JP2001196840A - Surface mounted antenna and communication apparatus provided with the antenna - Google Patents

Surface mounted antenna and communication apparatus provided with the antenna

Info

Publication number
JP2001196840A
JP2001196840A JP2000004648A JP2000004648A JP2001196840A JP 2001196840 A JP2001196840 A JP 2001196840A JP 2000004648 A JP2000004648 A JP 2000004648A JP 2000004648 A JP2000004648 A JP 2000004648A JP 2001196840 A JP2001196840 A JP 2001196840A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
microstrip
type radiation
radiation electrode
patch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000004648A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3460653B2 (en
Inventor
Moichi Ito
茂一 伊藤
Kazuya Kawabata
一也 川端
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2000004648A priority Critical patent/JP3460653B2/en
Priority to GB0031381A priority patent/GB2359929B/en
Priority to US09/760,217 priority patent/US6384786B2/en
Publication of JP2001196840A publication Critical patent/JP2001196840A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3460653B2 publication Critical patent/JP3460653B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Support Of Aerials (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the symmetry of the directivity of a patch type radiation electrode. SOLUTION: The patch type radiation electrode 3 is formed in the center area of the upper surface 2a of a dielectric substrate 2, and the first microstrip type radiation electrode 11 and the second microstrip type radiation electrode 12 for holding both of the right and left sides of the electrode 3 between them are formed. The electrode 11 and the electrode 12 are symmetrical with the electrode 3 as a center. When the microstrip type radiation electrode is formed only on one of the right and left sides of the electrode 3, the directivity of the electrode 3 becomes asymmetrical due to the effect of the microstrip type radiation electrode. By forming the microstrip type radiation electrodes 11 and 12 on both of the right and left sides of the electrode 3, it is possible to make the directivity of the electrode 3 symmetrical.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、無線機等の通信装
置に内蔵される表面実装型アンテナおよびそのアンテナ
を備えた通信装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface-mounted antenna built in a communication device such as a radio and a communication device provided with the antenna.

【0002】[0002]

【従来の技術】図13(a)には本発明者が提案してい
る表面実装型アンテナの一提案例(未公開)が斜視図に
より示され、図13(b)には上記図13(a)に示す
表面実装型アンテナのリターンロス特性の一例が示され
ている。図13(a)に示す表面実装型アンテナ1は、
誘電体基体2の表面にパッチ型放射電極3とマイクロス
トリップ型放射電極4等が形成されて、図13(b)に
示すような2つの異なる周波数帯域の電波の送受信が可
能なものである。
2. Description of the Related Art FIG. 13 (a) is a perspective view showing an example (not disclosed) of a proposed surface mount antenna proposed by the present inventor, and FIG. An example of the return loss characteristic of the surface mount antenna shown in a) is shown. The surface mount antenna 1 shown in FIG.
A patch-type radiation electrode 3, a microstrip-type radiation electrode 4, and the like are formed on the surface of the dielectric substrate 2, and can transmit and receive radio waves in two different frequency bands as shown in FIG.

【0003】つまり、図13(a)に示すように、直方
体状の誘電体基体2の上面2aにはパッチ型放射電極3
が形成されると共に、このパッチ型放射電極3の図の右
側に間隔を介してマイクロストリップ型放射電極4が形
成されている。また、誘電体基体2の側面(前側面)2
bには給電電極5が上記パッチ型放射電極3の近傍に形
成されると共に、上記マイクロストリップ型放射電極4
が上面2aから伸長形成され、さらに、屈曲して側面2
bの上辺に沿って上記給電電極5に向けて伸長形成され
ている。このマイクロストリップ型放射電極4の給電端
部4aは上記給電電極5と間隔を介して配置されてい
る。さらに、この図の例では、誘電体基体2の側面2b
には固定電極6が底部側角部に形成されている。
[0003] That is, as shown in FIG. 13 (a), a patch-type radiation electrode 3 is provided on the upper surface 2 a of a rectangular parallelepiped dielectric substrate 2.
Are formed, and a microstrip type radiation electrode 4 is formed on the right side of the patch type radiation electrode 3 in FIG. Also, the side surface (front side surface) 2 of the dielectric substrate 2
b, a feed electrode 5 is formed near the patch-type radiation electrode 3 and the microstrip-type radiation electrode 4
Are formed to extend from the upper surface 2a, and further bent to form side surfaces 2a.
It extends toward the power supply electrode 5 along the upper side of b. The feed end 4a of the microstrip type radiation electrode 4 is arranged at an interval from the feed electrode 5. Furthermore, in the example of this figure, the side surface 2b of the dielectric substrate 2
, A fixed electrode 6 is formed at the bottom side corner.

【0004】さらに、上記給電電極5は上記誘電体基体
2の側面2bから底面2fに回り込んで形成されてお
り、誘電体基体2の底面2fには上記給電電極5の形成
領域を除いたほぼ全面に上記給電電極5と間隔を介して
グランド電極7が形成されている。
Further, the power supply electrode 5 is formed so as to extend from the side surface 2b to the bottom surface 2f of the dielectric substrate 2, and the bottom surface 2f of the dielectric substrate 2 is substantially excluding the region where the power supply electrode 5 is formed. A ground electrode 7 is formed on the entire surface with an interval from the power supply electrode 5.

【0005】さらに、上記マイクロストリップ型放射電
極4は上面2aから側面(後側面)2dを介し底面2f
に向けて伸長形成されて上記底面2fのグランド電極7
に接続されている。このマイクロストリップ型放射電極
4の伸長先端部4bは底面2fのグランド電極7に接続
するグランド短絡端部と成している。
Further, the microstrip type radiation electrode 4 has a bottom surface 2f from an upper surface 2a through a side surface (rear side surface) 2d.
To the ground electrode 7 on the bottom surface 2f.
It is connected to the. The extension tip 4b of the microstrip type radiation electrode 4 forms a ground short-circuit end connected to the ground electrode 7 on the bottom surface 2f.

【0006】上記パッチ型放射電極3はλ/2パッチタ
イプのものであり、グランドに短絡しておらず(換言す
れば、グランドに浮いた状態であり)、図13(b)に
示すような共振周波数f1でもって共振する構成と成し
ている。また、上記マイクロストリップ型放射電極4は
λ/4マイクロストリップタイプのものであり、図13
(b)に示すような上記共振周波数f1よりも低い共振
周波数f2でもって共振する構成と成している。
The patch type radiation electrode 3 is of a λ / 2 patch type, is not short-circuited to the ground (in other words, is in a state of floating on the ground), and has a structure as shown in FIG. It is configured to resonate at the resonance frequency f1. Further, the microstrip type radiation electrode 4 is of a λ / 4 microstrip type, as shown in FIG.
It is configured to resonate at a resonance frequency f2 lower than the resonance frequency f1 as shown in FIG.

【0007】図13(a)に示す表面実装型アンテナ1
は上記のように構成されている。このような表面実装型
アンテナ1は通信装置に内蔵される回路基板に誘電体基
体2の底面2fを実装面として実装される。上記回路基
板には信号供給源8が形成されており、上記表面実装型
アンテナ1が回路基板の所定領域に面実装することによ
って、上記給電電極5が上記信号供給源8に導通接続す
るようになっている。
The surface mount antenna 1 shown in FIG.
Is configured as described above. Such a surface mount antenna 1 is mounted on a circuit board built in a communication device with the bottom surface 2f of the dielectric base 2 as a mounting surface. A signal supply source 8 is formed on the circuit board, and the power supply electrode 5 is electrically connected to the signal supply source 8 when the surface mount antenna 1 is surface-mounted on a predetermined area of the circuit board. Has become.

【0008】上記信号供給源8から給電電極5に信号が
供給されると、その信号は上記給電電極5から容量結合
によって上記パッチ型放射電極3およびマイクロストリ
ップ型放射電極4に供給され、この信号に基づいてパッ
チ型放射電極3やマイクロストリップ型放射電極4が共
振して電波(信号)の送受信が行われることとなる。
When a signal is supplied from the signal supply source 8 to the power supply electrode 5, the signal is supplied from the power supply electrode 5 to the patch-type radiation electrode 3 and the microstrip-type radiation electrode 4 by capacitive coupling. Accordingly, the patch-type radiation electrode 3 and the microstrip-type radiation electrode 4 resonate, and transmission and reception of radio waves (signals) are performed.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者
は、上述したようなパッチ型放射電極3およびマイクロ
ストリップ型放射電極4を有した表面実装型アンテナ1
の研究開発を進めていくうちに、上記図13に示すよう
な形態では次に示すような問題が発生することが分かっ
た。
By the way, the present inventor has proposed a surface mount antenna 1 having a patch type radiation electrode 3 and a microstrip type radiation electrode 4 as described above.
As the research and development proceeded, it was found that the following problem occurs in the embodiment shown in FIG.

【0010】つまり、上記マイクロストリップ型放射電
極4はグランドに短絡していることから、パッチ型放射
電極3に対して上記マイクロストリップ型放射電極4は
グランドと等価なものとなっている。上記パッチ型放射
電極3は図の左右対称な電波の指向性を持つことが望ま
しいが、上記のように、パッチ型放射電極3の左・右の
一方側(図13(a)の例では右側)のみにグランドと
等価なマイクロストリップ型放射電極4が形成されるこ
とによって、そのマイクロストリップ型放射電極4を避
けるようにパッチ型放射電極3の指向性がずれてしまっ
て、パッチ型放射電極3の指向性が左右非対称となって
しまうという問題があった。
That is, since the microstrip radiating electrode 4 is short-circuited to the ground, the microstrip radiating electrode 4 is equivalent to the ground with respect to the patch radiating electrode 3. The patch-type radiation electrode 3 desirably has radio wave directivity symmetrical in the figure, but as described above, one of the left and right sides of the patch-type radiation electrode 3 (the right side in the example of FIG. ), The directivity of the patch-type radiation electrode 3 is shifted so as to avoid the microstrip-type radiation electrode 4 and the patch-type radiation electrode 3 There is a problem that the directivity of the image becomes asymmetrical.

