JP2001085977A - Interface circuit and semiconductor integrated circuit - Google Patents

Interface circuit and semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JP2001085977A
JP2001085977A JP25626899A JP25626899A JP2001085977A JP 2001085977 A JP2001085977 A JP 2001085977A JP 25626899 A JP25626899 A JP 25626899A JP 25626899 A JP25626899 A JP 25626899A JP 2001085977 A JP2001085977 A JP 2001085977A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current source
terminal
current
circuit
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25626899A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiki Watanabe
圭紀 渡邊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP25626899A priority Critical patent/JP2001085977A/en
Publication of JP2001085977A publication Critical patent/JP2001085977A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an LVDS interface circuit where even a delay in one of differential input signals from the other causes no difference in amplitude of output differential signals. SOLUTION: The interface circuit 10 is provided with a 1st current switching circuit consisting of transistors(TRs) Qp1, Qn1 that selects a 1st current source Qpa or a 2nd current source Qna for the connection to a 1st output terminal 4 in response to a 1st input signal IN1 and with a 2nd current switching circuit consisting of TRs Qp2, Qn2 that selects the 1st current source Qpa or the 2nd current source Qna for the connection to a 2nd output terminal 5 in response to a 2nd input signal IN2, and receives signals inverted too each other as the 1st and 2nd input signals IN1, IN2 and outputs differential signals. The interface circuit 10 is also provided with a 3rd current switching circuit consisting of TRs Qp3, Qn3 that selects the 1st current source Qpa or the 2nd current source Qna for the connection to a dummy capacitor 12 in response to a 1st input signal Sg1 and the dummy capacitor 12 whoe one terminal is connected to a constant level point.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば低電圧の
差動信号を高速に出力するインターフェース回路に適用
して有用な技術に関し、特に、このようなインターフェ
ース回路がCMOSにより形成される半導体集積回路に
利用して有用な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique useful when applied to, for example, an interface circuit for outputting a low-voltage differential signal at high speed, and more particularly to a semiconductor integrated circuit in which such an interface circuit is formed by CMOS. Related to useful technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】PLL(Phase Lock Loop)回路を搭載
した高速通信用LSIや、マルチプレクサやデマルチプ
レクサ等を搭載した高速インターフェース内蔵のLSI
などにおいて、LVDS(Low Voltage Differential S
ignals)インターフェース回路が搭載されることがあ
る。LVDSインターフェース回路は、上記PLL回路
やマルチプレクサおよびデマルチプレクサから出力され
る高周波の出力信号を低電圧の差動信号に変換して出力
する高速インターフェース回路である。
2. Description of the Related Art An LSI for high-speed communication equipped with a PLL (Phase Lock Loop) circuit and an LSI with a built-in high-speed interface equipped with a multiplexer, a demultiplexer, and the like.
In such cases, LVDS (Low Voltage Differential S)
ignals) An interface circuit may be mounted. The LVDS interface circuit is a high-speed interface circuit that converts a high-frequency output signal output from the PLL circuit, the multiplexer, and the demultiplexer into a low-voltage differential signal and outputs the signal.

【0003】図4は、LVDSインターフェースのモデ
ル回路を用いて単純な通信システムを構成した一例を示
す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example in which a simple communication system is configured using an LVDS interface model circuit.

【0004】図4に示されているLVDSインターフェ
ースのモデル回路10は、定電流を供給する第1定電流
源としてのMOSFET Qpaや、同様に定電流をグ
ランドに引き抜く第2定電流源としてのMOSFET
Qna、入力信号IN1に応じて出力端子4の負荷を駆
動する正相側出力ドライブMOSFET Qp1,Qn
1、入力信号IN1と逆相の入力信号IN2に応じて出
力端子5の負荷を駆動する負相側出力ドライブMOSF
ET Qp2,Qn2、並びに、出力端子4,5間に接
続されたインピーダンス整合用の終端抵抗R1などから
構成される。
A model circuit 10 of the LVDS interface shown in FIG. 4 includes a MOSFET Qpa as a first constant current source for supplying a constant current, and a MOSFET as a second constant current source for similarly drawing a constant current to the ground.
Qna, positive-phase-side output drive MOSFETs Qp1 and Qn that drive the load of output terminal 4 according to input signal IN1
1. Negative-phase output drive MOSF that drives the load of output terminal 5 in response to input signal IN2 having a phase opposite to that of input signal IN1.
ET Qp2, Qn2, and impedance matching terminating resistor R1 connected between output terminals 4 and 5.

【0005】このようなLVDSインターフェース回路
10によれば、理想的には、正相と負相の2つの入力信
号IN1,IN2が同時に入力されることで、第1およ
び第2の出力端子4,5が、第1定電流源Qpaから第
2定電流源Qnaへあるいは第2定電流源Qnaから第
1定電流源Qpaへと同時に切り替えられて、所望の出
力オフセット電圧(中心電位)で所望の振幅を有する差
動信号OUT1,OUT2が信号線6,7に出力され
る。
According to such an LVDS interface circuit 10, ideally, two input signals IN1 and IN2 of a positive phase and a negative phase are simultaneously inputted, so that the first and second output terminals 5 is switched from the first constant current source Qpa to the second constant current source Qna or from the second constant current source Qna to the first constant current source Qpa at the same time, and a desired output offset voltage (center potential) is obtained. Differential signals OUT1 and OUT2 having amplitudes are output to signal lines 6 and 7.

【0006】図4のLVDSインターフェース回路10
では、回路の直前で入力信号を2分岐させ、一方をその
まま正相の入力信号IN1とし他方をインバータ回路2
を介して反転させた負相の入力信号IN2とする。そし
て、インターフェース回路10によって差動出力信号O
UT1,OUT2を生成して一対の信号線6,7を介し
て送信し、受信側IC20のアンプ21にて受信する。
上記信号線6、7は、等価的には小容量の負荷容量(キ
ャパシタ)8,9を介して接地された状態にある。ま
た、受信側IC20は差動信号を受ける入力端子間にイ
ンピーダンス整合用の終端抵抗R2が接続されている。
The LVDS interface circuit 10 shown in FIG.
In this example, the input signal is divided into two just before the circuit, one of which is used as the positive-phase input signal IN1 and the other is used as the inverter circuit 2
And the inverted negative-phase input signal IN2. Then, the differential output signal O is output by the interface circuit 10.
UT1 and OUT2 are generated and transmitted through a pair of signal lines 6 and 7, and received by the amplifier 21 of the receiving IC 20.
The signal lines 6 and 7 are equivalently grounded via small-capacity load capacitors (capacitors) 8 and 9. In the receiving IC 20, a terminating resistor R2 for impedance matching is connected between input terminals for receiving differential signals.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
LVDSインターフェース回路10を用いた通信システ
ムでは、一方の入力信号だけインバータ回路2を通過さ
せる必要があるため、このインバータ回路2を通過する
際の信号遅延により正相と負相の2つの入力信号IN
1,IN2が時間的にずれて入力されて正相側と負相側
とがアンバランスになるという課題を有していた。
However, in the communication system using the above-mentioned LVDS interface circuit 10, only one input signal needs to pass through the inverter circuit 2, so that the signal when passing through the inverter circuit 2 is required. Two input signals IN of positive phase and negative phase due to delay
1 and IN2 are input with a time lag, and there is a problem that the positive phase side and the negative phase side become unbalanced.

