JP2001207087A - Method for producing doped electrically conductive polymeric film - Google Patents

Method for producing doped electrically conductive polymeric film

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JP2001207087A
JP2001207087A JP2000019867A JP2000019867A JP2001207087A JP 2001207087 A JP2001207087 A JP 2001207087A JP 2000019867 A JP2000019867 A JP 2000019867A JP 2000019867 A JP2000019867 A JP 2000019867A JP 2001207087 A JP2001207087 A JP 2001207087A
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JP
Japan
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conductive polymer
thin film
polymer thin
carbon atoms
solution
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JP2000019867A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Kobashi
昌浩 小橋
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a film of a doped electrically conductive polymer. SOLUTION: The method of manufacturing a doped electrically conductive polymeric film comprises coating a solution containing an electrically conductive polymer composed of a repeating unit having a >=4C substituent and a dopant selected from salts capable of oxidizing the polymer at a molar ratio of the dopant to the repeating unit of 2:1 to 1:3 on a substrate, and then, removing the solvent.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はドープされた導電性
高分子からなる導電性高分子薄膜の製造方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a conductive polymer thin film comprising a doped conductive polymer.

【0002】[0002]

【従来の技術】π共役系高分子は、導電性高分子とし
て、電子材料、光機能材料、磁気機能材料等の素材とし
ての潜在的物性を有しており、各種の応用に向けて精力
的に研究が行われている。
2. Description of the Related Art As a conductive polymer, a π-conjugated polymer has potential physical properties as a material such as an electronic material, an optical functional material, and a magnetic functional material. Research is being conducted.

