JP2001168012A - Heat treatment device - Google Patents

Heat treatment device

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JP2001168012A
JP2001168012A JP35078499A JP35078499A JP2001168012A JP 2001168012 A JP2001168012 A JP 2001168012A JP 35078499 A JP35078499 A JP 35078499A JP 35078499 A JP35078499 A JP 35078499A JP 2001168012 A JP2001168012 A JP 2001168012A
Authority
JP
Japan
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cooling
heat treatment
treatment apparatus
gas
temperature
Prior art date
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Application number
JP35078499A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masanao Matsushita
正直 松下
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP35078499A priority Critical patent/JP2001168012A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the quantity of dry air to be used for lowering a temperature. SOLUTION: Concerning the heat treatment device for applying a heat treatment to a wafer W, this device is provided with a hot plate 1 for placing the wafer W, heating element 1 for heating the hot plate 1, cooling jacket 5 which has an injection port 7 for injecting a gas for cooling and for cooling the hot plate 1, gas piping 13 for communicating the injection port 7 of the cooling jacket 5 and a cooling gas feeding source 15, and air cooler 20 provided on the gas piping 13 for controlling the temperature of the gas for cooling (dry air), which flows in the gas piping 13.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、
光ディスク用の基板などの基板を熱プレートに載置し
て、基板の熱処理を行う熱処理装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask,
The present invention relates to a heat treatment apparatus that places a substrate such as a substrate for an optical disk on a heat plate and heat-treats the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来からの熱処理装置としては、伝熱性
の良い金属材料(例えば、アルミニウム)で形成された
肉厚の熱プレートの下部に、マイカヒータ等の発熱体を
埋設したものが知られている。このような熱処理装置で
は、発熱体によって熱プレートの全体を熱処理のための
処理温度に加熱し、熱プレートの載置面に載置したウエ
ハに対して加熱処理を行うようになっている。
2. Description of the Related Art As a conventional heat treatment apparatus, there is known a heat treatment apparatus in which a heating element such as a mica heater is buried under a thick heat plate formed of a metal material having good heat conductivity (for example, aluminum). I have. In such a heat treatment apparatus, the entire heat plate is heated to a processing temperature for heat treatment by a heating element, and a heat treatment is performed on a wafer mounted on a mounting surface of the heat plate.

【0003】ところで、最近の高速昇降温度ベーク炉な
どの熱処理装置においては、上述した発熱体だけでは処
理温度を変更する際に時間がかかるので、熱プレートと
発熱体との間に冷却機構を介在させている。そして、発
熱体と冷却機構とをそれぞれ制御して熱プレートの温度
を所望の処理温度に変更するようにしている。このとき
の冷却機構においては、冷却用気体としてのクリーンル
ーム内のドライエアを使用してプレートを冷却してい
る。
In recent heat treatment apparatuses such as a high-speed elevating and lowering temperature baking furnace, it takes a long time to change the processing temperature only with the above-described heating element. Therefore, a cooling mechanism is interposed between the heating plate and the heating element. Let me. Then, the heating element and the cooling mechanism are individually controlled to change the temperature of the heating plate to a desired processing temperature. In the cooling mechanism at this time, the plate is cooled using dry air in a clean room as a cooling gas.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クリー
ンルーム内で使用されるドライエアは、そもそも23℃
〜25℃程度の温度なので、高速昇降温度ベーク炉など
のように熱プレートの温度を急速に下げる場合、多量の
ドライエアを使用する必要がある。そのため、熱処理装
置を使用する者の工場用力への負担が大きくなるという
問題がある。
However, dry air used in a clean room is originally 23 ° C.
Since the temperature is about 25 ° C., a large amount of dry air needs to be used when rapidly reducing the temperature of the hot plate as in a high-speed elevating temperature baking furnace. For this reason, there is a problem that a burden on a factory worker of a person who uses the heat treatment apparatus is increased.

