JP2001221737A - Infrared light source, its manufacturing method, and infrared gas analyzer - Google Patents
Infrared light source, its manufacturing method, and infrared gas analyzerInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、大気中などのガス
濃度を、赤外線を用いて測定する赤外線ガス分析計に使
用される赤外線光源に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an infrared light source used in an infrared gas analyzer for measuring a gas concentration in the atmosphere or the like using infrared rays.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ガス分析においては、ガスの種類によっ
て吸収される赤外線の波長が異なることを利用し、この
吸収量を検出することによりそのガス濃度を測定する、
非分散赤外線（Ｎｏｎ−Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｉｎｆ
ｒａＲｅｄ）ガス分析計（以下、ＮＤＩＲガス分析計と
記す）が使用されている。2. Description of the Related Art In gas analysis, utilizing the fact that the wavelength of infrared light absorbed differs depending on the type of gas, the concentration of the gas is measured by detecting the amount of absorption.
Non-Dispersive Inf
raRed) gas analyzer (hereinafter referred to as NDIR gas analyzer).
【０００３】ＮＤＩＲガス分析計は、寸法を特定したセ
ル内に被測定ガスを導入し、被測定ガスに赤外光を入射
し、ある特定した赤外波長帯の強度の減衰量から被測定
ガス成分の濃度を測定するもので、例えば二酸化炭素を
測定する場合には、４．２５μｍ近傍の赤外線の透過量
を測定すれば良い。In the NDIR gas analyzer, a gas to be measured is introduced into a cell whose dimensions are specified, infrared light is incident on the gas to be measured, and the gas to be measured is determined based on the attenuation of intensity in a specified infrared wavelength band. It measures the concentration of the component. For example, when measuring carbon dioxide, the amount of transmission of infrared rays near 4.25 μm may be measured.
【０００４】図３は、ＮＤＩＲガス分析計の構成図であ
る。図３において、ＮＤＩＲガス分析計は、セル１００
と、赤外線光源１０１と、波長選択フィルタ１０２と、
赤外線検出器１０３と、赤外線検出器の信号を処理する
信号処理回路（図示しない）とから構成されている。FIG. 3 is a configuration diagram of an NDIR gas analyzer. In FIG. 3, the NDIR gas analyzer is a cell 100
, An infrared light source 101, a wavelength selection filter 102,
It comprises an infrared detector 103 and a signal processing circuit (not shown) for processing the signal of the infrared detector.
【０００５】セル１００の内部には被測定ガスが供給さ
れ、赤外線光源から放射されて被測定ガスに照射された
赤外光は、波長選択フィルタ１０２に入射する。そし
て、被測定ガスの吸収特性に対応した波長帯域近傍の赤
外光が波長選択フィルタ１０２を透過し、赤外線検出器
１０３により検出され、信号処理回路は、赤外線検出器
１０３からの信号に基づいて被測定ガスの濃度を算出す
る。A gas to be measured is supplied into the cell 100, and infrared light emitted from an infrared light source and applied to the gas to be measured enters a wavelength selection filter 102. Then, infrared light in the vicinity of the wavelength band corresponding to the absorption characteristic of the gas to be measured passes through the wavelength selection filter 102 and is detected by the infrared detector 103, and the signal processing circuit performs the processing based on the signal from the infrared detector 103. Calculate the concentration of the gas to be measured.
【０００６】図４（ａ）は、従来の赤外線光源の平面図
であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示した赤外線光源
のＡ−Ａ‘断面図である。図４（ａ），（ｂ）におい
て、赤外線光源は、シリコン基板１０に形成された堀１
１の両端に、マイクロブリッジ状のフィラメント１２が
固定されるように形成されている。FIG. 4A is a plan view of a conventional infrared light source, and FIG. 4B is a cross-sectional view of the infrared light source shown in FIG. 4A and 4B, an infrared light source is a moat 1 formed on a silicon substrate 10.
