JP2001093435A - Cathode-ray tube and electron gun - Google Patents

Cathode-ray tube and electron gun

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JP2001093435A
JP2001093435A JP27482799A JP27482799A JP2001093435A JP 2001093435 A JP2001093435 A JP 2001093435A JP 27482799 A JP27482799 A JP 27482799A JP 27482799 A JP27482799 A JP 27482799A JP 2001093435 A JP2001093435 A JP 2001093435A
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cathode
sleeve
grid
ceramic
ray tube
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Yoshinori Yamada
義禮 山田
Tsuneo Muchi
常雄 鞭
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Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize higher precision in a cathode-ray tube. SOLUTION: Cathode sleeves 31 of cathode bodies KR, KG, and KB are formed of ceramic materials, wherein the cathode bodies organize an electron gun used for a cathode-ray tube. The cathode bodies KR, KG, and KB are arranged on a ceramic board 37 which is formed in one body with spacers 39A and 39B so as to organize a structural body of a cathode 28.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管及びこれ
に用いる電子銃に関する。
The present invention relates to a cathode ray tube and an electron gun used for the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、高精細度の陰極線管において
は、電子ビームをより細かく絞ることができる電子銃を
必要としている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a high definition cathode ray tube has required an electron gun capable of narrowing an electron beam more finely.

【0003】図13は、従来の電子銃における第1グリ
ッドG1 及びカソード付近の構成の一例を示す。カソー
ド、即ちカソード本体1は、ヒータ2を内蔵した円筒形
のカソードスリーブ3の上端にカソード基体となるキャ
ップ4を介して例えばアルカリ土類金属酸化物からなる
電子放出部5が設けられると共に、カソードスリーブ3
にカソードスリーブ支持体7が接合されて成る。
[0003] Figure 13 shows an example of the configuration of the first grid G 1 and the cathode vicinity in a conventional electron gun. The cathode, that is, the cathode body 1 is provided with an electron emission portion 5 made of, for example, an alkaline earth metal oxide via a cap 4 serving as a cathode base at an upper end of a cylindrical cathode sleeve 3 having a heater 2 built therein. Sleeve 3
And a cathode sleeve support member 7 is joined thereto.

【0004】このカソード本体1は、カソードスリーブ
支持体7を介して例えばセラミック等からなる支持基板
8にガラス材9を溶着して取り付けられる。このカソー
ド本体1と支持基板8によって、いわゆるカソード構体
10が構成される。
The cathode body 1 is attached to a support substrate 8 made of, for example, ceramic by welding a glass material 9 through a cathode sleeve support 7. The cathode body 1 and the support substrate 8 constitute a so-called cathode structure 10.

【0005】カソードスリーブ3は、その下部をカソー
ドスリーブ支持体7の下部にレーザ溶接により一体化さ
れる。aは溶接部を示す。カソード構体10は、電子銃
を構成する第1グリッドG1 内に、スペーサ11を介し
て挿入され、さらにリテーナ12が挿入されリテーナ1
2と第1グリッドG1 がレーザ溶接されることによっ
て、第1グリッドG1 内に固定される。
The lower portion of the cathode sleeve 3 is integrated with the lower portion of the cathode sleeve support 7 by laser welding. a shows a welding part. Cathode structure 10, the first grid G 1 constituting the electron gun is inserted through the spacer 11, the retainer 1 is further inserted retainer 12 is
2 and the first grid G 1 are fixed in the first grid G 1 by laser welding.

【0006】カソードスリーブ3には、従来より加工や
溶接のし易さ、良熱伝導等の要求から、ニッケル系をは
じめ、コバール(Fe−Ni−Co金属)、タンタル等
の金属が使用され、またカソードスリーブ支持体7には
コバール等が使用される。
For the cathode sleeve 3, metals such as nickel, Kovar (Fe-Ni-Co metal), tantalum, and other metals have been used from the viewpoint of ease of processing and welding, good heat conduction, and the like. Kovar or the like is used for the cathode sleeve support 7.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、より高精細
度の陰極線管では、第1グリッドG1 の電子ビーム透過
孔14の孔径rをさらに小さくすると共に、カソード本
体1及び第1グリッドG 1 間の距離d01をさらに縮める
必要がある。
By the way, higher definition
The first grid G1Electron beam transmission of
The hole diameter r of the hole 14 is further reduced, and the cathode
Body 1 and first grid G 1Distance d between01Further shrink
There is a need.

【0008】しかし、ニッケル系製のカソードスリーブ
3では、熱膨張率が大きく、距離d 01を縮めるには限界
があり、低熱膨張率のタンタルでもカソードスリーブ3
の支持方式にもよるが、陰極線管の作製工程を経て、カ
ソード本体1を加熱すると最終的に約40μm以上伸
び、溶接の歪み等によるばらつきを考慮すると、さらに
大きくなる。
However, a nickel-based cathode sleeve
3, the coefficient of thermal expansion is large and the distance d 01Limit to shrink
Even with low thermal expansion coefficient tantalum, cathode sleeve 3
Although it depends on the supporting method of the cathode ray tube,
When the sword main body 1 is heated, it finally expands by about 40 μm or more.
And variations due to welding distortion, etc.
growing.

【0009】また、ヒータ2においては、その巻線部及
びカソードスリーブ3との絶縁用にアルミナをコーティ
ングしてあるが、コーティング膜の剥がれやクラック等
の発生により、カソードスリーブ3とヒータ2との接触
によるリーク電流が流れて、不具合が生じる可能性もあ
る。
The heater 2 is coated with alumina for insulation between the winding portion and the cathode sleeve 3, but the coating between the cathode sleeve 3 and the heater 2 is caused by peeling of the coating film or generation of cracks. Leakage current due to contact may flow, causing a problem.

【0010】本発明は、上述の点に鑑み、カソードと第
1グリッド間の距離d01及び第1グリッドの電子ビーム
透過孔の孔径をより小さくし、より高精細度化を可能に
した陰極線管及びその電子銃を提供するものである。
[0010] The present invention has been made in view of the above points, the pore size of the cathode and the distance d 01 and the first grid of the electron beam transmitting hole between the first grid and smaller, allowing a higher resolution of the cathode ray tube And its electron gun.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、電子銃を構成
するカソード本体のカソードスリーブをセラミック材で
形成した構成とする。
According to the present invention, a cathode sleeve of a cathode body constituting an electron gun is formed of a ceramic material.

【0012】本発明では、カソードスリーブをセラミッ
ク材で形成することによって、カソードスリーブの熱膨
張が抑えられ、カソードと第1グリッドG1 間の距離d
01を縮めることが可能となる。これによって、第1グリ
ッドG1 の電子ビーム透過孔の孔径をより小さくして電
子ビームを細く絞ることが可能になる。
In the present invention, by forming a cathode sleeve with a ceramic material, the thermal expansion of the cathode sleeve is suppressed, the cathode and the distance d between the first grid G 1
01 can be reduced. This allows to narrow thin electron beam the pore size of the first grid G 1 of the electron beam transmitting hole and smaller.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明に係る陰極線管は、カソー
ド本体のカソードスリーブがセラミック材で形成された
電子銃を備えて成る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A cathode ray tube according to the present invention comprises an electron gun in which a cathode sleeve of a cathode main body is formed of a ceramic material.

【0014】本発明は、上記陰極線管において、電子銃
におけるカソードスリーブが、このカソードスリーブの
軸線を支持基板の板面に垂直となるように縦型に配置さ
れ、カソードスリーブの軸線方向の上端に電子放出部が
設けられた構成とする。
According to the present invention, in the above-mentioned cathode ray tube, the cathode sleeve of the electron gun is vertically arranged such that the axis of the cathode sleeve is perpendicular to the plate surface of the support substrate, and is provided at the upper end of the cathode sleeve in the axial direction. It is configured to have an electron emission portion.

【0015】本発明は、上記陰極線管において、電子銃
におけるカソードスリーブが、このカソードスリーブの
軸線を支持基板の板面に沿うように横型に配置され、カ
ソードスリーブの軸線と直交する方向の上面に電子放出
部が設けられた構成とする。
According to the present invention, in the above-mentioned cathode ray tube, the cathode sleeve of the electron gun is arranged horizontally so that the axis of the cathode sleeve is along the plate surface of the support substrate, and is disposed on the upper surface in a direction orthogonal to the axis of the cathode sleeve. It is configured to have an electron emission portion.

