JP2001143866A - Method of manufacturing electroluminescent element - Google Patents

Method of manufacturing electroluminescent element

Info

Publication number
JP2001143866A
JP2001143866A JP31965299A JP31965299A JP2001143866A JP 2001143866 A JP2001143866 A JP 2001143866A JP 31965299 A JP31965299 A JP 31965299A JP 31965299 A JP31965299 A JP 31965299A JP 2001143866 A JP2001143866 A JP 2001143866A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
substrate
pattern
display panel
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31965299A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihito Nakamura
明史 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP31965299A priority Critical patent/JP2001143866A/en
Publication of JP2001143866A publication Critical patent/JP2001143866A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electroluminescent element that can form an EL element, particularly an organic EL element in the fine pattern dimension and also provide a method capable of easily manufacturing a color display panel. SOLUTION: In a method of manufacturing an EL element, convex patterns 12 (or, recessed patterns) are formed, which correspondes to an organic EL element 3R and arrangement in the copying substrate (first substrate) 10. The organic EL device 3R is formed on the convex shape pattern (also, in the recessed patterns). The organic EL device 3R of the copying substrate 10 is copied on the substrate (the second substrate) 2. The pattern number of the organic EL element 3R copied on the substrate 2 can be formed by corresponding the convex patterns 12 of copying substrate 10 and form the organic EL device 3R of fine pattern dimension.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス(以下、単にELという。)素子の製造方法に
関し、特に素子パターンの微細化に好適で、カラーディ
スプレイパネルの製作に好適なEL素子の製造方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an electroluminescence (hereinafter, simply referred to as EL) element, and more particularly to a method for manufacturing an EL element which is suitable for miniaturization of an element pattern and suitable for manufacturing a color display panel. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的に、nmオーダからμmオーダの
範囲の厚さの薄膜の形成には真空蒸着法が使用されてい
る。図18は真空蒸着法を実現するための抵抗加熱型真
空蒸着装置の概略構成図である。図18に示すように、
真空蒸着装置は、真空容器100と、この真空容器10
0の内部下側に配設されたボート101とを備え、真空
容器100の内部上側にはボート101と対向して基板
103が配設されている。真空容器100は図示してい
ない真空排気装置に接続されており、この真空排気装置
により真空容器100の内部を薄膜の蒸着に必要な真空
に排気することができる。ボート101はタングステ
ン、モリブデン等の抵抗体で形成され、電流を流してボ
ート101を発熱させることにより、ボート101上の
蒸発材料102を加熱し蒸発させ、この蒸発粒子を基板
103上に成膜することができる。蒸着材料102に
は、真空蒸着される薄膜により、粉末やバルク等の形態
のものが使用されている。真空蒸着法においては、基板
103上に均一な膜厚で薄膜を形成することができる。
2. Description of the Related Art Generally, a vacuum evaporation method is used for forming a thin film having a thickness in the order of nm to μm. FIG. 18 is a schematic configuration diagram of a resistance heating type vacuum evaporation apparatus for realizing a vacuum evaporation method. As shown in FIG.
The vacuum evaporation apparatus includes a vacuum container 100 and the vacuum container 10.
And a boat 103 disposed below the inside of the vacuum vessel 100, and a substrate 103 is disposed above the inside of the vacuum vessel 100 so as to face the boat 101. The vacuum vessel 100 is connected to a vacuum exhaust device (not shown), and the inside of the vacuum vessel 100 can be evacuated to a vacuum required for depositing a thin film by the vacuum exhaust device. The boat 101 is formed of a resistor such as tungsten, molybdenum, or the like, and heats and evaporates the evaporating material 102 on the boat 101 by applying a current to cause the boat 101 to generate heat. be able to. As the vapor deposition material 102, a thin film to be vacuum-deposited, such as a powder or a bulk, is used. In the vacuum evaporation method, a thin film having a uniform thickness can be formed over the substrate 103.

【0003】また、基板103上に形成された薄膜はフ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により所定形
状に加工することができる。図19(A)乃至図19
(E)は薄膜のエッチング加工を説明するための工程断
面図である。
Further, a thin film formed on the substrate 103 can be processed into a predetermined shape by a photolithography technique and an etching technique. 19 (A) to 19
(E) is a process sectional view for explaining the etching of the thin film.

【0004】まず初めに、図19(A)に示すように、
表面上に薄膜104が形成された基板103を用意す
る。次に、図19(B)に示すように、薄膜104上に
フォトレジスト膜105を形成する。フォトレジスト膜
105は回転塗布法により一様に均一な膜厚で形成され
ている。
First, as shown in FIG. 19A,
A substrate 103 having a thin film 104 formed on its surface is prepared. Next, as shown in FIG. 19B, a photoresist film 105 is formed on the thin film 104. The photoresist film 105 is formed with a uniform thickness by a spin coating method.

【0005】引き続き、露光処理によりフォトレジスト
膜105に所定形状の潜像を形成し、図19(C)に示
すように、現像処理を行うことによりフォトレジスト膜
105からエッチングマスク105Mを形成する。この
エッチングマスク105Mを用いて薄膜104にエッチ
ングを行うことにより、図19(D)に示すように、薄
膜104にパターンニングを行うことができる。エッチ
ングには、リアクティブイオンエッチング、イオンビー
ムエッチング、ウエットエッチング等のエッチングを実
用的に使用することができる。そして、図19(E)に
示すように、エッチングマスク105Mを有機溶剤等で
選択的に除去することにより、このエッチング加工は終
了する。
Subsequently, a latent image having a predetermined shape is formed on the photoresist film 105 by an exposure process, and as shown in FIG. 19C, an etching mask 105M is formed from the photoresist film 105 by performing a development process. By etching the thin film 104 using the etching mask 105M, the thin film 104 can be patterned as shown in FIG. Etching such as reactive ion etching, ion beam etching, and wet etching can be practically used for the etching. Then, as shown in FIG. 19E, the etching process is completed by selectively removing the etching mask 105M with an organic solvent or the like.

【0006】前述のフォトリソグラフィ技術並びにエッ
チング技術によりパターンニング可能な薄膜材料は耐水
性及び耐溶剤性を少なくとも備えている必要があること
から、有機EL素子のような有機材料はフォトリソグラ
フィ技術並びにエッチング技術を利用したパターンニン
グを行うことができない。従って、有機EL素子の形成
には、真空蒸着法が一般的に利用されている。
Since a thin film material that can be patterned by the above-described photolithography technique and etching technique needs to have at least water resistance and solvent resistance, an organic material such as an organic EL element is used for photolithography technique and etching. Patterning using technology cannot be performed. Therefore, a vacuum evaporation method is generally used for forming an organic EL element.

【0007】図20は有機EL素子を形成するために使
用される抵抗加熱型真空蒸着装置の概略構成図である。
図20に示す真空蒸着装置は真空容器100内部におい
てボート101と基板103との間にパターン形成用マ
スク110を配設し、有機材料111を加熱し蒸着させ
た蒸着粒子がパターン形成用マスク110の開口110
Hの形状に応じて基板103上に付着し、この開口11
0Hの形状に応じたパターンを有する有機EL素子の薄
膜112を基板103上に形成することができる。
FIG. 20 is a schematic configuration diagram of a resistance heating type vacuum evaporation apparatus used for forming an organic EL element.
In the vacuum deposition apparatus shown in FIG. 20, a pattern forming mask 110 is disposed between a boat 101 and a substrate 103 inside a vacuum vessel 100, and vapor-deposited particles obtained by heating and depositing an organic material 111 form the pattern forming mask 110. Opening 110
H adheres to the substrate 103 according to the shape of H, and the opening 11
The organic EL element thin film 112 having a pattern corresponding to the shape of 0H can be formed over the substrate 103.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
図20に示す真空蒸着装置を使用した有機EL素子の製
造方法においては、以下の点について配慮がなされてい
なかった。
However, in the above-described method of manufacturing an organic EL device using the vacuum evaporation apparatus shown in FIG. 20, no consideration was given to the following points.

【0009】有機EL素子の薄膜112を形成するパタ
ーン形成用マスク110はステンレス鋼等の金属板で形
成されており、開口110Hはレーザ加工等により形成
されている。このパターン形成用マスク110は形状変
化を生じないように例えば数百μm程度の厚さを確保し
て機械的強度を高める必要があり、金属板の厚みに応じ
て開口110Hの加工寸法には限界がある。現状のレー
ザ加工技術においては、数百μmの開口寸法の開口11
0Hしか形成することができない。従って、nmオーダ
から数十μmオーダの微細パターンを有する有機EL素
子を製造することが非常に難しかった。
The pattern forming mask 110 for forming the thin film 112 of the organic EL element is formed of a metal plate such as stainless steel, and the opening 110H is formed by laser processing or the like. The pattern forming mask 110 needs to have a thickness of, for example, about several hundred μm to increase the mechanical strength so as not to cause a change in shape. There is. In the current laser processing technology, an opening 11 having an opening size of several hundred μm
Only 0H can be formed. Therefore, it has been very difficult to manufacture an organic EL device having a fine pattern on the order of nm to several tens of μm.

