JP2001116897A - X-ray source - Google Patents

X-ray source

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JP2001116897A
JP2001116897A JP29661699A JP29661699A JP2001116897A JP 2001116897 A JP2001116897 A JP 2001116897A JP 29661699 A JP29661699 A JP 29661699A JP 29661699 A JP29661699 A JP 29661699A JP 2001116897 A JP2001116897 A JP 2001116897A
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JP
Japan
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positive ions
cathode
ray
generated
anode
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP29661699A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuzo Nagumo
雄三 南雲
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Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an X-ray source allowing for better controllability of the waveforms of pulsed X-rays. SOLUTION: The X-ray source 1 includes a cathode 3 and an anode 4 disposed in a spaced relationship inside a vacuum container and to which high voltages are applied, and a positive ion generating means 70 for generating positive ions 7 inside an electric field 5 formed between the cathode 3 and the anode 4. The anode 3 is bombarded with secondary electrons 8 produced by bombardment of the cathode 4 with the positive ions 7, to generate an X-ray 9 from the anode 3. Generation of the positive ions 7 is controlled to control the waveform of the X-ray.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パルスX線発生技
術に関し、非破壊検査装置や分析装置に適用することが
できるX線源に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse X-ray generation technique, and more particularly to an X-ray source applicable to a nondestructive inspection apparatus and an analyzer.

【0002】[0002]

【従来の技術】X線を用いた非破壊測定では、要求され
る測定特性からパルス状のX線を用いる場合がある。例
えば、ラジオグラフィ法によって動的現象を撮像する場
合、被写体の動きがそれほど速くない場合には通常のX
線源から得られるX線を用いた透視技術によって測定す
ることができる。しかしながら、超高速で変化する現象
をラジオグラフィ法で撮像する場合には、使用するX線
もパルス状である必要がある。このようなパルス状のX
線を発生するX線源として、高電圧による絶縁破壊を利
用するX線発生技術が知られている(例えば、「X線ハ
ンドブック」p234,235(電子科学研究所編参
照)。このX線源は、陰極と陽極との間に高電圧を瞬間
的に印加して絶縁破壊を起こし、陰極から引き出された
電子が陽極に衝突することによってX線を発生させるも
のである。
2. Description of the Related Art In nondestructive measurement using X-rays, pulsed X-rays may be used due to required measurement characteristics. For example, when imaging a dynamic phenomenon by a radiography method, if the movement of the subject is not so fast, a normal X
It can be measured by a fluoroscopic technique using X-rays obtained from a source. However, when imaging a phenomenon that changes at a very high speed by radiography, the X-rays to be used also need to be pulsed. Such a pulsed X
As an X-ray source for generating X-rays, there is known an X-ray generation technique using dielectric breakdown caused by a high voltage (for example, see “X-ray Handbook”, pages 234 and 235 (see the Electronic Science Laboratory). In this method, a high voltage is instantaneously applied between a cathode and an anode to cause dielectric breakdown, and electrons extracted from the cathode collide with the anode to generate X-rays.

【0003】また、冷陰極を用いたガスX線管や加熱陰
極を用いた高真空X線管も知られている。ガスX線管
は、一定ガス圧に維持された管球内に存在する正イオン
を陰極に打ち込み、陰極から飛び出した電子をガラスや
金属等の対陰極に衝突させ、これによってX線を発生さ
せるものである。このガスX線管は、ガス自身の性質と
動作中の正イオンの打ち込みの性質から、操作が難し
く、また動作が不安定であるという問題がある。一方、
陰極を高温のタングステン−フィラメントとし、対陰極
を固体タングステン等の金属とすることによって動作を
安定させた高真空X線管も知られているが、このタイプ
のX線源は連続X線のX線源として適しているが、パル
ス状のX線を発生するX線源としては不適当である。
Further, a gas X-ray tube using a cold cathode and a high vacuum X-ray tube using a heating cathode are also known. In a gas X-ray tube, positive ions existing in a tube maintained at a constant gas pressure are injected into a cathode, and electrons that fly out of the cathode collide with a counter-cathode such as glass or metal, thereby generating X-rays. Things. This gas X-ray tube has a problem that it is difficult to operate and unstable in operation due to the nature of the gas itself and the nature of positive ion implantation during operation. on the other hand,
There is also known a high vacuum X-ray tube whose operation is stabilized by using a high temperature tungsten-filament as a cathode and a metal such as solid tungsten as a counter cathode, but this type of X-ray source is a continuous X-ray X-ray tube. Although suitable as a radiation source, it is not suitable as an X-ray source that generates pulsed X-rays.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】パルスX線を発生する
従来のX線源は、波高値やパルス幅等のX線の波形(波
高値やパルス幅)や波長を制御することが難しいという
問題がある。これは、高電圧による絶縁破壊を用いたX
線源では、再現性が不安定な絶縁破壊によって電子を発
生させているため、電流の制御性が悪く、発生するパル
ス状X線の波形形状を特徴付ける波高値やパルス幅を制
御することが困難であるためである。また、発生するX
線のパルス幅も数ナノ秒(s)に限定され、数ナノ秒よ
りも長いパルス幅のX線を得ることが困難である。これ
は、瞬時に多量の電子が陽極に衝突することによってプ
ラズマが発生して、電子が陽極に衝突することが妨げら
れ、これによって発生するX線は初期の電流パルスに制
限されるためである。
A conventional X-ray source that generates pulsed X-rays has a problem that it is difficult to control the waveform (crest value and pulse width) and wavelength of the X-ray such as the peak value and pulse width. There is. This is because X using dielectric breakdown by high voltage
In the source, electrons are generated by dielectric breakdown, which has unstable reproducibility, so the current controllability is poor and it is difficult to control the peak value and pulse width that characterize the waveform shape of the generated pulsed X-ray. This is because Also, the generated X
The pulse width of the line is also limited to several nanoseconds (s), and it is difficult to obtain X-rays having a pulse width longer than several nanoseconds. This is because a large amount of electrons instantaneously collide with the anode to generate plasma, which prevents the electrons from colliding with the anode and limits the generated X-rays to the initial current pulse. .

