JP2001068827A - Fine pattern forming device and method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は微細パターン形成装
置とこの装置を用いた微細パターン形成方法に係り、特
に液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラッ
トディスプレー製造のパターン形成やプリント配線板の
導体パターン形成等に応用できる微細パターン形成装置
と微細パターン形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fine pattern forming apparatus and a fine pattern forming method using the same, and more particularly to a pattern forming method for manufacturing a flat display such as a liquid crystal display or a plasma display, and a conductive pattern forming method for a printed wiring board. The present invention relates to a fine pattern forming apparatus and a fine pattern forming method applicable to the present invention.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、液晶ディスプレイ用のカラーフ
ィルタ等の微細パターンの形成は、フォトリソグラフィ
ー法、印刷法、電着法等により行なわれている。これら
の形成方法の中でも、精度、外観品位の点でフォトリソ
グラフィー法が優れている。また、プリント配線板の導
体パターンの形成においても、高精度な配線が可能なフ
ォトリソグラフィー法が用いられている。2. Description of the Related Art For example, a fine pattern such as a color filter for a liquid crystal display is formed by a photolithography method, a printing method, an electrodeposition method, or the like. Among these forming methods, the photolithography method is superior in terms of accuracy and appearance quality. Also, in forming a conductor pattern of a printed wiring board, a photolithography method capable of performing highly accurate wiring is used.
【０００３】フォトリソグラフィー法によるカラーフィ
ルタの製造の一例では、スパッタリングや蒸着等で成膜
されたクロム等の金属薄膜上に感光性レジストを塗布
し、フォトマスクを介して露光、現像によりレジストパ
ターンを作製し、これをマスクとして金属薄膜をエッチ
ングでパターニングすることによりブラックマトリック
スが形成される。次に、着色顔料を含有する感光性レジ
ストを塗布した後、フォトマスクを介して露光、現像す
ることによりカラーフィルタの着色層が形成される。一
方、プリント配線板は、銅めっき層上に感光性レジスト
のパターンを形成し、これをマスクとして銅めっき層を
エッチングすることにより導体パターンが製造される。In an example of manufacturing a color filter by a photolithography method, a photosensitive resist is applied on a thin metal film such as chromium formed by sputtering or evaporation, and a resist pattern is formed by exposing and developing through a photomask. A black matrix is formed by fabricating and using the mask as a mask to pattern the metal thin film by etching. Next, after a photosensitive resist containing a coloring pigment is applied, the resist is exposed and developed through a photomask to form a coloring layer of a color filter. On the other hand, in a printed wiring board, a conductor pattern is manufactured by forming a photosensitive resist pattern on a copper plating layer and etching the copper plating layer using the pattern as a mask.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
フォトリソグラフィー法を用いたカラーフィルタのパタ
ーン形成、導体パターン形成は工程が複雑であり、製造
コストの低減に支障を来たしていた。However, the process of forming a color filter pattern and a conductor pattern using the photolithography method described above is complicated, which hinders a reduction in manufacturing cost.
【０００５】本発明は上述のような実情に鑑みてなされ
たものであり、インキを直描することにより微細パター
ンを高い精度で形成することができる微細パターン形成
装置と、工程が簡便な微細パターン形成方法を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and a fine pattern forming apparatus capable of forming a fine pattern with high accuracy by directly drawing ink, and a fine pattern forming apparatus having a simple process. It is an object to provide a forming method.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の微細パターン形成装置は、シリコン
基板と、該シリコン基板の表面から裏面に貫通するよう
に設けられた複数の微細孔と、前記シリコン基板の表面
側に配設された支持部材と、前記シリコン基板表面側の
前記微細孔の開口部にインキを供給するためのインキ流
路と、該インキ流路に接続されたインキ供給装置と、を
備えるような構成とした。In order to achieve the above object, a fine pattern forming apparatus of the present invention comprises a silicon substrate and a plurality of fine patterns provided so as to penetrate from the front surface to the back surface of the silicon substrate. A hole, a support member disposed on the front surface side of the silicon substrate, an ink flow path for supplying ink to the opening of the fine hole on the silicon substrate surface side, and the ink flow path. And an ink supply device.
【０００７】また、本発明の微細パターン形成装置は、
前記シリコン基板裏面側の前記微細孔の開口部にノズル
が突設されているような構成とした。Further, the fine pattern forming apparatus of the present invention
The nozzle was configured so as to protrude from the opening of the fine hole on the back side of the silicon substrate.
【０００８】また、本発明の微細パターン形成装置は、
前記微細孔の壁面が珪素酸化物層を有し、前記ノズルは
珪素酸化物からなるような構成とした。Further, the fine pattern forming apparatus of the present invention comprises:
The wall surface of the micropores had a silicon oxide layer, and the nozzle was made of silicon oxide.
【０００９】また、本発明の微細パターン形成装置は、
前記微細孔の開口径が１〜１００μｍの範囲内、前記微
細孔の形成ピッチが１〜１０００μｍの範囲内であるよ
うな構成とした。Further, the fine pattern forming apparatus of the present invention
The configuration was such that the opening diameter of the micropores was in the range of 1 to 100 μm, and the pitch of the micropores was in the range of 1 to 1000 μm.
【００１０】また、本発明の微細パターン形成装置は、
支持部材の線膨張係数が、前記シリコン基板の線膨張係
数の１／１０倍〜１０倍の範囲内にあるような構成とし
た。Further, the fine pattern forming apparatus according to the present invention comprises:
The configuration was such that the linear expansion coefficient of the support member was in the range of 1/10 to 10 times the linear expansion coefficient of the silicon substrate.
【００１１】また、本発明の微細パターン形成装置は、
前記微細孔の軸方向に垂直な横断面形状が円形、楕円形
および多角形の１種または２種以上であるような構成と
した。Further, the fine pattern forming apparatus of the present invention comprises:
The cross-sectional shape of the micropores perpendicular to the axial direction was one or more of a circle, an ellipse, and a polygon.
【００１２】また、本発明の微細パターン形成装置は、
前記微細孔の軸方向に沿った縦断面形状が長方形、シリ
コン基板裏面側が狭い台形のいずれかであるような構成
とした。Further, the fine pattern forming apparatus of the present invention comprises:
The vertical cross-sectional shape along the axial direction of the fine hole was a rectangle, or the trapezoidal shape on the back side of the silicon substrate was a trapezoid.
【００１３】さらに、本発明の微細パターン形成装置
は、前記微細孔が２以上にグループ分けがなされ、各微
細孔グループごとに別個のインキ流路を備えるような構
成とした。Further, the fine pattern forming apparatus of the present invention is configured such that the fine holes are divided into two or more groups, and a separate ink flow path is provided for each fine hole group.
【００１４】本発明の微細パターンの形成方法は、上述
のような微細パターン形成装置とパターン被形成体とを
相対的に所定方向に走査させながら、インキ流路から供
給されたインキを各微細孔を介してパターン被形成体上
に連続的に吐出させることにより、ストライプ状パター
ンを形成するような構成とした。In the method of forming a fine pattern according to the present invention, the ink supplied from the ink flow path is supplied to each of the fine holes while the fine pattern forming apparatus and the pattern forming body are relatively scanned in a predetermined direction. , A stripe-shaped pattern is formed by continuously ejecting the pattern on the pattern formation body.
【００１５】また、パターンの各構成ストライプを、前
記走査方向に沿って同じ列上に配設された複数の微細孔
からインキを供給して形成するような構成とした。Each of the constituent stripes of the pattern is formed by supplying ink from a plurality of fine holes arranged on the same row along the scanning direction.
【００１６】さらに、本発明の微細パターンの形成方法
は、上述のような微細パターン形成装置をパターン被形
成体の所定位置に配置し、インキ流路から供給された一
定量のインキを各微細孔を介してパターン被形成体上に
吐出させることによりパターンを形成するような構成と
した。Further, in the method of forming a fine pattern according to the present invention, the above-described fine pattern forming apparatus is disposed at a predetermined position on a pattern forming object, and a predetermined amount of ink supplied from an ink flow path is supplied to each fine hole. The pattern is formed by discharging the ink on the pattern forming body through the substrate.
【００１７】このような本発明では、シリコン基板の微
細孔から吐出されたインキがパターン被形成体上に付着
して直接描画がなされ、インキ供給量を変えることによ
りインキ付着量を任意に変えることができる。According to the present invention, the ink ejected from the fine holes of the silicon substrate adheres to the pattern-formed body and the image is directly drawn, and the ink adhesion amount can be changed arbitrarily by changing the ink supply amount. Can be.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１９】微細パターン形成装置 （第１の実施形態）図１は本発明の微細パターン形成装
置の一実施形態を示す概略断面図である。図１におい
て、微細パターン形成装置１は、シリコン基板２と、こ
のシリコン基板２の表面２Ａ側に配設された支持部材６
と、シリコン基板２と支持部材６との空隙部にインキを
供給するインキ流路８と、このインキ流路８に接続され
たインキ供給装置９とを備えている。The fine pattern forming apparatus (First Embodiment) FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a fine pattern forming apparatus of the present invention. In FIG. 1, a fine pattern forming apparatus 1 includes a silicon substrate 2 and a support member 6 disposed on the surface 2A side of the silicon substrate 2.
And an ink passage 8 for supplying ink to a gap between the silicon substrate 2 and the support member 6, and an ink supply device 9 connected to the ink passage 8.