【0010】特開平10−321372号公報には、複
数の発光部を有する有機ELディスプレイパネル及びそ
の製造方法が開示されている。この公報に開示されてい
る有機ELディスプレイパネルは、基板と、基板の一面
側に形成された複数の第1電極と、第1電極の一部分を
露出させかつ他部分を覆うように基板の一面から突出し
て形成された複数の電気絶縁性の隔壁と、第1電極の露
出部分上に各々形成された有機EL媒体の層と、有機E
L媒体の層上に形成された複数の第2電極とを備え、隔
壁の突出上部に凹部を形成している。さらに、公報に開
示された有機ELディスプレイパネルの製造方法は、発
光層形成工程において、露出させた第1電極のうちの所
望の部分のみを露出させる複数の開口を有するマスクを
隔壁の突出上部に載置し、このマスクの開口を通じて有
機EL媒体を第1電極上に堆積させ、その後に既に堆積
された有機EL媒体以外の有機EL媒体が形成されてい
ない第1電極上に開口が配置されるようにマスクを移動
させ、このマスクの開口を通じて繰り返し有機EL媒体
を堆積する製造方法である。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-321372 discloses an organic EL display panel having a plurality of light-emitting portions and a method of manufacturing the same. The organic EL display panel disclosed in this publication includes a substrate, a plurality of first electrodes formed on one surface side of the substrate, and a first electrode exposed from one surface of the substrate so as to expose a part of the first electrode and cover another part. A plurality of electrically insulating barrier ribs formed so as to protrude, a layer of an organic EL medium formed on an exposed portion of the first electrode,
A plurality of second electrodes formed on the layer of the L medium, and a concave portion is formed on a protruding upper portion of the partition. Further, in the method for manufacturing an organic EL display panel disclosed in the publication, in the light emitting layer forming step, a mask having a plurality of openings exposing only a desired portion of the exposed first electrode is formed on the protruding upper part of the partition wall. The organic EL medium is deposited on the first electrode through the opening of the mask, and then the opening is arranged on the first electrode on which the organic EL medium other than the organic EL medium already deposited is not formed. In this manufacturing method, the mask is moved as described above, and the organic EL medium is repeatedly deposited through the openings of the mask.

【0011】しかしながら、上記公報に開示された有機
ELディスプレイパネル及びその製造方法においては、
有機EL媒体は根本的に真空蒸着法で形成する必要があ
るので、前述のように有機EL媒体のパターン寸法は数
百μm程度になり、微細パターンを有する有機EL媒体
を製造することが非常に難しかった。
However, in the organic EL display panel and the manufacturing method disclosed in the above publication,
Since the organic EL medium basically needs to be formed by a vacuum evaporation method, the pattern size of the organic EL medium is about several hundred μm as described above, and it is very difficult to manufacture an organic EL medium having a fine pattern. was difficult.

【0012】また、上記公報に開示された有機ELディ
スプレイパネルの製造方法を利用して、有機EL媒体に
代えて無機EL媒体を形成する場合には、フォトリソグ
ラフィ技術並びにエッチング技術を使用することができ
るので、nmオーダからμmオーダのパターン寸法で無
機EL媒体を形成することが可能である。しかしなが
ら、現時点において実用的に使用することができる青色
の無機EL媒体が存在しないので、無機EL媒体を使用
してカラーディスプレイパネルを製作することができな
かった。
In the case where an inorganic EL medium is formed instead of an organic EL medium by utilizing the method for manufacturing an organic EL display panel disclosed in the above publication, photolithography and etching techniques may be used. Therefore, it is possible to form an inorganic EL medium with a pattern size on the order of nm to μm. However, since there is no blue inorganic EL medium that can be practically used at present, a color display panel cannot be manufactured using the inorganic EL medium.

【0013】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものである。従って、本発明の目的は、EL素子特に
有機EL素子を微細パターン寸法で形成することができ
るEL素子の製造方法を提供することである。
The present invention has been made to solve the above problems. Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an EL element, which can form an EL element, particularly an organic EL element, with a fine pattern size.

【0014】さらに、本発明の目的は、EL素子を微細
パターン寸法で形成するとともに、カラーディスプレイ
パネルを容易に製作することができるEL素子の製造方
法を提供することである。
It is a further object of the present invention to provide a method of manufacturing an EL element which can form an EL element with a fine pattern size and can easily manufacture a color display panel.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第1の特徴は、第1の基板上にEL素子の
形状及び配置に対応させた凸状パターンを形成する工程
と、第1の基板の凸状パターン上にEL素子を形成する
工程と、第1の基板のEL素子を第2の基板上に転写す
る工程とを備えたEL素子の製造方法としたことであ
る。ここで、「第1の基板上の凸状パターン」とは、第
1の基板の表面に直接形成された凸状パターン、第1の
基板の表面上に形成された薄膜表面若しくは他の基板表
面に形成された凸状パターンのいずれも含む意味で使用
される。さらに、「凸状パターン」とは、第1の基板上
の一部の周囲を取り除いて形成される凸状パターン、第
1の基板上の一部に突起物(例えば、薄膜)を加えて形
成される凸状パターンのいずれも含む意味で使用され
る。「第2の基板上」とは、「第1の基板上」と同様
に、第2の基板の表面、第2の基板の表面上に形成され
た薄膜表面若しくは他の基板表面のいずれも含む意味で
使用される。
In order to solve the above problems, a first feature of the present invention is to form a convex pattern corresponding to the shape and arrangement of EL elements on a first substrate. A method of manufacturing an EL element, comprising: a step of forming an EL element on a convex pattern of a first substrate; and a step of transferring the EL element of the first substrate onto a second substrate. . Here, the “convex pattern on the first substrate” means a convex pattern directly formed on the surface of the first substrate, a thin film surface formed on the surface of the first substrate, or the surface of another substrate. Is used to mean any of the convex patterns formed on the substrate. Further, the “convex pattern” refers to a convex pattern formed by removing a part of the periphery of the first substrate, and a projection (for example, a thin film) added to a part of the first substrate. It is used to mean any of the convex patterns to be formed. “On the second substrate” includes, similarly to “on the first substrate”, any of the surface of the second substrate, the surface of a thin film formed on the surface of the second substrate, or the surface of another substrate. Used in a meaning.

【0016】このような本発明の第1の特徴に係るEL
素子の製造方法においては、第1の基板上の凸状パター
ン上に形成されたEL素子を第2の基板上に転写するよ
うにしたので、第1の基板上の凸状パターンの加工寸法
精度に応じたEL素子を第2の基板上に形成することが
できる。凸状パターンの高さは例えばEL素子の厚さと
同等か又はそれよりも若干高い程度で凸状パターン上に
EL素子を形成することができ、しかも凸状パターンは
例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利
用して形成することができるので、凸状パターン自体を
微細パターンで形成することができ、この結果、微細な
パターンのEL素子を形成することができる。さらに、
微細なパターンの赤色、緑色、青色の各色の有機EL素
子を第2の基板上に転写することができるので、有機E
L素子を使用したカラーディスプレイパネルの製作を容
易に行うことができる。
The EL according to the first aspect of the present invention.
In the element manufacturing method, since the EL element formed on the convex pattern on the first substrate is transferred onto the second substrate, the processing dimensional accuracy of the convex pattern on the first substrate is adjusted. Can be formed on the second substrate. For example, the height of the convex pattern can be equal to or slightly higher than the thickness of the EL element, and the EL element can be formed on the convex pattern. Since the convex pattern itself can be formed in a fine pattern, an EL element having a fine pattern can be formed. further,
Since organic EL elements of each of red, green, and blue in a fine pattern can be transferred onto the second substrate,
A color display panel using the L element can be easily manufactured.