【0005】また、X線が発生するエネルギー(波長)
は陰極及び陽極に印加する電圧によって制御することが
できるが、絶縁破壊を生じさせるには高電圧を印加する
必要があるため、低電圧を印加することができない。そ
のため、低エネルギーである長波長のX線を得ることが
できず、発生するX線の発生エネルギー(波長)が制限
されるという問題もある。そこで、本発明は前記した従
来のパルス状X線を発生するX線源の問題点を解決し、
パルス状X線のX線波形の制御性が良好なX線源を提供
することを目的とする。
[0005] Energy (wavelength) generated by X-rays
Can be controlled by a voltage applied to the cathode and the anode, but a high voltage must be applied to cause dielectric breakdown, so that a low voltage cannot be applied. Therefore, it is not possible to obtain long-wavelength X-rays having low energy, and there is a problem that the generated energy (wavelength) of the generated X-rays is limited. Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems of the conventional X-ray source for generating pulsed X-rays,
An object of the present invention is to provide an X-ray source having good controllability of an X-ray waveform of a pulsed X-ray.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、真空中におい
て、正イオンを電界で加速して陰極に衝突させ、その際
に発生する二次電子を電子源とし、発生した電子を電界
で加速して陽極に衝突させてX線を発生させるものであ
り、正イオンの発生を制御することによって、二次電子
の発生を制御し、X線の波形を制御するものである。
According to the present invention, positive ions are accelerated by an electric field in a vacuum to collide with a cathode, and secondary electrons generated at that time are used as an electron source, and the generated electrons are accelerated by the electric field. Then, X-rays are generated by colliding with the anode. By controlling the generation of positive ions, the generation of secondary electrons is controlled, and the waveform of X-rays is controlled.

【0007】そこで、本発明のX線源は、真空容器に間
隔を置いて配置され高電圧が印加される陰極及び陽極
と、陰極と陽極との間に形成される電界内に正イオンを
発生させる正イオン発生手段とを備えた構成とする。図
1は本発明のX線源の構成を説明するための概略図であ
る。正イオンと陰極との衝突で形成した二次電子を陽極
に衝突させることによって陽極からX線を発生させ、正
イオンの発生を制御することによりX線波形を制御す
る。図1において、真空2内に陽極3と陰極4を間隔を
置いて配置すると共に、電極間に高電圧を印加すること
によって電界5を形成する。正イオン発生手段70は電
界5内に正イオン7を発生させる。電界5内で発生した
正イオン7は電界によって陰極4の方向に移動し、陰極
4と衝突する。正イオン7と陰極4との衝突によって発
生した二次電子8は、電界5によって陽極3の方向に移
動する。二次電子8は陽極3と衝突するとX線9を発生
する。
Therefore, the X-ray source of the present invention generates positive ions in a cathode and an anode which are arranged at an interval in a vacuum vessel and to which a high voltage is applied, and an electric field formed between the cathode and the anode. And a positive ion generating means for generating the positive ions. FIG. 1 is a schematic diagram for explaining the configuration of the X-ray source of the present invention. X-rays are generated from the anode by colliding secondary electrons formed by the collision between positive ions and the cathode with the anode, and the X-ray waveform is controlled by controlling the generation of positive ions. In FIG. 1, an anode 3 and a cathode 4 are arranged in a vacuum 2 at an interval, and an electric field 5 is formed by applying a high voltage between the electrodes. Positive ion generating means 70 generates positive ions 7 in the electric field 5. Positive ions 7 generated in the electric field 5 move toward the cathode 4 by the electric field and collide with the cathode 4. Secondary electrons 8 generated by collision between positive ions 7 and cathode 4 move toward anode 3 by electric field 5. When the secondary electrons 8 collide with the anode 3, X-rays 9 are generated.

【0008】本発明のX線源は、正イオンの発生を制御
することによってX線の発生を制御するものであり、該
機構として正イオン発生制御手段を備える。正イオン発
生制御手段は、陰極と陽極との間に形成される電界内に
正イオンを発生させるものであり、電界内における正イ
オンの発生量、発生位置を制御することによって、発生
するX線の波高値及び又はパルス幅を制御してX線波形
を制御する。
The X-ray source of the present invention controls the generation of X-rays by controlling the generation of positive ions, and includes a positive ion generation control means as the mechanism. The positive ion generation control means generates positive ions in an electric field formed between the cathode and the anode, and controls the amount and position of the generated positive ions in the electric field to generate X-rays. The X-ray waveform is controlled by controlling the peak value and / or pulse width of the X-ray.

【0009】正イオン発生制御手段の第1の形態は、レ
ーザー照射による正イオンの発生機構を備える。レーザ
ー照射による正イオンの発生機構は、真空容器の残留ガ
スにレーザーを照射することによって残留ガスをイオン
化し、正イオンを発生する機構であり、電界内にレーザ
ーを照射することによって電界内に正イオンを発生させ
る。正イオン発生制御手段の第1の形態において、X線
の波高値を制御する第1の制御方法は、入射レーザー光
の強度を制御することによってレーザー入射初期時に生
成する正イオンの発生量を変更するものであり、入射レ
ーザー光の強度を高めて正イオンの発生量を増やすこと
によって発生するX線の波高値を高めることができる。
A first form of the positive ion generation control means has a positive ion generation mechanism by laser irradiation. The mechanism of generating positive ions by laser irradiation is to irradiate the residual gas in the vacuum vessel with a laser to ionize the residual gas and generate positive ions.By irradiating the laser in the electric field, the positive ion is generated in the electric field. Generate ions. In the first form of the positive ion generation control means, the first control method for controlling the peak value of the X-ray changes the amount of positive ions generated at the initial stage of laser incidence by controlling the intensity of the incident laser light. The peak value of the generated X-rays can be increased by increasing the intensity of the incident laser light to increase the amount of generated positive ions.

