JP2001068181A - Memory module conversion connector and information processing device - Google Patents

Memory module conversion connector and information processing device

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JP2001068181A JP24035299A JP24035299A JP2001068181A JP 2001068181 A JP2001068181 A JP 2001068181A JP 24035299 A JP24035299 A JP 24035299A JP 24035299 A JP24035299 A JP 24035299A JP 2001068181 A JP2001068181 A JP 2001068181A
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dimm
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receiving
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To substitutionally use a DIMM in a device using an SIMM by connecting two SIMM connectors and one DIMM. SOLUTION: A DIMM receiving part 11 has grooves 15 having contact part 16 corresponding to the number of signals on both sides, and when a DIMM 40 is inserted, the contact parts 16 come in contact with contact parts 41 installed on both sides of the tip part of the DIMM 40 of the same number as the contact part 16 to be electrically connected, and a signal is transmitted. DIMM guide parts 12 are formed at the opposite ends of the DIMM receiving part 11. SIMM substitutional inserting parts 13, 14 are installed on the opposite sides of the DIMM receiving part 11, have contacts parts 178, 18 corresponding to the number of signals on one side at each tip, and are inserted into grooves 34 of grooves 33, 32 of an SIMM connector to be mounted on a board 50 to transmit a signal. Contact parts 35, 36 of the same number as the contact parts 17 are installed in the grooves 33, 34 of the SIMM connectors 31, 32, and come in contact with contact part 17, 18 of the SIMM substitutional inserting parts 13, 14 to be electrically connected and to transmit a signal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はメモリモジュール変
換コネクタと情報処理装置に関し、特に2つのシングル
インラインメモリモジュール(SIMMと略す)と1つ
のデュアルインラインメモリモジュール(DIMMと略
す)を変換するメモリモジュール変換コネクタとこのメ
モリモジュール変換コネクタを実装した情報処理装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory module conversion connector and an information processing device, and more particularly to a memory module conversion for converting two single in-line memory modules (abbreviated as SIMM) and one dual in-line memory module (abbreviated as DIMM). The present invention relates to a connector and an information processing device equipped with the memory module conversion connector.

【0002】[0002]

【従来の技術】情報処理装置の主記憶等の記憶手段とし
て、容易に交換や増設ができるようにしたメモリモジュ
ールが広く使われている。メモリモジュールは1辺がコ
ネクタに挿入して接続できるように作られた比較的小さ
な基板上に数個から数十個程度のメモリチップを搭載し
たもので、情報処理装置内の基板に取り付けられたコネ
クタに実装できるようになっているため、容易に脱着が
できる。複数のメモリチップを搭載することにより、例
えば32ビットや64ビット等のまとまったデータ幅を
持ち、1枚から数枚を1セットとして各情報処理装置の
主記憶等のアクセスデータ幅とし、主記憶の増設や再構
成も上記セットを単位として容易にできるようになって
いる。
2. Description of the Related Art As storage means such as a main memory of an information processing apparatus, a memory module which can be easily replaced or added is widely used. The memory module is a relatively small board made so that one side can be inserted and connected to a connector, and has several to several tens of memory chips mounted thereon, and is mounted on a board in an information processing device. Because it can be mounted on the connector, it can be easily attached and detached. By mounting a plurality of memory chips, a data width such as 32 bits or 64 bits is provided, and one to several pieces are set as one set as an access data width of a main memory of each information processing apparatus. Can be easily added or reconfigured in units of the above set.

【0003】現在、メモリモジュールにはコネクタに接
続する信号を、1列としたシングルインラインメモリモ
ジュール(SIMM)と、2列としたデュアルインライ
ンメモリモジュール(DIMM)とがある。DIMMは
SIMMの2倍の信号を扱えるので一般にSIMMの2
倍のデータ幅を持っている。主記憶やメモリチップのデ
ータ幅や記憶容量は、テクノロジの急激な進歩に合わせ
て増大しており、次々とビット単価の安いメモリモジュ
ールが作られ、ユーザは多種類のメモリモジュールから
適当なものを選ぶことができる。
At present, there are two types of memory modules: a single in-line memory module (SIMM) in which signals connected to a connector are arranged in one row, and a dual in-line memory module (DIMM) in which signals are connected in two rows. DIMMs can handle twice as many signals as SIMMs.
Has twice the data width. The data width and storage capacity of main memory and memory chips are increasing in line with rapid advances in technology, and memory modules with a low unit cost are being made one after another. Users can select appropriate ones from various types of memory modules. You can choose.

【0004】一方メモリモジュールを実装する情報処理
装置は、開発時点で予測される状況によりどの仕様のメ
モリモジュールを採用するか決めることになる。データ
幅については情報処理装置で可変にすることは難しいの
で固定にし、実装するメモリチップ数やメモリチップの
容量を代えることにより、いくつかの記憶容量のメモリ
モジュールに対応できるようにしている。
[0004] On the other hand, an information processing device that mounts a memory module determines which specification of a memory module to use depending on the situation expected at the time of development. Since it is difficult to make the data width variable in the information processing apparatus, the data width is fixed, and the number of memory chips to be mounted and the capacity of the memory chips are changed so that the memory module can support a memory module having several storage capacities.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】最近ではSIMMに代
わってDIMMが増えており、特に大容量の主記憶を実
現する情報処理装置ではその傾向が強い。従って、新た
に導入する装置ではDIMMを採用するものが多く、従
来あるSIMM採用の装置との間でSIMMとDIMM
とで互換性がないことにより、比較的高価なメモリモジ
ュールの再利用や増設などの使い方が制限されるという
課題があった。
Recently, DIMMs have been increasing in place of SIMMs, and the tendency is particularly strong in information processing apparatuses that implement a large-capacity main memory. Therefore, many of the newly introduced devices adopt the DIMM, and the SIMM and the DIMM are compared with the conventional SIMM-based device.
There is a problem that the incompatibility between them and the use of relatively expensive memory modules is limited.

【0006】具体的には、第1に、SIMM採用の情報
処理装置を購入して年月が過ぎた後に主記憶の増設や再
構成をする際に、仕様に合ったSIMMがすでに旧式と
なってしまった場合、生産量、流通量が落ち込んでしま
うために入手しにくくなるということや、新たなテクノ
ロジに対応したDIMMに比べてビット単価が割高なS
IMMを購入せざるを得ないという課題があった。
Specifically, first, when an information processing apparatus employing a SIMM is purchased and a main memory is added or reconfigured after a lapse of years, the SIMM that meets the specifications is already outdated. If this happens, the production volume and distribution volume will decline, making it difficult to obtain.
There was a problem that I had to purchase an IMM.

【0007】第2に、情報処理装置を置き換える際に、
装置のメモリに対するデータ幅が同じであっても、置き
換え前の情報処理装置がSIMMを採用し、置き換え後
の情報処理装置がDIMMを採用していた場合、置き換
え前の情報処理装置に実装しているSIMMが置き換え
後の新しい情報処理装置で再利用することができなくな
り、さらに増設の際は新たに高価なDIMMを購入しな
ければならないことである。
Second, when replacing an information processing apparatus,
Even if the data width for the memory of the device is the same, if the information processing device before replacement employs SIMM and the information processing device after replacement employs DIMM, The existing SIMM cannot be reused in the new information processing device after the replacement, and a new expensive DIMM must be purchased when the SIMM is added.

【0008】本発明の目的は上記の課題を解決するため
のメモリモジュール変換コネクタを提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a memory module conversion connector for solving the above-mentioned problems.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の第1のメモリモ
ジュール変換コネクタは、2つのSIMMコネクタと1
つのDIMMとを接続する構造を有する。
A first memory module conversion connector according to the present invention comprises two SIMM connectors and one SIMM connector.
It has a structure for connecting two DIMMs.

【0010】本発明の第2のメモリモジュール変換コネ
クタは、DIMMを挿入して信号を伝達するための複数
の接触部を持つ溝を設けたDIMM受け部と、前記DI
MM受け部の両端に設けられたDIMMガイド部と、前
記DIMM受け部の両側に設けられそれぞれSIMMコ
ネクタに挿入可能とした第1のSIMM代替挿入部及び
第2のSIMM代替挿入部とを有する。
A second memory module conversion connector according to the present invention comprises: a DIMM receiving portion provided with a groove having a plurality of contact portions for inserting a DIMM and transmitting a signal;
It has a DIMM guide portion provided at both ends of the MM receiving portion, and a first SIMM alternative inserting portion and a second SIMM alternative inserting portion which are provided on both sides of the DIMM receiving portion and can be respectively inserted into SIMM connectors.

