15との最大通信距離を決めるポイ
ントとなる。
[0008] The resonance circuit 4 is for passing components in a predetermined frequency band, and includes an antenna coil 5 and a capacitor 6. Non-contact IC card 1 and reader / writer 15
In a non-contact IC card communication system in which communication is performed, a transmission frequency (hereinafter, simply referred to as a frequency) of a radio wave 17 transmitted from the reader / writer 15 is determined by a communication protocol (for example, ISO14443).
In the following description, the frequency of the radio wave 17 transmitted from the reader / writer 15 will be 13.56 MHz, and the resonance frequency f determined by the inductance L of the antenna coil 5 and the capacitance C of the capacitor 6 will be described.
Is adjusted to this 13.56 MHz. That is, f = 1 / 2π√LC = 13.56 MHz. Thus, the resonance frequency is set to the reader / writer 1
The voltage can be generated most efficiently when the frequency of the radio wave 17 transmitted from the radio wave 5 is adjusted to 13.56 MHz.
FIG. 9 shows this state. The vertical axis is the voltage generator 3
Output voltage V, the horizontal axis is a non-contact type IC determined by the resonance circuit 4
This is the resonance frequency f of the card 1. Resonance frequency is 13.5
At 6 MHz, the highest voltage occurs. As shown by curves (21) and (22) in the figure, the output voltage V decreases as the distance between the non-contact type IC card 1 and the reader / writer 15 increases. In a system such as a non-contact type IC card which does not have a power supply, how to efficiently generate a voltage depends on the non-contact type IC card 1.
This is a point for determining the maximum communication distance between the device and the reader / writer 15.

【0009】変調回路10は、非接触型ICカード1が
リーダーライター15にデータを送信する際、ディジタ
ル回路13から出力されるディジタルデータをアナログ
データに変換する(リーダーライター15が受け取れる
形にデータを変換する)ためにあり、抵抗11とNチャ
ンネルMOS型トランジスタ12で構成される。ディジ
タル回路13から出力されるデータはNチャンネルMO
S型トランジスタ12のゲートに入力され、データのH
/Lによって、NチャンネルMOS型トランジスタ12
がオン/オフ(極性はどちらでもかまわない)する。す
なわち、NチャンネルMOS型トランジスタ12と直列
に接続された抵抗11に流れる電流がオン/オフする。
したがって、データのH/Lによって、共振回路4のア
ンテナコイル5と容量6の間の抵抗負荷が変化する。こ
の抵抗負荷の変化によって、リーダーライター15のア
ンテナコイル16に流れる電流Iが変化し、リーダーラ
イター15がデータとして認識できる。
When the non-contact type IC card 1 transmits data to the reader / writer 15, the modulation circuit 10 converts digital data output from the digital circuit 13 into analog data (converts the data into a form that can be received by the reader / writer 15). ), And includes a resistor 11 and an N-channel MOS transistor 12. The data output from the digital circuit 13 is an N-channel MO.
The data input to the gate of the S-type transistor 12
/ L, the N-channel MOS transistor 12
Turns on / off (either polarity is acceptable). That is, the current flowing through the resistor 11 connected in series with the N-channel MOS transistor 12 is turned on / off.
Therefore, the resistance load between the antenna coil 5 and the capacitance 6 of the resonance circuit 4 changes depending on the H / L of the data. Due to this change in the resistance load, the current I flowing through the antenna coil 16 of the reader / writer 15 changes, and the reader / writer 15 can recognize the data as data.

【0010】図10は、この様子を示しているもので、
従来の非接触型ICカードの共振周波数に対するリーダ
ライターのアンテナコイルに流れる電流の変化を示す図
である。縦軸はリーダーライター15のアンテナコイル
16に流れる電流I、横軸は共振回路4で決まる非接触
型ICカード1の共振周波数fである。MOS型トラン
ジスタ12がオフの時、電流Iと共振周波数fの関係が
曲線(23)であったとする。MOS型トランジスタ1
2がオンすると電流Iは減少し、曲線(24)となる。
MOS型トランジスタ12のオン/オフにかかわらず、
共振周波数fは13.56MHzであるから、電流の変
化量は、矢印(25)に示すものとなる。
FIG. 10 shows this state.
FIG. 7 is a diagram illustrating a change in current flowing through an antenna coil of a reader / writer with respect to a resonance frequency of a conventional non-contact type IC card. The vertical axis represents the current I flowing through the antenna coil 16 of the reader / writer 15, and the horizontal axis represents the resonance frequency f of the non-contact type IC card 1 determined by the resonance circuit 4. When the MOS transistor 12 is off, the relationship between the current I and the resonance frequency f is assumed to be a curve (23). MOS transistor 1
When 2 turns on, the current I decreases and becomes a curve (24).
Regardless of ON / OFF of the MOS transistor 12,
Since the resonance frequency f is 13.56 MHz, the amount of change in the current is as indicated by the arrow (25).

【0011】なお図8に示す非接触型ICカード1にお
いて、共振回路4を除く回路は、通常半導体集積回路で
形成される。共振回路4のアンテナコイル5は、外付け
の部品で形成される。また、共振回路4の容量6は、半
導体集積回路で形成される場合と外付けの部品で形成さ
れる場合がある。
In the non-contact type IC card 1 shown in FIG. 8, circuits other than the resonance circuit 4 are usually formed of a semiconductor integrated circuit. The antenna coil 5 of the resonance circuit 4 is formed by external components. The capacitance 6 of the resonance circuit 4 may be formed by a semiconductor integrated circuit or may be formed by external components.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】非接触型ICカード
は、通信距離が0〜2mmの密着型、通信距離が0〜10
cmの近接型、通信距離が0〜70cmの近傍型、通信距離
が0〜10mのマイクロ波に大別される。通信距離が長
くなるほど技術的に困難になるが、密着型(通信距離0
〜2mm)では、既に広く普及している接触型ICカード
と比べ特徴において大差なく、非接触型ICカードのメ
リットを充分に出しているといえない。したがって、接
触型ICカードの次には、近接型の非接触型ICカード
(通信距離0〜10cm)、近傍型の非接触型ICカード
(通信距離0〜70cm)が普及していくと予想される。
A non-contact type IC card has a contact distance of 0 to 2 mm and a communication distance of 0 to 10 mm.
The proximity type with a communication distance of 0 to 70 cm and the microwave with a communication distance of 0 to 10 m are roughly classified. The longer the communication distance becomes, the more difficult it becomes technically.
22 mm), there is not much difference in characteristics as compared with contact IC cards which are already widely used, and it cannot be said that the merits of non-contact IC cards are sufficiently exhibited. Therefore, next to the contact type IC card, the proximity type non-contact type IC card (communication distance 0 to 10 cm) and the proximity type non-contact type IC card (communication distance 0 to 70 cm) are expected to spread. You.

【0013】このような非接触型ICカードが普及して
いくなかで、特に近接型の非接触型ICカード(通信距
離0〜10cm)においては、一般利用者は1枚のカード
のみならず、複数枚のカード(例えばテレホンカード、
定期券、ショッピングカード等)を同じ財布あるいはパ
スケースに入れて利用することが予想される。非接触型
ICカードを利用する場合、財布あるいはパスケースか
らカードを出さずに処理できる点が最大のメリットであ
り、複数枚のカードが重なった状態でも、リーダーライ
ターとカード間で安定した通信が求められる。
With the spread of such non-contact type IC cards, especially in proximity type non-contact type IC cards (communication distance of 0 to 10 cm), general users are not limited to one card. Multiple cards (such as telephone cards,
It is expected that commuter passes, shopping cards, etc.) will be used in the same wallet or pass case. When using a non-contact type IC card, the biggest advantage is that the card can be processed without removing the card from the wallet or pass case. Even if multiple cards are stacked, stable communication between the reader writer and the card is possible. Desired.

