JP2001212796A - Laser machining method - Google Patents

Laser machining method

Info

Publication number
JP2001212796A
JP2001212796A JP2000025904A JP2000025904A JP2001212796A JP 2001212796 A JP2001212796 A JP 2001212796A JP 2000025904 A JP2000025904 A JP 2000025904A JP 2000025904 A JP2000025904 A JP 2000025904A JP 2001212796 A JP2001212796 A JP 2001212796A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
light
processing method
workpiece
energy density
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000025904A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Jun Koide
小出  純
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000025904A priority Critical patent/JP2001212796A/en
Priority to US09/770,463 priority patent/US6555783B2/en
Publication of JP2001212796A publication Critical patent/JP2001212796A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser machining method capable of realizing a fine three-dimensional structure by a simple machining process without using a complicated machining process such as a lithography process. SOLUTION: Laser light from a laser oscillator for continuously radiating optical pulses having the spatial and temporal large energy density at the pulse emitting time not more than 1 picosecond is radiated to a workpiece of a multilayer structure having the different wave length absorptance in a specified pattern and with specified energy density, and the workpiece is machined.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
被加工物に構造を形成するレーザ加工方法に関するもの
である。また、さらにはマイクロマシン、またはICお
よびダイオードデバイス等の材料の微細加工に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing method for forming a structure on a workpiece using a laser beam. The present invention also relates to micromachining of materials such as micromachines, ICs and diode devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、異材料が各層に積層されてなる多
層構造の被加工物を、サブミクロンから10ミクロンオ
ーダーの微細な三次元構造体を加工する手段としては、
通常、リソグラフィープロセスが用いられる。これによ
ると、複数積層された異材料の各層に対してそれぞれ、
レジストコート、レジストパターニング露光、レジスト
現像、レジストパターンを利用したエッチング、レジス
トアッシング等の一連のプロセスを踏んで構造体を加工
する方法が採られる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a means for processing a multi-layered workpiece in which different materials are laminated on each layer into a fine three-dimensional structure on the order of submicron to 10 micron,
Usually, a lithography process is used. According to this, for each layer of a plurality of different materials,
A method of processing a structure through a series of processes such as resist coating, resist patterning exposure, resist development, etching using a resist pattern, and resist ashing is employed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サブミ
クロンから10ミクロンオーダーの微細な三次元構造体
を加工するに際して、上記したリソグラフィープロセス
による場合には、加工工程が複雑となることから、タク
トタイムに対してコスト的な問題点が生じ、また生産設
備投資が膨大になるといった問題点がある。
However, when processing a fine three-dimensional structure on the order of submicrons to 10 microns, the above-described lithography process complicates the processing steps, so that the tact time is reduced. On the other hand, there is a problem of cost, and there is a problem that investment in production equipment becomes enormous.