【0011】本発明の第3のメモリモジュール変換コネ
クタは、DIMMを挿入して信号を伝達するための複数
の接触部を持つ溝を設けたDIMM受け部と、前記DI
MM受け部の両端に設けられたDIMMガイド部と、前
記DIMM受け部の両側に設けられそれぞれSIMMコ
ネクタに挿入可能とした第1のSIMM代替挿入部及び
第2のSIMM代替挿入部と、前記第1のSIMM代替
挿入部の制御信号群及びアドレス信号群を前記DIMM
受け部の制御信号群及びアドレス信号群のそれぞれに接
続する手段と、前記第1のSIMM代替挿入部のデータ
信号群を前記DIMM受け部の第1のデータ信号群に接
続する手段と、前記第2のSIMM代替挿入部のデータ
信号群を前記DIMM受け部の第2のデータ信号群に接
続する手段とを有する。
A third memory module conversion connector according to the present invention comprises: a DIMM receiving portion provided with a groove having a plurality of contact portions for inserting a DIMM and transmitting a signal;
A DIMM guide portion provided at both ends of the MM receiving portion, a first SIMM replacement insertion portion and a second SIMM replacement insertion portion provided at both sides of the DIMM reception portion, each of which can be inserted into a SIMM connector; 1 and a control signal group and an address signal group of the SIMM alternative insertion unit
Means for connecting each of the control signal group and the address signal group of the receiving unit, means for connecting the data signal group of the first SIMM replacement insertion unit to the first data signal group of the DIMM receiving unit, Means for connecting a data signal group of the second SIMM replacement insertion section to a second data signal group of the DIMM receiving section.

【0012】本発明の第4のメモリモジュール変換コネ
クタは、DIMMを挿入して信号を伝達するための複数
の接触部を持つ溝を設けたDIMM受け部と、前記DI
MM受け部の両端に設けられたDIMMガイド部と、前
記DIMM受け部の両側に設けられそれぞれSIMMコ
ネクタに挿入可能とした第1のSIMM代替挿入部及び
第2のSIMM代替挿入部と、前記第1のSIMM代替
挿入部の制御信号群及びアドレス信号群を前記DIMM
受け部の制御信号群及びアドレス信号群のそれぞれに接
続する手段と、前記第1のSIMM代替挿入部のデータ
信号群及びデータパリティ信号群を前記DIMM受け部
の第1のデータ信号群及び第1のデータパリティ信号群
のそれぞれに接続する手段と、前記第2のSIMM代替
挿入部のデータ信号群及びデータパリティ信号群を前記
DIMM受け部の第2のデータ信号群及び第2のデータ
パリティ信号群のそれぞれに接続する手段とを有する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a memory module conversion connector comprising: a DIMM receiving portion provided with a groove having a plurality of contact portions for inserting a DIMM and transmitting a signal;
A DIMM guide portion provided at both ends of the MM receiving portion, a first SIMM replacement insertion portion and a second SIMM replacement insertion portion provided at both sides of the DIMM reception portion, each of which can be inserted into a SIMM connector; 1 and a control signal group and an address signal group of the SIMM alternative insertion unit
Means for connecting to the control signal group and the address signal group of the receiving section, respectively, and the data signal group and the data parity signal group of the first SIMM replacement insertion section to the first data signal group and the first data group of the DIMM receiving section. Means for connecting to each of the data parity signal groups of the first and second groups, and the data signal group and the data parity signal group of the second SIMM substitute insertion section are connected to the second data signal group and the second data parity signal group of the DIMM receiving section. And means for connecting to each of them.

【0013】本発明の第1の情報処理装置は、前記第1
のメモリモジュール変換コネクタ、前記第2のメモリモ
ジュール変換コネクタ、前記第3のメモリモジュール変
換コネクタ、又は前記第4のメモリモジュール変換コネ
クタを有する。
[0013] The first information processing apparatus of the present invention comprises the first information processing apparatus.
, The second memory module conversion connector, the third memory module conversion connector, or the fourth memory module conversion connector.

【0014】本発明の第5のメモリモジュール変換コネ
クタは、1つのDIMMコネクタと2つのSIMMとを
接続できる構造を有する。
[0014] The fifth memory module conversion connector of the present invention has a structure capable of connecting one DIMM connector and two SIMMs.

【0015】本発明の第6のメモリモジュール変換コネ
クタは、SIMMを挿入して信号を伝達するための複数
の接触部を持つ溝をそれぞれ設けた第1のSIMM受け
部及び第2のSIMM受け部と、前記第1のSIMM受
け部及び前記第2のSIMM受け部のそれぞれの両端に
設けられたSIMMガイド部と、前記第1のSIMM受
け部と前記第2のSIMM受け部との間に設けられたD
IMM代替挿入部とを有する。
A sixth memory module conversion connector according to the present invention comprises a first SIMM receiving portion and a second SIMM receiving portion provided with grooves each having a plurality of contact portions for inserting a SIMM and transmitting a signal. A SIMM guide section provided at both ends of the first SIMM receiving section and the second SIMM receiving section; and a SIMM guide section provided between the first SIMM receiving section and the second SIMM receiving section. D
An IMM alternative insert.

【0016】本発明の第7のメモリモジュール変換コネ
クタは、SIMMを挿入して信号を伝達するための複数
の接触部を持つ溝をそれぞれ設けた第1のSIMM受け
部及び第2のSIMM受け部と、前記第1のSIMM受
け部及び前記第2のSIMM受け部のそれぞれの両端に
設けられたSIMMガイド部と、前記第1のSIMM受
け部と前記第2のSIMM受け部との間に設けられたD
IMM代替挿入部と、前記DIMM代替挿入部の制御信
号群及びアドレス信号群を前記第1のSIMM受け部の
制御信号群及びアドレス信号群と前記第2のSIMM受
け部の制御信号群及びアドレス信号群とのそれぞれに接
続する手段と、前記DIMM代替挿入部の第1のデータ
信号群を前記第1のSIMM受け部のデータ信号群に接
続する手段と、前記DIMM代替挿入部の第2のデータ
信号群を前記第2のSIMM受け部のデータ信号群に接
続する手段とを有する。
A seventh memory module conversion connector according to the present invention comprises a first SIMM receiving portion and a second SIMM receiving portion provided with grooves having a plurality of contact portions for inserting a SIMM and transmitting a signal. A SIMM guide section provided at both ends of the first SIMM receiving section and the second SIMM receiving section; and a SIMM guide section provided between the first SIMM receiving section and the second SIMM receiving section. D
An IMM replacement insertion unit, a control signal group and an address signal group of the DIMM replacement insertion unit, a control signal group and an address signal group of the first SIMM receiving unit, and a control signal group and an address signal of the second SIMM receiving unit A first data signal group of the DIMM alternative insert section to a data signal group of the first SIMM receiving section; and a second data section of the DIMM alternative insert section. Means for connecting the signal group to the data signal group of the second SIMM receiving section.

【0017】本発明の第8のメモリモジュール変換コネ
クタは、SIMMを挿入して信号を伝達するための複数
の接触部を持つ溝をそれぞれ設けた第1のSIMM受け
部及び第2のSIMM受け部と、前記第1のSIMM受
け部及び前記第2のSIMM受け部のそれぞれの両端に
設けられたSIMMガイド部と、前記第1のSIMM受
け部と前記第2のSIMM受け部との間に設けられたD
IMM代替挿入部と、前記DIMM代替挿入部の制御信
号群及びアドレス信号群を前記第1のSIMM受け部の
制御信号群及びアドレス信号群と前記第2のSIMM受
け部の制御信号群及びアドレス信号群とのそれぞれに接
続する手段と、前記DIMM代替挿入部の第1のデータ
信号群及び第1のデータパリティ信号群を前記第1のS
IMM受け部のデータ信号群及びデータパリティ信号群
のそれぞれに接続する手段と、前記DIMM代替挿入部
の第2のデータ信号群及び第2のデータパリティ信号群
を前記第2のSIMM受け部のデータ信号群及びデータ
パリティ信号群のそれぞれに接続する手段とを有する。
An eighth memory module conversion connector according to the present invention comprises a first SIMM receiving portion and a second SIMM receiving portion provided with grooves having a plurality of contact portions for transmitting a signal by inserting a SIMM. A SIMM guide section provided at both ends of the first SIMM receiving section and the second SIMM receiving section; and a SIMM guide section provided between the first SIMM receiving section and the second SIMM receiving section. D
An IMM replacement insertion unit, a control signal group and an address signal group of the DIMM replacement insertion unit, a control signal group and an address signal group of the first SIMM receiving unit, and a control signal group and an address signal of the second SIMM receiving unit And a first data signal group and a first data parity signal group of the DIMM replacement insertion section are connected to the first S
Means for connecting to the data signal group and the data parity signal group of the IMM receiving unit, respectively, and the second data signal group and the second data parity signal group of the DIMM replacement insertion unit to the data of the second SIMM receiving unit Means for connecting to each of the signal group and the data parity signal group.