【0010】正イオン発生制御手段の第1の形態におい
て、X線の波高値を制御する第2の制御方法は、真空容
器内の圧力を制御して残留ガス密度を制御することによ
ってレーザー入射初期時に生成する正イオンの発生量を
変更するものであり、残留ガス密度を高めて正イオンの
発生量を増やすことによって発生するX線の波高値を高
めることができる。正イオン発生制御手段の第1の形態
において、X線の波高値を制御する第3の制御方法は、
入射レーザー光の電界内における照射位置を制御するこ
とによって、正イオンが陰極に衝突する際のエネルギー
を変更するものであり、レーザー光の照射位置によって
正イオンが電界から得るエネルギーを変更する。正イオ
ンを高いエネルギーで陰極に衝突させることによって、
二次電子の発生量を増やすことによって発生するX線の
波高値を高めることができる。
In the first form of the positive ion generation control means, the second control method for controlling the peak value of the X-rays is to control the residual gas density by controlling the pressure in the vacuum vessel to thereby control the initial stage of laser incidence. The amount of generated positive ions is changed, and the peak value of the generated X-rays can be increased by increasing the amount of generated positive ions by increasing the residual gas density. In the first mode of the positive ion generation control means, a third control method for controlling the peak value of the X-rays includes:
By controlling the irradiation position of the incident laser light within the electric field, the energy when the positive ions collide with the cathode is changed, and the energy obtained by the positive ions from the electric field is changed depending on the irradiation position of the laser light. By bombarding positive ions with high energy on the cathode,
By increasing the amount of secondary electrons generated, the peak value of the generated X-rays can be increased.

【0011】正イオン発生制御手段の第1の形態におい
て、X線のパルス幅を制御する第1の制御方法は、電界
内において陽極と陰極間に沿って正イオンを生成させる
ことによって正イオンが陰極に到達する時刻をずらし、
正イオンが陰極に到達する時間に幅を制御することによ
って発生するX線のパルス幅を制御する。正イオン発生
制御手段の第1の形態において、X線のパルス幅を制御
する第2の制御方法は、電界内において陽極と陰極間に
沿って正イオンを生成させると共に正イオンの生成位置
をずらすことによって、正イオンが陰極に到達する時刻
と位置をずらし、二次電子の正イオンによる散乱を防止
して、発生するX線のパルス幅を制御すると共にX線の
発生効率を高める。
In the first mode of the positive ion generation control means, the first control method for controlling the pulse width of X-rays is such that positive ions are generated between an anode and a cathode in an electric field to generate positive ions. Stagger the time to reach the cathode,
The pulse width of the generated X-rays is controlled by controlling the width at the time when the positive ions reach the cathode. In the first form of the positive ion generation control means, the second control method for controlling the pulse width of X-rays generates positive ions along the distance between the anode and the cathode in the electric field and shifts the generation position of the positive ions. This shifts the time and position at which the positive ions reach the cathode, prevents scattering of secondary electrons by the positive ions, controls the pulse width of the generated X-rays, and increases the X-ray generation efficiency.

【0012】正イオン発生制御手段の第2の形態は、イ
オン源及びイオン源で発生させた正イオンを導入する機
構を備える。正イオンを導入する機構は、イオン銃等の
イオン源で発生させた正イオンを電界内に放出すること
によって電界内に正イオンを発生させる。電界内に導入
する正イオンの量、発生位置を制御することによって、
発生するX線の波高値及び又はパルス幅を制御する。正
イオン発生制御手段の第2の形態において、X線の波高
値を制御する第1の制御方法は、導入する正イオンの量
を制御することによって正イオンの発生量を変更するも
のであり、正イオンの発生量を増やすことによって発生
するX線の波高値を高めることができる。
A second form of the positive ion generation control means includes an ion source and a mechanism for introducing positive ions generated by the ion source. The mechanism for introducing positive ions generates positive ions in the electric field by discharging the positive ions generated by an ion source such as an ion gun into the electric field. By controlling the amount of positive ions introduced into the electric field and the position of generation,
The peak value and / or pulse width of the generated X-rays are controlled. In the second embodiment of the positive ion generation control means, the first control method for controlling the peak value of the X-ray changes the amount of generated positive ions by controlling the amount of introduced positive ions, The peak value of the generated X-rays can be increased by increasing the amount of generated positive ions.

【0013】正イオン発生制御手段の第2の形態におい
て、X線の波高値を制御する第2の制御方法は第1の形
態と同様に、真空容器内の圧力を制御して残留ガス密度
を制御することによってレーザー入射初期時に生成する
正イオンの発生量を変更し、X線の波高値を高めること
ができる。正イオン発生制御手段の第2の形態におい
て、X線の波高値を制御する第3の制御方法は、電界内
において正イオンの導入位置を制御することによって、
正イオンが陰極に衝突する際のエネルギーを変更する。
In the second embodiment of the positive ion generation control means, the second control method for controlling the peak value of the X-rays is to control the pressure in the vacuum vessel to reduce the residual gas density, as in the first embodiment. By controlling, the amount of generated positive ions at the initial stage of laser incidence can be changed, and the peak value of X-rays can be increased. In the second form of the positive ion generation control means, the third control method for controlling the peak value of the X-rays is to control the position of introducing the positive ions in the electric field.
Changes the energy at which positive ions strike the cathode.