【0016】本発明に係る電子銃は、カソード本体のカ
ソードスリーブがセラミック材で形成されて成る。
In the electron gun according to the present invention, the cathode sleeve of the cathode main body is formed of a ceramic material.

【0017】本発明は、上記電子銃において、カソード
スリーブが、このカソードスリーブの軸線を支持基板の
板面に垂直となるように縦型に配置され、カソードスリ
ーブの軸線方向の上端に電子放出部が設けられた構成と
する。
According to the present invention, in the above-mentioned electron gun, the cathode sleeve is vertically arranged such that the axis of the cathode sleeve is perpendicular to the plate surface of the support substrate, and the electron emission portion is provided at the upper end in the axial direction of the cathode sleeve. Is provided.

【0018】本発明は、上記電子銃において、カソード
スリーブが、このカソードスリーブの軸線を支持基板の
板面に沿うように横型に配置され、カソードスリーブの
軸線と直交する方向の上面に電子放出部が設けられた構
成とする。
According to the present invention, in the above-mentioned electron gun, the cathode sleeve is arranged horizontally so that the axis of the cathode sleeve is along the plate surface of the support substrate, and the electron emission portion is provided on the upper surface in a direction orthogonal to the axis of the cathode sleeve. Is provided.

【0019】以下、図面を参照して本発明の実施の形態
を説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0020】図1〜図4は、本発明に係る陰極線管をカ
ラー陰極線管に適用した場合の一実施の形態を示す。本
実施の形態に係るカラー陰極線管21は、図1に示すよ
うに、陰極線管体(ガラス管体)22のネック部23内
に、赤(R)、緑(G)及び青(B)に対応する3つの
電子ビームを出射する電子銃24が封入配置され、管体
22の外側に偏向ヨーク25が形成されて成る。図示せ
ざるも、パネル内面には赤、緑及び青の各色蛍光体スト
ライプからなるカラー蛍光面が形成され、このカラー蛍
光面に対向して色選別機構が配置される。
FIGS. 1 to 4 show an embodiment in which the cathode ray tube according to the present invention is applied to a color cathode ray tube. As shown in FIG. 1, a color cathode ray tube 21 according to the present embodiment includes red (R), green (G), and blue (B) in a neck portion 23 of a cathode ray tube (glass tube) 22. An electron gun 24 for emitting three corresponding electron beams is enclosed and arranged, and a deflection yoke 25 is formed outside the tube 22. Although not shown, a color phosphor screen composed of red, green, and blue phosphor stripes is formed on the inner surface of the panel, and a color selection mechanism is arranged to face the color phosphor screen.

【0021】電子銃24は、赤(R)、緑(G)及び青
(B)に対応する3つのカソード、即ちカソード本体K
〔KR ,KG 及びKB 〕とこれらを支持する支持基板3
7とから成る後述の本発明に係るカソード構体28を有
し、3つのカソード本体KR,KG ,KB に対して各共
通の第1グリッドG1 、第2グリッドG2 、第3グリッ
ドG3 、第4グリッドG4 及び第5グリッドG5 が同軸
上に配列され、第5グリッドG5 の後段に4枚の静電偏
向電極板C1 ,C2 ,C3 及びC4 からなる静電コンバ
ージェンス手段Cが配置されて成る。
The electron gun 24 has three cathodes corresponding to red (R), green (G) and blue (B), that is, a cathode body K.
[K R, K G and K B] and the supporting substrate 3 for supporting the
Has a cathode structure 28 according to the present invention described below consisting of 7 for three cathode body K R, K G, the first grid G 1 of each common to K B, the second grid G 2, the third grid G 3 , a fourth grid G 4, and a fifth grid G 5 are arranged coaxially, and are composed of four electrostatic deflection electrode plates C 1 , C 2 , C 3, and C 4 at the subsequent stage of the fifth grid G 5. Electrostatic convergence means C is arranged.

【0022】第3グリッドG3 及び第5グリッドG5
はアノード電圧が印加され、第4グリッドG4 にはフォ
ーカス電圧が印加されて、第3グリッドG3 、第4グリ
ッドG4 及び第5グリッドG5 によって主電子レンズL
mが構成される。静電コンバージェンス手段Cの内側の
静電偏向電極板C2 及びC3 にはアノード電圧が印加さ
れ、外側の静電偏向電極板C1 及びC4 にはアノード電
圧より少し低い高電圧が印加される。
[0022] The third grid G 3, and the fifth grid G 5 anode voltage is applied, the fourth grid G 4 are applied focusing voltage, the third grid G 3, fourth grid G 4 and the fifth the main electron lens L by a grid G 5
m is configured. An anode voltage is applied to the electrostatic deflection electrode plates C 2 and C 3 inside the electrostatic convergence means C, and a high voltage slightly lower than the anode voltage is applied to the outside electrostatic deflection electrode plates C 1 and C 4. You.

【0023】この電子銃24では、3つのカソード本体
R ,KG ,KB から出射された3つの電子ビーム
r ,Bg ,Bb が主電子レンズLmで交差した後、静
電コンバージェンス手段Cを通って蛍光面上でコンバー
ジェンスされる。
[0023] In the electron gun 24, after the three cathode body K R, K G, K B 3 one electron beam B r emitted from, B g, B b crosses the main electron lens Lm, electrostatic convergence Converged on the phosphor screen through means C.

【0024】そして、本実施の形態においては、特に、
図1の電子銃24を構成するカソード構体28を、例え
ば図2〜図4に示すように構成する。図2は、一実施の
形態に係るカソード構体281を示す。本実施の形態に
おいては、カソードスリーブ31が例えばアルミナ、或
は炭化ケイ素(SiC)等の熱膨張率の小さいセラミッ
ク材にて形成される。アルミナを主体とするときは、ア
ルミナ約90%含有のものを使うことができる。さら
に、アルミナよりもさらに熱膨張率が小さく熱伝導率の
良い窒化アルミニウムも使用可能である。カソードスリ
ーブ31は、例えば円筒型、角形等の筒状、本例では円
筒状に形成される。この円筒状のセラミック製のカソー
ドスリーブ(以下、セラミックスリーブという)31の
先端面に例えばコバールからなるリング状の金属板32
及びカソードキャップ33を介して電子放出部34を取
り付け、セラミックスリーブ31内にヒータ35を内蔵
してカソード本体K〔KR ,KG ,KB 〕が構成され
る。
In this embodiment, in particular,
The cathode structure 28 constituting the electron gun 24 of FIG. 1 is configured as shown in FIGS. 2 to 4, for example. FIG. 2 shows a cathode structure 281 according to one embodiment. In the present embodiment, the cathode sleeve 31 is formed of a ceramic material having a small coefficient of thermal expansion such as, for example, alumina or silicon carbide (SiC). When the main component is alumina, the one containing about 90% of alumina can be used. Further, aluminum nitride having a smaller coefficient of thermal expansion and better thermal conductivity than alumina can be used. The cathode sleeve 31 is formed, for example, in a cylindrical shape such as a cylindrical shape or a square shape, in this example, a cylindrical shape. A ring-shaped metal plate 32 made of, for example, Kovar is provided on a distal end surface of the cylindrical ceramic cathode sleeve (hereinafter, referred to as a ceramic sleeve) 31.
The cathode body K [K R , K G , K B ] is configured by mounting an electron emission portion 34 via a cathode cap 33 and incorporating a heater 35 in the ceramic sleeve 31.

