JP2001056958A - Optical information recording medium and optical recording method - Google Patents
Optical information recording medium and optical recording methodInfo
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- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
- G11B7/0062—Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、書換え可能なDV
Dなど、相変化型記録層を有する高密度記録用の光記録
媒体及び光記録方法に関わり、特に、1ビームオーバー
ライト時における線速度依存性および記録パワー依存性
と、記録マークの経時安定性の改善された光記録媒体及
び光記録方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a rewritable DV.
The present invention relates to an optical recording medium and an optical recording method for high-density recording having a phase-change recording layer, such as D, in particular, linear velocity dependence and recording power dependence during one-beam overwriting, and aging stability of recording marks. An optical recording medium and an optical recording method improved in the above.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般にコンパクトディスク(CD)やD
VDは、凹ピットの底部及び鏡面部からの反射光の干渉
により生じる反射率変化を利用して2値信号の記録及び
トラッキング信号の検出が行われている。近年、CDと
互換性のある媒体として、相変化型の書換え可能なコン
パクトディスク(CD−RW、CD−Rewritab
le)が広く使用されつつある。また、DVDについて
も、相変化型の書換え可能なDVDが各種提案されてい
る。2. Description of the Related Art In general, a compact disk (CD) or D
In the VD, recording of a binary signal and detection of a tracking signal are performed by utilizing a change in reflectance caused by interference of reflected light from the bottom and the mirror surface of the concave pit. In recent years, as a medium compatible with a CD, a phase-change rewritable compact disc (CD-RW, CD-Rewritab)
le) is becoming widely used. As for DVDs, various phase-change rewritable DVDs have been proposed.
【0003】これら相変化型の書換え可能なCD及びD
VDは、非晶質と結晶状態の屈折率差によって生じる反
射率差および位相差変化を利用して記録情報信号の検出
を行う。通常の相変化媒体は、基板上に下部保護層、相
変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有
し、これら層の多重干渉を利用して反射率差および位相
差を制御しCDやDVDと互換性を持たせることができ
る。CD−RWにおいては、反射率を15〜25%に落
とした範囲内ではCDと記録信号及び溝信号の互換性が
確保でき、反射率の低いことをカバーする増幅系を付加
したCDドライブでは再生が可能である。These phase-change type rewritable CDs and Ds
The VD detects a recorded information signal by utilizing a change in a reflectance and a change in a phase difference caused by a difference in a refractive index between an amorphous state and a crystalline state. An ordinary phase change medium has a structure in which a lower protective layer, a phase change recording layer, an upper protective layer, and a reflective layer are provided on a substrate, and a reflectance difference and a phase difference are obtained by using multiple interference of these layers. It can be controlled to make it compatible with CDs and DVDs. In a CD-RW, compatibility between a CD and a recording signal and a groove signal can be ensured within a range where the reflectance is reduced to 15 to 25%, and reproduction is performed by a CD drive to which an amplification system for covering a low reflectance is added. Is possible.
【0004】なお、相変化型記録媒体は消去と再記録過
程を1つの集束光ビームの強度変調のみによって行うこ
とができるため、CD−RWや書換え可能DVD等の相
変化型記録媒体において記録とは、記録と消去を同時に
行うオーバーライト記録を含む。相変化を利用した情報
の記録には、結晶、非晶質、又はそれらの混合状態を用
いることができ、複数の結晶相を用いることもできる
が、現在実用化されている書換可能相変化型記録媒体
は、未記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のマーク
を形成して記録するのが一般的である。記録層の材料と
してはいずれもカルコゲン元素、即ちS、Se、Teを
含むカルコゲナイド系合金を用いることが多い。Since the phase-change recording medium can perform the erasing and re-recording processes only by the intensity modulation of one focused light beam, the recording and reproducing on a phase-change recording medium such as a CD-RW and a rewritable DVD can be performed. Includes overwrite recording in which recording and erasing are performed simultaneously. For recording information using a phase change, a crystal, an amorphous state, or a mixed state thereof can be used, and a plurality of crystal phases can be used. In general, a recording medium is used for recording by setting an unrecorded / erased state to a crystalline state and forming an amorphous mark. As a material of the recording layer, a chalcogen element, that is, a chalcogenide-based alloy containing S, Se, and Te is often used.
【0005】例えば、GeTe−Sb2 Te3 疑似二元
合金を主成分とするGeSbTe系、InTe−Sb2
Te3 疑似二元合金を主成分とするInSbTe系、S
b0. 7 Te0.3 を共晶系を主成分とするAgInSbT
e系合金、GeSnTe系などである。このうち、Ge
Te−Sb2 Te3 疑似二元合金に過剰のSbを添加し
た系、特に、Ge1 Sb2 Te4 、もしくはGe2 Sb
2 Te5 などの金属間化合物近傍組成が主に実用化され
ている。[0005] For example, GeSbTe system mainly composed of GeTe-Sb 2 Te 3 pseudo-binary alloy, InTe-Sb 2
InSbTe based on Te 3 pseudo binary alloy, S
AgInSbT the b 0. 7 Te 0.3 whose main component is a eutectic system
e-based alloys, GeSnTe-based alloys and the like. Of these, Ge
Te-Sb 2 Te 3 pseudo binary alloy system obtained by adding excess Sb in, in particular, Ge 1 Sb 2 Te 4, or Ge 2 Sb
An intermetallic compound neighborhood composition such as 2 Te 5 are mainly commercialized.
【0006】これら組成は、金属間化合物特有の、相分
離を伴わない結晶化を特徴とし結晶成長速度が速いた
め、初期化が容易で、消去時の再結晶化速度が速い。こ
のため従来より、実用的なオーバーライト特性を示す記
録層としては、疑似二元合金系や金属間化合物近傍組成
が注目されていた(文献Jpn.J.Appl.Phys.,vol.69(199
1),p2849 、あるいはSPIE,Vol.2514(1995),pp294-301
等)。[0006] These compositions are characterized by crystallization without phase separation, which is peculiar to intermetallic compounds, and have a high crystal growth rate, so that initialization is easy and the recrystallization rate during erasure is high. For this reason, as a recording layer exhibiting practical overwrite characteristics, a pseudo binary alloy system or a composition near an intermetallic compound has been attracting attention (see Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 69 (1992)).
1), p2849, or SPIE, Vol. 2514 (1995), pp294-301
etc).
【0007】しかし一方、これら組成においては、準安
定な正方晶系の結晶粒が成長する。この結晶粒は粒界が
明確であり、かつ大きさが不揃いで、その方位により光
学異方性が顕著なため、光学的なホワイトノイズを生起
しやすいという問題がある。そして、このような粒径及
び光学特性の異なる結晶粒は、非晶質マークの周囲に成
長しやすいために、マークのジッタが増加しやすく、或
いは、周囲の結晶とは光学特性が異なるため、消え残り
として検出されやすかった。このため、高線速での記録
や、高密度のマーク長変調記録においては、良好な再生
特性が得られないという問題があった。具体的には、書
換え型DVDの規格では最短マーク長が0.6μmであ
るが、より最短マーク長を縮めていくと、急激にジッタ
が増加することが判明した。On the other hand, in these compositions, metastable tetragonal crystal grains grow. These crystal grains have clear crystal boundaries and irregular sizes, and have a problem in that optical anisotropy is remarkable depending on the orientation thereof, so that optical white noise is easily generated. Since such crystal grains having different particle diameters and optical characteristics tend to grow around the amorphous mark, the jitter of the mark is likely to increase, or the optical characteristics are different from those of the surrounding crystals. It was easy to be detected as remaining. For this reason, there is a problem that good reproduction characteristics cannot be obtained in recording at a high linear velocity or high-density mark length modulation recording. Specifically, in the rewritable DVD standard, the shortest mark length is 0.6 μm, but it has been found that jitter is sharply increased as the shortest mark length is further reduced.
【0008】ところで、ジッタの改善策として、いわゆ
る吸収率補正がある。従来の4層構成では、通常、記録
層の吸収する光エネルギーは、反射率の高い結晶状態で
吸収する光エネルギーAcが、反射率の低い非晶質状態
で吸収する光エネルギーAaより小さい(Ac<A
a)。このためオーバーライト時に、元の状態が結晶状
態であったか非晶質状態であったかにより、新しい記録
マークの形状等が変わってしまいジッタが増加するとい
う問題がある。これを、結晶状態と非晶質状態の光エネ
ルギーの吸収効率をほぼ同じようにし、元の状態によら
ずマーク形状を安定させ、これによりジッタを低減する
のである。さらには、結晶は溶融時に潜熱の分だけ余分
に熱が必要なため、結晶状態のほうがより光エネルギー
を吸収するようにするのが好ましい(Ac>Aa)。As a measure for improving jitter, there is a so-called absorption rate correction. In the conventional four-layer structure, the light energy absorbed by the recording layer is generally smaller than the light energy Ac absorbed in the crystalline state with high reflectance (Ac) in the crystalline state with high reflectance. <A
a). Therefore, at the time of overwriting, there is a problem that the shape or the like of a new recording mark changes depending on whether the original state is a crystalline state or an amorphous state, and jitter increases. This makes the absorption efficiency of light energy in the crystalline state and the amorphous state substantially the same, stabilizes the mark shape regardless of the original state, and thereby reduces jitter. Furthermore, since the crystal needs extra heat for the latent heat at the time of melting, it is preferable that the crystal state absorbs more light energy (Ac> Aa).
【0009】この関係を達成するには、光吸収性の層を
少なくとも1層追加して5層以上の構成とし、非晶質状
態における光吸収の一部をこの吸収層で奪う方法があ
る。例えば、AuやSiなどの吸収層を下部保護層と基
板の間や上部保護層上に挿入する(Jpn.J.Appl.Phys.,v
ol.37(1998),pp3339-3342 、Jpn.L.Appl.Phys.,Vol.37
(1998),pp2516-2520 )。In order to achieve this relationship, there is a method in which at least one light absorbing layer is added to form a structure of five or more layers, and a part of the light absorption in an amorphous state is removed by the absorbing layer. For example, an absorbing layer such as Au or Si is inserted between the lower protective layer and the substrate or on the upper protective layer (Jpn.J.Appl.Phys., V
ol.37 (1998), pp3339-3342, Jpn.L.Appl.Phys., Vol.37
(1998), pp 2516-2520).
【0010】しかしながら、このような層構成は、吸収
層の耐熱性や密着性に問題があり、繰返しオーバーライ
トすると微視的変形や剥離などの劣化が顕著である。ま
た、剥離等を生じやすいために経時安定性もそこねてし
まう。すなわち、従来の4層構成を維持しながら高密度
化を達成することは、GeTe−Sb2 Te3 疑似二元
合金記録層では困難であった。しかも、GeTe−Sb
2 Te3 疑似二元合金記録層では、複屈折率が短波長ほ
ど実部が小さく虚部が大きくなるという波長依存性があ
るため、特に、短波長レーザー光を光源として用いた場
合には、Ac>Aaなる条件を達成しにくい。However, such a layer configuration has a problem in heat resistance and adhesion of the absorbing layer, and when overwritten repeatedly, deterioration such as microscopic deformation and peeling is remarkable. In addition, the stability over time deteriorates because peeling or the like is likely to occur. That is, to achieve a high density while maintaining a conventional four-layer structure, it has been difficult in the GeTe-Sb 2 Te 3 pseudo binary alloy recording layer. Moreover, GeTe-Sb
In the 2Te 3 pseudo-binary alloy recording layer, since the birefringence has a wavelength dependency such that the shorter the wavelength, the smaller the real part becomes and the larger the imaginary part becomes. It is difficult to achieve the condition of Ac> Aa.
【0011】そこで近年、記録層材料として、AgIn
SbTe四元系合金が使用されつつある。AgInSb
Te四元系合金は40dBにも及ぶ高消去比が得られる
ことが特徴であり、従来の4層構成で、吸収率補正をす
ることなく、高線速で高密度のマーク長変調記録が行え
る。ただし、高速記録が行えることは、通常、結晶化速
度が速く消去しやすいことを意味するため、非晶質マー
クも結晶化されやすく、記録されたマークの経時安定性
が悪い場合が多い。Therefore, in recent years, AgIn has been used as a recording layer material.
SbTe quaternary alloys are being used. AgInSb
The Te quaternary alloy is characterized in that a high erasure ratio as high as 40 dB can be obtained. The conventional four-layer structure enables high linear velocity and high-density mark length modulation recording without correction of absorptivity. . However, being able to perform high-speed recording usually means that the crystallization speed is high and erasing is easy. Therefore, amorphous marks are also easily crystallized, and the recorded marks often have poor temporal stability.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】近年、情報量が増大
し、記録時間の短縮や情報転送の高速化のために、最近
ではより高速で記録再生可能な媒体が求められている。
例えばCDの標準速度(1倍速)は1.2〜1.4m/
sであるが、4倍速での記録が可能なCD−RWが商品
化され、さらに8倍速、10倍速での記録が可能なCD
−RWが求められている。一方、書換え可能なDVDと
しては、DVD−RAM、DVD+RW、DVD−RW
など各種のものが提案あるいは商品化されている。しか
しながら、再生専用のDVDと同等の容量である4.7
GBの書換え可能なDVDは未だ実用化されていない。
つまり、短いマークを高速で記録でき、かつマークの安
定性のよい媒体が求められている。In recent years, the amount of information has increased, and in order to shorten the recording time and speed up the information transfer, recently, a medium capable of recording and reproducing at a higher speed has been demanded.
For example, the standard speed (1x speed) of a CD is 1.2 to 1.4 m /
s, but a CD-RW capable of recording at 4 × speed has been commercialized, and a CD capable of recording at 8 × speed and 10 × speed
-RW is required. On the other hand, rewritable DVDs include DVD-RAM, DVD + RW, DVD-RW
Various types have been proposed or commercialized. However, the capacity is 4.7, which is equivalent to that of a read-only DVD.
GB rewritable DVDs have not yet been put to practical use.
In other words, there is a need for a medium that can record short marks at high speed and has good mark stability.
【0013】しかし、従来、高速記録とマーク安定性は
相反する性質と考えられ、この両方を同時に満たすこと
は困難と考えられてきた。本発明者らは、結晶化、非晶
質化の原理について研究を重ねた結果、これらの特性全
てを同時に満たす画期的な媒体を見いだした。すなわ
ち、本発明においては、短いマークが高速で良好に記録
でき、かつ、マーク安定性のよい光記録媒体及びそれに
適した光記録方法を提供する。However, conventionally, high-speed recording and mark stability have been considered to be contradictory properties, and it has been considered difficult to satisfy both at the same time. The present inventors have repeatedly studied the principles of crystallization and amorphization, and have found an epoch-making medium that satisfies all of these characteristics at the same time. That is, the present invention provides an optical recording medium on which short marks can be satisfactorily recorded at high speed and which has good mark stability, and an optical recording method suitable therefor.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明の第一の要旨は、
基板上に少なくとも相変化型記録層を有し、該記録層の
結晶部を未記録・消去状態とし非晶質部を記録状態と
し、最短マーク長0.5μm以下の複数の記録マーク長
により情報を記録するための光学的情報記録用媒体であ
って、消去が、非晶質部又は溶融部と、周辺結晶部との
境界からの結晶成長によって実質的に進行する再結晶化
により行われることを特徴とする光学的情報記録用媒体
に存する。The first gist of the present invention is as follows.
At least a phase change type recording layer is provided on the substrate, and a crystal part of the recording layer is in an unrecorded / erased state, an amorphous part is in a recorded state, and information is recorded by a plurality of recording mark lengths having a minimum mark length of 0.5 μm or less. An optical information recording medium for recording information, wherein erasing is performed by recrystallization substantially proceeding by crystal growth from a boundary between an amorphous portion or a molten portion and a peripheral crystal portion. An optical information recording medium characterized in that:
【0015】本発明の第二の要旨は、基板上に、Ge、
Sb、Teを主成分とする薄膜からなる相変化型記録層
を有し、該記録層の結晶部を未記録・消去状態とし非晶
質部を記録状態とし、最短マーク長0.5μm以下の複
数の記録マーク長により情報を記録するための光学的情
報記録用媒体であって、該媒体は、一定線速度で、記録
層を溶融させるに足る記録パワーPwの記録光を連続的
に照射すると概ね結晶化され、一定線速度で、記録層を
溶融させるに足る記録パワーPwの記録光を照射したの
ち遮断すると非晶質マークが形成されることを特徴とす
る光学的情報記録用媒体に存する。A second gist of the present invention is that Ge,
It has a phase-change type recording layer composed of a thin film containing Sb and Te as its main components. An optical information recording medium for recording information with a plurality of recording mark lengths, wherein the medium continuously emits recording light having a recording power Pw sufficient to melt a recording layer at a constant linear velocity. An optical information recording medium characterized in that it is substantially crystallized and an amorphous mark is formed when the recording layer is irradiated with recording light having a recording power Pw sufficient to melt the recording layer at a constant linear velocity and then cut off. .
【0016】本発明の第三の要旨は、基板上に、記録再
生光の入射方向から順に、第1保護層、相変化型記録
層、第2保護層、反射層、を設けてなり、該記録層の結
晶部を未記録・消去状態とし非晶質部を記録状態とし、
最短マーク長0.5μm以下の複数の記録マーク長によ
り情報を記録するための光学的情報記録用媒体であっ
て、相変化型記録層は膜厚が5nm以上25nm以下
で、GeSbTe三元状態図において、(Sb0.7 Te
0.3 )とGeを結ぶ直線A、(Ge0.03Sb0.68Te
0.29)と(Sb0.95Ge0.05)を結ぶ直線B、(Sb
0.9 Ge0.1 )と(Te0.9 Ge0.1 )を結ぶ直線C、
及び(Sb0.8 Te0.2 )とGeを結ぶ直線Dの4本の
直線で囲まれた領域(ただし、境界線上を含まない)の
組成を有するGeSbTe合金を主成分とする薄膜から
なり、第2保護層は膜厚が5nm以上30nm以下であ
ることを特徴とする光学的情報記録用媒体に存する。本
発明の他の要旨は、上記媒体と併せ用いるに好ましい光
記録方法に存する。According to a third aspect of the present invention, a first protective layer, a phase-change recording layer, a second protective layer, and a reflective layer are provided on a substrate in order from the incident direction of recording / reproducing light. The crystal part of the recording layer is in an unrecorded / erased state and the amorphous part is in a recorded state,
An optical information recording medium for recording information with a plurality of recording mark lengths having a minimum mark length of 0.5 μm or less, wherein a phase change type recording layer has a film thickness of 5 nm or more and 25 nm or less and a GeSbTe ternary phase diagram. In (Sb 0.7 Te
0.3 ) and a straight line A connecting Ge, (Ge 0.03 Sb 0.68 Te
0.29 ) and (Sb 0.95 Ge 0.05 ), a straight line B, (Sb
A straight line C connecting ( 0.9 Ge 0.1 ) and (Te 0.9 Ge 0.1 ),
And a thin film mainly composed of a GeSbTe alloy having a composition of a region (but not including the boundary) surrounded by four straight lines D connecting (Sb 0.8 Te 0.2 ) and Ge. The layer exists in an optical information recording medium characterized by having a thickness of 5 nm or more and 30 nm or less. Another aspect of the present invention resides in an optical recording method suitable for use in combination with the above medium.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】本発明者らは、記録層の結晶状態
を未記録・消去状態、非晶質状態を記録状態とする相変
化媒体において、消去が、非晶質部又は溶融部と、周辺
結晶部との境界からの結晶成長によって、実質的に進行
する再結晶化により行われるような媒体が、高速かつ高
密度で安定な記録を行うことができることを見いだし
た。つまり、高速でオーバーライトすることができ、マ
ークエッジのジッタが小さい、高密度のマーク長変調記
録を行うことができ、形成されたマークの経時安定性が
非常に良好である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The inventors of the present invention have proposed that in a phase change medium in which the crystalline state of a recording layer is an unrecorded / erased state and the amorphous state is a recorded state, erasing is performed with an amorphous portion or a fused portion. It has been found that a medium which is substantially recrystallized by crystal growth from a boundary with a peripheral crystal part can perform high-speed, high-density and stable recording. That is, high-speed overwriting can be performed, high-density mark length modulation recording with small mark edge jitter can be performed, and the formed marks have very good temporal stability.
【0018】一般に、非晶質マークの消去は、記録層を
結晶化温度以上融点近傍以下に加熱し、非晶質固相状態
又は溶融状態としたのち、冷却するときに再結晶化する
ことによって起こる。本発明者らの研究によれば、非晶
質マークの消去、すなわち再結晶化は、(1)非晶質領
域内の結晶核生成と、(2)非晶質部又は溶融部と、結
晶部との境界を起点とする結晶成長、の2つのプロセス
によって進行するが、前者の結晶核生成を殆ど起こらな
いようにし、実質的に、後者の結晶成長プロセスのみを
利用することで、上記のような効果が得られることが分
かった。Generally, the erasing of the amorphous mark is performed by heating the recording layer to a temperature higher than the crystallization temperature and lower than the vicinity of the melting point to bring the recording layer into an amorphous solid state or a molten state, and then recrystallizing when cooling. Occur. According to the study of the present inventors, erasing of an amorphous mark, that is, recrystallization is performed by (1) generation of a crystal nucleus in an amorphous region, (2) an amorphous portion or a fused portion, and The process proceeds by two processes of crystal growth starting from the boundary with the part, but the former crystal nucleation hardly occurs, and the above-mentioned crystal growth process is substantially performed using only the latter process. It was found that such an effect was obtained.
【0019】通常、結晶化は結晶化温度以上融点近傍以
下で進行するが、結晶核生成はその温度範囲内でも比較
的低温側、結晶成長は高温側で進行する。結晶核生成が
なければ消去ができないというわけではなく、非晶質部
又は溶融部を囲む周辺結晶領域との境界点を核として結
晶成長が高速で進めば消去は可能である。特に、微小な
マークあるいは短いマークほど、このような周辺結晶部
からの結晶成長のみによってマーク中心まで瞬時に結晶
化されやすいため、極めて短時間で完全に消去すること
ができる。従って、最短マーク長が0.5μm以下とい
う微小なマークを用いる高密度記録媒体においてこそ、
効果が顕著であり、100ナノ秒オーダー以下で消去が
でき、高速でのオーバーライトが可能である。なお、最
短マーク長は、一般に、短いほど高密度記録ができる
が、マークの安定性の面からは、10nm以上が好まし
い。Normally, crystallization proceeds at a temperature higher than the crystallization temperature and lower than the melting point, but crystal nucleation proceeds at a relatively low temperature and crystal growth proceeds at a high temperature within that temperature range. This is not to say that erasure cannot be performed without the generation of crystal nuclei. Erasing is possible if crystal growth proceeds at a high speed using a boundary point with a peripheral crystal region surrounding an amorphous portion or a molten portion as a nucleus. In particular, a finer mark or a shorter mark is more likely to be instantaneously crystallized to the center of the mark only by crystal growth from such a peripheral crystal part, and thus can be completely erased in an extremely short time. Therefore, only in a high-density recording medium using a minute mark whose shortest mark length is 0.5 μm or less,
The effect is remarkable, erasing can be performed in the order of 100 nanoseconds or less, and overwriting can be performed at high speed. In general, the shorter the mark length, the shorter the length of the mark, the higher the recording density. However, from the viewpoint of the stability of the mark, the shortest mark length is preferably 10 nm or more.
【0020】また、マークの横幅が狭いほど、やはり周
辺結晶部からの結晶成長のみによってマーク中心まで瞬
時に結晶化されやすく好ましい。従って、情報を記録す
るトラックのトラックピッチは、例えば0.8μm以下
とし、マークが横に広がらないようにするのが好まし
い。通常、マーク横幅はトラックピッチの半分程度とな
る。なお、トラックピッチは、一般に、狭いほど高密度
記録ができるが、マークの安定性の面からは、0.1μ
m以上が好ましい。トラックは溝のみであっても、溝と
ランドの両方であってもよい。The narrower the width of the mark is, the easier it is to crystallize to the center of the mark only by crystal growth from the peripheral crystal part, which is preferable. Therefore, it is preferable that the track pitch of the track for recording information is, for example, 0.8 μm or less so that the mark does not spread horizontally. Normally, the mark width is about half the track pitch. In general, the narrower the track pitch is, the higher the recording density can be. However, from the viewpoint of mark stability, the track pitch is 0.1 μm.
m or more is preferable. The track may be a groove only, or may be both a groove and a land.
【0021】本発明の媒体は非晶質マークの経時安定性
にも優れる。すなわち、周辺結晶部からの結晶成長は、
結晶化温度以上融点近傍以下のなかでも、融点に近い比
較的高温域のみで進行し、低温では殆ど進行しないの
で、一旦形成された非晶質マークは結晶化されにくく、
経時安定性に優れる。結晶化温度は通常100℃〜20
0℃の範囲であるが、この温度程度までは熱的安定性が
維持できる。The medium of the present invention is also excellent in the stability over time of the amorphous mark. That is, crystal growth from the peripheral crystal part
Among the crystallization temperature or higher and the melting point or lower, even the amorphous mark formed once is hardly crystallized because it progresses only in a relatively high temperature region close to the melting point and hardly progresses at a low temperature,
Excellent stability over time. The crystallization temperature is usually 100 ° C to 20 ° C.
Although it is in the range of 0 ° C., the thermal stability can be maintained up to this temperature.
【0022】特に、100℃未満の通常の使用範囲で
は、記録された非晶質マークは極めて安定で、記録済み
信号の振幅はほとんど劣化しない。逆に、そのような経
時安定性から結晶核生成をほとんど伴わないことも結論
できる。さらに、本発明の媒体は、マーク長記録におい
て、極めて揺らぎの少ない、スムースなマークエッジを
形成できるという利点がある。一般に、非晶質マークを
記録する際には、記録層を一旦溶融し再凝固させ非晶質
とするが、マーク辺縁部は中心に比べ低温であるため、
従来は、マーク辺縁部では結晶核成長による再結晶化が
起こりやすく、非晶質の混在した粗大グレインが生じ、
マークエッジゆらぎの原因となっていた。In particular, in a normal use range below 100 ° C., the recorded amorphous mark is extremely stable, and the amplitude of the recorded signal hardly deteriorates. Conversely, it can be concluded from the stability over time that almost no crystal nucleation occurs. Further, the medium of the present invention has an advantage that a smooth mark edge with extremely small fluctuation can be formed in mark length recording. In general, when recording an amorphous mark, the recording layer is once melted and re-solidified to be amorphous.
Conventionally, recrystallization due to crystal nucleus growth is likely to occur at the edge of the mark, and coarse grains mixed with amorphous are generated,
This caused mark edge fluctuation.
【0023】本発明媒体は、消去時に、非晶質部又は溶
融部と、結晶部との境界からの結晶成長が支配的で、か
つ高速であるということは、記録時にも同様の原理がは
たらき、溶融領域が再凝固し非晶質化する際にも、周辺
結晶部からの結晶成長のみが起こり、結晶核成長による
結晶化は起こりにくくマークエッジがゆらぎにくいとい
う特徴がある。すなわち、周辺結晶部からの結晶成長
は、結晶化温度以上融点近傍以下のなかでも、融点に近
い比較的高温域のみで進行し、低温では殆ど進行しない
ので、溶融状態からの再凝固時に、温度が低下して融点
を通過する時点の冷却速度のみによって、非晶質マーク
の境界形状が決まる。In the medium of the present invention, the fact that the crystal growth from the boundary between the amorphous portion or the molten portion and the crystal portion is dominant at the time of erasing and that the speed is high is based on the same principle at the time of recording. Also, when the molten region is re-solidified and becomes amorphous, only the crystal growth from the peripheral crystal portion occurs, and crystallization due to crystal nucleus growth hardly occurs, and the mark edge does not easily fluctuate. In other words, the crystal growth from the peripheral crystal part progresses only in a relatively high temperature range close to the melting point and hardly progresses at a low temperature even in the range from the crystallization temperature to the vicinity of the melting point. The boundary shape of the amorphous mark is determined only by the cooling rate at which the temperature decreases and passes the melting point.
【0024】そして、従来問題であった、再凝固時に起
きる結晶核成長による非晶質の混在した粗大グレインが
非晶質マーク周辺にほとんど全く形成されないのであ
る。これは、マークエッジのゆらぎによるノイズ抑制に
極めて効果的であることが分かった。さらにまた、マー
クエッジ形状も経時的に変化することなく安定なので、
初期ジッタが小さいだけでなく、ジッタの経時劣化もほ
とんどない。[0024] Then, almost no coarse grains mixed with amorphous due to crystal nucleus growth occurring at the time of re-solidification, which is a problem in the past, are formed at all around the amorphous mark. This has been found to be extremely effective in suppressing noise due to mark edge fluctuation. Furthermore, since the mark edge shape is stable without changing over time,
Not only the initial jitter is small, but also the jitter is hardly deteriorated with time.
【0025】本発明の結晶化の原理についてより詳細に
説明する。本媒体においては、非晶質マークと周辺結晶
部との境界部が結晶成長の核となるのであって、非晶質
マーク内部ではほとんど結晶核が発生しない。従って、
マーク境界部からのみ結晶が成長する。一方、従来のG
eTe−Sb2 Te3 系の記録層は、非晶質マーク内に
結晶核がランダムに生成し、それが成長して結晶化が進
む。両者の結晶化過程の差は、透過電子顕微鏡で確認で
きる。非晶質マーク形成後の両記録層に、比較的低いパ
ワーの消去光を直流的に照射すると、GeTe−Sb2
Te3 系の記録層は、温度が高くなる非晶質マーク中央
部から結晶化が進むのが観察されるのに対し、本発明記
録層では、非晶質マーク周辺部から結晶成長しているの
が観察される。特に、非晶質マークの前端及び後端から
の結晶成長が著しい。The crystallization principle of the present invention will be described in more detail. In the present medium, the boundary between the amorphous mark and the peripheral crystal portion becomes a nucleus for crystal growth, and almost no crystal nucleus is generated inside the amorphous mark. Therefore,
Crystals grow only from the mark boundaries. On the other hand, conventional G
eTe-Sb 2 Te 3 based recording layer, the crystal nuclei are randomly generated within the amorphous mark, crystallization advances it grows. The difference between the two crystallization processes can be confirmed with a transmission electron microscope. When both recording layers after the formation of the amorphous mark are irradiated with erasing light of a relatively low power in a DC manner, GeTe-Sb 2
In the Te 3 -based recording layer, it is observed that crystallization proceeds from the central portion of the amorphous mark where the temperature increases, whereas in the recording layer of the present invention, the crystal grows from the peripheral portion of the amorphous mark. Is observed. In particular, crystal growth from the front end and the rear end of the amorphous mark is remarkable.
【0026】このような原理で消去が行われる記録層組
成は、Sb0.7 Te0.3 共晶点近傍組成に、過剰のSb
と20原子%程度までの他元素を添加した合金系に多く
見いだされる。すなわち、My (Sbx Te1-x )1-y
(0.6≦x≦0.9、0<y≦0.2、MはGa、Z
n、Ge、Sn、Si、Cu、Au、Al、Pd、P
t、Pb、Cr、Co、O、S、Se、Ta、Nb、V
のうちの少なくとも1種)合金を主成分とする薄膜であ
る。Sb0.7 Te0.3 に過剰のSbを含む合金は、非晶
質マーク周辺部の結晶からの結晶成長が、GeTe−S
b2 Te3 擬似二元合金系と比べて著しく大きいため、
高線速でのオーバーライトが可能という特徴を有する。
過剰のSbは、非晶質マーク内のランダムな結晶核生成
及び結晶核成長を促進するのではなく、周辺結晶部から
の結晶成長速度を大幅に増大する。但し、SbTe二元
合金では、結晶核生成も少なからず起こるため、非晶質
マークの経時安定性が極めて悪く、適当な元素を添加す
る必要がある。The composition of the recording layer to be erased according to the above principle is such that the composition near the eutectic point of Sb 0.7 Te 0.3
And up to about 20 atomic% in alloys to which other elements are added. That, M y (Sb x Te 1 -x) 1-y
(0.6 ≦ x ≦ 0.9, 0 <y ≦ 0.2, M is Ga, Z
n, Ge, Sn, Si, Cu, Au, Al, Pd, P
t, Pb, Cr, Co, O, S, Se, Ta, Nb, V
(At least one of them). In an alloy containing excess Sb in Sb 0.7 Te 0.3 , the crystal growth from the crystal around the amorphous mark is GeTe-S
Since it is significantly larger than the b 2 Te 3 pseudo binary alloy system,
It has the feature that overwriting at high linear velocity is possible.
Excess Sb does not promote random crystal nucleation and crystal nucleus growth in the amorphous mark, but greatly increases the crystal growth rate from the peripheral crystal part. However, in the case of the SbTe binary alloy, since crystal nuclei are generated to a considerable extent, the stability of the amorphous mark with time is extremely poor, and it is necessary to add an appropriate element.
【0027】本発明者らの検討によれば、Geの添加
は、結晶核生成の抑制に極めて効果的である。さて、非
晶質マークの再結晶化が、実質的に周辺結晶部からの再
結晶化のみに支配されているかどうかは、経時安定性の
評価から間接的に知ることができる。具体的な評価方法
としては、高温高湿下の加速環境試験を行ったときの、
再生信号の変調度を測定する方法が挙げられる。According to the study of the present inventors, the addition of Ge is extremely effective in suppressing the generation of crystal nuclei. Now, whether the recrystallization of the amorphous mark is substantially controlled only by the recrystallization from the peripheral crystal part can be indirectly known from the evaluation of the temporal stability. As a specific evaluation method, when performing an accelerated environmental test under high temperature and high humidity,
There is a method of measuring the modulation degree of the reproduction signal.
【0028】すなわち、最短マーク長0.5μm以下の
複数のマーク長により信号を記録したとき、記録直後に
再生した信号の変調度をM0 とし、記録後、80℃80
%RHの条件下で1000時間経過ののち再生した信号
の変調度をM1 とすると、That is, when a signal is recorded with a plurality of mark lengths equal to or less than the shortest mark length of 0.5 μm or less, the modulation degree of the signal reproduced immediately after recording is M 0, and after recording, the modulation degree is 80 ° C.
The degree of modulation of reproduced signal after 1000 hours elapsed When M 1 under the conditions of RH%,
【0029】[0029]
【数11】M1 /M0 ≧ 0.9[Equation 11] M 1 / M 0 ≧ 0.9
【0030】である。マーク長変調方式は限定されず、
EFM変調、EFMプラス変調、(1,7)RLL−N
RZI(run length limited−non return to zero inv
erted )変調などを用いることができるが、図6に示す
ようなランダム信号を、最短マーク長を0.5μm以下
として記録する。本評価の際には、最短マーク長は0.
2μm程度以上とするのが好ましい。なお、全ての評価
条件において上記式を満たす必要はなく、一つの評価条
件において上記式を満たせばよい。## EQU1 ## The mark length modulation method is not limited.
EFM modulation, EFM plus modulation, (1, 7) RLL-N
RZI (run length limited-non return to zero inv
Although a modulation or the like can be used, a random signal as shown in FIG. 6 is recorded with the shortest mark length being 0.5 μm or less. In this evaluation, the shortest mark length was 0.
The thickness is preferably about 2 μm or more. Note that it is not necessary to satisfy the above expression under all evaluation conditions, and it is sufficient that the above expression is satisfied under one evaluation condition.
【0031】一例としては、最短マーク長0.4μmの
複数のマーク長により、EFMプラス変調方式のランダ
ム信号を記録する。変調度は、その変調方式の最長マー
クの信号振幅をトップの信号強度で規格化したものであ
る。図6にEFMプラス変調されたランダム信号を記録
し再生したときのDC再生信号(直流成分を含む再生信
号)の波形を示す。変調度は、14Tマークのトップの
信号強度Itop と信号振幅I14との比I14/Itop とし
て定義される。変調度が不変であれば、非晶質マークサ
イズは十分安定であると判断できる。加速試験前に記録
したランダム信号の変調度が、加速試験後にも初期の値
の90%以上を保っていれば、結晶核生成を実質的に伴
わないことが推定できる。As an example, a random signal of the EFM plus modulation method is recorded with a plurality of mark lengths having a minimum mark length of 0.4 μm. The modulation degree is obtained by standardizing the signal amplitude of the longest mark of the modulation method by the top signal strength. FIG. 6 shows a waveform of a DC reproduction signal (reproduction signal including a DC component) when a random signal modulated by EFM plus is recorded and reproduced. The degree of modulation is defined as the ratio I 14 / I top between the signal intensity I top at the top of the 14T mark and the signal amplitude I 14 . If the degree of modulation does not change, it can be determined that the amorphous mark size is sufficiently stable. If the degree of modulation of the random signal recorded before the acceleration test maintains 90% or more of the initial value after the acceleration test, it can be estimated that crystal nucleation is not substantially involved.
【0032】本発明の記録層では、周辺結晶部からの結
晶成長は融点直下の高温領域で起こりやすいため、非晶
質マーク形成のために記録層を溶融し再凝固させる時に
も、周辺結晶部から結晶成長が起こり得る。従って、溶
融後の冷却速度が遅く非晶質として固化するに必要な臨
界冷却速度に達しない場合、溶融領域全体がほとんど瞬
時に再結晶化してしまう。In the recording layer of the present invention, the crystal growth from the peripheral crystal part is likely to occur in a high temperature region just below the melting point. From which crystal growth can occur. Therefore, if the cooling rate after melting is slow and does not reach the critical cooling rate required for solidification as amorphous, the entire molten region is recrystallized almost instantaneously.
【0033】これは以下の実験により確認できる。記録
再生光を案内する溝を設けた0.6mm厚のポリカーボ
ネート基板上に、(ZnS)80(SiO2 )20第1保護
層を膜厚68nm、Ge0.05Sb0.71Te 0.24記録層を
膜厚18nm、(ZnS)80(SiO2 )20第2保護層
を膜厚20nm、Al0.995 Ta0.005 反射層を膜厚2
50nm、この順に設け、さらに紫外線硬化樹脂保護層
を膜厚4μm設けた。これら2枚を、記録層のある側を
内側にしてホットメルト接着剤で貼合せて光記録媒体と
した。本記録層組成は、線速約7m/s以上でオーバー
ライト可能とすべくSb/Te≒3とした。本媒体に、
長径約100μm、短径約1.5μmの楕円レーザー光
を、短軸方向に走査して溶融再結晶化して初期化した。This can be confirmed by the following experiment. Record
Polycarbonate 0.6mm thick with grooves for guiding reproduction light
(ZnS) on the substrate80(SiOTwo)20First protection
The layer is 68 nm thick, Ge0.05Sb0.71Te 0.24The recording layer
18 nm thick, (ZnS)80(SiOTwo)20Second protective layer
With a film thickness of 20 nm and Al0.995Ta0.005Reflective layer thickness 2
50 nm, provided in this order, and a UV-curable resin protective layer
Was provided in a thickness of 4 μm. Put these two sheets on the side with the recording layer
Put it inside and glue it with hot melt adhesive to optical recording medium
did. The composition of this recording layer is over at a linear velocity of about 7 m / s or more.
Sb / Te ≒ 3 was set to enable writing. In this medium,
Elliptical laser light with a major axis of about 100 μm and a minor axis of about 1.5 μm
Was melted and recrystallized by scanning in the short axis direction to initialize.
【0034】本媒体に、波長637nm、NA=0.6
3の集束光を、案内溝に従って線速7m/sで照射し
た。記録パワーPwが10mWの記録光を直流的に照射
したのち、パワーを急激に落とし1mWとした。即ち、
実質的に記録光を遮断した。なお、ビーム径は約0.9
μmで、ガウシアンビームでエネルギー強度がピーク強
度の1/e2 以上となる領域に相当する。The medium has a wavelength of 637 nm and NA = 0.6.
The focused light of No. 3 was irradiated at a linear velocity of 7 m / s according to the guide groove. After irradiating a recording light with a recording power Pw of 10 mW in a DC manner, the power was rapidly dropped to 1 mW. That is,
The recording light was substantially blocked. The beam diameter is about 0.9
μm, which corresponds to a region where the energy intensity of the Gaussian beam is 1 / e 2 or more of the peak intensity.
【0035】図2に、記録光を遮断した前後での反射率
変化を示す。図2の下段のごとく、時間の経過に従っ
て、記録光を遮断した。図2下段の左側で記録光が連続
的に、すなわち直流的に照射され、右側では遮断されて
いる。同じ領域を、再生パワー1.0mWの再生光で走
査したところ、図2上段のような再生波形が得られた。
これは反射率変化に対応している。FIG. 2 shows the change in reflectance before and after the recording light is blocked. As shown in the lower part of FIG. 2, the recording light was shut off as time passed. The recording light is irradiated continuously, that is, in a DC manner on the left side in the lower part of FIG. 2, and is blocked on the right side. When the same area was scanned with reproduction light having a reproduction power of 1.0 mW, a reproduction waveform as shown in the upper part of FIG. 2 was obtained.
This corresponds to a change in reflectance.
【0036】記録光を瞬間的に遮断した付近で反射率が
低下しており、その前後では反射率はほぼ同じである。
TEM観察により、反射率低下部は非晶質となってお
り、その前後では結晶であることが確認された。すなわ
ち、記録光を連続的に照射している限りは溶融部は再結
晶化してしまい、記録光を遮断した部分の近辺の溶融領
域だけが非晶質化する。The reflectance decreases near the moment when the recording light is momentarily cut off, and before and after that, the reflectance is almost the same.
TEM observation confirmed that the reflectance-reduced portion was amorphous, and before and after it was crystalline. That is, as long as the recording light is continuously irradiated, the melted portion is recrystallized, and only the melted region near the portion where the recording light is blocked becomes amorphous.
【0037】これは、記録光を連続的に照射した場合に
は、後続部分からの余熱により記録層の冷却速度が抑制
され、非晶質形成に必要な臨界冷却速度が得られないの
に対して、記録光を一旦、遮断することで、後続部分か
らの余熱を遮断し、冷却速度を上げることができるから
である。なお、記録パワーPwを7mW以上としたと
き、記録光の遮断によって、非晶質マークが形成されて
いた。This is because when the recording light is continuously irradiated, the cooling rate of the recording layer is suppressed by the residual heat from the subsequent portion, and the critical cooling rate required for forming an amorphous phase cannot be obtained. This is because, by temporarily blocking the recording light, the residual heat from the subsequent portion can be blocked, and the cooling rate can be increased. When the recording power Pw was 7 mW or more, an amorphous mark was formed by blocking recording light.
【0038】検討の結果、本発明の媒体は、一定線速度
で、記録層を溶融させるに足る記録パワーPwの記録光
を連続的に照射すると概ね再結晶化され、一定線速度
で、記録層を溶融させるに足る記録パワーPwの記録光
に続けて、パワーがほぼ0の記録光を照射すると非晶質
マークが形成されることが分かった。パワーがほぼ0と
は、厳密に0である必要はなく、0≦Pb≦0.2Pw
なるバイアスパワーPb、より好ましくは0≦Pb≦
0.1PwなるバイアスパワーPbとすることである。As a result of the study, the medium of the present invention is substantially recrystallized when continuously irradiated with a recording light having a recording power Pw sufficient to melt the recording layer at a constant linear velocity, and the recording layer is fixed at a constant linear velocity. It was found that an amorphous mark was formed by irradiating a recording light with a power of almost 0 following a recording light with a recording power Pw sufficient to melt the mark. When the power is almost 0, it is not necessary to be exactly 0, and 0 ≦ Pb ≦ 0.2Pw
Bias power Pb, more preferably 0 ≦ Pb ≦
That is, the bias power Pb is set to 0.1 Pw.
【0039】本発明においては、溶融部の再凝固時の再
結晶化は、ほとんど、周辺の固相結晶部からの結晶成長
によってのみ起こる。従って再結晶化部は非晶質マーク
の中心部には形成されないため、なめらかで連続的なマ
ークエッジが形成される。従来、このように著しく再結
晶化しやすい材料は、マーク長記録用の記録層に適さな
いと考えられてきた。なぜなら、長マークを形成するた
めに記録光を長く照射すると、溶融領域のほとんどは結
晶化してしまうからである。In the present invention, recrystallization during resolidification of the molten portion occurs almost exclusively by crystal growth from the surrounding solid phase crystal portion. Therefore, since the recrystallized portion is not formed at the center of the amorphous mark, a smooth and continuous mark edge is formed. Heretofore, it has been considered that such a material which is recrystallized remarkably is not suitable for the recording layer for recording the mark length. This is because if the recording light is irradiated for a long time to form a long mark, most of the molten region is crystallized.
【0040】しかし、本発明者らの検討によれば、最短
マーク長0.5μm未満という高密度記録においては、
溶融領域の非晶質化と、周辺の固相結晶部の境界からの
再結晶化との競合過程を積極的に用いたほうが、良好な
ジッタを得ることができる。そのために、後述のごとく
長さnTのマークの形成に、記録パワーPw印加区間と
その遮断区間、即ちバイアスパワーPb印加区間を組み
合わせた、パルス分割方式が極めて有効であることを見
いだしたのである。However, according to the study of the present inventors, in high-density recording with a minimum mark length of less than 0.5 μm,
Good jitter can be obtained by actively using the competition process between the amorphization of the molten region and the recrystallization from the boundary of the surrounding solid phase crystal part. For this reason, it has been found that a pulse division method in which a recording power Pw application section and its cutoff section, that is, a bias power Pb application section are combined, is extremely effective for forming a mark having a length of nT as described later.
【0041】パルス分割方式により記録すると、図1の
ように、矢羽型(もしくは三日月型)の非晶質部が連な
って非晶質マークが形成される。該マークの始端の形状
は先頭の矢羽型非晶質部の始端の形状によって、該マー
クの後端の形状は最後端の矢羽型非晶質部の後端の形状
によってのみ定まる。通常、非晶質部の始端形状はなめ
らかであるから、マーク始端形状もなめらかである。前
方への熱の逃げにより冷却速度は十分高く保たれるか
ら、ほぼ溶融領域先端の形状を反映し、従って記録パル
スの立上がり時間により支配されるからである。記録パ
ルス、即ちPw印加区間の立上がりは、2〜3ナノ秒以
下であればよい。When recording is performed by the pulse division method, as shown in FIG. 1, an amorphous mark is formed by connecting arrow-shaped (or crescent-shaped) amorphous portions. The shape of the beginning of the mark is determined only by the shape of the beginning of the leading arrow feather-shaped amorphous portion, and the shape of the rear end of the mark is determined only by the shape of the trailing end of the trailing arrow-shaped amorphous portion. Usually, the starting shape of the amorphous portion is smooth, so that the mark starting shape is also smooth. This is because the cooling rate is kept sufficiently high due to the escape of heat to the front, so that the shape substantially reflects the shape of the tip of the melting region and is therefore governed by the rise time of the recording pulse. The rising of the recording pulse, that is, the rise of the Pw application section may be 2 to 3 nanoseconds or less.
【0042】一方、非晶質部の後端形状は、記録パルス
の立下がり時間で決まる冷却速度と、周辺、特に後端の
結晶部から進行する再結晶化領域の大きさとによって定
まる。冷却速度を十分高くするためには、Pw印加区間
の立下がりは、2〜3ナノ秒以下が望ましい。再結晶化
領域の大きさは、オフパルス、即ちPb印加区間の長さ
により正確に制御できる。さらに、層構成として前述の
超急冷構造を適用して、記録層の冷却速度をできるだけ
急峻にするとともに、冷却速度の空間分布をマーク後端
付近で急峻になるようにして、マーク端部の位置がゆら
がないようにすることも重要であるOn the other hand, the shape of the rear end of the amorphous portion is determined by the cooling rate determined by the fall time of the recording pulse and the size of the recrystallization region that advances from the periphery, particularly the crystal portion at the rear end. In order to sufficiently increase the cooling rate, the fall of the Pw application section is desirably 2 to 3 nanoseconds or less. The size of the recrystallization region can be accurately controlled by the off-pulse, that is, the length of the Pb application section. Further, by applying the above-described super-quenching structure as a layer structure, the cooling rate of the recording layer is made as steep as possible, and the spatial distribution of the cooling rate is made sharp near the rear end of the mark, so that the position of the mark end is changed. It is also important that there is no fluctuation
【0043】さて、本発明者らは、短マークを高速で記
録でき、かつ記録マークの経時安定性に優れた光記録媒
体について鋭意検討の結果、Sb0.7 Te0.3 共晶組成
近傍にGeを添加した特定組成が特に優れることを見出
すとともに、層構成を適切に選ぶことにより、他の特性
にも優れた光記録媒体を得た。すなわち、Sb0.7 Te
0.3 に過剰のSb及びGeを加えた従来にない三元合金
に着目し、高密度なマーク長変調記録への適性を検討し
た。その結果、図3に示すGeSbTe三元状態図にお
いて、4本の直線A、B、C、Dに囲まれた、極めて限
定的なGe−Sb−Te比の記録層組成を用いた媒体
が、高密度なマーク長変調記録において、繰返しオーバ
ーライト耐久性と経時安定性に特に優れることを見いだ
したものである。The inventors of the present invention have conducted intensive studies on an optical recording medium capable of recording short marks at high speed and having excellent stability over time of the recorded marks. As a result, Ge was added near the eutectic composition of Sb 0.7 Te 0.3. The specific composition was found to be particularly excellent, and an optical recording medium excellent in other characteristics was obtained by appropriately selecting the layer constitution. That is, Sb 0.7 Te
Focusing on an unconventional ternary alloy obtained by adding excess Sb and Ge to 0.3 , the suitability for high-density mark length modulation recording was examined. As a result, in the GeSbTe ternary phase diagram shown in FIG. 3, a medium surrounded by four straight lines A, B, C, and D using a recording layer composition having a very limited Ge—Sb—Te ratio is In high-density mark length modulation recording, it has been found that repetitive overwrite durability and temporal stability are particularly excellent.
【0044】すなわち、GeSbTe三元状態図におい
て、(Sb0.7 Te0.3 )とGeを結ぶ直線A、(Ge
0.03Sb0.68Te0.29)と(Sb0.95Ge0.05)を結ぶ
直線B、(Sb0.9 Ge0.1 )と(Te0.9 Ge0.1 )
を結ぶ直線C、及び(Sb0.8 Te0.2 )とGeを結ぶ
直線Dの4本の直線で囲まれた領域(ただし、境界線上
を含まない)の組成を有するGeSbTe合金を主成分
とする薄膜を記録層とする。この記録層に後述の層構成
を用いることにより、最短マーク長0.5μm以下の高
密度マーク長変調記録に非常に適した媒体となるのであ
る。そして、DVDと同等の記録密度とDVDとの優れ
た再生互換性を得ることができる。That is, in the GeSbTe ternary phase diagram, a straight line A connecting the (Sb 0.7 Te 0.3 ) and Ge, (Ge
A straight line B connecting 0.03 Sb 0.68 Te 0.29 ) and (Sb 0.95 Ge 0.05 ), (Sb 0.9 Ge 0.1 ) and (Te 0.9 Ge 0.1 )
And a thin film mainly composed of a GeSbTe alloy having a composition of a region surrounded by four straight lines (not including the boundary line) of a straight line C connecting (Sb 0.8 Te 0.2 ) and a straight line D connecting Ge. The recording layer. By using a layer configuration described later for this recording layer, a medium very suitable for high-density mark length modulation recording with a minimum mark length of 0.5 μm or less can be obtained. Then, it is possible to obtain the same recording density as DVD and excellent reproduction compatibility with DVD.