Micro-bridge-shaped filaments 12 are formed at both ends of the wire 1.
【０００７】フィラメント１２は、シリコン基板１０上
に形成された二酸化シリコン１３の上に、ボロンが高濃
度にドープされた多結晶シリコン層１４を形成した後、
この多結晶シリコン層１４を直線状にパターニングする
ことによりその平面形状が形成されている。The filament 12 is formed by forming a polycrystalline silicon layer 14 heavily doped with boron on a silicon dioxide 13 formed on a silicon substrate 10.
The planar shape is formed by patterning the polycrystalline silicon layer 14 linearly.
【０００８】そして、シリコン基板１０の両面に形成さ
れた二酸化シリコン１３をマスクとして、フィラメント
１２下部のシリコン基板１０を異方性の濃度差エッチン
グして堀１１を形成することにより、直線状のフィラメ
ント１２が堀１１上の中空に浮き、その両端が堀１１の
両端に固定されたマイクロブリッジ構造を形成してい
る。Using the silicon dioxide 13 formed on both sides of the silicon substrate 10 as a mask, the silicon substrate 10 below the filament 12 is etched by anisotropic concentration difference to form a moat 11, thereby forming a linear filament. Numeral 12 floats in a hollow above moat 11, and both ends thereof form a microbridge structure fixed to both ends of moat 11.
【０００９】そして、多結晶シリコン層１４上に形成さ
れた二酸化シリコン１５を窓開け加工した後、フィラメ
ント１１に通電可能に電極１６ａ，１６ｂを形成し、こ
の電極１６ａ，１６ｂを介してフィラメント１２に電流
を流すと、フィラメント１２は発熱しその温度に対応し
た赤外線を放出する。Then, after opening the silicon dioxide 15 formed on the polycrystalline silicon layer 14, windows 16a and 16b are formed so as to be able to conduct electricity to the filament 11, and the filament 12 is formed on the filament 12 via the electrodes 16a and 16b. When an electric current is applied, the filament 12 generates heat and emits infrared rays corresponding to the temperature.
【００１０】このような赤外線光源は、熱応答特性が高
速であると共に、赤外線放射率が高く、簡単な駆動回路
で駆動することができる。また、その製造においては、
半導体製造プロセスを使用するので、高性能な赤外線光
源を低コストに大量生産することができる。Such an infrared light source has a high thermal response characteristic, a high infrared emissivity, and can be driven by a simple driving circuit. In its manufacture,
Since a semiconductor manufacturing process is used, a high-performance infrared light source can be mass-produced at low cost.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような赤
外線光源においては、次のような問題点があった。フィ
ラメント１２を形成している多結晶シリコンは、結晶粒
界の移動、結晶粒の成長といった経時変化を発生させ
る。従って、時間の経過により、フィラメント１２の抵
抗値などの物性値が変化してしまい、投入電力と赤外線
強度の関係が経時変化することとなり、長期に渡って光
源として安定した動作を確保できない。However, such an infrared light source has the following problems. The polycrystalline silicon forming the filament 12 causes a temporal change such as movement of a crystal grain boundary and growth of a crystal grain. Therefore, the physical property value such as the resistance value of the filament 12 changes with the passage of time, and the relationship between the input power and the infrared intensity changes over time, so that a stable operation as a light source cannot be secured for a long time.
【００１２】フィラメント１２を形成する多結晶シリコ
ン層１４には、イオン注入もしくは熱拡散によって不純
物が高濃度にドープされ、フィラメント１２は、ドープ
された不純物の濃度プロファイルに応じて濃度差エッチ
ングされる。The polycrystalline silicon layer 14 forming the filament 12 is heavily doped with impurities by ion implantation or thermal diffusion, and the filament 12 is subjected to concentration difference etching according to the concentration profile of the doped impurity.
