JP2001060652A - キャリアフィルム基板および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】小型化に適したキャリアフィルム基板および半
導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】折曲したリード状の支持部（２２）を残し
て、半導体装置形成領域（１４）の周囲にスリット（１
６）を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、キャリアフィルム
基板および半導体装置の製造方法に関し、特に、小型化
に適したキャリアフィルム基板および半導体装置の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】チップサイズ半導体装置等の半導体装置
の製造では、生産性の向上やコストの低減を図るため
に、キャリアフィルム基板と称される集合型の回路基板
が使用される。このキャリアフィルム基板には、半導体
装置の回路パターンが複数個分形成され、複数の半導体
チップの搭載およびパッケージングが該キャリアフィル
ム基板上で一括して行われる。

【０００３】その後、該キャリアフィルム基板上に形成
された複数のパッケージ部分が個別に切り出されて、複
数の半導体装置が得られる。このような個別切り出しの
技術を開示した文献として、特開平８−６４７１８号公
報がある。同公報には、切り出し部分をスリットで分離
して、切り出しの効率化を図る方法が開示されている。

【０００４】上記公知技術は、連続的な切り出しを可能
にする有用な技術であるが、チップサイズ半導体装置等
のサイズの縮小化が求められる分野では、より小型化に
適した方法が望まれる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、小型化に適
したキャリアフィルム基板および半導体装置の製造方法
を提供することを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、キャビティ内にパッケージを嵌装させ
て、該キャビティから突出した部分を切断除去する。こ
れにより、パッケージの周縁に限りなく近い位置で半導
体装置を切り出すことができる。

【０００７】また、本発明では、折曲したリード状の支
持部を残して、半導体装置形成領域の周囲にスリットを
形成する。該支持部の折曲部分により、半導体装置形成
領域の微調整が可能になり、前記キャビティへの嵌装が
容易になる。

【０００８】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るキャリアフ
ィルム基板の構造を示す平面図である。以下、同図に基
づいて、本発明の構成およびその特徴ある思想を詳細に
説明する。

【０００９】半導体装置形成領域１４は、一の半導体装
置が形成される領域であり、キャリアフィルム基板１０
上に複数設けられる。この半導体装置形成領域１４に
は、個々の半導体装置の回路パターンが形成されてお
り、該回路パターンには、該半導体装置形成領域１４上
に載置された半導体チップが接続される。

【００１０】位置決め穴２４は、キャリアフィルム基板
１０の搬送や位置決めに使用される穴である。

【００１１】図２は、図１に示した半導体装置形成領域
１４周辺の拡大図である。同図に示すように、半導体装
置形成領域１４の周囲には、コーナー部に折曲した幾つ
かの支持部２２を残してスリット１６が形成される。ス
リット１６は、打ち抜きによって形成することが好まし
い。

【００１２】半導体装置形成領域１４とスリット１６と
の間には、若干の余白が設けられる。この余白は、半導
体装置の形成に必要な公差である。本発明では、最終的
にこの余白部分をも切断除去し、可能な限り装置サイズ
の小型化を図る。

【００１３】スリット１６は、半導体装置形成領域１４
の切り出しを容易にするとともに、樹脂封止時のキャリ
アフィルム基板１０の変形を抑制する。すなわち、各半
導体装置形成領域１４上に搭載された半導体チップは、
樹脂封止されてパッケージングされるが、該樹脂封止時
には、半導体装置形成領域１４付近が１７０℃以上に加
熱されるため、スリット１６がなければ、部材間の熱膨
張係数の違いにより、キャリアフィルム基板１０が波状
に変形してしまう。

【００１４】スリット１６を設けておけば、その位置で
熱膨張による変形が吸収されるため、パッケージの剥離
等を防止することができる。キャリアフィルム基板１０
の変形防止は、また、半導体装置形成領域１４の位置ず
れも防止し、個別切り出し時の精度向上にも寄与する。

【００１５】支持部２２は、半導体装置形成領域１４を
キャリアフィルム基板１０本体と連結して、該半導体装
置形成領域１４を支持する部材であり、折曲したリード
状に形成することが好ましい。この折曲したリード形状
により、キャリアフィルム基板１０本体が固定されてい
る場合であっても、半導体装置形成領域１４を上下左右
方向に移動させることができるとともに、キャリアフィ
ルム基板１０本体に対する傾きを補正することができ
る。すなわち、折曲部分は、半導体装置形成領域１４移
動時のあそびを生み出すのである。

【００１６】上記のような折曲した支持部２２により、
図１に示すように、隣接した半導体装置形成領域１４同
士の中心を位置決めライン上に揃えることが可能にな
る。従って、この位置決めラインに沿って金型を一列ま
たはグリッド状に配置しておけば、該金型による半導体
装置の複数同時切り出しが可能になる。金型の用いた切
り出しは、本発明の重要なポイントの一つであるため、
後に詳細な説明を加える。