【0017】本発明の第2の特徴は、第1の基板上にE
L素子の形状及び配置に対応させた凹状パターンを形成
する工程と、第1の基板の凹状パターン内にEL素子を
形成する工程と、第1の基板のEL素子を第2の基板上
に転写する工程とを備えたEL素子の製造方法としたこ
とである。ここで、「第2の基板上の凹状パターン」と
は、第1の基板の表面に直接形成された凹状パターン、
第1の基板の表面上に形成された薄膜表面若しくは他の
基板表面に形成された凹状パターンのいずれも含む意味
で使用される。さらに、「凹状パターン」とは、第1の
基板上の一部を取り除いて形成される凹状パターン、第
1の基板上の一部の周囲に突起物(例えば、薄膜)を加
えて形成される凹状パターンのいずれも含む意味で使用
される。「第2の基板上」とは、「第1の基板上」と同
様に、第2の基板の表面、第2の基板の表面上に形成さ
れた薄膜表面若しくは他の基板表面のいずれも含む意味
で使用される。
A second feature of the present invention is that an E is provided on a first substrate.
A step of forming a concave pattern corresponding to the shape and arrangement of the L element, a step of forming an EL element in the concave pattern of the first substrate, and transferring the EL element of the first substrate to the second substrate And a method of manufacturing an EL element. Here, the “concave pattern on the second substrate” is a concave pattern directly formed on the surface of the first substrate,
It is used to include both the surface of the thin film formed on the surface of the first substrate and the concave pattern formed on the surface of another substrate. Further, the “concave pattern” is a concave pattern formed by removing a part on the first substrate, and formed by adding a protrusion (for example, a thin film) around a part on the first substrate. It is used to mean any of the concave patterns. “On the second substrate” includes, similarly to “on the first substrate”, any of the surface of the second substrate, the surface of a thin film formed on the surface of the second substrate, or the surface of another substrate. Used in a meaning.

【0018】このような本発明の第2の特徴に係るEL
素子の製造方法においては、第1の基板上の凹状パター
ン内に形成されたEL素子を第2の基板上に転写するよ
うにしたので、第1の基板上の凹状パターンの加工寸法
精度に応じたEL素子を第2の基板上に形成することが
できる。凹状パターンの深さは例えばEL素子の厚さと
同等か又はそれよりも若干深い程度で凹状パターン内に
EL素子を形成することができ、しかも凹状パターンは
例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利
用して形成することができるので、凹状パターン自体を
微細パターンで形成することができ、この結果、微細な
パターンのEL素子を形成することができる。さらに、
微細なパターンの赤色、緑色、青色の各色の有機EL素
子を第2の基板上に転写することができるので、有機E
L素子を使用したカラーディスプレイパネルの製作を容
易に行うことができる。
Such an EL according to the second feature of the present invention.
In the element manufacturing method, the EL element formed in the concave pattern on the first substrate is transferred onto the second substrate. Therefore, the EL element is formed according to the processing dimensional accuracy of the concave pattern on the first substrate. The EL element can be formed on the second substrate. The depth of the concave pattern is, for example, equal to or slightly deeper than the thickness of the EL element, so that the EL element can be formed in the concave pattern, and the concave pattern is formed by using, for example, photolithography technology and etching technology. Since it can be formed, the concave pattern itself can be formed with a fine pattern, and as a result, an EL element having a fine pattern can be formed. further,
Since organic EL elements of each of red, green, and blue in a fine pattern can be transferred onto the second substrate,
A color display panel using the L element can be easily manufactured.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0020】(第1の実施の形態)図1(A)は本発明
の第1の実施の形態に係る有機ELディスプレイパネル
の断面図、図1(B)は本発明の第1の実施の形態に係
る有機ELディスプレイパネルを形成する有機EL素子
の拡大断面構造図である。
(First Embodiment) FIG. 1A is a sectional view of an organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged sectional structural view of an organic EL element forming an organic EL display panel according to the embodiment.

【0021】図1(A)に示すように、有機ELディス
プレイパネル1は、基板2と、基板2の表面上に配設さ
れた赤色の有機EL素子3R、緑色の有機EL素子3G
及び青色の有機EL素子3Bとを備えて構成されてい
る。この有機ELディスプレイパネル1においては、赤
色の有機EL素子3R、緑色の有機EL素子3G及び青
色の有機EL素子3Bを1組として複数組がライン状
に、又はマトリックス状に規則的に配設されている。
As shown in FIG. 1A, an organic EL display panel 1 includes a substrate 2, a red organic EL element 3R and a green organic EL element 3G disposed on the surface of the substrate 2.
And a blue organic EL element 3B. In the organic EL display panel 1, a plurality of sets of a red organic EL element 3R, a green organic EL element 3G, and a blue organic EL element 3B are regularly arranged in a line or in a matrix. ing.

【0022】基板2には例えば単結晶シリコン(Si)
基板を実用的に使用することができる。なお、基板2は
本発明に係る「第2の基板」の一具体例に対応するもの
である。
The substrate 2 is made of, for example, single crystal silicon (Si)
The substrate can be used practically. Note that the substrate 2 corresponds to a specific example of the “second substrate” according to the present invention.

【0023】図1(B)に示すように、有機EL素子3
R、3G、3Bは、いずれも、基板2の表面上に配設さ
れカソード電極として使用される第1の電極31と、第
1の電極31上の電子輸送層32と、電子輸送層32上
の正孔輸送層33と、正孔輸送層33上に配設されアノ
ード電極として使用される第2の電極34とを備えて構
成されている。電子輸送層32及び正孔輸送層33は有
機材料で形成されており、本発明の第1の実施の形態に
おいては第1の電極31、電子輸送層32、正孔輸送層
33及び第2の電極34を含めて有機EL素子3R、3
G又は3Bと定義しその説明を行うが、実効的には有機
EL素子は電子輸送層32及び正孔輸送層33を備えて
いればよい。有機EL素子3R、3G、3Bはいずれも
本発明に係る「EL素子」の一具体例に対応するもので
ある。
As shown in FIG. 1B, the organic EL element 3
R, 3G, and 3B each include a first electrode 31 disposed on the surface of the substrate 2 and used as a cathode electrode; an electron transport layer 32 on the first electrode 31; , And a second electrode 34 disposed on the hole transport layer 33 and used as an anode electrode. The electron transport layer 32 and the hole transport layer 33 are formed of an organic material. In the first embodiment of the present invention, the first electrode 31, the electron transport layer 32, the hole transport layer 33, and the second The organic EL elements 3R, 3
The definition is made as G or 3B, and the explanation will be made. However, in practice, the organic EL element only needs to include the electron transport layer 32 and the hole transport layer 33. Each of the organic EL elements 3R, 3G, and 3B corresponds to a specific example of the “EL element” according to the present invention.

【0024】第1の電極31には例えばアルミニウム
(Al)膜を実用的に使用することができる。アルミニ
ウム膜は例えば100nmの膜厚で形成することができ
る。
For the first electrode 31, for example, an aluminum (Al) film can be practically used. The aluminum film can be formed with a thickness of, for example, 100 nm.

【0025】電子輸送層32には例えばアルミキノリノ
ール錯体(Alq)膜を実用的に使用することができ
る。アルミキノリノール錯体膜は例えば50nmの膜厚
で形成することができる。
For the electron transport layer 32, for example, an aluminum quinolinol complex (Alq 3 ) film can be practically used. The aluminum quinolinol complex film can be formed with a thickness of, for example, 50 nm.

【0026】正孔輸送層33には例えばトリフェニルジ
アミン(TPD)膜を実用的に使用することができる。
トリフェニルジアミン膜は例えば80nmの膜厚で形成
することができる。また、正孔輸送層33には、ナフチ
ル置換基を持つ芳香族アミン(α−NPD)膜、銅フタ
ロシアニン(CuPc)膜、スターバーストアミン(M
TDATA)膜等を実用的に使用するこができる。
For the hole transport layer 33, for example, a triphenyldiamine (TPD) film can be practically used.
The triphenyldiamine film can be formed with a thickness of, for example, 80 nm. The hole transport layer 33 includes an aromatic amine (α-NPD) film having a naphthyl substituent, a copper phthalocyanine (CuPc) film, and a starburst amine (M
TDATA) film or the like can be used practically.

【0027】第2の電極34には例えば酸化インジウム
錫合金(ITO)膜を実用的に使用することができる。
酸化インジウム錫合金膜は例えば100nmの膜厚で形
成することができる。
For the second electrode 34, for example, an indium tin oxide (ITO) film can be practically used.
The indium tin oxide alloy film can be formed with a thickness of, for example, 100 nm.

【0028】そして、有機EL素子3R、3G、3Bの
それぞれの平面パターン寸法(最小加工寸法)は、後述
する製造方法により数nm〜数十μmの範囲の微細な寸
法で形成されている。
The plane pattern size (minimum processing size) of each of the organic EL elements 3R, 3G, 3B is formed to a fine size in the range of several nm to several tens μm by a manufacturing method described later.

【0029】次に、上記有機EL素子3R、3G、3B
及び有機ELディスプレイパネル1の製造方法を説明す
る。図2乃至図7は本発明の第1の実施の形態に係る有
機EL素子3R、3G、3B及び有機ELディスプレイ
パネル1の工程断面図である。
Next, the organic EL elements 3R, 3G, 3B
A method for manufacturing the organic EL display panel 1 will be described. 2 to 7 are process sectional views of the organic EL elements 3R, 3G, 3B and the organic EL display panel 1 according to the first embodiment of the present invention.