【0003】一般に導電性高分子は、電子供与性化合物
や電子受容性化合物をドープすることにより、電気伝導
度を大きく増大させることができるという特徴を有して
いる。例えばポリアセチレンでは105 S/cmもの高
い電気伝導度を示すことが知られている(Advanc
ed Materials Vol.2,P345,19
90年参照)。しかしポリアセチレンは空気中での安定
性が悪いという問題がある。この問題点を克服するもの
として、窒素原子や硫黄原子等をπ共役系高分子の主鎖
骨格中に含むポリピロールやポリチオフェン等が開発さ
れている。ポリピロールやポリチオフェンそのものは各
種の有機溶媒に溶解しないが、主鎖骨格に側鎖、例えば
炭素数4以上のアルキル基を導入することにより、溶媒
可溶性とすることができる(Japanese Jou
rnal of Applied Physics.Vo
l.23,P1899,1984年参照)。このような
溶媒可溶性の導電性高分子のなかでも最もよく研究され
ているのはチオフェン骨格の3位にアルキル基を有する
ポリ(3−アルキルチオフェン)であり、3−アルキル
チオフェンの2位と5位とを順次結合させるという3−
アルキルチオフェン骨格間の結合に規則性をもたせる重
合法が開発されている(Journal ofthe A
merican Chemical Society V
ol.114,P10087,1992年、及びThe
Journal of OrganicChemist
ry Vol.58,P904,1993年参照)。こ
の重合法により得られる導電性高分子は、主鎖のπ共役
欠陥を著るしく少なくすることができるので、ドープ後
の電気伝導度が103 S/cmに達するという飛躍的増
大を示すことが知られている。
[0003] In general, conductive polymers have the characteristic that their electrical conductivity can be greatly increased by doping with an electron donating compound or an electron accepting compound. For example, it is known that polyacetylene exhibits an electric conductivity as high as 10 5 S / cm (Advanc)
ed Materials Vol. 2, P345, 19
1990). However, polyacetylene has a problem that its stability in air is poor. In order to overcome this problem, polypyrrole, polythiophene, and the like containing a nitrogen atom, a sulfur atom, and the like in the main chain skeleton of a π-conjugated polymer have been developed. Polypyrrole or polythiophene itself does not dissolve in various organic solvents, but can be made solvent-soluble by introducing a side chain, for example, an alkyl group having 4 or more carbon atoms, into the main chain skeleton (Japanese Jou).
rnal of Applied Physics. Vo
l. 23, p. 1899, 1984). Among such solvent-soluble conductive polymers, the best studied is poly (3-alkylthiophene) having an alkyl group at the 3-position of the thiophene skeleton. 3-
A polymerization method for imparting regularity to the bond between the alkylthiophene skeletons has been developed (Journal of A).
American Chemical Society V
ol. 114, P10087, 1992, and The
Journal of OrganicChemist
ry Vol. 58, p904, 1993). The conductive polymer obtained by this polymerization method can significantly reduce the number of π-conjugated defects in the main chain, so that the conductivity after doping shows a dramatic increase of 10 3 S / cm. It has been known.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】カンファスルホン酸を
ドープしたポリアニリンのような極く限られた例を除
き、一般にドーピングにより有意に導電性を高めた導電
性高分子は有機溶媒に不溶である。従ってドーピングに
より有意に導電性を向上させた導電性高分子から成る薄
膜を形成するには、先ず中性状態(未ドープ状態)の導
電性高分子の溶液を基体に塗布してその薄膜を形成し、
次いでこの薄膜をドーパントガスに曝したり、これを酸
化できる塩の溶液に浸漬したりして、ドープされた導電
性高分子の薄膜に転換するという方法がとられている。
ポリ(3−アルキルチオフェン)の場合も例外ではな
く、ポリ(3−アルキルチオフェン)の溶液にこれを酸
化できる塩の溶液を添加して、ポリ(3−アルキルチオ
フェン)の導電性を有意に向上させようとすると、溶液
が不安定となって、多くの場合溶液中でポリ(3−アル
キルチオフェン)が凝集する。また溶液中では凝集しな
いようにみえる場合でも、薄膜にすべく基体に塗布する
と、基体上で凝集してしまい、正常な薄膜が形成されな
い。従って本発明は、ドープされた導電性高分子の溶液
から、有意に導電性の高められた導電性高分子の薄膜を
直接に形成する方法を提供しようとするものである。
With the exception of very limited examples, such as polyaniline doped with camphorsulfonic acid, conductive polymers that have significantly increased conductivity by doping are generally insoluble in organic solvents. Therefore, in order to form a thin film made of a conductive polymer whose conductivity has been significantly improved by doping, first, a solution of a conductive polymer in a neutral state (undoped state) is applied to a substrate to form the thin film. And
Then, a method of exposing the thin film to a dopant gas or immersing the thin film in a solution of an oxidizable salt to convert the thin film into a doped conductive polymer thin film has been adopted.
The case of poly (3-alkylthiophene) is no exception, and the conductivity of poly (3-alkylthiophene) is significantly improved by adding a solution of a salt capable of oxidizing the solution to the solution of poly (3-alkylthiophene). Attempting to do so renders the solution unstable and often poly (3-alkylthiophene) aggregates in the solution. Also, even if it does not seem to aggregate in a solution, if it is applied to a substrate to form a thin film, it will aggregate on the substrate and a normal thin film will not be formed. Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for directly forming a conductive polymer thin film having significantly increased conductivity from a solution of a doped conductive polymer.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、炭素数
4以上の置換基を有する繰返し単位からなる導電性高分
子と、これを酸化し得る塩から選ばれたドーパントを含
み、かつ該繰返し単位に対する該ドーパントのモル比が
2:1〜1:3である溶液を、基体に塗布したのち溶媒
を除去することにより、有意に導電性の高められたドー
プされた導電性高分子の薄膜を製造することができる。
According to the present invention, a conductive polymer comprising a repeating unit having a substituent having 4 or more carbon atoms and a dopant selected from salts capable of oxidizing the same are provided. A thin film of a doped conductive polymer having significantly increased conductivity by applying a solution having a molar ratio of the dopant to the repeating unit of 2: 1 to 1: 3 to the substrate and removing the solvent. Can be manufactured.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明では、導電性高分子とし
て、主鎖骨格がπ共役系主鎖骨格であり、かつこれに炭
素数4以上の置換基が導入されていて有機溶媒に可溶な
ものを用いる。このような導電性高分子としては、ポリ
ピロール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフラン誘
導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン
ビニレン誘導体など各種のものが知られているが、ポリ
チオフェン誘導体を用いるのが好ましい。前述のように
ポリチオフェン誘導体は、重合条件を適切に選択すれ
ば、主鎖方向のπ共役欠陥が極めて少なく、従ってドー
プ状態で高い電気伝導度を示す、繰返し単位の結合に規
則性のある構造とすることができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, as a conductive polymer, a main chain skeleton is a π-conjugated main chain skeleton, and a substituent having 4 or more carbon atoms is introduced into the main chain skeleton to be soluble in organic solvents. Use a suitable one. As such a conductive polymer, various kinds such as a polypyrrole derivative, a polythiophene derivative, a polyfuran derivative, a polyparaphenylene derivative, and a polyparaphenylenevinylene derivative are known, but a polythiophene derivative is preferably used. As described above, the polythiophene derivative has a structure with regularity in bonding of repeating units, which has very few π conjugate defects in the main chain direction and therefore shows high electric conductivity in a doped state if polymerization conditions are appropriately selected. can do.

