JP2001135689A - Inspecting device - Google Patents

Inspecting device

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JP2001135689A
JP2001135689A JP31307299A JP31307299A JP2001135689A JP 2001135689 A JP2001135689 A JP 2001135689A JP 31307299 A JP31307299 A JP 31307299A JP 31307299 A JP31307299 A JP 31307299A JP 2001135689 A JP2001135689 A JP 2001135689A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
clean
inspection
clean box
stage
Prior art date
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Application number
JP31307299A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuyuki Suzuki
保之 鈴木
Taketo Miyashita
丈人 宮下
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JP2001135689A publication Critical patent/JP2001135689A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To properly attain inspection of a microfine pattern by maintaining an environment in which inspection of a semiconductor wafer or the like is operated in a high clean level. SOLUTION: A device main body 10 for inspecting a semiconductor wafer or the like is housed inside a clean box 3, and clear air is supplied from the clean box 4 to the inside part of the clean box 3 in which the device main body 10 is housed. The clean air unit 4 is provided with a plurality of air blowers 5a and 5b, and the air volume of clean air to be supplied to the inside part of the clean box 3 is controlled. The air volume is initialized so that a positive pressure state and an air speed optimal for inspection can be set. In a normal operation, the air speed set in the initializing state is varied according to the internal-and-external air pressure difference of the clean box 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、所定のデバイスパ
ターンが形成された半導体ウェハ等の検査に用いられる
検査装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an inspection apparatus used for inspecting a semiconductor wafer or the like on which a predetermined device pattern is formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスは、半導体ウェハ上に微
細なデバイスパターンを形成することにより作製され
る。このようなデバイスパターンを形成するときに、半
導体ウェハ上に塵埃等が付着したり、傷が付いたりし
て、欠陥が生じることがある。このような欠陥が生じた
半導体デバイスは、不良デバイスとなり、歩留まりを低
下させる。
2. Description of the Related Art A semiconductor device is manufactured by forming a fine device pattern on a semiconductor wafer. When such a device pattern is formed, dust or the like may adhere to the semiconductor wafer or may be damaged, thereby causing a defect. A semiconductor device having such a defect becomes a defective device and reduces the yield.

【0003】したがって、製造ラインの歩留まりを高い
水準で安定させるためには、塵埃や傷等によって発生す
る欠陥を早期に発見し、その原因を突き止め、製造設備
や製造プロセスに対して有効な対策を講じることが好ま
しい。
[0003] Therefore, in order to stabilize the yield of a production line at a high level, defects generated by dust and scratches are found at an early stage, the causes thereof are identified, and effective measures are taken for production facilities and production processes. It is preferable to take it.

【0004】そこで、欠陥が発見された場合には、検査
装置を用いて、その欠陥が何であるかを調べて分類分け
を行い、その欠陥の原因となった設備やプロセスを特定
するようにしている。ここで、欠陥が何であるかを調べ
る検査装置は、いわば光学顕微鏡のようなものであり、
欠陥を拡大して見ることで、その欠陥が何であるかを識
別するようにしている。
[0004] Therefore, when a defect is found, an inspection device is used to check the type of the defect and classify the defect, thereby identifying the equipment or process that caused the defect. I have. Here, the inspection device for checking what the defect is is like an optical microscope, so to speak.
By looking at a defect in an enlarged manner, it tries to identify what the defect is.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
な検査を行う際に半導体ウェハ上に塵埃等が付着する
と、適切な検査を行うことができない。したがって、半
導体ウェハの検査は、クリーンな環境の中で行う必要が
ある。
When dust or the like adheres to the semiconductor wafer during the above-described inspection, an appropriate inspection cannot be performed. Therefore, the inspection of the semiconductor wafer needs to be performed in a clean environment.

【0006】半導体ウェハの検査を行う環境をクリーン
に保つ方法としては、検査装置の本体部分をクリーンボ
ックスで覆い、このクリーンボックスの内部を高いクリ
ーン度に保つ方法が有効である。この場合、このクリー
ンボックスの内部を陽圧の状態とし、且つ、高性能なエ
アフィルタを介して内部に清浄な空気を送風するように
すれば、外部から塵埃等が流入することなく、クリーン
ボックスの内部を高いクリーン度に保つことができる。
したがって、検査装置が設置される環境全体を高いクリ
ーン度に保たなくとも、クリーンボックスを用いて局所
的にクリーン度を高くすることによって、半導体ウェハ
上に塵埃等が付着することを有効に抑制して、半導体ウ
ェハの検査を適切に行うことが可能となる。
As a method for keeping the environment for inspecting semiconductor wafers clean, it is effective to cover the main body of the inspection apparatus with a clean box and keep the inside of the clean box at a high degree of cleanliness. In this case, if the inside of the clean box is set to a positive pressure state and clean air is blown into the inside through a high-performance air filter, dust and the like do not flow in from the outside and the clean box Inside can be kept clean.
Therefore, even if the entire environment in which the inspection device is installed is not kept at a high level of cleanliness, dust is effectively prevented from adhering to the semiconductor wafer by locally increasing the degree of cleanliness using a clean box. As a result, the inspection of the semiconductor wafer can be appropriately performed.

【0007】ここで、このようなクリーンボックスに
は、内部にある検査装置をメンテナンスする等のため
に、外部から開閉可能な窓が設けられているのが一般的
である。このようなクリーンボックスの窓が開けられた
場合、陽圧の状態を保つことができなくなり、外部から
塵埃等が流入してしまう。そのため、一般に、このよう
なクリーンボックスでは、差圧計等を用いて内外気圧差
を測定しながら清浄な空気の流量を制御して陽圧の状態
を保っている。例えば、クリーンボックスでは、窓が開
けられた場合であっても、清浄な空気の流量を大きくす
るように制御し、陽圧の状態を保つようにしている。
Here, such a clean box is generally provided with a window that can be opened and closed from the outside for maintenance of an inspection device inside. If the window of such a clean box is opened, the state of positive pressure cannot be maintained, and dust and the like will flow in from the outside. Therefore, generally, in such a clean box, the positive pressure is maintained by controlling the flow rate of clean air while measuring the internal / external pressure difference using a differential pressure gauge or the like. For example, in a clean box, even if a window is opened, the flow rate of clean air is controlled to be large so that a positive pressure state is maintained.

【0008】ところで、検査対象である半導体ウェハの
デバイスパターンは、半導体デバイスの高集積化に伴っ
て、ますます微細化しており、近年では線幅が0.18
μm以下にまでなってきている。このような微細なパタ
ーンの検査を行う上では、従来あまり問題とされていな
かったような非常に微細な塵埃等も適切な検査を阻害す
る要因となる。
Meanwhile, device patterns of semiconductor wafers to be inspected are becoming finer and finer as semiconductor devices become more highly integrated.
μm or less. In inspecting such a fine pattern, very fine dust, which has not been considered a problem in the past, is a factor that hinders an appropriate inspection.

【0009】そのため、このような高集積化が図られた
半導体ウェアの検査装置に用いられるクリーンボックス
では、その内部のクリーン度を均一的に保つのみ成ら
ず、例えば、内部に流れる気流をコントロールする必要
がある。例えば、この半導体ウェハ上に流れる空気に乱
れを生じさせなように内部の気流をコントロールして、
クリーンボックスの内部に収納されている半導体ウェア
上に塵埃等が溜まらないようにしなければならない。こ
のようにクリーンボックスの内部の気流をコントロール
することによって、クリーンボックス内の平均的なクリ
ーン度を高くするのみならず、内部のさらに重要な部分
のクリーン度をより高く保つことができ、より精度の高
い検査を実現することができるようになる。
Therefore, a clean box used in such a highly integrated semiconductor ware inspection apparatus not only keeps the cleanness of the inside uniform, but also controls, for example, the air flow flowing inside. There is a need. For example, by controlling the internal airflow so as not to cause turbulence in the air flowing on this semiconductor wafer,
Dust and the like must be prevented from accumulating on the semiconductor ware stored in the clean box. By controlling the airflow inside the clean box in this way, not only can the average cleanness inside the clean box be increased, but also the more important parts inside can be kept clean, and the accuracy can be improved. Inspection can be realized.

【0010】しかしながら、このように内部の気流をコ
ントロールする場合、従来のように、クリーンボックス
の内部の状態を単純に陽圧の状態にするのみならず、内
部の空気の風速もその検査装置に対して最適な状態とす
るようにしなければならない。
However, when the internal airflow is controlled in this way, not only the internal state of the clean box is simply set to a positive pressure state, but also the wind speed of the internal air is controlled by the inspection device. It must be optimized for the situation.

【0011】本発明は、以上のような実情に鑑みて創案
されたものであり、高いクリーン環境を実現し、微細な
パターンの検査を適切に行う検査装置を提供することを
目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide an inspection apparatus which realizes a high clean environment and appropriately inspects fine patterns.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意検討を重ねた結果、まず、クリーンボッ
クスの内部に流れる清浄な空気の風速を、陽圧な状態で
あって且つ検査装置に最適な風速とするように初期設定
を行う。そして、初期設定を行った後には、上記初期設
定状態において設定された風速を、内外気圧差に応じて
可変することが有効であるものと見いだすに至った。
Means for Solving the Problems The present inventor has made intensive studies to achieve the above object. As a result, first, the wind speed of clean air flowing inside the clean box was measured under positive pressure and Initial settings are made so that the wind speed is optimal for the inspection device. Then, after performing the initial setting, it has been found that it is effective to change the wind speed set in the initial setting state according to the internal / external air pressure difference.

【0013】本発明に係る検査装置は、以上のような知
見に基づいて創案されたものであって、被検査物の検査
を行う装置本体部と、上記装置本体部を内部に収容する
クリーンボックスと、上記クリーンボックスの内部に清
浄な空気を供給する空気供給部と、上記クリーンボック
スの内部に供給される清浄な空気の風速を測定する風速
測定部と、上記クリーンボックスの内部と外部との差圧
を測定する圧力測定部と、上記クリーンボックスの内部
に供給する清浄な空気の風速を制御する風速制御部とを
備え、上記風速制御部は、上記クリーンボックスの内部
の気圧を少なくとも陽圧とした状態で上記風速測定部に
よる検出結果に基づき上記クリーンボックス内の清浄な
空気の風速を所定の風速に初期設定し、上記圧力測定部
により測定された上記クリーンボックスの内外気圧差に
応じて上記初期設定状態において設定された風速を可変
することを特徴とするものである。
An inspection apparatus according to the present invention is created based on the above knowledge, and includes an apparatus body for inspecting an object to be inspected, and a clean box for housing the apparatus body therein. An air supply unit for supplying clean air to the inside of the clean box; a wind speed measuring unit for measuring a wind speed of clean air supplied to the inside of the clean box; and an inside and outside of the clean box. A pressure measuring unit that measures a differential pressure; and a wind speed control unit that controls a wind speed of clean air supplied to the inside of the clean box, wherein the wind speed control unit sets the pressure inside the clean box to at least a positive pressure. In the state, the wind speed of the clean air in the clean box was initially set to a predetermined wind speed based on the detection result by the wind speed measurement unit, and the wind speed was measured by the pressure measurement unit. Serial Depending on inside and outside air pressure difference of the clean box is characterized in varying the set wind speed in the initial setting state.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】本発明を適用した検査装置の外観を図1に
示す。この検査装置1は、所定のデバイスパターンが形
成された半導体ウェハの検査を行うためのものであり、
半導体ウェハに形成されたデバイスパターンに欠陥が発
見された場合に、その欠陥が何であるかを調べて分類分
けを行うものである。
FIG. 1 shows the appearance of an inspection apparatus to which the present invention is applied. This inspection apparatus 1 is for inspecting a semiconductor wafer on which a predetermined device pattern is formed,
When a defect is found in a device pattern formed on a semiconductor wafer, the defect is determined by examining what the defect is.

【0016】図1に示すように、この検査装置1は、半
導体ウェハの検査を行う環境をクリーンに保つためのク
リーンユニット2を備えている。このクリーンユニット
2は、ステンレス鋼板等が折り曲げ加工され、中空の箱
状に形成されてなるクリーンボックス3と、このクリー
ンボックス3の上部に一体に設けられたクリーンエアユ
ニット4とを備えている。
As shown in FIG. 1, the inspection apparatus 1 includes a clean unit 2 for keeping an environment for inspecting a semiconductor wafer clean. The clean unit 2 includes a clean box 3 formed by bending a stainless steel plate or the like to form a hollow box, and a clean air unit 4 integrally provided above the clean box 3.

【0017】クリーンボックス3には、所定の箇所に窓
部3aが設けられており、検査者がこの窓部3aからク
リーンボックス3の内部を視認できるようになされてい
る。さらに、この窓部3aは、例えば、クリーンボック
ス3の内部に配置される装置本体のメンテナンス等のた
めに、図中矢印X1、X2方向に開閉可能とされてい
る。
The clean box 3 is provided with a window 3a at a predetermined location so that an inspector can visually recognize the inside of the clean box 3 from the window 3a. Further, the window 3a can be opened and closed in the directions of arrows X1 and X2 in the figure, for example, for maintenance of an apparatus main body disposed inside the clean box 3.

【0018】クリーンエアユニット4は、クリーンボッ
クス3内に清浄な空気を供給するためのものであり、ク
リーンボックス3の上部の異なる位置にそれぞれ配設さ
れた2つの送風機5a,5bと、これら送風機5a,5
bとクリーンボックス3との間に配設された図示しない
エアフィルタとを備えている。エアフィルタは、例え
ば、HEPAフィルタ(High Efficiency Particulate
Air Filter)やULPAフィルタ(Ultra Low Penetrat
ion Air Filter)等の高性能エアフィルタである。そし
て、このクリーンエアユニット4は、送風機5a,5b
により送風される空気中の塵埃等を高性能エアフィルタ
によって除去し、清浄な空気として、クリーンボックス
3の内部に供給するようになされている。
The clean air unit 4 is for supplying clean air into the clean box 3, and includes two blowers 5a and 5b disposed at different positions on the upper portion of the clean box 3, respectively. 5a, 5
b and an air filter (not shown) disposed between the clean box 3. The air filter is, for example, a HEPA filter (High Efficiency Particulate).
Air Filter) and ULPA Filter (Ultra Low Penetrat)
ion Air Filter). The clean air unit 4 is provided with blowers 5a, 5b
The dust and the like in the air blown by the above are removed by a high-performance air filter and supplied as clean air into the clean box 3.

【0019】本発明を適用した検査装置1では、このク
リーンエアユニット4からクリーンボックス3内に供給
される清浄な空気の風量を、2つの送風機5a,5b毎
に個別に制御することによって、クリーンボックス3内
の気流を適切にコントロールすることができるようにな
されているが、これについては詳細を後述する。また、
さらに、本発明を適用した検査装置1では、例えば、上
記窓部3aが開放されたとき等に、このクリーンエアユ
ニット4からクリーンボックス3内に供給される清浄な
空気の風量を、2つの送風機5a,5bが制御すること
によって、クリーンボックス内の風速が適切にコントロ
ールされるとともに、外部からの空気の流入が防止され
るようになされているが、これについても詳細を後述す
る。なお、ここでは、クリーンエアユニット4が2つの
送風機5a,5bを備える例を説明するが、送風機の数
はクリーンボックス3の大きさや形状に合わせて決定す
ればよく、3つ以上の送風機を備える構成とされていて
もよい。この場合には、クリーンエアユニット4からク
リーンボックス3内に供給される清浄な空気の風量が、
各送風機毎に個別に制御されることになる。
In the inspection apparatus 1 to which the present invention is applied, the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is individually controlled for each of the two blowers 5a and 5b, thereby providing a clean air. The airflow in the box 3 can be appropriately controlled, which will be described later in detail. Also,
Further, in the inspection apparatus 1 to which the present invention is applied, for example, when the window 3a is opened, the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is reduced by two blowers. By controlling by 5a and 5b, the wind speed in the clean box is appropriately controlled, and the inflow of air from the outside is prevented. This will be described later in detail. Here, an example in which the clean air unit 4 includes two blowers 5a and 5b will be described. However, the number of blowers may be determined according to the size and shape of the clean box 3, and three or more blowers are provided. It may be configured. In this case, the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is
It will be controlled individually for each blower.

【0020】クリーンボックス3は、支持脚6によって
床板上に支持されており、その下端部が開放された構造
となっている。そして、クリーンエアユニット4からク
リーンボックス3内に供給された空気は、主にこのクリ
ーンボックス3の下端部からクリーンボックス3の外部
に排出されるようになされている。また、クリーンボッ
クス3の側面部には、詳細を後述するが、所定の箇所に
開口領域が設けられており、クリーンエアユニット4か
らクリーンボックス3内に供給された空気が、このクリ
ーンボックス3の側面部に設けられた開口領域からも外
部に排出されるようになされている。
The clean box 3 is supported on a floor plate by supporting legs 6, and has a structure in which a lower end is opened. The air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is mainly discharged from the lower end of the clean box 3 to the outside of the clean box 3. As will be described in detail later, an opening area is provided at a predetermined location on a side surface of the clean box 3, and air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is used for cleaning the clean box 3. The air is also discharged to the outside from an opening region provided on the side surface.

【0021】クリーンユニット2は、以上のように、ク
リーンボックス3内にクリーンエアユニット4からの清
浄な空気を常時供給し、クリーンボックス3内を気流と
なって循環した空気をクリーンボックス3の外部に排出
させる。これによって、クリーンボックス3内にて発生
した塵埃等をこの空気と共にクリーンボックス3の外部
に排出させ、クリーンボックス3の内部環境を、例えば
クラス1程度の非常に高いクリーン度に保つようにして
いる。
As described above, the clean unit 2 always supplies the clean air from the clean air unit 4 to the clean box 3, and circulates the air circulated in the clean box 3 as an air flow outside the clean box 3. To be discharged. As a result, dust and the like generated in the clean box 3 are discharged to the outside of the clean box 3 together with the air, so that the internal environment of the clean box 3 is maintained at a very high degree of cleanness, for example, about class 1. .