【0008】図5(a)には、LVDSインターフェー
ス回路10に入力される正相と負相の入力信号IN1,
IN2の信号波形、同図(b)にはLVDSインターフ
ェース回路10の出力端子4,5から出力される差動出
力信号OUT1,OUT2の信号波形を表したタイムチ
ャートを示す。
FIG. 5A shows a positive-phase and a negative-phase input signals IN 1 and IN 1 inputted to the LVDS interface circuit 10.
FIG. 3B is a time chart showing signal waveforms of the differential output signals OUT1 and OUT2 output from the output terminals 4 and 5 of the LVDS interface circuit 10. FIG.

【0009】同図において、τ1,τ2が上述のインバ
ータ回路2のゲート遅延に起因する入力信号IN2の遅
延時間である。そして、図5(b)に示すように、この
負相の入力信号IN2の遅延により、出力端子4,5か
ら出力さる差動信号OUT1,OUT2のうち一方の信
号振幅が大きくなり、他方の信号振幅が小さくなるとい
う問題を発生させた。
In FIG. 1, τ1 and τ2 are delay times of the input signal IN2 caused by the gate delay of the inverter circuit 2 described above. Then, as shown in FIG. 5B, due to the delay of the negative-phase input signal IN2, the amplitude of one of the differential signals OUT1 and OUT2 output from the output terminals 4 and 5 increases, and the other signal increases. A problem that the amplitude is reduced has occurred.

【0010】このような現象は、次のような理由から生
じると考えられる。すなわち、正相の入力信号IN1が
ローレベルからハイレベルに変化する際、他方の入力信
号IN2はディレイによりハイレベルを維持したままと
なる。この短い期間に、正相側出力ドライブのMOSF
ET Qp1(図4)がオンからオフに、MOSFET
Qn1がオフからオンにされるが、負相出力側ではM
OSFET Qn2がオン状態をまたMOSFET Q
p2はオフ状態を維持する。つまり、第1出力端子4の
み第2定電流源Qnaに接続が切り替わり、第2出力端
子5はまだ第1定電流源Qpaに接続が切り替わってな
い期間、すなわち、両方の出力端子4,5とも第2定電
流源Qnaに接続される過渡期間が生じる。
Such a phenomenon is considered to occur for the following reasons. That is, when the positive-phase input signal IN1 changes from the low level to the high level, the other input signal IN2 remains at the high level due to the delay. During this short period, the MOSF of the positive-phase output drive
ET Qp1 (Fig. 4) changes from ON to OFF, MOSFET
Qn1 is turned on from off, but Mn is
OSFET Qn2 turns on and MOSFET Q
p2 maintains the off state. That is, the connection of only the first output terminal 4 is switched to the second constant current source Qna, and the connection of the second output terminal 5 is not yet switched to the first constant current source Qpa, that is, both the output terminals 4 and 5 are connected. A transient period occurs in which the second constant current source Qna is connected.

【0011】このような状態では、第1定電流源Qpa
が出力端子5に接続されてないので、第2定電流源Qn
aは第1定電流源Qpaから電流を引き込めずに、信号
線6の負荷容量8から電荷を引き抜いて信号線6の電圧
を大きく降下させる。つまり、上記過渡期間中に、正相
の出力端子4の電位OUT1が既定のローレベル電位よ
りも余分に降下される。更に、第2定電流源Qnaは負
相の信号線7の負荷容量9からも電荷を引き抜こうとす
る。
In such a state, the first constant current source Qpa
Is not connected to the output terminal 5, the second constant current source Qn
“a” does not draw current from the first constant current source Qpa, but draws charge from the load capacitance 8 of the signal line 6 to greatly lower the voltage of the signal line 6. In other words, during the transition period, the potential OUT1 of the positive-phase output terminal 4 drops more than a predetermined low-level potential. Further, the second constant current source Qna attempts to extract charge from the load capacitance 9 of the negative-phase signal line 7.

【0012】その後、遅延した側の入力信号IN2がハ
イレベルからローレベルに変化してMOSFET Qp
2がオンすると、負相の信号線7の負荷容量9の電荷が
余計に引き抜かれている分、この負荷容量9の充電を余
計にする必要があり、出力端子5の電圧を既定のハイレ
ベルの電位にするまで余分な時間が掛かる。しかも、動
作周波数が早い場合、既定のハイレベルの電位に到達す
る前に信号が切り替わるため、負相の出力端子5の電位
は既定のハイレベルの電位より低いままとなる。
Thereafter, the input signal IN2 on the delayed side changes from the high level to the low level, and the MOSFET Qp
When the switch 2 is turned on, the charge of the load capacitor 9 of the negative-phase signal line 7 is extraly extracted, so that the charge of the load capacitor 9 needs to be extra, and the voltage of the output terminal 5 is set to a predetermined high level. It takes extra time to reach the potential. In addition, when the operating frequency is high, the signal is switched before reaching the predetermined high-level potential, so that the potential of the negative-phase output terminal 5 remains lower than the predetermined high-level potential.

【0013】つまり、上記の過渡期間の作用の結果、図
5に示すように、正相の差動出力信号OUT1の方が負
相の差動出力信号OUT2よりもΔVだけ深く変化し、
振幅に2ΔVの差異が生じるようになる。
That is, as a result of the action during the transition period, as shown in FIG. 5, the positive-phase differential output signal OUT1 changes deeper by ΔV than the negative-phase differential output signal OUT2,
A difference of 2ΔV occurs in the amplitude.

【0014】ところで、IEEE(Institute of Elect
rical and Electronics Engineers)P1596.3−
1995に定められているLVDSインターフェース回
路の規格によれば、差動出力信号の出力オフセット電圧
(=振幅の中心電位)は「1125〜1275mV」
と、また差動出力信号のハイレベルとロウレベルの電圧
振幅は「250〜400mV」と規定されている。しか
しながら、上記のように負相側の入力信号IN2の遅延
によって一対の差動出力信号OUT1,OUT2の振幅
に差が生じる図4のような回路形式では、上記IEEE
の規格を満たすことが出来ないといった問題があること
が明らかとなった。
Incidentally, IEEE (Institute of Elect)
rical and Electronics Engineers) P1596.3-
According to the standard of the LVDS interface circuit defined in 1995, the output offset voltage (= the center potential of the amplitude) of the differential output signal is “1125 to 1275 mV”.
In addition, the voltage amplitude of the high level and the low level of the differential output signal is defined as “250 to 400 mV”. However, in the circuit form as shown in FIG. 4 in which the amplitude of the pair of differential output signals OUT1 and OUT2 is different due to the delay of the input signal IN2 on the negative phase side as described above, the IEEE standard is used.
It became clear that there was a problem that the standard could not be met.

【0015】この発明の目的は、LVDSインターフェ
ース回路の入力側で正相と負相の入力信号の何れか一方
が他方より遅延しても、この遅延により差動出力信号の
振幅に差異が生じないようにすることのできるインター
フェース回路を提供することにある。
[0015] An object of the present invention is that even if one of a positive-phase input signal and a negative-phase input signal is delayed from the other on the input side of the LVDS interface circuit, this delay does not cause a difference in the amplitude of the differential output signal. An object of the present invention is to provide an interface circuit that can be configured as described above.