【0014】しかしながら、複数枚のカードが重なる
と、共振周波数が低い側にシフトし、安定した通信を阻
害する。それを図11および図10を用いて説明する。
図11は、2枚のカードが重なった時のリーダーライタ
ーとの電波の送受信を示す図である。
However, when a plurality of cards overlap, the resonance frequency shifts to a lower side, and stable communication is hindered. This will be described with reference to FIGS.
FIG. 11 is a diagram illustrating transmission and reception of radio waves with a reader / writer when two cards are overlapped.

【0015】カードが1枚の時、非接触型ICカード1
の共振周波数は前述したように、 f=1/2π√LC=13.56MHz である。ところが図11のように2枚のカードが重なる
と、非接触型ICカード1と非接触型ICカード21の
相互インダクタンスをMとすると、共振周波数は、 f=1/2π√(L+M)C<13.56MHz となる。すなわち、13.56MHzよりも小さくな
る。したがって、図9に示すように、出力電圧は低下す
る。また図10の矢印(26)に示すように、データ変
調時、リーダーライターが受取る電流の変化量も小さく
なる。これらが安定した通信の阻害要因となり、通信性
能が劣化する。
When there is only one card, the non-contact type IC card 1
Is, as described above, f = 1 / 2π√LC = 13.56 MHz. However, when the two cards overlap as shown in FIG. 11, if the mutual inductance between the non-contact type IC card 1 and the non-contact type IC card 21 is M, the resonance frequency is f = 1 / 2π√ (L + M) C < 13.56 MHz. That is, it becomes smaller than 13.56 MHz. Therefore, as shown in FIG. 9, the output voltage decreases. Further, as shown by an arrow (26) in FIG. 10, the amount of change in the current received by the reader / writer during data modulation is also small. These become factors that hinder stable communication, and deteriorate the communication performance.

【0016】また非接触型ICカードにおいては、用途
に応じて通信距離の仕様が決められているが、リーダー
ライター15との距離が最も遠い場合(近接型では10
cm、近傍型では70cm)でも安定して通信ができるよう
に、電圧発生回路3の電圧が規定以上出力されるように
なっている。特に今後物流分野、FA分野で有望な近傍
型の非接触型ICカード(通信距離0〜70cm)におい
ては、距離70cmにおいても安定した出力電圧が発生し
ないといけない。ところが、逆にリーダーライターに近
づいた時、過電圧が発生し、安定した通信の阻害要因と
なり、通信性能が劣化する。
In the non-contact type IC card, the specification of the communication distance is determined according to the application. However, when the distance to the reader / writer 15 is the longest (10 in the proximity type).
cm, 70 cm for the proximity type), so that the voltage of the voltage generation circuit 3 is output more than a specified value so that stable communication can be performed. In particular, in the case of a proximity type non-contact type IC card (communication distance 0 to 70 cm) that is promising in the field of physical distribution and FA in the future, a stable output voltage must be generated even at a distance of 70 cm. However, conversely, when approaching the reader / writer, an overvoltage is generated, which becomes a hindrance factor for stable communication and deteriorates communication performance.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
非接触型ICカードは、電波により非接触でデータの送
信および受信を行うとともに電源電圧を発生させるアナ
ログ回路と、データを記憶するための不揮発性メモリー
と、送受信するデータを制御するディジタル回路とを有
し、前記アナログ回路内にある所定の周波数帯域の成分
を通過させるための共振回路の共振周波数を非接触型I
Cカード通信システムの伝送周波数より高く設定し、前
記ディジタル回路から出力される送信データを、前記ア
ナログ回路内にある共振回路の容量素子と変調回路の容
量素子とによって容量負荷を変化させて変調を行うこと
を特徴とするものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a non-contact type IC card which transmits and receives data by radio waves in a non-contact manner and generates a power supply voltage, and stores the data. And a digital circuit for controlling data to be transmitted and received, wherein the resonance frequency of a resonance circuit for passing a component of a predetermined frequency band in the analog circuit is set to a non-contact type.
The transmission data output from the digital circuit is set higher than the transmission frequency of the C card communication system, and the transmission data output from the digital circuit is modulated by changing the capacitive load by the capacitance element of the resonance circuit and the capacitance element of the modulation circuit in the analog circuit. It is characterized by performing.

【0018】この構成によれば、共振回路のアンテナコ
イルと容量の間の容量負荷が変化するため、この容量負
荷の変化によって、リーダーライターのアンテナコイル
に流れる電流Iの変化を大きくすることができる。
According to this configuration, since the capacitance load between the antenna coil and the capacitance of the resonance circuit changes, the change of the current I flowing through the antenna coil of the reader / writer can be increased by the change of the capacitance load. .

【0019】さらに、複数枚のカードが重なった場合の
データ変調時、共振周波数がシフトするので、電圧発生
回路の出力電圧の低下を抑制し、リーダーライターが受
取る電流の変化量の低下を抑制でき、安定した通信を行
なうことができる。
Further, since the resonance frequency shifts during data modulation when a plurality of cards are overlapped, a decrease in the output voltage of the voltage generation circuit can be suppressed, and a decrease in the amount of change in the current received by the reader / writer can be suppressed. , And stable communication can be performed.

【0020】また、請求項2記載の非接触型ICカード
は、請求項1記載の非接触型ICカードにおいて、前記
変調回路の2つの出力が、前記共振回路に接続され、前
記変調回路の2つの出力間に、前記容量素子と前記ディ
ジタル回路から出力される送信データを入力するための
1つ以上のMOS型トランジスタが直列に接続されてい
ることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the non-contact type IC card according to the first aspect, wherein two outputs of the modulation circuit are connected to the resonance circuit. One or more MOS type transistors for inputting transmission data output from the digital circuit are connected in series between two outputs.

【0021】この構成により、前記ディジタル回路から
出力される送信データのH/Lにより、容易に容量負荷
を変化させることができる。
According to this configuration, the capacitance load can be easily changed by H / L of the transmission data output from the digital circuit.

【0022】また、請求項3記載の非接触型ICカード
は、請求項2記載の非接触型ICカードにおいて、前記
変調回路の2つの出力間に接続される容量素子が、2つ
の金属電極とその間に挿入される絶縁膜で構成されてい
ることを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the non-contact type IC card according to the second aspect, wherein the capacitance element connected between the two outputs of the modulation circuit includes two metal electrodes. It is characterized by being constituted by an insulating film inserted between them.

【0023】この構成により、容量素子を通常の半導体
プロセスで容易に形成できる。
With this configuration, the capacitive element can be easily formed by a normal semiconductor process.

【0024】また、請求項4記載の非接触型ICカード
は、請求項2記載の非接触型ICカードにおいて、前記
変調回路の2つの出力間に接続される容量素子が、1つ
以上のMOS型トランジスタで構成されていることを特
徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the non-contact type IC card according to the second aspect, wherein the capacitive element connected between two outputs of the modulation circuit includes one or more MOS transistors. Characterized by being constituted by a type transistor.

【0025】この構成により、容量素子を小さな面積で
形成でき、コスト的に有利となる。
With this configuration, the capacitance element can be formed with a small area, which is advantageous in cost.

【0026】また、請求項5記載の非接触型ICカード
は、電波により非接触でデータの送信および受信を行う
とともに電源電圧を発生させるアナログ回路と、データ
を記憶するための不揮発性メモリーと、送受信するデー
タを制御するディジタル回路とを有し、前記アナログ回
路内の電圧発生回路にある共振回路の容量における制御
が整流回路の出力電圧の大きさによって可変となること
を特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a non-contact type IC card which transmits and receives data by radio waves in a non-contact manner and generates a power supply voltage; a non-volatile memory for storing data; A digital circuit for controlling data to be transmitted and received, wherein the control of the capacitance of the resonance circuit in the voltage generation circuit in the analog circuit is variable depending on the magnitude of the output voltage of the rectification circuit. .

【0027】この構成により、非接触型ICカードがリ
ーダーライターに近づいた時の過電圧の発生を低減で
き、安定した通信を行なうことができる。
With this configuration, it is possible to reduce the occurrence of overvoltage when the non-contact type IC card approaches the reader / writer, and it is possible to perform stable communication.