【0004】そこで、本発明は、上記課題を解決し、リ
ソグラフィープロセスのような複雑な加工プロセスを用
いることなく、微細な三次元構造体をシンプルで簡易な
加工工程で実現できるレーザ加工方法を提供することを
目的とするものである。
Accordingly, the present invention solves the above problems and provides a laser processing method capable of realizing a fine three-dimensional structure with a simple and simple processing step without using a complicated processing process such as a lithography process. It is intended to do so.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、つぎの(1)〜(5)のように構成した
レーザ加工方法を提供するものである。 (1)1ピコ秒以下のパルス放射時間で空間的時間的な
エネルギー密度の大きい光パルスを連続放射するレーザ
発振器からのレーザ光を、前記レーザ光の波長吸収率が
異なる多層構造の被加工物に、所定パターン、所定エネ
ルギー密度にて照射し、前記被加工物を加工することを
特徴とするレーザ加工方法。 (2)前記多層構造の被加工物は、前記レーザ光の光波
長において半透明であって光吸収率の異なる材料を複数
積層または接合してなるプレートまたは構造体であるこ
とを特徴とする上記(1)に記載のレーザ加工方法。 (3)前記光パルスは、その光強度分布がガウシアンビ
ームであることを特徴とする上記(1)または(2)の
いずれかに記載のレーザ加工方法。 (4)前記レーザ発振器は、光伝播の空間圧縮装置を有
しているレーザ発振器であることを特徴とする上記
(1)〜(3)のいずれかに記載のレーザ加工方法。 (5)前記光伝播の空間圧縮装置は、チャープドパルス
を生成する手段と光波長分散特性を利用した縦モード同
期手段を有することを特徴とする上記(4)に記載のレ
ーザ加工方法。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a laser processing method configured as described in the following (1) to (5) in order to solve the above-mentioned problems. (1) A laser beam from a laser oscillator that continuously emits a light pulse having a large spatial and temporal energy density with a pulse emission time of 1 picosecond or less is used for processing a multi-layer workpiece having a different wavelength absorptivity of the laser light. And irradiating the workpiece with a predetermined pattern and a predetermined energy density to process the workpiece. (2) The workpiece having the multilayer structure is a plate or a structure formed by laminating or joining a plurality of materials that are translucent at the light wavelength of the laser light and have different light absorptivity. The laser processing method according to (1). (3) The laser processing method according to any one of (1) and (2), wherein the light pulse has a light intensity distribution of a Gaussian beam. (4) The laser processing method according to any one of (1) to (3), wherein the laser oscillator is a laser oscillator having a spatial compression device for light propagation. (5) The laser processing method according to the above (4), wherein the spatial compression device for light propagation has a means for generating a chirped pulse and a longitudinal mode synchronization means using light wavelength dispersion characteristics.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】上記構成を用いた本発明の実施の
形態においては、1ピコ秒以下のパルス放射時間のレー
ザ光を出力するレーザ発振器から出力されたレーザ光
を、前記レーザ光の光波長において半透明であって光吸
収率の異なる材料を複数積層または接合してなるプレー
トまたは構造体に、所定パターン、所定エネルギー密度
にて照射し、前記プレートまたは構造体に構造を加工形
成することにより、レーザビームの光強度分布と、複合
化された各材料のレーザ光吸収率との関係により、各材
料のアブレーション加工閾値以上に光エネルギー密度が
与えられた部分を加工をすることができる。このことに
より、レーザ光束の照射光強度分布パターンと、照射す
るレーザ光のエネルギー密度と、照射レーザ光波長の光
吸収率の異なる材料の配置を目的に応じて設計すること
によって、様々な三次元形状の構造体の微細加工が可能
となる。また、このレーザ加工方法を用いて微細三次元
構造であるインクジェット記録ヘッドのインク通路構造
等の加工に応用することも可能である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the embodiment of the present invention using the above configuration, a laser beam output from a laser oscillator which outputs a laser beam having a pulse emission time of 1 picosecond or less is used as the light of the laser beam. Irradiating a plate or a structure formed by laminating or joining a plurality of materials having different light absorptances that are translucent at a wavelength with a predetermined pattern and a predetermined energy density to process and form a structure on the plate or the structure. Accordingly, a portion having a light energy density equal to or higher than the ablation processing threshold of each material can be processed by the relationship between the light intensity distribution of the laser beam and the laser light absorptance of each compounded material. This enables various three-dimensional designs by designing the irradiation light intensity distribution pattern of the laser light flux, the energy density of the irradiation laser light, and the arrangement of materials having different light absorptivity of the irradiation laser light wavelength according to the purpose. Fine processing of a shaped structure becomes possible. Further, the laser processing method can be applied to processing of an ink passage structure of an ink jet recording head having a fine three-dimensional structure.

【0007】なお、ここで用いられる上述したレーザ
は、「次世代光テクノロジー集成」(平成4年(株)オ
プトロニクス社発行、第1部要素技術;超短光パルスの
発生と圧縮、24頁〜31頁)等に記載されているいわ
ゆるフェムト秒レーザであり、このようなフェムト秒レ
ーザによると、時間的エネルギー密度がきわめて大き
く、またレーザ光の照射時間が非常に短いため、レーザ
光が熱エネルギーとして被加工物内を拡散する前に昇華
アブレーション加工プロセスを終了させることが可能と
なる。
[0007] The above-mentioned laser used here is called "Next Generation Optical Technology" (published in 1992 by Optronics Co., Ltd., part 1 element technology; generation and compression of ultrashort light pulses, page 24 to). 31), and the like. According to such a femtosecond laser, the temporal energy density is extremely large, and the irradiation time of the laser light is very short. As a result, the sublimation ablation process can be completed before diffusing in the workpiece.

