JP2001155626A - Method for producing display substrate - Google Patents

Method for producing display substrate

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JP2001155626A
JP2001155626A JP33783999A JP33783999A JP2001155626A JP 2001155626 A JP2001155626 A JP 2001155626A JP 33783999 A JP33783999 A JP 33783999A JP 33783999 A JP33783999 A JP 33783999A JP 2001155626 A JP2001155626 A JP 2001155626A
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JP
Japan
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masking
paste
print
thick film
film
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Application number
JP33783999A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazunori Hosomi
和徳 細見
Kota Hirakawa
幸太 平川
Shinsuke Mori
信輔 森
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Noritake Co Ltd
Noritake Electronics Ltd
Original Assignee
Noritake Co Ltd
Noritake Electronics Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a display substrate which can avoid a problem caused by the bleeding of a printing paste or a defect of a plate making. SOLUTION: A printing process SB3 applies a useless thick film silver paste (a useless pattern) on a masking in a print-prohibition area without a direct application on a film forming surface even if a defect of a plate making for forming a row direction wiring is present or the thick film silver paste spreads on the film forming surface by applying the thick film silver paste to the film forming surface in a state that the print-prohibition area is covered with the masking, and a burning process SB4 removes the useless thick film silver paste together with the masking from am upside of the film forming surface. Accordingly, the thick film silver of the useless pattern is prevented from depositing and furthermore fixing to the print-prohibition area. Meanwhile, in a outside of the print-prohibition area, even of an excess portion is caused by the bleeding to the outside of the printing pattern, no problem in function of the display substrate occurs.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ基板
の製造方法に関し、特に、厚膜スクリーン印刷を利用し
た膜形成技術の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a display substrate, and more particularly, to an improvement in a film forming technique using thick film screen printing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、種々の形式の平板型表示装置
が知られている。例えば、熱陰極から発生した電子によ
り蛍光体を励起発光させて表示する形式の蛍光表示管
(VacuumFluorescent Display:VFD)、電界放出に
より発生した電子により蛍光体を励起発光させて表示す
る形式の電界電子放出表示装置(Field Emission Displ
ay:FED)、或いはガス放電により発生したプラズマ
の発光をそのまま利用し或いはそのプラズマにより蛍光
体を励起発光させて表示する形式のプラズマ・ディスプ
レイ表示装置(Plasma Display Panel:PDP)等がそ
の一例である。
2. Description of the Related Art Various types of flat panel display devices have been known. For example, a fluorescent display tube (VFD) that excites and emits a phosphor with electrons generated from a hot cathode, and an electric field electron that excites and emits a phosphor with electrons generated by field emission. Field Emission Displ
ay: FED), or a plasma display panel (PDP) or the like, which uses plasma emission generated by gas discharge as it is or excites and emits a phosphor with the plasma to display. is there.

【0003】上記のような平面型表示装置は、例えば、
互いに平行に配置された一対のディスプレイ基板がスペ
ーサを介して相互に封着されることによって構成された
気密容器を備えている。それら一対のディスプレイ基板
の各々には、表示装置に設けられた複数の発光区画のう
ちの所望のものを選択的に発光させるために、それぞれ
複数本の少なくとも二種類の電極或いは配線、電子線や
プラズマを可視光に変換するための蛍光体等が、表示装
置の形式毎に応じた種々のパターンで備えられる。
[0003] The flat display device as described above is, for example,
There is provided an airtight container formed by sealing a pair of display substrates arranged in parallel with each other via a spacer. Each of the pair of display substrates has a plurality of at least two types of electrodes or wirings, an electron beam, and the like, in order to selectively emit a desired one of a plurality of light emitting sections provided in the display device. Phosphors and the like for converting plasma into visible light are provided in various patterns according to the type of display device.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
な表示装置において、ディスプレイ基板上の電極、配線
や蛍光体等の一部或いは全部を厚膜スクリーン印刷法で
形成することが行われている。しかしながら、一般に、
厚膜スクリーン印刷においては、印刷時の印刷ペースト
の滲みすなわち広がりを避け難い。そのため、微細なパ
ターンを形成しようとすると、隣接する厚膜が相互に接
触し或いは重なり合うことから、導体相互の短絡或いは
蛍光体の混色や劣化等が生じ得るという問題があった。
このような無用な厚膜の接触や重なり合い等に基づく不
具合は、スクリーン製版に存在するピンホールやパター
ン欠け等の欠陥に起因して不要な部分に印刷ペーストが
塗布された場合にも同様に生じ得る。更に、これらの問
題は、膜形成面が大きくなるほど、印刷パターンが微細
になるほど顕著になるのである。
By the way, in the above display device, part or all of the electrodes, wirings, phosphors, etc. on the display substrate are formed by a thick film screen printing method. . However, in general,
In thick film screen printing, it is difficult to avoid bleeding or spreading of the printing paste during printing. Therefore, when trying to form a fine pattern, the adjacent thick films come into contact with each other or overlap with each other, so that there is a problem that short-circuiting between conductors, color mixing or deterioration of the phosphor may occur.
Such defects due to unnecessary contact and overlapping of thick films also occur when printing paste is applied to unnecessary portions due to defects such as pinholes and missing patterns in screen plate making. obtain. Further, these problems become more pronounced as the film formation surface becomes larger and the print pattern becomes finer.

【0005】本発明は、以上の事情を背景として為され
たものであって、その目的は、印刷ペーストの滲みや製
版の欠陥に起因する不具合を抑制し得るディスプレイ基
板の製造方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display substrate capable of suppressing a problem caused by bleeding of a printing paste or a defect in plate making. It is in.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成するた
め、本発明の要旨とするところは、基板の膜形成面上に
厚膜パターンを含む複数種類の膜を形成してディスプレ
イ基板を製造する方法であって、(a) 前記膜形成面のう
ちの前記厚膜パターンを形成するための印刷ペーストが
付着してはならない予め定められた印刷禁止領域を所定
のマスキング材料で覆うマスキング工程と、(b) 前記マ
スキングが施された膜形成面に、前記印刷ペーストを所
定パターンで厚膜スクリーン印刷する印刷工程と、(c)
その印刷工程の後に、前記マスキング材料を除去する除
去工程とを、含むことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the gist of the present invention is to manufacture a display substrate by forming a plurality of types of films including a thick film pattern on a film forming surface of a substrate. (A) a masking step of covering a predetermined print-inhibited area with a predetermined masking material on which a printing paste for forming the thick film pattern of the film forming surface should not adhere. (B) a printing step of screen-printing the printing paste in a predetermined pattern on the film forming surface on which the masking has been performed, and (c)
And a removing step of removing the masking material after the printing step.

【0007】[0007]

【発明の効果】このようにすれば、印刷禁止領域がマス
キング材料で覆われた状態で膜形成面に印刷ペーストを
塗布することから、製版に欠陥が存在し或いはその印刷
ペーストが膜形成面上で滲んだ場合にも、印刷禁止領域
内では無用の印刷ペーストが膜形成面に直接塗布される
ことはなくマスキング材料上に塗布され、除去工程にお
いて、そのマスキング材料と共に膜形成面上から除去さ
れる。そのため、印刷禁止領域に無用の印刷ペーストが
付着し、延いてはそこに固着することが抑制される。一
方、印刷禁止領域外では印刷パターン外に滲みや製版欠
陥に起因する印刷ペーストの付着が生じ得るが、ディス
プレイ基板の機能上何ら不都合は生じない。換言すれ
ば、印刷禁止領域は、無用の印刷ペーストが付着すると
ディスプレイ基板の機能が阻害される範囲に設定され
る。したがって、ディスプレイ基板を製造するに際し
て、印刷ペーストの滲みや製版の欠陥に起因して不具合
の生じることが抑制される。
According to this method, the printing paste is applied to the film forming surface in a state where the printing prohibited area is covered with the masking material, so that there is a defect in the plate making or that the printing paste is on the film forming surface. Even in the case of bleeding, unnecessary printing paste is not directly applied to the film forming surface but applied to the masking material in the print prohibited area, and is removed from the film forming surface together with the masking material in the removing step. You. For this reason, it is possible to suppress the useless printing paste from adhering to the print-inhibited area and extending therefrom. On the other hand, outside the print prohibited area, bleeding or adhesion of print paste due to plate making defects may occur outside the print pattern, but there is no inconvenience in the function of the display substrate. In other words, the print-prohibited area is set in a range in which the function of the display substrate is impaired when unnecessary print paste is attached. Therefore, when manufacturing the display substrate, the occurrence of defects due to the bleeding of the printing paste and the defects of the plate making is suppressed.

【0008】[0008]

【発明の他の態様】ここで、好適には、前記のマスキン
グ材料は、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、P
MIPK(ポリメチルイソプロペニルケトン)、ポリビ
ニルアルコール−重クロム酸アンモニウム、或いはポリ
ビニルピロリドン−ジアジドスチルベン等の感光性樹脂
である。このようにすれば、露光および現像処理により
マスキング材料で印刷禁止領域を覆うことができるた
め、マスキング・パターンを高精度で形成できる。上記
のマスキング材料はフィルム状に成形し或いは溶媒に溶
解して分散させて用いられる。後者の場合には、例え
ば、水およびアルカリ水溶液等の水性溶媒、或いは、ト
ルエン、メチルセロソルブ、ブチルセロソロブ、メチル
カルビトール等のグリコールエーテル、およびセロソル
ブアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のグリ
コールエステル等の有機溶剤が用いられる。
In another preferred embodiment, the masking material is PMMA (polymethyl methacrylate), PMA
It is a photosensitive resin such as MIPK (polymethylisopropenyl ketone), polyvinyl alcohol-ammonium dichromate, or polyvinylpyrrolidone-diazidostilbene. With this configuration, the print-inhibited area can be covered with the masking material by the exposure and development processes, so that the masking pattern can be formed with high accuracy. The above-mentioned masking material is used after being formed into a film or dissolved and dispersed in a solvent. In the latter case, for example, an aqueous solvent such as water and an alkaline aqueous solution, or an organic solvent such as a glycol ether such as toluene, methyl cellosolve, butyl cellosolob, or methyl carbitol, and a glycol ester such as cellosolve acetate or butyl carbitol acetate. Is used.

【0009】また、好適には、前記のマスキング材料
は、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、銅(C
u)、亜鉛(Zn)、クロム(Cr)、或いは銀(Ag)等の金属材料
である。このようにすれば、露光、現像、およびエッチ
ング処理によりマスキング材料で印刷禁止領域を覆うこ
とができるため、マスキング・パターンを高精度で形成
できる。
Preferably, the masking material is aluminum (Al), nickel (Ni), iron (Fe), copper (C
u), a metal material such as zinc (Zn), chromium (Cr), or silver (Ag). With this configuration, the printing prohibited area can be covered with the masking material by the exposure, development, and etching processes, so that the masking pattern can be formed with high accuracy.