【0007】導電性高分子に導入されている炭素数4以
上の置換基としては炭化水素基、特にアルキル基が好ま
しい。アルキル基は直鎖及び分岐鎖のいずれであっても
よい。なかでも好ましいのはヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基などのような炭素数6
以上のアルキル基である。なお、導電性高分子の繰返し
単位の置換基は複数であってもよく、その場合には少な
くとも1個の置換基が上記したような炭素数4以上のも
のであればよい。従ってポリチオフェン誘導体の場合に
は、その繰返し単位は下記式(1)で示すことができ
る。
The substituent having 4 or more carbon atoms introduced into the conductive polymer is preferably a hydrocarbon group, particularly an alkyl group. The alkyl group may be linear or branched. Among them, hexyl group, heptyl group,
6 carbon atoms such as octyl, nonyl, decyl, etc.
The above is an alkyl group. The repeating unit of the conductive polymer may have a plurality of substituents, in which case at least one substituent may have at least 4 carbon atoms as described above. Therefore, in the case of a polythiophene derivative, its repeating unit can be represented by the following formula (1).

【0008】[0008]

【化3】 Embedded image

【0009】(式中、R1は炭素数4以上の置換基を示
し、R2は水素原子又は炭素数1以上の置換基を示
す)。また、ポリチオフェン誘導体の場合には、繰返し
単位が炭素数4以上の置換基、好ましくは炭素数4以
上、特に6以上のアルキル基を1個のみ有し、かつこの
繰返し単位が下記式(2)に示すように規則性をもって
結合したものを用いるのが好ましい。
(Wherein, R 1 represents a substituent having 4 or more carbon atoms, and R 2 represents a hydrogen atom or a substituent having 1 or more carbon atoms). In the case of a polythiophene derivative, the repeating unit has only one substituent having 4 or more carbon atoms, preferably one alkyl group having 4 or more carbon atoms, particularly 6 or more, and this repeating unit has the following formula (2) It is preferable to use those bonded with regularity as shown in (1).