【0022】また、クリーンボックス3は、外部から塵
埃等を含んだ空気が内部に進入する事を防止するため
に、内部の気圧が常に陽圧に保たれている。また、この
クリーンボックス3は、例えばメンテナンス等のために
窓3aが開放された場合等であっても、外部から塵埃等
を含んだ空気が内部に進入する事を防止するために、内
部の気圧が常に陽圧に保たれる。
The internal pressure of the clean box 3 is always maintained at a positive pressure in order to prevent air containing dust and the like from entering from the outside. Further, even when the window 3a is opened for maintenance or the like, for example, the clean box 3 has an internal air pressure in order to prevent air containing dust and the like from entering the inside. Is always maintained at positive pressure.

【0023】そして、この検査装置1は、図2に示すよ
うに、クリーンボックス3の内部に装置本体10が収容
され、クリーンボックス3の中で、この装置本体10に
よって、所定のデバイスパターンが形成された半導体ウ
ェハの検査が行われるようになされている。ここで、被
検査物となる半導体ウェハは、所定の密閉式の容器7に
入れて搬送され、この容器7を介して、クリーンボック
ス3の内部に移送される。なお、図2は、クリーンボッ
クス3の内部を図1中矢印A1方向から見た様子を示し
ている。
As shown in FIG. 2, the inspection apparatus 1 has an apparatus main body 10 housed in a clean box 3 and a predetermined device pattern is formed by the apparatus main body 10 in the clean box 3. Inspection of the semiconductor wafer is performed. Here, the semiconductor wafer to be inspected is transported in a predetermined hermetically sealed container 7, and transferred to the inside of the clean box 3 via the container 7. FIG. 2 shows the inside of the clean box 3 viewed from the direction of arrow A1 in FIG.

【0024】容器7は、底部7aと、この底部7aに固
定されたカセット7bと、底部7aに着脱可能に係合さ
れてカセット7bを覆うカバー7cとを有している。被
検査物となる半導体ウェハは、複数枚が所定間隔を存し
て重ね合わされるようにカセット7bに装着され、底部
7aとカバー7cとで密閉される。
The container 7 has a bottom 7a, a cassette 7b fixed to the bottom 7a, and a cover 7c detachably engaged with the bottom 7a to cover the cassette 7b. The semiconductor wafers to be inspected are mounted on the cassette 7b such that a plurality of the semiconductor wafers are overlapped at a predetermined interval, and are sealed by the bottom 7a and the cover 7c.

【0025】そして、半導体ウェハの検査を行う際は、
先ず、半導体ウェハが入れられた容器7がクリーンボッ
クス3の所定の位置に設けられた容器設置スペース8に
設置される。この容器設置スペース8には、後述するエ
レベータ22の昇降台22a上面がクリーンボックス3
の外部に臨むように配されており、容器7は、その底部
7aがこのエレベータ22の昇降台22a上に位置する
ように、容器設置スペース8に設置される。
When inspecting a semiconductor wafer,
First, a container 7 containing a semiconductor wafer is installed in a container installation space 8 provided at a predetermined position of the clean box 3. In the container installation space 8, an upper surface of an elevator 22a of an elevator 22 to be described later is
The container 7 is installed in the container installation space 8 such that the bottom 7a is located on the elevator 22a of the elevator 22.

【0026】容器7が容器設置スペース8に設置される
と、容器7の底部7aとカバー7cとの係合が解除され
る。そして、エレベータ20の昇降台20aが図2中矢
印B方向に下降操作されることによって、容器7の底部
7a及びカセット7bが、カバー7cから分離してクリ
ーンボックス3の内部に移動する。これにより、被検査
物である半導体ウェハが、外気に晒されることなくクリ
ーンボックス3の内部に移送されることになる。
When the container 7 is set in the container setting space 8, the engagement between the bottom 7a of the container 7 and the cover 7c is released. When the elevator 20a of the elevator 20 is lowered in the direction of arrow B in FIG. 2, the bottom 7a of the container 7 and the cassette 7b are separated from the cover 7c and moved into the clean box 3. Thereby, the semiconductor wafer to be inspected is transferred into the clean box 3 without being exposed to the outside air.

【0027】半導体ウェハがクリーンボックス3内に移
送されると、後述する搬送用ロボット23により、検査
対象の半導体ウェハがカセット7bから取り出されて検
査が行われる。
When the semiconductor wafer is transferred into the clean box 3, the semiconductor robot to be inspected is taken out of the cassette 7b and inspected by the transfer robot 23 described later.

【0028】検査装置1は、以上のように、高いクリー
ン度に保たれたクリーンボックス3の内部で半導体ウェ
ハの検査を行うようにしているので、検査時に半導体ウ
ェハに塵埃等が付着して適切な検査が阻害されるといっ
た不都合を有効に回避することができる。しかも、被検
査物となる半導体ウェハを密閉式の容器7に入れて搬送
し、この容器7を介して半導体ウェハをクリーンボック
ス3の内部に移送するようにしているので、クリーンボ
ックス3の内部と容器7の内部だけを十分なクリーン度
に保っておけば、検査装置1が設置される環境全体のク
リーン度を高めなくても、半導体ウェハへの塵埃等の付
着を有効に防止することができる。
As described above, the inspection apparatus 1 inspects the semiconductor wafer inside the clean box 3 maintained at a high degree of cleanliness. Inconveniences such as obstruction of a simple test can be effectively avoided. In addition, the semiconductor wafer to be inspected is placed in a sealed container 7 and transported, and the semiconductor wafer is transferred into the clean box 3 via the container 7. If only the inside of the container 7 is maintained at a sufficient degree of cleanness, it is possible to effectively prevent dust and the like from adhering to the semiconductor wafer without increasing the cleanliness of the entire environment in which the inspection device 1 is installed. .

【0029】このように必要な場所のクリーン度だけを
局所的に高めるようにすることで、高いクリーン度を実
現しつつ、且つ、クリーン環境を実現するためのコスト
を大幅に抑えることができる。なお、密閉式の容器7と
クリーンボックス3との機械的なインターフェースとし
ては、いわゆるSMIF(standard mechanical interf
ace)が好適であり、その場合、密閉式の容器7として
は、いわゆるSMIF−PODが用いられる。
By locally increasing only the degree of cleanliness at a necessary place in this way, it is possible to realize a high degree of cleanliness and to significantly reduce the cost for realizing a clean environment. The mechanical interface between the closed container 7 and the clean box 3 is a so-called SMIF (standard mechanical interface).
ace) is preferable, and in that case, a so-called SMIF-POD is used as the closed container 7.

【0030】また、この検査装置1は、図1に示すよう
に、装置本体10を操作するためのコンピュータ等が配
される外部ユニット50を備えている。この外部ユニッ
ト50は、クリーンボックス3の外部に設置されてい
る。この外部ユニット50には、半導体ウェハを撮像し
た画像等を表示するための表示装置51や、検査時の各
種条件等を表示するための表示装置52、装置本体10
への指示入力等を行うための入力装置53等も配されて
いる。そして、半導体ウェハの検査を行う検査者は、外
部ユニット50に配された表示装置51,52を見なが
ら、外部ユニット50に配された入力装置53から必要
な指示を入力して半導体ウェハの検査を行う。
Further, as shown in FIG. 1, the inspection apparatus 1 includes an external unit 50 in which a computer for operating the apparatus main body 10 is arranged. This external unit 50 is installed outside the clean box 3. The external unit 50 includes a display device 51 for displaying an image or the like obtained by imaging a semiconductor wafer, a display device 52 for displaying various conditions at the time of inspection, and a device body 10.
An input device 53 and the like for inputting an instruction and the like are also provided. The inspector who inspects the semiconductor wafer inputs necessary instructions from the input device 53 arranged in the external unit 50 while viewing the display devices 51 and 52 arranged in the external unit 50, and inspects the semiconductor wafer. I do.

【0031】次に、クリーンボックス3の内部に配設さ
れた装置本体10について、詳細に説明する。
Next, the apparatus body 10 provided inside the clean box 3 will be described in detail.

【0032】装置本体10は、図2に示すように、支持
台11を備えている。この支持台11は、装置本体10
の各機構を支持するための台である。この支持台11の
底部には支持脚12が取り付けられており、支持台11
及び支持台11上に設けられた各機構は、この支持脚1
2によってクリーンボックス3とは独立に床板上に支持
される構造となっている。
As shown in FIG. 2, the apparatus main body 10 has a support 11. The support base 11 is used to
Is a table for supporting each of the mechanisms. A support leg 12 is attached to the bottom of the support base 11.
And each mechanism provided on the support base 11 supports the support leg 1
2 has a structure supported on a floor plate independently of the clean box 3.

【0033】支持台11上には、除振台13を介して、
被検査物となる半導体ウェハが載置される検査用ステー
ジ14が設けられている。
On the support table 11, via a vibration isolation table 13,
An inspection stage 14 on which a semiconductor wafer to be inspected is placed is provided.

【0034】除振台13は、床からの振動や、検査用ス
テージ14を移動操作した際に生じる振動等を抑制する
ためのものであり、検査用ステージ14が設置される石
定盤13aと、この石定盤13aを支える複数の可動脚
部13bとを備えている。そして、この除振台13は、
振動が生じたときにその振動を検知して可動脚部13b
を駆動し、石定盤13a及びこの石定盤13a上に設置
された検査用ステージ14の振動を速やかに打ち消すよ
うにしている。
The anti-vibration table 13 is for suppressing vibration from the floor, vibration generated when the inspection stage 14 is moved, and the like. And a plurality of movable legs 13b for supporting the stone surface plate 13a. And this vibration isolation table 13
When the vibration occurs, the vibration is detected and the movable leg 13b is detected.
Is driven to quickly cancel the vibration of the stone base 13a and the inspection stage 14 installed on the stone base 13a.

【0035】この検査装置1では、微細なデバイスパタ
ーンが形成された半導体ウェハの検査を行うため、僅か
な振動でも検査の障害となる場合がある。特に、この検
査装置1では、紫外光を用いて高分解能での検査を行う
ため、振動の影響が大きく現れやすい。そこで、この検
査装置1では、除振台13上に検査用ステージ14を設
置することによって、検査用ステージ14に僅かな振動
が生じた場合であっても、この振動を速やかに打ち消
し、振動の影響を抑えて、紫外光を用いて高分解能での
検査を行う際の検査能力を向上させるようにしている。
In the inspection apparatus 1, since a semiconductor wafer on which a fine device pattern is formed is inspected, even a slight vibration may hinder the inspection. In particular, since the inspection apparatus 1 performs inspection at a high resolution using ultraviolet light, the influence of vibration is likely to be large. Therefore, in the inspection apparatus 1, by installing the inspection stage 14 on the anti-vibration table 13, even if a slight vibration occurs in the inspection stage 14, the vibration is quickly canceled out, and the vibration is reduced. Influence is suppressed, and the inspection capability at the time of performing inspection at high resolution using ultraviolet light is improved.

【0036】なお、除振台13上に検査用ステージ14
を安定的に設置するには、除振台13の重心がある程度
低い位置にあることが望ましい。そこで、この検査装置
1においては、石定盤13aの下端部に切り欠き部13
cを設け、可動脚部13bがこの切り欠き部13cにて
石定盤13aを支えるようにして、除振台13の重心を
下げるようにしている。
The inspection stage 14 is placed on the vibration isolation table 13.
In order to stably install the vibration isolator, it is desirable that the center of gravity of the vibration isolation table 13 is located at a somewhat lower position. Therefore, in this inspection device 1, the notch 13 is formed at the lower end of the stone platen 13a.
c is provided so that the movable leg 13b supports the stone surface plate 13a at the notch 13c, thereby lowering the center of gravity of the vibration isolation table 13.

【0037】なお、検査用ステージ14を移動操作した
際に生じる振動等は、事前にある程度予測することがで
きる。このような振動を事前に予測して除振台13を動
作させるようにすれば、検査用ステージ14に生じる振
動を未然に防止することが可能である。したがって、検
査装置1は、検査用ステージ14を移動操作した際に生
じる振動等を事前に予測して除振台13を動作させるよ
うになされていることが望ましい。
It should be noted that vibrations and the like generated when the inspection stage 14 is moved can be predicted to some extent in advance. If the vibration isolation table 13 is operated by predicting such vibrations in advance, it is possible to prevent the vibrations occurring on the inspection stage 14 from occurring. Therefore, it is desirable that the inspection apparatus 1 operates the anti-vibration table 13 by predicting in advance vibrations and the like that occur when the inspection stage 14 is moved.

【0038】検査用ステージ14は、被検査物となる半
導体ウェハを支持するためのステージである。この検査
用ステージ14は、被検査物となる半導体ウェハを支持
するとともに、この半導体ウェハを所定の検査対象位置
へと移動させる機能も備えている。
The inspection stage 14 is a stage for supporting a semiconductor wafer to be inspected. The inspection stage 14 has a function of supporting a semiconductor wafer to be inspected and a function of moving the semiconductor wafer to a predetermined inspection target position.

【0039】具体的には、検査用ステージ14は、除振
台13上に設置されたXステージ15と、Xステージ1
5上に設置されたYステージ16と、Yステージ16上
に設置されたθステージ17と、θステージ17上に設
置されたZステージ18と、Zステージ18上に設置さ
れた吸着プレート19とを備えている。
Specifically, the inspection stage 14 includes an X stage 15 installed on the vibration isolation table 13 and an X stage 1
5, a Y stage 16 installed on the Y stage 16, a θ stage 17 installed on the Y stage 16, a Z stage 18 installed on the θ stage 17, and a suction plate 19 installed on the Z stage 18. Have.

【0040】Xステージ15及びYステージ16は、水
平方向に移動するステージであり、Xステージ15とY
ステージ16とで、被検査物となる半導体ウェハを互い
に直交する方向に移動させ、検査対象のデバイスパター
ンを所定の検査位置へと導くようにしている。
The X stage 15 and the Y stage 16 are stages that move in the horizontal direction.
The stage 16 moves semiconductor wafers to be inspected in directions orthogonal to each other, and guides a device pattern to be inspected to a predetermined inspection position.

【0041】θステージ17は、いわゆる回転ステージ
であり、半導体ウェハを回転させるためのものである。
半導体ウェハの検査時には、θステージ17により、例
えば、半導体ウェハ上のデバイスパターンが画面に対し
て水平又は垂直となるように、半導体ウェハを回転させ
る。
The .theta. Stage 17 is a so-called rotary stage for rotating a semiconductor wafer.
When inspecting the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is rotated by the θ stage 17 so that, for example, the device pattern on the semiconductor wafer is horizontal or vertical to the screen.

【0042】Zステージ18は、鉛直方向に移動するス
テージであり、ステージの高さを調整するためのもので
ある。半導体ウェハの検査時には、Zステージ18によ
り、半導体ウェハの検査面が適切な高さとなるように、
ステージの高さを調整する。
The Z stage 18 is a stage that moves in the vertical direction and adjusts the height of the stage. When inspecting a semiconductor wafer, the Z stage 18 is used to adjust the inspection surface of the semiconductor wafer to an appropriate height.
Adjust the height of the stage.

【0043】吸着プレート19は、検査対象の半導体ウ
ェハを吸着して固定するためのものである。半導体ウェ
ハの検査時に、検査対象の半導体ウェハは、この吸着プ
レート19上に載置され、この吸着プレート18により
吸着されて、不要な動きが抑制される。
The suction plate 19 is for sucking and fixing the semiconductor wafer to be inspected. During the inspection of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer to be inspected is placed on the suction plate 19 and is sucked by the suction plate 18 to suppress unnecessary movement.

【0044】また、除振台12上には、検査用ステージ
14上に位置するように支持部材20によって支持され
た光学ユニット21が配されている。この光学ユニット
21は、半導体ウェハの検査時に、半導体ウェハの画像
を撮像するためのものである。そして、この光学ユニッ
ト21は、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視
光を用いて低分解能にて行う機能と、検査対象の半導体
ウェハの画像の撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う
機能とを兼ね備えている。
An optical unit 21 supported by a support member 20 is disposed on the vibration isolation table 12 so as to be positioned on the inspection stage 14. The optical unit 21 is for taking an image of a semiconductor wafer when inspecting the semiconductor wafer. The optical unit 21 has a function of capturing an image of a semiconductor wafer to be inspected at low resolution using visible light, and a function of capturing an image of a semiconductor wafer to be inspected at high resolution using ultraviolet light. It also has the function to perform.

【0045】また、支持台11上には、図2及び図3に
示すように、被検査物となる半導体ウェハが装着された
カセット7bを容器7から取り出してクリーンボックス
3内に移動させるエレベータ22が設けられている。さ
らに、支持台11上には、図3に示すように、半導体ウ
ェハを搬送するための搬送用ロボット23と、半導体ウ
ェハを検査用ステージ14上に載置する前にそのセンタ
ー出しと位相出しとを行うプリアライナ24とが設けら
れている。なお、図3は装置本体10を上側から見た様
子を模式的に示す平面図である。
As shown in FIGS. 2 and 3, an elevator 22 for taking out a cassette 7b on which a semiconductor wafer to be inspected is mounted from the container 7 and moving the cassette 7b into the clean box 3, as shown in FIGS. Is provided. Further, as shown in FIG. 3, a transfer robot 23 for transferring the semiconductor wafer, and centering and phase setting of the semiconductor wafer before placing the semiconductor wafer on the inspection stage 14 are provided on the support base 11 as shown in FIG. Is provided. FIG. 3 is a plan view schematically showing the apparatus main body 10 viewed from above.