【0011】本発明は上記課題を解決するために成され
たものであり、その目的は、パッチ型放射電極とマイク
ロストリップ型放射電極を共に備えた上で、そのパッチ
型放射電極の指向性の対称性を良好にすることが可能な
表面実装型アンテナおよびそのアンテナを備えた通信装
置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide both a patch-type radiation electrode and a microstrip-type radiation electrode, and to provide the directivity of the patch-type radiation electrode. An object of the present invention is to provide a surface mount antenna capable of improving symmetry and a communication device including the antenna.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決す
る手段としている。すなわち、第1の発明の表面実装型
アンテナは、誘電体基体を有し、該誘電体基体の表面に
はグランドから浮いたパッチ型放射電極が形成されると
共に、該パッチ型放射電極の両側に間隙を介してグラン
ドに短絡された第1のマイクロストリップ型放射電極と
第2のマイクロストリップ型放射電極が形成されている
構成をもって前記課題を解決する手段としている。
Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present invention has the following structure to solve the above problems. That is, the surface-mounted antenna according to the first invention has a dielectric substrate, on the surface of which a patch-type radiation electrode floating from the ground is formed, and on both sides of the patch-type radiation electrode. Means for solving the above-mentioned problem is a configuration in which a first microstrip type radiation electrode and a second microstrip type radiation electrode which are short-circuited to ground via a gap are formed.

【0013】第2の発明の表面実装型アンテナは、上記
第1の発明の構成を備え、第1のマイクロストリップ型
放射電極と第2のマイクロストリップ型放射電極はパッ
チ型放射電極を中心にして互いに対称あるいは略対称に
形成されていることを特徴として構成されている。
A surface mount antenna according to a second aspect of the present invention has the configuration of the first aspect, and the first microstrip type radiation electrode and the second microstrip type radiation electrode are centered on the patch type radiation electrode. It is characterized by being formed symmetrically or substantially symmetrically to each other.

【0014】第3の発明の表面実装型アンテナは、上記
第1又は第2の発明の構成を備え、第1のマイクロスト
リップ型放射電極の共振周波数と、第2のマイクロスト
リップ型放射電極の共振周波数とは異なることを特徴と
して構成されている。
[0014] A surface mounted antenna according to a third aspect of the present invention has the structure of the first or second aspect, wherein the resonance frequency of the first microstrip radiating electrode and the resonance frequency of the second microstrip radiating electrode are different from each other. It is configured to be different from the frequency.

【0015】第4の発明の表面実装型アンテナは、上記
第1又は第2又は第3の発明の構成を備え、パッチ型放
射電極は縮退分離する形態と成して円偏波の電波の送受
信を行うことを特徴として構成されている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a surface mount antenna having the configuration of the first, second, or third aspect, wherein the patch-type radiation electrode is configured to be degenerately separated to transmit and receive a circularly polarized radio wave. Is performed.

【0016】第5の発明の表面実装型アンテナは、上記
第1又は第2又は第3又は第4の発明の構成を備え、誘
電体基体にはパッチ型放射電極用の給電電極が形成され
ると共に、第1と第2の各マイクロストリップ型放射電
極にそれぞれ専用の給電電極あるいは第1のマイクロス
トリップ型放射電極と第2のマイクロストリップ型放射
電極に共通の給電電極が形成されていることを特徴とし
て構成されている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a surface mount antenna having the configuration of the first, second, third, or fourth aspect of the invention, and a feeder electrode for a patch-type radiation electrode is formed on a dielectric substrate. In addition, a dedicated power supply electrode is formed on each of the first and second microstrip radiation electrodes, or a common power supply electrode is formed on the first microstrip radiation electrode and the second microstrip radiation electrode. It is configured as a feature.

【0017】第6の発明の表面実装型アンテナは、上記
第1〜第5の発明の何れか1つの発明の構成を備え、第
1と第2の各マイクロストリップ型放射電極の近傍には
それぞれ間隔を介して1つ以上のマイクロストリップ型
放射電極が並設されており、第1のマイクロストリップ
型放射電極およびその近傍のマイクロストリップ型放射
電極から成る第1のマイクロストリップ型放射電極群
と、第2のマイクロストリップ型放射電極およびその近
傍のマイクロストリップ型放射電極から成る第2のマイ
クロストリップ型放射電極群とは、パッチ型放射電極を
中心にして互いに略対称に形成されており、上記複数の
マイクロストリップ型放射電極の各共振周波数は互いに
異なっていることを特徴として構成されている。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a surface mount antenna having the configuration of any one of the first to fifth aspects of the present invention. One or more microstrip radiating electrodes are juxtaposed at intervals, a first microstrip radiating electrode group including a first microstrip radiating electrode and a microstrip radiating electrode near the first microstrip radiating electrode, The second microstrip-type radiation electrode group including the second microstrip-type radiation electrode and the microstrip-type radiation electrode in the vicinity thereof is formed substantially symmetrically with respect to the patch-type radiation electrode. Are characterized in that the resonance frequencies of the microstrip radiating electrodes are different from each other.

【0018】第7の発明における通信装置は、上記第1
〜第6の発明の何れか1つの表面実装型アンテナを備え
ていることを特徴として構成されている。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the communication device according to
To a surface mounting antenna according to any one of the first to sixth aspects of the present invention.

【0019】上記構成の発明において、第1のマイクロ
ストリップ型放射電極と第2のマイクロストリップ型放
射電極がパッチ型放射電極の両側に、つまり、パッチ型
放射電極を挟み込むように間隔を介して形成されてい
る。
In the invention having the above-described structure, the first microstrip type radiation electrode and the second microstrip type radiation electrode are formed on both sides of the patch type radiation electrode, that is, with a gap therebetween so as to sandwich the patch type radiation electrode. Have been.

【0020】このように、パッチ型放射電極の両側にグ
ランドと等価な第1と第2の各マイクロストリップ型放
射電極が配設されることによって、パッチ型放射電極の
指向性の対称性を良好にすることができる。
As described above, the first and second microstrip radiating electrodes equivalent to the ground are disposed on both sides of the patch radiating electrode, so that the directivity of the patch radiating electrode is improved. Can be

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下に、この発明に係る実施形態
例を図面に基づいて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0022】図1(a)には本発明に係る表面実装型ア
ンテナの第1の実施形態例が斜視図により示され、図1
(b)には図1(a)に示す表面実装型アンテナが展開
状態で示されている。なお、この第1の実施形態例の説
明において、前記提案例と同一構成部分には同一符号を
付し、その共通部分の重複説明は省略する。
FIG. 1A is a perspective view showing a first embodiment of a surface mount antenna according to the present invention.
FIG. 1B shows the surface-mounted antenna shown in FIG. 1A in an unfolded state. In the description of the first embodiment, the same components as those of the above-mentioned proposal are denoted by the same reference numerals, and redundant description of the common portions will be omitted.

【0023】この第1の実施形態例において特徴的なこ
とは、図1(a)、(b)に示すように、パッチ型放射
電極3の図の左右両側に間隙を介して第1のマイクロス
トリップ型放射電極11と第2のマイクロストリップ型
放射電極12が形成されていることである。それ以外の
構成は前記提案例とほぼ同様である。
The feature of the first embodiment is that, as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), the first microelectrode is provided on both left and right sides of the patch type radiation electrode 3 with a gap therebetween. That is, a strip-type radiation electrode 11 and a second microstrip-type radiation electrode 12 are formed. Other configurations are almost the same as those of the above-mentioned proposal example.

【0024】図1(a)、(b)に示すように、誘電体
基体2の上面2aのほぼ中央にパッチ型放射電極3が形
成されている。この第1の実施形態例では、上記パッチ
型放射電極3の図の左側には第1のマイクロストリップ
型放射電極11が、また、パッチ型放射電極3の図の右
側には第2のマイクロストリップ型放射電極12がそれ
ぞれ間隙を介して配設されており、上記第1のマイクロ
ストリップ型放射電極11と第2のマイクロストリップ
型放射電極12はパッチ型放射電極3を中心にして左右
対称に形成されている。
As shown in FIGS. 1A and 1B, a patch-type radiation electrode 3 is formed substantially at the center of the upper surface 2a of the dielectric substrate 2. In the first embodiment, a first microstrip-type radiation electrode 11 is provided on the left side of the patch-type radiation electrode 3 in the drawing, and a second microstrip-type radiation electrode 11 is provided on the right side of the patch-type radiation electrode 3 in the drawing. The first microstrip radiation electrode 11 and the second microstrip radiation electrode 12 are formed symmetrically with respect to the patch radiation electrode 3. Have been.

【0025】上記第1と第2の各マイクロストリップ型
放射電極11,12の一端側はそれぞれ上面2aから側
面(前側面)2bに伸長形成され、さらに、屈曲して側
面2bの上辺に沿って中央部に向けて伸長形成されてい
る。これら第1と第2の各マイクロストリップ型放射電
極11,12の伸長先端部11a,12aはそれぞれ給
電電極5と間隔を介して配置されており、給電電極5か
ら信号が容量結合によって供給される給電端部と成して
いる。
One end of each of the first and second microstrip radiating electrodes 11 and 12 is formed to extend from the upper surface 2a to the side surface (front side surface) 2b, and further bent along the upper side of the side surface 2b. It is formed to extend toward the center. The extending end portions 11a and 12a of the first and second microstrip radiating electrodes 11 and 12 are arranged at intervals from the power supply electrode 5, and a signal is supplied from the power supply electrode 5 by capacitive coupling. It forms a power supply end.