【0010】[0010]

【化4】 Embedded image

【0011】(式中、R1は炭素数4以上の置換基、好
ましくは炭素数4以上、特に6以上のアルキル基を示
す) 導電性高分子を溶解する溶媒としては、通常はクロロホ
ルム、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン等が用
いられる。導電性高分子を酸化し得る塩としては、カチ
オンとしてニトロソニウムイオン、3価の鉄イオン又は
銀イオンを有するものを用いるのが好ましい。例えばニ
トロソニウムテトラフルオロボレート(NOBF4)、
ニトロソニウムヘキサフルオロフォスフェート(NOP
6)、塩化鉄(III)(FeCl3)、シルバーパークロ
レート(AgClO4)などが用いられる。またこれら
の塩を溶解する溶媒としては、上述の導電性高分子の溶
液と混合したときに凝集や析出を起さないものであれば
よく、例えばアセトニトリル、ニトロベンゼン、ベンゾ
ニトリル、アニソール等が用いられる。塩溶液はできる
だけ高濃度で用いるのが好ましい。
(Wherein, R 1 represents a substituent having 4 or more carbon atoms, preferably an alkyl group having 4 or more carbon atoms, particularly 6 or more carbon atoms). The solvent for dissolving the conductive polymer is usually chloroform or toluene. , Xylene, tetrahydrofuran and the like are used. As the salt capable of oxidizing the conductive polymer, it is preferable to use a salt having nitrosonium ion, trivalent iron ion or silver ion as a cation. For example, nitrosonium tetrafluoroborate (NOBF 4 ),
Nitrosonium hexafluorophosphate (NOP
F 6 ), iron (III) chloride (FeCl 3 ), silver perchlorate (AgClO 4 ) and the like are used. As a solvent for dissolving these salts, any solvent that does not cause aggregation or precipitation when mixed with the above-described conductive polymer solution may be used.Examples include acetonitrile, nitrobenzene, benzonitrile, and anisole. . The salt solution is preferably used at a concentration as high as possible.

【0012】本発明では上述の導電性高分子の溶液と、
これを酸化し得る塩の溶液とを混合して、導電性高分子
とこれを酸化し得る塩との両者を含む溶液を調製し、こ
れを基体に塗布して薄膜を形成する。両溶液の混合比率
は、導電性高分子の繰返し単位に対する塩のモル比が
2:1〜1:3となるようにする。塩の混合モル比が
2:1よりも小さいと、得られる薄膜の導電性があまり
向上しない。逆に塩の混合モル比が1:3よりも大きく
なると、溶液が不安定となって凝集しやすくなり、正常
な薄膜の形成が困難となる。導電性が十分に向上した薄
膜を形成するには、繰返し単位に対する塩の混合モル比
は4:3よりも大きくなるようにするのが好ましい。こ
れに対し良好な薄膜を形成する観点からは、繰返し単位
に対する塩の混合モル比は2:5よりも小さいことが好
ましい。導電性の向上と薄膜の形成の双方の観点からし
て、繰返し単位に対する塩の混合モル比の最も好ましい
範囲は1:1〜1:2である。また、塗布に用いる溶液
中の導電性高分子の濃度は通常100mg/ml以下で
あるが、50mg/ml以下、特に20mg/ml以下
であるのが好ましい。一般に低濃度の方が、導電性高分
子の溶液と塩溶液とを混合した際に凝集などを起すおそ
れが少なく、かつ良好な薄膜を形成し易い。
According to the present invention, there is provided a solution of the above-mentioned conductive polymer,
This is mixed with a solution of a salt capable of oxidizing the solution to prepare a solution containing both the conductive polymer and a salt capable of oxidizing the conductive polymer, and the solution is applied to a substrate to form a thin film. The mixing ratio of the two solutions is such that the molar ratio of the salt to the repeating unit of the conductive polymer is 2: 1 to 1: 3. When the salt molar ratio is less than 2: 1, the conductivity of the resulting thin film does not improve much. Conversely, if the salt molar ratio is greater than 1: 3, the solution becomes unstable and tends to aggregate, making it difficult to form a normal thin film. In order to form a thin film having sufficiently improved conductivity, it is preferable that the mixing molar ratio of the salt to the repeating unit is larger than 4: 3. On the other hand, from the viewpoint of forming a good thin film, the mixing molar ratio of the salt to the repeating unit is preferably smaller than 2: 5. The most preferable range of the mixing molar ratio of the salt to the repeating unit is from 1: 1 to 1: 2 from the viewpoints of both improving the conductivity and forming the thin film. The concentration of the conductive polymer in the solution used for coating is usually 100 mg / ml or less, but is preferably 50 mg / ml or less, particularly preferably 20 mg / ml or less. In general, a lower concentration is less likely to cause aggregation or the like when a conductive polymer solution and a salt solution are mixed, and a good thin film is easily formed.