【0025】一方、3つのカソード本体KR ,KG 及び
B を支持するための絶縁性支持基板、例えばセラミッ
ク基板37が設けられる。セラミック基板37は、3つ
のカソード本体KR ,KG 及びKB を挿入する3つの挿
入孔38〔38R,38G及び38B〕が形成されると
共に、3つの挿入孔38を挟む両側にセラミック基板3
7と一体の1対のセラミックスペーサ39A及び39B
が形成されて成る。スペーサ39A及び39Bは、例え
ば四角形の柱状をなし、セラミック基板37と一体成形
で形成することができる。セラミック基板37には1対
のヒータレスト40A,40Bの固定用のコバールピン
41A及び41Bが植立される。
On the other hand, three cathode body K R, insulating support substrate for supporting the K G and K B, the ceramic substrate 37 is provided, for example. Ceramic substrate 37, three cathode body K R, K three insertion holes 38 [38R, 38G and 38B] to insert the G and K B together is formed, the ceramic substrate 3 in both sides of the three insertion holes 38
7 and a pair of ceramic spacers 39A and 39B
Is formed. The spacers 39A and 39B have, for example, a rectangular column shape, and can be formed integrally with the ceramic substrate 37. Kovar pins 41A and 41B for fixing the pair of heater rests 40A and 40B are erected on the ceramic substrate 37.

【0026】そして、セラミック基板37の挿入孔38
R,38G及び38Bに、夫々対応する3つのカソード
本体KR ,KG 及びKB を挿入し、ろう材43を介して
ろう付けして、3つのカソード本体KR ,KG 及びKB
とセラミック基板37とを一体化したカソード構体28
1が構成される。
The insertion hole 38 of the ceramic substrate 37
R, to 38G and 38B, and inserted respectively corresponding three cathode body K R, K G and K B, brazed through a brazing material 43, the three cathode body K R, K G and K B
Structure 28 which integrates a ceramic substrate 37 with the cathode structure 28
1 is configured.

【0027】このカソード構体281は、カソードスリ
ーブ31をその軸線mがセラミック基板37の板面に垂
直となるように、いわゆる縦型に配置した構造を有す
る。
The cathode assembly 281 has a structure in which the cathode sleeve 31 is arranged in a so-called vertical shape such that the axis m is perpendicular to the plate surface of the ceramic substrate 37.

【0028】セラミック基板37の挿入孔38〔38
R,38G,38B〕は、図5に示すように、平面的に
みて、カソード本体K〔KR ,KG ,KB 〕の挿入部3
8aと之より連通する空間部38bとを有した形状に形
成される。このような形状の挿入孔38によって、カソ
ードスリーブ31とセラミック基板37との接触面積を
小さくし、動作時でのヒータ35の熱の逃げを少なくす
ると共に、後工程の熱処理時に空間部38bを通してガ
ス抜きができるようにする。
The insertion hole 38 of the ceramic substrate 37 [38
R, 38G, 38B], as shown in FIG. 5, in plan view, the cathode body K [K R, K G, the insertion portion 3 of the K B]
8a and a space 38b communicating therewith. With the insertion hole 38 having such a shape, the contact area between the cathode sleeve 31 and the ceramic substrate 37 is reduced, the escape of the heat of the heater 35 during operation is reduced, and the gas is passed through the space 38b during the heat treatment in a later step. Be able to pull out.

【0029】このカソード構体281は、例えば次のよ
うにして作製される。円筒状のセラミックスリーブ31
を設け、このセラミックスリーブ31の先端面にリング
状の金属板、例えばコバール材32を高温用活性金属か
らなるろう材39を介してろう付けする。一方、セラミ
ック基板37を設け、その各挿入孔38〔38R,38
G,38B〕内に各対応するセラミックスリーブ31を
挿入し、予め付着しておいたろう材43を介してセラミ
ック基板37にセラミックスリーブ31をろう付けす
る。
The cathode structure 281 is manufactured, for example, as follows. Cylindrical ceramic sleeve 31
And a ring-shaped metal plate, for example, a Kovar material 32, is brazed to the tip end surface of the ceramic sleeve 31 via a brazing material 39 made of a high-temperature active metal. On the other hand, a ceramic substrate 37 is provided, and each of the insertion holes 38 [38R, 38] is provided.
G, 38B], and the ceramic sleeve 31 is brazed to the ceramic substrate 37 via the brazing material 43 attached in advance.

【0030】セラミック基板37に一体の2つのスペー
サ39A及び39Bには、図6Aに示すように、その上
面を研磨して高さh1 の寸法出しを行った後、その上面
に金属薄板、例えばコバールの薄板44をろう付けす
る。また、セラミック基板37には、ヒータレスト40
A及び40Bを固定するためのコバールピン41A及び
41Bを例えばガラス材にて固着する。
[0030] Two spacers 39A and 39B integrally on the ceramic substrate 37, as shown in FIG. 6A, after the size out of the height h 1 and polishing the upper surface, the sheet metal on the upper surface thereof, for example The Kovar sheet 44 is brazed. The ceramic substrate 37 has a heater rest 40.
Kovar pins 41A and 41B for fixing A and 40B are fixed with, for example, a glass material.

【0031】ろう付けに際しては、セラミックスリーブ
31の先端面にのみ耐熱性のある活性金属(ろう材)3
9で予めリング状のコバール板32をろう付けしてお
く。このろう材としては400℃程度以上の耐熱性活性
金属を用いることができ、例えば960℃程度でろう付
けされる金ろう材を用いることができる。次に、残りの
カソードスリーブ31とセラミック基板37間のろう付
け、及び柱状スペーサ39A,39B上のコバール薄板
44のろう付け、即ちスリーブ上端のリング状コバール
板32のろう材より軟化温度が低いろう材によるろう付
けを同時に行う。このときのろう材としては、前記の耐
熱性活性金属より低温、例えば300℃程度でろう付け
できるろう材を用いる。
At the time of brazing, a heat-resistant active metal (brazing material) 3 is applied only to the end face of the ceramic sleeve 31.
In step 9, the ring-shaped Kovar plate 32 is brazed in advance. As the brazing material, a heat-resistant active metal having a temperature of about 400 ° C. or more can be used. For example, a gold brazing material brazed at about 960 ° C. can be used. Next, the brazing between the remaining cathode sleeve 31 and the ceramic substrate 37 and the brazing of the Kovar thin plate 44 on the columnar spacers 39A and 39B, that is, the softening temperature will be lower than the brazing material of the ring-shaped Kovar plate 32 at the upper end of the sleeve. Brazing with materials is performed at the same time. As the brazing material at this time, a brazing material that can be brazed at a lower temperature, for example, about 300 ° C. than the above-mentioned heat-resistant active metal is used.

【0032】ろう付け工程終了後は、図6Bに示すよう
に、セラミック基板37上の四角形の柱状スペーサ39
A及び39Bにろう付けしたコバール薄板44の上面を
研磨して高さh2 の寸法出しを行い、このスペーサ上面
を基準にして、セラミックスリーブ31の先端のリング
状のコバール板32の面を研磨し、スリーブ31先端の
リング状のコバール板32の面とスペーサ39A,39
B上のコバール薄板44の面との間の距離を所定の距離
01に調整する。
After completion of the brazing step, as shown in FIG. 6B, a square columnar spacer 39 on the ceramic substrate 37 is formed.
Polishing the upper surface of the Kovar sheet 44 which is brazed to the A and 39B perform height h 2 of the dimension out, the spacer upper surface as a reference, the polishing surface of the ring-shaped Kovar plate 32 of the tip of the ceramic sleeve 31 The surface of the ring-shaped Kovar plate 32 at the end of the sleeve 31 and the spacers 39A, 39
Adjusting the distance between the surface of the Kovar sheet 44 on the B to a predetermined distance d 01.