【0045】かつ、繰り返しオーバーライト耐久性や、
記録パワー・消去パワーの変動に対して良好なジッタが
得られるマージンを広く確保できる。この組成範囲内で
は、Sby Te1-y 合金においてy=0.7よりSb量
が多いほど、過剰のSb量が増え、結晶化速度が速く高
線速でのオーバーライトが可能になる。In addition, repeated overwrite durability,
A wide margin for obtaining good jitter with respect to fluctuations in recording power and erasing power can be secured. Within this composition range, the larger the amount of Sb from y = 0.7 in the Sb y Te 1-y alloy, increasing excess amount of Sb, it is possible to overwrite at a crystallization rate is high a high linear velocity.
【0046】より具体的には、EFMプラス変調記録
(8−16変調のマーク長変調記録)において、最短マ
ークである3Tマークの長さを0.4μmあるいは0.
35μm程度まで短縮しても、良好なジッタが得られ
る。また、十分なサーボ信号が得られ、既存の再生専用
DVDドライブでトラッキングサーボをかけることがで
きる。さらに、線速1〜10m/sのいずれかの線速度
でオーバーライト可能である。More specifically, in EFM plus modulation recording (mark length modulation recording of 8-16 modulation), the length of the shortest mark 3T mark is set to 0.4 μm or 0.1 μm.
Good jitter can be obtained even when reduced to about 35 μm. In addition, a sufficient servo signal is obtained, and tracking servo can be applied with an existing read-only DVD drive. Further, overwriting is possible at any one of linear velocities of 1 to 10 m / s.
【0047】これにより、再生専用DVDと同容量でほ
ぼ再生互換性のある書換え型DVDを得ることができ
る。過剰なSb量を制御すれば、さらに、8m/s以上
の高線速で、上記のような高品質、高密度のオーバーラ
イトが可能である。また、記録パルス分割方法(パルス
ストラテジー)を後述のように線速に応じて変化させる
ことで、少なくとも3〜8m/sを含む広い線速範囲に
おいて良好なオーバーライトが可能になる。As a result, it is possible to obtain a rewritable DVD having the same capacity as the read-only DVD and having almost the same playback compatibility. If the excess Sb amount is controlled, the above-described high quality and high density overwriting can be performed at a high linear velocity of 8 m / s or more. Also, by changing the recording pulse division method (pulse strategy) according to the linear velocity as described later, good overwriting can be performed in a wide linear velocity range including at least 3 to 8 m / s.
【0048】本組成について、以下に詳細に説明する。
Ge添加量が10原子%以下のSb0.7 Te0.3 共晶点
近傍組成では、Sb/Te比が大きいほど結晶化速度が
速くなる傾向がある。これは、Sb0.7 Te0. 3 より過
剰のSbはSbクラスタとして析出し再結晶化過程にお
いて結晶核として働くからである。そして、Sb0.7 T
e0.3 より過剰のSbがない場合は消去性能が不十分で
実質的にオーバーライト不可能である。また、初期化時
に核生成がほとんどないため、初期化が困難で生産性が
非常に悪いという問題もある(直線A)。The present composition will be described in detail below.
In a composition near the eutectic point of Sb 0.7 Te 0.3 where the amount of Ge added is 10 atomic% or less, the crystallization rate tends to increase as the Sb / Te ratio increases. This excess of Sb from Sb 0.7 Te 0. 3 is because act as crystal nuclei in the re-crystallization process precipitate as Sb clusters. And Sb 0.7 T
If there is no excess of Sb from e 0.3 is is insufficient substantially overwriting impossible erasing performance. There is also a problem that initialization is difficult and productivity is very poor because nucleation hardly occurs during initialization (straight line A).
【0049】一方、Sb0.7 Te0.3 共晶二元合金でS
b量を増やしていくと、結晶化速度が速くなるのと引き
替えに、結晶化温度も低下し、非晶質マークの経時安定
性を損ねてしまう。また、3m/s前後の低線速での記
録に適さないし、形成された非晶質マークが短時間の再
生光(レーザーパワー約1mW程度)照射で消えてしま
う。従って、(Sb0.8 Te0.2 )とGeを結ぶ直線D
よりも過剰のSbは含まれるべきではない。On the other hand, Sb 0.7 Te 0.3 eutectic binary alloy
As the amount of b increases, the crystallization speed decreases, but the crystallization temperature also decreases, and the aging stability of the amorphous mark is impaired. Further, it is not suitable for recording at a low linear velocity of about 3 m / s, and the formed amorphous mark disappears by short-time irradiation with reproduction light (about 1 mW of laser power). Therefore, a straight line D connecting (Sb 0.8 Te 0.2 ) and Ge
Excess Sb should not be included.
【0050】また、直線AとDで規定された過剰のSb
量の範囲においては、SbTe二元のままでは、結晶化
温度が低いうえに過剰Sbの結晶核が存在して非晶質マ
ークが不安定になりすぎるため、過剰Sb量が多いほど
Geを添加する。Geの4配位結合により、結晶核生成
をほぼ完全に抑制する。結果として結晶化温度は上昇
し、経時安定性が増す。(Ge0.03Sb0.68Te0.29)
と(Sb0.95Ge0.05)を結ぶ直線Bはこの条件を規定
している。より好ましくは、(Ge0.03Sb0.68Te
0.29)と(Sb0.9 Ge0.1 )を結ぶ直線B’より多く
Geを含ませる。The excess Sb defined by the straight lines A and D
In the range of the amount, if the binary SbTe is used, the crystallization temperature is low and the crystal nucleus of excess Sb is present, so that the amorphous mark becomes too unstable. Therefore, Ge is added as the excess Sb amount increases. I do. Ge nucleation is almost completely suppressed by the four-coordinate bond of Ge. As a result, the crystallization temperature rises and the stability over time increases. (Ge 0.03 Sb 0.68 Te 0.29 )
A straight line B that connects (Sb 0.95 Ge 0.05 ) defines this condition. More preferably, (Ge 0.03 Sb 0.68 Te
0.29 ) and (Sb 0.9 Ge 0.1 ).
【0051】さらには、Ge含有量が10原子%以上と
なるとマーク長記録時のジッタが悪化するし、繰返しオ
ーバーライトによって高融点のGe化合物、とくにGe
Teが偏析しやすくなる。また、成膜直後の非晶質膜の
結晶化が極めて困難になるので好ましくない(直線
C)。ジッタを低減するために、より好ましくはGeは
7.5原子%以下とする。Further, when the Ge content is 10 atomic% or more, the jitter at the time of recording the mark length deteriorates, and a high melting point Ge compound, particularly a Ge compound, is obtained by repeated overwriting.
Te is easily segregated. Further, it is not preferable because crystallization of the amorphous film immediately after film formation becomes extremely difficult (straight line C). In order to reduce jitter, Ge is preferably set to 7.5 atomic% or less.
【0052】なお、線速度3m/s以上でオーバーライ
トするには、記録層をGex (Sb y Te1-y )1-x 合
金を主成分とする薄膜(0.04≦x<0.10、0.
72≦y<0.8)とするのが好ましい。すなわち、線
速度3m/s以上での記録には、Sb量を多くし、Sb
y Te1-y 合金においてy≧0.72とするのが好まし
い。ただし、Sb量を多くすることにより非晶質マーク
の安定性が若干悪化するため、これを補うのにx≧0.
04とGeを多めにするのが好ましい。さらには、線速
度7m/s以上でオーバーライトするには、記録層をG
ex (Sby Te1-y )1-x 合金を主成分とする薄膜
(0.045≦x≦0.075、0.74≦y<0.
8)とするのが好ましい。すなわち、線速度7m/s以
上での記録には、Sb量をさらに多くし、Sby Te
1-y 合金においてy≧0.74とするのが好ましい。こ
のとき、非晶質マークの安定性を上げるため、Ge量は
x≧0.045とする。一方、高線速ではジッタが悪化
しやすいため、これを補うためにGe量はx≦0.07
5とする。It is to be noted that the linear velocity is not less than 3 m / s.
To record, the recording layer should be Gex(Sb yTe1-y)1-xCombination
Thin film containing gold as a main component (0.04 ≦ x <0.10, 0.
It is preferable that 72 ≦ y <0.8). That is, the line
For recording at a speed of 3 m / s or more, the Sb amount is increased,
yTe1-yIt is preferable that y ≧ 0.72 in the alloy
No. However, by increasing the amount of Sb, the amorphous mark
Is slightly deteriorated, and to compensate for this, x ≧ 0.
It is preferable to increase 04 and Ge. Furthermore, linear velocity
To overwrite at a speed of 7 m / s or more, the recording layer must be G
ex(SbyTe1-y)1-xAlloy-based thin film
(0.045 ≦ x ≦ 0.075, 0.74 ≦ y <0.
8) is preferable. That is, linear velocity of 7 m / s or less
In the above record, the Sb amount was further increased,yTe
1-yIt is preferable that y ≧ 0.74 in the alloy. This
In order to increase the stability of the amorphous mark, the Ge amount is
Let x ≧ 0.045. On the other hand, jitter deteriorates at high linear velocity
In order to compensate for this, the Ge amount is set to x ≦ 0.07
5 is assumed.
【0053】さて、従来よりGeSbTe三元組成、も
しくはこの三元組成を母体として添加元素を含有する記
録層組成に関して報告がなされている(特開昭61−2
58787号公報、同62−53886号公報、同62
−152786号公報、特開平1−63195号公報、
同1−211249号公報、同1−277338号公
報)。しかしながら、これらに記載された組成はいずれ
も、(Sb0.7 Te0.3 )とGeを結ぶ直線AよりSb
プアな組成であり、本発明組成範囲とは異なる。これら
はむしろ、Sb2 Te3 金属化合物組成を主体としてい
る。また、GeTe−Sb2 Te3 擬似二元合金系で
は、本発明とは逆に、過剰のSbは結晶化速度を遅らせ
るという効果があるため、5m/s以上の高線速でオー
バーライトする場合には、GeTe−Sb2 Te3 の直
線上、特にGe2 Sb2 Te5 組成に、過剰のSbを含
ませることはむしろ有害である。過剰なSbを含むSb
0.7 Te0.3 近傍でGeを含む第3元素を選択的に加え
た組成としては、特開平1−100745号公報(図4
(a)組成範囲α)、特開平1−303643号公報
(図4(a)組成範囲β)に記載されたものがある。Conventionally, there has been reported a ternary composition of GeSbTe or a composition of a recording layer containing an additional element based on the ternary composition (JP-A-61-2).
No. 58787, No. 62-53886, No. 62
JP-152786, JP-A-1-63195,
Nos. 1-211249 and 1-277338). However, any of the compositions described in these publications shows that Sb is obtained from the straight line A connecting (Sb 0.7 Te 0.3 ) and Ge.
This is a poor composition, which is different from the composition range of the present invention. Rather, they are mainly based on the Sb 2 Te 3 metal compound composition. In the GeTe-Sb 2 Te 3 pseudo binary alloy system, contrary to the present invention, excessive Sb has the effect of slowing down the crystallization speed. , the straight line of GeTe-Sb 2 Te 3, especially Ge 2 Sb 2 Te 5 composition, it is rather detrimental to incorporate excess Sb. Sb containing excess Sb
A composition in which a third element containing Ge is selectively added in the vicinity of 0.7 Te 0.3 is disclosed in JP-A-1-100745 (FIG. 4).
(A) Composition range α) and JP-A No. 1-303643 (FIG. 4A).
【0054】しかしながら、特開平1−100745号
公報は、母体組成であるSb1-x Tex において0.1
0≦x≦0.80と極めて広範囲であり、Sb0.7 Te
0.3よりSb過剰な領域のみを利用することで、高密度
記録において繰返しオーバーライト耐久性と経時安定性
に優れるという本願思想は見られない。特開平1−30
3643号公報は、本願のごとき高密度記録においてS
bが直線Dを超えて過剰に含まれると非晶質マークの経
時安定性が損なわれるとの弊害について触れられていな
い。また、いずれの公報もGeが直線Cを超えて過剰に
含まれることの弊害については触れていない。[0054] However, JP-A-1-100745, in Sb 1-x Te x is a matrix composition 0.1
It is extremely wide as 0 ≦ x ≦ 0.80, and Sb 0.7 Te
The idea of the present application that excellent overwrite durability and stability over time in high-density recording is not observed by using only the region in which Sb is excessive than 0.3 . JP-A-1-30
No. 3643 discloses S.D. in high-density recording as in the present application.
No mention is made of the adverse effect that the excess of b beyond the straight line D will impair the stability over time of the amorphous mark. In addition, none of the publications mentions the harmful effects of excessive inclusion of Ge beyond the straight line C.
【0055】また、本発明の記録層組成と一部重複する
組成としては、図4(b)に示されるように、特開平1
−115685号公報(組成範囲γ)、同1−2513
42号公報(組成範囲δ)、同3−71887号公報
(組成範囲ε)及び同4−28587号公報(組成範囲
η)に記載されたものがある。特開平1−115685
号公報は、組成範囲γを母体としてAu、Pdを添加す
るものであるが、低密度記録を目的とし、本発明組成と
は直線A及び直線Bにより実質的に区別されている。該
公報の組成は、マーク長約1.1μmに相当する低密度
での記録(線速4m/s、周波数1.75MHz、デュ
ーティー50%の方形波)とDC消去に適したものであ
るため、短マークを含む高密度記録を目的とする本発明
の組成とは、適する組成が異なると考えられる。As shown in FIG. 4B, the composition partially overlapping the composition of the recording layer of the present invention is disclosed in
JP-A-115885 (composition range γ),
No. 42 (composition range δ), JP-A-3-71887 (composition range ε) and JP-A-4-28587 (composition range η). JP-A-1-115885
In this publication, Au and Pd are added with the composition range γ as a base material, but for the purpose of low-density recording, are substantially distinguished from the composition of the present invention by a straight line A and a straight line B. The composition of this publication is suitable for recording at a low density corresponding to a mark length of about 1.1 μm (linear velocity of 4 m / s, frequency of 1.75 MHz, square wave of 50% duty) and DC erasing. It is considered that a suitable composition is different from the composition of the present invention intended for high-density recording including a short mark.
【0056】特開平1−251342号公報の組成範囲
δは、Sb0.7 Te0.3 共晶にGeを約10原子%以上
添加した系を主体とする、極めてGeリッチなGeSb
Te系であり、本発明組成とは直線Cによって実質的に
区別されている。組成範囲δのうちGeが10原子%よ
り多く含まれる組成では、前述のように結晶化速度が遅
く、特に成膜後の記録層を結晶化させる初期化操作が困
難であるために、生産性が低く実用に供されないという
深刻な問題がある。該公報においては、この結晶化速度
の問題を克服するために、結晶核となるAu、Pdを別
途添加しているが、本発明のように直線CよりGeが少
ない領域では、そのような必要はない。また、該公報に
おいては、Geの量が10原子%より少ないと記録部と
非記録部で十分な光量変化が得られないと記載されてい
るが、本発明においては、保護層や反射層を含む層構成
を工夫することによって、変調度60%以上という非常
に大きな反射光量変化が得られている。特開平3−71
887号公報の組成範囲εは、低密度記録を目的とし、
本発明組成とは直線Cによって実質的に区別されてい
る。特に本発明組成範囲を利用することで、高密度記録
において繰返しオーバーライト耐久性と経時安定性に優
れるという本願思想は見られない。特開平4−2858
7号公報の組成範囲ηは、極めてSbリッチおよびGe
リッチな組成を含んでおり、本発明組成とは直線Dによ
って実質的に区別されている。以上述べたように、上記
いずれの公報も、本発明の目的とする、最短マーク長が
0.5μm以下となるような高密度なマーク長変調記録
に関する技術的課題は明らかにされておらず、そのため
の最適組成の選択、層構成や記録方法の改善については
全く開示されていない。The composition range δ in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-251342 is a very Ge-rich GeSb mainly composed of a system obtained by adding about 10 atomic% or more of Ge to Sb 0.7 Te 0.3 eutectic.
It is a Te system and is substantially distinguished from the composition of the present invention by a straight line C. In the composition range δ, when the composition contains more than 10 atomic% of Ge, the crystallization rate is low as described above, and particularly, the initialization operation for crystallizing the recording layer after film formation is difficult, so that the productivity is low. However, there is a serious problem that it is not practical for practical use. In this publication, Au and Pd serving as crystal nuclei are separately added in order to overcome the problem of the crystallization speed. However, in a region where Ge is smaller than the straight line C as in the present invention, such a necessity is required. There is no. Further, in this publication, it is described that if the amount of Ge is less than 10 atomic%, a sufficient change in the amount of light cannot be obtained between the recorded portion and the non-recorded portion. By devising the layer structure including the light emitting element, a very large change in the reflected light amount of 60% or more in the degree of modulation can be obtained. JP-A-3-71
No. 887, the composition range ε is intended for low density recording,
It is substantially distinguished from the composition of the present invention by a straight line C. In particular, the idea of the present application that the use of the composition range of the present invention is excellent in repeated overwrite durability and stability over time in high-density recording is not seen. JP-A-4-2858
No. 7, the composition range η is extremely Sb-rich and Ge
It contains a rich composition and is substantially distinguished from the composition of the present invention by a straight line D. As described above, none of the above publications clarifies the technical problem relating to high-density mark length modulation recording in which the shortest mark length is 0.5 μm or less, which is the object of the present invention. There is no disclosure of the selection of the optimum composition and the improvement of the layer structure and the recording method.
【0057】次に、本発明の光学的情報記録用媒体の層
構成について説明する。本発明の媒体は、上述した組成
の記録層と以下の層構成を組み合わせることにより、最
短マーク長0.5μm以下の高密度マーク長変調記録を
する際に、少なくとも3m/sから8m/s、好ましく
は1m/sから10m/sをカバーする広い線速範囲で
オーバーライト可能な媒体を実現することができる。そ
して、いわゆるDVDと再生互換を維持することができ
る。相変化型記録層は、上下の少なくとも一方を保護層
で被覆されている。Next, the layer structure of the optical information recording medium of the present invention will be described. The medium of the present invention has a combination of the recording layer having the above-described composition and the following layer configuration. A medium capable of overwriting over a wide linear velocity range, preferably covering 1 m / s to 10 m / s, can be realized. Then, reproduction compatibility with a so-called DVD can be maintained. The phase change recording layer has at least one of the upper and lower layers covered with a protective layer.
【0058】さらに図5(a)に示すように、基板1/
第1保護層2/記録層3/第2保護層4/反射層5の構
成を有し、その上を紫外線もしくは熱硬化性の樹脂で被
覆(保護コート層6)されている。図5(a)のような
各層の順序は、透明基板を介して記録再生用の集束光ビ
ームを記録層に照射する場合に適している。あるいは、
上記各層の順序を逆にして、図5(b)のように、基板
1/反射層5/第2保護層4/記録層3/第1保護層2
という順に積層される構成もとりうる。この層構成は、
第1保護層側から集束光ビームを入射する場合に適して
いる。このような構成は、対物開口数NAが0.7以上
で、記録層と対物レンズの距離を縮める必要が高い場合
に有用である。Further, as shown in FIG.
It has the structure of the first protective layer 2 / recording layer 3 / second protective layer 4 / reflective layer 5, and the surface thereof is covered with ultraviolet or thermosetting resin (protective coat layer 6). The order of each layer as shown in FIG. 5A is suitable when the recording layer is irradiated with a focused light beam for recording / reproducing through the transparent substrate. Or,
The order of the above layers is reversed, and as shown in FIG. 5 (b), the substrate 1 / the reflective layer 5 / the second protective layer 4 / the recording layer 3 / the first protective layer 2
, And the layers may be stacked in this order. This layer configuration is
This is suitable when a focused light beam is incident from the first protective layer side. Such a configuration is useful when the objective numerical aperture NA is 0.7 or more and it is necessary to shorten the distance between the recording layer and the objective lens.
【0059】図5(a)に示す構成であれば、基板に
は、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなど
の透明樹脂、あるいは透明ガラスを用いることができ
る。なかでも、ポリカーボネート樹脂はCDにおいて最
も広く用いられている実績もあり、安価でもあるので最
も好ましい。図5(b)に示す構成でも同様に樹脂ある
いはガラスが使用できるが、基板自体は透明である必要
はなく、むしろ平坦性や剛性を高めるために、ガラスや
アルミニウム合金を用いることが好ましい場合がある。
基板には記録再生光を案内するピッチ0.8μm以下の
溝を設けるが、この溝は、必ずしも幾何学的に台形状の
溝である必要はなく、たとえば、イオン注入などによっ
て、屈折率の異なる導波路のようなものを形成して光学
的に溝が形成されていても良い。With the configuration shown in FIG. 5A, a transparent resin such as polycarbonate, acrylic, or polyolefin, or transparent glass can be used for the substrate. Among them, polycarbonate resin is the most preferable because it has the track record of being most widely used in CDs and is inexpensive. In the configuration shown in FIG. 5B, resin or glass can be used in the same manner, but the substrate itself does not need to be transparent. Rather, it is preferable to use glass or an aluminum alloy in order to increase flatness and rigidity. is there.
The substrate is provided with a groove having a pitch of 0.8 μm or less for guiding the recording / reproducing light, but this groove is not necessarily required to be a geometrically trapezoidal groove. A groove may be formed optically by forming something like a waveguide.
【0060】図5(a)に記載の層構成においては、記
録時の高温による変形を防止するため、基板表面には第
1保護層2が、記録層3上には第2保護層4が設けられ
る。第2保護層4は記録層3と反射層5の相互拡散を防
止し、記録層の変形を抑制しつつ、反射層5へ効率的に
熱を逃すという機能を併せ持つ。図5(b)においても
集束光ビーム入射側からみて、第2保護層4は記録層3
と反射層5との間の相互拡散防止、放熱、記録層変形防
止の機能を有する。図5(b)における第1保護層は、
記録層の変形防止や、記録層と空気との直接接触防止
(酸化汚染等の防止)、光ピックアップとの直接接触に
よる損傷防止の機能がある。In the layer structure shown in FIG. 5A, the first protective layer 2 is provided on the substrate surface and the second protective layer 4 is provided on the recording layer 3 in order to prevent deformation due to high temperature during recording. Provided. The second protective layer 4 also has a function of preventing mutual diffusion between the recording layer 3 and the reflective layer 5 and suppressing heat deformation to the reflective layer 5 while suppressing deformation of the recording layer. Also in FIG. 5B, the second protective layer 4 is the recording layer 3 when viewed from the focused light beam incident side.
It has a function of preventing mutual diffusion between the film and the reflective layer 5, heat radiation, and preventing deformation of the recording layer. The first protective layer in FIG.
It has functions of preventing deformation of the recording layer, preventing direct contact between the recording layer and air (prevention of oxidation contamination, etc.), and preventing damage due to direct contact with the optical pickup.
【0061】反射層と基板のあいだに、さらに保護層を
設けてもよい。例えば、樹脂製基板への熱ダメージを防
ぐことができる。図5(b)に記載の構成においては、
第1保護層2のさらに外側には、それより硬質の誘電体
や非晶質カーボン保護膜を設けたり、紫外線あるいは熱
硬化性樹脂層を設けることが望ましい。あるいは、厚さ
0.05〜0.6mm程度の透明な薄板を貼合わせ、こ
の薄板を介して集束光ビームを入射することも可能であ
る。A protective layer may be further provided between the reflective layer and the substrate. For example, heat damage to the resin substrate can be prevented. In the configuration shown in FIG.
It is desirable to provide a harder dielectric or amorphous carbon protective film, or an ultraviolet or thermosetting resin layer further outside the first protective layer 2. Alternatively, it is also possible to attach a transparent thin plate having a thickness of about 0.05 to 0.6 mm, and to allow a focused light beam to enter through this thin plate.
【0062】さらに、DVDのような媒体においては、
図5(a)の媒体を記録層面を内側として、接着剤で貼
り合せた構造をとる。図5(b)の媒体では、逆に記録
層面を外側にして貼り合せることになる。さらに図5
(b)の媒体においては、一枚の基板の両面に射出成形
によってトラッキング用の溝を形成し、両面にスパッタ
法によって多層膜を形成しても良い。記録層3、保護層
2、4、反射層5はスパッタリング法などによって形成
される。記録層用ターゲット、保護層用ターゲット、必
要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャン
バー内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが
各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。Further, in a medium such as a DVD,
The medium shown in FIG. 5A has a structure in which the recording layer surface is on the inside and the medium is bonded with an adhesive. On the other hand, in the medium shown in FIG. 5B, the recording layers are bonded with the recording layer surface outside. Further FIG.
In the medium (b), a tracking groove may be formed on both surfaces of a single substrate by injection molding, and a multilayer film may be formed on both surfaces by sputtering. The recording layer 3, the protective layers 2, 4, and the reflective layer 5 are formed by a sputtering method or the like. It is desirable to form a film using an in-line apparatus in which a target for a recording layer, a target for a protective layer, and if necessary, a target for a reflective layer material are installed in the same vacuum chamber, in order to prevent oxidation and contamination between layers.
【0063】保護層2、4の材料としては、屈折率、熱
伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意し
て決定される。一般的には透明性が高く高融点である金
属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やCa,
Mg,Li等のフッ化物を用いることができる。これら
の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずし
も化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御の
ために組成を制御したり、混合して用いることも有効で
ある。The material of the protective layers 2 and 4 is determined in consideration of the refractive index, thermal conductivity, chemical stability, mechanical strength, adhesion, and the like. Generally, oxides, sulfides, nitrides, carbides, Ca, and the like of metals and semiconductors having high transparency and high melting point are used.
Fluorides such as Mg and Li can be used. These oxides, sulfides, nitrides, carbides and fluorides do not necessarily have to have a stoichiometric composition, and it is effective to control the composition for controlling the refractive index and the like, or to use a mixture of them. is there.
【0064】保護層2、4は厚さ方向で組成比や混合比
を変化させてもよい。また、保護層2、4はそれぞれ複
数膜からなってもよい。各膜は要求される特性に応じ、
材料や組成比、混合比を異ならせることができる。繰返
し記録特性を考慮するとこれらの保護層の膜密度はバル
ク状態の80%以上であることが機械的強度の面から望
ましい。混合物誘電体薄膜を用いる場合には、バルク密
度として下式の理論密度を用いる。The composition ratio and the mixing ratio of the protective layers 2 and 4 may be changed in the thickness direction. Further, each of the protective layers 2 and 4 may be composed of a plurality of films. Each membrane depends on the required characteristics,
Materials, composition ratios, and mixing ratios can be varied. Considering the repetitive recording characteristics, it is desirable that the film density of these protective layers be 80% or more of the bulk state from the viewpoint of mechanical strength. When a mixture dielectric thin film is used, the theoretical density of the following equation is used as the bulk density.
【0065】[0065]
【数12】ρ=Σmi ρi (1) mi :各成分iのモル濃度 ρi :単独のバルク密度Ρ = Σm i ρ i (1) m i : molar concentration of each component i ρ i : single bulk density
【0066】本発明の媒体の記録層3は相変化型の記録
層であり、その厚みは一般的に5nmから100nmの
範囲が好ましい。記録層3の厚みが5nmより薄いと十
分なコントラストが得られ難く、また結晶化速度が遅く
なる傾向があり、短時間での消去が困難となりやすい。
一方100nmを越すとやはり光学的なコントラストが
得にくくなり、また、クラックが生じやすくなる。さら
に、DVDなど再生専用ディスクと互換性をとれるほど
のコントラストを得る必要があり、かつ、最短マーク長
が0.5μm以下となるような高密度記録では、5nm
以上25nm以下が好ましい。5nm未満では反射率が
低くなりすぎ、また、膜成長初期の不均一な組成、疎な
膜の影響が現れやすいので好ましくない。The recording layer 3 of the medium of the present invention is a phase change type recording layer, and its thickness is generally preferably in the range of 5 nm to 100 nm. If the thickness of the recording layer 3 is less than 5 nm, it is difficult to obtain a sufficient contrast and the crystallization speed tends to be slow, so that erasing in a short time tends to be difficult.
On the other hand, if it exceeds 100 nm, it is still difficult to obtain optical contrast, and cracks are likely to occur. Further, for high-density recording in which the contrast is required to be compatible with a read-only disc such as a DVD and the shortest mark length is 0.5 μm or less, 5 nm is required.
It is preferably at least 25 nm. If the thickness is less than 5 nm, the reflectance is too low, and the influence of a non-uniform composition and a sparse film in the initial stage of film growth tends to appear, which is not preferable.
【0067】一方、25nmより厚いと熱容量が大きく
なり記録感度が悪くなるし、結晶成長が3次元的になる
ため、非晶質マークのエッジが乱れジッタが高くなる傾
向にある。さらに、記録層の相変化による体積変化が顕
著になり繰返しオーバーライト耐久性が悪くなるので好
ましくない。マーク端のジッタ及び繰返しオーバーライ
ト耐久性の観点からは20nm以下とすることがより望
ましい。また、記録層の密度はバルク密度の80%以
上、より好ましくは90%以上であることが望ましい。
ここでいう、バルク密度とは、もちろん、合金塊を作成
して実測することもできるが、上記(1)式において、
各成分のモル濃度を各元素の原子%に置き換え、バルク
密度を各元素の分子量に置き換えることで近似値が得ら
れる。On the other hand, if the thickness is more than 25 nm, the heat capacity becomes large, the recording sensitivity becomes poor, and the crystal growth becomes three-dimensional, so that the edges of the amorphous marks tend to be disturbed and the jitter tends to be high. Further, the volume change due to the phase change of the recording layer becomes remarkable, and the overwrite durability is repeatedly deteriorated. From the viewpoint of mark end jitter and repetitive overwrite durability, it is more preferable to set the thickness to 20 nm or less. Further, the density of the recording layer is desirably 80% or more, more preferably 90% or more of the bulk density.
Here, the bulk density can be measured, of course, by preparing an alloy lump, but in the above equation (1),
An approximate value can be obtained by replacing the molar concentration of each component with the atomic% of each element and replacing the bulk density with the molecular weight of each element.
【0068】記録層の密度はスパッタ成膜法において
は、成膜時のスパッタガス(Ar等の希ガス)の圧力を
低くする、ターゲット正面にに近接して基板を配置する
などして、記録層に照射される高エネルギーAr量を多
くすることが必要である。高エネルギーArはスパッタ
のためにターゲットに照射されるArイオンが、一部跳
ね返されて基板側に到達するものか、プラズマ中のAr
イオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達す
るものかのいずれかである。このような高エネルギーの
希ガスの照射効果をatomic peening効果
という。一般的に使用されるArガスでのスパッタでは
atomic peening効果により、Arがスパ
ッタ膜に混入される。膜中のAr量により、atomi
c peening効果を見積もることができる。すな
わち、Ar量が少なければ、高エネルギーAr照射効果
が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成されやす
い。一方、Ar量が多ければ高エネルギーArの照射が
激しく、密度は高くなるものの、膜中に取り込まれたA
rが繰返しオーバーライト時にvoidとなって析出
し、繰返しの耐久性を劣化させる。記録層膜中の適当な
Ar量は、0.1原子%以上、1.5原子%以下であ
る。さらに、直流スパッタリングよりも高周波スパッタ
リングを用いた方が、膜中Ar量が少なくして、高密度
膜が得られるので好ましい。In the case of the sputter film forming method, the density of the recording layer is determined by lowering the pressure of a sputter gas (a rare gas such as Ar) at the time of film formation or by disposing a substrate close to the front of the target. It is necessary to increase the amount of high energy Ar irradiated to the layer. The high-energy Ar is one in which Ar ions applied to the target for sputtering are partially repelled and reach the substrate side, or Ar ions in the plasma.
Either ions are accelerated by the sheath voltage on the entire surface of the substrate and reach the substrate. Such an irradiation effect of a high-energy rare gas is called an atomic peening effect. Ar is mixed into a sputtered film due to an atomic peening effect in sputtering with a generally used Ar gas. Atomi depends on the amount of Ar in the film.
The c-peening effect can be estimated. That is, if the amount of Ar is small, it means that the high-energy Ar irradiation effect is small, and a film having a low density is easily formed. On the other hand, when the amount of Ar is large, the irradiation of high-energy Ar is intense and the density becomes high, but the A taken in the film
r precipitates as voids during repeated overwriting, deteriorating the durability of repetition. An appropriate amount of Ar in the recording layer film is 0.1 atomic% or more and 1.5 atomic% or less. Further, it is preferable to use high-frequency sputtering rather than DC sputtering because the amount of Ar in the film is reduced and a high-density film can be obtained.
【0069】本発明において、記録層は上述の組成を有
するGeSbTe合金を主成分とする薄膜からなる。す
なわち、記録層中のGe、Sb、Teの各元素量の比が
上述の組成範囲にあればよく、記録層には必要に応じて
他の元素を、合計10原子%程度まで添加してもよい。
記録層にさらに、O、N、及びSから選ばれる少なくと
も一つの元素を、0.1原子%以上5原子%以下添加す
ることで、記録層の光学定数を微調整することができ
る。しかし、5原子%を超えて添加することは、結晶化
速度を低下させ消去性能を悪化させるので好ましくな
い。In the present invention, the recording layer comprises a thin film mainly composed of a GeSbTe alloy having the above composition. That is, the ratio of the amounts of the respective elements Ge, Sb, and Te in the recording layer may be within the above-described composition range. If necessary, other elements may be added to the recording layer up to a total of about 10 atomic%. Good.
The optical constant of the recording layer can be finely adjusted by further adding at least one element selected from O, N, and S to the recording layer in an amount of 0.1 to 5 atomic%. However, adding more than 5 atomic% is not preferable because it lowers the crystallization speed and deteriorates the erasing performance.
【0070】また、オーバーライト時の結晶化速度を低
下させずに、経時安定性を増すために、V、Nb、T
a、Cr、Co、Pt及びZrの少なくとも一種を、8
原子%以下添加するのが好ましい。より好ましくは、
0.1原子%以上5原子%以下添加する。SbTeに対
する、これら添加元素とGeの合計の添加量は全部で1
5原子%以下であることが望ましい。過剰に含まれると
Sb以外の相分離を誘起してしまう。特に、Ge含有量
が3原子%以上、5原子%以下の場合には添加効果が大
きい。経時安定性の向上と屈折率の微調整のために、S
i、Sn、及びPbの少なくとも一種を、5原子%以下
添加するのが好ましい。これら添加元素とGeの合計の
含有量は15原子%以下が好ましい。これら元素はGe
と同じ4配位ネットワークを持つ。In order to increase the stability over time without lowering the crystallization speed during overwriting, V, Nb, T
at least one of a, Cr, Co, Pt and Zr is 8
It is preferable to add at most atomic%. More preferably,
0.1 atomic% or more and 5 atomic% or less are added. The total amount of these additional elements and Ge added to SbTe is 1 in total.
It is desirable that the content be 5 atomic% or less. Excessive inclusion will induce phase separation other than Sb. In particular, when the Ge content is 3 atomic% or more and 5 atomic% or less, the addition effect is large. To improve the aging stability and fine-tune the refractive index,
It is preferable to add at least one of i, Sn, and Pb to 5 atomic% or less. The total content of these additional elements and Ge is preferably 15 atomic% or less. These elements are Ge
Has the same four-coordinate network as.
【0071】Al、Ga、Inを8原子%以下添加する
ことは、結晶化温度を上昇させると同時に、ジッタを低
減させたり、記録感度を改善する効果もあるが、偏析も
生じやすいため、6原子%以下とするのが好ましい。ま
た、Geとあわせた含有量は15原子%以下、好ましく
は13%以下とすることが望ましい。Agを8原子%以
下添加することはやはり記録感度を改善する上で効果が
あり、特にGe原子量が5原子%を超える場合に用いれ
ば、効果が顕著である。しかし、8原子%を超える添加
は、ジッタを増加させたり、非晶質マークの安定性を損
ねるので好ましくないし、Geと合わせた添加量が15
原子%を超えると偏析を生じやすいので好ましくない。
Agの含有量として最も好ましいのは、5原子%以下で
ある。The addition of 8 atomic% or less of Al, Ga, and In has the effect of increasing the crystallization temperature and at the same time reducing jitter and improving the recording sensitivity. However, segregation is likely to occur. It is preferably at most atomic%. Further, the content together with Ge is desirably 15 atomic% or less, preferably 13% or less. Addition of 8 atomic% or less of Ag is also effective in improving the recording sensitivity, and the effect is particularly remarkable when used when the Ge atomic weight exceeds 5 atomic%. However, addition exceeding 8 atomic% is not preferable because it increases jitter and impairs the stability of the amorphous mark.
If it exceeds atomic%, segregation tends to occur, which is not preferable.
The most preferable Ag content is 5 atomic% or less.
【0072】さて、本発明の記録媒体の記録層3は、成
膜後の状態は通常、非晶質である。従って、成膜後に、
記録層全面を結晶化して初期化された状態(未記録状
態)とする必要がある。初期化方法としては、Sb0.7
Te0.3 に過剰なSbを含む合金には、固相でのアニー
ルによる初期化も可能であるが、さらにGeを含む組成
では、一旦記録層を溶融させ再凝固時に徐冷して結晶化
させる溶融再結晶化による初期化が望ましい。本記録層
は成膜直後には結晶成長の核がほとんどなく、固相での
結晶化は困難であるが、溶融再結晶化によれば、少数の
結晶核が形成されてのち、溶融して、結晶成長が主体と
なって高速で再結晶化が進むようである。The state of the recording layer 3 of the recording medium of the present invention after film formation is usually amorphous. Therefore, after film formation,
It is necessary to crystallize the entire recording layer to be in an initialized state (unrecorded state). The initialization method is Sb 0.7
The alloy containing excessive Sb to Te 0.3, but it is possible also initialized by annealing in a solid phase, the composition further comprising Ge, to crystallize slowly cooled during resolidification was temporarily melt the recording layer melted Initialization by recrystallization is desirable. This recording layer has almost no crystal growth nuclei immediately after film formation, and it is difficult to crystallize in the solid phase. It seems that recrystallization proceeds at a high speed mainly due to crystal growth.
【0073】また、本発明の記録層は、溶融再結晶化に
よる結晶と、固相でのアニールによる結晶とは反射率が
異なるため、混在するとノイズの原因となる。そして、
実際のオーバーライト記録の際には、消去部は溶融再結
晶化による結晶となるため、初期化も溶融再結晶化によ
り行うのが好ましい。このとき、記録層を溶融するのは
局所的かつ、1ミリ秒程度以下の短時間に限る。溶融領
域が広かったり、溶融時間あるいは冷却時間が長すぎる
と、熱によって各層が破壊されたり、プラスチック基板
表面が変形したりするためである。このような熱履歴を
与えるには、波長600〜1000nm程度の高出力半
導体レーザー光を、長軸100〜300μm、短軸1〜
3μmに集束して照射し、短軸方向を走査軸として、1
〜10m/sの線速度で走査することが望ましい。同じ
集束光でも円形に近いと溶融領域が広すぎ、再非晶質化
がおきやすく、また、多層構成や基板へのダメージが大
きく好ましくない。初期化が溶融再結晶化によって行わ
れたことは以下のようにして確認できる。すなわち、該
初期化後の媒体に、直径約1.5μmより小さいスポッ
ト径に集束された、記録層を溶融するにたる記録パワー
Pwの記録光を、直流的に、一定線速度で照射する。案
内溝がある場合は、その溝もしくは溝間からなるトラッ
クに、トラッキングサーボ及びフォーカスサーボをかけ
た状態で行う。In the recording layer of the present invention, the crystal formed by melting and recrystallization and the crystal formed by annealing in a solid phase have different reflectivities. And
At the time of actual overwrite recording, since the erased portion becomes a crystal formed by melt recrystallization, it is preferable that initialization is also performed by melt recrystallization. At this time, the recording layer is locally melted and is limited to a short time of about 1 millisecond or less. If the melting region is wide or the melting time or the cooling time is too long, each layer is destroyed by heat or the surface of the plastic substrate is deformed. In order to provide such a heat history, a high-power semiconductor laser beam having a wavelength of about 600 to 1000 nm is irradiated with a long axis of 100 to 300 μm and a short axis of 1 to 300 μm.
Focused on 3 μm and irradiated, with the short axis direction as the scanning axis, 1
It is desirable to scan at a linear velocity of 10 to 10 m / s. Even with the same focused light, if it is close to a circular shape, the melting region is too wide and re-amorphization is likely to occur, and the multilayer structure and the substrate are greatly damaged, which is not preferable. The fact that the initialization was performed by melt recrystallization can be confirmed as follows. That is, the medium after the initialization is irradiated with a recording light of a recording power Pw focused on a spot diameter smaller than about 1.5 μm and having a recording power Pw for melting the recording layer, at a constant linear velocity in a DC manner. If there is a guide groove, the tracking servo and the focus servo are performed on the track formed between the grooves or between the grooves.
【0074】その後、同じトラック上に消去パワーPe
(≦Pw)の消去光を直流的に照射して得られる消去状
態の反射率が、全く未記録の初期状態の反射率とほとん
ど同じであれば、該初期化状態は溶融際結晶状態と確認
できる。なぜなら、記録光照射により記録層は一旦溶融
されており、それを消去光照射で完全に再結晶化した状
態は、記録光による溶融と消去光による再結晶化の過程
を経ており、溶融再結晶化された状態にあるからであ
る。なお、初期化状態の反射率Rini と溶融再結晶化状
態Rcry の反射率がほぼ同じであるとは、(Rini −R
cry )/{(Rini +Rcry )/2}で定義される両者
の反射率差が20%以下であることを言う。通常、アニ
ール等の固相結晶化だけでは、その反射率差は20%よ
り大きい。Thereafter, the erasing power Pe is recorded on the same track.
If the reflectance in the erased state obtained by irradiating the erasing light of (≦ Pw) in a DC manner is almost the same as the reflectance in the completely unrecorded initial state, the initialized state is confirmed to be the crystalline state upon melting. it can. The reason for this is that the recording layer is once melted by the irradiation of the recording light, and is completely recrystallized by the irradiation of the erasing light. It is because it is in a state of being transformed. It should be noted that the reflectance of the initialized state R ini and the reflectance of the melted and recrystallized state R cry are substantially the same as (R ini −R
cry ) / {( Rini + Rcry ) / 2} means that the difference between the two reflectances is 20% or less. Normally, only by solid-phase crystallization such as annealing, the reflectance difference is larger than 20%.
【0075】次に、記録層以外の層について述べる。本
発明の層構成は、急冷構造と呼ばれる層構成の一種に属
する。急冷構造は、放熱を促進し、記録層再凝固時の冷
却速度を高める層構成を採用することで、非晶質マーク
形成のときの再結晶化の問題を回避しつつ、高速結晶化
による高消去比を実現する。このため第2保護層膜厚
は、5nm以上30nm以下とする。5nmより薄い
と、記録層溶融時の変形等によって破壊されやすく、ま
た、放熱効果が大きすぎて記録に要するパワーが不必要
に大きくなってしまう。Next, the layers other than the recording layer will be described. The layer configuration of the present invention belongs to a kind of layer configuration called a quenching structure. The quenching structure employs a layer configuration that promotes heat radiation and increases the cooling rate during resolidification of the recording layer, thereby avoiding the problem of recrystallization when forming an amorphous mark and achieving high crystallization by high-speed crystallization. Achieve an erasing ratio. Therefore, the thickness of the second protective layer is set to 5 nm or more and 30 nm or less. If the thickness is less than 5 nm, the recording layer is easily broken by deformation or the like when the recording layer is melted, and the power required for recording becomes unnecessarily large because the heat radiation effect is too large.
【0076】本発明の、第2保護層の膜厚は、繰返しオ
ーバーライトにおける耐久性に大きく影響し、特にジッ
タの悪化を抑制する上でも重要である。膜厚が30nm
より厚い場合には、記録時に、第2保護層の記録側と、
反射層側とで温度差が大きくなり、保護層の両側におけ
る熱膨張差から、保護層自体が非対称に変形しやすくな
る。この繰返しは、保護層内部に微視的塑性変形を蓄積
させ、ノイズの増加を招くので好ましくない。本発明の
記録層を用いると、最短マーク長0.5μm以下の高密
度記録において低ジッタを実現できるが、本発明者らの
検討によれば、高密度記録を実現するために短波長のレ
ーザーダイオード(例えば、波長700nm以下)を用
いる場合には、上記急冷構造の層構成についても、一層
の留意が必要になる。特に、波長が500nm以下、開
口数NAが0.55以上の小さな集束光ビームを用いた
1ビームオーバーライト特性の検討において、マーク幅
方向の温度分布を平坦化することが、高消去比及び消去
パワーマージンを広く取るために重要であることが分か
った。In the present invention, the thickness of the second protective layer greatly affects the durability in repeated overwriting, and is particularly important in suppressing the deterioration of jitter. Thickness 30nm
If it is thicker, at the time of recording, the recording side of the second protective layer
The temperature difference between the reflection layer side and the reflection layer side increases, and the protection layer itself tends to be asymmetrically deformed due to the difference in thermal expansion between both sides of the protection layer. This repetition is not preferable because it causes microscopic plastic deformation to accumulate inside the protective layer and increases noise. By using the recording layer of the present invention, low jitter can be realized in high-density recording with a minimum mark length of 0.5 μm or less. However, according to the study of the present inventors, a short-wavelength laser In the case of using a diode (for example, a wavelength of 700 nm or less), further attention must be paid to the layer structure of the quenching structure. In particular, in the study of one-beam overwrite characteristics using a small focused light beam having a wavelength of 500 nm or less and a numerical aperture NA of 0.55 or more, flattening the temperature distribution in the mark width direction requires a high erasing ratio and erasing. It turned out to be important for widening the power margin.
【0077】この傾向は、波長630〜680nm、N
A=0.6前後の光学系を用いた、DVD対応の光学系
においても同様である。このような光学系を用いた高密
度マーク長変調記録においては、特に、熱伝導率の低い
材料を第2保護層として用いる。好ましくはその膜厚を
10nm以上25nm以下とする。いずれの場合にも、
その上に設ける反射層5をとりわけ高熱伝導率の材料と
することにより、消去比及び消去パワーマージンを改善
できる。検討によれば、広い消去パワー範囲において、
本発明記録層が持つ良好な消去特性を発揮させるには、
単に膜厚方向の温度分布や時間変化のみならず、膜面方
向(記録ビーム走査方向の垂直方向)の温度分布をでき
るだけ平坦化できるような層構成を用いるのが好まし
い。This tendency is due to the fact that the wavelengths of 630 to 680 nm, N
The same applies to a DVD-compatible optical system using an optical system with A = about 0.6. In high density mark length modulation recording using such an optical system, a material having low thermal conductivity is used as the second protective layer. Preferably, the thickness is 10 nm or more and 25 nm or less. In each case,
The erasing ratio and the erasing power margin can be improved by using a material having particularly high thermal conductivity for the reflective layer 5 provided thereon. According to the study, over a wide erase power range,
In order to exhibit good erasing characteristics of the recording layer of the present invention,
It is preferable to use a layer configuration that can flatten as much as possible the temperature distribution in the film surface direction (perpendicular to the recording beam scanning direction) as well as the temperature distribution and time change in the film thickness direction.
【0078】本発明者らは、媒体の層構成を適切に設計
することにより、媒体中のトラック横断方向の温度分布
を平坦にすることで、溶融して再非晶質化されることな
く、再結晶化することのできる幅を広げ、消去率及び消
去パワーマージンを広げることを試みた。一方、熱伝導
率が低くごく薄い第2保護層を介して、記録層から、極
めて高熱伝導率の反射層への放熱を促進することで、記
録層における温度分布が平坦になることがわかった。第
2保護層の熱伝導率を高くしても放熱効果は促進される
が、あまり放熱が促進されると、記録に要する照射パワ
ーが高くなる、すなわち、記録感度が著しく低下してし
まう。By appropriately designing the layer structure of the medium, the present inventors can flatten the temperature distribution in the cross-track direction in the medium, so that the medium is not melted and re-amorphized. An attempt was made to increase the width that can be recrystallized, and to increase the erasing rate and erasing power margin. On the other hand, it was found that by promoting heat radiation from the recording layer to the reflection layer having extremely high thermal conductivity through the very thin second protective layer having a low thermal conductivity, the temperature distribution in the recording layer became flat. . Even if the thermal conductivity of the second protective layer is increased, the heat radiation effect is promoted. However, if the heat radiation is promoted too much, the irradiation power required for recording increases, that is, the recording sensitivity is significantly reduced.
【0079】本発明においては低熱伝導率の、薄い第2
保護層を用いるのが好ましい。低熱伝導率の、薄い第2
保護層を用いることにより、記録パワー照射開始時点の
数nsec〜数十nsecにおいて、記録層から反射層
への熱伝導に時間的な遅延をあたえ、その後に反射層へ
の放熱を促進することができるため、放熱により必要以
上に記録感度を低下させることがない。従来知られてい
る、SiO2 、Ta2 O5 、Al2 O3 、AlN、Si
N等を主成分とする保護層材料は、それ自身の熱伝導率
が高すぎて、本発明媒体の第2保護層4としては好まし
くない。このように、金属酸化物や窒化物の熱伝導率
は、同じ薄膜状態に比べても、本発明保護層で用いられ
る下記保護層にくらべて、1桁以上熱伝導率が高い。In the present invention, a thin second conductive material having a low thermal conductivity is used.
It is preferable to use a protective layer. Low thermal conductivity, thin second
By using the protective layer, the heat conduction from the recording layer to the reflective layer is given a time delay from several nsec to several tens of nsec at the start of the recording power irradiation, and then the heat radiation to the reflective layer is promoted. As a result, the recording sensitivity is not unnecessarily lowered by heat radiation. Conventionally known SiO 2 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , AlN, Si
A protective layer material containing N as a main component is not preferable as the second protective layer 4 of the medium of the present invention because its own thermal conductivity is too high. As described above, the thermal conductivity of the metal oxide or nitride is higher by one digit or more than that of the following protective layer used in the protective layer of the present invention even in the same thin film state.