【0008】すなわち、例えば、材料をアブレーション
加工するためには、例えば樹脂材料であるポリサルフォ
ンを加工する場合、約15メガワット/cm2のエネル
ギー密度の吸収がアブレーション加工閾値となってお
り、レーザ光の吸収率が0.1%程度であると、照射す
るレーザ光に要求されるエネルギー密度は約15ギガワ
ット/cm2となる。このように非常に高いエネルギー
の集中が必要であるため、通常のYAGレーザ等では出
力が不足であって、1ピコ秒以下のパルス放射時間で発
振するレーザを用いて、時間的エネルギー密度を飛躍的
に増加させる必要がある。(汎用的に市販されているフ
ェムト秒レーザ発振器には、パルス放射時間が150フ
ェムト秒以下、パルス当りの光エネルギーが800マイ
クロジュールのものが存在する。即ち放射レーザ光のエ
ネルギー密度は発振パルスにおいて約5.3ギガワット
のレベルとなる。0.35cm2の領域に集光すれば1
5ギガワット/cm2のエネルギー密度に達する) また、微細加工する構造体の加工形状を高精度できれい
に加工するためには、レーザ光の熱吸収による変形およ
び融解が発生することを避けるために、レーザの照射時
間が非常に短い、1ピコ秒以下のパルス放射時間で発振
するレーザを用いて、照射レーザ光が熱エネルギーとし
て被加工物内を拡散する前に昇華加工プロセスが終了す
るといった特性を用いている。
That is, for example, in the case of processing a material such as polysulfone, which is a resin material, the absorption of an energy density of about 15 megawatt / cm 2 is the ablation processing threshold value, When the absorptance is about 0.1%, the energy density required for the laser light to be irradiated is about 15 GW / cm 2 . Since such a very high energy concentration is required, the output is insufficient with a normal YAG laser or the like, and the temporal energy density is increased by using a laser that oscillates with a pulse emission time of 1 picosecond or less. Needs to be increased. (Some commercially available femtosecond laser oscillators have a pulse emission time of 150 femtoseconds or less and a light energy of 800 microjoules per pulse. That is, the energy density of the emitted laser light is It will be about 5.3 gigawatts level, and it will be 1 if focused on 0.35 cm 2 area.
(The energy density reaches 5 gigawatts / cm 2 ) In addition, in order to precisely and precisely process the processed shape of the structure to be finely processed, in order to avoid deformation and melting due to heat absorption of laser light, Using a laser whose laser irradiation time is very short and oscillates with a pulse emission time of 1 picosecond or less, the sublimation process is completed before the irradiated laser beam diffuses inside the workpiece as thermal energy. Used.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。まず図1を用いて、本発明の加工方法の概要を説
明する。極短パルス放射時間(1ピコ秒以下)でレーザ
光を放射する不図示のレーザ発振器から放射されたガウ
シアンビーム強度プロファイルのレーザ光1を多層構造
からなる被加工物のレーザ光波長吸収率が約5%に着色
されたポリサルフォン層であるA層2の表面に照射す
る。このことによって、レーザ光は、A層2の表面で約
5%フレネル反射を受け、A層2に5%のエネルギーを
吸収され、残りの90%のレーザ光は、レーザ光波長吸
収率が約20%に着色されたポリサルフォン層であるB
層に転送される。次にB層で最初の照射レーザエネルギ
ーに対して90%×20%=18%を吸収され、残りの
90%×80%=72%のレーザ光は、レーザ光波長吸
収率が約50%に着色されたポリサルフォン層であるC
層に転送される。次にC層で最初の照射レーザエネルギ
ーに対して72%×50%=36%を吸収され、残りの
72%×50%=36%のレーザ光は、レーザ光波長吸
収率が約30%に着色されたポリサルフォン層であるD
層に転送される。最後に、D層で最初の照射レーザエネ
ルギーに対して36%×30%=11%を吸収され、残
りの36%×70%=25%のレーザ光は、被加工物全
体を通過する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the outline of the processing method of the present invention will be described with reference to FIG. The laser beam 1 having a Gaussian beam intensity profile emitted from a laser oscillator (not shown) that emits a laser beam in an ultrashort pulse emission time (1 picosecond or less) has a laser beam wavelength absorptance of a multi-layered workpiece. Irradiation is performed on the surface of layer A 2 which is a polysulfone layer colored to 5%. As a result, the laser beam is subjected to about 5% Fresnel reflection on the surface of the A layer 2 and the A layer 2 absorbs 5% of the energy, and the remaining 90% of the laser beam has a laser beam wavelength absorptivity of about 5%. B, a polysulfone layer colored to 20%
Transferred to layer. Next, the B layer absorbs 90% × 20% = 18% of the first irradiation laser energy, and the remaining 90% × 80% = 72% of the laser light has a laser light wavelength absorption rate of about 50%. C, a colored polysulfone layer
Transferred to layer. Next, the C layer absorbs 72% × 50% = 36% of the initial irradiation laser energy, and the remaining 72% × 50% = 36% of the laser light has a laser light wavelength absorption rate of about 30%. D, a colored polysulfone layer
Transferred to layer. Finally, the D layer absorbs 36% × 30% = 11% of the initial irradiation laser energy, and the remaining 36% × 70% = 25% of the laser light passes through the entire workpiece.