【0010】また、好適には、(a-2) 前記マスキング工
程は、前記マスキング材料として有機化合物を用いるも
のであり、(c-2) 前記除去工程は、前記印刷ペーストを
加熱処理することにより厚膜を形成すると同時に前記マ
スキング材料を焼失させる加熱処理工程である。このよ
うにすれば、印刷ペーストから厚膜を生成する加熱処理
の際にマスキング材料が焼失させられることから、その
除去のために工数が増加し或いは工程が煩雑になること
がない。一方、マスキング上に付着した印刷ペースト
は、無機物或いは金属を含むことから完全に焼失するこ
とはないが、マスキング材料が焼失する過程でガス化す
ると、その蒸気によって、加熱処理におけるその蒸気の
排出経路から共に排出され、或いは、それが付着してい
た膜形成面上の印刷禁止領域から外れた位置に運ばれ
る。そのため、印刷禁止領域に付着した印刷ペーストを
除去するための処理を特に施す必要もない。なお、有機
化合物としては、前記の感光性樹脂や樹脂材料等が好適
に用いられる。
Preferably, (a-2) the masking step uses an organic compound as the masking material, and (c-2) the removing step comprises heating the print paste. This is a heat treatment step of burning off the masking material while forming a thick film. With this configuration, the masking material is burned off during the heat treatment for forming a thick film from the printing paste, so that the number of steps for removing the masking material and the process are not complicated. On the other hand, the printing paste attached on the masking is not completely burned out because it contains an inorganic substance or a metal, but when gasified in the process of burning out the masking material, the steam causes the steam to be discharged in the heat treatment. Are transported together, or are transported to a position outside the print-inhibited area on the film-forming surface to which it has adhered. Therefore, it is not necessary to particularly perform a process for removing the print paste attached to the print prohibited area. In addition, as the organic compound, the above-described photosensitive resin and resin material are suitably used.

【0011】また、好適には、上記のように前記の除去
工程が加熱処理工程である場合において、前記のマスキ
ング材料は、メチルセルロース或いはエチルセルロース
等のセルロース樹脂、またはメチルアクリレート、ブチ
ルアクリレート、アクリルニトリル等のアクリル樹脂で
ある。このようにすれば、感光性樹脂がマスキング材料
として用いられる場合よりも低い温度で、マスキング材
料を分解および焼失させ得る。
Preferably, when the removing step is a heat treatment step as described above, the masking material is a cellulose resin such as methyl cellulose or ethyl cellulose, or methyl acrylate, butyl acrylate, acrylonitrile or the like. Acrylic resin. In this way, the masking material can be decomposed and burned at a lower temperature than when the photosensitive resin is used as the masking material.

【0012】また、好適には、上記のように除去工程が
加熱処理工程である場合において、マスキング材料は、
加熱により分解される際に金属元素やその化合物等の残
留物を生じさせること無く焼失させられる有機化合物で
ある。
Preferably, when the removing step is a heat treatment step as described above, the masking material is
An organic compound that can be burned off without generating residues such as metal elements and compounds thereof when decomposed by heating.

【0013】また、好適には、上記のように除去工程が
加熱処理工程である場合において、(a-3) 前記のマスキ
ング工程は、前記印刷ペーストがディスプレイ基板の機
能上付着してはならない領域だけに前記マスキング材料
を設けるものである。このようにすれば、印刷パターン
から外れた位置ではあるが機能上何ら支障のない領域に
付着した印刷ペーストは、除去工程でマスキング材料の
蒸気で運ばれることはなく、そのままその印刷位置に固
着させられる。そのため、その支障のない領域に付着し
た印刷ペーストが加熱処理の過程で印刷禁止領域に運ば
れ得ないことから、その印刷禁止領域に印刷ペーストか
ら生成された厚膜が固着されることが一層抑制される。
Preferably, in the case where the removal step is a heat treatment step as described above, (a-3) the masking step is performed in an area where the print paste must not adhere to the function of the display substrate. Only the masking material is provided. In this way, the print paste adhering to a region that is out of the print pattern but has no functional problem is not carried by the vapor of the masking material in the removal process, and is fixed to the print position as it is. Can be For this reason, the print paste adhered to the unhindered area cannot be carried to the print prohibited area during the heat treatment, and the thick film generated from the print paste is further suppressed from sticking to the print prohibited area. Is done.

【0014】また、好適には、前記マスキング材料は、
前記膜形成面よりも前記印刷ペーストとの接触角が大き
いものである。このようにすれば、印刷ペーストとの接
触角の大きなマスキング材料上にはその印刷ペーストが
広がり難いため、その印刷ペーストの滲みやペーストだ
れ等に起因するパターン幅寸法の拡大が好適に抑制され
る。したがって、一層精細度の高い厚膜パターンを形成
できる。
Preferably, the masking material comprises:
The contact angle with the printing paste is larger than that of the film forming surface. In this case, since the print paste is difficult to spread on the masking material having a large contact angle with the print paste, the enlargement of the pattern width dimension due to the bleeding of the print paste or the dripping of the paste is appropriately suppressed. . Therefore, a thick film pattern with higher definition can be formed.

【0015】また、好適には、前記のマスキング工程
は、前記のマスキング材料を厚膜スクリーン印刷法、フ
ィルム或いはシートの貼り着け、フォトリソグラフィ
法、真空蒸着、スパッタリング、電解または無電解めっ
き、或いは電鋳等により膜形成面上に設けるものであ
る。すなわち、マスキング工程は、必要なパターン精
度、寸法、或いはマスキング材料の種類等に応じて、適
宜の方法を採ることができる。
Preferably, the masking step includes the step of applying the masking material to a thick film screen printing method, attaching a film or sheet, photolithography method, vacuum deposition, sputtering, electrolytic or electroless plating, or electroless plating. It is provided on the film forming surface by casting or the like. That is, in the masking step, an appropriate method can be adopted according to the required pattern accuracy and dimensions, the type of the masking material, and the like.

【0016】また、好適には、前記厚膜パターンが2種
類以上設けられ且つそれら2種以上の厚膜パターンをそ
れぞれ形成するための2種以上の印刷ペーストのうちの
複数のものが膜形成面上にそれぞれ付着してならない領
域を有する場合には、前記のマスキング工程および除去
工程は、それら2種以上の印刷ペーストからそれぞれ厚
膜を形成するに際してそれぞれ実施される。このように
すれば、全ての印刷ペーストが膜形成面上の付着しては
ならない領域すなわち印刷禁止領域を避けて塗布される
ことから、無用の印刷ペースト付着に起因するディスプ
レイ基板の不具合が一層抑制される。例えば、複数種類
の蛍光体層が膜形成面に塗着される蛍光体基板において
は、蛍光体の混色を防止する必要があるため、各々の蛍
光体ペーストを塗布する際に他の蛍光体ペーストが塗布
される位置にマスキングを施して無用な付着を抑制する
必要がある。また、複数種類の導体配線や電極等を積層
形成する場合においても、その各々について短絡防止の
ために必要な部分にはマスキングを施すことが好まし
い。
Preferably, two or more types of the thick film patterns are provided, and a plurality of the two or more types of printing pastes for forming the two or more types of thick film patterns are formed on the film forming surface. If there is a region on each of which is not adhered, the masking step and the removing step are respectively performed when forming a thick film from the two or more kinds of printing pastes. In this way, since all the printing paste is applied avoiding the area on the film forming surface where the printing paste should not adhere, that is, the printing prohibited area, the problem of the display substrate due to the unnecessary adhesion of the printing paste is further suppressed. Is done. For example, in the case of a phosphor substrate on which a plurality of types of phosphor layers are coated on the film forming surface, it is necessary to prevent color mixing of the phosphors. It is necessary to perform masking at the position where the is applied, thereby suppressing unnecessary adhesion. In the case where a plurality of types of conductor wirings, electrodes, and the like are formed by lamination, it is preferable that each of the portions is masked at a portion necessary for preventing short circuit.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0018】図1は、本発明の一実施例のディスプレイ
基板の製造方法がその製造過程に適用されたFED10
の構成を一部を切り欠いて示す斜視図である。図におい
て、FED10は、それぞれの略平坦な一面12,14
が向かい合うように所定間隔を隔てて互いに平行に配置
された相互に同様な寸法・形状の前面板16および背面
板18と、それらの間に配置されたスペーサ22とを備
えたものである。それら前面板16、背面板18、およ
びスペーサ22は互いに気密に封着されており、それら
によってFED10の外囲器である気密容器が構成され
ている。気密容器内は例えば 6.7×10-5(Pa)[5 ×10-7
(Torr)]程度の真空になっている。
FIG. 1 shows an FED 10 in which a method of manufacturing a display substrate according to an embodiment of the present invention is applied to the manufacturing process.
FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of FIG. In the figure, the FED 10 has substantially flat surfaces 12, 14 respectively.
A front plate 16 and a back plate 18 having the same size and shape are arranged parallel to each other at a predetermined interval so as to face each other, and a spacer 22 is arranged between them. The front plate 16, the back plate 18, and the spacer 22 are hermetically sealed with each other, and constitute an airtight container that is an envelope of the FED 10. For example, 6.7 × 10 -5 (Pa) [5 × 10 -7
(Torr)].

【0019】上記の前面板16および背面板18は、例
えばそれぞれ1 〜2(mm) 程度の均一な厚さを備えて透光
性を有する軟化点が600(℃) 程度の高歪点ガラス、例え
ば、ソーダライム・ガラス等から成るものである。ま
た、前記のスペーサ22は、例えば、前面板16および
背面板18と同様な外形寸法を有する矩形枠状或いは格
子状を成すものである。このスペーサ22は、例えば4
26合金から成る2 〜5(mm) 程度の一様な厚さの矩形枠
状或いは格子状等の素材の表面に、600(℃) 程度の軟化
点の硼珪酸ガラス等から成る図示しない絶縁ガラス層が
10(μm)程度の厚さに電着等によって設けられて構成さ
れている。このため、前面板16と背面板18との間隔
すなわち気密空間の高さ寸法は、例えば2 〜5(mm) 程度
である。
The front plate 16 and the rear plate 18 are made of a glass having a uniform thickness of, for example, about 1 to 2 (mm) and a light-transmitting softening point of about 600 (° C.). For example, it is made of soda lime glass or the like. The spacer 22 has, for example, a rectangular frame shape or a lattice shape having the same outer dimensions as the front plate 16 and the back plate 18. This spacer 22 is, for example, 4
An insulating glass (not shown) made of borosilicate glass or the like having a softening point of about 600 (° C.) is formed on the surface of a material such as a rectangular frame or a grid having a uniform thickness of about 2 to 5 (mm) made of 26 alloy. Layer
It is configured to have a thickness of about 10 (μm) by electrodeposition or the like. For this reason, the distance between the front plate 16 and the rear plate 18, that is, the height dimension of the airtight space is, for example, about 2 to 5 (mm).

