JP2001147203A - Substrate inspecting apparatus - Google Patents

Substrate inspecting apparatus

Info

Publication number
JP2001147203A
JP2001147203A JP33240599A JP33240599A JP2001147203A JP 2001147203 A JP2001147203 A JP 2001147203A JP 33240599 A JP33240599 A JP 33240599A JP 33240599 A JP33240599 A JP 33240599A JP 2001147203 A JP2001147203 A JP 2001147203A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
value
intensity
light
receiving element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33240599A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Yuuki
英詞 結城
Noboru Kato
昇 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP33240599A priority Critical patent/JP2001147203A/en
Publication of JP2001147203A publication Critical patent/JP2001147203A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure a sufficiently large high sensitivity detection region without lowering detection sensitivity even if diffracted light and scattered light are intensively generated from a part having a TFT pattern provided thereto. SOLUTION: A laser 10 irradiates the surface of a substrate 20 with laser beam and a photodetector 14 receives the diffracted beam and scattered beam of the laser beam applied to the substrate 20. An integrating circuit 17 integrates the signal corresponding to one line of the photodetector 14 and a conversion table 18 outputs the value related to the intensity of the laser beam emitted from the laser on the basis of the integrated value. A PWN control and oscillation circuit 19 and a drive means 11 drive the laser 10 based on the value related to the intensity of laser beam to control the laser 10 so as to emit laser beam with a predetermined intensity from the laser 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、所定の繰り返し
パターンを有する基板、例えば液晶ディスプレイの製造
工程においてガラス基板上に形成された電極パターンな
どに異物が付着していないかを検出する基板検査装置に
係り、特に検査時におけるレーザ等のビーム照射強度の
コントロールに改良を加えた基板検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate inspection apparatus for detecting whether or not foreign matter is attached to a substrate having a predetermined repetitive pattern, for example, an electrode pattern formed on a glass substrate in a process of manufacturing a liquid crystal display. More particularly, the present invention relates to a substrate inspection apparatus in which control of irradiation intensity of a beam such as a laser during inspection is improved.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレイ(LCD:Liqui
d Crystal Display)は、CRT(C
athode Ray Tube)に比べて薄型化、軽
量化が可能であるため、CTV(Color Tele
vision)やOA機器等のディスプレイ装置として
採用され、画面サイズも10型以上の大形化が図られ、
より一層の高精細化が押し進められている。液晶ディス
プレイには、TN(Twisted Nematic)
型、STN(Super Twisted Neati
c)型、及びTFT(Thin Film Trans
istor)型などの種類がある。TFT型の液晶ディ
スプレイは、各画素電極基板上にパターン化されたTF
Tが設けられている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display (LCD: Liqui)
d Crystal Display) is a CRT (C
Since it can be made thinner and lighter than an Anode Ray Tube, a CTV (Color Tele Tube) can be used.
vision) and OA equipment, etc., and the screen size is increased to 10 inches or more.
Higher definition is being promoted. The liquid crystal display has TN (Twisted Nematic)
Type, STN (Super Twisted Neati)
c) type and TFT (Thin Film Trans)
isor) type. TFT-type liquid crystal displays use a TF patterned on each pixel electrode substrate.
T is provided.

【0003】基板検査装置は、この画素電極基板上に微
小異物が存在しないかどうかを検出するものである。従
来の基板検査装置は、電極パターンの設けられたガラス
基板上に斜上方からレーザビームを照射し、異物の散乱
光を上方より観察し、異物が存在しないかどうかの検査
を行っていた。従来は、検査時に照射されたビームがこ
の電極パターン部分で回析し、異物の弁別が困難となら
ないように、空間フィルタ等の手法を用いて回折光を減
衰させて異物の検出を行っていた。
[0003] A substrate inspection apparatus detects whether or not a minute foreign substance exists on the pixel electrode substrate. A conventional substrate inspection apparatus irradiates a laser beam from obliquely above a glass substrate on which an electrode pattern is provided, observes scattered light of foreign matter from above, and inspects whether or not foreign matter exists. Conventionally, foreign matter was detected by attenuating the diffracted light using a method such as a spatial filter so that the beam irradiated at the time of inspection would not be diffracted at the electrode pattern part and would not be difficult to distinguish the foreign matter. .

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、TFTパタ
ーンの存在する部分では、その部分の表面形状により回
折光と散乱光の両方が発生し、空間フィルタだけでは十
分な減衰効果を得ることができなかった。そこで、ガラ
ス基板上の微小異物を検出するために、検出感度を向上
させ、ビーム強度を増加させると、TFTパターン部分
の散乱強度が増加し、それによってCCD受光素子が飽
和し、また、その増加した回折光と散乱光によってガラ
ス基板上(画素エリア)の検査領域が減少し、全体的に
検出感度が低下し、高感度な検出領域が逆に縮小してし
まうという問題があった。これについて以下図面を用い
て説明する。
However, in a portion where a TFT pattern is present, both diffracted light and scattered light are generated due to the surface shape of the portion, and a sufficient attenuation effect cannot be obtained only with a spatial filter. Was. Therefore, when the detection sensitivity is improved and the beam intensity is increased in order to detect minute foreign matter on the glass substrate, the scattering intensity of the TFT pattern portion increases, thereby saturating the CCD light receiving element, and increasing the intensity. Due to the diffracted light and the scattered light, the inspection area on the glass substrate (pixel area) is reduced, the detection sensitivity is reduced as a whole, and the high-sensitivity detection area is conversely reduced. This will be described below with reference to the drawings.