【0018】本発明の第9のメモリモジュール変換コネ
クタは、SIMMを挿入して信号を伝達するための複数
の接触部を持つ溝をそれぞれ設けた第1のSIMM受け
部及び第2のSIMM受け部と、前記第1のSIMM受
け部及び前記第2のSIMM受け部のそれぞれの両端に
設けられたSIMMガイド部と、前記第1のSIMM受
け部と前記第2のSIMM受け部との間に設けられたD
IMM代替挿入部と、前記DIMM代替挿入部の制御信
号群及びアドレス信号群を前記第1のSIMM受け部の
制御信号群及びアドレス信号群と前記第2のSIMM受
け部の制御信号群及びアドレス信号群とのそれぞれに接
続する手段と、前記DIMM代替挿入部の第1のデータ
信号群を前記第1のSIMM受け部のデータ信号群に接
続する手段と、前記DIMM代替挿入部の第2のデータ
信号群を前記第2のSIMM受け部のデータ信号群に接
続する手段と、前記DIMM代替挿入部の誤り訂正符号
信号群の一部を前記第1のSIMM受け部の誤り訂正符
号信号群に接続する手段と、前記DIMM代替挿入部の
前記誤り訂正符号信号群の一部の残りを前記第2のSI
MM受け部の一部の誤り訂正符号信号群に接続する手段
とを有する。
According to a ninth memory module conversion connector of the present invention, a first SIMM receiving portion and a second SIMM receiving portion each having a groove having a plurality of contact portions for inserting a SIMM and transmitting a signal. A SIMM guide section provided at both ends of the first SIMM receiving section and the second SIMM receiving section; and a SIMM guide section provided between the first SIMM receiving section and the second SIMM receiving section. D
An IMM replacement insertion unit, a control signal group and an address signal group of the DIMM replacement insertion unit, a control signal group and an address signal group of the first SIMM receiving unit, and a control signal group and an address signal of the second SIMM receiving unit A first data signal group of the DIMM alternative insert section to a data signal group of the first SIMM receiving section; and a second data section of the DIMM alternative insert section. Means for connecting a group of signals to a data signal group of the second SIMM receiving unit, and connecting a part of the group of error correcting code signals of the DIMM substitute inserting unit to the group of error correcting code signals of the first SIMM receiving unit Means for replacing the error correction code signal group of the DIMM substitute insertion section with the second SI
Means for connecting to a part of the error correction code signal group of the MM receiving unit.

【0019】本発明の第2の情報処理装置は、前記第
5、前記第6、前記第7、前記第8、又は前記第9のメ
モリモジュール変換コネクタを有する。
The second information processing apparatus of the present invention has the fifth, sixth, seventh, eighth, or ninth memory module conversion connector.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】次に、本発明の第1の実施の形態
について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発
明の第1の実施の形態のメモリモジュール変換コネクタ
の斜視図で、図2は図1の側面図である。また、図3は
第1の実施の形態のメモリモジュール変換コネクタの接
続の様子を示した図で、図4は図3の側面図である。メ
モリモジュール変換コネクタ10は、DIMM40を挿
入した際にDIMM40を受ける部分のDIMM受け部
11と、DIMM40を挿入する際にDIMM40の左
右両側を導入するようにした部分である2個のDIMM
ガイド部12と、SIMMコネクタに対してSIMMの
代わりに挿入する部分であるSIMM代替挿入部13及
びSIMM代替挿入部14とから構成される。
Next, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a memory module conversion connector according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view of FIG. FIG. 3 is a diagram showing a connection state of the memory module conversion connector according to the first embodiment, and FIG. 4 is a side view of FIG. The memory module conversion connector 10 includes a DIMM receiving portion 11 for receiving the DIMM 40 when the DIMM 40 is inserted, and two DIMMs for inserting the left and right sides of the DIMM 40 when the DIMM 40 is inserted.
It comprises a guide section 12 and a SIMM replacement insertion section 13 and a SIMM replacement insertion section 14 which are parts to be inserted into the SIMM connector instead of the SIMM.

【0021】次に接続の様子を含めて詳しく説明する。
DIMM受け部11は信号に応じた数の接触部16を両
側に持つ溝15を有し、DIMM40が挿入されると、
接触部16がこれと同数のDIMMの先端部分の両側に
設けられた接触部41と接触して電気的に接続され、信
号の伝達ができるようになっている。DIMMガイド部
12は、DIMM受け部11の左右両端に形成され、D
IMMを挿入しやすくするために設けられている。SI
MM代替挿入部13及びSIMM代替挿入部14は、D
IMM受け部11の両側に設けられ、それぞれの先端部
分の片側に信号に応じた数の接触部17及び接触部18
を持ち、それぞれ基板50に実装されるSIMMコネク
タ31の溝33及びSIMMコネクタ32の溝34に挿
入して信号を伝達する。SIMMコネクタ31の溝33
には接触部17と同数の接触部35が設けられ、同様に
SIMMコネクタ32の溝34にも接触部17と同数の
接触部36が設けられており、これらの接触部35と接
触部36がSIMM代替挿入部13の接触部17とSI
MM代替挿入部14の接触部18とにそれぞれ接触して
電気的に接続され信号を伝達する。
Next, the connection state will be described in detail.
The DIMM receiving portion 11 has a groove 15 having a number of contact portions 16 on both sides according to a signal, and when the DIMM 40 is inserted,
The contact portions 16 are in contact with and electrically connected to the contact portions 41 provided on both sides of the tip portion of the same number of DIMMs so that signals can be transmitted. The DIMM guide portions 12 are formed on both left and right ends of the DIMM receiving portion 11, respectively.
It is provided to facilitate insertion of the IMM. SI
The MM replacement insertion unit 13 and the SIMM replacement insertion unit 14
Number of contact portions 17 and contact portions 18 provided on both sides of the IMM receiving portion 11 according to a signal on one side of each of the tip portions.
Are inserted into the groove 33 of the SIMM connector 31 and the groove 34 of the SIMM connector 32 mounted on the board 50 to transmit signals. Groove 33 of SIMM connector 31
Are provided with the same number of contact portions 35 as the contact portions 17, and similarly, the same number of contact portions 36 as the contact portions 17 are provided in the grooves 34 of the SIMM connector 32, and these contact portions 35 and the contact portions 36 are provided. The contact part 17 of the SIMM replacement insertion part 13 and the SI
The MM substitute insertion section 14 is in contact with and electrically connected to the contact section 18 of the MM replacement insertion section 14 to transmit a signal.

【0022】上記及び以降の各接触部は半導体チップの
ピンに相当する部分で(以降信号を伝達する機能のみを
指す場合はピンとも呼ぶ)、薄い導体で作られており、
接触抵抗を小さく保つために金メッキやスズメッキ等を
施していることが多い。接触部の形態は信号を伝達する
機能が備えられていればこれ以外の形態でもかまわな
い。SIMM代替挿入部13とSIMM代替挿入部14
との幅は基板50に実装するSIMMコネクタ31、3
2の実装間隔に合わせればよく、高さはなるべく低くし
たほうが実装上有利である。図示していないが、DIM
M40の脱落を防止するためにDIMMガイド部12又
はその近くにDIMMをロックする機構を取り付けるこ
とも有効である。
The above and subsequent contact portions are portions corresponding to the pins of the semiconductor chip (hereinafter, also referred to as pins when only a signal transmitting function is indicated), and are made of thin conductors.
Gold plating or tin plating is often applied to keep the contact resistance low. The form of the contact portion may be any other form as long as it has a function of transmitting a signal. SIMM replacement insertion unit 13 and SIMM replacement insertion unit 14
Are the SIMM connectors 31, 3 mounted on the board 50.
In this case, the height should be as low as possible, which is advantageous for mounting. Although not shown, DIM
It is also effective to attach a mechanism for locking the DIMM to or near the DIMM guide portion 12 in order to prevent the M40 from dropping off.