【0028】また、請求項6記載の非接触型ICカード
は、請求項5記載の非接触型ICカードにおいて、アン
テナコイルと容量とが並列に接続された前記共振回路
に、さらに並列に容量素子と前記電圧発生回路内の電圧
検知回路の出力を入力するための1つ以上のMOS型ト
ランジスタが直列に接続されていることを特徴とするも
のである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the non-contact type IC card according to the fifth aspect, wherein the capacitive element is further connected in parallel to the resonance circuit in which an antenna coil and a capacitor are connected in parallel. And one or more MOS transistors for inputting an output of a voltage detection circuit in the voltage generation circuit are connected in series.

【0029】この構成により、前記電圧検知回路から出
力される検知信号のH/Lにより、容易に容量負荷を変
化させることができる。
According to this configuration, the capacitance load can be easily changed by H / L of the detection signal output from the voltage detection circuit.

【0030】また、請求項9記載の非接触型ICカード
通信システムは、電波により非接触でデータの送信およ
び受信を行うとともに電源電圧を発生させるアナログ回
路と、データを記憶するための不揮発性メモリーと、送
受信するデータを制御するディジタル回路とを有し、前
記アナログ回路内にある所定の周波数帯域の成分を通過
させるための共振回路の共振周波数を非接触型ICカー
ド通信システムの伝送周波数より高く設定し、前記ディ
ジタル回路から出力される送信データを、前記アナログ
回路内にある共振回路の容量と変調回路の容量とによっ
て容量負荷を変化させて変調を行う非接触型ICカード
が複数枚同時にリーダーライタと通信を行うことを特徴
とするものである。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a non-contact type IC card communication system which transmits and receives data by radio waves in a non-contact manner and generates a power supply voltage, and a nonvolatile memory for storing data. And a digital circuit for controlling data to be transmitted and received, wherein a resonance frequency of a resonance circuit for passing a component of a predetermined frequency band in the analog circuit is higher than a transmission frequency of the non-contact type IC card communication system. A plurality of non-contact type IC cards for setting and modulating transmission data output from the digital circuit by changing a capacitive load by a capacitance of a resonance circuit and a capacitance of a modulation circuit in the analog circuit are simultaneously read by a plurality of readers. It is characterized by communicating with a writer.

【0031】この構成により、複数枚のカードが重なる
ときの共振周波数が低い側にシフトするという課題を解
決し、安定した通信を行うことができる。
With this configuration, it is possible to solve the problem that the resonance frequency when a plurality of cards overlap is shifted to a lower side, and to perform stable communication.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1から図7を用いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0033】(実施の形態1)まず、図1、図2および
図3を用いて本発明の実施の形態1における非接触型I
Cカードの動作について説明する。図1は、本発明の実
施の形態1における非接触型ICカードの構成を示すブ
ロック図およびリーダーライターとの電波の送受信を示
す図である。なお、図1において、図8と同一物につい
ては同一番号を用いて説明する。
(Embodiment 1) First, referring to FIGS. 1, 2 and 3, the non-contact type I in Embodiment 1 of the present invention will be described.
The operation of the C card will be described. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a non-contact type IC card according to Embodiment 1 of the present invention, and a diagram showing transmission and reception of radio waves with a reader / writer. In FIG. 1, the same components as those in FIG. 8 will be described using the same reference numerals.

【0034】図1において、非接触型ICカード31
は、電波により非接触でデータの送信および受信を行う
とともに電源電圧を発生させるアナログ回路32と、デ
ータを記憶するための不揮発性メモリー14と、送受信
するデータを制御するディジタル回路13で構成されて
いる。アナログ回路32は、電波を受けて電圧を発生さ
せる電圧発生回路33と、受信データを復調する回路9
と、送信データを変調する回路40で構成されている。
In FIG. 1, a non-contact type IC card 31
Is composed of an analog circuit 32 for transmitting and receiving data wirelessly and generating a power supply voltage, a non-volatile memory 14 for storing data, and a digital circuit 13 for controlling data to be transmitted and received. I have. The analog circuit 32 includes a voltage generation circuit 33 that receives a radio wave and generates a voltage, and a circuit 9 that demodulates received data.
And a circuit 40 for modulating transmission data.

【0035】非接触型ICカード31とリーダーライタ
ー15は、それぞれに接続された非接触型ICカード3
1のアンテナコイル35およびリーダライタ15のアン
テナコイル16を通して電波17の送信および受信を行
う。非接触型ICカード31が電波17を受信すると、
アンテナコイル35の両端に交流電圧が発生する。発生
した交流電圧は、電圧発生回路33の中の整流回路7で
直流電圧に変換され、出力電圧Vとして各ブロックに供
給される。また、非接触型ICカード31とリーダーラ
イター15の間で送受信されるデータは、交流電圧に重
畳され、復調回路9で復調(非接触型ICカード31が
リーダーライター15からのデータを受信する場合)、
あるいは変調回路40で変調(非接触型ICカード31
がリーダーライター15にデータを送信する場合)され
る。非接触型ICカード31とリーダーライター15の
間で送受信されるデータは、ディジタル回路13で制御
され、不揮発性メモリー14に蓄えられる。
The non-contact type IC card 31 and the reader / writer 15 are connected to the non-contact type IC card 3
The transmission and reception of the radio wave 17 are performed through the antenna coil 35 of the first and the antenna coil 16 of the reader / writer 15. When the non-contact type IC card 31 receives the radio wave 17,
An AC voltage is generated at both ends of the antenna coil 35. The generated AC voltage is converted into a DC voltage by the rectifier circuit 7 in the voltage generation circuit 33 and supplied to each block as an output voltage V. Data transmitted and received between the non-contact type IC card 31 and the reader / writer 15 is superimposed on an AC voltage and demodulated by the demodulation circuit 9 (when the non-contact type IC card 31 receives data from the reader / writer 15). ),
Alternatively, modulation by the modulation circuit 40 (the non-contact type IC card 31
Is transmitted to the reader / writer 15). Data transmitted and received between the non-contact type IC card 31 and the reader / writer 15 is controlled by the digital circuit 13 and stored in the nonvolatile memory 14.

【0036】ここで図2および図3を用いて、電圧発生
回路33の中の共振回路34および変調回路40につい
てさらに説明する。
Here, the resonance circuit 34 and the modulation circuit 40 in the voltage generation circuit 33 will be further described with reference to FIGS.

【0037】共振回路34は、所定の周波数帯域の成分
を通過させるためにあり、アンテナコイル35と容量3
6で構成される。リーダーライター15から送られる電
波17の周波数は、通信プロトコルにより定められてお
り(例えばISO14443では13.56MHz、以
下リーダーライター15から送られる電波17の周波数
を13.56MHzとして話しを進める)、従来の技術
で説明したように、通常アンテナコイル35のインダク
タンスLと容量36のキャパシタンスCで決まる共振周
波数fを、この13.56MHzに合わせる。すなわ
ち、f=1/2π√LC=13.56MHzとする。
The resonance circuit 34 is provided for passing a component in a predetermined frequency band, and includes an antenna coil 35 and a capacitor 3
6. The frequency of the radio wave 17 transmitted from the reader / writer 15 is determined by a communication protocol (for example, 13.56 MHz in ISO14443, and hereinafter the frequency of the radio wave 17 transmitted from the reader / writer 15 is 13.56 MHz). As described in the art, the resonance frequency f determined by the inductance L of the antenna coil 35 and the capacitance C of the capacitor 36 is set to 13.56 MHz. That is, f = 1 / 2π√LC = 13.56 MHz.

【0038】本発明の実施の形態1における非接触型I
Cカードでは、アンテナコイル35のインダクタンスL
35と容量36のキャパシタンスC36で決まる共振周
波数fを13.56MHzより高い側に合わせる。すな
わち、 f=1/2π√L35×C36>13.56MHz とする。
Non-contact type I in Embodiment 1 of the present invention
In the C card, the inductance L of the antenna coil 35 is
The resonance frequency f determined by the capacitance C36 of the capacitor 35 and the capacitance 36 is adjusted to a higher side than 13.56 MHz. That is, f = 1 / 2π√L35 × C36> 13.56 MHz.

