JP2001121499A - Micromachine structure and method of manufacturing the same - Google Patents

Micromachine structure and method of manufacturing the same

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JP2001121499A
JP2001121499A JP2000268606A JP2000268606A JP2001121499A JP 2001121499 A JP2001121499 A JP 2001121499A JP 2000268606 A JP2000268606 A JP 2000268606A JP 2000268606 A JP2000268606 A JP 2000268606A JP 2001121499 A JP2001121499 A JP 2001121499A
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finger
substrate
fixed
mass
fingers
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JP2000268606A
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Japanese (ja)
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G Goldman Kenneth
ケネス・ジー・ゴールドマン
Jonathan H Hammond
ジョナサン・エイチ・ハモンド
J Obrian Garry
ギャリー・ジェイ・オブライアン
L Tres Jose
ホセ・エル・トレス
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    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0008Structures for avoiding electrostatic attraction, e.g. avoiding charge accumulation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
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    • G01P2015/0811Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0814Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitive acceleration sensor made into a micromachine capable of detecting a lateral direction. SOLUTION: The capacitive acceleration sensor which straightens resistance for stiction of detection fingers forming capacitive elements and is made into a micromachine capable of detecting in a lateral direction includes fixed detection fingers (316, 318, 516, 518, 536, 538) formed like beams. Each finger (316, 318, 516, 518, 536, 538) is supported by a plurality of supporting elements or fixing bodies (320, 322, 330, 332, 334, 336, 522, 530). Finger elements (312, 512) added to inertial mass (304, 502) can be fastened with each other at the tips in the same way as the roots. As a result, also hardness of lateral directions and vertical directions of the fingers (316, 318, 516, 518, 536, 538) moving simultaneously is increased.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、マイクロ
マシン構造体に関し、さらに詳しくは、マイクロマシン
化された加速度検出装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates generally to a micromachine structure, and more particularly, to a micromachined acceleration detection device.

【従来の技術】例えば、マイクロマシン化された圧力変
換器、マイクロマシン化された加速度スイッチおよびマ
イクロマシン化されたアナログの加速度センサのような
マイクロマシン化されたセンサが、マクロ型の同タイプ
のセンサと比べて著しい費用効果をもたらす選択肢であ
ることは当技術分野において周知である。かかるタイプ
の装置は機械的構造を用いるため、「マイクロマシン化
された(micromachined)」という用語がこれらに関して
使用され、集積回路の製造に用いられる技術と同様のフ
ォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して
製造されるため超微小サイズである。しばしば、シリコ
ン基板が用いられる。マイクロマシン化されたセンサに
は、例えば加速度のような物理的入力に応答して電気的
出力信号を発生する可変容量効果を用いることができ
る。従来の横方向に検出可能な容量性加速度センサで
は、マイクロマシン化された慣性質量が、検出する方向
内で従属するマイクロマシン化された複数のサスペンシ
ョン・アームによって基板上に係止されている。慣性質
量は、典型的には複数の片持ちフィンガを有し、それが
慣性質量から外へ向けて、検出する方向に対して垂直に
延伸する。複数の固定フィンガは、指状構造風に基板か
ら内へ向けて一端が固定され、慣性質量から外へ向けて
伸びるフィンガの間に延伸する。慣性質量のフィンガ
は、固定フィンガと協働して複数の空気間隙キャパシタ
を形成し、それらの間隙の距離は、慣性質量が検出する
方向内で動くに従って変化する。入力加速度は、慣性質
量を動かし、間隙距離を変え、加速度に比例して測定容
量を変える。測定容量の変化は、ブリッジ回路、発振
器、その他の電子回路によって検出されるが、いずれか
がセンサ基板上、あるいは別個のチップ内に搭載され
る。一般的な形状のマイクロマシン化された加速度セン
サやマイクロマシン化された加速度スイッチを悩ませ続
けている問題は、固定フィンガや可動フィンガが基板に
付着したり、あるいは互いに付着する傾向があることで
あるが、これらは、一般的に「スティクション(stictio
n)」(「付着作用」を意味する技術用語)という分類の
範疇に属する、毛管作用、静電気力、ファンデルワール
ス力等の多様な原因によるものである。例えば、可動構
造のフィンガが、固定されたフィンガの1本と接触して
動く場合、静電気の引力とファンデルワールス力の組み
合わせによって、フィンガが互いに付着したり、溶け合
うことさえ起こり得る。隣り合ったフィンガは、その下
にある基板に付着するだけでなく、互いに付着すること
が観察される。可動質量に装着されたフィンガは、隣り
合った固定フィンガまたはその下にある基板と付着する
ことが観察される。このスティクションは、静電気の引
力またはファンデルワールス力によっても引き起こされ
るが、スティクションの最も主たる原因は、デバイス自
身を製造するために用いられるプロセス技術の間に生み
出される毛管力(プロセス・スティクション)によるも
のである。従来のマイクロマシン製造プロセスにおい
て、慣性質量と可動および固定フィンガは、典型的には
二酸化シリコンから成る犠牲層の上にセミコンダクタ材
料の層をパターン化することによって形成される。犠牲
層は、その後、エッチング溶液中に基板を浸すことによ
ってエッチング除去される。ウエット・エッチング・プ
ロセスが終了した後、エッチング液は純水中にウェーハ
を浸すことにより除去され、そしてウェーハが乾燥され
る。あいにく、ウェーハが乾燥されるにつれて、蒸発す
る純水の毛管現象が片持ちフィンガのような繊細な構造
を基板に向かって下方に引っ張り、そこでこれらが永久
的に留まる可能性がある。隣り合ったフィンガ間の毛管
力は、2本の隣り合ったフィンガを互いに引き寄せるこ
ともあり、そこでこれらが永久的に留まる可能性があ
る。スティクションは典型的には従来のウェーハ検査試
験によって検出することが難しく、デバイスのパラメー
タ特性に予測不可能な変化を生じ得る。これは、マイク
ロマシン化された変換器の信頼性、特にそれが安全確保
のために応用される場合には、主たる関心事である。し
たがって、一般的にはスティクションに対して、さらに
詳しくはプロセス・スティクションに対して、改良され
た抵抗力を有する横方向に検出可能なマイクロマシン化
された加速度センサ構造が必要である。本発明は、以下
の詳細な説明と、対応する要素が対応する参照番号によ
って特定された添付の図面を参照にすることにより、よ
り良く理解されるであろう。