【0023】このように、SIMMコネクタ31、32
を実装した基板50を実装した情報処理装置に、メモり
モジュール変換コネクタ10を実装することにより、容
易に2枚のSIMMを1枚のDIMMで代替することが
できる。また、図では基板50上にSIMMコネクタを
2つだけ実装している様子を示しているが、大容量の主
記憶を実現する場合には、多くのSIMMコネクタを基
板50上に実装すればよく、これに伴いメモりモジュー
ル変換コネクタ10も多く実装できるが、実装するか否
かはDIMMとSIMMの保有数によって判断すればよ
い。
As described above, the SIMM connectors 31, 32
By mounting the memory module conversion connector 10 on the information processing apparatus on which the board 50 on which is mounted is mounted, it is possible to easily replace two SIMMs with one DIMM. Although only two SIMM connectors are mounted on the board 50 in the figure, many SIMM connectors may be mounted on the board 50 when a large-capacity main memory is realized. Accordingly, a large number of memory module conversion connectors 10 can be mounted, but whether to mount the memory module conversion connector 10 may be determined based on the number of DIMMs and SIMMs.

【0024】次にメモリモジュールの信号について説明
する。SIMMやDIMM等のメモリモジュールは、読
み書きやタイミング等を制御する制御信号線、アドレス
信号線、データ信号線の信号があり、1枚から数枚のセ
ットを構成単位として主記憶機能等を提供する。信頼性
を要求される分野で使用されるメモリーモジュールは、
データの異常を検出するためにデータパリティを備えた
り、さらに高い可用性を必要とする分野で使用されるメ
モリーモジュールでは誤り訂正符号(以下ECCと略
す)を備えているものがある。データの異常を検出する
だけの場合は一定のデータのビット単位にパリティを設
けることが知られており、誤りの検出と訂正を行う場合
はECCを設けることが知られている。例えば8ビット
単位に1ビットのパリティを付与する場合は32ビット
のデータには4ビットのパリティビットが必要で、2倍
の64ビットのデータには8ビットのパリティが必要で
ある。誤りの検出と1ビット誤りの訂正を行うECCの
場合は、32ビットのデータに対してはこれに付加する
ECCの誤り検出と1ビット誤り訂正も含めると7ビッ
ト以上のECCが必要だが、2倍の64ビットのデータ
に対しては同様にECCも含めても1ビット多い8ビッ
ト以上でよい。
Next, signals of the memory module will be described. A memory module such as a SIMM or a DIMM has signals of a control signal line, an address signal line, and a data signal line for controlling read / write, timing, and the like, and provides a main storage function or the like by using one to several sets as constituent units. . Memory modules used in fields where reliability is required
Some memory modules provided with data parity for detecting data abnormalities or used in fields requiring higher availability include an error correction code (hereinafter abbreviated as ECC). It is known that a parity is provided in a bit unit of a fixed data only when an abnormality of data is detected, and that an ECC is provided when an error is detected and corrected. For example, when 1-bit parity is provided in 8-bit units, 4-bit parity bits are required for 32-bit data, and 8-bit parity is required for double 64-bit data. In the case of an ECC that detects an error and corrects a 1-bit error, an ECC of 7 bits or more is required for 32-bit data including error detection of an ECC added thereto and 1-bit error correction. Similarly, for double data of 64 bits, 8 bits or more, which is 1 bit larger, including ECC, may be used.

【0025】次に、本発明の第1の実施の形態の信号の
接続について説明する。メモリモジュール変換コネクタ
10は図3、図4のように接続されており、基板50上
のデータ幅は64ビット、SIMMのデータ幅は32ビ
ット、DIMMのデータ幅は64ビットとする。基板5
0からSIMMコネクタ31、32を介して、kビット
の制御信号線c(0〜k−1)及びmビットのアドレス
信号線a(0〜m−1)をSIMM代替挿入部13及び
SIMM代替挿入部14のc(0〜k−1)及びa(0
〜m−1)にそれぞれ分配し、64ビットのデータ信号
線d(0〜63)及び8ビットのデータパリティ信号線
p(0〜7)のそれぞれ半分のd(0〜31)及びp
(0〜3)をSIMM代替挿入部13に分配し、残りの
半分のd(32〜63)及びp(4〜7)をSIMM代
替挿入部13のd(0〜31)及びp(0〜3)に分配
している。データパリティ信号線はここではデータ8ビ
ットに対して1ビットの割で対応させているが、対応の
させ方はこれ以外でもかまわない。また、SIMMの種
類によってはデータパリティを備えていない場合もある
が、この場合はデータパリティ信号線をないものとして
以下考えればよい。
Next, connection of signals according to the first embodiment of the present invention will be described. The memory module conversion connector 10 is connected as shown in FIGS. 3 and 4, and the data width on the substrate 50 is 64 bits, the data width of the SIMM is 32 bits, and the data width of the DIMM is 64 bits. Substrate 5
From 0 through the SIMM connectors 31 and 32, the k-bit control signal line c (0 to k-1) and the m-bit address signal line a (0 to m-1) are replaced with the SIMM replacement insertion unit 13 and the SIMM replacement insertion. C (0 to k-1) and a (0
To m−1), and each of the half of the 64-bit data signal line d (0 to 63) and the 8-bit data parity signal line p (0 to 7) d (0 to 31) and p
(0-3) are distributed to the SIMM replacement insertion unit 13, and the other half d (32-63) and p (4-7) are replaced by d (0-31) and p (0-31) of the SIMM replacement insertion unit 13. It is distributed to 3). Here, the data parity signal line is made to correspond to 8 bits of data at a rate of 1 bit, but the correspondence may be other than this. Also, depending on the type of SIMM, there is a case where no data parity is provided, but in this case, it can be considered below that there is no data parity signal line.

【0026】図5は第1の実施の形態のメモリモジュー
ル変換コネクタの信号の接続を示した図である。メモリ
モジュール変換コネクタ10では、SIMM代替挿入部
13の信号線は全てDIMM受け部11に接続される
が、SIMM代替挿入部14の信号線は制御信号線とア
ドレス信号線が共通のため、データ信号線とデータパリ
ティ信号線のみDIMM受け部11に接続される。詳細
な接続関係は図5のように、SIMM代替挿入部13の
c(0〜k−1)及びa(0〜m−1)はDIMM受け
部11のc(0〜k−1)及びa(0〜m−1)に接続
され、SIMM代替挿入部13のd(0〜31)及びp
(0〜3)はDIMM受け部11のd(0〜31)及び
p(0〜3)と接続され、SIMM代替挿入部14のd
(0〜31)及びp(0〜3)はDIMM受け部11の
d(32〜63)及びp(4〜7)と接続される。
FIG. 5 is a diagram showing signal connections of the memory module conversion connector according to the first embodiment. In the memory module conversion connector 10, all of the signal lines of the SIMM replacement insertion section 13 are connected to the DIMM receiving section 11, but since the signal lines of the SIMM replacement insertion section 14 share a control signal line and an address signal line, the data signal Only the line and the data parity signal line are connected to the DIMM receiving unit 11. As for the detailed connection relationship, as shown in FIG. 5, c (0 to k-1) and a (0 to m-1) of the SIMM replacement insertion unit 13 are c (0 to k-1) and a of the DIMM receiving unit 11. (0-m-1), d (0-31) and p of the SIMM replacement insertion unit 13
(0-3) are connected to d (0-31) and p (0-3) of the DIMM receiving unit 11, and d (0-3) of the SIMM replacement insertion unit 14.
(0-31) and p (0-3) are connected to d (32-63) and p (4-7) of the DIMM receiving unit 11, respectively.

【0027】以上のように、2つのSIMMの代わりに
メモリモジュール変換コネクタ10と1つのDIMMを
実装することにより、2つのSIMMを1つのDIMM
で代替することができる。このような接続を可能とする
ためにはデータ信号線数及びデータパリティ信号線数に
おいて、DIMMがSIMMの2倍以上持つことが必要
だが、DIMMはSIMMに対して信号数を2倍持って
いるため、多くの場合問題とはならない。なお、電源ピ
ン、グランドピンについては図示しないが、DIMM受
け部11とSIMM代替挿入部13及びSIMM代替挿
入部14との間で、電源ピンどうし、グランドピンどう
しそれぞれ接続している。
As described above, by mounting the memory module conversion connector 10 and one DIMM instead of two SIMMs, the two SIMMs can be replaced with one DIMM.
Can be substituted. In order to enable such a connection, it is necessary that the DIMM has twice or more the number of the SIMMs in the number of data signal lines and the number of the data parity signal lines. However, the DIMM has twice the number of signals as the SIMM. Therefore, it is not a problem in many cases. Although the power supply pin and the ground pin are not shown, the power supply pin and the ground pin are connected between the DIMM receiving section 11 and the SIMM replacement insertion sections 13 and 14.