【0030】(1)まず、図2に示すように、転写基板
10を準備する。この転写基板10には単結晶シリコン
基板を実用的に使用することができる。この転写基板1
0は本発明に係る「第1の基板」の一具体例に対応する
ものである。
(1) First, as shown in FIG. 2, a transfer substrate 10 is prepared. As the transfer substrate 10, a single crystal silicon substrate can be practically used. This transfer substrate 1
0 corresponds to a specific example of the “first substrate” according to the present invention.

【0031】(2)転写基板10の表面上に回転塗布法
によりフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト
膜に露光処理、現像処理、洗浄処理等を順次行い、EL
素子形成領域を覆いその他の領域が開口されたエッチン
グマスク11をフォトレジスト膜から形成する(図3参
照。)。すなわち、エッチングマスク11は、フォトリ
ソグラフィ技術により形成することができ、EL素子の
形状及び配置に応じて形成される。
(2) A photoresist film is formed on the surface of the transfer substrate 10 by a spin coating method, and the photoresist film is sequentially subjected to an exposure process, a development process, a cleaning process, and the like.
An etching mask 11 covering the element formation region and having other regions opened is formed from a photoresist film (see FIG. 3). That is, the etching mask 11 can be formed by a photolithography technique, and is formed according to the shape and arrangement of the EL element.

【0032】(3)図3に示すように、エッチングマス
ク11を使用し、転写基板10の表面のEL素子形成領
域(一部)の周囲をエッチングにより取り除き、EL素
子形成領域が島領域となるような凸状パターン12を形
成する。本発明の第1の実施の形態において、エッチン
グには、リアクティブイオンエッチング、レーザビーム
エッチング、イオンビームエッチング、スパッタエッチ
ング等の異方性の強いエッチングが使用されている。ま
た、エッチングには等方性のウエットエッチングを使用
することができる。すなわち、化学的又は物理的に転写
基板10の表面を取り除くことができれば、様々な種類
のエッチングを使用することができる。
(3) As shown in FIG. 3, using the etching mask 11, the periphery of the EL element formation region (part) on the surface of the transfer substrate 10 is removed by etching, and the EL element formation region becomes an island region. Such a convex pattern 12 is formed. In the first embodiment of the present invention, highly anisotropic etching such as reactive ion etching, laser beam etching, ion beam etching, and sputter etching is used for etching. In addition, isotropic wet etching can be used for the etching. That is, as long as the surface of the transfer substrate 10 can be chemically or physically removed, various types of etching can be used.

【0033】凸状パターン12の高さ(エッチング深
さ)は、この凸状パターン12上に形成されるEL素子
形成層と、凸状パターン12の周囲に形成されるEL素
子形成層との間で分離を確実に行うことができ、凸状パ
ターン12上にEL素子を形成することができる程度、
例えば有機EL素子3R、3G、3Bのそれぞれの厚さ
と同等か、又はそれ以上の寸法で形成されている。この
程度の凸状パターン12の高さであれば、凸状パターン
12の平面的なパターン寸法を数nmオーダ〜数十μm
オーダで容易に形成することができる。
The height (etching depth) of the convex pattern 12 is set between the EL element forming layer formed on the convex pattern 12 and the EL element forming layer formed around the convex pattern 12. To the extent that the EL element can be formed on the convex pattern 12.
For example, the organic EL elements 3R, 3G, and 3B are formed with dimensions equal to or greater than the respective thicknesses. If the height of the convex pattern 12 is about this level, the planar pattern dimension of the convex pattern 12 is on the order of several nm to several tens μm.
It can be easily formed on the order.

【0034】なお、凸状パターン12は本発明に係る
「凸状パターン」の一具体例に対応するものである。ま
た、1つの凸状パターン12の幅は1つの有機EL素子
3R、3G又は3Bの幅と対応しており、隣り合う凸状
パターン12の間の間隔はほぼ2つ分の有機EL素子の
幅に相当している。
The convex pattern 12 corresponds to a specific example of the "convex pattern" according to the present invention. The width of one convex pattern 12 corresponds to the width of one organic EL element 3R, 3G or 3B, and the interval between adjacent convex patterns 12 is the width of almost two organic EL elements. Is equivalent to

【0035】(4)エッチングマスク11を除去した
後、図4に示すように、転写基板10の表面上の全面に
EL素子形成層3を形成する。この製造方法の説明にお
いては、赤色の有機EL素子3RのEL素子形成層3と
して説明するが、緑色の有機EL素子3G、青色の有機
EL素子3Bのそれぞれについても基本的には同様の製
造方法で形成することができるので、ここでの説明は省
略する。
(4) After removing the etching mask 11, the EL element forming layer 3 is formed on the entire surface of the transfer substrate 10 as shown in FIG. In the description of this manufacturing method, the description will be made as the EL element forming layer 3 of the red organic EL element 3R, but basically the same manufacturing method is applied to each of the green organic EL element 3G and the blue organic EL element 3B. Therefore, the description is omitted here.

【0036】EL素子形成層3は、最終的には前述の図
1(B)に示す有機EL素子3Rの層構造になるよう
に、転写基板10の表面上に逆順序で形成する。すなわ
ち、まず最初に転写基板10の表面上に第2の電極34
を形成し、この第2の電極34上に正孔輸送層33を形
成し、この正孔輸送層33上に電子輸送層32を形成
し、最後に正孔輸送層32上に第1の電極31を形成す
る。第2の電極34は例えばスパッタリング法により転
送基板10の全面に形成される。正孔輸送層33は第2
の電極34の全面に例えば真空蒸着法により形成され
る。電子輸送層32は正孔輸送層33の全面に例えば真
空蒸着法により形成される。正孔輸送層33、電子輸送
層32の形成にはいずれも真空蒸着法が使用されている
が、図20に示す従来技術で説明したパターン形成用マ
スク110は本発明の第1の実施の形態に係る製造方法
において必要がない。第1の電極31は電子輸送層32
の全面に例えばスパッタリング法により形成される。
The EL element forming layer 3 is formed on the surface of the transfer substrate 10 in the reverse order so that the layer structure of the organic EL element 3R shown in FIG. 1B is finally obtained. That is, first, the second electrode 34 is formed on the surface of the transfer substrate 10.
Is formed, a hole transport layer 33 is formed on the second electrode 34, an electron transport layer 32 is formed on the hole transport layer 33, and finally, a first electrode is formed on the hole transport layer 32. 31 are formed. The second electrode 34 is formed on the entire surface of the transfer substrate 10 by, for example, a sputtering method. The hole transport layer 33 is the second
Is formed on the entire surface of the electrode 34 by, for example, a vacuum evaporation method. The electron transport layer 32 is formed on the entire surface of the hole transport layer 33 by, for example, a vacuum deposition method. A vacuum evaporation method is used for forming both the hole transport layer 33 and the electron transport layer 32. The mask 110 for pattern formation described in the prior art shown in FIG. 20 is the same as the first embodiment of the present invention. Is unnecessary in the manufacturing method according to the above. The first electrode 31 is an electron transport layer 32
Is formed over the entire surface by, for example, a sputtering method.

【0037】このEL素子形成層3から凸状パターン1
2上において有機EL素子3Rを形成することができ、
有機EL素子3Rは凸状パターン12の平面パターン寸
法に対応した微細なパターン寸法(実質的に凸状パター
ン12の平面パターン寸法と同一のパターン寸法)で形
成することができる。さらに、凸状パターン12の周囲
に形成されるEL素子形成層3は有機EL素子3Rとし
ては不要な有機EL素子層3R’として形成され、不要
な有機EL素子層3R’は凸状パターン12間の凹状パ
ターンに取り込まれるので、凸状パターン12上にのみ
有機EL素子3Rを選択的に形成することができる。有
機EL素子3Rと不要な有機EL素子層3R’との間
は、凸状パターン12の段差形状により、ほぼ確実に分
離されている。
From the EL element forming layer 3, the convex pattern 1
2, an organic EL element 3R can be formed on
The organic EL element 3R can be formed with a fine pattern dimension (substantially the same pattern dimension as the planar pattern dimension of the convex pattern 12) corresponding to the planar pattern dimension of the convex pattern 12. Further, the EL element forming layer 3 formed around the convex pattern 12 is formed as an unnecessary organic EL element layer 3R 'as the organic EL element 3R, and the unnecessary organic EL element layer 3R' The organic EL element 3 </ b> R can be selectively formed only on the convex pattern 12. The step between the organic EL element 3R and the unnecessary organic EL element layer 3R ′ is almost certainly separated by the step shape of the convex pattern 12.

【0038】(5)次に、基板2を準備し、図5に示す
ように、転写基板10を反転させてこの転写基板10の
表面と基板2の表面とを向かい合わせる。
(5) Next, the substrate 2 is prepared, and as shown in FIG. 5, the transfer substrate 10 is turned over and the surface of the transfer substrate 10 and the surface of the substrate 2 face each other.