【0033】次に、セラミックスリーブ31の先端部の
リング状コバール板32に、含浸型カソード部材又は酸
化物カソード部材等のいわゆる電子放出部34を組み込
んだカソードキャップ33を溶接する。本例は、電子放
出部34として含浸型カソード部材を用いた場合であ
る。このとき、図7A,Bに示すように、リング状コバ
ール板32の延長部32aにはカソード46が溶接され
ている。カソードキャップ33を溶接した時点でのスペ
ーサ39A,39Bと電子放出部34の表面との間隔
(いわゆる後述する第1グリッドG1 とカソード本体K
〔KR ,KG ,KB 〕間の距離d01に相当する)の最終
調整として、スペーサ39A,39Bと第1グリッドG
1 との溶接面の間にコバール等の薄板を挿入して、調整
することも可能である。ヒータレスト40A及び40B
に接続されたヒータ35を各セラミックスリーブ31内
に挿入配置し、ヒータレスト40A及び40Bをセラミ
ック基板37のコバールピン41A及び41Bに電気的
且つ機械的に固着する。ヒータ35は絶縁に例えばアル
ミナ膜がコーティングされている。このようにしてカソ
ード構体281が作製される。
Next, a cathode cap 33 incorporating a so-called electron emission portion 34 such as an impregnated cathode member or an oxide cathode member is welded to the ring-shaped Kovar plate 32 at the tip of the ceramic sleeve 31. This example is a case where an impregnated cathode member is used as the electron emission section 34. At this time, as shown in FIGS. 7A and 7B, the cathode 46 is welded to the extension 32a of the ring-shaped Kovar plate 32. Spacers 39A at the time of welding the cathode cap 33, 39B and the first grid G 1 and the cathode body K of intervals (the so-called below the surface of the electron emission portion 34
As a final adjustment of [K R, K G, K B] corresponds to the distance d 01 between), spacers 39A, 39B and the first grid G
It is also possible to insert a thin plate of Kovar or the like between the welding surfaces with the one to make adjustment. Heater rest 40A and 40B
Are connected to the ceramic sleeves 31, and the heater rests 40A and 40B are electrically and mechanically fixed to the Kovar pins 41A and 41B of the ceramic substrate 37. The heater 35 is coated with, for example, an alumina film for insulation. Thus, the cathode structure 281 is manufactured.

【0034】このカソード構体281は、図3及び図4
に示すように、スペーサ39A及び39Bの上面、即ち
コバール薄板44の面が第1グリッドG1 内の上面に当
接するように第1グリッドG1 内に配置され、第1グリ
ッドG1 とスペーサ上面のコバール薄板44が溶接され
て、第1グリッドG1 とカソード構体28とが接合され
る。さらに、カソード構体281のセラミック基板37
を下面から固定するためのリティーナ47が第1グリッ
ドG1 に溶接され、カソード構体281と第1グリッド
1 の組立てが完了する。
The cathode structure 281 is similar to the structure shown in FIGS.
As shown in the upper surface of the spacer 39A and 39B, i.e., the surface of the Kovar sheet 44 is disposed in the first grid G 1 to abut the upper surface of the first grid G 1, the first grid G 1 and the spacer upper surface Kovar sheet 44 is welded, and the first grid G 1 and the cathode structure 28 are joined. Further, the ceramic substrate 37 of the cathode structure 281
The retainer 47 for fixing the lower surface is welded to the first grid G 1, the cathode structure 281 and the first assembly of the grid G 1 is completed.

【0035】第1グリッドG1 とカソード本体K
〔KR ,KG ,KB 〕間の距離d01として、ろう付けの
精度やセラミック材の研磨による寸法精度を勘案して
も、30μm前後の距離を得るのは、充分可能である。
First grid G 1 and cathode body K
It is quite possible to obtain a distance of about 30 μm as the distance d 01 between [K R , K G , K B ], taking into account the accuracy of brazing and the dimensional accuracy due to polishing of the ceramic material.

【0036】なお、図8A,Bは、電子放出部34とし
て酸化物カソード部材を用いた場合のカソード本体K
〔KR ,KG ,KB 〕の例である。
FIGS. 8A and 8B show a cathode body K in the case where an oxide cathode member is used as the electron-emitting portion 34. FIG.
[K R, K G, K B] is an example of.

【0037】本実施の形態によれば、カラー陰極線管2
1の電子銃24、特にそのカソード構体28として、カ
ソード本体KR ,KG ,KB のカソードスリーブ31を
低熱膨張率のセラミック材で形成したカソード構体28
1とすることにより、熱膨張によるカソードスリーブの
伸びをニッケル系等の金属製スリーブに比較して約半分
に抑えることができる。セラミックスリーブ31は、ニ
ッケル系やタンタルのカソードスリーブに比較して、溶
接時の歪み等による陰極線管作製工程でのディメンジョ
ンの変化は、かなり少なくなる。従って、上記のカソー
ドスリーブ31の熱膨張による伸びが小さく抑えられる
ことと相俟って、第1グリッドG1 とカソード本体
R ,KG ,KB 間の距離d01を従来より小さくするこ
とができる。
According to the present embodiment, the color cathode ray tube 2
As an electron gun 24, in particular its cathode structure 28, cathode body K R, K G, K cathode structure 28 the cathode sleeve 31 is formed of a ceramic material of low thermal expansion coefficient B
By setting it to 1, the elongation of the cathode sleeve due to thermal expansion can be suppressed to about half of that of a metal sleeve made of nickel or the like. In the ceramic sleeve 31, the change in dimension in the cathode ray tube manufacturing process due to distortion at the time of welding or the like is considerably smaller than that of a nickel-based or tantalum cathode sleeve. Therefore, I can coupled with the elongation due to thermal expansion of the cathode sleeve 31 is kept small, the first grid G 1 and the cathode body K R, K G, to be smaller than the conventional distance d 01 between the K B Can be.

【0038】この距離d01が小さくなることによって、
第1グリッドG1 の電子ビーム透過孔48の孔径rをさ
らに小さくすることが可能となり、電子ビームをより細
かく絞ることができる。従って、より高精細度の陰極線
管を作製することができる。
By reducing the distance d 01 ,
It is possible to further reduce the pore size r of the first electron beam transmitting hole 48 of the grid G 1, it is possible to narrow finer electron beam. Therefore, a higher definition cathode ray tube can be manufactured.

【0039】第1グリッドG1 内にカソード構体281
を配置する際に、従来のような別体に設けたスペーサを
必要としていないので、リティーナ47をはじめ、溶接
時の組立精度が比較的安定する。ヒータ35には絶縁被
覆に例えばアルミナをコーティングしているが、電気絶
縁精度の高いセラミックをスリーブ31に用いること
で、ヒータ35とカソード本体K〔KR ,KG ,KB
との接触によるリーク電流が流れることもなくなる。そ
の結果、アルミナのコーティング膜厚を薄くすることも
可能となり、電子放出部34の加熱効率が上がり、その
分、ヒータ35の消費電力を減少することができる。
The cathode structure 281 is provided in the first grid G 1 .
Is not required to provide a separate spacer as in the prior art, so that the assembly accuracy at the time of welding, including the retainer 47, is relatively stable. While the heater 35 is coated, for example, alumina insulating coating, by using a high electrical insulating precision ceramic sleeve 31, a heater 35 and cathode body K [K R, K G, K B]
No leak current flows due to contact with the substrate. As a result, the coating thickness of alumina can be reduced, and the heating efficiency of the electron-emitting portion 34 is increased, and the power consumption of the heater 35 can be reduced accordingly.

【0040】セラミックスリーブ31は電気絶縁度が高
いので、カソード本体KR ,KG ,KB と第1グリッド
1 間の静電容量も減り、高周波に対する応答も良くな
り、更なる高精細度の陰極線管を作製することが可能と
なる。
Since the ceramic sleeve 31 has a high degree of electrical insulation, the capacitance between the cathode main bodies K R , K G , and K B and the first grid G 1 is also reduced, the response to high frequencies is improved, and further high definition is achieved. Can be manufactured.