【0020】また、前面板16の一面12には、例えば
ITO(酸化インジウム錫:IndiumTin Oxide)等から
成る0.1 〜0.5(mm) 程度の幅寸法のストライプ状の複数
本の透明な陽極24が、例えば0.1 〜0.5(mm) 程度の一
定の中心間隔を以て一方向に沿って並んで設けられてい
る。それら複数本の陽極24の各々の表面には、R
(赤),G(緑),B(青)の3つの発光色の何れかに
対応する蛍光体層26が、例えば、その一方向と直交す
る方向にR,G,Bの順に繰り返し並ぶように、陽極2
4と同様な幅寸法を以てストライプ状或いはマトリクス
状に設けられている。上記の陽極24は、例えばスパッ
タ等の薄膜法によって例えば1(μm)程度の厚さに形成さ
れたものであり、シート抵抗値が 10(Ω/□) 以下程度
の比較的高い導電性を備えている。また、上記の蛍光体
層26は、例えば、ZnO:Zn,ZnS:Ag+In2O3等の電子線に
よって可視光を発する材料から構成されるものであっ
て、例えば厚膜スクリーン印刷法等によって10〜 20(μ
m)程度の厚さで設けられることにより、面積抵抗率が50
0(Ω/cm2) 以下程度の導電性を付与されている。また、
これら3種の蛍光体層26には、他の蛍光体が混入する
ことに起因する混色は何ら生じていない。
A plurality of stripe-shaped transparent anodes 24 made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) and having a width of about 0.1 to 0.5 (mm) are formed on one surface 12 of the front plate 16. For example, they are arranged side by side in one direction with a constant center interval of about 0.1 to 0.5 (mm). The surface of each of the plurality of anodes 24 has R
The phosphor layers 26 corresponding to any one of the three emission colors (red), G (green), and B (blue) are repeatedly arranged in the direction orthogonal to one direction, for example, in the order of R, G, and B. And anode 2
It is provided in the form of a stripe or a matrix with the same width dimension as that of No. 4. The anode 24 is formed to a thickness of, for example, about 1 (μm) by a thin film method such as sputtering, and has a relatively high conductivity with a sheet resistance of about 10 (Ω / □) or less. ing. The phosphor layer 26 is made of a material that emits visible light by an electron beam such as ZnO: Zn, ZnS: Ag + In 2 O 3 , and is, for example, a thick film screen printing method. 10-20 (μ
m), the area resistivity is 50
Conductivity of about 0 (Ω / cm 2 ) or less is provided. Also,
In the three types of phosphor layers 26, there is no color mixing caused by mixing other phosphors.

【0021】また、前面板16の一面12のうちの蛍光
体層26が設けられていない残部には、例えば黒色顔料
を含むガラスから成るブラック・マトリクス(マスク)
28が10〜 20(μm)程度の厚さで設けられており、それ
ら蛍光体層26の表面およびブラック・マトリクス28
の表面は、一面12の全面にそれら蛍光体層26および
ブラック・マトリクス28の表面形状に倣って設けられ
た 100〜 200(nm)程度の厚さのメタル・バック30によ
って覆われている。上記のブラック・マトリクス28は
例えば厚膜スクリーン印刷法等によって設けられたもの
であり、蛍光体層26がストライプ状に設けられている
場合にはその間を通るストライプ状に、蛍光体層26が
マトリクス状に設けられている場合には格子状に形成さ
れる。また、上記のメタル・バック30は例えばアルミ
ニウム薄膜の蒸着等によって設けられたものであり、比
較的滑らかな表面を有して電子が容易に透過する程度の
厚さの薄膜に形成されている。
A black matrix (mask) made of glass containing, for example, a black pigment is provided on the remaining surface of the one surface 12 of the front plate 16 where the phosphor layer 26 is not provided.
Are provided with a thickness of about 10 to 20 (μm), and the surface of the phosphor layer 26 and the black matrix 28 are provided.
Is covered with a metal back 30 having a thickness of about 100 to 200 (nm) provided on the entire surface 12 according to the surface shapes of the phosphor layer 26 and the black matrix 28. The black matrix 28 is provided by, for example, a thick film screen printing method. When the phosphor layers 26 are provided in a stripe shape, the phosphor layers 26 are arranged in a stripe shape passing therebetween. When they are provided in a shape, they are formed in a lattice shape. Further, the metal back 30 is provided, for example, by vapor deposition of an aluminum thin film, and has a relatively smooth surface and is formed in a thin film having a thickness such that electrons can easily pass therethrough.

【0022】一方、前記の背面板18の一面14には、
互いに直交する二方向(列方向すなわちY方向および行
方向すなわちX方向)に沿ってそれぞれ伸びる複数本の
列方向(Y方向)配線32および行方向(X方向)配線
34が、層間絶縁層36を介して重ねて備えられてい
る。列方向配線32は、前面板16上の陽極24に平行
に設けられており、その中心間隔は陽極24と同様であ
る。これに対して、それらに直交する方向に沿って伸び
る行方向配線34の中心間隔は、例えば列方向配線32
のそれの3倍の0.3 〜1.5(mm) 程度になっている。ま
た、列方向配線32の幅寸法は100(μm)程度であり、厚
さ寸法は例えば 12(μm)程度である。一方、行方向配線
34の幅寸法は300(μm)程度であり、厚さ寸法は 20(μ
m)程度である。
On the other hand, on one surface 14 of the back plate 18,
A plurality of column-direction (Y-direction) wirings 32 and row-direction (X-direction) wirings 34 extending in two directions (the column direction, ie, the Y direction and the row direction, ie, the X direction) perpendicular to each other form the interlayer insulating layer 36. It is provided in layers. The column wirings 32 are provided in parallel with the anode 24 on the front plate 16, and have the same center spacing as the anode 24. On the other hand, the center spacing of the row wirings 34 extending in a direction orthogonal to them is, for example, the column wiring 32
It is about 0.3 to 1.5 (mm), three times that of The width dimension of the column direction wiring 32 is about 100 (μm), and the thickness dimension is, for example, about 12 (μm). On the other hand, the width dimension of the row wiring 34 is about 300 (μm), and the thickness dimension thereof is 20 (μm).
m).

【0023】上記の列方向配線32および行方向配線3
4は、例えば、何れも厚膜銀等の厚膜導体から成るもの
であり、背面板18の内面14に厚膜スクリーン印刷法
等を用いて形成されている。また、内面14上には、そ
の列方向配線32に沿った方向においては行方向配線3
4と同様な一定の中心間隔を以てその行方向配線34相
互間に位置するように並び、且つその行方向配線34に
沿った方向においては列方向配線32と同様な一定の中
心間隔を以てその列方向配線32相互間に位置するよう
に並ぶ複数個の矩形のY電極38が備えられる。行方向
配線34に沿った方向における背面板18の断面の要部
を拡大した図2(a) に示すように、列方向配線32は、
それら複数個のY電極38に一部が重なる位置に設けら
れており、Y電極38はその列方向配線32に電気的に
接続されている。また、複数個のY電極38の各々とそ
れが接続されたものに隣接する列方向配線32との間に
は、その列方向配線32に沿って伸び且つそれとは電気
的に絶縁させられた長手状のX電極40がそれぞれ備え
られている。本実施例においては、列方向配線32およ
び行方向配線34が第一配線および第二配線に、Y電極
38およびX電極40が第一電極および第二電極にそれ
ぞれ相当する。
The above-described column wiring 32 and row wiring 3
Numeral 4 is, for example, made of a thick-film conductor such as thick-film silver, and is formed on the inner surface 14 of the back plate 18 by using a thick-film screen printing method or the like. In addition, on the inner surface 14, in the direction along the column direction wiring 32,
4 are arranged so as to be located between the row-directional wirings 34 at a constant center interval similar to that of the column-directional wiring 32, and in a direction along the row-directional wiring 34, at a constant center interval similar to the column-directional wiring 32. A plurality of rectangular Y electrodes 38 arranged so as to be located between the wirings 32 are provided. As shown in FIG. 2A in which the main part of the cross section of the back plate 18 in the direction along the row direction wiring 34 is enlarged, the column direction wiring 32
The plurality of Y electrodes 38 are provided at positions partially overlapping with each other, and the Y electrodes 38 are electrically connected to the column wirings 32. Further, between each of the plurality of Y electrodes 38 and the column wiring 32 adjacent to the one to which the Y electrodes 38 are connected, there is a longitudinal extending along the column wiring 32 and electrically insulated therefrom. X electrodes 40 are provided. In this embodiment, the column wiring 32 and the row wiring 34 correspond to the first wiring and the second wiring, and the Y electrode 38 and the X electrode 40 correspond to the first electrode and the second electrode, respectively.

【0024】図3は、上記配線32、34および電極3
8、40等の位置関係を説明するための平面図である。
上記のY電極は、例えば列方向配線32に沿った方向に
おける長さ寸法wが数 (μm)〜数百 (μm)程度に形成さ
れたものであり、上記のX電極40は、一端部側におい
てY電極38との間隔gが例えば数百(nm)〜数百 (μm)
程度、例えば 0.5〜 20(μm)程度の小さな値になるよう
に形成されたものである。行方向配線34はX電極40
の他端部40aに重なる位置に設けられており、X電極
40はその行方向配線34に電気的に接続されている。
これら両電極38、40は、何れも厚さ寸法が数 (μm)
以下、例えば500(Å) 程度の白金を主成分とする合金か
ら成るものであり、例えば真空蒸着法やスパッタ等の薄
膜プロセスによって膜形成された後、フォトリソグラフ
ィ等を用いてパターン形成されている。
FIG. 3 shows the wirings 32 and 34 and the electrodes 3.
It is a top view for demonstrating the positional relationship of 8, 40, etc.
The above-mentioned Y electrode is formed, for example, so that the length dimension w in the direction along the column direction wiring 32 is about several (μm) to several hundred (μm). In this case, the distance g from the Y electrode 38 is, for example, several hundred (nm) to several hundred (μm).
, For example, about 0.5 to 20 (μm). The row direction wiring 34 is an X electrode 40
The X electrode 40 is electrically connected to the row-direction wiring 34.
Each of these electrodes 38 and 40 has a thickness of several (μm).
Hereafter, for example, about 500 (Å) is made of an alloy containing platinum as a main component. For example, after a film is formed by a thin film process such as a vacuum evaporation method or sputtering, a pattern is formed by using photolithography or the like. .

【0025】また、Y電極38およびX電極40間に形
成されている隙間には、平面形状が略円形を成し一部が
それらに重なる電子放出膜42が備えられている。前記
の図2(a) は、この電子放出膜42を通る断面を表して
いる。電子放出膜42は、例えば酸化パラジウムを主成
分とするものであって、例えば100(Å) 程度の厚さ寸法
を備えたものである。この電子放出膜42は、フォーミ
ングと称される通電処理が施されて局所的に破壊、変
形、若しくは変質させられることにより、Y電極38お
よびX電極40間の隙間内にナノメートル・オーダの亀
裂44を有している。したがって、Y電極38とX電極
40とは、電子放出膜42が両者に重なるように設けら
れているが、その電子放出膜42が電気的には極めて高
抵抗であるため、実質的に接続されてはいない。なお、
亀裂44は、図1においては左端に位置する一つについ
て例示した。
In the gap formed between the Y electrode 38 and the X electrode 40, there is provided an electron emission film 42 having a substantially circular planar shape and partially overlapping the two. FIG. 2A shows a cross section passing through the electron emission film 42. The electron emission film 42 is mainly composed of, for example, palladium oxide and has a thickness of, for example, about 100 (Å). The electron emission film 42 is subjected to an energization process called forming, and is locally broken, deformed, or altered, so that a crack on the order of nanometers is formed in a gap between the Y electrode 38 and the X electrode 40. 44. Therefore, although the Y-electrode 38 and the X-electrode 40 are provided so that the electron-emitting film 42 overlaps both of them, the electron-emitting film 42 has an extremely high electrical resistance and is substantially connected. Not. In addition,
The crack 44 is illustrated for one located at the left end in FIG.