【0005】図3は、ガラス基板上に形成された画素電
極基板とCCD受光素子との位置関係の概略を示す図で
ある。図4は、図3の各位置関係において、CCD受光
素子から出力される信号のCCD画素方向の値を示す図
である。図3から明らかなように、一つの画素エリアは
縦方向に設けられたTFT駆動用配線31,32と横方
向に設けられたTFT素子及び配線41,42とに囲ま
れた正方領域である。CCD受光素子は横方向に複数画
素の配列されたライン型センサで構成される。図におい
て、領域21〜23は、このライン型センサによって検
出される領域を示す。ライン型センサが領域21に位置
する場合は、図4(A)に示すように、TFT素子及び
配線41によってビームが散乱し、ライン型センサの出
力が飽和してしまう。ライン型センサがTFT素子及び
配線41近傍の領域22に位置する場合には、TFT素
子及び配線41からの散乱光の影響は減少し、ライン型
センサが飽和することはない。一方、ライン型センサが
画素エリアのほぼ中央に位置する場合には、TFT素子
及び配線41からの散乱光の影響は少なくなり、TFT
駆動用配線31,32からの散乱光の影響のみが現れる
ようになる。
FIG. 3 is a view schematically showing a positional relationship between a pixel electrode substrate formed on a glass substrate and a CCD light receiving element. FIG. 4 is a diagram showing values of signals output from the CCD light receiving elements in the CCD pixel direction in each positional relationship of FIG. As is clear from FIG. 3, one pixel area is a square area surrounded by TFT driving wirings 31 and 32 provided in the vertical direction and TFT elements and wirings 41 and 42 provided in the horizontal direction. The CCD light receiving element is constituted by a line sensor in which a plurality of pixels are arranged in a horizontal direction. In the drawing, regions 21 to 23 indicate regions detected by the line sensor. When the line sensor is located in the region 21, as shown in FIG. 4A, the beam is scattered by the TFT element and the wiring 41, and the output of the line sensor is saturated. When the line sensor is located in the region 22 near the TFT element and the wiring 41, the influence of the scattered light from the TFT element and the wiring 41 is reduced, and the line sensor is not saturated. On the other hand, when the line-type sensor is located substantially at the center of the pixel area, the influence of the scattered light from the TFT element and the wiring 41 is reduced, and
Only the influence of the scattered light from the driving wires 31 and 32 appears.

【0006】このようなガラス基板に対して異物検査を
行う場合には、図4(A)に示すようにライン型センサ
の出力が飽和しないようなビーム強度にレーザ出力を設
定する必要がある。ところが、ビーム強度を領域21の
出力に合わせて小さくすると、図4(C)に示すように
画素エリア部分の検出感度が大幅に低下してしまい、高
精度の異物検査ができなくなるという問題があった。
When a foreign substance inspection is performed on such a glass substrate, it is necessary to set the laser output to a beam intensity such that the output of the line sensor does not saturate as shown in FIG. However, if the beam intensity is reduced in accordance with the output of the area 21, the detection sensitivity of the pixel area is greatly reduced as shown in FIG. Was.

【0007】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
であり、TFTパターンなどの設けられた部分から回折
光及び散乱光が強く発生するような場合でも、検出感度
を低下させることなく、十分な大きさの高感度検出領域
を確保することのできる基板検査装置を提供することを
目的とする。
[0007] The present invention has been made in view of the above-mentioned point, and even when diffraction light and scattered light are strongly generated from a portion provided with a TFT pattern or the like, the detection sensitivity is not reduced. It is an object of the present invention to provide a board inspection apparatus capable of securing a sufficiently large high-sensitivity detection area.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載された基
板検査装置は、光ビームを所定の繰り返しパターンを有
する基板表面に照射する照射手段と、前記基板上に照射
された前記光ビームの回折光及び散乱光を受光するよう
に構成された受光素子手段と、前記受光素子手段から出
力される信号中の特徴的な部分に相当する信号に基づい
て前記照射手段から出射される前記光ビームの強度に関
する値を出力するビーム強度値変換手段と、前記ビーム
強度値変換手段から出力される前記光ビームの強度に関
する値に基づいて前記照射手段を駆動する駆動手段とを
備えたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate inspection apparatus, comprising: an irradiating means for irradiating a light beam onto a substrate surface having a predetermined repetitive pattern; Light receiving element means configured to receive diffracted light and scattered light, and the light beam emitted from the irradiation means based on a signal corresponding to a characteristic portion in a signal output from the light receiving element means Beam intensity converting means for outputting a value relating to the intensity of the light beam; and driving means for driving the irradiating means based on the value relating to the intensity of the light beam output from the beam intensity converting means.