【0014】正イオン発生制御手段の第2の形態におい
て、X線のパルス幅を制御する第1,2の制御方法は第
1の形態と同様とすることができ、電界内において陽極
と陰極間に沿って正イオンを導入することによって正イ
オンが陰極に到達する時刻をずらし、正イオンが陰極に
到達する時間に幅を制御することによって発生するX線
のパルス幅を制御する。また、正イオンの生成位置をず
らすことによって、二次電子の正イオンによる散乱を防
止してX線の発生効率を高める。正イオン発生制御手段
の第2の形態において、正イオンの導入位置の変更は、
電界レンズ等を用いて行うことができる。
In the second embodiment of the positive ion generation control means, the first and second control methods for controlling the pulse width of X-rays can be the same as those of the first embodiment, and the method for controlling the pulse width between the anode and the cathode in an electric field is performed. The time at which the positive ions arrive at the cathode is shifted by introducing positive ions along the axis, and the pulse width of the generated X-rays is controlled by controlling the width during the time at which the positive ions arrive at the cathode. In addition, by shifting the generation position of the positive ions, the scattering of the secondary electrons due to the positive ions is prevented, and the generation efficiency of the X-ray is increased. In the second embodiment of the positive ion generation control means, the change of the introduction position of the positive ions is as follows.
This can be performed using an electric field lens or the like.

【0015】また、照射レーザーを用いた正イオン発生
制御手段の第1の形態において、照射レーザーの照射点
を真空容器内の空間の他に、陽極あるいは真空容器内に
設けたターゲットとすることができる。また、発生する
X線の波長の制御は、陽極と陰極との間に印加する電圧
値を変更して行うことができ、電圧値を高めることによ
って発生するX線の波長を短くすることができ、逆に電
圧値を低めることによって発生するX線の波長を長くす
ることができる。
[0015] In the first embodiment of the positive ion generation control means using an irradiation laser, the irradiation point of the irradiation laser may be an anode or a target provided in the vacuum vessel in addition to the space in the vacuum vessel. it can. The wavelength of the generated X-rays can be controlled by changing the voltage applied between the anode and the cathode, and the wavelength of the generated X-rays can be shortened by increasing the voltage. Conversely, the wavelength of X-rays generated by lowering the voltage value can be lengthened.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照しながら詳細に説明する。図2は、本発明のX線源
の構成例を説明するための概略図である。図2におい
て、X線源11は、真空容器12内に陽極3と陰極4を
対向して配置させ、電源15によって高電圧を印加し、
陽極3と陰極4との間に電界5を形成する。真空容器1
2には排気ポンプ13及びガス源14が接続され、排気
ポンプ13による排気とガス源14からのガスの供給を
制御することによって真空容器12内の圧力を制御する
ことができる。真空容器12内の圧力は、残留ガスのイ
オン化による正イオンの発生効率や、二次電子が陽極に
移動する際に、正イオンによって拡散され陽極への移動
が妨げられる程度などX線の発生効率に寄与する要因に
影響を与える。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a configuration example of the X-ray source of the present invention. In FIG. 2, an X-ray source 11 has an anode 3 and a cathode 4 opposed to each other in a vacuum vessel 12, and applies a high voltage by a power supply 15.
An electric field 5 is formed between the anode 3 and the cathode 4. Vacuum container 1
An exhaust pump 13 and a gas source 14 are connected to 2, and the pressure in the vacuum vessel 12 can be controlled by controlling the exhaust by the exhaust pump 13 and the supply of gas from the gas source 14. The pressure in the vacuum chamber 12 depends on the generation efficiency of X-rays, such as the generation efficiency of positive ions due to the ionization of the residual gas and the degree to which secondary electrons are diffused by positive ions and hindered from moving to the anode when moving to the anode. Affect the factors that contribute to.

【0017】容器内圧力としては、例えば1/75×1
-1パスカル(Pa)〜1/75×10-2パスカル(P
a)(10-5Torr〜10-6Torr)程度とする。
また、1/75×10-4パスカル(Pa)程度の高真空
とすることもできる。なお、ここでは1パスカル(P
a)を7.5×10-3トール(Torr)としている。
また、電源15が印加する高電圧として例えば30キロ
ボルト(kV)〜40キロボルトkV程度とする。な
お、さらに高い電圧を印加することによって、短波長の
X線を得ることもできる。なお、陽極3は絶縁材を介し
て真空容器3に取り付けられている。
The pressure in the container is, for example, 1/75 × 1
0 -1 Pascal (Pa)-1/75 × 10 -2 Pascal (P
a) It is set to about (10 −5 Torr to 10 −6 Torr).
Further, a high vacuum of about 1/75 × 10 −4 Pascal (Pa) can be used. Here, 1 Pascal (P
a) is set to 7.5 × 10 −3 Torr.
The high voltage applied by the power supply 15 is, for example, about 30 kilovolts (kV) to about 40 kilovolts kV. Note that X-rays having a short wavelength can be obtained by applying a higher voltage. Note that the anode 3 is attached to the vacuum vessel 3 via an insulating material.

【0018】正イオン発生制御手段としてレーザー照射
による正イオン発生機構71を備える。正イオン発生機
構71は、図示しないレーザー光源(例えばQスイッチ
レーザー光源)からの強度の強いレーザー光71aを光
学系71bによって真空容器12内の電界5の領域に集
光させる。なお、真空容器12には外部からレーザー光
71aを導入するための窓16が設けられている。
A positive ion generation mechanism 71 by laser irradiation is provided as positive ion generation control means. The positive ion generating mechanism 71 focuses a laser beam 71a having a high intensity from a laser light source (not shown, for example, a Q-switch laser light source) on the region of the electric field 5 in the vacuum chamber 12 by the optical system 71b. The vacuum chamber 12 is provided with a window 16 for introducing a laser beam 71a from outside.