【0046】エレベータ22は、上昇及び下降動作され
る昇降台22aを有しており、容器7がクリーンボック
ス3の容器設置スペース8に設置されて容器7の底部7
aとカバー7cとの係合が解除されたときに、昇降台2
2aが下降操作されることによって、容器7の底部7a
及びこれに固定されたカセット7bをクリーンボックス
3の内部に移動させる。
The elevator 22 has a lifting platform 22a that can be raised and lowered, and the container 7 is installed in the container installation space 8 of the clean box 3 and the bottom 7 of the container 7
a when the engagement between the cover a and the cover 7c is released.
The lower portion 2a is operated to lower the bottom portion 7a of the container 7.
Then, the cassette 7b fixed thereto is moved into the clean box 3.

【0047】搬送用ロボット23は、先端部に吸着機構
23aが設けられた操作アーム23bを有しており、こ
の操作アーム23bを移動操作して、その先端部に設け
られた吸着機構23aにより半導体ウェハを吸着し、ク
リーンボックス3内における半導体ウェハの搬送を行う
ようになされている。
The transfer robot 23 has an operation arm 23b provided with a suction mechanism 23a at the distal end thereof. The operation arm 23b is moved and operated by the suction mechanism 23a provided at the distal end. The wafer is sucked, and the semiconductor wafer is transported in the clean box 3.

【0048】プリアライナ24は、半導体ウェハに予め
形成されているオリエンテーションフラット及びノッチ
を基準として、半導体ウェハの位相出し及びセンター出
しを行うものである。検査装置1は、半導体ウェハを検
査用ステージ14上に載置する前に、プリアライナ24
によってその位相出し等を行うことにより、検査の効率
を向上させるようになされている。
The pre-aligner 24 performs phase and centering of the semiconductor wafer with reference to an orientation flat and a notch formed in advance on the semiconductor wafer. The inspection apparatus 1 sets the pre-aligner 24 before placing the semiconductor wafer on the inspection stage 14.
In this way, the efficiency of the inspection is improved by performing the phase setting or the like.

【0049】半導体ウェハを検査用ステージ14上に設
置する際は、先ず、エレベータ22により容器7の底部
7a及びカセット7bがクリーンボックス3の内部に移
動される。そして、カセット7bに装着された複数枚の
半導体ウェハの中から検査対象の半導体ウェハが選択さ
れ、選択された半導体ウェハが搬送用ロボット23によ
りカセット7bから取り出される。
When the semiconductor wafer is set on the inspection stage 14, first, the bottom 7 a of the container 7 and the cassette 7 b are moved into the clean box 3 by the elevator 22. Then, a semiconductor wafer to be inspected is selected from the plurality of semiconductor wafers mounted on the cassette 7b, and the selected semiconductor wafer is taken out of the cassette 7b by the transfer robot 23.

【0050】カセット7bから取り出された半導体ウェ
ハは、搬送用ロボット23によりプリアライナ24へと
搬送される。プリアライナ24へ搬送された半導体ウェ
ハは、このプリアライナ24によって位相出しやセンタ
ー出しが行われる。そして、位相出しやセンター出しが
行われた半導体ウェハが、搬送用ロボット23により検
査用ステージ14へと搬送され、吸着プレート19上に
載置されて検査が行われる。
The semiconductor wafer taken out of the cassette 7b is transferred to the pre-aligner 24 by the transfer robot 23. The semiconductor wafer conveyed to the pre-aligner 24 is subjected to phase setting and center setting by the pre-aligner 24. Then, the semiconductor wafer on which the phase setting and the center setting have been performed is transferred to the inspection stage 14 by the transfer robot 23, and is placed on the suction plate 19 to perform the inspection.

【0051】検査対象の半導体ウェハが検査用ステージ
14へと搬送されると、搬送用ロボット23によって次
に検査する半導体ウェハがカセット7bから取り出さ
れ、プリアライナ24へと搬送される。そして、先に検
査用ステージ14へと搬送された半導体ウェハの検査が
行われている間に、次に検査する半導体ウェハの位相出
しやセンター出しが行われる。そして、先に検査用ステ
ージ14へと搬送された半導体ウェハの検査が終了する
と、次に検査する半導体ウェハが検査用ステージ14へ
と速やかに搬送される。
When the semiconductor wafer to be inspected is transported to the inspection stage 14, the semiconductor wafer to be inspected next is taken out of the cassette 7b by the transport robot 23 and transported to the pre-aligner 24. Then, while the inspection of the semiconductor wafer previously conveyed to the inspection stage 14 is being performed, the phase of the semiconductor wafer to be inspected next and the centering are performed. When the inspection of the semiconductor wafer previously transported to the inspection stage 14 is completed, the next semiconductor wafer to be inspected is immediately transported to the inspection stage 14.

【0052】検査装置1は、以上のように、検査対象の
半導体ウェハを検査用ステージ14へ搬送する前に、予
めプリアライナ24により位相出しやセンター出しを行
っておくことにより、検査用ステージ14による半導体
ウェハの位置決めに要する時間を短縮することができ
る。また、検査装置1は、先に検査用ステージ14へと
搬送された半導体ウェハの検査が行われている時間を利
用して、次に検査する半導体ウェハをカセット7bから
取り出し、プリアライナ24による位相出しやセンター
出しを行うことにより、全体での時間の短縮を図ること
ができ、効率よく検査を行うことができる。
As described above, the inspection apparatus 1 performs the phase adjustment and the center adjustment by the pre-aligner 24 before transporting the semiconductor wafer to be inspected to the inspection stage 14 so that the inspection stage 14 The time required for positioning the semiconductor wafer can be reduced. Further, the inspection apparatus 1 takes out the semiconductor wafer to be inspected next from the cassette 7b by using the time during which the inspection of the semiconductor wafer previously carried to the inspection stage 14 is being performed, and performs phase detection by the pre-aligner 24. By performing the centering and the centering, the overall time can be reduced, and the inspection can be performed efficiently.

【0053】ところで、この検査装置1において、エレ
ベータ22と、搬送用ロボット23と、プリアライナ2
4とは、図3に示すように、それぞれが直線上に並ぶよ
うに支持台11上に設置されている。そして、エレベー
タ22と搬送用ロボット23との間の距離L1と、搬送
用ロボット23とプリアライナ24との間の距離L2と
が略等しい距離となるように、それぞれの設置位置が決
定されている。さらに、搬送用ロボット23から見て、
エレベータ22やプリアライナ24が並ぶ方向と略直交
する方向に、検査用テーブル14が位置するような配置
とされている。
In the inspection apparatus 1, the elevator 22, the transfer robot 23, the pre-aligner 2
4 are installed on the support base 11 so as to be lined up in a straight line, as shown in FIG. The respective installation positions are determined so that the distance L1 between the elevator 22 and the transfer robot 23 is substantially equal to the distance L2 between the transfer robot 23 and the pre-aligner 24. Further, from the viewpoint of the transfer robot 23,
The inspection table 14 is arranged so as to be positioned in a direction substantially orthogonal to the direction in which the elevators 22 and the pre-aligners 24 are arranged.

【0054】検査装置1は、各機構が以上のような配置
とされていることにより、被検査物である半導体ウェハ
の搬送を迅速且つ正確に行うことができる。
The inspection apparatus 1 can quickly and accurately transport a semiconductor wafer, which is an object to be inspected, by arranging each mechanism as described above.

【0055】すなわち、この検査装置1では、エレベー
タ22と搬送用ロボット23との間の距離L1と、搬送
用ロボット23とプリアライナ24との間の距離L2と
が略等しい距離となっているので、搬送用ロボット23
のアーム23bの長さを変えることなく、カセット7b
から取り出した半導体ウェハをプリアライナ24に搬送
することがでる。したがって、この検査装置1では、搬
送用ロボット23のアーム23bの長さを変えたときに
生じる誤差等が問題とならないので、半導体ウェハをプ
リアライナ24へと搬送する動作を正確に行うことがで
きる。また、エレベータ22と搬送用ロボット23とプ
リアライナ24とが直線上に並んでいるので、搬送用ロ
ボット23は直線的な動きのみにより、カセット7bか
ら取り出した半導体ウェハをプリアライナ24に搬送す
ることがでる。したがって、この検査装置1では、半導
体ウェハをプリアライナ24へと搬送する動作を極めて
正確に且つ迅速に行うことができる。
That is, in the inspection apparatus 1, since the distance L1 between the elevator 22 and the transfer robot 23 is substantially equal to the distance L2 between the transfer robot 23 and the pre-aligner 24, Transfer robot 23
Without changing the length of the arm 23b of the cassette 7b.
The semiconductor wafer taken out of the wafer can be transferred to the pre-aligner 24. Therefore, in the inspection apparatus 1, since an error or the like generated when the length of the arm 23b of the transfer robot 23 is changed does not matter, the operation of transferring the semiconductor wafer to the pre-aligner 24 can be performed accurately. Further, since the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 are arranged in a straight line, the transfer robot 23 can transfer the semiconductor wafer taken out of the cassette 7b to the pre-aligner 24 only by linear movement. . Therefore, in the inspection apparatus 1, the operation of transporting the semiconductor wafer to the pre-aligner 24 can be performed extremely accurately and quickly.

【0056】さらに、この検査装置1では、搬送用ロボ
ット23から見て、エレベータ22やプリアライナ24
が並ぶ方向と略直交する方向に、検査用テーブル14が
位置するような配置とされているので、搬送用ロボット
23が直線的な動きをすることで、半導体ウェハを検査
用テーブル14へ搬送することができる。したがって、
この検査装置1では、半導体ウェハを検査用テーブル1
4へと搬送する動作を極めて正確に且つ迅速に行うこと
ができる。特に、この検査装置1では、微細なデバイス
パターンが形成された半導体ウェハの検査を行うため、
被検査物である半導体ウェハの搬送及び位置決めを極め
て正確に行う必要があるので、以上のような配置が非常
に有効である。
Further, in the inspection apparatus 1, the elevator 22 and the pre-aligner 24 are viewed from the transfer robot 23.
Are arranged so that the inspection table 14 is positioned in a direction substantially perpendicular to the direction in which the semiconductor wafers are arranged, so that the semiconductor wafer is transported to the inspection table 14 by the linear movement of the transport robot 23. be able to. Therefore,
In this inspection apparatus 1, a semiconductor wafer is placed on an inspection table 1
4 can be performed very accurately and quickly. In particular, the inspection apparatus 1 inspects a semiconductor wafer on which a fine device pattern is formed.
Since the transfer and positioning of the semiconductor wafer to be inspected must be performed very accurately, the above arrangement is very effective.

【0057】次に、上記検査装置1について、図4のブ
ロック図を参照して更に詳細に説明する。
Next, the inspection apparatus 1 will be described in more detail with reference to the block diagram of FIG.

【0058】図4に示すように、検査装置1の外部ユニ
ット50には、表示装置51及び入力装置53aが接続
された画像処理用コンピュータ60と、表示装置52及
び入力装置53bが接続された制御用コンピュータ61
とが配されている。なお、前掲した図1では、画像処理
用コンピュータ60に接続された入力装置53aと、制
御用コンピュータ61に接続された入力装置53bとを
まとめて、入力装53として図示している。
As shown in FIG. 4, the external unit 50 of the inspection apparatus 1 has an image processing computer 60 connected to a display device 51 and an input device 53a, and a control device connected to a display device 52 and an input device 53b. Computer 61
And are arranged. In FIG. 1, the input device 53a connected to the image processing computer 60 and the input device 53b connected to the control computer 61 are collectively shown as the input device 53.

【0059】画像処理用コンピュータ60は、半導体ウ
ェハを検査するときに、光学ユニット21の内部に設置
されたCCD(charge-coupled device)カメラ30,
31により半導体ウェハを撮像した画像を取り込んで処
理するコンピュータである。すなわち、この検査装置1
は、光学ユニット21の内部に設置されたCCDカメラ
30,31により撮像した半導体ウェハの画像を、画像
処理用コンピュータ60により処理して解析することに
より、半導体ウェハの検査を行う。
When inspecting a semiconductor wafer, the image processing computer 60 controls the charge-coupled device (CCD) camera 30 installed inside the optical unit 21.
A computer that takes in and processes an image obtained by imaging a semiconductor wafer by 31. That is, this inspection device 1
Performs inspection of the semiconductor wafer by processing and analyzing the image of the semiconductor wafer captured by the CCD cameras 30 and 31 installed inside the optical unit 21 by the image processing computer 60.

【0060】なお、画像処理用コンピュータ60に接続
された入力装置53aは、CCDカメラ30,31から
取り込んだ画像の解析等に必要な指示を、画像処理用コ
ンピュータ30に対して入力するためのものであり、例
えば、マウス等のポインティングデバイスやキーボード
等からなる。また、画像処理用コンピュータ60に接続
された表示装置51は、CCDカメラ30,31から取
り込んだ画像の解析結果等を表示するためのものであ
り、例えば、CRTディスプレイや液晶ディスプレイ等
からなる。
The input device 53a connected to the image processing computer 60 is for inputting, to the image processing computer 30, instructions necessary for analyzing images taken from the CCD cameras 30 and 31. And comprises, for example, a pointing device such as a mouse, a keyboard, and the like. The display device 51 connected to the image processing computer 60 is for displaying analysis results of images taken from the CCD cameras 30 and 31, and is composed of, for example, a CRT display or a liquid crystal display.

【0061】制御用コンピュータ61は、半導体ウェハ
を検査するときに、検査用ステージ14、エレベータ2
2、搬送用ロボット23及びプリアライナ24、並びに
光学ユニット12の内部の各機器等を制御するためのコ
ンピュータである。すなわち、この検査装置1は、半導
体ウェハの検査を行う際に、検査対象の半導体ウェハの
画像が、光学ユニット21の内部に設置されたCCDカ
メラ30,31により撮像されるように、制御用コンピ
ュータ61により、検査用ステージ14、エレベータ2
2、搬送用ロボット23及びプリアライナ24、並びに
光学ユニット21の内部の各機器等を制御する。
When inspecting the semiconductor wafer, the control computer 61 performs the inspection stage 14, the elevator 2
2. A computer for controlling the transfer robot 23, the pre-aligner 24, and each device inside the optical unit 12. That is, the inspection apparatus 1 controls the control computer so that an image of the semiconductor wafer to be inspected is picked up by the CCD cameras 30 and 31 installed inside the optical unit 21 when inspecting the semiconductor wafer. 61, the inspection stage 14, the elevator 2
2. It controls the transfer robot 23, the pre-aligner 24, and each device inside the optical unit 21.

【0062】また、制御用コンピュータ61は、クリー
ンエアユニット4の送風機5a,5bを制御する機能を
有する。すなわち、この検査装置1は、クリーンエアユ
ニット4の送風機5a,5bを制御用コンピュータ61
が制御することによって、半導体ウェハの検査を行う際
に、クリーンボックス3内に清浄な空気を常時供給し、
また、クリーンボックス3内の気流をコントロールでき
るようにしている。
The control computer 61 has a function of controlling the blowers 5a and 5b of the clean air unit 4. That is, the inspection apparatus 1 controls the blowers 5 a and 5 b of the clean air unit 4
Is controlled to constantly supply clean air into the clean box 3 when inspecting a semiconductor wafer,
Further, the air flow in the clean box 3 can be controlled.

【0063】また、制御コンピュータ61は、クリーン
ボックス3内の圧力を陽圧の状態に保つとともに、クリ
ーンボックス3内の気流をコントロールできるようにす
るためにクリーンボックス3内に流れる清浄な空気の風
速を所定量以上とするように、クリーンエアユニット4
の送風機5a,5bを制御する機能を有する。具体的に
は、クリーンボックス3内には、送風機5a,5bによ
り送風された清浄な空気の風速を測定する風速計55及
びクリーンボックス3の内部と外部の圧力差を検出する
差圧計56とが備えられており、制御用コンピュータ6
1に入力されたこれらの測定結果に基づき行われる。
The control computer 61 maintains the pressure in the clean box 3 at a positive pressure, and controls the air velocity in the clean box 3 to control the air flow in the clean box 3. To be equal to or greater than a predetermined amount.
Has a function of controlling the blowers 5a and 5b. Specifically, in the clean box 3, there are an anemometer 55 for measuring the wind speed of the clean air blown by the blowers 5a and 5b, and a differential pressure gauge 56 for detecting a pressure difference between the inside and the outside of the clean box 3. Provided, a control computer 6
The measurement is performed on the basis of these measurement results input to (1).

【0064】なお、制御用コンピュータ61に接続され
た入力装置53bは、検査用ステージ14、エレベータ
22、搬送用ロボット23及びプリアライナ24、光学
ユニット21の内部の各機器、並びにクリーンエアユニ
ット4の送風機5a,5b等を制御するのに必要な指示
を、制御用コンピュータ61に対して入力するためのも
のであり、例えば、マウス等のポインティングデバイス
やキーボード等からなる。また、制御用コンピュータ6
1に接続された表示装置52は、半導体ウェハの検査時
の各種条件等を表示するためのものであり、例えば、C
RTディスプレイや液晶ディスプレイ等からなる。
The input device 53 b connected to the control computer 61 includes the inspection stage 14, the elevator 22, the transfer robot 23 and the pre-aligner 24, each device inside the optical unit 21, and the blower of the clean air unit 4. This is for inputting an instruction necessary for controlling 5a, 5b and the like to the control computer 61, and includes, for example, a pointing device such as a mouse or a keyboard. The control computer 6
1 is for displaying various conditions and the like at the time of inspection of a semiconductor wafer.
It consists of an RT display, a liquid crystal display and the like.

【0065】また、画像処理用コンピュータ60と制御
用コンピュータ61とは、メモリリンク機構により、互
いにデータのやり取りが可能とされている。すなわち、
画像処理用コンピュータ60と制御用コンピュータ61
は、それぞれに設けられたメモリリンクインターフェー
ス60a,61aを介して互いに接続されており、画像
処理用コンピュータ60と制御用コンピュータ51との
間で、互いにデータのやり取りが可能となっている。
The image processing computer 60 and the control computer 61 can exchange data with each other by a memory link mechanism. That is,
Image processing computer 60 and control computer 61
Are connected to each other via memory link interfaces 60a and 61a provided respectively, so that the image processing computer 60 and the control computer 51 can exchange data with each other.