【0039】したがって、電圧発生回路33の出力電圧
は、共振周波数fを13.56MHzに合わせた時より
も少し低下する。図2は、この様子を示している。
Therefore, the output voltage of the voltage generating circuit 33 is slightly lower than when the resonance frequency f is adjusted to 13.56 MHz. FIG. 2 shows this state.

【0040】図2は、本発明の実施の形態1における非
接触型ICカードの共振周波数に対する電圧発生回路3
3の出力電圧の変化を示す図である。縦軸は電圧発生回
路33の出力電圧V、横軸は共振回路34で決まる非接
触型ICカード1の共振周波数fである。電圧発生回路
33の出力電圧Vは、非接触型ICカードが1枚の時矢
印(1)の始点、非接触型ICカードが複数枚の時矢印
(2)の始点となる。
FIG. 2 shows a voltage generation circuit 3 for the resonance frequency of the non-contact type IC card according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a change in output voltage of No. 3; The vertical axis represents the output voltage V of the voltage generation circuit 33, and the horizontal axis represents the resonance frequency f of the non-contact type IC card 1 determined by the resonance circuit. The output voltage V of the voltage generation circuit 33 is the starting point of the arrow (1) when there is one non-contact type IC card and the starting point of the arrow (2) when there are plural non-contact type IC cards.

【0041】つまり、非接触型ICカードが1枚のとき
の共振周波数fを高い側に合わせているので、例えばf
を15.5MHzに合わせた時、非接触型ICカードが
2枚のときのfは上述の通り、下がることになり、1
4.5MHzとなる。また、トランジスタ41、42が
オフ状態からオン状態に変化すると、矢印(1)および
矢印(2)はその矢印方向に向かうため、共振周波数が
下がり、13.56MHz側に移動する。また、共振周
波数が13.56MHz時の出力電圧が3Vのとき、非
接触型ICカードが1枚のときの出力電圧は、2.5V
となり、非接触型ICカードが2枚のときの出力電圧
は、2.7Vとなり、複数枚のとき、1枚の時と比較し
て出力電圧が上がることになる。
That is, since the resonance frequency f when one non-contact type IC card is set to the higher side, for example, f
Is adjusted to 15.5 MHz, f when the number of non-contact type IC cards is two is reduced as described above, and 1
It becomes 4.5 MHz. When the transistors 41 and 42 change from the off state to the on state, the arrow (1) and the arrow (2) move in the direction of the arrow, so that the resonance frequency decreases and moves to the 13.56 MHz side. When the output voltage is 3 V when the resonance frequency is 13.56 MHz, the output voltage when one non-contact type IC card is 2.5 V
Thus, the output voltage when two non-contact type IC cards are 2.7 V is obtained. When a plurality of non-contact type IC cards are used, the output voltage is higher than that when one non-contact type IC card is used.

【0042】ここで、共振周波数fを高い側に合わせる
には、アンテナコイル35のインダクタンスLと容量3
6のキャパシタンスCで調整することで達成される。つ
まり、LまたはCを小さくするように設定する。通常、
アンテナコイルは外付け、容量は外付けまたはチップ内
蔵であるため、容易に実施することができる。
Here, in order to adjust the resonance frequency f to the higher side, the inductance L of the antenna coil 35 and the capacitance 3
This is achieved by adjusting with a capacitance C of 6. That is, L or C is set to be small. Normal,
Since the antenna coil is externally mounted and the capacitance is externally mounted or built in the chip, it can be easily implemented.

【0043】変調回路40は、非接触型ICカード31
がリーダーライター15にデータを送信する際、ディジ
タル回路13から出力されるディジタルデータをアナロ
グデータに変換する(リーダーライター15が受け取れ
る形にデータを変換する)ためにあり、容量43とPチ
ャンネルMOS型トランジスタ41および42が直列に
接続されている。容量43は、2つの金属電極とその間
に挿入される絶縁膜で構成されている。ディジタル回路
13から出力されるデータはPチャンネルMOS型トラ
ンジスタ41および42のゲートに入力され、データの
H/Lによって、PチャンネルMOS型トランジスタ4
1および42がオン/オフする。したがって、Pチャン
ネルMOS型トランジスタ41および42と直列に接続
された容量43がオン/オフする。ここで、極性はどち
らでもかまわない。すなわち、PチャンネルMOS型ト
ランジスタ41および42は、容量43を容量36に並
列接続させたり、切り離したりさせるためにあり、Nチ
ャンネルMOS型トランジスタで構成することも可能で
ある。また、MOS型トランジスタ1つで構成すること
も可能である。
The modulation circuit 40 includes a non-contact type IC card 31
Is for converting digital data output from the digital circuit 13 into analog data (converting data so that the reader / writer 15 can receive the data) when transmitting data to the reader / writer 15. Transistors 41 and 42 are connected in series. The capacitor 43 is composed of two metal electrodes and an insulating film inserted between them. The data output from the digital circuit 13 is input to the gates of the P-channel MOS transistors 41 and 42, and the P-channel MOS transistor 4 is changed according to the H / L of the data.
1 and 42 turn on / off. Therefore, the capacitor 43 connected in series with the P-channel MOS transistors 41 and 42 is turned on / off. Here, the polarity may be either. That is, the P-channel MOS transistors 41 and 42 are for connecting the capacitor 43 to the capacitor 36 in parallel or disconnecting the capacitor 43, and may be configured by N-channel MOS transistors. Further, it is also possible to configure with one MOS type transistor.

【0044】ここで、変調回路の2つの出力、すなわち
PチャンネルMOS型トランジスタ41および42のド
レイン(またはソース)は、共振回路34のアンテナコ
イル35と容量36に並列に接続されている。
Here, the two outputs of the modulation circuit, that is, the drains (or sources) of the P-channel MOS transistors 41 and 42 are connected in parallel to the antenna coil 35 and the capacitor 36 of the resonance circuit 34.

【0045】ディジタル回路13から送信される送信デ
ータ(H/L)は、変調回路40によって変調され、ア
ンテナコイル35を通してリーダライタ15のアンテナ
コイル16に流れる電流Iの変化となり、リーダライタ
15のデータとして認識することになる。ここで、本発
明の実施の形態1における非接触型ICカードのディジ
タル回路から送信される送信データ(H/L)は、共振
回路34のアンテナコイル35と容量36の間の容量負
荷が変化するため、この容量負荷の変化によって、リー
ダーライター15のアンテナコイル16に流れる電流I
が変化する。
The transmission data (H / L) transmitted from the digital circuit 13 is modulated by the modulation circuit 40 and changes in the current I flowing through the antenna coil 35 to the antenna coil 16 of the reader / writer 15. It will be recognized as. Here, in the transmission data (H / L) transmitted from the digital circuit of the non-contact type IC card according to the first embodiment of the present invention, the capacitance load between the antenna coil 35 of the resonance circuit 34 and the capacitance 36 changes. Therefore, the current I flowing through the antenna coil 16 of the reader / writer 15 is
Changes.

【0046】図3は、この様子を示すもので、本発明の
実施の形態1における非接触型ICカードを用いた場合
のリーダーライターのアンテナコイルに流れる電流値の
変化について示した図である。縦軸はリーダーライター
15のアンテナコイル16に流れる電流I、横軸は共振
回路34で決まる非接触型ICカード31の共振周波数
fである。トランジスタ41、42がオフの時、電流I
と共振周波数fの関係が曲線(3)であったとすると、
トランジスタ41、42がオンすると電流Iは減少し、
曲線(4)となる。
FIG. 3 shows this state, and shows a change in the value of the current flowing through the antenna coil of the reader / writer when the non-contact type IC card according to Embodiment 1 of the present invention is used. The vertical axis represents the current I flowing through the antenna coil 16 of the reader / writer 15, and the horizontal axis represents the resonance frequency f of the non-contact type IC card 31 determined by the resonance circuit 34. When the transistors 41 and 42 are off, the current I
If the relationship between and the resonance frequency f is a curve (3),
When the transistors 41 and 42 are turned on, the current I decreases,
A curve (4) results.

