JP2001184706A - Optical pickup device and optical disk device using the same - Google Patents

Optical pickup device and optical disk device using the same

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JP2001184706A
JP2001184706A JP37044299A JP37044299A JP2001184706A JP 2001184706 A JP2001184706 A JP 2001184706A JP 37044299 A JP37044299 A JP 37044299A JP 37044299 A JP37044299 A JP 37044299A JP 2001184706 A JP2001184706 A JP 2001184706A
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JP
Japan
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laser
laser light
optical
wavelength
pickup device
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Application number
JP37044299A
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Japanese (ja)
Inventor
Masato Ogata
正人 尾形
Seiji Kajiyama
清治 梶山
Yoichi Tsuchiya
洋一 土屋
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical pickup device which is capable of recording and/or reproducing signals to and/or from an optical recording medium by eliminating the optical axis misalignment of two laser beams even when two semiconductor lasers are used and an optical disk device using the same. SOLUTION: The optical pickup device 10 has a laser beam source 1, a selective diffraction grating 2, a collimator lens 3, a half mirror 4, an objective lens 5, a condenser lens 7 and a photodetector 9. The laser beam source 1 includes the first semiconductor laser 1A, the second semiconductor laser 1B and an optical element 1C. The optical element 1C aligns the optical axis of the laser beam of 635 nm in wavelength emitted from the first semiconductor laser 1A and the optical axis of the laser beam of 780 nm in wavelength emitted from the second semiconductor laser 1B. The signals are recorded and/or reproduced to and from the optical recording medium 6 of 0.6 mm in substrate thickness and the optical recording medium 60 of 1.2 mm in substrate thickness by using the optical pickup device 100.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、波長の異なる2つ
のレーザ光を用いて複数の光ディスクに信号を記録およ
び/または再生できる光ピックアップ装置、およびそれ
を用いた光ディスク装置に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an optical pickup device capable of recording and / or reproducing signals on and from a plurality of optical disks using two laser beams having different wavelengths, and an optical disk device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】CD−ROMのように半導体レーザを用
いて情報を読み出す約1.2mmの厚さの光ディスクが
提供されている。この種の光ディスクではピックアップ
用対物レンズにフォーカスサーボ及びトラッキングサー
ボを行うことにより、信号記録面のピット列にレーザビ
ームを照射させ、信号を再生している。
2. Description of the Related Art An optical disk having a thickness of about 1.2 mm, such as a CD-ROM, from which information is read using a semiconductor laser is provided. In this type of optical disk, focus servo and tracking servo are performed on a pickup objective lens to irradiate a pit row on a signal recording surface with a laser beam to reproduce a signal.

【0003】また、CDと同じ記録密度を有し、1回だ
け記録が可能なCD−Rが実用化され、その信号の記録
や再生には波長780nmのレーザ光が用いられてい
る。更に、最近では長時間の動画を記録するための高密
度が進んでいる。例えば、CD−ROMと同じ直径12
cmの光ディスクに、片面で4.7Gbytesの情報
を記録するDVDが発売されている。DVDのディスク
厚は約0.6mmであり、これを両面貼り合わせること
により、1枚で9.4Gbytesの情報を記録でき
る。
A CD-R having the same recording density as a CD and capable of recording only once has been put to practical use, and a laser beam having a wavelength of 780 nm is used for recording and reproducing the signal. Further, recently, the recording density for recording a long moving image has been increasing. For example, the same diameter 12 as the CD-ROM
A DVD that records 4.7 Gbytes of information on one side of an optical disk of cm is marketed. The thickness of a DVD disk is about 0.6 mm, and by bonding both sides thereof, information of 9.4 Gbytes can be recorded by one sheet.

【0004】また、更に、書き換え可能で、記憶容量が
大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として光磁気記録
媒体が注目されており、コンピュータメモリ等として実
用化され始めており、最近では、記録容量が6.0Gb
ytesの光磁気記録媒体の規格化も進められ(AS−
MO(Advanced Storaged Magn
eto Optical disk)規格)、実用化さ
れようとしている。この光磁気記録媒体からの信号の再
生は、レーザ光を照射することにより、光磁気記録媒体
の記録層の磁区を再生層へ転写すると共に、その転写し
た磁区だけを検出できるように再生層に検出窓を形成
し、その形成した検出窓から転写した磁区を検出するM
SR(Magnetically Induced S
uperresolution)法により行われてい
る。そして、この光磁気記録媒体への信号の記録および
/または再生には、波長600〜700nmのレーザ光
が用いられている。
Further, a magneto-optical recording medium has attracted attention as a rewritable, large storage capacity, and highly reliable recording medium, and has begun to be put into practical use as a computer memory and the like. Is 6.0 Gb
Standardization of magneto-optical recording media of YTES has been promoted (AS-
MO (Advanced Storage Magn)
eto optical disk standard), and is being put to practical use. Reproduction of signals from this magneto-optical recording medium is performed by irradiating a laser beam to transfer the magnetic domains of the recording layer of the magneto-optical recording medium to the reproducing layer and to reproduce only the transferred magnetic domains in the reproducing layer. M that forms a detection window and detects magnetic domains transferred from the formed detection window
SR (Magnetically Induced S)
The method is performed by an upper resolution method. A laser beam having a wavelength of 600 to 700 nm is used for recording and / or reproducing signals on the magneto-optical recording medium.

【0005】これらの状況に鑑みれば、将来、CD、C
D−R、DVD、および光磁気記録媒体が併存すること
が想定され、これらの光ディスクを互換再生し、記録可
能な光ディスクには信号を記録できる光ピックアップ装
置が必要となり、現在、CD−RとDVDとを互換再生
できる光ピックアップ装置が提案されている。
[0005] In view of these circumstances, CD, C
It is assumed that a D-R, a DVD, and a magneto-optical recording medium coexist, and an optical pickup device capable of recording and reproducing signals on these optical discs and recording signals on the recordable optical disc is required. An optical pickup device capable of compatible reproduction with a DVD has been proposed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、現在、提案さ
れているCD−R/DVD互換ピックアップは、DVD
の再生用の波長635nmのレーザ光を生成する半導体
レーザと、CD−Rの記録、再生用の波長780nmの
レーザ光を生成する半導体レーザとを1つのパッケージ
に含めるため、2つのレーザ光の光軸はずれる。
However, currently proposed CD-R / DVD compatible pickups are DVD-compatible pickups.
In order to include in a single package a semiconductor laser that generates a laser beam having a wavelength of 635 nm for reproduction and a semiconductor laser that generates a laser beam for recording and reproducing a CD-R with a wavelength of 780 nm, two laser light beams are included. Off axis.

【0007】その結果、2つのレーザ光を1つの光検出
器で検出することは困難であるという問題が生じてい
た。また、2つのレーザ光に対応して2つの光検出器を
設けることも考えられるが、その場合は部品点数が増加
し、光ピックアップ装置の低コスト化とコンパクト化を
妨げるという問題があった。そこで、本願発明は、かか
る問題を解決し、2つの半導体レーザを用いた場合にも
2つのレーザ光の光軸ずれをなくして光記録媒体に信号
を記録および/または再生できる光ピックアップ装置お
よびそれを用いた光ディスク装置を提供することを目的
とする。
As a result, there has been a problem that it is difficult to detect two laser beams with one photodetector. It is also conceivable to provide two photodetectors corresponding to the two laser beams. However, in this case, the number of components increases, and there is a problem that the cost reduction and compactness of the optical pickup device are hindered. Therefore, the present invention solves such a problem, and an optical pickup device capable of recording and / or reproducing a signal on an optical recording medium by eliminating the optical axis shift of two laser beams even when two semiconductor lasers are used, and an optical pickup device therefor. It is an object of the present invention to provide an optical disc device using the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段および発明の効果】請求項
1に係る発明は、レーザ光を用いて記録媒体に信号を記
録および/または再生する光ピックアップ装置であっ
て、第1の半導体レーザと、第2の半導体レーザと、光
学素子とを含むレーザ光源を有する光ピックアップ装置
である。第1の半導体レーザは、第1の波長を有する第
1のレーザ光を生成する。
The invention according to claim 1 is an optical pickup device for recording and / or reproducing a signal on a recording medium by using a laser beam, wherein the first semiconductor laser and the first semiconductor laser are provided. , An optical pickup device having a laser light source including a second semiconductor laser and an optical element. The first semiconductor laser generates a first laser beam having a first wavelength.

【0009】また、第2の半導体レーザは、第1の波長
と異なる第2の波長を有する第2のレーザ光を生成す
る。また、光学素子は、第1の半導体レーザにより生成
された第1のレーザ光をそのまま透過し、第2の半導体
レーザにより生成された第2のレーザ光を、その光軸を
第1のレーザ光の光軸に実質的に一致させて透過する。
Further, the second semiconductor laser generates a second laser beam having a second wavelength different from the first wavelength. The optical element transmits the first laser light generated by the first semiconductor laser as it is, and transmits the second laser light generated by the second semiconductor laser to the optical axis of the first laser light. The light is transmitted substantially coincident with the optical axis of.

【0010】請求項1に記載された光ピックアップ装置
においては、第1の半導体レーザから生成された第1の
レーザ光と第2の半導体レーザから生成された第2のレ
ーザ光とは光学素子によりその光軸を実質的に一致され
たレーザ光源を出射する。従って、請求項1に記載され
た発明によれば、第1および第2のレーザ光の光記録媒
体での反射光を1つの光検出器で検出することができ
る。また、2つのレーザ光の光軸を一致させる光学素子
はレーザ光源に含められるので、光ピックアップ装置の
コンパクト化に支障はない。
In the optical pickup device according to the first aspect, the first laser light generated from the first semiconductor laser and the second laser light generated from the second semiconductor laser are separated by an optical element. A laser light source whose optical axis is substantially aligned is emitted. Therefore, according to the first aspect of the invention, the reflected light of the first and second laser beams on the optical recording medium can be detected by one photodetector. Further, since an optical element for matching the optical axes of the two laser beams is included in the laser light source, there is no problem in downsizing the optical pickup device.

【0011】また、請求項2に係る発明は、レーザ光を
用いて記録媒体に信号を記録および/または再生する光
ピックアップ装置であって、第1の半導体レーザと、第
2の半導体レーザと、光学素子とを含むレーザ光源を有
する光ピックアップ装置である。第1の半導体レーザ
は、第1の波長を有する第1のレーザ光を生成する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an optical pickup device for recording and / or reproducing a signal on a recording medium by using a laser beam, comprising: a first semiconductor laser; a second semiconductor laser; An optical pickup device having a laser light source including an optical element. The first semiconductor laser generates a first laser beam having a first wavelength.

【0012】また、第2の半導体レーザは、第1の波長
と異なる第2の波長を有する第2のレーザ光を生成す
る。また、光学素子は、第1の半導体レーザにより生成
された第1のレーザ光をそのまま透過し、第2の半導体
レーザにより生成された第2のレーザ光を反射して、そ
の光軸を第1のレーザ光の光軸に実質的に一致させて透
過する。
Further, the second semiconductor laser generates a second laser beam having a second wavelength different from the first wavelength. The optical element transmits the first laser light generated by the first semiconductor laser as it is, reflects the second laser light generated by the second semiconductor laser, and shifts the optical axis of the first laser light to the first laser light. Is transmitted substantially in accordance with the optical axis of the laser light.

【0013】請求項2に記載された光ピックアップ装置
においては、第1の半導体レーザから生成された第1の
レーザ光は光学素子をそのまま透過し、第2の半導体レ
ーザから生成された第2のレーザ光は光学素子で反射さ
れて第1のレーザ光の光軸に実質的に一致させられてレ
ーザ光源を出射する。従って、請求項2に記載された発
明によれば、選択的にレーザ光を反射する光学部品を用
いることにより2つのレーザ光の光軸を容易に一致でき
る。
In the optical pickup device according to the second aspect, the first laser light generated from the first semiconductor laser passes through the optical element as it is, and the second laser light generated from the second semiconductor laser. The laser light is reflected by the optical element and emitted from the laser light source while being substantially coincident with the optical axis of the first laser light. Therefore, according to the second aspect of the present invention, the optical axes of the two laser beams can be easily matched by using the optical component that selectively reflects the laser beams.