【0028】次に、本発明の第2及び第3の実施の形態
について図面を参照して説明する。図6は、本発明の第
2及び第3の実施の形態のメモリモジュール変換コネク
タの斜視図で、図7は図6の側面図である。また、図8
は第2及び第3の実施の形態のメモリモジュール変換コ
ネクタの接続の様子を説明した図で、図9は図8の側面
図である。メモリモジュール変換コネクタ20は、SI
MMを挿入した際にSIMMを受ける部分のSIMM受
け部21及びSIMM受け部22と、SIMMを挿入す
る際にSIMMの左右両側を導入するようにした部分で
ある4個のSIMMガイド部23と、DIMMコネクタ
に対してDIMMの代わりに挿入する部分であるDIM
M代替挿入部24とから構成される。なお、第2の実施
の形態のメモリモジュール変換コネクタと第3の実施の
形態のメモリモジュール変換コネクタとは後述のよう
に、メモリモジュール変換コネクタ20内の信号の接続
関係が異なるだけであり外観形状は同じである。
Next, second and third embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a perspective view of a memory module conversion connector according to the second and third embodiments of the present invention, and FIG. 7 is a side view of FIG. FIG.
FIG. 9 is a diagram for explaining the connection of the memory module conversion connectors according to the second and third embodiments, and FIG. 9 is a side view of FIG. The memory module conversion connector 20 is
A SIMM receiving portion 21 and a SIMM receiving portion 22 for receiving the SIMM when the MM is inserted, and four SIMM guide portions 23 for introducing both the left and right sides of the SIMM when inserting the SIMM; A DIM that is inserted into the DIMM connector instead of the DIMM
And an M alternative insertion unit 24. Note that the memory module conversion connector according to the second embodiment and the memory module conversion connector according to the third embodiment differ only in the connection relationship of signals in the memory module conversion connector 20 as described later. Is the same.

【0029】次に接続の様子を含めて詳しく説明する。
SIMM受け部21は信号に応じた数の接触部27を持
つ溝25を有し、SIMM61が挿入されると、接触部
27がこれと同数のSIMMの先端部分に設けられた接
触部63と接触して電気的に接続され、信号の伝達がで
きるようになっている。同様にSIMM受け部22は信
号に応じた数の接触部28を持つ溝26を有し、SIM
M62が挿入されると、接触部28がこれと同数のSI
MMの先端部分に設けられた接触部64と接触して電気
的に接続され、信号の伝達ができるようになっている。
SIMMガイド部23は、SIMM受け部21、22の
左右両端にそれぞれ形成され、SIMMを挿入しやすく
するために設けられている。
Next, the connection state will be described in detail.
The SIMM receiving portion 21 has a groove 25 having a number of contact portions 27 corresponding to the number of signals, and when the SIMM 61 is inserted, the contact portions 27 make contact with the contact portions 63 provided at the tip portions of the same number of SIMMs. And are electrically connected so that signals can be transmitted. Similarly, the SIMM receiving portion 22 has a groove 26 having a number of contact portions 28 according to the signal, and
When the M62 is inserted, the contact portions 28 have the same number of SIs.
The contact portion 64 provided at the tip of the MM is in contact with and electrically connected to the contact portion 64 so that a signal can be transmitted.
The SIMM guide portions 23 are formed on both left and right ends of the SIMM receiving portions 21 and 22, respectively, and are provided to facilitate insertion of the SIMM.

【0030】DIMM代替挿入部24は、SIMM受け
部21、22の間に設けられ、その先端部分の両側には
信号に応じた数の接触部29を持っている。基板80に
実装されるDIMMコネクタ70の溝71の両側には接
触部29と同数の接触部72が設けられており、DIM
M代替挿入部24が挿入されると、接触部72と接触部
29が接触して電気的に接続され信号を伝達する。
The DIMM substitute insertion section 24 is provided between the SIMM receiving sections 21 and 22, and has a number of contact sections 29 on both sides of a tip portion thereof in accordance with a signal. The same number of contact portions 72 as the contact portions 29 are provided on both sides of the groove 71 of the DIMM connector 70 mounted on the substrate 80.
When the M substitute insertion section 24 is inserted, the contact section 72 and the contact section 29 come into contact and are electrically connected to transmit a signal.

【0031】上記の各接触部は本発明の第1の実施の形
態で説明した接触部と同じであり、接触部の形態は信号
を伝達する機能が備えられていればこれ以外の形態でも
かまわない。SIMM受け部21とSIMM受け部22
との間隔はなるべき小さく、メモリモジュール変換コネ
クタ20の高さはなるべく低くしたほうが実装上有利で
ある。図示していないが、SIMM61やSIMM62
の脱落を防止するためにSIMMガイド部23又はその
近くにSIMMをロックする機構を取り付けることも有
効である。
Each of the above-mentioned contact portions is the same as the contact portion described in the first embodiment of the present invention, and the form of the contact portion may be any other form provided that it has a function of transmitting a signal. Absent. SIMM receiving unit 21 and SIMM receiving unit 22
It is more advantageous to mount the memory module conversion connector 20 as low as possible. Although not shown, SIMM 61 and SIMM 62
It is also effective to attach a SIMM locking mechanism at or near the SIMM guide section 23 to prevent the SIMM from falling off.

【0032】このように、DIMMコネクタ70を実装
した基板80を実装した情報処理装置に、メモりモジュ
ール変換コネクタ20を実装することにより、容易に1
枚のDIMMを2枚のSIMMで代替することができ
る。また、図では基板80上にDIMMコネクタを1つ
だけ実装している様子を示しているが、大容量の主記憶
を実現する場合には、多くのDIMMコネクタを基板8
0上に実装すればよく、これに伴いメモりモジュール変
換コネクタ20も多く実装できるが、実装するか否かは
DIMMとSIMMの保有数によって判断すればよい。
As described above, the memory module conversion connector 20 can be easily mounted on the information processing apparatus on which the board 80 on which the DIMM connector 70 is mounted is easily mounted.
One DIMM can be replaced by two SIMMs. Also, the figure shows a state in which only one DIMM connector is mounted on the board 80. However, in order to realize a large-capacity main memory, many DIMM connectors are mounted on the board 80.
0, and many memory module conversion connectors 20 can be mounted. However, whether to mount the memory module conversion connector 20 may be determined based on the number of DIMMs and SIMMs.

【0033】次に、本発明の第2及び第3の実施の形態
の信号の接続について説明する。メモリモジュールの信
号については第1の実施の形態で記述したとおりであ
る。ここでも、メモリモジュール変換コネクタ20は図
8、図9のように接続されており、基板80上のデータ
幅は64ビットで、SIMMのデータ幅は32ビット
で、DIMMのデータ幅は64ビットとする。
Next, connection of signals according to the second and third embodiments of the present invention will be described. The signals of the memory module are as described in the first embodiment. Here, the memory module conversion connector 20 is connected as shown in FIG. 8 and FIG. 9, and the data width on the board 80 is 64 bits, the data width of the SIMM is 32 bits, and the data width of the DIMM is 64 bits. I do.