【0080】一方、反射層における放熱は、反射層の厚
みを厚くしても達成できるが、反射層の厚みが300n
mを超えると、記録層膜面方向よりも膜厚方向の熱伝導
が顕著になり、膜面方向の温度分布改善効果が得られな
い。また、反射層自体の熱容量が大きくなり、反射層、
ひいては記録層の冷却に時間がかかるようになって、非
晶質マークの形成が阻害される。最も好ましいのは、高
熱伝導率の反射層を薄く設けて横方向への放熱を選択的
に促進することである。従来用いられていた急冷構造
は、膜厚方向の1次元的な熱の逃げにのみ注目し、記録
層から反射層に早く熱を逃すことのみを意図しており、
この平面方向の温度分布の平坦化に十分な留意が払われ
ていなかった。On the other hand, heat dissipation in the reflective layer can be achieved by increasing the thickness of the reflective layer, but the thickness of the reflective layer is 300 n
If it exceeds m, the heat conduction in the film thickness direction becomes more remarkable than in the film surface direction, and the effect of improving the temperature distribution in the film surface direction cannot be obtained. In addition, the heat capacity of the reflection layer itself increases, and the reflection layer,
As a result, it takes a long time to cool the recording layer, and the formation of an amorphous mark is hindered. Most preferably, a reflective layer having a high thermal conductivity is provided thinly to selectively promote heat radiation in the lateral direction. The quenching structure conventionally used focuses only on one-dimensional heat dissipation in the film thickness direction, and is intended only to quickly release heat from the recording layer to the reflective layer.
Sufficient attention has not been paid to the flattening of the temperature distribution in the plane direction.
【0081】なお、本発明の、いわば「第2保護層での
熱伝導遅延効果を考慮した超急冷構造」は、本発明に係
る記録層に適用すると、従来のGeTe−Sb2 Te3
記録層に比べて一層効果がある。なぜなら、本発明記録
層はTm近傍での再凝固時の結晶成長が再結晶化の律速
になっているからである。Tm近傍での冷却即速度を極
限まで大きくして、非晶質マーク及びそのエッジの形成
を確実かつ明確なものとするには、超急冷構造が有効で
あり、かつ、膜面方向の温度分布の平坦化で、もともと
Tm近傍で高速消去可能であったものが、より高消去パ
ワーまで確実に再結晶化による消去を確保できるからで
ある。Incidentally, the so-called “ultra-quenching structure in consideration of the heat conduction delay effect in the second protective layer” of the present invention, when applied to the recording layer according to the present invention, is a conventional GeTe—Sb 2 Te 3.
It is more effective than the recording layer. This is because, in the recording layer of the present invention, the crystal growth at the time of resolidification in the vicinity of Tm is rate-determining of recrystallization. In order to increase the instantaneous cooling rate near Tm to the utmost limit and to make the formation of the amorphous marks and their edges reliable and clear, an ultra-quenched structure is effective, and the temperature distribution in the film surface direction is effective. This is because, by the flattening, the data which could originally be erased at a high speed near Tm can be reliably erased by recrystallization up to a higher erasing power.
【0082】本発明においては、第2保護層の材料とし
ては熱伝導が低い方が望ましいが、その目安は1×10
-3pJ/(μm・K・nsec)である。しかしなが
ら、このような低熱伝導率材料の薄膜状態の熱伝導率を
直接測定するのは困難であり、代わりに、熱シミュレー
ションと実際の記録感度の測定結果から目安を得ること
ができる。好ましい結果をもたらす低熱伝導率の第2保
護層材料としては、ZnS、ZnO、TaS2 又は希土
類硫化物のうちの少なくとも一種を50mol%以上9
0mol%以下含み、かつ、融点又は分解点が1000
℃以上の耐熱性化合物とを含む複合誘電体が望ましい。In the present invention, it is desirable that the material of the second protective layer has low thermal conductivity, but the standard is 1 × 10
−3 pJ / (μm · K · nsec). However, it is difficult to directly measure the thermal conductivity of such a low-thermal-conductivity material in a thin film state, and a guide can be obtained from a thermal simulation and an actual recording sensitivity measurement result. As a material of the second protective layer having a low thermal conductivity that provides a favorable result, at least one of ZnS, ZnO, TaS 2 or a rare earth sulfide is used in an amount of 50 mol% or more.
0 mol% or less and melting point or decomposition point is 1000
A composite dielectric containing a heat-resistant compound having a temperature of not less than ° C is desirable.
【0083】より具体的にはLa,Ce,Nd,Y等の
希土類の硫化物を60mol%以上90mol%以下含
む複合誘電体が望ましい。あるいは、ZnS,ZnOも
しくは希土類硫化物の組成の範囲を70〜90mol%
とすることが望ましい。これらと混合されるべき、融点
又は分解点が1000℃以上の耐熱化合物材料として
は、Mg,Ca,Sr,Y,La,Ce,Ho,Er,
Yb,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Zn,A
l,Si,Ge,Pb等の酸化物、窒化物、炭化物やC
a,Mg,Li等のフッ化物を用いることができる。特
にZnOと混合されるべき材料としては、Y,La,C
e,Nd等希土類の硫化物あるいは硫化物と酸化物の混
合物が望ましい。そして、この第2保護層の膜厚が30
nmより厚いとマーク幅方向の温度分布の十分な平坦化
効果が得られないため、30nm以下とする。好ましく
は25nm以下とする。5nm未満では、第2保護層部
での熱伝導の遅延効果が不十分で、記録感度低下が著し
くなり好ましくない。第2保護層4の厚さは、記録レー
ザー光の波長が600〜700nmでは15nm〜25
nmが好ましく、波長が350〜600nmでは5〜2
0nmが好ましく、より好ましくはは5〜15nmであ
る。More specifically, a composite dielectric containing 60 mol% or more and 90 mol% or less of rare earth sulfides such as La, Ce, Nd, and Y is desirable. Alternatively, the composition range of ZnS, ZnO or rare earth sulfide is set to 70 to 90 mol%.
It is desirable that Heat-resistant compound materials having a melting point or a decomposition point of 1000 ° C. or higher to be mixed with these include Mg, Ca, Sr, Y, La, Ce, Ho, Er,
Yb, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Zn, A
oxides, nitrides, carbides and C such as l, Si, Ge, Pb, etc.
A fluoride such as a, Mg, and Li can be used. Particularly, materials to be mixed with ZnO include Y, La, C
A rare earth sulfide such as e or Nd or a mixture of a sulfide and an oxide is desirable. The thickness of the second protective layer is 30
If it is thicker than 30 nm, a sufficient flattening effect of the temperature distribution in the mark width direction cannot be obtained. Preferably, the thickness is 25 nm or less. If it is less than 5 nm, the effect of delaying heat conduction in the second protective layer portion is insufficient, and the recording sensitivity is significantly reduced, which is not preferable. The thickness of the second protective layer 4 is 15 nm to 25 when the wavelength of the recording laser beam is 600 to 700 nm.
nm is preferable, and 5-2 when the wavelength is 350 to 600 nm.
0 nm is preferable, and more preferably 5 to 15 nm.
【0084】本発明においては、非常に高熱伝導率で3
00nm以下の薄い反射層5を用いて、横方向の放熱効
果を促進するのが特徴である。一般には薄膜の熱伝導率
はバルク状態の熱伝導率と大きく異なり、小さくなって
いるのが普通である。特に40nm未満の薄膜では成長
初期の島状構造の影響で熱伝導率が1桁以上小さくなる
場合があり好ましくない。さらに、成膜条件によって結
晶性や不純物量が異なり、これが同じ組成でも熱伝導率
が異なる要因になる。In the present invention, a very high thermal conductivity of 3
It is characterized by using a thin reflective layer 5 of not more than 00 nm to promote the heat radiation effect in the lateral direction. In general, the thermal conductivity of a thin film is significantly different from the thermal conductivity in a bulk state, and is generally small. In particular, in the case of a thin film having a thickness of less than 40 nm, the thermal conductivity may be reduced by one digit or more due to the effect of the island structure at the initial stage of growth, which is not preferable. Further, the crystallinity and the amount of impurities vary depending on the film forming conditions, and this causes a difference in thermal conductivity even with the same composition.
【0085】本発明において良好な特性を示す高熱伝導
率の反射層を規定するために、反射層の熱伝導率は直接
測定することも可能であるが、その熱伝導の良否を電気
抵抗を利用して見積もることができる。金属膜のように
電子が熱もしくは電気伝導を主として司る材料において
は熱伝導率と電気伝導率は良好な比例関係があるためで
ある。薄膜の電気抵抗はその膜厚や測定領域の面積で規
格化された抵抗率値で表す。体積抵抗率と面積抵抗率は
通常の4探針法で測定でき、JIS K 7194によ
って規定されている。本法により、薄膜の熱伝導率その
ものを実測するよりもはるかに簡便かつ再現性の良いデ
ータが得られる。本発明において好ましい反射層は、体
積抵抗率が20nΩ・m以上150nΩ・m以下であ
り、より好ましくは20nΩ・m以上100nΩ・m以
下である。体積抵抗率20nΩ・m未満の材料は薄膜状
態では実質的に得にくい。体積抵抗率150nΩ・mよ
り体積抵抗率が大きい場合でも、例えば300nmを超
える厚膜とすれば面積抵抗率を下げることはできるが、
本発明者らの検討によれば、このような高体積抵抗率材
料で面積抵抗率のみ下げても、十分な放熱効果は得られ
なかった。厚膜では単位面積当たりの熱容量が増大して
しまうためと考えられる。また、このような厚膜では成
膜に時間がかかり、材料費も増えるため製造コストの観
点から好ましくない。さらに、膜表面の微視的な平坦性
も悪くなってしまう。好ましくは、膜厚300nm以下
で面積抵抗率0.2以上0.9Ω/□以下が得られるよ
うな、低体積抵抗率材料を用いる。0.5Ω/□が最も
好ましい。In the present invention, the heat conductivity of the reflective layer can be directly measured in order to define a high thermal conductivity reflective layer exhibiting good characteristics. Can be estimated. This is because in a material such as a metal film in which electrons mainly perform heat or electric conduction, there is a good proportional relationship between the thermal conductivity and the electric conductivity. The electrical resistance of a thin film is represented by a resistivity value standardized by its film thickness or the area of a measurement region. The volume resistivity and the sheet resistivity can be measured by a normal four-probe method, and are defined by JIS K7194. According to this method, data that is much simpler and has better reproducibility than actual measurement of the thermal conductivity itself of a thin film can be obtained. In the present invention, the reflective layer preferably has a volume resistivity of 20 nΩ · m to 150 nΩ · m, more preferably 20 nΩ · m to 100 nΩ · m. Materials having a volume resistivity of less than 20 nΩ · m are substantially difficult to obtain in a thin film state. Even when the volume resistivity is larger than 150 nΩ · m, the sheet resistivity can be reduced by forming a thick film exceeding 300 nm, for example.
According to the study of the present inventors, a sufficient heat radiation effect was not obtained even if only the sheet resistivity was reduced with such a high volume resistivity material. It is considered that a thick film increases the heat capacity per unit area. Moreover, such a thick film is not preferable from the viewpoint of manufacturing cost because it takes a long time to form the film and increases the material cost. Further, the microscopic flatness of the film surface is deteriorated. Preferably, a low volume resistivity material is used so that a sheet resistivity of 0.2 to 0.9 Ω / □ is obtained at a thickness of 300 nm or less. 0.5Ω / □ is most preferred.
【0086】本発明に適した材料は、以下のとおりであ
る。例えば、Siを0.3重量%以上0.8重量%以
下、Mgを0.3重量%以上1.2重量%以下含有する
Al−Mg−Si系合金である。また、AlにTa,T
i,Co,Cr,Si,Sc,Hf,Pd,Pt,M
g,Zr,Mo,又はMnを0.2原子%以上2原子%
以下含むAl合金は、添加元素濃度に比例して体積抵抗
率が増加し、また、耐ヒロック性が改善され、耐久性、
体積抵抗率、成膜速度等考慮して用いることができる。
Al合金に関しては、添加不純物量0.2原子%未満で
は、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分である
ことが多い。また、2原子%より多いと上記の低抵抗率
が得られにくい。経時安定性をより重視する場合には添
加成分としてはTaが好ましい。特に、ZnSを主成分
とする上部保護層4に対しては、Taを0.5原子%以
上、0.8原子%以下とするAlTa合金が、耐食性、
密着性、高熱伝導率のすべてをバランス良く満足する反
射層として望ましい。また、Taの場合わずか0.5原
子%の添加で純AlやAl−Mg−Si合金に比べて、
スパッタリング時の成膜レートが3〜4割アップすると
いう製造上好ましい効果が得られる。上記Al合金を反
射層として用いる場合、好ましい膜厚は150nm以上
300nm以下である。150nm未満では純Alでも
放熱効果は不十分である。300nmを超えると、熱が
水平方向より垂直方向に逃げて、水平方向の熱分布改善
に寄与しないし、反射層そのものの熱容量が大きく、却
って記録層の冷却速度が遅くなってしまう。また、膜表
面の微視的な平坦性も悪くなる。Materials suitable for the present invention are as follows. For example, it is an Al-Mg-Si alloy containing 0.3 wt% to 0.8 wt% of Si and 0.3 wt% to 1.2 wt% of Mg. In addition, Ta, T
i, Co, Cr, Si, Sc, Hf, Pd, Pt, M
g, Zr, Mo, or Mn in an amount of 0.2 atomic% or more and 2 atomic%
The Al alloy containing below has an increase in volume resistivity in proportion to the concentration of the added element, and has improved hillock resistance, durability,
It can be used in consideration of volume resistivity, film forming speed, and the like.
Regarding the Al alloy, if the amount of the added impurity is less than 0.2 atomic%, the hillock resistance is often insufficient, depending on the film formation conditions. On the other hand, if it is more than 2 atomic%, it is difficult to obtain the above low resistivity. When importance is placed on the stability over time, Ta is preferred as an additive component. In particular, for the upper protective layer 4 containing ZnS as a main component, an AlTa alloy containing 0.5 atomic% or more and 0.8 atomic% or less of Ta has corrosion resistance,
It is desirable as a reflective layer that satisfies all of adhesion and high thermal conductivity in a well-balanced manner. Further, in the case of Ta, addition of only 0.5 atomic% compared to pure Al or Al-Mg-Si alloy,
A favorable effect in production that the film formation rate during sputtering is increased by 30 to 40% is obtained. When the above-mentioned Al alloy is used as the reflective layer, a preferable film thickness is 150 nm or more and 300 nm or less. If it is less than 150 nm, the heat radiation effect is insufficient even with pure Al. When the thickness exceeds 300 nm, heat escapes in the vertical direction from the horizontal direction and does not contribute to improving the heat distribution in the horizontal direction, the heat capacity of the reflective layer itself is large, and the cooling rate of the recording layer is rather lowered. Further, the microscopic flatness of the film surface is also deteriorated.
【0087】さらに、AgにTi,V,Ta,Nb,
W,Co,Cr,Si,Ge,Sn,Sc,Hf,P
d,Rh,Au,Pt,Mg,Zr,Mo,又はMnを
0.2原子%以上5原子%以下含むAg合金も望まし
い。経時安定性をより重視する場合には添加成分として
はTi、Mgが好ましい。上記Ag合金を反射層として
用いる場合、好ましい膜厚は40nm以上150nm以
下である。40nm未満では純Agでも放熱効果は不十
分である。150nmを超えると、熱が水平方向より垂
直方向に逃げて、水平方向の熱分布改善に寄与しない
し、不必要な厚膜は生産性を低下させる。また、膜表面
の微視的な平坦性も悪くなる。Further, Ag, Ti, V, Ta, Nb,
W, Co, Cr, Si, Ge, Sn, Sc, Hf, P
An Ag alloy containing d, Rh, Au, Pt, Mg, Zr, Mo, or Mn in an amount of 0.2 to 5 atomic% is also desirable. When more importance is placed on the stability over time, Ti and Mg are preferable as the additional components. When the above Ag alloy is used as the reflection layer, the preferable thickness is 40 nm or more and 150 nm or less. If it is less than 40 nm, the heat radiation effect is insufficient even with pure Ag. If it exceeds 150 nm, heat escapes in the vertical direction from the horizontal direction, does not contribute to the improvement of the heat distribution in the horizontal direction, and an unnecessary thick film reduces productivity. Further, the microscopic flatness of the film surface is also deteriorated.
【0088】本発明者らは上記、Alへの添加元素、A
gへの添加元素は、その添加元素濃度に比例して、体積
抵抗率が増加することを確認している。ところで、不純
物の添加は一般的に結晶粒径を小さくし、粒界の電子散
乱を増加させて熱伝導率を低下させると考えられる。添
加不純物量を調節することは、結晶粒径を大きくするこ
とで材料本来の高熱伝導率を得るために必要である。な
お、反射層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成される
が、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量もさるこ
とながら、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不
純物量を2原子%以下とする必要がある。このためにプ
ロセスチャンバの到達真空度は1×10-3Pa以下とす
ることが望ましい。また、10-4Paより悪い到達真空
度で成膜するなら、成膜レートを1nm/秒以上、好ま
しくは10nm/秒以上として不純物が取り込まれるの
を防ぐことが望ましい。The inventors of the present invention described above,
It has been confirmed that the added element to g increases the volume resistivity in proportion to the concentration of the added element. By the way, it is considered that addition of an impurity generally reduces the crystal grain size, increases electron scattering at the grain boundary, and lowers the thermal conductivity. Adjusting the amount of added impurities is necessary to increase the crystal grain size to obtain the original high thermal conductivity of the material. The reflective layer is usually formed by a sputtering method or a vacuum evaporation method. The total impurity amount including the amount of moisture and oxygen mixed at the time of film formation is 2 atomic% as well as the amount of impurities in the target and the evaporation material itself. It is necessary to: For this reason, it is desirable that the ultimate vacuum of the process chamber is 1 × 10 −3 Pa or less. If a film is formed at an ultimate vacuum degree lower than 10 −4 Pa, it is desirable to set the film formation rate to 1 nm / sec or more, preferably 10 nm / sec or more to prevent impurities from being taken in.
【0089】あるいは、意図的な添加元素を1原子%よ
り多く含む場合は、成膜レートを10nm/秒以上とし
て付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。成膜
条件は不純物量とは無関係に結晶粒径に影響を及ぼす場
合もある。例えば、AlにTaを2原子%程度混入した
合金膜は、結晶粒の間に非晶質相が混在するが、結晶相
と非晶質相の割合は成膜条件に依存する。例えば、低圧
でスパッタするほど結晶部分の割合が増え、体積抵抗率
が下がり、熱伝導率が増加する。膜中の不純物組成ある
いは結晶性は、スパッタに用いる合金ターゲットの製法
やスパッタガス(Ar,Ne,Xe等)にも依存する。
このように、薄膜状態の体積抵抗率は金属材料、組成の
みによっては決まらない。高熱伝導率を得るためには、
上記のように、不純物量を少なくするのが望ましいが、
一方で、AlやAgの純金属は耐食性や耐ヒロック性に
劣る傾向があるため、両者のバランスを考慮して最適組
成が決まる。Alternatively, when the intentional additive element is contained in an amount of more than 1 atomic%, it is desirable to set the film forming rate to 10 nm / sec or more to prevent the addition of additional impurities as much as possible. The film forming conditions may affect the crystal grain size irrespective of the amount of impurities. For example, in an alloy film in which about 2 atomic% of Ta is mixed into Al, an amorphous phase is mixed between crystal grains, but the ratio of the crystalline phase to the amorphous phase depends on film forming conditions. For example, as the sputtering is performed at a lower pressure, the proportion of the crystal part increases, the volume resistivity decreases, and the thermal conductivity increases. The impurity composition or crystallinity in the film also depends on the manufacturing method of the alloy target used for sputtering and the sputtering gas (Ar, Ne, Xe, etc.).
As described above, the volume resistivity in the thin film state is not determined only by the metal material and the composition. To obtain high thermal conductivity,
As described above, it is desirable to reduce the amount of impurities,
On the other hand, since pure metals such as Al and Ag tend to be inferior in corrosion resistance and hillock resistance, the optimum composition is determined in consideration of the balance between the two.
【0090】さらなる高熱伝導と高信頼性をえるために
反射層を多層化することも有効である。このとき、少な
くとも1層は全反射層膜厚の50%以上の膜厚を有する
上記低体積抵抗率材料として実質的に放熱効果を司り、
他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロック性の改
善に寄与するように構成される。より具体的には、金属
中最も高熱伝導率および低体積抵抗率であるAgはSを
含む保護層との相性が悪く、繰返しオーバーライトした
場合の劣化がやや速いという傾向がある。また、高温高
湿の加速試験環境下で腐食を生じやすい傾向がある。そ
こで、低体積抵抗率材料としてAg及びAg合金を用
い、上部保護層との間に界面層としてAlを主成分とす
る合金層を1nm以上100nm以下設けることも有効
である。厚さを5nm以上とすれば、層が島状構造とな
らず均一に形成されやすい。Al合金としては前述と同
様に例えば、Ta,Ti,Co,Cr,Si,Sc,H
f,Pd,Pt,Mg,Zr,Mo,又はMnを0.2
原子%以上2原子%以下含むAl合金が挙げられる。界
面層の厚さは1nm未満では保護効果が不十分で、10
0nmを超えると放熱効果が犠牲になる。界面層の使用
は、特に反射層がAg又はAg合金の場合に有効であ
る。なぜなら、Agは本発明で好ましいとされる硫化物
を含む保護層との接触により、比較的硫化による腐食を
起こしやすいからである。It is also effective to form the reflective layer in multiple layers in order to obtain higher heat conduction and higher reliability. At this time, at least one of the low volume resistivity materials having a thickness of 50% or more of the total reflection layer thickness substantially controls the heat radiation effect,
The other layers are configured to contribute to the improvement of corrosion resistance, adhesion to the protective layer, and hillock resistance. More specifically, Ag, which has the highest thermal conductivity and the lowest volume resistivity among metals, has poor compatibility with the S-containing protective layer, and tends to deteriorate slightly when repeatedly overwritten. Further, there is a tendency that corrosion occurs easily in an accelerated test environment of high temperature and high humidity. Therefore, it is also effective to use Ag and an Ag alloy as the low volume resistivity material and provide an alloy layer containing Al as a main component as an interface layer between 1 nm and 100 nm between the upper protective layer and the upper protective layer. When the thickness is 5 nm or more, the layer is easily formed uniformly without forming an island structure. As the Al alloy, for example, Ta, Ti, Co, Cr, Si, Sc, H
f, Pd, Pt, Mg, Zr, Mo, or Mn is 0.2
An Al alloy containing at least 2 atomic% and not more than atomic% is given. If the thickness of the interface layer is less than 1 nm, the protective effect is insufficient, and
If it exceeds 0 nm, the heat radiation effect is sacrificed. The use of the interface layer is particularly effective when the reflective layer is made of Ag or an Ag alloy. This is because Ag is relatively susceptible to corrosion due to sulfurization by contact with the protective layer containing sulfide, which is preferred in the present invention.
【0091】さらにAg合金反射層とAl合金界面層を
用いる場合、AgとAlは比較的相互拡散しやすい組み
合わせであるので、Al表面を1nmより厚く、酸化し
て界面酸化層を設けることがいっそう好ましい。界面酸
化層が5nm、とくに10nmを越えるとそれが熱抵抗
となり、本来の趣旨である、極めて放熱性の高い反射層
としての機能が損なわれるので好ましくない。反射層の
多層化は、高体積抵抗率材料と低体積抵抗率材料を組み
合わせて所望の膜厚で所望の面積抵抗率を得るためにも
有効である。合金化による体積抵抗率調節は、合金ター
ゲットの使用によりスパッタ工程を簡素化できるが、タ
ーゲット製造コスト、ひいては媒体の原材料比を上昇さ
せる要因にもなる。従って、純Alや純Agの薄膜と上
記添加元素そのものの薄膜を多層化して所望の体積抵抗
率を得ることも有効である。層数が3層程度までであれ
ば、初期の装置コストは増加するものの、個々の媒体コ
ストはかえって抑制できる場合がある。反射層を複数の
金属膜からなる多層反射層とし、全膜厚を40nm以上
300nm以下とし、多層反射層の厚さの50%以上が
体積抵抗率20nΩ・m以上150nΩ・m以下の金属
薄膜層(多層であっても良い)とするのが好ましい。さ
て、記録層及び保護層の厚みは、上記熱特性、機械的強
度、信頼性の面からの制限の他に、多層構成に伴う干渉
効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が良く、記録信
号の振幅、すなわち記録状態と未記録状態のコントラス
トが大きくなるように選ばれる。Further, when an Ag alloy reflective layer and an Al alloy interface layer are used, Ag and Al are a combination which is relatively easily diffused, so that the Al surface is thicker than 1 nm, and it is more preferable to provide an interface oxide layer by oxidizing the Al surface. preferable. If the thickness of the interfacial oxide layer exceeds 5 nm, particularly 10 nm, it becomes a thermal resistance, which impairs the original purpose, ie, the function of the reflection layer having extremely high heat dissipation, which is not preferable. The multilayer structure of the reflective layer is also effective for obtaining a desired sheet resistivity with a desired film thickness by combining a high volume resistivity material and a low volume resistivity material. Adjusting the volume resistivity by alloying can simplify the sputtering process by using an alloy target, but also causes an increase in the target manufacturing cost and, consequently, the raw material ratio of the medium. Therefore, it is also effective to obtain a desired volume resistivity by multilayering a thin film of pure Al or pure Ag and a thin film of the additive element itself. If the number of layers is up to about three, although the initial apparatus cost increases, the cost of each medium may be reduced. The reflective layer is a multilayer reflective layer composed of a plurality of metal films, the total film thickness is 40 nm or more and 300 nm or less, and 50% or more of the thickness of the multilayer reflective layer has a volume resistivity of 20 nΩ · m or more and 150 nΩ · m or less. (It may be a multilayer). By the way, the thickness of the recording layer and the protective layer is not limited in terms of the above-mentioned thermal characteristics, mechanical strength, and reliability, and the laser beam absorption efficiency is good in consideration of the interference effect associated with the multilayer structure. The amplitude of the signal, that is, the contrast between the recorded state and the unrecorded state is selected so as to increase.
【0092】例えば、本発明媒体を書換え型DVDに適
用し、再生専用タイプのDVDと互換性を確保するとす
れば、変調度を高くとらねばならない。また、再生専用
プレーヤーで通常用いられる、DPD(Differential P
hase Detection)法と呼ばれるトラッキングサーボ法が
そのまま適用できることが必要である。図6にEFMプ
ラス変調されたランダム信号を記録し再生したときのD
C再生信号(直流成分を含む再生信号)の波形を示す。
変調度は、14Tマークのトップの信号強度Itop と信
号振幅I14との比I14/Itop として定義される。I
top は実際上、未記録部(結晶状態)の溝内での反射率
に相当する。I14は相変化媒体の結晶部分と非晶質部分
から反射光の強度差及び位相差が問題となる。反射光の
強度差は、基本的に結晶状態と非晶質状態の反射率差で
決まる。上記記録後の変調度が概ね0.5以上であれ
ば、低ジッタが実現できるとともに、上記DPD法によ
るトラッキングサーボも良好に作動する。For example, if the medium of the present invention is applied to a rewritable DVD to ensure compatibility with a read-only DVD, the degree of modulation must be high. In addition, a DPD (Differential P
It is necessary that the tracking servo method called hase detection) method can be applied as it is. FIG. 6 shows the DFM when the EFM plus modulated random signal is recorded and reproduced.
3 shows a waveform of a C reproduction signal (reproduction signal including a DC component).
The degree of modulation is defined as the ratio I 14 / I top between the signal intensity I top at the top of the 14T mark and the signal amplitude I 14 . I
The top actually corresponds to the reflectance in the groove of the unrecorded portion (crystal state). I 14 has a problem of intensity difference and phase difference of reflected light from the crystal part and the amorphous part of the phase change medium. The difference in the intensity of the reflected light is basically determined by the difference in reflectance between the crystalline state and the amorphous state. If the modulation degree after the recording is approximately 0.5 or more, low jitter can be realized, and the tracking servo by the DPD method operates well.
【0093】図7に、典型的な4層構成における反射率
差の計算例を示した。ポリカーボネート基板上に、(Z
nS)80(SiO2 )20保護層、Ge0.05Sb0.69Te
0.26記録層、(ZnS)80(SiO2 )20保護層、Al
0.995 Ta0.005 反射層を設けたものとした。各層の屈
折率は実測値を用いている。波長650nmにおける各
材料の複素屈折率は、上下の保護層は2.12−0.0
i、反射層は1.7−5.3i、基板は1.56、記録
層は非晶質状態(成膜直後の状態で測定)で3.5−
2.6i、初期化後の結晶状態で2.3−4.1iであ
る。また、記録層、第2保護層、反射層の膜厚はそれぞ
れ、18nm、20nm、200nmで一定とした。第
1保護層膜厚依存性を見る限り、通常は振幅の変化は小
さく、分母であるI top 、すなわち結晶状態の反射率に
強く依存する。したがって、結晶状態反射率は可能な限
り低いことが望ましい。FIG. 7 shows the reflectance in a typical four-layer structure.
A calculation example of the difference is shown. On a polycarbonate substrate, (Z
nS)80(SiOTwo)20Protective layer, Ge0.05Sb0.69Te
0.26Recording layer, (ZnS)80(SiOTwo)20Protective layer, Al
0.995Ta0.005A reflective layer was provided. Crack of each layer
As the folding ratio, an actually measured value is used. Each at a wavelength of 650 nm
The complex refractive index of the material is such that the upper and lower protective layers are 2.12-0.0.
i, reflective layer 1.7-5.3i, substrate 1.56, recording
The layer is in an amorphous state (measured immediately after film formation).
2.6i, the crystal state after initialization is 2.3-4.1i.
You. The thicknesses of the recording layer, the second protective layer and the reflective layer are respectively
And constant at 18 nm, 20 nm and 200 nm. No.
1 Normally, the change in amplitude is small as far as
Now, the denominator I top, That is, the reflectance in the crystalline state
Strongly dependent. Therefore, the crystal state reflectance is as low as possible.
Lower is desirable.
【0094】図7の計算例では、第1保護層を、屈折率
n=2.12の(ZnS)80(SiO2 )20膜とした。
このとき、第1の極小値d1 は膜厚50〜70nm、第
2の極小値d2 は膜厚200〜220nmになる。以後
は周期的に変化する。結晶状態の反射率が極小となる第
1保護層膜厚は、反射率が高い記録層であれば、実質
上、保護層の屈折率のみで決まる。他の屈折率nにおけ
る極小点膜厚は、d1 、d2 に2.1/nをかければほ
ぼ求まるが、通常、保護層として用いられる誘電体はn
=1.8〜2.3程度であり、d1 は60〜80nm程
度である。第1保護層の屈折率nが1.8よりも小さい
と、極小点における反射率が増加して変調度が著しく低
下し、0.5未満となるので好ましくない。逆に、2.
3以上とすると、極小点の反射率が低くなりすぎ20%
を達成できず、フォーカスやトラッキングサーボが困難
になるので好ましくない。In the calculation example of FIG. 7, the first protective layer was a (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 film having a refractive index n = 2.12.
In this case, the first minimum value d 1 is a thickness 50 to 70 nm, the second minimum value d 2 is a film thickness 200 to 220 nm. Thereafter, it changes periodically. The thickness of the first protective layer at which the reflectance in the crystalline state is minimal is substantially determined only by the refractive index of the protective layer if the recording layer has a high reflectance. The minimum point film thickness at another refractive index n can be almost determined by multiplying d 1 and d 2 by 2.1 / n. Usually, the dielectric used as the protective layer is n.
= Is about 1.8~2.3, d 1 is about 60~80nm. If the refractive index n of the first protective layer is smaller than 1.8, the reflectance at the minimum point increases, and the degree of modulation is remarkably reduced to less than 0.5, which is not preferable. Conversely, 2.
If it is 3 or more, the reflectance at the minimum point is too low, and is 20%.
Cannot be achieved, and focusing and tracking servo become difficult.
【0095】本発明に係る記録層の組成範囲では、図7
とほぼ類似の光学特性が発揮される。生産性の観点から
は第1保護層膜厚は150nm以下にとどめるのが望ま
しい。なぜなら、現在、誘電体保護層のスパッタ法によ
る成膜速度は高々15nm/秒であり、その成膜に10
秒以上かけることはコストを上昇させるからである。ま
た、膜厚変動の許容値が厳しくなるので生産上も好まし
くない。即ち、図7からわかるように、反射率は所望の
膜厚d0 からΔdずれると、第1の極小値d1近傍で
も、第2の極小値d2 近傍でもおなじだけ変動する。In the composition range of the recording layer according to the present invention, FIG.
Optical characteristics almost similar to the above are exhibited. From the viewpoint of productivity, it is desirable that the thickness of the first protective layer be 150 nm or less. At present, the deposition rate of the dielectric protection layer by the sputtering method is at most 15 nm / sec.
This is because spending more than a second increases the cost. In addition, the allowable value of the film thickness variation becomes severe, which is not preferable in production. That is, as seen from FIG. 7, the reflectance shifts Δd from the desired film thickness d 0, in the first minimum value d 1 near fluctuates by the same in the second minimum value d 2 vicinity.
【0096】一方、製造上の膜厚分布は、通常はd0 に
対して±2〜3%が均一性の限度である。従って、d0
が薄いほど膜厚の変動幅Δdは小さくなり、ディスク面
内あるいはディスク間の反射率変動を抑制出来るので有
利である。従って、安価な静止対向タイプのスパッタ装
置で、基板の自公転機構を有しない装置では、第1の極
小値d1 近傍の膜厚を採用するのが望ましい。一方で、
厚い保護層は繰返しオーバーライト時の基板表面の変形
を抑制する効果が大きいから、繰返しオーバーライト耐
久性改善を重要視するならば、第2の極小値d2 近傍の
膜厚を採用するのが望ましい。なお、基板を介して記録
再生光を入射させて記録または再生を行うような媒体に
おいては、第1保護層をある程度厚くして、記録時に発
生する熱から基板を保護しなければならない。記録時に
記録層は、100ナノ秒程度であるが500〜600℃
以上となる。このためには膜厚を50nm以上とするの
が好ましい。50nm未満では、記録を繰り返すと基板
に微視的な変形が蓄積され、ノイズや欠陥となりやす
い。特に基板がポリカーボネートなどの熱可塑性プラス
チックからなる場合には重要である。On the other hand, the uniformity limit of the film thickness distribution in manufacturing is usually ± 2 to 3% with respect to d 0 . Therefore, d 0
Is thinner, the variation width Δd of the film thickness becomes smaller, and the variation in the reflectivity within the disk surface or between the disks can be suppressed, which is advantageous. Therefore, in an inexpensive stationary facing type sputtering apparatus that does not have a substrate revolution mechanism, it is desirable to adopt a film thickness near the first minimum value d1. On the other hand,
Since a thick protective layer has a great effect of suppressing the deformation of the substrate surface at the time of repeated overwriting, if it is important to improve the durability of repeated overwriting, a film thickness near the second minimum value d2 should be used. desirable. In a medium in which recording or reproduction is performed by irradiating recording / reproducing light through a substrate, the first protective layer must be thickened to some extent to protect the substrate from heat generated during recording. During recording, the recording layer has a thickness of about 100 nanoseconds,
That is all. For this purpose, the film thickness is preferably set to 50 nm or more. If the thickness is less than 50 nm, microscopic deformation is accumulated on the substrate when recording is repeated, and noise and defects are likely to occur. This is particularly important when the substrate is made of a thermoplastic such as polycarbonate.
【0097】次に、本媒体と併せ用いるに好ましい光記
録方法について説明する。好ましい第一の記録方法は、
上述の記録媒体に、マーク長変調された情報を複数の記
録マーク長により記録するにあたり、記録マーク間に
は、非晶質を結晶化しうる消去パワーPeの記録光を照
射し、一つの記録マークの時間的な長さをnTとしたと
き(Tは基準クロック周期、nは2以上の整数)、記録
マークの時間的長さnTを、Next, an optical recording method which is preferably used in combination with the present medium will be described. A preferred first recording method is
When recording the mark-length-modulated information on the recording medium with a plurality of recording mark lengths, the recording medium is irradiated with a recording light having an erasing power Pe capable of crystallizing an amorphous material between the recording marks. Is the time length of nT (T is a reference clock cycle, n is an integer of 2 or more), and the time length nT of the recording mark is
【0098】[0098]
【数13】η1 T、α1 T、β1 T、α2 T、β2 T、
・・・、αi T、βi T、・・・、αm T、βm T、η
2 TΗ 1 T, α 1 T, β 1 T, α 2 T, β 2 T,
..., α i T, β i T, ..., α m T, β m T, η
2 T
【0099】(ただし、mはパルス分割数でm=n−
k、kは0≦k≦2なる整数とする。また、Σi (αi
+βi )+η1 +η2 =nとし、η1 はη1 ≧0なる実
数、η2 はη2 ≧0なる実数、0≦η1 +η2 ≦2.0
とする。αi (1≦i≦m)はαi >0なる実数とし、
βi (1≦i≦m)はβi >0なる実数とし、Σαi <
0.5nとする。α1 =0.1〜1.5、β1 =0.3
〜1.0、βm =0〜1.5とし、αi=0.1〜0.
8(2≦i≦m)とする。なお、3≦i≦mなるiにお
いてαi +βi-1 =0.5〜1.5の範囲にあり、か
つ、iによらず一定とする。)の順に分割し、αi T
(1≦i≦m)の時間内においては記録層を溶融させる
にたるPw≧Peなる記録パワーPwの記録光を照射
し、βi T(1≦i≦m)の時間内においては、0<P
b≦0.2Pe(ただし、βm Tにおいては、0<Pb
≦Peとなりうる)なるバイアスパワーPbの記録光を
照射する。(Where m is the number of pulse divisions and m = n−
k and k are integers satisfying 0 ≦ k ≦ 2. Also, Σ i (α i
+ Β i ) + η 1 + η 2 = n, η 1 is a real number satisfying η 1 ≧ 0, η 2 is a real number satisfying η 2 ≧ 0, and 0 ≦ η 1 + η 2 ≦ 2.0
And α i (1 ≦ i ≦ m) is a real number satisfying α i > 0,
β i (1 ≦ i ≦ m) is a real number satisfying β i > 0, and Σα i <
0.5n. α 1 = 0.1 to 1.5, β 1 = 0.3
To 1.0, β m = 0 to 1.5, and α i = 0.1 to 0.
8 (2 ≦ i ≦ m). It should be noted that in the case of 3 ≦ i ≦ m, α i + β i-1 = 0.5 to 1.5 and is constant regardless of i. ) And α i T
Within (1 ≦ i ≦ m) of the recording light barrel Pw ≧ Pe becomes recording power Pw to melt the recording layer is irradiated in a time, beta i T (1 ≦ i ≦ m) of the 0 <P
b ≦ 0.2 Pe (However, in β m T, 0 <Pb
≦ Pe) with a bias power Pb.
【0100】上述の媒体に本記録方法を併せ用いること
で、記録層の再凝固時の冷却速度を正確に制御し、少な
くとも3m/sから8m/s、さらには、記録条件の設
定により1m/sから15m/sの広い線速度範囲にお
いて、最短マーク長0.5μm以下の高密度マーク長変
調記録が可能となり、1000回以上の繰返しオーバー
ライトが達成でき、基準クロック周期Tの10%未満の
低ジッタが実現できる。まず、上記のような高密度マー
ク長変調記録を実現するためには、波長350〜680
nmのレーザー光ビームを、開口数NAが0.55以上
0.9以下の対物レンズを通して記録層に集光させて微
小な集束光ビームスポットを得る。By using this recording method in combination with the above-described medium, the cooling rate at the time of resolidification of the recording layer is accurately controlled, and at least 3 m / s to 8 m / s, and further, 1 m / s depending on the setting of recording conditions. In a wide linear velocity range from s to 15 m / s, high-density mark length modulation recording with a shortest mark length of 0.5 μm or less becomes possible, overwriting 1000 times or more can be achieved, and less than 10% of the reference clock cycle T. Low jitter can be realized. First, in order to realize high-density mark length modulation recording as described above, a wavelength of 350 to 680 is required.
A laser light beam of nm is focused on the recording layer through an objective lens having a numerical aperture NA of 0.55 or more and 0.9 or less to obtain a minute focused light beam spot.
【0101】より好ましくは、NAを0.55以上0.
65以下とする。NAが0.65を超えると、光軸の傾
きによる収差の影響が大きくなるから、対物レンズと記
録面との距離を極めて接近させる必要がある。従って、
DVDなど、0.6mm程度の厚さの基板を介して集束
光ビームを入射させる場合には、NAは0.65程度が
上限となる。そして、図8に示すように、少なくとも3
値に記録光パワーを変調させることで、パワーマージン
及び記録時線速マージンを広げることができる。図8に
おいて、先頭記録パルスα1 Tの開始位置、最終オフパ
ルスβm Tの終了位置は、必ずしも元の記録信号の開始
位置、終了位置と一致する必要はない。0≦η1 +η2
≦2.0となる範囲内で、先頭にη1 Tを置き、最後に
η2 Tを置いてよい。当該マーク前後のマークの長さや
マーク間長さに応じて、η1 Tやη2 Tの長さを微調整
することも、マークを正確に形成するのに有効である。More preferably, the NA is 0.55 or more.
65 or less. When the NA exceeds 0.65, the influence of the aberration due to the inclination of the optical axis becomes large, so that the distance between the objective lens and the recording surface needs to be extremely short. Therefore,
When a focused light beam is incident through a substrate having a thickness of about 0.6 mm, such as a DVD, the upper limit of NA is about 0.65. Then, as shown in FIG.
By modulating the recording light power to the value, the power margin and the linear velocity margin during recording can be increased. In FIG. 8, the start position of the head recording pulse α 1 T and the end position of the final off pulse β m T do not necessarily need to match the start position and end position of the original recording signal. 0 ≦ η 1 + η 2
Within the range of ≦ 2.0, η 1 T may be placed at the beginning and η 2 T may be placed at the end. Fine adjustment of the length of η 1 T or η 2 T in accordance with the lengths of the marks before and after the mark and the length between the marks is also effective for accurately forming the marks.
【0102】或いは、βm のみをマーク長nTに応じて
変化させることにより、良好なマークを形成できる場合
もある。最後のβm =0としてもよい。例えば、EFM
変調において3T〜11Tのマークのうち11Tマー
ク、又はEFMプラス変調において3T〜14Tのマー
クのうち14Tマーク、等の長いマークほど熱が蓄積し
やすいので、最後のβm を長くして冷却時間を長めにす
るのが良い。逆に、3Tマーク等の短いマークの場合に
はβm を短くするのがよい。その調整幅は0.5程度で
ある。いわゆるDVD程度の線記録密度を超えるような
高密度記録であれば、必ずしもそのような微調整をしな
くても十分な記録信号品質が得られる。Alternatively, a good mark may be formed by changing only β m according to the mark length nT. The last β m may be set to 0. For example, EFM
The longer the mark, the longer the mark, such as the 11T mark out of the 3T to 11T mark in the modulation, or the 14T mark out of the 3T to 14T mark in the EFM plus modulation, so that the last β m is lengthened and the cooling time is increased. It is better to make it longer. Conversely, in the case of a short mark such as a 3T mark, it is preferable to shorten β m . The adjustment width is about 0.5. In the case of high-density recording exceeding the linear recording density of a so-called DVD, a sufficient recording signal quality can be obtained without such fine adjustment.
【0103】また、バイアスパワーPbの大きさを変え
ることでも、マーク形状を制御できる。図9に、2つの
記録パルスを照射した際の記録層のある1点の温度の時
間変化の例を示す。媒体に対してビームを相対的に移動
させながら記録パルスP1、オフパルス、記録パルスP
2を連続的に照射した場合の、記録パルスP1を照射し
た位置での温度変化である。(a)はPb=Peとした
場合、(b)はPb≒0とした場合である。図9(b)
では、オフパルス区間のバイアスパワーPbがほとんど
0のため、TL’は融点より十分低い点まで下がり、か
つ、途中の冷却速度も大きい。従って、非晶質マークは
記録パルスP1照射時に溶解し、その後のオフパルス時
の急冷によって形成される。一方、図9(a)では、オ
フパルス区間でも消去パワーPeが照射されるため、1
番目の記録パルスP1照射後の冷却速度が遅く、オフパ
ルス区間での温度降下で到達する最低温度TLが融点T
m近傍に留まり、さらに、後続の記録パルスP2により
融点Tm近傍まで加熱され、非晶質マークが形成されに
くい。The mark shape can also be controlled by changing the magnitude of the bias power Pb. FIG. 9 shows an example of a temporal change in the temperature of a certain point on the recording layer when two recording pulses are irradiated. While moving the beam relative to the medium, the recording pulse P1, the off pulse, and the recording pulse P
This is a temperature change at the position where the recording pulse P1 is irradiated when the irradiation of No. 2 is continuously performed. (A) is the case where Pb = Pe, and (b) is the case where Pb ≒ 0. FIG. 9B
In this case, since the bias power Pb in the off-pulse section is almost 0, TL 'drops to a point sufficiently lower than the melting point, and the cooling rate on the way is high. Therefore, the amorphous mark is melted during the irradiation of the recording pulse P1, and is formed by rapid cooling during the subsequent off-pulse. On the other hand, in FIG. 9A, the erase power Pe is applied even in the off-pulse section,
The cooling rate after the irradiation of the first recording pulse P1 is slow, and the lowest temperature TL reached by the temperature drop in the off-pulse section is the melting point T.
m, and further heated to near the melting point Tm by the subsequent recording pulse P2, so that an amorphous mark is not easily formed.
【0104】本発明の媒体に対して、図9(b)に示
す、急峻な温度プロファイルをとることは、高温度域で
の結晶化を抑制し、良好な非晶質マークを得る上で重要
なことである。なぜなら、本発明媒体の記録層は、融点
直下の高温域でのみ大きな結晶化速度を示すため、記録
層温度が高温域にほとんどとどまらない(b)のプロフ
ァイルをとることで、再結晶化が抑制できると考えられ
るからである。あるいは、結晶化温度Tcに近い比較的
低温域での結晶核生成は毎回の消去プロセスでは支配的
でなく、前述の初期化時に形成された結晶核となりうる
Sbクラスタが安定に存在するため、高温域の結晶成長
のみが支配的であるとも考えられる。従って、冷却速度
及びTL’を制御することで再結晶化をほぼ完全に抑制
し、溶融領域とほぼ一致するクリアな輪郭を有する非晶
質マークが得られ、マークエッジのジッタが低減でき
る。It is important for the medium of the present invention to have a steep temperature profile as shown in FIG. 9B in order to suppress crystallization in a high temperature range and obtain a good amorphous mark. That is what. This is because the recording layer of the medium of the present invention shows a high crystallization rate only in the high temperature range just below the melting point, so that the profile of (b) where the recording layer temperature hardly stays in the high temperature range prevents recrystallization. This is because it is considered possible. Alternatively, the generation of crystal nuclei in a relatively low temperature range close to the crystallization temperature Tc is not dominant in each erasing process, and Sb clusters which can be crystal nuclei formed during the above-described initialization exist stably. It is considered that only the crystal growth in the region is dominant. Therefore, by controlling the cooling rate and TL ′, recrystallization is almost completely suppressed, and an amorphous mark having a clear contour substantially coinciding with the molten region can be obtained, and the jitter at the mark edge can be reduced.
【0105】一方、GeTe−Sb2 Te3 擬似二元系
合金では、図9(a),(b)いずれの温度プロファイ
ルでも非晶質マーク形成プロセスに大差がない。なぜな
ら、この材料では広い温度範囲、特に結晶化温度Tc近
くの低温域でも、速度は若干遅いものの再結晶化を示す
からである。あるいは、この材料では、比較的Tcに近
い温度域での結晶核生成とTmに近い温度域での結晶成
長とが律速になっているため、全体として広い温度域で
比較的低速の再結晶化が起きるとも考えられる。GeT
e−Sb2 Te3 でも、Pb<Peとしてオフパルスを
用いて粗大グレインを抑制する場合もあるが、Pb/P
e≦0.2とすると、Tc近傍での結晶化が抑制されす
ぎるために、かえって消去性能が低下する。しかし、本
発明に係る記録層材料では、Tcに近い比較的低温での
結晶化はほとんど進まないと考えられるので、Pb/P
e≦0.2とするのが好ましい。あるいはより具体的に
は、0≦Pb≦1.5(mW)として、トラッキングサ
ーボが安定する限り低いPbを用い、できるだけ急冷と
なるようにオフパルスを積極的に用いた方が、非晶質マ
ークのエッジが明確に形成でき好ましい。On the other hand, in the case of the GeTe—Sb 2 Te 3 pseudo-binary alloy, there is no significant difference in the process of forming an amorphous mark in any of the temperature profiles shown in FIGS. 9A and 9B. This is because this material shows recrystallization although its speed is slightly slow even in a wide temperature range, particularly in a low temperature range near the crystallization temperature Tc. Alternatively, in this material, since crystal nucleation in a temperature range relatively close to Tc and crystal growth in a temperature range close to Tm are rate-determining, recrystallization at a relatively low speed over a wide temperature range as a whole. Is thought to occur. GeT
Even in the case of e-Sb 2 Te 3 , coarse grains may be suppressed by using an off-pulse with Pb <Pe, but Pb / P
When e ≦ 0.2, crystallization near Tc is excessively suppressed, and the erasing performance is rather deteriorated. However, in the recording layer material according to the present invention, crystallization at a relatively low temperature close to Tc is considered to hardly progress, so that Pb / P
Preferably, e ≦ 0.2. Alternatively, more specifically, it is preferable to use Pb as low as Pb = 1.5 (mW) as long as the tracking servo is stable and to actively use the off-pulse so as to cool as quickly as possible. Is preferable because the edge can be clearly formed.
【0106】図8のパルス分割方法において、特に、最
先端の記録パルスα1 Tだけを後続パルスαi Tより長
めにし、また、最先端及び最後端のオフパルス幅β
1 T、β m Tのみを他のオフパルスと別に設定するの
が、長マークと短マークの特性バランスを取る上で最も
有効である。最先端のパルスα1 Tは、余熱効果がない
ため、昇温のためにやや長時間を要する。あるいは、最
先端のパルスの記録パワーを、後続のパルスより高めに
設定することも有効である。In the pulse division method shown in FIG.
Tip recording pulse α1Only T is a subsequent pulse αiLonger than T
And the leading and trailing off pulse width β
1T, β mSet only T separately from other off-pulses
However, this is the most effective way to balance the characteristics of long marks and short marks.
