JP2001186197A - Current driver circuit - Google Patents

Current driver circuit

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JP2001186197A
JP2001186197A JP2000310009A JP2000310009A JP2001186197A JP 2001186197 A JP2001186197 A JP 2001186197A JP 2000310009 A JP2000310009 A JP 2000310009A JP 2000310009 A JP2000310009 A JP 2000310009A JP 2001186197 A JP2001186197 A JP 2001186197A
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Japan
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current
circuit
current driver
power supply
common mode
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Application number
JP2000310009A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Hirata
貴士 平田
Hironori Akamatsu
寛範 赤松
学志 ▲高▼橋
Satoshi Takahashi
Yutaka Terada
裕 寺田
Yoshihide Komatsu
義英 小松
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a current driver capable of performing operation over a wide voltage range. SOLUTION: A twisted pair of cables TP/NTP respectively connected to a termination bias voltage via a termination resistance is driven. For that reason, the current driver 3 connected to the twisted pair of cables, a common mode voltage monitor circuit 1 for monitoring the difference between the common mode voltage (intermediate potential) V cm of the twisted pair of cables and the power supply voltage of the driver 3 and a current correction circuit 2 connected to the twisted pair of cables, so as to gradually correct the output current of the driver 3 corresponding to the monitored results are provided, and when the current drive capability of the driver 3 falls due to the decrease of the power supply voltage of the driver 3 and the fluctuation of the common mode voltage V cm of the twisted pair of cables, a constant current operation is made possible by compensating the quantity of the fall of the current drive capability.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
関し、特に高速インタフェースにおける電流ドライバ回
路に関するものである。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a current driver circuit for a high-speed interface.

【0002】[0002]

【従来の技術】データの高速伝送を達成するためには、
各々終端抵抗を介して終端バイアス電圧に結合された伝
送線路対(ツイストペアケーブル)を用いた差動型のイ
ンタフェースが好適である。このインタフェースでのデ
ータ伝送は、送信側の電流ドライバがツイストペアケー
ブルへ一定振幅の電流を流し、終端抵抗の両端に発生す
る小振幅かつ一定振幅の電位差を受信側のレシーバ回路
で検知することによって行われる。
2. Description of the Related Art In order to achieve high-speed data transmission,
A differential interface using a transmission line pair (twisted pair cable) coupled to a terminating bias voltage via a terminating resistor is preferred. Data transmission on this interface is performed by transmitting a constant-amplitude current through the twisted-pair cable by the transmitting-side current driver and detecting a small-amplitude and constant-amplitude potential difference generated at both ends of the terminating resistor by the receiving-side receiver circuit. Will be

【0003】米国特許5,592,510号(発行日:
1997年1月7日)には、高速シリアルインタフェー
スの規格であるIEEE1394に用いられる電流ドラ
イバ回路が開示されている。これによれば、ツイストペ
アケーブルへの出力電流がモニタされ、そのモニタ結果
に応じて、当該出力電流が一定振幅になるように補正さ
れる。
US Pat. No. 5,592,510 (issue date:
(January 7, 1997) discloses a current driver circuit used in IEEE 1394, which is a high-speed serial interface standard. According to this, the output current to the twisted pair cable is monitored, and according to the monitoring result, the output current is corrected so as to have a constant amplitude.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】これからますます、半
導体プロセスの微細化と低消費電力化を進めて行くため
には、電源電圧を下げることが必須である。しかし、終
端バイアス電圧(Tpbias)を一定に保ったときに、電
源電圧(Vdd)が低くなると、VddとTpbiasの値
が近付くために、電流ドライバ中のPMOS電流源トラ
ンジスタのドレイン−ソース間電圧が小さくなり、当該
PMOS電流源トランジスタが非飽和領域に入り、定電
流動作ができなくなる。そのため、出力電流を所定の範
囲内に収めるためには、Vddの許容範囲が制限される
ことになる。一方、Vddが高くなると、PMOS電流
源トランジスタは飽和領域で動作しているが、ドレイン
領域の抵抗により、徐々に電流量が増える傾向となる。
したがって、PMOS電流源トランジスタのために専用
の電源を設けなければならない事態となる。しかしなが
ら、専用電源を設けることは、消費電力と製造コストの
増大につながるため現実的ではない。
[0007] In order to further advance the miniaturization and low power consumption of semiconductor processes, it is essential to lower the power supply voltage. However, if the power supply voltage (Vdd) decreases when the termination bias voltage (Tpbias) is kept constant, the values of Vdd and Tpbias become closer, so that the drain-source voltage of the PMOS current source transistor in the current driver becomes higher. As a result, the PMOS current source transistor enters the non-saturation region, and the constant current operation cannot be performed. Therefore, in order to keep the output current within the predetermined range, the allowable range of Vdd is limited. On the other hand, when Vdd increases, the PMOS current source transistor operates in the saturation region, but the current amount tends to gradually increase due to the resistance of the drain region.
Therefore, it becomes necessary to provide a dedicated power supply for the PMOS current source transistor. However, providing a dedicated power supply is not realistic because it increases power consumption and manufacturing cost.

【0005】一方、受信側がTpbiasを決定している場
合には、送信側の電流ドライバから見たTpbiasの値
は、受信側グランドレベルの変動等により変動する。こ
こで、Tpbiasが低くなると、電流ドライバ中のNMO
S電流源トランジスタが非飽和領域に入り、定電流動作
ができなくなる。反対にTpbiasが高くなると、PMO
S電流源トランジスタが非飽和領域に入り、定電流動作
ができなくなる。したがって、両電流源トランジスタが
定電流動作できる範囲にTpbiasの値を設定しなければ
ならないが、Vddを下げることによってその領域が狭
まってくる。
On the other hand, when the receiving side determines Tpbias, the value of Tpbias viewed from the current driver on the transmitting side fluctuates due to fluctuations in the ground level of the receiving side. Here, when Tpbias becomes lower, the NMO in the current driver becomes smaller.
The S current source transistor enters the non-saturation region, and the constant current operation cannot be performed. Conversely, when Tpbias increases, PMO
The S current source transistor enters the non-saturation region, and the constant current operation cannot be performed. Therefore, the value of Tpbias must be set within a range in which both current source transistors can operate at a constant current, but the region becomes narrower by lowering Vdd.

