JP2001057114A - Shielded wire - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域(例え
ば周波数500〜1000MHz程度)の信号伝達に用
いて好適なシールド電線に関するものであり、特にシー
ルド材に不所望に形成されるピンホールからの信号漏洩
を未然に防止するように構成したシールド材の構成に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shielded electric wire suitable for signal transmission in a high frequency range (for example, a frequency of about 500 to 1000 MHz), and more particularly to a shielded electric wire from a pinhole formed undesirably in a shield material. The present invention relates to a configuration of a shielding material configured to prevent signal leakage.
【0002】[0002]
【従来の技術】現代の自動車等の車両は安全走行、公害
防止、燃費改善対策等のため、或いは操作性や快適性を
向上させるために各種機能の付加が行われ、コンピュー
タやセンサー等の多くの電子機器や電子部品が使用され
ている。従って、電子機器間の接続はワイヤハーネスの
使用に止まらず、高周波信号の授受のためにシールド電
線等が多用されている。また、ワイヤハーネスにシール
ド電線を加えることもあり、図5及び図6に示すような
端部加工の容易な金属箔シールド電線が使用されるよう
になっている。2. Description of the Related Art Modern vehicles and the like are provided with various functions for safe driving, preventing pollution, improving fuel economy, and improving operability and comfort. Electronic devices and electronic components are used. Therefore, the connection between electronic devices is not limited to the use of a wire harness, and a shielded electric wire or the like is frequently used for transmitting and receiving a high-frequency signal. Further, a shielded electric wire may be added to the wire harness, and a metal foil shielded electric wire whose end portion is easily processed as shown in FIGS. 5 and 6 is used.
【0003】図5に示した従来のシールド電線31は、
2本の導線32,33、即ち芯線34を絶縁材35によ
り被覆した導線32と、被覆のない導線33とを帯状の
金属箔36により長手方向に沿うように包み、シース3
7により一体化したものである。一方、図6に示した従
来のシールド電線31Aは、前記導線32,33の周囲
にテープ状に形成された金属箔38を巻き付け、シース
37により一体化したものである。The conventional shielded electric wire 31 shown in FIG.
The two conductors 32, 33, that is, the conductor 32 in which the core wire 34 is covered with the insulating material 35, and the conductor 33, which is not covered, are wrapped in a band-shaped metal foil 36 along the longitudinal direction, and the sheath 3 is formed.
7 are integrated. On the other hand, the conventional shielded electric wire 31A shown in FIG. 6 is formed by winding a metal foil 38 formed in a tape shape around the conductors 32 and 33 and integrating them with a sheath 37.
【0004】前記シールド電線31,31Aは、その端
部の導線33を接地し、金属箔36,38を接地するこ
とにより、導線32が磁気シールド作用を有するように
なる。従って、導線32に例えば周波数500〜100
0MHz程度の高周波信号を印加しても信号漏洩がな
い。また、他の電線からの磁気的影響やノイズの影響を
遮断することができる。The shielded electric wires 31 and 31A are grounded with the conductor 33 at the end and the metal foils 36 and 38, so that the conductor 32 has a magnetic shielding function. Therefore, for example, a frequency of 500 to 100
There is no signal leakage even when a high frequency signal of about 0 MHz is applied. In addition, it is possible to cut off magnetic influences and noise influences from other electric wires.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記シ
ールド電線31,31Aは、いずれも薄い金属箔36,
38をシールド材として使用するので、合わせ目に隙間
ができたり、ピンホールと呼ばれている極めて小さな孔
が形成されてしまうことがあった。このような隙間やピ
ンホールが形成されてしまうと、信号漏洩や磁気漏洩が
発生し、高周波信号にノイズが重畳して動作不安定にな
る問題があった。However, the shielded electric wires 31, 31A are all thin metal foils 36, 31A.