【0016】この発明の他の目的は、差動出力信号の振
幅に関してIEEEの規格を満たすことのできるLVD
Sインターフェース回路を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an LVD capable of satisfying the IEEE standard with respect to the amplitude of the differential output signal.
It is to provide an S interface circuit.

【0017】この発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面
から明らかになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0019】すなわち、所定電流を供給する第1電流源
および所定電流を引き抜く第2電流源と、第1出力端子
および第2出力端子と、入力信号によって第1出力端子
の接続を上記第1電流源または第2電流源の何れかに切
り換える第1電流切換回路と、上記入力信号と逆相の信
号によって第2出力端子の接続を上記第1電流源または
第2電流源の何れかに切り換える第2電流切換回路と、
一方の端子が定電位点に接続されたダミー容量手段と、
上記第1電流切換回路に入力される信号に応じて上記ダ
ミー容量手段の接続を上記第1電流源または第2電流源
に切り換える第3電流切換回路とを備え、第1電流切換
回路には上記入力信号をそのまま入力させるとともに、
第2電流切換回路には入力信号をインバータ回路を介し
て反転させて入力させ、上記第1および第2電流切換回
路を制御することで第1および第2出力端子から差動信
号を出力させるとともに、第3電流切換回路は上記第1
の電流切換回路が第1電流源を第1出力端子に接続して
いるときに上記ダミー容量手段に第1電流源からの電流
の一部を流し、第1の電流切換回路が第2電流源を第1
出力端子に接続しているときに上記ダミー容量手段から
電流を抜くように構成する。
That is, the first current source for supplying the predetermined current and the second current source for extracting the predetermined current, the first output terminal and the second output terminal, and the connection of the first output terminal according to the input signal are connected to the first current source. A first current switching circuit for switching to either the first current source or the second current source, and a second current switching circuit for switching the connection of the second output terminal to either the first current source or the second current source by a signal having a phase opposite to the input signal. A two-current switching circuit,
A dummy capacitance means having one terminal connected to a constant potential point;
A third current switching circuit for switching the connection of the dummy capacitance means to the first current source or the second current source in accordance with a signal input to the first current switching circuit; While inputting the input signal as it is,
The input signal is inverted and input to the second current switching circuit via the inverter circuit, and the first and second current switching circuits are controlled to output a differential signal from the first and second output terminals. , The third current switching circuit is the first current switching circuit.
When the current switching circuit of (1) connects the first current source to the first output terminal, a part of the current from the first current source flows through the dummy capacitance means, and the first current switching circuit is connected to the second current source. The first
A configuration is such that current is drawn from the dummy capacitance means when connected to the output terminal.

【0020】また、上記第1出力端子と第2出力端子と
の間にはインピーダンス整合用の終端抵抗が接続されて
構成される。
A terminating resistor for impedance matching is connected between the first output terminal and the second output terminal.

【0021】また、具体的には、上記第1電流源および
第2電流源は第1又は第2の電源電圧端子にソース端子
が接続されたMOSFETまたは抵抗により構成でき
る。また、第1〜第3電流切換回路は、第1電流源がソ
ース端子に、対応する各入力端子がゲート端子に、対応
する各出力端子或いは上記ダミー容量手段の他方の端子
がドレイン端子にそれぞれ接続されたpチャネルMOS
FETと、第2電流源がソース端子に、対応する各入力
端子がゲート端子に、対応する各出力端子或いは上記ダ
ミー容量手段の他方の端子がドレイン端子にそれぞれ接
続されたnチャネルMOSFETとからなるCMOS回
路により構成できる。
More specifically, the first current source and the second current source can be constituted by MOSFETs or resistors having a source terminal connected to the first or second power supply voltage terminal. In the first to third current switching circuits, the first current source may be a source terminal, the corresponding input terminal may be a gate terminal, the corresponding output terminal or the other terminal of the dummy capacitance means may be a drain terminal. Connected p-channel MOS
An FET and an n-channel MOSFET in which the second current source is connected to the source terminal, the corresponding input terminal is connected to the gate terminal, and the corresponding output terminal or the other terminal of the dummy capacitance means is connected to the drain terminal. It can be constituted by a CMOS circuit.

【0022】上記のような手段によれば、高周波で駆動
した場合でも、第1および第2出力端子から出力される
差動信号の信号振幅の大きさに差異がほとんど生じない
ようにすることが出来る。
According to the means as described above, even when driven at a high frequency, it is possible to make the difference between the signal amplitudes of the differential signals output from the first and second output terminals hardly occur. I can do it.

【0023】また、上記インターフェース回路はCMO
S回路により構成できることから、上記のインターフェ
ース回路とこのインターフェース回路に信号を出力する
内部論理回路とを、CMOS回路により1個の半導体基
板上に形成してなる半導体集積回路とすることが出来
る。それゆえ、上記インターフェース回路を搭載し且つ
全体の消費電力の低い半導体集積回路を実現できる。
The interface circuit is a CMO
Since the interface circuit can be configured by the S circuit, the above-described interface circuit and the internal logic circuit that outputs a signal to the interface circuit can be a semiconductor integrated circuit formed on a single semiconductor substrate by a CMOS circuit. Therefore, a semiconductor integrated circuit having the above-described interface circuit and low overall power consumption can be realized.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
1〜図3の図面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0025】図1は、本発明を適用して好適な実施例で
あるLVDSインターフェース回路10を用いて構成し
た通信システムの一例を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a communication system configured using an LVDS interface circuit 10 according to a preferred embodiment of the present invention.

【0026】この実施例のLVDSインターフェース回
路10は、電源電圧Vccより定電流を流す第1定電流
源としてのpチャネルMOSFET Qpaと、定電流
をグランドに引き抜く第2定電流源としてのnチャネル
MOSFET Qnaと、入力信号を2分岐させて一方
の入力信号IN1をそのまま、他方をインバータ回路2
で反転して負相の入力信号IN2として入力させる信号
入力部と、正相の入力信号IN1の電圧に応じて出力端
子4を第1定電流源Qpaに接続または遮断するpチャ
ネルMOSFET Qp1および出力端子4を第2定電
流源Qnaに接続または遮断するnチャネルMOSFE
T Qn1からなる第1電流切換回路と、負相の入力信
号IN2の電圧に応じて出力端子5を第1定電流源Qp
aに接続または遮断するpチャネルMOSFET Qp
2および出力端子5を第2定電流源Qnaに接続または
遮断するnチャネルMOSFET Qn2からなる第2
電流切換回路と、一方の端子が接地電位のような定電位
点に接続された容量素子12と、第1電流切換回路と同
様に入力信号IN1に応じて容量素子12を第1定電流
源Qpaに接続または遮断するpチャネルMOSFET
Qp3および容量素子12を第2定電流源Qnaに接
続または遮断するnチャネルMOSFETQn3からな
る第3電流切換回路と、インピーダンス整合のための出
力終端抵抗R1等から構成される。
The LVDS interface circuit 10 of this embodiment includes a p-channel MOSFET Qpa as a first constant current source for flowing a constant current from the power supply voltage Vcc, and an n-channel MOSFET as a second constant current source for drawing the constant current to the ground. Qna and the input signal are split into two to leave one input signal IN1 as it is and the other as an inverter circuit 2
And a p-channel MOSFET Qp1 for connecting or disconnecting the output terminal 4 to or from the first constant current source Qpa according to the voltage of the positive-phase input signal IN1 and an output. N-channel MOSFE for connecting / disconnecting terminal 4 to / from second constant current source Qna
A first current switching circuit comprising T Qn1 and an output terminal 5 connected to a first constant current source Qp according to the voltage of the negative-phase input signal IN2.
p-channel MOSFET Qp that connects or disconnects to a
2 and an n-channel MOSFET Qn2 for connecting or disconnecting the output terminal 5 to or from the second constant current source Qna.
A current switching circuit, a capacitor 12 having one terminal connected to a constant potential point such as a ground potential, and a capacitor 12 connected to a first constant current source Qpa in response to an input signal IN1 similarly to the first current switching circuit. P-channel MOSFET to connect or cut off
A third current switching circuit including an n-channel MOSFET Qn3 for connecting or disconnecting the Qp3 and the capacitive element 12 to / from the second constant current source Qna, an output termination resistor R1 for impedance matching, and the like.