【0047】従来の非接触型ICカードである抵抗負荷
の場合は、1つの抵抗11と1つのトランジスタ12で
構成されていたため、トランジスタ12のオン/オフに
かかわらず、共振周波数fは一定であったが、本発明の
非接触型ICカードである容量負荷の場合、トランジス
タ41、42がオンした時、容量36と容量43は並列
接続となるから、共振周波数fは低い側にシフトする。
すなわち、容量43のキャパシタンスをC43とする
と、 f=1/2π√L35×(C36+C43)<1/2π
√L35×C36 となる。したがって、リーダーライター15のアンテナ
コイル16に流れる電流Iは、トランジスタ41、42
がオフからオンに変化したとき、非接触型ICカードが
1枚の時は図3に示す矢印(5)のように変化し、非接
触型ICカードが複数枚の時は図3に示す矢印(7)の
ように変化する。例えば、非接触型ICカードが1枚の
時、トランジスタ41、42がオフ状態の共振周波数が
15.5MHzだとすると、トランジスタ41、42が
オン状態に動作が変化したときの共振周波数は、15M
Hzに変化する。また、非接触型ICカードが2枚の
時、トランジスタ41、42がオフ状態の共振周波数が
14.5MHzだとすると、トランジスタ41、42が
オン状態に変化したときの共振周波数は、14MHzに
変化する。
In the case of a resistive load which is a conventional non-contact type IC card, the resonant frequency f is constant irrespective of the on / off state of the transistor 12 because it is composed of one resistor 11 and one transistor 12. However, in the case of the capacitive load which is the non-contact type IC card of the present invention, when the transistors 41 and 42 are turned on, the capacitance 36 and the capacitance 43 are connected in parallel, so that the resonance frequency f shifts to a lower side.
That is, assuming that the capacitance of the capacitor 43 is C43, f = 1 / 2π√L35 × (C36 + C43) <1 / 2π
√L35 × C36. Therefore, the current I flowing through the antenna coil 16 of the reader / writer 15 is
Changes from off to on when the number of non-contact type IC cards is one, as shown by an arrow (5) in FIG. 3, and when there are a plurality of non-contact type IC cards, the arrow in FIG. It changes like (7). For example, assuming that the resonance frequency when the transistors 41 and 42 are off when the number of non-contact type IC cards is one is 15.5 MHz, the resonance frequency when the operation of the transistors 41 and 42 is changed to the on state is 15M.
Hz. Further, when the number of non-contact type IC cards is two and the resonance frequency when the transistors 41 and 42 are off is 14.5 MHz, the resonance frequency when the transistors 41 and 42 change to the on state changes to 14 MHz.

【0048】また、電流Iの変化量は、それぞれ図3の
矢印(6)、矢印(8)となる。従来の構成による非接
触型ICカードの電流Iの変化量、すなわち非接触型I
Cカードが1枚の時、図10に示す矢印(25)は0.
5mAであり、非接触型ICカードが2枚の時矢印(2
6)は0.4mAであるのに対し、本発明の実施の形態
1における非接触型ICカードの電流Iの変化量、すな
わち非接触型ICカードが1枚の時、図3に示す矢印
(6)は0.7mAであり、非接触型ICカードが2枚
の時、矢印(8)は0.6mAとなる。
The change amounts of the current I are indicated by arrows (6) and (8) in FIG. 3, respectively. The amount of change in the current I of the non-contact type IC card according to the conventional configuration,
When there is one C card, the arrow (25) shown in FIG.
5 mA, and the arrow (2
6) is 0.4 mA, whereas the change amount of the current I of the non-contact type IC card according to the first embodiment of the present invention, that is, when there is one non-contact type IC card, the arrow shown in FIG. 6) is 0.7 mA, and when there are two non-contact type IC cards, the arrow (8) becomes 0.6 mA.

【0049】このように、本発明の非接触型ICカード
31では、1枚のカードを使用したときに、リーダライ
ターに流れる電流の変化量を従来のときと比較して高く
することができるため、1枚のカードを使用したときで
もリーダーライターのデータ認識をより確実にすること
ができるという効果があるが、複数枚のカードでの通信
の時はさらにその効果を高めることができる。
As described above, in the non-contact type IC card 31 of the present invention, when one card is used, the amount of change in the current flowing through the reader / writer can be increased as compared with the conventional case. Although there is an effect that the reader / writer can more reliably recognize data even when one card is used, the effect can be further enhanced when communicating with a plurality of cards.

【0050】つまり複数枚のカードを同時に使用するこ
とを想定した場合、あらかじめ非接触型ICカードの共
振周波数fを高い側にずらしても、変調回路が容量負荷
で構成されているため、送信データの変調時、すなわ
ち、変調回路40のトランジスタ41、42のオン・オ
フの変化時に、共振周波数fが低い側にシフトする。し
たがって、電圧発生回路33の出力電圧は、共振周波数
fを13.56MHzに合わせたのとほぼ同じとなる。
また、リーダーライター15がデータとして認識するた
めの電流の変化量矢印(6)、矢印(8)は、それぞれ
図10に示す矢印(25)、矢印(26)よりも大きく
なり、非接触型ICカード31とリーダーライター15
の間で安定した通信ができる。
That is, when it is assumed that a plurality of cards are used at the same time, even if the resonance frequency f of the non-contact type IC card is shifted in advance to a higher side, since the modulation circuit is constituted by a capacitive load, the transmission data , That is, when the transistors 41 and 42 of the modulation circuit 40 change on and off, the resonance frequency f shifts to a lower side. Therefore, the output voltage of the voltage generation circuit 33 is almost the same as when the resonance frequency f is adjusted to 13.56 MHz.
Further, the current change arrows (6) and (8) for the reader / writer 15 to recognize as data are larger than the arrows (25) and (26) shown in FIG. Card 31 and reader / writer 15
Stable communication is possible between

【0051】なお図1に示す非接触型ICカード31に
おいて、共振回路34を除く回路は、通常半導体集積回
路で形成される。共振回路34のアンテナコイル35
は、外付けの部品で形成される。また、共振回路34の
容量36は、半導体集積回路で形成される場合と外付け
の部品で形成される場合がある。
In the non-contact type IC card 31 shown in FIG. 1, circuits other than the resonance circuit 34 are usually formed of a semiconductor integrated circuit. Antenna coil 35 of resonance circuit 34
Is formed of external components. The capacitance 36 of the resonance circuit 34 may be formed by a semiconductor integrated circuit or may be formed by external components.

【0052】(実施の形態2)次に、図4を用いて本発
明の実施の形態2について説明する。図4は、本発明の
実施の形態2における非接触型ICカードの変調回路図
である。
(Embodiment 2) Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a modulation circuit diagram of the contactless IC card according to Embodiment 2 of the present invention.

【0053】本発明の実施の形態1と本発明の実施の形
態2における非接触型ICカードの半導体集積回路の相
違点は、変調回路40の容量素子の構成にある。すなわ
ち、実施の形態1における非接触型ICカード31の中
の変調回路40は、容量素子として2つの金属電極とそ
の間に挿入される絶縁膜で構成されていたが、実施の形
態2における変調回路40は、容量素子としてPチャン
ネルMOS型トランジスタで構成されている。
The difference between the semiconductor integrated circuit of the non-contact type IC card according to the first embodiment of the present invention and the second embodiment of the present invention lies in the configuration of the capacitive element of the modulation circuit 40. That is, the modulation circuit 40 in the non-contact type IC card 31 according to the first embodiment is constituted by two metal electrodes as a capacitor and an insulating film inserted between them. Reference numeral 40 denotes a P-channel MOS transistor as a capacitor.