【００１３】濃度差エッチングは、不純物濃度差により
シリコンのエッチング速度が異なることを利用するもの
で、濃度の低い部分はエッチングされ、濃度の高い部分
はエッチングされずに残るものである。The concentration difference etching utilizes the fact that the etching rate of silicon varies depending on the impurity concentration difference. The low concentration portion is etched, and the high concentration portion remains without being etched.
【００１４】従って、フィラメント１２の厚さは、多結
晶シリコン層１４の不純物濃度プロファイルに依存する
ことになるが、その製造においては、この不純物濃度プ
ロファイルを再現性良く、厳密に一定に制御することは
困難であり、フィラメント１２の厚さがばらついてしま
い、投入電力と光源の強度の関係が一定である光源を安
定して製造することが困難である。Therefore, the thickness of the filament 12 depends on the impurity concentration profile of the polycrystalline silicon layer 14. In the manufacture thereof, the impurity concentration profile must be controlled with good reproducibility and strictly constant. Is difficult, the thickness of the filament 12 varies, and it is difficult to stably manufacture a light source in which the relationship between the input power and the intensity of the light source is constant.
【００１５】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたものであり、ＳＯＩ基板を使用してフィラメン
トを形成することにより、経時変化が極めて少なく、投
入電力と光源強度の関係のばらつき等の固体差が小さい
赤外線光源を安定して製造することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. By forming a filament using an SOI substrate, the change with time is extremely small, and the variation in the relationship between the input power and the light source intensity is improved. An object of the present invention is to stably produce an infrared light source having a small solid-state difference.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１におい
ては、基板にマイクロブリッジ状に形成されるフィラメ
ントを有し、このフィラメントに通電して発熱させるこ
とにより赤外線を発光させる赤外線光源において、前記
基板は、単結晶シリコン基板上に絶縁膜を介して単結晶
シリコン層が形成されたＳＯＩ基板であり、前記フィラ
メントは、前記単結晶シリコン層をエッチングすること
によりパターニングされ、その下部の前記単結晶シリコ
ン基板をエッチングすることにより前記マイクロブリッ
ジ状に形成されることを特徴とする赤外線光源である。According to a first aspect of the present invention, there is provided an infrared light source which has a filament formed in a microbridge shape on a substrate, and emits infrared light by energizing the filament to generate heat. The substrate is an SOI substrate in which a single-crystal silicon layer is formed on a single-crystal silicon substrate via an insulating film, and the filament is patterned by etching the single-crystal silicon layer. An infrared light source characterized by being formed in the microbridge shape by etching a crystalline silicon substrate.
【００１７】本発明の請求項２においては、単結晶シリ
コン基板上に絶縁膜を介して単結晶シリコン層が形成さ
れたＳＯＩ基板を準備する工程と、前記単結晶シリコン
層をフォトエッチングしてフィラメントを形成する工程
と、このフィラメントの下部の前記単結晶シリコン基板
をエッチングすることにより、前記フィラメントをマイ
クロブリッジ状とする工程と、を具備することを特徴と
する赤外線光源の製造方法である。According to a second aspect of the present invention, there is provided a step of preparing an SOI substrate having a single crystal silicon layer formed on a single crystal silicon substrate via an insulating film, and a step of photo-etching the single crystal silicon layer to obtain a filament. And a step of etching the single-crystal silicon substrate below the filament to form the filament into a microbridge shape.
【００１８】本発明の請求項３においては、被測定ガス
に赤外線を照射する光源と、この光源からの赤外線を波
長選択的に透過させる波長選択フィルタと、この波長選
択フィルタを透過した赤外線を検出する赤外線検出器と
を有し、前記赤外線検出器の出力に基づいて前記被測定
ガスの濃度を測定する赤外線ガス分析計において、前記
光源として、請求項１記載の赤外線光源を使用するよう
にしたことを特徴とする赤外線ガス分析計である。According to a third aspect of the present invention, there is provided a light source for irradiating an infrared ray to a gas to be measured, a wavelength selection filter for selectively transmitting the infrared ray from the light source, and an infrared ray transmitted through the wavelength selection filter. An infrared detector for measuring the concentration of the gas to be measured based on the output of the infrared detector, wherein the infrared light source according to claim 1 is used as the light source. An infrared gas analyzer characterized by the following.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を用いて説明する。尚、以下の図面において、図４と
重複する部分は同一番号を付してその説明は適宜に省略
する。図１（ａ）は本発明の実施例の平面図であり、図
１（ｂ）は、図１（ａ）に示した赤外線光源のＡ−Ａ
‘断面図である。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same parts as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. FIG. 1A is a plan view of an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view of the infrared light source shown in FIG.