【0009】照射手段は、駆動手段によって駆動され、
その駆動電流に応じた強度の光ビームを検査対象となる
基板表面に出射する。基板上に存在する異物やTFTパ
ターン,配線パターンなどによって光ビームは散乱光及
び回折光として受光素子手段に取り込まれる。このと
き、TFTパターン,配線パターンによる散乱光及び回
折光はそのパターン形状に応じて周期的な変化を示すよ
うになる。例えば、光ビームがTFTパターン部分を照
射するとそれによる散乱光及び回折光は最も強くなり、
受光素子手段からは大きな値が出力される。光ビームが
配線パターン部分を照射するとそれによる散乱光及び回
折光は最も小さくなり、受光素子手段から小さな値が出
力される。また、光ビームがTFTパターン近傍を照射
するとそれによる散乱光及び回折光は両者のほぼ中間の
強さとなり、受光素子手段からも中間的な値が出力され
る。従って、受光素子手段から出力される信号中の特徴
的な部分に相当する信号に基づいて光ビームがTFTパ
ターン部分、配線パターン部分、TFTパターン近傍の
どの辺を照射しているのか、そのだいたいの照射位置を
特定することができる。そこで、ビーム強度値変換手段
を用いて受光素子手段から出力される信号中の特徴的な
部分に相当する信号に基づいて前記照射手段から出射さ
れる前記光ビームの強度に関する値を求め、それを駆動
手段に出力し、照射手段から出射される光ビームの強度
をガラス基板上のパターン形状に応じて最適なものにす
る。これによって、TFTパターンなどの設けられた部
分から回折光及び散乱光が強く発生するような場合で
も、検出感度を低下させることなく、十分な大きさの高
感度検出領域を確保することができる。
The irradiating means is driven by the driving means,
A light beam having an intensity corresponding to the driving current is emitted to the surface of the substrate to be inspected. The light beam is taken into the light receiving element means as scattered light and diffracted light due to a foreign substance, a TFT pattern, a wiring pattern, or the like existing on the substrate. At this time, the scattered light and the diffracted light due to the TFT pattern and the wiring pattern change periodically according to the pattern shape. For example, when a light beam irradiates a TFT pattern portion, scattered light and diffracted light due to the light beam become strongest,
A large value is output from the light receiving element means. When the light beam irradiates the wiring pattern portion, the scattered light and the diffracted light due to the light beam become minimum, and a small value is output from the light receiving element means. Further, when the light beam irradiates the vicinity of the TFT pattern, the scattered light and the diffracted light due to the light beam have almost the intermediate intensity between the two, and an intermediate value is output from the light receiving element means. Therefore, based on the signal corresponding to the characteristic portion in the signal output from the light receiving element means, which side in the vicinity of the TFT pattern portion, the wiring pattern portion, and the TFT pattern the light beam irradiates is roughly determined. The irradiation position can be specified. Therefore, a value relating to the intensity of the light beam emitted from the irradiating means is obtained based on a signal corresponding to a characteristic portion in a signal output from the light receiving element means using a beam intensity value converting means, and The intensity of the light beam output to the driving means and emitted from the irradiating means is optimized according to the pattern shape on the glass substrate. As a result, even when diffraction light and scattered light are strongly generated from a portion provided with a TFT pattern or the like, a sufficiently large high-sensitivity detection area can be secured without lowering the detection sensitivity.

【0010】請求項2に記載された基板検査装置は、請
求項1において、前記ビーム強度値変換手段が、前記受
光素子手段から出力される信号中の1ライン分の信号又
は1ライン分の信号内の前記繰り返しパターンに相当す
る信号部分を積分し、その積分値に基づいて前記照射手
段から出射される前記光ビームの強度に関する値を出力
するように構成されたものである。これは、ビーム強度
値変換手段が前記受光素子手段から出力される信号中の
1ライン分の信号又は1ライン分の信号内の前記繰り返
しパターンに相当する信号部分を特徴的な部分に相当す
る信号として積分処理し、この積分値に基づいて前記光
ビームの強度に関する値を出力するように限定したもの
である。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate inspection apparatus according to the first aspect, the beam intensity value converting means outputs a signal for one line or a signal for one line in a signal output from the light receiving element means. , A signal portion corresponding to the repetition pattern is integrated, and a value related to the intensity of the light beam emitted from the irradiation unit is output based on the integrated value. This means that the beam intensity value converting means converts a signal portion corresponding to one line in the signal output from the light receiving element means or a signal portion corresponding to the repetitive pattern in a signal corresponding to one line into a characteristic portion. The integration is limited to output a value related to the intensity of the light beam based on the integration value.

【0011】請求項3に記載された基板検査装置は、請
求項1において、前記ビーム強度値変換手段が、前記受
光素子手段から出力される1ライン分の信号の中の所定
のしきい値以上の信号のみを積分し、その積分値に基づ
いて前記照射手段から出射される前記光ビームの強度に
関する値を出力するように構成されたものである。これ
は、1ライン分の信号の全てを積分するのではなく、そ
の中からある所定のしきい値以上の信号のみを積分し、
それに基づいて光ビームの強度に関する値を出力するよ
うに限定したものである。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate inspection apparatus according to the first aspect, the beam intensity value converting means is equal to or more than a predetermined threshold value in one line signal output from the light receiving element means. And outputs a value related to the intensity of the light beam emitted from the irradiating means based on the integrated value. This means that instead of integrating all the signals for one line, only the signals above a certain threshold are integrated from among them.
On the basis of this, a value related to the intensity of the light beam is limited to be output.