【００２０】シリコン基板２は、表面２Ａ側から裏面２
Ｂ側に貫通する複数の微細孔３を備え、この微細孔３の
表面２Ａ側の開口部３ａは、上記のシリコン基板２と支
持部材６とにより形成されている空隙部に露出してい
る。シリコン基板２の材質はシリコンの単結晶が好まし
く、厚みは２００〜５００μｍ程度が好ましい。このよ
うなシリコン基板２は、その線膨張係数が約２．６×１
０-6／Ｋと低いため、温度による形状変化が極めて小さ
いものである。The silicon substrate 2 extends from the front surface 2A side to the back surface 2A.
A plurality of fine holes 3 penetrating to the B side are provided, and an opening 3a on the surface 2A side of the fine holes 3 is exposed to a void formed by the silicon substrate 2 and the support member 6. The material of the silicon substrate 2 is preferably a single crystal of silicon, and the thickness is preferably about 200 to 500 μm. Such a silicon substrate 2 has a linear expansion coefficient of about 2.6 × 1.
Since it is as low as 0 -6 / K, the shape change due to temperature is extremely small.
【００２１】微細孔３は、その軸方向に垂直な横断面形
状（シリコン基板２の表面２Ａに平行な断面）が円形、
その軸方向に沿った縦断面形状（シリコン基板２の表面
２Ａに垂直な断面）が長方形である円柱形状の空間から
なるものであり、その壁面には珪素酸化物層４が設けら
れている。通常、この珪素酸化物層４の厚みは５０００
〜１００００Å程度である。図示例では、珪素酸化物層
４を備えた微細孔３の開口径、形成数、形成ピッチ等
は、装置の構成を説明するために簡略化してあるが、微
細孔３の開口径は１〜１００μｍ程度、微細孔３のアス
ペクト比は１〜１００程度の範囲で適宜設定することが
できる。また、微細孔３の形成数および形成ピッチは、
微細パターン形成装置１により形成するパターンの形
状、形成方法等に応じて適宜設定することができ、形成
ピッチは最小で１μｍ程度が好ましい。The fine hole 3 has a circular cross section perpendicular to its axial direction (a cross section parallel to the surface 2A of the silicon substrate 2).
The longitudinal section along the axial direction (the section perpendicular to the surface 2A of the silicon substrate 2) is a rectangular space having a rectangular shape, and the silicon oxide layer 4 is provided on the wall surface. Usually, the thickness of this silicon oxide layer 4 is 5000
It is about 10000Å. In the illustrated example, the opening diameter, number of formations, formation pitches, and the like of the fine holes 3 having the silicon oxide layer 4 are simplified to explain the configuration of the apparatus. The aspect ratio of the fine holes 3 can be appropriately set in the range of about 1 to 100. The number and pitch of the fine holes 3 are as follows:
It can be appropriately set according to the shape of the pattern formed by the fine pattern forming apparatus 1, the forming method, and the like, and the formation pitch is preferably at least about 1 μm.
【００２２】微細孔３の横断面形状は、上記の円形の他
に楕円形、多角形等、あるいは、特殊な形状であっても
よい。また、微細孔３が、横断面形状が異なる２種以上
の微細孔からなるものでもよい。横断面形状が楕円形、
長方形の場合、長手方向の開口径は５〜５００μｍの範
囲で適宜設定することができる。また、微細孔３の縦断
面形状は、上記の長方形の他に、シリコン基板２の裏面
２Ｂ側が狭い台形（テーパー形状）であってもよい。The cross-sectional shape of the fine hole 3 may be elliptical, polygonal, or a special shape other than the circular shape. Further, the fine holes 3 may be composed of two or more kinds of fine holes having different cross-sectional shapes. Oval cross section,
In the case of a rectangle, the opening diameter in the longitudinal direction can be appropriately set in a range of 5 to 500 μm. The vertical cross-sectional shape of the fine hole 3 may be a trapezoid (taper shape) in which the back surface 2B side of the silicon substrate 2 is narrow, in addition to the above-described rectangle.
【００２３】支持部材６は、上述のシリコン基板２の表
面２Ａ側に配設され、シリコン基板２を保持するための
ものである。図示例では、支持部材６はシリコン基板２
と同じ平面形状の基部６ａと、この基部６ａの周縁に設
けられたフランジ部６ｂ、基部６ａの中央に設けられた
開口部６ｃからなり、フランジ部６ｂにてシリコン基板
２の表面２Ａ側の周辺部と固着されている。これによ
り、シリコン基板２と支持部材６との間にインキが供給
される空間が形成されている。この支持部材６は、その
線膨張係数がシリコン基板２の線膨張係数の１／１０倍
〜１０倍の範囲内の材料、例えば、パイレックスガラス
（商品名コーニング＃７７４０、線膨張係数＝３．５×
１０-6／Ｋ）、ＳＵＳ３０４（線膨張係数＝１７．３×
１０-6／Ｋ）等を用いることが好ましい。これにより、
熱によるシリコン基板２と支持部材６との間に発生する
歪が極めて小さいものとなり、シリコン基板２の平坦性
が保たれ、位置精度の高いパターン形成が可能となる。The support member 6 is provided on the surface 2 A of the silicon substrate 2 and holds the silicon substrate 2. In the illustrated example, the support member 6 is a silicon substrate 2
A base 6a having the same planar shape as above, a flange 6b provided at the periphery of the base 6a, and an opening 6c provided at the center of the base 6a, and the periphery of the front surface 2A side of the silicon substrate 2 at the flange 6b. It is fixed to the part. Thereby, a space for supplying ink is formed between the silicon substrate 2 and the support member 6. The support member 6 is made of a material having a linear expansion coefficient in the range of 1/10 to 10 times the linear expansion coefficient of the silicon substrate 2, for example, Pyrex glass (trade name: Corning # 7740, linear expansion coefficient = 3.5). ×
10 −6 / K), SUS304 (linear expansion coefficient = 17.3 ×)
It is preferable to use 10 −6 / K) or the like. This allows
The distortion generated between the silicon substrate 2 and the support member 6 due to heat is extremely small, the flatness of the silicon substrate 2 is maintained, and a pattern with high positional accuracy can be formed.
【００２４】インキ流路８は、上記の支持部材６の開口
部６ｃに接続され、その他端はインキ供給装置９に接続
されている。図示例では、パイプ形状のインキ流路８が
１つ接続されているが、微細パターン形成装置１の大き
さ、インキ流圧の均一性等を考慮して、開口部６ｃを複
数設け、各開口部６ｃにインキ流路８を接続してもよ
い。また、支持部材６やシリコン基板２を加工すること
により、インキ流路を支持部材６および／またはシリコ
ン基板２の内部に形成してもよい。The ink flow path 8 is connected to the opening 6c of the support member 6, and the other end is connected to an ink supply device 9. Although one pipe-shaped ink flow path 8 is connected in the illustrated example, a plurality of openings 6c are provided in consideration of the size of the fine pattern forming apparatus 1, the uniformity of the ink flow pressure, and the like. The ink passage 8 may be connected to the portion 6c. Further, by processing the support member 6 and the silicon substrate 2, an ink flow path may be formed inside the support member 6 and / or the silicon substrate 2.
【００２５】インキ供給装置９は特に制限はなく、連続
供給ポンプ、定量供給ポンプ等いずれであってもよく、
微細パターン形成装置１の使用目的に応じて適宜選択す
ることができる。The ink supply device 9 is not particularly limited, and may be a continuous supply pump, a fixed-rate supply pump, or the like.
It can be appropriately selected according to the purpose of use of the fine pattern forming apparatus 1.
【００２６】このような本発明の微細パターン形成装置
１は、シリコン基板２の微細孔３からインキを微量かつ
高精度で吐出させることができ、また、インキ供給装置
９を制御して供給量を変えることによってインキ吐出量
を任意に設定することが可能である。したがって、直接
描画によりパターン被形成体上に高精度のパターンを安
定して形成することができる。The fine pattern forming apparatus 1 according to the present invention can discharge a small amount of ink from the fine holes 3 of the silicon substrate 2 with high precision, and control the ink supply device 9 to reduce the supply amount. It is possible to arbitrarily set the ink discharge amount by changing. Therefore, a high-precision pattern can be stably formed on the pattern forming object by direct writing.
【００２７】（第２の実施形態）図２は本発明の微細パ
ターン形成装置の他の実施形態を示す概略断面図であ
る。図２に示されるように、微細パターン形成装置１′
は、基本構造は上記の微細パターン形成装置１と同じで
あり、シリコン基板２の裏面２Ｂ側の微細孔３の開口部
３ｂにノズル５が突設されたものである。このノズル５
は、珪素酸化物からなり、上記の珪素酸化物層４と一体
的に形成され、突出量は０〜１００μｍの範囲で適宜設
定することができる。このようなノズル５を設けること
により、微細孔３から吐出されたインキがシリコン基板
２の裏面２Ｂ側に付着することが防止される。(Second Embodiment) FIG. 2 is a schematic sectional view showing another embodiment of the fine pattern forming apparatus of the present invention. As shown in FIG. 2, the fine pattern forming apparatus 1 '
The basic structure is the same as that of the fine pattern forming apparatus 1 described above, and a nozzle 5 is protruded from the opening 3b of the fine hole 3 on the back surface 2B side of the silicon substrate 2. This nozzle 5
Is made of silicon oxide, is formed integrally with the silicon oxide layer 4, and the protrusion amount can be appropriately set in a range of 0 to 100 μm. By providing such a nozzle 5, the ink ejected from the fine holes 3 is prevented from adhering to the back surface 2 </ b> B side of the silicon substrate 2.