【0026】また、列方向配線32および行方向配線3
4の間に設けられた前記の層間絶縁層36は、その行方
向配線34に沿って伸びる長手状を成すが、その長手方
向の一辺(行方向配線34とX電極40とが重なってい
る側の一辺)が凸部36aを一定の間隔で断続的に備え
た波状に形成されていることから、その幅寸法は一様で
はない。凸部36aは、複数本の列方向配線32と行方
向配線34との重なり部分46毎に設けられており、そ
こでは絶縁層36がその上側に位置する行方向配線34
の幅方向においてその両側にはみ出している。このた
め、層間絶縁層36は、重なり部分46においては行方
向配線34よりも幅広に形成されていることから、列方
向配線32を覆ってそれらを電気的に絶縁する。絶縁層
36は、列方向配線32および行方向配線34を確実に
絶縁しており、それらが電気的に短絡した部分(短絡欠
陥)は存在しない。
The column wiring 32 and the row wiring 3
4, the interlayer insulating layer 36 has a longitudinal shape extending along the row direction wiring 34, but has one side in the longitudinal direction (the side where the row direction wiring 34 and the X electrode 40 overlap). ) Are formed in a wavy shape with the protrusions 36a intermittently provided at regular intervals, and thus the width is not uniform. The convex portion 36a is provided for each overlapping portion 46 of the plurality of column wirings 32 and the row wirings 34, where the insulating layer 36 is located above the row wirings 34.
Protrudes on both sides in the width direction. For this reason, since the interlayer insulating layer 36 is formed wider than the row direction wiring 34 in the overlapping portion 46, the interlayer insulating layer 36 covers the column direction wiring 32 and electrically insulates them. The insulating layer 36 reliably insulates the column wiring 32 and the row wiring 34, and there is no portion where these are electrically short-circuited (short-circuit defect).

【0027】一方、行方向配線34毎の凸部36a相互
間の凹部36bが備えられる部分では、X電極40と重
なっている行方向配線34の一辺側で、絶縁層36がそ
の行方向配線34よりもその幅方向において引っ込んで
いる。そのため、図3に示されるように、行方向配線3
4とX電極40との重なり部分48には、それらの間に
絶縁層36が存在しない部分があることから、前述した
ようにそれら行方向配線34およびX電極40はそこで
電気的に接続される。層間絶縁層36は、このように複
数本の列方向配線32および複数個のX電極40に部分
的に重なるように設けられた行方向配線34を、その列
方向配線32とは絶縁させ且つそのX電極40とは接続
させるために設けられている。図2(b) は、行方向配線
34に沿った方向における上記重なり部分48を通る背
面板18の断面を表したものであり、図に示されるよう
に、絶縁層36で覆われた列方向電極32は行方向配線
34に接触していないが、絶縁層36で覆われていない
X電極40は行方向配線34に接触する。
On the other hand, in the portion where the concave portion 36b is provided between the convex portions 36a for each row direction wiring 34, on one side of the row direction wiring 34 overlapping with the X electrode 40, the insulating layer 36 is formed. Than in the width direction. Therefore, as shown in FIG.
Since there is a portion where the insulating layer 36 does not exist between the overlap portion 48 of the X electrode 4 and the X electrode 40, the row wiring 34 and the X electrode 40 are electrically connected there as described above. . The interlayer insulating layer 36 insulates the row wiring 34 provided so as to partially overlap the plurality of column wirings 32 and the plurality of X electrodes 40 from the column wiring 32, and It is provided for connection with the X electrode 40. FIG. 2B shows a cross section of the back plate 18 passing through the overlapping portion 48 in a direction along the row direction wiring 34, and as shown in FIG. The electrode 32 is not in contact with the row wiring 34, but the X electrode 40 not covered with the insulating layer 36 is in contact with the row wiring 34.

【0028】以上のように構成されるFED10を駆動
するに際しては、メタル・バック30に例えば5(kV) 程
度の一定の加速電圧を定常的に印加した状態で、例え
ば、複数本の行方向配線34に順次負電圧(走査電圧)
を印加して走査すると共に、複数本の列方向配線32の
うちの所望のものにその走査に同期して正電圧(信号電
圧)を印加すると、列方向配線32および行方向配線3
4を介してそれぞれ電圧を印加されたY電極38および
X電極40間の大きな電圧勾配に基づいて生じる電界放
出(Field Emission)によって、それらの間に設けられ
た電子放出膜42から電子が放出される。この電子は、
前面板16上に設けられた陽極24に所定の正電圧(加
速電圧)が印加されることにより、その陽極24に向か
って飛ぶ。これにより、その陽極24上に設けられてい
る前記蛍光体層26に電子が衝突させられ、蛍光体層2
6が発光させられる。この発光を前面板16を通して観
察したところ、蛍光体層26の混色や、電極38、40
間の短絡等に起因する発光不良等は何ら認められなかっ
た。なお、本実施例においては、列方向配線32および
行方向配線34の交点毎に表示の1ドットが形成され、
3ドットに対応する行方向に並ぶ3色の蛍光体層26毎
に1画素が構成される。
When driving the FED 10 configured as described above, a constant acceleration voltage of, for example, about 5 (kV) is constantly applied to the metal back 30 and, for example, a plurality of row-direction wiring Negative voltage (scanning voltage) sequentially at 34
When a positive voltage (signal voltage) is applied to a desired one of the plurality of column wirings 32 in synchronization with the scanning, the column wiring 32 and the row wiring 3
Electrons are emitted from the electron emission film 42 provided between the Y electrode 38 and the X electrode 40 to which a voltage is applied via the electron emission film 42 provided between the Y electrode 38 and the X electrode 40 due to a large voltage gradient. You. This electron is
When a predetermined positive voltage (acceleration voltage) is applied to the anode 24 provided on the front plate 16, it flies toward the anode 24. As a result, electrons collide with the phosphor layer 26 provided on the anode 24, and the phosphor layer 2
6 is caused to emit light. When this light emission was observed through the front plate 16, the color mixture of the phosphor layer 26 and the electrodes 38 and 40 were observed.
No light emission failure or the like caused by a short circuit or the like was observed. In this embodiment, one dot for display is formed at each intersection of the column wiring 32 and the row wiring 34.
One pixel is formed for each phosphor layer 26 of three colors arranged in the row direction corresponding to three dots.

【0029】なお、蛍光体層26はメタル・バック30
で覆われているが、そのメタル・バック30は極めて薄
いため、電子はそのメタル・バック30を透過して蛍光
体層26に入射して蛍光体に衝突する。一方、蛍光体層
26で発生した光は、前面板16側だけでなく背面板1
8側にも向かうが、その背面板18側に向かう光はアル
ミニウム薄膜30で前面板16側に反射される。したが
って、発生した光の殆どが前面板16を透過して射出さ
れることとなるため、実質的な発光効率が高められる。
すなわち、FED10は、前面板16側から蛍光体層2
6を透過した光を観察する所謂透過型の表示装置に構成
されている。なお、FED10には、気密容器内から排
気するための排気穴等が備えられているが、図において
は省略した。
The phosphor layer 26 is formed of a metal back 30.
Since the metal back 30 is extremely thin, electrons pass through the metal back 30 and enter the phosphor layer 26 to collide with the phosphor. On the other hand, the light generated in the phosphor layer 26 is reflected not only on the front plate 16 side but also on the rear plate 1.
The light traveling toward the rear plate 18 is also reflected toward the front plate 16 by the aluminum thin film 30. Therefore, most of the generated light passes through the front plate 16 and is emitted, thereby substantially improving the luminous efficiency.
That is, the FED 10 is arranged such that the phosphor layer 2
It is configured as a so-called transmission type display device for observing the light transmitted through 6. The FED 10 is provided with an exhaust hole or the like for exhausting air from the airtight container, but is omitted in the drawing.

【0030】上記のFED10は、例えば前面板16お
よび背面板18にそれぞれ必要な膜形成を施した後、一
面12、14が向かい合う向きでスペーサ22を介して
鉛ガラス等のシール・ガラスで封着し、真空管に構成す
ることで製造される。その製造工程のうち、背面板18
上に積層形成される列方向配線32および行方向配線3
4すなわち積層配線の形成工程は、例えば図4に示され
る工程図に従って実施される。以下、図4、図5、およ
び工程の各段階における背面板内面14の膜形成状態を
表した図6(a) 〜(f) を参照して背面板18の製造方法
の要部を説明する。
The above-mentioned FED 10 is formed, for example, on a front plate 16 and a rear plate 18 with necessary films, and then sealed with a sealing glass such as lead glass via a spacer 22 with the surfaces 12 and 14 facing each other. It is manufactured by constituting a vacuum tube. In the manufacturing process, the back plate 18
Column direction wiring 32 and row direction wiring 3 which are formed on
4, that is, the step of forming the laminated wiring is performed according to, for example, a process chart shown in FIG. The main part of the method for manufacturing the back plate 18 will be described below with reference to FIGS. 4 and 5 and FIGS. 6A to 6F showing the state of film formation on the back plate inner surface 14 at each stage of the process. .

【0031】図4において、先ず、電極形成工程SA1
においては、背面板18の内面14上に薄膜形成技術を
用いて前記のY電極38およびX電極40を形成する。
すなわち、例えば、真空チャンバ内において、白金を主
成分とする合金をスパッタリング等によって内面14上
に500(Å) 程度の厚さで成膜し、チャンバから取り出し
てスピン・コーティング法等を用いて内面14の全面に
感光性樹脂を塗布する。この背面板18を例えば 60
(℃) 程度の温度で乾燥すると共に、 90(℃) 程度の温
度でプリベークを行った後、感光性樹脂を電極38、4
0のパターンに対応するネガ・パターンで露光、現像
し、再度 60(℃) 程度の温度で乾燥した後、真空チャン
バ内でイオン・ミリング等で不要部の酸化チタンを除去
し、チャンバから取り出した基板を現像液(剥離液)で
処理して感光性樹脂を取り除く。これにより、前記の図
1乃至3に示されるY電極38およびX電極40が内面
14上に設けられる。
In FIG. 4, first, an electrode forming step SA1
In the above, the Y electrode 38 and the X electrode 40 are formed on the inner surface 14 of the back plate 18 by using a thin film forming technique.
That is, for example, in a vacuum chamber, an alloy mainly composed of platinum is formed on the inner surface 14 by sputtering or the like to a thickness of about 500 (等), taken out of the chamber, and spin-coated by the spin coating method or the like. 14 is coated with a photosensitive resin. This back plate 18 is
(° C.) and pre-baking at a temperature of about 90 (° C.).
After exposing and developing with a negative pattern corresponding to pattern No. 0, and drying again at a temperature of about 60 (° C.), unnecessary portions of titanium oxide were removed by ion milling or the like in a vacuum chamber and removed from the chamber. The substrate is treated with a developing solution (stripping solution) to remove the photosensitive resin. Thus, the Y electrode 38 and the X electrode 40 shown in FIGS. 1 to 3 are provided on the inner surface 14.