【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、降温時に使用するドライエア等の冷却
用気体の量を削減できる熱処理装置を提供することを目
的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a heat treatment apparatus capable of reducing the amount of a cooling gas such as dry air used at the time of cooling.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の熱処理装置は、基板に熱処理を行
う熱処理装置であって、基板を載置させる熱プレート
と、前記熱プレートを加熱させる熱プレート加熱手段
と、冷却用気体が注入される注入口を有し、前記熱プレ
ートを冷却させる熱プレート冷却手段と、前記熱プレー
ト冷却手段の注入口と冷却用気体供給源とを連通させる
気体配管と、前記気体配管に設けられ、前記気体配管を
流れる冷却用気体の温度を調整する温度調整手段と、を
備えたことを特徴とするものである。
According to another aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate, comprising: a heat plate on which the substrate is placed; A heating plate heating means for heating the heating plate, an injection port into which a cooling gas is injected, a heating plate cooling means for cooling the heating plate, and an injection port of the heating plate cooling means and a cooling gas supply source. It is characterized by comprising: a gas pipe to be communicated; and a temperature adjusting means provided in the gas pipe and adjusting a temperature of a cooling gas flowing through the gas pipe.

【0007】また、請求項2に記載の熱処理装置は、請
求項1に記載の熱処理装置であって、前記温度調整手段
が、前記気体配管を流れる冷却用気体を冷却させる冷却
用気体冷却手段を備えたことを特徴とするものである。
The heat treatment apparatus according to claim 2 is the heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the temperature adjustment means includes a cooling gas cooling means for cooling a cooling gas flowing through the gas pipe. It is characterized by having.

【0008】また、請求項3に記載の熱処理装置は、請
求項2に記載の熱処理装置であって、前記温度調整手段
が、両側が前記気体配管と連通接続され、冷却用気体を
流す第1流路をさらに備え、前記冷却用気体冷却手段
が、前記第1流路に沿っている部分を有しており、冷却
用気体を冷却させるための流体を流す第2流路を備えた
ことを特徴とするものである。
The heat treatment apparatus according to a third aspect of the present invention is the heat treatment apparatus according to the second aspect, wherein both sides of the temperature adjusting means are connected to the gas pipe to flow a cooling gas. Further comprising a flow path, wherein the cooling gas cooling means has a portion along the first flow path, and has a second flow path through which a fluid for cooling the cooling gas flows. It is a feature.

【0009】また、請求項4に記載の熱処理装置は、請
求項3に記載の熱処理装置であって、前記第1流路が、
蛇行している部分を有しており、前記第2流路が、前記
第1流路の蛇行している部分に沿うように蛇行している
部分を有することを特徴とするものである。
The heat treatment apparatus according to claim 4 is the heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the first flow path is
It has a meandering portion, and the second flow passage has a meandering portion along the meandering portion of the first flow passage.

【0010】また、請求項5に記載の熱処理装置は、請
求項3または請求項4に記載の熱処理装置であって、冷
却用気体を冷却させる前記第2流路を流れる流体が、フ
ロンであることを特徴とするものである。
The heat treatment apparatus according to claim 5 is the heat treatment apparatus according to claim 3 or 4, wherein the fluid flowing through the second flow path for cooling the cooling gas is Freon. It is characterized by the following.

【0011】また、請求項6に記載の熱処理装置は、請
求項1ないし請求項5のいずれかに記載の熱処理装置で
あって、前記気体配管に設けられ、前記温度調調整手段
により温度を調整された前記気体配管を流れる冷却用気
体の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、前記温
度調整手段が、前記温度検出手段により検出された温度
に基づいて、冷却用気体を加熱する冷却用気体加熱手段
を備えたことを特徴とするものである。
A heat treatment apparatus according to a sixth aspect is the heat treatment apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the temperature adjustment means is provided in the gas pipe and the temperature is adjusted by the temperature adjustment means. Temperature detecting means for detecting the temperature of the cooling gas flowing through the gas pipe, wherein the temperature adjusting means heats the cooling gas based on the temperature detected by the temperature detecting means. A heating means is provided.

【0012】さらに、請求項7に記載の熱処理装置は、
請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の熱処理装置
であって、前記熱プレートの下部に前記熱プレート加熱
手段を設けるとともに、前記熱プレート加熱手段の下部
に前記熱プレート冷却手段を設けたことを特徴するもの
である。
Further, the heat treatment apparatus according to claim 7 is
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat plate heating means is provided below the heat plate, and the heat plate cooling means is provided below the heat plate heating means. It is characterized by the following.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る熱処理装置の実施の形態を説明する。図1は、本発明
に係る熱処理装置の概略構成を示す図であり、図2は熱
プレートの平面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a heat treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a heat treatment apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a heat plate.