【0019】真空容器12内の集光されたレーザー光7
1aは、真空容器12内の残留ガスをイオン化する。図
2中に示す領域19はイオン化領域を模式的に示してい
る。イオン化によって、イオン化領域19には正イオン
7が発生する。正イオン7は電界5によって陰極4の方
向に移動し、陰極4と衝突して二次電子8を発生する。
二次電子8は電界5によって陽極3の方向に移動し、陽
極3と衝突してX線9を発生する。X線9は、真空容器
12に設けた窓17を通して真空容器12の外側に取り
出される。
Condensed laser light 7 in vacuum vessel 12
1a ionizes the residual gas in the vacuum vessel 12. A region 19 shown in FIG. 2 schematically shows an ionization region. Positive ions 7 are generated in the ionization region 19 by ionization. The positive ions 7 move toward the cathode 4 by the electric field 5 and collide with the cathode 4 to generate secondary electrons 8.
The secondary electrons 8 move toward the anode 3 by the electric field 5 and collide with the anode 3 to generate X-rays 9. The X-ray 9 is taken out of the vacuum vessel 12 through a window 17 provided in the vacuum vessel 12.

【0020】図3は本発明のX線源の動作を説明するた
めのタイムチャートであり、図3(a)はレーザー光の
照射状態を示し、図3(b)はX線の発生状態を示して
いる。X線はレーザー光を照射して時間tが経過した後
に発生する。経過時間tは陽極と陰極との配置間隔や電
界強度等に依存し、主に正イオンが陰極に到達するまで
の時間で定まる。通常の構成では、数ナノ秒(ns)か
ら1マイクロ秒(μs)程度である。X線はレーザー光
が照射される毎に発生し、レーザー光源がらレーザー光
を所定間隔Tで照射することによってX線を断続させる
ことができる。X線の発生間隔はレーザー光の発生間隔
Tで定まり、例えば10キロヘルツ(kHz)のレーザ
ー光源を用いた場合には100マイクロ秒(μs)間隔
でX線を発生することができる。
FIG. 3 is a time chart for explaining the operation of the X-ray source according to the present invention. FIG. 3 (a) shows the state of laser beam irradiation, and FIG. 3 (b) shows the state of X-ray generation. Is shown. X-rays are generated after a lapse of time t after irradiation with laser light. The elapsed time t depends on the arrangement interval between the anode and the cathode, the electric field strength, and the like, and is determined mainly by the time until the positive ions reach the cathode. In a normal configuration, it is about several nanoseconds (ns) to about 1 microsecond (μs). X-rays are generated every time a laser beam is irradiated, and the X-rays can be interrupted by irradiating the laser beam from a laser light source at a predetermined interval T. The X-ray generation interval is determined by the laser light generation interval T. For example, when a 10 kilohertz (kHz) laser light source is used, X-rays can be generated at 100 microsecond (μs) intervals.

【0021】次に、図2に示す構成のX線源において、
X線の波形制御について説明する。X線の波形制御とし
て、波長の制御、波高値の制御、及びパルス幅の制御に
ついて説明する。X線の波長の長短は、X線が備えるエ
ネルギーの強度を示している。このX線の波長は陽極及
び陰極間に印加する電圧値によって制御することができ
る。本発明のX線源は、正イオン発生機構によって発生
する正イオンを用いてX線を発生させる構成であるた
め、30キロボルト(kV)〜40キロボルト(kV)
程度の比較的に低い電圧から高電圧までの広い電圧幅と
することができ、これによって長波長から短波長までの
X線を発生することができる。従来の放電を用いてX線
を発生させる構成では、放電を生じさせるために高電圧
を印加する必要があり、発生するX線の波長が制限され
るが、本発明のX線源ではこのような印加電圧の制限が
ないため、発生するX線の波長の幅を広くすることがで
きる。
Next, in the X-ray source having the configuration shown in FIG.
The X-ray waveform control will be described. As X-ray waveform control, control of wavelength, control of peak value, and control of pulse width will be described. The length of the X-ray wavelength indicates the intensity of energy provided by the X-ray. The wavelength of this X-ray can be controlled by the voltage applied between the anode and the cathode. Since the X-ray source of the present invention is configured to generate X-rays using positive ions generated by a positive ion generating mechanism, the X-ray source is 30 to 40 kilovolts (kV).
A wide voltage range from a relatively low voltage to a high voltage can be obtained, whereby X-rays having a long wavelength to a short wavelength can be generated. In a configuration in which X-rays are generated using a conventional discharge, it is necessary to apply a high voltage in order to generate a discharge, which limits the wavelength of the generated X-rays. Since there is no restriction on the applied voltage, the width of the wavelength of the generated X-ray can be widened.

【0022】次に、本発明のX線源のX線の波高値制御
について、図4を用いて説明する。X線の波高値は、陽
極に衝突する二次電子量に依存し、二次電子量は正イオ
ンの発生量に依存する。そこで、X線の波高値は、二次
電子の発生量あるいは正イオンの発生量によって制御す
ることができる。X線の波高値制御の第1は、入射レー
ザー光の強度を制御することによってレーザー入射初期
時に生成する正イオンの発生量を変更し、これによって
X線の波高値を制御する。入射レーザー光の強度制御
は、図示しないレーザー光源を制御することによって行
う。入射レーザー光の強度を強めると、正イオンの発生
量が増加して二次電子の発生量が増え、X線の波高値を
高まる。
Next, the control of the X-ray peak value of the X-ray source of the present invention will be described with reference to FIG. The peak value of the X-ray depends on the amount of secondary electrons colliding with the anode, and the amount of secondary electrons depends on the amount of generated positive ions. Therefore, the peak value of X-rays can be controlled by the amount of secondary electrons generated or the amount of positive ions generated. In the first method of controlling the peak value of the X-ray, the intensity of the incident laser light is controlled to change the generation amount of positive ions generated at the initial stage of laser incidence, thereby controlling the peak value of the X-ray. The intensity of the incident laser light is controlled by controlling a laser light source (not shown). When the intensity of the incident laser light is increased, the generation amount of positive ions increases, the generation amount of secondary electrons increases, and the peak value of X-rays increases.