【００２８】（第３の実施形態）図３は本発明の微細パ
ターン形成装置の他の実施形態を示す概略断面図であ
り、図４は図３に示される微細パターン形成装置の底面
図である。図３および図４において、微細パターン形成
装置１１は、連続した３つの装置部１１ａ，１１ｂ，１
１ｃからなり、共通のシリコン基板１２と、このシリコ
ン基板１２の表面１２Ａ側に配設された３つの支持部材
１６と、シリコン基板１２と各支持部材１６との空隙部
にインキを供給する３つのインキ流路１８と、これらの
インキ流路１８に接続されたインキ供給装置１９ａ，１
９ｂ，１９ｃとを備えている。(Third Embodiment) FIG. 3 is a schematic sectional view showing another embodiment of the fine pattern forming apparatus of the present invention, and FIG. 4 is a bottom view of the fine pattern forming apparatus shown in FIG. . 3 and 4, the fine pattern forming apparatus 11 includes three continuous device sections 11a, 11b, 1
1c, a common silicon substrate 12, three support members 16 disposed on the surface 12A side of the silicon substrate 12, and three ink members for supplying ink to the gaps between the silicon substrate 12 and each support member 16. Ink flow paths 18 and ink supply devices 19a, 1 connected to these ink flow paths 18
9b and 19c.
【００２９】シリコン基板１２は、各装置部１１ａ，１
１ｂ，１１ｃごとに、表面１２Ａ側から裏面１２Ｂ側に
貫通する複数の微細孔１３を備え、この微細孔１３の表
面１２Ａ側の開口部１３ａは、シリコン基板１２と各支
持部材１６とにより形成されている各空隙部に露出して
いる。シリコン基板１２の材質は上述のシリコン基板２
と同様とすることができ、厚みもシリコン基板２と同様
の範囲で設定することができる。The silicon substrate 12 is provided with each device section 11a, 1
Each of 1b and 11c is provided with a plurality of fine holes 13 penetrating from the front surface 12A side to the rear surface 12B side, and the opening 13a of the fine holes 13 on the front surface 12A side is formed by the silicon substrate 12 and each support member 16. Exposed in each of the voids. The material of the silicon substrate 12 is the silicon substrate 2 described above.
The thickness can be set in the same range as that of the silicon substrate 2.
【００３０】微細孔１３は、各装置部１１ａ，１１ｂ，
１１ｃごとに所定の方向（図４の矢印Ａ方向）に沿って
同列上に複数配置するようなパターンで形成されてい
る。すなわち、装置部１１ａでは、矢印Ａ方向に沿って
配置された微細孔１３の列がピッチＰ１で複数列形成さ
れ、同様に、装置部１１ｂ、装置部１１ｃでも、微細孔
１３の列がピッチＰ１で複数列形成されている。そし
て、各装置部１１ａ，１１ｂ，１１ｃにおける微細孔１
３の列は、相互にピッチＰ２（Ｐ１＝３×Ｐ２）で位置
がずれているので、微細パターン形成装置１１全体とし
ては、ピッチＰ２で各装置部１１ａ，１１ｂ，１１ｃの
微細孔列が繰り返し配列されたものとなっている。この
ような微細孔１３の横断面形状、縦断面形状、開口径、
形成ピッチは、上述の微細孔３と同様にして適宜設定で
きる。また、微細孔１３の壁面に形成されている珪素酸
化物層１４も、上述の珪素酸化物層４と同様とすること
ができる。尚、図示例では、珪素酸化物層１４を備えた
微細孔１３の開口径、形成数、形成ピッチ等は、装置の
構成の説明を容易とするために簡略化してある。The fine holes 13 are provided in the respective device sections 11a, 11b,
It is formed in such a pattern that a plurality thereof are arranged on the same row along a predetermined direction (the direction of arrow A in FIG. 4) for each 11c. That is, in the device section 11a, a plurality of rows of the fine holes 13 arranged along the direction of the arrow A are formed at a pitch P1, and similarly, in the device sections 11b and 11c, the rows of the fine holes 13 are formed at the pitch P1. In a plurality of rows. Then, the fine holes 1 in each of the device sections 11a, 11b, 11c
Row 3 is displaced from each other at a pitch P2 (P1 = 3 × P2). Therefore, as a whole of the fine pattern forming apparatus 11, a row of fine holes of each of the device portions 11a, 11b, 11c is repeated at a pitch P2. They are arranged. The cross-sectional shape, vertical cross-sectional shape, opening diameter,
The formation pitch can be appropriately set in the same manner as in the case of the fine holes 3 described above. Further, the silicon oxide layer 14 formed on the wall surface of the fine hole 13 can be the same as the silicon oxide layer 4 described above. Note that, in the illustrated example, the opening diameter, number of formations, formation pitches, and the like of the fine holes 13 having the silicon oxide layer 14 are simplified to facilitate the description of the configuration of the device.
【００３１】支持部材１６は、上述のシリコン基板１２
の表面１２Ａ側に配設され、シリコン基板１２を保持す
るためのものである。図示例では、支持部材１６は、上
述の支持部材６と同様に、シリコン基板１２と同じ平面
形状の基部１６ａと、この基部１６ａの周縁に設けられ
たフランジ部１６ｂ、基部１６ａの中央に設けられた開
口部１６ｃからなり、フランジ部１６ｂにてシリコン基
板１２の表面１２Ａ側に固着されている。これにより、
シリコン基板１２と各支持部材１６との間にインキが供
給される空隙が形成されている。この支持部材１６の材
質は、上述の支持部材６と同様に、その線膨張係数がシ
リコン基板１２の線膨張係数の１／１０倍〜１０倍の範
囲内の材料を用いることが好ましい。The support member 16 is formed of the silicon substrate 12 described above.
Is provided on the side of the surface 12A of the substrate and holds the silicon substrate 12. In the illustrated example, the support member 16 is provided at the center of the base 16a, the flange 16b provided on the peripheral edge of the base 16a, and the center of the base 16a, similarly to the support member 6 described above. The opening 16c is fixed to the surface 12A of the silicon substrate 12 at the flange 16b. This allows
A gap for supplying ink is formed between the silicon substrate 12 and each support member 16. As for the material of the support member 16, it is preferable to use a material having a linear expansion coefficient in the range of 1/10 to 10 times the linear expansion coefficient of the silicon substrate 12, similarly to the above-described support member 6.
【００３２】インキ流路１８は、上記の各支持部材１６
の開口部１６ｃに接続され、その他端はインキ供給装置
１９ａ，１９ｂ，１９ｃに接続されている。インキ供給
装置１９ａ，１９ｂ，１９ｃは、連続供給ポンプ、定量
供給ポンプ等、微細パターン形成装置１１の使用目的に
応じて適宜選択することができる。尚、図示例では、各
支持部材１６に設けられているインキ流路１８は１つで
あるが、インキ流圧の均一性等を考慮して、１つの支持
部材１６に複数の開口部１６ｃを設け、各開口部１６ｃ
にインキ流路１８を接続してもよい。また、インキ流路
を支持部材１６の内部に形成してもよい。The ink flow path 18 is provided for each of the support members 16 described above.
The other end is connected to the ink supply device 19a, 19b, 19c. The ink supply devices 19a, 19b, and 19c can be appropriately selected according to the purpose of use of the fine pattern forming device 11, such as a continuous supply pump and a fixed-rate supply pump. In the illustrated example, the number of the ink passages 18 provided in each support member 16 is one. However, in consideration of the uniformity of the ink flow pressure and the like, a plurality of openings 16 c are provided in one support member 16. Provided, each opening 16c
May be connected to the ink flow path 18. Further, the ink flow path may be formed inside the support member 16.
【００３３】このような本発明の微細パターン形成装置
１１は、シリコン基板１２の微細孔１３からインキを微
量かつ高精度で吐出させることができ、また、インキ供
給装置１９ａ，１９ｂ，１９ｃから別種のインキを供給
することにより、各装置部１１ａ，１１ｂ，１１ｃごと
に所望のインキで直接描画によるパターン形成ができ、
特に、後述する本発明の形成方法によるストライプ状パ
ターンの形成に有利である。そして、微細パターン形成
装置１１は、各装置部１１ａ，１１ｂ，１１ｃが一体と
なっているので、複数の装置を接合する必要がなく、か
つ、各装置の位置精度が極めて高いものとなる。さら
に、インキ供給装置１９ａ，１９ｂ，１９ｃを制御して
供給量を変えることによってインキ吐出量を任意に設定
することが可能である。The fine pattern forming apparatus 11 of the present invention can discharge a very small amount of ink from the fine holes 13 of the silicon substrate 12 with high precision, and can use a different kind of ink from the ink supply apparatuses 19a, 19b and 19c. By supplying the ink, a pattern can be formed by direct drawing with a desired ink for each of the device sections 11a, 11b, and 11c.