【0014】また、請求項3に係る発明は、請求項2に
記載された光ピックアップ装置において、光学素子は、
第1のレーザ光を透過する第1、および第2の面と、第
2のレーザ光を透過する第3の面と、第1のレーザ光を
透過し、第2のレーザ光を反射する第4の面と、第1お
よび第2のレーザ光を透過する第5の面とを含む光ピッ
クアップ装置である。
According to a third aspect of the present invention, in the optical pickup device according to the second aspect, the optical element comprises:
A first and a second surface transmitting the first laser light, a third surface transmitting the second laser light, and a third surface transmitting the first laser light and reflecting the second laser light. 4 is an optical pickup device including a fourth surface and a fifth surface that transmits the first and second laser beams.

【0015】請求項3に記載された光ピックアップ装置
においては、第1のレーザ光は、第1、第2、第4およ
び第5の面を透過して光学素子を通過し、第2のレーザ
光は、第3の面を透過し、第4の面で反射されて第5の
面を透過して光学素子を通過する。そして、第2のレー
ザ光は第4の面で反射される際にその光軸を第1のレー
ザ光の光軸と一致させられる。
In the optical pickup device according to the third aspect, the first laser beam passes through the first, second, fourth, and fifth surfaces, passes through the optical element, and passes through the second laser beam. Light passes through the third surface, is reflected by the fourth surface, passes through the fifth surface, and passes through the optical element. Then, when the second laser light is reflected by the fourth surface, its optical axis is made to coincide with the optical axis of the first laser light.

【0016】従って、請求項3に記載された発明によれ
ば、選択的にレーザ光を透過、反射する面を1つ含めた
光学部品を用いることにより2つのレーザ光の光軸を容
易に一致させられる。また、第1および第2のレーザ光
が光学素子へ入射する方向を90度異ならせることによ
り、第2のレーザ光の1回の反射により第1のレーザ光
の光軸と一致させることができる。
Therefore, according to the third aspect of the present invention, the optical axes of the two laser lights can be easily matched by using an optical component including one surface for selectively transmitting and reflecting the laser light. Let me do. Further, by making the directions in which the first and second laser beams enter the optical element differ by 90 degrees, it is possible to match the optical axis of the first laser beam by one reflection of the second laser beam. .

【0017】また、請求項4に係る発明は、請求項2に
記載された光ピックアップ装置において、光学素子は、
第1のレーザ光を透過する第1、および第2の面と、第
2のレーザ光を透過する第3の面と、第2のレーザ光を
反射する第4の面と、第1のレーザ光を透過し、第2の
レーザ光を反射する第5の面と、第1および第2のレー
ザ光を透過する第6の面とを含む光ピックアップ装置で
ある。
According to a fourth aspect of the present invention, in the optical pickup device according to the second aspect, the optical element comprises:
A first and a second surface transmitting the first laser light, a third surface transmitting the second laser light, a fourth surface reflecting the second laser light, and a first laser An optical pickup device including a fifth surface that transmits light and reflects a second laser light, and a sixth surface that transmits the first and second laser lights.

【0018】請求項4に記載された光ピックアップ装置
においては、第1のレーザ光は第1、第2、第5、およ
び第6の面を透過して光学素子を通過し、第2のレーザ
光は第3の面を透過し、第4および第5の面で反射され
て第6の面を透過して光学素子を通過する。そして、第
2のレーザ光は、第5の面で反射される際にその光軸を
第1のレーザ光と一致させられる。
In the optical pickup device described in claim 4, the first laser beam passes through the first, second, fifth, and sixth surfaces, passes through the optical element, and passes through the second laser beam. Light passes through the third surface, is reflected by the fourth and fifth surfaces, passes through the sixth surface, and passes through the optical element. Then, when the second laser light is reflected by the fifth surface, its optical axis is made to coincide with the first laser light.

【0019】従って、請求項4に記載された発明によれ
ば、選択的にレーザ光を透過、反射する面を1つ含めた
光学部品を用いることにより2つのレーザ光の光軸を容
易に一致させられる。また、第1および第2のレーザ光
を同じ方向から光学素子へ入射させても、第2のレーザ
光の2回の反射により第1のレーザ光の光軸と一致させ
ることができる。
Therefore, according to the fourth aspect of the present invention, the optical axes of the two laser beams can be easily matched by using an optical component including one surface for selectively transmitting and reflecting the laser beam. Let me do. Further, even when the first and second laser beams are made to enter the optical element from the same direction, the optical axis of the first laser beam can be made coincident with the reflection of the second laser beam twice.

【0020】また、請求項5に係る発明は、請求項2に
記載された光ピックアップ装置において、第1の半導体
レーザと、第2の半導体レーザとは、レーザ光の出射面
を同一の平面内に有し、レーザ光源は、第1および第2
の半導体レーザと光学素子とを載置する台座を更に含
み、台座は、第1および第2の半導体レーザの出射面と
光学素子との距離を一定に保持し、光学素子を設置する
切欠き部を有する光ピックアップ装置である。
According to a fifth aspect of the present invention, in the optical pickup device according to the second aspect, the first semiconductor laser and the second semiconductor laser are arranged such that the emission surfaces of the laser light are in the same plane. And the laser light source comprises first and second
Further comprising a pedestal on which the semiconductor laser and the optical element are mounted, wherein the pedestal maintains a constant distance between the emission surfaces of the first and second semiconductor lasers and the optical element, and has a cutout for installing the optical element. An optical pickup device having:

【0021】請求項5に記載された光ピックアップ装置
においては、その組立時に台座に第1および第2の半導
体レーザがその出射面が同一平面内になるように設置さ
れ、光学素子が台座に設けられた切欠き部に設置され
る。従って、請求項5に記載された発明によれば、第1
および第2の半導体レーザの出射面と光学素子との距離
を一定に保持することができ、2つのレーザ光の光軸を
正確に一致できる。また、光学素子の寸法が小さくなっ
ても光学素子を正確に設置できる。
In the optical pickup device according to the fifth aspect, the first and second semiconductor lasers are installed on the pedestal at the time of assembly so that the emission surfaces thereof are in the same plane, and the optical element is provided on the pedestal. It is installed in the cutout. Therefore, according to the invention described in claim 5, the first
In addition, the distance between the emission surface of the second semiconductor laser and the optical element can be kept constant, and the optical axes of the two laser beams can be accurately matched. Further, even if the size of the optical element is reduced, the optical element can be accurately set.

【0022】また、請求項6に係る発明は、第1の基板
厚を有する第1の記録媒体と、第1の基板厚より厚い第
2の基板厚を有する第2の記録媒体とに信号を記録およ
び/または再生を行う光ピックアップ装置であって、レ
ーザ光源と、対物レンズと、波長選択性光学素子とを含
む光ピックアップ装置である。レーザ光源は、第1の半
導体レーザと第2の半導体レーザと、光学素子とを含
み、第1の半導体レーザは、第1の波長を有する第1の
レーザ光を生成し、第2の半導体レーザは、第1の波長
と異なる第2の波長を有する第2のレーザ光を生成し、
光学素子は、第1の半導体レーザにより生成された第1
のレーザ光をそのまま透過し、第2の半導体レーザによ
り生成された第2のレーザ光を、その光軸を第1のレー
ザ光の光軸に実質的に一致させて透過する。
According to a sixth aspect of the present invention, a signal is transmitted to a first recording medium having a first substrate thickness and a second recording medium having a second substrate thickness larger than the first substrate thickness. An optical pickup device for performing recording and / or reproduction, which is an optical pickup device including a laser light source, an objective lens, and a wavelength-selective optical element. The laser light source includes a first semiconductor laser, a second semiconductor laser, and an optical element, wherein the first semiconductor laser generates a first laser light having a first wavelength, and a second semiconductor laser. Generates a second laser beam having a second wavelength different from the first wavelength,
The optical element includes a first semiconductor laser generated by the first semiconductor laser.
And the second laser light generated by the second semiconductor laser is transmitted with its optical axis substantially coincident with the optical axis of the first laser light.

【0023】また、対物レンズは、第1の記録媒体の第
1の基板厚に適合して設計され、第1および第2のレー
ザ光を、それぞれ、第1の記録媒体、および第2の記録
媒体に集光照射する。また、波長選択性光学素子は、対
物レンズとレーザ光源との間に設けられ、第1のレーザ
光をそのまま透過して対物レンズに導き、第2のレーザ
光を光軸より外周側に屈曲させて所定の内周部のみを対
物レンズに導く。
Also, the objective lens is designed to be compatible with the first substrate thickness of the first recording medium, and emits the first and second laser beams respectively to the first recording medium and the second recording medium. The medium is focused and irradiated. The wavelength-selective optical element is provided between the objective lens and the laser light source, transmits the first laser light as it is, guides the first laser light to the objective lens, and bends the second laser light outward from the optical axis. Only the predetermined inner peripheral portion is guided to the objective lens.

【0024】請求項6に記載された光ピックアップ装置
においては、第1の半導体レーザから生成された第1の
レーザ光は光学素子をそのまま透過してレーザ光源を出
射し、波長選択性光学素子もそのまま透過して対物レン
ズに入射し、第1の記録媒体に集光照射される。一方、
第2の半導体レーザから生成された第2のレーザ光は光
学素子により第1のレーザ光の光軸と一致させられてレ
ーザ光源を出射し、波長選択性光学素子により光軸より
外周側に屈曲させれて内周部のみが対物レンズに入射
し、第2の記録媒体に集光照射される。
In the optical pickup device according to the sixth aspect, the first laser light generated from the first semiconductor laser passes through the optical element as it is and is emitted from the laser light source, and the wavelength selective optical element is also used. The light is transmitted as it is, enters the objective lens, and is condensed and irradiated on the first recording medium. on the other hand,
The second laser light generated from the second semiconductor laser is made to coincide with the optical axis of the first laser light by the optical element, emitted from the laser light source, and bent outward from the optical axis by the wavelength-selective optical element. Then, only the inner peripheral portion is incident on the objective lens, and is condensed and irradiated on the second recording medium.

【0025】従って、請求項6に記載された発明によれ
ば基板厚の異なる複数の記録媒体に信号を記録および/
または再生するのに2つの半導体レーザを用いた場合に
も2つのレーザ光の光軸を容易に一致させることができ
る。また、対物レンズが基板厚の薄い記録媒体に適合し
て設計されていても、その対物レンズを用いて基板厚の
厚い記録媒体に収差なくレーザ光を集光照射できる。
Therefore, according to the invention described in claim 6, signals are recorded on a plurality of recording media having different substrate thicknesses and / or
Alternatively, even when two semiconductor lasers are used for reproduction, the optical axes of the two laser beams can be easily matched. Further, even if the objective lens is designed for a recording medium having a thin substrate, the laser beam can be focused and irradiated onto the recording medium having a large substrate without aberration using the objective lens.

【0026】また、請求項7に係る発明は、請求項1か
ら請求項6のいずれか1項に記載の光ピックアップ装置
と、レーザ光源に含まれる第1および第2の半導体レー
ザを選択駆動するレーザ駆動回路とを含む光ディスク装
置である。請求項7に記載された光ディスク装置におい
ては、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載され
た光ピックアップ装置に含まれる第1の半導体レーザと
第2の半導体レーザとがレーザ駆動回路により選択駆動
されて光記録媒体に信号の記録および/または再生が行
われる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an optical pickup device according to any one of the first to sixth aspects, and selectively driving the first and second semiconductor lasers included in the laser light source. An optical disk device including a laser drive circuit. According to a seventh aspect of the present invention, in the optical disk device, the first semiconductor laser and the second semiconductor laser included in the optical pickup device according to any one of the first to sixth aspects are a laser driving circuit. To perform signal recording and / or reproduction on the optical recording medium.

【0027】従って、請求項7に記載された発明によれ
ば、2つのレーザ光の光軸ずれがない状態で光記録媒体
に信号の記録および/または再生を行うことができる。
Therefore, according to the invention described in claim 7, it is possible to record and / or reproduce a signal on the optical recording medium in a state where the optical axes of the two laser beams are not shifted.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図を参照し
つつ説明する。図1を参照して、本願発明に係る光ピッ
クアップ装置について説明する。本願発明に係る光ピッ
クアップ装置10は、レーザ光源1と、選択性回折格子
2と、コリメータレンズ3と、ハーフミラー4と、対物
レンズ5と、集光レンズ7と、光検出器8とを備える。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The optical pickup device according to the present invention will be described with reference to FIG. An optical pickup device 10 according to the present invention includes a laser light source 1, a selective diffraction grating 2, a collimator lens 3, a half mirror 4, an objective lens 5, a condenser lens 7, and a photodetector 8. .