【0026】また、第1と第2の各マイクロストリップ
型放射電極11,12の他端側はそれぞれ上面2aから
側面(後側面)2dを介し底面2fに向けて伸長形成さ
れて該底面2fのグランド電極7に接続されており、こ
の第1と第2の各マイクロストリップ型放射電極11,
12の端部11b,12bはそれぞれグランド短絡端部
と成している。
The other end of each of the first and second microstrip-type radiation electrodes 11 and 12 is formed to extend from the upper surface 2a to the bottom surface 2f via the side surface (rear surface) 2d. The first and second microstrip radiating electrodes 11, which are connected to a ground electrode 7,
Twelve ends 11b and 12b are ground short-circuit ends.

【0027】この第1の実施形態例では、上記第1と第
2の各マイクロストリップ型放射電極11,12は同じ
共振周波数を持ち、例えば図13(b)に示すようなパ
ッチ型放射電極3の共振周波数f1とは異なる共振周波
数f2でもって共振する構成と成し、この第1の実施形
態例に示す表面実装型アンテナ1は、前記提案例と同様
に、2つの異なる周波数帯域の電波の送受信が可能なも
のである。
In the first embodiment, the first and second microstrip radiating electrodes 11 and 12 have the same resonance frequency, and for example, the patch radiating electrode 3 as shown in FIG. The resonance frequency f2 is different from the resonance frequency f1 of the first embodiment, and the surface-mounted antenna 1 shown in the first embodiment has the same structure as that of the proposed example. It can be transmitted and received.

【0028】この第1の実施形態例によれば、パッチ型
放射電極3の両側を挟み込む第1のマイクロストリップ
型放射電極11と第2のマイクロストリップ型放射電極
12が形成されているので、提案例の問題、つまり、パ
ッチ型放射電極3の左・右の一方側のみにグランドと等
価なマイクロストリップ型放射電極が形成されているこ
とに起因してパッチ型放射電極3の指向性が左右非対称
になってしまうという問題をほぼ回避することができ
る。
According to the first embodiment, the first microstrip type radiation electrode 11 and the second microstrip type radiation electrode 12 sandwiching both sides of the patch type radiation electrode 3 are formed. The directivity of the patch-type radiation electrode 3 is left-right asymmetric due to the problem of the example, that is, the microstrip-type radiation electrode equivalent to the ground is formed only on one of the left and right sides of the patch-type radiation electrode 3. Can be substantially avoided.

【0029】特に、この第1の実施形態例では、第1の
マイクロストリップ型放射電極11と第2のマイクロス
トリップ型放射電極12はパッチ型放射電極3を中心に
して左右対称に形成されているので、パッチ型放射電極
3の指向性に対する第1と第2の各マイクロストリップ
型放射電極11,12の影響がパッチ型放射電極3の左
側と右側とでほぼ同程度となり、パッチ型放射電極3の
指向性をほぼ確実に左右対称にすることができる。
In particular, in the first embodiment, the first microstrip-type radiation electrode 11 and the second microstrip-type radiation electrode 12 are formed symmetrically with respect to the patch-type radiation electrode 3. Therefore, the influence of the first and second microstrip-type radiation electrodes 11 and 12 on the directivity of the patch-type radiation electrode 3 is substantially the same on the left and right sides of the patch-type radiation electrode 3. Can be made almost symmetrically.

【0030】なお、上記図1に示す例では、第1と第2
の各マイクロストリップ型放射電極のグランド短絡端部
11b,12bはそれぞれ別々にグランド電極7に接続
されていたが、例えば、図2(a)に示すように、側面
(後側面)2dの全面に電極13を形成し、上記各グラ
ンド短絡端部11b,12bをそれぞれ上記電極13に
共通に接続し該電極13を介して第1と第2の各マイク
ロストリップ型放射電極11,12をグランド電極7に
短絡してもよい。
In the example shown in FIG. 1, the first and second
Although the ground short-circuited ends 11b and 12b of the microstrip-type radiation electrodes are separately connected to the ground electrode 7, for example, as shown in FIG. An electrode 13 is formed, and the ground short-circuited ends 11b and 12b are connected in common to the electrode 13, respectively, and the first and second microstrip-type radiation electrodes 11 and 12 are connected to the ground electrode 7 via the electrode 13. May be short-circuited.

【0031】また、図2(b)に示すように、側面2d
にE字形状の電極14を形成し、上記各グランド短絡端
部11b,12bをそれぞれ上記電極14に共通に接続
し該電極14を介して第1と第2の各マイクロストリッ
プ型放射電極11,12をグランド電極7に短絡しても
よい。
Further, as shown in FIG.
An E-shaped electrode 14 is formed on each of the first and second microstrip radiating electrodes 11, 12 via the electrode 14, and the ground short-circuited ends 11b and 12b are commonly connected to the electrode 14, respectively. 12 may be short-circuited to the ground electrode 7.

【0032】さらに、上記図1に示す例では、第1と第
2の各マイクロストリップ型放射電極11,12はそれ
ぞれ側面2dを通ってグランド電極7に接続されていた
が、例えば、図3に示すように、第1のマイクロストリ
ップ型放射電極11を上面2aから側面(左側面)2e
を介し底面2fに伸長形成してグランド電極7に接続
し、また、第2のマイクロストリップ型放射電極12を
上面2aから側面(右側面)2cを介し底面2fに伸長
形成してグランド電極7に接続してもよい。なお、図3
に示す例では、側面2dには底部側に固定電極6が形成
されている。
Further, in the example shown in FIG. 1, the first and second microstrip-type radiation electrodes 11 and 12 are connected to the ground electrode 7 through the side surfaces 2d, respectively. As shown, the first microstrip type radiation electrode 11 is moved from the upper surface 2a to the side surface (left side surface) 2e.
The second microstrip radiating electrode 12 extends from the top surface 2a to the bottom surface 2f via the side surface (right side surface) 2c to extend to the ground electrode 7 and connect to the ground electrode 7. You may connect. Note that FIG.
In the example shown in FIG. 1, the fixed electrode 6 is formed on the bottom side of the side surface 2d.

【0033】上記図2(a)、(b)や、図3に示す例
のものにおいても、図1と同様に、パッチ型放射電極3
の左右両側に第1のマイクロストリップ型放射電極11
と第2のマイクロストリップ型放射電極12が形成され
ていることによって、パッチ型放射電極3の指向性の対
称性を良好にすることができるという効果を奏すること
ができるものである。
In the examples shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b) and FIG. 3, as in FIG.
Microstrip-type radiation electrodes 11 on the left and right sides of
And the formation of the second microstrip-type radiation electrode 12, an effect of improving the symmetry of the directivity of the patch-type radiation electrode 3 can be obtained.

【0034】以下に、第2の実施形態例を説明する。な
お、この第2の実施形態例の説明において、前記第1の
実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共
通部分の重複説明は省略する。
Hereinafter, a second embodiment will be described. In the description of the second embodiment, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description of the common portions will not be repeated.

【0035】この第2の実施形態例において特徴的なこ
とは、第1のマイクロストリップ型放射電極11の共振
周波数と第2のマイクロストリップ型放射電極12の共
振周波数が異なっていることである。それ以外の構成は
前記第1の実施形態例とほぼ同様である。
A characteristic of the second embodiment is that the resonance frequency of the first microstrip type radiation electrode 11 and the resonance frequency of the second microstrip type radiation electrode 12 are different. Other configurations are almost the same as those of the first embodiment.

【0036】ところで、マイクロストリップ型放射電極
においては、例えば、第1のマイクロストリップ型放射
電極11(第2のマイクロストリップ型放射電極12)
における給電端部11a(12a)からグランド短絡端
部11b(12b)に至るまでの電流経路長や、電流経
路の太さに応じて、マイクロストリップ型放射電極はイ
ンダクタンス成分が変化して共振周波数が変化する。具
体的には、例えば、上記電流経路長が長くなったり、電
流経路が細くなるに従って、マイクロストリップ型放射
電極はインダクタンス成分が大きくなる方向に変化して
共振周波数は低くなる方向に変化する。
Incidentally, in the microstrip type radiation electrode, for example, the first microstrip type radiation electrode 11 (the second microstrip type radiation electrode 12)
The inductance component of the microstrip-type radiation electrode changes according to the current path length from the power supply end 11a (12a) to the ground short-circuit end 11b (12b) and the thickness of the current path, and the resonance frequency changes. Change. Specifically, for example, as the current path length becomes longer or the current path becomes thinner, the microstrip-type radiation electrode changes in a direction in which the inductance component increases, and changes in a direction in which the resonance frequency decreases.

【0037】また、グランドと間隔を介して対向し合っ
ている端部である開放端(例えば、図4に示すような第
1のマイクロストリップ型放射電極11の開放端11c
や、第2のマイクロストリップ型放射電極12の開放端
12c)と、グランド(図4に示す例では固定電極6)
との間の間隔(D1(D2))に応じて、上記開放端と
グランド間の静電容量が変化して、マイクロストリップ
型放射電極の共振周波数が変化する。具体的には、上記
開放端とグランド間の静電容量が小さくなるに従って、
マイクロストリップ型放射電極の共振周波数は高くなる
方向に変化する。
An open end (eg, an open end 11c of the first microstrip type radiation electrode 11 shown in FIG. 4) which is an end facing the ground with a space therebetween.
Or the open end 12c of the second microstrip type radiation electrode 12) and the ground (the fixed electrode 6 in the example shown in FIG. 4).
The capacitance between the open end and the ground changes in accordance with the distance (D1 (D2)) between the two, and the resonance frequency of the microstrip radiating electrode changes. Specifically, as the capacitance between the open end and the ground decreases,
The resonance frequency of the microstrip-type radiation electrode changes in a higher direction.

【0038】この第2の実施形態例では、上記マイクロ
ストリップ型放射電極の性質を利用して、第1のマイク
ロストリップ型放射電極11の共振周波数f11と第2の
マイクロストリップ型放射電極12の共振周波数f12を
異なったものとしている。
In the second embodiment, the resonance frequency f11 of the first microstrip radiating electrode 11 and the resonance frequency f2 of the second microstrip radiating electrode 12 are utilized by utilizing the properties of the microstrip radiating electrode. The frequency f12 is different.