2. Description of the Related Art Micromachined sensors, such as, for example, micromachined pressure transducers, micromachined acceleration switches, and micromachined analog acceleration sensors, are compared to macro-type sensors of the same type. It is well known in the art that this is a cost-effective option. Because devices of this type use mechanical structures, the term "micromachined" is used in these respects, and uses photolithographic and etching techniques similar to those used in integrated circuit fabrication. Since it is manufactured, it is of a very small size. Often, a silicon substrate is used. Micro-machined sensors can use a variable capacitance effect that generates an electrical output signal in response to a physical input, such as acceleration. In a conventional laterally detectable capacitive acceleration sensor, a micromachined inertial mass is locked onto a substrate by a plurality of micromachined suspension arms that are subordinate in the detection direction. The proof mass typically has a plurality of cantilevered fingers, which extend out of the proof mass and perpendicular to the direction of detection. The plurality of fixed fingers are fixed at one end inwardly from the substrate in a finger-like structure, and extend between the fingers extending outward from the inertial mass. The inertial mass fingers cooperate with the stationary fingers to form a plurality of air gap capacitors, the distance of the gaps varying as the inertial mass moves in the direction of detection. The input acceleration moves the inertial mass, changes the gap distance, and changes the measured volume in proportion to the acceleration. The change in the measured capacitance is detected by a bridge circuit, an oscillator, or other electronic circuits, either of which is mounted on the sensor substrate or in a separate chip. A problem that continues to plague micromachined acceleration sensors and micromachined acceleration switches of general shape is that fixed and movable fingers tend to adhere to the substrate or to each other. , These are generally referred to as "stiction
n) "(technical term meaning" adhesion "), which is due to various causes such as capillary action, electrostatic force, van der Waals force, and the like. For example, if a finger of a movable structure moves in contact with one of the fixed fingers, the combination of electrostatic attraction and Van der Waals forces can cause the fingers to adhere or even fuse together. Adjacent fingers are observed to adhere to each other as well as to the underlying substrate. Fingers mounted on the moving mass are observed to adhere to adjacent fixed fingers or the underlying substrate. Although this stiction is also caused by electrostatic attraction or Van der Waals forces, the primary cause of stiction is the capillary force created during the process technology used to manufacture the device itself (process stiction). ). In a conventional micromachine fabrication process, the proof mass and movable and stationary fingers are formed by patterning a layer of semiconductor material over a sacrificial layer, typically comprising silicon dioxide. The sacrificial layer is then etched away by immersing the substrate in an etching solution. After the wet etching process is completed, the etchant is removed by immersing the wafer in pure water and the wafer is dried. Unfortunately, as the wafer dries, the evaporating pure water capillarity pulls delicate structures, such as cantilever fingers, down toward the substrate, where they can remain permanently. Capillary forces between adjacent fingers may also pull two adjacent fingers together, where they may remain permanently. Stiction is typically difficult to detect by conventional wafer inspection tests and can result in unpredictable changes in device parameter characteristics. This is a major concern for the reliability of micromachined transducers, especially when applied for security. Accordingly, there is a need for a laterally detectable micromachined acceleration sensor structure with improved resistance, generally for stiction, and more particularly for process stiction. The invention will be better understood with reference to the following detailed description and the accompanying drawings, in which corresponding elements are identified by corresponding reference numerals.