【0029】レーザ光源1は、第1の半導体レーザ1A
と、第2の半導体レーザ1Bと、光学素子1Cとを含
む。そして、第1の半導体レーザ1Aは波長635nm
(許容誤差±15nm)のレーザ光を生成し、第2の半
導体レーザ1Bは波長780nm(許容誤差±15n
m)のレーザ光を生成する。光学素子1Cは、後述する
ように第1の半導体レーザ1Aから出射された波長63
5nmのレーザ光の光軸と、第2の半導体レーザ1Bか
ら出射された波長780nmのレーザ光の光軸とを一致
させる。従って、レーザ光源1は、波長635nmのレ
ーザ光と波長780nmのレーザ光とをレーザ駆動回路
20により選択駆動し、2つのレーザ光の光軸を一致さ
せて出射するものである。
The laser light source 1 includes a first semiconductor laser 1A
And a second semiconductor laser 1B and an optical element 1C. The first semiconductor laser 1A has a wavelength of 635 nm.
(Permissible error ± 15 nm), and the second semiconductor laser 1B generates a laser beam having a wavelength of 780 nm (permissible error ± 15n).
m) is generated. The optical element 1C has a wavelength 63 emitted from the first semiconductor laser 1A as described later.
The optical axis of the 5 nm laser light is made to coincide with the optical axis of the 780 nm laser light emitted from the second semiconductor laser 1B. Therefore, the laser light source 1 selectively drives the laser light having a wavelength of 635 nm and the laser light having a wavelength of 780 nm by the laser driving circuit 20, and emits the two laser lights while making their optical axes coincide.

【0030】選択性回折格子2は、波長635nmのレ
ーザ光をそのまま透過し、波長780nmのレーザ光を
回折してメインビームと2つのサブビームを出射する。
この場合、選択性回折格子2は、レーザ光の波長の相違
に基づいて波長780nmのレーザ光のみを回折しても
よく、レーザ光の偏光面の相違に基づいて波長780n
mのレーザ光のみを回折しても良い。レーザ光の偏光面
に基づいて波長780nmのレーザ光のみを回折する場
合は、波長780nmのレーザ光の偏光面と波長635
nmのレーザ光の偏光面とが異なるように第1の半導体
レーザ1Aと第2の半導体レーザ1Bとを設置する。
The selective diffraction grating 2 transmits the laser beam having a wavelength of 635 nm as it is, diffracts the laser beam having a wavelength of 780 nm, and emits a main beam and two sub beams.
In this case, the selective diffraction grating 2 may diffract only the laser light having a wavelength of 780 nm based on the difference in the wavelength of the laser light, and may diffract the laser light having a wavelength of 780 n based on the difference in the polarization plane of the laser light.
m may be diffracted. When diffracting only a laser beam having a wavelength of 780 nm based on the polarization plane of the laser beam, the polarization plane of the laser beam having a wavelength of 780 nm and the wavelength 635 are used.
The first semiconductor laser 1A and the second semiconductor laser 1B are installed so that the polarization plane of the laser light of nm is different.

【0031】コリメータレンズ3は、波長780nmの
レーザ光と波長635nmのレーザ光とを平行光にす
る。ハーフミラー4は、コリメータレンズ3からの波長
635nmのレーザ光と波長780nmのレーザ光とを
透過し、2つのレーザ光の光記録媒体6または60の信
号記録面6aまたは60aでの反射光の半分を光検出器
8の方向へ反射する。
The collimator lens 3 converts the laser light having a wavelength of 780 nm and the laser light having a wavelength of 635 nm into parallel light. The half mirror 4 transmits the laser light with a wavelength of 635 nm and the laser light with a wavelength of 780 nm from the collimator lens 3 and halves the reflected light of the two laser lights on the signal recording surface 6 a or 60 a of the optical recording medium 6 or 60. Is reflected in the direction of the photodetector 8.

【0032】対物レンズ5は、波長635nmのレーザ
光を基板厚0.6mmの光記録媒体6の信号記録面6a
に集光し、波長780nmのレーザ光を基板厚1.2m
mの光記録媒体60の信号記録面60aに集光照射す
る。即ち、対物レンズ5は、基板厚0.6mmの光記録
媒体6、および基板厚1.2mmの光記録媒体60に集
光照射できるように設計されている。このような対物レ
ンズは、例えば、特開平10−143905号公報に開
示されている。従って、このような対物レンズを用いれ
ば、レーザ光の外周部を選択的に遮光しなくても、波長
635nmのレーザ光を基板厚0.6mmの光記録媒体
6の信号記録面6aに集光し、波長780nmのレーザ
光を基板厚1.2mmの光記録媒体60の信号記録面6
0aに集光照射できる。
The objective lens 5 transmits a laser beam having a wavelength of 635 nm to a signal recording surface 6a of an optical recording medium 6 having a substrate thickness of 0.6 mm.
780nm wavelength laser light with a substrate thickness of 1.2m
The light is condensed and irradiated on the signal recording surface 60a of the optical recording medium 60 of m. That is, the objective lens 5 is designed to be able to collectively irradiate the optical recording medium 6 having a substrate thickness of 0.6 mm and the optical recording medium 60 having a substrate thickness of 1.2 mm. Such an objective lens is disclosed in, for example, JP-A-10-143905. Therefore, if such an objective lens is used, the laser beam having a wavelength of 635 nm is focused on the signal recording surface 6a of the optical recording medium 6 having a substrate thickness of 0.6 mm without selectively shielding the outer peripheral portion of the laser beam. Then, a laser beam having a wavelength of 780 nm is applied to the signal recording surface 6 of the optical recording medium 60 having a substrate thickness of 1.2 mm.
0a can be focused and irradiated.

【0033】集光レンズ7は、ハーフミラー4で反射さ
れたレーザ光を集光し、光検出器8は、集光レンズ7で
集光されたレーザ光を検出する。レーザ駆動回路20
は、レーザ光源1に含まれる第1の半導体レーザ1Aと
第2の半導体レーザ1Bとを選択駆動する。光ピックア
ップ装置10が、選択性回折格子2を有しているのは、
基板厚1.2mmの光記録媒体であるCD、CD−Rに
信号を記録、または再生する際の対物レンズ5のフォー
カスサーボは、CD、CD−Rに3ビームを照射し、そ
の3ビームの反射光を検出してフォーカスエラー信号を
生成する、いわゆるDPP(Differential
Push Pull)法を用い、基板厚0.6mmの
光記録媒体であるDVDから信号を再生する際の対物レ
ンズ5のフォーカスサーボは、DVDに1ビームを照射
し、その1ビームの反射光を検出してフォーカスエラー
信号を生成する、いわゆる非点収差法を用いるからであ
る。
The condensing lens 7 condenses the laser light reflected by the half mirror 4, and the photodetector 8 detects the laser light condensed by the condensing lens 7. Laser drive circuit 20
Selectively drives the first semiconductor laser 1A and the second semiconductor laser 1B included in the laser light source 1. The optical pickup device 10 has the selective diffraction grating 2 because
The focus servo of the objective lens 5 when recording or reproducing a signal on or from a CD or CD-R, which is an optical recording medium having a substrate thickness of 1.2 mm, irradiates the CD and CD-R with three beams. A so-called DPP (Differential) that detects a reflected light and generates a focus error signal.
The focus servo of the objective lens 5 when reproducing a signal from a DVD which is an optical recording medium having a substrate thickness of 0.6 mm using the Push Pull) method irradiates the DVD with one beam and detects the reflected light of the one beam. This is because a so-called astigmatism method is used to generate a focus error signal.

【0034】光ピックアップ装置10における動作につ
いて説明する。レーザ光源1から出射された波長635
nmのレーザ光は、選択性回折格子2をそのまま透過
し、コリメータレンズ3で平行光にされた後、ハーフミ
ラー4を透過して対物レンズ5に入射する。そして、対
物レンズ5で集光され光記録媒体6の信号記録面6aに
集光照射される。信号記録面6aで反射された波長63
5nmのレーザ光は、対物レンズ5を介してハーフミラ
ー4まで戻り、ハーフミラー4で半分反射されて、集光
レンズ7で集光され、光検出器8で検出される。
The operation of the optical pickup device 10 will be described. Wavelength 635 emitted from laser light source 1
The laser light of nm passes through the selective diffraction grating 2 as it is, is converted into parallel light by the collimator lens 3, passes through the half mirror 4, and enters the objective lens 5. Then, the light is condensed by the objective lens 5 and is condensed and irradiated on the signal recording surface 6a of the optical recording medium 6. Wavelength 63 reflected by signal recording surface 6a
The 5 nm laser light returns to the half mirror 4 via the objective lens 5, is half-reflected by the half mirror 4, is collected by the condenser lens 7, and is detected by the photodetector 8.

【0035】また、レーザ光源1から出射された波長7
80nmのレーザ光は、選択性回折格子2でメインビー
ムと2つのサブビームとに回折されて、コリメータレン
ズ3で平行光にされた後、ハーフミラー4を透過して対
物レンズ5に入射する。そして、対物レンズ5で集光さ
れ光記録媒体60の信号記録面60aに集光照射され
る。信号記録面60aで反射された波長780nmのレ
ーザ光は、対物レンズ5を介してハーフミラー4まで戻
り、ハーフミラー4で半分反射されて、集光レンズ7で
集光され、光検出器8で検出される。
The wavelength 7 emitted from the laser light source 1
The 80 nm laser light is diffracted into a main beam and two sub-beams by the selective diffraction grating 2, converted into parallel light by the collimator lens 3, and then passes through the half mirror 4 to enter the objective lens 5. Then, the light is condensed by the objective lens 5 and is condensed and irradiated on the signal recording surface 60a of the optical recording medium 60. The laser light having a wavelength of 780 nm reflected by the signal recording surface 60a returns to the half mirror 4 via the objective lens 5, is half-reflected by the half mirror 4, is condensed by the condenser lens 7, and is condensed by the photodetector 8. Is detected.

【0036】図2、3、4を参照して、レーザ光源1の
詳細について説明する。図2を参照して、レーザ光源1
は、台座1Dを含み、第1の半導体レーザ1Aと、第2
の半導体レーザ1Bと、光学素子1Cとは台座1D上に
設置される。第1の半導体レーザ1Aは、波長635n
mのレーザ光LB1が直進して光学素子1Cを通過する
ように設置され、第2の半導体レーザ1Bは、第1の半
導体レーザ1Aに対して光記録媒体6または60の径方
向またはトラック方向にずれた位置に配置される。第1
の半導体レーザ1Aと第2の半導体レーザ1Bとの距離
は100〜300μmである。そして、第2の半導体レ
ーザ1Bから出射された波長780nmのレーザ光LB
2は光学素子1Cに入射した後、その光軸を波長635
nmのレーザ光LB1の光軸と一致させて光学素子1C
を出射する。
The details of the laser light source 1 will be described with reference to FIGS. Referring to FIG. 2, laser light source 1
Includes a pedestal 1D, a first semiconductor laser 1A, and a second
The semiconductor laser 1B and the optical element 1C are installed on a base 1D. The first semiconductor laser 1A has a wavelength of 635 n
m laser beam LB1 is installed so as to go straight and pass through the optical element 1C, and the second semiconductor laser 1B is arranged in the radial direction or the track direction of the optical recording medium 6 or 60 with respect to the first semiconductor laser 1A. It is located at a shifted position. First
The distance between the semiconductor laser 1A and the second semiconductor laser 1B is 100 to 300 μm. Then, the laser light LB having a wavelength of 780 nm emitted from the second semiconductor laser 1B
2 is an optical element having a wavelength of 635 after entering the optical element 1C.
The optical element 1C is aligned with the optical axis of the laser beam LB1 of nm.
Is emitted.