【0039】(6)図6に示すように、基板2の表面上
に転写基板10の有機EL素子3Rを密着させ、有機E
L素子3Rを転写基板10から基板2の表面に転写す
る。転写は適度な時間の範囲内において適度な圧力を加
えることにより行われる。この際、転写基板10上の凸
状パターン12間に形成された不要な有機EL素子層3
R’と対向する基板2上の部位に空間Kが形成されてい
るので、不要な有機EL素子層3R’は基板2上には転
写されることがない。
(6) As shown in FIG. 6, the organic EL element 3R of the transfer substrate 10 is brought into close contact with the surface of the substrate 2,
The L element 3R is transferred from the transfer substrate 10 to the surface of the substrate 2. The transfer is performed by applying an appropriate pressure within an appropriate time. At this time, the unnecessary organic EL element layer 3 formed between the convex patterns 12 on the transfer substrate 10
Since the space K is formed at a position on the substrate 2 opposite to R ′, unnecessary organic EL element layers 3R ′ are not transferred onto the substrate 2.

【0040】(7)図7に示すように、基板2の表面か
ら転写基板10を取り除くことにより、赤色の有機EL
素子3Rが転写された基板2が完成する。図示しない
が、上記と同様の工程を緑色の有機EL素子3G、青色
の有機EL素子3Bのそれぞれに対して繰り返して転写
基板10を基板2上に位置決めして有機EL素子3G、
3Bを順次基板2上に転写することにより、本発明の第
1の実施の形態に係る有機ELディスプレイパネル1を
完成させることができる。
(7) As shown in FIG. 7, by removing the transfer substrate 10 from the surface of the substrate 2, a red organic EL
The substrate 2 to which the element 3R has been transferred is completed. Although not shown, the same process as described above is repeated for each of the green organic EL element 3G and the blue organic EL element 3B, and the transfer substrate 10 is positioned on the substrate 2 so that the organic EL element 3G,
By sequentially transferring 3B onto the substrate 2, the organic EL display panel 1 according to the first embodiment of the present invention can be completed.

【0041】以上説明したように、本発明の第1の実施
の形態に係る有機EL素子3R、3G及び3Bの製造方
法においては、転写基板10上に有機EL素子3R、3
G又は3Bの形状及び配置に対応させた凸状パターン1
2を形成する工程と、転写基板10の凸状パターン12
上に有機EL素子3R、3G又は3Bを形成する工程
と、転写基板10の有機EL素子3R、3G又は3BE
を基板2上に転写する工程とを備え、転写基板10上の
凸状パターン12上に形成された有機EL素子3R、3
G又は3Bを基板2上に転写するようにしたので、転写
基板10上の凸状パターン12の加工寸法精度に応じた
有機EL素子3R、3G又は3Bを基板2上に形成する
ことができる。凸状パターン12自体は前述のように微
細パターンで形成することができるので、微細なパター
ンの有機EL素子3R、3G又は3Bを形成することが
できる。さらに、微細なパターンの有機EL素子3R、
3G又は3Bを形成することができるので、これらの赤
色、緑色、青色の各色の有機EL素子3R、3G又は3
Bを基板2上に転写することでカラー有機ELディスプ
レイパネル1の製作を容易に行うことができる。
As described above, in the method of manufacturing the organic EL elements 3R, 3G, and 3B according to the first embodiment of the present invention, the organic EL elements 3R, 3G,
Convex pattern 1 corresponding to the shape and arrangement of G or 3B
2 and the convex pattern 12 of the transfer substrate 10.
Forming an organic EL element 3R, 3G or 3B thereon; and forming an organic EL element 3R, 3G or 3BE on the transfer substrate 10.
Transferring the organic EL elements 3R and 3R formed on the convex pattern 12 on the transfer substrate 10.
Since the G or 3B is transferred onto the substrate 2, the organic EL elements 3R, 3G or 3B can be formed on the substrate 2 according to the processing dimensional accuracy of the convex pattern 12 on the transfer substrate 10. Since the convex pattern 12 itself can be formed in a fine pattern as described above, the organic EL element 3R, 3G or 3B having a fine pattern can be formed. Furthermore, the organic EL element 3R having a fine pattern,
Since 3G or 3B can be formed, these red, green and blue organic EL elements 3R, 3G or 3
By transferring B onto the substrate 2, the color organic EL display panel 1 can be easily manufactured.

【0042】なお、本発明の第1の実施の形態において
は3色の場合について説明しているが、本発明は、これ
に限定されることなく、1色だけの場合にも適用するこ
とができる。
Although the first embodiment of the present invention has been described for a case of three colors, the present invention is not limited to this, and can be applied to a case of only one color. it can.

【0043】第1の変形例 図8は本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係る
有機EL素子及び有機ELディスプレイパネルの転写工
程の工程断面図である。図8に示すように、この有機E
L素子3R及び有機ELディスプレイパネル1の製造方
法は、転写基板10の表面とEL素子形成層3の少なく
とも有機EL素子3Rとの間に予め剥離層15を形成し
ておき、転写工程において転写基板10から有機EL素
子3Rを剥がれ易くしたものである。剥離層15には、
例えば転写基板10の単結晶シリコンとEL素子形成層
3の第2の電極(ITO)34との間を剥がれ易くでき
る金(Au)薄膜を実用的に使用することができる。金
薄膜は例えば蒸着法により成膜することができる。
First Modification FIG. 8 is a sectional view showing a step of transferring an organic EL element and an organic EL display panel according to a first modification of the first embodiment of the present invention. As shown in FIG.
In the method for manufacturing the L element 3R and the organic EL display panel 1, a release layer 15 is previously formed between the surface of the transfer substrate 10 and at least the organic EL element 3R of the EL element forming layer 3, and the transfer substrate is formed in the transfer step. 10, the organic EL element 3R is easily peeled off. In the release layer 15,
For example, a gold (Au) thin film that can easily separate the single crystal silicon of the transfer substrate 10 from the second electrode (ITO) 34 of the EL element formation layer 3 can be used practically. The gold thin film can be formed by, for example, an evaporation method.

【0044】第2の変形例 図9は本発明の第1の実施の形態の第2の変形例に係る
有機EL素子及び有機ELディスプレイパネルの転写工
程の工程断面図である。図9に示すように、この有機E
L素子3R及び有機ELディスプレイパネル1の製造方
法は、基板2の表面(又は少なくともEL素子形成層3
の第2の電極(ITO)34の表面)に予め接着層16
を形成しておき、転写工程において有機EL素子3Rと
基板2との間の接着性を高めて、転写基板10から有機
EL素子3Rを剥がれ易くしたものである。接着層16
には、接着性があることは勿論であるが、さらに弾力性
があり、電極材料を兼ねることができる、例えばクロム
(Cr)薄膜上に金薄膜を重ね合わせた複合層を実用的
に使用することができる。クロム薄膜は例えばスパッタ
リング法により成膜し、金薄膜は上記のように例えば蒸
着法により成膜することができる。
Second Modification FIG. 9 is a sectional view showing a step of transferring an organic EL element and an organic EL display panel according to a second modification of the first embodiment of the present invention. As shown in FIG.
The method for manufacturing the L element 3R and the organic EL display panel 1 is based on the method of manufacturing the surface of the substrate 2 (or at least the EL element forming layer 3).
Of the second electrode (the surface of the ITO) 34).
Is formed, the adhesiveness between the organic EL element 3R and the substrate 2 is increased in the transfer step, and the organic EL element 3R is easily peeled off from the transfer substrate 10. Adhesive layer 16
Is practically a composite layer in which a gold thin film is superimposed on a chromium (Cr) thin film, which has not only an adhesive property but also elasticity and can also serve as an electrode material. be able to. The chromium thin film can be formed by, for example, a sputtering method, and the gold thin film can be formed by, for example, an evaporation method as described above.

【0045】第3の変形例 図10は本発明の第1の実施の形態の第3の変形例に係
る有機EL素子及び有機ELディスプレイパネルの転写
工程の工程断面図である。図10に示すように、この有
機EL素子3R及び有機ELディスプレイパネル1の製
造方法は、転写工程において、転写基板10から有機E
L素子3Rを剥がれ易くし、有機EL素子3Rと基板2
との間の接着性を高めるように、加熱源17により加熱
したものである。加熱源17には例えばニクロム線ヒー
タを実用的に使用することができ、加熱源17は転写基
板10の裏面から加熱するようになっている。
Third Modification FIG. 10 is a sectional view showing a step of transferring an organic EL element and an organic EL display panel according to a third modification of the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 10, in the method of manufacturing the organic EL element 3R and the organic EL display panel 1, an organic EL element 3R and an organic EL display panel 1
The L element 3R is easily peeled off, and the organic EL element 3R and the substrate 2
Is heated by the heating source 17 so as to enhance the adhesiveness between them. For example, a nichrome wire heater can be practically used as the heating source 17, and the heating source 17 heats the back surface of the transfer substrate 10.