FIG.
【００２０】図１（ａ），（ｂ）において、ＳＯＩ基板
１は、単結晶シリコン基板２上に絶縁膜としての二酸化
シリコン３を介して単結晶シリコン層４が形成されたも
のである。単結晶シリコン基板２は、面方位を[１００]
とする単結晶シリコンで、単結晶シリコン層４は不純物
濃度の高いＰ型のシリコンである。1A and 1B, an SOI substrate 1 has a single crystal silicon layer 4 formed on a single crystal silicon substrate 2 via a silicon dioxide 3 as an insulating film. The single crystal silicon substrate 2 has a plane orientation of [100].
The single crystal silicon layer 4 is P-type silicon having a high impurity concentration.
【００２１】フィラメント５は、単結晶シリコン層４を
フォトエッチングすることにより所望の平面形状にパタ
ーニングされる。尚、図１（ａ）においては、フィラメ
ント５は直線状となっているが、温度変化によりフィラ
メントに加わる応力を分散させてフィラメントの寿命を
長くる目的で、または赤外線の放射面積を大きくする目
的で、複数の直線部が折り返されたミアンダ型、スパイ
ラル型等の任意の形状とすることができる。The filament 5 is patterned into a desired planar shape by photo-etching the single-crystal silicon layer 4. In FIG. 1A, the filament 5 has a linear shape, but the purpose is to extend the life of the filament by dispersing the stress applied to the filament due to temperature change, or to increase the infrared radiation area. Thus, an arbitrary shape such as a meander type or a spiral type in which a plurality of straight portions are folded back can be obtained.
【００２２】そして、フィラメント５下部の二酸化シリ
コン３をフォトエッチングにより四角形状に除去し、そ
の二酸化シリコン３が除去された部分の単結晶シリコン
基板２を異方性の濃度差エッチングを行うことにより堀
６を形成し、フィラメント５は、堀６の両端に固定され
て堀６上の中空に浮いたマイクロブリッジ状に形成され
る。Then, the silicon dioxide 3 under the filament 5 is removed in a rectangular shape by photoetching, and the portion of the single crystal silicon substrate 2 from which the silicon dioxide 3 has been removed is etched by anisotropic concentration difference etching. 6, and the filaments 5 are fixed to both ends of the moat 6, and are formed in a microbridge shape floating in the air above the moat 6.
【００２３】濃度差エッチングは、濃度差によりシリコ
ンのエッチング速度が異なるアルカリ系の溶液として、
例えば、ＫＯＨを使用して単結晶シリコン基板２を異方
性エッチングすることにより行なわれる。この場合、フ
ィラメント５は不純物濃度の高い単結晶シリコン層４に
より形成されているので、濃度差エッチングによってエ
ッチングされずに残ることとなる。In the concentration difference etching, an alkaline solution having a different silicon etching rate depending on the concentration difference is used.
For example, the single crystal silicon substrate 2 is anisotropically etched using KOH. In this case, since the filament 5 is formed by the single crystal silicon layer 4 having a high impurity concentration, the filament 5 remains without being etched by the concentration difference etching.
【００２４】尚、濃度差エッチングを単結晶シリコン基
板２の裏面より行い、図３に示すように堀６が単結晶シ
リコン基板２を完全に貫通するような構造としても良
い。The structure may be such that concentration difference etching is performed from the back surface of the single crystal silicon substrate 2 so that the moat 6 completely penetrates the single crystal silicon substrate 2 as shown in FIG.