【0006】本発明は、前記課題に鑑み、幅広い電圧範
囲において動作が可能となる電流ドライバ回路を提供す
ることを目的とする。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a current driver circuit capable of operating in a wide voltage range.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、各々終端抵抗を介して終端バイアス電圧
に結合された伝送線路対を駆動するための電流ドライバ
回路において、前記伝送線路対に結合された電流ドライ
バと、前記伝送線路対のコモンモード電圧(中間電位)
と前記電流ドライバの少なくとも1つの電源電圧レベル
との差をモニタするためのコモンモード電圧モニタ回路
と、このコモンモード電圧モニタ回路からのモニタ結果
に応じて前記電流ドライバの出力電流を補正するように
前記伝送線路対に結合された電流補正回路とを備えた構
成を採用したものである。
According to the present invention, there is provided a current driver circuit for driving a transmission line pair each coupled to a terminating bias voltage via a terminating resistor. And a common mode voltage (intermediate potential) of the transmission line pair
And a common mode voltage monitor circuit for monitoring a difference between the current driver and at least one power supply voltage level of the current driver, and an output current of the current driver is corrected in accordance with a monitoring result from the common mode voltage monitor circuit. And a current correction circuit coupled to the transmission line pair.

【0008】この構成によれば、電流ドライバの電源電
圧レベルの低下や伝送線路対のコモンモード電圧の変動
によって当該電流ドライバの電流駆動能力が低下した場
合には、その低下分を補償するように電流補正回路が動
作するので、定電流動作が可能となる。しかも、コモン
モード電圧と電源電圧レベルとの差を用いているので、
電流ドライバ中の電流源トランジスタのドレイン−ソー
ス間電圧を正しく反映した電流補正動作を実現すること
ができる。
According to this configuration, when the current driving capability of the current driver is reduced due to a decrease in the power supply voltage level of the current driver or a change in the common mode voltage of the transmission line pair, the decrease is compensated for. Since the current correction circuit operates, constant current operation becomes possible. Moreover, since the difference between the common mode voltage and the power supply voltage level is used,
A current correction operation that correctly reflects the drain-source voltage of the current source transistor in the current driver can be realized.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】図1は、本発明に係る電流ドライバ回路を
備えた送受信回路の構成例を示している。図1の送受信
回路20は、2本の終端抵抗Rの直列回路を近傍に有す
る伝送線路対(ツイストペアケーブル)TP/NTPに
結合されており、コモンモード電圧モニタ回路1と、電
流補正回路2と、電流ドライバ3と、電源電圧モニタ回
路4と、バイアス調整回路5と、パルス発生回路6と、
2つの電流源7と、レシーバ回路8と、抵抗回路9とを
備えている。
FIG. 1 shows a configuration example of a transmitting / receiving circuit provided with a current driver circuit according to the present invention. The transmission / reception circuit 20 of FIG. 1 is coupled to a transmission line pair (twisted pair cable) TP / NTP having a series circuit of two terminating resistors R in the vicinity, and includes a common mode voltage monitor circuit 1, a current correction circuit 2, A current driver 3, a power supply voltage monitor circuit 4, a bias adjustment circuit 5, a pulse generation circuit 6,
It includes two current sources 7, a receiver circuit 8, and a resistor circuit 9.

【0011】電流ドライバ3は、差動データ信号Dat
a+/Data−に応じてツイストペアケーブルTP/
NTPを駆動するものであり、後述するようにPMOS
電流源トランジスタとNMOS電流源トランジスタとを
備えている。レシーバ回路8は、ストローブ信号Str
b_Rxの受信のための回路である。
The current driver 3 outputs the differential data signal Dat
a + / Data- depending on the twisted pair cable TP /
NTP is driven by a PMOS as described later.
It has a current source transistor and an NMOS current source transistor. The receiver circuit 8 outputs the strobe signal Str
This is a circuit for receiving b_Rx.

【0012】抵抗回路9は、当該ツイストペアケーブル
のコモンモード電圧Vcmを検知するように、LSI内
に設けられた2本の抵抗R1,R2で構成されている。
コモンモード電圧モニタ回路1は、電流ドライバ3の中
のPMOS電流源トランジスタのソースに結合された第
1の電源電圧(Vdd)レベルと前記コモンモード電圧
Vcmとの差と、前記コモンモード電圧Vcmと電流ド
ライバ3の中のNMOS電流源トランジスタのソースに
結合された第2の電源電圧(Vss=グランド)レベル
との差とをモニタし、かつ評価する。モニタ結果Con
t<0:3>は電流補正回路2に送られる。電流補正回
路2は、当該モニタ結果Cont<0:3>に応じて電
流ドライバ3の出力電流を段階的に補正するようにツイ
ストペアケーブルTP/NTPに結合されている。コモ
ンモード電圧モニタ回路1及び電流補正回路2は、電流
ドライバ3の中のいずれかの電流源トランジスタが非飽
和領域に達したときに不足する電流を補正するための回
路である。ここで段階的な電流補正を採用しているの
で、発振を抑制した電流制御が容易となる。
The resistor circuit 9 is composed of two resistors R1 and R2 provided in the LSI so as to detect the common mode voltage Vcm of the twisted pair cable.
The common mode voltage monitor circuit 1 is configured to detect a difference between a first power supply voltage (Vdd) level coupled to a source of a PMOS current source transistor in the current driver 3 and the common mode voltage Vcm; The difference from a second power supply voltage (Vss = ground) level coupled to the source of the NMOS current source transistor in the current driver 3 is monitored and evaluated. Monitor result Con
t <0: 3> is sent to the current correction circuit 2. The current correction circuit 2 is coupled to the twisted pair cable TP / NTP so as to gradually correct the output current of the current driver 3 according to the monitoring result Cont <0: 3>. The common mode voltage monitor circuit 1 and the current correction circuit 2 are circuits for correcting a shortage of current when any one of the current source transistors in the current driver 3 reaches an unsaturated region. Since stepwise current correction is employed here, current control with oscillation suppressed is facilitated.