It is valid. State-of-the-art pulse α1T has no residual heat effect
Therefore, it takes some time to raise the temperature. Alternatively,
The recording power of the leading pulse is higher than the following pulse
Setting is also effective.
【0107】また、パルスの切り替えをクロック周期T
に同期させると、パルス制御が簡単になる。マーク長変
調記録に適し、かつパルス制御回路が簡便なパルス分割
方法を図10に示す。(a)のマーク長変調データを記
録する際のパルス分割方法として(b)にm=n−1の
場合、(c)にm=n−2の場合を示す。なお(b)、
(c)では図を簡略にするためにTを省略している。い
ずれも、αi (2≦i≦m)及びβi (2≦i≦m−
1)はiによらず一定とし、α1 ≧αi 、αi +βi-1
=1.0(3≦i≦m)として、αi (2≦i≦m)の
記録パルスの後端をクロックパルスに同期させる。ま
た、Pbを再生光パワーPrと同じにすることも、回路
を簡便化するには有効である。先頭パルスα1 Tだけを
後続パルスより長くすることは、いわゆるアイパターン
において短マークと長マークの記録のバランスを良くす
るために必要なことである。或いは、先頭パルスのみ後
続パルスより高パワーとしてもよい。このようなパルス
は、図11に示すような3種のゲート発生回路とそれら
の間の優先順位を決めることで達成できる。[0107] Switching of the pulse is performed at the clock cycle T.
, The pulse control is simplified. FIG. 10 shows a pulse division method suitable for mark length modulation recording and a simple pulse control circuit. (A) shows a case where m = n-1 and (c) shows a case where m = n-2 as a pulse division method when recording mark length modulation data. (B),
In (c), T is omitted to simplify the drawing. In each case, α i (2 ≦ i ≦ m) and β i (2 ≦ i ≦ m−
1) is constant regardless of i, α 1 ≧ α i , α i + β i-1
= 1.0 (3 ≦ i ≦ m), the trailing end of the recording pulse of α i (2 ≦ i ≦ m) is synchronized with the clock pulse. It is also effective to make Pb the same as the reproducing light power Pr in order to simplify the circuit. Making only the first pulse α 1 T longer than the subsequent pulse is necessary to improve the balance between recording short marks and long marks in a so-called eye pattern. Alternatively, only the first pulse may have higher power than the subsequent pulse. Such a pulse can be achieved by determining three types of gate generation circuits as shown in FIG. 11 and the priorities among them.
【0108】図11は本発明の記録方法によるパルス発
生方法の一例の説明図である。(a)はクロック信号、
(b)はデータ信号であり、記録パルス発生回路中の3
種のゲート発生回路から発生するゲート信号(c)Ga
te1、(d)Gate2、(e)Gate3である。
これら3種のゲート信号の優先順位を決めておくこと
で、本発明のパルス分割方法が達成できる。Gate1
は記録パルス発生区間α1 Tのみを、Gate2は後続
パルスαiT(2≦i≦m)を所定個数発生させるタイ
ミングを決める。ここでパルス幅α i は2≦i≦mにお
いて一定値αc とする。Gate3はオフパルス発生区
間β i Tを発生する。Gate3がオン(レベル高)の
間はPbを発生し、オフの間(レベル低)はPeを発生
する。α1 の立ち上がりのタイミングとパルス幅のみを
独立して決めることで、β1をβi と異なる値とするこ
とができる。Gate3とGate1の立ち上がりは同
期させるのが良い。Gate1、Gate2はそれぞれ
Pwを発生させるが、Gate1、2がオンのときはG
ate3に優先する。Gate1の遅延時間T1 と
α1 、Gate2の遅延時間(T 1 +T2 )とαc を指
定すれば、図10のストラテジーを指定できる。FIG. 11 shows a pulse emission by the recording method of the present invention.
It is explanatory drawing of an example of a production method. (A) is a clock signal,
(B) is a data signal, which is 3 in the recording pulse generation circuit.
Signal (c) Ga generated from the kind of gate generation circuit
te1, (d) Gate2, and (e) Gate3.
Prioritize these three types of gate signals
Thus, the pulse division method of the present invention can be achieved. Gate1
Is the recording pulse generation interval α1Only T, Gate2 follows
Pulse αiTie for generating a predetermined number of T (2 ≦ i ≦ m)
Decide the mining. Where the pulse width α iIs 2 ≦ i ≦ m
And a constant value αcAnd Gate 3 is an off-pulse generation section
Interval β iGenerate T. Gate3 is on (level high)
Pb is generated during the period, and Pe is generated during the off state (low level)
I do. α1Only the rising timing and pulse width of
By independent decision, β1To βiBe different from
Can be. Gate3 and Gate1 rise at the same time
It is good to expect. Gate1 and Gate2 are each
Pw is generated, but when Gate 1 and Gate 2 are on, G
ate3. Gate1 delay time T1When
α1, Gate 2 delay time (T 1+ TTwo) And αcThe finger
Then, the strategy shown in FIG. 10 can be specified.
【0109】ここで、T1 を1T以上とすれば、図10
(b)のm=n−1の場合のパルスとなり、1T未満と
して後続パルスの数を一個減らせば、図10(c)のm
=n−2の場合のパルスとなる。このとき、α1 T及び
βm-2 Tを、m=n−1の場合より長くすることで、形
成されるマーク長をnTとする。さて、本発明のさらな
る適用例として、再生専用DVDと同等以上の記録密度
で、少なくとも再生時には再生専用DVDと同等の信号
品質を得るためには、下記のような記録方法を用いるこ
とが望ましい。Here, if T 1 is 1T or more, FIG.
The pulse in the case of m = n−1 in FIG. 10B is obtained. If the number of subsequent pulses is reduced by one as less than 1T, m in FIG.
= N-2. At this time, by making α 1 T and β m−2 T longer than when m = n−1, the mark length to be formed is set to nT. As a further application example of the present invention, it is desirable to use the following recording method in order to obtain a signal density equal to or higher than that of a read-only DVD at a recording density equal to or higher than that of a read-only DVD.
【0110】すなわち、波長が350〜680nmの光
を、開口数NAが0.55〜0.9の対物レンズを通し
て記録層に集光させ、データの記録再生を行う光記録方
法であって、m=n−1又はm=n−2、0≦Pb≦
1.5(mW)、Pe/Pwは0.3以上0.6以下と
する。そして、 α1 =0.3〜1.5、 α1 ≧αi =0.2〜0.8(2≦i≦m)、 αi +βi-1 =1.0(3≦i≦m)、 βm =0〜1.5 とするのが好ましい。That is, an optical recording method for recording and reproducing data by condensing light having a wavelength of 350 to 680 nm on a recording layer through an objective lens having a numerical aperture NA of 0.55 to 0.9. = N-1 or m = n-2, 0≤Pb≤
1.5 (mW), Pe / Pw is 0.3 or more and 0.6 or less. Α 1 = 0.3 to 1.5, α 1 ≧ α i = 0.2 to 0.8 (2 ≦ i ≦ m), α i + β i−1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m ), Β m = 0 to 1.5.
【0111】Pe/Pwの比を一定に保つことは、パワ
ー変動が生じたときに、高パワーで記録マークが大きい
ときには消去パワーも大きくして消去可能な範囲を広げ
るためである。Pe/Pwが0.3未満では、常にPe
が低くて消去不十分となりやすい。逆に0.6より大き
いと、Peが過剰でビーム中心での再非晶質化を招きや
すく、完全な再結晶化による消去が困難となる。また、
記録層に照射されるエネルギー量が大きくなりすぎ、繰
返しオーバーライトにより劣化しやすくなる。The reason why the ratio Pe / Pw is kept constant is to increase the erasing power when the power is high and the recording mark is large when the power fluctuation occurs, thereby expanding the erasable range. If Pe / Pw is less than 0.3, Pe
And the erasure is likely to be insufficient. Conversely, if it is larger than 0.6, the excess of Pe tends to cause re-amorphization at the center of the beam, making it difficult to erase by complete recrystallization. Also,
The amount of energy applied to the recording layer becomes too large, and the recording layer is likely to be deteriorated by repeated overwriting.
【0112】さて、本発明に係わる組成の記録層は、α
i が特に小さい範囲で良好なジッタが得られるため、Σ
αi <0.5nとし、kが小さいほど(Σαi )/nを
減少させることが望ましい。すなわち、k=0又はk=
1では(Σαi )<0.4n、k=2では(Σαi )<
0.5nとするのが好ましい。好ましくは、このような
記録パルス分割方法を線速3m/s以上でのオーバーラ
イトに適用するためには、本発明記録層Gex (Sby
Te1-y )1-x において、特にyを0.72以上、線速
7m/s以上でのオーバーライトにはyを0.74以上
とする。すなわち、Sb/Te比を2.57以上、より
好ましくは2.85以上のSbリッチとする。Now, the recording layer having the composition according to the present invention has an α
Since good jitter can be obtained in the range where i is particularly small,
It is desirable to set α i <0.5n and to reduce (kα i ) / n as k decreases. That is, k = 0 or k =
In the case of 1, (Σα i ) <0.4n, and in the case of k = 2, (Σα i ) <
Preferably, it is 0.5n. Preferably, in order to apply such a recording pulse division method to overwriting at a linear velocity 3m / s or more, the present invention recording layer Ge x (Sb y
Te 1−y ) 1−x In particular, y is set to 0.72 or more, and y is set to 0.74 or more for overwriting at a linear velocity of 7 m / s or more. That is, the Sb / Te ratio is set to Sb-rich of 2.57 or more, more preferably 2.85 or more.
【0113】本発明では、記録層組成をこのようにSb
リッチとしても、非晶質マークの安定性が高く保存安定
性も良好であることが、好ましい特徴の一つである。特
開平8−22644号公報には、Sb0.7 Te0.3 近傍
組成にAg及びInを合計で10原子%程度添加したA
gInSbTe記録層が記載されている。しかし、この
AgInSbTe記録層でSb/Te比を2.57以上
とすると、非晶質マークが極めて不安定となり保存安定
性に問題があった。以下、実験例を用いて比較説明す
る。EFMプラス変調のマーク長記録を行うにあたり、
長さnTのマークを記録するに、線速2m/s〜5m/
sの範囲において、波長630〜680nm、NA=
0.6の光学系を用いて、記録パルスをn−1個に分割
して記録する場合を考える。本発明記録層の一例とし
て、Ag0.05Ge0.05Sb0.67Te0.23(Sb/Te≒
2.91)を用い、上記AgInSbTe記録層の一例
として、Ag0.05In 0.05Sb0.63Te0.27(Sb/T
e≒2.33)を用いる。In the present invention, the composition of the recording layer
High stability of amorphous mark even when rich
Good characteristics is one of the preferable features. Special
Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 8-22644 discloses Sb0.7Te0.3Neighborhood
A containing about 10 atomic% of Ag and In in total added to the composition
A gInSbTe recording layer is described. But this
AgInSbTe recording layer with Sb / Te ratio of 2.57 or more
, The amorphous mark becomes extremely unstable and storage stable
There was a problem with sex. Hereinafter, a comparative description will be given using experimental examples.
You. In performing EFM plus modulation mark length recording,
To record a mark of length nT, a linear velocity of 2 m / s to 5 m /
In the range of s, the wavelength is 630-680 nm, NA =
The recording pulse is divided into n-1 using the optical system of 0.6
Consider the case of recording. As an example of the recording layer of the present invention
And Ag0.05Ge0.05Sb0.67Te0.23(Sb / Te ≒
2.91) and an example of the AgInSbTe recording layer
As Ag0.05In 0.05Sb0.63Te0.27(Sb / T
e ≒ 2.33) is used.
【0114】本発明組成の記録層も上記AgInSbT
e記録層も、光学定数はほぼ同じであるため、同じ層構
成を用いて同等の反射率及び変調度を得ることができ、
したがって熱的に同等の層構成を適用できる。第1保護
層膜厚を100nm、記録層を20nm、第2保護層を
20nm、反射層を200nmとし、いずれもβi =
0.5程度(1≦i≦n−1)、Pw=10〜14(m
W)、Pe/Pw=0.5、Pb≒0とする。このと
き、従来のAg0.05In0.05Sb0.63Te0.27記録層で
は、α1 =0.8〜1.2、αi =0.4〜0.6(2
≦i≦n−1)が好ましい。特にα1 =1.0、α
i (2≦i≦n−1)=0.5、βm =0.5とした場
合、Σαi はnによらず0.5nとなる。The recording layer of the composition of the present invention is also made of the above AgInSbT
Since the e recording layer also has substantially the same optical constant, the same reflectance and modulation can be obtained using the same layer configuration,
Therefore, a thermally equivalent layer configuration can be applied. 100nm and thickness of the first protective layer, 20 nm of the recording layer, a second protective layer 20 nm, the reflective layer is 200 nm, both beta i =
About 0.5 (1 ≦ i ≦ n−1), Pw = 10 to 14 (m
W), Pe / Pw = 0.5, Pb ≒ 0. At this time, in the conventional Ag 0.05 In 0.05 Sb 0.63 Te 0.27 recording layer, α 1 = 0.8 to 1.2 and α i = 0.4 to 0.6 (2
≤ i ≤ n-1). In particular, α 1 = 1.0, α
When i (2 ≦ i ≦ n−1) = 0.5 and β m = 0.5, Σα i is 0.5n regardless of n.
【0115】一方、本発明のAg0.05Ge0.05Sb0.67
Te0.23記録層では、α1 =0.3〜0.5、αi =
0.2〜0.4(2≦i≦n−1)が好ましい範囲とな
る。より具体的にはα1 =0.6、αi (2≦i≦n−
1)=0.35とすることができる。この場合、n=3
の時、Σαi ≒0.32nとなり、n=4以上では、Σ
αi ≒0.33n〜0.34nとなる。これはすなわ
ち、本発明媒体においては、記録の際に照射される平均
照射パワーを小さくし、実質的な記録パルス照射時間を
Σαi <0.4nと小さくすることができることを表し
ている。On the other hand, according to the present invention, Ag 0.05 Ge 0.05 Sb 0.67
In the Te 0.23 recording layer, α 1 = 0.3 to 0.5, α i =
A preferred range is 0.2 to 0.4 (2 ≦ i ≦ n−1). More specifically, α 1 = 0.6, α i (2 ≦ i ≦ n−
1) = 0.35. In this case, n = 3
Σα i ≒ 0.32n, and if n = 4 or more, Σα i ≒ 0.32n
α i ≒ 0.33n to 0.34n. This means that in the medium of the present invention, the average irradiation power applied during recording can be reduced, and the substantial recording pulse irradiation time can be reduced to Δα i <0.4n.
【0116】このことにより、以下の効果が得られる。 (1)高パワー記録による記録信号品質の劣化を低減で
きる。高パワー記録の問題点は、記録層に与えられる光
エネルギーが多くなりすぎて記録層にこもることに起因
している。このため冷却速度が遅くなって非晶質マーク
の再結晶化が生じたり、繰返しオーバーライト時の劣化
が著しくなる。低パワーのオフパルス区間を設けること
で平均入力パワーを抑え、かつ、高熱伝導率の反射層に
より平面方向に熱を逃がすことにより、高パワー記録時
でも、マーク後端部分、特に長マーク後端部分、の熱蓄
積による悪影響を抑制でき、良好な長マークを形成でき
る。 (2)繰返しオーバーライト時における各層の熱ダメー
ジを軽減でき、繰返し耐久性を改善できる。毎回の熱ダ
メージを小さくすることで、例えば、熱に弱いプラスチ
ック基板の変形を抑制できる。また、ダメージの及ぶ範
囲をレーザービームプロファイルの中心部分の、より狭
い範囲に限定できる。特に、熱が蓄熱されやすいn=4
以上の長マークほど、実質の記録エネルギー照射の割合
(Σαi )/nを減少させる効果が大きい。従って、熱
ダメージを受けやすい5m/s以下の低線速でも、媒体
への悪影響を軽減することができる。As a result, the following effects can be obtained. (1) Deterioration of recording signal quality due to high power recording can be reduced. The problem with high-power recording is that the light energy applied to the recording layer becomes too large and is confined in the recording layer. For this reason, the cooling rate becomes slow, and recrystallization of the amorphous mark occurs, and deterioration during repeated overwriting becomes remarkable. By providing a low-power off-pulse section, the average input power is suppressed, and heat is released in the plane direction by a reflective layer with a high thermal conductivity. , Adverse effects due to heat accumulation can be suppressed, and a good long mark can be formed. (2) Thermal damage of each layer during repeated overwriting can be reduced, and repeated durability can be improved. By reducing the thermal damage each time, for example, deformation of a plastic substrate that is vulnerable to heat can be suppressed. In addition, the range of the damage can be limited to a narrower range at the center of the laser beam profile. In particular, n = 4 where heat is easily stored.
The longer the mark, the greater the effect of reducing the substantial recording energy irradiation ratio (Σα i ) / n. Therefore, even at a low linear velocity of 5 m / s or less, which is susceptible to thermal damage, adverse effects on the medium can be reduced.
【0117】本発明では、このように繰返しオーバーラ
イト耐久性を改善でき、従来に比して1桁以上大きいオ
ーバーライト回数を達成できる。さらに、記録層を、G
ex (Sby Te1-y )1-x 合金を主成分とする薄膜
(0.045≦x≦0.075、0.74≦y<0.
8)とし、線速度に応じて記録パルス分割方法を可変と
することで、3m/s〜8m/sを含む広範囲の線速度
でオーバーライト可能となる。すなわち、図8のパルス
分割方法において、m=n−kのkは一定とし、オーバ
ーライト時の線速度が低いほど、Pb/Pe又はαi の
いずれかを単調に減少させる。なお、記録線密度を一定
に保つために線速度に応じてクロック周期を変更するこ
とや、Pw、Peをそれぞれの線速度で最適に保つよう
に変更することは、必要に応じて行ってよい。According to the present invention, the durability of repeated overwriting can be improved as described above, and the number of overwriting can be increased by one digit or more as compared with the conventional case. Further, the recording layer is G
e x (Sb y Te 1- y) 1-x alloy film on the basis of (0.045 ≦ x ≦ 0.075,0.74 ≦ y <0.
8), by making the recording pulse division method variable according to the linear velocity, overwriting can be performed in a wide range of linear velocity including 3 m / s to 8 m / s. That is, in the pulse division method of FIG. 8, k of m = nk is fixed, and either Pb / Pe or α i is monotonously decreased as the linear velocity at the time of overwriting is lower. Note that changing the clock cycle according to the linear velocity in order to keep the recording linear density constant, or changing Pw and Pe so as to keep them optimal at the respective linear velocities may be performed as necessary. .
【0118】さて、本発明ではさらに、DVDの標準再
生線速度の1倍速と2倍速の両方で、最短マーク長を
0.35〜0.45μmとするいわゆるEFMプラス変
調信号を記録する方法を提供する。なお、DVDの標準
再生線速度は3.49m/sである。すなわち、波長が
600〜680nmの光を、開口数NAが0.55〜
0.65の対物レンズを通し、基板を介して記録層に集
光させ、最短マーク長を0.35〜0.45μmの範囲
として、データの記録再生を行う光記録方法であって、
nは1〜14の整数とし、m=n−1とし、Pbは0≦
Pb≦1.5(mW)の範囲で線速によらず一定とし、
Pe/Pwは0.4〜0.6の範囲で線速度に応じて変
化しうるものとし、(i)記録線速度3〜4m/sの範
囲においては、基準クロック周期をToとし、 α1 =0.3〜0.8、 α1 ≧αi =0.2〜0.4であってiによらず一定
(2≦i≦m)、 α2 +β1 ≧1.0、 αi +βi-1 =1.0(3≦i≦m)、 βm =0.3〜1.5とし、αi T(1≦i≦m)の時
間内においては記録パワーPw1 の記録光を照射し、
(ii)記録線速度6〜8m/sの範囲においては、基
準クロック周期をTo/2とし、 α’1 =0.3〜0.8、 α’1 ≧α’i =0.3〜0.5であってiによらず一
定(2≦i≦m)、 α’i +β’i-1 =1.0(3≦i≦m)、 β’m =0〜1.0とし、αi T(1≦i≦m)の時間
内においては記録パワーPw2 の記録光を照射するとし
たとき、α’i >αi (2≦i≦m)であり、0.8≦
Pw1 /Pw2 ≦1.2である光記録方法である。本発
明者らの実験によれば、図10のパルス分割方法を用い
る限りでは、この設定で特に良好なジッタが得られた。The present invention further provides a method of recording a so-called EFM plus modulation signal having a shortest mark length of 0.35 to 0.45 μm at both 1 × and 2 × the standard reproduction linear velocity of a DVD. I do. The standard reproduction linear velocity of the DVD is 3.49 m / s. That is, light having a wavelength of 600 to 680 nm and a numerical aperture NA of 0.55 to
An optical recording method for recording / reproducing data through a 0.65 objective lens, condensing light on a recording layer via a substrate, and setting the shortest mark length in a range of 0.35 to 0.45 μm.
n is an integer of 1 to 14, m = n−1, and Pb is 0 ≦
Constant within the range of Pb ≦ 1.5 (mW) regardless of the linear velocity,
Pe / Pw can be changed in accordance with the linear velocity in the range of 0.4 to 0.6. (I) In the range of the recording linear velocity of 3 to 4 m / s, the reference clock cycle is To, and α 1 = 0.3 to 0.8, α 1 ≧ α i = 0.2 to 0.4 and constant regardless of i (2 ≦ i ≦ m), α 2 + β 1 ≧ 1.0, α i + β i-1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), and β m = 0.3~1.5, α i T the recording light of recording power Pw 1 in a time of (1 ≦ i ≦ m) Irradiate,
(Ii) In the range of the recording linear velocity of 6 to 8 m / s, the reference clock cycle is To / 2, α ′ 1 = 0.3 to 0.8, α ′ 1 ≧ α ′ i = 0.3 to 0 0.5 and constant irrespective of i (2 ≦ i ≦ m), α ′ i + β ′ i−1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), β ′ m = 0 to 1.0, and α When it is assumed that the recording light of the recording power Pw 2 is irradiated within the time of i T (1 ≦ i ≦ m), α ′ i > α i (2 ≦ i ≦ m), and 0.8 ≦
This is an optical recording method in which Pw 1 / Pw 2 ≦ 1.2. According to the experiments by the present inventors, particularly good jitter was obtained with this setting as long as the pulse division method shown in FIG. 10 was used.
【0119】ここで、さらにα2 +β1 =1.0とすれ
ば、パルス幅に関する独立パラメータはα1 、αi 、β
m の3個となり、記録信号源をより簡略化でき好まし
い。なお、nとして1から14までのすべての整数をと
る必要はなく、EFMプラス変調では、3から11ま
で、及び14をとる。(1,7)RLL−NRZI(Ru
n Length Limited-Non Return To Zero Inverted)符号
等も使用可能である。なお、記録密度を一定とするため
に、一般的に、1倍速記録時のクロック周期は2倍速記
録時の倍になるように設定される。なお、本発明は、上
記のような、一定線速度を維持しながら記録領域全面に
記録を行う方式(constant linear velocity、CLV方
式)のみならず、一定の回転角速度で記録領域全面に記
録を行う方式(constant angular velocity 、CAV方
式)に対しても有効である。あるいは、半径方向を複数
のゾーンに分割して、同一ゾーン内ではCLV方式でオ
ーバーライトを行うZCLV(ZonedCLV)方式
に対しても有効である。光ディスクの直径は、86m
m、90mm(シングルCDサイズ)、120mm(C
Dサイズ)、あるいは130mmのように様々あり、記
録領域は半径20〜25mmから最大65mm近くに及
ぶ。このとき内外周の線速度差は最大3倍近くなる。Here, assuming that α 2 + β 1 = 1.0, the independent parameters relating to the pulse width are α 1 , α i , β
m , which is preferable because the recording signal source can be further simplified. It is not necessary to take all integers from 1 to 14 as n, and from 3 to 11 and 14 in EFM plus modulation. (1,7) RLL-NRZI (Ru
n Length Limited-Non Return To Zero Inverted) codes and the like can also be used. In general, in order to keep the recording density constant, the clock cycle at the time of 1 × speed recording is set to be twice that at the time of 2 × speed recording. According to the present invention, not only the above-described method (constant linear velocity, CLV method) for recording over the entire recording area while maintaining a constant linear velocity, but also recording over the entire recording area at a constant rotational angular velocity. It is also effective for the method (constant angular velocity, CAV method). Alternatively, it is also effective for a ZCLV (Zoned CLV) system in which the radial direction is divided into a plurality of zones and overwriting is performed in the same zone by the CLV system. The diameter of the optical disk is 86m
m, 90mm (single CD size), 120mm (C
D size) or 130 mm, and the recording area ranges from a radius of 20 to 25 mm to a maximum of about 65 mm. At this time, the difference between the linear velocities of the inner and outer circumferences is nearly three times at the maximum.
【0120】一般に、高密度のマーク長記録において
は、相変化媒体が良好なオーバーライト特性を示す線速
範囲は、線速比で1.5倍程度の範囲である。線速度が
速ければ、記録層の冷却速度は速くなるので非晶質マー
クは形成されやすいが、結晶化温度以上に保たれる時間
が短くなり、消去が困難になる。一方、線速度が遅くな
れば、消去はされやすいが、記録層の冷却速度は遅くな
るので、再結晶化しやすくなり、良好な非晶質マークが
形成されにくい。この問題を解決するために、内外周で
反射層膜厚を変化させて内周で反射層による放熱効果度
が大きくなるように調節することができる。あるいは、
記録層組成を変化させて、外周で結晶化速度を高め、あ
るいは内周で非晶質形成に必要な臨界冷却速度を低める
ことも提案されている。しかし、そのような分布を与え
たディスクの作成は、容易ではない。In general, in high-density mark length recording, the linear velocity range in which the phase-change medium exhibits good overwrite characteristics is about 1.5 times the linear velocity ratio. When the linear velocity is high, the cooling rate of the recording layer is high, so that an amorphous mark is easily formed. On the other hand, when the linear velocity is reduced, erasure is easy, but the cooling rate of the recording layer is reduced, so that the recording layer is easily recrystallized and a good amorphous mark is not easily formed. In order to solve this problem, it is possible to adjust the thickness of the reflective layer on the inner and outer circumferences so that the degree of heat dissipation by the reflective layer on the inner circumference is increased. Or,
It has also been proposed to change the composition of the recording layer to increase the crystallization rate at the outer periphery or to lower the critical cooling rate required for amorphous formation at the inner periphery. However, it is not easy to create a disk having such a distribution.
【0121】一方、本発明の媒体と光記録方法の組合せ
によれば、ディスク最外周での線速度、即ち最大線速度
がほぼ10m/s以下であれば、CAV方式やZCLV
方式においても、良好な記録が可能である。本発明を、
上記のように半径により線速度が変化する媒体に利用す
るためには、記録領域を半径により複数のゾーンに分割
し、各ゾーン毎にデータの基準クロック周波数及びパル
ス分割方法を切り替えて用いることが望ましい。On the other hand, according to the combination of the medium and the optical recording method of the present invention, if the linear velocity at the outermost circumference of the disk, that is, the maximum linear velocity is approximately 10 m / s or less, the CAV method or the ZCLV
Also in the system, good recording is possible. The present invention
As described above, in order to use the medium in which the linear velocity changes depending on the radius, it is necessary to divide the recording area into a plurality of zones according to the radius, and switch and use the data reference clock frequency and the pulse dividing method for each zone. desirable.
【0122】すなわち、所定の記録領域を有する光学的
情報記録用媒体を角速度一定で回転させて情報を複数の
マーク長により記録する方法であって、記録領域最内周
での線速度が2〜4m/sとなり記録領域最外周での線
速度が6〜10m/sとなるように該媒体を回転させ、
該記録領域は半径によって区切られた複数ゾーンからな
り、各ゾーン内の平均線速度に応じて記録密度がほぼ一
定となるように基準クロック周期Tを変化させる。この
とき、ゾーンによらずパルス分割数mを一定とし、外周
ゾーンから内周ゾーンに向かって、Pb/Pe比及び/
又はαi (iは1≦i≦mの少なくとも一つ)を単調に
減少させる。これによって、低線速度の内周部におい
て、冷却速度不足により非晶質マークの形成が不完全と
なるのを防ぐことができる。なお、α i (iは1≦i≦
mの少なくとも一つ)を単調に減少させる、とは、例え
ばα1、α2 、・・・、αm の中でα2 のみを減少させ
ることを指す。より具体的には、図10で示されたパル
ス分割方法をベースに、線速に応じたパルス分割方法を
用いることが、可変パルス分割方法回路を簡略化するこ
とができて望ましい。その際に、記録領域を半径方向に
p個のゾーンに分割して、各ゾーンごとにクロック周期
とパルス分割方法を変化させることが、半径位置に応じ
て連続的に変化させるよりも簡便である。That is, an optical device having a predetermined recording area
By rotating the information recording medium at a constant angular velocity,
A method of recording based on the mark length.
Linear velocity at 2 to 4 m / s at the outermost circumference of the recording area
Rotating the medium so that the speed is 6 to 10 m / s,
The recording area consists of a plurality of zones separated by a radius.
The recording density is almost the same according to the average linear velocity in each zone.
The reference clock period T is changed so as to be constant. this
When the pulse division number m is constant regardless of the zone,
From the zone toward the inner peripheral zone, the Pb / Pe ratio and / or
Or αi(I is at least one of 1 ≦ i ≦ m) monotonically
Decrease. As a result, the inner circumference at low linear velocity
The formation of amorphous marks was incomplete due to insufficient cooling rate.
Can be prevented. Note that α i(I is 1 ≦ i ≦
at least one of m) monotonically decreases
If α1, ΑTwo, ..., αmΑ inTwoOnly decrease
Refers to More specifically, the pallet shown in FIG.
Pulse division method based on linear velocity based on
Use simplifies the variable pulse division method circuit.
It is desirable to be able to. At that time, the recording area is
divided into p zones, and the clock period for each zone
And change the pulse division method according to the radial position
It is simpler than changing continuously.
【0123】本発明では、記録領域が半径によってp個
のゾーンに分割され、最内周側を第1ゾーン、最外周側
を第pゾーンとし、第qゾーン(ただし、qは1≦q≦
pの整数)における角速度をωq 、平均線速度を<vq
>ave 、最大線速度を<vq>max 、最小線速度を<v
q >min 、基準クロック周期をTq 、最短マークの時間
的長さをnmin Tq とすると、<vp >ave /<v1 >
ave は1.2〜3の範囲であって、<vq >max /<v
q >min は1.5以下とするのが好ましい。同一ゾーン
内では同一クロック周期と同一パルス分割方法を用いる
のであるが、同一パルス分割方法でカバーできる線速範
囲はおおむね1.5倍が限度である。In the present invention, the recording area is divided into p zones by radius, the innermost side is the first zone, the outermost side is the pth zone, and the qth zone (where q is 1 ≦ q ≦
ω q , and the average linear velocity is <v q
> Ave , maximum linear velocity < vq > max , minimum linear velocity <v
q> min, the reference clock period T q, if the time length of the shortest mark and n min T q, <v p > ave / <v 1>
ave is in the range of 1.2 to 3, and <v q > max / <v
q > min is preferably 1.5 or less. In the same zone, the same clock period and the same pulse division method are used, but the linear velocity range that can be covered by the same pulse division method is generally limited to 1.5 times.
【0124】そして、同一ゾーン内では、ωq 、Tq 、
αi 、βi 、Pe、Pb、及びPwは一定であり、最短
マークの物理的長さnmin Tq <vq >ave は0.5μ
m以下であり、Tq <vq >ave は1≦q≦pなる全て
のqに対してほぼ一定であり、かつ、 m=n−1もしくはm=n−2、 α1 =0.3〜1.5、 α1 ≧αi =0.2〜0.8(2≦i≦m)、 αi +βi-1 =1.0(3≦i≦m)、 0≦Pb≦1.5(mW)、 0.4≦Pe/Pw≦0.6 とする。ここで、m=n−1の場合は、α1 =0.3〜
1.5、αi =0.2〜0.5、m=n−2の場合はα
1 =0.5〜1.5、αi =0.4〜0.8とすること
が好ましい。In the same zone, ω q , T q ,
α i , β i , Pe, Pb, and Pw are constant, and the physical length n min T q <v q > ave of the shortest mark is 0.5 μm.
m, T q <v q > ave is substantially constant for all q satisfying 1 ≦ q ≦ p, and m = n−1 or m = n−2, α 1 = 0.3 ~ 1.5, α 1 ≧ α i = 0.2-0.8 (2 ≦ i ≦ m), α i + β i-1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), 0 ≦ Pb ≦ 1. 5 (mW), and 0.4 ≦ Pe / Pw ≦ 0.6. Here, when m = n-1, α 1 = 0.3 to
1.5, α i = 0.2 to 0.5, α when m = n−2
It is preferable that 1 = 0.5 to 1.5 and α i = 0.4 to 0.8.
【0125】パルス分割方法は、以下の法則に則って変
化させることが重要である。各ゾーンごとにPb、P
w、Pe/Pw比、αi 、β1 、βm は可変であり、外
周ゾーンから内周ゾーンに向かって、少なくともα
i (iは2≦i≦mの少なくとも一つ)を単調に減少さ
せる。各ゾーンごとのαi の変更は0.1T刻みもしく
は0.01T刻みとすることが好ましい。ここで、最外
周ゾーンでの基準クロック周期Tp に対して、1/10
0程度の周期の高周波ベースクロック発生回路を付加す
ることで、すべてのゾーンにおけるTq 及び分割パルス
長をこのベースクロックの倍数として発生させることが
可能である。DVDでは1倍速での基準クロック周波数
は26MHz程度であるから、最高2.6GHz程度の
ベースクロック周波数、通常は一桁少なくて260MH
z程度のベースクロック周波数で十分である。It is important that the pulse division method is changed according to the following rules. Pb, P for each zone
w, Pe / Pw ratio, α i , β 1 , β m are variable, and at least α from the outer zone toward the inner zone.
i (i is at least one of 2 ≦ i ≦ m) is monotonously reduced. The change of α i for each zone is preferably in increments of 0.1T or in increments of 0.01T. Here, 1/10 of the reference clock cycle T p in the outermost peripheral zone
By adding a high-frequency base clock generation circuit having a cycle of about 0, it is possible to generate Tq and the divided pulse length in all zones as multiples of the base clock. In a DVD, the reference clock frequency at 1 × speed is about 26 MHz, so a base clock frequency of about 2.6 GHz at maximum, usually 260 MHz at least one digit lower.
A base clock frequency of about z is sufficient.
【0126】さらに、該記録領域におけるPwの最大値
をPwmax 、最小値をPwmin とするとき、Pwmax /
Pwmin ≦1.2とし、Pe=Pw=0.4〜0.6、
0≦Pb≦1.5(mW)とすることができる。これに
よれば、3種類のパワーの設定範囲を限定できるので、
パワー発生回路を簡便化できる。本発明では、さらに、
Pw、Pe/Pw比、Pbを一定として、パルス分割方
法のみを変更することで、すべての線速に対応すること
も可能である。また、β m もゾーンによらず一定とし、
α1 とαm のみをゾーン依存パラメータとすることもで
きる。これは、ドライブの記録パルス制御回路を簡略化
する上で極めて有用である。Further, the maximum value of Pw in the recording area
To Pwmax, The minimum value is PwminWhere Pwmax/
Pwmin≦ 1.2, Pe = Pw = 0.4-0.6,
0 ≦ Pb ≦ 1.5 (mW). to this
According to this, the setting range of the three types of power can be limited,
The power generation circuit can be simplified. In the present invention, further,
Pulse division method with Pw, Pe / Pw ratio and Pb constant
Support all linear velocities by changing only the law
Is also possible. Also, β mIs constant regardless of the zone,
α1And αmOnly zone-dependent parameters
Wear. This simplifies the drive's recording pulse control circuit
It is extremely useful in performing
【0127】本発明においては、記録時に光学ヘッドの
半径位置情報から、記録媒体上に仮想的にゾーンを設定
して記録を行っても良いし、ディスクにあらかじめ記載
されたアドレス情報やゾーン情報にしたがって、ディス
ク上に物理的にゾーン構造を設けてもよい。仮想的であ
っても物理的であっても、ゾーンによって決まる線速度
に応じた記録パルス分割方法を選定すればよい。次に、
本発明の光記録方法を、ZCAV方式に適用した他の例
について述べる。記録領域が半径によってp個のゾーン
に分割され、最内周側を第1ゾーン、最外周側を第pゾ
ーンとし、第qゾーン(ただし、qは1≦q≦pの整
数)における角速度をωq 、平均線速度を<v
q >ave 、最大線速度を<vq >max 、最小線速度を<
vq >min 、基準クロック周期をTq 、最短マークの時
間的長さをn min Tq とする。ZCAV方式において
は、記録線密度がほぼ一定であるように、外周部のゾー
ンに移行するほど、記録データの基準クロックTq を小
さくすることが必要である。すなわち、Tq <vq >
ave が1≦q≦pなる全てのqに対してほぼ一定となる
ように、ゾーンに応じてTq を変化させる。ここで、ほ
ぼ一定とは、±1%程度の誤差を含むものとする。ま
た、同一ゾーン内の最大線速と最小線速を一定の範囲内
にするために、In the present invention, when recording, the optical head
Virtually set zones on recording media from radial position information
May be recorded on the disc or written on the disc in advance.
According to the address information and zone information
A zone structure may be physically provided on the network. Virtual
Line speed, whether physical or physical
May be selected according to the recording pulse division method. next,
Another example in which the optical recording method of the present invention is applied to the ZCAV system
Is described. Recording area has p zones depending on radius
The innermost side is the first zone, and the outermost side is the p-th zone.
And zone q (where q is an integer satisfying 1 ≦ q ≦ p).
The angular velocity atq, Average linear velocity <v
q>ave, Maximum linear velocity <vq>max, Minimum linear velocity <
vq>min, The reference clock period is TqAt the shortest mark
Intermediate length is n minTqAnd In ZCAV system
Is set so that the recording linear density is almost constant.
As the state shifts to the reference clock T,qIs small
It is necessary to cut. That is, Tq<Vq>
aveBecomes almost constant for all q satisfying 1 ≦ q ≦ p
So, T depending on the zoneqTo change. Where
The irregularity includes an error of about ± 1%. Ma
The maximum linear velocity and the minimum linear velocity in the same zone are within a certain range.
In order to
【0128】[0128]
【数14】 (<vq >max −<vq >min )/(<vq >max +<vq >min )<10% (2)(< Vq > max− < vq > min ) / (< vq > max + < vq > min ) <10% (2)
【0129】を満たすようにゾーンの幅を決める。すな
わち、(<vq >max −<vq >min)が(<vq >
max +<vq >min )の10%未満となるようにし、第
qゾーンの幅は、平均半径<rq >ave の±10%未満
の半径位置までが許容されるものとする。より好ましく
は、(<vq >max −<vq >min )が(<vq >max
+<vq>min )の5%未満である。ゾーンの幅は、記
録領域を半径毎に等分割してもよいが、この条件を満た
す限り等分割でなくてもよい。記録領域幅にもよるが、
30〜40mm幅の記録領域については、概ね10個以
上に分割される。The width of the zone is determined so as to satisfy the condition. That is, (<v q > max− <v q > min ) becomes (<v q >
max + < vq > min ), and the width of the q-th zone is allowed to be less than ± 10% of the average radius < rq > ave . More preferably, (< vq > max− < vq > min ) is (< vq > max
+ < Vq > min ). The zone width may be such that the recording area is equally divided for each radius, but may not be equally divided as long as this condition is satisfied. Depending on the recording area width,
The recording area having a width of 30 to 40 mm is divided into about 10 or more.
【0130】本発明者らの検討によれば、最短マーク長
0.4μm程度でも、(2)式を満たせば、ジッタの値
は実用レベルであった。以上2つの条件は、記録線密度
を一定とし、ひいてはマークの物理的長さ、或いはチャ
ネルビット長を一定するための条件である。なお、チャ
ネルビット長とは、トラックに沿った1チャネルビット
あたりの長さである。DVDとの再生互換性を、より確
実に得るためには、基準再生速度vを約3.5m/s、
基準クロック周期Tを約38.2nsecとしたとき、
チャネルビット長vTの変動をほぼ±1%未満とするの
が好ましい。ZCAV媒体においてこの条件を満たすた
めには、下記(3)式According to the study of the present inventors, the jitter value was at a practical level even if the shortest mark length was about 0.4 μm, provided that the expression (2) was satisfied. The above two conditions are conditions for keeping the recording linear density constant, and for keeping the physical length of the mark or the channel bit length constant. Note that the channel bit length is a length per channel bit along a track. In order to ensure the playback compatibility with DVD more reliably, the reference playback speed v should be about 3.5 m / s,
When the reference clock cycle T is about 38.2 nsec,
It is preferable that the variation of the channel bit length vT be less than approximately ± 1%. In order to satisfy this condition in the ZCAV medium, the following equation (3) is used.
【0131】[0131]
【数15】 (<vq >max −<vq >min )/(<vq >max +<vq >min )<1% (3)(< Vq > max− < vq > min ) / (< vq > max + < vq > min ) <1% (3)
【0132】を満たさねばならない。すなわち、(<v
q >max −<vq >min )が(<vq>max +<vq >
min )の1%未満となるようにし、第qゾーンの幅は、
平均半径<rq >ave の±1%未満の半径位置までが許
容されるものとする。このため、記録領域を200個以
上のゾーンに分割する。かつ、Must be satisfied. That is, (<v
q > max− < vq > min ) is (< vq > max + < vq >
min ), and the width of the q-th zone is
Average radius < rq > It is assumed that a radius position less than ± 1% of ave is allowed. For this reason, the recording area is divided into 200 or more zones. And,
【0133】[0133]
【数16】 Tq <vq >ave =vT (4)[Number 16] T q <v q> ave = vT (4)
【0134】であり、Tq <vq >ave が1≦q≦pな
る全てのqに対してほぼ一定となるようにする。ここ
で、ほぼ一定とは、±1%程度の誤差を含むものとす
る。これにより、ZCAV方式ながら擬似的に、半径に
よらない等密度記録ができるため、CLV方式でも再生
が可能となり、CLV方式のDVDプレーヤーとの互換
性が高まる。必要に応じて、ゾーン幅はより狭くしても
よい。It is assumed that T q <v q > ave is substantially constant for all q satisfying 1 ≦ q ≦ p. Here, substantially constant includes an error of about ± 1%. This allows pseudo-equal density recording regardless of radius in spite of the ZCAV system, so that reproduction is possible even in the CLV system, and compatibility with the CLV DVD player is enhanced. If necessary, the zone width may be smaller.
【0135】さて、以上のような条件のもとで、DVD
と同等の記録密度を得る光記録方法について説明する。
波長が600〜680nmの光を、開口数NAが0.5
5〜0.65の対物レンズを通し、基板を介して記録層
に集光させ、データの記録再生を行うにあたり、上記記
録領域の最内周が半径20〜25mmの範囲にあり、最
外周が半径55〜60mmの範囲にあり、最内周側ゾー
ンの平均線速度が3〜4m/sであり、第qゾーン(た
だし、qは1≦q≦pの整数)における角速度をωq 、
平均線速度を<vq >ave 、最大線速度を<v
q >max 、最小線速度を<vq >min 、基準クロック周
期をTq 、最短マークの時間的長さをnmin Tq とする
と、nは1〜14の整数であり、m=n−1であり、ω
q 、Pb及びPe/Pwはゾーンによらず一定であり、
Tq <vq >ave は1≦q≦pなる全てのqに対してほ
ぼ一定であり、かつ、Under the above conditions, the DVD
An optical recording method for obtaining a recording density equivalent to that described above will be described.
Light having a wavelength of 600 to 680 nm and a numerical aperture NA of 0.5
When recording and reproducing data by condensing light on a recording layer through a substrate through a 5-0.65 objective lens, the innermost circumference of the recording area is within a radius of 20 to 25 mm, and the outermost circumference is The radius is 55-60 mm, the average linear velocity of the innermost zone is 3-4 m / s, and the angular velocity in the q-th zone (where q is an integer of 1 ≦ q ≦ p) is ω q ,
The average linear velocity is <v q > ave , and the maximum linear velocity is <v
Assuming that q > max , the minimum linear velocity is <v q > min , the reference clock cycle is T q , and the time length of the shortest mark is n min T q , n is an integer of 1 to 14, and m = n− 1 and ω
q , Pb and Pe / Pw are constant regardless of the zone,
T q <v q > ave is substantially constant for all q satisfying 1 ≦ q ≦ p, and
【0136】[0136]
【数17】(<vq >max −<vq >min )/(<vq
>max +<vq >min )<10%## EQU17 ## (<v q > max− <v q > min ) / (<v q
> Max + < vq > min ) <10%
【0137】を満たし、(i)第1ゾーンにおいては、 α1 1=0.3〜0.8、 α1 1≧α1 i =0.2〜0.4であってiによらず一定
(2≦i≦m)、 α1 2+β1 1≧1.0、 α1 i +β1 i-1 =1.0(3≦i≦m)とし、(i
i)第pゾーンにおいては、αp 1 =0.3〜0.8、
αp 1 ≧αp i =0.3〜0.5であってiによらず一
定(2≦i≦m)、αp i +βp i-1 =1.0(2≦i
≦m)としたとき、(iii)他のゾーンにおいては、
α1 i ≦αq i ≦αp i (2≦i≦m)とし、α
q 1 は、α1 1とαp 1 との間の値として記録を行う。Met [0137], (i) in the first zone, alpha 1 1 = 0.3 to 0.8, regardless of a α 1 1 ≧ α 1 i = 0.2~0.4 i constant (2 ≦ i ≦ m), α 1 2 + β 1 1 ≧ 1.0, and α 1 i + β 1 i- 1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), (i
i) In the p-th zone, α p 1 = 0.3 to 0.8,
alpha p A 1 ≧ α p i = 0.3~0.5 constant irrespective of i (2 ≦ i ≦ m) , α p i + β p i-1 = 1.0 (2 ≦ i
≦ m), (iii) in other zones,
α 1 i ≦ α q i ≦ α p i (2 ≦ i ≦ m), and α
q 1 performs recording as a value between alpha 1 1 and alpha p 1.
【0138】上記記録領域の最内周が半径20〜25m
mの範囲にあり、最外周が半径55〜60mmの範囲に
ある場合、記録領域の半径幅は約30〜40mmとな
る。そして、ディスクを最内周の第1ゾーンにおいて<
v1 >ave =3〜4m/sとなるように等角速度で回転
させる。第1ゾーン、第pゾーンについては上記条件に
より記録を行い、他のゾーン(2≦q≦p−1なる第q
ゾーン)についてはα1 i ≦αq i ≦αp i (2≦i≦
m)とし、αq 1 は、α1 1とαp 1 との間の値とする。
この場合、αq 1 の値は0.1Tもしくは0.01T刻
みで設定することが望ましい。好ましくは、α1 1≧αq
1 ≧αp 1 (ただし、α1 1>αp 1 )とする。The innermost circumference of the recording area has a radius of 20 to 25 m.
m and the outermost circumference is in the range of a radius of 55 to 60 mm, the radius width of the recording area is about 30 to 40 mm. Then, place the disc in the innermost first zone <
Rotate at a constant angular velocity so that v 1 > ave = 3-4 m / s. For the first zone and the p-th zone, recording is performed under the above conditions, and the other zones (the q-th zone where 2 ≦ q ≦ p−1)
Zone), α 1 i ≦ α q i ≦ α p i (2 ≦ i ≦
m) and then, alpha q 1 is a value between the alpha 1 1 and alpha p 1.
In this case, it is desirable to set the value of α q 1 in increments of 0.1T or 0.01T. Preferably, α 1 1 ≧ α q
1 ≧ α p 1 (However, α 1 1> α p 1 ) and.
【0139】さらに、Pb、Pe/Pw、β1 、βm は
ゾーンによらず一定であり、α1 、αi のみをゾーンに
より変化させれば、線速3〜8m/sをすべてカバーす
る広い線速範囲で良好なオーバーライト特性を得ること
ができる。好ましくは、これらPe/Pw、Pb、P
w、βm 、(α1 1、αp 1 )、(α 1 c 、αp c )の数
値が、あらかじめ基板上に、プリピット列或いは溝変形
により記載しておくことで、各記録媒体ごと、そして各
ゾーンごとにドライブが最適のパルス分割方法及びパワ
ーを選択することができてよい。これらは、通常、記録
領域の最内周端もしくは最外周端に隣接した位置に記録
される。バイアスパワーPbを再生パワーPrと同じに
するのであれば、バイアスパワーPbはあえて記載しな
くても良い場合もある。溝変形とは、具体的には溝蛇行
(ウォブル)などである。Further, Pb, Pe / Pw, β1, ΒmIs
Constant regardless of the zone, α1, ΑiOnly to zones
If it changes more, it will cover all linear speeds 3-8m / s.
Obtaining good overwrite characteristics over a wide linear speed range
Can be. Preferably, these Pe / Pw, Pb, P
w, βm, (Α1 1, Αp 1), (Α 1 c, Αp c) Number
Pre-pit row or groove deformation on the substrate in advance
, For each recording medium, and for each
Optimal pulse division method and power for each zone
Can be selected. These are usually recorded
Recording at a position adjacent to the innermost or outermost end of the area
Is done. Make bias power Pb the same as reproduction power Pr
If so, do not dare describe the bias power Pb.
In some cases, it is not necessary. Groove deformation specifically means groove meandering
(Wobble).
【0140】或いは、プリピット列もしくは溝変形によ
り、アドレス情報をあらかじめ基板上に記録した光学的
情報記録用媒体に、該アドレス情報とともに、該アドレ
スにおいて適当なα1 及びαi に関する情報を含ませて
もよい。これにより、アクセスする際にアドレス情報と
ともに該パルス分割方法情報も読み出し、パルス分割方
法を切り替えることができ、特別な補正をすることな
く、該記録媒体及び該アドレスの属するゾーンに適した
パルス分割方法を選択することができる。Alternatively, an optical information recording medium in which address information is previously recorded on a substrate by deformation of a pre-pit row or a groove includes information on appropriate α 1 and α i in the address together with the address information. Is also good. Thereby, the pulse division method information can be read together with the address information at the time of access, and the pulse division method can be switched. The pulse division method suitable for the zone to which the recording medium and the address belong can be performed without special correction. Can be selected.