【００２５】そして、単結晶シリコン層４上に形成され
た二酸化シリコン８を孔開け加工した後、電極７ａ，７
ｂをフィラメント５に通電可能に形成し、電極７ａ，７
ｂを介してフィラメント５に電流を流すと、フィラメン
ト５は発熱し、その温度に対応した赤外線を放出する。After the silicon dioxide 8 formed on the single crystal silicon layer 4 is punched, the electrodes 7a, 7
b is formed so as to be able to conduct electricity to the filament 5, and the electrodes 7a, 7
When an electric current is applied to the filament 5 via b, the filament 5 generates heat and emits infrared rays corresponding to the temperature.
【００２６】シリコンの単結晶には結晶粒が存在しない
ため、単結晶シリコン層４によって形成されたフィラメ
ント５の物理特性は安定している。また、フィラメント
５の膜厚はＳＯＩ基板１の単結晶シリコン層４の厚さに
よって決定されるので極めて安定している。従って、経
時変化が極めて少なく、投入電力と光源強度の関係のば
らつき等の固体差が小さい赤外線光源を安定して製造す
ることができる。Since the single crystal of silicon has no crystal grains, the physical characteristics of the filament 5 formed by the single crystal silicon layer 4 are stable. The thickness of the filament 5 is determined by the thickness of the single crystal silicon layer 4 of the SOI substrate 1 and is therefore extremely stable. Therefore, it is possible to stably manufacture an infrared light source that has a very small change with time and a small individual difference such as a variation in the relationship between the input power and the light source intensity.
【００２７】尚、外部より購入するＳＯＩ基板１の単結
晶シリコン層４の不純物濃度が、フィラメント５として
使用できる濃度である場合は、そのまま単結晶シリコン
層４をフィラメント５の材料とすれば良いが、単結晶シ
リコン層４の濃度をより高くしたい場合は、イオン注入
や熱拡散によって単結晶シリコン層４に不純物をドープ
し、所望の不純物濃度とすることが可能である。この場
合、不純物は、ＳＯＩ基板１の二酸化シリコン３によっ
てマスクされて単結晶シリコン基板２にドープされるこ
とはない。When the impurity concentration of the single crystal silicon layer 4 of the SOI substrate 1 purchased from the outside is a concentration that can be used as the filament 5, the single crystal silicon layer 4 may be used as the material of the filament 5 as it is. If it is desired to increase the concentration of the single crystal silicon layer 4, the single crystal silicon layer 4 can be doped with impurities by ion implantation or thermal diffusion to obtain a desired impurity concentration. In this case, the impurity is not masked by silicon dioxide 3 of SOI substrate 1 and is not doped into single crystal silicon substrate 2.
【００２８】そして、被測定ガスに赤外線を照射する光
源と、この光源からの所望の波長の赤外線を選択して透
過させる波長選択フィルタと、この波長選択フィルタを
透過した赤外線を検出する赤外線検出器とを有し、赤外
線検出器の出力に基づいて被測定ガスの濃度を測定する
赤外線ガス分析計において、光源として上述のような赤
外線光源使用した場合は、経時変化が極めて少なく、投
入電力と光源強度の関係が安定した赤外線ガス分析計を
実現できる。A light source for irradiating the gas to be measured with infrared light, a wavelength selection filter for selecting and transmitting infrared light of a desired wavelength from the light source, and an infrared detector for detecting infrared light transmitted through the wavelength selection filter In the infrared gas analyzer that measures the concentration of the gas to be measured based on the output of the infrared detector, when the above-mentioned infrared light source is used as the light source, the change with time is extremely small, and the input power and the light source An infrared gas analyzer with a stable intensity relationship can be realized.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
によれば、フィラメントはＳＯＩ基板の単結晶シリコン
層を使用して形成されるので、経時変化が極めて少な
く、投入電力と光源強度の関係のばらつき等の固体差が
小さい赤外線光源を提供することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention,
According to the present invention, since the filament is formed using the single crystal silicon layer of the SOI substrate, it is possible to provide an infrared light source that has a very small change with time and a small individual difference such as a variation in the relationship between the input power and the light source intensity. it can.