【好適な実施例の詳細な説明】図示された形状は、構造
を一般的な方法で示すことを意図しており、必ずしも正
確な縮尺で描かれたものではない。発明の詳細な説明お
よび特許請求の範囲において、「左」、「右」、
「前」、「後」およびそれらに類する用語は、説明の目
的のために使用される。しかしながら、ここに説明され
ている発明の実施例は、他の方向への操作が可能である
と理解され、図示および使用されている用語は、相対的
な位置を説明する目的でのみ使用されるものであり、適
切な環境の下で互換性を有する。図1は、従来技術の加
速度センサ100の平面図であり、基板102を含み、
その上に慣性質量104が係止されている。慣性質量1
04は、複数のサスペンション・アーム106によって
基板102上に係止されており、各サスペンション・ア
ームは、固定構造108によって基板102に固定され
ている。サスペンション・アーム106は、図1の矢印
AAによって示される横方向(X軸)に相対的に従属する
ので、慣性質量104は、X軸方向内で構成要素を有す
る加速度に応答して基板102に比例して動く。サスペ
ンション・アーム106は、横方向に対して垂直に縦
(Y軸)方向に十分に固定されている。慣性質量104
は、典型的には導電性ポリシリコンで構成され、慣性質
量104が選択電圧で維持されるように固定構造108
の一つを通じてリード110と電気的に内部接続されて
いる。慣性質量104は、慣性質量104の中央レール
部114から外側へ延伸する複数の片持ちフィンガ11
2を含む。複数の片持ちフィンガ116,118は、そ
れらの各固定構造120,122から慣性質量104の
レール部114に向かって指状構造風に内側へ延伸す
る。片持ちフィンガ116は、典型的には、例えばポリ
シリコン、単結晶シリコン、金属またはそれらと同等の
導電材料で作られている。片持ちフィンガ116は、そ
れらの各固定構造120を介して各リード124に電気
的に内部接続されている。同様に、片持ちフィンガ11
8は、典型的にはフィンガ116に使用される材料と同
様の材料から成り、それらの各固定構造122を介して
各リード126に電気的に内部接続されている。片持ち
フィンガ112,116,118は、協働して複数の平
行平板キャパシタを形成する。加えて、導電性シールド
128は、基板102と慣性質量104との間に介在し
て浮遊容量をコントロールするが、加速度センサ100
の性能に別の点で作用する。図2に関し、ここで述べら
れるように、内側に延伸するフィンガ116,118
は、フィンガ116のような複数の延伸する梁部材より
成り、それらの固定構造120から慣性質量104へ向
けて一端だけが固定されている。図2に示すように、典
型的な従来技術のデバイスにおいては、窒化シリコンの
層202のような誘電層が基板102上に堆積され、超
微小機械構造を基板102から電気的に絶縁する。その
例として、第1ポリシリコン層204は、リード124
およびマイクロマシン化された加速度センサのオプショ
ナル・シールド128を形成する。そして、酸化シリコ
ンの層206のような犠牲層が、第1ポリシリコン層2
04上に堆積される。酸化層206は、パターン化され
てバイア208を提供し、以下で説明するように、フィ
ンガ116とリード124との間の内部接続を形成す
る。そして、第2ポリシリコン層210が、犠牲層20
6上に堆積され、パターン化されてフィンガ構造116
を形成する。第2ポリシリコン層210の一部212
は、バイア208を充填し、リード124で融着して、
フィンガ116とリード124との間の内部接続を形成
する。現在のフォトリソグラフィ技術は、フィンガ11
6の残部よりも大きなフットプリントを固定構造120
のために要求するので、今までは、キャパシタ成分密度
を最大化するために細い片持ち梁のようにフィンガ11
6を形成することが一般に行われていた。しかしなが
ら,前述のように、片持ちフィンガ構造は、スティクシ
ョンに対する抵抗力に乏しく、それゆえ従来技術のデバ
イスは、図1に示す構造のフィンガ112,116,1
18のような隣り合ったフィンガ間の高範囲のスティク
ションに悩まされ、その結果、完成したデバイスは感度
および/または信頼性が乏しいものであった。図3は、
本発明の特徴を具体化した、横方向に検出可能なマイク
ロマシン化された加速度センサ300の実施例である。
加速度センサ300は、振動または慣性質量304を有
する基板302より成り、振動または慣性質量304
は、複数のサスペンション・アーム306によって基板
302の主面上に係止されている。サスペンション・ア
ーム306はそれぞれ、複数の固定部材または固定構造
308によって基板に302に結合が確保されている細
い片持ち梁要素から成る。慣性質量304は、慣性質量
304が予め定められた電圧で維持されるように、固定
構造308の一つを通じてリード310と電気的に内部
接続されている。慣性質量304は、複数の片持ちフィ
ンガ要素312を含み、それらは、慣性質量304の中
央レール部314から外側へ延伸する。フィンガ要素3
12は、好ましくは、図3に示すように中央レール部3
14から垂直に延伸する。しかしながら、フィンガ要素
は互換的に、中央レール部から斜めまたは曲線状に延伸
してもよい。複数の固定フィンガ部材316,318
は、指状構造風に配置され、慣性質量304から外へ延
伸するフィンガ要素312の間に伸びる。フィンガ部材
316は、それらの各固定構造320を介してリード3
24と内部接続されている。同様に、フィンガ部材31
8は、それらの各固定構造322を介してリード326
と電気的に内部接続されている。前述したように、フィ
ンガ要素312が斜めまたは曲線の形状を有する場合に
は、フィンガ部材316,318は、フィンガ要素31
2に従って同様の形状を有することができる。必要であ
れば、浮遊容量を低減するために導電性シールド構造3
28が供給され得るが、それは加速度センサ300の性
能に別の点で作用し得る。図4に示すように、窒化シリ
コンの層のような絶縁誘電層402が基板302上に堆
積され、上部に存在するマイクロマシン構造を下部に存
在する基板302から隔離する。第1ポリシリコン層4
04は、誘電層402上に堆積され、そしてパターン化
されてリード324、導電性シールド328、およびパ
ッド410を形成するが、それらの機能については、以
下に詳述する。酸化シリコンの層のような犠牲層406
が、第1ポリシリコン層404上に堆積される。犠牲層
406はエッチングされ、第1バイア414および第2
バイア416を形成する。導電性ポリシリコンの第2層
420が、犠牲層406上に堆積され、その後、パター
ン化されてフィンガ部材316を形成する。第2ポリシ
リコン層420の第1部分422は、前述したように、
バイア414を充填して固定構造320を形成し、フィ
ンガ部材316のための機械的支持を提供し、さらに、
リード324でフィンガ部材316と電気的に内部接続
する。第2ポリシリコン層420の第2部分424は、
バイア416を充填して先端固定構造330を形成す
る。フィンガ部材316がシールド328に短絡するこ
とを防止するために、前述したように、パッド410は
シールド328と接触しておらず、電気的に隔離されて
いる。パッド410は、先端固定構造330の真下の領
域に提供される。したがって、先端固定構造330の側
面は、現在のフォトリソグラフィック技法の限界内で最
小化されるので、先端固定構造330の存在は、反対
に、フィンガ部材316,318の指状構造の幅に影響
を与えない。図4には示されていないが、当業者は、図
3に示すように、第2ポリシリコン420が質量304
を形成するためにも使用されることが理解できるであろ
う。当業者は、さらに、図3に示したフィンガ312,
316,318が、前述の好ましい製造方法によって製
造される場合に同じ厚さを有することが理解できるであ
ろう。再び図3に関し、先端固定構造330に加えて、
多種の他の支持部材が、フィンガ部材316,318を
支持するために使用され得る。例えば、固定構造は、一
定の間隔で、または、フィンガ部材316の縦軸に沿っ
た他の位置に配置されるが、これには、これらの先端の
基部以外の位置を含む。例えば、固定構造332は、フ