【0014】図1に示すように、この熱処理装置におい
ては、基板の一種であるウエハWに熱処理を行うために
4つの処理部10a,10b,10c,10dが配置さ
れている。これらの各処理部10a,10b,10c,
10dは、すべて同じ構造をしているので、本実施の形
態では、処理部10aに基づいて以下説明する。
As shown in FIG. 1, in this heat treatment apparatus, four processing units 10a, 10b, 10c and 10d are arranged for performing a heat treatment on a wafer W which is a kind of substrate. Each of these processing units 10a, 10b, 10c,
10d all have the same structure, and therefore, in the present embodiment, a description will be given below based on the processing unit 10a.

【0015】この処理部10aには、ウエハWを載置す
るための熱プレート1が設けられており、この熱プレー
ト1は、例えば、アルミニウムなどの伝熱性が良好な金
属材料によって平面視円形状に形成されており(図2参
照)、熱容量を大きくするため比較的肉厚に形成されて
いる。また、その下面にはマイカヒータなどの発熱体3
が付設されている。なお、発熱体3は、熱プレート加熱
手段に相当する。
The processing section 10a is provided with a heat plate 1 on which a wafer W is placed. The heat plate 1 is made of a metal material having good heat conductivity, such as aluminum, in a circular shape in plan view. (See FIG. 2), and is formed relatively thick to increase the heat capacity. A heating element 3 such as a mica heater is provided on the lower surface.
Is attached. The heating element 3 corresponds to a heating plate heating unit.

【0016】図示を省略しているが、熱プレート1の上
面には3個の球体が嵌め込まれている。したがって、熱
プレート1にウエハWが載置されると、これらの3個の
球体によって熱プレート1の上面(載置面)からプロキ
シミティギャップと呼ばれる微少な隙間が保たれた状態
でウエハWの裏面に支持され、熱プレート1の上面から
の輻射熱によって均一にウエハWを加熱できるように構
成されている。もちろん、熱プレート1の上面にウエハ
Wを直接的に載置して熱処理を施すように構成してもよ
い。
Although not shown, three spheres are fitted on the upper surface of the heat plate 1. Therefore, when the wafer W is placed on the heat plate 1, the three spheres hold the wafer W in a state where a minute gap called a proximity gap is maintained from the upper surface (placement surface) of the heat plate 1. The wafer W is supported on the back surface, and is configured to uniformly heat the wafer W by radiant heat from the upper surface of the heat plate 1. Of course, the heat treatment may be performed by directly mounting the wafer W on the upper surface of the heat plate 1.

【0017】発熱体3の下面には、さらに熱プレート冷
却手段に相当する冷却ジャケット5が付設されている。
具体的には、ドライエア等の冷却用気体を注入するため
の4箇所の注入口7が冷却ジャケット5の下面に配設さ
れている。図2に示すように、これらの注入口7は、平
面視で中央部Cを中心にほぼ対称になるように形成され
ている。また、各注入口7から周縁部側には4箇所の排
出口9が形成されており、一つの注入口7と一つの排出
口9とが各々流路11により連通接続されている。各流
路11は、冷却ジャケット5に接する面積を増大させる
ためにジグザグ状に形成されている。
On the lower surface of the heating element 3, a cooling jacket 5 corresponding to a hot plate cooling means is further provided.
Specifically, four inlets 7 for injecting a cooling gas such as dry air are provided on the lower surface of the cooling jacket 5. As shown in FIG. 2, these injection ports 7 are formed so as to be substantially symmetric about a central portion C in plan view. Further, four outlets 9 are formed on the peripheral edge side from each inlet 7, and one inlet 7 and one outlet 9 are connected to each other through a flow path 11. Each flow path 11 is formed in a zigzag shape to increase the area in contact with the cooling jacket 5.

【0018】このように本実施の形態では、熱プレート
1と冷却ジャケット5との間に発熱体3を介在させてい
るので、冷却ジャケット5の温度分布の影響が熱プレー
ト1に直接伝わりにくくなる。したがって、熱プレート
1の上面の温度分布均一性を良好に保ったままで、ウエ
ハWの降温が可能である。
As described above, in the present embodiment, since the heating element 3 is interposed between the heat plate 1 and the cooling jacket 5, it is difficult for the influence of the temperature distribution of the cooling jacket 5 to be directly transmitted to the heat plate 1. . Therefore, it is possible to lower the temperature of the wafer W while keeping the uniformity of the temperature distribution on the upper surface of the heat plate 1 good.