【0039】すなわち、図4に示す例では、前記図1に
示す構成とほぼ同様な構成となっているが、第1のマイ
クロストリップ型放射電極11における側面2d部分の
電極面積に比べて、第2のマイクロストリップ型放射電
極12における側面2d部分の電極面積は、欠けKがあ
る分、小さくなっている(つまり、電流経路が細くなっ
ている)。このため、第2のマイクロストリップ型放射
電極12は第1のマイクロストリップ型放射電極11よ
りもインダクタンス成分が大きく、第2のマイクロスト
リップ型放射電極12の共振周波数f12は第1のマイク
ロストリップ型放射電極11の共振周波数f11よりも低
いものとなっている(換言すれば、第1のマイクロスト
リップ型放射電極11の共振周波数f11は第2のマイク
ロストリップ型放射電極12の共振周波数f12よりも高
いものとなっている)。
That is, in the example shown in FIG. 4, the structure is substantially the same as the structure shown in FIG. 1, but the second microstrip type radiation electrode 11 has a smaller area than the electrode area of the side surface 2d. The electrode area of the side surface 2d portion of the second microstrip type radiation electrode 12 is reduced by the presence of the chip K (that is, the current path is narrowed). For this reason, the second microstrip-type radiation electrode 12 has a larger inductance component than the first microstrip-type radiation electrode 11, and the resonance frequency f12 of the second microstrip-type radiation electrode 12 is equal to the first microstrip-type radiation electrode. It is lower than the resonance frequency f11 of the electrode 11 (in other words, the resonance frequency f11 of the first microstrip type radiation electrode 11 is higher than the resonance frequency f12 of the second microstrip type radiation electrode 12). Has become.)

【0040】また、図5(a)に示す例では、第1のマ
イクロストリップ型放射電極11は側面2eを介してグ
ランド電極7に接続されており、第2のマイクロストリ
ップ型放射電極12は側面2dを介してグランド電極7
に接続されている。それ以外は前記図1に示す構成と同
様である。上記グランド短絡端部11b,12bの形成
位置の違いによって、第1のマイクロストリップ型放射
電極11は第2のマイクロストリップ型放射電極12よ
りもインダクタンス成分が小さくなり、上記同様に、第
1のマイクロストリップ型放射電極11の共振周波数f
11は第2のマイクロストリップ型放射電極12の共振周
波数f12よりも高いものとなっている。
In the example shown in FIG. 5A, the first microstrip radiating electrode 11 is connected to the ground electrode 7 via the side surface 2e, and the second microstrip radiating electrode 12 is connected to the side surface 2e. Ground electrode 7 via 2d
It is connected to the. Otherwise, the configuration is the same as that shown in FIG. The first microstrip type radiation electrode 11 has a smaller inductance component than the second microstrip type radiation electrode 12 due to the difference in the formation position of the ground short-circuit ends 11b and 12b. Resonance frequency f of strip-type radiation electrode 11
Numeral 11 is higher than the resonance frequency f12 of the second microstrip type radiation electrode 12.

【0041】さらに、図5(b)に示す例では、前記図
1に示す構成とほぼ同様な構成を有するが、第1のマイ
クロストリップ型放射電極11の給電端部11aは第2
のマイクロストリップ型放射電極12の給電端部12a
よりも給電電極5から離れて形成されている。これによ
り、第1のマイクロストリップ型放射電極11の電流経
路長は第2のマイクロストリップ型放射電極12の電流
経路長よりも短く、第1のマイクロストリップ型放射電
極11のインダクタンス成分は第2のマイクロストリッ
プ型放射電極12のインダクタンス成分よりも小さくな
っている。このため、上記同様に、第1のマイクロスト
リップ型放射電極11の共振周波数f11は第2のマイク
ロストリップ型放射電極12の共振周波数f12よりも高
いものとなっている。
Further, in the example shown in FIG. 5B, the structure is substantially the same as the structure shown in FIG. 1, but the feeding end 11a of the first microstrip type radiation electrode 11 is the second structure.
Feed end 12a of the microstrip type radiation electrode 12 of FIG.
Rather than the power supply electrode 5. As a result, the current path length of the first microstrip radiating electrode 11 is shorter than the current path length of the second microstrip radiating electrode 12, and the inductance component of the first microstrip radiating electrode 11 is the second. It is smaller than the inductance component of the microstrip type radiation electrode 12. Therefore, as described above, the resonance frequency f11 of the first microstrip type radiation electrode 11 is higher than the resonance frequency f12 of the second microstrip type radiation electrode 12.

【0042】さらにまた、図5(c)に示す例において
も前記図1に示す構成とほぼ同様であるが、異なる特徴
的なことは、第1のマイクロストリップ型放射電極11
の開放端11cと固定電極6間の間隔D1が、第2のマ
イクロストリップ型放射電極12の開放端12cと固定
電極6間の間隔D2よりも広くなっていることである。
これにより、第1のマイクロストリップ型放射電極11
の開放端11cと固定電極6(グランド)間の静電容量
は、第2のマイクロストリップ型放射電極12の開放端
12cと固定電極6(グランド)間の静電容量よりも小
さく、上記同様に、第1のマイクロストリップ型放射電
極11の共振周波数f11は第2のマイクロストリップ型
放射電極12の共振周波数f12よりも高いものとなって
いる。
Further, the example shown in FIG. 5 (c) is almost the same as the structure shown in FIG. 1, but is different from the first microstrip type radiation electrode 11 in the example shown in FIG.
The distance D1 between the open end 11c of the second microstrip type radiation electrode 12 and the fixed electrode 6 is wider than the distance D2 between the open end 11c and the fixed electrode 6.
Thereby, the first microstrip type radiation electrode 11
The capacitance between the open end 11c and the fixed electrode 6 (ground) is smaller than the capacitance between the open end 12c of the second microstrip type radiation electrode 12 and the fixed electrode 6 (ground). The resonance frequency f11 of the first microstrip radiating electrode 11 is higher than the resonance frequency f12 of the second microstrip radiating electrode 12.

【0043】この第2の実施形態例では、上記のように
して第1のマイクロストリップ型放射電極11の共振周
波数f11と第2のマイクロストリップ型放射電極12の
共振周波数f12を異なるものとしている。上記第1と第
2の各マイクロストリップ型放射電極11,12のイン
ダクタンス成分や、開放端とグランド間の静電容量を利
用して第1と第2の各マイクロストリップ型放射電極1
1,12の共振周波数f11,f12の差Δfを適宜設定す
ることにより、表面実装型アンテナ1は、図6(a)に
示すようなリターンロス特性と、図6(b)に示すよう
なリターンロス特性とのうちの一方を択一的に持つこと
ができることとなる。
In the second embodiment, the resonance frequency f11 of the first microstrip radiating electrode 11 and the resonance frequency f12 of the second microstrip radiating electrode 12 are different from each other as described above. The first and second microstrip-type radiating electrodes 1 and 2 utilizing the inductance components of the first and second microstrip-type radiating electrodes 11 and 12 and the capacitance between the open end and the ground.
By appropriately setting the difference Δf between the resonance frequencies f11 and f12 of the surface mount antennas 1 and 12, the surface-mount antenna 1 has a return loss characteristic as shown in FIG. 6A and a return loss as shown in FIG. One of the loss characteristics can be alternatively provided.

【0044】すなわち、上記共振周波数f11,f12の差
Δfを小さくすることで、図6(a)に示すように、低
周波数側の周波数帯域において複共振状態となって、周
波数帯域の広帯域化を図ることができる。
That is, by reducing the difference Δf between the resonance frequencies f11 and f12, as shown in FIG. 6 (a), a multiple resonance state occurs in the lower frequency band, and the frequency band is broadened. Can be planned.

【0045】また、上記共振周波数f11,f12の差Δf
を広げると、図6(b)に示すように3つの周波数帯域
が形成されることとなり、マルチ化を図ることができ
る。
The difference Δf between the resonance frequencies f11 and f12
Is expanded, three frequency bands are formed as shown in FIG. 6 (b), and multi-channeling can be achieved.

【0046】この第2の実施形態例によれば、前記第1
の実施形態例と同様に、第1のマイクロストリップ型放
射電極11と第2のマイクロストリップ型放射電極12
がパッチ型放射電極3を中心にして略対称に形成されて
いるので、前記第1の実施形態例と同様に、パッチ型放
射電極3に左右対称な指向性を持たせることが可能とな
る。
According to the second embodiment, the first
The first microstrip type radiation electrode 11 and the second microstrip type radiation electrode 12
Are formed substantially symmetrically with respect to the patch-type radiation electrode 3, so that the patch-type radiation electrode 3 can be provided with symmetrical directivity similarly to the first embodiment.

【0047】その上、この第2の実施形態例では、第1
のマイクロストリップ型放射電極11の共振周波数f11
と第2のマイクロストリップ型放射電極12の共振周波
数f12とを異なるものとしたので、その共振周波数f1
1,f12の差Δfを適宜設定することで、周波数帯域の
広帯域化を図ることができたり、3つ以上の電波送受信
の周波数帯域を持つことが可能なマルチ化を図ることが
できる。このように、表面実装型アンテナ1の用途等に
応じた展開が容易となる。
In addition, in the second embodiment, the first embodiment
Resonance frequency f11 of the microstrip type radiation electrode 11 of FIG.
And the resonance frequency f12 of the second microstrip type radiation electrode 12 is different.
By appropriately setting the difference Δf between 1 and f12, it is possible to widen the frequency band, and to achieve multiplexing capable of having three or more frequency bands for radio wave transmission and reception. As described above, the deployment according to the use of the surface mount antenna 1 or the like becomes easy.