ィンガ部材316の基部から距離d1に位置する中央に
示され、固定構造334は、フィンガ部材316の先端
から距離d2の位置に示される。距離d1およびd2は、
好ましくは、フィンガ部材316の全長の、あるいは長
さを「1」としたときの1/3以下または1/3である
が、これは、隣り合った固定構造間の間隔を最小化する
ためであり、同時に、固定機構334から短い片持ち部
分の末端の硬さを最大化するためである。2つの固定構
造のみが一定のフィンガ部材に提供されるところでは、
フィンガ部材316の端から1/4の長さの位置に固定
構造332,334を配置するという他のアプローチが
あり得るが、これは、最も高い第1曲げモードの固有周
波数(highest first bending mode naturalfrequency)
を有するフィンガ構造を提供するためである。図3の固
定構造について上述した例は、すべて、基板302上の
フィンガ部材316,318のそれぞれについて少なく
とも一つの部分で係止され、その結果、固定構造は、係
止された部分または各フィンガ部材の部分の直下には存
在しない。フィンガ要素312は、好ましくは、フィン
ガ部材316,318の各組の係止された部分の間に指
状に組み込まれ、あるいは配置されている。さらに他の
選択肢として、固定構造330,332,334のよう
な分離した固定構造の代わりに、固定構造336のよう
な単一の連続した固定構造が、フィンガ部材、本件では
フィンガ部材318を支持するために提供され得るが、
その固定構造は、フィンガ部材の全長またはその相当な
部分に沿っている。ここで使用されるように、梁部材の
長さの相当な部分とは、少なくとも梁の長さの半分であ
ることを意味し、他の点では電気的に内部連結している
固定構造から伸びるのである。図3および図4と関連し
て図示された実施例は、外側に延伸したフィンガ要素3
12を有する慣性質量304を含むが、本発明の主題
は、図5に示すようなはしご型構造にも等しく適用さ
れ、そこにおいては、可動フィンガ部材は両端、すなわ
ち、根元と先端において拘束されている。図5に示すよ
うに、慣性質量502は1組のサイド・レール504,
506を含み、矢印BBによって示された横方向に延伸
している。各フィンガ部材512は、レール504と5
06との間に垂直に延伸し、はしご構造を形成してい
る。フィンガ部材512は、中央レールから片側に突き
出しているというよりはむしろ両端で拘束されており、
慣性質量502のフィンガ部材512は、実質上図3の
実施例のフィンガ要素よりもスティクションの生成に対
してより抵抗力がある。慣性質量502のはしご構造に
さらに薄膜硬度を付加するために、広範な強度を有する
質量514が慣性質量502のいずれかの端または両端
において形成され得る。選択的に、中央レール(図5に
示されていないが、図3の中央レール部314に類似す
る)もまた、慣性質量502のはしご構造の強度をさら
に増加するために使用され得る。慣性質量502は、前
述のサスペンション・アーム306の機能と同様に、サ
スペンション・アーム506によって基板500上に係
止されている。サスペンション・アーム506は、従来
の固定構造508によって基板500に取り付けられて
おり、慣性質量502を外部のリード(図示せず)に電
気的に内部接続する。固定フィンガ部材516,518
は、それぞれ従来の固定構造520,522によって基
板500に取り付けられており、フィンガ部材516,
518をそれらの各リード524,526に内部接続す
る。フィンガ部材516,518もまた、好ましくは、
前述のような付加的な先端固定構造530または他の支
持構造によって支持される。付加的なフィンガ構造は、
慣性質量の長さの両端でフィンガ部材512によって構
成された各窓540内に形成することができ、付加的な
フィンガ構造は、フィンガ部材516,518と同じま
たは異なるものである。ここで、前述に含まれる実施例
の変更や修正が本発明の精神や範囲から逸脱することな
く作成され得ることは、当業者にとって明らかであろ
う。加えて、示された実施例は、平板が検出する方向に
垂直な平行平板キャパシタを意図したものであるが、少
なくとも通常の構成要素を有する一方向に延伸している
平板であって、その結果、検出する方向内での慣性質量
の動きにつれて容量が変化するものであれば、如何なる
平板配列も本発明の範囲であると考えられる。同様に、
ポリシリコンの実施例は開示されており、単結晶シリコ
ンまたは他の電気的に伝導性を有する材料で同様の構造
を製造する従来のセミコンダクタ製造技術は周知であ
る。したがって、本発明は、添付された特許請求の範囲
および適用される法律の規則および原則によって要求さ
れる範囲によってのみ限定されることを意図するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The shapes shown are intended to illustrate the structure in a general manner and are not necessarily drawn to scale. In the description and claims, "left", "right",
The terms "before,""after," and the like, are used for descriptive purposes. However, it is understood that the embodiments of the invention described herein are capable of operation in other directions, and the terms shown and used are only used to describe relative positions. And are compatible under appropriate circumstances. FIG. 1 is a plan view of a prior art acceleration sensor 100, including a substrate 102,
An inertial mass 104 is locked thereon. Inertial mass 1
Numeral 04 is locked on the substrate 102 by a plurality of suspension arms 106, and each suspension arm is fixed to the substrate 102 by a fixing structure 108. The suspension arm 106 is indicated by an arrow in FIG.
The proof mass 104 moves proportionally to the substrate 102 in response to acceleration having components in the X-axis direction, as it is relatively dependent on the transverse direction (X-axis) indicated by AA. The suspension arm 106 is sufficiently fixed in the vertical (Y-axis) direction perpendicular to the horizontal direction. Inertial mass 104
Are typically constructed of conductive polysilicon and have a fixed structure 108 such that the proof mass 104 is maintained at a selected voltage.