Since 38 is used as a shield material, a gap may be formed at the joint or an extremely small hole called a pinhole may be formed. If such gaps or pinholes are formed, signal leakage or magnetic leakage occurs, and there is a problem that noise is superimposed on a high-frequency signal and operation becomes unstable.
【0006】本発明は、前記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は伝達する高周波信号の信号漏洩や
外部ノイズを確実に遮断し得るシールド電線を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a shielded electric wire capable of reliably blocking signal leakage of a transmitted high-frequency signal and external noise.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係わる前記課題
は、芯線と、該芯線を被覆する絶縁材と、該絶縁材の外
側面にシールド材を設けたシールド電線において、前記
絶縁材の外側面に薄膜状のシールド材を形成したシール
ド線と、前記シールド材に接触状態で布線された導線
と、前記シールド線及び前記導線を一体に被覆するシー
スとにより構成したことを特徴とするシールド電線によ
って解決することができる。According to the present invention, there is provided a shielded electric wire having a core wire, an insulating material covering the core wire, and a shielding material provided on an outer surface of the insulating material. A shield comprising a shield wire having a thin film-shaped shield material formed on a side surface, a conductor laid in contact with the shield material, and a sheath integrally covering the shield wire and the conductor. It can be solved by electric wires.
【0008】前記構成のシールド電線によれば、芯線を
被覆する絶縁材の外側面にシールド材が薄膜状に形成さ
れているので、シールド材に隙間やピンホールが形成さ
れず、シールド材の欠落部分からの信号漏洩等を確実に
防止することができる。また、シールド材の接地に用い
られる導線は、シースによってシールド線と一体化され
るが、軟性合成樹脂により一体化しても良く、ビニール
テープ等を巻回して一体化しても良い。[0008] According to the shielded electric wire having the above-described structure, since the shield material is formed in a thin film on the outer surface of the insulating material covering the core wire, no gap or pinhole is formed in the shield material, and the shield material is missing. Signal leakage and the like from a portion can be reliably prevented. Further, the conductor used for grounding the shield material is integrated with the shield wire by a sheath, but may be integrated with a soft synthetic resin, or may be integrated by winding a vinyl tape or the like.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るシールド電線
の1実施形態を図1乃至図4に基づいて詳細に説明す
る。図1はシールド電線の構成を示す斜視図、図2はシ
ールド電線の構成を示す断面図、図3はシールド電線の
シースの構成例を示す斜視図、図4はプラズマCVD
(化学蒸着)装置の構成を示す模式的構成図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a shielded electric wire according to the present invention will be described below in detail with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a shielded wire, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of a shielded wire, FIG. 3 is a perspective view showing a configuration example of a sheath of the shielded wire, and FIG.
It is a schematic block diagram which shows the structure of a (chemical vapor deposition) apparatus.
【0010】本実施形態のシールド電線1は、図1に示
すようにシールド線2の外側面に導線3が沿うようにし
て、シース4により一体化したものである。このシール
ド線2は、図2に示すように芯線5を絶縁材6により被
覆するとともに、絶縁材6の外側面の全体にシールド材
7を薄膜状に形成したものである。また、導線3は、被
覆を有さない所謂、裸線であり、導線3の全長にわたっ
てシールド材7の表面に密接するようになっている。ま
た、シース4は、軟性合成樹脂等により構成され、シー
ルド線2と導線3とを全長にわたって被覆している。[0010] The shielded electric wire 1 of the present embodiment is integrated with a sheath 4 so that a conductive wire 3 extends along an outer surface of a shielded wire 2 as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the shielded wire 2 has a core wire 5 covered with an insulating material 6 and a shielding material 7 formed in a thin film on the entire outer surface of the insulating material 6. The conducting wire 3 is a so-called bare wire having no coating, and is in close contact with the surface of the shield member 7 over the entire length of the conducting wire 3. The sheath 4 is made of a soft synthetic resin or the like, and covers the shield wire 2 and the conductive wire 3 over the entire length.