【００１７】折曲した支持部２２は、また、熱膨張によ
る半導体装置形成領域１４の位置ずれ防止にも寄与す
る。すなわち、半導体装置形成領域１４周辺の熱膨張率
に偏りがある場合には、樹脂封止を行うと、半導体装置
形成領域１４が上下左右のいずれかの方向に引っ張られ
る。支持部２２の折曲部は、この引っ張り力を緩和し、
半導体装置形成領域１４の位置ずれを抑制するのであ
る。

【００１８】図３は、図２に示した支持部２２の他の形
態を示す平面図である。同図に示すように、支持部２２
は、鋸刃状、波状または枠状で折曲させてもよい。

【００１９】図４は、図１に示した半導体装置形成領域
１４の個別切り出し工程を示す側面図である。同図に示
すように、半導体装置形成領域１４の個別切り出しは、
該半導体装置形成領域１４上に形成されたパッケージ１
８を下金型３０のキャビティ２０に嵌装させて行う。こ
のキャビティ２０は、パッケージ１８の形状に対応した
形状を有する。

【００２０】下金型３０は、図１に示した位置決めライ
ン上に複数配置し、パッケージ１８のキャビティ２０へ
の嵌装を複数同時に行うことが好ましい。このときの複
数同時嵌装は、折曲した支持部２２を利用した微調整に
より、好適に行うことができる。パッケージ１８の複数
同時嵌装により、一回の工程で複数の半導体装置を切り
出すことが可能になり、生産性が向上する。

【００２１】その後、上金型２６をキャリアフィルム基
板１０の裏面側から当接し、上金型２６および下金型３
０でパッケージ１８およびキャリアフィルム基板１０を
挟持する。この状態で、キャビティ２０から突出した部
分、すなわち、図２に示した半導体装置形成領域１４か
らはみ出した余白部分をパンチ２８で切断除去する。

【００２２】このとき、パッケージ１８の側壁は、キャ
ビティ２０内に収容されているため、パンチ２８による
損傷はない。さらに、金型による切断は、高精度に行わ
れるため、不要な余白部分はきれいに取り除かれ、パッ
ケージ１８の大きさと略等しいサイズの半導体装置が得
られる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明による半導体装置の一製造手順
を示す。

【００２４】まず、図１に示すキャリアフィルム基板１
０の各半導体装置形成領域１４上に半導体チップをそれ
ぞれ載置する。そして、該載置した各半導体チップを回
路パターンにそれぞれ接続し、その後、これらを樹脂封
止してパッケージを形成する。

【００２５】次に、図４に示すように、位置決めライン
上に複数配置された金型に各パッケージを設置し、パン
チを用いて複数の半導体装置形成領域を同時に切り出
す。こうして、小型化が図られた複数の半導体装置が得
られる。

【００２６】

【発明の効果】本発明によれば、キャリアフィルム基板
は半導体装置形成領域の周囲をスリットしているととも
に、コーナー部に折曲したリード状の支持部を残してい
るので、前記半導体装置形成領域に半導体チップを搭載
し、樹脂封止してパッケージを形成し、該パッケージを
金型のキャビティに嵌装する際、その嵌装の微調整が円
滑になされ、キャビティから突出っしたキャリアフィル
ム基板部分をパッケージの側辺に沿って切断除去でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るキャリアフィルム基板の構造を示
す平面図である。

【図２】図１に示した半導体装置形成領域１４周辺の拡
大図である。

【図３】図２に示した支持部２２の他の形態を示す平面
図である。

【図４】図１に示した半導体装置形成領域１４の個別切
り出し工程を示す側面図である。

【符号の説明】

１０…キャリアフィルム基板、１２…半導体チップ、１
４…半導体装置形成領域、１６…スリット、１８…パッ
ケージ、２０…キャビティ、２２…支持部、２４…位置
決め穴、２６…上金型、２８…パンチ、３０…下金型

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一の半導体装置が形成される複数の半導
   体装置形成領域と、 前記半導体装置形成領域の周囲に形成されたスリット
   と、 前記半導体装置形成領域を支持する折曲したリード状の
   支持部とを具備するキャリアフィルム基板。
2. 【請求項２】 一のキャリアフィルム基板上に複数の半
   導体チップを搭載し、これらを個別に切り出して複数の
   半導体装置を製造する方法において、 前記キャリアフィルム基板上の前記半導体装置が形成さ
   れる半導体装置形成領域の周辺をスリットにするととも
   にコーナー部に折曲したリード状の支持部を形成する工
   程と、 前記半導体装置形成領域上に前記半導体チップを搭載す
   る工程と、 前記搭載した半導体チップを樹脂封止して、パッケージ
   を形成する工程と、 前記パッケージを該パッケージの形状に対応した金型の
   キャビティ内に嵌装する工程と、 前記キャビティから突出した部分を切断除去する工程と
   を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記スリットを形成する工程では、 前記半導体装置形成領域を支持するコーナー部の折曲し
   たリード状の支持部の形状が山形、鋸刃形、波形または
   枠状形である。ことを特徴とする請求項２記載の半導体
   装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記パッケージを嵌装する工程では、 複数のパッケージを複数のキャビティ内に同時に嵌装す
   ることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方
   法。