【0012】請求項4に記載された基板検査装置は、請
求項3において、前記ビーム強度値変換手段が、前記受
光素子手段から出力される1ライン分の信号のヒストグ
ラムを作成し、このヒストグラムに基づいて前記所定の
しきい値を決定するように構成されたものである。これ
は、積分対象を決定するための前記しきい値をヒストグ
ラムに基づいて決定するように限定したものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate inspection apparatus according to the third aspect, the beam intensity value converting means creates a histogram of a signal for one line output from the light receiving element means, and generates the histogram. The predetermined threshold value is determined based on the predetermined threshold value. This limits the threshold value for determining the integration target to be determined based on the histogram.

【0013】請求項5に記載された基板検査装置は、請
求項2、3又は4において、前記ビーム強度値変換手段
が、前記受光素子手段から出力される信号中の1ライン
分の信号又は1ライン分の信号内の前記繰り返しパター
ンに相当する信号部分を積分する積分手段と、前記積分
手段から出力される積分値を前記照射手段から出射され
る前記光ビームの強度に関する値に変換する変換テーブ
ル手段とから構成されるものである。これは、ビーム強
度値変換手段を積分手段と、変換テーブルで構成する場
合に限定したものである。従って、請求項1に記載のビ
ーム強度値変換手段をこれ以外の演算手段などで構成し
てもよいことはいうまでもない。
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate inspection apparatus according to the second, third or fourth aspect, the beam intensity value converting means outputs the signal or the signal for one line in the signal output from the light receiving element means. Integrating means for integrating a signal portion corresponding to the repetitive pattern in a line signal, and a conversion table for converting an integrated value output from the integrating means into a value relating to the intensity of the light beam emitted from the irradiating means And means. This is limited to the case where the beam intensity value converting means is constituted by an integrating means and a conversion table. Therefore, it is needless to say that the beam intensity value conversion means described in claim 1 may be constituted by other calculation means.

【0014】請求項6に記載された基板検査装置は、請
求項5において、前記変換テーブル手段が、予め検出さ
れた前記ガラス基板における前記光ビームの回折光及び
散乱光に基づいて作成されたものである。これは、変換
テーブルをガラス基板に光ビームを予め照射してその散
乱光及び回折光に基づいて作成する場合に限定したもの
であり、種々の配線パターン、TFTパターンに対応し
た変換テーブルを作成しておくことによって、あらゆる
ガラス基板の検査をスムーズに行うことができるように
なる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate inspection apparatus according to the fifth aspect, the conversion table means is created based on diffracted light and scattered light of the light beam on the glass substrate detected in advance. It is. This is limited to the case where the conversion table is created based on the scattered light and the diffracted light by irradiating the glass substrate with a light beam in advance, and the conversion table corresponding to various wiring patterns and TFT patterns is created. By doing so, inspection of all glass substrates can be performed smoothly.

【0015】請求項7に記載された基板検査装置は、請
求項1において、前記ビーム強度値変換手段が前記光ビ
ームの強度に関する値としてPWM制御におけるパルス
幅に関する値を出力し、前記駆動手段が前記パルス幅に
関する値に基づいた駆動電流を前記照射手段に供給する
ように構成したものである。これは、照射手段をPWM
制御で駆動するように限定したものである。
According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate inspection apparatus according to the first aspect, the beam intensity value converting means outputs a value related to a pulse width in PWM control as a value related to the intensity of the light beam, and the driving means includes A driving current based on the value of the pulse width is supplied to the irradiation unit. This is because the irradiation means is PWM
It is limited to drive by control.

【0016】請求項8に記載された基板検査装置は、請
求項7において、前記駆動手段が前記パルス幅に関する
値に基づいたアナログ変調に近いバイアス電流と、この
バイアス電流にパルス状に変化する電流を重畳させた駆
動電流を前記照射手段に供給するように構成されたもの
である。これは、照射手段の寿命を考慮して、バイアス
電流とパルス上の電流とを重畳した駆動電流で照射手段
を駆動する場合に限定したものである。
According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate inspection apparatus according to the seventh aspect, the driving means includes a bias current close to analog modulation based on a value related to the pulse width, and a current which changes in a pulsed manner to the bias current. Is supplied to the irradiation means. This is limited to the case where the irradiation unit is driven by a drive current in which a bias current and a current on a pulse are superimposed in consideration of the life of the irradiation unit.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面を用いて説明する。図1は、本発明に係る基板検査装
置の概略構成を示す図である。ガラス基板20は、CC
D受光素子14の信号取込みタイミングに対応して自動
的に移動するように構成されている。レーザ10は、斜
上方からガラス基板20に対してレーザビームを照射す
る。レーザ駆動回路11は、レーザ10をPWM制御発
振回路19から出力されるPWM制御信号に基づいて駆
動する。フォーカス調整用のビーム位置検出センサ12
は、ガラス基板20で反射したレーザビームをその反対
側で受光し、レーザ10のフォーカス調整用や照射位置
調整用の制御信号を生成する。なお、ここではこれらの
フォーカス調整や照射位置調整については説明を省略す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate inspection apparatus according to the present invention. The glass substrate 20 is CC
It is configured to automatically move in accordance with the signal capturing timing of the D light receiving element 14. The laser 10 irradiates a laser beam to the glass substrate 20 from obliquely above. The laser drive circuit 11 drives the laser 10 based on a PWM control signal output from the PWM control oscillation circuit 19. Beam position detection sensor 12 for focus adjustment
Receives the laser beam reflected by the glass substrate 20 on the opposite side, and generates a control signal for adjusting the focus and the irradiation position of the laser 10. Here, description of the focus adjustment and the irradiation position adjustment will be omitted.