【0013】基体としては生成物の用途に応じて任意の
ものを用いることができる。例えば非導電性の物体、例
えば布等の繊維製品や合成樹脂フィルム、ガラスなどに
上記の溶液を塗布したのち乾燥して、これらの物体の表
面にドープされた導電性高分子の薄膜を形成したもの
は、帯電防止材料や電磁波シールド材料として用いるこ
とができる。例えばディスプレイ用ブラウン管の表面に
この薄膜を形成することにより、帯電防止されたブラウ
ン管とすることができる。また、表面に非導電性の酸化
皮膜を有する金属薄板に、上記の手法でドープされた導
電性高分子の薄膜を形成したものは、固体電解コンデン
サ用材料として用いることができる。なお塗布方法は基
体の種類に応じて、スピンコート法、ディップ法、スプ
レー法、キャスト法など公知の手法から適宜選択すれば
よい。
Any substrate can be used depending on the use of the product. For example, non-conductive objects, such as textiles such as cloth and synthetic resin films, the above solution was applied to glass, etc., and then dried to form a thin film of doped conductive polymer on the surface of these objects. The material can be used as an antistatic material or an electromagnetic wave shielding material. For example, by forming this thin film on the surface of a cathode ray tube for a display, an antistatic cathode ray tube can be obtained. Further, a thin metal plate having a non-conductive oxide film on the surface and a thin film of a conductive polymer doped by the above method formed thereon can be used as a material for a solid electrolytic capacitor. The application method may be appropriately selected from known methods such as a spin coating method, a dipping method, a spray method, and a casting method, depending on the type of the substrate.

【0014】[0014]

【実施例】以下に実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 実施例1 繰返し単位の結合の規則性が98%のポリ(3−オクチ
ルチオフェン)の濃度1.6mg/mlクロロホルム溶
液と、ニトロソニウムテトラフルオロボレートの濃度8
mg/mlアセトニトリル溶液を調製した。クロロホル
ム溶液を撹拌しながら、これにアセトニトリル溶液を、
3−オクチルチオフェン:ニトロソニウムテトラフルオ
ロボレート=1:2(モル比)となるまでゆっくりと滴
下した。ポリ(3−オクチルチオフェン)の凝集は起こ
らなかった。この溶液の吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、未ドープ状態のポリ(3−オクチルチオフェン)に
由来する吸収(ピークトップ:450nm)は観察され
ず、実質上高濃度ドープ状態のポリ(3−オクチルチオ
フェン)に由来する吸収(ピークトップ:800nm及
び1200nmから立上る幅広いピーク)だけが観察さ
れた。この溶液を用いてキャスト法で厚さ1.2μmの
テトラフルオロボレートアニオンがドープされたポリ
(3−オクチルチオフェン)の薄膜を作成した。この薄
膜の電気伝導度を空気中、室温でファン デァ ポー
(van der pauw)法で測定したところ、27
S/cmであった。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples. Example 1 A 1.6 mg / ml chloroform solution of poly (3-octylthiophene) having 98% regularity of repeating units and a nitrosonium tetrafluoroborate concentration of 8
A mg / ml acetonitrile solution was prepared. While stirring the chloroform solution, acetonitrile solution was added thereto,
The solution was slowly dropped until 3-octylthiophene: nitrosonium tetrafluoroborate = 1: 2 (molar ratio). No aggregation of poly (3-octylthiophene) occurred. When the absorption spectrum of this solution was measured, no absorption (peak top: 450 nm) derived from undoped poly (3-octylthiophene) was observed, and poly (3-octylthiophene) substantially doped with high concentration was not observed. (Peak peaks: broad peaks rising from 800 nm and 1200 nm) were observed. Using this solution, a 1.2 μm-thick tetrafluoroborate anion-doped poly (3-octylthiophene) thin film was formed by a casting method. The electrical conductivity of this thin film was measured in air at room temperature by the van der pauw method.
S / cm.