【0046】なお、この第3の変形例に係る有機EL素
子3R及び有機ELディスプレイパネル1の製造方法に
おいては、第1の変形例又は及び第2の変形例に係る有
機EL素子3R及び有機ELディスプレイパネル1の製
造方法を組み合わせることができる。
In the method for manufacturing the organic EL element 3R and the organic EL display panel 1 according to the third modification, the organic EL element 3R and the organic EL according to the first or second modification are used. The manufacturing methods of the display panel 1 can be combined.

【0047】(第2の実施の形態)本発明の第2の実施
の形態は、本発明の第1の実施の形態に係る有機EL素
子3R、3G、3B及び有機ELディスプレイパネル1
の製造方法において、転写基板10の凸状パターン12
に代えて凹状パターンを使用した例を説明するものであ
る。図11乃至図17は本発明の第2の実施の形態に係
る有機EL素子3R、3G、3B及び有機ELディスプ
レイパネル1の工程断面図である。
(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention relates to the organic EL elements 3R, 3G, 3B and the organic EL display panel 1 according to the first embodiment of the present invention.
In the manufacturing method, the convex pattern 12 of the transfer substrate 10 is
This is an example in which a concave pattern is used instead of. FIGS. 11 to 17 are sectional views showing steps of the organic EL elements 3R, 3G, 3B and the organic EL display panel 1 according to the second embodiment of the present invention.

【0048】(1)まず、図11に示すように、転写基
板20を準備する。本発明の第1の実施の形態に係る転
写基板10と同様に、この転写基板20には例えば単結
晶シリコン基板を実用的に使用することができる。この
転写基板20は本発明に係る「第1の基板」の一具体例
に対応するものである。
(1) First, as shown in FIG. 11, a transfer substrate 20 is prepared. As with the transfer substrate 10 according to the first embodiment of the present invention, for example, a single crystal silicon substrate can be practically used as the transfer substrate 20. The transfer substrate 20 corresponds to a specific example of the “first substrate” according to the present invention.

【0049】(2)転写基板20の表面上に回転塗布法
によりフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト
膜に露光処理、現像処理、洗浄処理等を順次行い、EL
素子形成領域の周囲を覆いEL素子形成領域が開口され
たエッチングマスク21をフォトレジスト膜から形成す
る(図12参照。)。すなわち、エッチングマスク21
はフォトリソグラフィ技術により形成することができ
る。
(2) A photoresist film is formed on the surface of the transfer substrate 20 by a spin coating method, and the photoresist film is sequentially subjected to an exposure process, a development process, a cleaning process, and the like.
An etching mask 21 covering the periphery of the element formation region and having an opening in the EL element formation region is formed from a photoresist film (see FIG. 12). That is, the etching mask 21
Can be formed by a photolithography technique.

【0050】(3)図12に示すように、エッチングマ
スク21を使用し、転写基板20の表面のEL素子形成
領域(一部)をエッチングにより取り除き、EL素子形
成領域が溝領域となるような凹状パターン22を形成す
る。本発明の第2の実施の形態において、エッチングに
は、本発明の第1の実施の形態に係るエッチングと同様
に、リアクティブイオンエッチング等のエッチングを使
用することができる。
(3) As shown in FIG. 12, using an etching mask 21, an EL element forming region (part) on the surface of the transfer substrate 20 is removed by etching, so that the EL element forming region becomes a groove region. A concave pattern 22 is formed. In the second embodiment of the present invention, etching such as reactive ion etching can be used for the etching as in the etching according to the first embodiment of the present invention.

【0051】凹状パターン22の深さ(エッチング深
さ)は、本発明の第1の実施の形態に係る凸状パターン
12と同様に、例えば有機EL素子3R、3G、3Bの
それぞれの厚さと同等か、又はそれ以上の寸法で形成さ
れている。この程度の凹状パターン22の深さであれ
ば、凹状パターン22の平面的なパターン寸法を数nm
オーダ〜数十μmオーダで容易に形成することができ
る。
The depth (etching depth) of the concave pattern 22 is, for example, equal to the thickness of each of the organic EL elements 3R, 3G, 3B, similarly to the convex pattern 12 according to the first embodiment of the present invention. Or larger dimensions. If the depth of the concave pattern 22 is this level, the planar pattern dimension of the concave pattern 22 may be several nm.
It can be easily formed on the order of several tens of μm.

【0052】なお、凹状パターン22は本発明に係る
「凹状パターン」の一具体例に対応するものである。
The concave pattern 22 corresponds to a specific example of the “concave pattern” according to the present invention.

【0053】(4)エッチングマスク21を除去した
後、図13に示すように、転写基板20の表面上の全面
にEL素子形成層3を形成する。このEL素子形成層3
の層構造は、本発明の第1の実施の形態に係るEL素子
形成層3の層構造と同様であるので、ここでの説明は省
略する。また、この製造方法の説明においては、本発明
の第1の実施の形態に係る製造方法の説明と同様に、赤
色の有機EL素子3RのEL素子形成層3として説明
し、緑色の有機EL素子3G、青色の有機EL素子3B
のそれぞれについての説明は省略する。
(4) After removing the etching mask 21, the EL element forming layer 3 is formed on the entire surface of the transfer substrate 20, as shown in FIG. This EL element forming layer 3
Is the same as the layer structure of the EL element forming layer 3 according to the first embodiment of the present invention, and the description is omitted here. Further, in the description of this manufacturing method, similarly to the description of the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, the description will be made as the EL element forming layer 3 of the red organic EL element 3R, and the green organic EL element will be described. 3G, blue organic EL element 3B
The description of each is omitted.

【0054】EL素子形成層3から凹状パターン22内
において有機EL素子3Rを形成することができ、有機
EL素子3Rは凹状パターン22の平面パターン寸法に
対応した微細なパターン寸法(実質的に凹状パターン2
2の平面パターン寸法と同一のパターン寸法)で形成す
ることができる。凹状パターン22の周囲に形成される
EL素子形成層3は有機EL素子3Rとしては不要な有
機EL素子層3R’として形成され、不要な有機EL素
子層3R’は凹状パターン22間の凸状パターン上に形
成されるので、凹状パターン22内にのみ有機EL素子
3Rを形成することができる。
The organic EL element 3R can be formed in the concave pattern 22 from the EL element forming layer 3. The organic EL element 3R has a fine pattern size (substantially concave pattern size) corresponding to the planar pattern size of the concave pattern 22. 2
2 (the same pattern dimension as the two-dimensional pattern dimension). The EL element forming layer 3 formed around the concave pattern 22 is formed as an unnecessary organic EL element layer 3R ′ as the organic EL element 3R, and the unnecessary organic EL element layer 3R ′ is a convex pattern between the concave patterns 22. Since it is formed on the upper side, the organic EL element 3R can be formed only in the concave pattern 22.

【0055】(5)図14に示すように、転写基板20
の表面に研磨処理を施し、凹状パターン22内の有機E
L素子3Rの表面を露出させる。この研磨処理には例え
ばケミカルメカニカルポリッシングを実用的に使用する
ことができる。研磨処理により、凹状パターン22の周
囲の不要な有機EL素子層3R’は取り除かれる。
(5) As shown in FIG. 14, the transfer substrate 20
Is subjected to a polishing treatment, and the organic E in the concave pattern 22 is polished.
The surface of the L element 3R is exposed. For this polishing treatment, for example, chemical mechanical polishing can be practically used. Unnecessary organic EL element layer 3R 'around the concave pattern 22 is removed by the polishing process.

【0056】なお、本発明の第2の実施の形態において
は、上記エッチングマスク21を残存させたまま、EL
素子形成層3を形成するようにしてもよい。この場合、
エッチングマスク21の膜厚に相当する分、凹状パター
ン22の深さを浅くすることができ、凹状パターン22
の内部に埋設された有機EL素子3Rの上部を転写基板
2の表面から突出させる(第1の電極31のみ突出させ
ることが好ましい。)ことができ、さらに後にエッチン
グマスク21を選択的に除去することでエッチングマス
ク21上の不要な有機EL素子層3R’も除去すること
ができるので、研磨処理をなくすことができる。
In the second embodiment of the present invention, while the etching mask 21 is left, the EL
The element forming layer 3 may be formed. in this case,
The depth of the concave pattern 22 can be reduced by an amount corresponding to the film thickness of the etching mask 21.
The upper part of the organic EL element 3R embedded in the substrate can be projected from the surface of the transfer substrate 2 (preferably, only the first electrode 31 is projected), and the etching mask 21 is selectively removed later. Thus, the unnecessary organic EL element layer 3R ′ on the etching mask 21 can also be removed, so that the polishing process can be eliminated.