【0066】一方、検査装置1のクリーンボックス3の
内部には、密閉式の容器7に入れられて搬送されてきた
半導体ウェハを、この容器7のカセット7bから取り出
して検査用ステージ14に設置する機構として、上述し
たように、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプ
リアライナ24が配されている。これらは、外部ユニッ
ト50に配された制御用コンピュータ61に、ロボット
制御インターフェース61bを介して接続されている。
そして、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリ
アライナ24には、制御用コンピュータ61からロボッ
ト制御インターフェース61bを介して、制御信号が送
られる。
On the other hand, inside the clean box 3 of the inspection apparatus 1, the semiconductor wafer placed in the sealed container 7 and transported is taken out from the cassette 7 b of the container 7 and set on the inspection stage 14. As described above, the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 are arranged as mechanisms. These are connected to a control computer 61 arranged in the external unit 50 via a robot control interface 61b.
Then, control signals are sent from the control computer 61 to the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 via the robot control interface 61b.

【0067】すなわち、密閉式の容器7に入れられて搬
送されてきた半導体ウェハを、この容器7のカセット7
bから取り出して検査用ステージ14に設置する際は、
制御用コンピュータ61からロボット制御インターフェ
ース61bを介して、エレベータ22、搬送用ロボット
23及びプリアライナ24に制御信号が送出される。そ
して、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリア
ライナ24がこの制御信号に基づいて動作し、上述した
ように、密閉式の容器7に入れられて搬送されてきた半
導体ウェハを、この容器7のカセット7bから取り出し
て、プリアライナ25による位相出し及びセンター出し
を行い、検査用ステージ14に設置する。
That is, the semiconductor wafers conveyed in the closed container 7 are transferred to the cassette 7 of the container 7.
b, when it is taken out and installed on the inspection stage 14,
Control signals are sent from the control computer 61 to the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 via the robot control interface 61b. Then, the elevator 22, the transfer robot 23, and the pre-aligner 24 operate based on the control signal, and as described above, the semiconductor wafers that have been transported in the closed container 7 are transferred to the cassette 7b of the container 7. , And the phase and center are set by the pre-aligner 25 and set on the inspection stage 14.

【0068】また、検査装置1のクリーンボックス3の
内部には除振台13が配されており、この除振台13上
に、上述したように、Xステージ15、Yステージ1
6、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレート
19を備えた検査用ステージ14が設置されている。
Further, an anti-vibration table 13 is provided inside the clean box 3 of the inspection apparatus 1, and the X-stage 15 and the Y-stage 1
6, an inspection stage 14 including a θ stage 17, a Z stage 18, and a suction plate 19 is provided.

【0069】ここで、Xステージ15、Yステージ1
6、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレート
19は、外部ユニット50に配された制御用コンピュー
タ61に、ステージ制御インターフェース61cを介し
て接続されている。そして、Xステージ15、Yステー
ジ16、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレ
ート19には、制御用コンピュータ61からステージ制
御インターフェース61cを介して、制御信号が送られ
る。
Here, the X stage 15 and the Y stage 1
6, the θ stage 17, the Z stage 18, and the suction plate 19 are connected to a control computer 61 arranged in the external unit 50 via a stage control interface 61c. Then, control signals are sent from the control computer 61 to the X stage 15, the Y stage 16, the θ stage 17, the Z stage 18, and the suction plate 19 via the stage control interface 61c.

【0070】すなわち、半導体ウェハの検査を行う際
は、制御用コンピュータ61からステージ制御インター
フェース61cを介して、Xステージ15、Yステージ
16、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレー
ト19に制御信号が送出される。そして、Xステージ1
5、Yステージ16、θステージ17、Zステージ18
及び吸着プレート19が、この制御信号に基づいて動作
し、吸着プレート19により検査対象の半導体ウェハを
吸着して固定するとともに、Xステージ15、Yステー
ジ16、θステージ17及びZステージ18により、半
導体ウェハを所定の位置、角度及び高さとなるように移
動する。
That is, when inspecting a semiconductor wafer, control signals are sent from the control computer 61 to the X stage 15, the Y stage 16, the θ stage 17, the Z stage 18, and the suction plate 19 via the stage control interface 61c. Sent out. And X stage 1
5, Y stage 16, θ stage 17, Z stage 18
The suction plate 19 operates on the basis of the control signal to suck and fix the semiconductor wafer to be inspected by the suction plate 19, and the semiconductor stage is controlled by the X stage 15, the Y stage 16, the θ stage 17 and the Z stage 18. The wafer is moved to a predetermined position, angle and height.

【0071】また、除振台12上には、上述したよう
に、光学ユニット21も設置されている。この光学ユニ
ット21は、半導体ウェハの検査時に半導体ウェハの画
像を撮像するためのものであり、上述したように、検査
対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視光を用いて低分
解能にて行う機能と、検査対象の半導体ウェハの画像の
撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う機能とを兼ね備
えている。
As described above, the optical unit 21 is also provided on the vibration isolation table 12. The optical unit 21 is for taking an image of the semiconductor wafer at the time of inspecting the semiconductor wafer, and as described above, the function of taking an image of the semiconductor wafer to be inspected at a low resolution using visible light. And a function of capturing an image of a semiconductor wafer to be inspected with high resolution using ultraviolet light.

【0072】この光学ユニット21の内部には、可視光
にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構として、
可視光用CCDカメラ30と、ハロゲンランプ32と、
可視光用光学系33と、可視光用対物レンズ34と、可
視光用オートフォーカス制御部35とが配されている。
Inside the optical unit 21, there is provided a mechanism for capturing an image of a semiconductor wafer with visible light.
A CCD camera 30 for visible light, a halogen lamp 32,
An optical system 33 for visible light, an objective lens 34 for visible light, and an autofocus controller 35 for visible light are arranged.

【0073】そして、可視光にて半導体ウェハの画像を
撮像する際は、ハロゲンランプ32を点灯させる。ここ
で、ハロゲンランプ32の駆動源は、外部ユニット50
に配された制御用コンピュータ61に、光源制御インタ
ーフェース61dを介して接続されている。そして、ハ
ロゲンランプ32の駆動源には、制御用コンピュータ6
1から光源制御インターフェース61dを介して制御信
号が送られる。ハロゲンランプ32の点灯/消灯は、こ
の制御信号に基づいて行われる。
When an image of the semiconductor wafer is taken with visible light, the halogen lamp 32 is turned on. Here, the driving source of the halogen lamp 32 is the external unit 50.
Is connected via a light source control interface 61d to a control computer 61 arranged in the computer. The driving source of the halogen lamp 32 includes the control computer 6.
1 transmits a control signal via the light source control interface 61d. The turning on / off of the halogen lamp 32 is performed based on this control signal.

【0074】そして、可視光にて半導体ウェハの画像を
撮像する際は、ハロゲンランプ32を点灯させ、このハ
ロゲンランプ32からの可視光を、可視光用光学系33
及び可視光用対物レンズ34を介して半導体ウェハにあ
てて、半導体ウェハを照明する。そして、可視光により
照明された半導体ウェハの像を可視光用対物レンズ34
により拡大し、その拡大像を可視光用CCDカメラ30
により撮像する。
When taking an image of a semiconductor wafer with visible light, the halogen lamp 32 is turned on, and the visible light from the halogen lamp 32 is transmitted to the visible light optical system 33.
Then, the semiconductor wafer is illuminated by being applied to the semiconductor wafer via the visible light objective lens 34. Then, the image of the semiconductor wafer illuminated by the visible light is converted into a visible light objective lens 34.
And enlarges the enlarged image with the visible light CCD camera 30.
To capture an image.

【0075】ここで、可視光用CCDカメラ30は、外
部ユニット50に配された画像処理用コンピュータ60
に、画像取込インターフェース60bを介して接続され
ている。そして、可視光用CCDカメラ30により撮像
された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェー
ス60bを介して画像処理用コンピュータ60に取り込
まれる。
Here, the visible light CCD camera 30 is connected to an image processing computer 60 provided in the external unit 50.
Are connected via an image capture interface 60b. Then, the image of the semiconductor wafer captured by the visible light CCD camera 30 is captured by the image processing computer 60 via the image capturing interface 60b.

【0076】また、上述のように可視光にて半導体ウェ
ハの画像を撮像する際は、可視光用オートフォーカス制
御部35により、自動焦点位置合わせを行う。すなわ
ち、可視光用オートフォーカス制御部35により、可視
光用対物レンズ34と半導体ウェハの間隔が可視光用対
物レンズ34の焦点距離に一致しているか否かを検出
し、一致していない場合には、可視光用対物レンズ34
又はZステージ18を動かして、半導体ウェハの検査対
象面が可視光用対物レンズ34の焦点面に一致するよう
にする。
When the image of the semiconductor wafer is captured with visible light as described above, the automatic focus position is adjusted by the visible light autofocus controller 35. That is, the visible light autofocus control unit 35 detects whether or not the distance between the visible light objective lens 34 and the semiconductor wafer matches the focal length of the visible light objective lens 34. Is a visible light objective lens 34
Alternatively, the Z stage 18 is moved so that the inspection target surface of the semiconductor wafer coincides with the focal plane of the visible light objective lens 34.

【0077】ここで、可視光用オートフォーカス制御部
35は、外部ユニット50に配された制御用コンピュー
タ61に、オートフォーカス制御インターフェース61
eを介して接続されている。そして、可視光用オートフ
ォーカス制御部35には、制御用コンピュータ61から
オートフォーカス制御インターフェース61eを介して
制御信号が送られる。可視光用オートフォーカス制御部
35による可視光用対物レンズ34の自動焦点位置合わ
せは、この制御信号に基づいて行われる。
Here, the visible light auto-focus control unit 35 sends an auto-focus control interface 61 to a control computer 61 arranged in the external unit 50.
e. Then, a control signal is sent from the control computer 61 to the visible light autofocus control unit 35 via the autofocus control interface 61e. Automatic focus positioning of the visible light objective lens 34 by the visible light autofocus controller 35 is performed based on this control signal.

【0078】また、光学ユニット21の内部には、紫外
光にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構とし
て、紫外光用CCDカメラ31と、紫外光レーザ光源3
6と、紫外光用光学系37と、紫外光用対物レンズ38
と、紫外光用オートフォーカス制御部39とが配されて
いる。
The optical unit 21 includes a CCD camera 31 for ultraviolet light and a laser light source 3 for ultraviolet light as a mechanism for capturing an image of a semiconductor wafer with ultraviolet light.
6, an optical system 37 for ultraviolet light, and an objective lens 38 for ultraviolet light
And an ultraviolet light autofocus control section 39.

【0079】そして、紫外光にて半導体ウェハの画像を
撮像する際は、紫外光レーザ光源36を点灯させる。こ
こで、紫外光レーザ光源36の駆動源は、外部ユニット
50に配された制御用コンピュータ61に、光源制御イ
ンターフェース61dを介して接続されている。そし
て、紫外光レーザ光源36の駆動源には、制御用コンピ
ュータ61から光源制御インターフェース61dを介し
て制御信号が送られる。紫外光レーザ光源36の点灯/
消灯は、この制御信号に基づいて行われる。
When an image of the semiconductor wafer is taken with ultraviolet light, the ultraviolet laser light source 36 is turned on. Here, the drive source of the ultraviolet laser light source 36 is connected to a control computer 61 arranged in the external unit 50 via a light source control interface 61d. A control signal is sent from the control computer 61 to the drive source of the ultraviolet laser light source 36 via the light source control interface 61d. Turning on / off the ultraviolet laser light source 36
The light is turned off based on this control signal.

【0080】なお、紫外光レーザ光源36には、波長が
266nm程度の紫外光レーザを出射するものを用いる
ことが好ましい。波長が266nm程度の紫外光レーザ
は、YAGレーザの4倍波として得られる。また、レー
ザ光源としては、発振波長が166nm程度のものも開
発されており、そのようなレーザ光源を上記紫外光レー
ザ光源36として用いてもよい。
It is preferable that the ultraviolet laser light source 36 emits an ultraviolet laser having a wavelength of about 266 nm. An ultraviolet light laser having a wavelength of about 266 nm is obtained as a fourth harmonic of a YAG laser. Further, a laser light source having an oscillation wavelength of about 166 nm has been developed, and such a laser light source may be used as the ultraviolet laser light source.

【0081】紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像する
際は、紫外光レーザ光源36を点灯させ、この紫外光レ
ーザ光源36からの紫外光を、紫外光用光学系37及び
紫外光用対物レンズ38を介して半導体ウェハにあて
て、半導体ウェハを照明する。そして、紫外光により照
明された半導体ウェハの像を紫外光用対物レンズ38に
より拡大し、その拡大像を紫外光用CCDカメラ31に
より撮像する。
When capturing an image of a semiconductor wafer with ultraviolet light, the ultraviolet laser light source 36 is turned on, and the ultraviolet light from the ultraviolet laser light source 36 is transmitted to the ultraviolet optical system 37 and the objective lens for ultraviolet light. The semiconductor wafer is illuminated by being applied to the semiconductor wafer via 38. Then, the image of the semiconductor wafer illuminated by the ultraviolet light is enlarged by the ultraviolet light objective lens 38, and the enlarged image is captured by the ultraviolet light CCD camera 31.

【0082】ここで、紫外光用CCDカメラ31は、外
部ユニット50に配された画像処理用コンピュータ60
に、画像取込インターフェース60cを介して接続され
ている。そして、紫外光用CCDカメラ31により撮像
された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェー
ス60cを介して画像処理用コンピュータ60に取り込
まれる。
Here, the ultraviolet CCD camera 31 is connected to the image processing computer 60 provided in the external unit 50.
Are connected via an image capture interface 60c. The image of the semiconductor wafer captured by the ultraviolet light CCD camera 31 is captured by the image processing computer 60 via the image capturing interface 60c.

【0083】また、上述のように紫外光にて半導体ウェ
ハの画像を撮像する際は、紫外光用オートフォーカス制
御部39により、自動焦点位置合わせを行う。すなわ
ち、紫外光用オートフォーカス制御部39により、紫外
光用対物レンズ38と半導体ウェハの間隔が紫外光用対
物レンズ38の焦点距離に一致しているか否かを検出
し、一致していない場合には、紫外光用対物レンズ38
又はZステージ18を動かして、半導体ウェハの検査対
象面が紫外光用対物レンズ38の焦点面に一致するよう
にする。
When the image of the semiconductor wafer is picked up by the ultraviolet light as described above, the automatic focus control is performed by the ultraviolet light autofocus control section 39. That is, the autofocus controller 39 for ultraviolet light detects whether or not the interval between the objective lens 38 for ultraviolet light and the semiconductor wafer matches the focal length of the objective lens 38 for ultraviolet light. Is the objective lens 38 for ultraviolet light.
Alternatively, the Z stage 18 is moved so that the inspection surface of the semiconductor wafer coincides with the focal plane of the ultraviolet light objective lens 38.

【0084】ここで、紫外光用オートフォーカス制御部
39は、外部ユニット50に配された制御用コンピュー
タ61に、オートフォーカス制御インターフェース61
eを介して接続されている。そして、紫外光用オートフ
ォーカス制御部39には、制御用コンピュータ61から
オートフォーカス制御インターフェース61eを介して
制御信号が送られる。紫外光用オートフォーカス制御部
39による紫外光用対物レンズ38の自動焦点位置合わ
せは、この制御信号に基づいて行われる。
Here, the auto-focus control section 39 for ultraviolet light transmits an auto-focus control interface 61 to a control computer 61 arranged in the external unit 50.
e. Then, a control signal is sent from the control computer 61 to the ultraviolet light autofocus control section 39 via the autofocus control interface 61e. Automatic focusing of the ultraviolet light objective lens 38 by the ultraviolet light autofocus control unit 39 is performed based on this control signal.

【0085】また、クリーンエアユニット4には、上述
したように、2つの送風機5a,5bが設けられてい
る。これらの送風機5a,5bは、外部ユニット50に
配された制御用コンピュータ61に、風量制御インター
フェース61fを介して接続されている。そして、クリ
ーンエアユニット4の送風機5a,5bには、制御用コ
ンピュータ61から風量制御インターフェース61fを
介して、制御信号が送られる。送風機5a,5bの回転
数の制御やオン/オフの切り替え等は、この制御信号に
基づいて行われる。
Further, as described above, the clean air unit 4 is provided with two blowers 5a and 5b. These blowers 5a and 5b are connected to a control computer 61 arranged in the external unit 50 via an air volume control interface 61f. A control signal is sent from the control computer 61 to the blowers 5a and 5b of the clean air unit 4 via the air volume control interface 61f. Control of the number of rotations of the blowers 5a and 5b, switching on / off, and the like are performed based on this control signal.

【0086】次に、上記検査装置1の光学ユニット21
の光学系について、図5を参照して更に詳細に説明す
る。なお、ここでは、オートフォーカス制御部35,3
9についての説明は省略し、検査対象の半導体ウェハを
照明する光学系と、検査対象の半導体ウェハを撮像する
光学系とについて説明する。
Next, the optical unit 21 of the inspection apparatus 1
Will be described in more detail with reference to FIG. Here, the auto focus control units 35 and 3
The description of 9 will be omitted, and an optical system for illuminating the semiconductor wafer to be inspected and an optical system for imaging the semiconductor wafer to be inspected will be described.

【0087】図5に示すように、光学ユニット21は、
可視光にて半導体ウェハの画像を撮像するための光学系
として、ハロゲンランプ32と、可視光用光学系33
と、可視光用対物レンズ34とを備えている。
As shown in FIG. 5, the optical unit 21
As an optical system for capturing an image of a semiconductor wafer with visible light, a halogen lamp 32 and an optical system 33 for visible light are used.
And a visible light objective lens 34.