【0013】電源電圧モニタ回路4は、参照電位Ref
<0:1>を用いてVddレベルをモニタし、かつ評価
する。モニタ結果Mod<0:1>はバイアス調整回路
5に送られる。バイアス調整回路5は、当該モニタ結果
Mod<0:1>に応じて電流ドライバ3の出力電流を
補正するように、基本バイアスBiasに基づき、電流
ドライバ3の中のPMOS電流源トランジスタ及びNM
OS電流源トランジスタの各々のゲートバイアス電圧P
bias及びNbiasを調整する。電源電圧モニタ回
路4及びバイアス調整回路5は、電流ドライバ3の中の
PMOS電流源トランジスタの飽和領域でのドレイン抵
抗に起因する電流量の変動を補正するための回路であ
る。
The power supply voltage monitor circuit 4 has a reference potential Ref
The Vdd level is monitored and evaluated using <0: 1>. The monitoring result Mod <0: 1> is sent to the bias adjustment circuit 5. The bias adjustment circuit 5 corrects the output current of the current driver 3 according to the monitoring result Mod <0: 1> based on the basic bias Bias and the PMOS current source transistor and NM in the current driver 3.
Gate bias voltage P of each OS current source transistor
Adjust bias and Nbias. The power supply voltage monitor circuit 4 and the bias adjustment circuit 5 are circuits for correcting fluctuations in the amount of current caused by the drain resistance in the saturation region of the PMOS current source transistor in the current driver 3.

【0014】図1の送受信回路20は、ツイストペアケ
ーブルのコモンモード電圧Vcmを強制的に変化させる
ことでも情報伝達を行えるようになっている。パルス発
生回路6及び2つの電流源7は、そのための構成であ
る。パルス発生回路6は、例えば伝送レート情報を表す
スピード信号SSがアサートされると、各々ツイストペ
アケーブルの2本の信号線TP/NTPに結合された2
つの電流源7を同時にオンさせるように信号SS1を供
給する。つまり、Vcmを一定期間(100ns程度)
下げることによって、伝送レート情報の伝達が行われ
る。ただし、Vcmの急激な変化が起こり、電流補正回
路2が誤動作する恐れがある。この問題を回避するため
に、パルス発生回路6が信号SS2を供給することで、
コモンモード電圧モニタ回路1のVcm入力と電流補正
回路2の出力とをスピード信号SSの送信期間に切り離
すようにしている。
The transmission / reception circuit 20 of FIG. 1 can transmit information by forcibly changing the common mode voltage Vcm of the twisted pair cable. The pulse generation circuit 6 and the two current sources 7 have a configuration for that purpose. For example, when the speed signal SS representing transmission rate information is asserted, the pulse generation circuit 6 couples the two to the two signal lines TP / NTP of the twisted pair cable.
The signal SS1 is supplied to turn on the two current sources 7 at the same time. That is, Vcm is set for a certain period (about 100 ns).
By lowering, transmission rate information is transmitted. However, a sudden change in Vcm may occur, and the current correction circuit 2 may malfunction. To avoid this problem, the pulse generation circuit 6 supplies the signal SS2,
The Vcm input of the common mode voltage monitor circuit 1 and the output of the current correction circuit 2 are separated during the transmission period of the speed signal SS.

【0015】図2は、図1の送受信回路20の相手側送
受信回路の構成例を示している。図2の送受信回路21
は、2本の終端抵抗Rの直列回路を近傍に有するツイス
トペアケーブルTP/NTPに結合されており、電流ド
ライバ3と、電源電圧モニタ回路4と、バイアス調整回
路5と、レシーバ回路8と、終端バイアス電圧発生回路
11とを備えている。電流ドライバ3は、差動ストロー
ブ信号Strb+/Strb−に応じてツイストペアケ
ーブルTP/NTPを駆動する。バイアス調整回路5
は、電流ドライバ3の中のPMOS電流源トランジスタ
及びNMOS電流源トランジスタの各々のゲートバイア
ス電圧Pbias′及びNbias′を調整する。レシ
ーバ回路8は、データ信号Data_Rxの受信のため
の回路である。終端バイアス電圧発生回路11は、与え
られた終端バイアス電圧Tpbiasと等しい終端バイアス
電圧Tpbias′を2本の終端抵抗Rの中間タップへ供給
するものである。
FIG. 2 shows an example of the configuration of the transmission / reception circuit of the transmission / reception circuit 20 shown in FIG. The transmitting / receiving circuit 21 of FIG.
Is coupled to a twisted pair cable TP / NTP having a series circuit of two terminating resistors R in the vicinity, and includes a current driver 3, a power supply voltage monitor circuit 4, a bias adjustment circuit 5, a receiver circuit 8, a termination circuit And a bias voltage generation circuit 11. The current driver 3 drives the twisted pair cable TP / NTP according to the differential strobe signal Strb + / Strb-. Bias adjustment circuit 5
Adjusts the gate bias voltages Pbias 'and Nbias' of the PMOS current source transistor and the NMOS current source transistor in the current driver 3, respectively. The receiver circuit 8 is a circuit for receiving the data signal Data_Rx. The termination bias voltage generation circuit 11 supplies a termination bias voltage Tpbias' equal to the supplied termination bias voltage Tpbias to an intermediate tap of the two termination resistors R.

【0016】図2の送受信回路21は、自身のグランド
レベルに対するツイストペアケーブルTP/NTPのコ
モンモード電圧を終端バイアス電圧発生回路11で自ら
決定できるので、電流ドライバ3の中の各電流源トラン
ジスタのバイアス条件を飽和領域で設計することが容易
である。したがって、図1の送受信回路20とは違っ
て、コモンモード電圧モニタ回路1及び電流補正回路2
を設ける必要はなく、回路規模を小さく抑えることがで
きる。
The transmission / reception circuit 21 of FIG. 2 can determine the common mode voltage of the twisted pair cable TP / NTP with respect to its own ground level by the termination bias voltage generation circuit 11 by itself, so that the bias of each current source transistor in the current driver 3 can be determined. It is easy to design conditions in the saturation region. Therefore, unlike the transmission / reception circuit 20 of FIG. 1, the common mode voltage monitor circuit 1 and the current correction circuit 2
Need not be provided, and the circuit scale can be kept small.

【0017】図3は、図1中のコモンモード電圧モニタ
回路1の詳細構成例を示している。図3のコモンモード
電圧モニタ回路1は、4個のコンパレータ31a〜31
dと、トランスファーゲート32と、電流源33と、4
本の抵抗R3〜R6と、容量C1とを備えている。
FIG. 3 shows a detailed configuration example of the common mode voltage monitor circuit 1 in FIG. The common mode voltage monitor circuit 1 of FIG. 3 includes four comparators 31a to 31a.
d, transfer gate 32, current source 33, 4
There are provided resistors R3 to R6 and a capacitor C1.