【0032】次いで、列方向配線形成工程SA2におい
ては、例えば厚膜スクリーン印刷法等を利用して厚膜銀
から成る列方向配線32を、一部がY電極38に重なる
ように形成する。この工程は例えば図5に示される各工
程に従って実施される。図5において、マスキング工程
SB1では、上記厚膜銀が付着してはならない部分すな
わち印刷禁止領域50にマスキング52を施す。図6
(a) は、この段階を示している。なお、図6の各図(a)
〜(f) においては、電極38、40を一対だけ、すなわ
ち列方向配線32と行方向配線34の一交点だけを示し
た。ここで、厚膜銀が付着してはならない部分とは、電
子放出部すなわち前記の電子放出膜42が設けられるこ
ととなる電極38、40間の隙間の近傍である。マスキ
ング52は、その隙間を略覆い且つ列方向配線32との
重なり部分においてY電極38が露出させられるよう
に、その列方向配線32の長手方向と略直交する方向に
おいて断続する帯状に設けられる。すなわち、マスキン
グ52は、厚膜銀の付着を避けるべき位置だけに設けら
れている。また、上記のマスキング52は、例えば、粘
度測定法から得られた重合度100 程度のエチルセルロー
ス樹脂をターピネオールに溶解し混練したものであり、
例えば厚膜スクリーン印刷を利用して塗布した後、120
(℃) 程度の温度で乾燥することにより、例えば5(μm)
程度の厚さに設けられている。
Next, in a column direction wiring forming step SA2, the column direction wiring 32 made of thick silver is formed so as to partially overlap the Y electrode 38 by using, for example, a thick film screen printing method. This step is performed, for example, according to each step shown in FIG. In FIG. 5, in a masking step SB <b> 1, a masking 52 is applied to a portion where the thick-film silver should not adhere, that is, a print-inhibited region 50. FIG.
(a) illustrates this stage. Each figure (a) in FIG.
In (f), only one pair of the electrodes 38 and 40, that is, only the intersection of the column wiring 32 and the row wiring 34 is shown. Here, the portion where thick film silver must not adhere is the vicinity of the gap between the electrodes 38 and 40 where the electron emitting portion, that is, the above-mentioned electron emitting film 42 is provided. The masking 52 is provided in a band shape intermittent in a direction substantially orthogonal to the longitudinal direction of the column-directional wiring 32 such that the mask 52 substantially covers the gap and exposes the Y electrode 38 at a portion overlapping the column-directional wiring 32. That is, the masking 52 is provided only at a position where the attachment of the thick film silver should be avoided. The masking 52 is obtained, for example, by dissolving and kneading an ethyl cellulose resin having a degree of polymerization of about 100 obtained by a viscosity measurement method in terpineol.
For example, after applying using thick film screen printing, 120
(℃) by drying at a temperature of about 5 (μm)
It is provided with a thickness of about.

【0033】次いで、印刷工程SB2では、予め定めら
れたパターン、本実施例ではストライプ・パターンで例
えば 15(μm)程度の厚さに厚膜銀ペーストを塗布する。
この厚膜銀ペーストは、例えば、銀粉末およびガラス粉
末を樹脂成分と共に溶剤に分散させたものである。ペー
スト組成は、例えば、重量百分率で銀 75(%)、ガラス8
(%) 、樹脂 3(%) 、および溶剤 14(%)程度とした。銀粉
末は、例えば平均粒径0.2(μm)程度でフレーク状を成す
ものであり、ガラス粉末は、例えば平均粒径が0.3(μm)
程度で軟化点450(℃) 程度のSi-B-Pb 系非晶質ガラスで
ある。また、樹脂成分は、例えば粘度測定法から得られ
た重合度が10および100 程度の二種類のエチルセルロー
スを混合したものであり、溶剤は例えばブチルカルビト
ールアセテート(BCA) である。このように構成される厚
膜銀ペーストは、マスキング52に対する接触角が背面
板18の一面14に対するそれよりも大きいことから、
厚膜銀ペーストはそのマスキング52上では殆ど広がら
ない。本実施例においては、上記の厚膜銀ペーストが印
刷ペーストに相当する。
Next, in a printing step SB2, a thick film silver paste is applied in a predetermined pattern, in this embodiment, a stripe pattern to a thickness of, for example, about 15 (μm).
This thick-film silver paste is, for example, a silver powder and a glass powder dispersed in a solvent together with a resin component. The paste composition is, for example, silver 75 (%) in weight percentage, glass 8
(%), About 3% resin, and about 14% solvent. The silver powder is, for example, a flake having an average particle size of about 0.2 (μm), and the glass powder has, for example, an average particle diameter of 0.3 (μm).
It is a Si-B-Pb-based amorphous glass with a softening point of about 450 (° C). The resin component is, for example, a mixture of two types of ethyl cellulose having a degree of polymerization of about 10 and 100 obtained by a viscosity measurement method, and the solvent is, for example, butyl carbitol acetate (BCA). The thick film silver paste thus configured has a larger contact angle with respect to the masking 52 than that with respect to the one surface 14 of the back plate 18,
The thick film silver paste hardly spreads on the masking 52. In this embodiment, the thick silver paste described above corresponds to a printing paste.

【0034】続く乾燥工程SB3では、背面板18を乾
燥機内に入れて120(℃) 程度の温度で乾燥してペースト
中の溶剤成分を除去してペーストを硬化させる。そし
て、焼成工程SB4において、焼成炉で例えば大気雰囲
気下500(℃) 程度の温度で 10(分間) 程度保持して加熱
処理を施す。これにより、溶剤が除去された乾燥膜中の
樹脂等の有機成分が焼失させられると共に、銀粉末やガ
ラス成分が熔融され且つ加熱処理の冷却過程で硬化させ
られて、例えば 12(μm)程度の厚さの厚膜銀から成る前
記列方向配線32が生成される。また、この厚膜銀の生
成と同時に、有機成分から成るマスキング52も同時に
焼失させられる。図6(b) はこの段階を示している。な
お、これらマスキング乃至加熱処理は、必要な列方向配
線32の厚みに応じて例えば2回繰り返される。
In the subsequent drying step SB3, the back plate 18 is placed in a drier and dried at a temperature of about 120 (° C.) to remove the solvent component in the paste and harden the paste. Then, in the firing step SB4, a heat treatment is performed in a firing furnace, for example, in an air atmosphere at a temperature of about 500 (° C.) for about 10 (minutes). Thereby, the organic components such as the resin in the dried film from which the solvent has been removed are burned off, and the silver powder and the glass component are melted and hardened in the cooling process of the heat treatment, for example, about 12 (μm). The column direction wiring 32 made of thick silver having a thickness is generated. At the same time as the formation of this thick film silver, the masking 52 made of an organic component is also burned off. FIG. 6 (b) illustrates this stage. Note that these masking or heating processes are repeated twice, for example, according to the required thickness of the column-directional wiring 32.

【0035】このように列方向配線32を形成する過程
において、上記の図6(b) に示されるように、一面14
上における厚膜銀ペーストのだれや滲み等に起因して、
スクリーン製版の印刷パターンからはみ出したはみ出し
部54が列方向配線32の一部に形成されている。しか
しながら、このはみ出し部54は、後述する図6(c)以
下に示されるように層間絶縁層36によって覆われる部
分であって他の電極や配線等と何ら接触していないた
め、FED10の機能に不都合が生じることはない。
In the process of forming the column wirings 32 as described above, as shown in FIG.
Due to dripping or bleeding of the thick silver paste on the top,
The protruding portion 54 protruding from the screen plate printing pattern is formed in a part of the column direction wiring 32. However, since the protruding portion 54 is a portion covered by the interlayer insulating layer 36 and not in contact with other electrodes or wirings as shown in FIG. There is no inconvenience.

【0036】また、その図6(b) には、加熱処理前まで
は存在するマスキング52を一点鎖線で示した。図に示
されるように、マスキング52が設けられている位置に
おいては、列方向配線32にはみ出し部54が形成され
ていない。前述したように、厚膜銀ペーストがマスキン
グ52に対する接触角の大きいことに起因してその上で
広がらないからである。一方、列方向配線32から外れ
た位置、すなわち印刷パターンから外れた位置におい
て、マスキング52上に無用の厚膜銀ペーストの付着す
なわち不用パターン56が生じている。この不用パター
ン56は、例えばスクリーン製版に欠陥の存在する場合
等に形成されるものであって、電極38、40を短絡さ
せるような位置、すなわちそれらのギャップ上にある
が、この不用パターン56も加熱処理の過程で印刷禁止
領域50上から取り除かれる。すなわち、マスキング5
2が焼失させられる際にはそれを構成する有機成分がガ
ス化するため、発生した蒸気によって不用パターン56
の厚膜銀ペーストが印刷禁止領域50外に運ばれて除去
される。したがって、上記の短絡させるような位置に塗
布されていても、FED10の機能を害することはな
い。本実施例においては、焼成工程SB4が除去工程に
対応する。
In FIG. 6B, the masking 52 existing before the heat treatment is indicated by a dashed line. As shown in the figure, at the position where the masking 52 is provided, the protruding portion 54 is not formed in the column wiring 32. This is because, as described above, the thick silver paste does not spread thereon due to the large contact angle with the masking 52. On the other hand, at a position deviating from the column direction wiring 32, that is, at a position deviating from the print pattern, an unnecessary thick film silver paste adheres on the masking 52, that is, an unnecessary pattern 56 is generated. This unnecessary pattern 56 is formed, for example, when there is a defect in screen plate making, and is located at a position where the electrodes 38 and 40 are short-circuited, that is, on the gap therebetween. It is removed from the print-inhibited area 50 during the heating process. That is, masking 5
2 is burned out, the organic components constituting it are gasified, and the generated steam causes the unnecessary pattern 56 to disappear.
Is carried out of the print-inhibited area 50 and is removed. Therefore, the function of the FED 10 is not impaired even if it is applied to the position where the above-mentioned short-circuit occurs. In this embodiment, the firing step SB4 corresponds to the removing step.

【0037】図4に戻って、層間絶縁層形成工程SA3
においては、列方向配線32の場合と同様に厚膜スクリ
ーン印刷法を利用して、列方向配線32に垂直な方向に
沿って伸びるストライプ・パターンで、その列方向配線
32上の厚さ寸法が 28(μm)程度の層間絶縁層36を形
成する。この工程において、厚膜スクリーン印刷に用い
るペーストは、ガラス粉末を樹脂成分と共に溶剤に分散
した厚膜絶縁ペーストであり、印刷乃至焼成処理は、必
要な厚みに応じて例えば5回程度繰り返される。図6
(c) は、この段階を示している。
Returning to FIG. 4, an interlayer insulating layer forming step SA3
In the above, a stripe pattern extending in a direction perpendicular to the column direction wiring 32 using a thick film screen printing method as in the case of the column direction wiring 32, and the thickness dimension on the column direction wiring 32 is An interlayer insulating layer 36 of about 28 (μm) is formed. In this step, the paste used for thick film screen printing is a thick film insulating paste in which glass powder is dispersed in a solvent together with a resin component, and the printing or baking treatment is repeated, for example, about five times depending on the required thickness. FIG.
(c) illustrates this stage.

【0038】続く行方向配線形成工程SA4において
は、列方向配線32および層間絶縁層36の場合と同様
に厚膜スクリーン印刷法を利用して、上記のストライプ
状の層間絶縁層36上に、それに沿って伸びるストライ
プ・パターンで膜厚が例えば 20(μm)程度の前記の行方
向配線34を形成する。この工程において用いられるペ
ーストは、列方向配線32の場合と同じものであり、印
刷乃至焼成処理の繰り返し回数もそれと同様である。図
6(d) は、この段階を示している。図においては特に示
していないが、必要であれば、列方向配線32の形成時
と同様にマスキング52を施した上で厚膜銀ペーストを
塗布することができる。なお、図6(d) においては、前
記の図3等とは異なり、行方向配線34が層間絶縁層3
6よりも細幅に形成されることによって列方向配線32
と絶縁させられている場合を示した。
In the subsequent row-direction wiring forming step SA4, the thick film screen printing method is used to form a film on the above-mentioned stripe-shaped interlayer insulation layer 36, similarly to the case of the column-direction wiring 32 and the interlayer insulation layer 36. The above-mentioned row-direction wirings 34 having a film thickness of, for example, about 20 (μm) are formed in a stripe pattern extending along the line. The paste used in this step is the same as that in the case of the column direction wiring 32, and the number of repetitions of the printing or baking process is the same. FIG. 6D shows this stage. Although not particularly shown in the drawing, if necessary, a thick film silver paste can be applied after masking 52 as in the formation of the column-directional wiring 32. In FIG. 6D, unlike the above-described FIG.
6, the column-directional wiring 32
The case where it is made to be insulated is shown.