【0054】図4において、実施の形態2における変調
回路40の容量素子は、2個のPチャンネルMOS型ト
ランジスタのゲート酸化膜容量を用いて構成されてい
る。PチャンネルMOS型トランジスタ51のゲート
は、PチャンネルMOS型トランジスタ41のソース
(またはドレイン)に接続され、PチャンネルMOS型
トランジスタ51のソースとドレインは、Pチャンネル
MOS型トランジスタ42のソース(またはドレイン)
に接続されている。そして、PチャンネルMOS型トラ
ンジスタ52のゲートは、PチャンネルMOS型トラン
ジスタ42のソース(またはドレイン)に接続され、P
チャンネルMOS型トランジスタ52のソースとドレイ
ンは、PチャンネルMOS型トランジスタ41のソース
(またはドレイン)に接続されている。このような構成
により、その動作は図1、図2および図3で説明したも
のと同じになる。
In FIG. 4, the capacitance element of the modulation circuit 40 according to the second embodiment is formed using the gate oxide film capacitance of two P-channel MOS transistors. The gate of the P-channel MOS transistor 51 is connected to the source (or drain) of the P-channel MOS transistor 41. The source and drain of the P-channel MOS transistor 51 are connected to the source (or drain) of the P-channel MOS transistor 42.
It is connected to the. The gate of the P-channel MOS transistor 52 is connected to the source (or drain) of the P-channel MOS transistor 42,
The source and drain of the channel MOS transistor 52 are connected to the source (or drain) of the P-channel MOS transistor 41. With such a configuration, the operation is the same as that described with reference to FIGS. 1, 2, and 3.

【0055】なお、本発明の実施の形態1の説明でした
ように、PチャンネルMOS型トランジスタ41および
42をNチャンネルMOS型トランジスタで構成するこ
とも可能である。この場合には、PチャンネルMOS型
トランジスタ51および52もNチャンネルMOS型ト
ランジスタで構成する。
As described in the first embodiment of the present invention, the P-channel MOS transistors 41 and 42 can be constituted by N-channel MOS transistors. In this case, P-channel MOS transistors 51 and 52 are also formed of N-channel MOS transistors.

【0056】通常、本発明における非接触型ICカード
の半導体集積回路部分は、CMOSプロセスを用いて製
造される。したがってCMOSゲート回路を形成するの
と同時に、図1に示す2つの金属電極とその間に挿入さ
れる絶縁膜で構成される容量43の代りにMOS型トラ
ンジスタを形成するほうが、面積が小さくでき、コスト
的に有利である。
Normally, the semiconductor integrated circuit portion of the non-contact type IC card according to the present invention is manufactured by using a CMOS process. Therefore, at the same time as forming the CMOS gate circuit, forming a MOS transistor instead of the capacitor 43 composed of the two metal electrodes shown in FIG. 1 and an insulating film inserted between them can reduce the area and cost. It is economically advantageous.

【0057】(実施の形態3)次に、図5および図6を
用いて本発明の実施の形態3について説明する。図5
は、本発明の実施の形態3における非接触型ICカード
の構成を示すブロック図およびリーダーライターとの電
波の送受信を示す図である。
(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a non-contact type IC card according to Embodiment 3 of the present invention and a diagram showing transmission and reception of radio waves with a reader / writer.

【0058】従来の技術と本発明の実施の形態3におけ
る非接触型ICカードの半導体集積回路との相違点は、
実施の形態1における非接触型ICカード31の中の変
調回路40で用いた回路構成をそのまま共振回路の中に
入れ、PチャンネルMOS型トランジスタのゲートにデ
ィジタル回路13の出力の代りに電圧検知回路8の出力
を入力し、変調回路10を別に設けている点である。
The difference between the prior art and the semiconductor integrated circuit of the non-contact type IC card according to the third embodiment of the present invention is as follows.
The circuit configuration used in the modulation circuit 40 in the non-contact type IC card 31 in the first embodiment is put into a resonance circuit as it is, and the gate of a P-channel MOS transistor is replaced with a voltage detection circuit instead of the output of the digital circuit 13. 8 is input and the modulation circuit 10 is provided separately.

【0059】図5において、共振回路64は、従来の技
術で説明したアンテナコイル5と容量6に加えて、さら
に並列に容量67と電圧発生回路63の中の電圧検知回
路8の出力を入力するためのPチャンネルMOS型トラ
ンジスタ65および66が直列に接続されている。電圧
検知回路8は、電圧発生回路63の出力電圧Vがある電
圧レベル(例えば5V)までは、Hを出力している。こ
の時、PチャンネルMOS型トランジスタ65および6
6はオフの状態、すなわち容量67はオフの状態であ
る。したがって、共振周波数fは、 f=1/2π√LC=13.56MHz である。
In FIG. 5, a resonance circuit 64 receives the output of the voltage detection circuit 8 in the voltage generation circuit 63 in parallel with the capacitance 67 in addition to the antenna coil 5 and the capacitance 6 described in the background art. P-channel MOS transistors 65 and 66 are connected in series. The voltage detection circuit 8 outputs H until the output voltage V of the voltage generation circuit 63 reaches a certain voltage level (for example, 5 V). At this time, P-channel MOS transistors 65 and 6
Reference numeral 6 denotes an off state, that is, the capacitor 67 is in an off state. Therefore, the resonance frequency f is f = 1 / 2π√LC = 13.56 MHz.

【0060】電圧発生回路63の出力電圧Vがある電圧
レベル(例えば5V)に達すると、電圧検知回路8の出
力は、Lを出力する。この時、PチャンネルMOS型ト
ランジスタ65および66はオンの状態、すなわち容量
67はオンの状態である。したがって、容量67のキャ
パシタンスをC67とすると、共振周波数fは、 f=1/2π√L(C+C67)<13.56MHz となり、13.56MHzから低い側にシフトする。
When the output voltage V of the voltage generation circuit 63 reaches a certain voltage level (for example, 5 V), the output of the voltage detection circuit 8 outputs L. At this time, P-channel MOS transistors 65 and 66 are on, that is, capacitor 67 is on. Therefore, assuming that the capacitance of the capacitor 67 is C67, the resonance frequency f becomes f = 1 / π√L (C + C67) <13.56 MHz, and shifts from 13.56 MHz to a lower side.

【0061】図6は、この様子を示すもので、本発明の
実施の形態3における非接触型ICカードの共振周波数
に対する電圧発生回路の出力電圧の変化を示す図であ
る。非接触型ICカード61をリーダーライター15に
遠くから近づけていくと、電圧発生回路63の出力電圧
Vは、矢印(14)のような軌跡をたどる。このよう
に、この構成によれば、非接触型ICカードがリーダー
ライターに近づいた時の過電圧の発生を低減でき、安定
した通信を行なうことができる。
FIG. 6 shows this state, and shows a change in the output voltage of the voltage generating circuit with respect to the resonance frequency of the non-contact type IC card according to the third embodiment of the present invention. When the non-contact type IC card 61 is approached from a distance to the reader / writer 15, the output voltage V of the voltage generation circuit 63 follows a locus as indicated by an arrow (14). Thus, according to this configuration, the occurrence of overvoltage when the non-contact type IC card approaches the reader / writer can be reduced, and stable communication can be performed.

【0062】なお、PチャンネルMOS型トランジスタ
65および66をNチャンネルMOS型トランジスタで
構成することも可能であり、この時は電圧検知回路8の
出力を反転させておくか、電圧検知回路8の出力をその
ままで容量67がオンの状態で共振周波数fを13.5
6MHzに合わせ、容量67がオフした時に共振周波数
fを13.56MHzから高い側にシフトさせればよ
い。
Note that the P-channel MOS transistors 65 and 66 can be constituted by N-channel MOS transistors. In this case, the output of the voltage detection circuit 8 is inverted or the output of the voltage detection circuit 8 is And the resonance frequency f is set to 13.5 with the capacitor 67 turned on.
The resonance frequency f may be shifted from 13.56 MHz to a higher side when the capacitance 67 is turned off in accordance with 6 MHz.

【0063】(実施の形態4)次に、図7を用いて本発
明の実施の形態4について説明する。
(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0064】図7は、本発明の実施の形態4における非
接触型ICカードの共振回路である。
FIG. 7 shows a resonance circuit of the non-contact type IC card according to the fourth embodiment of the present invention.