【0141】上記のような、ゾーンごとに記録パルス分
割方式を変更しながら、ディスク全周にわたって記録を
行う方式は、ZCLV方式(Zoned CLV)でも
適用可能である。以下に具体例を説明する。記録領域を
半径方向に複数のゾーンに分割し、各ゾーン内において
は、線速度一定で記録を行うものとし、最内周ゾーンに
おける記録線速度vinと最外周ゾーンにおける記録線速
度vou t の比vout /vinが1.2〜2であり、αi =
0.3〜0.6(2≦i≦m)及びβm =0〜1.5と
し、線速度によらずm、αi +βi-1 (3≦i≦m)、
α1 T、Pe/Pw、及びPbを一定とし、線速度に応
じてαi (2≦i≦m)及び/又はβm を変化させるこ
とにより記録を行う。ZCLV方式は、記録領域を半径
方向の複数のゾーンに分割することはZCAV方式と同
様であるが、同一ゾーン内ではCLVモード、即ち線速
度一定でディスクを回転させながら記録を行う。The above-described method of performing recording over the entire circumference of the disk while changing the recording pulse division method for each zone can be applied to the ZCLV method (Zoned CLV). A specific example will be described below. The recording area is divided into a plurality of zones in the radial direction, within each zone, and performs recording at a constant linear velocity, recording linear velocity in the recording linear velocity v in the outermost zone in the innermost zone v ou t the ratio of v out / v in is 1.2~2, α i =
0.3 to 0.6 (2 ≦ i ≦ m) and β m = 0 to 1.5, and m, α i + β i−1 (3 ≦ i ≦ m) regardless of the linear velocity,
Recording is performed by keeping α 1 T, Pe / Pw, and Pb constant and changing α i (2 ≦ i ≦ m) and / or β m according to the linear velocity. The ZCLV method is similar to the ZCAV method in that a recording area is divided into a plurality of zones in the radial direction. However, in the same zone, recording is performed while rotating the disk at a constant linear velocity in the CLV mode.
【0142】このため、本発明記録方法をZCLV方式
に適用する場合、最内周ゾーンと最外周ゾーンとの線速
度をそれぞれVin、Vout とするとき、VinとVout の
差を小さくし、例えばVout /Vinを1.2〜2とする
ことで、媒体への線速度依存性の負担を軽減する。本発
明媒体は、記録パルス分割方法をわずかに変更するのみ
で、線速3〜8m/sの広範囲で記録可能であるから、
比較的少ないゾーン数に分割するZCLV方式が適用で
きる。この際、ゾーンによらず等記録密度とするために
は、各ゾーンでの線速度Vqと各ゾーンにおける記録デ
ータの基準クロック周期Tq は、Tq <vq >ave をq
によらずほぼ一定とする。Therefore, when the recording method of the present invention is applied to the ZCLV system, when the linear velocities of the innermost zone and the outermost zone are V in and V out , respectively, the difference between V in and V out is small. By setting V out / V in to 1.2 to 2, for example, the load on the medium that depends on the linear velocity is reduced. The medium of the present invention can record over a wide range of linear velocity of 3 to 8 m / s by only slightly changing the recording pulse division method.
A ZCLV system that divides into a relatively small number of zones can be applied. At this time, in order to like recording density regardless of the zone, the reference clock period T q of the recording data at a linear velocity V q and each zone in each zone, T q <v q> the ave q
Approximately constant regardless of
【0143】そして、各ゾーンにおいて、最適化された
記録パルス分割方法を用いる。すなわち、αi =0.3
〜0.5(2≦i≦m)及びβm =0〜1.5とし、線
速度によらずm、αi +βi-1 (3≦i≦m)、α
1 T、Pe/Pw、及びPbを一定とし、線速度に応じ
てαi 及び/又はβm を変化させることにより記録を行
う。以上述べた、CLV方式、ZCAV方式、或いはZ
CLV方式において、オーバーライト時の線速度に応じ
て記録パルス分割法を可変とする例は、主としてβ m を
線速によらず一定として、パルス発生回路を簡便化する
ものであったが、逆に、βm を積極的に変化させること
で、パルス発生回路の簡易化を図ることもまた可能であ
る。In each zone, the optimized
A recording pulse division method is used. That is, αi= 0.3
0.5 (2 ≦ i ≦ m) and βm= 0 to 1.5, line
M, α regardless of speedi+ Βi-1(3 ≦ i ≦ m), α
1T, Pe / Pw, and Pb are fixed, and according to the linear velocity
And αiAnd / or βmRecord by changing
U. The CLV method, ZCAV method, or Z
In CLV system, according to the linear velocity at the time of overwriting
The example of making the recording pulse division method variable is mainly β mTo
Simplify the pulse generation circuit by keeping it constant regardless of the linear velocity
, But conversely, βmActively change
It is also possible to simplify the pulse generation circuit.
You.
【0144】すなわち、結晶部を未記録・消去状態とし
非晶質部を記録状態とし、最短マーク長0.5μm以下
の複数の記録マーク長により情報を記録するにあたり、
記録マーク間には、非晶質を結晶化しうる消去パワーP
eの記録光を照射し、一つの記録マークの時間的な長さ
をnTとしたとき(Tは基準クロック周期、nは2以上
の整数)、記録マークの時間的長さnTを、In other words, when recording information with a plurality of recording mark lengths having a minimum mark length of 0.5 μm or less, the crystal part is in an unrecorded / erased state and the amorphous part is in a recorded state.
Between recording marks, an erasing power P that can crystallize an amorphous phase
When the recording light of e is irradiated and the time length of one recording mark is nT (T is a reference clock cycle, n is an integer of 2 or more), the time length nT of the recording mark is
【0145】[0145]
【数18】η1 T、α1 T、β1 T、α2 T、β2 T、
・・・、αi T、βi T、・・・、αm T、βm T、η
2 T[Expression 18] η 1 T, α 1 T, β 1 T, α 2 T, β 2 T,
..., α i T, β i T, ..., α m T, β m T, η
2 T
【0146】(ただし、mはパルス分割数でm=n−
k、kは0≦k≦2なる整数とする。また、Σi (αi
+βi )+η1 +η2 =nとし、η1 はη1 ≧0なる実
数、η2 はη2 ≧0なる実数、0≦η1 +η2 ≦2.0
とする。αi (1≦i≦m)はαi >0なる実数とし、
βi (1≦i≦m)はβi >0なる実数とする。α1 =
0.1〜1.5、β1 =0.5〜1.0、βm =0〜
1.5とし、2≦i≦mなるiにおいてαi は0.1〜
0.8の範囲にあり、かつ、iによらず一定とする。な
お、3≦i≦mなるiにおいてαi +βi-1 は0.5〜
1.5の範囲にあり、かつ、iによらず一定とする。)
の順に分割し、αi T(1≦i≦m)の時間内において
は記録層を溶融させるにたるPw>Peなる記録パワー
Pwの記録光を照射し、βi T(1≦i≦m)の時間内
においては、0<Pb≦0.2Pe(ただし、βm Tに
おいては、0<Pb≦Peとなりうる)なるバイアスパ
ワーPbの記録光を照射し、線速度によらずm、αi +
βi-1 (3≦i≦m)、α1 T、及びαi T(2≦i≦
m)を一定とし、線速度が小さいほどβm が単調に増加
するように変化させる光記録方法である。(Where m is the number of pulse divisions and m = n−
k and k are integers satisfying 0 ≦ k ≦ 2. Also, Σ i (α i
+ Β i ) + η 1 + η 2 = n, η 1 is a real number satisfying η 1 ≧ 0, η 2 is a real number satisfying η 2 ≧ 0, and 0 ≦ η 1 + η 2 ≦ 2.0
And α i (1 ≦ i ≦ m) is a real number satisfying α i > 0,
β i (1 ≦ i ≦ m) is a real number satisfying β i > 0. α 1 =
0.1-1.5, β 1 = 0.5-1.0, β m = 0
1.5, i is 2 ≦ i ≦ m, and α i is 0.1 to
It is in the range of 0.8 and constant regardless of i. Incidentally, 3 ≦ i ≦ m becomes alpha i + beta i-1 in i is 0.5
It is in the range of 1.5 and constant regardless of i. )
And irradiates a recording light with a recording power Pw of Pw> Pe to melt the recording layer within a time of α i T (1 ≦ i ≦ m), and β i T (1 ≦ i ≦ m). ), The recording light having a bias power Pb of 0 <Pb ≦ 0.2Pe (however, in β m T, 0 <Pb ≦ Pe) is irradiated, and m and α are independent of the linear velocity. i +
β i-1 (3 ≦ i ≦ m), α 1 T, and α i T (2 ≦ i ≦
This is an optical recording method in which β is made constant so that β m monotonously increases as the linear velocity decreases.
【0147】まず、記録密度を一定に保つために、上述
のZCAV方式もしくはZCLV方式を適用し、基準ク
ロック周期Tは線速度に反比例させて変化させる。そし
て、少なくとも3≦i≦m、好ましくは2≦i≦mにお
いてαi +βi-1を、線速及びiによらず一定とするこ
とにより、パルス発生回路を簡略化でき、かつ、αi を
低線速ほど単調に減少させて記録層の冷却速度を増加さ
せることができる。通常、αi +βi-1 =1.0とす
る。このようなパルス分割方法を実現するためには、図
11のゲート発生のタイミングの説明図において、基準
クロック周期Tに同期させて(一定の遅延を付加するこ
とはありうる)、幅α1 Tの固定長パルス一個(Gat
e1)と、後続する幅αi T(αc T)の固定長パルス
を複数個(Gate2)発生させる一方、最終オフパル
ス長βm Tを決めるGate3のみ線速に応じて変化さ
せれば良い。First, in order to keep the recording density constant, the above-mentioned ZCAV system or ZCLV system is applied, and the reference clock cycle T is changed in inverse proportion to the linear velocity. At least 3 ≦ i ≦ m, preferably the α i + β i-1 in the 2 ≦ i ≦ m, by constant irrespective of the linear velocity and i, can simplify the pulse generating circuit, and, alpha i Can be monotonically decreased as the linear velocity decreases, and the cooling rate of the recording layer can be increased. Normally, α i + β i-1 = 1.0. In order to realize such a pulse division method, the width α 1 T is synchronized with the reference clock cycle T (a certain delay may be added) in the explanatory diagram of the gate generation timing in FIG. One fixed-length pulse (Gat
e1) and a plurality of subsequent fixed-length pulses (Gate 2) having a width α i T (α c T) may be generated, and only Gate 3, which determines the final off-pulse length β m T, may be changed according to the linear velocity.
【0148】ここで、各記録線速度での最大記録パワー
をPwmax 、最小記録パワーをPw min とするとき、 Pwmax /Pwmin ≦1.2、 Pe/Pw=0.4〜0.6、 0≦Pb≦1.5(mW) とするのが好ましい。また、前述のように、少なくとも
オーバーライト時の線速度が5m/s以下の場合におい
て、繰返しオーバーライト時の熱ダメージを防ぐため
に、m=n−1においてはΣαi <0.4nとし、m=
n−2においてはΣαi <0.5nとするのが好まし
い。Here, the maximum recording power at each recording linear velocity
To Pwmax, The minimum recording power is Pw minThen, Pwmax/ Pwmin≦ 1.2, Pe / Pw = 0.4-0.6, and 0 ≦ Pb ≦ 1.5 (mW). Also, as mentioned above, at least
When the linear velocity during overwriting is 5m / s or less
To prevent thermal damage during repeated overwriting
In addition, when m = n-1, Σαi<0.4n, m =
In n-2, Σαi<0.5n is preferred
No.
【0149】さらに、オーバーライト時の最高線速度に
おけるβm をβH m 、最低線速度におけるβm をβL m
として、各オーバーライト時の線速度におけるβm をβ
L mとβH m の間の値とし、記録線速度によらずPb、
Pe/Pw比が一定であるような記録方法が適用でき
る。この場合、少なくともPe/Pw比、Pb、Pw、
α1 T、αi T、(βL m、βH m )の数値が、あらか
じめ媒体の基板上に、プリピット列或いは溝変形により
記録されていれば、やはり最適なパルス分割方法が自動
的に選択でき、好ましい。[0149] In addition, the beta m at the maximum line speed during overwriting beta H m, the beta m at the lowest linear velocity beta L m
Β m at the linear velocity at each overwriting is β
L m and β is a value between H m, Pb irrespective of the recording linear velocity,
A recording method in which the Pe / Pw ratio is constant can be applied. In this case, at least Pe / Pw ratio, Pb, Pw,
If the values of α 1 T, α i T, and (β L m , β H m ) are recorded in advance on the substrate of the medium by a pre-pit row or groove deformation, the optimum pulse division method is also automatically performed. Selectable and preferred.
【0150】さらにまた、最大線速度が最小線速度の倍
程度までであれば、十分に実用的な信号品質を維持しつ
つ、記録線速度によらずβm が一定であるような光記録
方法も可能である。CLV方式の再生専用DVDドライ
ブには、マークを再生して得られる基準クロック周期を
もとに、データクロックと回転同期信号を発生させて、
回転制御を行う方式がある。Further, when the maximum linear velocity is up to about twice the minimum linear velocity, an optical recording method in which β m is constant irrespective of the recording linear velocity while maintaining sufficiently practical signal quality. Is also possible. The CLV type read-only DVD drive generates a data clock and a rotation synchronization signal based on a reference clock cycle obtained by reproducing a mark,
There is a method of performing rotation control.
【0151】上述のようにして、最短マーク長、或いは
チャネルビット長が記録半径によらずほぼ一定となるよ
うに、ZCAV方式でマークが記録された媒体は、本方
式の再生専用DVDドライブで、そのまま再生すること
が可能である。すなわち、記録されたマークから生成さ
れるデータの基準クロック周期Tq ’が、該ドライブの
基準データクロックTrとほぼ一致するようにPLL
(PhaseLock Loop )方式により回転同期制御すること
が可能であるから、多少の線速のゆらぎやチャネルビッ
ト長のゆらぎがあっても、再生回路でそのままデコード
できるのである。As described above, the medium on which the mark is recorded by the ZCAV method is a read-only DVD drive of the present method, so that the shortest mark length or the channel bit length is substantially constant regardless of the recording radius. It can be reproduced as it is. That is, the PLL is set so that the reference clock cycle T q ′ of the data generated from the recorded mark substantially matches the reference data clock Tr of the drive.
Since the rotation synchronization control can be performed by the (Phase Lock Loop) method, even if there is a slight fluctuation of the linear velocity or a fluctuation of the channel bit length, the reproduction circuit can decode the fluctuation as it is.
【0152】特に、全てのゾーンで最短マーク長が0.
4μmでほぼ一定になるように記録されたEFMプラス
変調データは、記録されたマークから生成される回転同
期信号から、PLL制御によるCLV回転同期が達成さ
れる。同時に、周波数が25〜27MHzの範囲にある
基準データクロックTrが発生され、このクロックに基
づいて、ゾーン間の遷移を意識することなく、CLV記
録媒体として再生することができる。もちろん、基準デ
ータクロックがTr/2となるように回転同期が達成さ
れれば、2倍速による再生が可能となる。このようなP
LL方式による回転同期信号の発生回路等は、既に公知
のDVDプレーヤーやDVD−ROMドライブでの方式
をそのまま使用できる。In particular, in all zones, the shortest mark length is 0.
The EFM plus modulation data recorded so as to be substantially constant at 4 μm achieves CLV rotation synchronization by PLL control from a rotation synchronization signal generated from a recorded mark. At the same time, a reference data clock Tr having a frequency in the range of 25 to 27 MHz is generated. Based on this clock, the data can be reproduced as a CLV recording medium without being aware of transition between zones. Of course, if rotation synchronization is achieved so that the reference data clock becomes Tr / 2, reproduction at double speed becomes possible. Such a P
As a circuit for generating a rotation synchronizing signal by the LL method, a known method for a DVD player or a DVD-ROM drive can be used as it is.
【0153】さて、本発明媒体は、反射率以外の全ての
信号特性においてDVDとの再生互換性を確保すること
ができる。このためには溝内記録が望ましく、また、溝
のプッシュプル信号が小さいのが好ましい。溝のプッシ
ュプル信号が大きいと、再生時に使用するDPD法での
トラッキングサーボ信号が小さくなるからである。従っ
て溝深さを、プッシュプル信号が最大となるλ/(8
n)より浅くする必要がある。なお、λは空気中での再
生光波長、nは基板の屈折率である。しかし、記録時に
は通常、トラッキングサーボにプッシュプル信号を利用
するので、小さすぎても好ましくない。The medium of the present invention can ensure reproduction compatibility with DVDs in all signal characteristics other than the reflectance. For this purpose, recording in the groove is desirable, and it is preferable that the push-pull signal of the groove is small. This is because if the push-pull signal of the groove is large, the tracking servo signal in the DPD method used at the time of reproduction becomes small. Therefore, the groove depth is set to λ / (8
n) It needs to be shallower. Here, λ is the wavelength of the reproduction light in air, and n is the refractive index of the substrate. However, at the time of recording, a push-pull signal is usually used for the tracking servo.
【0154】また、再生信号特性については、高いCN
比を得るためには変調度Modが0.5以上であるのが
好ましい。ただし、Modは(DC再生信号のエンベロ
ープの振幅)/(DC再生信号のエンベロープの上端
値)とする。好ましい溝深さはd=λ/(20n)〜λ
/(10n)である。λ/(20n)より浅すぎては、
記録時のプッシュプル信号が小さくなりすぎてトラッキ
ングサーボがかからず、λ/(10n)より深くては再
生時のトラッキングサーボが安定しない。例えば、記録
再生波長が630〜670nm程度、対物レンズの開口
数NAが0.6〜0.65では、溝深さは25〜40n
mの範囲であることが望ましい。As for the reproduction signal characteristics,
In order to obtain the ratio, the modulation degree Mod is preferably 0.5 or more. Here, Mod is (the amplitude of the envelope of the DC reproduction signal) / (the upper end value of the envelope of the DC reproduction signal). The preferred groove depth is d = λ / (20n) to λ
/ (10n). If it is too shallow than λ / (20n),
The tracking servo is not applied because the push-pull signal at the time of recording becomes too small, and the tracking servo at the time of reproduction is not stable if it is deeper than λ / (10n). For example, when the recording / reproducing wavelength is about 630 to 670 nm and the numerical aperture NA of the objective lens is 0.6 to 0.65, the groove depth is 25 to 40 n.
m is desirable.
【0155】また、DVDと同程度の容量を確保するに
は、溝のピッチを0.6〜0.8μmとする。また、溝
ピッチを0.74μmとすると、DVDとの互換性がと
りやすい。溝幅は0.25〜0.5μmであることが望
ましい。0.25μmより狭いとプッシュプル信号が小
さくなりすぎてしまう。0.5μmより広いと溝間の幅
が狭くなり基板の射出成形時に樹脂が入り込みにくく、
溝形状の基板への正確な転写が困難になる。本発明媒体
は、記録後に反射率が低下する。このような媒体におい
て、溝内の反射率のほうを低くするためには、つまり、
記録後の溝内の平均反射率をRGa、記録後の溝間の平
均反射率をRLaとして、RGa<RLaとするために
は、溝幅が溝間幅より狭いことが望ましい。Further, in order to secure the same capacity as that of a DVD, the pitch of the grooves is set to 0.6 to 0.8 μm. When the groove pitch is set to 0.74 μm, compatibility with DVD is easily obtained. The groove width is desirably 0.25 to 0.5 μm. If it is smaller than 0.25 μm, the push-pull signal becomes too small. When the width is larger than 0.5 μm, the width between the grooves becomes narrower, so that the resin hardly enters during the injection molding of the substrate,
Accurate transfer to the grooved substrate becomes difficult. In the medium of the present invention, the reflectance decreases after recording. In such a medium, in order to lower the reflectance in the groove,
In order to satisfy RGa <RLa, where RGa is the average reflectance in the groove after recording and RLa is the average reflectance between the grooves after recording, it is desirable that the groove width is smaller than the groove width.
【0156】例えばDVDと互換性をとるために、溝ピ
ッチを0.74μmとすると、溝幅はその半分である
0.37μmより狭いことが好ましい。一方、記録前の
溝内の平均反射率をRGb、記録前の溝間の平均反射率
をRLbとするとき、上記RGa<RLaさえ満足すれ
ばRGb>RLbであってもよい場合には、溝幅を0.
4〜0.5μmとすることで、溝内に記録される非晶質
マークの幅を広げ、変調度を高めたり、ジッタを低減で
きることがある。さて、これら溝には、未記録の特定ト
ラックにアクセスするために、また、基板を一定線速度
で回転させる同期信号を得るために、周期的な変形を設
けることがある。一般的には、トラック横断方向に蛇行
したウォブル(wobble)が形成されることが多
い。すなわち、溝が一定周波数fwoで蛇行していれば、
その周波数を検出することで、PLL方式により回転同
期用の信号が取り出せる。溝蛇行の振幅は、40〜80
nm(peak−to−peak値)であることが望ま
しい。40nm未満では振幅が小さすぎてSN比が悪く
なるし、80nmを超えると、図6に示す記録信号のエ
ンベロープの上下端がウォブル信号に由来する低周波成
分を多く含み、再生信号の歪みが大きくなってしまう。
ウォブルの周波数が、記録データの帯域に近い場合に
は、その振幅は80nm以下であることが望ましい。For example, if the groove pitch is set to 0.74 μm for compatibility with DVD, it is preferable that the groove width is narrower than 0.37 μm, which is half the groove pitch. On the other hand, when the average reflectivity in the groove before recording is RGb and the average reflectivity between the grooves before recording is RLb, if RGb> RLb is satisfied as long as RGa <RLa is satisfied, the groove is Set the width to 0.
By setting the thickness to 4 to 0.5 μm, the width of the amorphous mark recorded in the groove may be increased, the modulation degree may be increased, and the jitter may be reduced. Now, these grooves may be periodically deformed in order to access a specific unrecorded track and to obtain a synchronization signal for rotating the substrate at a constant linear velocity. Generally, a wobble meandering in a track crossing direction is often formed. That is, if the groove meanders at a constant frequency f wo ,
By detecting the frequency, a signal for rotation synchronization can be extracted by the PLL method. The amplitude of the groove meandering is 40 to 80
nm (peak-to-peak value). If it is less than 40 nm, the amplitude is too small to deteriorate the SN ratio. If it exceeds 80 nm, the upper and lower ends of the envelope of the recording signal shown in FIG. 6 contain many low frequency components derived from the wobble signal, and the distortion of the reproduced signal is large. turn into.
When the frequency of the wobble is close to the band of the recording data, the amplitude is desirably 80 nm or less.
【0157】さらに、該蛇行周波数fwoを搬送波とし
て、特定のアドレス情報に従って、周波数変調もしくは
位相変調された蛇行を形成すれば、これを再生すること
でアドレス情報を取得できる。蛇行周波数fwoを一定と
して溝蛇行を形成すれば、fwoから生成された溝蛇行信
号の基準周期Tw もしくはその倍数又は約数から、デー
タ用の基準クロック信号Tを発生させることもできる。
通常、ウォブルの周期は、データの周波数成分より十分
に低周波又は高周波に設定し、データ信号成分との混合
を防止し、帯域フィルタ等で容易に分別できるように設
定される。特に、fwoがデータの基準クロック周期より
1〜2桁程度低くすることは記録可能CD等でも実用化
されている。CLV方式に用いる媒体においては、PL
L回転同期が達成されたのち、fwoを1〜2桁程度、倍
してデータ基準クロックを生成する。このような方法で
生成されたデータ基準クロックは、一般的に、回転同期
のゆらぎの影響(fwoの0.1〜1%程度)から、デー
タ基準クロック(周波数)と同じオーダーの揺らぎを伴
いやすい。これは、データの検出のためのウィンドーマ
ージンを悪化させる。[0157] Further, as a carrier wave a meandering frequency f wo, according to the specific address information, by forming a frequency-modulated or phase-modulated meandering can obtain the address information by reproducing it. By forming the grooves meander meandering frequency f wo is constant, the reference period T w or multiple or submultiple thereof wobbling groove signals generated from the f wo, it is also possible to generate a reference clock signal T for data.
Normally, the wobble cycle is set to a frequency sufficiently lower or higher than the frequency component of the data to prevent mixing with the data signal component and to be easily separated by a band-pass filter or the like. In particular, setting f wo to be one or two digits lower than the reference clock cycle of data has been put to practical use in recordable CDs and the like. In the medium used for the CLV method, PL
After the L rotation synchronization is achieved, f wo is multiplied by about one or two digits to generate a data reference clock. Generally, the data reference clock generated by such a method is accompanied by a fluctuation of the same order as the data reference clock (frequency) due to the influence of the rotation synchronization fluctuation (about 0.1 to 1% of f wo ). Cheap. This degrades the window margin for data detection.
【0158】そこで、溝蛇行信号とは別に、データ基準
クロックのゆらぎを補正するために、一定データ長毎
に、プリピットや振幅の大きい特殊なウォブルを挿入す
ることも有効である。一方、fwoがデータ基準クロック
周波数(1/T)もしくはその100分1から100倍
の範囲であれば、回転同期達成後、とりだされたウォブ
ル信号をもとに、そのままデータ基準クロックを発生し
ても十分な精度が確保できる。すなわち、Therefore, in addition to the groove meandering signal, it is also effective to insert a prepit or a special wobble having a large amplitude for every constant data length in order to correct the fluctuation of the data reference clock. On the other hand, if f wo is the data reference clock frequency (1 / T) or within a range of 1/100 to 100 times that of the data reference clock, the data reference clock is generated as it is based on the extracted wobble signal after the rotation synchronization is achieved. Even so, sufficient accuracy can be secured. That is,
【0159】[0159]
【数19】 100/T ≧ fwo ≧ 1/(100T) (5)[Equation 19] 100 / T ≧ f wo ≧ 1 / (100T) (5)
【0160】とする。また、既に述べたZCAV法にお
いては、基準クロック周期Tq は、各ゾーンの溝蛇行の
基準周期Twq の倍数もしくは約数として発生せしめる
のが好ましい。すなわち、周波数fwoをゾーンごとに変
更しながら、一定角速度で溝蛇行を形成することで、f
woとして生成される基準クロックもしくはその逓倍数周
波数を、データ用の基準クロックTq として発生させる
ことができる。この際に、溝のウォブルを、(5)式を
満たすような比較的高周波とすると、各ゾーンごとのデ
ータ基準クロックの生成が容易になる。そして、ゾーン
ごとに基準クロックTq を変化させ、可変パルス分割方
法をこの信号に同期させて発生させることができ、分割
された各パルスの位置精度やゆらぎが低減でき、好まし
い。ZCAV方式のゾーン分割の一例として、溝の一周
を1ゾーンとすることが考えられる。このとき溝が、ゾ
ーンによらず周期が一定のウォブルを有し、溝ピッチを
TP、蛇行周期をTw0 とすると、近似的にIt is assumed that In the previously described ZCAV method, the reference clock period T q is preferably allowed to occur as a multiple or submultiple of the reference period Tw q of the groove wobbling of each zone. That is, by forming the groove meandering at a constant angular velocity while changing the frequency f wo for each zone, f
The reference clock generated as wo or its multiple frequency can be generated as the data reference clock Tq . At this time, if the wobble of the groove is set to a relatively high frequency satisfying the expression (5), it becomes easy to generate a data reference clock for each zone. Then, the reference clock Tq is changed for each zone, and the variable pulse division method can be generated in synchronization with this signal, and the position accuracy and fluctuation of each divided pulse can be reduced, which is preferable. As an example of ZCAV type zone division, it is conceivable that one circumference of a groove is one zone. At this time groove has a wobble period is constant regardless of the zone, the groove pitch TP, the meander period as Tw 0, approximately
【0161】[0161]
【数20】2π・TP=a・Tw0 ・v0 (ただし、aは自然数)[Equation 20] 2π · TP = a · Tw 0 · v 0 (where a is a natural number)
【0162】なる関係を満たすようにすると、周期Tw
0 が一定のウォブルが、全記録領域にわたって形成さ
れ、トラック一周だけ外周になるごとに、a個のウォブ
ルが増加することになる。そして、Tw0 が、基準クロ
ック周期Tの整数倍となっていること、すなわちTw0
=mT(mは自然数)となっていることは、Tw0 から
基準クロックを発生させる場合に、単純に整数分の1と
すればよいので、基準クロック発生回路を簡略化でき望
ましい。この場合、mは近似的に自然数でなくてもよ
く、±5%程度のずれは許容できる。When the following relationship is satisfied, the period Tw
A wobble having a constant value of 0 is formed over the entire recording area, and a number of wobbles increase each time the track is turned one circumference. Then, Tw 0 is an integral multiple of the reference clock period T, that is, Tw 0
= MT to (m is a natural number) has become, in the case of generating a reference clock from Tw 0, simply because it if an integral fraction can be simplified a reference clock generation circuit desirable. In this case, m does not need to be approximately a natural number, and a deviation of about ± 5% is acceptable.
【0163】すなわち、TP=0.74μmに対して、
v0 =3.5m/s、T=38.23nsec、n=1
とすると、m≒34.7となり、近似的にウォブル周期
Tw 0 =35Tとすれば、一周ごとに含まれるウォブル
の数が1個ずつ増えていく。この場合には、CLV方式
で、ウォブルが導入されているにもかかわらず、隣接ト
ラックのウォブルの位相が常にそろっているために干渉
(ビート)によるウォブル信号の再生振幅の変動が小さ
いという利点がある。That is, for TP = 0.74 μm,
v0= 3.5 m / s, T = 38.23 nsec, n = 1
Then, m ≒ 34.7, and the wobble period is approximately
Tw 0= 35T, wobbles included in each round
Increases by one. In this case, the CLV method
In spite of the introduction of wobbles,
Interference because rack wobbles are always in phase
(Beat) fluctuation of wobble signal reproduction amplitude is small
There is an advantage that.
【0164】以上、本発明の適用例について述べたが、
本発明は相変化媒体一般のマーク長記録における線速度
依存性及び記録パワー依存性を改善するのに有効であ
り、書換え型DVDに限定されるものではない。例え
ば、波長350〜500nmの青色レーザー光とNA=
0.6以上の光学系を用いた、最短マーク長が0.3μ
m以下のマーク長変調記録を行う場合にも、本発明媒体
及び記録方法は有効である。最短マーク長は、マークの
安定性を考慮すれば10nm程度以上が好ましい。その
場合、トラック横断方向の温度分布を平坦化することに
留意する必要があり、第2保護層の膜厚を5〜15nm
と極めて薄くすることが有効である。波長350〜45
0nmのレーザー光を用いる場合は、10nm以下とす
るのがより好ましい。The application examples of the present invention have been described above.
The present invention is effective for improving the linear velocity dependency and the recording power dependency in mark length recording of a phase change medium in general, and is not limited to a rewritable DVD. For example, blue laser light having a wavelength of 350 to 500 nm and NA =
The shortest mark length is 0.3μ using an optical system of 0.6 or more
The medium and recording method of the present invention are also effective when performing mark length modulation recording of m or less. The shortest mark length is preferably about 10 nm or more in consideration of the stability of the mark. In this case, it is necessary to pay attention to flatten the temperature distribution in the cross-track direction, and the thickness of the second protective layer is set to 5 to 15 nm.
It is effective to make it extremely thin. Wavelength 350-45
In the case where a laser beam of 0 nm is used, it is more preferably set to 10 nm or less.
【0165】さらに、本発明媒体は、溝と溝間の両方を
トラックとして記録を行う、いわゆるランド&グルーブ
記録に適用してもよい。ランドとグルーブで同等の記録
特性を満たさなければならない困難さはあるものの、溝
幅が広いままトラックピッチを狭めやすく、高密度記録
に適している。溝幅GWと溝間幅LWをともに0.2〜
0.4μmとすることで、高密度でありながら安定した
トラッキングサーボ性能が得られる。また、GW/LW
比が0.8以上1.2以下であれば、溝及び溝間双方の
信号品質を同等に保てる。クロストークを低減するため
には、溝深さd=λ/(7n)〜λ/(5n)又はλ/
(3.5n)〜λ/(2.5n)とすることが望まし
い。Further, the medium of the present invention may be applied to so-called land & groove recording, in which recording is performed using both grooves as tracks. Although it is difficult to satisfy the same recording characteristics with the land and the groove, the track pitch is easily narrowed while the groove width is wide, which is suitable for high-density recording. Both groove width GW and groove width LW are 0.2 to
By setting the thickness to 0.4 μm, stable tracking servo performance can be obtained despite high density. Also, GW / LW
When the ratio is 0.8 or more and 1.2 or less, the signal quality in both the grooves and between the grooves can be kept equal. In order to reduce crosstalk, the groove depth d = λ / (7n) to λ / (5n) or λ / (5n)
It is desirable to set (3.5n) to λ / (2.5n).
【0166】[0166]
【実施例】以下に実施例を示すが、本発明はその要旨を
越えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
以下の実施例では、基板は射出成形で作成した。基板は
厚さ0.6mmの射出成形されたポリカーボネート樹脂
基板とし、特に断らない限り、溝ピッチ0.74μm、
幅0.34μm、深さ30nmの溝をスパイラル上に形
成したものを用いた。特に断らない限り、溝は線速3.
5m/sにおいて、周波数140kHzのウォブルを有
し、ウォブルの振幅は約60nm(peak−to−p
eak値)とした。The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the present invention is limited thereto.
In the following examples, the substrate was made by injection molding. The substrate was an injection-molded polycarbonate resin substrate having a thickness of 0.6 mm, and a groove pitch of 0.74 μm, unless otherwise specified.
A groove having a width of 0.34 μm and a depth of 30 nm formed on a spiral was used. Unless otherwise specified, grooves have a linear velocity of 3.
At 5 m / s, the wobble has a frequency of 140 kHz, and the amplitude of the wobble is about 60 nm (peak-to-p).
eak value).
【0167】なお、溝形状は、U溝近似の光学回折法を
用いて測定した。走査型電子顕微鏡や走査型プローブ顕
微鏡で溝形状を実測しても良い。この場合、溝深さの半
分の位置における溝幅を用いる。特に断らない限り、該
基板上に、図5(a)に示すような4層構成を成膜後、
その上に紫外線硬化樹脂からなる保護層をスピンコート
によって設け、もう1枚同じ層構成を有する0.6mm
厚基板と貼り合わせた。また、以下の実施例及び比較例
においては、図5(a)における第1保護層を下部保護
層、第2保護層を上部保護層と呼ぶこととする。The groove shape was measured using an optical diffraction method similar to a U groove. The groove shape may be measured with a scanning electron microscope or a scanning probe microscope. In this case, the groove width at a position half the groove depth is used. Unless otherwise specified, after forming a four-layer structure as shown in FIG.
A protective layer made of an ultraviolet curable resin is provided thereon by spin coating, and another protective layer having the same layer structure as 0.6 mm
It was bonded to a thick substrate. In the following examples and comparative examples, the first protective layer in FIG. 5A is referred to as a lower protective layer, and the second protective layer is referred to as an upper protective layer.
【0168】成膜直後の記録層は非晶質であり、長軸約
90μm、短軸約1.3μmに集光した波長810〜8
30nmのレーザー光ビームにより線速3.0から6.
0m/sの範囲内で適当な線速度を選んで、初期化パワ
ー500〜700mWの光を照射して全面を溶融して再
結晶化させ初期(未記録)状態とした。各層組成は蛍光
X線分析、原子吸光分析、X線励起光電子分光法等を組
み合わせて確認した。記録層、保護層の膜密度は基板上
に数百nm程度に厚く成膜した時の、重量変化から求め
た。膜厚は蛍光X線強度を触針計で測定した膜厚で校正
して用いた。反射層の面積抵抗率は4探針法抵抗計{L
oresta FP、(商品名)三菱油化(現ダイアイ
ンスツルメント)社製}で測定した。抵抗測定は、絶縁
物であるガラスもしくはポリカーボネート樹脂基板上に
成膜した反射層、あるいは、図5の4層構成(紫外線硬
化樹脂保護コート前)成膜後、最上層となる反射層で測
定した。上部保護層が誘電体薄膜で絶縁物であるため、
4層構成であっても、反射層の面積抵抗率測定に影響は
ない。また、実質的に無限大の面積とみなせる、直径1
20mmのディスク基板形状のまま測定した。得られた
抵抗値Rを元に、以下の式で、面積抵抗率ρs及び体積
抵抗率ρvを計算した。The recording layer immediately after the film formation is amorphous, and has a wavelength of 810 to 8 collected at a major axis of about 90 μm and a minor axis of about 1.3 μm.
A linear velocity of 3.0 to 6.0 with a laser beam of 30 nm.
An appropriate linear velocity was selected within the range of 0 m / s, and the whole surface was melted by irradiating light with an initialization power of 500 to 700 mW to recrystallize to obtain an initial (unrecorded) state. The composition of each layer was confirmed by a combination of fluorescent X-ray analysis, atomic absorption analysis, X-ray excited photoelectron spectroscopy, and the like. The film densities of the recording layer and the protective layer were determined from the weight change when the film was formed to a thickness of about several hundred nm on the substrate. The film thickness was used by calibrating the fluorescent X-ray intensity with the film thickness measured by a stylus meter. The area resistivity of the reflective layer is 4 probe resistance meter {L
oresta FP, (trade name) manufactured by Mitsubishi Yuka (currently Dia Instruments) Co., Ltd. The resistance was measured with a reflective layer formed on a glass or polycarbonate resin substrate as an insulator, or with a four-layer structure (before the UV-curable resin protective coat) shown in FIG. . Since the upper protective layer is a dielectric thin film and an insulator,
The four-layer configuration does not affect the measurement of the sheet resistivity of the reflective layer. Also, a diameter of 1 which can be regarded as a substantially infinite area
The measurement was performed with a disk substrate shape of 20 mm. Based on the obtained resistance value R, the area resistivity ρs and the volume resistivity ρv were calculated by the following equations.
【0169】[0169]
【数21】ρs=F・R (6) ρv=ρs・t (7)Ρs = F · R (6) ρv = ρs · t (7)
【0170】ここで、tは膜厚、Fは測定する薄膜領域
の形状で決まる補正係数であり、4.3〜4.5の値を
とる。ここでは、4.4とした。特に断らない限り、記
録再生評価にはパルステック製DDU1000評価機を
用いた。光ヘッドの波長は637nm、対物レンズの開
口数NAは0.6もしくは0.63である。ビーム径は
それぞれ約0.90μm及び約0.87μmである。な
お、ビーム径は、ガウシアンビームでエネルギー強度が
ピーク強度の1/e2 以上となる領域に相当する。Here, t is the film thickness, and F is a correction coefficient determined by the shape of the thin film region to be measured, and takes a value of 4.3 to 4.5. Here, it is set to 4.4. Unless otherwise specified, a DDU1000 evaluator manufactured by Pulstec was used for recording / reproduction evaluation. The wavelength of the optical head is 637 nm, and the numerical aperture NA of the objective lens is 0.6 or 0.63. The beam diameters are about 0.90 μm and about 0.87 μm, respectively. Note that the beam diameter corresponds to a region where the energy intensity of a Gaussian beam is 1 / e 2 or more of the peak intensity.
【0171】記録は図10に示したパルス分割方法で、
特に断らない限りm=n−1とし、αi +βi-1 =1.
0(2≦i≦m)とした。Pbはすべての線速度におい
て再生パワーと同じ1.0mWで一定とした。Pe/P
wは特に断らない限り、0.5で一定とした。Pbを、
0.8〜1.0mWの間で一定とし、Pwを変化させて
変調度及びジッタを測定した。記録する信号は、DVD
で用いられている8−16変調(EFMプラス変調)さ
れたランダム信号とした、特に断らない限り最短マーク
長は0.4μmとした。また、特に断らない場合は、単
一トラックのみ記録した状態で測定をおこなったので、
クロストークの影響は入っていない。記録は、DVDの
標準線速度3.5m/sを1倍速として、1倍速、2倍
速など様々な線速で行った。The recording is performed by the pulse division method shown in FIG.
Unless otherwise specified, m = n-1 and α i + β i-1 = 1.
0 (2 ≦ i ≦ m). Pb was constant at 1.0 mW which is the same as the reproducing power at all linear velocities. Pe / P
w was constant at 0.5 unless otherwise specified. Pb,
The modulation degree and the jitter were measured by changing Pw while keeping constant between 0.8 and 1.0 mW. The signal to be recorded is DVD
The random mark used was 8-16 modulation (EFM plus modulation), and the minimum mark length was 0.4 μm unless otherwise specified. Unless otherwise specified, the measurement was performed with only a single track recorded.
There is no influence of crosstalk. Recording was performed at various linear speeds such as 1 × speed and 2 × speed, with the standard linear speed of 3.5 m / s of DVD being 1 × speed.
【0172】再生は常に線速3.5m/sで行い、ジッ
タはイコライザー通過後の再生信号を2値化した後に測
定した。なお、ジッタはエッジ・トゥ・クロックジッタ
(edge-to clock jitter)を指し、測定値は基準クロッ
ク周期Tに対する%で表示した。イコライザーの特性は
再生専用DVD規格に準拠した。基準クロック周期T=
38.2nsec.(26.16MHz)に対して概ね
10%未満(より好ましくは8%未満)のジッタと、5
0%以上の変調度、好ましくは60%以上の変調度が得
られることが好ましい。さらにまた、繰返しオーバーラ
イト後のジッタ増加が少なく、少なくとも100回後、
好ましくは1000回後でも、Tに対して13%未満を
維持できることが望ましい。なお、再生専用DVDとの
互換性確保の立場からは650〜660nmでの再生光
での測定が重要であるが、本発明において波長は、単に
集束光ビーム形状にわずかに影響するだけであり、再生
光学系を調整すれば、本発明で使用したような637n
m光学系と同様のジッタが660nm光学系でも得られ
ることが確認されている。The reproduction was always performed at a linear velocity of 3.5 m / s, and the jitter was measured after binarizing the reproduced signal after passing through the equalizer. Note that the jitter refers to edge-to clock jitter, and the measured value is expressed as% of the reference clock cycle T. The characteristics of the equalizer conformed to the read-only DVD standard. Reference clock cycle T =
38.2 nsec. (26.16 MHz) and less than about 10% (preferably less than 8%) jitter and 5%.
It is preferable to obtain a modulation degree of 0% or more, preferably 60% or more. Furthermore, the jitter increase after repeated overwriting is small, and after at least 100 times,
Preferably, even after 1000 times, it is desirable to be able to maintain less than 13% of T. From the standpoint of ensuring compatibility with a read-only DVD, it is important to measure the reproduction light at 650 to 660 nm, but in the present invention, the wavelength only slightly affects the shape of the focused light beam. By adjusting the reproduction optical system, 637n as used in the present invention can be used.
It has been confirmed that the same jitter as in the m optical system can be obtained in the 660 nm optical system.
【0173】(実施例1及び比較例1)記録層として、
本発明に係るInGeSbTe系と従来公知のInAg
SbTe四元系とを比較するために、AgとGeの組成
以外はほぼ厳密に記録層組成及び層構成をそろえた媒体
を表−1のように用意した。両記録層は、AgとGeを
置き換えた以外、組成はほとんど測定誤差の範囲内で十
分同等とみなせる範囲である。下部保護層の膜厚が異な
っているのは、媒体の反射率Rtopが同じとなるよう
に調整したためである。記録層の屈折率が微妙に違うせ
いで、このような補正が必要なのであるが、記録層への
光の吸収効率を同じにして、再生光による熱ダメージの
影響を同じにして比較するためには必要な補正である。
記録層膜厚及び上部保護層膜厚が同じであるから、放熱
効果及び熱ダメージについては同等とみなせる。基板は
0.6mm厚のポリカーボネート樹脂で、溝ピッチ0.
74μm、溝幅0.34μm、溝深さ27nm、ウォブ
ル周波数140kHz(線速度3.5m/s)、ウォブ
ル振幅60nm(peak−to−peak値)の溝が
形成されており、該溝内に記録を行った。(Example 1 and Comparative Example 1) As the recording layer,
InGeSbTe system according to the present invention and conventionally known InAg
In order to compare the SbTe quaternary system, a medium in which recording layer compositions and layer configurations were almost strictly prepared except for the composition of Ag and Ge was prepared as shown in Table 1. Except for replacing Ag and Ge in both recording layers, the composition is within a range that can be regarded as sufficiently equivalent within a range of the measurement error. The reason why the thicknesses of the lower protective layers are different is that the reflectance Rtop of the medium is adjusted to be the same. Such correction is necessary because the refractive index of the recording layer is slightly different.However, in order to make the same light absorption efficiency to the recording layer and the same thermal damage effect due to the reproduction light, a comparison was made. Is the necessary correction.
Since the thickness of the recording layer and the thickness of the upper protective layer are the same, the heat radiation effect and the thermal damage can be regarded as equivalent. The substrate is made of a polycarbonate resin having a thickness of 0.6 mm and a groove pitch of 0.1 mm.
A groove having a width of 74 μm, a groove width of 0.34 μm, a groove depth of 27 nm, a wobble frequency of 140 kHz (linear velocity of 3.5 m / s), and a wobble amplitude of 60 nm (peak-to-peak value) is formed and recorded in the groove. Was done.
【0174】[0174]
【表1】 [Table 1]
【0175】この2種類の媒体に対して、記録線速度
3.5m/s、T=38.2ナノ秒において、EFMプ
ラス変調で記録を行ったところ、良好なオーバーライト
記録特性を示した。オーバーライト記録条件は、それぞ
れのディスクの特性が必ずしもベストとなる条件ではな
く、両方の特性が表−1に示すようにほぼ同等となるよ
うな共通の条件で行った。すなわち、図10(a)に示
すパルス分割方法において、m=n−1、αi +βi-1
=1.0(2≦i≦m)、αi =αc =一定(2≦i≦
m)とし、α1 =0.5、αc =0.3、βm =0.5
とし、Pw=13.5mW、Pe=6.5mW、Pb=
0.8mWとした。このように記録された信号に、再生
光を繰返し照射し、再生光安定性を調べた。所定の再生
光パワーPrで所定回数照射したのち、再生光パワーを
0.5mWと十分低くしてジッタ等の測定を行った。結
果を図12に示す。実施例1の媒体は、再生光パワー1
mWでは106 回まで全く再生光による劣化を示さなか
った。0.1mWずつパワーを上げると徐々に劣化が早
くなる程度である。When recording was performed by EFM plus modulation on these two types of media at a recording linear velocity of 3.5 m / s and T = 38.2 nanoseconds, good overwrite recording characteristics were exhibited. The overwrite recording conditions were not the conditions under which the characteristics of the respective discs were always the best, but were performed under the common condition that both characteristics were almost the same as shown in Table 1. That is, in the pulse division method shown in FIG. 10A, m = n−1, α i + β i−1
= 1.0 (2 ≦ i ≦ m), α i = α c = constant (2 ≦ i ≦
m), α 1 = 0.5, α c = 0.3, β m = 0.5
Pw = 13.5 mW, Pe = 6.5 mW, Pb =
0.8 mW. The signal thus recorded was repeatedly irradiated with reproduction light, and the reproduction light stability was examined. After irradiating a predetermined number of times with a predetermined reproduction light power Pr, the reproduction light power was sufficiently reduced to 0.5 mW to measure jitter and the like. The result is shown in FIG. The medium of the first embodiment has a reproduction light power of 1
It did not show a degradation due to reproducing light at all until mW in 10 six times. When the power is increased by 0.1 mW, the deterioration is gradually accelerated.
【0176】一方、比較例1の媒体は、再生光パワー1
mW以上のすべての再生光において、最初の100〜1
000回までの間に急激にジッタが増加したのち徐々に
悪化する。全体としてジッタ値が高いが、初期のジッタ
悪化が致命的である。比較例1においてはまた、再生光
により変調度が低下し、100回程度の照射で10%程
度低下して落ち着いた。初期はジッタが急増するため、
変調度の低下は不均一に進行していると考えられる。実
施例1及び比較例1の記録済媒体を、80℃/80%R
Hの環境下に放置して、加速試験を行ったところ、25
0時間後には実施例1のディスクの特性は、ほとんど全
く変化していないのに対して、比較例1のディスクの記
録信号は、ほぼ完全に消えていた。比較例1の組成の記
録層材料では非晶質マークが極めて不安定なことがわか
る。On the other hand, the medium of Comparative Example 1 had a reproduction light power of 1
For all reproduction light of mW or more, the first 100 to 1
The jitter suddenly increases up to 000 times and then gradually worsens. Although the jitter value is high as a whole, the initial jitter deterioration is fatal. In Comparative Example 1, the degree of modulation was also reduced by the reproduction light, and was reduced by about 10% after about 100 irradiations and calmed down. Initially, the jitter increases sharply,
It is considered that the decrease in the degree of modulation progresses unevenly. The recorded media of Example 1 and Comparative Example 1 were subjected to 80 ° C./80% R
H was left in an environment of H and the accelerated test was performed.
After 0 hour, the characteristics of the disk of Example 1 hardly changed at all, whereas the recording signals of the disk of Comparative Example 1 were almost completely erased. It can be seen that the amorphous mark is extremely unstable in the recording layer material having the composition of Comparative Example 1.
【0177】このように実施例1のディスクにおいて
は、初期のオーバーライト記録特性とともに、耐再生光
安定性、経時安定性に優れている。これは、Sb0.7 T
e0.3に過剰のSbを含む合金系において、Geの適量
の添加が非常に効果的であることを示している。実施例
1の媒体について、80℃/80%RHの環境下で加速
試験を行った。2000時間まで加速試験を実施した。
加速試験前に記録した信号のジッタの悪化は1%程度に
過ぎなかった。また、変調度は初期が64%であった
が、2000時間加速試験後も61%と、ほとんど変化
しなかった。反射率もほとんど全く変化していなかっ
た。2000時間後に未記録部に新たに記録を行った場
合のジッタの悪化は3%程度であったが、実用上全く支
障の無いレベルである。また、実施例1の媒体におい
て、ジッタの記録パルス分割方法依存性を、m=n−1
及びm=n−2の場合について詳細に検討した。As described above, the disc of Example 1 is excellent not only in initial overwrite recording characteristics but also in reproduction light stability and stability with time. This is Sb 0.7 T
In an alloy system containing excess Sb in e 0.3, a suitable amount of addition of Ge is shown to be very effective. The acceleration test was performed on the medium of Example 1 in an environment of 80 ° C./80% RH. An accelerated test was performed up to 2000 hours.
The deterioration of the jitter of the signal recorded before the acceleration test was only about 1%. The degree of modulation was 64% at the beginning, but hardly changed to 61% even after the acceleration test for 2000 hours. The reflectance was almost unchanged at all. The deterioration of jitter when new recording was performed on an unrecorded portion after 2000 hours was about 3%, but this is a level that does not hinder practical use at all. Further, in the medium of the first embodiment, the dependency of the jitter on the recording pulse division method is expressed as m = n−1.