【0057】(6)次に、基板2を準備し、図15に示
すように、転写基板20を反転させてこの転写基板20
の表面と基板2の表面とを向かい合わせる。
(6) Next, the substrate 2 is prepared, and the transfer substrate 20 is turned over as shown in FIG.
And the surface of the substrate 2 face each other.

【0058】(7)図16に示すように、基板2の表面
上に転写基板20の有機EL素子3Rを密着させ、有機
EL素子3Rを転写基板20から基板2の表面に転写す
る。転写は適度な時間範囲内において適度な圧力を加え
ることで行われる。
(7) As shown in FIG. 16, the organic EL element 3R of the transfer substrate 20 is brought into close contact with the surface of the substrate 2, and the organic EL element 3R is transferred from the transfer substrate 20 to the surface of the substrate 2. The transfer is performed by applying an appropriate pressure within an appropriate time range.

【0059】(8)図17に示すように、基板2の表面
から転写基板20を取り除くことにより、赤色の有機E
L素子3Rが転写された基板2が完成させることができ
る。図示しないが、引き続き、緑色の有機EL素子3
G、青色の有機EL素子3Bのそれぞれを形成すること
により、本発明の第2の実施の形態に係る有機ELディ
スプレイパネル1を完成させることができる。
(8) As shown in FIG. 17, by removing the transfer substrate 20 from the surface of the substrate 2, the red organic E
The substrate 2 to which the L element 3R has been transferred can be completed. Although not shown, the green organic EL element 3
The organic EL display panel 1 according to the second embodiment of the present invention can be completed by forming each of the G and blue organic EL elements 3B.

【0060】以上説明したように、本発明の第2の実施
の形態に係る有機EL素子3R、3G及び3Bの製造方
法においては、転写基板20上に有機EL素子3R、3
G又は3Bの形状及び配置に対応させた凹状パターン2
2を形成する工程と、転写基板20の凹状パターン22
内に有機EL素子3R、3G又は3Bを形成する工程
と、転写基板20の有機EL素子3R、3G又は3BE
を基板2上に転写する工程とを備え、転写基板20上の
凹状パターン22内に形成された有機EL素子3R、3
G又は3Bを基板2上に転写するようにしたので、転写
基板20上の凹状パターン22の加工寸法精度に応じた
有機EL素子3R、3G又は3Bを基板2上に形成する
ことができる。凹状パターン22自体は前述のように微
細パターンで形成することができるので、微細なパター
ンの有機EL素子3R、3G又は3Bを形成することが
できる。さらに、微細なパターンの有機EL素子3R、
3G又は3Bを形成することができるので、これらの赤
色、緑色、青色の各色の有機EL素子3R、3G又は3
Bを基板2上に転写することでカラー有機ELディスプ
レイパネル1の製作を容易に行うことができる。
As described above, in the method for manufacturing the organic EL elements 3R, 3G and 3B according to the second embodiment of the present invention, the organic EL elements 3R, 3G
Concave pattern 2 corresponding to the shape and arrangement of G or 3B
2 and the concave pattern 22 of the transfer substrate 20.
Forming the organic EL element 3R, 3G or 3B therein; and forming the organic EL element 3R, 3G or 3BE on the transfer substrate 20.
Transferring the organic EL elements 3R, 3R and 3R formed in the concave pattern 22 on the transfer substrate 20.
Since the G or 3B is transferred onto the substrate 2, the organic EL elements 3R, 3G or 3B can be formed on the substrate 2 according to the processing dimensional accuracy of the concave pattern 22 on the transfer substrate 20. Since the concave pattern 22 itself can be formed in a fine pattern as described above, the organic EL element 3R, 3G or 3B having a fine pattern can be formed. Furthermore, the organic EL element 3R having a fine pattern,
Since 3G or 3B can be formed, these red, green and blue organic EL elements 3R, 3G or 3
By transferring B onto the substrate 2, the color organic EL display panel 1 can be easily manufactured.

【0061】なお、本発明の第2の実施の形態に係る製
造方法においては、本発明の第1の実施の形態の第1の
変形例から第3の変形例に係る製造方法の少なくとも1
つを組み合わせることができる。
In the manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, at least one of the manufacturing methods according to the first to third modifications of the first embodiment of the present invention is used.
Can be combined.

【0062】(その他の実施の形態)本発明は上記複数
の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をな
す論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解
すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実
施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
(Other Embodiments) Although the present invention has been described with reference to the plurality of embodiments, it should not be understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples, and operation techniques will be apparent to those skilled in the art.

【0063】例えば、上記第1の実施の形態に係る製造
方法において、転写基板10の表面上に直接凸状パター
ン12を形成したが、本発明は、転写基板10の表面上
に例えば多結晶シリコン膜や酸化シリコン膜を形成し、
これらの膜に凸状パターンを形成してもよい。また、本
発明は、転写基板10の表面上に貼り合わせた他の基板
(例えば単結晶シリコン基板)に凸状パターンを形成し
てもよい。また、本発明は、転写基板10の表面上に例
えば多結晶シリコン膜の突起物を取り付け、この突起物
を凸状パターンとしてもよい。
For example, in the manufacturing method according to the first embodiment, the convex pattern 12 is formed directly on the surface of the transfer substrate 10. Forming a film or a silicon oxide film,
A convex pattern may be formed on these films. In the present invention, a convex pattern may be formed on another substrate (for example, a single crystal silicon substrate) bonded on the surface of the transfer substrate 10. Further, in the present invention, for example, a projection made of a polycrystalline silicon film may be attached on the surface of the transfer substrate 10, and the projection may be formed in a convex pattern.

【0064】同様に、第2の実施の形態に係る製造方法
において、転写基板20の表面上に直接凹状パターン2
2を形成したが、本発明は、転写基板20の表面上に例
えば多結晶シリコン膜や酸化シリコン膜を形成し、これ
らの膜に凹状パターンを形成してもよい。また、本発明
は、転写基板20の表面上に貼り合わせた他の基板に凹
状パターンを形成してもよい。また、本発明は、転写基
板20の表面上に例えば多結晶シリコン膜の突起物を取
り付け、この突起物に周囲を囲まれた凹状パターンを形
成してもよい。
Similarly, in the manufacturing method according to the second embodiment, the concave pattern 2 is directly formed on the surface of the transfer substrate 20.
However, in the present invention, for example, a polycrystalline silicon film or a silicon oxide film may be formed on the surface of the transfer substrate 20, and a concave pattern may be formed on these films. In the present invention, a concave pattern may be formed on another substrate bonded on the surface of the transfer substrate 20. Further, according to the present invention, for example, a projection made of, for example, a polycrystalline silicon film may be attached on the surface of the transfer substrate 20, and a concave pattern surrounded by the projection may be formed.

【0065】さらに、本発明は、基板2の表面上に形成
した薄膜の表面上に有機EL素子3R、3G又は3Bを
転写してもよい。さらに、本発明は、有機EL素子3
R、3G又は3Bの電子輸送層32及び正孔輸送層33
を少なくとも上記転写により形成し、第1の電極31、
第2の電極34の少なくとも一方を上記転写とは異なる
通常プロセスで形成してもよい。
Further, according to the present invention, the organic EL element 3R, 3G or 3B may be transferred onto the surface of the thin film formed on the surface of the substrate 2. Furthermore, the present invention relates to an organic EL device 3
R, 3G or 3B electron transport layer 32 and hole transport layer 33
Is formed by at least the above-described transfer, and the first electrode 31,
At least one of the second electrodes 34 may be formed by a normal process different from the above-described transfer.

【0066】さらに、本発明は、転写基板上の凹凸パタ
ーンのいずれかに選択的に形成された無機EL素子を基
板上に転写してもよい。
Further, in the present invention, the inorganic EL element selectively formed on any of the concavo-convex patterns on the transfer substrate may be transferred onto the substrate.

【0067】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。従っ
て、本発明の技術的範囲は上記の妥当な特許請求の範囲
に係る発明特定事項によってのみ定められるものであ
る。
As described above, the present invention naturally includes various embodiments and the like not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the appropriate claims.

【0068】[0068]

【発明の効果】本発明は、第1の基板の凹凸パターンを
利用してEL素子を凸状パターン上又は凹状パターン内
に形成し、このEL素子を第2の基板上に転写するよう
にしたので、EL素子特に有機EL素子を微細パターン
寸法で形成することができるEL素子の製造方法を提供
することができる。
According to the present invention, an EL element is formed on a convex pattern or in a concave pattern using a concave and convex pattern of a first substrate, and the EL element is transferred onto a second substrate. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing an EL element capable of forming an EL element, particularly, an organic EL element with a fine pattern dimension.