【0065】本発明の実施の形態3と本発明の実施の形
態4における非接触型ICカードの半導体集積回路の相
違点は、変調回路40の容量素子の構成にある。すなわ
ち、実施の形態3における非接触型ICカード61の中
の共振回路64は、容量素子として2つの金属電極とそ
の間に挿入される絶縁膜で構成されていたが、実施の形
態4における変調回路40は、容量素子としてPチャン
ネルMOS型トランジスタで構成されている。
The difference between the third embodiment of the present invention and the semiconductor integrated circuit of the non-contact type IC card according to the fourth embodiment of the present invention lies in the configuration of the capacitance element of the modulation circuit 40. That is, the resonance circuit 64 in the non-contact type IC card 61 according to the third embodiment is constituted by two metal electrodes as a capacitor and an insulating film inserted between them. Reference numeral 40 denotes a P-channel MOS transistor as a capacitor.

【0066】図7において、実施の形態4における共振
回路64の容量素子は、2個のPチャンネルMOS型ト
ランジスタのゲート酸化膜容量を用いて構成されてい
る。PチャンネルMOS型トランジスタ71のゲート
は、PチャンネルMOS型トランジスタ65のソース
(またはドレイン)に接続され、PチャンネルMOS型
トランジスタ71のソースとドレインは、Pチャンネル
MOS型トランジスタ66のソース(またはドレイン)
に接続されている。そして、PチャンネルMOS型トラ
ンジスタ72のゲートは、PチャンネルMOS型トラン
ジスタ66のソース(またはドレイン)に接続され、P
チャンネルMOS型トランジスタ72のソースとドレイ
ンは、PチャンネルMOS型トランジスタ65のソース
(またはドレイン)に接続されている。このような構成
により、その動作は図5および図6で説明したものと同
じになる。
In FIG. 7, the capacitance element of the resonance circuit 64 in the fourth embodiment is configured using the gate oxide film capacitance of two P-channel MOS transistors. The gate of the P-channel MOS transistor 71 is connected to the source (or drain) of the P-channel MOS transistor 65, and the source and drain of the P-channel MOS transistor 71 are the source (or drain) of the P-channel MOS transistor 66.
It is connected to the. The gate of the P-channel MOS transistor 72 is connected to the source (or drain) of the P-channel MOS transistor 66,
The source and the drain of the channel MOS transistor 72 are connected to the source (or drain) of the P-channel MOS transistor 65. With such a configuration, the operation is the same as that described with reference to FIGS.

【0067】なお、本発明の実施の形態3の説明でした
ように、PチャンネルMOS型トランジスタ65および
66をNチャンネルMOS型トランジスタで構成するこ
とも可能である。この場合には、PチャンネルMOS型
トランジスタ71および72もNチャンネルMOS型ト
ランジスタで構成する。
As described in the third embodiment of the present invention, the P-channel MOS transistors 65 and 66 can be constituted by N-channel MOS transistors. In this case, P-channel MOS transistors 71 and 72 are also formed of N-channel MOS transistors.

【0068】通常、本発明における非接触型ICカード
の半導体集積回路部分は、CMOSプロセスを用いて製
造される。したがってCMOSゲート回路を形成するの
と同時に、図1に示す2つの金属電極とその間に挿入さ
れる絶縁膜で構成される容量67の代りにMOS型トラ
ンジスタを形成するほうが、面積が小さくでき、コスト
的に有利である。
Normally, the semiconductor integrated circuit portion of the non-contact type IC card according to the present invention is manufactured by using a CMOS process. Therefore, at the same time when the CMOS gate circuit is formed, it is possible to reduce the area and cost by forming a MOS transistor instead of the capacitor 67 formed of the two metal electrodes shown in FIG. 1 and the insulating film interposed therebetween. It is economically advantageous.

【0069】[0069]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の実施の形
態1および2の非接触型ICカードでは、変調回路が、
ディジタル回路から出力される送信データのH/Lによ
って容量負荷を変化させて変調を行い、共振周波数を変
化させるため、リーダーライターと複数枚の非接触型I
Cカードとの間でも安定した通信ができる。この回路を
用いることにより、近々普及すると見込まれている近接
型(通信距離0〜10cm)の非接触型ICカードを実現
することができる。
As described above, in the non-contact type IC cards according to the first and second embodiments of the present invention, the modulation circuit comprises:
A reader / writer and a plurality of non-contact I / Os are used to perform modulation by changing a capacitive load according to H / L of transmission data output from a digital circuit and to change a resonance frequency.
Stable communication is possible with the C card. By using this circuit, it is possible to realize a proximity type (communication distance of 0 to 10 cm) non-contact type IC card which is expected to be widely used in the near future.

【0070】また、本発明の実施の形態3および4の非
接触型ICカードは、共振回路の容量が電圧発生回路の
出力電圧で可変となり、非接触型ICカードがリーダー
ライターに近づいた時の過電圧が発生を低減でき、安定
した通信ができる。この回路を用いることにより、近々
普及すると見込まれている近傍型(通信距離0〜70c
m)の非接触型ICカードを実現することができる。
Further, in the non-contact type IC card according to the third and fourth embodiments of the present invention, the capacitance of the resonance circuit can be changed by the output voltage of the voltage generating circuit, and the non-contact type IC card is close to the reader / writer. Overvoltage can be reduced and stable communication can be performed. By using this circuit, the proximity type (communication distance 0 to 70c
m), a non-contact type IC card can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1における非接触型ICカ
ードの構成を示すブロック図およびリーダーライターと
の電波の送受信を示す図
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a non-contact type IC card according to Embodiment 1 of the present invention, and a diagram illustrating transmission and reception of radio waves with a reader / writer.

【図2】本発明の実施の形態1における非接触型ICカ
ードの共振周波数に対する電圧発生回路の出力電圧の変
化を示す図
FIG. 2 is a diagram showing a change in an output voltage of a voltage generation circuit with respect to a resonance frequency of the non-contact type IC card according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態1における非接触型ICカ
ードの共振周波数に対するリーダーライターのアンテナ
コイルに流れる電流の変化を示す図
FIG. 3 is a diagram showing a change in a current flowing through an antenna coil of a reader / writer with respect to a resonance frequency of the non-contact type IC card according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態2における非接触型ICカ
ードの変調回路のブロック図
FIG. 4 is a block diagram of a modulation circuit of the non-contact type IC card according to the second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態3における非接触型ICカ
ードの構成を示すブロック図およびリーダーライターと
の電波の送受信を示す図
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration of a non-contact type IC card according to Embodiment 3 of the present invention and a diagram illustrating transmission and reception of radio waves with a reader / writer.

【図6】本発明の実施の形態3における非接触型ICカ
ードの共振周波数に対する電圧発生回路の出力電圧の変
化を示す図
FIG. 6 is a diagram showing a change in an output voltage of a voltage generation circuit with respect to a resonance frequency of the non-contact type IC card according to the third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施の形態4における非接触型ICカ
ードの共振回路のブロック図
FIG. 7 is a block diagram of a resonance circuit of the non-contact type IC card according to the fourth embodiment of the present invention.

【図8】従来の非接触型ICカードの構成を示すブロッ
ク図およびリーダーライターとの電波の送受信を示す図
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a conventional non-contact type IC card and a diagram showing transmission and reception of radio waves to and from a reader / writer.

【図9】従来の非接触型ICカードの共振周波数に対す
る電圧発生回路の出力電圧の変化を示す図
FIG. 9 is a diagram showing a change in an output voltage of a voltage generation circuit with respect to a resonance frequency of a conventional non-contact type IC card.

【図10】従来の非接触型ICカードの共振周波数に対
するリーダーライターのアンテナコイルに流れる電流の
変化を示す図
FIG. 10 is a diagram showing a change in a current flowing through an antenna coil of a reader / writer with respect to a resonance frequency of a conventional non-contact type IC card.