【0041】セラミックスリーブ31をセラミック基板
37に対して縦型に配してカソード構体281を構成し
たとき、そのセラミック基板37のカソード本体の挿入
孔38を、図5A又はBに示すように、カソード本体K
〔KR ,KG ,KB 〕の接合に供する挿入部38aと、
之より連通する空間部38bを有する形状とすることに
より、カソード本体K〔KR ,KG ,KB 〕とセラミッ
ク基板37とのろう付け部分即ち、接合面積が少なくな
り、ヒータ35により加熱されたカソード本体K
〔KR ,KG ,KB 〕の熱がセラミック基板37へ逃げ
るのを少なくすることができ、電子放出部34に対する
加熱効率を上げることができる。これはヒータ35の消
費電力の減少につながる。また空間部38bを有するの
で、陰極線管体内に電子銃を組み込んだ後の排気工程で
の熱処理で、第1グリッドG1 内のカソード本体K〔K
R ,KG ,KB 〕近傍で放出されたガスを空間部38b
を通じて外部に放出することができる。図5Bの場合に
は、カソード本体Kのカソードスリーブ31はセラミッ
ク基板37に対して細い3ヶ所で接合されるので、図5
Aに比べてさらに熱の逃げか少ない。
When the cathode body 281 is formed by arranging the ceramic sleeve 31 vertically with respect to the ceramic substrate 37, the insertion hole 38 of the cathode body of the ceramic substrate 37 is inserted into the cathode body as shown in FIG. 5A or 5B. Body K
[K R, K G, K B] an insertion portion 38a to be subjected to joining,
By a shape having a space portion 38b communicating from this, brazed portion of the cathode body K [K R, K G, K B] and the ceramic substrate 37 that is, the junction area is reduced, is heated by the heater 35 Cathode body K
The heat of [K R , K G , K B ] can be reduced from escaping to the ceramic substrate 37, and the efficiency of heating the electron emission portion 34 can be increased. This leads to a reduction in power consumption of the heater 35. Since having a space portion 38b, the heat treatment of the exhaust process after incorporating an electron gun in a cathode ray tube body, the cathode body K [K in the first grid G 1
R, K G, the space portion 38b of the K B] is released in the vicinity of the gas
Can be released to the outside. In the case of FIG. 5B, the cathode sleeve 31 of the cathode main body K is joined to the ceramic substrate 37 at three narrow places.
The heat escapes less than A.

【0042】図9及び図10は、図1のカラー陰極線管
21に用いられる電子銃24、特にそのカソード構体2
8の他の実施の形態を示す。本実施の形態に係る電子銃
のカソード構体282は、前述の例と同様に、例えばア
ルミナ、炭化ケイ素(SiC)窒化アルミニウム等の熱
膨張率の小さいセラミック材からなり、円筒型、角形等
の筒状、本例では四角形の筒状に形成されたカソードス
リーブ、いわゆるセラミックスリーブ31を設けるも、
このセラミックスリーブ31をセラミック基板37の面
上に、そのセラミックスリーブ31の軸線mがセラミッ
ク基板37の面に沿うように横型に配置し、セラミック
スリーブ31の端部上面、即ちセラミックスリーブ31
の軸線mを直交する方向の上面に、例えばコバールから
なる盤状の金属板32、カソードキャップ33を介して
電子放出部34を配置して構成される。
FIGS. 9 and 10 show an electron gun 24 used in the color cathode ray tube 21 of FIG.
8 shows another embodiment. The cathode structure 282 of the electron gun according to the present embodiment is made of a ceramic material having a low coefficient of thermal expansion such as, for example, alumina, silicon carbide (SiC) aluminum nitride, or the like, and has a cylindrical shape, a rectangular shape, or the like. In the present example, a cathode sleeve formed in a square cylindrical shape in this example, a so-called ceramic sleeve 31 is also provided.
The ceramic sleeve 31 is disposed horizontally on the surface of the ceramic substrate 37 so that the axis m of the ceramic sleeve 31 extends along the surface of the ceramic substrate 37.
On the upper surface in a direction orthogonal to the axis m, an electron emission portion 34 is arranged via a metal plate 32 made of, for example, Kovar and a cathode cap 33.

【0043】セラミックスリーブ31の電子放出部34
側の端面は、同じセラミック材で閉塞される。セラミッ
クスリーブ31内にはヒータ35が配され、セラミック
スリーブ31、電子放出部34及びヒータ35によって
横型構造のカソード本体K〔KR ,KG ,KB 〕が形成
される。
Electron emission portion 34 of ceramic sleeve 31
The side end face is closed with the same ceramic material. Heater 35 is disposed in the ceramic sleeve 31, a ceramic sleeve 31, cathode body K of the horizontal structure by the electron emitting portion 34 and the heater 35 [K R, K G, K B] is formed.

【0044】各カソード本体K〔KR ,KG ,KB
は、その電子放出部34の反対側の端部を、セラミック
基板37上に基板37と一体に又は別体に設けた共通の
絶縁性支持体、即ち枕部53にろう付けされ、いわゆる
片持ち支持される。各カソード本体K〔KR ,KG ,K
B 〕は、片持ち支持によって、セラミックスリーブ31
の大部分がセラミック基板37から離れた状態で基板3
7面に沿うように横向きで水平に配置される。
[0044] Each cathode body K [K R, K G, K B]
The other end of the electron-emitting portion 34 is brazed to a common insulating support, that is, a pillow portion 53 provided on the ceramic substrate 37 integrally with or separately from the substrate 37, so-called cantilever. Supported. Each cathode body K [K R, K G, K
B ] cantilever the ceramic sleeve 31
Of the substrate 3 in a state where most of the
It is horizontally and horizontally arranged along the seven surfaces.

【0045】本例においても、コバール板32が高温用
活性金属によるろう材を介してセラミックスリーブ31
にろう付けされ、このコバール板32に含浸カソード部
材又は酸化物カソード部材等のいわゆる電子放出部34
を組み込んだカソードキャップ33が溶接される。
Also in this embodiment, the Kovar plate 32 is connected to the ceramic sleeve 31 via a brazing filler metal made of a high-temperature active metal.
A so-called electron emission portion 34 such as an impregnated cathode member or an oxide cathode member is brazed to the Kovar plate 32.
Is welded.

【0046】一方、セラミック基板37には、前述の例
と同様に、カソード本体K〔KR ,KG ,KB 〕を挟む
ように、1対のセラミックスペーサ39A及び39Bが
一体に設けられ、このスペーサ39A及び39Bの上面
に例えばコバール等による金属薄板44がろう付けされ
る。セラミック基板37には、ヒータレスト40A及び
40Bの固定用のコバールピン41A及び41Bが基板
37を貫通するように植立される。このコバールピン4
1A及び41Bに夫々ヒータレスト40A及び40Bが
電気的に接続され、各ヒータレスト40A及び40Bに
各カソード本体KR ,KG 及びKB のヒータ35が電気
的に接続される。また、セラミック基板37には、各カ
ソード本体KR ,KG 及びKB からのカソードリード4
6を導出する導出孔54が設けられる。
[0046] On the other hand, the ceramic substrate 37, similar to the example described above, the cathode body K [K R, K G, K B] so as to sandwich the pair of ceramic spacers 39A and 39B are provided integrally, A thin metal plate 44 made of, for example, Kovar is brazed to the upper surfaces of the spacers 39A and 39B. Kovar pins 41A and 41B for fixing the heater rests 40A and 40B are erected on the ceramic substrate 37 so as to penetrate the substrate 37. This Kovar pin 4
Respectively Hitaresuto 40A and 40B are electrically connected to 1A and 41B, each Hitaresuto 40A and each cathode body K R to 40B, the heater 35 of the K G and K B are electrically connected. Further, the ceramic substrate 37, a cathode lead 4 from the cathode body K R, K G and K B
6 is provided.

【0047】そして、本例のカソード構体282は、図
10に示すように、スペーサ39A及び39Bの上面、
即ちコバール薄板44の面が第1グリッドG1 内の上面
に当接するように第1グリッドG1 内に配置され、第1
グリッドG1 とスペーサ上面のコバール薄板44が溶接
されて、第1グリッドG1 とカソード構体28とが接合
される。さらに、カソード構体28のセラミック基板3
7を下面から固定するためのリティーナ47が第1グリ
ッドG1 に溶接され、カソード構体282と第1グリッ
ドG1 の組立てを完了する。
Then, as shown in FIG. 10, the cathode structure 282 of the present example has the upper surfaces of the spacers 39A and 39B,
That surface of the Kovar sheet 44 is disposed in the first grid G 1 to abut the upper surface of the first grid G 1, the first
The grid G 1 and the Kovar thin plate 44 on the upper surface of the spacer are welded, and the first grid G 1 and the cathode structure 28 are joined. Further, the ceramic substrate 3 of the cathode assembly 28
7 retainer 47 for fixing the lower surface is welded to the first grid G 1, the cathode structure 282 and complete the first assembly of the grid G 1.