And the case where m = n−2 was studied in detail.
【0178】図13は、線速3.5m/sにおいてそれ
ぞれ(a)m=n−1、(b)m=n−2で記録した場
合のジッタの、α1 、αc 依存性を示す等高線図であ
る。また、図14は、線速7.0m/sにおいてそれぞ
れ(a)m=n−1、(b)m=n−2で記録した場合
のジッタの、α1 、αc 依存性を示す等高線図である。
各図の測定に用いたPw,Pe,Pb及びβm は各図の
上に示している。線速3.5m/sにおいては、m=n
−1,m=n−2いずれの場合にも、α 1 =0.7〜
0.8、αc =0.35〜0.40の近傍において、最
も低いジッタ(概ね7%以下)が得られているのがわか
る。線速7.0m/sにおいては、m=n−1,m=n
−2いずれの場合にも、α 1 =0.5付近、αc =0.
40付近において、最も低いジッタが得られているのが
わかる。最小のジッタが得られる近傍のα1 、αc に対
しては、いずれの場合もΣαi <0.5nなる条件を満
たす。なお、本実施例では、線速3.5m/s、7.0
m/sいずれの場合にも、m=n−2とすることで、よ
り低いジッタ値が得られており、また、m=n−1の場
合に比べて、大きいα1 に対しても低ジッタが得られて
いる。FIG. 13 shows that at a linear velocity of 3.5 m / s.
When (a) m = n-1 and (b) m = n-2,
Of jitter when1, ΑcFIG. 5 is a contour diagram showing dependency.
You. FIG. 14 shows the results at a linear velocity of 7.0 m / s.
(A) When m = n-1, (b) When m = n-2
The jitter of α1, ΑcFIG. 3 is a contour diagram showing dependency.
Pw, Pe, Pb and β used for measurement in each figuremOf each figure
Shown above. At a linear velocity of 3.5 m / s, m = n
−1 and m = n−2, α 1= 0.7-
0.8, αc= 0.35 to 0.40, the maximum
Low jitter (about 7% or less)
You. At a linear velocity of 7.0 m / s, m = n-1, m = n
-2, in either case, α 1= Around 0.5, αc= 0.
Around 40, the lowest jitter is obtained.
Understand. Α near the minimum jitter1, ΑcTo
Then, in any case, Σαi<0.5n
Add In this embodiment, the linear velocity is 3.5 m / s and the linear velocity is 7.0.
In any case of m / s, by setting m = n−2,
Lower jitter value, and when m = n-1.
Α larger than1With low jitter
I have.
【0179】さらに、上記実施例1の媒体を、NA=
0.63の評価機を用いて、表−2のように、記録パル
ス分割方法を変えて、ジッタの線速依存性を評価した。
なお、基準クロック周期Tは線速に反比例させている。
パルス分割方法は、m=n−1、αi +βi-1 =1.0
(2≦i≦m)、αi =αc =一定(2≦i≦m)とし
ている。Pw、Pb、Peは線速によらず一定とした。
ここで、表−2のパルス分割方法では、全線速度におい
て、Σαi <0.5nが満たされている。DVDの標準
線速の1倍速から2.5倍速程度まで良好なオーバーラ
イト特性が得られた。本媒体は、記録領域を3〜4ゾー
ンに分割して、ゾーン毎にわずかに記録パルスストラジ
ーを変更することで、CAV方式であっても、記録領域
全域において良好なオーバーライト特性を示す。Further, the medium of the above-mentioned Example 1 was changed to NA =
Using a 0.63 evaluator, the linear velocity dependence of jitter was evaluated by changing the recording pulse division method as shown in Table-2.
Note that the reference clock cycle T is inversely proportional to the linear velocity.
The pulse division method is as follows: m = n-1, α i + β i-1 = 1.0
(2 ≦ i ≦ m), α i = α c = constant (2 ≦ i ≦ m). Pw, Pb, and Pe were constant regardless of the linear velocity.
Here, in the pulse dividing method of Table 2, Σα i <0.5n is satisfied at all linear velocities. Good overwrite characteristics were obtained from 1 × to 2.5 × the standard linear speed of DVD. This medium exhibits good overwrite characteristics over the entire recording area even in the CAV system by dividing the recording area into 3 to 4 zones and slightly changing the recording pulse strategy for each zone.
【0180】[0180]
【表2】 [Table 2]
【0181】また、波長660nm、NA=0.65の
評価機を用いて記録再生を行っても、同様の結果が得ら
れた。Similar results were obtained when recording / reproducing was performed using an evaluator having a wavelength of 660 nm and NA = 0.65.
【0182】(実施例2)基板上に、下部保護層(Zn
S)80(SiO2 )20、記録層Ge0.05Sb0.73Te
0.22、上部保護層(ZnS)80(SiO2 )20、反射層
Al0.995 Ta0.00 5 を、各層の膜厚を様々に変えて設
けた。各層の膜厚を表−3に示す。すべての薄膜はスパ
ッタ法で真空を解除せずに作成した。反射層の成膜は到
達真空度2×10-4Pa以下、Ar圧0.54Pa、成
膜レート1.3nm/秒で行った。その体積抵抗率は5
5nΩ・m、面積抵抗率は0.28Ω/□であった。酸
素、窒素等の不純物はX線励起光電子分光での検出感度
以下で、全部併せてもほぼ1原子%未満であると見なせ
る。(ZnS)80(SiO2 )20保護層の膜密度は3.
50g/cm3 で、理論的バルク密度3.72g/cm
3 の94%であった。また、記録層密度はバルク密度の
90%であった。熱シミュレーションから見積もった保
護層の熱伝導率は3.5×10-4pJ/(μm・K・n
sec)であった。Example 2 A lower protective layer (Zn) was formed on a substrate.
S) 80 (SiO 2 ) 20 , recording layer Ge 0.05 Sb 0.73 Te
0.22, upper protective layer (ZnS) 80 (SiO 2) 20, a reflective layer Al 0.995 Ta 0.00 5, provided with variously changing the film thickness of each layer. Table 3 shows the thickness of each layer. All thin films were formed by sputtering without releasing the vacuum. The film formation of the reflective layer was performed at an ultimate vacuum of 2 × 10 −4 Pa or less, an Ar pressure of 0.54 Pa, and a film formation rate of 1.3 nm / sec. Its volume resistivity is 5
5 nΩ · m and the sheet resistivity was 0.28 Ω / □. Impurities such as oxygen and nitrogen are less than the detection sensitivity in X-ray excitation photoelectron spectroscopy, and can be considered to be less than about 1 atomic% in total. (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 The protective layer has a film density of 3.
50 g / cm 3 , theoretical bulk density 3.72 g / cm 3
94% of three . The recording layer density was 90% of the bulk density. The thermal conductivity of the protective layer estimated from the thermal simulation is 3.5 × 10 −4 pJ / (μm · K · n
sec).
【0183】このようにして作成した媒体に、1倍速及
び2倍速それぞれにおいて、図10(a)に示すパルス
分割方法を、各媒体の層構成ごとに最適化して用い、記
録(オーバーライト)を行った。そののち、初回、10
回、1000回オーバーライト後のジッタを測定した。
測定には、記録再生ともに、波長637nm、NA=
0.63の光学系を用いた。表−3に、各媒体の1倍速
での最適パルス分割方法、ジッタ、Rtop、変調度を
まとめた。In the medium prepared in this manner, the pulse division method shown in FIG. 10A was optimized for each layer configuration of each medium at 1 × speed and 2 × speed, and recording (overwriting) was performed. went. After that, the first 10
And after 1,000 times of overwriting, the jitter was measured.
In the measurement, the wavelength 637 nm and NA =
An optical system of 0.63 was used. Table 3 summarizes the optimum pulse division method, jitter, Rtop, and modulation factor at 1 × speed for each medium.
【0184】[0184]
【表3】 [Table 3]
【0185】いずれも、1倍速で、最短マーク長0.4
μmのマーク長変調記録が行えており、大きな初期変調
度が得られている。上部保護層膜厚を20nmとする
と、初期ジッタ、1000回オーバーライト後のジッ
タ、ともに10%未満であった。上部保護層膜厚を30
nmとすると、初期のジッタは良好であるが、繰返しオ
ーバーライトによるジッタ増加が若干多く、1000回
オーバーライト後は、ジッタが10〜12%となった。
上部保護層膜厚を40nmとすると、初期ジッタが13
%以上となり、また、繰返しオーバーライトで急激に悪
化して20%以上となった。さらに、記録層膜厚を30
nmと厚くした実施例2(h2)は、初回記録ジッタが
13%以上あり、繰返しオーバーライトによるジッタの
悪化が著しかった。下部保護層膜厚を45nmとした実
施例2(i2)は、繰返しオーバーライト耐久性が悪か
った。また、反射層の厚みが250nmのほうが200
nmよりも、いっそう良好なジッタが得られた。すなわ
ち、このような高密度のマーク長記録においては、「超
急冷構造」とするのが好ましいことがわかる。In each case, at 1 × speed, the shortest mark length was 0.4
The mark length modulation recording of μm was performed, and a large initial modulation degree was obtained. When the thickness of the upper protective layer was 20 nm, both the initial jitter and the jitter after overwriting 1000 times were less than 10%. Upper protective layer thickness is 30
When the value is nm, the initial jitter is good, but the increase in jitter due to repeated overwriting is slightly large, and the jitter is 10 to 12% after 1000 times of overwriting.
When the upper protective layer thickness is 40 nm, the initial jitter is 13
% Or more, and suddenly deteriorated by repeated overwriting to 20% or more. Further, when the recording layer thickness is 30
In Example 2 (h2) having a thickness as large as 10 nm, the initial recording jitter was 13% or more, and the deterioration of the jitter due to repeated overwriting was remarkable. In Example 2 (i2) in which the lower protective layer had a thickness of 45 nm, the repeated overwrite durability was poor. Further, when the thickness of the reflective layer is 250 nm, 200
A better jitter than nm was obtained. That is, in such a high-density mark length recording, it is understood that the “ultra-quenching structure” is preferable.
【0186】次に、実施例2(g1)の媒体の、ジッタ
の記録パワーPw依存性を評価した。パルス分割方法
は、図10においてm=n−1とし、Pw=14mW、
Pe/Pw=0.5、βm =0.5として、1倍速及び
2倍速で記録した。そののち、α1 及びαc =αi (2
≦i≦m)に対するジッタの依存性を評価した。2倍速
ではα1 =0.5、αc =0.4、βm =βn-1 =0.
5、Pw=14mWとし、1倍速ではα1 =0.7、α
c =0.3、βm =βn-1 =0.5、Pw=14mWと
した。このとき、2倍速では、Σαi =0.3n(n=
3)、0.33n(n=4)、0.34n(n=5)、
0.38n以下(n=6〜14)であった。1倍速で
は、Σαi =0.33n(n=3)、0.33n(n=
4)、0.32n(n=5)、0.32n未満(n=6
〜14)であった。図15にその結果を示す。初回及び
10回オーバーライト後のジッタの記録パワーPw依存
性、並びに、10回オーバーライト後の、反射率Rto
p及び変調度Modの記録パワーPw依存性、を示し
た。(a)は2倍速記録、(b)は1倍速記録の場合で
ある。なお、Rtopは、図6でのItopに相当す
る。また、図中、DOW(Direct Overwrite)とはオー
バーライトのことを指す。次に、オーバーライト耐久性
を評価した。図16にその結果を示す。ジッタ、反射率
及び変調度について、それぞれオーバーライト1000
回後までの値を示した。(a)は2倍速記録、(b)は
1倍速記録の場合である。いずれの場合も、ジッタは、
10回程度までは漸増するが10回以降は安定化し、ジ
ッタ、変調度、反射率ともに1000回までほとんど劣
化しなかった。Next, the dependency of jitter on the recording power Pw of the medium of Example 2 (g1) was evaluated. In the pulse division method, m = n−1 in FIG. 10, Pw = 14 mW,
Recording was performed at 1 × speed and 2 × speed, with Pe / Pw = 0.5 and β m = 0.5. Then, α 1 and α c = α i (2
.Ltoreq.i.ltoreq.m). At 2 × speed, α 1 = 0.5, α c = 0.4, β m = β n-1 = 0.
5, Pw = 14 mW, α 1 = 0.7, α at 1 × speed
c = 0.3, β m = β n-1 = 0.5, and Pw = 14 mW. At this time, at 2 × speed, Σα i = 0.3n (n =
3), 0.33n (n = 4), 0.34n (n = 5),
0.38n or less (n = 6 to 14). At 1 × speed, Σα i = 0.33n (n = 3), 0.33n (n =
4), 0.32n (n = 5), less than 0.32n (n = 6
1414). FIG. 15 shows the result. Dependence of jitter on recording power Pw after initial and 10 overwrites, and reflectance Rto after 10 overwrites
p and the degree of modulation Mod depend on the recording power Pw. (A) shows the case of 2 × speed recording, and (b) shows the case of 1 × speed recording. Note that Rtop corresponds to Itop in FIG. In the drawing, DOW (Direct Overwrite) indicates overwriting. Next, the overwrite durability was evaluated. FIG. 16 shows the result. Overwrite 1000 for jitter, reflectance and modulation
The values up to the end are shown. (A) shows the case of 2 × speed recording, and (b) shows the case of 1 × speed recording. In each case, the jitter is
It increased gradually up to about 10 times, but stabilized after 10 times, and there was almost no deterioration in jitter, modulation, and reflectivity up to 1000 times.
【0187】さらに、本媒体を、線速9m/sで、基準
クロック周期を14.9nsecとした以外は上記2倍
速(線速7m/s)と同じパルス分割方法で、Pw=1
4mWとしてオーバーライトを行った。消去比は30d
B以上の十分な値が得られた。また、ジッタも11%未
満と良好であった。実施例2(g1)の媒体について
は、線速3〜8m/sの範囲において、Pw=14m
W、Pb=1mW、Pe/Pw=0.5、βm =0.5
で一定で、α1とαc のみを変化させることで良好なジ
ッタが得られた。すなわち、線速3〜5m/sにかけて
は、α1 =0.7、αc =0.35、線速5〜7m/s
にかけては、α1 =0.65、αc =0.4、線速7〜
8m/sにかけてはα1 =0.55、αc =0.45、
というように少なくとも3段階に変化させれば、概ね9
%未満の良好なジッタが得られた。より細かく、1m/
s刻みで、α1 とαc を変化させれば、各線速度におい
てより良好なジッタが得られると考えられる。なお、P
w=11〜14mWにおいて、Pe/Pwが0.4〜
0.5で最良のジッタが得られた。また、Pbが1.5
mWを越えるとジッタが急激に悪化した。ここで、Pe
/Pw=0.5としてPb依存性を調べたところ、Pb
が1.0mW未満なら、ほぼ最良のジッタが得られた。
すなわち、Pb/Peは0.2未満が好ましい。Further, this medium was subjected to the same pulse division method as that of the above-mentioned double speed (linear speed of 7 m / s) except that the linear velocity was 9 m / s and the reference clock cycle was 14.9 nsec.
Overwriting was performed at 4 mW. Erasure ratio is 30d
A sufficient value of B or more was obtained. Also, the jitter was as good as less than 11%. For the medium of Example 2 (g1), Pw = 14 m in a linear velocity range of 3 to 8 m / s.
W, Pb = 1 mW, Pe / Pw = 0.5, β m = 0.5
In a constant, it is good jitter of changing only the alpha 1 and alpha c is obtained. That is, when the linear velocity is 3 to 5 m / s, α 1 = 0.7, α c = 0.35, and the linear velocity is 5 to 7 m / s.
, Α 1 = 0.65, α c = 0.4, linear velocity 7 to
For 8 m / s, α 1 = 0.55, α c = 0.45,
If you change it in at least three stages,
% Of good jitter was obtained. 1m /
If α 1 and α c are changed at intervals of s, it is considered that better jitter can be obtained at each linear velocity. Note that P
When w = 11 to 14 mW, Pe / Pw is 0.4 to
The best jitter was obtained at 0.5. Also, Pb is 1.5
When the power exceeds mW, the jitter rapidly deteriorated. Where Pe
When Pb dependence was examined with /Pw=0.5, Pb
Is less than 1.0 mW, almost the best jitter was obtained.
That is, Pb / Pe is preferably less than 0.2.
【0188】次に、上部保護層膜厚が20nmの実施例
2(g1)と、40nmの実施例2(d2)を比較す
る。両媒体に対して、記録マーク長依存性を、1倍速に
おいて下記のように測定した。NA=0.6の光学系を
用い、EFMプラス変調において最短マークである3T
マークの長さを、0.5μmから短縮していったとき
の、ジッタのマーク長依存性を評価した。記録線速は
3.5m/sで一定であり、パルス分割方法も上記のも
ので一定とし、基準クロック周期を変化させてマーク長
を変化させた。ただし、最短マーク長が0.46μm以
上の場合は、装置上の制約から、再生速度3.5m/s
ではCLV制御が困難になるため、再生速度を5m/s
とした。なお、最短マーク長0.4μmが、再生専用D
VD規格に対応する。図17にその結果を示す。(a)
は実施例2(g1)の媒体、(b)は実施例2(d2)
の媒体である。Next, Example 2 (g1) in which the thickness of the upper protective layer is 20 nm is compared with Example 2 (d2) in which the thickness of the upper protective layer is 40 nm. For both media, the recording mark length dependence was measured at 1 × speed as follows. 3T which is the shortest mark in EFM plus modulation using an optical system with NA = 0.6
The mark length dependency of jitter when the mark length was reduced from 0.5 μm was evaluated. The recording linear velocity was constant at 3.5 m / s, the pulse division method was constant as described above, and the mark length was changed by changing the reference clock cycle. However, when the shortest mark length is 0.46 μm or more, the reproduction speed is 3.5 m / s due to restrictions on the device.
In this case, the CLV control becomes difficult, so the reproduction speed is set to 5 m / s.
And Note that the shortest mark length of 0.4 μm is
It corresponds to the VD standard. FIG. 17 shows the result. (A)
Is the medium of Example 2 (g1), and (b) is the medium of Example 2 (d2).
Medium.
【0189】実施例2(g1)の媒体は、最短マーク長
0.38μm程度まで、ジッタが13%未満で使用可能
であることがわかる。なお、NA=0.63の光学系を
用いると、約2%程度のジッタ低減が可能であった。ま
た、再生時のイコライザーを最適化するとやはり2%程
度のジッタ低減が可能であった。これに加えてNA=
0.65の光学系を使用すれば、0.35μmでも十分
良好なジッタが得られると考えられる。実施例2(d
2)の媒体は、マーク長0.45μm以上では概ね問題
のないジッタが得られているが、0.45μm未満で急
激にジッタが増加し、マーク長0.40μmではジッタ
13%以上となり使用不可能となった。次に、いわゆる
チルトマージンを評価するため、実施例2(g1)の媒
体に、EFMプラス変調されたランダムパターン信号を
複数トラックにわたって記録後、基板を再生レーザー光
の光軸に対して意図的に傾けて、再生時のジッタの変化
を測定した。記録再生の光学系はNA=0.6、記録線
速は1倍速又は2倍速、いずれも10回オーバーライト
後の再生である。図18に測定結果を示した。チルトマ
ージンは、ラジアル方向で±0.7〜0.8度、円周方
向で±0.5〜0.6度であり、通常のドライブにおい
て問題のないレベルであった。It can be seen that the medium of Example 2 (g1) can be used with a jitter of less than 13% up to the shortest mark length of about 0.38 μm. When an optical system with NA = 0.63 was used, it was possible to reduce the jitter by about 2%. Also, by optimizing the equalizer at the time of reproduction, it was possible to reduce the jitter by about 2%. In addition, NA =
If an optical system of 0.65 is used, it is considered that a sufficiently good jitter can be obtained even at 0.35 μm. Example 2 (d
In the medium 2), jitter having almost no problem was obtained at a mark length of 0.45 μm or more, but the jitter increased sharply at a mark length of less than 0.45 μm, and at a mark length of 0.40 μm, the jitter was 13% or more, and the medium was unusable. It has become possible. Next, in order to evaluate the so-called tilt margin, after the EFM plus modulated random pattern signal is recorded over a plurality of tracks on the medium of Example 2 (g1), the substrate is intentionally moved with respect to the optical axis of the reproduction laser beam. By tilting, the change in jitter during reproduction was measured. The optical system for recording / reproducing is NA = 0.6, and the recording linear velocity is 1 × or 2 ×, both of which are reproduction after overwriting 10 times. FIG. 18 shows the measurement results. The tilt margin was ± 0.7 to 0.8 degrees in the radial direction and ± 0.5 to 0.6 degrees in the circumferential direction, which was a level that would not cause a problem in a normal drive.
【0190】<加速試験>実施例2(g1)の媒体の一
部のトラックに、Pw=13mWとして、上記最適パル
ス分割方法を用い、EFMプラス変調されたランダムパ
ターンを記録し、ジッタを測定した。そののち、本媒体
を、80℃/80%RHの高温高湿下で加速試験を行っ
た。加速試験500時間後及び1000時間後に、本ト
ラックのジッタを再度測定したところ、1000時間後
に1%程度悪化したのみであった。また、加速試験10
00時間後に、他のトラックに、上記と同一条件でラン
ダムパターンを記録しジッタを測定したところ、2%程
度の悪化が見られたが、この程度であれば実用上問題は
ない。また、1倍速及び2倍速で同様に記録を行い、8
0℃/80%RHの高温高湿下で1000時間の加速試
験前後での変調度を評価した。1倍速では、初期変調度
が61%、加速試験後変調度が58%であった。2倍速
では、初期変調度が60%、加速試験後変調度が58%
であった。 <対再生光安定性>実施例2(g1)の媒体に対し、再
生光を、パワーを1.2mWまで上げて照射したが、1
0分程度では全く劣化しなかった。次にパワーを1.0
mWとして、再生光を100万回まで繰返し照射した
が、ジッタの増加は2%未満であった。<Acceleration Test> An EFM-plus-modulated random pattern was recorded on a part of the track of the medium of Example 2 (g1) using the above-mentioned optimal pulse division method with Pw = 13 mW, and the jitter was measured. . After that, the medium was subjected to an acceleration test under high temperature and high humidity of 80 ° C./80% RH. When the jitter of this track was measured again after 500 hours and 1000 hours of the acceleration test, it was found that the jitter only deteriorated by about 1% after 1000 hours. In addition, acceleration test 10
After 00 hours, a random pattern was recorded on another track under the same conditions as above, and the jitter was measured. As a result, a deterioration of about 2% was observed. In addition, recording was similarly performed at 1 × speed and 2 × speed, and
The modulation was evaluated before and after the acceleration test for 1000 hours under the high temperature and high humidity of 0 ° C./80% RH. At 1 × speed, the initial modulation was 61%, and the modulation after the acceleration test was 58%. At 2 × speed, the initial modulation is 60% and the modulation after the acceleration test is 58%
Met. <Stability against reproduction light> The medium of Example 2 (g1) was irradiated with reproduction light at a power increased to 1.2 mW.
No degradation was observed at about 0 minutes. Next, increase the power to 1.0
When the reproduction light was repeatedly irradiated up to 1,000,000 times at mW, the increase in jitter was less than 2%.
【0191】(実施例3)記録層組成をGe0.05Sb
0.71Te0.24とした以外は実施例2と同様の層構成とし
て、媒体を作成した。各層の膜厚及び評価結果をを表−
4に示す。測定には、NA=0.63の光学系を使用し
た。表−3と同様に、それぞれの層構成でα1 、αc 、
βn-1 を最適化し、かつ、Pw、Peもジッタが最低と
なるよう設定してジッタを評価した。いずれも、1倍速
で、最短マーク長0.4μmのマーク長変調記録が行え
ており、大きな初期変調度が得られている。実施例3
(a)については実施例2(a1)と同様、記録線速が
1倍速と2倍速では良好な特性が得られたが、9m/s
では実施例2(a1)より1〜2%ジッタが高めであっ
た。また、上保護層膜厚が30nmである実施例3
(a)〜(f)では、ジッタ10%未満が得られ、10
0回オーバーライト後も13%未満であった。上保護層
膜厚が40nmと厚い実施例3(g)〜(i)では、ジ
ッタは13%より大きい値しか得られなかった。Example 3 The composition of the recording layer was Ge 0.05 Sb
A medium was prepared with the same layer configuration as in Example 2 except that 0.71 Te 0.24 was used. Table 1 shows the thickness of each layer and the evaluation results.
It is shown in FIG. An optical system with NA = 0.63 was used for the measurement. As in Table 3, α 1 , α c ,
The jitter was evaluated by optimizing β n-1 and setting Pw and Pe so that the jitter was minimized. In each case, mark length modulation recording with a minimum mark length of 0.4 μm was performed at 1 × speed, and a large initial modulation degree was obtained. Example 3
As for (a), as in Example 2 (a1), good characteristics were obtained when the recording linear velocity was 1 × and 2 ×, but 9 m / s.
In Example 2, the jitter was higher by 1 to 2% than in Example 2 (a1). Example 3 in which the thickness of the upper protective layer is 30 nm
In (a) to (f), a jitter of less than 10% is obtained, and
It was less than 13% even after overwriting 0 times. In Examples 3 (g) to (i) in which the thickness of the upper protective layer was as thick as 40 nm, the jitter could only be obtained with a value larger than 13%.
【0192】[0192]
【表4】 [Table 4]
【0193】(実施例4)層構成は、下部保護層(Zn
S)80(SiO2 )20を膜厚215nm、記録層Ge
0.05Sb0.69Te0.26を18nm、上部保護層(Zn
S)80(SiO2 )20を18nm、反射層Al0.995 T
a0.005 を200nmとした。本記録層組成は、線速3
〜5m/sでの記録で良好な特性が得られるもので、い
わゆる1倍速用である。しかし、過剰Sb量が実施例
2、3よりわずかに少ないため、経時安定性に優れてお
り、記録された情報の保存安定性や繰返し再生による劣
化、すなわち再生光耐久性を重視するには好ましい。以
下はNA=0.6の光学系で評価した。最適パルス分割
方法の決定は以下のように行った。記録線速3.5m/
sにおいて、Pw=13mW、Pe/Pw=0.5と
し、図10においてβm =0.5で一定としてα1 、α
c を変化させて最小のジッタが得られるパルス分割方法
を選んだ。図19に、10回オーバーライト後のジッタ
のα1 及びαc 依存性を、ジッターの等高線図として示
す。α1=0.4〜0.8、αc =0.3〜0.35と
することでほぼ最良のジッタが得られたので、それを基
本とし、α1 =0.6、αc =0.35を選択した。こ
のとき、Σαi =0.32n(n=3)、0.33n
(n=4)、0.3n(n=5)、0.35n未満(n
=6〜14)であった。変調度は65%と、再生専用D
VDに比べても遜色ない値であった。Rtopは23%
程度であるが、実際上15%以上であれば、既存の再生
専用ドライブでも再生が可能であると考えられる。そこ
で、本発明記録媒体にPw=12.5mW、線速3.5
m/sにて画像データを記録し、市販の再生専用DVD
プレーヤーで再生を試みたところ、フォーカスサーボ、
トラッキングサーボ信号、ジッタは通常の再生専用DV
Dと同等の特性が得られた。Example 4 The layer structure was such that the lower protective layer (Zn
S) 80 (SiO 2 ) 20 having a thickness of 215 nm and a recording layer Ge
18 S of 0.05 Sb 0.69 Te 0.26 with an upper protective layer (Zn
S) 80 (SiO 2 ) 20 of 18 nm, reflective layer Al 0.995 T
a 0.005 was set to 200 nm. The composition of the present recording layer has a linear velocity of 3
Good characteristics can be obtained at a recording speed of up to 5 m / s. However, since the amount of excess Sb is slightly smaller than that of Examples 2 and 3, the stability with time is excellent, and it is preferable to emphasize the storage stability of recorded information and deterioration due to repeated reproduction, that is, reproduction light durability. . The following was evaluated using an optical system with NA = 0.6. The optimal pulse division method was determined as follows. Recording linear velocity 3.5m /
In s, Pw = 13mW, and Pe / Pw = 0.5, α 1 as constant beta m = 0.5 in FIG. 10, alpha
The pulse division method that can obtain the minimum jitter by changing c was selected. FIG. 19 shows the dependency of jitter on α 1 and α c after 10 overwrites as a contour map of jitter. Almost the best jitter was obtained by setting α 1 = 0.4 to 0.8 and α c = 0.3 to 0.35. Based on this, α 1 = 0.6 and α c = 0.35 was selected. At this time, Σα i = 0.32n (n = 3), 0.33n
(N = 4), 0.3n (n = 5), less than 0.35n (n
= 6 to 14). Modulation degree is 65%
It was a value comparable to VD. Rtop is 23%
In practice, if it is 15% or more, it can be considered that reproduction can be performed with an existing reproduction-only drive. Therefore, the recording medium of the present invention has a Pw of 12.5 mW and a linear velocity of 3.5.
Record image data at m / s.
When I tried to play on the player, the focus servo,
Tracking servo signal and jitter are normal read-only DV
Characteristics equivalent to D were obtained.
【0194】<繰返しオーバーライト耐久性>図20
に、Pw=12.5mWにおける、ジッタ、Rtop、
変調度の繰返しオーバーライト回数依存性を示した。1
000回以上のオーバーライト後も、十分に安定な特性
を示している。<Durability of repeated overwriting> FIG.
In addition, at Pw = 12.5 mW, jitter, Rtop,
The dependence of the degree of modulation on the number of repeated overwrites is shown. 1
Even after overwriting 000 times or more, it shows sufficiently stable characteristics.
【0195】<加速試験>本媒体の一部のトラックに、
Pw=13mWとして、上記最適パルス分割方法を用
い、EFMプラス変調されたランダムパターンを記録
し、ジッタを測定した。そののち、本媒体を、80℃/
80%RHの高温高湿下で加速試験を行った。加速試験
500時間後及び1000時間後に、本トラックのジッ
タを再度測定したところ、1000時間後に0.5%未
満悪化したのみであった。また、変調度は初期が65%
であり、加速試験後は63%であった。また、加速試験
1000時間後に、他のトラックに、上記と同一条件で
ランダムパターンを記録しジッタを測定したところ、1
%程度の悪化が見られたが、この程度であれば実用上問
題はない。<Acceleration Test> Some of the tracks on this medium
Assuming that Pw = 13 mW, an EFM-plus-modulated random pattern was recorded using the above-described optimal pulse division method, and jitter was measured. After that, the medium was heated to 80 ° C /
An acceleration test was performed under high temperature and high humidity of 80% RH. When the jitter of this track was measured again after 500 hours and 1000 hours of the acceleration test, it was found that the track deteriorated by less than 0.5% after 1000 hours. The modulation degree is initially 65%
And 63% after the accelerated test. After 1000 hours of the acceleration test, a random pattern was recorded on another track under the same conditions as above and the jitter was measured.
%, But there is no practical problem with this level.
【0196】<対再生光安定性>本媒体に対し、再生光
を、パワーを1.3mWまで上げて照射したが、10分
程度では全く劣化しなかった。次にパワーを1.0mW
として、再生光を100万回まで繰返し照射したが、ジ
ッタの増加は1%未満であった。<Stability with respect to reproduction light> The medium was irradiated with reproduction light at a power of 1.3 mW, but did not deteriorate at all in about 10 minutes. Next, increase the power to 1.0mW
As described above, the reproduction light was repeatedly irradiated up to 1,000,000 times, and the increase in jitter was less than 1%.
【0197】(実施例5)実施例2(a1)の層構成に
おいて記録層をGe0.05Sb0.75Te0.20とした。評価
はNA=0.6の光学系で行った。α1 =0.4、αc
=0.3、βm =0.5、Pw=14mW、Pe/Pw
=0.5において最良のジッタが得られた。初期変調度
も十分に大きかった。10回オーバーライト後のジッタ
は10%をぎりぎりきり、1000回後も13%未満が
維持された。[0197] The recording layer in the layer structure of (Example 5) Example 2 (a1) was Ge 0.05 Sb 0.75 Te 0.20. The evaluation was performed with an optical system having NA = 0.6. α 1 = 0.4, α c
= 0.3, β m = 0.5, Pw = 14 mW, Pe / Pw
= 0.5 gave the best jitter. The initial modulation was also sufficiently large. After 10 times of overwriting, the jitter was barely less than 10%, and after 1000 times, less than 13% was maintained.
【0198】<加速試験>本媒体の一部のトラックに、
Pw=14mWとして、上記最適パルス分割方法を用
い、EFMプラス変調されたランダムパターンを記録
し、ジッタを測定した。そののち、本媒体を、80℃/
80%RHの高温高湿下で加速試験を行った。加速試験
500時間後に、本トラックのジッタを再度測定したと
ころ、2%程度悪化したのみであった。また、加速試験
500時間後に、他のトラックに、上記と同一条件でラ
ンダムパターンを記録しジッタを測定したところ、3%
程度の悪化が見られたが、この程度であれば実用上問題
はない。<Acceleration test> Some tracks of this medium
Using Pw = 14 mW, the EFM plus modulated random pattern was recorded by using the above-mentioned optimal pulse division method, and the jitter was measured. After that, the medium was heated to 80 ° C /
An acceleration test was performed under high temperature and high humidity of 80% RH. After 500 hours of the acceleration test, the jitter of this track was measured again, and it was only about 2% worse. 500 hours after the acceleration test, a random pattern was recorded on another track under the same conditions as above, and the jitter was measured.
Although the degree of deterioration was observed, there is no practical problem with this degree.
【0199】<対再生光安定性>本媒体に対し、再生光
を、パワーを1.0mWまで上げて照射したが、10分
程度では全く劣化しなかった。次にパワーを1.0mW
として、再生光を100万回まで繰返し照射したが、ジ
ッタの増加は3%未満であり、13%未満が維持され
た。<Stability to reproduction light> The medium was irradiated with reproduction light at a power of 1.0 mW, but did not deteriorate at all in about 10 minutes. Next, increase the power to 1.0mW
As described above, the reproduction light was repeatedly irradiated up to 1,000,000 times, but the increase in jitter was less than 3%, and was kept at less than 13%.
【0200】(実施例6)実施例4の層構成において、
記録層をAg0.05Ge0.05Sb0.67Te0.23とした。N
A=0.6の光学系で評価した。線速度3.5m/sに
おいて、ジッタのパルス分割方法依存性(α1 及び
αc)をPw=13mW、Pe/Pw=0.5、m=n
−1、βm =0.5で測定したところ、図21(a)に
示す等高線図のようになった。α1 =0.6、αc =
0.35がほぼ最適であった。この場合、Σαi =0.
32n(n=3)、0.33n(n=4)、0.33n
(n=5)、0.35n未満(n=6〜14)であっ
た。(Embodiment 6) In the layer structure of the embodiment 4,
The recording layer was made of Ag 0.05 Ge 0.05 Sb 0.67 Te 0.23 . N
The evaluation was performed using an optical system of A = 0.6. At a linear velocity of 3.5 m / s, the dependency of the jitter on the pulse division method (α 1 and α c ) is Pw = 13 mW, Pe / Pw = 0.5, m = n
Measurement at −1, β m = 0.5 resulted in a contour diagram shown in FIG. α 1 = 0.6, α c =
0.35 was almost optimal. In this case, Σα i = 0.
32n (n = 3), 0.33n (n = 4), 0.33n
(N = 5) and less than 0.35n (n = 6 to 14).
【0201】図21(b)に、初回、10回、1000
回オーバーライト後のジッタのパワー依存性を、図21
(c)に、10回オーバーライト後のRtop及び変調
度のパワー依存性を示した。1000回オーバーライト
後まで広い記録パワーの範囲において、良好なジッタが
維持され、また、Rtop18%、変調度60%以上が
達成できた。図22には、Pw=13mWにおけるジッ
タ、Rtop、変調度の10000回オーバーライト後
の変化まで示した。ジッタが1%程度初期に増加する他
は、全く劣化がなかった。また、実施例1と同様の方法
で、ジッタの最短マーク長依存性を測定した結果を図2
3に示す。最短マーク長0.38μmでジッタは10%
未満と極めて良好であった。なお、本媒体に対して、m
=n−2としたパルス分割方法についても評価を行った
ところ、α1 =1.0、αc =0.5、βm =0.5に
おいて図21と同様な特性が得られた。n=3でΣαi
=0.48n、n=4でΣαi =0.48n、n≧5で
Σαi =0.46n〜0.47nであった。FIG. 21 (b) shows the first time, 10 times, 1000 times.
FIG. 21 shows the power dependency of the jitter after the overwriting.
(C) shows the power dependence of Rtop and the modulation factor after 10 overwrites. Good jitter was maintained in a wide range of recording power up to after overwriting 1000 times, and Rtop 18% and modulation degree 60% or more could be achieved. FIG. 22 shows changes in jitter, Rtop, and modulation at Pw = 13 mW after 10,000 overwrites. There was no deterioration except for the initial increase in jitter of about 1%. FIG. 2 shows the result of measuring the shortest mark length dependency of jitter in the same manner as in Example 1.
3 is shown. 10% jitter with shortest mark length 0.38μm
It was very good with less than. Note that, for this medium, m
The evaluation was also performed on the pulse division method where n = n−2, and the same characteristics as those in FIG. 21 were obtained when α 1 = 1.0, α c = 0.5, and β m = 0.5. Σα i at n = 3
= 0.48 N, was Σα i = 0.46n~0.47n with n = 4 Σα i = 0.48n, at n ≧ 5.
【0202】(比較例2)実施例6の層構成において、
記録層をAg0.05In0.05Sb0.63Te0.27とした。線
速度3.5m/sにおいて、Pw=13mW、Pe/P
w=0.5、βm =0.5として、ジッタのパルス分割
方法依存性を評価したところ、図24(a)に示す等高
線図が得られた。α1 =1.0、αc =0.5が最適で
あり、この場合、Σαi はnによらず0.5nで一定で
あった。記録パワー依存性及び1000回後までの繰返
しオーバーライト特性を図24(b),(c)に示し
た。初回記録のジッタ及びパワーマージンは実施例5よ
り良好であったが、繰返しオーバーライトにより劣化
し、1000回後にはむしろ、より悪めのジッタとなっ
た。さらに再生光パワーを1mWまであげたところ、5
分程度でジッタが悪化し、十数%まで増加した。この差
は0.5〜1mWの記録感度差では説明がつかない。再
生光劣化の主原因は50〜100℃程度に温度が上昇す
るためであり、本発明のGe添加が非晶質マークの熱安
定性改善に効果的であることがわかる。(Comparative Example 2) In the layer structure of Example 6,
The recording layer was made of Ag 0.05 In 0.05 Sb 0.63 Te 0.27 . At a linear velocity of 3.5 m / s, Pw = 13 mW, Pe / P
When w = 0.5 and β m = 0.5, the dependency of the jitter on the pulse division method was evaluated, and the contour diagram shown in FIG. 24A was obtained. α 1 = 1.0 and α c = 0.5 were optimal. In this case, Σα i was constant at 0.5n regardless of n. FIGS. 24B and 24C show the recording power dependency and the repetitive overwrite characteristics up to 1000 times. The jitter and power margin in the first recording were better than in Example 5, but deteriorated due to repeated overwriting, and became worse rather after 1000 times. When the reproducing light power was further increased to 1 mW, 5
The jitter deteriorated in about a minute and increased to more than 10%. This difference cannot be explained by a recording sensitivity difference of 0.5 to 1 mW. The main cause of the reproduction light deterioration is that the temperature rises to about 50 to 100 ° C., and it can be seen that the Ge addition of the present invention is effective for improving the thermal stability of the amorphous mark.
【0203】(比較例3)層構成を、(ZnS)80(S
iO2 )20下部保護層を膜厚90nm、Ge2 Sb2 T
e5 記録層を21nm、(ZnS)80(SiO2 )20上
部保護層を23nm、Al0.995 Ta0.005 反射層を2
00nmとした。記録に際しては、図10(a)に示す
パルス分割方法を基本とし、各マーク長、線速において
最良のジッタが得られるように微調整を行った。この媒
体に対しては、図25に示すように、α1 =αc =α0
=0.3〜0.4で一定で、βm =1.0としたストラ
テジーで概ね最良のジッタが得られた。また、Pw=1
3mW、Pe/Pw=0.4(Pe=5mW)、Pb=
2.0mWが最適記録パワーであり、Pb/Pe=0.
4と高めになっているが、これは、本比較例の記録層で
は図9におけるTLをある程度高めに維持する必要があ
るためである。Pbが1mW未満でもジッタは悪いが、
Pbが3mW以上でもやはりジッタは悪化した。このパ
ルス分割方法をベースとし、さらに、マーク長に応じて
α0 に対して0.02程度の精密なパルス幅調整まで行
い、実施例2と同様に、マーク長依存性を測定した。結
果を図26(a)に示す。また、オーバーライト時の線
速依存性を測定した。結果を図26(b)に示す。線速
依存性は、線速に応じて基準クロック周期を変更し、最
短マーク長が0.4μmになるようにし、再生は常に
3.5m/sで行った。また、線速依存性については、
10回オーバーライト後のジッタと、その後DC消去し
た後に1回オーバーライト記録を行った場合のジッタと
を載せた。図26(a)に示すとおり、最短マーク長
0.4μmでジッタ10%であり、より短くなると急激
にジッタが悪化した。また、図26(b)に示すとお
り、記録線速5m/s以上でジッタが悪化している。し
かし、一旦DC消去した後の記録ではジッタが2〜3%
以上低下している。このことから、いわゆる結晶状態と
非晶質状態の吸収率差による温度上昇の不均一により、
消去不良もしくは非晶質マークの形状の歪みが生じ、ジ
ッタが悪化していると考えられる。(Comparative Example 3) The layer structure was changed to (ZnS) 80 (S
iO 2 ) 20 Lower protective layer having a thickness of 90 nm, Ge 2 Sb 2 T
e 5 recording layer 21 nm, (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 upper protective layer 23 nm, Al 0.995 Ta 0.005 reflective layer 2
00 nm. At the time of recording, the pulse division method shown in FIG. 10A was used as a basis, and fine adjustment was performed so that the best jitter could be obtained at each mark length and linear velocity. For this medium, as shown in FIG. 25, α 1 = α c = α 0
= 0.3 to 0.4, and the best jitter was obtained with the strategy of β m = 1.0. Also, Pw = 1
3 mW, Pe / Pw = 0.4 (Pe = 5 mW), Pb =
2.0 mW is the optimum recording power, and Pb / Pe = 0.
The reason for this is that the TL in FIG. 9 needs to be maintained at a somewhat high level in the recording layer of this comparative example. Even if Pb is less than 1 mW, the jitter is bad,
Even when Pb was 3 mW or more, the jitter deteriorated. Based on this pulse division method, the pulse width was adjusted to a precise value of about 0.02 with respect to α0 according to the mark length, and the mark length dependency was measured as in Example 2. The results are shown in FIG. In addition, the linear velocity dependence during overwriting was measured. The results are shown in FIG. Regarding the linear velocity dependency, the reference clock cycle was changed according to the linear velocity so that the shortest mark length was 0.4 μm, and reproduction was always performed at 3.5 m / s. Regarding the linear velocity dependence,
The jitter after overwriting 10 times and the jitter when overwriting is performed once after DC erasure are shown. As shown in FIG. 26A, the jitter was 10% at the shortest mark length of 0.4 μm, and the jitter became sharply worse as the length became shorter. In addition, as shown in FIG. 26B, the jitter deteriorates at a recording linear velocity of 5 m / s or more. However, in the recording after DC erasure, the jitter is 2-3%.
It has fallen above. From this, the non-uniform temperature rise due to the difference in the absorption rate between the so-called crystalline state and the amorphous state,
It is considered that erasure failure or distortion of the shape of the amorphous mark occurs, and the jitter is deteriorated.
【0204】なお、線速7m/sでオーバーライト後の
ジッタは20%以上であったが、DC消去後の記録では
15%程度になった。従って、高線速時におけるジッタ
が高くなるのは、適切なパルス分割方法が選択されてい
なかったからではないと考えられる。本記録層は、もと
もと、粗大グレインがあるためジッタが高いが、それに
加えて、線速5m/s以上では、オーバーライト時に以
前のマークの消去が不十分になり、DC消去後記録との
ジッタとの差として、その影響が明確に現れる。なお、
前述の実施例2(g1)の媒体に7m/sでオーバーラ
イトした場合と、DC消去後記録した場合の、ジッタの
差は0.5%未満であった。Ge2 Sb2 Te5 のよう
なGeTe−Sb2 Te3 擬似二元合金記録層を用いた
記録媒体の場合、保護層/記録層/保護層/反射層から
なる4層構成では、5〜6m/s以上の高線速では、上
記のようにDC消去後記録は問題ないがオーバーライト
時にはジッタが悪化する。このため、ジッタ低減のため
に、さらに光吸収層などを追加して吸収率補正をするな
どの対応が必要である。Although the jitter after overwriting at a linear velocity of 7 m / s was 20% or more, the recording after DC erasure was about 15%. Therefore, it is considered that the reason why the jitter at the time of the high linear velocity becomes high is that an appropriate pulse division method has not been selected. Originally, this recording layer has a high jitter due to coarse grains. However, at a linear velocity of 5 m / s or more, the erasure of the previous mark becomes insufficient at the time of overwriting, and the jitter with the recording after the DC erasure is reduced. The effect clearly appears as a difference from the above. In addition,
The difference in jitter between the case of overwriting the medium of Example 2 (g1) at 7 m / s and the case of recording after DC erasure was less than 0.5%. For GeTe-Sb 2 Te 3 pseudo binary alloy recording layer recording media using such as Ge 2 Sb 2 Te 5, the four-layer structure comprising protective layer / recording layer / protective layer / reflective layer, 5 to 6 m At a high linear velocity of / s or higher, recording after DC erasure is not a problem as described above, but at the time of overwriting, jitter deteriorates. For this reason, in order to reduce jitter, it is necessary to take measures such as adding an additional light absorbing layer to correct the absorptance.
【0205】(比較例4)実施例2(g1)において記
録層をGe0.15Sb0.64Te0.21とした。初期結晶化が
非常に困難で、複数回初期化ビームを照射してようやく
初期化し、オーバーライトしてジッタを測定したが、パ
ルス分割方法を図10の範囲内でどのように変更しても
13%以下のジッタは得られなかった。また、繰返しオ
ーバーライトしていくと、10回から100回までの間
でジッタが数%増加した。Comparative Example 4 In Example 2 (g1), the recording layer was Ge 0.15 Sb 0.64 Te 0.21 . Initial crystallization is very difficult. Initializing is performed several times by initializing beam, and the jitter is measured by overwriting. % Or less was not obtained. In addition, when overwriting was repeated, the jitter increased by several% from 10 to 100 times.
【0206】(比較例5)実施例2(g1)の層構成に
おいて、記録層をGe0.05Sb0.80Te0.15とした。7
m/sにおいてα1 =0.4、αc =0.3、βm =
0.5、Pw=14mW,Pe/Pw=0.5でほぼ最
良のジッタが得られたが、ジッタは10回オーバーライ
ト後で11%をぎりぎりきる程度であり、1000回後
には13%以上となってしまった。Comparative Example 5 In the layer configuration of Example 2 (g1), the recording layer was Ge 0.05 Sb 0.80 Te 0.15 . 7
At m / s, α 1 = 0.4, α c = 0.3, β m =
At 0.5, Pw = 14 mW, Pe / Pw = 0.5, almost the best jitter was obtained. However, the jitter was barely less than 11% after 10 times of overwriting, and 13% or more after 1000 times. It has become.
【0207】<加速試験>本媒体の一部のトラックに、
Pw=14mWとして、上記最適パルス分割方法を用
い、EFMプラス変調されたランダムパターンを記録
し、ジッタを測定した。そののち、本媒体を、80℃/
80%RHの高温高湿下で加速試験を行った。加速試験
500時間後に、本トラックのジッタを再度測定したと
ころ、3%程度悪化し、13%以上となった。また、加
速試験500時間後に、他のトラックに、上記と同一条
件でランダムパターンを記録しジッタを測定したとこ
ろ、5%程度の悪化が見られ、劣化が早かった。<Acceleration Test> Some of the tracks on the medium were
Using Pw = 14 mW, the EFM plus modulated random pattern was recorded by using the above-mentioned optimal pulse division method, and the jitter was measured. After that, the medium was heated to 80 ° C /
An acceleration test was performed under high temperature and high humidity of 80% RH. After 500 hours of the accelerated test, the jitter of this track was measured again. After 500 hours of the acceleration test, a random pattern was recorded on another track under the same conditions as above, and the jitter was measured. As a result, about 5% deterioration was observed, and deterioration was quick.
【0208】<対再生光安定性>本媒体に対し、再生光
を、パワーを1.0mWまで上げて照射したところ、1
0分後にジッタが3%増加し、非常に不安定であった。
また、変調度が低下しマークが消える傾向があった。<Stability to reproduction light> The medium was irradiated with reproduction light at a power increased to 1.0 mW.
After 0 minute, the jitter increased by 3% and was very unstable.
In addition, the degree of modulation decreased and the marks tended to disappear.