【0023】X線の波高値制御の第2は、真空容器内の
圧力を制御して残留ガス密度を制御することによってレ
ーザー入射初期時に生成する正イオンの発生量を変更
し、これによってX線の波高値を制御する。本発明のX
線源は、残留ガス密度を制御して正イオンの発生量を制
御することによって二次電子の発生量を制御し、X線の
波高値を制御する。真空容器内の残留ガスの密度が高ま
ると、正イオンの発生量が増加して二次電子の発生量が
増えてX線の波高値が高まり、逆に、残留ガスの密度が
低下すると、正イオンの発生量が減少して二次電子の発
生量が減ってX線の波高値が低下する。
The second method of controlling the peak value of X-rays is to control the pressure in the vacuum vessel to control the residual gas density, thereby changing the amount of positive ions generated at the initial stage of laser irradiation. Control the peak value of. X of the present invention
The radiation source controls the amount of secondary electrons by controlling the amount of positive ions by controlling the residual gas density, thereby controlling the peak value of X-rays. When the density of the residual gas in the vacuum vessel increases, the amount of generated positive ions increases, the amount of secondary electrons increases, and the peak value of X-rays increases. Conversely, when the density of the residual gas decreases, the positive The amount of ions generated decreases, the amount of secondary electrons generated decreases, and the peak value of X-rays decreases.

【0024】X線の波高値制御の第3は、入射レーザー
光の電界内における照射位置を制御することによって、
正イオンが陰極に衝突する際のエネルギーを変更し、こ
れによってX線の波高値を制御する。本発明のX線源
は、レーザー光の照射位置によって正イオンが電界から
得るエネルギーを変更して二次電子の発生量を制御し、
X線の波高値を制御する。正イオンを高いエネルギーで
陰極に衝突させると二次電子の発生量が増加し、発生す
るX線の波高値が高まる。
The third of the peak value control of the X-ray is to control the irradiation position of the incident laser light within the electric field,
The energy at which the positive ions strike the cathode is changed, thereby controlling the peak value of the X-ray. The X-ray source of the present invention controls the amount of secondary electrons generated by changing the energy that positive ions obtain from the electric field depending on the irradiation position of the laser light,
Controls the peak value of X-rays. When positive ions collide with the cathode with high energy, the amount of secondary electrons generated increases, and the peak value of the generated X-rays increases.

【0025】図4において、図4(a)と図4(b)と
はレーザー光の照射位置を異にしている。図4(a)
は、陽極3と陰極4との間で形成される電界5に対し
て、陽極3側に近い照射位置Pにレーザー光73Pを照
射し、図4(b)は、陰極4側に近い照射位置Qにレー
ザー光73Qを照射する。照射位置Pで発生した正イオ
ン7は、電界5によって陰極4に衝突するまでに、照射
位置Qで発生した正イオン7よりも大きなエネルギーを
得て、高エネルギーで陰極4に衝突する。陰極4に衝突
するエネルギーが高いほど、発生する二次電子の発生量
が増加し、これによって発生するX線の波高値が高くな
る。図4(c)は、照射位置がPとQの場合に発生する
X線の波高値の差を模式的に示している。
In FIG. 4, the irradiation position of the laser beam is different between FIGS. 4 (a) and 4 (b). FIG. 4 (a)
Irradiates a laser beam 73P to an irradiation position P near the anode 3 with respect to an electric field 5 formed between the anode 3 and the cathode 4, and FIG. Q is irradiated with a laser beam 73Q. The positive ions 7 generated at the irradiation position P obtain higher energy than the positive ions 7 generated at the irradiation position Q before colliding with the cathode 4 by the electric field 5 and collide with the cathode 4 with high energy. As the energy colliding with the cathode 4 increases, the amount of generated secondary electrons increases, and the peak value of the generated X-rays increases. FIG. 4C schematically shows the difference between the peak values of X-rays generated when the irradiation positions are P and Q.

【0026】次に、本発明のX線源のX線のパルス幅制
御について、図5,6を用いて説明する。X線のパルス
幅は、陽極に衝突する二次電子の時間幅に依存し、二次
電子の時間幅は正イオンが陰極に衝突する時間幅に依存
する。そこで、X線のパルス幅は、正イオンの生成を電
界内において陽極と陰極間に沿って分布させることによ
って、正イオンが陰極に到達する時刻をずらし、正イオ
ンが陰極に到達する時間幅を制御することによって制御
する。
Next, the pulse width control of the X-ray of the X-ray source of the present invention will be described with reference to FIGS. The pulse width of X-rays depends on the time width of secondary electrons hitting the anode, and the time width of secondary electrons depends on the time width of positive ions hitting the cathode. Therefore, the pulse width of the X-ray is adjusted by distributing the generation of the positive ions along the space between the anode and the cathode in the electric field, thereby shifting the time at which the positive ions reach the cathode and the time width at which the positive ions reach the cathode. Control by controlling.