【0010】したがって、A層、B層、C層、D層の各
層に吸収されるレーザ光のエネルギーは、それぞれ、最
初の照射レーザエネルギーに対して5%、18%、36
%、11%となる。そこで、照射するレーザ光のパルス
照射エネルギー密度を、約300(=15÷0.05)
メガワット/cm2に設定して、ガウシアンビーム強度
プロファイルで照射してあげることによって、A層、B
層、C層、D層の各層に吸収されるレーザ光の平均エネ
ルギー密度はそれぞれ約15メガワット/cm 2、約5
4メガワット/cm2、約108メガワット/cm2、約
33メガワット/cm2となり、ガウシアンビーム強度
プロファイルで照射している事によって、ポリサルフォ
ン樹脂のアブレーション加工閾値は約15メガワット/
cm2のエネルギー密度であるため、アブレーション閾
値以上のエネルギー密度が照射される領域は、A層、D
層、B層、C層の順に広くなる、即ち、図2に示すよう
な、形状で加工が行われることとなる。
Therefore, each of the A layer, the B layer, the C layer, and the D layer
The energy of the laser light absorbed by the layers is
5%, 18%, 36% of first irradiation laser energy
%, 11%. Therefore, the pulse of the laser light to be irradiated
Irradiation energy density is about 300 (= 15 ÷ 0.05)
Megawatt / cmTwoSet to Gaussian beam intensity
By irradiating with profile, A layer, B layer
Energy of the laser light absorbed by each of the layers C, D and D
Lug density is about 15MW / cm each Two, About 5
4 MW / cmTwo, About 108 MW / cmTwo,about
33 MW / cmTwoAnd the Gaussian beam intensity
By irradiating with profile, polysulfur
The ablation threshold of resin is about 15MW /
cmTwoAblation threshold
The area irradiated with the energy density not less than the value is the layer A, D
Layer, B layer, and C layer in this order, that is, as shown in FIG.
The processing is performed in a proper shape.