Is electrically connected internally to the lead 110 through one of them. The inertial mass 104 includes a plurality of cantilevered fingers 11 extending outwardly from a central rail portion 114 of the inertial mass 104.
2 inclusive. The plurality of cantilevered fingers 116, 118 extend finger-like inwardly from their respective fixed structures 120, 122 toward the rail portion 114 of the proof mass 104. The cantilever fingers 116 are typically made of, for example, polysilicon, single crystal silicon, metal, or a conductive material equivalent thereto. The cantilevered fingers 116 are electrically interconnected to each lead 124 via their respective fixed structure 120. Similarly, cantilever finger 11
8 are typically made of a material similar to that used for the fingers 116 and are electrically interconnected to their respective leads 126 via their respective fixed structures 122. The cantilever fingers 112, 116, 118 cooperate to form a plurality of parallel plate capacitors. In addition, the conductive shield 128 intervenes between the substrate 102 and the proof mass 104 to control the stray capacitance,
It has another effect on its performance. 2, inwardly extending fingers 116, 118 as described herein.
Consists of a plurality of extending beam members, such as fingers 116, of which only one end is fixed from their fixed structure 120 towards the proof mass 104. As shown in FIG. 2, in a typical prior art device, a dielectric layer, such as a layer of silicon nitride 202, is deposited on the substrate 102 to electrically isolate the micro-mechanical structure from the substrate 102. As an example, the first polysilicon layer 204 includes the leads 124
And forming an optional shield 128 of the micromachined acceleration sensor. Then, a sacrificial layer such as the silicon oxide layer 206 is formed on the first polysilicon layer 2.
04. Oxide layer 206 is patterned to provide via 208 and form an interconnect between finger 116 and lead 124, as described below. Then, the second polysilicon layer 210 is formed on the sacrificial layer 20.
6 and patterned finger structures 116
To form Part 212 of second polysilicon layer 210
Fills vias 208 and fuses with leads 124,
Form an internal connection between finger 116 and lead 124. The current photolithography technology uses finger 11
6 with a footprint larger than the rest of 6
Up to now, the finger 11 has been used like a thin cantilever to maximize the capacitor component density.
Forming 6 was commonly done. However, as mentioned above, the cantilevered finger structure has poor resistance to stiction, and the prior art device therefore requires fingers 112, 116, 1 of the structure shown in FIG.
High range stiction between adjacent fingers, such as 18, resulted in poorer sensitivity and / or reliability of the completed device. FIG.
9 is an embodiment of a micromachined acceleration sensor 300 capable of detecting in the lateral direction, embodying the features of the present invention.
The acceleration sensor 300 comprises a substrate 302 having a vibration or inertial mass 304,
Are locked on the main surface of the substrate 302 by a plurality of suspension arms 306. The suspension arms 306 each comprise a thin cantilever element secured to the substrate 302 by a plurality of securing members or structures 308. Inertial mass 304 is electrically interconnected with lead 310 through one of fixed structures 308 such that inertial mass 304 is maintained at a predetermined voltage. The proof mass 304 includes a plurality of cantilevered finger elements 312 that extend outwardly from a central rail portion 314 of the proof mass 304. Finger element 3
12 is preferably a central rail section 3 as shown in FIG.