【0209】(実施例7)実施例2(a1)の媒体に対
して、1倍速(線速度3.5m/s、基準クロック周期
T=38.2nsec)から2.25倍速(7.9m/
s、T=17nsec)において、α1 T=τ1 =19
nsec、αc T=τc =11nsecですべての線速
において一定とし、Tのみを線速に反比例させてEFM
プラス信号を記録した。また、αi +βi-1 =1.0で
一定となるβi を決定した。なお、最終のオフパルス区
間βm のみを、線速が遅いほど長くなるよう変化させ
た。このようなパルス分割方法では、図11のゲート発
生のタイミングの説明図において、基準クロック周期T
に同期させて(一定の遅延を付加することはありう
る)、τ1 =19nsecの固定長パルス一個(Gat
e1)とτc =11nsecの固定長パルスをn−2個
(Gate2)発生させれば良く、さらに最終オフパル
ス長を決めるGate3のみ線速に応じて変化させれば
良く、パルス発生回路を簡略化でき好ましい。さらに本
実施例においては、記録パワーPw=13.5mW、P
e=5mW、Pb=0.5mWで一定としているため、
パルス発生回路は極めて簡便化できる。ここで、線速が
5m/s以下では、Σαi <0.47nが満足されてい
るため、熱ダメージは十分抑制されている。表−5に、
各線速においてβm を変化させた場合の、ジッタの値を
まとめた。表中vは基準速度3.5m/sを表す。ピッ
クアップの波長は637nm、NA=0.63である。
ジッタの値自体は実施例2のように、パルス分割方法を
より柔軟に可変とした場合にくらべ、若干悪い値となる
が、ほぼ10%未満の値が、1倍速から2.25倍速ま
で得られている。ここで、2倍速でβH m =0.3、1
倍速でβL m =0.6(四角で囲まれた点)として、β
m を線速に反比例させて変化させれば、1倍速から2倍
速の各線速で10%未満のジッタが得られることがわか
る。さらに、本実施例においては、βm のマージンは少
ないもののβm =0.2として一定にしても、1倍速か
ら2.25倍速まで10%未満のジッタが得られる。こ
のようにして、線速によって可変できるパルス発生回路
を簡易化できる。また、あらかじめ記録媒体上に、凹凸
ピットもしくは変調された溝蛇行信号により、Pb、P
e/Pw,Pw,τ0 、τc 、(βL m ,βH m )を記
載すれば最適な記録条件がオーバーライト時の線速度に
応じて自動的に決定できる。(Embodiment 7) The medium of Embodiment 2 (a1) is changed from 1 × speed (linear velocity 3.5 m / s, reference clock cycle T = 38.2 nsec) to 2.25 × speed (7.9 m / s).
s, T = 17 nsec), α 1 T = τ 1 = 19
nsec, α c T = τ c = 11 nsec, constant at all linear velocities, and only T is inversely proportional to the linear velocity and EFM
A positive signal was recorded. Further, to determine the α i + β i-1 = 1.0 constant at beta i. Incidentally, only the final off pulse section beta m, was changed so that the linear velocity becomes slower longer. In such a pulse division method, the reference clock cycle T
(A constant delay may be added), and one fixed-length pulse of τ 1 = 19 nsec (Gat
e1) and n-2 fixed-length pulses (Gate 2) with τ c = 11 nsec may be generated, and only Gate 3 that determines the final off-pulse length may be changed according to the linear velocity, thereby simplifying the pulse generation circuit. It is preferable. Further, in this embodiment, the recording power Pw = 13.5 mW, P
Since e = 5 mW and Pb = 0.5 mW are constant,
The pulse generation circuit can be extremely simplified. Here, when the linear velocity is 5 m / s or less, Δα i <0.47 n is satisfied, so that the thermal damage is sufficiently suppressed. In Table-5,
The values of jitter when β m is changed at each linear velocity are summarized. In the table, “v” indicates a reference speed of 3.5 m / s. The wavelength of the pickup is 637 nm and NA = 0.63.
The jitter value itself is slightly worse than when the pulse division method is made more flexible as in the second embodiment, but a value of less than about 10% is obtained from 1 × to 2.25 × speed. Have been. Here, β H m = 0.3, 1 at double speed
Assuming β L m = 0.6 (point enclosed by a square) at double speed, β
It can be seen that if m is changed in inverse proportion to the linear velocity, a jitter of less than 10% can be obtained at each linear velocity from 1 × to 2 ×. Further, in the present embodiment, although the margin of β m is small, even if β m = 0.2 is fixed, a jitter of less than 10% can be obtained from 1 × speed to 2.25 × speed. In this way, a pulse generation circuit that can be varied according to the linear velocity can be simplified. Further, Pb, Pb are formed on the recording medium in advance by using uneven pits or modulated groove meandering signals.
e / Pw, Pw, τ 0 , τ c, can be automatically determined in accordance with the linear velocity during (β L m, β H m ) optimum recording condition overwriting if described.
【0210】[0210]
【表5】 [Table 5]
【0211】(実施例8)層構成を、下部保護層(Zn
S)80(SiO2 )20を膜厚215nm、記録層Ge
0.05Sb0.69Te0.26を19nm、上部保護層(Zn
S)80(SiO2 )20を20nm、反射層Al0.995 T
a0.005 を200nmとした。線速3.5m/sで、パ
ルス分割方法をα1 =0.5、αc =0.35、βm=
0.5、Pw=11mW、Pe=6.0mW、Pb=
0.5mWとし、基準クロック周期Tを変化させて最短
マーク長(3Tマーク長)を0.4μmから0.25μ
mまで変化させて記録を行った。3Tマークのマーク長
が0.4μmのときのT=38.2nsec、0.2μ
mのときのT=19.1nsecである。記録レーザー
波長は637nm、NA=0.63である。この集束レ
ーザー光はガウシアン分布を有しているために、中心部
の高温部分だけを利用して、光学的分解能以上に高密度
に記録することが可能である。記録部分を波長432n
m、NA=0.6、パワー0.5mWである青色レーザ
ー光で再生した。このレーザー光は波長約860nmの
レーザー光から非線形光学効果により発生されたもので
ある。この層構成では、432nmにおいても変調度5
0%以上という大きな変調度が得られた。さらに、図2
8に、記録に用いた637nm,NA=0.63の光学
系で再生した場合と、432nm、NA=0.6の光学
系で再生した場合のジッタを、最短マーク長依存性とし
て示した。測定においてはイコライザーの設定値を各測
定点において可能な限り最適化している。この記録媒体
では、青色レーザー光再生では、最短マーク長0.3μ
mでも13%未満の良好なジッタが得られていることが
わかる。(Embodiment 8) The layer structure was changed to the lower protective layer (Zn
S) 80 (SiO 2 ) 20 having a thickness of 215 nm and a recording layer Ge
0.05 Sb 0.69 Te 0.26 19 nm, upper protective layer (Zn
S) 80 (SiO 2 ) 20 of 20 nm, reflective layer Al 0.995 T
a 0.005 was set to 200 nm. At a linear velocity of 3.5 m / s, the pulse division method is α 1 = 0.5, α c = 0.35, β m =
0.5, Pw = 11 mW, Pe = 6.0 mW, Pb =
The shortest mark length (3T mark length) is changed from 0.4 μm to 0.25 μm by changing the reference clock cycle T to 0.5 mW.
m and recording was performed. T = 38.2 nsec, 0.2 μm when the mark length of the 3T mark is 0.4 μm
T at m is 19.1 nsec. The recording laser wavelength is 637 nm and NA = 0.63. Since this focused laser beam has a Gaussian distribution, it is possible to record at a higher density than the optical resolution by using only the central high temperature portion. The recording part is wavelength 432n
The reproduction was performed with a blue laser beam having m, NA = 0.6 and power of 0.5 mW. This laser light is generated from a laser light having a wavelength of about 860 nm by a nonlinear optical effect. In this layer configuration, even at 432 nm, the modulation degree is 5
A large degree of modulation of 0% or more was obtained. Further, FIG.
FIG. 8 shows the shortest mark length dependency when reproducing with the optical system of 637 nm and NA = 0.63 used for recording and when reproducing with the optical system of 432 nm and NA = 0.6. In the measurement, the set value of the equalizer is optimized as much as possible at each measurement point. In this recording medium, the shortest mark length is 0.3 μm for blue laser light reproduction.
It can be seen that good jitter of less than 13% was obtained even for m.
【0212】(比較例6)実施例2(a1)の層構成に
おいて、記録層をGe0.05Sb0.64Te0.31とした。波
長637nm、NA=0.63の光学系で記録評価を行
った。線速3.5m/sにおいて、m=n−1,α1 =
0.4、αc =0.4、βm =0.4、Pb=0.5m
W,Pe=4.5mWで一定として、Pwのみを変化さ
せて10回目までオーバーライト記録を行った。このと
きのジッタの記録パワー依存性を図27(a)に示す。
図中、1writeとは未記録ディスクの初回記録を、
1DOWとは1回目のオーバーライトを、10DOWと
は10回目のオーバーライトを指す。次に、Pw=8.
5mWで一定として、Peのみを変化させて10回めま
でオーバーライト記録を行った。このときのジッタの消
去パワー依存性を図27(b)に示す。いずれの場合
も、初回記録(1write)では良好なジッタ得られ
るが1回でもオーバーライトするとジッタは急激に悪化
した。本比較例における記録層組成は、図3において直
線AよりTeリッチな組成であり、結晶化速度が遅いた
めに十分な消去比が得られず、よって十分なオーバーラ
イト特性が得られなかったと考えられる。[0212] In the layer structure of Comparative Example 6 Example 2 (a1), the recording layer was changed to Ge 0.05 Sb 0.64 Te 0.31. Recording evaluation was performed with an optical system having a wavelength of 637 nm and NA = 0.63. At a linear velocity of 3.5 m / s, m = n-1, α 1 =
0.4, α c = 0.4, β m = 0.4, Pb = 0.5 m
With W and Pe being constant at 4.5 mW, overwrite recording was performed up to ten times by changing only Pw. FIG. 27A shows the recording power dependency of the jitter at this time.
In the figure, 1 write means the first recording of an unrecorded disc,
1DOW indicates the first overwrite, and 10DOW indicates the 10th overwrite. Next, Pw = 8.
The overwrite recording was performed up to the tenth time while changing Pe only, while keeping constant at 5 mW. FIG. 27B shows the dependency of the jitter on the erasing power. In each case, good jitter was obtained in the first recording (1 write), but the jitter was sharply deteriorated by overwriting even once. It is considered that the composition of the recording layer in this comparative example is a composition richer than that of the straight line A in FIG. 3 and a sufficient erasing ratio was not obtained due to a low crystallization rate, and thus a sufficient overwriting characteristic was not obtained. Can be
【0213】(実施例9及び比較例7)実施例2(a
1)の層構成において、表−6に示すように記録層組成
を変化させた。Ge0.05Sb0.73Te0.22ターゲットと
GeとをコスパッタすることによりGe量を変化させた
ものである。波長637nm、NA=0.63の光学系
を用い、m=n−1、Pb=0.5mW、βm =0.5
として、α1 、αc 、Pw,Peを変化させて10回オ
ーバーライト後のジッタが最小となる条件を探した。各
記録層組成で得られた最小ジッタは表−6のようであっ
た。Ge添加量が増えるにつれジッタが増加し、Geが
10原子%以上だと、2倍速でのジッタが14%と非常
に高くなってしまった。なお、本媒体を80℃80%R
Hの条件下、加速試験を行ったところ、実施例9(a)
に比べて実施例9(b)、(c)が若干、良好であっ
た。すなわち、加速試験2000時間後に、加速試験前
に記録した信号を読み出したところ、実施例9(a)〜
(c)のいずれの場合においても、ジッタは1%程度悪
化しているのみであった。また、実施例9(a)〜
(c)の初期変調度は61〜63%であり、2000時
間の加速試験後も58〜59%の変調度が得られた。反
射率もほとんど全く変化していなかった。特に、実施例
9(b)、(c)では0.5%以内の増加であった。Example 9 and Comparative Example 7 Example 2 (a
In the layer structure 1), the composition of the recording layer was changed as shown in Table-6. The Ge amount was changed by co-sputtering a Ge 0.05 Sb 0.73 Te 0.22 target and Ge. Using an optical system with a wavelength of 637 nm and NA = 0.63, m = n-1, Pb = 0.5 mW, β m = 0.5
As a result, a condition in which the jitter after overwriting 10 times was minimized by changing α 1 , α c , Pw, and Pe was searched for. Table 6 shows the minimum jitter obtained for each recording layer composition. As the amount of Ge added increased, the jitter increased. When Ge was 10 atomic% or more, the jitter at double speed was as high as 14%. In addition, this medium was used at 80 ° C. and 80% R
When an acceleration test was performed under the condition of H, Example 9 (a) was obtained.
Examples 9 (b) and 9 (c) were slightly better than Comparative Examples. That is, the signals recorded before the acceleration test were read out after 2000 hours of the acceleration test,
In each case (c), the jitter was only degraded by about 1%. Moreover, Example 9 (a)-
The initial modulation degree of (c) was 61 to 63%, and a modulation degree of 58 to 59% was obtained even after the acceleration test for 2000 hours. The reflectance was almost unchanged at all. In particular, in Examples 9 (b) and (c), the increase was within 0.5%.
【0214】[0214]
【表6】 [Table 6]
【0215】次に、Ge0.05Sb0.73Te0.22ターゲッ
トとTaとをコスパッタすることにより、Taを添加し
た。その結果、GeSbTeに対してTaを1〜2原子
%添加したときに、最良のジッタが得られた。Next, Ta was added by co-sputtering a Ge 0.05 Sb 0.73 Te 0.22 target and Ta. As a result, when Ta was added to GeSbTe in an amount of 1 to 2 atomic%, the best jitter was obtained.
【0216】(実施例10及び比較例8)実施例2(g
1)の層構成において、記録層をInを添加したGeS
bTeとした。InはGeSbTeターゲットにInS
bTeをコスパッタして添加したものである。各記録層
組成は、実施例10(a)がGe0.05Sb0.74T
e0.21、実施例10(b)がIn0.023 Ge0.048 Sb
0.719 Te0.21、実施例10(c)がIn0.053 Ge
0.044 Sb0.688 Te0.215 、比較例8がIn0.118 G
e0. 041 Sb0.617 Te0.224 である。それぞれの媒体
のジッタのパワー依存性を評価した結果を図29(a)
(b)(c)(d)に示した。上段は記録線速3.5m
/sの場合、下段は同7.0m/sの場合である。用い
た光学系はいずれも637nm、NA=.63である。
線速3.5m/sの場合はα1 =0.6、αc =0.3
5、βm =0.5とし、7.0m/sの場合はα1 =
0.4、αc =0.4、βm =0.5とした。Pb=
0.5mWで一定とした。Peは2通りの値で一定と
し、Pwのみ変化させてジッタのPw依存性を測定し
た。In量が2〜5原子%程度の添加でPwマージンが
大幅に改善された。しかし、10原子%を越すと、添加
しない場合よりかえってジッタが悪化した。また、オー
バーライト1000回後のジッタは、実施例10(a)
〜(c)では、両線速ともに10原子%未満であった
が、比較例8では両線速ともに13%より高くなった。Example 10 and Comparative Example 8 Example 2 (g
In the layer structure of 1), the recording layer is GeS to which In is added.
bTe. In uses InS for GeSbTe target.
bTe is added by co-sputtering. The composition of each recording layer was as follows: Example 10 (a) was Ge 0.05 Sb 0.74 T
e 0.21 , Example 10 (b) was In 0.023 Ge 0.048 Sb
0.719 Te 0.21 , Example 10 (c) shows In 0.053 Ge
0.044 Sb 0.688 Te 0.215, Comparative Example 8 is an In 0.118 G
e 0. is a 041 Sb 0.617 Te 0.224. FIG. 29A shows the result of evaluating the power dependency of the jitter of each medium.
(B), (c) and (d). The upper row is a recording linear velocity of 3.5 m.
/ S, the lower row shows the case of 7.0 m / s. The optical systems used were all 637 nm, NA =. 63.
When the linear velocity is 3.5 m / s, α 1 = 0.6 and α c = 0.3
5, β m = 0.5, and when 7.0 m / s, α 1 =
0.4, α c = 0.4, and β m = 0.5. Pb =
It was constant at 0.5 mW. Pe was fixed at two values, and only Pw was changed to measure the Pw dependency of the jitter. The Pw margin was significantly improved by the addition of the In amount of about 2 to 5 atomic%. However, when the content was more than 10 atomic%, the jitter was worse than in the case where no addition was made. In addition, the jitter after 1000 overwrites was measured in Example 10 (a).
In (c), both linear velocities were less than 10 atomic%, but in Comparative Example 8, both linear velocities were higher than 13%.
【0217】<加速試験>実施例10(b)の媒体につ
いて、80℃/80%RHの環境下で加速試験を行っ
た。2000時間まで加速試験を実施した。加速試験前
に記録した信号のジッタの悪化は1%程度に過ぎなかっ
た。また、初期変調度は61%であり、2000時間の
加速試験後も57%の変調度が得られた。反射率もほと
んど全く変化していなかった。2000時間後に未記録
部に新たに記録を行った場合のジッタの悪化は3%程度
であったが、実用上全く支障の無いレベルである。<Acceleration Test> The medium of Example 10 (b) was subjected to an acceleration test in an environment of 80 ° C./80% RH. An accelerated test was performed up to 2000 hours. The deterioration of the jitter of the signal recorded before the acceleration test was only about 1%. The initial degree of modulation was 61%, and the degree of modulation was 57% even after the acceleration test for 2000 hours. The reflectance was almost unchanged at all. The deterioration of jitter when new recording was performed on an unrecorded portion after 2000 hours was about 3%, but this is a level that does not hinder practical use at all.
【0218】(実施例11)実施例2(g1)の層構成
において、記録層をIn0.03Ge0.05Sb0.71Te 0.21
としたディスクを、表−7の溝形状を有するポリカーボ
ネート樹脂基板上に成膜した。いずれも溝ピッチは0.
74μmである。(Example 11) Layer structure of Example 2 (g1)
In, the recording layer was changed to In0.03Ge0.05Sb0.71Te 0.21
The disk having the groove shape shown in Table 7
A film was formed on a substrate resin substrate. In each case, the groove pitch is 0.
74 μm.
【0219】[0219]
【表7】 [Table 7]
【0220】ウォブルの変調方式としては、搬送波の周
期Tw が基準データクロック周期T=38.2ナノ秒の
32倍である、2値位相変調とした。ここで位相変調ウ
ォブルとは、図30に示すように、デジタルデータ信号
の0又は1に対応して、ウォブル波の位相をπだけ、ず
らすものである。すなわち、周波数fc =1/Tw =1
/(32T)の無変調搬送波(余弦波もしくは正弦波)
が、アドレス用のデジタルデータの0から1、あるいは
1から0の切り替えで、ちょうど位相πだけずれる。デ
ジタルデータ0、1の切り替え周期Td はTw より低周
波で、Td はTw の整数分の1になっているので、位相
がπシフトしても、ウォブル波形は連続的に変化してい
る。本変調方法の好ましい点は、ATIP(Absolute T
ime in Pregroove)に用いられる周波数(FM)変調と
異なり、蛇行周波数が一定であり、かつ周期が32Tと
いう高周波で変調しているために、ウォブルのクロック
を参照してディスクの回転同期を確立するとともに、ウ
ォブルのクロックに同期して直接データクロックを生成
できることである。このようにデジタルデータの変調で
位相を変化させるには、例えば図31にあるような、リ
ング変調器を用いる。デジタルデータは、0、1に対応
して正負の電圧±Vを印可する。スタンパ原盤作成時
に、フォトレジスト露光用のレーザー光を、±Vw の電
圧間で2値位相変調されたウォブル波形に従って半径方
向に蛇行させつつ露光する。このとき、リング変調機出
力波をEO変調器に印可することで、露光用ビームを蛇
行させることができる。[0220] The modulation method of a wobble, the period T w of the carrier wave is 32 times the reference data clock period T = 38.2 nsec, and a binary phase modulation. Here, the phase modulation wobble shifts the phase of the wobble wave by π in accordance with 0 or 1 of the digital data signal, as shown in FIG. That is, the frequency f c = 1 / T w = 1
/ (32T) unmodulated carrier (cosine or sine wave)
However, when the digital data for address is switched from 0 to 1 or from 1 to 0, the phase shifts by exactly π. Switching period T d of the digital data 0 and 1 at low frequencies than T w, since T d is in a integral submultiple of T w, be shifted phase [pi, wobble waveform varies continuously ing. A preferable point of this modulation method is that ATIP (Absolute T
Unlike frequency (FM) modulation used for ime in pregroove, since the meandering frequency is constant and the period is modulated at a high frequency of 32T, the rotation synchronization of the disk is established with reference to the wobble clock. In addition, a data clock can be directly generated in synchronization with a wobble clock. In order to change the phase by modulating digital data in this way, for example, a ring modulator as shown in FIG. 31 is used. Digital data is applied with positive and negative voltages ± V corresponding to 0 and 1. When creating a stamper master, the laser beam used to expose the photoresist is exposed while meandering in radial direction in accordance with binary phase-modulated wobble waveform voltage of ± V w. At this time, by applying the output wave of the ring modulator to the EO modulator, the exposure beam can meander.
【0221】以下、少し詳細に説明する。図の、無変調
搬送波入力端子に周期cos(2πfc t)なる信号V
w ・cos(2πfc t)が入力されると、入力トラン
スの出力にはVw ・cos(2πfc t)と−Vw ・c
os(2πfc t)の二つの搬送波信号が現れる。デジ
タルデータ入力が正(+V)であれば、D1 、D1 ’が
導通し、搬送波Vw ・cos(2πfc t)はそのまま
D1 を通過し変調は出力端子に現れる。−Vw ・cos
(2πfc t)の搬送波はD1 ’を経た後、出力側のト
ランスにより反転されてVw ・cos(2πfc t)と
なり、D1 通過の出力と加え合わされてVw ・cos
(2πfc t)の出力を得る。もし、デジタルデータ入
力が負(−V)、すなわちD2 、D2 ’が導通になる
と、Vw ・cos(2πfc t)の信号はダイオードD
2 を介して出力側トランスの下側に導かれるので、変調
は出力端子では、これが反転して−Vw ・cos(2π
fc t)となる。The following is a more detailed description. Figure period unmodulated carrier input terminal cos (2πf c t) becomes a signal V
When w · cos (2πf c t) is input, V w · cos The output of the input transformer (2πf c t) and -V w · c
The two carrier signal os (2πf c t) will appear. If the digital data input is positive (+ V), and conducts D 1, D 1 ', the carrier V w · cos (2πf c t ) as it is passed through the D 1 modulation appears at the output terminal. −V w · cos
After the carrier of (2πf c t) is passed through the D 1 ', it is inverted by the output transformer V w · cos (2πf c t ) , and the is summed with the output of the D 1 passes through V w · cos
Obtaining an output of (2πf c t). If the digital data input is negative (-V), i.e. D 2, when D 2 'is conducting, the signal of V w · cos (2πf c t ) is a diode D
The modulation is guided to the lower side of the output transformer via 2 so that the modulation is inverted at the output terminal and −V w · cos (2π
f c t) to become.
【0222】一方、入力側トランスの出力で−Vw ・c
os(2πfc t)であった搬送波はダイオードD2 ’
を介して出力側トランスの同相入力に加わるため、その
ままの極性で(−Vw ・cos(2πfc t)のまま)
変調波出力端子に現れる。従って、ダイオードD2 並び
にD2 ’の経路を通った搬送波は−Vw ・cos(2π
fc t)となって合成され、変調は出力端子に現れる。
リング変調器の場合には、デジタルデータ入力が正か負
かによって出力端子にVw ・cos(2πfc t)か−
Vw ・cos(2πfc t)を出力することになる。こ
のようにして変調されたウォブル波形が、EO変調器に
入力され、露光用ビームを蛇行させることができる。本
実施例ではウォブル振幅はすべて60nm(peak−
to−peak値)とした。溝内にのみ記録を行う媒体
の場合、記録再生光波長λ=637nm、基板の屈折率
n=1.56に対して、溝深さの好ましい範囲は、下限
がλ/(20n)=20.5nm、上限はλ/(10
n)=40.8nmである。本媒体の評価には、波長6
37nm、NA=0.63の光学系を用いた。On the other hand, -V w · c
os (2πf c t) and a carrier wave diode D 2 '
To join in the common mode input of the output transformer via, as it polarity (left -V w · cos (2πf c t ))
Appears at the modulated wave output terminal. Therefore, the carrier passing through the paths of the diodes D 2 and D 2 ′ is −V w · cos (2π
synthesized a f c t), modulation appears at the output terminal.
In the case of the ring modulator, V w · cos (2πf c t) or the output terminal by the digital data input is positive or negative -
Will output a V w · cos (2πf c t ). The wobble waveform modulated in this manner is input to the EO modulator, and the exposure beam can meander. In this embodiment, the wobble amplitudes are all 60 nm (peak-peak).
to-peak value). In the case of a medium in which recording is performed only in the groove, a preferable range of the groove depth is λ / (20n) = 20. 5 nm, the upper limit is λ / (10
n) = 40.8 nm. For evaluation of this medium, wavelength 6
An optical system with 37 nm and NA = 0.63 was used.
【0223】実施例2と同じく、m=n−1、αi +β
i-1 =1.0(2≦i≦m)、αi=αc =一定(2≦
i≦m)とした記録パルス分割方法で、線速3.5m/
sにおいては、αi =0.5、αc =0.3、βm =
0.5、Pw=13mW、Pe=6mWとし、線速7m
/sにおいては、α1 =0.4、αc =0.35、βm
=0.5、Pw=14mW、Pe=7mWとした。ま
ず、溝内に線速3.5m/sにおいて記録を行い、Rt
op及び変調度を測定した。また、3.5m/s及び7
m/sで記録信号のジッタを測定した。結果を表−8に
示す。As in Embodiment 2, m = n−1, α i + β
i-1 = 1.0 (2 ≦ i ≦ m), α i = α c = constant (2 ≦
i ≦ m), a linear velocity of 3.5 m /
In s, α i = 0.5, α c = 0.3, β m =
0.5, Pw = 13 mW, Pe = 6 mW, linear velocity 7 m
/ S, α 1 = 0.4, α c = 0.35, β m
= 0.5, Pw = 14 mW, Pe = 7 mW. First, recording was performed in the groove at a linear velocity of 3.5 m / s, and Rt
The op and the degree of modulation were measured. In addition, 3.5m / s and 7
The jitter of the recording signal was measured at m / s. The results are shown in Table-8.
【0224】[0224]
【表8】 [Table 8]
【0225】まず、実施例11(k)は、深さ18nm
と非常に浅い溝を有するが、プッシュプル信号がほとん
ど検出できず、トラッキングサーボをかけることができ
なかった。また、このような浅い溝を均一に形成するこ
とは、スタンパ作成上も非常に難しく、実際上、トラッ
キングサーボ信号に非常に大きなむらが観測された。図
32(a)(b)に変調度とRtopの溝形状依存性を
示した。実施例11(h)〜(j)は、深さ42nmの
溝を有するが、深さ27nmの場合に比べて反射率が大
幅に低下し、5%以上低くなって好ましくない。変調度
は、特に溝が細い場合に低下し、幅0.23μmでは、
深さ35nmでも、変調度低下が著しかった。なお、本
実施例は層構成は同じとしたが、もし、深さ42nmの
場合に、反射率低下を補うために、反射率の高い層構成
にすると、変調度低下は一層顕著になる。すなわち、深
さ42nmの溝は、溝内用記録には適さない。溝深さ4
0nm以上では、溝幅が0.3μm未満のときに、ウォ
ブル信号が記録データ信号へ著しく漏れ込む。溝幅が
0.3μm以上のときに比べ、線速3.5m/sではジ
ッタが1〜2%以上悪化し、線速7m/sでは2〜3%
も悪化する。First, Example 11 (k) has a depth of 18 nm.
, But a push-pull signal could hardly be detected and tracking servo could not be applied. In addition, it is very difficult to form such a shallow groove evenly in terms of stamper preparation, and in practice, very large unevenness was observed in the tracking servo signal. FIGS. 32A and 32B show the dependence of the modulation degree and Rtop on the groove shape. In Examples 11 (h) to 11 (j), grooves having a depth of 42 nm are provided, but the reflectivity is significantly reduced as compared with the case of a depth of 27 nm, which is not preferable because it is reduced by 5% or more. The degree of modulation decreases particularly when the groove is narrow, and at a width of 0.23 μm,
Even at a depth of 35 nm, the degree of modulation was significantly reduced. In this embodiment, the layer structure is the same. However, if the layer structure has a high reflectivity in order to compensate for a decrease in the reflectivity in the case of a depth of 42 nm, the decrease in the degree of modulation becomes more remarkable. That is, a groove having a depth of 42 nm is not suitable for recording in the groove. Groove depth 4
If the groove width is less than 0.3 μm, the wobble signal significantly leaks into the recording data signal when the groove width is less than 0.3 μm. Compared to when the groove width is 0.3 μm or more, jitter deteriorates by 1% or more at a linear velocity of 3.5 m / s, and 2-3% at a linear velocity of 7 m / s.
Also gets worse.
【0226】(実施例12)層構成を、下部保護層(Z
nS)80(SiO2 )20を膜厚65nm、記録層Ge
0.05Sb0.73Te0.22を16nm、上部保護層(Zn
S)80(SiO2 )20を20nm、第1反射層Al
0.995 Ta0.005 を膜厚40nm、第2反射層Agを膜
厚70nmとした。下部保護層から第1反射層までは真
空を解除することなくスパッタ法で作成し、第1反射層
を成膜後大気解放し数分放置後、再び真空にてスパッタ
法により第2反射層を成膜した。第2反射層成膜後、ス
ピンコート法により紫外線硬化樹脂を、オーバーコート
層として4μm積層した。出来たディスクは2枚をオー
バーコート層が向かい合うように貼り合わせた。第1反
射層の成膜は到達真空度4×10-4Pa以下、Ar圧
0.55Paで行った。体積抵抗率は55nΩ・mであ
った。酸素、窒素等の不純物はX線励起光電子分光での
検出感度以下で、全部併せてもほぼ1原子%未満である
と見なせた。第2反射層の成膜は到達真空度4×10-4
Pa以下、Ar圧0.35Paで行った。体積抵抗率は
32nΩ・mであった。酸素、窒素等の不純物はX線励
起光電子分光での検出感度以下で、全部併せてもほぼ1
原子%未満であると見なせた。波長637nm、NA
0.60の光学系を使用して、線速3.5m/s、α1
=0.4、αc =0.35、βm =0.5なるパルス分
割方法を用いて10回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、Pw=11mW,Pe=6.0mW,Pb
=0.5mWで最小ジッタ6.5%を得た。この媒体
を、80℃、80%RHの高温高湿下に500時間放置
した後、同様に記録を行ったところ全く劣化がみられな
かった。(Example 12) The layer structure was changed to the lower protective layer (Z
nS) 80 (SiO 2 ) 20 with a film thickness of 65 nm and a recording layer Ge
16 nm of 0.05 Sb 0.73 Te 0.22 , upper protective layer (Zn
S) 80 (SiO 2 ) 20 of 20 nm, first reflective layer Al
The thickness of 0.995 Ta 0.005 was 40 nm, and the thickness of the second reflective layer Ag was 70 nm. From the lower protective layer to the first reflective layer, the first reflective layer is formed by a sputtering method without releasing the vacuum. A film was formed. After forming the second reflective layer, an ultraviolet curable resin was laminated as an overcoat layer by 4 μm by spin coating. Two of the resulting disks were bonded together so that the overcoat layers faced each other. The first reflective layer was formed at an ultimate vacuum of 4 × 10 −4 Pa or less and an Ar pressure of 0.55 Pa. The volume resistivity was 55 nΩ · m. Impurities such as oxygen and nitrogen were less than the detection sensitivity in X-ray excitation photoelectron spectroscopy, and were considered to be less than about 1 atomic% in total. The deposition of the second reflective layer is performed at a degree of ultimate vacuum of 4 × 10 −4.
The test was performed at an Ar pressure of 0.35 Pa or less under Pa. The volume resistivity was 32 nΩ · m. Impurities such as oxygen and nitrogen are less than the detection sensitivity in X-ray excitation photoelectron spectroscopy,
It was considered to be less than atomic%. Wavelength 637 nm, NA
Using an optical system of 0.60, a linear velocity of 3.5 m / s, α 1
= 0.4, α c = 0.35, β m = 0.5 When the jitter was measured after overwriting 10 times using the pulse division method, Pw = 11 mW, Pe = 6.0 mW, Pb
= 0.5 mW, a minimum jitter of 6.5% was obtained. After the medium was left under high temperature and high humidity of 80 ° C. and 80% RH for 500 hours, recording was performed in the same manner, and no deterioration was observed.
【0227】(実施例13)溝ピッチ0.74μm、溝
幅0.3μm、溝深さ40nmの、ウォブルを有する螺
旋状の溝を形成したスタンパを作成し、これをもとに、
直径120mm、厚さ0.6mmのポリカーボネート樹
脂基板を射出成形によって形成した。表−9に示すよう
に、半径22.5mmから58.5mmまでの36mm
を記録領域とし、記録領域を255バンド(ゾーン)に
分割した。各バンドには191トラックが含まれる。各
バンドの終端がちょうど191トラック目になるように
バンド幅を設定しているので、各バンド幅は正確に36
/255とはなっていない。このため、記録領域の最外
終端は58.54mmである。チャネルビット長は0.
133μmとし、線速3.49m/sにおいて基準クロ
ック26.16MHz(T=38.23nsec)が得
られる。ウォブルの周期は各バンドの中心半径において
チャネルビット長の9倍となるように設定した。その物
理的な周期は1.2μmである。各バンドの中心半径に
おけるチャネルビット長総数、及びウォブルの総数をま
ず計算し、同一バンド内では1周あたりに含まれるチャ
ネルビット数、あるいはウォブルの数が一定となるよう
にする。(Example 13) A stamper having a wobble spiral groove having a groove pitch of 0.74 µm, a groove width of 0.3 µm, and a groove depth of 40 nm was prepared.
A polycarbonate resin substrate having a diameter of 120 mm and a thickness of 0.6 mm was formed by injection molding. As shown in Table-9, 36 mm from a radius of 22.5 mm to 58.5 mm
Is a recording area, and the recording area is divided into 255 bands (zones). Each band contains 191 tracks. Since the band width is set so that the end of each band is exactly at the 191st track, each band width is exactly 36
/ 255. For this reason, the outermost end of the recording area is 58.54 mm. The channel bit length is 0.
At a linear velocity of 3.49 m / s, a reference clock of 26.16 MHz (T = 38.23 nsec) is obtained. The wobble period was set to be 9 times the channel bit length at the center radius of each band. Its physical period is 1.2 μm. First, the total number of channel bits and the total number of wobbles at the center radius of each band are calculated so that the number of channel bits or the number of wobbles included in one round in the same band is constant.
【0228】表−9に示すように、バンド始終端で、±
1%の精度で、チャネルビット数あるいはウォブルの数
が一定である。すなわち、ZCAV方式でCLV方式と
変わりない線密度一定の記録ができ、再生専用DVDの
規格を十分満足する。以上の前提から、各バンド中心半
径において3.49m/sの線速度が得られるようにデ
ィスクを回転させたときに、ウォブル周期は、ちょうど
DVDデータの基準クロック周期T=38.23nse
cの9倍となる。この媒体を、表−9の最内周バンドの
バンド中心半径において線速度が3.49m/sになる
ように回転させ、ZCAV方式の媒体として使用する。
CAV回転中の各バンドのウォブルから再生される搬送
波の周期を1/9倍して、各バンドにおけるデータ基準
クロックTq を生成させ、該クロックに基づいてEFM
プラス変調されたデータの記録を行う。再生するときに
は、以下のように、記録されたデータから生成されるデ
ータ基準クロック周波数が26.16MHzとなるよう
に回転同期を達成すれば、各ゾーンでのチャネルビット
長のばらつきは±1%未満となり、実質的にCLVモー
ドでの再生を支障なく行うことができる。As shown in Table 9, at the beginning and end of the band, ±
The number of channel bits or wobbles is constant with 1% accuracy. That is, recording with a constant linear density can be performed in the ZCAV system, which is the same as that in the CLV system, and the specification of the read-only DVD is sufficiently satisfied. From the above premise, when the disk is rotated so that a linear velocity of 3.49 m / s is obtained at the center radius of each band, the wobble cycle is exactly equal to the reference clock cycle of DVD data T = 38.23 ns.
9 times of c. This medium is rotated so that the linear velocity becomes 3.49 m / s at the band center radius of the innermost peripheral band in Table 9, and used as a ZCAV system medium.
The period of the carrier wave is reproduced from the wobble of each band in the CAV rotation and times 1/9, to generate data reference clock T q in each band, EFM based on the clock
The recording of the plus-modulated data is performed. At the time of reproduction, if the rotation synchronization is achieved so that the data reference clock frequency generated from the recorded data becomes 26.16 MHz as described below, the variation of the channel bit length in each zone is less than ± 1%. Thus, reproduction in the CLV mode can be performed substantially without any trouble.
【0229】すなわち、上記基準クロック26.16M
Hz(T=38.23nsec)を水晶発振器により発
生させ、この位相と、記録されたデータから生成される
データ基準クロックと位相とを比較し、両者が同期する
よう、通常のPLL(PhaseLocked Loop )制御方式に
より回転速度を微調整する。このようなPLL制御によ
る回転制御は、現在DVD−ROMの再生で行われてお
り、その方式をそのまま適用できる点で有用である。That is, the reference clock 26.16M
Hz (T = 38.23 nsec) is generated by a crystal oscillator, this phase is compared with a data reference clock generated from recorded data, and a normal PLL (Phase Locked Loop) is used so that both are synchronized. Fine-tune the rotation speed by the control method. Such rotation control by PLL control is currently performed in DVD-ROM reproduction, and is useful in that the method can be applied as it is.
【0230】[0230]
【表9】 [Table 9]
【0231】[0231]
【表10】 [Table 10]
【0232】(実施例14)実施例2(a1)の層構成
において、反射層をAl0.975 Ta0.025 とした。体積
抵抗率は220nΩ・mであった。膜厚200nmから
400nmまで変えて複数のサンプルを作成し、表−3
の測定と同様に、それぞれに図10(a)の中で最適な
パルス分割方法を用いて、ジッタ測定を行った。膜厚3
00nm前後で12%という最良のジッタを得た。それ
より反射層を厚くしても、薄くしてもさらに悪いジッタ
しか得られなかった。(Example 14) In the layer structure of Example 2 (a1), the reflection layer was made of Al 0.975 Ta 0.025 . The volume resistivity was 220 nΩ · m. A plurality of samples were prepared by changing the film thickness from 200 nm to 400 nm.
In the same manner as in the measurement of FIG. 10, jitter measurement was performed using the optimum pulse division method in FIG. Film thickness 3
The best jitter of 12% was obtained around 00 nm. Even if the reflective layer was made thicker or thinner, only worse jitter was obtained.
【0233】(実施例15)実施例11(a)の層構成
において、上部保護層の膜厚を23nmとした。本媒体
に、溝内記録を行った。波長405nm、NA=0.6
5の光学系を用い、ほぼ円形でスポット径が約0.5μ
m(ガウシアンビームの1/e2 強度における径)のビ
ームを生成し、0.6mm厚の基板を介して記録再生を
行った。線速度4.86m/sで、最短マーク(3Tマ
ーク)の長さを0.25μmとしたEFMプラス変調信
号を記録した。実施例2と同様の記録パルス分割方法
で、m=n−1、α1 =0.5、αc =0.38、βm
=0.67とし、Pw=9.5mW,Pb=0.5m
W,Pe=4.0mWにて10回オーバーライトを行っ
たところ、ジッタは10%であった。青色レーザーでの
記録再生では、実施例7の場合に比べても、より高品質
の記録が可能であることがわかった。また、現行の赤色
レーザーに合わせて設計された媒体でも、そのまま青色
レーザーで記録再生して高密度化を図ることができる。Example 15 In the layer structure of Example 11 (a), the thickness of the upper protective layer was set to 23 nm. In-groove recording was performed on this medium. Wavelength 405 nm, NA = 0.6
5 optical system, almost circular and spot diameter about 0.5μ
m (diameter at 1 / e 2 intensity of a Gaussian beam) was generated, and recording / reproduction was performed through a 0.6 mm thick substrate. At a linear velocity of 4.86 m / s, an EFM-plus-modulated signal with the shortest mark (3T mark) length of 0.25 μm was recorded. By the same recording pulse division method as in the second embodiment, m = n-1, α 1 = 0.5, α c = 0.38, β m
= 0.67, Pw = 9.5 mW, Pb = 0.5 m
When overwriting was performed 10 times at W, Pe = 4.0 mW, the jitter was 10%. It was found that higher quality recording was possible by recording / reproducing with a blue laser than in the case of Example 7. Further, even with a medium designed for the current red laser, recording and reproduction can be performed with the blue laser as it is to increase the density.
【0234】(実施例16)実施例2(a1)の層構成
において、記録層をGa0.05Ge0.05Sb0.68Te 0.22
とした媒体を用意した。初期化も実施例2(a1)と同
様に行った。測定には、波長637nm、NA=0.6
3の光学系を用いた。最短マーク3Tの長さを0.4μ
mとしたEFMプラス変調信号を、線速度3.5m/s
で行った。実施例2と同様の記録パルスストラテジーで
m=n−1、αi +βi-1 =1.0(2≦i≦m)、α
i =αc =一定(2≦i≦m)とし、α1 =0.5、α
c =0.3、βm =0.5とし、Pw=13.5mW、
Pe=6.0mW、Pb=0.5mWとし、オーバーラ
イト特性を評価した。初回記録(非オーバーライト)、
10回オーバーライト、100回オーバーライト、10
00回オーバーライトで、それぞれジッタは6.9%、
6.7%、7.0%、7.3%と良好であった。さら
に、線速度7.0m/sで同様に、α1 =0.4、αc
=0.35、βm=0.5とし、Pw=14.0mW、
Pe=7.0mW、Pb=0.5mWとし、オーバーラ
イト特性を評価した。初回記録(非オーバーライト)、
10回オーバーライト、100回オーバーライト、10
00回オーバーライトで、それぞれジッタは7.4%、
7.7%、8.0%、8.5%と良好であった。変調度
はいずれも55〜60%の値が得られた。本媒体を80
℃/80%RHの加速試験環境下に1000時間放置し
たところ、試験前に記録を行った。加速試験前に記録し
た信号のジッタの悪化は1%未満であった。また、変調
度は、52〜57%の値が得られた。(Example 16) Layer structure of Example 2 (a1)
In the above, the recording layer was Ga0.05Ge0.05Sb0.68Te 0.22
A medium was prepared. Initialization is the same as in Example 2 (a1).
I went. For the measurement, wavelength 637 nm, NA = 0.6
The optical system No. 3 was used. The length of the shortest mark 3T is 0.4μ
m, and the linear velocity is 3.5 m / s.
I went in. With the same recording pulse strategy as in Example 2,
m = n-1, αi+ Βi-1= 1.0 (2 ≦ i ≦ m), α
i= Αc= Constant (2 ≦ i ≦ m), α1= 0.5, α
c= 0.3, βm= 0.5, Pw = 13.5 mW,
Pe = 6.0mW, Pb = 0.5mW, Overlap
The site properties were evaluated. Initial recording (non-overwriting),
10 overwrites, 100 overwrites, 10
After overwriting 00 times, the jitter was 6.9%,
6.7%, 7.0% and 7.3% were good. Further
Similarly, at a linear velocity of 7.0 m / s, α1= 0.4, αc
= 0.35, βm= 0.5, Pw = 14.0 mW,
Pe = 7.0 mW, Pb = 0.5 mW, overlay
The site properties were evaluated. Initial recording (non-overwriting),
10 overwrites, 100 overwrites, 10
After overwriting 00 times, the jitter was 7.4%,
7.7%, 8.0% and 8.5% were good. Modulation depth
In each case, a value of 55 to 60% was obtained. This medium is 80
Leave for 1000 hours in accelerated test environment of ℃ / 80% RH
A record was then made before the test. Before the accelerated test
The deterioration of the signal jitter was less than 1%. Also, modulation
As for the degree, a value of 52 to 57% was obtained.
【0235】(実施例17)実施例2と同様に、0.6
mm厚さのポリカーボネート樹脂基板にピッチ0.74
μmのウォブル溝を形成し、図5(b)のごとく、反射
層、第2保護層、記録層、第1保護層の順に形成した。
反射層Al0.995 Ta0.005 は膜厚165nm、第2保
護層(ZnS)80(SiO2 )20は膜厚20nm、記録
層In0.03Ge0.05Sb0.70Te0.22を膜厚16nm、
第1保護層(ZnS)80(SiO2 )20を膜厚68n
m、それぞれスパッタリング法により成膜した。そのの
ち、第1保護層に対向して、0.6mm厚さのガラス板
を密着させた。初期化は、ガラス基板を介して、500
mW程度のレーザー光を線速5m/sで照射し、行っ
た。このガラス基板を介して、波長637nm、NA=
0.6の光学系を用いてレーザー光を記録層に照射し記
録再生を行った。記録は、レーザー入射側から見て凹凸
の遠い側に行った。実施例2における溝内に相当する。
最短マーク3Tの長さを0.4μmとしたEFMプラス
変調信号を、線速度3.5m/sで行った。実施例2と
同様の記録パルスストラテジーでm=n−1、αi +β
i-1 =1.0(2≦i≦m)、αi =αc =一定(2≦
i≦m)とし、α1 =0.9、αc =0.35、βm =
0.5とし、Pw=12.0mW、Pe=6.0mW、
Pb=0.5mWとし、オーバーライト特性を評価し
た。10回オーバーライト後で、ジッタは10.5%、
変調度は61%であった。さらに、線速度7.0m/s
で同様に、α1 =0.55、αc =0.40、β m =
0.5とし、Pw=13.0mW、Pe=5.5mW、
Pb=0.5mWとし、オーバーライト特性を評価し
た。10回オーバーライト後で、ジッタは11.2%、
変調度は61%であった。(Embodiment 17) As in Embodiment 2, 0.6
Pitch 0.74 on polycarbonate resin substrate with mm thickness
A wobble groove of μm is formed, and reflection is performed as shown in FIG.
A layer, a second protective layer, a recording layer, and a first protective layer were formed in this order.
Reflective layer Al0.995Ta0.005Is a film thickness of 165 nm,
Protection layer (ZnS)80(SiOTwo)20Indicates a film thickness of 20 nm and was recorded.
Layer In0.03Ge0.05Sb0.70Te0.22To a film thickness of 16 nm,
First protective layer (ZnS)80(SiOTwo)20To a film thickness of 68 n
m, each of which was formed by a sputtering method. Its
And a glass plate having a thickness of 0.6 mm facing the first protective layer.
Was adhered. Initialization is performed through a glass substrate by 500
Irradiate a laser beam of about mW at a linear velocity of 5 m / s and perform
Was. Through this glass substrate, a wavelength of 637 nm, NA =
The recording layer was irradiated with laser light using the optical system of 0.6.
Recorded and played back. The recording is uneven when viewed from the laser incident side.
Went to the far side of. This corresponds to the inside of the groove in the second embodiment.
EFM Plus with the shortest mark 3T length of 0.4 μm
The modulation signal was performed at a linear velocity of 3.5 m / s. Example 2 and
M = n−1, α in a similar recording pulse strategyi+ Β
i-1= 1.0 (2 ≦ i ≦ m), αi= Αc= Constant (2 ≦
i ≦ m) and α1= 0.9, αc= 0.35, βm=
0.5, Pw = 12.0 mW, Pe = 6.0 mW,
With Pb = 0.5 mW, the overwrite characteristics were evaluated.
Was. After 10 overwrites, the jitter is 10.5%,
The degree of modulation was 61%. Furthermore, a linear velocity of 7.0 m / s
Similarly, α1= 0.55, αc= 0.40, β m=
0.5, Pw = 13.0 mW, Pe = 5.5 mW,
With Pb = 0.5 mW, the overwrite characteristics were evaluated.
Was. After 10 overwrites, the jitter is 11.2%,
The degree of modulation was 61%.
【0236】[0236]
【発明の効果】本発明によれば、高速でオーバーライト
することができ、マークエッジのジッタが小さい、高密
度のマーク長変調記録を行うことができ、形成されたマ
ークの経時安定性が非常に良好な光学的情報記録用媒体
が得られる。また、適切な記録層組成と層構成を選ぶこ
とで、再生専用媒体との再生互換性に優れ、且つ、繰返
しオーバーライト耐久性の高い相変化型光記録媒体が得
られる。より具体的には、いわゆるDVDディスクと再
生互換を有し、その標準再生速度3.5m/sから倍速
である7m/sを含む広い線速範囲で、1ビームオーバ
ーライト可能であり、かつ1万回以上オーバーライトし
ても劣化を示さない、書き換え型DVDディスクに使用
可能な光学的情報記録用媒体及び光記録方法が提供でき
る。また、本発明の媒体は線速マージンが広いため、C
AV方式やZCAV方式など、角速度一定で媒体を回転
させ記録を行う場合にも、媒体の内外周の線速差による
記録特性差の問題を克服できる。CAV方式を採用すれ
ば、半径位置ごとにディスク回転速度を変更する必要が
なく、アクセス時間の短縮がはかれる。According to the present invention, overwrite can be performed at a high speed, mark edge jitter can be reduced, and high-density mark length modulation recording can be performed. A good optical information recording medium can be obtained. In addition, by selecting an appropriate recording layer composition and layer configuration, a phase-change optical recording medium having excellent reproduction compatibility with a read-only medium and having high repeated overwrite durability can be obtained. More specifically, it has playback compatibility with a so-called DVD disc, and can perform one-beam overwriting in a wide linear velocity range including a standard playback speed of 3.5 m / s to a double speed of 7 m / s. It is possible to provide an optical information recording medium and an optical recording method which can be used for a rewritable DVD disk and which does not show deterioration even after overwriting over 10,000 times. Further, since the medium of the present invention has a wide linear velocity margin,
Even when recording is performed by rotating the medium at a constant angular velocity, such as the AV method or the ZCAV method, it is possible to overcome the problem of the difference in recording characteristics due to the difference in linear velocity between the inner and outer circumferences of the medium. If the CAV method is adopted, it is not necessary to change the disk rotation speed for each radial position, and the access time can be reduced.
【図1】非晶質マーク形状の例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of an amorphous mark shape.
【図2】本発明の一例の媒体に記録を行った場合の反射
率変化を示す図。FIG. 2 is a diagram illustrating a change in reflectance when recording is performed on a medium according to an example of the invention.
【図3】本発明の媒体の記録層の組成範囲を示すGeS
bTe三元状態図。FIG. 3 shows GeS indicating the composition range of the recording layer of the medium of the present invention.
bTe ternary phase diagram.
【図4】従来のGeSbTe組成の範囲を示すGeSb
Te三元状態図。FIG. 4 shows a conventional GeSbTe composition range.
Te ternary phase diagram.
【図5】本発明の媒体の層構成の一例を示す模式図。FIG. 5 is a schematic view showing an example of a layer configuration of a medium of the present invention.
【図6】信号強度と信号振幅、変調度の関係を示すため
の信号波形図。FIG. 6 is a signal waveform diagram showing the relationship between signal strength, signal amplitude, and modulation.
【図7】反射率の第1保護層膜厚依存性を説明するため
のグラフ。FIG. 7 is a graph for explaining the dependency of the reflectance on the thickness of the first protective layer.
【図8】パワー3値変調記録方式の、パルス分割方法の
一例を示す図。FIG. 8 is a diagram showing an example of a pulse division method in a power ternary modulation recording system.
【図9】記録層の温度の時間変化を説明するための模式
図。FIG. 9 is a schematic diagram for explaining a time change of the temperature of the recording layer.
【図10】マーク長変調記録に適したパワー3値変調記
録方式の、パルス分割方法の一例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an example of a pulse division method of a power ternary modulation recording method suitable for mark length modulation recording.