【図11】2枚の非接触型ICカードが重なった時のリ
ーダーライターとの電波の送受信を示す図
FIG. 11 is a diagram showing transmission / reception of radio waves to / from a reader / writer when two non-contact type IC cards are overlapped;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

15 リーダーライター 16 アンテナコイル 17 電波 31 非接触型ICカード 32 アナログ回路 33 電圧発生回路 34 共振回路 35 アンテナコイル 36 容量 40 変調回路 41 PチャンネルMOS型トランジスタ 42 PチャンネルMOS型トランジスタ 43 容量 51 PチャンネルMOS型トランジスタ 52 PチャンネルMOS型トランジスタ 61 非接触型ICカード 62 アナログ回路 63 電圧発生回路 64 共振回路 65 PチャンネルMOS型トランジスタ 66 PチャンネルMOS型トランジスタ 67 容量 71 PチャンネルMOS型トランジスタ 72 PチャンネルMOS型トランジスタ REFERENCE SIGNS LIST 15 reader / writer 16 antenna coil 17 radio wave 31 non-contact IC card 32 analog circuit 33 voltage generation circuit 34 resonance circuit 35 antenna coil 36 capacitance 40 modulation circuit 41 P-channel MOS transistor 42 P-channel MOS transistor 43 capacitance 51 P-channel MOS Type transistor 52 P-channel MOS transistor 61 Non-contact type IC card 62 Analog circuit 63 Voltage generation circuit 64 Resonance circuit 65 P-channel MOS transistor 66 P-channel MOS transistor 67 Capacity 71 P-channel MOS transistor 72 P-channel MOS transistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角 辰己 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工業 株式会社内 Fターム(参考) 2C005 MA29 MB05 NA08 TA22 5B035 BB09 CA23 CA35 5K012 AB05 AB18 AB19 AC09 AE13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Tatsumi Kado, Inventor 1-1, Kochicho, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics Co., Ltd. F-term (reference) 2C005 MA29 MB05 NA08 TA22 5B035 BB09 CA23 CA35 5K012 AB05 AB18 AB19 AC09 AE13

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電波により非接触でデータの送信および
受信を行うとともに電源電圧を発生させるアナログ回路
と、データを記憶するための不揮発性メモリーと、送受
信するデータを制御するディジタル回路とを有し、前記
アナログ回路内にある所定の周波数帯域の成分を通過さ
せるための共振回路の共振周波数を非接触型ICカード
通信システムの伝送周波数より高く設定し、前記ディジ
タル回路から出力される送信データを、前記アナログ回
路内にある共振回路の容量素子と変調回路の容量素子と
によって容量負荷を変化させて変調を行うことを特徴と
する非接触型ICカード。
An analog circuit for transmitting and receiving data by radio waves in a non-contact manner and generating a power supply voltage, a nonvolatile memory for storing data, and a digital circuit for controlling data to be transmitted and received. The resonance frequency of a resonance circuit for passing a component of a predetermined frequency band in the analog circuit is set higher than the transmission frequency of a non-contact type IC card communication system, and transmission data output from the digital circuit is A non-contact type IC card wherein modulation is performed by changing a capacitive load by a capacitive element of a resonance circuit and a capacitive element of a modulation circuit in the analog circuit.
【請求項2】 前記変調回路の2つの出力が、前記共振
回路に接続され、前記変調回路の2つの出力間に、前記
容量素子と前記ディジタル回路から出力される送信デー
タを入力するための1つ以上のMOS型トランジスタが
直列に接続されていることを特徴とする請求項1記載の
非接触型ICカード。
2. The two outputs of the modulation circuit are connected to the resonance circuit, and between the two outputs of the modulation circuit, one input for inputting transmission data output from the capacitance element and the digital circuit. 2. The non-contact IC card according to claim 1, wherein one or more MOS transistors are connected in series.
【請求項3】 前記変調回路の2つの出力間に接続され
る前記容量素子が、2つの金属電極とその間に挿入され
る絶縁膜で構成されていることを特徴とする請求項2記
載の非接触型ICカード。
3. The capacitor according to claim 2, wherein the capacitor connected between two outputs of the modulation circuit is formed of two metal electrodes and an insulating film inserted between the two metal electrodes. Contact type IC card.
【請求項4】 前記変調回路の2つの出力間に接続され
る前記容量素子が、1つ以上のMOS型トランジスタで
構成されていることを特徴とする請求項2記載の非接触
型ICカード。
4. The non-contact type IC card according to claim 2, wherein said capacitive element connected between two outputs of said modulation circuit comprises one or more MOS transistors.
【請求項5】 電波により非接触でデータの送信および
受信を行うとともに電源電圧を発生させるアナログ回路
と、データを記憶するための不揮発性メモリーと、送受
信するデータを制御するディジタル回路とを有し、前記
アナログ回路内の電圧発生回路にある共振回路の容量素
子における制御が整流回路の出力電圧の大きさによって
可変となることを特徴とする非接触型ICカード。
5. An analog circuit for transmitting and receiving data wirelessly and generating a power supply voltage by radio waves, a nonvolatile memory for storing data, and a digital circuit for controlling data to be transmitted and received. A non-contact type IC card, wherein the control of the capacitance element of the resonance circuit in the voltage generation circuit in the analog circuit is variable depending on the magnitude of the output voltage of the rectification circuit.
【請求項6】 アンテナコイルと容量素子とが並列に接
続された前記共振回路に、さらに並列に容量素子と前記
電圧発生回路内の電圧検知回路の出力を入力するための
1つ以上のMOS型トランジスタが直列に接続されてい
ることを特徴とする請求項5記載の非接触型ICカー
ド。
6. One or more MOS type for inputting an output of a voltage detecting circuit in the voltage generating circuit and a capacitive element in parallel to the resonance circuit in which an antenna coil and a capacitive element are connected in parallel. The non-contact type IC card according to claim 5, wherein the transistors are connected in series.
【請求項7】 前記共振回路のアンテナコイルと容量に
並列に接続される容量素子が、2つの金属電極とその間
に挿入される絶縁膜で構成されていることを特徴とする
請求項6記載の非接触型ICカード。
7. The capacitor according to claim 6, wherein the capacitance element connected in parallel with the antenna coil and the capacitance of the resonance circuit is constituted by two metal electrodes and an insulating film inserted between them. Non-contact type IC card.
【請求項8】 前記共振回路のアンテナコイルと容量に
並列に接続される容量素子が、少なくとも1つのMOS
型トランジスタで構成されていることを特徴とする請求
項6記載の非接触型ICカード。
8. A capacitor connected in parallel with an antenna coil and a capacitor of the resonance circuit includes at least one MOS transistor.
7. The non-contact type IC card according to claim 6, comprising a type transistor.
【請求項9】 電波により非接触でデータの送信および
受信を行うとともに電源電圧を発生させるアナログ回路
と、データを記憶するための不揮発性メモリーと、送受
信するデータを制御するディジタル回路とを有し、前記
アナログ回路内にある所定の周波数帯域の成分を通過さ
せるための共振回路の共振周波数を非接触型ICカード
通信システムの伝送周波数より高く設定し、前記ディジ
タル回路から出力される送信データを、前記アナログ回
路内にある共振回路の容量と変調回路の容量とによって
容量負荷を変化させて変調を行う非接触型ICカードが
複数枚同時にリーダーライタと通信を行うことを特徴と
する非接触型ICカード通信システム。
9. An analog circuit for transmitting and receiving data wirelessly and generating a power supply voltage by radio waves, a nonvolatile memory for storing data, and a digital circuit for controlling data to be transmitted and received. The resonance frequency of a resonance circuit for passing a component of a predetermined frequency band in the analog circuit is set higher than the transmission frequency of the non-contact type IC card communication system, and transmission data output from the digital circuit is A non-contact type IC card wherein a plurality of non-contact type IC cards for performing modulation by changing a capacitive load by a capacitance of a resonance circuit and a capacitance of a modulation circuit in the analog circuit simultaneously communicate with a reader / writer. Card communication system.
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