【0015】実施例2 実施例1において、両溶液の混合比を3−オクチルチオ
フェン:ニトロソニウムテトラフルオロボレート=1:
1(モル比)とした以外は、実施例1と同様にして両溶
液を混合した。この場合もポリ(3−オクチルチオフェ
ン)の凝集は起らなかった。この溶液の吸収スペクトル
を測定したところ、未ドープ状態のポリ(3−オクチル
チオフェン)に由来する吸収は殆んど観察されず、実質
上高濃度ドープ状態のポリ(3−オクチルチオフェン)
に由来する吸収だけが観察された。この溶液を用いてキ
ャスト法で厚さ2.0μmのテトラフルオロボレートア
ニオンがドープされたポリ(3−オクチルチオフェン)
の薄膜を作成した。この薄膜の電気伝導度は10S/c
mであった。
Example 2 In Example 1, the mixing ratio of both solutions was changed to 3-octylthiophene: nitrosonium tetrafluoroborate = 1:
Both solutions were mixed in the same manner as in Example 1, except that the molar ratio was changed to 1. Also in this case, aggregation of poly (3-octylthiophene) did not occur. When the absorption spectrum of this solution was measured, almost no absorption derived from undoped poly (3-octylthiophene) was observed, and substantially high-concentration doped poly (3-octylthiophene) was not observed.
Only the absorptions originating from. Using this solution, a 2.0 μm-thick tetrafluoroborate anion-doped poly (3-octylthiophene) is cast using this solution.
Was prepared. The electrical conductivity of this thin film is 10 S / c
m.

【0016】比較例1 実施例1において、両溶液の混合比を、3−オクチルチ
オフェン:ニトロソニウムテトラフルオロボレート=
3:1とした以外は、実施例1と同様にして両溶液を混
合した。この場合もポリ(3−オクチルチオフェン)の
凝集は起らなかった。この溶液の吸収スペクトルを測定
したところ、高濃度ドープ状態のポリ(3−オクチルチ
オフェン)に由来する吸収と共に、未ドープ状態のポリ
(3−オクチルチチオフェン)に由来する吸収がまだ強
く観察された。従ってこの溶液で薄膜を形成しても、そ
の電気伝導度は上記実施例のものよりも著るしく小さい
ものとなる。未ドープ状態のポリ(3−オクチルチオフ
ェン)に由来する吸収がほぼ消失するのは、3−オクチ
ルチオフェンに対するニトロソニウムテトラフルオロボ
レートのモル比が2:1よりも大きくなってからであ
る。
Comparative Example 1 In Example 1, the mixing ratio of both solutions was changed to 3-octylthiophene: nitrosonium tetrafluoroborate =
Both solutions were mixed in the same manner as in Example 1 except that the ratio was 3: 1. Also in this case, aggregation of poly (3-octylthiophene) did not occur. When the absorption spectrum of this solution was measured, the absorption derived from poly (3-octylthiothiophene) in an undoped state and the absorption derived from poly (3-octylthiothiophene) in an undoped state were still strongly observed. . Therefore, even if a thin film is formed with this solution, its electric conductivity is significantly smaller than that of the above embodiment. The absorption derived from the undoped poly (3-octylthiophene) almost disappears after the molar ratio of nitrosonium tetrafluoroborate to 3-octylthiophene becomes larger than 2: 1.