【0034】図10は第2の実施の形態のメモリモジュ
ール変換コネクタの信号の接続を説明した図である。D
IMM代替挿入部24が基板80から受ける信号線は、
kビットの制御信号線C(0〜k−1)と、mビットの
アドレス信号線a(0〜m−1)と、64ビットのデー
タ信号線d(0〜63)と、8ビットのデータパリティ
信号線p(0〜7)とし、2つのSIMM61、62側
の信号線はそれぞれ、kビットの制御信号線C(0〜k
−1)と、mビットのアドレス信号線a(0〜m−1)
と、32ビットのデータ信号線d(0〜31)と、4ビ
ットのデータパリティ信号線p(0〜3)とする。ま
た、データパリティ信号はここではデータ8ビットに対
して1ビットのデータパリティを対応させているが、対
応のさせ方はこれ以外でもかまわない。また、DIMM
の種類によってはデータパリティを備えていない場合も
あるが、この場合はデータパリティ信号線をないものと
して以下考えればよい。
FIG. 10 is a diagram for explaining signal connection of the memory module conversion connector according to the second embodiment. D
The signal line that the IMM alternative insertion section 24 receives from the substrate 80 is
k-bit control signal line C (0 to k-1), m-bit address signal line a (0 to m-1), 64-bit data signal line d (0 to 63), and 8-bit data The parity signal lines are p (0 to 7), and the signal lines on the two SIMMs 61 and 62 are k-bit control signal lines C (0 to k), respectively.
-1) and an m-bit address signal line a (0 to m-1)
And a 32-bit data signal line d (0 to 31) and a 4-bit data parity signal line p (0 to 3). Although the data parity signal corresponds to 1-bit data parity for 8 bits of data here, any other method may be used. Also, DIMM
Depending on the type, there may be no data parity, but in this case, it may be considered below that there is no data parity signal line.

【0035】DIMM代替挿入部24はDIMMコネク
タ70に挿入して基板80の信号線と接続し、メモリモ
ジュール変換コネクタ20においてこれらの信号線をS
IMM受け部21とSIMM受け部22とに分配する。
接続関係は図10のように、DIMM代替挿入部24の
c(0〜k−1)及びa(0〜m−1)はSIMM受け
部21及びSIMM受け部22のc(0〜k−1)及び
a(0〜m−1)と接続され、DIMM代替挿入部24
のd(0〜31)及びp(0〜3)はSIMM受け部2
1のd(0〜31)及びp(0〜3)と接続され、DI
MM代替挿入部24のd(32〜63)及びp(4〜
7)はSIMM受け部22のd(0〜31)及びp(0
〜3)と接続される。
The DIMM substitute insertion section 24 is inserted into the DIMM connector 70 and connected to the signal lines of the board 80, and these signal lines are connected to the S in the memory module conversion connector 20.
It is distributed to the IMM receiving unit 21 and the SIMM receiving unit 22.
As shown in FIG. 10, the connection relationship between c (0 to k-1) and a (0 to m-1) of the DIMM replacement insertion unit 24 is c (0 to k-1) of the SIMM receiving unit 21 and the SIMM receiving unit 22. ) And a (0-m-1), and the DIMM replacement insertion section 24
D (0-31) and p (0-3) of the SIMM receiving unit 2
1 is connected to d (0 to 31) and p (0 to 3), and DI
D (32 to 63) and p (4 to
7) d (0 to 31) and p (0) of the SIMM receiving unit 22
To 3).

【0036】図11は第3の実施の形態のメモリモジュ
ール変換コネクタの信号の接続を説明した図である。第
3の実施の形態のメモリモジュール変換コネクタは外観
上は第2の実施の形態と同じで、メモリモジュール変換
コネクタ内部の信号の接続のみが異なるので図6〜図9
は第2の実施の形態のメモリモジュール変換コネクタと
共有して用いている。第2の実施の形態のメモリモジュ
ール変換コネクタがデータのみ又はパリティに対応して
いるのに対して、第3の実施の形態のメモリモジュール
変換コネクタではECCに対応している点が異なる。
FIG. 11 is a diagram for explaining signal connection of the memory module conversion connector according to the third embodiment. The memory module conversion connector of the third embodiment is the same in appearance as the second embodiment, and differs only in the signal connection inside the memory module conversion connector.
Are used in common with the memory module conversion connector of the second embodiment. The difference is that the memory module conversion connector of the second embodiment supports only data or parity, whereas the memory module conversion connector of the third embodiment supports ECC.

【0037】DIMM代替挿入部24が基板80から受
ける信号線は、kビットの制御信号線C(0〜k−1)
と、mビットのアドレス信号線a(0〜m−1)と、6
4ビットのデータ信号線d(0〜63)と、8ビットの
ECC信号線e(0〜7)とする。また、2つのSIM
M61、62側の信号線はそれぞれ、kビットの制御信
号線C(0〜k−1)と、mビットのアドレス信号線a
(0〜m−1)と、32ビットのデータ信号線d(0〜
31)と、7ビットのECC信号線e(0〜6)とす
る。
The signal lines received by the DIMM substitute insertion section 24 from the substrate 80 are k-bit control signal lines C (0 to k-1).
, M-bit address signal lines a (0 to m−1), 6
A 4-bit data signal line d (0 to 63) and an 8-bit ECC signal line e (0 to 7) are used. Also, two SIMs
The signal lines on the M61 and M62 sides are respectively a k-bit control signal line C (0 to k-1) and an m-bit address signal line a
(0-m-1) and a 32-bit data signal line d (0-m-1)
31) and a 7-bit ECC signal line e (0 to 6).

【0038】DIMM代替挿入部24はDIMMコネク
タ70に挿入して基板80の信号線と接続し、メモリモ
ジュール変換コネクタ20においてこれらの信号線をS
IMM受け部21とSIMM受け部22とに分配する。
接続関係は図11のように、DIMM代替挿入部24の
c(0〜k−1)及びa(0〜m−1)はSIMM受け
部21及びSIMM受け部22の双方と接続され、DI
MM代替挿入部24のd(0〜31)及びe(0〜6)
はSIMM受け部21のd(0〜31)及びe(0〜
6)と接続され、DIMM代替挿入部24のd(32〜
63)及びe(7)はSIMM受け部22のd(0〜3
1)及びe(0)と接続される。SIMM受け部22の
e(1〜6)の6ビットは未使用となる。
The DIMM substitute insertion section 24 is inserted into the DIMM connector 70 and connected to the signal lines of the board 80, and these signal lines are connected to the S in the memory module conversion connector 20.
It is distributed to the IMM receiving unit 21 and the SIMM receiving unit 22.
As for the connection relationship, as shown in FIG. 11, c (0 to k-1) and a (0 to m-1) of the DIMM substitute insertion unit 24 are connected to both the SIMM receiving unit 21 and the SIMM receiving unit 22, and the DI
D (0 to 31) and e (0 to 6) of the MM alternative insertion unit 24
Are d (0-31) and e (0-31) of the SIMM receiving section 21.
6) and d (32 to 32) of the DIMM replacement insertion section 24.
63) and e (7) are d (0 to 3) of the SIMM receiving unit 22.
1) and e (0). The 6 bits of e (1-6) of the SIMM receiving unit 22 are unused.

【0039】以上のように第2及び第3の実施の形態に
おいて、DIMMの代わりにメモリモジュール変換コネ
クタ20と2つのSIMMを実装することにより、1つ
のDIMMを2つのSIMMで代替することができる。
第2の実施の形態において、このような接続を可能とす
るためには、データ信号線数及びデータパリティ信号線
数において、DIMMがSIMMの2倍以上持つことが
必要だが、DIMMはSIMMに対して信号ピン数を2
倍持っているため、多くの場合問題とはならない。第3
の実施の形態において、このような接続を可能とするた
めには、DIMM、SIMMともECCを採用していれ
ば問題ない。また、SIMMがパリティを前提としたも
のである場合、SIMMのパリティ信号数の2倍した数
がDIMMのECC信号数以上であれば、SIMMのパ
リティ信号をECC信号として使用することも可能であ
る。なお、電源ピン、グランドピンについては図示しな
いが、SIMM受け部21とSIMM受け部22とDI
MM代替挿入部24との間で、電源ピンどうし、グラン
ドピンどうしそれぞれ接続している。
As described above, in the second and third embodiments, by mounting the memory module conversion connector 20 and two SIMMs instead of DIMMs, one DIMM can be replaced by two SIMMs. .
In the second embodiment, in order to enable such a connection, the number of data signal lines and the number of data parity signal lines need to have a DIMM at least twice that of a SIMM. 2 signal pins
In many cases, this is not a problem. Third
In this embodiment, in order to enable such a connection, there is no problem if both the DIMM and the SIMM adopt ECC. In addition, when the SIMM is based on parity, if the number of twice the number of parity signals of the SIMM is equal to or larger than the number of ECC signals of the DIMM, the parity signal of the SIMM can be used as the ECC signal. . Although the power supply pin and the ground pin are not shown, the SIMM receiving section 21, the SIMM receiving section 22,
The power supply pins and the ground pins are connected to the MM substitute insertion section 24, respectively.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明の第1の実施の形態のメモリモジ
ュール変換コネクタにより、SIMMを採用している情
報処理装置でDIMMを代替して使用することができ
る。これにより、入手しやすく、かつ安価なDIMMを
SIMMに代わって使用することが可能となる。
According to the memory module conversion connector of the first embodiment of the present invention, a DIMM can be used instead of a DIMM in an information processing apparatus employing a SIMM. This makes it possible to use easily available and inexpensive DIMMs instead of SIMMs.