【0039】また、電子放出膜形成工程SA5において
は、Y電極38およびX電極40間に、それらに跨がる
ように電子放出膜42を形成する。この電子放出膜42
は、例えば、有機パラジウム・ペーストをインク・ジェ
ット印刷等によって塗布し、例えば 70(℃) 程度の温度
で乾燥した後、400(℃) 程度の温度で大気雰囲気下にお
いて加熱処理を施すことにより、有機パラジウムを分解
および酸化して100(Å) 程度の厚さの酸化パラジウムを
生成したものである。図6(e) は、この段階を示してい
る。上記の有機パラジウム・ペーストは、パラジウムの
金属有機化合物を溶媒に分散させたものであるが、これ
に代えてパラジウムの超微粒子を溶媒に分散させたペー
ストを用いてもよい。
In the electron emission film forming step SA5, an electron emission film 42 is formed between the Y electrode 38 and the X electrode 40 so as to straddle them. This electron emission film 42
For example, by applying an organic palladium paste by ink jet printing or the like, drying it at a temperature of about 70 (° C.), for example, and then performing a heat treatment at a temperature of about 400 (° C.) in an air atmosphere, Organic palladium is decomposed and oxidized to produce palladium oxide with a thickness of about 100 (Å). FIG. 6 (e) illustrates this stage. The above-mentioned organic palladium paste is obtained by dispersing a metal organic compound of palladium in a solvent. Alternatively, a paste in which ultrafine particles of palladium are dispersed in a solvent may be used.

【0040】そして、フォーミング工程SA6におい
て、複数本の列方向配線32および行方向配線34間に
順次パルス電圧を印加して電子放出膜42に通電するこ
とにより、その電子放出膜42の組織を部分的に破壊或
いは改質して前記の亀裂44を生成する。フォーミング
処理は、例えば昇圧 10(秒) 、降圧 10(秒) 、最高電圧
5(V)程度の三角波を10回程度印加することで行った。こ
れにより、電子放出膜42に電子放出機能が与えられ
る。
Then, in the forming step SA6, a pulse voltage is sequentially applied between the plurality of column direction wirings 32 and the row direction wirings 34 to energize the electron emission film 42, thereby partially changing the structure of the electron emission film 42. The crack 44 is generated by breaking or reforming. The forming process includes, for example, step-up 10 (seconds), step-down 10 (seconds),
This was performed by applying a triangular wave of about 5 (V) about 10 times. As a result, the electron emission film 42 has an electron emission function.

【0041】要するに、本実施例においては、印刷禁止
領域50がマスキング52で覆われた状態で膜形成面1
4に厚膜銀ペーストを塗布することから、列方向配線3
2を形成するための製版に欠陥が存在し或いはその厚膜
銀ペーストが膜形成面14上で滲んだ場合等にも、印刷
禁止領域50内では無用の厚膜銀ペースト(不用パター
ン56)が膜形成面14に直接塗布されることはなくマ
スキング52上に塗布され、焼成工程SB4において、
そのマスキング52と共に膜形成面14上から除去され
る。そのため、印刷禁止領域50に不用パターン56の
厚膜銀が付着し、延いてはそこに固着することが抑制さ
れる。一方、印刷禁止領域50外では印刷パターン外に
滲み等に起因するはみ出し部54が生じても、背面板1
8の機能上何ら不都合は生じない。したがって、背面板
18を製造するに際して、印刷ペーストの滲みや製版の
欠陥に起因して不具合の生じることが抑制される。
In short, in this embodiment, in the state where the print-inhibited area 50 is covered with the masking 52, the film-forming surface 1
4 is coated with a thick-film silver paste.
In the case where there is a defect in the plate making for forming the layer 2 or the thick film silver paste bleeds on the film forming surface 14, the useless thick film silver paste (the unnecessary pattern 56) is used in the print prohibited area 50. Instead of being directly applied to the film forming surface 14, it is applied on the masking 52, and in the firing step SB 4,
It is removed from the film forming surface 14 together with the masking 52. Therefore, the thick film silver of the unnecessary pattern 56 is suppressed from adhering to the print prohibition area 50 and extending therefrom. On the other hand, even if the protruding portion 54 due to bleeding or the like occurs outside the print pattern outside the print prohibited area 50, the back plate 1
8 does not cause any inconvenience. Therefore, when manufacturing the back plate 18, the occurrence of defects due to the bleeding of the printing paste and the defects of the plate making is suppressed.

【0042】また、本実施例においては、マスキング5
2が、エチルセルロース樹脂をターピネオールに溶解・
混練したマスキング材料から形成されているため、加熱
処理によりマスキング52を焼失させた後に分解残滓の
残ることがない。
In this embodiment, the masking 5
2 dissolves ethyl cellulose resin in terpineol
Since the masking material is formed from the kneaded masking material, no decomposition residue remains after the masking 52 is burned off by the heat treatment.

【0043】また、好適には、本実施例においては、マ
スキング材料として有機化合物が用いられると共に、厚
膜銀ペーストを加熱処理することにより列方向配線32
を形成する過程で同時にマスキング52が焼失させられ
ているため、その除去のために工数が増加し或いは工程
が煩雑になることがない。特に、マスキング材料中にマ
スキング52の焼失後に残留するような金属或いは無機
化合物等が含まれていないため、その残留物が問題にな
ることもない。
Preferably, in this embodiment, an organic compound is used as a masking material, and the columnar wiring 32 is formed by heat-treating a thick film silver paste.
Since the masking 52 is burned off at the same time in the process of forming the mask, the number of steps for removing the masking 52 does not increase or the process does not become complicated. In particular, since the masking material does not contain metals or inorganic compounds that remain after the masking 52 is burned off, the residues do not pose a problem.

【0044】また、本実施例においては、列方向配線3
2を構成する厚膜銀がFED10の機能上付着してはな
らない領域50だけにマスキング52が設けられている
ため、印刷パターンから外れた位置ではあるが機能上何
ら支障のない領域、例えば、はみ出し部54が生じてい
る部分に付着した厚膜銀ペーストは、焼成工程SB4で
マスキング52の焼失過程で発生する蒸気で運ばれるこ
とはなく、そのままその印刷位置に固着させられる。そ
のため、その支障のない領域に付着した厚膜銀ペースト
が焼成処理の際に印刷禁止領域50に運ばれ得ないこと
から、その印刷禁止領域50に厚膜銀が固着することが
一層抑制される。
In this embodiment, the column-directional wiring 3
Since the masking 52 is provided only in the region 50 where the thick film silver constituting the FED 10 must not adhere to the function of the FED 10, a region outside of the printing pattern but having no functional problem, for example, a protrusion. The thick film silver paste adhered to the portion where the portion 54 is formed is not carried by the steam generated in the burning process of the masking 52 in the baking step SB4, and is fixed to the printing position as it is. For this reason, the thick-film silver paste adhered to the unhindered area cannot be carried to the print-inhibited area 50 during the baking process, so that the thick-film silver is further prevented from sticking to the print-inhibited area 50. .

【0045】また、本実施例においては、マスキング5
2は厚膜銀ペーストとの接触角が大きいことから、その
マスキング52上にはその厚膜銀ペーストが広がり難い
ため、その滲みやペーストだれ等に起因するパターン幅
寸法の拡大が抑制される。したがって、一層精細度の高
い厚膜パターンを形成できる。
In this embodiment, the masking 5
No. 2 has a large contact angle with the thick film silver paste, so that the thick film silver paste is difficult to spread on the masking 52, so that an increase in the pattern width dimension caused by bleeding, paste dripping and the like is suppressed. Therefore, a thick film pattern with higher definition can be formed.

【0046】次に、本発明の他の実施例を説明する。な
お、以下の実施例において、前述の実施例と共通する部
分は同一の符号を付して説明を省略する。
Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, portions common to the above-described embodiments will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0047】図7は、本発明が蛍光体層26を備えた前
面板16に適用された場合の製造工程の要部を説明する
工程図である。以下、工程の要部段階を示す図8(a) 〜
(d)を参照して蛍光体層26の形成方法を説明する。先
ず、陽極形成工程SC1においては、例えば蒸着やスパ
ッタリング等の薄膜形成技術を用いて前面板内面12に
ITO膜を形成し、必要に応じてパターニングすること
により前記の陽極24を形成する。次いで、ブラック・
マスク形成工程SC2において、黒色絶縁ペーストを厚
膜スクリーン印刷法等を用いて一面12の略全面に塗布
し、所定のパターンで露光および現像した後、例えば45
0(℃) 程度の焼成温度で加熱処理を施すことにより、複
数本のストライプ状の開口部58を備えたブラック・マ
スク60を形成する。図8(a) は、この段階を示してい
る。但し、図においては陽極24を省略している。上記
の黒色絶縁ペーストは、例えば、黒色顔料およびガラス
・パウダを感光性樹脂に分散させたものである。黒色顔
料としては例えばカーボン・パウダが、感光性樹脂とし
ては、例えばポリビニルアルコール−重クロム酸アンモ
ニウムを主成分とするもの等が好適に用いられる。
FIG. 7 is a process diagram for explaining a main part of a manufacturing process when the present invention is applied to the front plate 16 having the phosphor layer 26. Hereinafter, FIG. 8A to FIG.
A method for forming the phosphor layer 26 will be described with reference to FIG. First, in the anode forming step SC1, an ITO film is formed on the inner surface 12 of the front plate using a thin film forming technique such as vapor deposition or sputtering, and is patterned as necessary to form the anode 24 described above. Next, Black
In the mask forming step SC2, a black insulating paste is applied to substantially the entire surface 12 by using a thick film screen printing method or the like, and is exposed and developed in a predetermined pattern.
By performing a heat treatment at a firing temperature of about 0 (° C.), a black mask 60 having a plurality of stripe-shaped openings 58 is formed. FIG. 8A shows this stage. However, the anode 24 is omitted in the figure. The above-mentioned black insulating paste is obtained by dispersing a black pigment and glass powder in a photosensitive resin, for example. As the black pigment, for example, carbon powder is preferably used, and as the photosensitive resin, for example, one containing polyvinyl alcohol-ammonium dichromate as a main component is preferably used.