【0048】セラミックスリーブ31を横型に配置した
カソード構体282では、第1グリッドG1 側へのスリ
ーブ31の伸びを10μm以下に抑えることが可能にな
る。
[0048] In the ceramic sleeve 31 cathode structure 282 are arranged in horizontal and become the elongation of the sleeve 31 to the first grid G 1 side can be suppressed to 10μm or less.

【0049】本実施の形態によれば、カラー陰極線管2
1の電子銃24、特にそのカソード構体28として、カ
ソードスリーブ31を低熱膨張率のセラミック材で形成
したカソード構体282とすることにより、従来の金属
製スリーブに比較して熱膨張によるカソードスリーブ3
1の第1グリッドG1 側への伸びを抑えることができ
る。しかも、そのセラミックスリーブ31がセラミック
基板37上に横向きに配置されることにより、スリーブ
31の第1グリッドG1 側への熱膨張による伸びを図2
〜図4の実施の形態のセラミックスリーブ31を縦向き
に配置した場合に比べて1/3以下と極端に少なくな
り、第1グリッドG1 の電子ビーム透過孔48の孔径r
の縮小に伴う狭距離d01化に充分対応できる。
According to the present embodiment, the color cathode ray tube 2
As the electron gun 24, in particular, as the cathode structure 28, the cathode sleeve 31 is made of a cathode material 282 made of a ceramic material having a low coefficient of thermal expansion.
Elongation of the first grid G 1 side 1 can be suppressed. Moreover, FIG. 2 by the ceramic sleeve 31 is disposed laterally on the ceramic substrate 37 on, the elongation due to thermal expansion in the first grid G 1 side of the sleeve 31
When placing the ceramic sleeve 31 of the embodiment of to 4 vertically 1/3 and becomes extremely small or less than, the first electron beam transmitting hole 48 of the grid G 1 hole diameter r
It can sufficiently correspond to narrow the distance d 01 of the accompanying reduction.

【0050】本例のカソードスリーブ31の第1グリッ
ド側への熱膨張による伸びは、従来のニッケル系の縦向
き配置のカソードスリーブに比べても1/6と非常に小
さくなる。
The elongation of the cathode sleeve 31 of the present embodiment due to thermal expansion toward the first grid side is extremely small, ie, 1/6 of that of a conventional nickel-based vertically arranged cathode sleeve.

【0051】このようにセラミックスリーブ31の第1
グリッドG1 側への熱膨張による伸びをさらに小さくで
きることから、距離d01をさらに小さくすることが可能
になり、第1グリッドG1 の孔径rをさらに小さくして
電子ビームをより細く絞ることができる。従って、より
高精細度の陰極線管を得ることができる。
As described above, the first of the ceramic sleeve 31
Because it can further reduce the elongation due to thermal expansion of the grid G 1 side, it is possible to further reduce the distance d 01, that the first pore size r of the grid G 1 further reduced narrow thinner the electron beam it can. Therefore, a higher definition cathode ray tube can be obtained.

【0052】その他、前述の実施の形態と同様に、別途
スペーサを必要としないので、溶接時の組立精度の安定
化が図られる。電気絶縁度の高いセラミックスリーブ3
1を用いるので、ヒータ及びスリーブ間のリーク電流を
阻止し、ヒータの絶縁コーティング膜厚を薄くすること
ができることと相俟ってヒータ35の消費電力を減少す
ることができる。カソード本体Kと第1グリッドG1
の静電容量も減り、高周波に対する応答も良くなり、結
果的に、より高精細度の陰極線管を作製できる。
In addition, similar to the above-described embodiment, no additional spacer is required, so that the assembling accuracy during welding can be stabilized. Ceramic sleeve 3 with high electrical insulation
Since 1 is used, the leakage current between the heater and the sleeve can be prevented, and the power consumption of the heater 35 can be reduced together with the fact that the thickness of the insulating coating of the heater can be reduced. Cathode body K and the electrostatic capacitance between the first grid G 1 is also reduced, the response to high frequency is also better, as a result, a cathode ray tube with a higher resolution can be produced.

【0053】図11及び図12は、図1のカラー陰極線
管21に用いられる電子銃24、特にそのカソード構体
28の他の実施の形態を示す。本実施の形態に係る電子
銃のカソード構体283は、前述の図9の例と同様に、
例えばアルミナ、炭化ケイ素(SiC)窒化アルミニウ
ム等の熱膨張率の小さいセラミック材からなり、円筒
型、角形等の筒状、本例では四角形の筒状に形成された
カソードスリーブ、いわゆるセラミックスリーブ31を
設け、このセラミックスリーブ31をセラミック基板3
7の面上に、そのセラミックスリーブ31の軸線mがセ
ラミック基板37の面に沿うように横型に配置し、セラ
ミックスリーブ31の軸線mと直交する方向の上面に、
例えばコバールからなる盤状の金属板32、カソードキ
ャップ33を介して電子放出部34を配置して成る。セ
ラミックスリーブ31内には、ヒータ35が配され、セ
ラミックスリーブ31、電子放出部34及びヒータ35
によって横型構造のカソード本体K〔KR ,KG
B 〕が形成される。
FIGS. 11 and 12 show the color cathode ray of FIG.
Electron gun 24 used for tube 21, especially its cathode structure
28 shows another embodiment of the present invention. Electronics according to the present embodiment
The gun cathode structure 283 is similar to the example of FIG.
For example, alumina, silicon carbide (SiC) aluminum nitride
Made of ceramic material with low coefficient of thermal expansion such as
It is formed into a cylindrical shape such as a mold and a square, in this example, a square tube.
Cathode sleeve, so-called ceramic sleeve 31
The ceramic sleeve 31 is provided on the ceramic substrate 3.
7, the axis m of the ceramic sleeve 31 is
The ceramic is placed horizontally along the surface of the
On the upper surface in a direction orthogonal to the axis m of the mix sleeve 31,
For example, a board-shaped metal plate 32 made of Kovar,
An electron emission portion 34 is arranged via a cap 33. C
A heater 35 is disposed in the lamic sleeve 31 to secure
Lamic sleeve 31, electron emission section 34 and heater 35
The horizontal structure of the cathode body K [KR, KG,
K B] Is formed.

【0054】本実施の形態においては、特に、セラミッ
クスリーブ31をその両端が、セラミック基板37上に
基板37と一体に又は別体に設けた共通の2つの絶縁性
支持体、即ち枕部53A及び53Bに支持されるように
ろう付けされて基板37の面に平行に、即ち水平に支持
される。セラミックスリーブ31の中央部の上面にコバ
ール板32、カソードキャップ33を介して電子放出部
34が配置される。
In the present embodiment, in particular, the ceramic sleeve 31 is provided on the ceramic substrate 37 at both ends integrally with or separately from the substrate 37 on two common insulating supports, namely, a pillow 53A and a pillow 53A. It is brazed so as to be supported by 53B and is supported parallel to the surface of the substrate 37, that is, horizontally. On the upper surface of the central part of the ceramic sleeve 31, an electron emission part 34 is arranged via a Kovar plate 32 and a cathode cap 33.

【0055】ヒータ35は、セラミックスリーブ31を
貫通するように内蔵され、各カソード本体KR ,KG
B のヒータ35の両端が夫々カソード本体を挟んで配
されたヒータレスト40A及び40Bに電気的に接続さ
れる。ヒータレスト40A及び40Bは、セラミック基
板37を貫通して設けられたコバールピン41A及び4
1Bに電気的に接続される。
The heater 35 is built in so as to penetrate the ceramic sleeve 31, and each of the cathode bodies K R , K G ,
Both ends of the heater 35 of the K B are electrically connected to Hitaresuto 40A and 40B disposed across the respective cathode body. The heater rests 40A and 40B are provided with Kovar pins 41A and 4A provided through the ceramic substrate 37.
1B.

【0056】そして、図12に示すように、そのカソー
ド構体283が第1グリッドG1 内に挿入され、スペー
サ39A及び39Bの上面、即ちコバール薄板44と第
1グリッドG1 の溶接で接合され、さらにリティーナ4
7により固定される。
[0056] Then, as shown in FIG. 12, the cathode structure 283 is inserted into the first grid G 1, it is bonded upper surface of the spacer 39A and 39B, i.e. by welding the Kovar sheet 44 of the first grid G 1, And Litina 4
7 fixed.