【0018】4本の抵抗R3〜R6は、VddとVss
(=0V)との間に互いに直列に接続されている。電流
源33は、これら4本の抵抗R3〜R6の直列回路に電
流I1を流す。これにより、抵抗端子電圧V1〜V4が
得られる。ここに、 V1=Vdd−I1×R3 V2=Vdd−I1×(R3+R4) V3=I1×(R5+R6) V4=I1×R6 である。4個のコンパレータ31a〜31dは、コモン
モード電圧Vcmと抵抗端子電圧V1〜V4とをそれぞ
れ比較することにより、Cont<0:3>を生成す
る。具体的には、Vcmの値がV1の値以下であるとC
ont<0>が“H”となり、越えるとCont<0>
が“L”となる。同様に、Vcmの値がV2の値以下で
あるとCont<1>が“H”となり、越えるとCon
t<1>が“L”となる。また、Vcmの値がV3以上
であるとCont<2>が“L”となり、下回るとCo
nt<2>が“H”となる。同様に、Vcmの値がV4
以上であるとCont<3>が“L”となり、下回ると
Cont<3>が“H”となる。なお、ノイズ等の影響
による誤動作を防止するため、コンパレータ31a〜3
1dの入出力関係にヒステリシスを持たせるのがよい。
The four resistors R3 to R6 are connected to Vdd and Vss.
(= 0 V). The current source 33 allows the current I1 to flow through a series circuit of these four resistors R3 to R6. Thereby, the resistance terminal voltages V1 to V4 are obtained. Here, V1 = Vdd-I1 * R3 V2 = Vdd-I1 * (R3 + R4) V3 = I1 * (R5 + R6) V4 = I1 * R6 The four comparators 31a to 31d generate Cont <0: 3> by comparing the common mode voltage Vcm with the resistance terminal voltages V1 to V4, respectively. Specifically, if the value of Vcm is equal to or less than the value of V1, C
ont <0> becomes “H”, and when it exceeds, Cont <0>
Becomes “L”. Similarly, when the value of Vcm is equal to or less than the value of V2, Cont <1> becomes "H", and when it exceeds, Cont <1> becomes Con.
t <1> becomes “L”. When the value of Vcm is equal to or more than V3, Cont <2> becomes “L”, and when the value falls below V3, Cot <2> becomes CoL.
nt <2> becomes “H”. Similarly, when the value of Vcm is V4
Above, Cont <3> becomes “L”, and below this, Cont <3> becomes “H”. In order to prevent malfunction due to the influence of noise or the like, the comparators 31a to 31a-3
It is preferable that the input / output relationship of 1d has hysteresis.

【0019】更に、図3によれば、スピード信号SSの
送信期間にSS2信号を“H”にすることでトランスフ
ァーゲート32をオフにすることにより、コモンモード
電圧モニタ回路1からVcm入力が切り離される。この
期間では、容量C1によりVcmの値が保持される。こ
のことにより、スピード信号SSの送信期間が終了し、
再度トランスファーゲート32がオンされたときに電位
差が生じることがなく、誤動作を防ぐことができる。
Further, according to FIG. 3, the Vcm input is disconnected from the common mode voltage monitor circuit 1 by turning off the transfer gate 32 by setting the SS2 signal to "H" during the transmission period of the speed signal SS. . In this period, the value of Vcm is held by the capacitor C1. As a result, the transmission period of the speed signal SS ends,
When the transfer gate 32 is turned on again, no potential difference occurs, and malfunction can be prevented.

【0020】図4は、図1中の電流補正回路2の詳細構
成例を示している。図4の電流補正回路2は、2個のP
MOS電流源トランジスタQP1,QP2と、2個のP
MOSスイッチングトランジスタQP3,QP4と、2
個のNMOS電流源トランジスタQN1,QN2と、2
個のNMOSスイッチングトランジスタQN3,QN4
と、インバータ41と、2個のNANDゲート42,4
3と、2個のNORゲート44,45とを備えている。
FIG. 4 shows a detailed configuration example of the current correction circuit 2 in FIG. The current correction circuit 2 shown in FIG.
MOS current source transistors QP1 and QP2 and two P
MOS switching transistors QP3, QP4, 2
NMOS current source transistors QN1 and QN2, and 2
NMOS switching transistors QN3, QN4
, An inverter 41, and two NAND gates 42, 4
3 and two NOR gates 44 and 45.

【0021】SS2=“L”の状態で差動データ信号D
ata+/Data−が与えられても、Cont<0>
及びCont<1>が“H”であり、かつCont<2
>及びCont<3>が“L”である限り、QP1、Q
P2、QN1及びQN2はいずれも電流補正動作をしな
い(通常状態)。ところが、例えばVcmの変動により
通常状態からCont<1>が“L”に遷移すると、Q
P2は、QP3を介して一方の信号線TPへ電流を吐き
出したり、QP4を介して他の信号線NTPへ電流を吐
き出したりする電流補正動作を開始する。更にCont
<0>が“L”に遷移すると、QP1及びQP2が電流
補正動作を開始する。一方、通常状態からCont<2
>が“H”に遷移すると、QN1は、QN3を介して一
方の信号線TPから電流を吸い込んだり、QN4を介し
て他の信号線NTPから電流を吸い込んだりする電流補
正動作を開始する。更にCont<3>が“H”に遷移
すると、QN1及びQN2が電流補正動作を開始する。
When SS2 = "L", the differential data signal D
Even if data + / Data- is given, Cont <0>
And Cont <1> are “H” and Cont <2
> And Cont <3> are “L”, QP1, QP
None of P2, QN1, and QN2 perform a current correction operation (normal state). However, when Cont <1> transitions from the normal state to “L” due to a change in Vcm, for example, Q
P2 starts a current correction operation of discharging current to one signal line TP via QP3 and discharging current to another signal line NTP via QP4. Further Cont
When <0> changes to “L”, QP1 and QP2 start the current correction operation. On the other hand, from the normal state, Cont <2
When> changes to “H”, QN1 starts a current correction operation of drawing current from one signal line TP via QN3 or drawing current from another signal line NTP via QN4. Further, when Cont <3> changes to “H”, QN1 and QN2 start the current correction operation.