【0011】以上の説明から明らかなように、本実施例
によるとレーザ光に対する光吸収率の異なる複数の所定
層状構成の材料に対して、所定のレーザビーム強度プロ
ファイル、所定レーザ照射エネルギー密度のレーザ光を
照射することによって、様々な形状の三次元立体構造加
工を行うことができる。つまり、様々な形状の加工は、
レーザ光に対する光吸収率の異なる材料の配置、配置構
成、レーザビーム強度プロファイル、レーザ照射エネル
ギー密度の各パラメータの設計事項であり、容易に実現
できることは言うまでも無い。また、被加工物は単純な
層状構成にこだわる必要は無く、重なりの有無等自由な
材料の接合状態であってもかまわないものである。
As is apparent from the above description, according to the present embodiment, a laser beam having a predetermined laser beam intensity profile and a predetermined laser irradiation energy density is applied to a plurality of materials having a predetermined layered structure having different light absorptivity to laser light. By irradiating light, processing of three-dimensional three-dimensional structures of various shapes can be performed. In other words, processing of various shapes
This is a design item for each parameter of the arrangement and arrangement of materials having different light absorptivity to laser light, the laser beam intensity profile, and the laser irradiation energy density, and it goes without saying that it can be easily realized. In addition, the workpiece does not need to be limited to a simple layered structure, and may be in a bonded state of free materials such as the presence or absence of overlap.

【0012】[0012]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、レーザビームの照射光強度分布と、積み重ねられた
各材料のレーザ光吸収率との関係により、各材料のアブ
レーション加工閾値以上に光エネルギー密度が与えられ
た部分を加工することができ、レーザ光束の照射光強度
分布パターンと、照射レーザ光波長の光吸収率の異なる
積層する材料の配置を目的に応じて設計することによっ
て、様々な三次元形状の構造体の微細加工が可能とな
る。したがって、本発明によれば、単一の極短パルスレ
ーザ照射工程によって、つまり一工程によって複合材料
を加工して構造体を形成することができ、リソグラフィ
ープロセスのような複雑な加工プロセスを用いることな
く、微細な三次元構造体をシンプルで簡易な加工工程で
加工できるレーザ加工方法を実現することができる。
As described above, according to the present invention, the relation between the irradiation light intensity distribution of the laser beam and the laser light absorptivity of each of the stacked materials exceeds the ablation threshold of each material. By processing the part given the light energy density, the irradiation light intensity distribution pattern of the laser beam and the arrangement of the laminated materials with different light absorptance of the irradiation laser light wavelength are designed according to the purpose, Fine processing of various three-dimensionally shaped structures becomes possible. Therefore, according to the present invention, it is possible to form a structure by processing a composite material by a single ultrashort pulse laser irradiation step, that is, in one step, and to use a complicated processing process such as a lithography process. Instead, it is possible to realize a laser processing method capable of processing a fine three-dimensional structure in a simple and simple processing step.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例に係るレーザ加工方法を説明す
る図。
FIG. 1 is a diagram illustrating a laser processing method according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例に係るレーザ加工方法によって
加工された加工形状例。
FIG. 2 is an example of a processed shape processed by a laser processing method according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:レーザ光束 2:レーザ光波長吸収率約5%に着色されたポリサルフ
ォン層(A層) 3:レーザ光波長吸収率約20%に着色されたポリサル
フォン層(B層) 4:レーザ光波長吸収率約50%に着色されたポリサル
フォン層(C層) 5:レーザ光波長吸収率約30%に着色されたポリサル
フォン層(D層)
1: Laser light flux 2: Polysulfone layer (A layer) colored to a laser light wavelength absorption rate of about 5% 3: Polysulfone layer (B layer) colored to a laser light wavelength absorption rate of about 20% 4: Laser light wavelength absorption Polysulfone layer (C layer) colored at a rate of about 50% 5: Polysulfone layer (D layer) colored at a laser beam wavelength absorption rate of about 30%

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B41J 2/16 B41J 3/04 103H ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // B41J 2/16 B41J 3/04 103H