【0037】図3は、図2におけるレーザ光源1を上面
から見た平面図である。光学素子1Cは、第1の面1C
1と、第2の面1C2と、第3の面1C3と、第4の面
1C4と、第5の面1C5と、第6の面1C6とを備え
た光学部品である。第1の半導体レーザ1Aのレーザ光
の出射点SPAと、第2の半導体レーザ1Bのレーザ光
の出射点SPBとは、同一線21上にあるように(立体
的には同一平面内にあるように)、第1の半導体レーザ
1Aと第2の半導体レーザ1Bとが台座1D上に設置さ
れる。第1の半導体レーザ1Aから出射した波長635
nmのレーザ光LB1は、第1の面1C1から光学素子
1Cに入射し、第2の面1C2、第3の面1C3、およ
び第4の面1C4を透過して光学素子1Cを出射する。
一方、第2の半導体レーザ1Bを出射した波長780n
mのレーザ光LB2は、第5の面1C5から光学素子1
Cに入射し、第6の面1C6および第3の面1C3で反
射し、第4の面1C4を透過して光学素子1Cを出射す
る。そして、第3の面1C3で反射する際に波長635
nmのレーザ光LB1と光軸を一致させられる。従っ
て、第3の面1C3は、波長635nmのレーザ光LB
1を透過し、波長780nmのレーザ光LB2を反射す
る機能を有するものである。
FIG. 3 is a plan view of the laser light source 1 in FIG. 2 as viewed from above. The optical element 1C has a first surface 1C
1, a second surface 1C2, a third surface 1C3, a fourth surface 1C4, a fifth surface 1C5, and a sixth surface 1C6. The emission point SPA of the laser light of the first semiconductor laser 1A and the emission point SPB of the laser light of the second semiconductor laser 1B are on the same line 21 (three-dimensionally on the same plane. 2), the first semiconductor laser 1A and the second semiconductor laser 1B are set on the base 1D. Wavelength 635 emitted from first semiconductor laser 1A
The laser beam LB1 of nm enters the optical element 1C from the first surface 1C1, passes through the second surface 1C2, the third surface 1C3, and the fourth surface 1C4, and exits the optical element 1C.
On the other hand, the wavelength 780n emitted from the second semiconductor laser 1B
m of the optical element 1 from the fifth surface 1C5.
C, the light is reflected by the sixth surface 1C6 and the third surface 1C3, passes through the fourth surface 1C4, and exits the optical element 1C. Then, when reflected by the third surface 1C3, the wavelength 635
The optical axis can be matched with the laser beam LB1 of nm. Therefore, the third surface 1C3 is provided with a laser beam LB having a wavelength of 635 nm.
1 and has a function of reflecting a laser beam LB2 having a wavelength of 780 nm.

【0038】レーザ光源1においては、第1の半導体レ
ーザAのレーザ光の出射点SPAと光学素子1Cの入射
面1C1までの距離と、第2の半導体レーザ1Bのレー
ザ光の出射点SPBと光学素子6の入射面1C5までの
距離とを一定に保持する必要がある。そこで、図4に示
すように、レーザ光源1の台座1Dは、好ましくは、切
欠き部22を有する。切欠き部22は、第1の半導体レ
ーザ1Aの出射面および第2の半導体レーザ1Bの出射
面に平行に形成される。これにより、光学素子1Cを台
座1Dに容易に設置できると共に、第1の半導体レーザ
Aのレーザ光の出射点SPAと光学素子1Cの入射面1
C1までの距離と、第2の半導体レーザ1Bのレーザ光
の出射点SPBと光学素子1Cの入射面1C5までの距
離とを一定に保持することができる。
In the laser light source 1, the distance between the emission point SPA of the laser light of the first semiconductor laser A and the incident surface 1C1 of the optical element 1C, and the emission point SPB of the laser light of the second semiconductor laser 1B and the optical point It is necessary to keep the distance to the incident surface 1C5 of the element 6 constant. Therefore, as shown in FIG. 4, the pedestal 1 </ b> D of the laser light source 1 preferably has a notch 22. The notch 22 is formed parallel to the emission surface of the first semiconductor laser 1A and the emission surface of the second semiconductor laser 1B. Thereby, the optical element 1C can be easily installed on the pedestal 1D, and the emission point SPA of the laser light of the first semiconductor laser A and the incident surface 1 of the optical element 1C.
The distance to C1 and the distance between the emission point SPB of the laser light of the second semiconductor laser 1B and the incident surface 1C5 of the optical element 1C can be kept constant.

【0039】図5を参照して、光ピックアップ装置10
を用いて基板厚0.6mmの光記録媒体6から信号を再
生する場合の動作について説明する。レーザ駆動回路2
0によりレーザ光源1中の第1の半導体レーザ1Aが選
択駆動され、第1の半導体レーザ1Aから波長635n
mのレーザ光が出射される。出射された波長635nm
のレーザ光は、上記説明したように光学素子1Cをその
まま透過し、選択性回折格子2もそのまま透過し、コリ
メータレンズ3で平行光にされた後、ハーフミラー4を
透過して対物レンズ5に入射する。対物レンズ5に入射
した波長635nmのレーザ光は、対物レンズ5で集光
され、光記録媒体6の信号記録面6aに集光照射され
る。信号記録面6aで反射された波長635nmのレー
ザ光は、対物レンズ5を介してハーフミラー4まで戻
り、ハーフミラー4で半分反射される。ハーフミラー4
で反射された波長635nmのレーザ光は集光レンズ7
で集光され光検出器8で検出される。これにより光記録
媒体6から信号が再生される。
Referring to FIG. 5, optical pickup device 10
The operation in the case of reproducing a signal from the optical recording medium 6 having a substrate thickness of 0.6 mm using FIG. Laser drive circuit 2
0, the first semiconductor laser 1A in the laser light source 1 is selectively driven, and a wavelength of 635 n
m laser light is emitted. Emitted wavelength 635nm
As described above, the laser beam passes through the optical element 1C as it is, passes through the selective diffraction grating 2 as it is, is converted into parallel light by the collimator lens 3, and then passes through the half mirror 4 to the objective lens 5. Incident. The laser beam having a wavelength of 635 nm incident on the objective lens 5 is condensed by the objective lens 5 and is condensed and irradiated on the signal recording surface 6a of the optical recording medium 6. The laser light having a wavelength of 635 nm reflected by the signal recording surface 6a returns to the half mirror 4 via the objective lens 5, and is half reflected by the half mirror 4. Half mirror 4
The laser light having a wavelength of 635 nm reflected by the
And is detected by the photodetector 8. Thereby, a signal is reproduced from the optical recording medium 6.

【0040】図6を参照して、光ピックアップ装置10
を用いて基板厚1.2mmの光記録媒体60に信号を記
録および/または再生する動作を説明する。まず、信号
を記録する動作について説明する。レーザ駆動回路20
によりレーザ光源1に含まれる第2の半導体レーザ1B
が選択駆動される。この場合、第2の半導体レーザ1B
は記録信号により変調された駆動信号に基づいて駆動さ
れる。第2の半導体レーザ1Bを出射した波長780n
mのレーザ光は、上記説明したように光学素子1Cによ
り波長635nmのレーザ光と光軸を一致させられてレ
ーザ光源1を出射する。そして、選択性回折格子2でメ
インビームと2つのサブビームとに回折され、コリメー
タレンズ3で平行光にされた後、ハーフミラー4を透過
し、対物レンズ5に入射する。対物レンズ5に入射した
波長780nmのレーザ光は、対物レンズ5で集光され
て光記録媒体60の信号記録面60aに集光照射され
る。これにより光記録媒体60に信号が記録される。
Referring to FIG. 6, optical pickup device 10
The operation of recording and / or reproducing a signal on / from the optical recording medium 60 having a substrate thickness of 1.2 mm will be described with reference to FIG. First, an operation of recording a signal will be described. Laser drive circuit 20
, The second semiconductor laser 1B included in the laser light source 1
Is selectively driven. In this case, the second semiconductor laser 1B
Are driven based on a drive signal modulated by a recording signal. Wavelength 780n emitted from the second semiconductor laser 1B
As described above, the laser light of m is emitted from the laser light source 1 after the optical axis is made to coincide with the laser light of 635 nm in wavelength by the optical element 1C. Then, the light is diffracted into a main beam and two sub-beams by the selective diffraction grating 2, converted into parallel light by the collimator lens 3, transmitted through the half mirror 4, and enters the objective lens 5. The laser light having a wavelength of 780 nm incident on the objective lens 5 is condensed by the objective lens 5 and is condensed and irradiated on the signal recording surface 60a of the optical recording medium 60. Thus, a signal is recorded on the optical recording medium 60.

【0041】次に、光記録媒体60から信号が再生され
る動作について説明する。第2の半導体レーザ1Bがレ
ーザ駆動回路20により選択駆動され、光記録媒体60
の信号記録面60aに集光照射されるまでの動作は、記
録動作の場合と同じである。信号記録面60aで反射さ
れた波長780nmのレーザ光は、対物レンズ5を介し
てハーフミラー4まで戻り、ハーフミラー4で半分反射
される。ハーフミラー4で反射された波長780nmの
レーザ光は、集光レンズ7で集光され、光検出器8で検
出される。これにより光記録媒体60から信号が再生さ
れる。
Next, the operation of reproducing a signal from the optical recording medium 60 will be described. The second semiconductor laser 1B is selectively driven by the laser drive circuit 20, and the optical recording medium 60
The operation until the signal recording surface 60a is focused and irradiated is the same as the case of the recording operation. The laser light having a wavelength of 780 nm reflected by the signal recording surface 60a returns to the half mirror 4 via the objective lens 5, and is half reflected by the half mirror 4. The laser light having a wavelength of 780 nm reflected by the half mirror 4 is condensed by the condenser lens 7 and detected by the photodetector 8. Thus, a signal is reproduced from the optical recording medium 60.

【0042】光ピックアップ装置10に用いられるレー
ザ光源は、図2、3、4に示すレーザ光源1に限らず図
7に示すレーザ光源30であってもよい。レーザ光源3
0は、第1の半導体レーザ1Aと、第2の半導体レーザ
1Bと、光学素子30Cと、台座1Dとを含む。レーザ
光源30においては、第1の半導体レーザ1Aと第2の
半導体レーザ1Bとは、それぞれの出射面が異なる平面
内になるように配置され、第1の半導体レーザ1Aから
出射される波長635nmのレーザ光LB1と、第2の
半導体レーザ1Bから出射される波長780nmのレー
ザ光LB2とは、異なる方向から光学素子30Cに入射
する。
The laser light source used in the optical pickup device 10 is not limited to the laser light source 1 shown in FIGS. 2, 3, and 4, but may be a laser light source 30 shown in FIG. Laser light source 3
0 includes a first semiconductor laser 1A, a second semiconductor laser 1B, an optical element 30C, and a pedestal 1D. In the laser light source 30, the first semiconductor laser 1A and the second semiconductor laser 1B are arranged such that their respective emission surfaces are in different planes, and the wavelength of the 635 nm wavelength emitted from the first semiconductor laser 1A is The laser beam LB1 and the laser beam LB2 having a wavelength of 780 nm emitted from the second semiconductor laser 1B enter the optical element 30C from different directions.