In particular, it is advantageous for forming a stripe pattern by the formation method of the present invention described later. Since the fine pattern forming apparatus 11 has the unit sections 11a, 11b, and 11c integrated, there is no need to join a plurality of apparatuses, and the positional accuracy of each apparatus is extremely high. Further, it is possible to arbitrarily set the ink discharge amount by controlling the ink supply devices 19a, 19b, and 19c to change the supply amount.
【００３４】尚、微細パターン形成装置１１において
も、図２に示されるようなノズルをシリコン基板１２の
裏面１２Ｂ側の微細孔１３の開口部１３ｂに突設しても
よい。In the fine pattern forming apparatus 11 as well, a nozzle as shown in FIG. 2 may be protruded from the opening 13b of the fine hole 13 on the back surface 12B side of the silicon substrate 12.
【００３５】（第４の実施形態）図５は本発明の微細パ
ターン形成装置の他の実施形態を示す図であり、（Ａ）
は概略断面図、（Ｂ）は底面図である。図５において、
微細パターン形成装置２１は、シリコン基板２２と、こ
のシリコン基板２２の表面２２Ａ側に配設された支持部
材２６と、シリコン基板２２および支持部材２６内に形
成された３種のインキ流路２８ａ，２８ｂ，２８ｃと、
各インキ流路に接続されたインキ供給装置２９ａ，２９
ｂ，２９ｃとを備えている。(Fourth Embodiment) FIG. 5 is a view showing another embodiment of the fine pattern forming apparatus of the present invention, and FIG.
Is a schematic sectional view, and (B) is a bottom view. In FIG.
The fine pattern forming apparatus 21 includes a silicon substrate 22, a support member 26 disposed on the surface 22 </ b> A side of the silicon substrate 22, and three types of ink flow paths 28 a formed in the silicon substrate 22 and the support member 26. 28b, 28c,
Ink supply devices 29a, 29 connected to each ink flow path
b, 29c.
【００３６】シリコン基板２２は表面２２Ａ側から裏面
２２Ｂ側に貫通する複数の微細孔２３を備え、この微細
孔２３の表面２２Ａ側の開口部２３ａは、表面２２Ａ側
に溝状に形成された３種のインキ流路２８ａ，２８ｂ，
２８ｃ内のいずれかに露出している。シリコン基板２２
の材質は上述のシリコン基板２と同様とすることがで
き、厚みもシリコン基板２と同様の範囲で設定すること
ができる。The silicon substrate 22 has a plurality of fine holes 23 penetrating from the front surface 22A side to the rear surface 22B side, and the opening 23a on the front surface 22A side of the fine holes 23 is formed in a groove shape on the front surface 22A side. Kinds of ink flow paths 28a, 28b,
28c. Silicon substrate 22
Can be the same as that of the silicon substrate 2 described above, and the thickness can be set in the same range as that of the silicon substrate 2.
【００３７】微細孔２３は所定の方向（図５（Ｂ）の矢
印ａ方向）に沿って同列上に複数配置され、この列がピ
ッチＰで複数形成されている。図示例では、矢印ａ方向
に沿って複数の微細孔が配列された６本の微細孔列２３
Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，２３Ｄ，２３Ｅ，２３Ｆがピッチ
Ｐで形成されている。このような微細孔２３の横断面形
状、縦断面形状、開口径、形成ピッチは、上述の微細孔
３と同様にして適宜設定できる。また、微細孔２３の壁
面に形成されている珪素酸化物層２４も、上述の珪素酸
化物層４と同様とすることができる。尚、図示例では、
珪素酸化物層２４を備えた微細孔２３の開口径、形成
数、形成ピッチ等は、装置の構成の説明を容易にするた
めに簡略化してある。A plurality of fine holes 23 are arranged on the same row along a predetermined direction (the direction of arrow a in FIG. 5B), and a plurality of rows are formed at a pitch P. In the illustrated example, six micro-hole rows 23 in which a plurality of micro-holes are arranged along the direction of arrow a.
A, 23B, 23C, 23D, 23E and 23F are formed at a pitch P. The cross-sectional shape, vertical cross-sectional shape, opening diameter, and formation pitch of such fine holes 23 can be appropriately set in the same manner as in the above-described fine holes 3. Further, the silicon oxide layer 24 formed on the wall surface of the fine hole 23 can be the same as the silicon oxide layer 4 described above. In the example shown,
The opening diameter, number of formations, formation pitches, and the like of the fine holes 23 having the silicon oxide layer 24 are simplified to facilitate description of the configuration of the device.
【００３８】支持部材２６は、上述のシリコン基板２２
の表面２２Ａ側に配設されてシリコン基板２２を保持す
る板状の部材であり、かつ、支持部材２６のシリコン基
板２２側にはインキ流路２８ｃが溝状に形成されてい
る。The support member 26 is formed of the silicon substrate 22 described above.
Is a plate-shaped member arranged on the surface 22A side of the support member 26 to hold the silicon substrate 22, and an ink flow path 28c is formed in a groove shape on the silicon substrate 22 side of the support member 26.
【００３９】図６は、図５（Ａ）に示されるシリコン基
板２２のＡ−Ａ線矢視における横断面図、図７は図５
（Ａ）に示される支持部材２６のＢ−Ｂ線矢視における
横断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the silicon substrate 22 shown in FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the support member 26 shown in FIG.
【００４０】図５（Ａ）および図６に示されるように、
シリコン基板２２には、微細孔列２３Ａ，２３Ｄの各開
口部とインキ供給装置２９ａとを接続するように形成さ
れた溝状のインキ流路２８ａ、および、微細孔列２３
Ｂ，２３Ｅの各開口部とインキ供給装置２９ｂとを接続
するように形成された溝状のインキ流路２８ｂとが形成
されている。また、微細孔列２３Ｃ，２３Ｆの各開口部
上にインキ流路２８ｃが溝状に形成されている。さら
に、図５（Ａ）および図７に示されるように、支持部材
２６には、微細孔列２３Ｃ，２３Ｆの各開口部とインキ
供給装置２９ｃとを接続するように形成された溝状のイ
ンキ流路２８ｃが形成されている。As shown in FIGS. 5A and 6,
In the silicon substrate 22, a groove-shaped ink flow path 28a formed to connect each opening of the fine hole arrays 23A and 23D and the ink supply device 29a, and the fine hole array 23
A groove-shaped ink flow path 28b formed to connect each opening of B and 23E and the ink supply device 29b is formed. In addition, an ink flow path 28c is formed in a groove shape on each opening of the fine hole rows 23C and 23F. Further, as shown in FIGS. 5 (A) and 7, a groove-shaped ink formed to connect each opening of the fine hole arrays 23C and 23F and the ink supply device 29c is provided on the support member 26. A channel 28c is formed.
【００４１】このような支持部材２６とシリコン基板２
２との間に形成される３種のインキ流路２８ａ，２８
ｂ，２８ｃは、図８に示されるように、相互に独立して
いる。尚、支持部材２６の材質は、上述の支持部材６と
同様に、その線膨張係数がシリコン基板２２の線膨張係
数の１／１０倍〜１０倍の範囲内の材料を用いることが
好ましい。The supporting member 26 and the silicon substrate 2
And two types of ink flow paths 28a, 28 formed between them.
b and 28c are independent of each other as shown in FIG. The material of the support member 26 is preferably a material having a linear expansion coefficient in the range of 1/10 to 10 times the linear expansion coefficient of the silicon substrate 22, as in the case of the above-described support member 6.
【００４２】上述の各インキ流路２８ａ，２８ｂ，２８
ｃの端部はインキ供給装置２９ａ，２９ｂ，２９ｃに接
続されている。インキ供給装置２９ａ，２９ｂ，２９ｃ
には特に制限はなく、連続供給ポンプ、定量供給ポンプ
等いずれでもよく、微細パターン形成装置２１の使用目
的に応じて適宜選択することができる。The above-described ink flow paths 28a, 28b, 28
The end of c is connected to the ink supply devices 29a, 29b, 29c. Ink supply devices 29a, 29b, 29c
Is not particularly limited, and may be any of a continuous supply pump, a fixed-rate supply pump, and the like, and can be appropriately selected according to the purpose of use of the fine pattern forming apparatus 21.
【００４３】このような本発明の微細パターン形成装置
２１は、シリコン基板２２の微細孔２３からインキを微
量かつ高精度で吐出させることができ、また、インキ供
給装置２９ａ，２９ｂ，２９ｃから別種のインキを供給
することにより、各インキ流路２８ａ，２８ｂ，２８ｃ
に対応してグループ分け（微細孔列２３Ａと２３Ｄのグ
ループ、微細孔列２３Ｂと２３Ｅのグループ、微細孔列
２３Ｃと２３Ｆのグループ）された微細孔列ごとに所望
のインキで直接描画によるパターン形成ができ、特に、
後述する本発明の形成方法によるストライプ状パターン
の形成に有利である。そして、微細パターン形成装置２
１は、各インキごとに複数の装置を接合したものでない
ため、各微細孔列の位置精度が極めて高いものとなる。
さらに、インキ供給装置２９ａ，２９ｂ，２９ｃを制御
して供給量を変えることによってインキ吐出量を任意に
設定することが可能である。The fine pattern forming apparatus 21 of the present invention can discharge a very small amount of ink from the fine holes 23 of the silicon substrate 22 with high precision, and can use a different type of ink from the ink supply apparatuses 29a, 29b, and 29c. By supplying ink, each ink flow path 28a, 28b, 28c
Pattern formation by direct drawing with desired ink for each of the micro-hole rows divided into groups (group of micro-hole rows 23A and 23D, group of micro-hole rows 23B and 23E, group of micro-hole rows 23C and 23F) In particular,
This is advantageous for forming a stripe pattern by the formation method of the present invention described later. Then, the fine pattern forming apparatus 2
In No. 1, since a plurality of devices are not joined for each ink, the positional accuracy of each fine hole row is extremely high.