【0027】X線のパルス幅制御の第1は、図5に示す
ように、電界5内において陽極3と陰極4間に沿って正
イオンを分布させるものである。この正イオン分布は、
光学系で帯状に変形したレーザー光73を照射すること
によって形成することができる。図5(a),(b)で
は、正イオンは陽極3側に近い側の照射位置7Rと陰極
4側に近い側の照射位置7Sとの間に分布する。照射位
置7Rと照射位置7Sで同時に正イオンが発生した場
合、照射位置7Rで発生した正イオンが陰極4に達する
時間trと照射位置7Sで発生した正イオンが陰極4に
達する時間tsとの間には(tr−ts)の時間差が生
じる。この時間差によって、陰極4には(tr−ts)
の時間幅の間にわたって正イオンが到達し、この間二次
電子が発生し、X線が発生する。これによって、正イオ
ンの発生分布を制御することによってX線のパルス幅を
制御する。なお、X線の波高値で説明したように、照射
位置7Rで発生した正イオンは照射位置7Sで発生した
正イオンよりも高いエネルギーを持つため、得られるX
線の波高値は時間変化し、初期の波高値は低くなる。
The first type of X-ray pulse width control is to distribute positive ions along the space between the anode 3 and the cathode 4 in the electric field 5 as shown in FIG. This positive ion distribution is
It can be formed by irradiating a laser beam 73 deformed into a band shape by an optical system. 5A and 5B, positive ions are distributed between an irradiation position 7R near the anode 3 and an irradiation position 7S near the cathode 4 side. When positive ions are generated at the irradiation position 7R and the irradiation position 7S at the same time, between the time tr at which the positive ions generated at the irradiation position 7R reach the cathode 4 and the time ts at which the positive ions generated at the irradiation position 7S reach the cathode 4 Has a time difference of (tr-ts). Due to this time difference, the cathode 4 has (tr−ts)
Positive ions arrive during the time width of, and during this time, secondary electrons are generated and X-rays are generated. Thus, the pulse width of X-rays is controlled by controlling the distribution of the generation of positive ions. Note that, as described with reference to the peak value of the X-ray, the positive ions generated at the irradiation position 7R have higher energy than the positive ions generated at the irradiation position 7S.
The peak value of the line changes with time, and the initial peak value decreases.

【0028】また、レーザー光73を電界方向に対して
平行に照射することによって、正イオン分布を形成する
ことができる。図6(a)は、レーザー光73を電界方
向に対して平行に照射した場合を示している。このレー
ザー光73に照射によって、形成される正イオンは電界
方向に平行な分布領域19となる。この分布領域19に
おいて、陽極3側の照射位置7Rで発生した正イオンと
陰極4側の照射位置Sで発生した正イオンとの間におい
て、図5で示したと同様に、陽極に到達する時間に幅を
持たせ、発生するX線のパルス幅を制御する。
By irradiating the laser beam 73 in parallel with the direction of the electric field, a positive ion distribution can be formed. FIG. 6A shows a case where the laser beam 73 is irradiated in parallel to the direction of the electric field. Positive ions formed by irradiation with the laser beam 73 become distribution regions 19 parallel to the electric field direction. In this distribution region 19, between the positive ions generated at the irradiation position 7R on the anode 3 side and the positive ions generated at the irradiation position S on the cathode 4 side, as shown in FIG. The width is given to control the pulse width of the generated X-ray.

【0029】X線のパルス幅制御の第2は、電界5内に
おいて陽極3と陰極4間に沿って正イオンを分布させる
と共に正イオンの生成位置をずらすことによって、正イ
オンが陰極に到達する時刻と位置をずらすものであり、
二次電子の正イオンによる散乱を防止して、発生するX
線のパルス幅を制御すると共にX線の発生効率を高め
る。この正イオン分布は、図6(b)に示すように、レ
ーザー光73を電界方向に対して角度を有して照射する
ことによって正イオンの生成位置をずらして形成する。
このレーザー光73に照射によって、形成される正イオ
ンの分布領域19は電界方向に斜め方向に分布する。こ
の分布領域19において、陽極3側の照射位置7Rと陰
極4側の照射位置Sは、正イオンの生成位置にずれが生
じる。生成位置がずれることによって、陰極4で発生し
た二次電子が陽極3に移動する際に、二次電子が正イオ
ンと衝突する割合が減少し、正イオンによる散乱が減少
する。これによって、二次電子が正イオンとの散乱で損
失するエネルギーを少なくなくすることができ、X線の
発生効率を高めることができる。
The second of the X-ray pulse width control is that positive ions reach the cathode by distributing the positive ions along the anode 3 and the cathode 4 in the electric field 5 and displacing the generation positions of the positive ions. It shifts the time and position,
X generated by preventing scattering of secondary electrons by positive ions
It controls the pulse width of the line and increases the X-ray generation efficiency. As shown in FIG. 6B, the positive ion distribution is formed by irradiating the laser beam 73 at an angle with respect to the direction of the electric field to shift the position where the positive ions are generated.
By irradiating the laser beam 73, the positive ion distribution region 19 formed is distributed obliquely in the direction of the electric field. In the distribution region 19, the irradiation position 7R on the anode 3 side and the irradiation position S on the cathode 4 side are shifted in the generation position of the positive ions. When the generation position is shifted, when the secondary electrons generated at the cathode 4 move to the anode 3, the rate at which the secondary electrons collide with the positive ions decreases, and the scattering by the positive ions decreases. Thereby, the energy lost by the scattering of the secondary electrons with the positive ions can be reduced, and the X-ray generation efficiency can be increased.

【0030】次に、本発明のX線源のレーザー照射によ
る正イオン発生機構の他の構成例を図7を用いて説明す
る。図7に示す正イオン発生機構71’,71’’は、
レーザー光を陽極あるいは真空容器内のターゲットに照
射することによって、正イオンを発生する。図7(a)
に示す正イオン発生機構71’は、陽極3にレーザー光
71aを照射する構成であり、図7(b)に示す正イオ
ン発生機構71’’は、真空容器内に設けたターゲット
6にレーザー光71aを照射する構成である。この構成
例では、照射するレーザー光の強度を変更することによ
ってX線の波高値を制御することができる。また、ター
ゲット6を用いる構成では、ターゲット6の配置位置あ
るいは、ターゲット6に対するレーザー光の照射位置を
変更することによって、X線の波高値を制御することが
できる。
Next, another configuration example of the positive ion generating mechanism by laser irradiation of the X-ray source of the present invention will be described with reference to FIG. The positive ion generating mechanisms 71 ′ and 71 ″ shown in FIG.
Positive ions are generated by irradiating a laser beam to the anode or a target in a vacuum vessel. FIG. 7 (a)
The positive ion generating mechanism 71 ′ shown in FIG. 7 is configured to irradiate the anode 3 with a laser beam 71a, and the positive ion generating mechanism 71 ″ shown in FIG. 71a is irradiated. In this configuration example, the peak value of the X-ray can be controlled by changing the intensity of the laser light to be irradiated. In the configuration using the target 6, the peak value of the X-ray can be controlled by changing the position of the target 6 or the position of the target 6 irradiated with the laser light.