【0048】以下に、第3の実施形態例を説明する。な
お、この第3の実施形態例の説明において、前記各実施
形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部
分の重複説明は省略する。
Hereinafter, a third embodiment will be described. In the description of the third embodiment, the same components as those of the above embodiments are denoted by the same reference numerals, and the overlapping description of the common portions will be omitted.

【0049】この第3の実施形態例において特徴的なこ
とは、前記各実施形態例の構成に加えて、図7に示すよ
うに、第2の給電電極15が設けられていることであ
る。この第2の給電電極15は誘電体基体2の側面2d
におけるパッチ型放射電極3の近傍領域に形成されてい
る。また、この第2の給電電極15は上記側面2dから
底面2fに回り込んで形成されており、グランド電極7
とは短絡していない。このような第2の給電電極15は
外部から信号が供給されると、その信号を容量結合によ
りパッチ型放射電極3に供給することが可能なものであ
る。
The feature of the third embodiment is that a second power supply electrode 15 is provided as shown in FIG. 7 in addition to the configuration of each of the above embodiments. The second power supply electrode 15 is provided on the side surface 2 d of the dielectric substrate 2.
Are formed in the area near the patch-type radiation electrode 3. The second power supply electrode 15 is formed so as to extend from the side surface 2d to the bottom surface 2f.
Is not short-circuited. When a signal is supplied from the outside, the second power supply electrode 15 can supply the signal to the patch-type radiation electrode 3 by capacitive coupling.

【0050】ところで、例えば、2つの異なる周波数帯
域の電波の送受信が可能な通信装置においては、図8
(a)に示す構成を持つタイプのものと、図8(b)に
示すような構成を持つタイプのものとがある。
For example, in a communication device capable of transmitting and receiving radio waves in two different frequency bands, FIG.
There are a type having the configuration shown in FIG. 8A and a type having the configuration shown in FIG.

【0051】つまり、図8(a)に示すような通信装置
は、DUP(デュクレプサ(電波分離部))16と低周
波数側用のシステム部17と高周波数側用のシステム部
18を有し、例えば、前記図1に示すような表面実装型
アンテナ1が搭載される場合には、その表面実装型アン
テナ1の給電電極5がDUP16を介して低周波数側用
のシステム部17と高周波数側用のシステム部18に接
続される。そして、例えば、表面実装型アンテナ1で受
信された電波に基づき、DUP16によって低周波数側
の信号あるいは高周波数側の信号が取り出されて、低周
波数側の信号は低周波数側用のシステム部17に伝送さ
れて信号処理が成され、高周波数側の信号は高周波数側
用のシステム部18に伝送されて信号処理が成される。
That is, the communication device as shown in FIG. 8A has a DUP (Duplexer (radio wave separating unit)) 16, a system unit 17 for the low frequency side, and a system unit 18 for the high frequency side. For example, when the surface-mounted antenna 1 as shown in FIG. 1 is mounted, the power supply electrode 5 of the surface-mounted antenna 1 is connected to the low-frequency side system unit 17 and the high-frequency side Is connected to the system section 18. For example, based on the radio wave received by the surface mount antenna 1, a signal on the low frequency side or a signal on the high frequency side is extracted by the DUP 16, and the signal on the low frequency side is sent to the system section 17 for the low frequency side. The signal is transmitted and processed, and the signal on the high frequency side is transmitted to the system section 18 for the high frequency side to be processed.

【0052】また、図8(b)に示すような通信装置
は、上記DUP16が省略されたものであり、一般的に
は、従来の電波送受信の周波数帯域が1つであるアンテ
ナが低周波数側用と高周波数側との2種類用意されて搭
載され、低周波数側用のアンテナは低周波数帯域用のシ
ステム部17に、また、高周波数側用のアンテナは高周
波数帯域用のシステム部18にそれぞれ直接的に接続さ
れる。
A communication device as shown in FIG. 8 (b) does not have the DUP 16, and generally has an antenna having a single frequency band for radio wave transmission and reception in the low frequency side. And the high frequency side are prepared and mounted. The antenna for the low frequency side is in the system section 17 for the low frequency band, and the antenna for the high frequency side is in the system section 18 for the high frequency band. Each is directly connected.

【0053】この第3の実施形態例では、上記のよう
に、給電電極5に加えて、第2の給電電極15を設けた
ので、この第3の実施形態例の表面実装型アンテナ1
は、図8(a)に示すタイプの通信装置と図8(b)に
示すタイプの通信装置との両方に搭載することができ
る。
In the third embodiment, since the second power supply electrode 15 is provided in addition to the power supply electrode 5 as described above, the surface mount antenna 1 of the third embodiment is provided.
Can be mounted on both the communication device of the type shown in FIG. 8A and the communication device of the type shown in FIG. 8B.

【0054】つまり、図8(a)に示す通信装置に上記
図7に示す表面実装型アンテナ1を搭載する場合には、
上述同様に、表面実装型アンテナ1の給電電極5がDU
P16を介して低周波数側用のシステム部17と高周波
数側用のシステム部18に接続され、第2の給電電極1
5は何れにも接続されずに未使用状態となる。これによ
り、上記給電電極5はパッチ型放射電極3と第1のマイ
クロストリップ型放射電極11と第2のマイクロストリ
ップ型放射電極12に共通の給電電極として機能するこ
ととなる。
That is, when the surface mount antenna 1 shown in FIG. 7 is mounted on the communication device shown in FIG.
As described above, the feeding electrode 5 of the surface mount antenna 1 is DU
The second power supply electrode 1 is connected to the low frequency side system section 17 and the high frequency side system section 18 via P16.
5 is in an unused state without being connected to any of them. Thus, the power supply electrode 5 functions as a power supply electrode common to the patch-type radiation electrode 3, the first microstrip-type radiation electrode 11, and the second microstrip-type radiation electrode 12.

【0055】図8(b)に示す通信装置に上記図7に示
す表面実装型アンテナ1を搭載する場合には、例えば、
図8(b)の点線に示すように、表面実装型アンテナ1
の給電電極5は低周波数側用のシステム部17に接続さ
れ、また、第2の給電電極15は高周波数側用のシステ
ム部18に接続されることとなる。これにより、上記給
電電極5は第1のマイクロストリップ型放射電極11と
第2のマイクロストリップ型放射電極12に共通の給電
電極として機能し、第2の給電電極15はパッチ型放射
電極用の給電電極として機能する。
When the surface mount antenna 1 shown in FIG. 7 is mounted on the communication device shown in FIG. 8B, for example,
As shown by the dotted line in FIG.
The power supply electrode 5 is connected to the system unit 17 for the low frequency side, and the second power supply electrode 15 is connected to the system unit 18 for the high frequency side. Thus, the power supply electrode 5 functions as a power supply electrode common to the first microstrip type radiation electrode 11 and the second microstrip type radiation electrode 12, and the second power supply electrode 15 functions as a power supply for the patch type radiation electrode. Functions as an electrode.

【0056】この第3の実施形態例によれば、前記各実
施形態例の構成に加えて、第2の給電電極15を設ける
ことで、表面実装型アンテナ1は、図8(a)に示すよ
うな通信装置だけでなく、図8(b)に示すような上記
DUP16が省略された通信装置にも搭載することがで
きる。換言すれば、上記DUP16が省略された通信装
置においても、1つの表面実装型アンテナを搭載するだ
けで済むので、通信装置の小型化を図ることができる。
According to the third embodiment, by providing the second power supply electrode 15 in addition to the configuration of each of the above-described embodiments, the surface-mount antenna 1 is shown in FIG. Not only such a communication device but also a communication device in which the DUP 16 is omitted as shown in FIG. In other words, even in a communication device in which the DUP 16 is omitted, only one surface-mount antenna needs to be mounted, so that the size of the communication device can be reduced.

【0057】なお、表面実装型アンテナ1が、3つの異
なる周波数帯域の電波の送受信が可能な構成(つまり、
前記第2の実施形態例に示したような構成)を備えてい
る場合には、上記パッチ型放射電極3用の給電電極と、
第1のマイクロストリップ型放射電極11用の給電電極
と、第2のマイクロストリップ型放射電極12用の給電
電極との3つの給電電極を設けることで、上記のような
DUP16が省略され、かつ、3つの異なる周波数帯域
での通信が可能な通信装置にも搭載することができるこ
ととなる。
The surface mount antenna 1 is configured to transmit and receive radio waves in three different frequency bands (that is,
In the case of having the configuration as shown in the second embodiment), a feed electrode for the patch-type radiation electrode 3;
By providing three power supply electrodes, the power supply electrode for the first microstrip type radiation electrode 11 and the power supply electrode for the second microstrip type radiation electrode 12, the DUP 16 as described above is omitted, and It can be mounted on a communication device capable of communication in three different frequency bands.

【0058】以下に、第4の実施形態例を説明する。な
お、この第4の実施形態例の説明において、前記各実施
形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部
分の重複説明は省略する。
Hereinafter, a fourth embodiment will be described. In the description of the fourth embodiment, the same components as those of the above embodiments are denoted by the same reference numerals, and the description of the common portions will not be repeated.

【0059】この第4の実施形態例において特徴的なこ
とは、パッチ型放射電極3が図9(a)、(b)に示す
ような縮退分離する形態と成していることである。それ
以外の構成は前記各実施形態例と同様である。
The characteristic feature of the fourth embodiment is that the patch-type radiation electrode 3 has a form of degenerate separation as shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b). Other configurations are the same as those of the above embodiments.

【0060】すなわち、パッチ型放射電極3は、図9
(a)に示すような対角線状の共振のベクトルαとベク
トルβの各長さが異なる形状と成して縮退分離するもの
である。これにより、パッチ型放射電極3は円偏波の電
波の送受信を行うこととなる。なお、縮退分離する形態
は様々なものが考えられ、もちろん、パッチ型放射電極
3は、上記図9(a)、(b)に示す形態に限定される
ものではない。
That is, the patch-type radiation electrode 3 is
As shown in (a), the lengths of the diagonal resonance vectors α and β have different shapes and are degenerately separated. Thus, the patch-type radiation electrode 3 transmits and receives circularly polarized radio waves. Various forms of degenerate separation are conceivable. Needless to say, the patch-type radiation electrode 3 is not limited to the forms shown in FIGS. 9A and 9B.