【0027】そして、上記のLVDSインターフェース
回路10の出力端子4,5に、1対の信号線6,7を介
して受信側のIC20の差動アンプ21が接続されるこ
とで、1つの信号を既定された電圧の差動出力信号に変
換して送受信する通信システムが構成される。8および
9は、上記信号線6、7に接続される配線容量を示した
ものである。また、受信側IC20は入力端子22,2
3間に終端抵抗R2が接続され信号線6,7とインピー
ダンス整合されている。
Then, the differential amplifier 21 of the receiving IC 20 is connected to the output terminals 4 and 5 of the LVDS interface circuit 10 via a pair of signal lines 6 and 7, so that one signal is output. A communication system is configured that converts the signal into a differential output signal of a predetermined voltage and transmits and receives the signal. Reference numerals 8 and 9 denote wiring capacitances connected to the signal lines 6 and 7, respectively. The receiving IC 20 has input terminals 22 and 2.
3, a terminating resistor R2 is connected, and impedance matching with the signal lines 6, 7 is performed.

【0028】第1定電流源と第2定電流源は、それぞれ
のソース端子が例えば、2V〜6.5Vの電源電圧Vc
cと接地電位(0V)に接続されたpチャネルMOSF
ETQpaとnチャネルMOSFET Qnaとから構
成され、これらの各ゲート端子にリファレンス電圧Vr
efを入力することで、このリファレンス電圧Vref
に応じた定電流をそれぞれ流すようになっている。
The first constant current source and the second constant current source each have a source terminal having a power supply voltage Vc of 2 V to 6.5 V, for example.
p and p-channel MOSF connected to ground potential (0 V)
ETQpa and an n-channel MOSFET Qna.
ef, this reference voltage Vref
The constant current according to the current flows.

【0029】第1〜第3電流切換回路は、それぞれpチ
ャネルMOSFET Qp1〜Qp3とnチャネルMO
SFET Qn1〜Qn3とのCMOS回路により構成
されている。詳細には、正相の入力信号IN1が第1と
第3の電流切換回路のMOSFETのゲート端子に入力
されると共に、反転された負相の入力信号IN2が第2
電流切換回路のMOSFETのゲート端子に入力される
ようになっている。また、第1〜第3電流切換回路の全
pチャネルMOSFET Qp1〜Qp3の共通ソース
端子に第1定電流源が、第1〜第3電流切換回路の全n
チャネルMOSFET Qn1〜Qn3の共通ソース端
子に第2定電流源が接続されている。また、第1電流切
換回路の両MOSFET Qp1,Qn1の共通ドレイ
ン端子に第1出力端子4が、第2電流切換回路の両MO
SFET Qp2,Qn2の共通ドレイン端子に第2出
力端子5が、第3電流切換回路の両MOSFET Qp
3,Qn3の共通ドレイン端子にダミー容量手段として
の容量素子12が、それぞれ接続されている。
The first to third current switching circuits respectively include p-channel MOSFETs Qp1 to Qp3 and n-channel MOSFETs.
It is composed of a CMOS circuit including SFETs Qn1 to Qn3. Specifically, the positive-phase input signal IN1 is input to the gate terminals of the MOSFETs of the first and third current switching circuits, and the inverted negative-phase input signal IN2 is input to the second terminal.
The signal is inputted to the gate terminal of the MOSFET of the current switching circuit. Further, a first constant current source is connected to a common source terminal of all p-channel MOSFETs Qp1 to Qp3 of the first to third current switching circuits, and all n of the first to third current switching circuits are
A second constant current source is connected to a common source terminal of the channel MOSFETs Qn1 to Qn3. The first output terminal 4 is connected to the common drain terminal of both MOSFETs Qp1 and Qn1 of the first current switching circuit,
The second output terminal 5 is connected to the common drain terminal of the SFETs Qp2 and Qn2, and both MOSFETs Qp of the third current switching circuit are connected.
A capacitance element 12 as a dummy capacitance means is connected to the common drain terminal of each of Qn3 and Qn3.

【0030】容量素子12は、負相の入力信号IN2の
信号遅延に起因する差動出力信号のレベル変動を、ほぼ
ゼロに調整するためのもので、例えば層間絶縁膜を誘電
体とする容量あるいはMOSFETのゲート電極と基板
間のゲート容量を利用して構成することができる。
The capacitance element 12 adjusts the level fluctuation of the differential output signal due to the signal delay of the negative-phase input signal IN2 to almost zero. It can be configured using the gate capacitance between the gate electrode of the MOSFET and the substrate.

【0031】この容量素子12の静電容量は、例えば、
負相の入力信号IN2の正相入力信号IN1に対する遅
延時間τ1、第1〜第3電流切換回路の各MOSFET
のトランジスタサイズ、電源電圧Vcc、出力端子4,
5側の負荷容量8,9の静電容量などをパラメータとし
て、上記レベル変動をほぼゼロにするのに最適な値を求
めることが出来る。例えば、IEEE規格に準拠する一
般的なLVDSインターフェース回路であれば、半導体
基板上に形成された配線の配線容量程度の静電容量でも
十分な効果を奏する。
The capacitance of the capacitive element 12 is, for example,
Delay time τ1 of negative-phase input signal IN2 with respect to positive-phase input signal IN1, MOSFETs of first to third current switching circuits
Transistor size, power supply voltage Vcc, output terminal 4,
Using the capacitances of the load capacitances 8 and 9 on the fifth side as parameters, an optimum value for making the level fluctuation substantially zero can be obtained. For example, in the case of a general LVDS interface circuit conforming to the IEEE standard, a sufficient effect can be obtained even if the capacitance is about the wiring capacitance of the wiring formed on the semiconductor substrate.

【0032】次に、上記構成のLVDSインターフェー
ス回路10の動作説明を行う。
Next, the operation of the LVDS interface circuit 10 having the above configuration will be described.

【0033】図2には、上記LVDSインターフェース
回路10の各信号のタイムチャートを示す。同図(a)
は正相と負相の入力信号IN1,IN2の信号波形、
(b)は差動出力信号OUT1,OUT2の信号波形で
ある。
FIG. 2 shows a time chart of each signal of the LVDS interface circuit 10. FIG.
Is the signal waveforms of the positive and negative phase input signals IN1 and IN2,
(B) is a signal waveform of the differential output signals OUT1 and OUT2.