【0057】その他の構成は、図9及び図10で説明し
たと同様なので、図9及び図10と対応する部分には同
一符号を付して重複説明を省略する。
Since other configurations are the same as those described with reference to FIGS. 9 and 10, portions corresponding to those in FIGS. 9 and 10 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0058】本実施の形態においても、カラー陰極線管
21の電子銃24、特にそのカソード構体28として、
カソードスリーブ31を低熱膨張率のセラミック材で形
成すると共に、このセラミックスリーブ31を横向きに
配置した、いわゆる横型構造のカソード構体283とす
ることにより、図9及び図10のカソード構体281と
同様に、カソードスリーブ31の第1グリッドG1 側へ
の熱膨張による伸びを極めて小さくすることができる。
これにより距離d01を小さくし、第1グリッドG1 の孔
径rをより小さくして電子ビームをより細く絞ることが
でき、より高精細度の陰極線管を得ることができる。
Also in this embodiment, the electron gun 24 of the color cathode ray tube 21, particularly, the cathode structure 28 thereof,
The cathode sleeve 31 is formed of a ceramic material having a low coefficient of thermal expansion, and the ceramic sleeve 31 is arranged sideways to form a cathode structure 283 having a so-called horizontal structure, as in the cathode structure 281 of FIGS. 9 and 10. it can be made extremely small elongation due to thermal expansion in the first grid G 1 side of the cathode sleeve 31.
As a result, the distance d 01 can be reduced, the hole diameter r of the first grid G 1 can be reduced, and the electron beam can be narrowed more narrowly, so that a higher definition cathode ray tube can be obtained.

【0059】その他、図9及び図10で説明したと同様
の効果が得られる。
In addition, the same effects as described with reference to FIGS. 9 and 10 can be obtained.

【0060】なお、図9及び図11のカソード構体28
2,283ではセラミック基板37上にヒータ35及び
ヒータレスト40A,40Bが遮蔽されていないが、遮
蔽構造にすることは、可能である。
The cathode structure 28 shown in FIGS.
In Nos. 2 and 283, the heater 35 and the heater rests 40A and 40B are not shielded on the ceramic substrate 37. However, a shield structure is possible.

【0061】上述の実施の形態では、第1グリッドG1
に赤、緑、青に対応して3つの電子ビーム透過孔を設け
た電子銃に適用したが、その他、第1グリッドG1 に各
色に対応して複数の微小電子ビーム透過孔を形成し、こ
の複数の電子ビーム透過孔に対して、1つの共通のカソ
ード本体を配置して、複数の透過孔から電子を集束して
1本の電子ビームとし、少ないドライブ電圧で大きいビ
ーム電流を得るようにした電子銃にも適用することがで
きる。この場合、微細な多数の電子ビーム透過孔にする
と距離d01をより小さくしなければビーム電流が取りに
くくなる。本発明ではセラミックスリーブとすることに
より、距離d01をより小さくできるので、かかる電子銃
の作製を可能にする。
In the above embodiment, the first grid G 1
Red, green, is applied to the electron gun provided with three electron beam transmitting hole corresponding to blue, the other, corresponding to a plurality of micro electron beams transmitting hole for each color in the first grid G 1, One common cathode main body is arranged for the plurality of electron beam transmission holes, and electrons are focused from the plurality of transmission holes into one electron beam so that a large beam current can be obtained with a small drive voltage. The present invention can also be applied to a modified electron gun. In this case, if a large number of fine electron beam transmission holes are used, it is difficult to obtain a beam current unless the distance d01 is made smaller. In the present invention by a ceramic sleeve, since the distance d 01 can be made smaller, allowing the production of such an electron gun.

【0062】上例では、本発明を3ビーム単電子銃を備
えたカラー陰極線管及び電子銃に適用したが、3つのカ
ソード本体に対して各グリッドを共通にし、各グリッド
に夫々3つの電子ビーム透孔孔を形成した、いわゆる3
ガンタイプの電子銃を備えたカラー陰極線管及びその電
子銃にも、本発明を適用することができる。更に、プロ
ジェクタ用陰極線管及びその電子銃とも本発明は適用で
きる。その他の高精細度の陰極線管及びその電子銃にも
本発明は適用できる。
In the above example, the present invention is applied to a color cathode ray tube and an electron gun provided with a three-beam single electron gun. However, each grid is common to three cathode bodies, and each grid has three electron beams. So-called 3 with through-holes
The present invention is also applicable to a color cathode ray tube having a gun type electron gun and the electron gun. Further, the present invention can be applied to a cathode ray tube for a projector and its electron gun. The present invention can be applied to other high-definition cathode ray tubes and their electron guns.

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明の電子銃によれば、カソード本体
のカソードスリーブを低熱膨張率のセラミック材で形成
するので、カソードスリーブの第1グリッド側への熱膨
張による伸びを小さく抑えることができる。セラミック
製のカソードスリーブは、金属製のカソードスリーブに
比較して、溶接時の歪み等による陰極線管作製工程での
ディメンジョンの変化が非常に少ない。従って、第1グ
リッドとカソード本体間の距離d01を、従来の金属製の
カソードスリーブを用いた場合に比べて、より小さくす
ることができ、これによって、第1グリッドの電子ビー
ム透過孔の孔径をさらに小さくすることが可能になり、
電子ビームをより細かく絞ることができる。従って、よ
り高精細度の陰極線管の作製を可能にする。
According to the electron gun of the present invention, since the cathode sleeve of the cathode main body is formed of a ceramic material having a low coefficient of thermal expansion, the elongation of the cathode sleeve due to thermal expansion toward the first grid can be reduced. . The change in dimension of the ceramic cathode sleeve in the cathode ray tube manufacturing process due to distortion during welding and the like is very small as compared with the metal cathode sleeve. Therefore, the distance d 01 between the first grid and the cathode body, as compared with the case of using a conventional metal cathode sleeve, can be made smaller, thereby, the diameter of the electron beam transmission holes of the first grid Can be further reduced,
The electron beam can be focused more finely. Therefore, it is possible to manufacture a cathode ray tube with higher definition.

【0064】カソードスリーブの電気絶縁度が高いの
で、カソード本体と第1グリッド間の静電容量も減り、
高周波に対する応答も良くなる結果、より高精細度の陰
極線管の作製が可能となる。
Since the degree of electrical insulation of the cathode sleeve is high, the capacitance between the cathode body and the first grid is also reduced,
As a result of improving the response to high frequency, it becomes possible to produce a cathode ray tube with higher definition.

【0065】通常、カソードスリーブに内蔵するヒータ
は、絶縁被覆されているが、電気絶縁度の高いセラミッ
クのカソードスリーブを用いるので、ヒータとカソード
本体との接触によるリーク電流が流れることもない。そ
の結果、絶縁被覆の膜厚を薄くすることも可能となり、
ヒータの消費電力を低減することができる。
Normally, the heater incorporated in the cathode sleeve is coated with an insulating material. However, since a ceramic cathode sleeve having a high degree of electrical insulation is used, no leak current flows due to contact between the heater and the cathode body. As a result, the thickness of the insulating coating can be reduced,
The power consumption of the heater can be reduced.

【0066】セラミック材によるカソードスリーブを支
持基板上に横型に配置するときは、カソードスリーブの
第1グリッド側への熱膨張による伸びが更に小さくな
り、第1グリッドとカソード本体間の距離d01及び第1
グリッドの電子ビーム透過孔の孔径を、更に小さくして
電子ビームを更に細く絞ることができる。
When the cathode sleeve made of a ceramic material is arranged horizontally on the support substrate, the expansion of the cathode sleeve due to thermal expansion toward the first grid side is further reduced, and the distance d 01 between the first grid and the cathode main body is reduced. First
By making the diameter of the electron beam transmitting holes of the grid smaller, the electron beam can be narrowed more narrowly.