Further, it is possible to arbitrarily set the ink discharge amount by controlling the ink supply devices 29a, 29b, and 29c to change the supply amount.
【００４４】尚、微細パターン形成装置２１において
も、図２に示されるようなノズルをシリコン基板２２の
裏面２２Ｂ側の微細孔２３の開口部２３ｂに突設しても
よい。Incidentally, also in the fine pattern forming apparatus 21, a nozzle as shown in FIG. 2 may be protruded from the opening 23b of the fine hole 23 on the back surface 22B side of the silicon substrate 22.
【００４５】（第５の実施形態）図９は本発明の微細パ
ターン形成装置の他の実施形態を示す平面図である。図
９において、微細パターン形成装置３１は、シリコン基
板３２と、このシリコン基板３２の表面３２Ａ側に配設
された支持部材と、シリコン基板３２と支持部材との空
隙部にインキを供給するインキ流路と、このインキ流路
に接続されたインキ供給装置とを備えている。ただし、
図９では、シリコン基板３２のみを示し、支持部材、イ
ンキ流路、インキ供給装置は図示していない。(Fifth Embodiment) FIG. 9 is a plan view showing another embodiment of the fine pattern forming apparatus of the present invention. In FIG. 9, a fine pattern forming apparatus 31 includes a silicon substrate 32, a support member disposed on the surface 32 </ b> A side of the silicon substrate 32, and an ink flow for supplying ink to a gap between the silicon substrate 32 and the support member. And an ink supply device connected to the ink flow path. However,
FIG. 9 shows only the silicon substrate 32, and does not show the support member, the ink flow path, and the ink supply device.
【００４６】シリコン基板３２は表面２２Ａ側から裏面
側に貫通する複数の微細孔３３を備え、この微細孔３３
が１つのパターン３５をなすような位置に形成され、か
つ、複数（図示例では１０個）のパターン３５がシリコ
ン基板３２に設けられている。尚、微細孔３３は１つの
パターン３５においてのみ示し、他のパターン３５はそ
の輪郭のみを鎖線で示してある。The silicon substrate 32 has a plurality of fine holes 33 penetrating from the front surface 22A side to the rear surface side.
Are formed at positions forming one pattern 35, and a plurality of (ten in the illustrated example) patterns 35 are provided on the silicon substrate 32. Note that the fine holes 33 are shown only in one pattern 35, and in the other patterns 35, only the outline thereof is shown by a chain line.
【００４７】シリコン基板３２の材質は上述のシリコン
基板２と同様とすることができ、厚みもシリコン基板２
と同様の範囲で設定することができる。また、微細孔３
３の横断面形状、縦断面形状、開口径、形成ピッチは、
上述の微細孔３と同様にして適宜設定できる。また、微
細孔３３は壁面に珪素酸化物層を備えるものでよく、こ
の珪素酸化物層も上述の珪素酸化物層４と同様とするこ
とができる。The material of the silicon substrate 32 can be the same as that of the silicon substrate 2 described above, and the thickness thereof is
Can be set in the same range as. In addition, micropore 3
3 cross-sectional shape, vertical cross-sectional shape, opening diameter, formation pitch,
It can be set appropriately in the same manner as in the case of the fine holes 3 described above. Further, the fine holes 33 may have a silicon oxide layer on the wall surface, and this silicon oxide layer may be the same as the silicon oxide layer 4 described above.
【００４８】このようなシリコン基板３２は、上述の支
持部材６のように周縁にフランジ部を有する支持部材を
用い、周辺部（図９に斜線で示す領域）に支持部材のフ
ランジ部を固着することができる。そして、支持部材の
開口部にインキ供給路を接続し、このインキ供給路の他
端にインキ供給装置を接続することができる。Such a silicon substrate 32 uses a support member having a flange on the periphery like the support member 6 described above, and the flange of the support member is fixed to the peripheral portion (the area shown by oblique lines in FIG. 9). be able to. Then, an ink supply path can be connected to the opening of the support member, and an ink supply device can be connected to the other end of the ink supply path.
【００４９】このような微細パターン形成装置３１は、
シリコン基板３２の微細孔３３からインキを、隣接する
微細孔３３から吐出されたインキ同士が接触する程度の
適量で吐出させて直接描画することにより、パターン３
５に対応した形状のパターンをパターン被形成体上に高
い精度で安定して形成することができる。インキの吐出
量は、インキ供給装置を制御することにより調整が可能
である。Such a fine pattern forming apparatus 31 is
The ink is ejected from the fine holes 33 of the silicon substrate 32 in an appropriate amount such that the inks discharged from the adjacent fine holes 33 come into contact with each other, and the pattern 3 is drawn directly.
5 can be stably formed with high precision on a pattern forming object. The ink discharge amount can be adjusted by controlling the ink supply device.
【００５０】上記の例では、複数のパターン３５が全て
同一形状であるが、これに限定されるものではなく、例
えば、プリント配線板の導体パターンのような任意の形
状とすることができる。In the above example, all of the plurality of patterns 35 have the same shape. However, the present invention is not limited to this. For example, the plurality of patterns 35 may have an arbitrary shape such as a conductor pattern of a printed wiring board.
【００５１】尚、微細パターン形成装置３１において
も、図２に示されるようなノズルをシリコン基板３２の
裏面側の微細孔３３の開口部に突設してもよい。In the fine pattern forming apparatus 31 as well, a nozzle as shown in FIG. 2 may be protruded from the opening of the fine hole 33 on the back side of the silicon substrate 32.
【００５２】微細パターン形成装置の製造例 次に、本発明の微細パターン形成装置の製造を、図２に
示される微細パターン形成装置１′を例として図１０お
よび図１１を参照して説明する。 Manufacturing Example of Fine Pattern Forming Apparatus Next, the manufacturing of the fine pattern forming apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11 using the fine pattern forming apparatus 1 'shown in FIG. 2 as an example.
【００５３】まず、表面を洗浄したシリコン基板２を熱
酸化炉で酸化することにより、全面に厚み１〜２μｍ程
度の珪素酸化膜２′を形成する（図１０（Ａ））。First, a silicon oxide film 2 'having a thickness of about 1 to 2 μm is formed on the entire surface by oxidizing the silicon substrate 2 whose surface has been cleaned in a thermal oxidation furnace (FIG. 10A).
【００５４】次に、シリコン基板２の一方の面に感光性
レジストを塗布し、所定のフォトマスクを介して露光、
現像することにより、レジストパターンＲを形成する
（図１０（Ｂ））。次いで、このレジストパターンＲを
マスクとし、例えばＢＨＦ１６（一水素二フッ化アンモ
ニウム２２％水溶液）を用いて珪素酸化膜２′をパター
ニングする（図１０（Ｃ））。このパターニングは、Ｒ
ＩＥ(Reactive Ion Etching)によるドライエッチング
（プロセスガス：ＣＨＦ3）により行うことも可能であ
る。このようなパターニングでは、レジストパターンＲ
が設けられていない部位の珪素酸化膜２′は除去され
る。Next, a photosensitive resist is applied to one surface of the silicon substrate 2 and exposed through a predetermined photomask.
By developing, a resist pattern R is formed (FIG. 10B). Next, using this resist pattern R as a mask, the silicon oxide film 2 'is patterned using, for example, BHF16 (aqueous solution of 22% ammonium hydrogen difluoride) (FIG. 10C). This patterning is performed by R
Dry etching using IE (Reactive Ion Etching) (process gas: CHF 3 ) is also possible. In such patterning, the resist pattern R
The portion of the silicon oxide film 2 'where no is provided is removed.
【００５５】次に、パターニングされた珪素酸化膜２′
をマスクとして、シリコン基板２に所望の深さで微細孔
３を穿設する（図１０（Ｄ））。この微細孔３の穿設
は、例えば、ＩＣＰ−ＲＩＥ(Inductively Coupled Pla
sma ? Reactive Ion Etching)エッチング、ウエットエ
ッチング、Ｄｅｅｐ ＲＩＥエッチング等の高アスペク
トエッチングにより行うことができる。微細孔３の穿設
は、シリコン基板２を貫通しない所定の深さまで行う。Next, the patterned silicon oxide film 2 '
Is used as a mask to form fine holes 3 at a desired depth in the silicon substrate 2 (FIG. 10D). The drilling of the fine holes 3 is performed, for example, by ICP-RIE (Inductively Coupled Pla
sma (Reactive Ion Etching) etching, wet etching, and deep RIE etching. The drilling of the fine holes 3 is performed to a predetermined depth that does not penetrate the silicon substrate 2.
【００５６】次に、レジストパターンＲと珪素酸化膜
２′を除去し、その後、再度、熱酸化炉で酸化すること
により、全面に厚み５０００〜１００００Å程度の珪素
酸化物層４を形成する（図１０（Ｅ））。Next, the resist pattern R and the silicon oxide film 2 'are removed, and then oxidized again in a thermal oxidation furnace to form a silicon oxide layer 4 having a thickness of about 5000-10000 ° on the entire surface (FIG. 10 (E)).