【0017】比較例2 実施例1において両溶液の混合比を、3−オクチルチオ
フェン:ニトロソニウムテトラフルオロボレート=1:
4とした以外は、実施例1と同様にして両溶液を混合し
たところ、ポリ(3−オクチルチオフェニル)の凝集が
起り、塗布して薄膜を形成することができなかった。
Comparative Example 2 In Example 1, the mixing ratio of both solutions was changed to 3-octylthiophene: nitrosonium tetrafluoroborate = 1:
When both solutions were mixed in the same manner as in Example 1 except that the composition was changed to 4, aggregation of poly (3-octylthiophenyl) occurred, and coating could not be performed to form a thin film.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01G 9/028 H05K 9/00 X 5E321 H05K 9/00 B29K 81:00 // B29K 81:00 B29L 9:00 B29L 9:00 C08L 101:00 C08L 101:00 H01G 9/02 331H Fターム(参考) 4F006 AA11 AA31 AB32 BA07 CA08 4F071 AA01 AA61 AB15 AB19 AB25 AB27 AF37 AH12 BA02 BB02 BC02 4F205 AA34 AB16 AD03 AD04 AD05 AD16 AG03 AH33 AH73 GA07 GB01 GB11 GB22 GE24 GF24 4J032 BA04 BB01 BD02 CG01 CG07 4J038 DC001 NA20 5E321 BB23 BB32 BB41 BB44 BB57 GG01 GG05 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H01G 9/028 H05K 9/00 X 5E321 H05K 9/00 B29K 81:00 // B29K 81:00 B29L 9:00 B29L 9 : 00 C08L 101: 00 C08L 101: 00 H01G 9/02 331H F term (reference) 4F006 AA11 AA31 AB32 BA07 CA08 4F071 AA01 AA61 AB15 AB19 AB25 AB27 AF37 AH12 BA02 BB02 BC02 4F205 AA34 AB16 AD03 AD04 AD05 AD16 AG73 AH01 GB GB11 GB22 GE24 GF24 4J032 BA04 BB01 BD02 CG01 CG07 4J038 DC001 NA20 5E321 BB23 BB32 BB41 BB44 BB57 GG01 GG05