【0011】前記構成のシールド電線1によれば、シー
ス4を剥離した部分では、図1の左方に示したようにシ
ールド線2と導線3とは分離可能になる。しかし、シー
ス4を剥離しない部分では、図2に示すように導線3は
シールド材7に密着している。従って、シールド電線1
について磁気シールドを行う場合は、シールド電線1の
端部のシース4を剥離し、導線3の端部に接続端子等を
圧着して接地させる。According to the shielded electric wire 1 having the above structure, the shielded wire 2 and the conductor 3 can be separated from each other at the portion where the sheath 4 is peeled off, as shown on the left side of FIG. However, at the portion where the sheath 4 is not peeled off, the conducting wire 3 is in close contact with the shield member 7 as shown in FIG. Therefore, shielded wire 1
When the magnetic shield is performed, the sheath 4 at the end of the shielded electric wire 1 is peeled off, and a connection terminal or the like is crimped to the end of the conductive wire 3 to ground.
【0012】この結果、シールド材7の全体が接地さ
れ、芯線5が磁気シールドされるので、芯線5に例えば
周波数500〜1000MHzもの高周波信号を通電し
ても、磁気漏洩を防止することができる。また、外乱
(外部で発生したノイズ等)による影響も防止できる。As a result, since the entire shield member 7 is grounded and the core wire 5 is magnetically shielded, magnetic leakage can be prevented even when a high-frequency signal having a frequency of, for example, 500 to 1000 MHz is applied to the core wire 5. Further, the influence of disturbance (such as noise generated externally) can be prevented.
【0013】なお、図1及び図2に示したようにシース
4の形態は、合成樹脂による被覆構造に限定されるもの
ではない。例えば、シールド線2と導線3を束ね、その
周囲を図3に示すように粘着テープ9を巻回してシース
4とすることもできる。この構成によれば、シース4の
剥離にナイフ等が不要になり、前記のように導線3につ
いて接地のための端部処理を行う際、剥離作業が容易に
なる。As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the form of the sheath 4 is not limited to a structure covered with a synthetic resin. For example, the shield wire 2 and the conductive wire 3 may be bundled, and the periphery thereof may be wound with an adhesive tape 9 to form the sheath 4 as shown in FIG. According to this configuration, a knife or the like is not required for peeling the sheath 4, and the peeling operation becomes easy when performing the end treatment for grounding the conductive wire 3 as described above.
【0014】ところで、前記シールド材7は、絶縁材6
の外側面の全域にわたって均一な厚さで形成されるもの
であるから、隙間やピンホール等がなく、磁気シールド
を確実に行うことができる。このような特徴を有するシ
ールド材7は、以下に説明するプラズマCVD装置(以
下、単にCVD装置と略称する)11によって形成され
る。The shielding member 7 is made of an insulating material 6
Since it is formed with a uniform thickness over the entire area of the outer side surface, there is no gap, pinhole, etc., and the magnetic shield can be reliably performed. The shield member 7 having such characteristics is formed by a plasma CVD apparatus (hereinafter simply referred to as a CVD apparatus) 11 described below.
【0015】図4に示すように、本実施形態で使用する
CVD装置11は、ガス導入口12とガス吸入口13と
を設けた反応容器14内に直流放電プラズマ発生装置
(以下、単にプラズマ発生装置と略称する)15を設け
たものである。プラズマ発生装置15は、直径が例えば
70mm程度の円環状電極16a,16b,16c間
に、例えば直径0.2mm程度のタングステンフィラメ
ント17を均等な間隔で張り渡してカソードKを構成
し、その内部に例えば60メッシュのステンレス網を筒
状に形成したアノードAを設けたものである。As shown in FIG. 4, a CVD apparatus 11 used in the present embodiment includes a DC discharge plasma generator (hereinafter simply referred to as a plasma generator) in a reaction vessel 14 provided with a gas inlet 12 and a gas inlet 13. (Abbreviated as an apparatus) 15. The plasma generator 15 constitutes a cathode K by stretching tungsten filaments 17 having a diameter of, for example, about 0.2 mm at equal intervals between the annular electrodes 16a, 16b, 16c having a diameter of, for example, about 70 mm. For example, an anode A in which a 60 mesh stainless steel net is formed in a cylindrical shape is provided.