Stretch vertically from 14. However, the finger elements may interchangeably extend obliquely or in a curve from the central rail. A plurality of fixed finger members 316, 318
Extend between finger elements 312 that are arranged in a finger-like structure and extend out of the proof mass 304. The finger members 316 are connected to the leads 3 via their respective fixed structures 320.
24 and is internally connected. Similarly, the finger member 31
8 are connected to the leads 326 through their respective fixing structures 322.
Is electrically connected internally. As described above, when the finger element 312 has an oblique or curved shape, the finger members 316 and 318
2 can have a similar shape. If necessary, use a conductive shield structure 3 to reduce stray capacitance.
28 may be provided, which may affect the performance of the acceleration sensor 300 in another way. As shown in FIG. 4, an insulating dielectric layer 402, such as a layer of silicon nitride, is deposited on the substrate 302, isolating the overlying micromachine structure from the underlying substrate 302. First polysilicon layer 4
04 is deposited on dielectric layer 402 and patterned to form leads 324, conductive shields 328, and pads 410, the function of which will be described in more detail below. Sacrificial layer 406, such as a layer of silicon oxide
Is deposited on the first polysilicon layer 404. The sacrificial layer 406 is etched and the first via 414 and the second via 414 are removed.
A via 416 is formed. A second layer 420 of conductive polysilicon is deposited on the sacrificial layer 406 and then patterned to form finger members 316. The first portion 422 of the second polysilicon layer 420, as described above,
The vias 414 are filled to form the securing structure 320, provide mechanical support for the finger members 316, and
Lead 324 electrically connects with finger member 316. The second portion 424 of the second polysilicon layer 420
The via 416 is filled to form the tip fixation structure 330. To prevent the finger member 316 from shorting to the shield 328, the pad 410 is not in contact with the shield 328 and is electrically isolated as described above. The pad 410 is provided in a region directly below the tip fixing structure 330. Thus, the presence of the tip fixation structure 330, on the contrary, affects the width of the finger-like structures of the finger members 316, 318, since the sides of the tip fixation structure 330 are minimized within the limits of current photolithographic techniques. Do not give. Although not shown in FIG. 4, those skilled in the art will appreciate that the second polysilicon 420 may have a mass 304 as shown in FIG.
It will be understood that they can also be used to form Those skilled in the art will further appreciate that the fingers 312, shown in FIG.
It will be appreciated that 316 and 318 have the same thickness when manufactured by the preferred manufacturing method described above. Referring again to FIG. 3, in addition to the tip fixing structure 330,
A variety of other support members may be used to support the finger members 316, 318. For example, the anchoring structures may be located at regular intervals or at other locations along the longitudinal axis of the finger member 316, including at locations other than the bases of these tips. For example, the securing structure 332 is shown in the center at a distance d 1 from the base of the finger member 316, and the securing structure 334 is shown at a distance d 2 from the tip of the finger member 316. The distances d 1 and d 2 are
Preferably, it is less than or equal to 1/3 of the total length of the finger member 316, or 1/3 when the length is "1", in order to minimize the interval between adjacent fixing structures. Yes, at the same time to maximize the stiffness of the end of the short cantilever from the locking mechanism 334. Where only two securing structures are provided on a given finger member,
Another approach could be to place the anchoring structures 332, 334 at a quarter of the length from the end of the finger member 316, but this is due to the highest first bending mode natural frequency. )
This is to provide a finger structure having the following. All of the examples described above for the securing structure of FIG. 3 are locked in at least one portion for each of the finger members 316, 318 on the substrate 302, so that the securing structure is locked to the locked portion or each finger member. It does not exist directly under the part. The finger elements 312 are preferably finger-mounted or arranged between the locked portions of each set of finger members 316,318. As yet another option, instead of a separate securing structure, such as securing structures 330, 332, 334, a single continuous securing structure, such as securing structure 336, supports the finger members, in this case finger members 318. Can be provided for
The securing structure is along the entire length of the finger member or a substantial portion thereof. As used herein, a substantial portion of the length of the beam member means at least half the length of the beam, and extends from a stationary structure that is otherwise electrically interconnected. It is. The embodiment illustrated in connection with FIGS. 3 and 4 shows an outwardly extending finger element 3.