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 炭素数4以上の置換基を有する繰返し単
位からなる導電性高分子と、これを酸化し得る塩から選
ばれたドーパントを含み、かつ該繰返し単位に対する該
ドーパントのモル比が2:1〜1:3である溶液を、基
体に塗布したのち溶媒を除去することを特徴とする、ド
ープされた導電性高分子薄膜の製造方法。
1. A conductive polymer comprising a repeating unit having a substituent having 4 or more carbon atoms and a dopant selected from salts capable of oxidizing the same, and the molar ratio of the dopant to the repeating unit is 2 : A method for producing a doped conductive polymer thin film, comprising applying a solution of 1 to 1: 3 to a substrate and removing the solvent.
【請求項2】 炭素数4以上の置換基を有する繰返し単
位からなる導電性高分子の溶液と、これを酸化し得る塩
から選ばれたドーパントの溶液とを、該繰返し単位に対
する該ドーパントのモル比が2:1〜1:3となるよう
に混合して調製した溶液を基体に塗布したのち溶媒を除
去することを特徴とする、ドープされた導電性高分子薄
膜の製造方法。
2. A solution of a conductive polymer comprising a repeating unit having a substituent having 4 or more carbon atoms and a solution of a dopant selected from salts capable of oxidizing the same, comprising: A method for producing a doped conductive polymer thin film, comprising applying a solution prepared by mixing to a ratio of 2: 1 to 1: 3 on a substrate and removing a solvent.
【請求項3】 繰返し単位に対するドーパントのモル比
が4:3〜2:5である溶液を基体に塗布することを特
徴とする、請求項1又は2記載のドープされた導電性高
分子薄膜の製造方法。
3. The doped conductive polymer thin film according to claim 1, wherein a solution having a molar ratio of the dopant to the repeating unit of 4: 3 to 2: 5 is applied to the substrate. Production method.
【請求項4】 導電性高分子の繰返し単位が下記式
(1)で示されるものであることを特徴とする、請求項
1ないし3のいずれかに記載のドープされた導電性高分
子薄膜の製造方法。 【化1】 (式中、R1は炭素数4以上の置換基を示し、R2は水素
原子又は炭素数1以上の置換基を示す)
4. The doped conductive polymer thin film according to claim 1, wherein the repeating unit of the conductive polymer is represented by the following formula (1). Production method. Embedded image (Wherein, R 1 represents a substituent having 4 or more carbon atoms, and R 2 represents a hydrogen atom or a substituent having 1 or more carbon atoms)
【請求項5】 導電性高分子が3位に炭素数4以上の置
換基を有するポリチオフェンであり、かつその繰返し単
位の結合形式が下記式(2)で示される規則性を有する
ものであることを特徴とする、請求項1ないし4のいず
れかに記載のドープされた導電性高分子薄膜の製造方
法。 【化2】 (式中、R1は炭素数4以上の置換基を示す。)
5. The conductive polymer is a polythiophene having a substituent having 4 or more carbon atoms at the 3-position, and the repeating unit has a regular bond represented by the following formula (2): The method for producing a doped conductive polymer thin film according to any one of claims 1 to 4, characterized in that: Embedded image (In the formula, R 1 represents a substituent having 4 or more carbon atoms.)
【請求項6】 R1で示される炭素数4以上の置換基が
炭素数4以上のアルキル基であることを特徴とする、請
求項5記載のドープされた導電性高分子薄膜の製造方
法。
6. The method for producing a doped conductive polymer thin film according to claim 5, wherein the substituent having 4 or more carbon atoms represented by R 1 is an alkyl group having 4 or more carbon atoms.
【請求項7】 ドーパントがニトロソニウムイオン、三
価の鉄イオン及び銀イオンよりなる群から選ばれたカチ
オンを有する塩であることを特徴とする、請求項1ない
し6のいずれかに記載のドープされた導電性高分子薄膜
の製造方法。
7. The dope according to claim 1, wherein the dopant is a salt having a cation selected from the group consisting of a nitrosonium ion, a trivalent iron ion and a silver ion. Of producing a conductive polymer thin film.
【請求項8】 請求項1ないし7のいずれかに記載の製
造方法で得られたドープされた導電性高分子薄膜。
8. A doped conductive polymer thin film obtained by the method according to claim 1.
【請求項9】 基体と、その表面に形成されている請求
項8記載のドープされた導電性高分子薄膜とからなる複
合体。
9. A composite comprising a substrate and the doped conductive polymer thin film according to claim 8, formed on the surface thereof.
【請求項10】 非導電性基体と、その表面に形成され
ている請求項8記載のドープされた導電性高分子薄膜と
からなる帯電防止材料。
10. An antistatic material comprising a non-conductive substrate and a doped conductive polymer thin film according to claim 8 formed on the surface thereof.
【請求項11】 非導電性基体と、その表面に形成され
ている請求項8記載のドープされた導電性高分子薄膜と
からなる電磁波シールド材料。
11. An electromagnetic shielding material comprising a non-conductive substrate and the doped conductive polymer thin film according to claim 8 formed on the surface thereof.
【請求項12】 表面に非導電性の酸化皮膜を有する金
属薄板と、その酸化皮膜上に形成されている請求項8記
載のドープされた導電性高分子薄膜とからなる固体電解
コンデンサ用材料。
12. A material for a solid electrolytic capacitor comprising: a metal sheet having a non-conductive oxide film on the surface; and the doped conductive polymer thin film according to claim 8 formed on the oxide film.
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WO2010110200A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 三洋化成工業株式会社 Electroconductive coating composition and process for production of electroconductive coating film

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