【0018】検出レンズ13は、ガラス基板20からの
回折光及び散乱光をCCD受光素子14に結像するもの
である。CCD受光素子14は、検出レンズ13を介し
て入射するビーム強度に対応した電気信号をアンプ15
を介してA/D変換器16に出力する。A/D変換器1
6は、所定のクロックCLKに同期して、CCD受光素
子14からのアナログ信号をデジタル信号に変換して、
画像処理回路(図示せず)や1ライン積分回路17に出
力する。1ライン積分回路17は、A/D変換器16か
ら出力されるCCD受光素子14の1ライン分の信号又
は1ライン分の信号の中から特徴的な部分、例えば繰り
返しパターンに対応した繰り返し信号の一順以上の信号
を積分して、その値を変換テーブル18に出力する。ま
た、1ライン積分回路17は、1ライン分の信号の中か
ら特徴的な部分として、1ライン分の信号の中の所定の
しきい値以上の信号のみを積分し、その値を変換テーブ
ル18に出力するようにしてもよい。このしきい値を決
定するのに、1ライン分の信号のヒストグラムを作成
し、このヒストグラムに基づいてしきい値を決定すれば
よい。変換テーブル18は、1ライン積分回路17から
出力された積分値をレーザ10のビーム強度に関する信
号に変換して、PWM制御発振回路19に出力する。
The detection lens 13 forms an image of the diffracted light and the scattered light from the glass substrate 20 on the CCD light receiving element 14. The CCD light receiving element 14 outputs an electric signal corresponding to the intensity of the beam incident through the detection lens 13 to the amplifier 15.
To the A / D converter 16 via A / D converter 1
6 converts an analog signal from the CCD light receiving element 14 into a digital signal in synchronization with a predetermined clock CLK,
The signal is output to an image processing circuit (not shown) or a one-line integration circuit 17. The one-line integration circuit 17 is a signal for one line of the CCD light-receiving element 14 output from the A / D converter 16 or a characteristic part of the one-line signal, for example, a repetition signal corresponding to a repetition pattern. One or more signals are integrated and the value is output to the conversion table 18. Also, the one-line integration circuit 17 integrates only a signal of a predetermined threshold or more in the one-line signal as a characteristic part from the one-line signal, and converts the value into a conversion table 18. May be output. In order to determine the threshold, a histogram of the signal for one line may be created, and the threshold may be determined based on the histogram. The conversion table 18 converts the integrated value output from the one-line integration circuit 17 into a signal relating to the beam intensity of the laser 10 and outputs the signal to the PWM control oscillation circuit 19.

【0019】一定強度のレーザビームをガラス基板20
に照射すると、図4に示すように、その照射位置(領域
21〜23)に応じてCCD受光素子14からの出力レ
ベルすなわち積分値がそれぞれ異なる。そこで、この積
分値に基づいてレーザビームがガラス基板20のどの位
置を照射しているのかを特定することができる。すなわ
ち、この積分値と照射位置とは対応関係にあるので、こ
の基板検査装置では、その照射位置においてCCD受光
素子14が飽和しないようなビーム強度でレーザ10が
ビームを出射するように制御している。
A laser beam having a constant intensity is applied to the glass substrate 20.
As shown in FIG. 4, the output level from the CCD light-receiving element 14, that is, the integrated value differs according to the irradiation position (regions 21 to 23). Thus, it is possible to specify which position on the glass substrate 20 the laser beam is irradiating based on the integrated value. That is, since the integrated value and the irradiation position are in a corresponding relationship, the substrate inspection apparatus controls the laser 10 so that the laser beam is emitted at a beam intensity such that the CCD light receiving element 14 is not saturated at the irradiation position. I have.

【0020】すなわち、PWM制御発振回路19は、変
換テーブル18から出力されるビーム強度に関する信号
に基づいてPWM制御信号(パルス幅の制御された信
号)をレーザ駆動回路11に出力する。レーザ駆動回路
11はこのPWM制御信号に基づいてレーザ10を駆動
する。なお、レーザ駆動回路11は、レーザ10の寿命
を考慮して、アナログ変調に近いバイアス電流と、この
バイアス電流にパルス状に変化する駆動電流を重畳させ
た駆動電流をレーザ10に供給する。
That is, the PWM control oscillation circuit 19 outputs a PWM control signal (a signal whose pulse width is controlled) to the laser drive circuit 11 based on the signal regarding the beam intensity output from the conversion table 18. The laser drive circuit 11 drives the laser 10 based on the PWM control signal. The laser drive circuit 11 supplies the laser 10 with a bias current close to analog modulation and a drive current in which a pulse-like drive current is superimposed on the bias current in consideration of the life of the laser 10.

【0021】図2は、図3の各位置関係(領域21〜2
3)において、CCD受光素子14から出力される信号
の画素方向の値を示す図であり、図4に対応するもので
ある。CCD受光素子14が領域21に位置する場合
は、図4(A)に示すような飽和した信号が出力される
ので、この位置におけるビーム強度は減少されなければ
ならない。
FIG. 2 shows the positional relationships (regions 21 to 2) of FIG.
FIG. 3C is a diagram illustrating a value in the pixel direction of a signal output from the CCD light receiving element 14 in 3), and corresponds to FIG. 4. When the CCD light receiving element 14 is located in the area 21, a saturated signal as shown in FIG. 4A is output, and the beam intensity at this position must be reduced.