【0041】本発明の第2及び第3の実施の形態のメモ
リモジュール変換コネクタにより、DIMMを採用して
いる情報処理装置でSIMMを代替して使用することが
でる。これにより、SIMM採用の情報処理装置からD
IMM採用の情報処理装置に置き換えた際も、SIMM
を置き換えた装置に流用し再利用することが可能とな
る。
The memory module conversion connectors according to the second and third embodiments of the present invention allow a data processing device employing a DIMM to use a SIMM instead. As a result, the information processing device employing SIMM
When replacing the information processing device with IMM, SIMM
It can be reused by diverting it to a device in which is replaced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態のメモリモジュール変換コネ
クタの斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a memory module conversion connector according to a first embodiment.

【図2】図1の側面図である。FIG. 2 is a side view of FIG.

【図3】第1の実施の形態のメモリモジュール変換コネ
クタの接続を説明した図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating connection of a memory module conversion connector according to the first embodiment.

【図4】図3の側面図である。FIG. 4 is a side view of FIG. 3;

【図5】第1の実施の形態のメモリモジュール変換コネ
クタの信号の接続を説明した図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating connection of signals of a memory module conversion connector according to the first embodiment.

【図6】第2及び第3の実施の形態のメモリモジュール
変換コネクタの斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view of a memory module conversion connector according to the second and third embodiments.

【図7】図6の側面図である。FIG. 7 is a side view of FIG. 6;

【図8】第2及び第3の実施の形態のメモリモジュール
変換コネクタの接続を説明した図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating connection of a memory module conversion connector according to the second and third embodiments.

【図9】図8の側面図である。FIG. 9 is a side view of FIG.

【図10】第2の実施の形態のメモリモジュール変換コ
ネクタの信号の接続を説明した図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating connection of signals of a memory module conversion connector according to a second embodiment.

【図11】第3の実施の形態のメモリモジュール変換コ
ネクタの信号の接続を説明した図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating connection of signals of a memory module conversion connector according to a third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 メモリモジュール変換コネクタ 11 DIMM受け部 12 DIMMガイド部 13 SIMM代替挿入部 14 SIMM代替挿入部 20 メモリモジュール変換コネクタ 21 SIMM受け部 22 SIMM受け部 23 SIMMガイド部 24 DIMM代替挿入部 31 SIMMコネクタ 32 SIMMコネクタ 40 DIMM 50 基板 61 SIMM 62 SIMM 70 DIMMコネクタ 80 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Memory module conversion connector 11 DIMM receiving part 12 DIMM guide part 13 SIMM substitution insertion part 14 SIMM substitution insertion part 20 Memory module conversion connector 21 SIMM reception part 22 SIMM reception part 23 SIMM guide part 24 DIMM substitution substitution part 31 SIMM connector 32 SIMM Connector 40 DIMM 50 Board 61 SIMM 62 SIMM 70 DIMM Connector 80 Board

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01R 31/06 H01R 31/06 M Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H01R 31/06 H01R 31/06 M