【0022】更に、図4によれば、スピード信号SSの
送信期間にSS2信号を“H”にすることでQP3、Q
P4、QN3及びQN4を全てオフにすることにより、
QP1、QP2、QN1及びQN2が全てツイストペア
ケーブルTP/NTPから切り離される。
Further, according to FIG. 4, by setting the SS2 signal to "H" during the transmission period of the speed signal SS, QP3, QP
By turning off P4, QN3 and QN4 all,
QP1, QP2, QN1 and QN2 are all disconnected from the twisted pair cable TP / NTP.

【0023】図5は、図1中の電流ドライバ3の詳細構
成例を示している。図5の電流ドライバ3は、1個のP
MOS電流源トランジスタQP10と、2個のPMOS
スイッチングトランジスタQP11,QP12と、1個
のNMOS電流源トランジスタQN10と、2個のNM
OSスイッチングトランジスタQN11,QN12とを
備えている。VdspはQP10のドレイン−ソース間
電圧を、VdsnはQN10のドレイン−ソース間電圧
をそれぞれ表している。
FIG. 5 shows a detailed configuration example of the current driver 3 in FIG. The current driver 3 of FIG.
MOS current source transistor QP10 and two PMOSs
Switching transistors QP11 and QP12, one NMOS current source transistor QN10, and two NMs
OS switching transistors QN11 and QN12 are provided. Vdsp represents the drain-source voltage of QP10, and Vdsn represents the drain-source voltage of QN10.

【0024】図6は、図1中の電源電圧モニタ回路4の
詳細構成例を示している。図6の電源電圧モニタ回路4
は、2個のコンパレータ51a,51bと、2本の高抵
抗R7,R8とを備えている。2本の高抵抗R7,R8
は、VddとVss(=0V)との間に互いに直列に接
続されている。この抵抗直列回路のタップ電圧V51
は、2個のコンパレータ51a,51bによりそれぞれ
参照電位Ref<0>及びRef<1>と比較される。
具体的には、V51の電位がRef<0>より低くなる
とMod<0>が“L”となり、高いときはMod<0
>が“H”となる。同様に、V51の電位がRef<1
>より低くなるとMod<1>が“L”となり、高いと
きはMod<1>が“H”となる。
FIG. 6 shows a detailed configuration example of the power supply voltage monitor circuit 4 in FIG. Power supply voltage monitor circuit 4 of FIG.
Has two comparators 51a and 51b and two high resistances R7 and R8. Two high resistance R7, R8
Are connected in series with each other between Vdd and Vss (= 0 V). The tap voltage V51 of this resistor series circuit
Are compared with reference potentials Ref <0> and Ref <1> by two comparators 51a and 51b, respectively.
Specifically, when the potential of V51 is lower than Ref <0>, Mod <0> becomes “L”, and when it is higher, Mod <0.
> Becomes “H”. Similarly, when the potential of V51 is Ref <1
>, Mod <1> becomes “L”, and when it is higher, Mod <1> becomes “H”.

【0025】図7は、図1中のバイアス調整回路5の詳
細構成例を示している。図7のバイアス調整回路5は、
6個のPMOSトランジスタQP61〜QP66と、2
個のNMOSトランジスタQN61,QN62とを備え
ている。QP61、QP62及びQP65は各々電流源
を、QP63及びQP64は各々スイッチを、QN6
1、QN62及びQP66はカレントミラー回路をそれ
ぞれ構成している。
FIG. 7 shows a detailed configuration example of the bias adjustment circuit 5 in FIG. The bias adjustment circuit 5 in FIG.
6 PMOS transistors QP61 to QP66, 2
NMOS transistors QN61 and QN62. QP61, QP62 and QP65 each represent a current source, QP63 and QP64 each represent a switch, and QN6
1, QN62 and QP66 each constitute a current mirror circuit.

【0026】図7によれば、電源電圧Vddが高いとき
には、電流源QP65のみで基準バイアスBiasを受
ける。Vddが所定の電位まで低下すると、Mod<0
>、Mod<1>のいずれかが“L”となるため、スイ
ッチQP63,QP64のうちの対応するスイッチがオ
ンとなり、これに対応する電流源QP61,QP62が
追加され、電流I6が増加する。そのため、Pbias
及びNbiasがそれに応じて変化し、電流ドライバ3
の出力電流が増加する。電流量の変化量は、電流源QP
61,QP62のトランジスタサイズで調整することが
できる。なお、ゲートバイアス電圧をPMOS側、NM
OS側で各々独立に調整できるようにしてもよい。
According to FIG. 7, when the power supply voltage Vdd is high, only the current source QP65 receives the reference bias Bias. When Vdd drops to a predetermined potential, Mod <0
> Or Mod <1> attains “L”, so that the corresponding one of the switches QP63 and QP64 is turned on, the corresponding current sources QP61 and QP62 are added, and the current I6 increases. Therefore, Pbias
And Nbias change accordingly, and the current driver 3
Output current increases. The amount of change in the current amount is determined by the current source QP
61 and QP62 can be adjusted by the transistor size. In addition, the gate bias voltage is set to the PMOS side, NM
The adjustment may be made independently on the OS side.

【0027】図8は、図1中のパルス発生回路6の詳細
構成例を示している。図8のパルス発生回路6は、第1
及び第2の遅延回路71,74と、NANDゲート72
と、NORゲート75と、2個のインバータ73,76
とを備えている。
FIG. 8 shows a detailed configuration example of the pulse generation circuit 6 in FIG. The pulse generation circuit 6 of FIG.
And second delay circuits 71 and 74 and a NAND gate 72
, A NOR gate 75, and two inverters 73 and 76
And

【0028】図9は、図8のパルス発生回路6の動作を
示している。ここでは、第1の遅延回路71の伝搬遅延
時間をtd1とし、第2の遅延回路74の伝搬遅延時間
をtd2としている。図9に示すとおり、コモンモード
電圧Vcmを変化させる期間(SS1の“H”期間)
は、電流補正回路2がツイストペアケーブルTP/NT
Pから切り離される期間(SS2の“H”期間)に包含
されるようになっている。これにより、電流補正回路2
の誤動作発生確率を更に低くすることができる。td1
及びtd2は、例えば5〜10nsに設定すればよい。
FIG. 9 shows the operation of the pulse generation circuit 6 of FIG. Here, the propagation delay time of the first delay circuit 71 is set to td1, and the propagation delay time of the second delay circuit 74 is set to td2. As shown in FIG. 9, a period during which the common mode voltage Vcm is changed (“H” period of SS1)
Means that the current correction circuit 2 is a twisted pair cable TP / NT
This is included in a period (“H” period of SS2) separated from P. Thereby, the current correction circuit 2
Can be further reduced. td1
And td2 may be set to, for example, 5 to 10 ns.