【００５７】次に、支持部材６のフランジ部６ｂをシリ
コン基板２の表面側（微細孔穿設側）の周辺部に固着す
る（図１１（Ａ））。この固着は、例えば、陽極接着に
より行うことができる。Next, the flange portion 6b of the support member 6 is fixed to the peripheral portion on the surface side (the side on which the fine holes are formed) of the silicon substrate 2 (FIG. 11A). This fixation can be performed, for example, by anodic bonding.
【００５８】次いで、シリコン基板２の外面側のみをＢ
ＨＦ１６に浸漬して、この部位の珪素酸化物層４を除去
してシリコン基板２の裏面を露出させ、その後、ＴＭＡ
Ｈ（水酸化テトラメチルアンモニウム）によりシリコン
基板２の裏面側からエッチングを行う（図１１
（Ｂ））。このエッチングでは、微細孔３内壁に形成さ
れている珪素酸化物層４がＴＭＡＨに対して耐性をもつ
ので、珪素酸化物層４からなる微細管がシリコン基板２
側に突出することになる。Next, only the outer surface side of the silicon substrate 2 is B
Immersion in HF 16 to remove the silicon oxide layer 4 at this portion to expose the back surface of the silicon substrate 2;
Etching is performed from the back side of the silicon substrate 2 with H (tetramethylammonium hydroxide) (FIG. 11).
(B)). In this etching, since the silicon oxide layer 4 formed on the inner wall of the fine hole 3 has resistance to TMAH, the fine tube composed of the silicon oxide layer 4 is
Will protrude to the side.
【００５９】次いで、この珪素酸化物層４からなる微細
管の先端をＢＨＦ１６により溶解除去して開口させ（図
１１（Ｃ））、その後、再びＴＭＡＨによりシリコン基
板２の裏面側をエッチングする。そして、所定の長さの
珪素酸化物層４からなるノズル５が形成されたところで
ＴＭＡＨによるエッチングを終了する（図１１
（Ｄ））。その後、支持部材６の開口部６ｃにインキ流
路を介してインキ供給装置を接続することにより、図２
に示されるような本発明の微細パターン形成装置１′を
作製することができる。Next, the tip of the fine tube made of the silicon oxide layer 4 is dissolved and removed by the BHF 16 to open it (FIG. 11C), and then the back surface of the silicon substrate 2 is etched again by TMAH. Then, when the nozzle 5 composed of the silicon oxide layer 4 having a predetermined length is formed, the etching by TMAH is completed (FIG. 11).
(D)). After that, an ink supply device is connected to the opening 6c of the support member 6 via an ink flow path, whereby FIG.
The fine pattern forming apparatus 1 'of the present invention as shown in FIG.
【００６０】尚、上記のシリコン基板２の裏面側のエッ
チングは、ＴＭＡＨを用いる他に、ＲＩＥ(Reactive Io
n Etching)によるドライプロセスでも可能である。The etching of the back side of the silicon substrate 2 is performed by using RIE (Reactive Io
n Etching) is also possible.
【００６１】また、図１に示されるような微細パターン
形成装置１は、図１０（Ｄ）に相当する工程で、シリコ
ン基板２を貫通するように微細孔３を穿設する、あるい
は、図１１（Ｃ）に相当する工程で、突出している珪素
酸化物層４からなる微細管をフッ酸で溶解除去すること
により製造することができる。In the fine pattern forming apparatus 1 as shown in FIG. 1, a fine hole 3 is formed so as to penetrate the silicon substrate 2 in a process corresponding to FIG. In a step corresponding to (C), the microtubules composed of the protruding silicon oxide layer 4 can be manufactured by dissolving and removing them with hydrofluoric acid.
【００６２】本発明の微細パターン形成方法 （第１の実施形態）図１２は、上述の本発明の微細パタ
ーン形成装置１１を用いた本発明の微細パターン形成方
法の一実施形態を説明する図である。図１２において、
本発明の微細パターン形成装置１１のインキ供給装置１
９ａ，１９ｂ，１９ｃから、それそれインキＡ、インキ
Ｂ、インキＣを各インキ流路１８を介して供給しなが
ら、パターン被形成体Ｓを微細パターン形成装置１１に
対して所定方向（矢印Ａ方向）に走査させる。この走査
方向Ａは、上記の微細パターン形成装置１１における微
細孔の配列方向Ａ（図４参照）と一致するものである。
この場合、微細パターン形成装置１１のシリコン基板１
２とパターン被形成体Ｓとの間隙は、０．１〜５ｍｍ程
度の範囲で設定することができる。[0062] a fine pattern forming method of the present invention (first embodiment) FIG. 12 is a diagram for explaining an embodiment of a fine pattern forming method of the present invention using the fine pattern forming apparatus 11 of the present invention as described above is there. In FIG.
Ink supply device 1 of fine pattern forming device 11 of the present invention
9a, 19b, and 19c, while supplying the ink A, the ink B, and the ink C through the respective ink flow paths 18, the pattern forming object S is moved in the predetermined direction (the direction of the arrow A) with respect to the fine pattern forming apparatus 11. ). The scanning direction A coincides with the arrangement direction A of the fine holes in the fine pattern forming apparatus 11 (see FIG. 4).
In this case, the silicon substrate 1 of the fine pattern forming apparatus 11
The gap between 2 and the pattern forming body S can be set in a range of about 0.1 to 5 mm.
【００６３】これにより、シリコン基板１２の微細孔１
３から吐出されたインキによって、パターン被形成体Ｓ
上にインキＡ、インキＢ、インキＣの順で繰り返し配列
されたストライプ状パターンが直接描画によって形成さ
れる。この場合の各ストライプのピッチはＰ２となる。
このストライプ状パターンは、１本のストライプが同列
上の複数の微細孔から吐出されるインキにより形成され
るため、個々の微細孔からの吐出量が少なくても、パタ
ーン被形成体Ｓの走査速度を高めて、パターン形成速度
を高くすることができる。このようなストライプ状パタ
ーンは、微細孔１３の径に対応して極めて高い精度で形
成され、かつ、従来のフォトリソグラフィー法に比べて
工程が簡便である。Thus, the fine holes 1 in the silicon substrate 12
3, the pattern forming body S
A stripe pattern in which ink A, ink B, and ink C are repeatedly arranged in this order is formed by direct drawing. In this case, the pitch of each stripe is P2.
Since this stripe-shaped pattern is formed by ink in which one stripe is discharged from a plurality of fine holes on the same row, even if the discharge amount from each fine hole is small, the scanning speed of the pattern formation object S is small. And the pattern formation speed can be increased. Such a striped pattern is formed with extremely high precision corresponding to the diameter of the fine holes 13, and the process is simpler than the conventional photolithography method.
【００６４】尚、パターン被形成体Ｓが樹脂フィルムの
ような可撓性を有する場合、パターン被形成体Ｓの裏面
に、微細パターン形成装置１１と対向するようにバック
アップローラーを配置し、パターン被形成体Ｓにテンシ
ョンをかけながら搬送して直接描画することが好まし
い。When the pattern forming object S has flexibility such as a resin film, a backup roller is arranged on the back surface of the pattern forming object S so as to face the fine pattern forming apparatus 11, and It is preferable that the formed body S is conveyed while applying tension and directly drawn.
【００６５】（第２の実施形態）図１３は、本発明の微
細パターン形成方法の他の実施形態を説明するための図
であり、本発明の微細パターン形成装置３１を使用した
例である。図１３において、微細パターン形成装置３１
（図示例では、シリコン基板３２のみを示す）をパター
ン被形成体Ｓの所定位置に配置し、インキ流路から供給
された一定量のインキを各微細孔３３を介してパターン
被形成体上に吐出させることによりパターンを形成す
る。その後、パターン被形成体Ｓを矢印Ａ方向に所定の
距離搬送させ、同様のパターン形成を行う。このような
操作の繰り返しにより、パターン被形成体Ｓ上には、所
望のパターン３５が形成できる。尚、微細パターン形成
装置３１のシリコン基板３２とパターン被形成体Ｓとの
間隙は、０．１〜５ｍｍ程度の範囲で設定することがで
きる。(Second Embodiment) FIG. 13 is a view for explaining another embodiment of the fine pattern forming method of the present invention, and is an example using a fine pattern forming apparatus 31 of the present invention. In FIG. 13, the fine pattern forming apparatus 31
(In the illustrated example, only the silicon substrate 32 is shown) is disposed at a predetermined position of the pattern forming object S, and a certain amount of ink supplied from the ink flow path is applied onto the pattern forming object via each fine hole 33. A pattern is formed by discharging. Thereafter, the pattern forming body S is transported in the direction of arrow A by a predetermined distance, and the same pattern formation is performed. By repeating such an operation, a desired pattern 35 can be formed on the pattern formation target S. In addition, the gap between the silicon substrate 32 of the fine pattern forming apparatus 31 and the pattern forming object S can be set in a range of about 0.1 to 5 mm.