【0061】この第4の実施形態例によれば、パッチ型
放射電極3は縮退分離する形態と成しているので、この
パッチ型放射電極3によって円偏波の電波の送受信が行
われ、また、第1と第2の各マイクロストリップ型放射
電極11,12によって直線偏波の電波の送受信が行わ
れることとなる。このように、円偏波と直線偏波の2種
類の電波の送受信が可能である表面実装型アンテナ1を
提供することができる。
According to the fourth embodiment, since the patch-type radiation electrode 3 is configured to be degenerated and separated, transmission and reception of circularly polarized radio waves are performed by the patch-type radiation electrode 3. The first and second microstrip radiating electrodes 11 and 12 transmit and receive linearly polarized radio waves. Thus, it is possible to provide the surface-mounted antenna 1 capable of transmitting and receiving two types of radio waves, that is, circularly polarized waves and linearly polarized waves.

【0062】以下に、第5の実施形態例を説明する。こ
の第5の実施形態例では、通信装置の一例を示す。この
第5の実施形態例に示す通信装置は図10に示すように
無線機30である。この無線機30のケース31内には
回路基板32が内蔵されており、この無線機30におい
て特徴的なことは、上記第1〜第4の各実施形態例に示
した表面実装型アンテナ1のうちの何れか1つが上記回
路基板32に実装されていることである。
Hereinafter, a fifth embodiment will be described. In the fifth embodiment, an example of a communication device will be described. The communication device shown in the fifth embodiment is a wireless device 30 as shown in FIG. A circuit board 32 is built in a case 31 of the wireless device 30. A characteristic of the wireless device 30 is that the surface mount antenna 1 shown in each of the first to fourth embodiments is different from that of the first embodiment. Either one of them is mounted on the circuit board 32.

【0063】上記無線機30の回路基板32には、図1
0に示すように、前記DUP16と低周波数側用のシス
テム部17と高周波数側用のシステム部18が形成され
ている。上記表面実装型アンテナ1は、回路基板32に
実装されることにより、上記DUP16を介して低周波
数側用のシステム部17と高周波数側用のシステム部1
8に導通接続される。この無線機30においては、1つ
の表面実装型アンテナ1を実装するだけで、異なる2つ
の周波数帯域の電波の送受信が行われるものである。
The circuit board 32 of the wireless device 30 has a structure shown in FIG.
As shown in FIG. 0, the DUP 16, a system section 17 for the low frequency side, and a system section 18 for the high frequency side are formed. The surface mount antenna 1 is mounted on the circuit board 32, and the low frequency system 17 and the high frequency system 1 are connected via the DUP 16.
8 is electrically connected. In this wireless device 30, transmission and reception of radio waves in two different frequency bands are performed simply by mounting one surface mount antenna 1.

【0064】この第5の実施形態例によれば、無線機3
0に前記各実施形態例に示した特有な構成を備えた表面
実装型アンテナ1を装備したので、1つの表面実装型ア
ンテナ1を設けるだけで、異なる2つの周波数帯域の電
波の送受信を行うことができる。その上に、パッチ型放
射電極3の指向性の対称性が良好であるので、アンテナ
特性の信頼性が高い通信装置を提供することができる。
According to the fifth embodiment, the radio 3
0 is equipped with the surface-mounted antenna 1 having the specific configuration shown in each of the above embodiments, so that transmission and reception of radio waves in two different frequency bands can be performed only by providing one surface-mounted antenna 1. Can be. In addition, since the directional symmetry of the patch-type radiation electrode 3 is good, it is possible to provide a communication device with high reliability of antenna characteristics.

【0065】なお、上記図10に示す例では、無線機3
0にはDUP16が形成されていたが、前記第3の実施
形態例に示したような給電電極5と第2の給電電極15
を備えた表面実装型アンテナ1を利用する場合には、前
記第3の実施形態例で述べたように、上記DUP16を
省略することができる。
Note that, in the example shown in FIG.
0, the DUP 16 is formed, but the power supply electrode 5 and the second power supply electrode 15 as shown in the third embodiment.
In the case of using the surface mount antenna 1 provided with the DUP 16, the DUP 16 can be omitted as described in the third embodiment.

【0066】なお、この発明は上記各実施形態例に限定
されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例
えば、上記各実施形態例では、表面実装型アンテナ1に
おける第1のマイクロストリップ型放射電極11と第2
のマイクロストリップ型放射電極12はパッチ型放射電
極3を中心にして対称あるいは略対称に形成されていた
が、上記第1と第2のマイクロストリップ型放射電極1
1,12はパッチ型放射電極3を挟み込むようにパッチ
型放射電極3の両側に形成されていればよく、パッチ型
放射電極3を中心にして対称あるいは略対称に形成され
ていなくともよい。この場合には、図13に示すような
マイクロストリップ型放射電極が1つだけであるものに
比べて、パッチ型放射電極3の指向性の対称性を改善す
ることができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and various embodiments can be adopted. For example, in each of the above embodiments, the first microstrip type radiation electrode 11 and the second
Are formed symmetrically or substantially symmetrically with respect to the patch-type radiation electrode 3, but the first and second microstrip-type radiation electrodes 1
The patches 1 and 12 need only be formed on both sides of the patch-type radiation electrode 3 so as to sandwich the patch-type radiation electrode 3, and need not be formed symmetrically or substantially symmetrically around the patch-type radiation electrode 3. In this case, the symmetry of the directivity of the patch-type radiation electrode 3 can be improved as compared with the case where only one microstrip-type radiation electrode as shown in FIG. 13 is used.

【0067】また、上記各実施形態例では、パッチ型放
射電極3の左右両側にそれぞれ1個ずつマイクロストリ
ップ型放射電極が形成されていたが、例えば、図11に
示すように、複数のマイクロストリップ型放射電極から
成る第1のマイクロストリップ型放射電極群20と第2
のマイクロストリップ型放射電極群21をパッチ型放射
電極3の両側に形成してもよい。
In each of the above embodiments, one microstrip-type radiation electrode is formed on each of the left and right sides of the patch-type radiation electrode 3. For example, as shown in FIG. Microstrip-type radiation electrode group 20 composed of
May be formed on both sides of the patch-type radiation electrode 3.

【0068】この場合、上記第1のマイクロストリップ
型放射電極群20と第2のマイクロストリップ型放射電
極群21はパッチ型放射電極3を中心にして略対称に形
成される。
In this case, the first microstrip-type radiation electrode group 20 and the second microstrip-type radiation electrode group 21 are formed substantially symmetrically with respect to the patch-type radiation electrode 3.

【0069】上記第1と第2の各マイクロストリップ型
放射電極群20,21を構成する複数のマイクロストリ
ップ型放射電極の各共振周波数を、前記第2の実施形態
例で述べたような性質を利用して適宜設定することによ
って、3つ以上の多数の周波数帯域の電波の送受信を可
能にしたり、また、2重や3重等の多共振状態を作り出
して周波数帯域の広帯域化を図ることができるというよ
うに、様々な展開を図ることが可能となる。
The resonance frequencies of the plurality of microstrip-type radiating electrodes constituting the first and second microstrip-type radiating electrode groups 20 and 21 are adjusted to the properties described in the second embodiment. It is possible to transmit and receive radio waves in many frequency bands of three or more by appropriately setting the frequency band, or to create a multi-resonant state such as double or triple to widen the frequency band. Various developments can be achieved as if it were possible.

【0070】なお、上記第1のマイクロストリップ型放
射電極群20と第2のマイクロストリップ型放射電極群
21が略対称とは、第1のマイクロストリップ型放射電
極群20と第2のマイクロストリップ型放射電極群21
をそれぞれ構成するマイクロストリップ型放射電極が多
数であり、それらマイクロストリップ型放射電極が微細
である場合には、上記第1のマイクロストリップ型放射
電極群20におけるマイクロストリップ型放射電極の数
と、第2のマイクロストリップ型放射電極群21におけ
るマイクロストリップ型放射電極の数とが僅かに異なっ
ている場合も含む。
Note that the first microstrip type radiation electrode group 20 and the second microstrip type radiation electrode group 21 are substantially symmetrical when the first microstrip type radiation electrode group 20 and the second microstrip type Radiation electrode group 21
When there are a large number of microstrip radiating electrodes constituting the respective microstrip radiating electrodes and the microstrip radiating electrodes are fine, the number of the microstrip radiating electrodes in the first microstrip radiating electrode group 20 and the This includes the case where the number of microstrip type radiation electrodes in the two microstrip type radiation electrode groups 21 is slightly different.

【0071】さらに、上記各実施形態例では、誘電体基
体2は直方体状のものであったが、誘電体基体2の形状
は直方体状に形成されるものではなく、様々な形態を採
り得る。例えば、図12に示すように、誘電体基体2を
円柱状にしてもよい。この場合も、上記各実施形態例と
同様に、誘電体基体2の上面2aの中央部にパッチ型放
射電極3が形成され、第1のマイクロストリップ型放射
電極11と第2のマイクロストリップ型放射電極12が
パッチ型放射電極3の両側に形成される。この場合に
も、上記各実施形態例と同様に、パッチ型放射電極3の
指向性の対称性を良好にすることができる。
Further, in each of the above embodiments, the dielectric substrate 2 has a rectangular parallelepiped shape. However, the shape of the dielectric substrate 2 is not limited to a rectangular parallelepiped shape, and can take various forms. For example, as shown in FIG. 12, the dielectric substrate 2 may have a columnar shape. Also in this case, similarly to the above embodiments, the patch-type radiation electrode 3 is formed at the center of the upper surface 2a of the dielectric substrate 2, and the first microstrip radiation electrode 11 and the second microstrip radiation Electrodes 12 are formed on both sides of the patch-type radiation electrode 3. Also in this case, similarly to the above embodiments, the symmetry of the directivity of the patch-type radiation electrode 3 can be improved.