【0043】図8を参照して、第1の半導体レーザ1A
のレーザ光の出射点SPAは線24上に位置し、第2の
半導体レーザ1Bのレーザ光の出射点SPBは線25上
に位置する。そして、線24と線25とは直角を成す。
従って、レーザ光源30においては、第1の半導体レー
ザ1Aと第2の半導体レーザ1Bとは、その出射面が直
角をなすように配置される。光学素子30Cは、第1の
面30C1と、第2の面30C2と、第3の面30C3
と、第4の面30C4と、第5の面30C5とを備え
る。第1の半導体レーザ1Aを出射した波長635nm
のレーザ光LB1は、第1の面30C1から光学素子3
0Cに入射し、第2の面30C2、第3の面30C3、
および第4の面30C4を透過して光学素子30Cを出
射する。一方、第2の半導体レーザ1Bを出射した波長
780nmのレーザ光は、第5の面30C5から光学素
子30Cに入射し、第3の面30C3で反射され、第4
の面30C4を透過して光学素子30Cを出射する。そ
して、波長780nmのレーザ光LB2は、第3の面3
0C3で反射される際に、波長635nmのレーザ光L
B1と光軸を一致させられる。従って、第3の面30C
3は波長635nmのレーザ光LB1を透過し、波長7
80nmのレーザ光LB2を反射する機能を有するもの
である。
Referring to FIG. 8, first semiconductor laser 1A
The emission point SPA of the laser light is located on the line 24, and the emission point SPB of the laser light of the second semiconductor laser 1B is located on the line 25. The line 24 and the line 25 make a right angle.
Therefore, in the laser light source 30, the first semiconductor laser 1A and the second semiconductor laser 1B are arranged such that the emission surfaces thereof form a right angle. The optical element 30C includes a first surface 30C1, a second surface 30C2, and a third surface 30C3.
And a fourth surface 30C4 and a fifth surface 30C5. Wavelength 635 nm emitted from the first semiconductor laser 1A
Of the optical element 3 from the first surface 30C1.
0C, the second surface 30C2, the third surface 30C3,
Then, the light passes through the fourth surface 30C4 and exits from the optical element 30C. On the other hand, the laser light having a wavelength of 780 nm emitted from the second semiconductor laser 1B enters the optical element 30C from the fifth surface 30C5, is reflected by the third surface 30C3, and
And exits the optical element 30C through the surface 30C4. Then, the laser light LB2 having a wavelength of 780 nm is applied to the third surface 3
When reflected at 0C3, the laser light L having a wavelength of 635 nm
The optical axis can be matched with B1. Therefore, the third surface 30C
3 transmits a laser beam LB1 having a wavelength of 635 nm and a wavelength of 7
It has a function of reflecting the laser beam LB2 of 80 nm.

【0044】図9を参照して、台座1Dは、好ましく
は、切欠き部23を有する。切欠き部23に光学素子3
0Cを設置することにより第1の半導体レーザ1Aと光
学素子30Cとの距離を一定に保持し、第2の半導体レ
ーザ1Bと光学素子30Cとの距離を一定に保持でき
る。図10を参照して、光ピックアップ装置10を用い
た光ディスク装置100について説明する。光ディスク
装置100は、光ピックアップ装置10と、再生信号増
幅回路11と、サーボ回路12と、サーボ機構13と、
スピンドルモータ14と、波形等化回路15と、A/D
変換回路16と、復号回路17と、エンコーダ18と、
変調回路19と、レーザ駆動回路20とを備える。
Referring to FIG. 9, pedestal 1D preferably has a notch 23. Optical element 3 in notch 23
By setting 0C, the distance between the first semiconductor laser 1A and the optical element 30C can be kept constant, and the distance between the second semiconductor laser 1B and the optical element 30C can be kept constant. An optical disk device 100 using the optical pickup device 10 will be described with reference to FIG. The optical disc device 100 includes an optical pickup device 10, a reproduction signal amplification circuit 11, a servo circuit 12, a servo mechanism 13,
A spindle motor 14, a waveform equalizing circuit 15, an A / D
A conversion circuit 16, a decoding circuit 17, an encoder 18,
A modulation circuit 19 and a laser driving circuit 20 are provided.

【0045】光ピックアップ装置10は、上記説明した
ように第1の半導体レーザ1Aからのレーザ光と、第2
の半導体レーザ1Bからのレーザ光とを、その光軸を実
質的に一致させて光記録媒体6または60に照射し、そ
の反射光を検出する。再生信号増幅回路11は、光ピッ
クアップ装置10が検出したフォーカスエラー信号、ト
ラッキングエラー信号、および再生信号を所定のレベル
に増幅し、フォーカスエラー信号とトラッキングエラー
信号とをサーボ回路12へ出力し、再生信号を波形等化
回路15へ出力する。
As described above, the optical pickup device 10 receives the laser light from the first semiconductor laser 1A and the second semiconductor laser 1A.
The optical recording medium 6 or 60 is irradiated with the laser light from the semiconductor laser 1B of the above with the optical axes thereof substantially coincident with each other, and the reflected light is detected. The reproduction signal amplification circuit 11 amplifies the focus error signal, the tracking error signal, and the reproduction signal detected by the optical pickup device 10 to predetermined levels, outputs the focus error signal and the tracking error signal to the servo circuit 12, and reproduces the signal. The signal is output to the waveform equalization circuit 15.

【0046】サーボ回路12は、入力したフォーカスエ
ラー信号およびトラッキングエラー信号に基づいて光ピ
ックアップ装置10の対物レンズ5のフォーカスサーボ
およびトラッキングサーボを行うようにサーボ機構13
を制御すると共に、スピンドルモータ14を所定の回転
数で回転する。サーボ機構13は、サーボ回路12から
の制御に基づいて光ピックアップ装置10中の対物レン
ズ5のフォーカスサーボおよびトラッキングサーボを行
う。スピンドルモータ14は、光記録媒体6または60
を所定の回転数で回転させる。
The servo circuit 12 performs a servo mechanism 13 so as to perform focus servo and tracking servo of the objective lens 5 of the optical pickup device 10 based on the input focus error signal and tracking error signal.
And the spindle motor 14 is rotated at a predetermined rotation speed. The servo mechanism 13 performs focus servo and tracking servo of the objective lens 5 in the optical pickup device 10 based on control from the servo circuit 12. The spindle motor 14 is connected to the optical recording medium 6 or 60
Is rotated at a predetermined rotation speed.

【0047】波形等化回路15は、再生信号増幅回路1
1から入力した再生信号の高周波数側のレベルを低周波
数側と同程度にする波形等化を行う。A/D変換回路1
6は、波形等化回路15から入力した再生信号をデジタ
ル信号に変換する。復号回路17は、入力したデジタル
信号を復号して再生データとして出力する。エンコーダ
18は、記録データをエンコードする。変調回路19
は、エンコードされた記録信号を所定の方式に変調す
る。レーザ駆動回路20は、信号の記録時には変調回路
10から入力された記録信号に基づいて光ピックアップ
装置10中の第2の半導体レーザ1Bを駆動する。ま
た、信号の再生時には、レーザ駆動回路20は光ピック
アップ装置10中の第1および第2の半導体レーザ1
A、1Bを所定強度のレーザ光を出射するように駆動す
る。
The waveform equalizing circuit 15 includes the reproduced signal amplifying circuit 1
Waveform equalization is performed so that the level on the high frequency side of the reproduction signal input from 1 is almost equal to the level on the low frequency side. A / D conversion circuit 1
6 converts the reproduction signal input from the waveform equalization circuit 15 into a digital signal. The decoding circuit 17 decodes the input digital signal and outputs it as reproduction data. The encoder 18 encodes the recording data. Modulation circuit 19
Modulates the encoded recording signal into a predetermined format. The laser drive circuit 20 drives the second semiconductor laser 1B in the optical pickup device 10 based on the recording signal input from the modulation circuit 10 when recording a signal. When reproducing a signal, the laser drive circuit 20 operates the first and second semiconductor lasers 1 in the optical pickup device 10.
A and 1B are driven so as to emit laser light of a predetermined intensity.

【0048】基板厚0.6mmの光記録媒体6が光ディ
スク装置100に装着されると、光記録媒体6はスピン
ドルモータ14により所定の回転数で回転され、図示省
略した記録媒体の判別回路により装着された光記録媒体
が基板厚0.6mmの光記録媒体であると判別され、そ
の判別結果に基づいて光ピックアップ装置10の第1の
半導体レーザ1Aを駆動するように図示省略した制御回
路からレーザ駆動回路20へ制御信号が出力される。
When the optical recording medium 6 having a substrate thickness of 0.6 mm is mounted on the optical disk device 100, the optical recording medium 6 is rotated at a predetermined rotation speed by a spindle motor 14 and mounted by a recording medium discriminating circuit (not shown). The determined optical recording medium is determined to be an optical recording medium having a substrate thickness of 0.6 mm, and a control circuit (not shown) drives the first semiconductor laser 1A of the optical pickup device 10 based on the determination result. A control signal is output to drive circuit 20.

【0049】そうすると、レーザ駆動回路20は、光ピ
ックアップ装置10中の第1の半導体レーザ1Aを駆動
し、第1の半導体レーザ1Aは波長635nmのレーザ
光を生成し、光ピックアップ装置10は、上記説明した
ように波長635nmのレーザ光を光記録媒体6に照射
し、その反射光を検出する。光ピックアップ装置10に
よりフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信
号が検出されると、上記説明したように光ピックアップ
装置10中の対物レンズ5のフォーカスサーボおよびト
ラッキングサーボがONされる。その後、光ピックアッ
プ装置10は、光記録媒体6に形成されたピットに基づ
く反射光強度の変化を検出することにより再生信号を検
出する。検出された再生信号は、再生信号増幅回路1
1、波形等化回路15、A/D変換回路16、および復
号回路17を介して、上記説明したように再生データと
して出力される。
Then, the laser drive circuit 20 drives the first semiconductor laser 1A in the optical pickup device 10, the first semiconductor laser 1A generates a laser beam having a wavelength of 635 nm, and the optical pickup device 10 As described above, the optical recording medium 6 is irradiated with the laser light having the wavelength of 635 nm, and the reflected light is detected. When the focus error signal and the tracking error signal are detected by the optical pickup device 10, the focus servo and the tracking servo of the objective lens 5 in the optical pickup device 10 are turned on as described above. Thereafter, the optical pickup device 10 detects a reproduction signal by detecting a change in reflected light intensity based on a pit formed on the optical recording medium 6. The detected reproduction signal is supplied to the reproduction signal amplification circuit 1
1, via the waveform equalization circuit 15, the A / D conversion circuit 16, and the decoding circuit 17, are output as reproduction data as described above.

【0050】次に、基板厚1.2mmの光記録媒体60
が光ディスク装置100に装着されると、光記録媒体6
0はスピンドルモータ14により所定の回転数で回転さ
れ、図示省略した記録媒体の判別回路により装着された
光記録媒体が基板厚1.2mmの光記録媒体であると判
別され、その判別結果に基づいて光ピックアップ装置1
0の第2の半導体レーザ1Bを駆動するように図示省略
した制御回路からレーザ駆動回路20へ制御信号が出力
される。
Next, an optical recording medium 60 having a substrate thickness of 1.2 mm
Is mounted on the optical disc device 100, the optical recording medium 6
0 is rotated at a predetermined number of revolutions by the spindle motor 14, and the mounted optical recording medium is determined to be an optical recording medium having a substrate thickness of 1.2 mm by a recording medium determination circuit (not shown), and based on the determination result. Optical pickup device 1
A control signal is output from the control circuit (not shown) to the laser drive circuit 20 so as to drive the second semiconductor laser 1B.

【0051】そうすると、レーザ駆動回路20は、光ピ
ックアップ装置10中の第2の半導体レーザ1Bを駆動
し、第2の半導体レーザ1Bは波長780nmのレーザ
光を生成し、光ピックアップ装置10は、上記説明した
ように波長780nmのレーザ光を光記録媒体60に照
射し、その反射光を検出する。その後の動作は0.6m
m厚の光記録媒体6が装着された場合と同じであるの
で、その説明を省略する。
Then, the laser driving circuit 20 drives the second semiconductor laser 1B in the optical pickup device 10, the second semiconductor laser 1B generates laser light having a wavelength of 780 nm, and the optical pickup device 10 As described above, the optical recording medium 60 is irradiated with the laser light having the wavelength of 780 nm, and the reflected light is detected. Subsequent operation is 0.6m
Since this is the same as the case where the optical recording medium 6 having the thickness of m is mounted, the description thereof is omitted.