【0048】続く蛍光体層形成工程SC3においては、
赤色(R)、青色(B)、および緑色(G)の蛍光体
を、順次に上記の開口部58内に塗布して蛍光体層26
を形成する。蛍光体としては、例えば、赤色発光のY2O2
S:Eu、青色発光のZnS:Ag、緑色発光のZnS:Cu,Al 等が用
いられる。また、蛍光体層26は、これらの蛍光体粉末
を含むペーストを用いて、例えば各色毎に前記の図5に
示される工程に従って形成した。すなわち、赤色発光の
蛍光体層26(R)を形成するに際しては、先ず、マス
キング工程SB1において, 青色発光の蛍光体層26
(B)および緑色発光の蛍光体層26(G)を形成すべ
き位置にマスキング62を設け、ブラック・マスク60
の開口部58を覆う。図8(b) は、この段階を示してい
る。図において左端および左から3番目の開口部58が
赤色蛍光体層26(R)を形成する位置であり、他の開
口部58はマスキング62で覆われている。なお、本実
施例においては、マスキング材料としてポリビニルアル
コール−重クロム酸アンモニウム等の感光性樹脂溶液を
用い、スピン・コーティング等によってこの溶液を基板
全面に塗布して露光および現像することによりマスキン
グ62を形成した。
In the subsequent phosphor layer forming step SC3,
The red (R), blue (B), and green (G) phosphors are sequentially applied to the inside of the above-described opening 58 to form the phosphor layer 26.
To form As the phosphor, for example, red light-emitting Y 2 O 2
S: Eu, blue light-emitting ZnS: Ag, green light-emitting ZnS: Cu, Al and the like are used. The phosphor layer 26 was formed using pastes containing these phosphor powders, for example, for each color according to the process shown in FIG. That is, when forming the phosphor layer 26 (R) for emitting red light, first, in the masking step SB1, the phosphor layer 26 for emitting blue light is used.
A masking 62 is provided at a position where the phosphor layer 26 (G) for emitting the green light is to be formed, and a black mask 60 is provided.
Cover 58. FIG. 8B shows this stage. In the figure, the left end and the third opening 58 from the left are positions where the red phosphor layer 26 (R) is formed, and the other openings 58 are covered with the masking 62. In this embodiment, a masking material is used by using a photosensitive resin solution such as polyvinyl alcohol-ammonium dichromate as a masking material, applying the solution over the entire surface of the substrate by spin coating or the like, and exposing and developing the masking 62. Formed.

【0049】次いで、印刷工程SB2において、例えば
厚膜スクリーン印刷法を用いて蛍光体ペーストを開口部
58内に塗布する。蛍光体ペーストは、例えば、上記の
蛍光体粉末、エチルセルロース等の樹脂成分、ターピネ
オール等の溶剤、および少量の珪酸カリウム溶液を混練
したもの等が用いられる。そして、乾燥工程SB3にお
いて、例えば120(℃) 程度の温度で乾燥してペースト中
の溶剤を除去した後、焼成工程SB4において例えば45
0(℃) 程度の温度で加熱処理を施す。これにより、蛍光
体ペースト中の有機成分が除去されると共に、蛍光体粉
末が珪酸カリウムの結合力や分子間力等で相互に且つ前
面板内面12に固着されると同時に、マスキング62が
焼失させられる。図8(c) は、このようにして赤色発光
の蛍光体層26(R)を形成した後の状態を示してい
る。
Next, in a printing step SB2, a phosphor paste is applied to the inside of the opening 58 by using, for example, a thick film screen printing method. As the phosphor paste, for example, those obtained by kneading the phosphor powder, a resin component such as ethyl cellulose, a solvent such as terpineol, and a small amount of a potassium silicate solution are used. Then, in a drying step SB3, the paste is dried at a temperature of, for example, about 120 (° C.) to remove the solvent in the paste.
Perform heat treatment at a temperature of about 0 (° C). Thereby, the organic components in the phosphor paste are removed, and the phosphor powders are fixed to each other and to the inner surface 12 of the front plate by the binding force or intermolecular force of potassium silicate, and at the same time, the masking 62 is burned off. Can be FIG. 8C shows a state after the red light emitting phosphor layer 26 (R) is formed in this manner.

【0050】このとき、蛍光体ペーストの塗布に用いた
スクリーン製版にピンホール等の欠陥が存在すると、赤
色の蛍光体層26を設ける開口部58以外の位置、例え
ば他の発光色の蛍光体層26(B)、26(G)等を設
ける開口部58上にも蛍光体ペーストが付着する。図8
(c) において一点鎖線で示した64は、このような部分
に蛍光体ペーストが付着した不用パターンである。本実
施例においても、この不用パターン64はマスキング6
2が焼失させられる際に同時に除去されるため、赤色発
光の蛍光体は、他の発光色の蛍光体を設けるべき位置に
全く付着していない。また、正しい位置(この段階では
赤色発光の蛍光体層26を設けるべき位置)に塗布され
た蛍光体ペーストは、接触角が大きいマスキング62に
はじかれて他の発光色の蛍光体を設けるべき位置に広が
り得ないため、その広がり(流れやだれ)に起因する蛍
光体の混色も生じていない。
At this time, if there is a defect such as a pinhole in the screen plate used for applying the phosphor paste, a position other than the opening 58 where the red phosphor layer 26 is provided, for example, a phosphor layer of another emission color. The phosphor paste also adheres to the opening 58 provided with 26 (B), 26 (G) and the like. FIG.
Reference numeral 64 indicated by a dashed line in (c) denotes an unnecessary pattern in which the phosphor paste is attached to such a portion. Also in this embodiment, the unnecessary pattern 64 is formed by the masking 6
Since the phosphor 2 is removed at the same time as it is burned off, the phosphor emitting red light does not adhere to the position where the phosphor of another emission color is to be provided. Also, the phosphor paste applied to the correct position (the position where the red light emitting phosphor layer 26 is to be provided at this stage) is repelled by the masking 62 having a large contact angle and the position where the phosphor of another emission color is to be provided. Since the fluorescent material cannot spread, there is no occurrence of color mixing of the phosphor due to the spread (flow or dripping).

【0051】そして、青色発光および緑色発光の蛍光体
についても、それぞれ上記のマスキング工程SB1乃至
焼成工程SB4に従って処理することにより、前面板内
面12にはRGB三色の蛍光体層26がストライプ状に
並んで設けられる。図8(d)は、この段階を示してい
る。なお、青色発光の蛍光体層26(B)を設ける際に
は、マスキング工程SB1において赤色発光の蛍光体層
26(R)上および緑色発光の蛍光体層26(G)を設
ける開口部58上にマスキング62が施され、緑色発光
の蛍光体層26(G)を設ける際には、マスキング工程
SB1において赤色発光の蛍光体層26(R)上および
青色発光の蛍光体層26(B)上にマスキング62が設
けられる。そのため、どの蛍光体ペーストも他の発光色
の蛍光体を設ける位置に無用に付着することはない。し
たがって、本実施例においては、塗着しようとするもの
とは異なる蛍光体を設けるべき位置が印刷禁止領域に相
当する。
The phosphors emitting blue light and green light are also processed according to the masking step SB1 to the baking step SB4, respectively, so that the three phosphor layers 26 of three colors RGB are formed on the inner surface 12 of the front plate in a stripe shape. They are provided side by side. FIG. 8D shows this stage. When the blue light emitting phosphor layer 26 (B) is provided, the mask 58 is formed on the red light emitting phosphor layer 26 (R) and the green light emitting phosphor layer 26 (G) in the opening 58 in the masking step SB1. When the green light emitting phosphor layer 26 (G) is provided by masking 62 on the red light emitting phosphor layer 26 (R) and the blue light emitting phosphor layer 26 (B) in the masking step SB1. Is provided with a masking 62. Therefore, any phosphor paste does not unnecessarily adhere to the position where the phosphor of another emission color is provided. Therefore, in this embodiment, the position where a phosphor different from the one to be coated is to be provided corresponds to the print prohibited area.

【0052】図7に戻って、メタル・バック形成工程S
C4においては、上記のようにして形成されたブラック
・マスク60および蛍光体層26上に前記のメタル・バ
ック30を形成する。このメタル・バック30の形成
は、例えば、ラッカー溶液等の樹脂溶液を一面12上の
全面に塗布するフィルミング処理を施した後、真空チャ
ンバ内でアルミニウム薄膜を蒸着し、その後加熱処理を
施してフィルミング膜を焼失させることによって行うこ
とができる。
Returning to FIG. 7, the metal back forming step S
In C4, the metal back 30 is formed on the black mask 60 and the phosphor layer 26 formed as described above. The metal back 30 is formed by, for example, performing a filming process of applying a resin solution such as a lacquer solution over the entire surface 12, depositing an aluminum thin film in a vacuum chamber, and then performing a heating process. This can be performed by burning out the filming film.

【0053】要するに、本実施例においても、他の発光
色の蛍光体層26を設けるべき印刷禁止領域がマスキン
グ62で覆われた状態で一面12に蛍光体ペーストを塗
布することから、製版に欠陥が存在し或いは蛍光体ペー
ストが一面12上で滲んだ場合にも、その印刷禁止領域
内では無用の蛍光体ペーストが一面12に直接塗布され
ることはなくマスキング62上に塗布され、焼成工程S
B4において、そのマスキング62と共に一面12上か
ら除去される。そのため、印刷禁止領域に無用の蛍光体
ペーストが付着し、延いてはそこに固着することが抑制
されることから、蛍光体の混色が好適に抑制される。
In short, also in this embodiment, since the phosphor paste is applied to the one surface 12 in a state where the print-inhibited area where the phosphor layer 26 of another emission color is to be provided is covered with the masking 62, defects in the plate making can be obtained. Is present or the phosphor paste bleeds on the surface 12, the unnecessary phosphor paste is not directly applied on the surface 12 but is applied on the masking 62 in the print-inhibited area, and the firing step S
At B4, the masking 62 and the surface 12 are removed. For this reason, unnecessary phosphor paste is prevented from adhering to the print-inhibited area, and is prevented from sticking to the unnecessary phosphor paste, so that color mixing of the phosphor is suitably suppressed.

【0054】また、本実施例においては、一面12上に
三色の蛍光体層26(R)、26(B)、26(G)が
設けられるが、3種の蛍光体ペーストからそれぞれを形
成するに際して、マスキング工程SB1乃至焼成工程S
B4がそれぞれ実施される。そのため、全ての蛍光体ペ
ーストが一面12上の付着してはならない領域すなわち
他の蛍光体を設ける印刷禁止領域を避けて塗布されるこ
とから、無用の蛍光体ペースト付着に起因するFED1
0の不具合、すなわち混色が一層抑制される。
In this embodiment, three color phosphor layers 26 (R), 26 (B) and 26 (G) are provided on one surface 12, but are formed from three kinds of phosphor pastes. The masking process SB1 to the firing process S
B4 is performed respectively. Therefore, since all the phosphor paste is applied avoiding the area on the one surface 12 which should not adhere, that is, the printing prohibited area where another phosphor is provided, the FED 1 due to the unnecessary phosphor paste adhesion is applied.
The defect of 0, that is, color mixing is further suppressed.

【0055】以上、本発明の一実施例を図面を参照して
詳細に説明したが、本発明は、更に別の態様でも実施で
きる。
While the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, the present invention can be embodied in still another embodiment.

【0056】例えば、実施例においては、画像表示装置
であるカラー表示用のFED10を構成する背面板18
或いは前面板16の製造方法に本発明が適用された場合
について説明したが、厚膜パターンを含む複数種類の膜
が一面12、14に備えられた表示装置の基板であれ
ば、他の形式のカラー或いはモノクロ表示装置、例えば
蛍光表示管やPDP等を構成するディスプレイ基板にも
本発明は同様に適用される。
For example, in the embodiment, the back plate 18 constituting the color display FED 10 which is an image display device is used.
Alternatively, the case where the present invention is applied to the method of manufacturing the front plate 16 has been described. However, if the display device substrate includes a plurality of types of films including a thick film pattern on the surfaces 12 and 14, other types of films may be used. The present invention is similarly applied to a display substrate constituting a color or monochrome display device such as a fluorescent display tube or a PDP.