【0022】この実施の形態では、図4(A)に示すよ
うな飽和信号の積分値に対応した値が検出されると、変
換テーブル18はそのビーム強度を減少するような値を
PWM制御発振回路19に出力するようになるので、レ
ーザ10のビーム強度は減少され、CCD受光素子14
からは図2(A)に示すような飽和のない信号が出力さ
れるようになる。次に、CCD受光素子14が領域22
に位置する場合は、図4(B)に示すような信号が出力
される。この位置におけるビーム強度は適切なのでこの
ままの値が用いられる。一方、CCD受光素子14が領
域23に位置する場合は、図4(C)に示すような比較
的小さな信号が出力されるので、この位置におけるビー
ム強度は増加されなければならない。
In this embodiment, when a value corresponding to the integral value of the saturation signal as shown in FIG. 4A is detected, the conversion table 18 changes the value to decrease the beam intensity by the PWM control oscillation. Since the light is output to the circuit 19, the beam intensity of the laser 10 is reduced, and
From this, a signal without saturation as shown in FIG. 2A is output. Next, the CCD light receiving element 14 is
, A signal as shown in FIG. 4B is output. Since the beam intensity at this position is appropriate, the value as it is is used. On the other hand, when the CCD light receiving element 14 is located in the area 23, a relatively small signal as shown in FIG. 4C is output, so that the beam intensity at this position must be increased.

【0023】この実施の形態では、図4(C)に示すよ
うな比較的小さな検出信号が検出されると、変換テーブ
ル18はそのビーム強度を増加するような値をPWM制
御発振回路19に出力するようになるので、レーザ10
のビーム強度は増加され、CCD受光素子14からは図
2(C)に示すような比較的高感度の検出信号が出力さ
れるようになる。なお、変換テーブル18は、ガラス基
板20における光ビームの回折光及び散乱光を予め検出
しておき、検出された値に基づいて最適な出力信号が得
られるように作成されたものを用いる。これによって、
ガラス基板20の種々のパターン構成に応じて最適のビ
ームを照射することができるようになる。
In this embodiment, when a relatively small detection signal as shown in FIG. 4C is detected, the conversion table 18 outputs a value for increasing the beam intensity to the PWM control oscillation circuit 19. Laser 10
Is increased, and a relatively high-sensitivity detection signal as shown in FIG. 2C is output from the CCD light receiving element 14. It should be noted that the conversion table 18 is prepared so that diffraction light and scattered light of a light beam on the glass substrate 20 are detected in advance, and an optimum output signal is obtained based on the detected value. by this,
An optimum beam can be irradiated according to various pattern configurations of the glass substrate 20.

【0024】上述の実施の形態では、PWM制御によっ
てレーザのビーム強度を制御する場合について説明した
が、これに限らず他の方法でレーザビーム強度を制御す
るようにしてもよいことは言うまでもない。また、上述
の実施の形態では、1ライン積分回路18によって、C
CD受光素子14の出力を積分し、それに基づいて変換
テーブルの値を決定する場合について説明したが、CC
D受光素子14の出力がある所定値よりも大きくならな
いように、すなわち、飽和しないようにPWM制御発振
回路19を制御するようにしてもよい。また、CCD受
光素子14の出力が飽和している場合を検出し、飽和し
ないような値にレーザビーム強度を減少させるようにし
てもよい。この場合、1ライン積分回路18の代わり
に、CCD受光素子14の出力に基づいてヒストグラム
を作成し、このヒストグラムに基づいてレーザビーム強
度を制御するようにすればよい。
In the above-described embodiment, the case where the laser beam intensity is controlled by PWM control has been described. However, it is needless to say that the laser beam intensity may be controlled by other methods. Further, in the above-described embodiment, the one-line integration circuit 18 outputs C
The case where the output of the CD light receiving element 14 is integrated and the value of the conversion table is determined based on the integration has been described.
The PWM control oscillation circuit 19 may be controlled so that the output of the D light receiving element 14 does not become larger than a predetermined value, that is, so as not to be saturated. Alternatively, the case where the output of the CCD light receiving element 14 is saturated may be detected, and the laser beam intensity may be reduced to a value that does not saturate. In this case, instead of the one-line integration circuit 18, a histogram may be created based on the output of the CCD light receiving element 14, and the laser beam intensity may be controlled based on the histogram.

【0025】また、上述の実施の形態では、照射手段を
レーザとして説明したが、レーザに限らず、キセノンラ
ンプ等の白色光にしてもよい。さらに、本発明は、ガラ
ス基板以外に所定の繰り返しパターンを有するマスク、
レクチル、ウェハ等にも適用できることは言うまでもな
い。
In the above embodiment, the irradiation means is described as a laser. However, the irradiation means is not limited to a laser, but may be white light such as a xenon lamp. Further, the present invention provides a mask having a predetermined repeating pattern other than a glass substrate,
It goes without saying that the present invention can be applied to a reticle, a wafer, and the like.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明によれば、TFTパターンなどの
設けられた部分から回折光及び散乱光が強く発生するよ
うな場合でも、検出感度を低下させることなく、十分な
大きさの高感度検出領域を確保することができるという
効果がある。
According to the present invention, even when diffraction light and scattered light are strongly generated from a portion provided with a TFT pattern or the like, a sufficiently large high-sensitivity detection can be performed without lowering the detection sensitivity. There is an effect that an area can be secured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明のガラス基板検査方式の概略構成を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a glass substrate inspection system of the present invention.