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 2つのSIMMコネクタと1つのDIM
Mとを接続する構造を備えたことを特徴とするメモリモ
ジュール変換コネクタ。
1. Two SIMM connectors and one DIM
A memory module conversion connector characterized by comprising a structure for connecting the M module.
【請求項2】 DIMMを挿入して信号を伝達するため
の複数の接触部を持つ溝を設けたDIMM受け部と、前
記DIMM受け部の両端に設けられたDIMMガイド部
と、前記DIMM受け部の両側に設けられそれぞれSI
MMコネクタに挿入可能とした第1のSIMM代替挿入
部及び第2のSIMM代替挿入部とを備えたことを特徴
とするメモリモジュール変換コネクタ。
2. A DIMM receiving portion provided with a groove having a plurality of contact portions for inserting a DIMM and transmitting a signal, a DIMM guide portion provided at both ends of the DIMM receiving portion, and the DIMM receiving portion. Provided on both sides of the
A memory module conversion connector, comprising: a first SIMM replacement insertion portion and a second SIMM replacement insertion portion that can be inserted into an MM connector.
【請求項3】 DIMMを挿入して信号を伝達するため
の複数の接触部を持つ溝を設けたDIMM受け部と、前
記DIMM受け部の両端に設けられたDIMMガイド部
と、前記DIMM受け部の両側に設けられそれぞれSI
MMコネクタに挿入可能とした第1のSIMM代替挿入
部及び第2のSIMM代替挿入部とを備え、 前記第1のSIMM代替挿入部の制御信号群及びアドレ
ス信号群を前記DIMM受け部の制御信号群及びアドレ
ス信号群のそれぞれに接続し、前記第1のSIMM代替
挿入部のデータ信号群を前記DIMM受け部の第1のデ
ータ信号群に接続し、前記第2のSIMM代替挿入部の
データ信号群を前記DIMM受け部の第2のデータ信号
群に接続したことを特徴とするメモリモジュール変換コ
ネクタ。
3. A DIMM receiving portion provided with a groove having a plurality of contact portions for inserting a DIMM and transmitting a signal, a DIMM guide portion provided at both ends of the DIMM receiving portion, and the DIMM receiving portion. Provided on both sides of the
A first SIMM replacement insertion section and a second SIMM replacement insertion section that can be inserted into the MM connector, wherein a control signal group and an address signal group of the first SIMM replacement insertion section are control signals of the DIMM receiving section. And a data signal group of the second SIMM replacement insertion unit, wherein the data signal group of the first SIMM replacement insertion unit is connected to a first data signal group of the DIMM receiving unit. A memory module conversion connector, wherein a group is connected to a second data signal group of the DIMM receiving unit.
【請求項4】 DIMMを挿入して信号を伝達するため
の複数の接触部を持つ溝を設けたDIMM受け部と、前
記DIMM受け部の両端に設けられたDIMMガイド部
と、前記DIMM受け部の両側に設けられそれぞれSI
MMコネクタに挿入可能とした第1のSIMM代替挿入
部及び第2のSIMM代替挿入部とを備え、 前記第1のSIMM代替挿入部の制御信号群及びアドレ
ス信号群を前記DIMM受け部の制御信号群及びアドレ
ス信号群のそれぞれに接続し、前記第1のSIMM代替
挿入部のデータ信号群及びデータパリティ信号群を前記
DIMM受け部の第1のデータ信号群及び第1のデータ
パリティ信号群のそれぞれに接続し、前記第2のSIM
M代替挿入部のデータ信号群及びデータパリティ信号群
を前記DIMM受け部の第2のデータ信号群及び第2の
データパリティ信号群のそれぞれに接続したことを特徴
とするメモリモジュール変換コネクタ。
4. A DIMM receiving portion provided with a groove having a plurality of contact portions for transmitting a signal by inserting a DIMM, a DIMM guide portion provided at both ends of the DIMM receiving portion, and the DIMM receiving portion. Provided on both sides of the
A first SIMM replacement insertion section and a second SIMM replacement insertion section that can be inserted into the MM connector, wherein a control signal group and an address signal group of the first SIMM replacement insertion section are control signals of the DIMM receiving section. And the data signal group and the data parity signal group of the first SIMM substitute insertion unit are respectively connected to the first data signal group and the first data parity signal group of the DIMM receiving unit. And the second SIM
A memory module conversion connector, wherein a data signal group and a data parity signal group of the M replacement insertion unit are connected to each of a second data signal group and a second data parity signal group of the DIMM receiving unit.
【請求項5】 請求項1、請求項2、請求項3、又は請
求項4のメモリモジュール変換コネクタを有する情報処
理装置。
5. An information processing apparatus having the memory module conversion connector according to claim 1, 2, 3, or 4.
【請求項6】 1つのDIMMコネクタと2つのSIM
Mとを接続できる構造を備えたことを特徴とするメモリ
モジュール変換コネクタ。
6. One DIMM connector and two SIMs
A memory module conversion connector characterized by having a structure capable of connecting to the M module.
【請求項7】 SIMMを挿入して信号を伝達するため
の複数の接触部を持つ溝をそれぞれ設けた第1のSIM
M受け部及び第2のSIMM受け部と、前記第1のSI
MM受け部及び前記第2のSIMM受け部のそれぞれの
両端に設けられたSIMMガイド部と、前記第1のSI
MM受け部と前記第2のSIMM受け部との間に設けら
れたDIMM代替挿入部とを備えたことを特徴とするメ
モリモジュール変換コネクタ。
7. A first SIM provided with grooves each having a plurality of contact portions for transmitting a signal by inserting a SIMM.
M receiving part and a second SIMM receiving part, and the first SI
A SIMM guide section provided at both ends of each of the MM receiving section and the second SIMM receiving section;
A memory module conversion connector, comprising: a DIMM substitute insertion portion provided between an MM receiving portion and said second SIMM receiving portion.
【請求項8】 SIMMを挿入して信号を伝達するため
の複数の接触部を持つ溝をそれぞれ設けた第1のSIM
M受け部及び第2のSIMM受け部と、前記第1のSI
MM受け部及び前記第2のSIMM受け部のそれぞれの
両端に設けられたSIMMガイド部と、前記第1のSI
MM受け部と前記第2のSIMM受け部との間に設けら
れたDIMM代替挿入部とを備え、 前記DIMM代替挿入部の制御信号群及びアドレス信号
群を前記第1のSIMM受け部の制御信号群及びアドレ
ス信号群と前記第2のSIMM受け部の制御信号群及び
アドレス信号群とのそれぞれに接続し、前記DIMM代
替挿入部の第1のデータ信号群を前記第1のSIMM受
け部のデータ信号群に接続し、前記DIMM代替挿入部
の第2のデータ信号群を前記第2のSIMM受け部のデ
ータ信号群に接続したことを特徴とするメモリモジュー
ル変換コネクタ。
8. A first SIM provided with grooves each having a plurality of contact portions for transmitting a signal by inserting a SIMM.
M receiving part and a second SIMM receiving part, and the first SI
A SIMM guide section provided at both ends of each of the MM receiving section and the second SIMM receiving section;
A DIMM replacement insertion portion provided between the MM receiving portion and the second SIMM receiving portion, wherein a control signal group and an address signal group of the DIMM replacement insertion portion are controlled by the control signal of the first SIMM receiving portion. And a control signal group and an address signal group of the second SIMM receiving section, respectively, and a first data signal group of the DIMM substitute inserting section is connected to a data of the first SIMM receiving section. A memory module conversion connector, wherein the connector is connected to a signal group, and a second data signal group of the DIMM substitute insertion section is connected to a data signal group of the second SIMM receiving section.
【請求項9】 SIMMを挿入して信号を伝達するため
の複数の接触部を持つ溝をそれぞれ設けた第1のSIM
M受け部及び第2のSIMM受け部と、前記第1のSI
MM受け部及び前記第2のSIMM受け部のそれぞれの
両端に設けられたSIMMガイド部と、前記第1のSI
MM受け部と前記第2のSIMM受け部との間に設けら
れたDIMM代替挿入部とを備え、 前記DIMM代替挿入部の制御信号群及びアドレス信号
群を前記第1のSIMM受け部の制御信号群及びアドレ
ス信号群と前記第2のSIMM受け部の制御信号群及び
アドレス信号群とのそれぞれに接続し、前記DIMM代
替挿入部の第1のデータ信号群及び第1のデータパリテ
ィ信号群を前記第1のSIMM受け部のデータ信号群及
びデータパリティ信号群のそれぞれに接続し、前記DI
MM代替挿入部の第2のデータ信号群及び第2のデータ
パリティ信号群を前記第2のSIMM受け部のデータ信
号群及びデータパリティ信号群のそれぞれに接続したこ
とを特徴とするメモリモジュール変換コネクタ。
9. A first SIM provided with grooves each having a plurality of contact portions for transmitting a signal by inserting a SIMM.
M receiving part and a second SIMM receiving part, and the first SI
A SIMM guide section provided at both ends of each of the MM receiving section and the second SIMM receiving section;
A DIMM replacement insertion portion provided between the MM receiving portion and the second SIMM receiving portion, wherein a control signal group and an address signal group of the DIMM replacement insertion portion are controlled by the control signal of the first SIMM receiving portion. Group and an address signal group and a control signal group and an address signal group of the second SIMM receiving unit, respectively, and the first data signal group and the first data parity signal group of the DIMM alternative insertion unit are Connected to each of the data signal group and the data parity signal group of the first SIMM receiving unit,
A memory module conversion connector, wherein a second data signal group and a second data parity signal group of an MM substitute insertion section are connected to a data signal group and a data parity signal group of the second SIMM receiving section, respectively. .
【請求項10】 SIMMを挿入して信号を伝達するた
めの複数の接触部を持つ溝をそれぞれ設けた第1のSI
MM受け部及び第2のSIMM受け部と、前記第1のS
IMM受け部及び前記第2のSIMM受け部のそれぞれ
の両端に設けられたSIMMガイド部と、前記第1のS
IMM受け部と前記第2のSIMM受け部との間に設け
られたDIMM代替挿入部とを備え、 前記DIMM代替挿入部の制御信号群及びアドレス信号
群を前記第1のSIMM受け部の制御信号群及びアドレ
ス信号群と前記第2のSIMM受け部の制御信号群及び
アドレス信号群とのそれぞれに接続し、前記DIMM代
替挿入部の第1のデータ信号群を前記第1のSIMM受
け部のデータ信号群に接続し、前記DIMM代替挿入部
の第2のデータ信号群を前記第2のSIMM受け部のデ
ータ信号群に接続し、前記DIMM代替挿入部の誤り訂
正符号信号群の一部を前記第1のSIMM受け部の誤り
訂正符号信号群に接続し、前記DIMM代替挿入部の前
記誤り訂正符号信号群の一部の残りを前記第2のSIM
M受け部の一部の誤り訂正符号信号群に接続したことを
特徴とするメモリモジュール変換コネクタ。
10. A first SI provided with grooves each having a plurality of contact portions for transmitting a signal by inserting a SIMM.
An MM receiver and a second SIMM receiver;
A SIMM guide section provided at both ends of each of an IMM receiving section and the second SIMM receiving section;
A DIMM replacement insertion section provided between the IMM receiving section and the second SIMM receiving section, wherein a control signal group and an address signal group of the DIMM replacement insertion section are controlled by the control signal of the first SIMM receiving section. And a control signal group and an address signal group of the second SIMM receiving section, respectively, and a first data signal group of the DIMM substitute inserting section is connected to a data of the first SIMM receiving section. And a second data signal group of the DIMM alternative insertion section is connected to a data signal group of the second SIMM receiving section, and a part of the error correction code signal group of the DIMM alternative insertion section is connected to the second group. Connecting the error correction code signal group of the first SIMM receiving section to the second SIM
A memory module conversion connector connected to a part of error correction code signal groups of an M receiving section.
【請求項11】 請求項6、請求項7、請求項8、請求
項9、又は請求項10のメモリモジュール変換コネクタ
を有する情報処理装置。
11. An information processing apparatus comprising the memory module conversion connector according to claim 6, 7, 8, 9, or 10.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007183941A (en) * 2006-01-09 2007-07-19 Samsung Electronics Co Ltd Memory system capable of changing configuration of memory module
US7633767B2 (en) 2005-05-12 2009-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory modules including SIMM and DIMM-type connection structures and related memory systems
JP2012146293A (en) * 2011-01-10 2012-08-02 Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi Memory protection slot assembly
WO2022066344A1 (en) * 2020-09-24 2022-03-31 Intel Corporation Dual in-line memory module (dimm) socket circuit to detect improper insertion of a dimm edge into a dimm socket

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7633767B2 (en) 2005-05-12 2009-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory modules including SIMM and DIMM-type connection structures and related memory systems
JP2007183941A (en) * 2006-01-09 2007-07-19 Samsung Electronics Co Ltd Memory system capable of changing configuration of memory module
DE102006062578B4 (en) * 2006-01-09 2016-07-21 Samsung Electronics Co., Ltd. storage system
JP2012146293A (en) * 2011-01-10 2012-08-02 Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi Memory protection slot assembly
WO2022066344A1 (en) * 2020-09-24 2022-03-31 Intel Corporation Dual in-line memory module (dimm) socket circuit to detect improper insertion of a dimm edge into a dimm socket
US11588279B2 (en) 2020-09-24 2023-02-21 Intel Corporation Dual in-line memory module (DIMM) socket circuit to detect improper insertion of a DIMM edge into a DIMM socket

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