【0034】ここでは、正相の入力信号IN1がローレ
ベルからハイレベルに変化する際の動作と、ハイレベル
からローレベルに変化する際の動作について主に説明す
る。
Here, the operation when the positive-phase input signal IN1 changes from a low level to a high level and the operation when the positive-phase input signal IN1 changes from a high level to a low level will be mainly described.

【0035】先ず、正相の入力信号IN1がローレベル
からハイレベルに変わる際、負相の入力信号IN2はイ
ンバータ回路2を通過する際のゲートディレイτ1によ
り入力信号IN1がハイレベルに変化してもしばらくの
間はハイレベルに維持されたままとなる。このとき、図
1の第1電流切換回路のMOSFET Qp1がオンか
らオフに、MOSFET Qn1がオフからオンにされ
るが、第2電流切換回路ではMOSFET Qn2がオ
ンでMOSFET Qp2がオフのままとなる。つま
り、この時点において、第1出力端子4のみ第2定電流
源Qnaに接続が切り替わり、第2出力端子5はまだ第
1定電流源Qpaに接続が切り替わってない期間、すな
わち、両方の出力端子4,5とも第2定電流源Qnaに
接続され第1定電流源Qpaが何れの出力端子4,5に
も接続されてない過渡期間が生じる。
First, when the positive-phase input signal IN1 changes from low level to high level, the negative-phase input signal IN2 changes to high level due to the gate delay τ1 when passing through the inverter circuit 2. Will remain at high level for a while. At this time, the MOSFET Qp1 of the first current switching circuit in FIG. 1 is turned off from on and the MOSFET Qn1 is turned on from off, but in the second current switching circuit, the MOSFET Qn2 is on and the MOSFET Qp2 remains off. . In other words, at this time, only the first output terminal 4 is switched to the connection to the second constant current source Qna, and the second output terminal 5 is connected to the first constant current source Qpa for a period in which the connection has not been switched to the first constant current source Qpa. Both 4 and 5 are connected to the second constant current source Qna, and a transient period occurs in which the first constant current source Qpa is not connected to any of the output terminals 4 and 5.

【0036】また、このとき、第3電流切換回路のMO
SFET Qp3がオンからオフに、MOSFET Q
n3がオフからオンにされて、容量素子12の接続が第
1定電流源Qpaから第2定電流源Qnaに切り替えら
れる。すなわち、容量素子12が第1定電流源Qpaで
充電された状態で第2定電流源Qnaに切り替えられ
る。
At this time, the MO of the third current switching circuit
When the SFET Qp3 is turned off from on, the MOSFET Q
When n3 is turned on from off, the connection of the capacitive element 12 is switched from the first constant current source Qpa to the second constant current source Qna. That is, the state is switched to the second constant current source Qna while the capacitance element 12 is charged by the first constant current source Qpa.

【0037】そして、このような状態において次のよう
な作用が生じる。先ず、第1定電流源Qpaはどこにも
接続されてないので、第2定電流源Qnaは第1定電流
源Qpaから電流を引き込めないが、MOSFET Q
n1のオンと同時にMOSFET Qn3もオンして容
量素子12が第2定電流源Qnaに接続されるため、第
2定電流源Qnaは第1出力端子4の信号線6の負荷容
量8の電荷を引き抜くとともに容量素子12の電荷も引
き抜く。このように、容量素子12からも電荷が供給さ
れるため、容量素子12がないときよりも信号線6の電
圧降下量は少なくなり、所望の定常ローレベルの電位V
olに降下される。このように、信号線6の電圧は所望
の定常ローレベルの電位Vol、すなわち負相の信号線
7の電位よりも低くならないので、終端抵抗R1を介し
てオンされているMOSFETQn1により負相の信号
線7の負荷容量9から電荷が引き抜かれるのが回避され
る。
In such a state, the following operation occurs. First, since the first constant current source Qpa is not connected anywhere, the second constant current source Qna cannot draw current from the first constant current source Qpa, but the MOSFET Q
Since the MOSFET Qn3 is also turned on at the same time when the n1 is turned on and the capacitive element 12 is connected to the second constant current source Qna, the second constant current source Qna transfers the charge of the load capacitance 8 of the signal line 6 of the first output terminal 4. At the same time, the electric charge of the capacitor 12 is also extracted. As described above, since the charge is also supplied from the capacitor 12, the amount of voltage drop of the signal line 6 is smaller than when the capacitor 12 is not provided, and the desired steady low level potential V
ol. As described above, since the voltage of the signal line 6 does not become lower than the desired steady low-level potential Vol, that is, the potential of the negative-phase signal line 7, the negative-phase signal is supplied by the MOSFET Qn1 which is turned on via the terminating resistor R1. The removal of charge from the load capacitance 9 on the line 7 is avoided.

【0038】つまり、上記の過渡期間において、容量素
子12から適宜な電荷放出が行われることで、第1出力
端子4の電位すなわち出力差動信号OUT1の変化が容
量素子12がないときよりも緩やかになり所望の定常ロ
ーレベルの電位Volまで低下される。
That is, during the above-mentioned transition period, the electric charge is appropriately released from the capacitive element 12, so that the potential of the first output terminal 4, that is, the output differential signal OUT1 changes more slowly than when the capacitive element 12 is not provided. And the potential is lowered to a desired steady low level potential Vol.

【0039】そして、正相の出力差動信号OUT1が定
常ローレベル電位Volに達した時点で、遅延した負相
側の入力信号IN2がハイレベルからローレベルに変化
して第2電流切換回路のMOSFET Qp2がオンさ
れる。すると、第2出力端子5に接続された負相の信号
線7の負荷容量9が第1定電流源Qpaからの電流で充
電されて定常ハイレベルの電位Vohまで上昇される。
なお、このように定常状態になると、第1定電流源Qp
aからの電流が出力終端抵抗R1等を介して第2定電流
源Qnaへ流れて、信号線6と7の電位差すなわち出力
差動信号OUT1,OUT2の振幅が一定に保たれる。
When the positive-phase output differential signal OUT1 reaches the steady low-level potential Vol, the delayed negative-phase input signal IN2 changes from high level to low level, and the second current switching circuit MOSFET Qp2 is turned on. Then, the load capacitance 9 of the negative-phase signal line 7 connected to the second output terminal 5 is charged by the current from the first constant current source Qpa, and is raised to the steady high level potential Voh.
When the steady state is reached, the first constant current source Qp
The current from a flows to the second constant current source Qna via the output terminating resistor R1 and the like, and the potential difference between the signal lines 6 and 7, that is, the amplitude of the output differential signals OUT1 and OUT2 is kept constant.

【0040】上記のように、図1のLVDSインターフ
ェース回路10では、正相の入力信号がローレベルから
ハイレベルに変化を開始するタイミングから、遅延して
きた負相の入力信号がローレベルからハイレベルに変化
を完了するタイミングまでの間に、第1出力端子4の出
力は定常のハイレベルからローレベルへ、第2出力端子
5の出力は定常のローレベルからハイレベルへ変化さ
れ、両者の振幅の大きさに差異を生じさせない。
As described above, in the LVDS interface circuit 10 of FIG. 1, from the timing when the positive-phase input signal starts to change from the low level to the high level, the delayed negative-phase input signal changes from the low level to the high level. By the time the change is completed, the output of the first output terminal 4 is changed from the steady high level to the low level, the output of the second output terminal 5 is changed from the steady low level to the high level, and the amplitudes of both are changed. Does not make a difference in the size of

【0041】次に、正相の入力信号IN1がハイレベル
からローレベルに変わる際について説明する。
Next, the case where the positive-phase input signal IN1 changes from the high level to the low level will be described.

【0042】正相の入力信号IN1がハイレベルからロ
ーレベルに変わる際、負相の入力信号IN2はインバー
タ回路2を通過する際のゲートディレイτ1により入力
信号IN1がローレベルに変化してもしばらくの間はロ
ーレベルに維持されたままとなる。このとき、図1の第
1電流切換回路のMOSFET Qn1がオンからオフ
に、MOSFET Qp1がオフからオンにされるが、
第2電流切換回路ではMOSFET Qp2がオンでM
OSFET Qn2がオフのままとなる。つまり、この
時点において、第1出力端子4のみ第1定電流源Qpa
に接続が切り替わり、第2出力端子5はまだ第2定電流
源Qnaに接続が切り替わってない期間、すなわち、両
方の出力端子4,5とも第1定電流源Qpaに接続され
第2定電流源Qnaが何れの出力端子4,5にも接続さ
れてない過渡期間が生じる。
When the positive-phase input signal IN1 changes from the high level to the low level, the negative-phase input signal IN2 remains for a while even if the input signal IN1 changes to the low level due to the gate delay τ1 when passing through the inverter circuit 2. During this period, it is maintained at the low level. At this time, the MOSFET Qn1 of the first current switching circuit in FIG. 1 is turned off from on, and the MOSFET Qp1 is turned on from off.
In the second current switching circuit, MOSFET Qp2 is on and M
OSFET Qn2 remains off. That is, at this time, only the first output terminal 4 has the first constant current source Qpa
And the second output terminal 5 is not yet connected to the second constant current source Qna, that is, both output terminals 4 and 5 are connected to the first constant current source Qpa and the second constant current source A transient period occurs when Qna is not connected to any of the output terminals 4 and 5.

【0043】また、このとき、第3電流切換回路のMO
SFET Qn3がオンからオフに、MOSFET Q
p3がオフからオンにされて、容量素子12の接続が第
2定電流源Qnaから第1定電流源Qpaに切り替えら
れる。すなわち、容量素子12が第2定電流源Qnaで
放電された状態で第1定電流源Qpaに切り替えられ
る。
At this time, the MO of the third current switching circuit
When the SFET Qn3 changes from on to off, the MOSFET Q
When p3 is turned on from off, the connection of the capacitive element 12 is switched from the second constant current source Qna to the first constant current source Qpa. In other words, the capacitor 12 is switched to the first constant current source Qpa while being discharged by the second constant current source Qna.

【0044】そして、このような状態において次のよう
な作用が生じる。先ず、第2定電流源Qnaはどこにも
接続されてないので、第1定電流源Qpaは第2定電流
源Qnaに電流を流せないが、MOSFET Qp1の
オンと同時にMOSFETQp3もオンして容量素子1
2が第1定電流源Qpaに接続されるため、第1定電流
源Qpaは第1出力端子4の信号線6の負荷容量8に電
荷を流し込むとともに容量素子12にも電荷を流し込
む。このように、容量素子12にも電荷を供給するた
め、容量素子12がないときよりも信号線6の電圧上昇
量は少なくなり、所望の定常ハイレベルの電位Vohに
上昇される。このように、信号線6の電圧は所望の定常
ハイレベルの電位Voh、すなわち負相の信号線7の電
位よりも高くならないので、終端抵抗R1を介してオン
されたMOSFET Qp1により負相の信号線7の負
荷容量9に電荷が流し込まれるのが回避される。
In such a state, the following operation occurs. First, since the second constant current source Qna is not connected anywhere, the first constant current source Qpa cannot supply current to the second constant current source Qna, but the MOSFET Qp3 is turned on at the same time when the MOSFET Qp1 is turned on, and the capacitive element is turned on. 1
2 is connected to the first constant current source Qpa, the first constant current source Qpa allows the charge to flow into the load capacitance 8 of the signal line 6 of the first output terminal 4 and also flows the charge to the capacitance element 12. As described above, since the electric charge is also supplied to the capacitor 12, the amount of voltage rise of the signal line 6 is smaller than when the capacitor 12 is not provided, and the potential is raised to a desired steady high level potential Voh. As described above, since the voltage of the signal line 6 does not become higher than the desired steady-state high-level potential Voh, that is, the potential of the negative-phase signal line 7, the negative-phase signal is supplied by the MOSFET Qp1 which is turned on via the terminating resistor R1. A charge is prevented from flowing into the load capacitance 9 of the line 7.

【0045】つまり、上記の過渡期間において、容量素
子12に適宜な電荷吸収(充電)が行われることで、第
1出力端子4の電位すなわち出力差動信号OUT1の変
化が容量素子12がないときよりも緩やかになり所望の
定常ハイレベルの電位Vohまで上昇される。
In other words, during the above-mentioned transition period, the appropriate charge absorption (charging) is performed on the capacitive element 12, so that the potential of the first output terminal 4, that is, the output differential signal OUT1 changes when the capacitive element 12 is not present. And the potential is increased to a desired steady high level potential Voh.

【0046】そして、正相の出力差動信号OUT1が定
常ハイレベル電位Vohに達した時点で、遅延した負相
側の入力信号IN2がローレベルからハイレベルに変化
して第2電流切換回路のMOSFET Qn2がオンさ
れる。すると、第2出力端子5に接続された負相の信号
線7の負荷容量9が第2定電流源Qnaに電流を放出し
て定常ローレベルの電位Volまで低下される。なお、
このように定常状態になると、第1定電流源Qpaから
の電流が出力終端抵抗R1等を介して第2定電流源Qn
aへ流れて、信号線6と7の電位差すなわち出力差動信
号OUT1,OUT2の振幅が一定に保たれる。
When the positive-phase output differential signal OUT1 reaches the steady high-level potential Voh, the delayed negative-phase input signal IN2 changes from low level to high level, and the second current switching circuit MOSFET Qn2 is turned on. Then, the load capacitance 9 of the negative-phase signal line 7 connected to the second output terminal 5 emits a current to the second constant current source Qna, and is lowered to the steady low level potential Vol. In addition,
In such a steady state, the current from the first constant current source Qpa is supplied to the second constant current source Qn via the output terminating resistor R1 and the like.
a, the potential difference between the signal lines 6 and 7, that is, the amplitude of the output differential signals OUT1 and OUT2 is kept constant.

【0047】上記のように、図1のLVDSインターフ
ェース回路10では、正相の入力信号がハイレベルから
ローレベルに変化を開始するタイミングから、遅延して
きた負相の入力信号がハイレベルからローレベルに変化
を完了するタイミングまでの間に、第1出力端子4の出
力は定常のローレベルからハイレベルへ、第2出力端子
5の出力は定常のハイレベルからローレベルへ変化さ
れ、両者の振幅の大きさに差異を生じさせない。
As described above, in the LVDS interface circuit 10 of FIG. 1, from the timing when the positive-phase input signal starts to change from the high level to the low level, the delayed negative-phase input signal changes from the high level to the low level. By the time the change is completed, the output of the first output terminal 4 is changed from the steady low level to the high level, the output of the second output terminal 5 is changed from the steady high level to the low level, and the amplitudes of both are changed. Does not make a difference in the size of

【0048】以上のように、この実施例のLVDSイン
ターフェース回路10によれば、上述した過渡期間にお
ける容量素子12の充放電作用により、差動出力信号O
UT1,OUT2の信号振幅の大きさに差異がほとんど
現れず、高周波で駆動した場合でも、所望のレベルで所
望の信号振幅を有する差動出力を得ることが出来る。
As described above, according to the LVDS interface circuit 10 of this embodiment, the differential output signal O
There is almost no difference between the signal amplitudes of the UT1 and OUT2, and a differential output having a desired signal amplitude at a desired level can be obtained even when driven at a high frequency.

【0049】また、このLVDSインターフェース回路
10はCMOS回路により構成できることから、LVD
Sインターフェース回路10と該LVDSインターフェ
ース回路10に信号を出力する内部論理回路とを、共に
CMOS回路により1個の半導体基板上に形成してCM
OS半導体集積回路を構成することが出来る。それゆ
え、上記LVDSインターフェース回路10を搭載し且
つ全体の消費電力の低い半導体集積回路を実現できる。
Since the LVDS interface circuit 10 can be constituted by a CMOS circuit, the LVDS
An S interface circuit 10 and an internal logic circuit for outputting a signal to the LVDS interface circuit 10 are both formed on a single semiconductor substrate by a CMOS circuit,
An OS semiconductor integrated circuit can be configured. Therefore, a semiconductor integrated circuit having the LVDS interface circuit 10 mounted thereon and having low overall power consumption can be realized.

【0050】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.

【0051】図3には、本発明を適用して好適なLVD
Sインターフェース回路の変形例の回路図を示す。
FIG. 3 shows an LVD suitable for applying the present invention.
FIG. 9 shows a circuit diagram of a modification of the S interface circuit.

【0052】上記実施例では、第1および第2電流源と
してソース端子が電源電圧Vccやグランド電位に接続
されたMOSFETを用いた例を示したが、図3
(a),(b)に示すように、第1又は第2定電流源Q
naの一方をMOSFETの代りに、接地電位に接続さ
れた抵抗R11または電源電圧Vccに接続された抵抗
R12と置き換えたり、図3(c)に示すように、第1
と第2定電流源Qnaの両方を、電源電圧Vccと接地
電位にそれぞれ接続された抵抗R13とR14としても
良い。
In the above embodiment, an example is shown in which MOSFETs whose source terminals are connected to the power supply voltage Vcc or the ground potential are used as the first and second current sources.
As shown in (a) and (b), the first or second constant current source Q
na is replaced with a resistor R11 connected to the ground potential or a resistor R12 connected to the power supply voltage Vcc instead of the MOSFET, or as shown in FIG.
And the second constant current source Qna may be resistors R13 and R14 connected to the power supply voltage Vcc and the ground potential, respectively.

【0053】また、上記実施例では、電流切換素子とし
てMOSFETを使用しているがバイポーラトランジス
タでも良い。更に終端抵抗やダミー容量手段は外付け素
子として接続するようにしても良い。
Although the MOSFET is used as the current switching element in the above embodiment, a bipolar transistor may be used. Further, the terminating resistor and the dummy capacitance means may be connected as external elements.

【0054】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるLVD
Sインターフェース回路について説明したがこの発明は
それに限定されるものでなく、差動出力信号を出力する
インターフェース回路に広く利用することができる。
In the above description, the invention made mainly by the present inventor is based on the LVD which
Although the S interface circuit has been described, the present invention is not limited thereto, and can be widely used for an interface circuit that outputs a differential output signal.

【0055】[0055]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0056】すなわち、本発明に従うと、差動入力信号
の一方が他方より遅延している場合でも、正相と負相の
それぞれの振幅の大きさが同一で規定されたレベル範囲
で変化する差動出力を得ることが出来るという効果があ
る。
In other words, according to the present invention, even when one of the differential input signals is delayed from the other, the magnitudes of the amplitudes of the positive phase and the negative phase change within the same defined level range. There is an effect that a dynamic output can be obtained.

【0057】また、このインターフェース回路はCMO
Sから構成できるので、このインターフェース回路に信
号を出力する内部回路と併せてCMOS半導体集積回路
を構成することができ、消費電力の低い半導体集積回路
を実現できるという効果がある。
This interface circuit is a CMO
Since it can be composed of S, a CMOS semiconductor integrated circuit can be formed together with an internal circuit that outputs a signal to this interface circuit, and there is an effect that a semiconductor integrated circuit with low power consumption can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用して好適な実施例のLVDSイン
ターフェース回路を用いて構成した通信システムの一例
を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram illustrating an example of a communication system configured using an LVDS interface circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

【図2】実施例のLVDSインターフェース回路の各信
号波形を示すタイムチャートで、(a)は正相と負相の
入力信号の信号波形、(b)は差動出力信号の信号波形
である。
FIGS. 2A and 2B are time charts showing signal waveforms of the LVDS interface circuit according to the embodiment, wherein FIG. 2A shows signal waveforms of positive-phase and negative-phase input signals, and FIG. 2B shows signal waveforms of differential output signals.

【図3】本発明を適用して好適なLVDSインターフェ
ース回路の変形例を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a modified example of an LVDS interface circuit suitable for applying the present invention.

【図4】従来のLVDSインターフェースのモデル回路
を用いて構成した通信システムの一例を示す回路図であ
る。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an example of a communication system configured using a conventional LVDS interface model circuit.

【図5】従来例のLVDSインターフェースの各信号波
形を示すタイムチャートで、(a)は正相と負相の入力
信号の信号波形、(b)は差動出力信号の信号波形であ
る。
5A and 5B are time charts showing signal waveforms of a conventional LVDS interface, wherein FIG. 5A shows signal waveforms of positive-phase and negative-phase input signals, and FIG. 5B shows signal waveforms of differential output signals.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力端子 2 インバータ回路 4,5 第1および第2出力端子 8,9 出力側の負荷容量 10 LVDSインターフェース回路 12 負荷容量(ダミー容量手段) IN1 正相の入力信号 IN2 負相の入力信号 OUT1,OUT2 差動出力信号 Qpa pチャネルMOSFET(第1定電流源) Qna nチャネルMOSFET(第2定電流源) Qp1〜Qp3 第1〜第3電流切換回路のpチャネ
ルMOSFET Qn1〜Qn3 第1〜第3電流切換回路のnチャネ
ルMOSFET Vcc 電源電圧 R11〜R14 定電流源を構成する抵抗
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Input terminal 2 Inverter circuit 4,5 First and second output terminals 8,9 Load capacity on output side 10 LVDS interface circuit 12 Load capacity (dummy capacity means) IN1 Positive input signal IN2 Negative input signal OUT1, OUT2 Differential output signal Qpa p-channel MOSFET (first constant current source) Qna n-channel MOSFET (second constant current source) Qp1 to Qp3 p-channel MOSFETs Qn1 to Qn3 of first to third current switching circuits Qn1 to Qn3 first to third N-channel MOSFET of current switching circuit Vcc power supply voltage R11 to R14 Resistance constituting constant current source