【図2】 本発明のガラス基板検査方式で図3の各位置
関係における、CCD受光素子から出力される信号のC
CD画素方向の値を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a C of a signal output from a CCD light receiving element in each of the positional relationships shown in FIG.
FIG. 4 is a diagram illustrating values in a CD pixel direction.

【図3】 ガラス基板上に形成された画素電極基板とC
CD受光素子との位置関係の概略を示す図である。
FIG. 3 shows a pixel electrode substrate formed on a glass substrate and C
It is a figure which shows the outline of the positional relationship with a CD light receiving element.

【図4】 図3の各位置関係において、従来のガラス基
板検査方式でCCD受光素子から出力される信号の値を
CCD画素方向に示した図である。
FIG. 4 is a diagram showing values of signals output from a CCD light receiving element in a conventional glass substrate inspection system in a CCD pixel direction in each positional relationship of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…レーザ 11…レーザ駆動回路 12…ビーム位置検出センサ 13…検出レンズ 14…CCD受光素子 15…アンプ 16…A/D変換器 17…1ライン積分回路 18…変換テーブル 19…PWM制御発振回路 20…ガラス基板 31,32…TFT駆動用配線部分 41,42…TFT素子部及び配線部分 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Laser 11 ... Laser drive circuit 12 ... Beam position detection sensor 13 ... Detection lens 14 ... CCD light receiving element 15 ... Amplifier 16 ... A / D converter 17 ... One line integration circuit 18 ... Conversion table 19 ... PWM control oscillation circuit 20 ... Glass substrate 31, 32 ... TFT drive wiring part 41,42 ... TFT element part and wiring part

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ビームを所定の繰り返しパターンを有
する基板表面に照射する照射手段と、 前記基板上に照射された前記光ビームの回折光及び散乱
光を受光するように構成された受光素子手段と、 前記受光素子手段から出力される信号中の特徴的な部分
に相当する信号に基づいて前記照射手段から出射される
前記光ビームの強度に関する値を出力するビーム強度値
変換手段と、 前記ビーム強度値変換手段から出力される前記光ビーム
の強度に関する値に基づいて前記照射手段を駆動する駆
動手段とを備えたことを特徴とする基板検査装置。
An irradiating means for irradiating a substrate surface having a predetermined repetitive pattern with a light beam; and a light receiving element means configured to receive diffracted light and scattered light of the light beam irradiated on the substrate. Beam intensity value converting means for outputting a value relating to the intensity of the light beam emitted from the irradiating means based on a signal corresponding to a characteristic portion in a signal output from the light receiving element means; A substrate inspection apparatus comprising: a driving unit that drives the irradiation unit based on a value related to the intensity of the light beam output from the intensity value conversion unit.
【請求項2】 請求項1において、 前記ビーム強度値変換手段は、前記受光素子手段から出
力される信号中の1ライン分の信号又は1ライン分の信
号内の前記繰り返しパターンに相当する信号部分を積分
し、その積分値に基づいて前記照射手段から出射される
前記光ビームの強度に関する値を出力することを特徴と
する基板検査装置。
2. The signal part according to claim 1, wherein the beam intensity value converting means includes a signal for one line in the signal output from the light receiving element means or a signal portion corresponding to the repetitive pattern in the signal for one line. And outputting a value related to the intensity of the light beam emitted from the irradiation means based on the integrated value.
【請求項3】 請求項1において、 前記ビーム強度値変換手段は、前記受光素子手段から出
力される1ライン分の信号の中の所定のしきい値以上の
信号のみを積分し、その積分値に基づいて前記照射手段
から出射される前記光ビームの強度に関する値を出力す
ることを特徴とする基板検査装置。
3. The beam intensity conversion means according to claim 1, wherein the beam intensity value conversion means integrates only a signal having a predetermined threshold value or more among signals of one line output from the light receiving element means, and the integrated value is obtained. A substrate inspection apparatus for outputting a value relating to the intensity of the light beam emitted from the irradiating means on the basis of the following.
【請求項4】 請求項3において、 前記ビーム強度値変換手段は、前記受光素子手段から出
力される1ライン分の信号のヒストグラムを作成し、こ
のヒストグラムに基づいて前記所定のしきい値を決定す
ることを特徴とする基板検査装置。
4. The apparatus according to claim 3, wherein the beam intensity value conversion means creates a histogram of the signal for one line output from the light receiving element means, and determines the predetermined threshold value based on the histogram. A substrate inspection apparatus.
【請求項5】 請求項2、3又は4において、 前記ビーム強度値変換手段は、前記受光素子手段から出
力される信号中の1ライン分の信号又は1ライン分の信
号内の前記繰り返しパターンに相当する信号部分を積分
する積分手段と、 前記積分手段から出力される積分値を前記照射手段から
出射される前記光ビームの強度に関する値に変換する変
換テーブル手段とから構成されることを特徴とする基板
検査装置。
5. The signal according to claim 2, 3 or 4, wherein the beam intensity value converting means converts the signal for one line in the signal output from the light receiving element means or the repetitive pattern in the signal for one line. Integrating means for integrating a corresponding signal portion; and conversion table means for converting an integrated value output from the integrating means into a value relating to the intensity of the light beam emitted from the irradiating means. Substrate inspection equipment.
【請求項6】 請求項5において、 前記変換テーブル手段は、予め検出された前記ガラス基
板における前記光ビームの回折光及び散乱光に基づいて
作成されたものであることを特徴とする基板検査装置。
6. The substrate inspection apparatus according to claim 5, wherein the conversion table means is created based on diffraction light and scattered light of the light beam on the glass substrate detected in advance. .
【請求項7】 請求項1において、 前記ビーム強度値変換手段は、前記光ビームの強度に関
する値としてPWM制御におけるパルス幅に関する値を
出力し、 前記駆動手段は前記パルス幅に関する値に基づいた駆動
電流を前記照射手段に供給するように構成したことを特
徴とする基板検査装置。
7. The apparatus according to claim 1, wherein the beam intensity value conversion unit outputs a value related to a pulse width in PWM control as a value related to the intensity of the light beam, and the driving unit drives based on a value related to the pulse width. A substrate inspection apparatus configured to supply a current to the irradiation unit.
【請求項8】 請求項7において、 前記駆動手段は、前記パルス幅に関する値に基づいたア
ナログ変調に近いバイアス電流と、このバイアス電流に
パルス状に変化する電流を重畳させた駆動電流を前記照
射手段に供給することを特徴とする基板検査装置。
8. The irradiation device according to claim 7, wherein the driving unit irradiates a bias current close to analog modulation based on the value related to the pulse width, and a drive current obtained by superimposing a pulse-like current on the bias current. A substrate inspection apparatus characterized in that it is supplied to a means.
JP33240599A 1999-11-24 1999-11-24 Substrate inspecting apparatus Pending JP2001147203A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33240599A JP2001147203A (en) 1999-11-24 1999-11-24 Substrate inspecting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33240599A JP2001147203A (en) 1999-11-24 1999-11-24 Substrate inspecting apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001147203A true JP2001147203A (en) 2001-05-29