【0052】更に、基板厚1.2mmの光記録媒体60
に信号を記録する場合について説明すると、基板厚1.
2mmの光記録媒体60が装着され、対物レンズ5のフ
ォーカスサーボおよびトラッキングサーボがONされる
までの動作は、再生動作の場合と同じである。その後、
記録データはエンコーダ18でエンコードされ、変調回
路19へ所定の方式に変調された後、レーザ駆動回路2
0へ入力される。また、光ピックアップ装置10中の第
2の半導体レーザ1Bを駆動するように、図示省略した
制御回路からレーザ駆動回路20へ制御信号が入力され
ているので、レーザ駆動回路20は記録信号に基づいて
レーザ光強度が変化するように第2の半導体レーザ1B
を駆動する。これにより光ピックアップ装置10は、記
録信号に基づいて強度が変化する波長780nmのレー
ザ光を光記録媒体60に照射し、信号が光記録媒体60
に照射される。
Further, an optical recording medium 60 having a substrate thickness of 1.2 mm
The case where a signal is recorded on the substrate will be described.
The operation until the 2 mm optical recording medium 60 is mounted and the focus servo and the tracking servo of the objective lens 5 are turned on is the same as the case of the reproducing operation. afterwards,
The recording data is encoded by an encoder 18 and modulated by a modulation circuit 19 in a predetermined manner.
Input to 0. In addition, since a control signal is input from a control circuit (not shown) to the laser drive circuit 20 so as to drive the second semiconductor laser 1B in the optical pickup device 10, the laser drive circuit 20 operates based on the recording signal. Second semiconductor laser 1B so that the laser beam intensity changes
Drive. Thus, the optical pickup device 10 irradiates the optical recording medium 60 with a laser beam having a wavelength of 780 nm, the intensity of which changes based on the recording signal, and the signal is transmitted to the optical recording medium 60.
Is irradiated.

【0053】図11を参照して、本願発明に係る他の光
ピックアップ装置について説明する。光ピックアップ装
置40は、図1に示す光ピックアップ装置10に波長選
択性光学素子600を追加し、対物レンズ5の代わりに
対物レンズ50を用いたものである。対物レンズ50
は、基板厚0.6mmの光記録媒体6に波長635nm
のレーザ光を集光照射できるように設計された対物レン
ズであり、波長780nmのレーザ光を基板厚1.2m
mの光記録媒体に照射した場合には収差が発生するレン
ズである。即ち、対物レンズ50は、設計に用いられた
基板厚と異なる基板厚を有する光記録媒体にレーザ光を
照射する場合には収差が発生するレンズである。なお、
対物レンズ50の開口数は0.6(許容誤差±0.0
5)である。
Referring to FIG. 11, another optical pickup device according to the present invention will be described. The optical pickup device 40 is obtained by adding a wavelength-selective optical element 600 to the optical pickup device 10 shown in FIG. 1 and using an objective lens 50 instead of the objective lens 5. Objective lens 50
Is a wavelength of 635 nm on the optical recording medium 6 having a substrate thickness of 0.6 mm.
Is an objective lens designed to be able to collect and irradiate a laser beam of a wavelength of 780 nm.
m is a lens that generates aberration when irradiated on the optical recording medium of m. That is, the objective lens 50 is a lens that causes aberration when irradiating the optical recording medium having a substrate thickness different from the substrate thickness used for the design with laser light. In addition,
The numerical aperture of the objective lens 50 is 0.6 (allowable error ± 0.0
5).

【0054】そこで、光ピックアップ装置40において
は、波長780nmのレーザ光を基板厚1.2mmの光
記録媒体60に集光照射する場合に発生する収差を除去
するために波長選択性光学素子600が用いられてい
る。波長選択性光学素子600は、後述するように、波
長635nmのレーザ光をその入射強度を保持しつつ透
過して対物レンズ50に入射し、波長780nmのレー
ザ光を、その入射強度を保持しつつ所望の方向のレーザ
光に回折して所定の内周部のみを対物レンズ50に入射
する。
Therefore, in the optical pickup device 40, the wavelength-selective optical element 600 is used to remove the aberration generated when the laser beam having a wavelength of 780 nm is focused and irradiated on the optical recording medium 60 having a substrate thickness of 1.2 mm. Used. As described later, the wavelength-selective optical element 600 transmits a laser beam having a wavelength of 635 nm while maintaining its incident intensity and enters the objective lens 50, and transmits a laser beam having a wavelength of 780 nm while maintaining the incident intensity. The laser beam is diffracted into a laser beam in a desired direction and enters only the predetermined inner peripheral portion into the objective lens 50.

【0055】光ピックアップ装置40は、特に、後述す
るようにCD−Rに信号を記録するときは、第2の半導
体レーザ1Bから出射された波長780nmのレーザ光
のパワーを殆ど低下させることなくCD−Rの信号記録
面60aに集光照射し、信号を記録することを特徴とす
る。図12、13を参照して、波長選択性光学素子60
0の詳細について説明する。図12を参照して、波長選
択性光学素子600は、ガラス等の透光性基板601の
表面に第1の材料602を形成し、その第1の材料60
2を覆うように第2の材料603を形成した構造であ
る。第1の材料602は、光軸L0に対して略同心円状
に所定の間隔で形成され、例えば、ホログラムにより構
成される。従って、第1の材料602は、波長635n
mのレーザ光と波長780nmのレーザ光とに対して同
じ2.3の屈折率を有する。一方、第2の材料603
は、例えば、シリコンナイトライド(SiN)により構
成され、波長635nmのレーザ光に対して2.3の屈
折率を有し、波長780nmのレーザ光に対しては1.
8の屈折率を有する。
When recording a signal on a CD-R, as will be described later, the optical pickup device 40 can reduce the power of the laser light having a wavelength of 780 nm emitted from the second semiconductor laser 1B without substantially reducing the power of the CD. The signal recording surface 60a of -R is condensed and irradiated to record a signal. 12 and 13, the wavelength-selective optical element 60
0 will be described in detail. Referring to FIG. 12, a wavelength-selective optical element 600 includes a first material 602 formed on a surface of a light-transmitting substrate 601 such as glass, and the first material 60.
2 is a structure in which a second material 603 is formed so as to cover the second material 603. The first material 602 is formed at a predetermined interval substantially concentrically with respect to the optical axis L0, and is formed of, for example, a hologram. Therefore, the first material 602 has a wavelength of 635 n
It has the same refractive index of 2.3 for the laser light of m and the laser light of the wavelength of 780 nm. On the other hand, the second material 603
Is made of, for example, silicon nitride (SiN), has a refractive index of 2.3 with respect to a laser beam having a wavelength of 635 nm, and has a refractive index of 1.3 with respect to a laser beam having a wavelength of 780 nm.
It has a refractive index of 8.

【0056】図13の(a)を参照して、光軸L0を含
む任意の平面における波長選択性光学素子600の断面
構造を説明する。透光性基板601の表面に直角三角形
の形状をした第1の材料602が所定の間隔で光軸L0
に対して対称的に形成されている。第1の材料602の
高さは、0.337μm、その間隔は最内周部で29
6.43μm、最外周部で31.256μmであり、内
周部から外周部へ向かうに従って徐々に間隔が狭くなっ
ている。また、第2の材料603は、透光性基板601
と接すると共に、第1の材料602を覆うように形成さ
れている。
Referring to FIG. 13A, a cross-sectional structure of the wavelength-selective optical element 600 on an arbitrary plane including the optical axis L0 will be described. A first material 602 having a right-angled triangle shape is provided on the surface of a light-transmitting substrate 601 at predetermined intervals with an optical axis L0.
Are formed symmetrically with respect to. The height of the first material 602 is 0.337 μm, and the interval is 29 at the innermost periphery.
6.43 μm, and 31.256 μm at the outermost periphery, and the distance gradually decreases from the inner periphery toward the outer periphery. The second material 603 is formed of a light-transmitting substrate 601.
And is formed so as to cover the first material 602.

【0057】図13の(b)は、波長選択性光学素子6
00の平面構造図である。第1の材料602は、透光性
基板601の表面に、略同心円状に形成されている。ま
た、同心円の間隔は外周部ほど狭いことが明らかであ
る。図14を参照して、光学素子600の光学特性につ
いて説明する。図14の(a)を参照して、波長635
nmのレーザ光に対して、第1の材料602は屈折率
2.3を有し、第2の材料603も屈折率2.3を有す
るので、光学素子600に入射した波長635nmのレ
ーザ光LB1は、波長選択性光学素子600で回折され
ることなく、そのまま、レーザ光LB1として透過す
る。その結果、波長635nmのレーザ光は、波長選択
性光学素子600を通過してもそのパワーが低下するこ
とがない。
FIG. 13B shows a wavelength-selective optical element 6.
00 is a plan view of the structure of FIG. The first material 602 is formed substantially concentrically on the surface of the light-transmitting substrate 601. Also, it is clear that the interval between the concentric circles is narrower toward the outer periphery. The optical characteristics of the optical element 600 will be described with reference to FIG. With reference to FIG.
Since the first material 602 has a refractive index of 2.3 and the second material 603 also has a refractive index of 2.3 with respect to the laser light of nm, the laser light LB1 having a wavelength of 635 nm incident on the optical element 600 is used. Is transmitted as the laser beam LB1 without being diffracted by the wavelength-selective optical element 600. As a result, the power of the laser light having a wavelength of 635 nm does not decrease even if it passes through the wavelength-selective optical element 600.

【0058】一方、図14の(b)を参照して、波長7
80nmのレーザ光に対して、第1の材料602は屈折
率2.3を有し、第2の材料603は屈折率1.8を有
し、更に、第1の材料602は第2の材料603との界
面になだらかな斜面604を有するので、光学素子60
0に入射した波長780nmのレーザ光LB2は、前記
斜面604を介して第1の材料602から第2の材料6
03へ入射する際に光軸から外周側へ回折され、回折光
LB3として波長選択性光学素子600を透過する。
On the other hand, referring to FIG.
For 80 nm laser light, the first material 602 has a refractive index of 2.3, the second material 603 has a refractive index of 1.8, and the first material 602 is a second material. The optical element 60 has a gentle slope 604 at the interface with the optical element 60.
The laser light LB2 having a wavelength of 780 nm incident on the first material 602 from the first material 602 through the inclined surface 604.
At the time of incidence on light 03, it is diffracted from the optical axis to the outer peripheral side, and transmits through the wavelength-selective optical element 600 as diffracted light LB3.

【0059】第1の材料602が第2の材料603との
界面で階段状になった材料700である場合、波長78
0nmのレーザ光LB2は、第1の材料700から第2
の材料603へ入射するときに0次光LB20と、+1
次光LB21と、−1次光LB22とに回折される。従
って、これら3つの回折光LB20、LB21、LB2
2のうちの1つの回折光を利用する場合は、レーザ光の
パワーが低下する。しかし、本願の波長選択性光学素子
600では、第1の材料602は、なだらかな斜面60
4を有するため、波長780nmのレーザ光LB2は、
例えば、1次光LB3に殆ど100%回折される。従っ
て、レーザ光LB2が波長選択性光学素子600を通過
することによるパワーの低下は殆どない。
In the case where the first material 602 is the material 700 having a step shape at the interface with the second material 603, the wavelength 78
The laser beam LB2 of 0 nm is transmitted from the first material 700 to the second
0th order light LB20 and +1 when entering the material 603
The light is diffracted into the next order light LB21 and the minus first order light LB22. Therefore, these three diffracted lights LB20, LB21, LB2
When one of the two diffracted lights is used, the power of the laser light is reduced. However, in the wavelength-selective optical element 600 of the present application, the first material 602 has a gentle slope 60.
4, the laser beam LB2 having a wavelength of 780 nm
For example, almost 100% is diffracted by the primary light LB3. Therefore, there is almost no decrease in power due to the laser beam LB2 passing through the wavelength selective optical element 600.

【0060】図15を参照して、波長選択性光学素子6
00に入射した波長780nmのレーザ光LB2は、波
長選択性光学素子600で所望の方向に回折され、回折
光LB3として波長選択性光学素子600を通過する。
波長選択性光学素子600を通過した回折光LB3のう
ち、外周部LB3EXは対物レンズ50に入射せず、所
定の内周部LB3INのみが対物レンズ50に入射す
る。従って、波長選択性光学素子600は、波長780
nmのレーザ光LB2に対しては、所望の方向の回折光
LB3に回折すると共に、所定の内周部LB3INのみ
を対物レンズ50に入射させる。また、波長選択性光学
素子600の第1の材料602の相互の間隔は、内周部
から外周部に向かうに従って徐々に狭くなっているの
で、内周部と外周部とで回折角が異なり、波長選択性光
学素子600はレンズを用いてレーザ光を回折させるの
と同じ機能を有する。
Referring to FIG. 15, wavelength-selective optical element 6
The laser beam LB2 having a wavelength of 780 nm incident on 00 is diffracted in a desired direction by the wavelength-selective optical element 600 and passes through the wavelength-selective optical element 600 as diffracted light LB3.
Out of the diffracted light LB3 that has passed through the wavelength-selective optical element 600, the outer peripheral portion LB3EX does not enter the objective lens 50, and only a predetermined inner peripheral portion LB3IN enters the objective lens 50. Therefore, the wavelength-selective optical element 600 has a wavelength of 780.
The laser beam LB2 of nm is diffracted into diffracted light LB3 in a desired direction, and only a predetermined inner peripheral portion LB3IN is incident on the objective lens 50. Further, since the distance between the first materials 602 of the wavelength-selective optical element 600 gradually decreases from the inner peripheral portion toward the outer peripheral portion, the diffraction angle differs between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion. The wavelength-selective optical element 600 has the same function as diffracting laser light using a lens.