【００６６】また、微細パターン形成装置３１における
複数の微細孔３３から構成されるパターン３５を、例え
ば、プリント配線板の導体パターンとしておき、インキ
として導体ペーストを用いることにより、フォトリソグ
ラフィー法によらず簡便にプリント配線板を製造するこ
とができる。Further, a pattern 35 composed of a plurality of fine holes 33 in the fine pattern forming apparatus 31 is used as, for example, a conductor pattern of a printed wiring board, and a conductor paste is used as ink, so that it is not required to use a photolithography method. A printed wiring board can be easily manufactured.
【００６７】[0067]
【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
【００６８】［微細パターン形成装置の作製］表面をＲ
ＣＡ洗浄したシリコン基板（直径３インチ、厚み２００
μｍ、片面研磨、結晶方位＜１００＞、線膨張係数＝
２．６×１０-6／Ｋ）を準備した。このシリコン基板を
下記の条件で熱酸化炉内で酸化することにより、全面に
厚み約２μｍの珪素酸化膜を形成した。[Preparation of Fine Pattern Forming Apparatus]
CA-cleaned silicon substrate (diameter 3 inches, thickness 200
μm, single-side polishing, crystal orientation <100>, coefficient of linear expansion =
2.6 × 10 −6 / K). This silicon substrate was oxidized in a thermal oxidation furnace under the following conditions to form a silicon oxide film having a thickness of about 2 μm on the entire surface.
【００６９】（熱酸化条件） ・加熱温度 ： １０５０℃ ・水素ガス供給量 ： １ｓｌｍ ・酸素ガス供給量 ： １ｓｌｍ ・加熱時間 ： 約１５時間(Thermal oxidation conditions) Heating temperature: 1050 ° C. Hydrogen gas supply: 1 slm Oxygen gas supply: 1 slm Heating time: about 15 hours
【００７０】次に、研磨面側に感光性レジスト（シプレ
イ（株）製Ｍｉｃｒｏ Ｐｏｓｉｔ）をスピンコート法
により塗布して乾燥し、その後、所定のフォトマスクを
介して露光、現像することにより、レジストパターンを
形成した。このレジストパターンには、円形開口（直径
１０μｍ）がＸ軸方向に２０μｍピッチで同一線上に形
成され、かつ、この開口列がＹ軸方向に２０μｍピッチ
で配列されている。次いで、レジストパターンをマスク
として、ＢＨＦ１６（一水素二フッ化アンモニウム２２
％水溶液）により珪素酸化膜をパターニングするととも
に、レジストパターンが設けられていない部位の珪素酸
化膜を溶解除去した。Next, a photosensitive resist (Micro Position, manufactured by Shipley Co., Ltd.) is applied to the polished surface side by a spin coat method, dried, and then exposed and developed through a predetermined photomask, thereby forming the resist. A pattern was formed. In this resist pattern, circular openings (diameter: 10 μm) are formed on the same line at a pitch of 20 μm in the X-axis direction, and the opening rows are arranged at a pitch of 20 μm in the Y-axis direction. Then, using the resist pattern as a mask, BHF 16 (ammonium monohydrogen difluoride 22
% Aqueous solution), and the silicon oxide film in the portion where the resist pattern was not provided was dissolved and removed.
【００７１】次に、パターニングされた珪素酸化膜をマ
スクとして、ＩＣＰ−ＲＩＥ(Inductively Coupled Pla
sma ? Reactive Ion Etching)による高アスペクトエッ
チングを行い、直径１０μｍ、深さ２００μｍの微細孔
を穿設した。その後、硫酸と過酸化水素との混合溶液を
用いてレジストパターンを除去し、さらに、フッ酸を用
いて珪素酸化膜のマスクを除去した。Next, using the patterned silicon oxide film as a mask, ICP-RIE (Inductively Coupled Pla
High aspect etching by sma (Reactive Ion Etching) was performed, and a fine hole having a diameter of 10 μm and a depth of 200 μm was formed. Thereafter, the resist pattern was removed using a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the mask of the silicon oxide film was further removed using hydrofluoric acid.
【００７２】次いで、上記のように微細孔を穿設したシ
リコン基板に対して、加熱時間を約３時間とした他は上
記と同様の条件にて熱酸化炉内で酸化処理を施すること
により、全面に厚み５０００Å程度の珪素酸化物層を形
成した。この酸化処理により、微細孔の壁面にも珪素酸
化物層が形成された。Next, the silicon substrate having the fine holes formed therein is oxidized in a thermal oxidation furnace under the same conditions as above except that the heating time is set to about 3 hours. Then, a silicon oxide layer having a thickness of about 5000 ° was formed on the entire surface. By this oxidation treatment, a silicon oxide layer was also formed on the wall surfaces of the fine holes.
【００７３】次に、フランジ部と開口部の形成加工を行
ったパイレックスガラス（商品名コーニング＃７７４
０、線膨張係数＝３．５×１０-6／Ｋ、直径３インチ）
製の支持部材を、陽極接着（温度５００℃、印加電圧約
７５０Ｖ、印加時間１０分間）によりシリコン基板の表
面側（微細孔穿設側）の周辺部に固着した。Next, Pyrex glass (Corning # 774, trade name) on which a flange and an opening have been formed.
0, coefficient of linear expansion = 3.5 × 10 −6 / K, diameter 3 inches)
The support member was fixed to the peripheral portion on the surface side (the side on which fine holes were formed) of the silicon substrate by anodic bonding (temperature: 500 ° C., applied voltage: about 750 V, application time: 10 minutes).
【００７４】次いで、シリコン基板の外面側のみをＢＨ
Ｆ１６に浸漬して珪素酸化物層を除去してシリコン基板
の裏面を露出させた。その後、ＴＭＡＨ（水酸化テトラ
メチルアンモニウム）にシリコン基板の裏面側を浸漬し
てエッチングを行った。これにより、シリコン基板の裏
面には、上記の酸化処理により微細孔の壁面に形成され
た珪素酸化物層からなる微細管が約５μｍ突出した状態
となった。Next, only the outer surface side of the silicon substrate is BH
The silicon oxide layer was removed by immersion in F16 to expose the back surface of the silicon substrate. Thereafter, the back surface of the silicon substrate was immersed in TMAH (tetramethylammonium hydroxide) for etching. As a result, on the back surface of the silicon substrate, a fine tube made of the silicon oxide layer formed on the wall surface of the fine hole by the above-described oxidation treatment protruded by about 5 μm.
【００７５】次いで、この珪素酸化物層からなる微細管
の先端をＢＨＦ１６に浸漬して溶解除去することにより
開口させ、その後、ＴＭＡＨによりシリコン基板の裏面
側をエッチングして、長さ１０μｍのノズルを形成し
た。Next, the tip of the fine tube made of the silicon oxide layer is opened by immersing it in BHF 16 and dissolving and removing it. Thereafter, the back surface of the silicon substrate is etched by TMAH, and a nozzle having a length of 10 μm is formed. Formed.
【００７６】次に、支持部材の開口部に樹脂製パイプの
インキ流路を接続し、この樹脂製パイプの他端をインキ
供給装置（ＥＦＤ（株）製１５００ＸＬ）を接続した。
これにより、本発明の微細パターン形成装置を得た。Next, an ink flow path of a resin pipe was connected to the opening of the support member, and the other end of the resin pipe was connected to an ink supply device (1500XL manufactured by EFD).
Thus, a fine pattern forming apparatus of the present invention was obtained.
【００７７】［微細パターンの形成］インキ供給装置に
インキ（富士フィルムオーリン（株）製カラーモザイク
ＣＲ−７００１）を充填し、パターン被形成体として、
ガラス基板（１００ｍｍ×１００ｍｍ）を準備した。[Formation of Fine Pattern] An ink supply device was filled with ink (Color Mosaic CR-7001 manufactured by Fuji Film Ohlin Co., Ltd.).
A glass substrate (100 mm × 100 mm) was prepared.
【００７８】次に、上記の微細パターン形成装置のＸ軸
方向に、ガラス基板を５０ｍｍ／秒の一定速度で走査さ
せながら、インキ供給装置からインキをシリコン基板に
供給し、微細孔からインキを吐出させてストライプ形状
のパターンを描画し、乾燥した。得られたパターンの各
ストライプは、線幅が２５±１μｍ、線ピッチが２５±
１μｍであり、極めて精度の高いものであった。Next, while scanning the glass substrate at a constant speed of 50 mm / sec in the X-axis direction of the fine pattern forming apparatus, the ink is supplied from the ink supply apparatus to the silicon substrate, and the ink is discharged from the fine holes. Then, a stripe-shaped pattern was drawn and dried. Each stripe of the obtained pattern has a line width of 25 ± 1 μm and a line pitch of 25 ± 1 μm.
1 μm, which was extremely high precision.