【0019】また、4箇所の注入口7から冷却用気体を
注入するので、一つの流路11の長さを短くすることが
でき、注入時と排出時とにおける冷却用気体の温度差を
小さくすることができる。さらに、冷却用気体による温
度変化が4箇所の注入口7の各々から同心円状でほぼ均
等に周囲に広がるので、熱プレート1における温度分布
をさらに均一化できる。
Further, since the cooling gas is injected from the four inlets 7, the length of one flow path 11 can be shortened, and the temperature difference between the cooling gas at the time of injection and the temperature at the time of discharge is reduced. can do. Further, since the temperature change due to the cooling gas spreads concentrically and substantially uniformly from each of the four inlets 7, the temperature distribution in the heat plate 1 can be further uniformed.

【0020】各注入口7は、気体配管13を介して冷却
用気体供給源15に連通接続されている。この気体配管
13には、流量調節弁17と、第1電磁開閉弁19a
と、エアークーラ20と、第5電磁開閉弁21とが各々
設けられている。なお、冷却用気体供給源15は、処理
部10a用だけでなく、その他の処理部10b,10
c,10d用としても兼用している。したがって、その
他の処理部10b,10c,10dに接続されている各
々の気体配管13には、第2電磁開閉弁19b,第3電
磁開閉弁19c,第4電磁開閉弁19dがそれぞれ設け
られている。
Each inlet 7 is connected to a cooling gas supply source 15 via a gas pipe 13. The gas pipe 13 has a flow control valve 17 and a first solenoid on-off valve 19a.
, An air cooler 20 and a fifth solenoid on-off valve 21 are provided. The cooling gas supply source 15 is used not only for the processing unit 10a but also for the other processing units 10b and 10b.
Also used for c and 10d. Therefore, each of the gas pipes 13 connected to the other processing units 10b, 10c, and 10d is provided with a second electromagnetic on-off valve 19b, a third electromagnetic on-off valve 19c, and a fourth electromagnetic on-off valve 19d, respectively. .

【0021】冷却用気体供給源15から供給される冷却
用気体としては、例えばクリーンルームのユーティリテ
ィとして一般的に配備されているドライエア供給源から
のドライエアを用いることができ、毎分100Nl(ノ
ルマルリットル)で供給する。
As the cooling gas supplied from the cooling gas supply source 15, for example, dry air from a dry air supply source generally provided as a utility for a clean room can be used, and 100 Nl (normal liter) per minute is used. Supply by

【0022】次に、エアークーラ20の具体的な構成に
ついて説明する。図3は、エアークーラの概略構成を示
す図である。なお、このエアークーラ20は、温度調整
手段に相当する。
Next, a specific configuration of the air cooler 20 will be described. FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the air cooler. The air cooler 20 corresponds to a temperature adjusting unit.

【0023】このエアークーラ20は、気体配管13に
接続され、冷却用気体をエアークーラ20内へ供給する
ための供給口201と、エアークーラ20内で温度調整
された冷却用気体をエアークラー20内から排出するた
めの排出口202とを備えている。エアークーラ20内
において、供給口201から供給された冷却用気体は、
実線の矢印のように、エアークーラ20内の第1流路に
相当する気体配管203を通って排出口202から排出
される。また、この気体配管203は、エアークーラ2
0内において蛇行している部分を有している。気体配管
203の蛇行している部分に沿って同じように蛇行して
いる部分を有している環状のフロン用配管204が設け
られている。なお、フロン用配管204は、第2流路に
相当する。
The air cooler 20 is connected to the gas pipe 13 and has a supply port 201 for supplying a cooling gas into the air cooler 20 and a cooling gas temperature-controlled in the air cooler 20. And a discharge port 202 for discharging from inside. In the air cooler 20, the cooling gas supplied from the supply port 201 is:
As indicated by a solid arrow, the air is discharged from the outlet 202 through a gas pipe 203 corresponding to a first flow path in the air cooler 20. The gas pipe 203 is connected to the air cooler 2.
It has a meandering portion in 0. An annular CFC pipe 204 having a meandering portion along the meandering portion of the gas pipe 203 is provided. The fluorocarbon pipe 204 corresponds to the second flow path.