【0031】本発明のX線源のパルス幅を制御する他の
構成例を図8を用いて説明する。図8に示す構成例は、
陰極4’の形状を変形させ、陽極3と対向面との距離を
異ならせるものであり、これによって電界25(破線)
に沿って位置する正イオンの移動距離を異ならせてパル
ス幅を制御する。
Another configuration example for controlling the pulse width of the X-ray source of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration example shown in FIG.
The shape of the cathode 4 ′ is deformed to change the distance between the anode 3 and the facing surface.
The pulse width is controlled by making the moving distance of the positive ions located along the distance different.

【0032】また、本発明の正イオン発生制御手段の他
の構成例を図9を用いて説明する。この構成例の正イオ
ン発生制御手段72は、イオン源72a及びイオン源で
発生させた正イオンを導入する機構を備える。正イオン
を導入する機構は、イオン銃等のイオン源72aで発生
させた正イオンを電界内に放出することによって電界内
に正イオンを発生させる。導入機構は電界レンズ72b
等を備え、正イオンの電界内の位置を制御することがで
きる。
Another example of the positive ion generation control means of the present invention will be described with reference to FIG. The positive ion generation control means 72 of this configuration example includes an ion source 72a and a mechanism for introducing positive ions generated by the ion source. The mechanism for introducing the positive ions generates the positive ions in the electric field by discharging the positive ions generated by the ion source 72a such as an ion gun into the electric field. The introduction mechanism is an electric field lens 72b.
The position of the positive ions in the electric field can be controlled.

【0033】前記したレーザー光を用いた構成と同様
に、電界内に導入する正イオンの量、及び発生位置を制
御することによって、発生するX線の波高値及び又はパ
ルス幅を制御することができる。
As in the above-described configuration using laser light, it is possible to control the peak value and / or pulse width of the generated X-rays by controlling the amount of positive ions introduced into the electric field and the generation position. it can.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のX線源に
よれば、パルス状X線のX線波形の制御性を良好なもの
とすることができる。
As described above, according to the X-ray source of the present invention, the controllability of the X-ray waveform of the pulsed X-ray can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のX線源の構成を説明するための概略図
である
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a configuration of an X-ray source according to the present invention.

【図2】本発明のX線源の構成例を説明するための概略
図である。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a configuration example of an X-ray source according to the present invention.

【図3】本発明のX線源の動作を説明するためのタイム
チャートである。
FIG. 3 is a time chart for explaining the operation of the X-ray source of the present invention.

【図4】本発明のX線源のX線の波高値制御を説明する
ための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining the control of the X-ray peak value of the X-ray source of the present invention.

【図5】本発明のX線源のX線のパルス幅制御を説明す
るための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining X-ray pulse width control of the X-ray source of the present invention.

【図6】本発明のX線源のX線のパルス幅制御を説明す
るための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining X-ray pulse width control of the X-ray source according to the present invention.

【図7】本発明のX線源のレーザー照射による正イオン
発生機構の他の構成例を説明するための図である。
FIG. 7 is a view for explaining another configuration example of a positive ion generating mechanism by laser irradiation of the X-ray source of the present invention.

【図8】本発明のX線源のパルス幅を制御する他の構成
例を説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining another configuration example for controlling the pulse width of the X-ray source according to the present invention.

【図9】本発明の正イオン発生制御手段の他の構成例を
説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining another configuration example of the positive ion generation control means of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11…X線源、2…真空、3…陽極、4,4’,
4’’…陰極、5,25…電界、6…ターゲット、7…
正イオン、7R,7S…照射位置、8…二次電子、9…
X線、12…真空容器、13…排気ポンプ、14…ガス
源、15…電源、16,17…窓、19…イオン化領
域、71,72…正イオン発生機構、71a,73,7
3P,73Q…レーザー光、71b…光学系、72a…
イオン源、72b…電界レンズ。
1,11 ... X-ray source, 2 ... Vacuum, 3 ... Anode, 4,4 ',
4 '' ... cathode, 5,25 ... electric field, 6 ... target, 7 ...
Positive ions, 7R, 7S: irradiation position, 8: secondary electrons, 9:
X-ray, 12: vacuum vessel, 13: exhaust pump, 14: gas source, 15: power supply, 16, 17 ... window, 19 ... ionization area, 71, 72 ... positive ion generation mechanism, 71a, 73, 7
3P, 73Q: laser beam, 71b: optical system, 72a:
Ion source, 72b ... electric field lens.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空容器に間隔を置いて配置され高電圧
が印加される陰極及び陽極と、前記陰極と陽極との間に
形成される電界内に正イオンを発生させる正イオン発生
手段とを備え、正イオンと陰極との衝突で形成した二次
電子を陽極に衝突させることによって陽極からX線を発
生させ、正イオンの発生を制御することによりX線波形
を制御する、X線源。
1. A cathode and an anode which are spaced apart from each other in a vacuum vessel and to which a high voltage is applied, and a positive ion generating means for generating positive ions in an electric field formed between the cathode and the anode. An X-ray source, comprising: generating X-rays from an anode by colliding secondary electrons formed by collision between positive ions and a cathode with an anode; and controlling X-ray waveform by controlling generation of positive ions.
【請求項2】 前記正イオン発生手段は、レーザーの集
光によって真空容器の残留ガスをイオン化することによ
って正イオンを発生させ、レーザーの照射状態を制御す
ることによってX線波形を制御する、請求項1記載のX
線源。
2. The method according to claim 1, wherein said positive ion generating means generates positive ions by ionizing a residual gas in a vacuum vessel by condensing a laser, and controls an X-ray waveform by controlling a laser irradiation state. X described in item 1
Source.
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