Family

ID=18254611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33240599A Pending JP2001147203A (en) 1999-11-24 1999-11-24 Substrate inspecting apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001147203A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006194754A (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd Substrate inspection device and method
WO2010016386A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 株式会社 日立ハイテクノロジーズ Light source device, surface inspecting apparatus using the device, and method for calibrating surface inspecting apparatus using the device
JP2013057680A (en) * 2012-11-16 2013-03-28 Hitachi High-Technologies Corp Inspection device, and adjusting method of inspection device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006194754A (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd Substrate inspection device and method
JP4626975B2 (en) * 2005-01-14 2011-02-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ Substrate inspection apparatus and substrate inspection method
WO2010016386A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 株式会社 日立ハイテクノロジーズ Light source device, surface inspecting apparatus using the device, and method for calibrating surface inspecting apparatus using the device
JP2010038849A (en) * 2008-08-08 2010-02-18 Hitachi High-Technologies Corp Light source device, surface inspection device using the same, and calibration method of surface inspection device using the same
US8743357B2 (en) 2008-08-08 2014-06-03 Hitachi High-Technologies Corporation Light source device, surface inspecting apparatus using the device, and method for calibrating surface inspecting apparatus using the device
US9157866B2 (en) 2008-08-08 2015-10-13 Hitachi High-Technologies Corporation Light source device, surface inspecting apparatus using the device, and method for calibrating surface inspecting apparatus using the device
JP2013057680A (en) * 2012-11-16 2013-03-28 Hitachi High-Technologies Corp Inspection device, and adjusting method of inspection device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005536732A (en) Apparatus and method for inspecting an object
JP4983591B2 (en) Optical inspection method and optical inspection apparatus
JP2007256273A (en) Foreign matter inspection method and foreign matter inspection device
JP2001147203A (en) Substrate inspecting apparatus
CN111610197B (en) Defect detection device and defect detection method
JP2008180578A (en) Cyclic pattern nonuniformity inspection device
JP4626764B2 (en) Foreign matter inspection apparatus and foreign matter inspection method
JP2000146537A5 (en)
JPH08338814A (en) Apparatus for detecting defect of film and manufacture for film
KR100768120B1 (en) Apparatus for defecting of panel
JP2850031B2 (en) Inspection method and inspection device for pattern members
JP2008076071A (en) Substrate inspecting device and substrate inspection method
JPH06130920A (en) Automatic adjusting device for liquid crystal display panel
JP2987007B2 (en) Foreign matter detection optical system of color filter
JP2002350284A (en) Method and device for inspecting liquid crystal display device
JP3266217B2 (en) Liquid crystal substrate foreign matter inspection device
JP2005024271A (en) Imaging control method and substrate-inspecting apparatus
JP5416868B2 (en) Substrate inspection method and substrate inspection apparatus
JP2006018054A (en) Mask inspection apparatus and mask inspection method
JPH0526821A (en) Visual inspecting device
JP2007240627A (en) Adjustment device for liquid crystal display device
JPH02110306A (en) Detection of observation position and device therefor
JP2830430B2 (en) Foreign matter inspection device
JP2006266786A (en) Display inspection device for electro-optical device, and display inspection method
JPH06175096A (en) Correction method for liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050215

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20060516

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070816

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071106

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080520