【0069】さらに、本発明は、赤色、緑色及び青色の
EL素子を微細パターン寸法で形成するとともに、この
EL素子を第2の基板上に配列することができるので、
カラーディスプレイパネルを容易に製作することができ
るEL素子の製造方法を提供することができる。
Furthermore, according to the present invention, since the red, green and blue EL elements can be formed with a fine pattern size and the EL elements can be arranged on the second substrate,
It is possible to provide a method for manufacturing an EL element that can easily manufacture a color display panel.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)は本発明の第1の実施の形態に係る有機
ELディスプレイパネルの断面図、(B)は本発明の第
1の実施の形態に係る有機ELディスプレイパネルを形
成する有機EL素子の拡大断面構造図である。
FIG. 1A is a cross-sectional view of an organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an organic EL display panel according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged sectional structural view of an EL element.

【図2】本発明の第1の実施の形態に係る有機EL素子
及び有機ELディスプレイパネルの工程断面図である。
FIG. 2 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel according to the first embodiment of the present invention.

【図3】図2に続く有機EL素子及び有機ELディスプ
レイパネルの工程断面図である。
FIG. 3 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel following FIG. 2;

【図4】図3に続く有機EL素子及び有機ELディスプ
レイパネルの工程断面図である。
FIG. 4 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel following FIG. 3;

【図5】図4に続く有機EL素子及び有機ELディスプ
レイパネルの工程断面図である。
5 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel following FIG. 4;

【図6】図5に続く有機EL素子及び有機ELディスプ
レイパネルの工程断面図である。
FIG. 6 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel following FIG. 5;

【図7】図6に続く有機EL素子及び有機ELディスプ
レイパネルの工程断面図である。
FIG. 7 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel following FIG. 6;

【図8】本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係
る有機EL素子及び有機ELディスプレイパネルの転写
工程の工程断面図である。
FIG. 8 is a process sectional view of a transfer process of an organic EL element and an organic EL display panel according to a first modification of the first embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第1の実施の形態の第2の変形例に係
る有機EL素子及び有機ELディスプレイパネルの転写
工程の工程断面図である。
FIG. 9 is a process cross-sectional view of a transfer process of an organic EL element and an organic EL display panel according to a second modification of the first embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第1の実施の形態の第3の変形例に
係る有機EL素子及び有機ELディスプレイパネルの転
写工程の工程断面図である。
FIG. 10 is a process cross-sectional view of a transfer process of an organic EL element and an organic EL display panel according to a third modification of the first embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2の実施の形態に係る有機EL素
子及び有機ELディスプレイパネルの工程断面図であ
る。
FIG. 11 is a process sectional view of an organic EL element and an organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.

【図12】図11に続く有機EL素子及び有機ELディ
スプレイパネルの工程断面図である。
FIG. 12 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel following FIG. 11;

【図13】図12に続く有機EL素子及び有機ELディ
スプレイパネルの工程断面図である。
FIG. 13 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel, following FIG. 12;

【図14】図13に続く有機EL素子及び有機ELディ
スプレイパネルの工程断面図である。
FIG. 14 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel, following FIG. 13;

【図15】図14に続く有機EL素子及び有機ELディ
スプレイパネルの工程断面図である。
15 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel, following FIG. 14;

【図16】図15に続く有機EL素子及び有機ELディ
スプレイパネルの工程断面図である。
FIG. 16 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel following FIG. 15;

【図17】図16に続く有機EL素子及び有機ELディ
スプレイパネルの工程断面図である。
FIG. 17 is a process sectional view of the organic EL element and the organic EL display panel following FIG. 16;

【図18】従来技術に係る真空蒸着法を実現するための
真空蒸着装置の概略構成図である。
FIG. 18 is a schematic configuration diagram of a vacuum evaporation apparatus for realizing a vacuum evaporation method according to a conventional technique.

【図19】(A)乃至(E)は従来技術に係る薄膜のエ
ッチング加工を説明するための工程断面図である。
FIGS. 19A to 19E are process cross-sectional views for explaining a conventional thin film etching process.

【図20】従来技術に係る有機EL素子の形成に使用さ
れる真空蒸着装置の概略構成図である。
FIG. 20 is a schematic configuration diagram of a vacuum evaporation apparatus used for forming an organic EL element according to a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 有機ELディスプレイパネル 2 基板(第2の基板) 3 EL素子形成層 3R,3G,3B 有機EL素子 31 第1の電極 32 電子輸送層 33 正孔輸送層 34 第2の電極 10,20 転写基板(第1の基板) 11,21 エッチングマスク 12 凸状パターン 22 凹状パターン 15 剥離層 16 接着層 17 加熱源 Reference Signs List 1 organic EL display panel 2 substrate (second substrate) 3 EL element forming layer 3R, 3G, 3B organic EL element 31 first electrode 32 electron transport layer 33 hole transport layer 34 second electrode 10, 20 transfer substrate (First substrate) 11, 21 Etching mask 12 Convex pattern 22 Concave pattern 15 Release layer 16 Adhesive layer 17 Heat source

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の基板上にエレクトロルミネッセン
ス素子の形状及び配置に対応させた凸状パターンを形成
する工程と、 前記第1の基板の凸状パターン上にエレクトロルミネッ
センス素子を形成する工程と、 前記第1の基板のエレクトロルミネッセンス素子を第2
の基板上に転写する工程とを備えたことを特徴とするエ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法。
A step of forming a convex pattern corresponding to the shape and arrangement of the electroluminescent element on the first substrate; and a step of forming an electroluminescent element on the convex pattern of the first substrate. The electroluminescent element of the first substrate is
Transferring onto a substrate as described above.
【請求項2】 第1の基板上にエレクトロルミネッセン
ス素子の形状及び配置に対応させた凹状パターンを形成
する工程と、 前記第1の基板の凹状パターン内にエレクトロルミネッ
センス素子を形成する工程と、 前記第1の基板のエレクトロルミネッセンス素子を第2
の基板上に転写する工程とを備えたことを特徴とするエ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法。
A step of forming a concave pattern corresponding to the shape and arrangement of the electroluminescent element on the first substrate; a step of forming an electroluminescent element in the concave pattern of the first substrate; The electroluminescent element on the first substrate is
Transferring onto a substrate as described above.
JP31965299A 1999-11-10 1999-11-10 Method of manufacturing electroluminescent element Pending JP2001143866A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31965299A JP2001143866A (en) 1999-11-10 1999-11-10 Method of manufacturing electroluminescent element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31965299A JP2001143866A (en) 1999-11-10 1999-11-10 Method of manufacturing electroluminescent element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001143866A true JP2001143866A (en) 2001-05-25

Family

ID=18112702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31965299A Pending JP2001143866A (en) 1999-11-10 1999-11-10 Method of manufacturing electroluminescent element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001143866A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011049183A (en) * 2003-12-16 2011-03-10 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing organic functional element
US9362503B2 (en) 2014-06-30 2016-06-07 Samsung Display Co., Ltd. Donor mask and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011049183A (en) * 2003-12-16 2011-03-10 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing organic functional element
US9362503B2 (en) 2014-06-30 2016-06-07 Samsung Display Co., Ltd. Donor mask and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2848371B2 (en) Organic EL display device and manufacturing method thereof
TWI235184B (en) Mask vapor deposition method, mask vapor deposition system, mask, process for manufacturing mask, apparatus for manufacturing display panel, display panel, and electronic device
US7618674B2 (en) Deposition mask and method for manufacturing organic light emitting display using the same
US6297516B1 (en) Method for deposition and patterning of organic thin film
TWI255666B (en) Vapor deposition mask and organic EL display device manufacturing method
JP4595143B2 (en) Organic EL device and manufacturing method thereof
JPH09167684A (en) Preparation of organic electroluminescence display panel
JPH08202287A (en) Organic electroluminescent display device and its production
JPH10134964A (en) Display device and its manufacture
TW200824167A (en) The method for forming electronic devices by using protection layers
JP2009062565A (en) Mask, method for manufacturing mask, and method for manufacturing electro-optic device
JPS62202491A (en) Mask assembly unit with mask stress eliminating characteristics
TWI249367B (en) A divided shadow mask device for fabricating organic light emitting diode display
JP2005235733A (en) Organic electroluminescent display device using organic film layer with reformed surface and its manufacturing method
JP2003213401A (en) Vapor deposition mask and film deposition apparatus
JP2001143866A (en) Method of manufacturing electroluminescent element
JP2002047560A (en) Mask for vacuum deposition, method for depositing thin film pattern and method for manufacturing el element using the mask
JP3568890B2 (en) Organic electroluminescent display panel and method of manufacturing the same
JPH11307268A (en) Organic thin film luminescent element and its manufacture
JP2004273438A (en) Etching mask
JP2848384B1 (en) Organic EL display device and manufacturing method thereof
JP2002009098A (en) Apparatus and method for forming pattern, and apparatus and method for manufacturing organic electroluminescence display
JP3900611B2 (en) Electroluminescent device and manufacturing method thereof
JP2005307254A (en) Vapor deposition method
JPH1197171A (en) Organic el element and manufacture thereof