【００３０】請求項２によれば、フィラメントをＳＯＩ
基板の単結晶シリコン層を使用して形成するようにした
ので、経時変化が極めて少なく、投入電力と光源の強度
の関係のばらつき等の固体差の小さい赤外線光源を安定
して製造することができる赤外線光源の製造方法を提供
することができる。According to the second aspect, the filament is made of SOI
Since the single-crystal silicon layer of the substrate is used to form the infrared light source, the change over time is extremely small, and an infrared light source having a small solid-state difference such as a variation in the relationship between the applied power and the light source intensity can be stably manufactured. A method for manufacturing an infrared light source can be provided.
【００３１】請求項３によれば、請求項１記載の赤外線
光源を使用するようにしたので、経時変化が極めて少な
く、投入電圧と光源強度の関係が安定した赤外線ガス分
析計を提供することができる。According to the third aspect, since the infrared light source according to the first aspect is used, it is possible to provide an infrared gas analyzer which has a very small change with time and a stable relationship between the input voltage and the light source intensity. it can.
【００３２】[0032]
【図１】本発明の第一実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第二実施例の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the present invention.
【図３】ＮＤＩＲガス分析計の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of an NDIR gas analyzer.
【図４】従来の赤外線光源の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional infrared light source.
１ ＳＯＩ基板 ２ 単結晶シリコン基板 ３ 二酸化シリコン ４ 単結晶シリコン層 ５ フィラメント DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 SOI substrate 2 Single crystal silicon substrate 3 Silicon dioxide 4 Single crystal silicon layer 5 Filament
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G059 AA01 BB01 CC20 GG00 GG02 HH01 JJ02 KK01 2G065 AA04 AB02 AB18 AB23 AB30 BA14 CA25 DA05 DA15 5F043 AA02 BB02 DD20 DD30 FF02 GG10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2G059 AA01 BB01 CC20 GG00 GG02 HH01 JJ02 KK01 2G065 AA04 AB02 AB18 AB23 AB30 BA14 CA25 DA05 DA15 5F043 AA02 BB02 DD20 DD30 FF02 GG10
Claims (3)
フィラメントを有し、このフィラメントに通電して発熱
させることにより赤外線を発光させる赤外線光源におい
て、 前記基板は、単結晶シリコン基板上に絶縁膜を介して単
結晶シリコン層が形成されたＳＯＩ基板であり、 前記フィラメントは、前記単結晶シリコン層をエッチン
グすることによりパターニングされ、その下部の前記単
結晶シリコン基板をエッチングすることにより前記マイ
クロブリッジ状に形成されることを特徴とする赤外線光
源。1. An infrared light source that has a filament formed in a microbridge shape on a substrate and emits infrared light by energizing the filament to generate heat, wherein the substrate has an insulating film formed on a single crystal silicon substrate. An SOI substrate on which a single-crystal silicon layer is formed, wherein the filament is patterned by etching the single-crystal silicon layer, and etched into the micro-bridge shape by etching the single-crystal silicon substrate thereunder. An infrared light source characterized by being formed.
単結晶シリコン層が形成されたＳＯＩ基板を準備する工
程と、 前記単結晶シリコン層をフォトエッチングしてフィラメ
ントを形成する工程と、 このフィラメントの下部の前記単結晶シリコン基板をエ
ッチングすることにより、前記フィラメントをマイクロ
ブリッジ状とする工程と、を具備することを特徴とする
赤外線光源の製造方法。A step of preparing an SOI substrate in which a single crystal silicon layer is formed over a single crystal silicon substrate via an insulating film; a step of photoetching the single crystal silicon layer to form a filament; Etching the single crystal silicon substrate below the filament to make the filament into a microbridge shape.