【0088】ハロゲンランプ32からの可視光は、光フ
ァイバ40によって可視光用光学系33へと導かれる。
可視光用光学系33へと導かれた可視光は、先ず、2つ
のレンズ41,42を透過してハーフミラー43に入射
する。そして、ハーフミラー43に入射した可視光は、
ハーフミラー43によって可視光用対物レンズ34へ向
けて反射され、可視光用対物レンズ34を介して半導体
ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが可視光
により照明される。
The visible light from the halogen lamp 32 is guided by the optical fiber 40 to the visible light optical system 33.
The visible light guided to the visible light optical system 33 first passes through the two lenses 41 and 42 and enters the half mirror 43. Then, the visible light incident on the half mirror 43 is
The light is reflected by the half mirror 43 toward the objective lens 34 for visible light, and enters the semiconductor wafer via the objective lens 34 for visible light. Thereby, the semiconductor wafer is illuminated with the visible light.

【0089】そして、可視光により照明された半導体ウ
ェハの像は、可視光用対物レンズ34により拡大され、
ハーフミラー43及び撮像用レンズ44を透過して、可
視光用CCDカメラ30により撮像される。すなわち、
可視光により照明された半導体ウェハからの反射光が、
可視光用対物レンズ34、ハーフミラー43及び撮像用
レンズ44を介して可視光用CCDカメラ30に入射
し、これにより、半導体ウェハの拡大像が可視光用CC
Dカメラ30によって撮像される。そして、可視光用C
CDカメラ30によって撮像された半導体ウェハの画像
(以下、可視画像と称する。)は、画像処理用コンピュ
ータ60へと送られる。
Then, the image of the semiconductor wafer illuminated by the visible light is enlarged by the visible light objective lens 34,
The light passes through the half mirror 43 and the imaging lens 44 and is imaged by the visible light CCD camera 30. That is,
The reflected light from the semiconductor wafer illuminated by visible light
The light enters the visible light CCD camera 30 via the visible light objective lens 34, the half mirror 43, and the imaging lens 44.
The image is taken by the D camera 30. And C for visible light
An image of the semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a visible image) captured by the CD camera 30 is sent to the image processing computer 60.

【0090】また、光学ユニット21は、紫外光にて半
導体ウェハの画像を撮像するための光学系として、紫外
光レーザ光源36と、紫外光用光学系37と、紫外光用
対物レンズ38とを備えている。
The optical unit 21 includes an ultraviolet laser light source 36, an ultraviolet optical system 37, and an ultraviolet objective lens 38 as an optical system for capturing an image of a semiconductor wafer with ultraviolet light. Have.

【0091】紫外光レーザ光源36からの紫外光は、光
ファイバ45によって紫外光用光学系37へ導かれる。
紫外光用光学系37へと導かれた紫外光は、先ず、2つ
のレンズ46,47を透過してハーフミラー48に入射
する。そして、ハーフミラー48に入射した可視光は、
ハーフミラー48によって紫外光用対物レンズ38へ向
けて反射され、紫外光用対物レンズ38を介して半導体
ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが紫外光
により照明される。
Ultraviolet light from the ultraviolet laser light source 36 is guided to the ultraviolet light optical system 37 by the optical fiber 45.
The ultraviolet light guided to the ultraviolet light optical system 37 first passes through the two lenses 46 and 47 and enters the half mirror 48. Then, the visible light incident on the half mirror 48 is
The light is reflected by the half mirror 48 toward the ultraviolet light objective lens 38 and is incident on the semiconductor wafer via the ultraviolet light objective lens 38. Thereby, the semiconductor wafer is illuminated by the ultraviolet light.

【0092】そして、紫外光により照明された半導体ウ
ェハの像は、紫外光用対物レンズ38により拡大され、
ハーフミラー48及び撮像用レンズ49を透過して、紫
外光用CCDカメラ31により撮像される。すなわち、
紫外光により照明された半導体ウェハからの反射光が、
紫外光用対物レンズ38、ハーフミラー48及び撮像用
レンズ49を介して紫外光用CCDカメラ31に入射
し、これにより、半導体ウェハの拡大像が紫外光用CC
Dカメラ31によって撮像される。そして、紫外光用C
CDカメラ31によって撮像された半導体ウェハの画像
(以下、紫外画像と称する。)は、画像処理用コンピュ
ータ60へと送られる。
Then, the image of the semiconductor wafer illuminated with the ultraviolet light is enlarged by the ultraviolet light objective lens 38,
The light passes through the half mirror 48 and the imaging lens 49 and is imaged by the ultraviolet light CCD camera 31. That is,
The reflected light from the semiconductor wafer illuminated by ultraviolet light,
The light enters the ultraviolet light CCD camera 31 via the ultraviolet light objective lens 38, the half mirror 48, and the imaging lens 49, whereby the enlarged image of the semiconductor wafer is converted to the ultraviolet light CC.
The image is captured by the D camera 31. And UV light C
The image of the semiconductor wafer (hereinafter, referred to as an ultraviolet image) captured by the CD camera 31 is sent to the image processing computer 60.

【0093】以上のような検査装置1では、可視光より
も短波長の光である紫外光により、半導体ウェハの画像
を撮像して検査することができるので、可視光を用いて
欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微細な
欠陥の検出や分類分けを行うことができる。
In the inspection apparatus 1 as described above, an image of a semiconductor wafer can be imaged and inspected by ultraviolet light having a wavelength shorter than that of visible light. As compared with the case of performing classification, finer defects can be detected and classified.

【0094】しかも、上記検査装置1では、可視光用の
光学系と紫外光用の光学系とを兼ね備えており、可視光
を用いた低分解能での半導体ウェハの検査と、紫外光を
用いた高分解能での半導体ウェハの検査との両方を行う
ことができる。したがって、上記検査装置1では、可視
光を用いた低分解能での半導体ウェハの検査により、大
きい欠陥の検出や分類分けを行い、且つ、紫外光を用い
た高分解能での半導体ウェハの検査により、小さい欠陥
の検出や分類分けを行うといったことも可能である。
In addition, the inspection apparatus 1 has both an optical system for visible light and an optical system for ultraviolet light, and inspects a semiconductor wafer at a low resolution using visible light and uses an ultraviolet light. Inspection of a semiconductor wafer with high resolution can be performed. Therefore, the inspection apparatus 1 detects and classifies large defects by inspecting a semiconductor wafer at low resolution using visible light, and inspects a semiconductor wafer at high resolution using ultraviolet light. It is also possible to detect and classify small defects.

【0095】なお、上記検査装置1において、紫外光用
対物レンズ40の開口数NAは、大きい方が好ましく、
例えば0.9以上とする。このように、紫外光用対物レ
ンズ40として、開口数NAの大きなレンズを用いるこ
とで、より微細な欠陥の検出が可能となる。
In the inspection apparatus 1, the numerical aperture NA of the ultraviolet light objective lens 40 is preferably large.
For example, it is set to 0.9 or more. As described above, by using a lens having a large numerical aperture NA as the ultraviolet light objective lens 40, it is possible to detect a finer defect.

【0096】ところで、半導体ウェハの欠陥が、引っ掻
き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる場合、可干
渉性を持たない光では、その欠陥を見ることは殆どでき
ない。これに対して、レーザ光のように可干渉性に優れ
た光を用いた場合には、引っ掻き傷のように色情報が無
く凹凸だけからなる欠陥であっても、凹凸の段差近辺で
光が干渉することにより、当該欠陥をはっきりと見るこ
とができる。そして、上記検査装置1では、紫外光の光
源として紫外域のレーザ光を出射する紫外光レーザ光源
36を用いている。したがって、上記検査装置1では、
引っ掻き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる欠陥
であっても、当該欠陥をはっきりと検出することができ
る。すなわち、上記検査装置1では、ハロゲンランプ3
2からの可視光(インコヒーレント光)では検出が困難
な位相情報を、紫外光レーザ光源36からの紫外光レー
ザ(コヒーレント光)を用いて、容易に検出することが
できる。
When a defect of a semiconductor wafer is composed of only irregularities without color information such as a scratch, the defect can hardly be seen with light having no coherence. On the other hand, when light having excellent coherence, such as laser light, is used, even when a defect such as a scratch has no color information and consists only of irregularities, light is generated in the vicinity of the irregularities. By interfering, the defect can be clearly seen. The inspection apparatus 1 uses an ultraviolet laser light source 36 that emits laser light in the ultraviolet region as a light source of ultraviolet light. Therefore, in the above inspection device 1,
Even a defect such as a scratch, which has no color information and consists only of irregularities, can be clearly detected. That is, in the inspection apparatus 1, the halogen lamp 3
Phase information, which is difficult to detect with visible light (incoherent light) from 2, can be easily detected using the ultraviolet laser (coherent light) from the ultraviolet laser light source 36.

【0097】次に、上記検査装置1で半導体ウェハを検
査するときの手順の一例を、図6のフローチャートを参
照して説明する。なお、図6のフローチャートでは、検
査対象の半導体ウェハが検査用ステージ14に設置され
た状態以降の処理の手順を示している。また、図6に示
すフローチャートは、半導体ウェハ上の欠陥の位置が予
め分かっている場合に、その欠陥を上記検査装置1によ
り検査して分類分けを行うときの手順の一例を示してい
る。また、ここでは、半導体ウェハ上に同様なデバイス
パターンが多数形成されているものとし、欠陥の検出や
分類分けは、欠陥がある領域の画像(欠陥画像)と、そ
の他の領域の画像(参照画像)とを撮像し、それらを比
較することで行うものとする。
Next, an example of a procedure for inspecting a semiconductor wafer by the inspection apparatus 1 will be described with reference to a flowchart of FIG. Note that the flowchart of FIG. 6 shows a procedure of a process after the semiconductor wafer to be inspected is set on the inspection stage 14. Further, the flowchart shown in FIG. 6 shows an example of a procedure when the defect is inspected by the inspection apparatus 1 and classified when the position of the defect on the semiconductor wafer is known in advance. Here, it is assumed that a number of similar device patterns are formed on a semiconductor wafer, and the detection and classification of defects are performed by using an image of a defective area (a defect image) and an image of another area (a reference image). ) Is taken and compared.

【0098】先ず、ステップS1−1に示すように、制
御用コンピュータ61に欠陥位置座標ファイルを読み込
む。ここで、欠陥位置座標ファイルは、半導体ウェハ上
の欠陥の位置に関する情報が記述されたファイルであ
り、欠陥検出装置等により、半導体ウェハ上の欠陥の位
置を予め計測して作成しておく。そして、ここでは、そ
の欠陥位置座標ファイルを制御用コンピュータ61に読
み込む。
First, as shown in step S1-1, a defect position coordinate file is read into the control computer 61. Here, the defect position coordinate file is a file in which information relating to the position of the defect on the semiconductor wafer is described, and is created by measuring the position of the defect on the semiconductor wafer in advance by a defect detection device or the like. Then, here, the defect position coordinate file is read into the control computer 61.

【0099】次に、ステップS1−2において、制御用
コンピュータ61によりXステージ15及びYステージ
16を駆動させ、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置
座標へ半導体ウェハを移動させ、半導体ウェハの検査対
象領域が可視光用対物レンズ34の視野内に入るように
する。
Next, in step S1-2, the X stage 15 and the Y stage 16 are driven by the control computer 61 to move the semiconductor wafer to the defect position coordinates indicated by the defect position coordinate file. In the field of view of the objective lens 34 for visible light.

【0100】次に、ステップS1−3において、制御用
コンピュータ61により可視光用オートフォーカス制御
部35を駆動させ、可視光用対物レンズ34の自動焦点
位置合わせを行う。
Next, in step S1-3, the visible light autofocus controller 35 is driven by the control computer 61 to perform automatic focus positioning of the visible light objective lens.

【0101】次に、ステップS1−4において、可視光
用CCDカメラ30により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ60に
送る。なお、ここで撮像される可視画像は、欠陥位置座
標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわ
ち、欠陥があるとされる領域の画像(以下、欠陥画像と
称する。)である。
Next, in step S1-4, an image of the semiconductor wafer is captured by the visible light CCD camera 30, and the captured visible image is sent to the image processing computer 60. The visible image captured here is an image at the defect position coordinates indicated by the defect position coordinate file, that is, an image of a region where a defect is present (hereinafter, referred to as a defect image).

【0102】次に、ステップS1−5において、制御用
コンピュータ61によりXステージ15及びYステージ
16を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動さ
せて、半導体ウェハの参照領域が可視光用対物レンズ3
4の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、半
導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導体
ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様
なデバイスパターンが形成されている領域である。
Next, in step S1-5, the X stage 15 and the Y stage 16 are driven by the control computer 61 to move the semiconductor wafer to the reference position coordinates, and the reference area of the semiconductor wafer is changed to the visible light objective lens. 3
4 so that it is within the field of view. Here, the reference region is a region other than the inspection target region of the semiconductor wafer, and is a region where a device pattern similar to the device pattern in the inspection target region of the semiconductor wafer is formed.

【0103】次に、ステップS1−6において、制御用
コンピュータ61により可視光用オートフォーカス制御
部35を駆動させ、可視光用対物レンズ34の自動焦点
位置合わせを行う。
Next, in step S1-6, the visible light autofocus control unit 35 is driven by the control computer 61 to perform automatic focus positioning of the visible light objective lens.

【0104】次に、ステップS1−7において、可視光
用CCDカメラ30により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ60に
送る。なお、ここで撮像される可視画像は、半導体ウェ
ハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデ
バイスパターンが形成されている領域の画像(以下、参
照画像と称する。)である。
Next, in step S1-7, an image of the semiconductor wafer is captured by the visible light CCD camera 30, and the captured visible image is sent to the image processing computer 60. Note that the visible image captured here is an image of a region where a device pattern similar to the device pattern in the inspection target region of the semiconductor wafer is formed (hereinafter, referred to as a reference image).

【0105】次に、ステップS1−8において、画像処
理用コンピュータ60により、ステップS1−4で取り
込んだ欠陥画像と、ステップS1−7で取り込んだ参照
画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。そし
て、欠陥が検出できた場合には、ステップS1−9へ進
み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップS1−
11へ進む。
Next, at step S1-8, the image processing computer 60 compares the defect image captured at step S1-4 with the reference image captured at step S1-7, and detects a defect from the defect image. I do. If a defect is detected, the process proceeds to step S1-9. If a defect is not detected, the process proceeds to step S1-9.
Proceed to 11.

【0106】ステップS1−9では、画像処理用コンピ
ュータ60により、検出された欠陥が何であるかを調べ
て分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた場
合には、ステップS1−10へ進み、欠陥の分類分けが
できなかった場合には、ステップS1−11へ進む。
In step S1-9, the image processing computer 60 checks what the detected defect is and performs classification. If the defect can be classified, the process proceeds to step S1-10. If the defect cannot be classified, the process proceeds to step S1-11.

【0107】ステップS1−10では、欠陥の分類結果
を保存する。ここで、欠陥の分類結果は、例えば、画像
処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ61に接
続された記憶装置に保存する。なお、欠陥の分類結果
は、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ
61にネットワークを介して接続された他のコンピュー
タに転送して保存するようにしてもよい。
In step S1-10, the result of defect classification is stored. Here, the defect classification result is stored in, for example, a storage device connected to the image processing computer 60 or the control computer 61. Note that the defect classification result may be transferred to another computer connected to the image processing computer 60 or the control computer 61 via a network, and may be stored.

【0108】ステップS1−10での処理が完了した
ら、半導体ウェハの欠陥の分類分けが完了したこととな
るので、これで処理を終了する。ただし、半導体ウェハ
上に複数の欠陥がある場合には、ステップS1−2へ戻
って、他の欠陥の検出及び分類分けを行うようにしても
よい。
When the processing in step S1-10 is completed, it means that the classification of the defects in the semiconductor wafer has been completed, and the processing is completed. However, when there are a plurality of defects on the semiconductor wafer, the process may return to step S1-2 to detect and classify other defects.

【0109】一方、ステップS1−8で欠陥検出ができ
なかった場合や、ステップS1−9で欠陥の分類分けが
できなかった場合には、ステップS1−11以降へ進
み、紫外光を用いて高分解能での撮像を行って欠陥の検
出や分類分けを行う。
On the other hand, if the defect cannot be detected in step S1-8, or if the defect cannot be classified in step S1-9, the process proceeds to step S1-11 and the subsequent steps. Defect detection and classification are performed by imaging at a resolution.

【0110】その場合は、先ず、ステップS1−11に
おいて、制御用コンピュータ61によりXステージ15
及びYステージ16を駆動させ、欠陥位置座標ファイル
が示す欠陥位置座標へ半導体ウェハを移動させて、半導
体ウェハの検査対象領域が紫外光用対物レンズ38の視
野内に入るようにする。
In that case, first, in step S1-11, the X stage 15 is controlled by the control computer 61.
Then, the Y stage 16 is driven to move the semiconductor wafer to the defect position coordinates indicated by the defect position coordinate file, so that the inspection target area of the semiconductor wafer falls within the field of view of the ultraviolet light objective lens 38.

【0111】次に、ステップS1−12において、制御
用コンピュータ61により紫外光用オートフォーカス制
御部39を駆動させ、紫外光用対物レンズ38の自動焦
点位置合わせを行う。
Next, in step S1-12, the control computer 61 drives the ultraviolet auto-focus control section 39 to perform automatic focus positioning of the ultraviolet light objective lens.

【0112】次に、ステップS1−13において、紫外
光用CCDカメラ31により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ60に
送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、欠陥位置座
標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわち
欠陥画像である。また、ここでの欠陥画像の撮像は、可
視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を
用いた場合の撮像よりも高分解能にて行う。
Next, in step S1-13, an image of the semiconductor wafer is taken by the ultraviolet CCD camera 31, and the taken ultraviolet image is sent to the image processing computer 60. The ultraviolet image captured here is an image at the defect position coordinates indicated by the defect position coordinate file, that is, a defect image. In addition, imaging of the defect image here is performed with higher resolution than imaging using visible light, using ultraviolet light that is light having a shorter wavelength than visible light.