【0072】さらに、上記第5の実施形態例では、通信
装置として無線機を例にして説明したが、この発明は、
無線機以外の通信装置にも適用することが可能なもので
ある。
Further, in the fifth embodiment, a wireless device has been described as an example of a communication device.
The present invention can be applied to communication devices other than wireless devices.

【0073】[0073]

【発明の効果】この発明によれば、パッチ型放射電極と
マイクロストリップ型放射電極を有しているので、1つ
の表面実装型アンテナで、互いに異なる2つ以上の周波
数帯域での電波の送受信が可能である。その上に、パッ
チ型放射電極の両側に間隙を介して第1のマイクロスト
リップ型放射電極と第2のマイクロストリップ型放射電
極が形成されているので、グランドと等価的なマイクロ
ストリップ型放射電極の影響がパッチ型放射電極の両側
にほぼ同程度に与えられることとなり、パッチ型放射電
極の指向性の良好な対称性を得ることが可能となる。
According to the present invention, since a patch-type radiation electrode and a microstrip-type radiation electrode are provided, a single surface-mount antenna can transmit and receive radio waves in two or more different frequency bands from each other. It is possible. The first microstrip type radiation electrode and the second microstrip type radiation electrode are formed on both sides of the patch type radiation electrode with a gap therebetween, so that the microstrip type radiation electrode equivalent to the ground is formed. The influence is substantially equally applied to both sides of the patch-type radiation electrode, and it is possible to obtain good symmetry of the directivity of the patch-type radiation electrode.

【0074】第1のマイクロストリップ型放射電極と第
2のマイクロストリップ型放射電極がパッチ型放射電極
を中心にして対称あるいは略対称に形成されているもの
にあっては、パッチ型放射電極の指向性の対称性をより
向上させることができる。
In the case where the first microstrip type radiation electrode and the second microstrip type radiation electrode are formed symmetrically or substantially symmetrically with respect to the patch type radiation electrode, the directivity of the patch type radiation electrode is set. Sex symmetry can be further improved.

【0075】第1のマイクロストリップ型放射電極の共
振周波数と、第2のマイクロストリップ型放射電極の共
振周波数とが異なっているものにあっては、第1と第2
の各マイクロストリップ型放射電極の共振周波数の差を
小さくして複共振状態を作り出すことによって、第1と
第2の各マイクロストリップ型放射電極による周波数帯
域の広帯域化を図ることができる。
If the resonance frequency of the first microstrip radiation electrode is different from the resonance frequency of the second microstrip radiation electrode, the first and second microstrip radiation electrodes are different.
By creating a multiple resonance state by reducing the difference between the resonance frequencies of the respective microstrip radiating electrodes, it is possible to widen the frequency band by the first and second microstrip radiating electrodes.

【0076】また、第1と第2の各マイクロストリップ
型放射電極の共振周波数の差を大きくすることにより、
パッチ型放射電極による周波数帯域に加えて、第1のマ
イクロストリップ型放射電極による周波数帯域と、該周
波数帯域とは異なる第2のマイクロストリップ型放射電
極による周波数帯域とが形成されることとなり、1つの
表面実装型アンテナで、異なる3つの周波数帯域の電波
の送受信が可能となり、表面実装型アンテナのマルチ化
を図ることができる。
By increasing the difference between the resonance frequencies of the first and second microstrip radiating electrodes,
In addition to the frequency band of the patch-type radiation electrode, a frequency band of the first microstrip-type radiation electrode and a frequency band of the second microstrip-type radiation electrode different from the frequency band are formed. With one surface-mounted antenna, transmission and reception of radio waves in three different frequency bands can be performed, and the surface-mounted antenna can be multiplied.

【0077】パッチ型放射電極は縮退分離する形態と成
して円偏波の電波の送受信を行うものにあっては、パッ
チ型放射電極によって円偏波の電波の送受信ができ、マ
イクロストリップ型放射電極によって直線偏波の電波の
送受信ができるので、円偏波と直線偏波の2種類の電波
の送受信が可能な表面実装型アンテナを提供することが
できる。
When the patch-type radiation electrode is configured to transmit and receive circularly polarized radio waves in a degenerate form, the patch-type radiation electrode can transmit and receive circularly polarized radio waves, and the microstrip radiation Since electrodes can transmit and receive linearly polarized radio waves, a surface-mounted antenna that can transmit and receive two types of radio waves, that is, circularly polarized waves and linearly polarized waves, can be provided.

【0078】パッチ型放射電極用の給電電極が形成され
ると共に、第1と第2の各マイクロストリップ型放射電
極にそれぞれ専用の給電電極あるいは第1のマイクロス
トリップ型放射電極と第2のマイクロストリップ型放射
電極に共通の給電電極が形成されている表面実装型アン
テナにあっては、電波分離部(DUP)を備えた通信装
置だけでなく、上記電波分離部が省略された通信装置に
も組み込むことが可能となり、装着可能な通信装置の種
類が増加して、適用範囲を拡大することができる。ま
た、従来では、異なる複数の周波数帯域の送受信が可能
で、かつ、上記電波分離部が設けられていない通信装置
では、送受信が可能な周波数帯域の数に応じたアンテナ
を用意する必要があるため、小型化が難しかったが、上
記本発明の、パッチ型放射電極用の給電電極とマイクロ
ストリップ型放射電極用の給電電極とを別個に設ける表
面実装型アンテナを用いることにより、上記通信装置に
組み込むアンテナの数を減少することができ、通信装置
の小型化を図ることが容易となる。
A feed electrode for a patch type radiation electrode is formed, and a dedicated feed electrode or a first microstrip type radiation electrode and a second microstrip type are respectively provided for the first and second microstrip type radiation electrodes. In a surface mount antenna in which a common power supply electrode is formed on a radiating electrode, not only a communication device having a radio wave separation unit (DUP) but also a communication device in which the radio wave separation unit is omitted. This makes it possible to increase the types of communication devices that can be mounted, thereby expanding the applicable range. Further, in the related art, a communication device that can transmit and receive a plurality of different frequency bands and does not include the radio wave separation unit needs to prepare antennas according to the number of frequency bands that can be transmitted and received. Although it was difficult to reduce the size, it was incorporated into the communication device by using a surface-mounted antenna according to the present invention in which a feed electrode for the patch-type radiation electrode and a feed electrode for the microstrip-type radiation electrode were separately provided. The number of antennas can be reduced, and the size of the communication device can be easily reduced.

【0079】第1のマイクロストリップ型放射電極群と
第2のマイクロストリップ型放射電極群とがパッチ型放
射電極の両側に形成されているものにあっては、上記同
様に、パッチ型放射電極の指向性の対称性を良好にする
ことができる上に、上記第1と第2の各マイクロストリ
ップ型放射電極群を構成する多数のマイクロストリップ
型放射電極の共振周波数を適宜設定することによって、
2つ以上の異なる周波数帯域の電波の送受信を可能とす
るマルチ化や、多共振状態を作り出して周波数帯域の広
帯域化を図ることが可能であり、様々な展開を図ること
が可能である。
In the case where the first microstrip type radiating electrode group and the second microstrip type radiating electrode group are formed on both sides of the patch type radiating electrode, the The symmetry of the directivity can be improved, and the resonance frequencies of a large number of microstrip radiating electrodes constituting the first and second microstrip radiating electrode groups can be appropriately set.
It is possible to achieve multi-mode transmission and reception of radio waves in two or more different frequency bands, or to create a multi-resonance state to widen the frequency band, and various developments are possible.

【0080】この発明において特徴的な表面実装型アン
テナを備えた通信装置にあっては、アンテナ特性の信頼
性が高い通信装置を提供することができることとなる。
According to the communication apparatus having the characteristic surface mount antenna according to the present invention, it is possible to provide a communication apparatus having high reliability of antenna characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る表面実装型アンテナの第1の実施
形態例を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a first embodiment of a surface mount antenna according to the present invention.

【図2】図1の変形例を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a modification of FIG. 1;

【図3】さらに、図1の変形例を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a modification of FIG. 1;

【図4】第2の実施形態例を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a second embodiment.

【図5】さらに、第2の実施形態例を説明するための図
である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a second embodiment example.

【図6】第2の実施形態例に示す表面実装型アンテナの
リターンロス特性の例を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of a return loss characteristic of the surface mount antenna shown in the second embodiment.

【図7】第3の実施形態例を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a third embodiment.

【図8】第3の実施形態例の表面実装型アンテナを搭載
することが可能な通信装置の構成例を示す説明図であ
る。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating a configuration example of a communication device capable of mounting the surface mount antenna according to the third embodiment.

【図9】第4の実施形態例を説明するための図である。FIG. 9 is a diagram for explaining a fourth embodiment.

【図10】通信装置の一例を示すモデル図である。FIG. 10 is a model diagram illustrating an example of a communication device.

【図11】第1のマイクロストリップ型放射電極群20
と第2のマイクロストリップ型放射電極群21が形成さ
れている表面実装型アンテナの例を示す説明図である。
FIG. 11 shows a first microstrip type radiation electrode group 20.
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a surface-mount antenna in which a second microstrip radiation electrode group 21 is formed.

【図12】その他の実施形態例を示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram showing another embodiment.