【0061】図16を参照して、光ピックアップ装置4
0を用いて基板厚0.6mmのDVDを再生する場合の
動作について説明する。DVDが再生される場合は、レ
ーザ光源1の第1の半導体レーザ1Aが選択駆動され
る。レーザ光源1を出射した波長635nmのレーザ光
は、選択性回折格子2をそのまま透過し、コリメータレ
ンズ3で平行光にされ、ハーフミラー4を透過し、波長
選択性光学素子600に入射する。この場合、レーザ光
は、ハーフミラー4を約98%の透過率で通過するた
め、ハーフミラー4とを通過することによるパワーの低
下は殆どない。
Referring to FIG. 16, optical pickup device 4
An operation when reproducing a DVD having a substrate thickness of 0.6 mm using 0 will be described. When playing a DVD, the first semiconductor laser 1A of the laser light source 1 is selectively driven. The laser light having a wavelength of 635 nm emitted from the laser light source 1 passes through the selective diffraction grating 2 as it is, is made parallel by the collimator lens 3, passes through the half mirror 4, and enters the wavelength selective optical element 600. In this case, since the laser light passes through the half mirror 4 with a transmittance of about 98%, there is almost no reduction in power due to passing through the half mirror 4.

【0062】波長選択性光学素子600に入射したレー
ザ光は、その入射強度を保持しつつそのまま通過し、対
物レンズ50に入射する。対物レンズ50に入射したレ
ーザ光は、対物レンズ50で集光されDVD6の信号記
録面6aに照射される。信号記録面6aで反射された反
射光は、対物レンズ50、および波長選択性光学素子6
00を介してハーフミラー4まで戻り、ハーフミラー4
で半分反射されて集光レンズ7に入射する。そして、集
光レンズ7で集光され、光検出器8に集光照射され、光
検出器8で検出される。
The laser beam that has entered the wavelength-selective optical element 600 passes through the same while maintaining the incident intensity, and enters the objective lens 50. The laser light incident on the objective lens 50 is condensed by the objective lens 50 and is irradiated on the signal recording surface 6a of the DVD 6. The reflected light reflected by the signal recording surface 6a is reflected by the objective lens 50 and the wavelength-selective optical element 6
Returning to the half mirror 4 via 00, the half mirror 4
Is reflected halfway and enters the condenser lens 7. Then, the light is condensed by the condensing lens 7, condensed and irradiated on the light detector 8, and detected by the light detector 8.

【0063】図17を参照して、光ピックアップ装置4
0を用いて基板厚1.2mmのCD−Rに信号を記録お
よび/または再生する場合の動作について説明する。C
D−Rに信号を記録および/または再生する場合は、レ
ーザ光源1の第2の半導体レーザ1Bが選択駆動され
る。まず、信号の記録動作について説明する。CD−R
に信号を記録する場合は、第2の半導体レーザ1Bから
70mWの強度のレーザ光を出射する。レーザ光源1を
出射した波長780nmのレーザ光は、選択性回折格子
2でメインビームと2つのサブビームとに回折され、コ
リメータレンズ3で平行光にされ、ハーフミラー4を透
過して波長選択性光学素子600に入射する。この場合
も、レーザ光は、ハーフミラー4を約98%の透過率で
通過するため、ハーフミラー4を通過することによるパ
ワーの低下は殆どない。
Referring to FIG. 17, optical pickup device 4
The operation when recording and / or reproducing signals on a CD-R having a substrate thickness of 1.2 mm using 0 will be described. C
When recording and / or reproducing signals on the DR, the second semiconductor laser 1B of the laser light source 1 is selectively driven. First, a signal recording operation will be described. CD-R
When a signal is recorded on the second semiconductor laser 1B, a laser beam having an intensity of 70 mW is emitted from the second semiconductor laser 1B. The laser light having a wavelength of 780 nm emitted from the laser light source 1 is diffracted into a main beam and two sub-beams by a selective diffraction grating 2, converted into parallel light by a collimator lens 3, transmitted through a half mirror 4, and passed through a wavelength selective optics. Light enters the element 600. Also in this case, since the laser light passes through the half mirror 4 with a transmittance of about 98%, there is almost no reduction in power due to passing through the half mirror 4.

【0064】波長選択性光学素子600に入射したレー
ザ光は、その入射強度を保持しつつ回折され、所定の内
周部のみが対物レンズ50に入射する。対物レンズ50
に入射したレーザ光は、対物レンズ50で集光されCD
−R60の信号記録面60aに照射される。信号を記録
する場合は、レーザ光は記録信号により変調されている
ため、その変調された波長780nmのレーザ光が信号
記録面60aに照射されることにより信号が記録され
る。
The laser beam incident on the wavelength-selective optical element 600 is diffracted while maintaining its incident intensity, and only a predetermined inner peripheral portion enters the objective lens 50. Objective lens 50
Is incident on the objective lens 50 and is focused on the CD.
-Irradiated on the signal recording surface 60a of R60. When recording a signal, since the laser beam is modulated by the recording signal, the signal is recorded by irradiating the modulated laser beam having a wavelength of 780 nm to the signal recording surface 60a.

【0065】70mWの強度で第2の半導体レーザ1B
を出射した波長780nmのレーザ光は、ハーフミラー
4で約2%強度が低下し、波長選択性光学素子600に
入射する。そして、波長選択性光学素子600を強度を
保持しつつ回折されて通過し、所定の内周部のみが対物
レンズ50に入射する。この場合、所定の内周部は、開
口数0.6の対物レンズ50の実効的開口数が0.50
〜0.53の範囲となる領域である。波長780nmの
レーザ光の有効光束を4.46mmとした場合、対物レ
ンズ50の実効的開口数が0.50〜0.53の範囲と
なる所定の内周部の直径は、3.2〜3.4mmであ
る。従って、対物レンズ50に入射するレーザ光の強度
は、70mW×0.98×(有効利用する内周部の直径
/レーザ光の有効光束)=49〜52mWとなる。その
結果、光ピックアップ装置40を用いれば、第2の半導
体レーザ1Bの出射直後の強度を殆ど低下させることな
く、CD−Rの信号記録面60aに波長780nmのレ
ーザ光を照射でき、正確な信号記録を行うことができ
る。
The second semiconductor laser 1B having an intensity of 70 mW
The laser light having a wavelength of 780 nm emitted by the laser beam is reduced in intensity by about 2% by the half mirror 4 and enters the wavelength-selective optical element 600. Then, the light passes through the wavelength-selective optical element 600 while being diffracted while maintaining the intensity, and only a predetermined inner peripheral portion enters the objective lens 50. In this case, the predetermined inner peripheral portion is such that the effective numerical aperture of the objective lens 50 having a numerical aperture of 0.6 is 0.50.
This is an area within the range of 0.53. When the effective luminous flux of the laser light having a wavelength of 780 nm is 4.46 mm, the diameter of the predetermined inner peripheral portion where the effective numerical aperture of the objective lens 50 is in the range of 0.50 to 0.53 is 3.2 to 3 0.4 mm. Therefore, the intensity of the laser light incident on the objective lens 50 is 70 mW × 0.98 × (diameter of the inner peripheral portion to be effectively used / effective light flux of the laser light) = 49 to 52 mW. As a result, with the use of the optical pickup device 40, the signal recording surface 60a of the CD-R can be irradiated with laser light having a wavelength of 780 nm without substantially lowering the intensity immediately after the emission of the second semiconductor laser 1B. Records can be made.

【0066】次に、信号再生の動作について説明する。
CD−Rから信号を再生する場合は、第2の半導体レー
ザ1Bから12mWの強度のレーザ光を出射する。レー
ザ光源1を出射した波長780nmのレーザ光は、上記
説明したように、その強度を殆ど低下させることなく、
CD−R60の信号記録面60aに照射される。そし
て、信号記録面60aで反射された反射光は、図16の
説明と同じようにして光検出器8に導かれ、信号が再生
される。
Next, the operation of signal reproduction will be described.
When reproducing a signal from the CD-R, a laser beam having an intensity of 12 mW is emitted from the second semiconductor laser 1B. As described above, the laser light having a wavelength of 780 nm emitted from the laser light source 1 hardly decreases its intensity.
The signal is irradiated onto the signal recording surface 60a of the CD-R 60. Then, the reflected light reflected on the signal recording surface 60a is guided to the photodetector 8 in the same manner as described with reference to FIG. 16, and the signal is reproduced.

【0067】また、光ピックアップ装置40にレーザ光
源30を用いても良い。光ピックアップ装置40を用い
た光ディスク装置は、図10に示す光ディスク装置10
0の光ピックアップ装置10を光ピックアップ装置40
に代えたものであり、その他の構成および動作は図10
の説明と同じである。従って、光ピックアップ装置40
を用いた光ディスク装置においても、基板厚0.6mm
の光記録媒体と基板厚1.2mmの光記録媒体とに信号
を記録および/または再生を行うことができる。
The laser light source 30 may be used for the optical pickup device 40. An optical disk device using the optical pickup device 40 is an optical disk device 10 shown in FIG.
0 optical pickup device 10 and optical pickup device 40
Other configurations and operations are shown in FIG.
It is the same as the description. Therefore, the optical pickup device 40
Substrate thickness of 0.6 mm
A signal can be recorded and / or reproduced on and from an optical recording medium having a substrate thickness of 1.2 mm.

【0068】上記説明においては、光ピックアップ装置
10、40に含まれる第1の半導体レーザ1Aを用いた
場合には、信号の再生のみを行うとして説明したが、光
ピックアップ装置40を用いれば、記録可能な光ディス
クである光磁気記録媒体に信号を記録および/または再
生を行うこともできる。その場合、第1の半導体レーザ
1Aから出射された直後の強度を保持して信号を記録す
ることができる。
In the above description, when the first semiconductor laser 1A included in the optical pickup devices 10 and 40 is used, it is described that only signal reproduction is performed. However, when the optical pickup device 40 is used, recording is performed. A signal can be recorded and / or reproduced on a magneto-optical recording medium which is a possible optical disk. In that case, a signal can be recorded while maintaining the intensity immediately after the light is emitted from the first semiconductor laser 1A.

【0069】以上、説明したように光ピックアップ装置
10、40を用いることにより、2つのレーザ光の光軸
を実質的に一致させて基板厚0.6mmの光記録媒体と
基板厚1.2mmの光記録媒体とに信号を記録および/
または再生を行うことができる。
As described above, by using the optical pickup devices 10 and 40, the optical axes of the two laser beams are made substantially coincident with each other so that the optical recording medium having the substrate thickness of 0.6 mm and the optical recording medium having the substrate thickness of 1.2 mm are used. Recording a signal on an optical recording medium and / or
Or playback can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明に係る光ピックアップ装置の構成図で
ある。
FIG. 1 is a configuration diagram of an optical pickup device according to the present invention.

【図2】図1のレーザ光源の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the laser light source of FIG.

【図3】図2のレーザ光源の上平面図である。FIG. 3 is a top plan view of the laser light source of FIG. 2;

【図4】図2に示す台座の好ましい例である。FIG. 4 is a preferred example of a pedestal shown in FIG. 2;

【図5】図1に示す光ピックアップ装置を用いて、基板
厚0.6mmの光記録媒体から信号を再生する動作を説
明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an operation of reproducing a signal from an optical recording medium having a substrate thickness of 0.6 mm using the optical pickup device shown in FIG.