【0016】なお、円環状電極16a,16b,16c
のうち、円環状電極16a,16bは加熱電源20が印
加されるので、言わば電源用の兼用電極であり、円環状
電極16cはタングステンフィラメント17を折り返し
状に配線するための中継用電極と言うことができる。そ
して、円環状電極16aは接地され、この円環状電極1
6aとアノードAとの間に放電用電源19が印加される
ようになっている。The annular electrodes 16a, 16b, 16c
Among them, the ring-shaped electrodes 16a and 16b are applied to the heating power source 20 because they are applied with the heating power source 20, and the ring-shaped electrode 16c is a relay electrode for wiring the tungsten filament 17 in a folded shape. Can be. The annular electrode 16a is grounded, and the annular electrode 1
A discharge power supply 19 is applied between 6a and the anode A.
【0017】また、反応容器14の内側面には耐蝕性を
有する内張りが施され、その内部に例えば長さ50mm
程度に設定されたカソードK及びアノードAを図示のよ
うに二重構造で配設する。また、反応容器14内には、
供給リール22及び巻き取りリール23が回転自在に配
設されている。そして、供給リール22に巻かれたシー
ルド線2をアノードAの内部を通過させ、その先端を巻
き取りリール23に固着して、巻き取りリール23を回
転駆動することにより、シールド線2がアノードA内を
通り抜けた後に巻き取られるようになっている。The inner surface of the reaction vessel 14 is provided with a corrosion-resistant lining, and the inside thereof is, for example, 50 mm long.
The cathode K and the anode A set to a certain degree are arranged in a double structure as shown in the figure. In the reaction vessel 14,
A supply reel 22 and a take-up reel 23 are rotatably arranged. Then, the shielded wire 2 wound around the supply reel 22 is passed through the inside of the anode A, the tip of which is fixed to the take-up reel 23, and the take-up reel 23 is driven to rotate. After passing through the inside, it is wound up.
【0018】次に、シールド材7を形成する場合は、反
応容器14内を真空にした後、ガス導入口12から水素
ガスを導入し、例えば0.06 (torr) とし、カソード
Kに例えば合計120Aの電流を流してタングステンフ
ィラメント17から約1200℃の熱を発生させる。ま
た、アノードAについては、カソードKに対して例えば
25Vの正電圧を印加し、アノードAの内部空間にプラ
ズマを発生させる。この状態で、シールド線2を通過さ
せることにより、被覆材6の表面にシールド材7が薄膜
状に形成される。従って、シールド材7は被覆材6の外
側面に隙間なく、しかも濃淡のない均一な厚みで均等に
形成される。よって、ピンホールによる磁気漏洩はな
く、導線3の作用と相まって優れた磁気シールド作用を
確保することができる。Next, when forming the shielding material 7, after evacuating the inside of the reaction vessel 14, hydrogen gas is introduced from the gas inlet 12 to, for example, 0.06 (torr), and the total A current of 120 A is applied to generate heat of about 1200 ° C. from the tungsten filament 17. For the anode A, a positive voltage of, for example, 25 V is applied to the cathode K to generate plasma in the internal space of the anode A. In this state, by passing the shield wire 2, the shield material 7 is formed in a thin film on the surface of the covering material 6. Therefore, the shielding material 7 is formed uniformly on the outer surface of the coating material 6 with no gaps and with a uniform thickness without density. Therefore, there is no magnetic leakage due to the pinhole, and an excellent magnetic shielding action can be secured in combination with the action of the conductor 3.