【0024】このフロン用配管204の途中には、上流
側にコンプレッサ205と、下流側に冷却部206とが
各々設けられている。そして、冷却部206は、フロン
用配管204の周囲に配置された冷却フィン207と、
冷却フィン207に冷風を送る冷却ファン208とを有
している。
In the middle of the CFC pipe 204, a compressor 205 is provided on the upstream side, and a cooling unit 206 is provided on the downstream side. The cooling unit 206 includes a cooling fin 207 disposed around the fluorocarbon pipe 204,
A cooling fan 208 for sending cool air to the cooling fins 207;

【0025】また、気体配管203の蛇行している部分
より下流側の位置には、気体配管203を流れ、かつ一
旦温度調整された冷却用気体の温度を上昇させるヒータ
209が設けられている。気体配管203の排出口20
2近傍には、気体配管203を流れる冷却用気体の温度
を検知する検出センサ210が設けられている。
At a position downstream of the meandering portion of the gas pipe 203, a heater 209 is provided which flows through the gas pipe 203 and raises the temperature of the cooling gas once temperature-controlled. Outlet 20 of gas pipe 203
In the vicinity of 2, a detection sensor 210 for detecting the temperature of the cooling gas flowing through the gas pipe 203 is provided.

【0026】次に、本発明に係る熱処理装置の制御系に
ついて説明する。図4は、本発明に係る熱処理装置の制
御系を示す図である。この熱処理装置の各部の制御は、
図4に示すような制御部30によって行われる。この制
御部30は、発熱体3、流量調節弁17、第1電磁開閉
弁19a、第2電磁開閉弁19b、第3電磁開閉弁19
c、第4電磁開閉弁19d、第5電磁開閉弁21、コン
プレッサ205、冷却ファン208、ヒータ209、及
び検知センサ210にそれぞれ接続されている。
Next, a control system of the heat treatment apparatus according to the present invention will be described. FIG. 4 is a diagram showing a control system of the heat treatment apparatus according to the present invention. Control of each part of this heat treatment device
This is performed by the control unit 30 as shown in FIG. The control unit 30 includes a heating element 3, a flow control valve 17, a first solenoid on-off valve 19a, a second solenoid on-off valve 19b, and a third solenoid on-off valve 19
c, the fourth electromagnetic on / off valve 19d, the fifth electromagnetic on / off valve 21, the compressor 205, the cooling fan 208, the heater 209, and the detection sensor 210, respectively.

【0027】そして、制御部30は、発熱体3によるウ
エハWの加熱制御、流量調節弁17による冷却用気体の
流量調節制御、第1電磁開閉弁19a、第2電磁開閉弁
19b、第3電磁開閉弁19c、第4電磁開閉弁19
d、第5電磁開閉弁21による冷却用気体の供給・停止
の制御、コンプレッサ205の制御および冷却ファン2
08の回転制御をそれぞれ行う。さらに、制御部30
は、CPU31を有しており、検知センサ210で検出
された温度に基づいてヒータ209の加熱制御を行う。
なお、本実施の形態では、検知センサ210での検出温
度が12℃以下ならば、ヒータ209の加熱を開始する
ように設定されている。
The control unit 30 controls the heating of the wafer W by the heating element 3, the control of the flow rate of the cooling gas by the flow rate control valve 17, the first solenoid on / off valve 19a, the second solenoid on / off valve 19b, and the third solenoid. On-off valve 19c, fourth electromagnetic on-off valve 19
d, control of supply / stop of cooling gas by the fifth solenoid on-off valve 21, control of compressor 205, and cooling fan 2
08 rotation control is performed. Further, the control unit 30
Has a CPU 31 and controls heating of the heater 209 based on the temperature detected by the detection sensor 210.
In this embodiment, if the temperature detected by the detection sensor 210 is equal to or lower than 12 ° C., the heater 209 is set to start heating.

【0028】次に、冷却用気体の供給動作及び冷却用気
体の温度調整動作について説明する。まず、制御部30
の制御により第5電磁開閉弁21を「閉」状態から
「開」状態へ切り換えると、冷却用気体は、冷却用気体
供給源15から気体配管13を流れ出す。気体配管13
を流れる冷却用気体は、エアークーラ20の供給口20
1からエアークーラ20内へ供給される。このとき、供
給口201から供給される冷却用気体の温度は、約25
℃である。
Next, the operation of supplying the cooling gas and the operation of adjusting the temperature of the cooling gas will be described. First, the control unit 30
When the fifth solenoid on-off valve 21 is switched from the “closed” state to the “opened” state by the control described above, the cooling gas flows out of the gas pipe 13 from the cooling gas supply source 15. Gas piping 13
The cooling gas flowing through the supply port 20 of the air cooler 20
1 to the air cooler 20. At this time, the temperature of the cooling gas supplied from the supply port 201 is about 25
° C.