【0029】図10はコモンモード電圧モニタ回路1及
び電流補正回路2の効果を、図11は電源電圧モニタ回
路4及びバイアス調整回路5の効果をそれぞれ表してい
る。図中のIpはPMOS電流源トランジスタQP1
0,QP2及びQP1のうちの活性化されるトランジス
タのドレイン電流の合計を、InはNMOS電流源トラ
ンジスタQN10,QN1及びQN2のうちの活性化さ
れるトランジスタのドレイン電流の合計をそれぞれ表し
ている。
FIG. 10 shows the effects of the common mode voltage monitor circuit 1 and the current correction circuit 2, and FIG. 11 shows the effects of the power supply voltage monitor circuit 4 and the bias adjustment circuit 5, respectively. Ip in the figure is a PMOS current source transistor QP1.
In represents the sum of the drain currents of the activated transistors of 0, QP2 and QP1, and In represents the sum of the drain currents of the activated transistors of the NMOS current source transistors QN10, QN1 and QN2, respectively.

【0030】図10によれば、従来は一点鎖線で示すよ
うに、電流Ip及びInを所定の範囲(上限IU、下限
IL)に収めるためには終端バイアス電圧Tpbiasの許
容範囲が上限VU1と下限VL1との間に制限されてい
た。これに対して本発明によれば、Tpbiasのより広い
範囲で、電流Ip及びInを上限IUと下限ILとの間
の所定範囲に収めることができる。
According to FIG. 10, the allowable range of the termination bias voltage Tpbias is limited to the upper limit VU1 and the lower limit in order to keep the currents Ip and In within a predetermined range (upper limit IU, lower limit IL), as indicated by a chain line. VL1. On the other hand, according to the present invention, it is possible to keep the currents Ip and In within a predetermined range between the upper limit IU and the lower limit IL in a wider range of Tpbias.

【0031】また、図11によれば、従来は一点鎖線で
示すように、電流Ipを所定の範囲(上限IU、下限I
L)に収めるためには電源電圧Vddの許容範囲が上限
VU2と下限VL2との間に制限されていた。これに対
して本発明によれば、Vddのより広い範囲で、電流I
pを上限IUと下限ILとの間の所定範囲に収めること
ができる。
According to FIG. 11, the current Ip is conventionally set to a predetermined range (upper limit IU, lower limit IU) as indicated by a dashed line.
L), the allowable range of the power supply voltage Vdd is limited between the upper limit VU2 and the lower limit VL2. On the other hand, according to the present invention, in a wider range of Vdd, the current I
p can be within a predetermined range between the upper limit IU and the lower limit IL.

【0032】図12は、図4及び図5中の3個のPMO
S電流源トランジスタQP10,QP2,QP1の好ま
しいサイズ例を示している。すなわち、電流補正回路2
は、活性化すべきPMOS電流源トランジスタの合計サ
イズを、コモンモード電圧Vcmと電源電圧Vddレベ
ルとの差に対して非線形(例えば指数関数的)に変化さ
せるのである。図12の例では、QP10よりQP2の
方がサイズが大きく、QP2よりQP1の方がサイズが
大きく設定されている。なお、図4及び図5中の3個の
NMOS電流源トランジスタQN10,QN1,QN2
について言えば、活性化すべきNMOS電流源トランジ
スタの合計サイズを、コモンモード電圧VcmとVss
レベル(グランドレベル)との差に対して非線形に変化
させればよい。このような非線形制御の採用により、線
形制御の場合に比べて電流補正の切り替え度数を少なく
することが可能となる。
FIG. 12 shows the three PMOs in FIGS. 4 and 5.
An example of a preferred size of the S current source transistors QP10, QP2, QP1 is shown. That is, the current correction circuit 2
Changes the total size of the PMOS current source transistors to be activated non-linearly (for example, exponentially) with respect to the difference between the common mode voltage Vcm and the power supply voltage Vdd level. In the example of FIG. 12, the size of QP2 is set larger than that of QP10, and the size of QP1 is set larger than that of QP2. It should be noted that the three NMOS current source transistors QN10, QN1, QN2 in FIGS.
As for the total size of the NMOS current source transistors to be activated, the common mode voltages Vcm and Vss
What is necessary is just to change nonlinearly with respect to the difference with a level (ground level). By employing such non-linear control, it is possible to reduce the switching frequency of current correction as compared with the case of linear control.

【0033】図13は、図3中の電流I1の好ましい変
動特性を示している。電流源33が流す電流I1は、P
MOS電流源トランジスタQP10及びNMOS電流源
トランジスタQN10の各々の電流駆動能力に応じて変
動させられることが好ましい。これにより、コモンモー
ド電圧モニタ回路1におけるコンパレータ31a〜31
dの検知レベルを、温度又はプロセス変動に基づくトラ
ンジスタのしきい値変動に追従させることが可能とな
る。
FIG. 13 shows preferable fluctuation characteristics of the current I1 in FIG. The current I1 flowing from the current source 33 is P
It is preferable that the voltage is varied according to the current driving capability of each of the MOS current source transistor QP10 and the NMOS current source transistor QN10. Thereby, the comparators 31a to 31 in the common mode voltage monitor circuit 1
It becomes possible to make the detection level of d follow the threshold value fluctuation of the transistor based on the temperature or process fluctuation.

【0034】なお、図1及び図2では2つの送受信回路
20,21の間の通信の例を説明したが、親局は送信機
能のみ、子局は受信機能のみを備えた送受信システムに
も本発明が適用可能であることは言うまでもない。
Although FIGS. 1 and 2 illustrate an example of communication between the two transmission / reception circuits 20 and 21, the present invention is applied to a transmission / reception system having only a transmission function at the master station and only a reception function at the slave station. It goes without saying that the invention is applicable.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、幅広い電
圧範囲に対して定電流を流すことのできる電流ドライバ
回路を実現できる。
As described above, according to the present invention, a current driver circuit capable of supplying a constant current over a wide voltage range can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る電流ドライバ回路を備えた送受信
回路の構成例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of a transmission / reception circuit including a current driver circuit according to the present invention.