この光源からの赤外線を波長選択的に透過させる波長選
択フィルタと、この波長選択フィルタを透過した赤外線
を検出する赤外線検出器とを有し、前記赤外線検出器の
出力に基づいて前記被測定ガスの濃度を測定する赤外線
ガス分析計において、 前記光源として、請求項１記載の赤外線光源を使用する
ようにしたことを特徴とする赤外線ガス分析計。3. A light source for irradiating an infrared ray to a gas to be measured,
A wavelength selection filter that selectively transmits infrared light from the light source, and an infrared detector that detects infrared light that has passed through the wavelength selection filter, based on an output of the infrared detector, An infrared gas analyzer for measuring a concentration, wherein the infrared light source according to claim 1 is used as the light source.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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ID=18555783
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000030821A Pending JP2001221737A (en) | 2000-02-08 | 2000-02-08 | Infrared light source, its manufacturing method, and infrared gas analyzer |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006331752A (en) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Infrared-ray emitting element |
| US7323687B2 (en) | 2004-10-26 | 2008-01-29 | Yokogawa Electric Corporation | infrared gas analyzer and infrared gas analysis method |
| EP2056337A2 (en) | 2007-10-30 | 2009-05-06 | Yokogawa Electric Corporation | Infrared light source |
| JP2010145296A (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Infrared radiation element and method of manufacturing the same |
| WO2010150787A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | パナソニック電工株式会社 | Infrared gas detector and infrared gas measuring device |
| JP2011123057A (en) * | 2009-11-18 | 2011-06-23 | Fraunhofer-Ges Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev | Radiation generation device for generating electromagnetic radiation having an adjustable spectral composition, and method of producing the same |
| JP2011169778A (en) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Yokogawa Electric Corp | Thermal conductivity detector |
| DE102005002208B4 (en) * | 2004-01-22 | 2013-05-23 | Denso Corporation | Infrared light source and infrared gas sensor containing the infrared light source |
| JP7456903B2 (en) | 2020-09-18 | 2024-03-27 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Light receiving/emitting device |
-
2000
- 2000-02-08 JP JP2000030821A patent/JP2001221737A/en active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005002208B4 (en) * | 2004-01-22 | 2013-05-23 | Denso Corporation | Infrared light source and infrared gas sensor containing the infrared light source |
| US7323687B2 (en) | 2004-10-26 | 2008-01-29 | Yokogawa Electric Corporation | infrared gas analyzer and infrared gas analysis method |
| DE102005049175B4 (en) * | 2004-10-26 | 2009-01-29 | Yokogawa Electric Corp., Musashino | Infrared gas analyzer and infrared gas analysis method |
| JP2006331752A (en) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Infrared-ray emitting element |
| EP2056337A2 (en) | 2007-10-30 | 2009-05-06 | Yokogawa Electric Corporation | Infrared light source |
| JP2010145296A (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Infrared radiation element and method of manufacturing the same |
| WO2010150787A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | パナソニック電工株式会社 | Infrared gas detector and infrared gas measuring device |
| CN102575983A (en) * | 2009-06-25 | 2012-07-11 | 松下电器产业株式会社 | Infrared gas detector and infrared gas measuring device |
| KR101311322B1 (en) | 2009-06-25 | 2013-09-25 | 파나소닉 주식회사 | Infrared gas detector and infrared gas measuring device |
| JP2011123057A (en) * | 2009-11-18 | 2011-06-23 | Fraunhofer-Ges Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev | Radiation generation device for generating electromagnetic radiation having an adjustable spectral composition, and method of producing the same |
| JP2011169778A (en) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Yokogawa Electric Corp | Thermal conductivity detector |
| JP7456903B2 (en) | 2020-09-18 | 2024-03-27 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Light receiving/emitting device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
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|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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