【0029】冷却用気体は、供給口201からエアーク
ーラ20内に供給されて、気体配管203を流れて、排
出口202からエアークーラ20外へ排出されるまでの
間に、以下のようにしてエアークーラ20内において冷
却用気体の冷却処理がなされる。まず、フロン用配管2
04を流れる気体フロンをコンプレッサ205において
圧縮され、気体フロンを液体フロンへと変化させる。変
化の際に液体フロンの温度は上昇するので、冷却部20
6内において、周囲に冷却フィン207が配置されたフ
ロン用配管204に液体フロンを流しつつ、制御部30
の制御により冷却ファン208を回転させて液体フロン
の温度を下げる。
The cooling gas is supplied from the supply port 201 into the air cooler 20, flows through the gas pipe 203, and is discharged from the discharge port 202 to the outside of the air cooler 20 as follows. The cooling process of the cooling gas is performed in the air cooler 20. First, CFC piping 2
The gaseous Freon flowing through 04 is compressed by the compressor 205 and changes the gaseous Freon into liquid Freon. Since the temperature of the liquid Freon rises during the change, the cooling unit 20
6, while flowing the liquid Freon through the Freon pipe 204 around which the cooling fins 207 are arranged,
Control, the cooling fan 208 is rotated to lower the temperature of the liquid Freon.

【0030】この冷却部206で冷却された液体フロン
は、フロン用配管204の蛇行している部分へと流れて
いき、気体配管203を流れる冷却用気体の温度が下げ
られる。この冷却用気体の冷却処理により、冷却用気体
は25℃から15℃へと下げられる。一方、冷却用気体
の冷却処理を行う際に、液体フロンの温度は上昇し、液
体フロンは気体フロンへと変化する。変化した気体フロ
ンは、再度コンプレッサ205へと流れていく。
The liquid Freon cooled by the cooling unit 206 flows to the meandering part of the Freon pipe 204, and the temperature of the cooling gas flowing through the gas pipe 203 is lowered. By the cooling process of the cooling gas, the cooling gas is lowered from 25 ° C. to 15 ° C. On the other hand, when performing the cooling process of the cooling gas, the temperature of the liquid Freon rises, and the liquid Freon changes to gas Freon. The changed gas CFC flows to the compressor 205 again.

【0031】冷却処理された冷却用気体は、気体配管2
03を流れていき排出口202からエアークーラ202
外へ排出される。なお、排出口202近傍に設けられた
検出センサ210でエアークーラ20の排出口202か
ら排出される直前の冷却用気体の温度を検出する。この
ときの温度が約15℃前後ならば問題はないが、約12
℃以下ならば、気体配管203内で冷却用気体が結露す
る恐れがある。そのため、12℃以下と検出センサ21
0が検出したならば、制御部30のCPU31によりヒ
ータ209を「ON」状態にし、冷却用気体が15℃に
なるように、冷却用気体を加熱することになる。
The cooled cooling gas is supplied to the gas pipe 2
03 to the air cooler 202 from the outlet 202
It is discharged outside. The temperature of the cooling gas immediately before being discharged from the outlet 202 of the air cooler 20 is detected by a detection sensor 210 provided near the outlet 202. If the temperature at this time is about 15 ° C., there is no problem.
If the temperature is lower than 0 ° C., the cooling gas may be dewed in the gas pipe 203. Therefore, the temperature of the detection sensor 21
If 0 is detected, the heater 209 is turned on by the CPU 31 of the control unit 30, and the cooling gas is heated so that the temperature of the cooling gas becomes 15 ° C.

【0032】排出口202から排出された冷却用気体
は、例えば、第1電磁開閉弁19aが「開」状態で、流
量調節弁17で流量が調節されれば、処理部10aの注
入口7へ注入され、流路11内を冷却用気体が流れて熱
プレート1が降温される。
If the flow rate of the cooling gas discharged from the discharge port 202 is adjusted by the flow rate control valve 17 while the first solenoid on-off valve 19a is in the "open" state, for example, the cooling gas is supplied to the injection port 7 of the processing section 10a. The hot plate 1 is injected and the cooling gas flows in the flow path 11 to lower the temperature of the heat plate 1.

【0033】このような本発明に係る熱処理装置によれ
ば、次のような効果が得られる。
According to the heat treatment apparatus of the present invention, the following effects can be obtained.