【0019】なお、本発明のシールド電線は、上述した
実施形態に限定されるものではなく、例えば、プラズマ
CVD装置15に代えて、マイクロ波プラズマ発生装
置、高周波プラズマ発生装置、直流放電プラズマ発生装
置等を適用することができる。また、各プラズマ発生装
置内の温度を200℃以下に設定することにより、一般
的な耐熱電線(架橋PVC、架橋PE被覆電線)に上記
薄膜状のシールド材を形成することができる。The shielded electric wire of the present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, instead of the plasma CVD device 15, a microwave plasma generator, a high-frequency plasma generator, a DC discharge plasma generator may be used. Etc. can be applied. In addition, by setting the temperature in each plasma generator to 200 ° C. or less, the above-mentioned thin-film shield material can be formed on a general heat-resistant electric wire (crosslinked PVC, crosslinked PE-coated electric wire).
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したように本発明のシールド電
線は、絶縁材の外側面に薄膜状のシールド材を形成した
シールド線と、シールド材に接触状態で布線された導線
と、シールド線及び導線を一体に被覆するシースとによ
り構成した。従って、シールド材は塗布ではなく、化学
的に形成されるものであるから、シールド材に隙間やピ
ンホールが形成されず、シールド材の欠落部分からの信
号漏洩等を確実に防止することができる。As described above, the shielded electric wire of the present invention comprises a shielded wire having a thin-film-shaped shield material formed on the outer surface of an insulating material, a conductive wire laid in contact with the shield material, and a shielded wire. And a sheath that integrally covers the conductor. Therefore, since the shield material is not applied but chemically formed, no gap or pinhole is formed in the shield material, and signal leakage from a missing portion of the shield material can be reliably prevented. .
【図1】本発明のシールド電線の一実施形態を示す斜視
図である。FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a shielded electric wire of the present invention.
【図2】図1におけるシールド電線の構成を示す断面図
である。FIG. 2 is a sectional view showing a configuration of a shielded electric wire in FIG.
【図3】図1における別形態のシールド電線を示す斜視
図である。FIG. 3 is a perspective view showing another form of the shielded electric wire in FIG. 1;
【図4】本発明のシールド電線のシールド材を形成する
プラズマCVD発生装置を示す概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a plasma CVD generator for forming a shield material of a shielded electric wire of the present invention.
【図5】従来のシールド電線の一例を示す斜視図であ
る。FIG. 5 is a perspective view showing an example of a conventional shielded electric wire.
【図6】従来のシールド電線の別の例を示す斜視図であ
る。FIG. 6 is a perspective view showing another example of a conventional shielded electric wire.
1 シールド電線 2 シールド線 3 導線 4 シース 5 芯線 6 絶縁材 7 シールド材 9 粘着テープ 11 プラズマCVD装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Shield electric wire 2 Shield wire 3 Conductor 4 Sheath 5 Core wire 6 Insulation material 7 Shield material 9 Adhesive tape 11 Plasma CVD device
Claims (2)
絶縁材の外側面にシールド材を設けたシールド電線にお
いて、 前記絶縁材の外側面に薄膜状のシールド材を形成したシ
ールド線と、 該シールド材に接触状態で布線された導線と、 前記シールド線及び前記導線を一体に被覆するシースと
から構成されていることを特徴とするシールド電線。1. A shielded wire having a core wire, an insulating material covering the core wire, and a shield material on an outer surface of the insulating material, wherein the shield wire has a thin-film shield material formed on the outer surface of the insulating material. And a conductor laid in contact with the shield material, and a sheath integrally covering the shield wire and the conductor.
状体により被覆したことを特徴とする請求項1記載のシ
ールド電線。2. The shielded electric wire according to claim 1, wherein the conductive wire extends along the shielded wire and is covered with a band-shaped body.
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JP11231786A JP2001057114A (en) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | Shielded wire |
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