【図13】本出願人が提案している表面実装型アンテナ
の提案例を示す説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing a proposed example of a surface mount antenna proposed by the present applicant.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 表面実装型アンテナ 2 誘電体基体 3 パッチ型放射電極 5 給電電極 7 グランド電極 11 第1のマイクロストリップ型放射電極 12 第2のマイクロストリップ型放射電極 15 第2の給電電極 20 第1のマイクロストリップ型放射電極群 21 第2のマイクロストリップ型放射電極群 30 無線機 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Surface mount type antenna 2 Dielectric substrate 3 Patch type radiation electrode 5 Feeding electrode 7 Ground electrode 11 1st microstrip type radiation electrode 12 2nd microstrip type radiation electrode 15 2nd power supply electrode 20 1st microstrip -Type radiation electrode group 21 Second microstrip-type radiation electrode group 30 Radio

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J045 AA21 BA01 CA04 DA09 DA10 EA07 FA02 GA03 HA03 NA03 5J046 AA04 AB13 PA07 5J047 AA04 AB13 FD01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5J045 AA21 BA01 CA04 DA09 DA10 EA07 FA02 GA03 HA03 NA03 5J046 AA04 AB13 PA07 5J047 AA04 AB13 FD01

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体基体を有し、該誘電体基体の表面
にはグランドから浮いたパッチ型放射電極が形成される
と共に、該パッチ型放射電極の両側に間隙を介してグラ
ンドに短絡された第1のマイクロストリップ型放射電極
と第2のマイクロストリップ型放射電極が形成されてい
ることを特徴とする表面実装型アンテナ。
1. A dielectric substrate having a patch-type radiating electrode formed on the surface of the dielectric substrate and floating from the ground, and short-circuited to the ground via a gap on both sides of the patch-type radiating electrode. A first microstrip radiating electrode and a second microstrip radiating electrode are formed.
【請求項2】 第1のマイクロストリップ型放射電極と
第2のマイクロストリップ型放射電極はパッチ型放射電
極を中心にして互いに対称あるいは略対称に形成されて
いることを特徴とする請求項1記載の表面実装型アンテ
ナ。
2. The device according to claim 1, wherein the first microstrip radiation electrode and the second microstrip radiation electrode are formed symmetrically or substantially symmetrically with respect to the patch radiation electrode. Surface mount antenna.
【請求項3】 第1のマイクロストリップ型放射電極の
共振周波数と、第2のマイクロストリップ型放射電極の
共振周波数とは異なることを特徴とする請求項1又は請
求項2記載の表面実装型アンテナ。
3. The surface-mounted antenna according to claim 1, wherein a resonance frequency of the first microstrip type radiation electrode is different from a resonance frequency of the second microstrip type radiation electrode. .
【請求項4】 パッチ型放射電極は縮退分離する形態と
成して円偏波の電波の送受信を行うことを特徴とする請
求項1又は請求項2又は請求項3記載の表面実装型アン
テナ。
4. The surface-mounted antenna according to claim 1, wherein the patch-type radiation electrode is configured to degenerate and separate, and transmits and receives circularly polarized radio waves.
【請求項5】 誘電体基体にはパッチ型放射電極用の給
電電極が形成されると共に、第1と第2の各マイクロス
トリップ型放射電極にそれぞれ専用の給電電極あるいは
第1のマイクロストリップ型放射電極と第2のマイクロ
ストリップ型放射電極に共通の給電電極が形成されてい
ることを特徴とする請求項1又は請求項2又は請求項3
又は請求項4記載の表面実装型アンテナ。
5. A feed electrode for a patch-type radiation electrode is formed on a dielectric substrate, and a dedicated feed electrode or a first microstrip-type radiation is provided for each of the first and second microstrip-type radiation electrodes. 4. A common power supply electrode is formed between the electrode and the second microstrip radiation electrode.
Or the surface mount type antenna according to claim 4.
【請求項6】 第1と第2の各マイクロストリップ型放
射電極の近傍にはそれぞれ間隔を介して1つ以上のマイ
クロストリップ型放射電極が並設されており、第1のマ
イクロストリップ型放射電極およびその近傍のマイクロ
ストリップ型放射電極から成る第1のマイクロストリッ
プ型放射電極群と、第2のマイクロストリップ型放射電
極およびその近傍のマイクロストリップ型放射電極から
成る第2のマイクロストリップ型放射電極群とは、パッ
チ型放射電極を中心にして互いに略対称に形成されてお
り、上記複数のマイクロストリップ型放射電極の各共振
周波数は互いに異なっていることを特徴とする請求項1
乃至請求項5の何れか1つに記載の表面実装型アンテ
ナ。
6. One or more microstrip radiating electrodes are juxtaposed in the vicinity of each of the first and second microstrip radiating electrodes with a space therebetween. And a second microstrip type radiating electrode group including a second microstrip type radiating electrode and a microstrip type radiating electrode in the vicinity thereof. 2. The device according to claim 1, wherein the plurality of microstrip-type radiation electrodes have different resonance frequencies from each other with respect to the patch-type radiation electrode.
A surface-mounted antenna according to claim 1.
【請求項7】 請求項1乃至請求項6の何れか1つに記
載の表面実装型アンテナを備えていることを特徴とした
通信装置。
7. A communication device comprising the surface-mount antenna according to claim 1. Description:
JP2000004648A 2000-01-13 2000-01-13 Surface mounted antenna and communication device provided with the antenna Expired - Fee Related JP3460653B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000004648A JP3460653B2 (en) 2000-01-13 2000-01-13 Surface mounted antenna and communication device provided with the antenna
GB0031381A GB2359929B (en) 2000-01-13 2000-12-21 Antenna device and communication apparatus
US09/760,217 US6384786B2 (en) 2000-01-13 2001-01-11 Antenna device and communication apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000004648A JP3460653B2 (en) 2000-01-13 2000-01-13 Surface mounted antenna and communication device provided with the antenna

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001196840A true JP2001196840A (en) 2001-07-19
JP3460653B2 JP3460653B2 (en) 2003-10-27

Family

ID=18533408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000004648A Expired - Fee Related JP3460653B2 (en) 2000-01-13 2000-01-13 Surface mounted antenna and communication device provided with the antenna

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3460653B2 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100444217B1 (en) * 2001-09-12 2004-08-16 삼성전기주식회사 Surface mounted chip antenna
JP2005260566A (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Denso Corp Integrated antenna
JP2005260567A (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Denso Corp Integrated antenna
JP2007124016A (en) * 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp Integrated antenna
US7227502B2 (en) 2003-12-18 2007-06-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Patch antenna whose directivity is shifted to a particular direction, and a module integrated with the patch antenna
JP2010062617A (en) * 2008-09-01 2010-03-18 Mitsubishi Electric Corp Antenna apparatus, and array antenna apparatus
WO2011046368A2 (en) * 2009-10-13 2011-04-21 주식회사 에이스테크놀로지 Broadband built-in antenna using double electromagnetic coupling
KR101177665B1 (en) 2011-06-17 2012-08-27 주식회사 에이스테크놀로지 Multi circular polarization antenna using a coupling method
KR101268130B1 (en) 2011-06-20 2013-05-27 주식회사 에이스테크놀로지 Multi-circular polarization antenna

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295876A (en) * 2005-03-15 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Antenna assembly and wireless communication device using it

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100444217B1 (en) * 2001-09-12 2004-08-16 삼성전기주식회사 Surface mounted chip antenna
US7227502B2 (en) 2003-12-18 2007-06-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Patch antenna whose directivity is shifted to a particular direction, and a module integrated with the patch antenna
JP2005260566A (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Denso Corp Integrated antenna
JP2005260567A (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Denso Corp Integrated antenna
CN100456558C (en) * 2004-03-11 2009-01-28 株式会社电装 Combined antenna formed by horizontal directivity antenna and zenithal directivity antenna
JP2007124016A (en) * 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp Integrated antenna
JP2010062617A (en) * 2008-09-01 2010-03-18 Mitsubishi Electric Corp Antenna apparatus, and array antenna apparatus
WO2011046368A2 (en) * 2009-10-13 2011-04-21 주식회사 에이스테크놀로지 Broadband built-in antenna using double electromagnetic coupling
WO2011046368A3 (en) * 2009-10-13 2011-08-04 주식회사 에이스테크놀로지 Broadband built-in antenna using double electromagnetic coupling
KR101177665B1 (en) 2011-06-17 2012-08-27 주식회사 에이스테크놀로지 Multi circular polarization antenna using a coupling method
KR101268130B1 (en) 2011-06-20 2013-05-27 주식회사 에이스테크놀로지 Multi-circular polarization antenna

Also Published As

Publication number Publication date
JP3460653B2 (en) 2003-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4423809B2 (en) Double resonance antenna
JP3596526B2 (en) Surface mounted antenna and communication device provided with the antenna
JP3180683B2 (en) Surface mount antenna
US20030071757A1 (en) Loop antenna, surface-mounted antenna and communication equipment having the same
JP2001068917A (en) Surface mounted antenna and communication unit using the same
WO2017145831A1 (en) Antenna device
JP2010068085A (en) Antenna device
JP2004007559A (en) Multiple-resonance antenna, antenna module, and radio device using the multiple-resonance antenna
JP2004328717A (en) Diversity antenna device
JP2009501468A (en) Diversity degree 2 antenna system and card for wireless communication apparatus having the antenna system
JP2002252514A (en) Multiple resonance antenna
JP2001119232A (en) Planar antenna for circularly polarized wave
JP4249411B2 (en) Planar antenna and dual band transmitter including the same
US6384786B2 (en) Antenna device and communication apparatus
JP2002374122A (en) Circularly polarized antenna and radio apparatus using the same
JP3460653B2 (en) Surface mounted antenna and communication device provided with the antenna
JP2001298320A (en) Circularly polarized wave antenna system and radio communications equipment using the same
JP2000244232A (en) Micro-strip antenna
JP2013530623A (en) Antenna with planar conductive element
WO2001097329A1 (en) Narrowband/wideband dual mode antenna
JP2004147327A (en) Multiband antenna
KR102095943B1 (en) Dual broadband microstrip patch antenna with shared aperture
JP2003168916A (en) Antenna assembly
JP4060645B2 (en) Multi-frequency antenna and multi-frequency omnidirectional antenna
JP2005142739A (en) Multi-frequency antenna and constituting method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees