JP2001075113A - Liquid crystal device, its manufacture and electronic equipment using the same - Google Patents

Liquid crystal device, its manufacture and electronic equipment using the same

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JP2001075113A
JP2001075113A JP25350299A JP25350299A JP2001075113A JP 2001075113 A JP2001075113 A JP 2001075113A JP 25350299 A JP25350299 A JP 25350299A JP 25350299 A JP25350299 A JP 25350299A JP 2001075113 A JP2001075113 A JP 2001075113A
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JP
Japan
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liquid crystal
substrate
crystal device
pixel electrode
wiring portion
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JP25350299A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Iwata
信一 岩田
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Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high picture quality and to improve the manufacturing yield by providing thick parts extending from straight liner wiring parts between respective pixel electrodes so as to prevent the switching elements from being broken in a rubbing treatment process and so as to eliminate the generation of defective pixels. SOLUTION: Many pixel electrodes 6, which are connected to straight linear wiring parts 7 of data lines via thin film diode(TFD) driving elements 10, are arranged in a matrix within a liquid crystal panel region. Besides a thick part 8 protruding in the same direction as the TFD driving element 10 (namely, in the direction of connection to the pixel electrode 6) is provided between the linear wiring part 7 and each of the pixel electrode 6. Thereby, in the case where rubbing treatment is carried out from the upper right to the lower left, depicted in the figure, to 45 deg. arrow L direction, a foreign matter, rolled in the rubbing brush for example at the pixel electrode a-1, is caught by the corner part 8a at the lower side of the pixel electrode a-1. The thick part 8 is provided with a function of a protecting wall for the TFD driving element 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置の改良に
関するものであって、特に液晶分子を配向させるラビン
グ工程でスイッチング素子が破壊されることによる液晶
装置の不良の発生を防止するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a liquid crystal device, and more particularly to a liquid crystal device in which a switching element is destroyed in a rubbing step of aligning liquid crystal molecules, thereby preventing a defect in the liquid crystal device. .

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、パーソナルコンピューターのディ
スプレイ等に、大容量のマトリックス液晶装置が使用さ
れている。中でも高画質、大容量の液晶表示装置とし
て、画素電極と信号配線との間にスイッチ作用を有する
薄膜素子を導入したアクティブ・マトリックス方式の液
晶表示装置が主流となっている。アクティブ・マトリッ
クス方式の液晶表示装置のスイッチング素子の代表例と
しては、薄膜ダイオード(Thin Film Diode: 以下、T
FDと略記する)や、薄膜トランジスタ( Thin Film
Transistor: 以下、TFTと略記する)があり、これ
らのスイッチング素子の機能を使用してマトリックス状
に配置された多数の画素を駆動させて任意の文字や図形
を表示することが可能になっている。
2. Description of the Related Art In recent years, large-capacity matrix liquid crystal devices have been used for personal computer displays and the like. Among them, an active matrix type liquid crystal display device in which a thin film element having a switching function is introduced between a pixel electrode and a signal wiring is mainly used as a high quality and large capacity liquid crystal display device. A typical example of a switching element of an active matrix type liquid crystal display device is a thin film diode (hereinafter, referred to as T).
FD), thin film transistor (Thin Film)
Transistor: hereinafter, abbreviated as TFT), and it is possible to display an arbitrary character or figure by driving a large number of pixels arranged in a matrix using the functions of these switching elements. .

【0003】一方、現在広く用いられているツイステッ
ドネマチック(TN)液晶表示装置では視角依存性が大
きく、表示特性のうち視野角の上下方向および左右方向
のバランスをとる必要があり、液晶分子を特定方向に配
向させる必要がある。
On the other hand, a twisted nematic (TN) liquid crystal display, which is currently widely used, has a large viewing angle dependency, and it is necessary to balance the viewing angle in the vertical and horizontal directions in the display characteristics. It is necessary to orient in the direction.

【0004】液晶分子は基板の表面状態によってその配
列方向が容易に規制されるが、ただ平行に配列させるだ
けでは液晶分子の配列方向に自由度があるため、液晶分
子を所定の方向に配列させることはできない。液晶分子
を特定の方向に配向させるためには、基板表面に特定方
向の整列性を有する被着物又は溝を設けて、液晶分子の
長軸方向を物理的に規制する手段が採られている。この
手段の主なものには、ポリイミド樹脂等の配向性のある
皮膜を塗布したり、さらにはこの配向膜の表面に特定方
向のキズを付けて配向性をもたせる手段が採用されてい
る。配向膜にキズを付けて方向性を付与する手段として
は、斜め蒸着法、ラビング法などがある。斜め蒸着法は
生産効率が低く、画像のコントラストも充分でないなど
の欠点を有するため、ラビング法が広く使用されてい
る。通常、ラビング法はポリイミド樹脂等の配向膜の上
を布で擦るこすりラビング法や、直径が10〜20μm
の刷毛のついた回転するブラシで擦る回転ラビング法が
実用化されている。
The arrangement direction of the liquid crystal molecules is easily regulated by the surface condition of the substrate. However, simply arranging the liquid crystal molecules in a parallel direction has a degree of freedom in the arrangement direction of the liquid crystal molecules. It is not possible. In order to orient the liquid crystal molecules in a specific direction, a means for physically regulating the major axis direction of the liquid crystal molecules by providing an adherend or a groove having alignment in a specific direction on the substrate surface is employed. The main means of this means is to apply an oriented film such as a polyimide resin or to apply a scratch in a specific direction to the surface of the oriented film so as to have an oriented property. Means for imparting directionality by scratching the alignment film include an oblique deposition method and a rubbing method. Since the oblique deposition method has disadvantages such as low production efficiency and insufficient image contrast, the rubbing method is widely used. Usually, a rubbing method is a rubbing method in which a cloth is rubbed on an alignment film such as a polyimide resin with a cloth, or a diameter of 10 to 20 μm.
A rotary rubbing method of rubbing with a rotating brush with a brush has been put to practical use.

【0005】通常、TN液晶表示装置では図1(a)に
示すように、素子基板1側の配向膜に対しては、方形の
各画素に対して45度の方向にラビングし、一方、対向
基板2側の配向膜に対しては、さらに90度ひねった1
35度の方向にラビングしている。このように配向膜の
ラビング方向を90度ひねった状態の2枚の基板の配向
膜間に液晶物質を封入し、液晶物質をねじれ状態に保っ
ている。
Usually, in a TN liquid crystal display device, as shown in FIG. 1A, the alignment film on the element substrate 1 side is rubbed in a direction of 45 degrees with respect to each square pixel, while rubbing is performed on the other side. The orientation film on the substrate 2 side was further twisted by 90 degrees.
Rubbing in the direction of 35 degrees. As described above, a liquid crystal material is sealed between the alignment films of the two substrates in a state where the rubbing direction of the alignment film is twisted by 90 degrees, and the liquid crystal material is kept in a twisted state.

【0006】ラビング方向は図1(a)に示す方向に限
らず、図1(b)に示す方向であっても良い。この場合
にも素子基板側の配向膜と対向基板側の配向膜のラビン
グ方向は90度捻れている。
The rubbing direction is not limited to the direction shown in FIG. 1A, but may be the direction shown in FIG. Also in this case, the rubbing directions of the alignment film on the element substrate side and the alignment film on the counter substrate side are twisted by 90 degrees.

【0007】ところが、薄膜積層体からなるスイッチン
グ素子構造では、ラビング処理の際ラビング工程に持ち
込まれるゴミ、ガラス粉等の異物によって、スイッチン
グ素子部の薄膜が破壊されて素子不良となり、点状の画
素欠陥を発生させて表示不能となり、液晶装置としての
製品の生産歩留まりを低下させるという欠点があった。
一旦点状の画素欠陥が発生すると連続して点欠陥が発生
する傾向が見られる。
However, in the switching element structure composed of a thin film laminate, foreign matter such as dust and glass powder brought into the rubbing step during the rubbing treatment destroys the thin film of the switching element portion, resulting in defective elements and dot-like pixels. There is a drawback that a defect is generated and display becomes impossible, and the production yield of a product as a liquid crystal device is reduced.
Once a point-like pixel defect occurs, there is a tendency for point defects to occur continuously.

【0008】このような点欠陥を呈する画素電極のスイ
ッチング素子部分近傍をSEM観察したところ、スイッ
チング素子部に斜めの引っ掻き傷があり、スイッチング
素子の薄膜積層構造が破壊されて絶縁不良を起こしてい
るのが認められた。この引っ掻き傷は方形の画素電極に
対して45度傾斜しており、ラビング方向と一致してい
ることが判明した。しかもいくつもの画素に対して連続
して発生していることが判った。引っ掻き傷が発生した
ときのラビング刷毛を観察してみると、直径10〜20
μm程度の刷毛の毛先部に異物が付着しているのが観察
された。その結果、刷毛先に異物が付着すると多くの素
子電極上を異物が引きずられているものと推定される。
When the vicinity of the switching element portion of the pixel electrode exhibiting such a point defect is observed by SEM, an oblique scratch is found in the switching element part, and the thin film laminated structure of the switching element is destroyed, resulting in insulation failure. Was recognized. This scratch was inclined at 45 degrees with respect to the square pixel electrode, and it was found that the scratch coincided with the rubbing direction. In addition, it was found that it occurred continuously for several pixels. When observing the rubbing brush when a scratch occurs, the diameter is 10 to 20.
It was observed that foreign matter was attached to the tip of the brush of about μm. As a result, when foreign matter adheres to the brush tip, it is presumed that foreign matter is dragged on many element electrodes.

【0009】このようなラビング処理の際に発生する引
っ掻き傷を防止するため、本出願人は先にスイッチング
素子を形成する際に、スイッチング素子を構成する電極
を45度傾けてラビング方向に沿った方向に配置し、ス
イッチング素子近傍に防波堤用の孤立パターンを形成す
る方法(特開平6−35005公報参照)を提案した。
しかしながらこの方法でも引っ掻き傷を防止する有効な
効果を発揮する手段は得られていない。本発明はこれら
の方法を更に改良したものである。
In order to prevent the scratches generated during the rubbing process, the applicant of the present invention inclined the electrodes constituting the switching element by 45 degrees in the rubbing direction when forming the switching element first. A method of forming an isolated pattern for a breakwater in the vicinity of a switching element by arranging the breakwater in a direction (see Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-35005) was proposed.
However, even with this method, no means for exhibiting an effective effect of preventing scratches has been obtained. The present invention is a further improvement of these methods.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】すなわち、本発明はス
イッチング素子を有する液晶装置をラビング工程によっ
て配向処理する際に発生する、ゴミ、ガラス粉等の異物
による引っ掻き傷を防止する手段を提供することを目的
とし、配向方向に対してスイッチング素子を防護するの
に有効で、かつ製造工程に負担をかけない方法を提供し
ようとするものである。
That is, the present invention provides a means for preventing scratches due to foreign substances such as dust and glass powder, which are generated when a liquid crystal device having a switching element is subjected to an alignment treatment by a rubbing step. It is an object of the present invention to provide a method which is effective for protecting a switching element in an orientation direction and does not impose a burden on a manufacturing process.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は上記欠点を解消
するためになされたものであって、基板上に直線状の配
線部、スイッチング素子及び画素電極あるいはさらに配
向膜を形成してなる素子基板と、該素子基板に対向して
配置されていて基板上に対向電極あるいはさらに配向膜
を形成してなる対向基板とを有し、該2枚の基板間に液
晶材料を有する液晶装置において、各画素電極の間に直
線状の配線部から伸びる肉厚部を設ける手段を採用し
た。肉厚部の厚さは素子電極の厚さと同等以上の厚さを
有したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned drawbacks, and has been made in view of the above circumstances. In a liquid crystal device having a substrate and a counter substrate which is arranged to face the element substrate and has a counter electrode or an alignment film formed on the substrate, and a liquid crystal material between the two substrates, Means for providing a thick portion extending from the linear wiring portion between the pixel electrodes is employed. The thickness of the thick portion has a thickness equal to or greater than the thickness of the device electrode.

【0012】このように各画素電極の間に素子電極の厚
さと同等以上の厚さの肉厚部を設けて、この肉厚部と直
線状の配線部とで作るコーナー部分を設けることにより
異物をコーナー部分で捕捉し、ラビング工程においてス
イッチング素子部にゴミ等の異物が侵入するのを阻止す
るとともに、たとえ刷毛に異物が付着しても多数の画素
電極上を引きずり廻すのを防ぎ、同時にラビング用の刷
毛の先端の衝撃を和らげ、もって引っ掻き傷を防止する
ようにしたものである。
As described above, a thick portion having a thickness equal to or greater than the thickness of the device electrode is provided between each pixel electrode, and a corner portion formed by this thick portion and a linear wiring portion is provided. At the corners to prevent foreign matter such as dust from entering the switching element during the rubbing process, and to prevent dragging over many pixel electrodes even if foreign matter adheres to the brush, and at the same time rubbing The impact of the tip of the brush is reduced, thereby preventing scratches.

【0013】また、本発明では素子電極の厚さと同じ厚
さの肉厚部の構造を、スイッチング素子と同じ構造の薄
膜積層構造とすることにより、スイッチング素子形成時
に同時に作るようにしたので、製造工程が増えることは
なく高い生産性を維持することができる。
Further, in the present invention, the structure of the thick portion having the same thickness as the element electrode is formed as a thin film laminated structure having the same structure as the switching element, so that it is formed simultaneously with the formation of the switching element. High productivity can be maintained without increasing the number of steps.

【0014】まず、本発明の対象となる液晶装置の液晶
表示パネルの構造について説明する。
First, the structure of a liquid crystal display panel of a liquid crystal device according to the present invention will be described.

【0015】図2は、本発明に係わるスイッチング素子
としてTFD素子を用いたアクティブ・マトリックス液
晶表示パネルの概要を示す一実施形態を、一部破断して
平面的に示した部分平面図である。図において素子基板
1と対向基板2とが対向して配置され、シール部4によ
って互いに接着されている。これら基板の間隔は、基板
間に散布されて配置される微小な径を持つビーズ状のス
ペーサーによって規定され、例えば5μm程度に保持さ
れている。シール部4の一部にはパネル外部に露出する
液晶注入口3が設けられ、この液晶注入口3からシール
部4により囲まれた部分に液晶が注入され、封止部5に
おいて封止されている。
FIG. 2 is a partial plan view showing one embodiment of the outline of an active matrix liquid crystal display panel using a TFD element as a switching element according to the present invention. In the figure, an element substrate 1 and a counter substrate 2 are arranged to face each other, and are adhered to each other by a seal portion 4. The distance between these substrates is defined by bead-shaped spacers having a small diameter and distributed between the substrates, and is maintained at, for example, about 5 μm. A liquid crystal injection port 3 exposed to the outside of the panel is provided in a part of the seal portion 4, and liquid crystal is injected from the liquid crystal injection port 3 into a portion surrounded by the seal portion 4, and sealed in the sealing portion 5. I have.

【0016】対向基板2において素子基板1より張り出
した領域(図では右辺側)には、例えば対向基板側の対
向電極を走査線とする場合には、走査信号を供給する操
作側駆動用IC50aが配置される。同様に素子基板側
(図では基板裏面側)にもデータ側駆動用IC50bが
配置される。51は外部から駆動用ICに外部から信号
を供給するための入力端子である。
In a region (right side in the figure) of the opposing substrate 2 which protrudes from the element substrate 1, for example, when the opposing electrode on the opposing substrate is used as a scanning line, an operation side driving IC 50a for supplying a scanning signal is provided. Be placed. Similarly, a data side driving IC 50b is arranged on the element substrate side (substrate back side in the figure). Reference numeral 51 denotes an input terminal for externally supplying a signal to the driving IC.

【0017】素子基板1には多数の方形の画素電極6が
マトリックス状に配置され、後で詳説するスイッチング
素子を介してデータ線の直線状の配線部7に接続されて
いる。また素子基板1に対向する対向基板2にはインジ
ウム錫酸化物(Indium Tin Oxide、以下、ITOと略記
する)からなる透明電極が紙面水平方向にストライプ状
に形成されている。個々の画素電極に制御された信号を
送り、所定の画素を点表示させることにより表示装置全
体として文字や図形を認識させるようになっている。素
子基板1及び対向基板2の互いに向き合う面には、ポリ
イミド等の配向膜が塗布されており、この配向膜にラビ
ング処理を施して方向性を持たせた上で両基板を接着し
てある。図2のような配置を採る場合、素子基板側の配
向膜のラビング方向は、たとえば紙面右上方から左下方
に向けて45度の方向で、対向基板側の配向膜のラビン
グ方向は、紙面左上方から右下方に向けて45度の方向
で、互いに直交している(図1(a)参照)。
A large number of rectangular pixel electrodes 6 are arranged in a matrix on the element substrate 1 and are connected to a linear wiring portion 7 of a data line via a switching element described later in detail. In addition, a transparent electrode made of indium tin oxide (hereinafter, abbreviated as ITO) is formed on an opposing substrate 2 opposing the element substrate 1 in a stripe shape in the horizontal direction of the paper. A controlled signal is sent to each pixel electrode, and a predetermined pixel is displayed as a dot, thereby allowing the display device as a whole to recognize characters and figures. An alignment film made of polyimide or the like is applied to the surfaces of the element substrate 1 and the opposing substrate 2 facing each other, and the alignment films are rubbed so as to have directionality, and then both substrates are bonded. When the arrangement as shown in FIG. 2 is employed, the rubbing direction of the alignment film on the element substrate side is, for example, a direction of 45 degrees from the upper right to the lower left side of the paper, and the rubbing direction of the alignment film on the counter substrate side is the upper left of the paper. They are perpendicular to each other at a 45-degree direction from the right to the lower right (see FIG. 1A).

【0018】この他、図示しないが、素子基板1と対向
基板2の互いに対向する面とは反対の面には、それぞれ
偏光板が貼り付けられている。また、入力端子51に接
続されるフレキシブル基板や、透過型パネルの場合には
パネル背面に配置される光源等が装着され、駆動用IC
50に供給する信号を生成する回路や電源回路が搭載さ
れたコントロールボックスと呼ばれる制御基板、及びパ
ネルを含めたこれらの部品がケースに収容されて、液晶
装置が構成されている。
In addition, although not shown, a polarizing plate is attached to each of the surfaces of the element substrate 1 and the counter substrate 2 opposite to the surfaces facing each other. Further, a flexible substrate connected to the input terminal 51 and a light source disposed on the back of the panel in the case of a transmissive panel are mounted, and a driving IC is provided.
A liquid crystal device is configured by housing these components including a control board called a control box on which a circuit for generating a signal to be supplied to the power supply 50 and a power supply circuit are mounted, and a panel, in a case.

【0019】次に、液晶表示パネルに使用されるスイッ
チング素子について説明する。
Next, switching elements used in the liquid crystal display panel will be described.

【0020】液晶表示パネルの1個の画素電極近傍を拡
大して例示したのが図3及び図4である。図4は図3の
A−A’線に沿って切断した断面図である。この例では
画素電極6はスイッチング素子として2端子型非線形素
子であるTFD駆動素子10を介して直線状の配線部7
に接続されている。図3の場合のTFD駆動素子10は
いはゆるバック・ツー・バック( Back To Back ) 構造
をとっている。即ち第1のTFD駆動素子10aと第2
のTFD駆動素子10bとが極性を反対にして直列に接
続された構造を持つように構成されている。 図3及び
図4において、TFD駆動素子10は2個の素子10a
及び10bから成っており、第1のTFD駆動素子10
aは素子基板1上に形成された絶縁膜31を下地層とし
て、この上に順に形成されたタンタル等からなる第1金
属膜12、陽極酸化膜等からなる絶縁膜14及びクロム
等からなる第2金属膜16aから構成されている。一
方、第2のTFD駆動素子10bは、素子基板1上に形
成された絶縁膜31を下地層として、この上に順に形成
されたタンタル等からなる第1金属膜12、陽極酸化膜
等からなる絶縁膜14及び第2金属膜16aから隔離さ
れたクロム等からなる第2金属膜16bから構成されて
いる。第1金属膜12の厚さは約150nm程度、絶縁
膜14の厚さは20〜30nm程度、第2金属膜16の
厚さは約80〜100nm程度である。
FIGS. 3 and 4 are enlarged views of the vicinity of one pixel electrode of the liquid crystal display panel. FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. In this example, the pixel electrode 6 is connected to a linear wiring portion 7 via a TFD drive element 10 which is a two-terminal nonlinear element as a switching element.
It is connected to the. The TFD drive element 10 in the case of FIG. 3 has a back-to-back structure. That is, the first TFD drive element 10a and the second
Is connected in series with the TFD drive element 10b of the same polarity with the opposite polarity. 3 and 4, the TFD drive element 10 is composed of two elements 10a.
And 10b, the first TFD driving element 10
a denotes a first metal film 12 made of tantalum or the like, an insulating film 14 made of an anodic oxide film or the like, and a first metal film 12 made of chromium or the like formed on the insulating film 31 formed on the element substrate 1 as a base layer. It is composed of a two-metal film 16a. On the other hand, the second TFD drive element 10b includes an insulating film 31 formed on the element substrate 1 as a base layer, a first metal film 12 made of tantalum or the like formed sequentially thereon, an anodic oxide film or the like. The second metal film 16b made of chromium or the like is isolated from the insulating film 14 and the second metal film 16a. The thickness of the first metal film 12 is about 150 nm, the thickness of the insulating film 14 is about 20 to 30 nm, and the thickness of the second metal film 16 is about 80 to 100 nm.

【0021】ここで、第1のTFD駆動素子10aの第
2金属膜16aは、素子基板1上に形成された直線状の
配線部7を構成する第2金属膜に接続されている。さら
に、第2金属膜16bは画素電極15との接触面積を確
保し、エッチングにより形成する際にエッチング液の回
り込みによる腐食切断を防ぐ目的で、図3のような複雑
な形状で画素電極6の隅部にその一部が重なるようにし
て配置してある。
Here, the second metal film 16a of the first TFD drive element 10a is connected to the second metal film forming the linear wiring portion 7 formed on the element substrate 1. Further, the second metal film 16b has a complicated shape as shown in FIG. 3 in order to secure a contact area with the pixel electrode 15 and to prevent corrosion and cutting due to sneak of an etchant when formed by etching. It is arranged so that a part thereof overlaps the corner.

【0022】今、例えば配向膜を塗布した素子基板の配
向膜面を、図3の右上から左下にかけて矢印Lの方向に
ラビングすると、ラビング用の刷毛の先端がTFD駆動
素子10を直接擦ることになり、刷毛が先端に異物を巻
き込んでいた場合には、薄膜から構成されたTFD駆動
素子10は容易に引っ掻き傷を受け、薄膜が破壊されて
絶縁不良を起こし、素子としての機能を失う結果とな
る。しかも刷毛の先端に異物を巻き込んでいるときは、
ラビング方向にあるいくつかのTFD駆動素子を連続し
て破壊する結果を招く。
Now, for example, when the alignment film surface of the element substrate coated with the alignment film is rubbed in the direction of arrow L from the upper right to the lower left in FIG. 3, the tip of the rubbing brush directly rubs the TFD drive element 10. If the brush has foreign matter caught in the tip, the TFD drive element 10 composed of a thin film is easily scratched, the thin film is broken, insulation failure occurs, and the function as an element is lost. Become. Moreover, when foreign matter is wrapped around the tip of the brush,
This results in the continuous destruction of some TFD driving elements in the rubbing direction.

【0023】また、スイッチング素子としてのTFD駆
動素子の他の態様例として、図5及び図6にいわゆるク
ロス構造の例をあげて説明する。図5及び図6におい
て、TFD駆動素子20は素子基板1上に形成された絶
縁膜31を下地として、この上に順に形成されたタンタ
ル等からなる第1金属膜22、陽極酸化膜等からなる絶
縁膜24及びクロム等からなる第2金属膜26から構成
されたTFD構造を形成している。第1金属膜22は素
子基板1上に形成された直線状の配線部7の第1金属膜
に接続されており、第2金属膜26は画素電極6の隅部
に一部が重複して接続されている。各膜厚は前述のバッ
ク・ツー・バック構造の場合と同様に、第1金属膜22
の厚さは約150nm程度、絶縁膜24の厚さは約50
nm程度、第2金属膜26の厚さは約80〜100nm
程度である。このような構造の場合でも薄膜積層構造で
構成されているので、ラビング処理の際に素子が受ける
損傷の状態は前述のバック・ツー・バック素子構造の場
合と同じである。
FIGS. 5 and 6 show another example of a TFD drive element as a switching element, which is a so-called cross structure. 5 and 6, the TFD drive element 20 includes a first metal film 22 made of tantalum or the like, an anodic oxide film, and the like sequentially formed thereon with an insulating film 31 formed on the element substrate 1 as a base. A TFD structure composed of an insulating film 24 and a second metal film 26 made of chromium or the like is formed. The first metal film 22 is connected to the first metal film of the linear wiring portion 7 formed on the element substrate 1, and the second metal film 26 partially overlaps the corner of the pixel electrode 6. It is connected. Each film thickness is the same as that of the back-to-back structure described above.
Is about 150 nm, and the thickness of the insulating film 24 is about 50 nm.
nm, and the thickness of the second metal film 26 is about 80 to 100 nm.
It is about. Even in the case of such a structure, since the device is constituted by a thin film laminated structure, the state of damage to the device during the rubbing treatment is the same as in the case of the above-described back-to-back device structure.

【0024】本発明では上記のようなラビング処理の際
にTFD駆動素子部が受ける引っ掻き傷を防ぐために、
各画素電極の間に直線状の配線部から伸びる素子電極と
同じ厚さの肉厚部を設けてコーナー部を作り、刷毛が巻
き込んでくる異物をコーナー部で補足して異物がTFD
駆動素子部へ持ち込まれるのを阻止するとともに、たと
え異物が持ち込まれても多数のTFD駆動素子上を引き
ずり廻すのを防ぐようにし、これによりTFD駆動素子
部が受ける衝撃を和らげたりするようにしたものであ
る。
In the present invention, in order to prevent scratches on the TFD drive element during the rubbing process as described above,
A thick portion having the same thickness as the device electrode extending from the linear wiring portion is provided between each pixel electrode to form a corner portion, and the foreign matter which the brush gets in is supplemented by the corner portion, and the foreign material is TFD.
In addition to preventing the TFD drive element from being dragged over a large number of TFD drive elements even when foreign matter is brought in, the impact on the TFD drive element is reduced. Things.

【0025】肉厚部は各画素電極の間にラビングの方向
を考慮して設ける必要がある。配向膜面を各画素電極に
対して45度の方向にラビングする場合、各TFD駆動
素子部の手前にTFD駆動素子部の防護壁の役割を果た
すような肉厚部が有れば良い。つまり、肉厚部はTFD
駆動素子を通るラビング方向の延長線上に有れば良いこ
とになる。
The thick portion must be provided between the pixel electrodes in consideration of the rubbing direction. When the alignment film surface is rubbed in a direction of 45 degrees with respect to each pixel electrode, it is sufficient that there is a thick portion in front of each TFD drive element portion that serves as a protective wall of the TFD drive element portion. In other words, the thick part is TFD
It suffices if it is on an extension of the rubbing direction passing through the driving element.

【0026】肉厚部の幅は2〜3μm程度あれば充分で
ある。また、長さは画素電極の1辺全域としても良く、
TFD駆動素子の大きさとラビング方向を考慮して画素
電極の1辺の3分の1〜6分の1程度の長さで充分であ
る。
It is sufficient that the width of the thick portion is about 2 to 3 μm. Further, the length may be the entire area of one side of the pixel electrode,
Considering the size of the TFD drive element and the rubbing direction, a length of about one third to one sixth of one side of the pixel electrode is sufficient.

【0027】また、肉厚部の厚さは素子電極の厚さ以上
あれば、掻き傷を防止する効果を発揮することができ
る。製造工程を考慮すれば、TFD駆動素子を形成する
際に、同時にTFD駆動素子と同じ構造で肉厚部分を形
成すれば、工程が増加することもなく効率的である。さ
らに、工程が増加することを許容するならば、TFD駆
動素子を形成する物質以外の、絶縁性の樹脂等で肉厚部
を構成することも可能である。
Further, if the thickness of the thick portion is equal to or greater than the thickness of the device electrode, the effect of preventing scratches can be exerted. In consideration of the manufacturing process, when forming the TFD drive element and simultaneously forming the thick portion with the same structure as the TFD drive element, it is efficient without increasing the number of steps. Further, if the number of steps is allowed to increase, it is possible to form the thick portion with an insulating resin or the like other than the material forming the TFD drive element.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図7は、本発明に係わる液
晶装置に使用する、液晶パネルの素子基板の一実施の形
態を示す平面図であって、図1に示す1枚の液晶表示パ
ネルの素子基板1の一部を拡大して示したものである。
この実施の形態では、スイッチング素子はバック・ツー
・バック構造のTFD駆動素子を用いた例を示してい
る。図7では、TFD駆動素子10を介してデータ線の
直線状の配線部7に接続された多数の画素電極6が、1
個の液晶パネル領域内にマトリックス状に配列されてい
る。今仮に、説明を容易にするため画素電極6を図7に
示すようにa−1、a−2、a−3、・・・・、b−1、b
−2、b−3、・・・・・・と位置付けする。図7では画素電
極a−1、b−1、c−1、d−1・・・・の左側に直線状
の配線部7aが配置されている。同様に画素電極a−
2、b−2、c−2、d−2・・・・の左側に直線状の配線
部7bが配置されている。すなわち、画素電極6から見
ると配線部7はTFD素子10を介して同一の方向から
画素電極6に接続している。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 7 is a plan view showing an embodiment of an element substrate of a liquid crystal panel used in the liquid crystal device according to the present invention, and shows a part of the element substrate 1 of one liquid crystal display panel shown in FIG. It is shown enlarged.
This embodiment shows an example in which a TFD drive element having a back-to-back structure is used as a switching element. In FIG. 7, a large number of pixel electrodes 6 connected to the linear wiring portion 7 of the data line via the TFD driving element 10
It is arranged in a matrix in each liquid crystal panel area. Now, suppose that the pixel electrode 6 is a-1, a-2, a-3,..., B-1, b as shown in FIG.
-2, b-3, ..... In FIG. 7, a linear wiring portion 7a is arranged on the left side of the pixel electrodes a-1, b-1, c-1, d-1,. Similarly, the pixel electrode a-
A linear wiring portion 7b is arranged on the left side of 2, b-2, c-2, d-2,.... That is, when viewed from the pixel electrode 6, the wiring section 7 is connected to the pixel electrode 6 from the same direction via the TFD element 10.

【0029】画素電極上に配向膜を塗布したパネルを、
ラビング処理工程で紙面右上から左下に向かって45度
の矢印Lの方向にラビングする場合、直線状の配線部7
から各画素電極6の間に、TFD駆動素子10と同じ方
向(すなわち、画素電極への接続方向)に張り出す肉厚
部8を設けておけば、たとえば画素電極a−1でラビン
グ刷毛に巻き込まれた異物は、画素電極a−1の下のコ
ーナー部8aに捕捉され、TFD駆動素子10に対して
防護壁としての機能を有するものとなる。また、たとえ
ばa−2とb−2の画素電極の間に設けた肉厚部8は、
直下のb−2にあるTFD駆動素子10と、さらにはも
う1列左下のc−1にあるTFD駆動素子10を保護す
ることができる。同様にa−3とb−3の画素電極の間
に設けた肉厚部8は、直下のb−3にあるTFD駆動素
子10と、さらにはもう1列左下のc−2にあるTFD
駆動素子10を保護することができる。このように肉厚
部8はTFD駆動素子10を通るラビングの方向Lの延
長線上に配置してあればよい。
A panel having an alignment film coated on a pixel electrode is
When rubbing is performed in the direction of arrow L at 45 degrees from the upper right to the lower left in the drawing in the rubbing process, the linear wiring portion 7 is used.
If a thick portion 8 is provided between the pixel electrodes 6 so as to protrude in the same direction as the TFD drive element 10 (that is, the direction of connection to the pixel electrode), for example, the pixel electrode a-1 may be caught in a rubbing brush. The foreign matter trapped in the corner 8a below the pixel electrode a-1 has a function as a protective wall for the TFD drive element 10. The thick portion 8 provided between the pixel electrodes a-2 and b-2, for example,
It is possible to protect the TFD drive element 10 located directly below b-2 and the TFD drive element 10 located further below the lower left row c-1. Similarly, the thick portion 8 provided between the pixel electrodes a-3 and b-3 includes a TFD drive element 10 located immediately below b-3 and a TFD drive element c-2 located at the lower left of another row.
The drive element 10 can be protected. As described above, the thick portion 8 may be disposed on an extension of the rubbing direction L passing through the TFD drive element 10.

【0030】肉厚部8の幅は2〜3μm程度あればよ
い。肉厚部8の長さは特に制限はなく、45度の方向に
ラビングした場合に、ラビングの刷毛に対してTFD駆
動素子10が肉厚部8に隠れるだけの長さがあれば充分
である。従って、1個の画素電極の1辺の長さの3分の
1〜6分の1を目安に適宜決めればよい。
The width of the thick portion 8 may be about 2 to 3 μm. The length of the thick portion 8 is not particularly limited, and it is sufficient that the TFD drive element 10 is hidden by the thick portion 8 with respect to the rubbing brush when rubbing is performed in a 45-degree direction. . Therefore, the length of one side of one pixel electrode may be determined as appropriate based on 1/3 to 1/6.

【0031】次に、本実施態様の素子基板を製作するた
めの製造方法について説明する。
Next, a manufacturing method for manufacturing the element substrate of this embodiment will be described.

【0032】素材としてガラス等の透光性で面積の大き
な素子基板母材を準備し、この素子基板母材上に複数個
分の液晶パネル領域を形成する。
A light-transmitting and large-area element substrate base material such as glass is prepared as a material, and a plurality of liquid crystal panel regions are formed on the element substrate base material.

【0033】先ず、素子基板母材上に薄膜形成手段とし
てスパッタリングを用いて、タンタル膜を1000オン
グストローム程度の厚さに形成した後、熱酸化させるこ
とにより下地層となる酸化タンタルの絶縁膜31を形成
する。この下地層は素子基板1と後述するTFD駆動素
子の構成要素であるタンタル膜との密着性を向上させる
機能を有するものである。なお、タンタル膜への不純物
拡散が問題とならないような場合には、この絶縁膜の形
成を省略することもできる。
First, a tantalum film is formed to a thickness of about 1000 angstroms on the element substrate base material by sputtering as a thin film forming means, and then thermally oxidized to form a tantalum oxide insulating film 31 serving as a base layer. Form. The underlayer has a function of improving the adhesion between the element substrate 1 and a tantalum film which is a component of a TFD driving element described later. In the case where impurity diffusion into the tantalum film does not pose a problem, the formation of this insulating film can be omitted.

【0034】この絶縁膜31の上に、直線状の配線部7
及びTFD駆動素子10の第1金属膜12となる、タン
グステンを0.1〜6原子%含んだタンタル合金膜を1
500オングストローム程度の厚さにスパッタリングに
より形成する。次いで、フォトエッチングにより図3に
拡大して示すようにパターニングして、直線状の配線部
7及びTFD駆動素子10の第1金属膜12となるパタ
ーンを所定の形状に形成する。このパターニングの際、
後述する陽極酸化工程で配線部7と素子電極部10の第
1金属膜12を同時に陽極酸化するため、図示しない配
線部7と素子電極10の第1金属膜12とをつなぐパタ
ーンを残すように形成する。直線状の配線部7の幅は概
ね6〜10μm程度、また、TFD駆動素子10の第1
金属膜12の幅は概ね2〜3μm程度である。
On the insulating film 31, a linear wiring portion 7 is formed.
And a tantalum alloy film containing 0.1 to 6 atomic% of tungsten, which is to be the first metal film 12 of the TFD drive element 10,
It is formed by sputtering to a thickness of about 500 angstroms. Next, patterning is performed by photoetching as shown in an enlarged manner in FIG. 3 to form a pattern to be the linear wiring portion 7 and the first metal film 12 of the TFD drive element 10 into a predetermined shape. During this patterning,
Since the wiring portion 7 and the first metal film 12 of the device electrode portion 10 are simultaneously anodized in an anodic oxidation step described later, a pattern connecting the wiring portion 7 (not shown) and the first metal film 12 of the device electrode 10 is left. Form. The width of the linear wiring portion 7 is generally about 6 to 10 μm, and the width of the first
The width of the metal film 12 is approximately 2 to 3 μm.

【0035】この際、同時に図7に示すように各画素電
極6の間に直線状の配線部7から該直線状の配線部7か
ら接続されているスイッチング素子と同一方向に伸びる
位置にもタンタル膜のパターンを形成する。タンタルの
パターンの幅は概ね2〜3μm程度、長さはたとえば1
個の画素電極の1辺の長さの4分の1である場合には2
5μm程度である。このパターンはラビング工程でTF
D駆動素子を保護する肉厚部8となるものである。この
タンタルのパターンは画素電極6とは隔離して形成す
る。
At this time, as shown in FIG. 7, the tantalum also extends from the linear wiring portion 7 between the pixel electrodes 6 to a position extending in the same direction as the switching element connected from the linear wiring portion 7. A film pattern is formed. The width of the tantalum pattern is approximately 2-3 μm, and the length is, for example, 1 μm.
2 if the length of one side of one pixel electrode is one-fourth
It is about 5 μm. This pattern is TF
The thick portion 8 protects the D drive element. This tantalum pattern is formed separately from the pixel electrode 6.

【0036】次いで、各タンタルのパターンに陽極酸化
を施して、各タンタルのパターンの表面に絶縁膜14と
なる酸化タンタル膜を20〜30nm程度の厚さに形成
する。
Then, each tantalum pattern is subjected to anodic oxidation, and a tantalum oxide film serving as the insulating film 14 is formed on the surface of each tantalum pattern to a thickness of about 20 to 30 nm.

【0037】その後、第2の金属膜16、16a、16
bとなるクロム膜を基板に80〜100nm厚さにスパ
ッタリングで形成し、所定のパターンになるようにパタ
ーニングする。これにより図3および図4に示すように
直線状の配線部7から第1のTFD駆動素子10aの上
に形成された絶縁膜14と一部が重なるように連なっ
た、第2の金属膜16aとなるクロム膜と、第2のTF
D駆動素子10bの上に形成された絶縁膜14と一部が
重なるようにして、後で形成される画素電極6のITO
膜15の隅部にまで伸びる第2金属膜16bとなるクロ
ム膜と、図7に示す各画素電極6の間に直線状の配線部
7から伸びたタンタルのパターンの表面の絶縁膜14の
上に配設されるクロム膜とが形成される。
Thereafter, the second metal films 16, 16a, 16
A chromium film to be b is formed on the substrate by sputtering to a thickness of 80 to 100 nm, and is patterned so as to have a predetermined pattern. As a result, as shown in FIGS. 3 and 4, the second metal film 16 a continuous from the linear wiring portion 7 so as to partially overlap the insulating film 14 formed on the first TFD drive element 10 a. And a second TF
A part of the insulating film 14 formed on the D drive element 10b is overlapped with the insulating film 14 so that the ITO
A chromium film serving as a second metal film 16b extending to a corner of the film 15 and an insulating film 14 on the surface of a tantalum pattern extending from the linear wiring portion 7 between the pixel electrodes 6 shown in FIG. Is formed.

【0038】このクロムのパターニングの後、素子部の
第1の金属膜を陽極酸化するために残しておいた配線部
7と素子部10とをつなぐ第1の金属膜であるタンタル
合金膜をエッチングして除去する。
After the patterning of the chromium, the tantalum alloy film, which is the first metal film connecting the wiring portion 7 and the device portion 10 which has been left for anodizing the first metal film of the device portion, is etched. And remove.

【0039】最後に、第2のTFD駆動素子10bの第
2金属膜16bと一部が重なるように画素電極6を形成
する。画素電極6としてはITO膜等を50nm程度の
厚さに形成する。この際、同時に図7に示す各画素電極
6の間に直線状の配線部7から伸びたタンタルのパター
ンの表面の絶縁膜14の上にもITO膜15を形成す
る。
Finally, the pixel electrode 6 is formed so as to partially overlap the second metal film 16b of the second TFD drive element 10b. As the pixel electrode 6, an ITO film or the like is formed to a thickness of about 50 nm. At this time, an ITO film 15 is also formed on the insulating film 14 on the surface of the tantalum pattern extending from the linear wiring portion 7 between the pixel electrodes 6 shown in FIG.

【0040】このようにして図7に示す各画素電極6の
間の位置に、図8に断面で示すようにTFD駆動素子電
極10と同じ厚さの肉厚部8が、特別の工程を付加する
ことなくTFD素子形成工程及び画素電極形成工程と同
じプロセスで形成される。その結果、直線状の配線部7
と肉厚部8とによってコーナー部8aが形成され、ラビ
ングの際に刷毛に付着した異物をコーナー部に取り込ん
で捕捉し、TFD駆動素子部まで引きずり廻すのを阻止
することができる。
As described above, the thick portion 8 having the same thickness as the TFD drive element electrode 10 as shown in the cross section in FIG. 8 adds a special process between the pixel electrodes 6 shown in FIG. It is formed by the same process as the TFD element forming step and the pixel electrode forming step without performing. As a result, the linear wiring portion 7
The thick portion 8 forms a corner portion 8a, so that foreign matter attached to the brush during rubbing can be captured and captured in the corner portion, and can be prevented from being dragged to the TFD drive element portion.

【0041】以上のようにして素子基板上に直線状の配
線部7、肉厚部8、TFD駆動素子10、画素電極15
を形成した後、素子基板の上にポリイミド樹脂を塗布
し、方形の画素電極に対して45度の方向にラビング処
理を施して本発明に使用する液晶表示パネルの素子基板
1とする。
As described above, the linear wiring portion 7, the thick portion 8, the TFD drive element 10, the pixel electrode 15 are formed on the element substrate.
Is formed, a polyimide resin is applied on the element substrate, and rubbing is performed on the square pixel electrodes in a direction of 45 degrees to obtain an element substrate 1 of a liquid crystal display panel used in the present invention.

【0042】一方、対向基板2には各画素電極に対応し
た透明対向電極を形成した後、ポリイミド樹脂を塗布し
て、前記素子基板のラビング方向とは90度捻った方向
にラビング処理を施して、本発明に使用する液晶表示パ
ネルの対向基板2とする。図9にこのようにして得た素
子基板1と対向基板2とを接着した状態を断面図で示
す。各基板内側の画素電極6に接する面に有るのが配向
膜9である。
On the other hand, after forming a transparent counter electrode corresponding to each pixel electrode on the counter substrate 2, a polyimide resin is applied, and a rubbing process is performed in a direction twisted by 90 degrees with respect to the rubbing direction of the element substrate. The counter substrate 2 of the liquid crystal display panel used in the present invention. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which the element substrate 1 and the counter substrate 2 thus obtained are bonded. The alignment film 9 is located on the inner surface of each substrate in contact with the pixel electrode 6.

【0043】本発明の他の実施の態様として図10を示
す。この図10のパターンでは肉厚部8が、直線状の配
線部7から該配線部に接続するスイッチング素子10と
反対方向に伸びている。この実施の態様ではTFD駆動
素子部から対角方向に向かって、つまり、図10におい
て紙面の左上から右下に向かって矢印方向Mに沿ってラ
ビングする場合(図1(b)参照)に効果を発揮する。
又、異物除去の効果としては図10の紙面左下から右上
に向かう矢印方向L’のラビングに対しても効果があ
る。
FIG. 10 shows another embodiment of the present invention. In the pattern shown in FIG. 10, the thick portion 8 extends from the linear wiring portion 7 in the direction opposite to the switching element 10 connected to the wiring portion. In this embodiment, the effect is obtained when the rubbing is performed diagonally from the TFD driving element portion in the diagonal direction, that is, from the upper left to the lower right in FIG. 10 along the arrow direction M (see FIG. 1B). Demonstrate.
In addition, the effect of removing foreign matter is also effective for rubbing in the direction of arrow L 'from the lower left to the upper right in FIG.

【0044】本発明の他の実施の態様として図11を示
す。この実施の態様のパターンでは肉厚部8が直線状の
配線部7の両側に張り出している。この実施の態様の場
合には矢印方向L,L’及びMのいずれの方向にラビン
グする場合にも対応できる利点を有する。
FIG. 11 shows another embodiment of the present invention. In the pattern of this embodiment, the thick portions 8 project on both sides of the linear wiring portion 7. This embodiment has the advantage of being able to cope with rubbing in any of the arrow directions L, L 'and M.

【0045】上記の実施の態様では、スイッチング素子
として二端子型非線形素子であるTFD素子について説
明したが、三端子型非線形素子であるTFT素子であっ
てもかまわない。TFT素子の場合には、例えばゲート
電極金属膜、ゲート絶縁酸化物膜、半導体膜及びITO
膜からなる薄膜積層構造を用いて肉厚部8を形成するこ
とができる。
In the above embodiment, the TFD element, which is a two-terminal nonlinear element, has been described as the switching element. However, a TFT element, which is a three-terminal nonlinear element, may be used. In the case of a TFT element, for example, a gate electrode metal film, a gate insulating oxide film, a semiconductor film, and ITO
The thick portion 8 can be formed using a thin film laminated structure made of a film.

【0046】また、上記実施の態様の説明では、TFD
素子の構造についてバック・ツー・バック構造をとりあ
げて説明したが、勿論クロス構造であってもかまわな
い。
In the description of the above embodiment, TFD
Although the structure of the element has been described with reference to the back-to-back structure, it is needless to say that the element may have a cross structure.

【0047】さらに、二端子型非線形素子としてTFD
駆動素子の例を上げて説明したが、本発明は酸化亜鉛
(Zn0)バリスタ、MIS( Metal Semi-Insurator
) 駆動素子、RD( Ring Diode ) 等の双方向ダイオ
−ド特性を有する二端子型非線形素子を有するアクティ
ブ・マトリックス駆動方式の液晶表示パネルにも適用可
能である。
Further, TFD is used as a two-terminal nonlinear element.
Although an example of the driving element has been described, the present invention relates to a zinc oxide (Zn0) varistor, a MIS (metal semi-insurator).
The present invention can also be applied to an active matrix drive type liquid crystal display panel having a two-terminal type nonlinear element having a bidirectional diode characteristic such as a drive element or RD (Ring Diode).

【0048】次に、本発明の液晶装置を使用した電子機
器について説明する。
Next, electronic equipment using the liquid crystal device of the present invention will be described.

【0049】本発明の液晶装置を使用した電子機器の例
を図12に示す。
FIG. 12 shows an example of an electronic apparatus using the liquid crystal device of the present invention.

【0050】図12(a)は携帯電話の例を示す斜視図
である。1000は携帯電話本体を示し、そのうち10
01は本発明の液晶装置である。
FIG. 12A is a perspective view showing an example of a portable telephone. 1000 indicates a mobile phone body, of which 10
01 is a liquid crystal device of the present invention.

【0051】図12(b)は腕時計型電子機器の例を示
す斜視図である。1100は時計本体を示し、1101
が本発明の液晶装置である。
FIG. 12B is a perspective view showing an example of a wristwatch-type electronic device. Reference numeral 1100 denotes a watch main body 1101
Is the liquid crystal device of the present invention.

【0052】図12(c)はワープロ、パソコン等の携
帯型情報処理装置の例を示す斜視図である。図中120
0は情報処理装置を示し、12002はキーボード等の
入力部、1204は情報処理装置本体、1206は本発
明の液晶装置である。これらの電子機器に本発明の液晶
装置を使用すれば、表示面の点欠陥が無くなり見やすい
表示装置となるばかりでなく、生産歩留まりが格段に向
上するのでコスト引き下げに寄与する効果が大きい。
FIG. 12C is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. 120 in the figure
0 denotes an information processing apparatus, 12002 denotes an input unit such as a keyboard, 1204 denotes an information processing apparatus main body, and 1206 denotes a liquid crystal device of the present invention. When the liquid crystal device of the present invention is used in these electronic devices, not only the display device is free from point defects on the display surface and the display device is easy to see, but also the production yield is remarkably improved, and the effect of contributing to cost reduction is great.

【0053】他の電子機器の例として、本発明の液晶装
置を光変調装置として使用した、プロジェクタ(投射型
表示装置)の例を図13に示す。
FIG. 13 shows an example of a projector (projection display device) using the liquid crystal device of the present invention as a light modulation device as another example of electronic equipment.

【0054】本例のプロジェクタは、システム光軸Lに
沿って配置した光源部110、インテグレータレンズ1
20、変更変換素子130から概略構成される偏光照明
装置100、偏光照明装置100から出射されたS偏光
光束を、S偏光光束反射面201により反射させる偏光
ビームスプリッタ200、偏光ビームスプリッタ200
のS偏光反射面201から反射された光のうち、青色光
(B)の成分を分離するダイクロイックミラー412、
分離された青色光(B)を、青色光を変調する反射型液
晶光変調装置300B、青色光が分離された後の光束の
うち赤色光(R)の成分を反射させて分離するダイクロ
イックミラー413、分離された赤色光(R)を変調す
る反射型液晶光変調装置300R、ダイクロイックミラ
ー413を透過する残りの緑色光(G)を変調する反射
型液晶光変調装置300G、3つの反射型液晶光変調装
置300B、300R、300Gにて変調された光をダ
イクロイックミラー412、413、偏光ビームスプリ
ッタ200にて合成し、この合成光をスクリーン600
に投射する投射レンズからなる投射光学系500から構
成されている。上記3つの反射型液晶光変調装置300
R、300G、300Bには、それぞれ本発明の液晶装
置が使用されている。本発明の液晶装置を使用すること
により、製品不良の発生を抑制することができる。
The projector of this embodiment has a light source section 110 and an integrator lens 1 arranged along the system optical axis L.
20, a polarization illuminating device 100 schematically constituted by a conversion conversion element 130, a polarizing beam splitter 200 for reflecting an S-polarized light beam emitted from the polarized light illuminating device 100 by an S-polarized light beam reflecting surface 201, and a polarizing beam splitter 200
A dichroic mirror 412 that separates a blue light (B) component of the light reflected from the S-polarized light reflecting surface 201
A reflection type liquid crystal light modulator 300B that modulates the separated blue light (B) into blue light, and a dichroic mirror 413 that reflects and separates the red light (R) component of the light flux after the blue light is separated. , A reflective liquid crystal light modulator 300R for modulating the separated red light (R), a reflective liquid crystal light modulator 300G for modulating the remaining green light (G) passing through the dichroic mirror 413, and three reflective liquid crystal lights. The light modulated by the modulation devices 300B, 300R, and 300G is combined by the dichroic mirrors 412 and 413 and the polarization beam splitter 200, and the combined light is screen 600
The projection optical system 500 includes a projection lens that projects light to The above three reflective liquid crystal light modulators 300
The liquid crystal device of the present invention is used for each of R, 300G, and 300B. By using the liquid crystal device of the present invention, occurrence of product defects can be suppressed.

【0055】[0055]

【発明の効果】本発明によればは、ラビング処理工程に
於いてラビング方向のスイッチング素子前方に厚さの厚
い肉厚部があり、直線状の配線部との間でコーナー部分
が形成されるので、刷毛先に付着した異物をコーナー部
分で捕捉する効果を有する。その結果、異物の侵入を防
ぎ、異物を画素電極上で引きずり廻して駆動素子に当た
るのを阻止できる。また同時にラビング用の刷毛先によ
る衝撃を和らげる効果もあるので、スイッチング素子が
引っ掻き傷を受けることが無くなり、素子不良による点
欠陥も無くなり、高品質の画面が得られ、液晶パネルと
しての製造歩留まりが向上する効果を有する。
According to the present invention, in the rubbing process, there is a thick portion in front of the switching element in the rubbing direction, and a corner portion is formed between the thick portion and the linear wiring portion. Therefore, there is an effect that foreign matter adhering to the brush tip is captured at the corner portion. As a result, it is possible to prevent intrusion of foreign matter and to prevent the foreign matter from dragging on the pixel electrode and hitting the driving element. At the same time, it has the effect of reducing the impact of the rubbing brush tip, so that the switching element will not be scratched, there will be no point defects due to element failure, a high quality screen can be obtained, and the production yield as a liquid crystal panel will be reduced. It has the effect of improving.

【0056】また、引っ掻き傷をつける可能性が低くな
ることで、ラビング処理の際の刷毛の押し圧を高めるこ
とができるのでラビング効果が高まり、コントラストの
より強い高品質画面が得られるようになる効果を有す
る。
In addition, since the possibility of scratching is reduced, the pressing pressure of the brush during the rubbing process can be increased, so that the rubbing effect is enhanced and a high-quality screen with stronger contrast can be obtained. Has an effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 ラビング方向を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a rubbing direction.

【図2】 本発明に係わる液晶装置の一実施形態を示す
部分平面図である。
FIG. 2 is a partial plan view showing one embodiment of the liquid crystal device according to the present invention.

【図3】 本発明に係わる液晶装置に使用するTFD駆
動素子の一実施形態を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing one embodiment of a TFD drive element used in the liquid crystal device according to the present invention.

【図4】 図3のA−A’線に沿った断面構造を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional structure along the line AA ′ in FIG. 3;

【図5】 本発明に係わる液晶装置に使用するTFD駆
動素子の他の実施形態を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the TFD drive element used in the liquid crystal device according to the present invention.

【図6】 図5のB−B’線に沿った断面構造を示す図
である。
FIG. 6 is a diagram showing a cross-sectional structure along the line BB ′ of FIG. 5;

【図7】 本発明に係わる液晶装置に使用する、液晶パ
ネルの素子基板の一形態を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing one mode of an element substrate of a liquid crystal panel used in the liquid crystal device according to the present invention.

【図8】 図7のX−X’線に沿った断面構造を示す図
である。
8 is a diagram showing a cross-sectional structure along the line XX ′ of FIG. 7;

【図9】 素子基板と対向基板とを接着した状態を示す
図である。
FIG. 9 is a diagram showing a state where an element substrate and a counter substrate are bonded.

【図10】 本発明の他の一実施の形態を示す図であ
る。
FIG. 10 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【図11】 本発明のさらに他の一実施の形態を示す図
である。
FIG. 11 is a view showing still another embodiment of the present invention.

【図12】 本発明の液晶装置を使用した、電子機器の
例を示す図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus using the liquid crystal device of the present invention.

【図13】 本発明の液晶装置を使用した、電子機器の
他の例を示す図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating another example of an electronic apparatus using the liquid crystal device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・素子基板、 2・・・対向基板、 3・・・液晶注入口、 4・・・シール部、 5・・・封止部、 6・・・画素電極、 7・・・配線部、 8・・・肉厚部、 9・・・配向膜、 10・・・TFD駆動素子、 12・・・第1金属膜、 14・・・絶縁膜、 15・・・ITO膜、 16・・・第2金属膜、 20・・・TFD駆動素子、 22・・・第1金属膜、 24・・・絶縁膜、 26・・・第2金属膜、 30・・・液晶物質、 31・・・絶縁膜、 50・・・駆動用IC、 51・・・入力端子、 L、M・・・ラビング方向、 1000・・・携帯電話、 1100・・・腕時計、 1200・・・ノートパソコン、 100・・・偏光照明装置、 200・・・偏光ビームスプリッタ、 300・・・液晶光変調装置、 412・・・ダイクロイックミラー、 500・・・集光レンズ、 600・・・スクリーン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Element substrate, 2 ... Counter substrate, 3 ... Liquid crystal injection port, 4 ... Seal part, 5 ... Sealing part, 6 ... Pixel electrode, 7 ... Wiring part , 8: thick portion, 9: alignment film, 10: TFD drive element, 12: first metal film, 14: insulating film, 15: ITO film, 16 ... -2nd metal film, 20 ... TFD drive element, 22 ... 1st metal film, 24 ... insulating film, 26 ... 2nd metal film, 30 ... liquid crystal material, 31 ... Insulating film, 50: driving IC, 51: input terminal, L, M: rubbing direction, 1000: mobile phone, 1100: wristwatch, 1200: notebook computer, 100 ...・ Polarization illumination device, 200 ・ ・ ・ Polarization beam splitter, 300 ・ ・ ・ Liquid crystal light modulation device, 412 ・ ・ ・ Dichroic Mirror, 500 ... condenser lens, 600 ... screen

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に直線状の配線部、スイッチング
素子及び画素電極を形成してなる素子基板と、該素子基
板に対向して配置されている基板上に対向電極を形成し
てなる対向基板とを有し、該2枚の基板間に液晶材料を
有する液晶装置において、各画素電極間に該直線状の配
線部から伸びる肉厚部を具備していることを特徴とする
液晶装置。
1. An element substrate having a linear wiring portion, a switching element, and a pixel electrode formed on a substrate, and an opposing electrode formed on a substrate disposed opposite to the element substrate. A liquid crystal device comprising: a substrate; and a liquid crystal material having a liquid crystal material between the two substrates, comprising a thick portion extending from the linear wiring portion between each pixel electrode.
【請求項2】 基板上に直線状の配線部、スイッチング
素子と画素電極及び配向膜を形成してなる素子基板と、
該素子基板に対向して配置されている基板上に対向電極
及び配向膜を形成してなる対向基板とを有し、該2枚の
基板間に液晶材料を有する液晶装置において、各画素電
極間に該直線状の配線部から伸びる肉厚部を具備してい
ることを特徴とする液晶装置。
2. An element substrate having a linear wiring portion, a switching element, a pixel electrode, and an alignment film formed on the substrate.
A liquid crystal device having a counter electrode formed by forming a counter electrode and an alignment film on a substrate disposed opposite to the element substrate, and having a liquid crystal material between the two substrates; A liquid crystal device comprising a thick portion extending from the linear wiring portion.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の液晶装置
において、該肉厚部がスイッチング素子を通るラビング
方向の延長線上にあることを特徴とする液晶装置。
3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the thick portion is on an extension of a rubbing direction passing through the switching element.
【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の液晶装置において、該肉厚部が直線状の配線部から該
配線部に接続するスイッチング素子と同じ方向に伸びて
いることを特徴とする液晶装置。
4. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the thick portion extends from the linear wiring portion in the same direction as a switching element connected to the wiring portion. Characteristic liquid crystal device.
【請求項5】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の液晶装置において、該肉厚部が直線状の配線部から該
配線部に接続するスイッチング素子と反対方向に伸びて
いることを特徴とする液晶装置。
5. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the thick portion extends from the linear wiring portion in a direction opposite to a switching element connected to the wiring portion. Characteristic liquid crystal device.
【請求項6】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の液晶装置において、該肉厚部が直線状の配線部から該
配線部に接続するスイッチング素子と同じ方向と反対方
向の双方に伸びていることを特徴とする液晶装置。
6. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the thick portion extends from the linear wiring portion in both the same direction as the switching element connected to the wiring portion and the opposite direction. A liquid crystal device characterized by being elongated.
【請求項7】 請求項1から請求項5のいずれかに記載
の液晶装置において、該肉厚部がスイッチング素子と同
一の薄膜積層構造からなることを特徴とする液晶装置。
7. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the thick portion has the same thin film laminated structure as a switching element.
【請求項8】 請求項1から請求項6のいずれかに記載
の液晶装置において、該肉厚部が金属タンタル、酸化タ
ンタル、金属クロム及びインジウム錫酸化物の薄膜積層
構造からなることを特徴とする液晶装置。
8. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the thick portion has a thin film laminated structure of metal tantalum, tantalum oxide, metal chromium, and indium tin oxide. Liquid crystal device.
【請求項9】 基板上に直線状の配線部、スイッチング
素子及び画素電極を形成してなる素子基板と、該素子基
板に対向して配置されていて基板上に対向電極を形成し
てなる対向基板とを有し、該2枚の基板間に液晶材料を
封入する液晶装置の製造方法において、上記基板上にス
イッチング素子を形成する際に、各画素電極間にスイッ
チング素子の薄膜積層構造と同一の薄膜積層構造からな
り、直線状の配線部から伸びる肉厚部を形成することを
特徴とする液晶装置の製造方法。
9. An element substrate on which a linear wiring portion, a switching element, and a pixel electrode are formed on a substrate, and an opposing element which is disposed opposite to the element substrate and has an opposing electrode formed on the substrate. A liquid crystal device including a substrate and a liquid crystal material sealed between the two substrates, wherein when the switching element is formed on the substrate, the same as the thin film laminated structure of the switching element between each pixel electrode. A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: forming a thick portion extending from a linear wiring portion, comprising a thin film laminated structure of (1).
【請求項10】 基板上に直線状の配線部、スイッチン
グ素子及び画素電極を形成してなる素子基板と、該素子
基板に対向して配置されていて基板上に対向電極を形成
してなる対向基板とを有し、該2枚の基板間に液晶材料
を封入する液晶装置の製造方法において、上記基板上に
スイッチング素子を形成する際に、各画素電極間にスイ
ッチング素子の薄膜積層構造と同一の薄膜積層構造から
なり、直線状の配線部から伸びる肉厚部を形成し、次い
で画素電極の上に配向膜を塗布した後ラビング処理を施
して素子基板を得ることを特徴とする液晶装置の製造方
法。
10. An element substrate on which a linear wiring portion, a switching element, and a pixel electrode are formed on a substrate, and an opposing element which is disposed opposite to the element substrate and has an opposing electrode formed on the substrate. A liquid crystal device including a substrate and a liquid crystal material sealed between the two substrates, wherein when the switching element is formed on the substrate, the same as the thin film laminated structure of the switching element between each pixel electrode. A liquid crystal device comprising a thin film laminated structure, a thick portion extending from a linear wiring portion, a rubbing process after applying an alignment film on a pixel electrode, and an element substrate. Production method.
【請求項11】 請求項第1項から第8項のいずれかに
記載の液晶装置を表示装置として具備してなることを特
徴とする電子機器。
11. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to any one of claims 1 to 8 as a display device.
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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100803708B1 (en) * 2004-12-17 2008-02-15 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 Method of manufacturing liquid crystal display and liquid crystal display manufactured by the method

Cited By (2)

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US7751008B2 (en) 2004-12-17 2010-07-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of manufacturing a liquid crystal display with a barrier formed of TFT materials

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