12, the subject matter of the present invention applies equally to a ladder-type structure as shown in FIG. 5, wherein the movable finger members are restrained at both ends, ie, at the root and tip. I have. As shown in FIG. 5, the inertial mass 502 includes a pair of side rails 504,
506 and extends in the lateral direction indicated by arrow BB. Each finger member 512 is connected to rails 504 and 5
06 and extends vertically to form a ladder structure. Finger members 512 are constrained at both ends rather than projecting to one side from the center rail,
The finger members 512 of the proof mass 502 are substantially more resistant to stiction generation than the finger elements of the embodiment of FIG. A mass 514 having a wide range of strengths may be formed at either end or both ends of the inertial mass 502 to further add thin film hardness to the ladder structure of the inertial mass 502. Optionally, a center rail (not shown in FIG. 5, but similar to center rail portion 314 of FIG. 3) may also be used to further increase the strength of the ladder structure of inertial mass 502. The inertial mass 502 is locked on the substrate 500 by the suspension arm 506, similarly to the function of the suspension arm 306 described above. The suspension arm 506 is attached to the substrate 500 by a conventional fixed structure 508 and electrically interconnects the proof mass 502 to external leads (not shown). Fixed finger members 516, 518
Are attached to the substrate 500 by conventional fixing structures 520, 522, respectively, and finger members 516,
518 are internally connected to their respective leads 524,526. The finger members 516, 518 are also preferably
Supported by an additional tip anchoring structure 530 or other support structure as described above. Additional finger structures
Each of the windows 540 defined by finger members 512 at both ends of the length of the inertial mass can be formed, with the additional finger structure being the same or different than finger members 516, 518. Here, it will be apparent to those skilled in the art that changes and modifications in the above-described embodiments may be made without departing from the spirit and scope of the invention. In addition, the illustrated embodiment is intended for a parallel plate capacitor that is perpendicular to the direction that the plate senses, but is a unidirectionally extending plate with at least the usual components, and as a result, Any plate array is considered to be within the scope of the present invention, as long as the capacitance changes as the inertial mass moves in the direction of detection. Similarly,
Polysilicon embodiments are disclosed, and conventional semiconductor fabrication techniques for fabricating similar structures with single crystal silicon or other electrically conductive materials are well known. Accordingly, it is intended that the invention be limited only by the scope of the appended claims and the rules and principles of applicable law.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来技術における横方向に検出可能な加速度セ
ンサを単純化した平面図である。
FIG. 1 is a simplified plan view of a laterally detectable acceleration sensor according to the related art.

【図2】図1の2−2線に沿って切断した、図1に示す
構造の断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the structure shown in FIG. 1, taken along line 2-2 in FIG. 1.

【図3】本発明の特徴を組み込んだ横方向に検出可能な
加速度センサの実施例の一部分の平面図。
FIG. 3 is a plan view of a portion of an embodiment of a laterally detectable acceleration sensor incorporating features of the present invention.

【図4】図3の4−4線に沿って切断した、図3に示す
構造の一部分の断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a portion of the structure shown in FIG. 3, taken along line 4-4 in FIG. 3;

【図5】本発明の特徴を組み込んだ横方向に検出可能な
加速度センサの他の実施例の一部分の平面図。
FIG. 5 is a plan view of a portion of another embodiment of a laterally detectable acceleration sensor incorporating features of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

300:マイクロマシン構造体 302,500:基板 304,502:質量 306:センサ 312,512:フィンガ要素 316,516:フィンガ部材 320:固定部材(固定体) 402:誘電層 404:第1ポリシリコン層 410:パッド 420:第2ポリシリコン層 428:シールド 504,506:レール 300: Micromachine structure 302, 500: Substrate 304, 502: Mass 306: Sensor 312, 512: Finger element 316, 516: Finger member 320: Fixed member (fixed body) 402: Dielectric layer 404: First polysilicon layer 410 : Pad 420: second polysilicon layer 428: shield 504, 506: rail

フロントページの続き (72)発明者 ジョナサン・エイチ・ハモンド アメリカ合衆国 アリゾナ州 85251 ス コッツデール ノース・83ド・プレイス 3020 (72)発明者 ギャリー・ジェイ・オブライアン アメリカ合衆国 ミシガン州 48105 ア ン・アーバー ナンバー204 ポインテ・ クロッシング1895 (72)発明者 ホセ・エル・トレス アメリカ合衆国 アリゾナ州 85233 ギ ルバートウエスト・サン・アンジェロ・ス トリート534Continued on the front page (72) Inventor Jonathan H. Hammond United States Arizona 85251 S Cotsdale North 83rd Place 3020 (72) Inventor Gary Jay O'Brien Michigan 48105 Ann Arbor No. 204 Pointe Crossing 1895 (72) Inventor Jose El Torres 85233 Arizona, United States of America Gilbert West San Angelo Street 534

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板(302)と、 前記基板に結合される複数の固定部材(320)と、 前記複数の固定部材(320)によって前記基板(30