【0113】次に、ステップS1−14において、制御
用コンピュータ61によりXステージ15及びYステー
ジ16を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動
させて、半導体ウェハの参照領域が紫外光用対物レンズ
38の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、
半導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導
体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同
様なデバイスパターンが形成されている領域である。
Next, in step S1-14, the control computer 61 drives the X stage 15 and the Y stage 16 to move the semiconductor wafer to the reference position coordinates. 38. Here, the reference area is
This is an area other than the inspection target area of the semiconductor wafer, in which a device pattern similar to the device pattern in the inspection target area of the semiconductor wafer is formed.

【0114】次に、ステップS1−15において、制御
用コンピュータ61により紫外光用オートフォーカス制
御部39を駆動させ、紫外光用対物レンズ38の自動焦
点位置合わせを行う。
Next, in step S1-15, the control computer 61 drives the ultraviolet auto focus control section 39 to perform automatic focus positioning of the ultraviolet light objective lens.

【0115】次に、ステップS1−16において、紫外
光用CCDカメラ31により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ60に
送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、半導体ウェ
ハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデ
バイスパターンが形成されている領域の画像、すなわち
参照画像である。また、ここでの参照画像の撮像は、可
視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を
用いた場合よりも高分解能にて行う。
Next, in step S1-16, an image of the semiconductor wafer is taken by the ultraviolet CCD camera 31, and the taken ultraviolet image is sent to the image processing computer 60. The ultraviolet image captured here is an image of a region where a device pattern similar to the device pattern in the inspection target region of the semiconductor wafer is formed, that is, a reference image. The imaging of the reference image here is performed at a higher resolution than when visible light is used by using ultraviolet light that is light having a shorter wavelength than visible light.

【0116】次に、ステップS1−17において、画像
処理用コンピュータ60により、ステップS1−13で
取り込んだ欠陥画像と、ステップS1−16で取り込ん
だ参照画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。
そして、欠陥が検出できた場合には、ステップS1−1
8へ進み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップ
S1−19へ進む。
Next, in step S1-17, the image processing computer 60 compares the defect image captured in step S1-13 with the reference image captured in step S1-16, and detects a defect from the defect image. I do.
If a defect can be detected, step S1-1
Proceeding to step S8, if no defect is detected, proceeding to step S1-19.

【0117】ステップS1−18では、画像処理用コン
ピュータ60により、検出された欠陥が何であるかを調
べて分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた
場合には、ステップS1−10へ進み、上述したよう
に、欠陥の分類結果を保存する。一方、欠陥の分類分け
ができなかった場合には、ステップS1−19へ進む。
In step S1-18, the image processing computer 60 checks what the detected defect is and performs classification. If the defect classification has been completed, the process proceeds to step S1-10, and the defect classification result is stored as described above. On the other hand, if the defect cannot be classified, the process proceeds to step S1-19.

【0118】ステップS1−19では、欠陥の分類分け
ができなかったことを示す情報を保存する。ここで、欠
陥の分類分けができなかったことを示す情報は、例え
ば、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ
61に接続された記憶装置に保存する。なお、この情報
は、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ
61にネットワークを介して接続された他のコンピュー
タに転送して保存するようにしてもよい。
In step S1-19, information indicating that the defect cannot be classified is stored. Here, information indicating that the defect cannot be classified is stored, for example, in a storage device connected to the image processing computer 60 or the control computer 61. Note that this information may be transferred to another computer connected to the image processing computer 60 or the control computer 61 via a network and stored.

【0119】以上のような手順により、先ず、可視光用
CCDカメラ30により撮像された画像を処理して解析
することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行い、可
視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場合に、
次に、紫外光用CCDカメラ31により撮像された画像
を処理して解析することで高分解能にて半導体ウェハの
検査を行う。
According to the above-described procedure, first, an image picked up by the visible light CCD camera 30 is processed and analyzed to inspect the semiconductor wafer at a low resolution, and to detect a defect by visible light, When classification was not possible,
Next, the semiconductor wafer is inspected with high resolution by processing and analyzing the image captured by the ultraviolet CCD camera 31.

【0120】ここで、CCDカメラ30,31によって
撮像された参照画像及び欠陥画像から欠陥を検出する手
法について、図7を参照して説明する。
Here, a method of detecting a defect from a reference image and a defect image picked up by the CCD cameras 30 and 31 will be described with reference to FIG.

【0121】図7(a)は、検査対象領域におけるデバ
イスパターンと同様なデバイスパターンが形成されてい
る参照領域の画像、すなわち参照画像の一例を示してい
る。また、図7(b)は、欠陥があるとされる検査対象
領域の画像、すなわち欠陥画像の一例を示している。
FIG. 7A shows an example of a reference area image in which a device pattern similar to the device pattern in the inspection target area is formed, that is, an example of the reference image. FIG. 7B shows an example of an image of a region to be inspected which is assumed to have a defect, that is, an example of a defect image.

【0122】このような参照画像及び欠陥画像から欠陥
を検出する際は、参照画像から色情報や濃淡情報などに
基づいて、図7(c)に示すようにデバイスパターンを
抽出する。また、参照画像と欠陥画像から差の画像を求
め、差の大きな部分を図7(d)に示すように欠陥とし
て抽出する。
When a defect is detected from such a reference image and a defect image, a device pattern is extracted from the reference image as shown in FIG. 7C based on color information, density information, and the like. Further, a difference image is obtained from the reference image and the defect image, and a portion having a large difference is extracted as a defect as shown in FIG.

【0123】そして、図7(e)に示すように、図7
(c)に示したデバイスパターン抽出結果の画像と、図
7(d)に示した欠陥抽出結果の画像とを重ね合わせた
画像を得て、欠陥がデバイスパターンに存在する割合な
どを、欠陥に関する特徴量として抽出する。
Then, as shown in FIG.
An image obtained by superimposing the image of the device pattern extraction result shown in FIG. 7C and the image of the defect extraction result shown in FIG. 7D is obtained, and the rate at which the defect exists in the device pattern is determined. It is extracted as a feature value.

【0124】以上のような手法により、CCDカメラ3
0,31によって撮像された参照画像及び欠陥画像を画
像処理用コンピュータ60で処理し解析することで欠陥
を検出し、半導体ウェハの検査を行うことができる。
By the above-described method, the CCD camera 3
The image processing computer 60 processes and analyzes the reference image and the defect image captured by 0 and 31 to detect a defect and inspect a semiconductor wafer.

【0125】検査装置1は、上述したように、先ず、可
視光用CCDカメラ30により撮像された画像を処理し
て解析することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行
い、可視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場
合に、次に、紫外光用CCDカメラ31により撮像され
た画像を処理して解析することで高分解能にて半導体ウ
ェハの検査を行うようにしているので、可視光だけを用
いて欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微
細な欠陥の検出や分類分けを行うことができる。
As described above, the inspection apparatus 1 first inspects the semiconductor wafer at a low resolution by processing and analyzing the image picked up by the visible light CCD camera 30, and inspects the defect by visible light. If the detection and classification cannot be performed, the semiconductor wafer is inspected at a high resolution by processing and analyzing the image captured by the ultraviolet CCD camera 31. It is possible to detect and classify finer defects as compared to the case of detecting and classifying defects using only visible light.

【0126】ただし、可視光を用いて低分解能にて撮像
した方が、一度に撮像できる領域が広いので、欠陥が十
分に大きい場合には、可視光を用いて低分解能にて半導
体ウェハの検査を行った方が効率が良い。したがって、
最初から紫外光を用いて欠陥の検査や分類分けを行うの
ではなく、上述のように、最初に可視光を用いて欠陥の
検査や分類分けを行うようにすることで、より効率良く
半導体ウェハの検査を行うことができる。
However, when imaging with low resolution using visible light, the area that can be imaged at a time is wider. If the defect is sufficiently large, inspection of the semiconductor wafer with low resolution using visible light is possible. Is more efficient. Therefore,
Rather than using ultraviolet light to inspect and classify defects from the beginning, as described above, inspecting and classifying defects using visible light first enables more efficient semiconductor wafers. Inspection can be performed.

【0127】ところで、この検査装置1では、上述した
ように、半導体ウェハの検査を行う装置本体10をクリ
ーンボックス3の内部に設置し、クリーンボックス3の
内部に清浄な空気を供給して高いクリーン度に保つこと
によって、検査が行われる環境のクリーン度のみを局所
的に高め、クリーンな環境の中で検査が行えるようにし
ている。
In the inspection apparatus 1, as described above, the apparatus main body 10 for inspecting semiconductor wafers is installed inside the clean box 3, and clean air is supplied into the clean box 3 to provide a high cleanness. By maintaining the temperature in the environment, only the cleanness of the environment in which the inspection is performed is locally increased, and the inspection can be performed in a clean environment.

【0128】しかしながら、このような構造の検査装置
1では、半導体ウェハの検査を行う際に、検査用ステー
ジ14や搬送用ロボット23等が動作されることに伴っ
て、クリーンボックス3内に摩耗粉等の塵埃が発生する
場合がある。そして、この湯にクリーンボックス3内に
発生した塵埃等が検査用ステージ14上に設置された半
導体ウェハや、容器7を介してクリーンボックス3内に
搬送されてきた半導体ウェハに付着すると、適切な検査
が阻害されてしまう。したがって、検査装置1において
は、クリーンボックス3内で発生した塵埃等を半導体ウ
ェハに付着させることなく速やかにクリーンボックス3
の外部に排出することが重要である。
However, in the inspection apparatus 1 having such a structure, when the inspection of the semiconductor wafer is performed, as the inspection stage 14 and the transfer robot 23 are operated, the wear powder is stored in the clean box 3. Dust may be generated. When dust or the like generated in the clean box 3 adheres to the semiconductor wafer placed on the inspection stage 14 or the semiconductor wafer transported into the clean box 3 via the container 7, an appropriate Inspection will be hindered. Therefore, in the inspection apparatus 1, the dust and the like generated in the clean box 3 are quickly attached to the semiconductor wafer without adhering to the semiconductor wafer.
It is important to discharge to the outside.

【0129】特に、この検査装置1では、紫外光レーザ
光源36や紫外光用CCDカメラ31等を用いて、例え
ば、線幅が0.18μm以下とされた非常に微細なデバ
イスパターンを高分解能にて検査するようになされてい
るので、これまであまり問題とならなかったような微細
な塵埃等も適切な検査を阻害する要因となる。
In particular, in the inspection apparatus 1, for example, an extremely fine device pattern having a line width of 0.18 μm or less can be converted to a high resolution by using the ultraviolet laser light source 36 and the ultraviolet CCD camera 31 or the like. Since fine inspection is performed, fine dust and the like, which has not been a problem so far, can be a factor that hinders appropriate inspection.

【0130】そこで、この検査装置1では、クリーンボ
ックス3内の気流を適切にコントロールすることによっ
て、クリーンボックス3内で発生した塵埃等を、非常に
微細なものも含めてクリーンボックス3の外部に効果的
に排出し、半導体ウェハに付着させないようにしてい
る。
Therefore, in the inspection apparatus 1, by appropriately controlling the air flow in the clean box 3, dusts and the like generated in the clean box 3 can be discharged to the outside of the clean box 3 including very fine ones. It is effectively discharged so that it does not adhere to the semiconductor wafer.

【0131】具体的には、この検査装置1では、クリー
ンエアユニット4からクリーンボックス3内に供給され
る清浄な空気の風量を、送風機5a,5b毎に個別に制
御することによって、クリーンボックス3内の気流を自
在にコントロールできるようにしている。
More specifically, in the inspection apparatus 1, the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is individually controlled for each of the blowers 5a and 5b. The airflow inside can be controlled freely.

【0132】クリーンエアユニット4からクリーンボッ
クス3内に供給される清浄な空気の風量を、送風機5
a,5b毎に個別に制御する方法としては、例えば、送
風機5a,5bの回転数を個別に調整することが考えら
れる。検査装置1では、上述したように、送風機5a,
5bが、風量制御インターフェース61fを介して制御
用コンピュータ61に接続されている。そして、制御用
コンピュータ61から風量制御インターフェース61f
を介して送風機5a,5bに制御信号を送出することに
よって、送風機5a,5bの回転数を制御することがで
きるようになされている。
The amount of clean air supplied into the clean box 3 from the clean air unit 4 is
As a method of controlling individually for each of a and 5b, for example, it is conceivable to individually adjust the rotation speed of the blowers 5a and 5b. In the inspection device 1, as described above, the blowers 5a,
5b is connected to the control computer 61 via the air volume control interface 61f. Then, the air volume control interface 61f is sent from the control computer 61.
By transmitting a control signal to the blowers 5a and 5b via the controller, the rotation speeds of the blowers 5a and 5b can be controlled.

【0133】したがって、この検査装置1では、検査者
が入力装置53bを介して制御用コンピュータ61に必
要な指示を入力することによって、送風機5a,5bの
回転数を個別に調整し、クリーンエアユニット4からク
リーンボックス3内に供給される清浄な空気の風量を、
送風機5a,5b毎に個別に制御することができる。
Accordingly, in this inspection apparatus 1, the inspector inputs necessary instructions to the control computer 61 via the input device 53b, thereby individually adjusting the rotation speeds of the blowers 5a and 5b, and The amount of clean air supplied into the clean box 3 from 4 is
It can be controlled individually for each of the blowers 5a and 5b.

【0134】送風機5a,5bから送風される空気は、
高性能エアフィルタを通過することによって塵埃等が除
去された清浄な空気とされ、これら送風機5a,5bの
下方に位置するクリーンボックス3内の各領域に、ダウ
ンフローとしてそれぞれ送られることになる。ここで、
送風機5a,5bからの空気の風量がそれぞれ同じであ
るとすると、これら送風機5a,5bの下方に位置する
クリーンボックス3内の各領域における風速が、クリー
ンボックス3の形状やクリーンボックス3内における装
置本体10の配置等に依存する各領域の広さに応じてそ
れぞれ異なったものとなる。そして、この各領域におけ
る風速の違いに起因して、予期しない乱気流が生じ、ク
リーンボックス3内に発生した塵埃等を巻き上げて半導
体ウェハに付着させてしまう場合がある。
The air blown from the blowers 5a and 5b is
By passing through the high-performance air filter, the air is converted into clean air from which dust and the like are removed, and is sent as a downflow to each area in the clean box 3 located below these blowers 5a and 5b. here,
Assuming that the air volume from the blowers 5a and 5b is the same, the wind speed in each area in the clean box 3 located below the blowers 5a and 5b depends on the shape of the clean box 3 and the device in the clean box 3. The respective areas are different depending on the size of each area depending on the arrangement of the main body 10 and the like. Then, unexpected turbulence may occur due to the difference in wind speed in each region, and dust and the like generated in the clean box 3 may be rolled up and attached to the semiconductor wafer.

【0135】検査装置1では、送風機5a,5bの回転
数を個別に調整して、クリーンエアユニット4からクリ
ーンボックス3内に供給される清浄な空気の風量を、送
風機5a,5b毎に個別に制御することによって、例え
ば、クリーンボックス3内の各領域における風速を均一
にすることができるので、半導体ウェハへの塵埃等の付
着を有効に防止することが可能である。
In the inspection device 1, the rotation speed of the blowers 5a and 5b is individually adjusted, and the amount of clean air supplied into the clean box 3 from the clean air unit 4 is individually adjusted for each of the blowers 5a and 5b. By controlling, for example, the wind speed in each area in the clean box 3 can be made uniform, so that it is possible to effectively prevent dust and the like from adhering to the semiconductor wafer.

【0136】また、半導体ウェハへの塵埃等の付着を防
止するには、クリーンボックス3内に供給された清浄な
空気を、半導体ウェハが設置される検査用ステージ14
上や半導体ウェハが装着されたカセット7b内に導くこ
とが非常に有効である。このように、半導体ウェハが設
置される検査用ステージ14上や半導体ウェハが装着さ
れたカセット7b内に清浄な空気を導くようにすれば、
塵埃等を巻き上げた乱気流が検査用ステージ14上やカ
セット7b内に進入してくることを有効に防止すること
ができるばかりでなく、仮に、検査ステージ14上に設
置された半導体ウェハやカセット7b内に装着された半
導体ウェハに塵埃等が付着した場合にも、これを除去し
て、クリーンボックス3の外部に効果的に排出すること
ができる。
To prevent dust and the like from adhering to the semiconductor wafer, clean air supplied into the clean box 3 is removed from the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed.
It is very effective to guide the wafer into the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted. As described above, if clean air is guided on the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed or the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted,
In addition to effectively preventing the turbulence that has taken up dust and the like from entering on the inspection stage 14 and the cassette 7b, it is also possible to temporarily prevent the semiconductor wafer or the cassette 7b installed on the inspection stage 14 Even when dust or the like adheres to the semiconductor wafer mounted in the box, the dust and the like can be removed and can be effectively discharged to the outside of the clean box 3.

【0137】検査装置1では、送風機5a,5bの回転
数を個別に調整し、クリーンエアユニット4からクリー
ンボックス3内に供給される清浄な空気の風量を、送風
機5a,5b毎に個別に制御することによって、クリー
ンボックス3内の気流を適切にコントロールすることが
できるので、清浄な空気を半導体ウェハが設置される検
査用ステージ14上や半導体ウェハが装着されたカセッ
ト7b内に導いて、半導体ウェハへの塵埃等の付着を有
効に防止することが可能である。
In the inspection device 1, the rotation speed of the blowers 5a and 5b is individually adjusted, and the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 is individually controlled for each of the blowers 5a and 5b. By doing so, the airflow in the clean box 3 can be appropriately controlled, so that clean air is guided to the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed or the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted, and It is possible to effectively prevent dust and the like from adhering to the wafer.