【0067】本発明に係る陰極線管によれば、カソード
本体のカソードスリーブをセラミック材で形成した電子
銃を備えることに、上述したように、電子ビームをより
細かく絞ることができ、またカソード本体と第1グリッ
ド間の静電容量を減らすことができ、より高精細度化を
図ることができる。また、低消費電力化を図ることがで
きる。
According to the cathode ray tube of the present invention, by providing the cathode sleeve of the cathode main body with an electron gun formed of a ceramic material, the electron beam can be narrowed more finely as described above. The capacitance between the first grids can be reduced, and higher definition can be achieved. Further, low power consumption can be achieved.

【0068】セラミック製のカソードスリーブを支持基
板上に横型に配置した構成の電子銃を備えるときは、カ
ソードスリーブの熱膨張による伸びを、更に小さく抑え
られ、結果として電子ビームをより細く絞れるので、陰
極線管の更なる高精細度化が図れる。
When an electron gun having a configuration in which a ceramic cathode sleeve is arranged horizontally on a support substrate is provided, the expansion due to the thermal expansion of the cathode sleeve can be further reduced, and as a result, the electron beam can be narrowed more narrowly. Further higher definition of the cathode ray tube can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の陰極線管の実施の形態を示す要部の構
成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a main part showing an embodiment of a cathode ray tube of the present invention.

【図2】図1の陰極線管に用いられる電子銃を構成する
カソード構体の一実施の形態を示す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing one embodiment of a cathode structure constituting an electron gun used in the cathode ray tube of FIG.

【図3】図2のカソード構体を第1グリッドG1 内に固
定した状態の図2のA−A線上に対応する断面図であ
る。
3 is a sectional view corresponding to line A-A of FIG. 2 with the cathode structure of FIG. 2 is fixed to the first grid G 1.

【図4】図2のカソード構体を第1グリッドG1 内に固
定した状態の図2のB−B線上に対応する断面図であ
る。
4 is a sectional view corresponding to line B-B in Figure 2 of the fixed state of the cathode structure of FIG. 2 the first grid G 1.

【図5】A,B 図2のカソード構体の要部の平面図で
ある。
5A and 5B are plan views of main parts of the cathode structure of FIG. 2;

【図6】A〜B 図2のカソード構体の作製に係る説明
図である。
FIGS. 6A and 6B are explanatory diagrams relating to the production of the cathode assembly of FIG. 2;

【図7】A,B 図2のカソード構体の作製に係る説明
図である。
7A and 7B are explanatory views relating to the production of the cathode assembly of FIG. 2;

【図8】A,B 酸化物カソード部材を用いた場合のカ
ソード本体の例を示す構成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram showing an example of a cathode main body when using A and B oxide cathode members.

【図9】図1の陰極線管に用いられる電子銃を構成する
カソード構体の他の実施の形態を示す構成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram showing another embodiment of a cathode structure constituting an electron gun used in the cathode ray tube of FIG. 1;

【図10】図9のカソード構体を第1グリッドG1 内に
固定した状態の図9のC−C線上に対応する断面図であ
る。
10 is a cross-sectional view corresponding to cathode structure in C-C line of FIG. 9 in the state fixed to the first grid G 1 of FIG.

【図11】図1の陰極線管に用いられる電子銃を構成す
るカソード構体の他の実施の形態を示す構成図である。
FIG. 11 is a configuration diagram showing another embodiment of a cathode structure constituting an electron gun used in the cathode ray tube of FIG. 1;

【図12】図11のカソード構体を第1グリッドG1
に固定した状態の図11のD−D線上と対応する断面図
である。
12 is a cross-sectional view corresponding with D-D line of FIG. 11 the cathode structure of a state of fixing the first grid G 1 of FIG. 11.

【図13】従来例の電子銃におけるカソード構体と第1
グリッドG1 の組み立て状態の断面図である。
FIG. 13 shows a cathode structure and a first structure of a conventional electron gun.
It is a cross-sectional view of an assembled state of the grid G 1.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21‥‥カラー陰極線管、22‥‥陰極線管体、23‥
‥ネック部、24‥‥電子銃、25‥‥偏向ヨーク、K
R ,KG ,KB ‥‥カソード本体、28〔281,28
2,283〕‥‥カソード構体、G1 〜G5 ‥‥グリッ
ド、C‥‥静電コンバージェンス手段、31‥‥セラミ
ックスリーブ、32‥‥コバール板、33‥‥カソード
キャップ、34‥‥電子放出部、35‥‥ヒータ、37
‥‥セラミック製の支持基板、38R,38G,38B
‥‥挿入孔、39A,39B‥‥スペーサ、43‥‥ろ
う材、44‥‥コバール薄板、48‥‥電子ビーム透過
21 ‥‥ color cathode ray tube, 22 ‥‥ cathode ray tube, 23 ‥
‥ neck, 24 ‥‥ electron gun, 25 ‥‥ deflection yoke, K
R, K G, K B ‥‥ cathode body, 28 [281,28
2,283] ‥‥ cathode structure, G 1 ~G 5 ‥‥ grid, C ‥‥ electrostatic convergence means, 31 ‥‥ ceramic sleeve, 32 ‥‥ kovar plate, 33 ‥‥ cathode cap, 34 ‥‥ electron emitting portion , 35 ° heater, 37
支持 Ceramic support substrate, 38R, 38G, 38B
{Insertion holes, 39A, 39B} spacers, 43} brazing material, 44} Kovar thin plate, 48} electron beam transmission holes

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カソード本体のカソードスリーブがセラ
ミック材で形成された電子銃を備えて成ることを特徴と
する陰極線管。
1. A cathode ray tube, wherein a cathode sleeve of a cathode main body includes an electron gun formed of a ceramic material.
【請求項2】 前記電子銃におけるカソードスリーブ
が、該カソードスリーブの軸線を支持基板の板面に垂直
となるように縦型に配置され、 前記カソードスリーブの軸線方向の上端に電子放出部が
設けられて成ることを特徴とする請求項1に記載の陰極
線管。
2. A cathode sleeve of the electron gun is vertically arranged such that an axis of the cathode sleeve is perpendicular to a plate surface of a support substrate, and an electron emission portion is provided at an upper end of the cathode sleeve in an axial direction. 2. The cathode ray tube according to claim 1, wherein the cathode ray tube is formed.
【請求項3】 前記電子銃におけるカソードスリーブ
が、該カソードスリーブの軸線を支持基板の板面に沿う
ように横型に配置され、 前記カソードスリーブの軸線と直交する方向の上面に電
子放出部が設けられて成ることを特徴とする請求項1に
記載の陰極線管。
3. A cathode sleeve of the electron gun is arranged horizontally so that an axis of the cathode sleeve is along a plate surface of a support substrate, and an electron emission portion is provided on an upper surface in a direction orthogonal to the axis of the cathode sleeve. 2. The cathode ray tube according to claim 1, wherein the cathode ray tube is formed.
【請求項4】 カソード本体のカソードスリーブがセラ
ミック材で形成されて成ることを特徴とする電子銃。
4. An electron gun, wherein the cathode sleeve of the cathode body is formed of a ceramic material.
【請求項5】 前記カソードスリーブが、該カソードス
リーブの軸線を支持基板の板面に垂直となるように縦型
に配置され、 前記カソードスリーブの軸線方向の上端に電子放出部が
設けられて成ることを特徴とする請求項4に記載の電子
銃。
5. The cathode sleeve is vertically arranged such that an axis of the cathode sleeve is perpendicular to a plate surface of a support substrate, and an electron emission portion is provided at an upper end of the cathode sleeve in an axial direction. The electron gun according to claim 4, wherein:
【請求項6】 前記カソードスリーブが、該カソードス
リーブの軸線を支持基板の板面に沿うように横型に配置
され、 前記カソードスリーブの軸線と直交する方向の上面に電
子放出部が設けられて成ることを特徴とする請求項4に
記載の電子銃。
6. The cathode sleeve is arranged horizontally so that the axis of the cathode sleeve is along the plate surface of the support substrate, and an electron emission portion is provided on an upper surface in a direction orthogonal to the axis of the cathode sleeve. The electron gun according to claim 4, wherein:
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