【図2】図1の送受信回路の相手側送受信回路の構成例
を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a counterpart transmission / reception circuit of the transmission / reception circuit of FIG.

【図3】図1中のコモンモード電圧モニタ回路の回路図
である。
FIG. 3 is a circuit diagram of a common mode voltage monitor circuit in FIG.

【図4】図1中の電流補正回路の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a current correction circuit in FIG. 1;

【図5】図1中の電流ドライバの回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of the current driver in FIG. 1;

【図6】図1中の電源電圧モニタ回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a power supply voltage monitoring circuit in FIG. 1;

【図7】図1中のバイアス調整回路の回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram of a bias adjustment circuit in FIG. 1;

【図8】図1中のパルス発生回路の回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram of a pulse generation circuit in FIG. 1;

【図9】図8のパルス発生回路の動作を示すタイミング
図である。
FIG. 9 is a timing chart showing an operation of the pulse generation circuit of FIG. 8;

【図10】図1中のコモンモード電圧モニタ回路及び電
流補正回路の効果を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing the effects of the common mode voltage monitor circuit and the current correction circuit in FIG.

【図11】図1中の電源電圧モニタ回路及びバイアス調
整回路の効果を示す図である。
11 is a diagram showing the effects of the power supply voltage monitor circuit and the bias adjustment circuit in FIG.

【図12】図4及び図5中の3個のPMOS電流源トラ
ンジスタの好ましいサイズ例を説明するための図であ
る。
FIG. 12 is a diagram for describing a preferred size example of three PMOS current source transistors in FIGS. 4 and 5;

【図13】図3中の電流源が流す電流の好ましい変動特
性を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing preferable fluctuation characteristics of a current flowing from the current source in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コモンモード電圧モニタ回路 2 電流補正回路 3 電流ドライバ 4 電源電圧モニタ回路 5 バイアス調整回路 6 パルス発生回路 7 電流源 8 レシーバ回路 9 抵抗回路 11 終端バイアス電圧発生回路 20,21 送受信回路 31a〜d コンパレータ 32 トランスファーゲート 33 電流源 51a,b コンパレータ C1 容量 Ip 活性化PMOS電流源トランジスタのドレイン電
流の合計 In 活性化NMOS電流源トランジスタのドレイン電
流の合計 QP1,2,10 PMOS電流源トランジスタ QP3,4,11,12 PMOSスイッチングトラン
ジスタ QP61〜66 PMOSトランジスタ QN1,2,10 NMOS電流源トランジスタ QN3,4,11,12 NMOSスイッチングトラン
ジスタ QN61,62 NMOSトランジスタ R 終端抵抗 R1〜R8 抵抗 SS スピード信号(伝送レート情報) TP,NTP 伝送線路対(ツイストペアケーブル) Vcm 伝送線路対のコモンモード電圧 Vdd 第1の電源電圧レベル Vss 第2の電源電圧レベル(グランドレベル) Tpbias 終端バイアス電圧
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Common mode voltage monitor circuit 2 Current correction circuit 3 Current driver 4 Power supply voltage monitor circuit 5 Bias adjustment circuit 6 Pulse generation circuit 7 Current source 8 Receiver circuit 9 Resistance circuit 11 Termination bias voltage generation circuit 20, 21 Transmission / reception circuit 31a-d Comparator 32 Transfer gate 33 Current source 51a, b Comparator C1 Capacitance Ip Total drain current of activated PMOS current source transistor In Total drain current of activated NMOS current source transistor QP1,2,10 PMOS current source transistor QP3,4,11 , 12 PMOS switching transistor QP61-66 PMOS transistor QN1,2,10 NMOS current source transistor QN3,4,11,12 NMOS switching transistor QN61,62 NMO Transistor R Termination resistance R1 to R8 Resistance SS Speed signal (transmission rate information) TP, NTP Transmission line pair (twisted pair cable) Vcm Common mode voltage of transmission line pair Vdd First power supply voltage level Vss Second power supply voltage level (ground Level) Tpbias Termination bias voltage