【0138】なお、クリーンボックス3内の気流は、気
流可視化装置を用いれば目視により確認することができ
る。したがって、検査者は、クリーンボックス3内の気
流を目視により確認しながら、クリーンエアユニット4
からクリーンボックス3内に供給される清浄な空気の風
量を、送風機5a,5b毎に個別に制御して、クリーン
ボックス3内の気流が適切なものとなるようにコントロ
ールすることができる。
The air flow in the clean box 3 can be visually confirmed by using an air flow visualization device. Therefore, the inspector can visually check the air flow in the clean box 3 while checking the clean air unit 4.
, The amount of clean air supplied into the clean box 3 can be individually controlled for each of the blowers 5a and 5b, so that the air flow in the clean box 3 can be controlled appropriately.

【0139】また、クリーンエアユニット4からクリー
ンボックス3内に供給される清浄な空気の風量を、送風
機5a,5b毎に個別に制御する方法としては、図8に
示すように、クリーンエアユニット4のクリーンボック
ス3と対向する側に、開口部を有する仕切板70を設
け、この仕切板70の開口部の開口率を、送風機5a,
5bに対応した位置毎に個別に調整することが考えられ
る。換言すると、送風機5aに対応した位置の仕切板7
0の開口部の開口率と、送風機5bに対応した位置の仕
切板70の開口部の開口率とを個別に調整するようにす
れば、クリーンエアユニット4からクリーンボックス3
内に供給される清浄な空気の風量を、送風機5a,5b
毎に個別に制御することができる。
As a method of individually controlling the amount of clean air supplied from the clean air unit 4 into the clean box 3 for each of the blowers 5a and 5b, as shown in FIG. A partition plate 70 having an opening is provided on the side facing the clean box 3 and the opening ratio of the opening of the partition plate 70 is determined by the blower 5a,
It is conceivable to adjust individually for each position corresponding to 5b. In other words, the partition plate 7 at a position corresponding to the blower 5a
0, and the opening ratio of the opening of the partition plate 70 at a position corresponding to the blower 5b can be individually adjusted.
The blower 5a, 5b
Each can be controlled individually.

【0140】クリーンエアユニット4とクリーンボック
ス3とを仕切る仕切板70は、例えば、所定の開口率を
有するパンチングメタル71,72が重ね合わされてな
る。仕切板70は、これらパンチングメタル71,72
の重ね方を変えることにより、その開口率を変化させる
ことができる。検査装置1では、これら2枚のパンチン
グメタル71,72の重ね方を、送風機5aに対応した
位置と送風機5bに対応した位置とでそれぞれ個別に調
整し、仕切板70の開口部の開口率を、送風機5a,5
bに対応した位置毎に個別に調整するようにしている。
The partition plate 70 for separating the clean air unit 4 and the clean box 3 is formed by, for example, superposing punching metals 71 and 72 having a predetermined opening ratio. The partition plate 70 is provided with these punched metals 71, 72.
The aperture ratio can be changed by changing the way of overlapping. In the inspection device 1, the way of stacking the two punched metals 71 and 72 is individually adjusted at a position corresponding to the blower 5 a and a position corresponding to the blower 5 b, and the opening ratio of the opening of the partition plate 70 is adjusted. , Blowers 5a, 5
The adjustment is individually made for each position corresponding to b.

【0141】なお、送風機5aに対応した位置からクリ
ーンボックス3内に供給する清浄な空気の風量の好まし
い値と、送風機5bに対応した位置からクリーンボック
ス3内に供給する清浄な空気の風量の好ましい値とが予
め分かっている場合には、送風機5aに対応した位置と
送風機5bに対応した位置とに、それぞれ好ましい風量
が確保できる開口率のパンチングメタルを配設し、これ
を仕切板70としてもよい。
It is to be noted that a preferable value of the amount of clean air supplied into the clean box 3 from the position corresponding to the blower 5a and a preferable value of the amount of clean air supplied into the clean box 3 from the position corresponding to the blower 5b. If the value is known in advance, punching metal having an opening ratio that can secure a preferable air volume is disposed at a position corresponding to the blower 5a and a position corresponding to the blower 5b, and this is also used as the partition plate 70. Good.

【0142】なお、以上は、クリーンエアユニット4が
2つの送風機5a,5bを備える例を説明したが、送風
機の数はクリーンボックス3の大きさや形状に合わせて
決定すればよく、3つ以上の送風機を備える構成とされ
ていてもよい。この場合には、クリーンエアユニット4
からクリーンボックス3内に供給される清浄な空気の風
量が、各送風機毎に個別に制御されることになる。
In the above description, the example in which the clean air unit 4 includes the two blowers 5a and 5b has been described. However, the number of blowers may be determined according to the size and shape of the clean box 3. It may be configured to include a blower. In this case, the clean air unit 4
, The amount of clean air supplied into the clean box 3 is individually controlled for each blower.

【0143】また、この検査装置1では、クリーンボッ
クス3内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが設置
される検査用ステージ14上に導くために、図2及び図
9に示すように、検査用ステージ14の側方に位置する
クリーンボックス3の側面部に開口領域80が設けられ
ている。なお、図9は、クリーンユニット2を図2中矢
印A2方向から見た様子を示す側面図である。
Further, in this inspection apparatus 1, as shown in FIGS. 2 and 9, in order to guide the clean air supplied into the clean box 3 onto the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed, an inspection is performed. An opening area 80 is provided on the side surface of the clean box 3 located on the side of the use stage 14. FIG. 9 is a side view showing the appearance of the clean unit 2 viewed from the direction of arrow A2 in FIG.

【0144】具体的には、例えば、検査用ステージ14
の側方に位置するクリーンボックス3の側面部に所定の
開口率を有するパンチングメタルがはめ込まれ、このパ
ンチングメタルがはめ込まれた部分が開口領域80とさ
れている。検査装置1は、以上のように、検査用ステー
ジ14の側方に位置するクリーンボックス3の側面部に
開口領域80が設けられることにより、クリーンエアユ
ニット4からダウンフローとしてクリーンボックス3内
に供給された清浄な空気の一部を、検査用ステージ14
上を通過させて、その側方に設けられた開口領域80に
導き、この開口領域80からクリーンボックス3の外部
に排出させることができる。
More specifically, for example, the inspection stage 14
A punching metal having a predetermined opening ratio is fitted into a side surface portion of the clean box 3 located on the side of the clean box 3, and a portion where the punching metal is fitted is an opening region 80. As described above, the inspection apparatus 1 supplies the clean box 3 as a downflow from the clean air unit 4 by providing the opening area 80 on the side surface of the clean box 3 located on the side of the test stage 14. A part of the clean air that has been
After passing through the upper part, it can be guided to an opening area 80 provided on the side thereof, and can be discharged to the outside of the clean box 3 from this opening area 80.

【0145】また、この検査装置1では、クリーンボッ
クス3内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが設置
される検査用ステージ14上に適切に導くために、図2
及び図9に示すように、クリーンボックス3の側面部に
内方に向かって張り出す張出部81が設けられ、クリー
ンボックス3内の気室が、検査用テーブル14の下端部
を境に分離されている。この張出部81は、所定の開口
率のパンチングメタルよりなり、クリーンユニット4か
らダウンフローとしてクリーンボックス3内に供給され
た清浄な空気の一部をクリーンボックス3の下端部に導
くと共に、他の一部を横方向に流し、検査テーブル14
上に導く。なお、この張出部81の先端部は、装置本体
10から僅かな隙間を存して離間した状態とされてい
る。これは、クリーンボックス3に生じた振動を装置本
体10に伝えないためである。この検査装置1では、上
述したように、僅かな振動も検査の障害となるので、こ
のような振動対策が非常に有効である。
In order to properly guide the clean air supplied into the clean box 3 onto the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed, the inspection apparatus 1 shown in FIG.
As shown in FIG. 9, an overhang 81 is provided on the side surface of the clean box 3 so as to project inward, and the air chamber in the clean box 3 is separated at the lower end of the inspection table 14. Have been. The overhang portion 81 is made of punched metal having a predetermined opening ratio, and guides a part of the clean air supplied into the clean box 3 as a downflow from the clean unit 4 to the lower end portion of the clean box 3 and other parts. Of the inspection table 14
Guide up. The tip of the overhang 81 is separated from the apparatus main body 10 with a slight gap. This is because vibration generated in the clean box 3 is not transmitted to the apparatus main body 10. In the inspection apparatus 1, as described above, even a slight vibration interferes with the inspection. Therefore, such a measure against the vibration is very effective.

【0146】以上のように、クリーンエアユニット4か
ら供給された清浄な空気を半導体ウェハが設置される検
査用ステージ14上に導き、この検査用ステージ14上
を通過させるようにすれば、クリーンボックス3内の塵
埃等を巻き上げた乱気流が検査用ステージ14上に進入
してくることを有効に防止することができる。
As described above, the clean air supplied from the clean air unit 4 is guided onto the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed, and is passed through the inspection stage 14, thereby providing a clean box. It is possible to effectively prevent the turbulent air that has wound up the dust and the like in 3 from entering the inspection stage 14.

【0147】また、クリーンエアユニット4から供給さ
れた清浄な空気を半導体ウェハが設置される検査用ステ
ージ14上に導き、この検査用ステージ14上を通過さ
せるようにすれば、検査ステージ14上に設置された半
導体ウェハに塵埃等が付着した場合であっても、清浄な
空気によってこの塵埃等を半導体ウェハから除去し、開
口領域80を介してクリーンボックス3の外部に適切に
排出させることができる。
If the clean air supplied from the clean air unit 4 is guided onto the inspection stage 14 on which the semiconductor wafer is installed and is passed through the inspection stage 14, the inspection stage 14 Even when dust or the like adheres to the installed semiconductor wafer, the dust and the like can be removed from the semiconductor wafer by clean air and can be appropriately discharged to the outside of the clean box 3 through the opening region 80. .

【0148】なお、この検査装置1において、検査用ス
テージ14の側方に設けられた開口領域80及び張出部
81は、上述した仕切板70と同様に、2枚のパンチン
グメタルを重ね合わせ、一方のパンチングメタルを可動
にした構成とされていてもよい。この場合には、開口領
域80及び張出部81の開口率を自在に変化させること
ができるので、クリーンボックス3内の気流をコントロ
ールする上で非常に有利である。
In the inspection apparatus 1, the opening area 80 and the overhang 81 provided on the side of the inspection stage 14 are formed by laminating two punching metals like the partition plate 70 described above. One of the punching metals may be movable. In this case, the opening ratio of the opening region 80 and the overhang portion 81 can be freely changed, which is very advantageous in controlling the airflow in the clean box 3.

【0149】また、この検査装置1では、クリーンボッ
クス3内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着
されたカセット7b内に導くために、図1に示すよう
に、クリーンボックス3のカセット7bが収容される箇
所の側方に位置する側面部に、開口領域90が設けられ
ている。
Further, in this inspection apparatus 1, in order to guide the clean air supplied into the clean box 3 into the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted, as shown in FIG. An opening region 90 is provided in a side surface portion located on a side of a place where the is accommodated.

【0150】具体的には、例えば、クリーンボックス3
のカセット7bが収容される箇所の側方に位置する側面
部に所定の開口率を有するパンチングメタルがはめ込ま
れ、このパンチングメタルがはめ込まれた部分が開口領
域90とされている。検査装置1は、以上のように、ク
リーンボックス3のカセット7bが収容される箇所の側
方に位置する側面部に開口領域90が設けられることに
より、クリーンエアユニット4からダウンフローとして
クリーンボックス3内に供給された清浄な空気の一部
を、クリーンボックス3内に移送されたカセット7b内
を通過させて、その側方に設けられた開口領域90に導
き、この開口領域90からクリーンボックス3の外部に
排出させることができる。
More specifically, for example, the clean box 3
A punching metal having a predetermined opening ratio is fitted into a side surface portion located at a side of a place where the cassette 7b is accommodated, and a portion where the punching metal is fitted is an opening region 90. As described above, the inspection device 1 is provided with the opening area 90 on the side surface located on the side of the place where the cassette 7b of the clean box 3 is accommodated, so that the clean box 3 A part of the clean air supplied to the inside is passed through the cassette 7b transferred into the clean box 3 and guided to an open area 90 provided on the side thereof. Can be discharged to the outside.

【0151】また、この検査装置1では、クリーンボッ
クス3内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着
されたカセット7b内に適切に導くために、図10に示
すように、クリーンボックス3内のカセット7bが収容
される箇所の近傍に、カセット7bが収容される箇所に
向かって傾斜する傾斜ガイド部91が設けられている。
In the inspection apparatus 1, as shown in FIG. 10, in order to appropriately guide the clean air supplied into the clean box 3 into the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted, the clean box 3 In the vicinity of the location where the cassette 7b is accommodated, an inclined guide portion 91 inclined toward the location where the cassette 7b is accommodated is provided.

【0152】具体的には、装置本体10の支持台11上
に、搬送用ロボット23やプリアライナ24が設置され
る設置板92が、クリーンボックス3に設けられた張出
部81と同じ高さ位置で設けられ、この設置板92の一
端側に、カセット7bが収容される箇所に向かって傾斜
する傾斜ガイド部91が設けられている。なお、図10
は、クリーンボックス3内の装置本体10を、エレベー
タ22や搬送用ロボット23、プリアライナ24等が配
設された側から見た様子を示す斜視図である。
Specifically, an installation plate 92 on which the transfer robot 23 and the pre-aligner 24 are installed is placed on the support base 11 of the apparatus main body 10 at the same height position as the overhang portion 81 provided on the clean box 3. At one end of the installation plate 92, there is provided an inclined guide portion 91 which is inclined toward a place where the cassette 7b is stored. Note that FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the apparatus main body 10 in the clean box 3 is viewed from the side where the elevator 22, the transfer robot 23, the pre-aligner 24 and the like are provided.

【0153】このように、クリーンボックス3内のカセ
ット7bが収容される箇所の近傍に、カセット7bが収
容される箇所に向かって傾斜する傾斜ガイド部91が設
けられることにより、クリーンボックス3内に供給され
た清浄な空気を傾斜ガイド部91により案内し、半導体
ウェハが装着されたカセット7b内に適切に導くことが
できる。
As described above, by providing the inclined guide portion 91 which is inclined toward the place where the cassette 7b is housed near the place where the cassette 7b is housed in the clean box 3, the inside of the clean box 3 is provided. The supplied clean air can be guided by the inclined guide portion 91 and appropriately guided into the cassette 7b in which the semiconductor wafer is mounted.

【0154】以上のように、クリーンエアユニット4か
ら供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着されたカ
セット7b内に導き、このカセット7b内を通過させる
ようにすれば、クリーンボックス3内の塵埃等を巻き上
げた乱気流がカセット7b内に進入してくることを有効
に防止することができる。
As described above, the clean air supplied from the clean air unit 4 is guided into the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted, and is allowed to pass through the cassette 7b. It is possible to effectively prevent the turbulent air that has been wound up from entering the cassette 7b.

【0155】また、クリーンエアユニット4から供給さ
れた清浄な空気を半導体ウェハが装着されたカセット7
b内に導き、このカセット7b内を通過させるようにす
れば、カセット7b内に装着された半導体ウェハに塵埃
等が付着した場合であっても、清浄な空気によってこの
塵埃等を半導体ウェハから除去し、開口領域90を介し
てクリーンボックス3の外部に適切に排出させることが
できる。
Further, the clean air supplied from the clean air unit 4 is supplied to the cassette 7 on which the semiconductor wafer is mounted.
b, and pass through the cassette 7b, even if dust or the like adheres to the semiconductor wafer mounted in the cassette 7b, the dust or the like is removed from the semiconductor wafer by clean air. Then, it is possible to appropriately discharge the outside of the clean box 3 through the opening region 90.

【0156】なお、この検査装置1において、クリーン
ボックス3のカセット7bが収容される箇所の側方に設
けられた開口領域90は、上述した仕切板70と同様
に、2枚のパンチングメタルを重ね合わせ、一方のパン
チングメタルを可動にした構成とされていてもよい。こ
の場合には、開口領域90の開口率を自在に変化させる
ことができるので、クリーンボックス3内の気流をコン
トロールする上で非常に有利である。
In the inspection apparatus 1, the opening area 90 provided on the side of the clean box 3 where the cassette 7b is accommodated is formed by laminating two sheets of punching metal like the partition plate 70 described above. In combination, one of the punching metals may be made movable. In this case, the opening ratio of the opening region 90 can be freely changed, which is very advantageous in controlling the airflow in the clean box 3.

【0157】また、この検査装置1では、図10に示す
ように、装置本体10の検査用テーブル14が配設され
た領域と、エレベータ22や搬送用ロボット23、プリ
アライナ24等が配設された領域との間に、これらの領
域を仕切る仕切壁93が設けられている。
Further, in this inspection apparatus 1, as shown in FIG. 10, an area where the inspection table 14 of the apparatus main body 10 is disposed, an elevator 22, a transfer robot 23, a pre-aligner 24, and the like are disposed. Between the regions, a partition wall 93 that partitions these regions is provided.

【0158】この仕切壁93は、検査用テーブル14が
配設された領域に生じた微細な塵埃等が、エレベータ2
2や搬送用ロボット23、プリアライナ24等が配設さ
れた領域に進入することを防止するためのものであり、
具体的には、光学ユニット21を支持する支持部材20
の下端部に、所定の高さで上側に立ち上げられた立ち上
げ片が一体形成され、この立ち上げ片が仕切壁93とさ
れている。
The partition wall 93 removes fine dust and the like generated in the area where the inspection table 14 is provided, from the elevator 2.
2 and the transfer robot 23, the pre-aligner 24, etc., are prevented from entering the area where they are disposed.
Specifically, the support member 20 supporting the optical unit 21
Is formed integrally at the lower end of the upper surface at a predetermined height, and the raised portion serves as a partition wall 93.