【図6】図1に示す光ピックアップ装置を用いて、基板
厚1.2mmの光記録媒体に信号を記録および/から信
号を再生する動作を説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an operation of recording a signal on and / or reproducing a signal from an optical recording medium having a substrate thickness of 1.2 mm using the optical pickup device shown in FIG.

【図7】図1に示す光ピックアップ装置に用いる他のレ
ーザ光源の斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view of another laser light source used in the optical pickup device shown in FIG.

【図8】図8のレーザ光源の上平面図である。8 is a top plan view of the laser light source of FIG.

【図9】図8に示す台座の好ましい例である。FIG. 9 is a preferred example of the pedestal shown in FIG. 8;

【図10】図1に示す光ピックアップ装置を用いた光デ
ィスク装置の構成図である。
10 is a configuration diagram of an optical disc device using the optical pickup device shown in FIG.

【図11】本願発明に係る光ピックアップ装置の他の構
成を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing another configuration of the optical pickup device according to the present invention.

【図12】図11の波長選択性光学素子の斜視図であ
る。
FIG. 12 is a perspective view of the wavelength-selective optical element of FIG.

【図13】図11の波長選択性光学素子の断面図と平面
図である。
13 is a sectional view and a plan view of the wavelength-selective optical element of FIG.

【図14】図11の波長選択性光学素子の光学特性を説
明する図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating optical characteristics of the wavelength-selective optical element in FIG.

【図15】波長780nmのレーザ光の波長選択性光学
素子から対物レンズへの経路を説明する図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating a path of a laser beam having a wavelength of 780 nm from a wavelength-selective optical element to an objective lens.

【図16】図11に示す光ピックアップ装置を用いた基
板厚0.6mmの光ディスクの記録または再生動作を説
明する図である。
16 is a diagram illustrating a recording or reproducing operation of an optical disk having a substrate thickness of 0.6 mm using the optical pickup device shown in FIG.

【図17】図11に示す光ピックアップ装置を用いた基
板厚1.2mmの光ディスクの記録または再生動作を説
明する図である。
17 is a diagram illustrating a recording or reproducing operation of an optical disc having a substrate thickness of 1.2 mm using the optical pickup device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ光源、1A 第1の半導体レーザ、1B 第
2の半導体レーザ、1C 光学素子、1D 台座、1C
1 第1の面、1C2 第2の面、1C3 第3の面、
1C4 第4の面、1C5 第5の面、1C6 第6の
面、2 選択性回折格子、 3 コリメータレンズ、4
ハーフミラー、 5 対物レンズ、6光記録媒体、6
a 信号記録面、7 集光レンズ、8 光検出器、10
光ピックアップ装置、11 再生信号増幅回路、12
サーボ回路、13 サーボ機構、14 スピンドルモ
ータ、15 波形等化回路、16 A/D変換回路、1
7 復号回路、18 エンコーダ、19 変調回路、2
0レーザ駆動回路、21線、22、23 切欠き部、2
4、25 線、30 レーザ光源、30C 光学素子、
30C1 第1の面、30C2 第2の面、30C3
第3の面、 30C4 第4の面、 30C5 第5の
面、40 光ピックアップ装置、50対物レンズ、60
光記録媒体、60a 信号記録面、100 光ディス
ク装置、600 波長選択性光学素子
Reference Signs List 1 laser light source, 1A first semiconductor laser, 1B second semiconductor laser, 1C optical element, 1D pedestal, 1C
1 1st surface, 1C2 2nd surface, 1C3 3rd surface,
1C4 fourth surface, 1C5 fifth surface, 1C6 sixth surface, 2 selective diffraction grating, 3 collimator lens, 4
Half mirror, 5 Objective lens, 6 optical recording medium, 6
a signal recording surface, 7 condenser lens, 8 photodetector, 10
Optical pickup device, 11 Reproduction signal amplification circuit, 12
Servo circuit, 13 servo mechanism, 14 spindle motor, 15 waveform equalization circuit, 16 A / D conversion circuit, 1
7 decoding circuit, 18 encoder, 19 modulation circuit, 2
0 laser drive circuit, 21 lines, 22, 23 notch, 2
4, 25 lines, 30 laser light source, 30C optical element,
30C1 first surface, 30C2 second surface, 30C3
3rd surface, 30C4 4th surface, 30C5 5th surface, 40 optical pickup device, 50 objective lens, 60
Optical recording medium, 60a signal recording surface, 100 optical disk device, 600 wavelength-selective optical element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 11/105 551 G11B 11/105 551C 556 556B (72)発明者 土屋 洋一 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 Fターム(参考) 2H049 CA01 CA05 CA15 CA20 5D075 AA03 CD07 CD16 CE03 5D118 AA26 BA01 BB01 BB03 CD02 CG02 CG04 CG24 DA35 5D119 AA41 BA01 EC47 FA05 FA08──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 11/105 551 G11B 11/105 551C 556 556B (72) Inventor Yoichi Tsuchiya 2 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka 5-5-5 Sanyo Electric Co., Ltd. F term (reference) 2H049 CA01 CA05 CA15 CA20 5D075 AA03 CD07 CD16 CE03 5D118 AA26 BA01 BB01 BB03 CD02 CG02 CG04 CG24 DA35 5D119 AA41 BA01 EC47 FA05 FA08

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ光を用いて記録媒体に信号を記録
および/または再生する光ピックアップ装置であって、 第1の波長を有する第1のレーザ光を生成する第1の半
導体レーザと、 前記第1の波長と異なる第2の波長を有する第2のレー
ザ光を生成する第2の半導体レーザと、 前記第1の半導体レーザにより生成された前記第1のレ
ーザ光をそのまま透過し、 前記第2の半導体レーザにより生成された前記第2のレ
ーザ光を、その光軸を前記第1のレーザ光の光軸に実質
的に一致させて透過する光学素子とを含むレーザ光源を
有する光ピックアップ装置。
1. An optical pickup device that records and / or reproduces a signal on a recording medium using a laser beam, comprising: a first semiconductor laser that generates a first laser beam having a first wavelength; A second semiconductor laser that generates a second laser light having a second wavelength different from the first wavelength, and a first laser light generated by the first semiconductor laser that is transmitted as it is; An optical pickup device having a laser light source including: an optical element that transmits the second laser light generated by the second semiconductor laser with its optical axis substantially coincident with the optical axis of the first laser light. .
【請求項2】 レーザ光を用いて記録媒体に信号を記録
および/または再生する光ピックアップ装置であって、 第1の波長を有する第1のレーザ光を生成する第1の半
導体レーザと、 前記第1の波長と異なる第2の波長を有する第2のレー
ザ光を生成する第2の半導体レーザと、 前記第1の半導体レーザにより生成された前記第1のレ
ーザ光をそのまま透過し、 前記第2の半導体レーザにより生成された前記第2のレ
ーザ光を反射して、その光軸を前記第1のレーザ光の光
軸に実質的に一致させて透過する光学素子とを含むレー
ザ光源を有する光ピックアップ装置。
2. An optical pickup device for recording and / or reproducing a signal on a recording medium using a laser beam, wherein the first semiconductor laser generates a first laser beam having a first wavelength; A second semiconductor laser that generates a second laser light having a second wavelength different from the first wavelength, and a first laser light generated by the first semiconductor laser that is transmitted as it is; An optical element that reflects the second laser light generated by the second semiconductor laser and transmits the light by substantially aligning the optical axis with the optical axis of the first laser light. Optical pickup device.
【請求項3】 前記光学素子は、前記第1のレーザ光を
透過する第1、および第2の面と、 前記第2のレーザ光を透過する第3の面と、 前記第1のレーザ光を透過し、前記第2のレーザ光を反
射する第4の面と、 前記第1および第2のレーザ光を透過する第5の面とを
含む請求項2に記載の光ピックアップ装置。
3. The optical element includes first and second surfaces that transmit the first laser light, a third surface that transmits the second laser light, and the first laser light. The optical pickup device according to claim 2, further comprising: a fourth surface that transmits light and reflects the second laser light; and a fifth surface that transmits the first and second laser lights.
【請求項4】 前記光学素子は、前記第1のレーザ光を
透過する第1、および第2の面と、 前記第2のレーザ光を透過する第3の面と、 前記第2のレーザ光を反射する第4の面と、 前記第1のレーザ光を透過し、前記第2のレーザ光を反
射する第5の面と、 前記第1および第2のレーザ光を透過する第6の面とを
含む請求項2に記載の光ピックアップ装置。
4. An optical element comprising: a first and a second surface transmitting the first laser light; a third surface transmitting the second laser light; and the second laser light. A fourth surface that reflects the first laser light, a fifth surface that transmits the first laser light and reflects the second laser light, and a sixth surface that transmits the first and second laser light. The optical pickup device according to claim 2, comprising:
【請求項5】 前記第1の半導体レーザと、前記第2の
半導体レーザとは、レーザ光の出射面を同一の平面内に
有し、 前記レーザ光源は、前記第1および第2の半導体レーザ
と前記光学素子とを載置する台座を更に含み、 前記台座は、前記第1および第2の半導体レーザの出射
面と前記光学素子との距離を一定に保持し、前記光学素
子を設置する切欠き部を有する請求項2に記載の光ピッ
クアップ装置。
5. The first semiconductor laser and the second semiconductor laser have emission surfaces of laser light in the same plane, and the laser light source includes the first and second semiconductor lasers. And a pedestal on which the optical element is mounted. The pedestal holds a distance between the emission surfaces of the first and second semiconductor lasers and the optical element at a constant level, and mounts the optical element. The optical pickup device according to claim 2, further comprising a notch.
【請求項6】 第1の基板厚を有する第1の記録媒体
と、前記第1の基板厚より厚い第2の基板厚を有する第
2の記録媒体とに信号を記録および/または再生を行う
光ピックアップ装置であって、 第1の波長を有する第1のレーザ光を生成する第1の半
導体レーザと、前記第1の波長と異なる第2の波長を有
する第2のレーザ光を生成する第2の半導体レーザと、
前記第1の半導体レーザにより生成された前記第1のレ
ーザ光をそのまま透過し、前記第2の半導体レーザによ
り生成された前記第2のレーザ光を、その光軸を前記第
1のレーザ光の光軸に実質的に一致させて透過する光学
素子とを含むレーザ光源と、 前記第1の記録媒体の前記第1の基板厚に適合して設計
され、前記第1および第2のレーザ光を、それぞれ、前
記第1の記録媒体、および前記第2の記録媒体に集光照
射する対物レンズと、 前記対物レンズと前記レーザ光源との間に設けられ、前
記第1のレーザ光をそのまま透過して前記対物レンズに
導き、前記第2のレーザ光を光軸より外周側に屈曲させ
て所定の内周部のみを前記対物レンズに導く波長選択性
光学素子とを含む光ピックアップ装置。
6. A signal is recorded and / or reproduced on a first recording medium having a first substrate thickness and a second recording medium having a second substrate thickness larger than the first substrate thickness. An optical pickup device, comprising: a first semiconductor laser that generates a first laser light having a first wavelength; and a second semiconductor laser that generates a second laser light having a second wavelength different from the first wavelength. Two semiconductor lasers,
The first laser light generated by the first semiconductor laser is transmitted as it is, and the second laser light generated by the second semiconductor laser is moved along the optical axis of the first laser light. A laser light source that includes an optical element that transmits substantially coincident with the optical axis; and a laser light source that is designed to be compatible with the first substrate thickness of the first recording medium and that transmits the first and second laser lights. An objective lens for converging and irradiating the first recording medium and the second recording medium, respectively; and an objective lens provided between the objective lens and the laser light source to transmit the first laser light as it is. A wavelength-selective optical element for guiding the second laser beam to an outer peripheral side from an optical axis to guide only a predetermined inner peripheral portion to the objective lens.
【請求項7】 請求項1から請求項6のいずれか1項に
記載の光ピックアップ装置と、 前記レーザ光源に含まれる前記第1および第2の半導体
レーザを選択駆動するレーザ駆動回路とを含む光ディス
ク装置。
7. An optical pickup device according to claim 1, further comprising: a laser drive circuit that selectively drives the first and second semiconductor lasers included in the laser light source. Optical disk device.
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