【0034】まず、気体配管13にエアークーラ20を
設けて冷却用気体の冷却等を行って温度調整しているの
で、降温時に使用するドライエアの量を削減でき、熱処
理装置を使用する者の工場用力への負担を小さくできる
という効果がある。
First, since an air cooler 20 is provided in the gas pipe 13 to cool the cooling gas or the like to control the temperature, the amount of dry air used at the time of cooling can be reduced, and the plant of the person using the heat treatment apparatus can be reduced. This has the effect of reducing the burden on utility.

【0035】また、冷却用気体を流す気体配管203を
蛇行させた部分を設け、気体配管203の蛇行している
部分に沿って同じように蛇行している部分を有している
環状のフロン用配管204が設けられているので、フロ
ン等の流体により冷却用気体を効率的に冷却処理するこ
とができる。
An annular CFC having a meandering portion in the gas pipe 203 through which the cooling gas flows, and a portion meandering in the same manner along the meandering portion of the gas pipe 203. Since the pipe 204 is provided, the cooling gas can be efficiently cooled by a fluid such as Freon.

【0036】さらに、排出口202近傍に設けられた検
出センサ210でエアークーラ20の排出口202から
排出される直前の冷却用気体の温度を検出し、12℃以
下と検出センサ210が検出したならば、制御部30の
CPU31によりヒータ209を「ON」状態にし、冷
却用気体が15℃になるように、冷却用気体を加熱して
いるので、冷却用気体の気体配管203内での結露を防
止できる。
Further, the temperature of the cooling gas immediately before being discharged from the discharge port 202 of the air cooler 20 is detected by the detection sensor 210 provided in the vicinity of the discharge port 202. For example, since the heater 209 is turned on by the CPU 31 of the control unit 30 and the cooling gas is heated so that the temperature of the cooling gas becomes 15 ° C., the condensation of the cooling gas in the gas pipe 203 is reduced. Can be prevented.

【0037】なお、本発明に係る熱処理装置は以下のよ
うな変形の実施も可能である。上述した実施の形態で
は、4箇所の注入口7を中央部Cから等距離になるよう
に形成したが、例えば、複数の注入口7が熱プレート1
の温度分布均一性を大きく乱さないのであれば、等距離
に形成しなくてもよい。
The heat treatment apparatus according to the present invention can be modified as follows. In the above-described embodiment, the four injection ports 7 are formed so as to be equidistant from the central portion C. For example, the plurality of injection ports 7 are
If the temperature distribution uniformity is not significantly disturbed, it is not necessary to form them at equal distances.

【0038】また、注入口7を複数とすることは必須で
はなく、中央部Cに一つだけ設けるようにしてもよい。
It is not essential to provide a plurality of injection ports 7, and only one injection port 7 may be provided in the central portion C.

【0039】さらに、上述した実施の形態では、冷却ジ
ャケット4に4個の注入口7が中央部Cから等距離に形
成されていたが、それに加えて中央部Cにも注入口を設
けてもよい。
Further, in the above-described embodiment, the four inlets 7 are formed in the cooling jacket 4 at the same distance from the central portion C. In addition, the inlets may be provided in the central portion C as well. Good.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係る熱処
理装置によれば、熱プレート冷却手段の注入口と冷却用
気体供給源とを連通させる気体配管に、気体配管を流れ
る冷却用気体の温度を調整する温度調整手段を設けてい
るので、降温時に使用するドライエアの量を削減でき
る。
As described above in detail, according to the heat treatment apparatus of the present invention, the cooling gas flowing through the gas pipe is connected to the gas pipe connecting the inlet of the hot plate cooling means and the cooling gas supply source. Since the temperature adjusting means for adjusting the temperature is provided, the amount of dry air used at the time of cooling can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る熱処理装置の概略構成を示す図で
ある。
FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a heat treatment apparatus according to the present invention.

【図2】熱プレートの平面図である。FIG. 2 is a plan view of a heat plate.

【図3】エアークーラの概略構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of an air cooler.