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定電流を供給する第1電流源および所
定電流を引き抜く第2電流源と、第1出力端子および第
2出力端子と、入力信号によって第1出力端子の接続を
上記第1電流源または第2電流源の何れかに切り換える
第1電流切換回路と、上記入力信号と逆相の信号によっ
て第2出力端子の接続を上記第1電流源または第2電流
源の何れかに切り換える第2電流切換回路と、一方の端
子が定電位点に接続されたダミー容量手段と、上記第1
電流切換回路に入力される信号に応じて上記ダミー容量
手段の接続を上記第1電流源または第2電流源に切り換
える第3電流切換回路とを備え、第1電流切換回路には
上記入力信号をそのまま入力させるとともに、第2電流
切換回路には入力信号をインバータ回路を介して反転さ
せて入力させ、上記第1および第2電流切換回路を制御
することで第1および第2出力端子から差動信号を出力
させるとともに、第3電流切換回路は上記第1の電流切
換回路が第1電流源を第1出力端子に接続しているとき
に上記ダミー容量手段に第1電流源からの電流の一部を
流し、第1の電流切換回路が第2電流源を第1出力端子
に接続しているときに上記ダミー容量手段から電流を抜
くように構成されてなることを特徴とするインターフェ
ース回路。
A first current source for supplying a predetermined current, a second current source for extracting the predetermined current, a first output terminal and a second output terminal, and a connection between the first output terminal according to an input signal and the first current. A first current switching circuit for switching to either the first current source or the second current source, and a second current switching circuit for switching the connection of the second output terminal to either the first current source or the second current source by a signal having a phase opposite to the input signal. A two-current switching circuit, dummy capacitance means having one terminal connected to a constant potential point,
A third current switching circuit for switching the connection of the dummy capacitance means to the first current source or the second current source in accordance with a signal input to the current switching circuit, wherein the first current switching circuit receives the input signal. While being input as it is, the input signal is inverted and input to the second current switching circuit via an inverter circuit, and the first and second current switching circuits are controlled to control the differential from the first and second output terminals. And outputting a signal to the dummy capacitance means when the first current switching circuit connects the first current source to the first output terminal. An interface circuit, wherein the first current switching circuit draws a current from the dummy capacitance means when the first current switching circuit connects the second current source to the first output terminal.
【請求項2】 上記第1出力端子と第2出力端子との間
にはインピーダンス整合用の終端抵抗が接続されている
ことを特徴とする請求項1記載のインターフェース回
路。
2. The interface circuit according to claim 1, wherein a terminating resistor for impedance matching is connected between said first output terminal and said second output terminal.
【請求項3】 上記第1電流源および第2電流源は第1
又は第2の電源電圧端子にソース端子が接続されたMO
SFETまたは抵抗であることを特徴とする請求項1又
は2記載のインターフェース回路。
3. The first current source and the second current source include a first current source and a second current source.
Alternatively, an MO having a source terminal connected to the second power supply voltage terminal
3. The interface circuit according to claim 1, wherein the interface circuit is an SFET or a resistor.
【請求項4】 上記第1〜第3電流切換回路は、第1電
流源がソース端子に、対応する各入力端子がゲート端子
に、対応する各出力端子或いは上記ダミー容量手段の他
方の端子がドレイン端子にそれぞれ接続されたpチャネ
ルMOSFETと、第2電流源がソース端子に、対応す
る各入力端子がゲート端子に、対応する各出力端子或い
は上記ダミー容量手段の他方の端子がドレイン端子にそ
れぞれ接続されたnチャネルMOSFETとからなるC
MOS回路により構成されてなることを特徴とする請求
項1〜3の何れかに記載のインターフェース回路。
4. The first to third current switching circuits according to claim 1, wherein the first current source is a source terminal, the corresponding input terminal is a gate terminal, the corresponding output terminal or the other terminal of the dummy capacitance means is A p-channel MOSFET connected to a drain terminal, a second current source serving as a source terminal, a corresponding input terminal serving as a gate terminal, a corresponding output terminal or the other terminal of the dummy capacitance means serving as a drain terminal, respectively. C consisting of connected n-channel MOSFET
4. The interface circuit according to claim 1, wherein the interface circuit comprises a MOS circuit.
【請求項5】 論理回路と請求項4記載のインターフェ
ース回路とが1個の半導体基板上に形成され、上記論理
回路からの信号が上記インターフェース回路により差動
信号に変換されて送信させるように構成されてなること
を特徴とする半導体集積回路。
5. The logic circuit and the interface circuit according to claim 4 are formed on one semiconductor substrate, and a signal from the logic circuit is converted into a differential signal by the interface circuit and transmitted. A semiconductor integrated circuit characterized by being made.
JP25626899A 1999-09-09 1999-09-09 Interface circuit and semiconductor integrated circuit Pending JP2001085977A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25626899A JP2001085977A (en) 1999-09-09 1999-09-09 Interface circuit and semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25626899A JP2001085977A (en) 1999-09-09 1999-09-09 Interface circuit and semiconductor integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001085977A true JP2001085977A (en) 2001-03-30

Family

ID=17290295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25626899A Pending JP2001085977A (en) 1999-09-09 1999-09-09 Interface circuit and semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001085977A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006038346A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Signal output circuit
US7038502B2 (en) 2003-09-30 2006-05-02 Nec Electronics Corporation LVDS driver circuit and driver circuit
US20220052682A1 (en) * 2020-08-11 2022-02-17 Realtek Semiconductor Corporation Signal output apparatus and method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7038502B2 (en) 2003-09-30 2006-05-02 Nec Electronics Corporation LVDS driver circuit and driver circuit
WO2006038346A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Signal output circuit
US7417461B2 (en) 2004-10-01 2008-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Signal output circuit
US20220052682A1 (en) * 2020-08-11 2022-02-17 Realtek Semiconductor Corporation Signal output apparatus and method
US11677394B2 (en) * 2020-08-11 2023-06-13 Realtek Semiconductor Corporation Signal output apparatus and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02290327A (en) Digital interface circuit, digital input circuit and digital converting circuit
WO2005107073A1 (en) Break before make predriver and level-shifter
JPH04229714A (en) Integrated circuit having buffer
JPH05259882A (en) Level conversion circuit device
US20090289668A1 (en) Output driver circuit for an integrated circuit
JP2005012356A (en) Level conversion circuit
JP2002290230A (en) Cmos inverter
JPH0653807A (en) Cmos-ecl converter provided with incorporated latch
US7285992B1 (en) Amplifier with charge-pump generated local supplies
JP2001085977A (en) Interface circuit and semiconductor integrated circuit
EP2326003A1 (en) Method and system for reduced phase noise in a BICMOS clock driver
US20010024137A1 (en) Driver circuit
US6476642B1 (en) Differential current driver circuit
JPH09294063A (en) Semiconductor integrated circuit
US20040051563A1 (en) Symmetric differential logic circuits
US20140055164A1 (en) Buffer system having reduced threshold current
JPH03267817A (en) Logic circuit and semiconductor integrated circuit device
JP2005217840A (en) Output driver circuit
CN106656156B (en) PECL transmitter interface circuit for reducing output signal falling time
US6124734A (en) High-speed push-pull output stage for logic circuits
JP4273881B2 (en) Differential signal output circuit and semiconductor integrated circuit incorporating the same
KR100410813B1 (en) Inverter for forming high-speed power driving circuit of semiconductor device
JPH04248713A (en) Output circuit
JP3455463B2 (en) Input buffer circuit
JP2003069414A (en) Output circuit for semiconductor device