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】1ピコ秒以下のパルス放射時間で空間的時
間的なエネルギー密度の大きい光パルスを連続放射する
レーザ発振器からのレーザ光を、前記レーザ光の波長吸
収率が異なる多層構造の被加工物に、所定パターン、所
定エネルギー密度にて照射し、前記被加工物を加工する
ことを特徴とするレーザ加工方法。
1. A laser beam emitted from a laser oscillator which continuously emits a light pulse having a large spatial and temporal energy density with a pulse emission time of 1 picosecond or less is applied to a multilayer structure having different wavelength absorptivity of the laser light. A laser processing method comprising irradiating a workpiece with a predetermined pattern and a predetermined energy density to process the workpiece.
【請求項2】前記多層構造の被加工物は、前記レーザ光
の光波長において半透明であって光吸収率の異なる材料
を複数積層または接合してなるプレートまたは構造体で
あることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方
法。
2. The multi-layered workpiece is a plate or a structure formed by laminating or joining a plurality of materials that are translucent at the light wavelength of the laser beam and have different light absorptivity. The laser processing method according to claim 1.
【請求項3】前記光パルスは、その光強度分布がガウシ
アンビームであることを特徴とする請求項1または請求
項2に記載のレーザ加工方法。
3. The laser processing method according to claim 1, wherein the light pulse has a light intensity distribution of a Gaussian beam.
【請求項4】前記レーザ発振器は、光伝播の空間圧縮装
置を有しているレーザ発振器であることを特徴とする請
求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
4. The laser processing method according to claim 1, wherein said laser oscillator is a laser oscillator having a spatial compression device for light propagation.
【請求項5】前記光伝播の空間圧縮装置は、チャープド
パルスを生成する手段と光波長分散特性を利用した縦モ
ード同期手段を有することを特徴とする請求項4に記載
のレーザ加工方法。
5. The laser processing method according to claim 4, wherein said spatial compression device for light propagation has a means for generating a chirped pulse and a longitudinal mode synchronization means using a light wavelength dispersion characteristic.
JP2000025904A 2000-02-03 2000-02-03 Laser machining method Pending JP2001212796A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000025904A JP2001212796A (en) 2000-02-03 2000-02-03 Laser machining method
US09/770,463 US6555783B2 (en) 2000-02-03 2001-01-29 Laser processing method and laser processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000025904A JP2001212796A (en) 2000-02-03 2000-02-03 Laser machining method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001212796A true JP2001212796A (en) 2001-08-07

Family

ID=18551695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000025904A Pending JP2001212796A (en) 2000-02-03 2000-02-03 Laser machining method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001212796A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7518086B2 (en) 2004-03-19 2009-04-14 Ricoh Company, Ltd. Method and device for adjusting wavelength distribution pattern in laser

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7518086B2 (en) 2004-03-19 2009-04-14 Ricoh Company, Ltd. Method and device for adjusting wavelength distribution pattern in laser

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI403379B (en) Micromachining with short-pulsed, solid-state uv laser
US4839497A (en) Drilling apparatus and method
JP2007508946A (en) Laser processing of locally heated target materials
JP2000511113A (en) Method of using US laser pulses of different energy densities to form blind vias in multilayer targets
CN108235694A (en) Wherein laser has certain power density and/or the method and apparatus for being used to make surface laser blackening of certain pulses duration
JP2002335063A (en) Method and apparatus for drilling printed board
CN101689482B (en) Method of providing patterned embedded conducive layer using laser aided etching of dielectric build-up layer
JP4320926B2 (en) Laser drilling method and apparatus
JP2021528864A (en) Patterning and removal of circuit board materials using ultrafast lasers
US6555783B2 (en) Laser processing method and laser processing apparatus
JP2004351513A (en) Method for machining material by super-short pulse laser beam, printed circuit board, and method for manufacturing the same
JP4589760B2 (en) Laser processing method
TWI237532B (en) Carbon dioxide laser processing method for laminated material
JP2001212796A (en) Laser machining method
JPH11309594A (en) Laser beam machining device and its working parts
JP2002118344A (en) Method and device for working printed circuit board
JP3479890B2 (en) Laser drilling machine
JP2001212799A (en) Laser machining method
EP1385666A1 (en) Circle laser trepanning
JP3830831B2 (en) Laser processing method
JP2002321079A (en) Laser processing method
JP2003236690A (en) Laser beam machining method
JP3978152B2 (en) Laser processing method
JP3245820B2 (en) Laser drilling method
JP2004223533A (en) Laser beam machining method