フロントページの続き (72)発明者 ▲高▼橋 学志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 寺田 裕 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小松 義英 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内Continuing from the front page (72) Inventor ▲ Takashi Gashi 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Yoshihide Komatsu 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 各々終端抵抗を介して終端バイアス電圧
に結合された伝送線路対を駆動するための電流ドライバ
回路であって、 前記伝送線路対に結合された電流ドライバと、 前記伝送線路対のコモンモード電圧と前記電流ドライバ
の少なくとも1つの電源電圧レベルとの差をモニタする
ためのコモンモード電圧モニタ回路と、 前記コモンモード電圧モニタ回路からのモニタ結果に応
じて前記電流ドライバの出力電流を補正するように前記
伝送線路対に結合された電流補正回路とを備えたことを
特徴とする電流ドライバ回路。
1. A current driver circuit for driving a transmission line pair each coupled to a termination bias voltage via a termination resistor, comprising: a current driver coupled to the transmission line pair; A common mode voltage monitor circuit for monitoring a difference between a common mode voltage and at least one power supply voltage level of the current driver; and correcting an output current of the current driver according to a monitoring result from the common mode voltage monitor circuit. And a current correction circuit coupled to the transmission line pair.
【請求項2】 請求項1記載の電流ドライバ回路におい
て、 前記電流補正回路は、前記電流ドライバの出力電流の補
正を段階的に行うことを特徴とする電流ドライバ回路。
2. The current driver circuit according to claim 1, wherein the current correction circuit corrects an output current of the current driver in a stepwise manner.
【請求項3】 請求項1記載の電流ドライバ回路におい
て、 前記電流補正回路は、活性化すべき電流源トランジスタ
の合計サイズを、前記コモンモード電圧と前記電源電圧
レベルとの差に対して非線形に変化させることを特徴と
する電流ドライバ回路。
3. The current driver circuit according to claim 1, wherein the current correction circuit changes a total size of the current source transistors to be activated non-linearly with respect to a difference between the common mode voltage and the power supply voltage level. A current driver circuit, comprising:
【請求項4】 請求項1記載の電流ドライバ回路におい
て、 前記電流ドライバは、PMOS電流源トランジスタとN
MOS電流源トランジスタとを有し、 前記コモンモード電圧モニタ回路は、前記PMOS電流
源トランジスタのソースに結合された第1の電源電圧レ
ベルと前記コモンモード電圧との差と、前記コモンモー
ド電圧と前記NMOS電流源トランジスタのソースに結
合された第2の電源電圧レベルとの差とを評価すること
を特徴とする電流ドライバ回路。
4. The current driver circuit according to claim 1, wherein said current driver comprises a PMOS current source transistor and an N.
A MOS current source transistor, the common mode voltage monitor circuit comprising: a difference between a first power supply voltage level coupled to a source of the PMOS current source transistor and the common mode voltage; A current driver circuit for evaluating a difference from a second power supply voltage level coupled to a source of an NMOS current source transistor.
【請求項5】 請求項4記載の電流ドライバ回路におい
て、 前記コモンモード電圧モニタ回路は、 前記第1の電源電圧レベルと前記第2の電源電圧レベル
との間に互いに直列に接続された複数の抵抗と、 前記複数の抵抗の直列回路に電流を流すための電流源
と、 前記コモンモード電圧と前記複数の抵抗の端子電圧とを
それぞれ比較するための複数のコンパレータとを備えた
ことを特徴とする電流ドライバ回路。
5. The current driver circuit according to claim 4, wherein the common mode voltage monitor circuit includes a plurality of serially connected between the first power supply voltage level and the second power supply voltage level. A resistor, a current source for causing a current to flow through a series circuit of the plurality of resistors, and a plurality of comparators for comparing the common mode voltage and terminal voltages of the plurality of resistors, respectively. Current driver circuit.
【請求項6】 請求項5記載の電流ドライバ回路におい
て、 前記複数のコンパレータは、各々入出力関係にヒステリ
シスを有することを特徴とする電流ドライバ回路。
6. The current driver circuit according to claim 5, wherein each of the plurality of comparators has a hysteresis in an input / output relationship.
【請求項7】 請求項5記載の電流ドライバ回路におい
て、 前記電流源が流す電流は、前記PMOS電流源トランジ
スタ及び前記NMOS電流源トランジスタの各々の電流
駆動能力に応じて変動することを特徴とする電流ドライ
バ回路。
7. The current driver circuit according to claim 5, wherein the current flowing through said current source varies according to the current driving capability of each of said PMOS current source transistor and said NMOS current source transistor. Current driver circuit.
【請求項8】 請求項4記載の電流ドライバ回路におい
て、 前記第1の電源電圧レベルをモニタするための電源電圧
モニタ回路と、 前記電源電圧モニタ回路からのモニタ結果に応じて前記
電流ドライバの出力電流を補正するように、前記PMO
S電流源トランジスタ及び前記NMOS電流源トランジ
スタの各々のゲートバイアス電圧を調整するためのバイ
アス調整回路とを更に備えたことを特徴とする電流ドラ
イバ回路。
8. The current driver circuit according to claim 4, wherein a power supply voltage monitoring circuit for monitoring the first power supply voltage level, and an output of the current driver according to a monitoring result from the power supply voltage monitoring circuit. In order to correct the current, the PMO
A current driver circuit, further comprising: a bias adjustment circuit for adjusting a gate bias voltage of each of the S current source transistor and the NMOS current source transistor.
【請求項9】 請求項1記載の電流ドライバ回路におい
て、 前記コモンモード電圧を変化させることにより信号の送
受信を行う際には前記電流補正回路を前記伝送線路対か
ら切り離すための手段を更に備えたことを特徴とする電
流ドライバ回路。
9. The current driver circuit according to claim 1, further comprising: means for disconnecting the current correction circuit from the transmission line pair when transmitting / receiving a signal by changing the common mode voltage. A current driver circuit, characterized in that:
【請求項10】 請求項9記載の電流ドライバ回路にお
いて、 前記コモンモード電圧を変化させる期間は、前記電流補
正回路が前記伝送線路対から切り離される期間に包含さ
れることを特徴とする電流ドライバ回路。
10. The current driver circuit according to claim 9, wherein the period in which the common mode voltage is changed is included in a period in which the current correction circuit is disconnected from the transmission line pair. .
【請求項11】 各々終端抵抗を介して終端バイアス電
圧に結合された伝送線路対を駆動するための電流ドライ
バ回路であって、 各々前記伝送線路対に結合されたPMOS電流源トラン
ジスタ及びNMOS電流源トランジスタを有する電流ド
ライバと、 前記PMOS電流源トランジスタのソースに結合された
電源電圧レベルをモニタするための電源電圧モニタ回路
と、 前記電源電圧モニタ回路からのモニタ結果に応じて前記
電流ドライバの出力電流を補正するように、前記PMO
S電流源トランジスタ及び前記NMOS電流源トランジ
スタの各々のゲートバイアス電圧を調整するためのバイ
アス調整回路とを備えたことを特徴とする電流ドライバ
回路。
11. A current driver circuit for driving a transmission line pair each coupled to a termination bias voltage via a termination resistor, the current driver circuit comprising a PMOS current source transistor and an NMOS current source respectively coupled to the transmission line pair. A current driver having a transistor; a power supply voltage monitor circuit for monitoring a power supply voltage level coupled to a source of the PMOS current source transistor; and an output current of the current driver according to a monitoring result from the power supply voltage monitor circuit. So that the PMO
A current driver circuit, comprising: a bias adjustment circuit for adjusting a gate bias voltage of each of the S current source transistor and the NMOS current source transistor.
【請求項12】 各々終端抵抗を介して終端バイアス電
圧に結合された伝送線路対に一定振幅の電流を流すこと
により信号の伝送を行う信号伝送方法であって、 前記伝送線路対のコモンモード電圧と前記伝送線路対を
駆動するための電流ドライバの電源電圧レベルとの差を
モニタするステップと、 前記モニタの結果を基にして、前記伝送線路対を流れる
電流が所定の範囲内に収まるように、前記電流ドライバ
の出力電流を段階的に補正するステップとを備えたこと
を特徴とする信号伝送方法。
12. A signal transmission method for transmitting a signal by flowing a current having a constant amplitude through a transmission line pair coupled to a terminal bias voltage via a terminal resistor, wherein the common mode voltage of the transmission line pair is And monitoring a difference between a power supply voltage level of a current driver for driving the transmission line pair and a current flowing through the transmission line pair within a predetermined range based on a result of the monitoring. A step of correcting the output current of the current driver in a stepwise manner.
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