【図4】本発明に係る熱処理装置の制御系を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a control system of the heat treatment apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W ウエハ 1 熱プレート 3 発熱体 5 冷却ジャケット 7 注入口 10a 処理部 10b 処理部 10c 処理部 10d 処理部 11 流路 13 気体流路 15 冷却用気体供給源 20 エアークーラ 30 制御部 31 CPU 203 気体配管 204 フロン用配管 205 コンプレッサ 206 冷却部 207 冷却フィン 208 冷却ファン 209 ヒータ 210 検出センサ W Wafer 1 Heat plate 3 Heating element 5 Cooling jacket 7 Inlet 10a Processing unit 10b Processing unit 10c Processing unit 10d Processing unit 11 Flow path 13 Gas flow path 15 Cooling gas supply source 20 Air cooler 30 Control unit 31 CPU 203 Gas pipe 204 CFC piping 205 Compressor 206 Cooling unit 207 Cooling fin 208 Cooling fan 209 Heater 210 Detection sensor

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板に熱処理を行う熱処理装置であって、 基板を載置させる熱プレートと、 前記熱プレートを加熱させる熱プレート加熱手段と、 冷却用気体が注入される注入口を有し、前記熱プレート
を冷却させる熱プレート冷却手段と、 前記熱プレート冷却手段の注入口と冷却用気体供給源と
を連通させる気体配管と、 前記気体配管に設けられ、前記気体配管を流れる冷却用
気体の温度を調整する温度調整手段と、を備えたことを
特徴とする熱処理装置。
1. A heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate, comprising: a heat plate on which the substrate is placed; a heat plate heating means for heating the heat plate; and an inlet through which a cooling gas is injected. A heat plate cooling means for cooling the heat plate; a gas pipe for communicating an inlet of the heat plate cooling means with a cooling gas supply source; and a cooling gas flowing in the gas pipe provided in the gas pipe. A heat treatment apparatus comprising: a temperature adjusting unit that adjusts a temperature.
【請求項2】請求項1に記載の熱処理装置であって、 前記温度調整手段は、前記気体配管を流れる冷却用気体
を冷却させる冷却用気体冷却手段を備えたことを特徴と
する熱処理装置。
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein said temperature adjusting means includes cooling gas cooling means for cooling a cooling gas flowing through said gas pipe.
【請求項3】請求項2に記載の熱処理装置であって、 前記温度調整手段は、両側が前記気体配管と連通接続さ
れ、冷却用気体を流す第1流路をさらに備え、 前記冷却用気体冷却手段は、前記第1流路に沿っている
部分を有しており、冷却用気体を冷却させるための流体
を流す第2流路を備えたことを特徴とする熱処理装置。
3. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the temperature adjusting means further includes a first flow path connected on both sides to the gas pipe and through which a cooling gas flows. A heat treatment apparatus, wherein the cooling means has a portion along the first flow path, and includes a second flow path through which a fluid for cooling the cooling gas flows.
【請求項4】請求項3に記載の熱処理装置であって、 前記第1流路は、蛇行している部分を有しており、 前記第2流路は、前記第1流路の蛇行している部分に沿
うように蛇行している部分を有することを特徴とする熱
処理装置。
4. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the first flow path has a meandering part, and the second flow path is a meandering state of the first flow path. A heat treatment apparatus having a meandering portion along a curved portion.
【請求項5】請求項3または請求項4に記載の熱処理装
置であって、 冷却用気体を冷却させる前記第2流路を流れる流体は、
フロンであることを特徴とする熱処理装置。
5. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the fluid flowing through the second flow path for cooling the cooling gas is:
A heat treatment apparatus characterized by being CFCs.
【請求項6】請求項1ないし請求項5のいずれかに記載
の熱処理装置であって、 前記気体配管に設けられ、前記温度調整手段により温度
を調整され、かつ前記気体配管を流れる冷却用気体の温
度を検出する温度検出手段をさらに備え、 前記温度調整手段は、前記温度検出手段により検出され
た温度に基づいて、冷却用気体を加熱する冷却用気体加
熱手段を備えたことを特徴とする熱処理装置。
6. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the cooling gas is provided in the gas pipe, the temperature is adjusted by the temperature adjusting means, and the cooling gas flows through the gas pipe. Temperature detecting means for detecting the temperature of the cooling medium, wherein the temperature adjusting means includes cooling gas heating means for heating the cooling gas based on the temperature detected by the temperature detecting means. Heat treatment equipment.
【請求項7】請求項1ないし請求項6のいずれかに記載
の熱処理装置であって、 前記熱プレートの下部に前記熱プレート加熱手段を設け
るとともに、前記熱プレート加熱手段の下部に前記熱プ
レート冷却手段を設けたことを特徴する熱処理装置。
7. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein said heating plate heating means is provided below said heating plate, and said heating plate is provided below said heating plate heating means. A heat treatment apparatus comprising cooling means.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015195133A (en) * 2014-03-31 2015-11-05 Hoya Candeo Optronics株式会社 Light radiation device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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