【0057】また、図1乃至図6に示される実施例にお
いては、前面板16への膜形成工程のうち列方向配線3
2の形成時だけに本発明が適用されていたが、他の厚膜
パターンの形成時、例えば、行方向配線34の形成時
や、電子放出膜42の形成時等にも、それの構成材料の
他の部分への付着が生じ得ると共に、その付着が問題と
なるならば、本発明を同様に適用し得る。
In the embodiment shown in FIGS. 1 to 6, in the process of forming a film on
2, the present invention is applied only when forming another thick film pattern, for example, when forming the row direction wiring 34 or the electron emission film 42. If the adhesion to other parts can occur and the adhesion is a problem, the present invention can be similarly applied.

【0058】また、実施例においては、特に不用パター
ン56の付着を禁止すべき領域50等だけにマスキング
52を施していたが、厚膜スクリーン印刷を施す部分を
除く全ての部分をマスキング52で覆ってもよい。
Further, in the embodiment, the masking 52 is applied only to the area 50 where the attachment of the unnecessary pattern 56 is particularly prohibited. However, all parts except the part to be subjected to the thick film screen printing are covered with the masking 52. You may.

【0059】また、実施例においては、マスキング処理
が厚膜スクリーン印刷法を用いて実施されていたが、そ
の方法はマスキング材料の種類やマスキング形状等に応
じて適宜変更される。例えば、フィルムやシートの貼り
着け等によって印刷の場合と同様な膜を形成してもよ
く、フォトリソグラフィ技術によってパターン形成して
もよく、或いは、真空蒸着やスパッタリング、めっき、
電鋳処理等によって形成することもできる。
In the embodiments, the masking process is performed by using the thick film screen printing method, but the method may be appropriately changed according to the type of the masking material and the masking shape. For example, a film similar to the case of printing may be formed by attaching a film or sheet, or a pattern may be formed by photolithography technology, or vacuum evaporation, sputtering, plating,
It can also be formed by electroforming.

【0060】また、実施例においては、電極38、40
等が薄膜技術で形成されることからその形成の際にはマ
スキング52が設けられていなかったが、電極38、4
0を厚膜スクリーン印刷で形成する場合には、その形成
工程においても必要に応じて本発明を適用することがで
きる。
In the embodiment, the electrodes 38, 40
And the like are formed by the thin-film technique, so that the masking 52 was not provided at the time of the formation.
In the case where 0 is formed by thick film screen printing, the present invention can be applied as necessary also in the forming process.

【0061】また、実施例においては、マスキング52
および不用パターン56を除去するための除去工程が、
厚膜印刷ペーストから厚膜を生成する焼成工程SB4に
おける加熱処理で兼ねられていたが、除去工程はその加
熱処理に先立って別途実施してもよい。すなわち、例え
ば、その厚膜ペーストを溶解しない液、例えば厚膜ペー
ストが水に不溶な場合には水により、厚膜ペーストが特
定の溶剤に不溶な場合にはその溶剤により、それぞれ洗
い流す洗浄処理を施して不用パターン56を除去するこ
ともできる。
In the embodiment, the masking 52
And a removing step for removing the unnecessary pattern 56,
Although the heat treatment in the firing step SB4 for forming a thick film from the thick film print paste is also performed, the removal step may be separately performed prior to the heat treatment. That is, for example, a washing process in which the thick film paste is washed with a liquid that does not dissolve the thick film paste, for example, when the thick film paste is insoluble in water, and with the solvent when the thick film paste is insoluble in a specific solvent, is used. The unnecessary pattern 56 can also be removed by performing the process.

【0062】また、配線32、34を形成するための厚
膜銀ペーストは、図1乃至図6の実施例において示した
ものに限られず、種々の構成を採り得る。例えば、各成
分の構成割合は、銀 65 〜90(%) 程度、ガラス 2〜15
(%) 程度、樹脂 2〜7(%)程度、溶剤 5〜20(%) 程度の範
囲のものが好適に用いられる。また、銀粉末としては、
例えば平均粒径が0.2 〜0.3(μm)程度でフレーク状或い
は球状を成すものが好適に用いられる。但し、可及的に
高い導電性を得るためには、実施例で示したようにフレ
ーク状のものを用いることが好ましい。ガラス粉末とし
ては、例えば、軟化点380 〜470(℃) 程度の低軟化点ガ
ラスが好ましく、前述のSi-B-Pb 系の他にZn-Pb 系ガラ
ス等も好適に用いられる。また、樹脂成分は、アクリル
ニトリル樹脂やメチルセルロース樹脂等を用いてもよ
く、溶剤は、ターピネオールやセロソルブアセテート等
を用いることもできる。
Further, the thick silver paste for forming the wirings 32 and 34 is not limited to the one shown in the embodiment of FIGS. 1 to 6 and may take various structures. For example, the composition ratio of each component is about 65 to 90 (%) silver, and 2 to 15
(%), A resin of about 2 to 7 (%) and a solvent of about 5 to 20 (%) are preferably used. Also, as silver powder,
For example, flakes or spheres having an average particle size of about 0.2 to 0.3 (μm) are preferably used. However, in order to obtain the highest possible conductivity, it is preferable to use a flake-like material as shown in the embodiment. As the glass powder, for example, a low softening point glass having a softening point of about 380 to 470 (° C.) is preferable. In addition to the above-mentioned Si-B-Pb-based glass, Zn-Pb-based glass and the like are also suitably used. The resin component may be an acrylonitrile resin, a methylcellulose resin, or the like, and the solvent may be terpineol, cellosolve acetate, or the like.

【0063】また、実施例においては、マスキング52
等が塗布しようとする厚膜印刷ペーストの接触角の大き
い材料で構成されていたが、マスキング52上に付着し
たペーストはその後の除去工程で膜形成面上から除去さ
れるため、接触角の小さい材料で構成しても差し支えな
い。
In the embodiment, the masking 52
And the like are formed of a material having a large contact angle of the thick film printing paste to be applied. However, since the paste adhered on the masking 52 is removed from the film forming surface in a subsequent removing step, the contact angle is small. It may be made of a material.

【0064】その他、一々例示はしないが、本発明はそ
の主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものであ
る。
Although not specifically exemplified, the present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のディスプレイ基板の製造方
法が製造工程に適用されたFEDの構成を一部を切り欠
いて示す斜視図である。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing a configuration of an FED in which a display substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention is applied to a manufacturing process.

【図2】(a) は、図1における背面板のIIa−IIa視断
面の要部を、(b) は、同IIb−IIb視断面の要部をそれ
ぞれ拡大して示す図である。
2 (a) is an enlarged view of a main part of the rear plate in FIG. 1 taken along the line IIa-IIa, and FIG. 2 (b) is an enlarged view of a main part of the rear plate taken along the line IIb-IIb.

【図3】図1のFEDにおいて背面板上の配線の相互関
係を説明するための要部を拡大した平面図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view of a main part for explaining a mutual relation of wiring on a back plate in the FED of FIG. 1;

【図4】図1のFEDの背面板上に設けられる電極や配
線等の形成工程を説明する工程図である。
FIG. 4 is a process diagram illustrating a process of forming electrodes, wirings, and the like provided on the back plate of the FED in FIG. 1;

【図5】図4の列方向配線形成工程を更に詳細に説明す
る工程図である。
FIG. 5 is a process diagram illustrating the column-direction wiring forming process of FIG. 4 in more detail.

【図6】(a) 〜(f) は、それぞれ図4の各段階における
膜形成状態を説明する図である。
FIGS. 6 (a) to 6 (f) are diagrams for explaining a film formation state at each stage of FIG. 4;

【図7】本発明が図1のFEDの前面板の製造工程に適
用された場合を説明するための工程図である。
FIG. 7 is a process diagram for describing a case where the present invention is applied to the manufacturing process of the front plate of the FED of FIG. 1;

【図8】(a) 〜(d) は、図7の要部工程における膜形成
状態を説明する図である。
8 (a) to 8 (d) are views for explaining a film formation state in a main step of FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

16:前面板、18:背面板(ディスプレイ基板) 32:列方向配線(厚膜パターン) 50:印刷禁止領域 52:マスキング 16: Front plate, 18: Back plate (display substrate) 32: Row direction wiring (thick film pattern) 50: Printing prohibited area 52: Masking

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 337 G09F 9/30 337 5E343 H01J 9/227 H01J 9/227 C E // H05K 3/12 610 H05K 3/12 610P (72)発明者 平川 幸太 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36 号 ノリタケ電子工業株式会社内 (72)発明者 森 信輔 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36 号 ノリタケ電子工業株式会社内 Fターム(参考) 2C035 AA06 FD51 FD52 2H113 AA04 AA05 BA10 BB09 BB22 BB32 CA15 CA32 DA04 DA43 DA52 FA10 FA29 FA48 5C027 AA02 BB01 BB02 5C028 FF06 FF14 HH09 HH12 5C094 AA05 AA42 AA43 BA12 BA32 BA34 CA19 DA13 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 EC02 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 FB20 GB10 5E343 AA02 AA11 BB72 DD03 ER35 FF02 FF11 FF12 GG08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/30 337 G09F 9/30 337 5E343 H01J 9/227 H01J 9/227 CE // H05K 3/12 610 H05K 3/12 610P (72) Inventor Kota Hirakawa 3-1-1, Noritakeshinmachi, Nishi-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Inside Noritake Electronics Industry Co., Ltd. (72) Inventor Shinsuke Mori 3-1-1, Noritakeshinmachi, Nishi-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture No. 36 Noritake Electronics Co., Ltd. F-term (reference) 2C035 AA06 FD51 FD52 2H113 AA04 AA05 BA10 BB09 BB22 BB32 CA15 CA32 DA04 DA43 DA52 FA10 FA29 FA48 5C027 AA02 BB01 BB02 5C028 FF06 FF14 BA13A BA12A DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 EC02 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 FB20 GB10 5E343 AA02 AA11 BB72 DD03 ER35 FF02 FF11 FF12 GG08

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の膜形成面上に厚膜パターンを含む
複数種類の膜を形成してディスプレイ基板を製造する方
法であって、 前記膜形成面のうちの前記厚膜パターンを形成するため
の印刷ペーストが付着してはならない予め定められた印
刷禁止領域を所定のマスキング材料で覆うマスキング工
程と、 前記マスキングが施された膜形成面に、前記印刷ペース
トを所定パターンで厚膜スクリーン印刷する印刷工程
と、 その印刷工程の後に、前記マスキング材料を除去する除
去工程とを、含むことを特徴とするディスプレイ基板の
製造方法。
1. A method for manufacturing a display substrate by forming a plurality of types of films including a thick film pattern on a film forming surface of a substrate, the method comprising forming the thick film pattern on the film forming surface. A masking step of covering a predetermined print-inhibited area to which the print paste must not adhere with a predetermined masking material, and printing the print paste in a predetermined pattern on the masked film forming surface in a predetermined pattern. A method for manufacturing a display substrate, comprising: a printing step; and a removing step of removing the masking material after the printing step.
【請求項2】 前記マスキング工程は、前記マスキング
材料として有機化合物を用いるものであり、 前記除去工程は、前記印刷ペーストを加熱処理すること
により厚膜を形成すると同時に前記マスキング材料を焼
失させる加熱処理工程である請求項1のディスプレイ基
板の製造方法。
2. The masking step uses an organic compound as the masking material, and the removing step heats the print paste to form a thick film and simultaneously burns off the masking material. The method for manufacturing a display substrate according to claim 1, which is a step.
【請求項3】 前記マスキング材料は、前記膜形成面よ
りも前記印刷ペーストとの接触角が大きいものである請
求項1のディスプレイ基板の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the masking material has a larger contact angle with the printing paste than the film forming surface.
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