【００７９】[0079]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば微
細パターン形成装置は、シリコン基板の微細孔からイン
キを微量かつ高精度で吐出させることができ、また、イ
ンキ供給量を変えることによって吐出量を任意に設定す
ることが可能であり、パターン被形成体上にインキを付
着させて直接描画することにより高精度のパターン形成
を簡便かつ安定して行うことができる。また、本発明の
微細パターン形成装置とパターン被形成体とを相対的に
走査させるパターン形成方法では、ストライプ状パター
ンを高い精度で形成でき、この走査方向に沿って同列上
に配列された複数の微細孔からインキを吐出することに
より、１つの微細孔からのインキ吐出量が少なくても、
パターン形成速度を高めることができる。さらに、本発
明の微細パターン形成装置をパターン被形成体の所定位
置に位置合わせして設置し、一定量のインキを各微細孔
から吐出するパターン形成方法では、所望のパターンを
繰り返し簡便かつ高精度で形成することができ、マトリ
ックス形状のカラーフィルタやプリント配線板の導体パ
ターン形成等に応用可能である。As described above in detail, according to the present invention, the fine pattern forming apparatus can discharge a very small amount of ink from the fine holes of the silicon substrate with high accuracy, and can change the ink supply amount. It is possible to arbitrarily set the ejection amount, and it is possible to easily and stably perform high-precision pattern formation by directly drawing by attaching ink onto the pattern forming body. Further, in the pattern forming method of the present invention for relatively scanning the fine pattern forming apparatus and the pattern forming object, a stripe pattern can be formed with high accuracy, and a plurality of strips arranged in the same row along the scanning direction can be formed. By discharging ink from the fine holes, even if the amount of ink discharged from one fine hole is small,
The pattern formation speed can be increased. Further, in the pattern forming method in which the fine pattern forming apparatus of the present invention is positioned and installed at a predetermined position on a pattern forming object and a fixed amount of ink is discharged from each fine hole, a desired pattern is repeatedly and simply and accurately formed. It can be applied to matrix color filters, conductor pattern formation of printed wiring boards, and the like.
【図１】本発明の微細パターン形成装置の一実施形態を
示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of a fine pattern forming apparatus of the present invention.
【図２】本発明の微細パターン形成装置の他の実施形態
を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing another embodiment of the fine pattern forming apparatus of the present invention.
【図３】本発明の微細パターン形成装置の他の実施形態
を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing another embodiment of the fine pattern forming apparatus of the present invention.
【図４】図３に示される微細パターン形成装置の底面図
である。FIG. 4 is a bottom view of the fine pattern forming apparatus shown in FIG. 3;
【図５】本発明の微細パターン形成装置の他の実施形態
を示す図であり、（Ａ）は概略断面図、（Ｂ）は底面図
である。5A and 5B are diagrams showing another embodiment of the fine pattern forming apparatus of the present invention, wherein FIG. 5A is a schematic sectional view and FIG. 5B is a bottom view.
【図６】図５に示される微細パターン形成装置の支持部
材のＡ−Ａ線矢視における横断面図である。6 is a cross-sectional view of the support member of the fine pattern forming apparatus shown in FIG. 5, taken along line AA.
【図７】図５に示される微細パターン形成装置の支持部
材のＢ−Ｂ線矢視における横断面図である。7 is a cross-sectional view of the support member of the fine pattern forming apparatus shown in FIG. 5, taken along the line BB.
【図８】図５に示される微細パターン形成装置のインキ
流路を示す斜視図である。8 is a perspective view showing an ink flow path of the fine pattern forming apparatus shown in FIG.
【図９】本発明の微細パターン形成装置の他の実施形態
を示す概略断面図である。FIG. 9 is a schematic sectional view showing another embodiment of the fine pattern forming apparatus of the present invention.
【図１０】本発明の微細パターン形成装置の製造例を示
す工程図である。FIG. 10 is a process chart showing a manufacturing example of the fine pattern forming apparatus of the present invention.
【図１１】本発明の微細パターン形成装置の製造例を示
す工程図である。FIG. 11 is a process chart showing a manufacturing example of the fine pattern forming apparatus of the present invention.
【図１２】本発明の微細パターン形成方法の一実施形態
を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing one embodiment of a fine pattern forming method of the present invention.
【図１３】本発明の微細パターン形成方法の他の実施形
態を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing another embodiment of the fine pattern forming method of the present invention.
１、１′、１１，２１，３１…微細パターン形成装置 ２，１２，２２，３２…シリコン基板 ３，１３，２３，３３…微細孔 ３ａ，１３ａ，２３ａ…開口部 ３ｂ，１３ｂ，２３ｂ…開口部 ４，１４，２４…珪素酸化物層 ５…ノズル ６，１６，２６…保持部材 ８，１８，２８…インキ流路 ９，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，２９ａ，２９ｂ，２９ｃ
…インキ供給装置 Ｓ…パターン被形成体1, 1 ', 11, 21, 31 ... fine pattern forming apparatus 2, 12, 22, 32 ... silicon substrate 3, 13, 23, 33 ... fine hole 3a, 13a, 23a ... opening 3b, 13b, 23b ... opening Parts 4, 14, 24: Silicon oxide layer 5: Nozzles 6, 16, 26: Holding members 8, 18, 28: Ink flow paths 9, 19a, 19b, 19c, 29a, 29b, 29c
… Ink supply device S… Pattern substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C057 AF01 AG04 AG05 AG07 AG12 AG14 AG16 AH05 AJ10 AN01 AP13 AP28 AP32 AP33 AP56 AQ02 BF06 2H088 EA67 FA30 HA01 HA02 MA20 5E343 AA26 BB72 DD15 FF02 GG11 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2C057 AF01 AG04 AG05 AG07 AG12 AG14 AG16 AH05 AJ10 AN01 AP13 AP28 AP32 AP33 AP56 AQ02 BF06 2H088 EA67 FA30 HA01 HA02 MA20 5E343 AA26 BB72 DD15 FF02 GG11
Claims (11)
から裏面に貫通するように設けられた複数の微細孔と、
前記シリコン基板の表面側に配設された支持部材と、前
記シリコン基板表面側の前記微細孔の開口部にインキを
供給するためのインキ流路と、該インキ流路に接続され
たインキ供給装置と、を備えることを特徴とする微細パ
ターン形成装置。1. A silicon substrate, and a plurality of fine holes provided so as to penetrate from the front surface to the back surface of the silicon substrate;
A support member disposed on the surface side of the silicon substrate, an ink flow path for supplying ink to the opening of the fine hole on the silicon substrate surface side, and an ink supply device connected to the ink flow path And a fine pattern forming apparatus.
開口部にノズルが突設されていることを特徴とする請求
項１に記載の微細パターン形成装置。2. The fine pattern forming apparatus according to claim 1, wherein a nozzle is protruded from an opening of the fine hole on the back side of the silicon substrate.
し、前記ノズルは珪素酸化物からなることを特徴とする
請求項２に記載の微細パターン形成装置。3. The fine pattern forming apparatus according to claim 2, wherein a wall surface of the fine hole has a silicon oxide layer, and the nozzle is made of a silicon oxide.
範囲内、前記微細孔の形成ピッチは１〜１０００μｍの
範囲内であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
いずれかに記載の微細パターン形成装置。4. The method according to claim 1, wherein an opening diameter of the fine holes is in a range of 1 to 100 μm, and a formation pitch of the fine holes is in a range of 1 to 1000 μm. The fine pattern forming apparatus as described in the above.
基板の線膨張係数の１／１０倍〜１０倍の範囲内にある
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記
載の微細パターン形成装置。5. The method according to claim 1, wherein a linear expansion coefficient of the supporting member is in a range of 1/10 to 10 times a linear expansion coefficient of the silicon substrate. Fine pattern forming equipment.
は、円形、楕円形および多角形の１種または２種以上で
あることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか
に記載の微細パターン形成装置。6. The micropore according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of the micropore perpendicular to the axial direction is at least one of a circle, an ellipse, and a polygon. 3. The fine pattern forming apparatus according to 1.
は、長方形、シリコン基板裏面側が狭い台形のいずれか
であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれ
かに記載の微細パターン形成装置。7. The method according to claim 1, wherein the vertical cross-sectional shape of the fine hole along the axial direction is any one of a rectangular shape and a trapezoidal shape having a narrow rear surface side of the silicon substrate. Fine pattern forming equipment.
され、各微細孔グループごとに別個のインキ流路を備え
ることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに
記載の微細パターン形成装置。8. The fine pattern according to claim 1, wherein the fine holes are divided into two or more groups, and a separate ink flow path is provided for each fine hole group. Forming equipment.
の微細パターン形成装置とパターン被形成体とを相対的
に所定方向に走査させながら、インキ流路から供給され
たインキを各微細孔を介してパターン被形成体上に連続
的に吐出させることにより、ストライプ状パターンを形
成することを特徴とする微細パターンの形成方法。9. The method according to claim 1, wherein the fine pattern forming apparatus and the pattern forming body are relatively scanned in a predetermined direction, and the ink supplied from the ink flow path is finely divided. A method for forming a fine pattern, wherein a stripe pattern is formed by continuously discharging a pattern on a pattern forming body through a hole.
走査方向に沿って同じ列上に配設された複数の微細孔か
らインキを供給して形成することを特徴とする請求項９
に記載の微細パターンの形成方法。10. The method according to claim 9, wherein each of the constituent stripes of the pattern is formed by supplying ink from a plurality of micro holes arranged on the same row along the scanning direction.
3. The method for forming a fine pattern according to 1.
載の微細パターン形成装置をパターン被形成体の所定位
置に配置し、インキ流路から供給された一定量のインキ
を各微細孔を介してパターン被形成体上に吐出させるこ
とによりパターンを形成することを特徴とする微細パタ
ーンの形成方法。11. A fine pattern forming apparatus according to claim 1, wherein the fine pattern forming apparatus is disposed at a predetermined position on a pattern forming body, and a predetermined amount of ink supplied from an ink flow path is supplied to each fine hole. Forming a pattern by discharging a pattern on a pattern forming body through the substrate.
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