2)に結合されるフィンガ部材(316)であって、前
記フィンガ部材(316)の部分が前記複数の固定部材
(320)によって前記基板(302)上に係止されて
おり、前記複数の固定部材(320)は、前記フィンガ
部材の前記部分の下には無く、および、前記フィンガ部
材(316)は前記基板(302)に対して安定的に保
持される、前記フィンガ部材(316)と、 前記基板(302)に結合され、前記基板(302)上
に係止される質量(304)であって、前記質量が前記
フィンガ部材(316)と隣り合ったフィンガ要素(3
12)を有し、前記質量(304)が前記基板に対して
可動であり、前記フィンガ要素(312)および前記フ
ィンガ部材(316)がキャパシタを形成する、前記質
量(304)と、 から構成されることを特徴とするマイクロマシン構造体
(300)。
A substrate (302), a plurality of fixing members (320) coupled to the substrate, and the plurality of fixing members (320);
A finger member (316) coupled to 2), wherein a portion of said finger member (316) is locked onto said substrate (302) by said plurality of fixing members (320); A finger member (316), wherein the member (320) is not under the portion of the finger member and the finger member (316) is stably held against the substrate (302); A mass (304) coupled to the substrate (302) and locked onto the substrate (302), wherein the mass is adjacent to the finger member (316);
12), wherein the mass (304) is movable with respect to the substrate, and wherein the finger element (312) and the finger member (316) form a capacitor. A micromachine structure (300), characterized in that:
【請求項2】シリコン基板(302)と、 前記シリコン基板上の電気的に絶縁である誘電層(40
2)と、 前記電気的に絶縁である誘電層(402)上の第1ポリ
シリコン層(404)であって、前記第1ポリシリコン
層は、電気的に伝導性を有するシールド(428)、お
よび、前記電気的に伝導性を有するシールド(428)
から電気的に隔離される前記電気的に伝導性を有するパ
ッド(410)を形成するために構成される、第1ポリ
シリコン層(404)と、 固定体(320)を形成するために構成される前記第1
ポリシリコン層(404)上の第2ポリシリコン層(4
20)であって、固定フィンガ(316)は前記固定体
(320)および前記電気的に伝導性を有するパッド
(410)と電気的に結合されており、可動質量(30
4)は前記固定体(320)、前記固定フィンガ(31
6)、および前記電気的に伝導性を有するパッド(41
0)と不連続である、第2ポリシリコン層とから構成さ
れ、ここにおいて、 前記固定体(320)は前記シリコン基板(302)と
結合し、前記シリコン基板(302)に対して固定さ
れ、 前記固定フィンガ(316)は少なくとも2つの前記固
定体により前記シリコン基板(302)と結合され、前
記固定フィンガ(316)のそれぞれが少なくとも2つ
の前記固定体によって前記シリコン基板(302)上に
係止されている部分を有し、前記固定フィンガ(31
6)の前記部分が前記固定体上に無く、前記固定フィン
ガ(316)の前記部分を含む前記固定フィンガ(31
6)は、前記シリコン基板(302)に対して固定され
ており、 前記可動質量(304)は前記シリコン基板(302)
と結合し、前記シリコン基板(302)上に係止されて
おり、前記可動質量(304)はさらに可動フィンガ
(312)を含み、前記可動フィンガ(312)のそれ
ぞれが前記固定フィンガ(316)の異なった組の間に
配置されて2つのキャパシタを形成し、前記可動フィン
ガ(312)を含む前記可動質量(304)は前記シリ
コン基板(302)に対して可動であり、前記可動フィ
ンガ(312)および前記固定フィンガ(316)が同
じ厚みを有することを特徴とするセンサ(306)。
2. A silicon substrate (302) and an electrically insulating dielectric layer (40) on said silicon substrate.
2) a first polysilicon layer (404) on the electrically insulating dielectric layer (402), wherein the first polysilicon layer is an electrically conductive shield (428); And the electrically conductive shield (428).
A first polysilicon layer (404) configured to form the electrically conductive pad (410) electrically isolated from the first polysilicon layer (404), and configured to form a stationary body (320). The first
The second polysilicon layer (4) on the polysilicon layer (404)
20) wherein a stationary finger (316) is electrically coupled to the stationary body (320) and the electrically conductive pad (410) to provide a movable mass (30).
4) The fixed body (320), the fixed finger (31)
6), and the electrically conductive pad (41)
0) and a second polysilicon layer that is discontinuous, wherein the fixed body (320) is coupled to the silicon substrate (302) and fixed to the silicon substrate (302); The stationary fingers (316) are coupled to the silicon substrate (302) by at least two of the stationary bodies, and each of the stationary fingers (316) is locked on the silicon substrate (302) by at least two of the stationary bodies. The fixed fingers (31
6) the portion of the fixed finger (31) that is not on the fixed body and includes the portion of the fixed finger (316);
6) is fixed to the silicon substrate (302), and the movable mass (304) is fixed to the silicon substrate (302).
Coupled to and locked onto the silicon substrate (302), the movable mass (304) further includes movable fingers (312), each of the movable fingers (312) of the fixed finger (316). The movable mass (304) including the movable finger (312) is movable between the silicon substrate (302) and the movable finger (312) disposed between different sets to form two capacitors. And the fixed finger (316) has the same thickness.
【請求項3】基板(500)と、 前記基板(500)と結合され、前記基板(500)に
対して固定されているフィンガ部材(516)と、 前記基板(302)と結合し、前記基板(302)上に
係止されている質量(502)であって、前記質量(5
02)は少なくとも2つのレール(504,506)お
よびそれらの間に延伸するフィンガ要素(512)を有
し、前記質量(502)は前記基板(500)に対して
可動であり、前記フィンガ部材(516)および前記フ
ィンガ要素(512)が互いに隣り合ってキャパシタを
形成する、質量(502)と、 から構成されることを特徴とするマイクロマシン構造
体。
3. A substrate (500), a finger member (516) coupled to the substrate (500) and fixed to the substrate (500), and a substrate (302) coupled to the substrate (302). Mass (502) locked on (302), wherein said mass (5)
02) has at least two rails (504, 506) and finger elements (512) extending therebetween, said mass (502) being movable with respect to said substrate (500) and said finger member (512). 516) and a mass (502), wherein the finger elements (512) are adjacent to each other to form a capacitor.
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