【0159】検査装置1は、以上のように、装置本体1
0の検査用テーブル14が配設された領域と、エレベー
タ22や搬送用ロボット23、プリアライナ24等が配
設された領域との間に、これらの領域を仕切る仕切壁9
3が設けられることにより、クリーンエアユニット4か
ら供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着されたカ
セット7b内に導くときに、検査用テーブル14が配設
された領域に生じた微細な塵埃等が清浄な空気と共にカ
セット7内に進入してしまうといった不都合を有効に防
止することができる。
[0159] As described above, the inspection apparatus 1 has the
0 between the area where the inspection table 14 is disposed and the area where the elevator 22, the transport robot 23, the pre-aligner 24 and the like are disposed.
When the clean air supplied from the clean air unit 4 is introduced into the cassette 7b on which the semiconductor wafer is mounted, fine dust and the like generated in the area where the inspection table 14 is provided by providing the clean air unit 4. Can be effectively prevented from entering the cassette 7 together with clean air.

【0160】また、この検査装置1では、例えばメンテ
ナンス等のためにクリーンボックス3の窓3aが開放さ
れた場合などのクリーンボックス3の開口率が高くなっ
たときに、クリーンボックス3の外内の圧力差を検出す
る差圧計56に基づき陽圧を保つように清浄な空気の風
速が制御されるが、さらに、この検査装置1では、上述
したように清浄な空気を例えば半導体ウェハが装着され
たカセット7b内に導いたりするといった気流を適切に
コントロールするため以下に示すような制御がなされ
る。以下、この制御について、図11を参照しながら説
明を行う。
Further, in this inspection apparatus 1, when the opening ratio of the clean box 3 becomes high, for example, when the window 3a of the clean box 3 is opened for maintenance or the like, the inside and outside of the clean box 3 are removed. The wind speed of the clean air is controlled based on the differential pressure gauge 56 for detecting the pressure difference so as to maintain the positive pressure. Further, in the inspection apparatus 1, the clean air is supplied to the semiconductor wafer, for example, as described above. The following control is performed in order to appropriately control the airflow such as guiding the airflow into the cassette 7b. Hereinafter, this control will be described with reference to FIG.

【0161】まず、この検査装置1では、装置の起動開
始時において、風速計55によりクリーンボックス3内
部の風速を測定しながら、清浄な空気の風速が最適にな
るように設定がされる(ステップS10−1)。このと
き、クリーンボックス3の窓3aは、閉塞した状態とし
ておく。続いて、差圧計56の測定値に基づき、少なく
とも陽圧の状態となっているどうかを確認する(ステッ
プS10−2)。通常、窓3aを閉塞して風速を上げれ
ばクリーンボックス3の内部は陽圧の状態となるが、も
し、陽圧の状態でなければ、その原因を確認したり、ま
た、風速をさらに上げて陽圧の状態に保つようにする。
続いて、このときの差圧計56の測定値及び送風機5
a,5bの回転速度を初期設定値として記憶する(ステ
ップS10−3)。以上のステップS10−1〜10−
3が初期設定動作となる。
First, in the inspection apparatus 1, at the start of the start of the apparatus, the wind speed inside the clean box 3 is measured by the anemometer 55, and settings are made so that the wind speed of the clean air is optimized (step). S10-1). At this time, the window 3a of the clean box 3 is kept closed. Subsequently, based on the measurement value of the differential pressure gauge 56, it is confirmed whether or not the state is at least a positive pressure (step S10-2). Normally, if the wind speed is increased by closing the window 3a, the inside of the clean box 3 will be in a positive pressure state. However, if it is not a positive pressure state, the cause may be confirmed or the wind speed may be further increased. Try to maintain a positive pressure.
Subsequently, the measured value of the differential pressure gauge 56 and the blower 5
The rotation speeds a and 5b are stored as initial setting values (step S10-3). The above steps S10-1 to 10-
3 is the initial setting operation.

【0162】ここで、この初期設定動作時における最適
な風速は、検査装置毎に異なるものである。例えば、こ
の検査装置1においては、上述したように、クリーンボ
ックス3内で発生した塵埃等を微細なもの含めて速やか
に排出できるような速度であって、さらに、2つの送風
機5a,5bの風速の違いに起因して乱気流が生じない
ような風速に設定する。また、この検査装置1において
は、半導体ウェハへの塵埃等の付着を防止するために、
半導体ウェハが装着されたカセット7b内に最適に導
け、また、半導体ウェハが載置される検査用ステージ1
4上に最適に導けるような風速とする。
Here, the optimum wind speed at the time of the initial setting operation differs for each inspection apparatus. For example, in the inspection device 1, as described above, the speed is such that dust and the like generated in the clean box 3 can be quickly discharged including fine particles, and the wind speed of the two blowers 5a and 5b is further increased. The wind speed is set so that turbulence does not occur due to the difference. In addition, in this inspection apparatus 1, in order to prevent dust and the like from adhering to the semiconductor wafer,
Inspection stage 1 optimally guided into cassette 7b on which semiconductor wafers are mounted, and on which semiconductor wafers are mounted
4 so that the wind speed can be optimally guided on top.

【0163】なお、この初期設定時における風速の制御
は、制御用コンピュータ61が送風機5a,5bの回転
速度等を制御することによって行っても良いし、例え
ば、風速計55の測定値を目視しながら制御用コンピュ
ータ61を用いずにパンチングメタルの開口率を可変す
ることによって行っても良い。さらに、風速計55は、
この初期設定時においてのみ用いられる。そのため、初
期設定後にこの風速計55を取り外すような構成として
もよい。
The control of the wind speed at the time of the initial setting may be performed by controlling the rotation speed of the blowers 5a and 5b by the control computer 61, or, for example, by visually observing the measured value of the anemometer 55. Alternatively, the opening ratio of the punched metal may be changed without using the control computer 61. In addition, the anemometer 55
It is used only during this initial setting. Therefore, the anemometer 55 may be removed after the initial setting.

【0164】また、この初期設定動作は、一定期間毎に
行えばよく、例えば、検査装置1の工場投入時や、検査
装置1が所定時間(例えば100時間や1000時間と
いった一定時間)以上の動作をした後や、検査装置1全
体のキャリブレーション時等に行うようにすればよい。
The initial setting operation may be performed at regular intervals, for example, when the inspection apparatus 1 is put into a factory, or when the inspection apparatus 1 is operated for a predetermined time (for example, 100 hours or 1000 hours). May be performed after calibration, or at the time of calibration of the entire inspection apparatus 1.

【0165】続いて、初期設定の後の通常の動作時(こ
こで言う通常の動作時は、半導体ウェハの検査中のみな
らず、クリーンボックス3内のクリーン度を保っている
状態であればよく、例えば、メンテナンス時等も含
む。)において、この初期設定された風速を基準とし
て、この基準とした風速を差圧計56からの圧力値に基
づき可変をする(ステップS10−4)。すなわち、検
査装置1は、差圧計56からの圧力値に基づき、上記初
期設定した送風機5a,5bの回転速度を可変し、風速
を制御する。具体的には、差圧計56の圧力値が、初期
設定値であれば送風機5a,5bの回転速度を初期設定
値とし、クリーンボックス3の内部の圧力が初期設定値
よりも低くなれば、送風機5a,5bの回転速度を初期
設定値よりも高くするようにして、風速を可変する。な
お、差圧計56からの圧力値は、常に変動するため、微
小な変化の場合には可変しないようにして、一定量以上
の変化があったときに、回転数が可変されるようしても
よい。また、クリーンボックス3内は、少なくとも陽圧
が保たれていればよいので、陽圧を保つことができる境
界の圧力となったときに、初期設定された風速を上げる
ように制御しても良い。
Subsequently, during the normal operation after the initial setting (the normal operation referred to here is not only during the inspection of the semiconductor wafer but also in a state where the cleanness in the clean box 3 is maintained. For example, at the time of maintenance, etc.), the wind speed based on the initially set wind speed is varied based on the pressure value from the differential pressure gauge 56 (step S10-4). That is, based on the pressure value from the differential pressure gauge 56, the inspection device 1 varies the initially set rotational speeds of the blowers 5a and 5b to control the wind speed. Specifically, if the pressure value of the differential pressure gauge 56 is an initial setting value, the rotation speed of the blowers 5a and 5b is set to the initial setting value, and if the pressure inside the clean box 3 becomes lower than the initial setting value, the blower The wind speed is varied such that the rotational speeds of 5a and 5b are higher than the initial set value. It should be noted that the pressure value from the differential pressure gauge 56 always fluctuates. Therefore, the pressure value is not changed in the case of a minute change. Good. In addition, since the inside of the clean box 3 only needs to maintain at least the positive pressure, it may be controlled to increase the initially set wind speed when the pressure at the boundary where the positive pressure can be maintained. .

【0166】以上のように検査装置1では、従来のよう
に、クリーンボックスの内部の状態を単純に陽圧の状態
にするのみならず、内部の空気の風速もその検査装置に
対して最適な状態とすることができる。そのため、この
検査装置1では、外部から塵埃等の流入を防止すること
ができるとともに、クリーンボックス3内に清浄な空気
を所定の風速以上で流すことができ微細な塵埃等が被検
査物に付着することを有効に防止することができる。
As described above, in the inspection apparatus 1, not only the internal state of the clean box is simply set to the positive pressure state, but also the wind speed of the internal air is optimal for the inspection apparatus. State. Therefore, in this inspection apparatus 1, it is possible to prevent the inflow of dust and the like from the outside, and to allow clean air to flow into the clean box 3 at a predetermined wind speed or more, so that fine dust and the like adhere to the inspection object. Can be effectively prevented.

【0167】なお、以上の説明では、本発明を適用した
検査装置1を、半導体ウェハの欠陥が何であるかを調べ
るために用いるものとしてきた。しかし、本発明に係る
検査装置1の用途は、半導体ウェハの欠陥識別以外の用
途にも使用可能である。すなわち、本発明に係る検査装
置1は、例えば、半導体ウェハ上に形成したデバイスパ
ターンが、所望するパターン通りに適切な形状に形成さ
れているか否かを検査するのに用いることもできる。更
に、本発明に係る検査装置1の用途は、半導体ウェハの
検査に限定されるものでもなく、本発明に係る検査装置
1は、微細パターンの検査に対して広く適用可能であ
り、例えば、微細なパターンが形成されたフラットパネ
ルディスプレイの検査などにも有効である。
In the above description, the inspection apparatus 1 to which the present invention is applied has been used for checking what the defect is in the semiconductor wafer. However, the use of the inspection apparatus 1 according to the present invention can be used for purposes other than the defect identification of the semiconductor wafer. That is, the inspection apparatus 1 according to the present invention can be used, for example, to inspect whether a device pattern formed on a semiconductor wafer is formed in an appropriate shape as a desired pattern. Further, the use of the inspection device 1 according to the present invention is not limited to inspection of a semiconductor wafer, and the inspection device 1 according to the present invention is widely applicable to inspection of fine patterns. It is also effective for inspection of flat panel displays on which various patterns are formed.

【0168】[0168]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る検査装置では、クリーンボックスの内部に流れる清浄
な空気の風速を、陽圧な状態であって且つ検査装置に最
適な風速とするように初期設定を行う。そして、初期設
定を行った後には、上記初期設定状態において設定され
た風速を、内外気圧差に応じて可変する。
As described in detail above, in the inspection apparatus according to the present invention, the wind speed of the clean air flowing inside the clean box is set to a positive pressure and the optimum wind velocity for the inspection apparatus. Initial settings are performed as follows. Then, after performing the initial setting, the wind speed set in the initial setting state is varied according to the internal / external air pressure difference.

【0169】このことによって、本発明に係る検査装置
では、外部から塵埃等の流入を防止することができると
ともに、クリーンボックス内に清浄な空気を所定の風速
以上で流すことができ微細な塵埃等が被検査物に付着す
ることを有効に防止することができる。
As a result, in the inspection apparatus according to the present invention, it is possible to prevent the inflow of dust and the like from the outside, and to allow clean air to flow into the clean box at a predetermined wind speed or more, thereby enabling fine dust and the like to flow. Can be effectively prevented from adhering to the inspection object.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用した検査装置の外観を示す斜視図
である。
FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of an inspection apparatus to which the present invention is applied.

【図2】上記検査装置のクリーンボックスの内部に配設
された装置本体を図1中矢印A1方向から見た様子を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a state in which an apparatus main body disposed inside a clean box of the inspection apparatus is viewed from a direction of an arrow A1 in FIG.

【図3】上記検査装置の装置本体を上側から見た様子を
模式的に示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view schematically showing an apparatus main body of the inspection apparatus as viewed from above.

【図4】上記検査装置の一構成例を示すブロック図であ
る。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration example of the inspection device.

【図5】上記検査装置の光学ユニットの光学系の一構成
例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of an optical system of an optical unit of the inspection device.

【図6】上記検査装置で半導体ウェハの検査を行うとき
の手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing an example of a procedure when a semiconductor wafer is inspected by the inspection apparatus.

【図7】参照画像と欠陥画像とから欠陥を検出する手法
を説明するための図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining a method of detecting a defect from a reference image and a defect image.

【図8】上記検査装置のクリーンボックスとクリーンエ
アユニットとを分離した状態を模式的に示す斜視図であ
る。
FIG. 8 is a perspective view schematically showing a state where a clean box and a clean air unit of the inspection apparatus are separated.

【図9】上記検査装置のクリーンボックスを図2中矢印
A2方向から見た様子を示す側面図である。
FIG. 9 is a side view showing a state where the clean box of the inspection apparatus is viewed from the direction of arrow A2 in FIG.

【図10】上記検査装置の装置本体の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of an apparatus main body of the inspection apparatus.

【図11】上記検査装置の風速制御手順を説明するフロ
ーチャートである。
FIG. 11 is a flowchart illustrating a wind speed control procedure of the inspection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 検査装置、2 クリーンユニット、3 クリーンボ
ックス、4 クリーンエアユニット、5a,5b 送風
機、10 装置本体、14 検査用ステージ、21 光
学ユニット、22 エレベータ、23 搬送用ロボッ
ト、24 プリアライナ、30 可視光用CCDカメ
ラ、31 紫外光用CCDカメラ、32 ハロゲンラン
プ、33 可視光用光学系、34 可視光用対物レン
ズ、36 紫外光レーザ光源、37 紫外光用光学系、
38 紫外光用対物レンズ、50 外部ユニット、5
1,52 表示装置、53 入力装置、55 風速計、
56 差圧計、60 画像処理用コンピュータ、61
制御用コンピュータ、70 仕切板、71,72 パン
チングメタル、80 開口領域、81 張出部、90
開口領域、91 傾斜ガイド部、92 設置板、93
仕切壁
Reference Signs List 1 inspection device, 2 clean unit, 3 clean box, 4 clean air unit, 5a, 5b blower, 10 device body, 14 inspection stage, 21 optical unit, 22 elevator, 23 transport robot, 24 pre-aligner, 30 for visible light CCD camera, 31 ultraviolet CCD camera, 32 halogen lamp, 33 visible light optical system, 34 visible light objective lens, 36 ultraviolet laser light source, 37 ultraviolet light optical system,
38 Objective lens for ultraviolet light, 50 External unit, 5
1,52 display device, 53 input device, 55 anemometer,
56 Differential pressure gauge, 60 Image processing computer, 61
Control computer, 70 Partition plate, 71, 72 Punched metal, 80 Open area, 81 Overhang, 90
Opening area, 91 Incline guide section, 92 Installation plate, 93
Partition wall

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F055 AA39 BB06 BB11 CC60 DD20 EE40 FF31 4M106 AA01 BA05 BA08 BA20 CA38 CA39 CA70 DB04 DB07 DB08 DJ04 DJ05 DJ06 DJ11 DJ24 DJ38 DJ40  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F055 AA39 BB06 BB11 CC60 DD20 EE40 FF31 4M106 AA01 BA05 BA08 BA20 CA38 CA39 CA70 DB04 DB07 DB08 DJ04 DJ05 DJ06 DJ11 DJ24 DJ38 DJ40

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被検査物の検査を行う装置本体部と、 上記装置本体部を内部に収容するクリーンボックスと、 上記クリーンボックスの内部に清浄な空気を供給する空
気供給部と、 上記クリーンボックスの内部に供給される清浄な空気の
風速を測定する風速測定部と、 上記クリーンボックスの内部と外部との差圧を測定する
圧力測定部と、 上記クリーンボックスの内部に供給する清浄な空気の風
速を制御する風速制御部とを備え、 上記風速制御部は、上記クリーンボックスの内部の気圧
を少なくとも陽圧とした状態で上記風速測定部による検
出結果に基づき上記クリーンボックス内の清浄な空気の
風速を所定の風速に初期設定し、この初期設定の後に
は、上記圧力測定部により測定された上記クリーンボッ
クスの内外気圧差に応じて上記初期設定状態において設
定された風速を可変することを特徴とする検査装置。
1. An apparatus main body for inspecting an object to be inspected, a clean box accommodating the apparatus main body therein, an air supply unit for supplying clean air to the inside of the clean box, and the clean box A wind speed measuring unit for measuring a wind speed of clean air supplied to the inside of the clean box; a pressure measuring unit for measuring a differential pressure between the inside and the outside of the clean box; A wind speed control unit that controls a wind speed, wherein the wind speed control unit is configured to control the clean air inside the clean box based on the detection result by the wind speed measurement unit in a state where the pressure inside the clean box is at least a positive pressure. The wind speed is initially set to a predetermined wind speed, and after this initial setting, the initial value is set in accordance with the pressure difference between the inside and outside of the clean box measured by the pressure measuring unit. An inspection apparatus characterized by varying a wind speed set in a set state.
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