【図11】図10のパルス分割方法を実現するための、
3種のゲート発生回路のタイミングを説明する概念図。FIG. 11 is a diagram for realizing the pulse division method of FIG.
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating timings of three types of gate generation circuits.
【図12】実施例1及び比較例1におけるジッターの再
生光パワー依存性を示すグラフ。FIG. 12 is a graph showing the reproduction light power dependence of jitter in Example 1 and Comparative Example 1.
【図13】実施例1におけるジッタの記録パルス分割方
法依存性を示すグラフ。FIG. 13 is a graph showing the dependency of the jitter on the recording pulse division method in the first embodiment.
【図14】実施例1におけるジッタの記録パルス分割方
法依存性を示すグラフ。FIG. 14 is a graph showing the dependence of jitter on the recording pulse division method in the first embodiment.
【図15】実施例2におけるジッター、反射率及び変調
度の記録パワー依存性を示すグラフ。FIG. 15 is a graph showing recording power dependence of jitter, reflectance, and modulation in Example 2.
【図16】実施例2におけるジッター、反射率及び変調
度の、繰返しオーバーライト回数依存性を示すグラフ。FIG. 16 is a graph showing the dependency of the number of repetitive overwrites on the jitter, reflectance, and degree of modulation in Example 2.
【図17】実施例2(g1)及び実施例2(d2)にお
けるジッターのマーク長依存性を示すグラフ。FIG. 17 is a graph showing mark length dependence of jitter in Example 2 (g1) and Example 2 (d2).
【図18】実施例2におけるジッターの基板のチルト角
依存性を示すグラフ。FIG. 18 is a graph showing the dependency of the jitter on the tilt angle of the substrate in Example 2.
【図19】実施例4における10回オーバーライト後の
ジッターのα1 及びαc 依存性を示すグラフ。FIG. 19 is a graph showing α 1 and α c dependence of jitter after ten times overwriting in Example 4.
【図20】実施例4におけるジッター、Rtop及び変
調度の繰返しオーバーライト回数依存性を示すグラフ。FIG. 20 is a graph showing the dependence of jitter, Rtop, and modulation factor on the number of repeated overwrites in Example 4.
【図21】(a)実施例6におけるジッターのパルス分
割方法依存性、(b)ジッターの書込みパワー依存性、
並びに(c)10回オーバーライト後のRtop及び変
調度の書込みパワー依存性を示すグラフ。FIG. 21 (a) Dependence of jitter on pulse division method in Example 6, (b) Dependency of jitter on write power,
And (c) a graph showing the write power dependence of Rtop and modulation after 10 overwrites.
【図22】実施例6におけるジッター、Rtop及び変
調度の繰返しオーバーライト回数依存性を示すグラフ。FIG. 22 is a graph showing the dependence of jitter, Rtop, and modulation factor on the number of repeated overwrites in Example 6.
【図23】実施例6におけるジッターのマーク長依存性
を示すグラフ。FIG. 23 is a graph showing mark length dependency of jitter in Example 6.
【図24】(a)比較例2におけるジッターのパルス分
割方法依存性、(b)ジッターの書込みパワー依存性、
並びに(c)10回オーバーライト後のRtop及び変
調度の書込みパワー依存性を示すグラフ。FIG. 24 (a) Dependence of jitter on pulse division method in Comparative Example 2, (b) Dependence of jitter on write power,
And (c) a graph showing the write power dependence of Rtop and modulation after 10 overwrites.
【図25】比較例3で用いた記録方法のパルス分割方法
を示す図。FIG. 25 is a diagram showing a pulse division method of the recording method used in Comparative Example 3.
【図26】比較例3におけるジッターのマーク長依存性
及び線速依存性を示すグラフ。FIG. 26 is a graph showing the mark length dependency and the linear velocity dependency of jitter in Comparative Example 3.
【図27】比較例6におけるジッターのPw及びPe依
存性を示すグラフ。FIG. 27 is a graph showing the dependency of jitter on Pw and Pe in Comparative Example 6.
【図28】実施例8におけるジッターの最短マーク長依
存性を示すグラフ。FIG. 28 is a graph showing the dependency of jitter on the shortest mark length in Example 8.
【図29】実施例10及び比較例8におけるジッターの
Pw依存性を示すグラフ。FIG. 29 is a graph showing Pw dependence of jitter in Example 10 and Comparative Example 8.
【図30】デジタルデータ信号とウォブル波形の関係を
説明する図。FIG. 30 is a view for explaining the relationship between a digital data signal and a wobble waveform.
【図31】デジタルデータ信号によりウォブル波形を変
調させる機構を説明する図。FIG. 31 is a view for explaining a mechanism for modulating a wobble waveform by a digital data signal.
【図32】実施例11における変調度とRtopの溝幅
依存性を示すグラフ。FIG. 32 is a graph showing the groove width dependence of the modulation degree and Rtop in Example 11.
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/24 538 G11B 7/24 538E 538F 561 561M 563 563A B41M 5/26 C01G 17/00 C01G 17/00 G11B 7/00 631A G11B 7/00 631 B41M 5/26 X (72)発明者 堀江 通和 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Fターム(参考) 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA32 EA37 EA40 EA43 FA01 FA11 FA12 FA14 FA23 FA39 FB04 FB05 FB06 FB07 FB09 FB12 FB15 FB16 FB17 FB19 FB21 FB22 FB23 FB24 FB25 FB27 FB30 5D029 JA01 JB35 JC17 LA13 LA19 LB07 LB11 MA13 MA14 MA16 MA17 WA02 WA20 WA27 WA29 WA33 WB11 WB17 WC01 WC04 WC05 WD11 5D090 AA01 BB05 CC02 CC14 DD02 EE05 FF15 FF25 GG03 GG07 GG28 KK03 KK05 LL01 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) G11B 7/24 538 G11B 7/24 538E 538F 561 561 561M 563 563A B41M 5/26 C01G 17/00 C01G 17/00 G11B 7 / 00 631A G11B 7/00 631 B41M 5/26 X (72) Inventor Towa Horie 1000 Kamoshita-cho, Aoba-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Mitsubishi Chemical Corporation Yokohama Research Laboratory F-term (reference) 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA32 EA37 EA40 EA43 FA01 FA11 FA12 FA14 FA23 FA39 FB04 FB05 FB06 FB07 FB09 FB12 FB15 FB16 FB17 FB19 FB21 FB22 FB23 FB24 FB25 FB27 FB30 5D029 JA01 JB35 JC17 LA13 LA19 LB07 LB11 MA17 WA14 WB11 MA17 WA14 WC11 BB05 CC02 CC14 DD02 EE05 FF15 FF25 GG03 GG07 GG28 KK03 KK05 LL01
Claims (65)
し、 該記録層の結晶部を未記録・消去状態とし非晶質部を記
録状態とし、最短マーク長0.5μm以下の複数の記録
マーク長により情報を記録するための光学的情報記録用
媒体であって、 消去が、非晶質部又は溶融部と、周辺結晶部との境界か
らの結晶成長によって実質的に進行する再結晶化により
行われることを特徴とする光学的情報記録用媒体。1. A semiconductor device comprising a substrate having at least a phase-change recording layer on a substrate, wherein a crystal part of the recording layer is in an unrecorded / erased state, an amorphous part is in a recorded state, and a plurality of recording layers having a minimum mark length of 0.5 μm or less. An optical information recording medium for recording information according to a recording mark length, wherein recrystallization in which erasure substantially proceeds by crystal growth from a boundary between an amorphous portion or a molten portion and a peripheral crystal portion. An optical information recording medium characterized in that the medium is recorded by optical discs.
eを主成分とする薄膜からなる請求項1に記載の光学的
情報記録用媒体。2. The phase-change recording layer according to claim 1, wherein said phase-change recording layer is made of
2. The optical information recording medium according to claim 1, comprising a thin film containing e as a main component.
e1-x )1-y (0.6≦x≦0.9、0<y≦0.2、
MはGa、Zn、Ge、Sn、In、Si、Cu、A
u、Ag、Al、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、
S、Se、Ta、Nb、Vのうちの少なくとも1種)合
金を主成分とする薄膜からなる請求項1に記載の光学的
情報記録用媒体。Wherein the phase change type recording layer, M y (Sb x T
e 1-x ) 1-y (0.6 ≦ x ≦ 0.9, 0 <y ≦ 0.2,
M is Ga, Zn, Ge, Sn, In, Si, Cu, A
u, Ag, Al, Pd, Pt, Pb, Cr, Co, O,
2. The optical information recording medium according to claim 1, comprising a thin film mainly containing an alloy of at least one of S, Se, Ta, Nb, and V).
する薄膜からなる相変化型記録層を有し、 該記録層の結晶部を未記録・消去状態とし非晶質部を記
録状態とし、最短マーク長0.5μm以下の複数の記録
マーク長により情報を記録するための光学的情報記録用
媒体であって、 該記録層は、一定線速度で、記録層を溶融させるに足る
記録パワーPwの記録光を連続的に照射すると概ね結晶
化され、 一定線速度で、記録層を溶融させるに足る記録パワーP
wの記録光を照射したのち遮断すると非晶質マークが形
成されることを特徴とする光学的情報記録用媒体。4. A phase change type recording layer comprising a thin film containing Ge, Sb, and Te as main components on a substrate, wherein a crystal part of the recording layer is in an unrecorded / erased state and an amorphous part is recorded. An optical information recording medium for recording information with a plurality of recording mark lengths having a minimum mark length of 0.5 μm or less, wherein the recording layer is sufficient to melt the recording layer at a constant linear velocity. When the recording light of the recording power Pw is continuously irradiated, the recording layer is substantially crystallized, and at a constant linear velocity, the recording power P sufficient to melt the recording layer is obtained.
An optical information recording medium, wherein an amorphous mark is formed when the recording light is irradiated and then cut off.
的情報記録用媒体であって、 最短マーク長0.5μm以下の複数のマーク長により信
号を記録したとき、 記録直後に再生した信号の変調度をM0 とし、 記録後、80℃80%RHの条件下で1000時間経過
ののち再生した信号の変調度をM1 とすると、 【数1】M1 /M0 ≧ 0.9 である光学的情報記録用媒体。5. The optical information recording medium according to claim 1, wherein when a signal is recorded with a plurality of mark lengths having a minimum mark length of 0.5 μm or less, the signal is reproduced immediately after the recording. If the modulation degree of the signal is M 0 and the modulation degree of the signal reproduced after 1000 hours has elapsed under the conditions of 80 ° C. and 80% RH after recording is M 1 , M 1 / M 0 ≧ 0. 9. An optical information recording medium according to item 9.
的情報記録用媒体であって、 最短マーク長0.4μmの複数のマーク長により、EF
Mプラス変調方式のランダム信号を記録したとき、 記録直後に再生した信号の変調度をM0 とし、 記録後、80℃80%RHの条件下で1000時間経過
ののち再生した信号の変調度をM1 とすると、 【数2】M1 /M0 ≧ 0.9 である光学的情報記録用媒体。6. The optical information recording medium according to claim 1, wherein a plurality of mark lengths each having a shortest mark length of 0.4 μm are used.
When a random signal of the M plus modulation method is recorded, the modulation degree of the signal reproduced immediately after recording is defined as M 0, and after recording, the modulation degree of the signal reproduced after 1000 hours has elapsed under the conditions of 80 ° C. and 80% RH. When M 1, Equation 2] M 1 / M optical information recording medium is 0 ≧ 0.9.
に、第1保護層、相変化型記録層、第2保護層、反射
層、を設けてなり、 該記録層の結晶部を未記録・消去状態とし非晶質部を記
録状態とし、最短マーク長0.5μm以下の複数の記録
マーク長により情報を記録するための光学的情報記録用
媒体であって、 相変化型記録層は膜厚が5nm以上25nm以下で、G
eSbTe三元状態図において、 (Sb0.7 Te0.3 )とGeを結ぶ直線A、 (Ge0.03Sb0.68Te0.29)と(Sb0.95Ge0.05)
を結ぶ直線B、 (Sb0.9 Ge0.1 )と(Te0.9 Ge0.1 )を結ぶ直
線C、及び(Sb0.8 Te0.2 )とGeを結ぶ直線Dの
4本の直線で囲まれた領域(ただし、境界線上を含まな
い)の組成を有するGeSbTe合金を主成分とする薄
膜からなり、 第2保護層は膜厚が5nm以上30nm以下であること
を特徴とする光学的情報記録用媒体。7. A substrate is provided with a first protective layer, a phase-change recording layer, a second protective layer, and a reflective layer in this order from the incident direction of recording / reproducing light. An optical information recording medium for recording information with a plurality of recording mark lengths having a minimum mark length of 0.5 μm or less in a recording / erasing state and an amorphous portion in a recording state, wherein a phase change recording layer is When the film thickness is 5 nm or more and 25 nm or less,
In the eSbTe ternary phase diagram, a straight line A connecting (Sb 0.7 Te 0.3 ) and Ge, (Ge 0.03 Sb 0.68 Te 0.29 ) and (Sb 0.95 Ge 0.05 )
, A straight line B connecting (Sb 0.9 Ge 0.1 ) and (Te 0.9 Ge 0.1 ), and a straight line D connecting (Sb 0.8 Te 0.2 ) and Ge. An optical information recording medium comprising a thin film mainly composed of a GeSbTe alloy having a composition (not including on a line) and a second protective layer having a thickness of 5 nm or more and 30 nm or less.
いて、 (Sb0.7 Te0.3 )とGeを結ぶ直線A、 (Ge0.03Sb0.68Te0.29)と(Sb0.9 Ge0.1 )
を結ぶ直線B’、 (Sb0.9 Ge0.1 )と(Te0.9 Ge0.1 )を結ぶ直
線C、及び(Sb0.8 Te0.2 )とGeを結ぶ直線Dの
4本の直線で囲まれた領域(ただし、境界線上を含まな
い)の組成を有するGeSbTe合金を主成分とする薄
膜からなる請求項7に記載の光学的情報記録用媒体。8. The recording layer has a straight line A connecting (Sb 0.7 Te 0.3 ) and Ge in the ternary phase diagram of GeSbTe, (Ge 0.03 Sb 0.68 Te 0.29 ) and (Sb 0.9 Ge 0.1 ).
B ′, a straight line C connecting (Sb 0.9 Ge 0.1 ) and (Te 0.9 Ge 0.1 ), and a straight line D connecting (Sb 0.8 Te 0.2 ) and Ge. 8. The optical information recording medium according to claim 7, comprising a thin film mainly composed of a GeSbTe alloy having a composition (not including on a boundary line).
1-x 合金を主成分とする薄膜(0.04≦x<0.1
0、0.72≦y<0.8)からなる請求項7に記載の
光学的情報記録用媒体。9. The recording layer, Ge x (Sb y Te 1 -y)
Thin film mainly composed of 1-x alloy (0.04 ≦ x <0.1
8. The optical information recording medium according to claim 7, wherein 0, 0.72 ≦ y <0.8).
1-x 合金を主成分とする薄膜(0.045≦x≦0.0
75、0.74≦y<0.8)からなる請求項7に記載
の光学的情報記録用媒体。10. A recording layer, Ge x (Sb y Te 1 -y)
Thin film mainly composed of 1-x alloy (0.045 ≦ x ≦ 0.0
75. The optical information recording medium according to claim 7, comprising: 0.74 ≦ y <0.8).
Sから選ばれる少なくとも1つの元素を含有し、 これら元素の総含有量が0.1原子%以上5原子%以下
である請求項7乃至10のいずれかに記載の光学的情報
記録用媒体。11. The recording layer further contains at least one element selected from O, N, and S, and the total content of these elements is 0.1 atomic% or more and 5 atomic% or less. 11. The optical information recording medium according to any one of 7 to 10.
a、Cr、Co、Pt、及びZrから選ばれる少なくと
も1つの元素を含有し、 これら元素の総含有量が8原子%以下であり、かつこれ
ら元素とGeとの総含有量が15原子%以下である請求
項7乃至10のいずれかに記載の光学的情報記録用媒
体。12. The recording layer further comprises V, Nb, T
a, containing at least one element selected from Cr, Co, Pt, and Zr, wherein the total content of these elements is 8 atomic% or less, and the total content of these elements and Ge is 15 atomic% or less The optical information recording medium according to any one of claims 7 to 10, wherein
及びGaから選ばれる少なくとも1つの元素を含有し、 これら元素の総含有量が8原子%以下であり、かつこれ
ら元素とGeとの総含有量が15原子%以下である請求
項7乃至10のいずれかに記載の光学的情報記録用媒
体。13. The recording layer according to claim 1, further comprising Al, In,
And at least one element selected from Ga and Ga, wherein the total content of these elements is 8 atomic% or less, and the total content of these elements and Ge is 15 atomic% or less. The optical information recording medium according to any one of the above.
m以下である請求項7乃至13のいずれかに記載の光学
的情報記録用媒体。14. The recording layer has a thickness of 10 nm or more and 20 n or more.
14. The optical information recording medium according to claim 7, wherein m is equal to or less than m.
5nm以下である請求項7乃至14のいずれかに記載の
光学的情報記録用媒体。15. The second protective layer has a thickness of 10 nm or more and 2
15. The optical information recording medium according to claim 7, which has a thickness of 5 nm or less.
の記録又は再生を行うための媒体であって、第1保護層
は膜厚が50nm以上である請求項7乃至15のいずれ
かに記載の光学的情報記録用媒体。16. A medium for recording or reproducing information by entering recording / reproducing light through a substrate, wherein the first protective layer has a thickness of 50 nm or more. Optical information recording medium.
nm以下で、体積抵抗率が20nΩ・m以上150nΩ
・m以下である請求項7乃至16のいずれかに記載の光
学的情報記録用媒体。17. The reflective layer has a thickness of 40 nm to 300 nm.
nm or less, the volume resistivity is 20 nΩ · m or more and 150 nΩ.
The optical information recording medium according to any one of claims 7 to 16, wherein m is equal to or less than m.
0nm以下で、Ta,Ti,Co,Cr,Si,Sc,
Hf,Pd,Pt,Mg,Zr,Mo及びMnのうちの
少なくとも一種を0.2原子%以上2原子%以下含むA
l合金からなる請求項17に記載の光学的情報記録用媒
体。18. The reflective layer has a thickness of 150 nm or more and 30 or more.
0 nm or less, Ta, Ti, Co, Cr, Si, Sc,
A containing at least one of Hf, Pd, Pt, Mg, Zr, Mo and Mn in an amount of 0.2 atomic% or more and 2 atomic% or less
18. The optical information recording medium according to claim 17, comprising an 1 alloy.
nm以下で、Ti,V,Ta,Nb,W,Co,Cr,
Si,Ge,Sn,Sc,Hf,Pd,Rh,Au,P
t,Mg,Zr,Mo及びMnのうちの少なくとも一種
を0.2原子%以上5原子%以下含むAg合金からなる
請求項17に記載の光学的情報記録用媒体。19. The reflective layer has a thickness of 40 nm to 150 nm.
nm, Ti, V, Ta, Nb, W, Co, Cr,
Si, Ge, Sn, Sc, Hf, Pd, Rh, Au, P
18. The optical information recording medium according to claim 17, comprising an Ag alloy containing at least one of t, Mg, Zr, Mo, and Mn at 0.2 atomic% or more and 5 atomic% or less.
反射層であり、該多層反射層全体の膜厚の50%以上が
体積抵抗率20nΩ・m以上150nΩ・m以下である
請求項17乃至19のいずれかに記載の光学的情報記録
用媒体。20. The reflective layer is a multilayer reflective layer comprising a plurality of metal films, and at least 50% of the total thickness of the multilayer reflective layer has a volume resistivity of 20 nΩ · m to 150 nΩ · m. 20. The optical information recording medium according to any one of claims to 19.
m以上100nm以下の界面層を設けた請求項17乃至
20のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。21. A film having a thickness of 5n between the second protective layer and the reflective layer.
21. The optical information recording medium according to claim 17, further comprising an interface layer having a thickness of at least 100 nm.
m以上100nm以下の界面層を設けてなり、 該界面層が、Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、H
f、Pd、Pt、Mg、Zr、Mo及びMnのうちの少
なくとも1種を0.2原子%以上2原子%以下含有する
Al合金からなり、 反射層が、Ti、V、Ta、Nb、W、Co、Cr、S
i、Ge、Sn、Sc、Hf、Pd、Rh、Au、P
t、Mg、Zr、Mo及びMnのうちの少なくとも一種
を0.2原子%以上5原子%以下含有するAg合金又は
Agからなる請求項17に記載の光学的情報記録用媒
体。22. A film having a thickness of 1 n between the second protective layer and the reflective layer.
and an interface layer having a thickness of not less than 100 nm and not more than 100 nm, wherein the interface layer is made of Ta, Ti, Co, Cr, Si, Sc, H
f, Pd, Pt, Mg, Zr, Mo and Mn, made of an Al alloy containing at least 0.2 atomic% and not more than 2 atomic%, wherein the reflective layer is made of Ti, V, Ta, Nb, W , Co, Cr, S
i, Ge, Sn, Sc, Hf, Pd, Rh, Au, P
18. The optical information recording medium according to claim 17, comprising an Ag alloy or Ag containing at least one of t, Mg, Zr, Mo, and Mn at 0.2 atomic% or more and 5 atomic% or less.
合金及び/又はAg合金の酸化物からなる層が存在し、
該酸化物層の厚みが1nm以上10nm以下である請求
項22に記載の光学的情報記録用媒体。23. The method according to claim 19, wherein the Al layer is provided between the interface layer and the reflective layer.
A layer consisting of an alloy and / or an Ag alloy oxide is present,
23. The optical information recording medium according to claim 22, wherein the thickness of the oxide layer is 1 nm or more and 10 nm or less.
0.8μm以下である請求項7乃至23のいずれかに記
載の光学的情報記録用媒体。24. The optical information recording medium according to claim 7, wherein a track on which information is recorded has a pitch of 0.8 μm or less.
するための媒体であって、基板上にピッチ0.8μm以
下の溝を有し、 再生光波長をλ、その波長における基板の屈折率をnと
するとき、溝深さがλ/(20n)〜λ/(10n)の
範囲にある請求項24に記載の光学的情報記録用媒体。25. A medium for recording information with only a groove inside as a track, having a groove with a pitch of 0.8 μm or less on a substrate, a reproducing light wavelength of λ, and a refractive index of the substrate at that wavelength. 25. The optical information recording medium according to claim 24, wherein n is a groove depth in a range of λ / (20n) to λ / (10n).
口数NAが0.6〜0.65の対物レンズを通し、基板
を介して記録層に集光させ、データの記録再生を行うた
めの媒体であって、 上記溝は溝ピッチが0.6〜0.8μm、溝深さが25
〜40nm、溝幅が0.25〜0.5μmであり、かつ
該溝は、データの基準クロック周期Tの30〜40倍の
周期の蛇行を有し、該蛇行の振幅(peak−to−p
eak値)が40〜80nmである請求項25に記載の
光学的情報記録用媒体。26. A light source for recording and reproducing data, wherein light having a wavelength of 630 to 670 nm passes through an objective lens having a numerical aperture NA of 0.6 to 0.65 and is condensed on a recording layer via a substrate. A medium, wherein the groove has a groove pitch of 0.6 to 0.8 μm and a groove depth of 25.
溝 40 nm, the groove width is 0.25 to 0.5 μm, and the groove has a meander of a period of 30 to 40 times the data reference clock period T, and the amplitude of the meander (peak-to-p).
The optical information recording medium according to claim 25, wherein the peak value (eak value) is 40 to 80 nm.
報を記録するための媒体であって、基板上に溝を有し、 再生光波長をλ、その波長における基板の屈折率をnと
するとき、溝深さがλ/(7n)〜λ/(5n)、又は
λ/(3.5n)〜λ/(2.5n)であり、 溝幅GWと溝間幅LWがともに0.2μm以上0.4μ
m以下であり、かつ、GW/LW比が0.8以上1.2
以下である請求項24に記載の光学的情報記録用媒体。27. A medium for recording information with both tracks inside and between grooves as tracks, having a groove on a substrate, a reproduction light wavelength of λ, and a refractive index of the substrate at that wavelength of n. The groove depth is λ / (7n) to λ / (5n) or λ / (3.5n) to λ / (2.5n), and the groove width GW and the groove width LW are both 0. 2μm or more 0.4μ
m or less, and the GW / LW ratio is 0.8 or more and 1.2
25. The optical information recording medium according to claim 24, wherein:
光学的情報記録用媒体であって、 記録マーク間には、非晶質を結晶化しうる消去パワーP
eの記録光を照射し、 一つの記録マークの時間的な長さをnTとしたとき(T
は基準クロック周期、nは2以上の整数)、 記録マークの時間的長さnTを、 【数3】η1 T、α1 T、β1 T、α2 T、β2 T、・
・・、 αi T、βi T、・・・、αm T、βm T、η2 T (ただし、mはパルス分割数でm=n−k、kは0≦k
≦2なる整数とする。また、Σi (αi +βi )+η1
+η2 =nとし、η1 はη1 ≧0なる実数、η2 はη2
≧0なる実数、0≦η1 +η2 ≦2.0とする。α
i (1≦i≦m)はαi >0なる実数とし、βi (1≦
i≦m)はβi >0なる実数とし、Σαi <0.5nと
する。α1 =0.1〜1.5、β1 =0.3〜1.0、
βm =0〜1.5とし、αi=0.1〜0.8(2≦i
≦m)とする。なお、3≦i≦mなるiにおいてαi +
βi-1 =0.5〜1.5の範囲にあり、かつ、iによら
ず一定とする。)の順に分割し、 αi T(1≦i≦m)の時間内においては記録層を溶融
させるにたるPw≧Peなる記録パワーPwの記録光を
照射し、βi T(1≦i≦m)の時間内においては、0
<Pb≦0.2Pe(ただし、βm Tにおいては、0<
Pb≦Peとなりうる)なるバイアスパワーPbの記録
光を照射することにより記録を行うための光学的情報記
録用媒体。28. The optical information recording medium according to claim 1, wherein an erasing power P capable of crystallizing an amorphous material between recording marks.
e, and the time length of one recording mark is nT (T
Reference clock period, n is an integer of 2 or more), the time length nT of the recording mark, Equation 3] η 1 T, α 1 T, β 1 T, α 2 T, β 2 T, ·
.., Α i T, β i T,..., Α m T, β m T, η 2 T (where m is the number of pulse divisions, m = nk, and k is 0 ≦ k)
≤2. Also, Σ i (α i + β i ) + η 1
+ Η 2 = n, η 1 is a real number satisfying η 1 ≧ 0, η 2 is η 2
A real number satisfying ≧ 0, and 0 ≦ η 1 + η 2 ≦ 2.0. α
i (1 ≦ i ≦ m) is a real number satisfying α i > 0, and β i (1 ≦ m)
i ≦ m) is a real number satisfying β i > 0, and Σα i <0.5n. α 1 = 0.1 to 1.5, β 1 = 0.3 to 1.0,
β m = 0 to 1.5, α i = 0.1 to 0.8 (2 ≦ i
≦ m). Note that α i + for i where 3 ≦ i ≦ m.
β i-1 is in the range of 0.5 to 1.5 and is constant regardless of i. Divided in the order of) irradiated with recording light barrel Pw ≧ Pe becomes recording power Pw to melt the recording layer is in the α i T (1 ≦ i ≦ m) of time, β i T (1 ≦ i ≦ Within time m), 0
<Pb ≦ 0.2Pe (However, in β m T, 0 <
An optical information recording medium for performing recording by irradiating a recording light with a bias power Pb of (Pb ≦ Pe).
媒体であって、 波長が350〜680nmの光を、開口数NAが0.5
5〜0.9の対物レンズを通して記録層に集光させ、デ
ータの記録再生を行うにあたり、 m=n−1もしくはm=n−2、 α1 =0.3〜1.5、 α1 ≧αi =0.2〜0.8(2≦i≦m)、 αi +βi-1 =1.0(3≦i≦m)、 0≦Pb≦1.5(mW)、 0.3≦Pe/Pw≦0.6として記録を行うための光
学的情報記録用媒体。29. The optical information recording medium according to claim 28, wherein light having a wavelength of 350 to 680 nm and a numerical aperture NA of 0.5 are provided.
When condensing light on the recording layer through an objective lens of 5 to 0.9 and performing data recording and reproduction, m = n-1 or m = n-2, α 1 = 0.3 to 1.5, α 1 ≧ α i = 0.2 to 0.8 (2 ≦ i ≦ m), α i + β i−1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), 0 ≦ Pb ≦ 1.5 (mW), 0.3 An optical information recording medium for performing recording with ≦ Pe / Pw ≦ 0.6.
報記録用媒体であって、 波長が600〜680nmの光を、開口数NAが0.5
5〜0.65の対物レンズを通し、基板を介して記録層
に集光させ、最短マーク長を0.35〜0.45μmの
範囲として、データの記録再生を行うにあたり、 nは1〜14の整数とし、 m=n−1とし、 Pbは線速によらず一定とし、 Pe/Pwは0.4〜0.6の範囲で線速度に応じて変
化しうるものとし、(i)記録線速度3〜4m/sの範
囲においては、基準クロック周期TをToとし、 α1 =0.3〜0.8、 α1 ≧αi =0.2〜0.4であってiによらず一定
(2≦i≦m)、 α2 +β1 ≧1.0、 αi +βi-1 =1.0(3≦i≦m)、 βm =0.3〜1.5とし、 αi T(1≦i≦m)の時間内においては記録パワーP
w1 の記録光を照射し、(ii)記録線速度6〜8m/
sの範囲においては、基準クロック周期TをTo/2と
し、 α’1 =0.3〜0.8、 α’1 ≧α’i =0.3〜0.5であってiによらず一
定(2≦i≦m)、 α’i +β’i-1 =1.0(3≦i≦m)、 β’m =0〜1.0とし、 αi T(1≦i≦m)の時間内においては記録パワーP
w2 の記録光を照射するとしたとき、 α’i >αi (2≦i≦m)、かつ、0.8≦Pw1 /
Pw2 ≦1.2として記録を行うための光学的情報記録
用媒体。30. The optical information recording medium according to claim 28, wherein a light having a wavelength of 600 to 680 nm and a numerical aperture NA of 0.5.
When recording / reproducing data with the shortest mark length in the range of 0.35 to 0.45 μm through the objective lens of 5 to 0.65 and focusing on the recording layer through the substrate, n is 1 to 14 M = n-1, Pb is constant irrespective of the linear velocity, Pe / Pw is variable in the range of 0.4 to 0.6 depending on the linear velocity, and (i) recording In the linear velocity range of 3 to 4 m / s, the reference clock cycle T is To, α 1 = 0.3 to 0.8, α 1 ≧ α i = 0.2 to 0.4, and Constant (2 ≦ i ≦ m), α 2 + β 1 ≧ 1.0, α i + β i−1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), β m = 0.3 to 1.5, α The recording power P within the time of i T (1 ≦ i ≦ m)
irradiating the recording light of w 1, (ii) recording linear velocity 6-8 m /
In the range of s, the reference clock cycle T is To / 2, α ′ 1 = 0.3 to 0.8, α ′ 1 ≧ α ′ i = 0.3 to 0.5, and regardless of i Constant (2 ≦ i ≦ m), α ′ i + β ′ i−1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), β ′ m = 0 to 1.0, α i T (1 ≦ i ≦ m) Recording power P
when the irradiation with recording light of w 2, α 'i> α i (2 ≦ i ≦ m), and, 0.8 ≦ Pw 1 /
An optical information recording medium for recording with Pw 2 ≦ 1.2.
媒体であって、所定の記録領域を有し、 記録領域最内周での線速度が2〜4m/sとなり記録領
域最外周での線速度が6〜10m/sとなるように該媒
体を角速度一定で回転させ、 該記録領域は半径によって区切られた複数ゾーンからな
り、各ゾーン内の平均線速度に応じて記録密度がほぼ一
定となるように基準クロック周期Tを変化させて記録を
行うにあたり、 ゾーンによらずmを一定とし、 外周ゾーンから内周ゾーンに向かって、Pb/Pe及び
/又はαi (iは1≦i≦mの少なくとも一つ)を単調
に減少させることにより記録を行うための光学的情報記
録用媒体。31. The optical information recording medium according to claim 28, further comprising a predetermined recording area, wherein the linear velocity at the innermost circumference of the recording area is 2 to 4 m / s, and at the outermost circumference of the recording area. The medium is rotated at a constant angular velocity so that the linear velocity becomes 6 to 10 m / s. The recording area is composed of a plurality of zones separated by a radius, and the recording density is substantially changed according to the average linear velocity in each zone. When performing recording by changing the reference clock period T so as to be constant, m is constant regardless of the zone, and Pb / Pe and / or α i (i is 1 ≦ from the outer zone toward the inner zone). an optical information recording medium for performing recording by monotonously decreasing at least one of i ≦ m).
媒体であって、 上記記録領域は半径によってp個のゾーンに分割され、
最内周側を第1ゾーン、最外周側を第pゾーンとし、第
qゾーン(ただし、qは1≦q≦pの整数)における角
速度をωq 、平均線速度を<vq >ave 、最大線速度を
<vq >max 、最小線速度を<vq >min 、基準クロッ
ク周期をTq 、最短マークの時間的長さをnmin Tq と
すると、 <vp >ave /<v1 >ave は1.2〜3の範囲であっ
て、<vq >max /<vq >min は1.5以下であり、
(i)同一ゾーン内では、ωq 、Tq 、αi 、βi 、P
e、Pb、及びPwは一定であり、最短マークの物理的
長さnmin Tq <vq >ave は0.5μm以下であり、
Tq <vq >ave は1≦q≦pなる全てのqに対してほ
ぼ一定であり、かつ、 m=n−1もしくはm=n−2、 α1 =0.3〜1.5、 α1 ≧αi =0.2〜0.8(2≦i≦m)、 αi +βi-1 =1.0(3≦i≦m)、 0≦Pb≦1.5(mW)、 0.4≦Pe/Pw≦0.6であり、(ii)各ゾーン
ごとにPb、Pw、Pe/Pw、αi (1≦i≦m)、
β1 、βm は可変であり、外周ゾーンから内周ゾーンに
向かって、少なくともαi (iは2≦i≦mの少なくと
も一つ)を単調に減少させることにより記録を行うため
の光学的情報記録用媒体。32. The optical information recording medium according to claim 31, wherein the recording area is divided into p zones by a radius,
The innermost side is a first zone, the outermost side is a p-th zone, an angular velocity in a q-th zone (q is an integer of 1 ≦ q ≦ p) is ω q , and an average linear velocity is <v q > ave , If the maximum linear velocity is <v q > max , the minimum linear velocity is <v q > min , the reference clock cycle is T q , and the time length of the shortest mark is n min T q , <v p > ave / <v 1> ave is in the range of 1.2~3, <v q> max / <v q> min is 1.5 or less,
(I) Within the same zone, ω q , T q , α i , β i , P
e, Pb, and Pw are constant, the physical length of the shortest mark n min T q <v q > ave is 0.5 μm or less;
T q <v q > ave is substantially constant for all q satisfying 1 ≦ q ≦ p, and m = n−1 or m = n−2, α 1 = 0.3 to 1.5, α 1 ≧ α i = 0.2 to 0.8 (2 ≦ i ≦ m), α i + β i−1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), 0 ≦ Pb ≦ 1.5 (mW), 0.4 ≦ Pe / Pw ≦ 0.6, (ii) Pb, Pw, Pe / Pw, α i (1 ≦ i ≦ m) for each zone,
β 1 and β m are variable, and optical recording for performing recording by monotonously decreasing at least α i (i is at least one of 2 ≦ i ≦ m) from the outer peripheral zone toward the inner peripheral zone. Information recording medium.
wmax 、最小値をPwmin とするとき、Pwmax /Pw
min ≦1.2とする、請求項32に記載の光学的情報記
録用媒体。33. The maximum value of Pw in the recording area is P
When you w max, the minimum value and Pw min, Pw max / Pw
33. The optical information recording medium according to claim 32, wherein min ≦ 1.2.
の光学的情報記録用媒体であって、 波長が600〜680nmの光を、開口数NAが0.5
5〜0.65の対物レンズを通し、基板を介して記録層
に集光させ、データの記録再生を行うにあたり、 上記記録領域の最内周が半径20〜25mmの範囲にあ
り、最外周が半径55〜60mmの範囲にあり、最内周
側ゾーンの平均線速度が3〜4m/sであり、 第qゾーン(ただし、qは1≦q≦pの整数)における
角速度をωq 、平均線速度を<vq >ave 、最大線速度
を<vq >max 、最小線速度を<vq >min 、基準クロ
ック周期をTq 、最短マークの時間的長さをnmin Tq
とすると、 nは1〜14の整数であり、 m=n−1であり、 ωq 、Pb及びPe/Pwはゾーンによらず一定であ
り、 Tq <vq >ave は1≦q≦pなる全てのqに対してほ
ぼ一定であり、かつ、 【数4】(<vq >max −<vq >min )/(<vq >
max +<vq >min )<10% を満たし、 (i)第1ゾーンにおいては、 α1 1=0.3〜0.8、 α1 1≧α1 i =0.2〜0.4であってiによらず一定
(2≦i≦m)、 α1 2+β1 1≧1.0、 α1 i +β1 i-1 =1.0(3≦i≦m)とし、 (ii)第pゾーンにおいては、 αp 1 =0.3〜0.8、 αp 1 ≧αp i =0.3〜0.5であってiによらず一
定(2≦i≦m)、 αp i +βp i-1 =1.0(2≦i≦m)としたとき、
(iii)他のゾーンにおいては、α1 i ≦αq i ≦α
p i (2≦i≦m)とし、αq 1 はα1 1とαp 1 との間
の値とすることにより記録を行うための光学的情報記録
用媒体。34. The optical information recording medium according to claim 31, wherein light having a wavelength of 600 to 680 nm and a numerical aperture NA of 0.5 are provided.
When recording and reproducing data by condensing light on a recording layer through a substrate through a 5-0.65 objective lens, the innermost circumference of the recording area is in a range of a radius of 20 to 25 mm, and the outermost circumference is The radius is in the range of 55 to 60 mm, the average linear velocity in the innermost zone is 3 to 4 m / s, the angular velocity in the q-th zone (where q is an integer of 1 ≦ q ≦ p) is ω q , The linear velocity is <v q > ave , the maximum linear velocity is <v q > max , the minimum linear velocity is <v q > min , the reference clock cycle is T q , and the time length of the shortest mark is n min T q.
Then, n is an integer of 1 to 14, m = n−1, ω q , Pb and Pe / Pw are constant regardless of the zone, and T q <v q > ave is 1 ≦ q ≦ It is substantially constant for all q of p, and ## EQU4 ## (<v q > max− <v q > min ) / (<v q >
max + <v q> min) < meets 10%, (i) in the first zone, α 1 1 = 0.3~0.8, α 1 1 ≧ α 1 i = 0.2~0.4 constant irrespective of i a is (2 ≦ i ≦ m), α 1 2 + β 1 1 ≧ 1.0, and α 1 i + β 1 i- 1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), (ii ) in the first p zone, constant regardless of the alpha p 1 = 0.3 to 0.8, a α p 1 ≧ α p i = 0.3~0.5 i (2 ≦ i ≦ m), When α p i + β p i−1 = 1.0 (2 ≦ i ≦ m),
(Iii) In other zones, α 1 i ≦ α q i ≦ α
p i (2 ≦ i ≦ m ) and then, alpha q 1 optical information recording medium for recording is by a value between the alpha 1 1 and alpha p 1.
>αp 1 )とすることにより記録を行うための請求項3
4に記載の光学的情報記録用媒体。35. α 1 1 ≧ α q 1 ≧ α p 1 ( provided that, alpha 1 1
> Α p 1 ) for recording.
5. The optical information recording medium according to item 4.
ンによらず一定であり、α1 及びαi (2≦i≦m)を
ゾーンにより変化させることにより記録を行うための請
求項34又は35に記載の光学的情報記録用媒体。36. Pb, Pe / Pw, β 1 , and β m are constant irrespective of the zone, and a request for recording by changing α 1 and α i (2 ≦ i ≦ m) depending on the zone. Item 34. The optical information recording medium according to Item 34 or 35.
βm 、(α1 1、αp 1 )、(α1 c 、αp c )の数値
が、あらかじめ基板上に、プリピット列或いは溝変形に
より記載されている請求項34乃至36のいずれかに記
載の光学的情報記録用媒体。37. At least Pe / Pw, Pb, Pw,
βm, (Α1 1, Αp 1), (Α1 c, Αp c) Number
However, pre-pit rows or groove deformation on the substrate in advance
Claim 34.
Optical information recording medium.
アドレス情報をあらかじめ基板上に記録した光学的情報
記録用媒体であって、該アドレス情報とともに、該アド
レスにおいて適当なα1 及びαi (2≦i≦m)に関す
る情報を含む請求項34乃至37のいずれかに記載の光
学的情報記録用媒体。38. By deforming the pre-pit row or groove,
38. An optical information recording medium in which address information is recorded on a substrate in advance, the information including, in addition to the address information, information on appropriate α 1 and α i (2 ≦ i ≦ m) in the address. The optical information recording medium according to any one of the above.
光学的情報記録用媒体であって、 記録マーク間には、非晶質を結晶化しうる消去パワーP
eの記録光を照射し、 一つの記録マークの時間的な長さをnTとしたとき(T
は基準クロック周期、nは2以上の整数)、 記録マークの時間的長さnTを、 【数5】η1 T、α1 T、β1 T、α2 T、β2 T、・
・・、 αi T、βi T、・・・、αm T、βm T、η2 T (ただし、mはパルス分割数でm=n−k、kは0≦k
≦2なる整数とする。また、Σi (αi +βi )+η1
+η2 =nとし、η1 はη1 ≧0なる実数、η2 はη2
≧0なる実数、0≦η1 +η2 ≦2.0とする。α
i (1≦i≦m)はαi >0なる実数とし、βi (1≦
i≦m)はβi >0なる実数とする。α1 =0.1〜
1.5、β1 =0.3〜1.0、βm =0〜1.5と
し、2≦i≦mなるiにおいてαi は0.1〜0.8の
範囲にあり、かつ、iによらず一定とする。なお、3≦
i≦mなるiにおいてαi +βi-1 は0.5〜1.5の
範囲にあり、かつ、iによらず一定とする。)の順に分
割し、 αi T(1≦i≦m)の時間内においては記録層を溶融
させるにたるPw≧Peなる記録パワーPwの記録光を
照射し、βi T(1≦i≦m)の時間内においては、0
<Pb≦0.2Pe(ただし、βm Tにおいては、0<
Pb≦Peとなりうる)なるバイアスパワーPbの記録
光を照射し、 線速度によらずm、αi +βi-1 (3≦i≦m)、α1
T、及びαi T(2≦i≦m)を一定とし、線速度が小
さいほどβm が単調に増加するように変化させることで
記録を行うための光学的情報記録用媒体。39. The optical information recording medium according to claim 1, wherein an erasing power P capable of crystallizing an amorphous material between recording marks.
e, and the time length of one recording mark is nT (T
Is the reference clock cycle, n is an integer of 2 or more), and the temporal length nT of the recording mark is expressed as follows: η 1 T, α 1 T, β 1 T, α 2 T, β 2 T,.
.., Α i T, β i T,..., Α m T, β m T, η 2 T (where m is the number of pulse divisions, m = nk, and k is 0 ≦ k)
≤2. Also, Σ i (α i + β i ) + η 1
+ Η 2 = n, η 1 is a real number satisfying η 1 ≧ 0, η 2 is η 2
A real number satisfying ≧ 0, and 0 ≦ η 1 + η 2 ≦ 2.0. α
i (1 ≦ i ≦ m) is a real number satisfying α i > 0, and β i (1 ≦ m)
i ≦ m) is a real number satisfying β i > 0. α 1 = 0.1 ~
1.5, β 1 = 0.3 to 1.0, β m = 0 to 1.5, α i is in the range of 0.1 to 0.8 at 2 ≦ i ≦ m, and It is constant regardless of i. Note that 3 ≦
In the case of i ≦ i, α i + β i−1 is in the range of 0.5 to 1.5, and is constant regardless of i. Divided in the order of) irradiated with recording light barrel Pw ≧ Pe becomes recording power Pw to melt the recording layer is in the α i T (1 ≦ i ≦ m) of time, β i T (1 ≦ i ≦ Within time m), 0
<Pb ≦ 0.2Pe (However, in β m T, 0 <
Irradiate recording light with a bias power Pb of (Pb ≦ Pe), m, α i + β i−1 (3 ≦ i ≦ m), α 1 irrespective of the linear velocity
An optical information recording medium for performing recording by making T and α i T (2 ≦ i ≦ m) constant, and changing β m so that β m monotonically increases as the linear velocity decreases.
wmax 、最小記録パワーをPwmin とするとき、 Pwmax /Pwmin ≦1.2、 Pe/Pw=0.4〜0.6、 0≦Pb≦1.5(mW) とすることにより記録を行うための請求項39に記載の
光学的情報記録用媒体。40. The maximum recording power at each recording linear velocity is P
When w max, the minimum recording power and Pw min, recorded by the Pw max / Pw min ≦ 1.2, Pe / Pw = 0.4~0.6, 0 ≦ Pb ≦ 1.5 (mW) 40. The optical information recording medium according to claim 39 for performing:
Σαi <0.5nとすることにより記録を行うための請
求項40に記載の光学的情報記録用媒体。41. When the recording linear velocity is 5 m / s or less,
41. The optical information recording medium according to claim 40, wherein recording is performed by setting Σα i <0.5n.
βH m 、最小記録線速度におけるβm をβL m としたと
き、 他の記録線速度におけるβm は、βL m とβH m の間の
値とし、 記録線速度によらずPb、Pe/Pwを一定とすること
により記録を行うための請求項40又は41に記載の光
学的情報記録用媒体。42. When the beta m at the maximum recording linear velocity beta H m, the beta m at the minimum recording linear velocity was set to beta L m, the beta m in other recording linear velocity, the beta L m and beta H m 42. The optical information recording medium according to claim 40, wherein recording is performed by setting Pb and Pe / Pw constant regardless of the recording linear velocity.
ことにより記録を行うための請求項39又は40に記載
の光学的情報記録用媒体。43. The optical information recording medium according to claim 39, wherein recording is performed by keeping β m constant irrespective of the recording linear velocity.
w、α1 T、αi T(2≦i≦m)、(βL m 、
βH m )の数値が、あらかじめ基板上に、プリピット列
或いは溝変形により記録されている請求項42に記載の
光学的情報記録用媒体。44. At least Pe / Pw ratio, Pb, P
w, α 1 T, α i T (2 ≦ i ≦ m), (β L m ,
43. The optical information recording medium according to claim 42, wherein the numerical value of β H m ) is recorded in advance on the substrate by a prepit row or groove deformation.
光学的情報記録用媒体であって、 所定の記録領域を有し、該記録領域が半径方向に均等な
幅を有するp個のゾーンに分割され、半径位置によらず
角速度一定で回転させて情報を複数のマーク長により記
録するための光学的情報記録用媒体であって、 基板上に、所定の溝蛇行信号を有する溝が形成され、該
溝蛇行信号の基準周期は各ゾーン毎に変化し、第qゾー
ン(ただし、qは1≦q≦pの整数)における平均線速
度を<vq >ave 、最大線速度を<vq >max 、最小線
速度を<vq > min 、溝蛇行信号の基準周期をTwq と
すると、 <vq >ave Twq は一定であり、 【数6】(<vq >max −<vq >min )/(<vq >
max +<vq >min )<1% を満たす光学的情報記録用媒体。45. The method according to claim 1, wherein
An optical information recording medium, having a predetermined recording area, wherein the recording area is radially even.
Divided into p zones with width, regardless of radial position
Information is recorded by multiple mark lengths by rotating at a constant angular velocity.
An optical information recording medium for recording, wherein a groove having a predetermined groove meandering signal is formed on a substrate,
The reference cycle of the groove meandering signal changes for each zone, and
(Where q is an integer of 1 ≦ q ≦ p)
Degree <vq>ave, Maximum linear velocity <vq>max, Minimum line
Speed <vq> min, The reference period of the groove meandering signal is TwqWhen
Then, <vq>aveTwqIs constant, andq>max− <Vq>min) / (<Vq>
max+ <Vq>min) An optical information recording medium satisfying <1%.
ゾーンによらず周期が一定の蛇行を有し、 溝ピッチをTP、蛇行周期をTw0 とすると、近似的に 【数7】2π・TP=a・Tw0 ・v0 (ただし、aは自然数)なる関係を満たす請求項45に
記載の光学的情報記録用媒体。46. and 1 zone around the groove, said groove period irrespective of the zone has a meandering constant, when the groove pitch TP, the meander period as Tw 0, approximately ## EQU7 ## The optical information recording medium according to claim 45, wherein a relationship of 2π · TP = a · Tw 0 · v 0 (where a is a natural number) is satisfied.
光学的情報記録用媒体であって、 所定の記録領域を有し、該記録領域が半径方向に均等な
幅を有するp個のゾーンに分割され(ただし、pは20
0以上の整数)、半径位置によらず角速度一定で回転さ
せて情報を複数のマーク長により記録するための光学的
情報記録用媒体であって、 基板上に、所定の溝蛇行信号を有する溝が形成され、該
溝蛇行信号の基準周期は各ゾーン毎に変化し、第qゾー
ン(ただし、qは1≦q≦pの整数)における平均線速
度を<vq >ave 、溝蛇行信号の基準周期をTwq とす
ると、<vq > ave Twq は一定である光学的情報記録
用媒体。47. The method according to claim 1, wherein
An optical information recording medium, having a predetermined recording area, wherein the recording area is radially even.
Divided into p zones having a width (where p is 20
(Integer greater than 0), rotating at constant angular velocity regardless of radial position
Optical information for recording information with multiple mark lengths
An information recording medium, wherein a groove having a predetermined groove meandering signal is formed on a substrate,
The reference cycle of the groove meandering signal changes for each zone, and
(Where q is an integer of 1 ≦ q ≦ p)
Degree <vq>ave, The reference period of the groove meandering signal is TwqToss
Then, <vq> aveTwqIs a constant optical information record
Medium.
5mmの範囲にあり、最外周が半径55〜60mmの範
囲にある請求項47に記載の光学的情報記録用媒体。48. An innermost circumference of the recording area having a radius of 20 to 2
48. The optical information recording medium according to claim 47, wherein the medium is in a range of 5 mm, and the outermost circumference is in a range of 55 to 60 mm in radius.
光学的情報記録用媒体に情報を記録するにあたり、 記録マーク間には、非晶質を結晶化しうる消去パワーP
eの記録光を照射し、 一つの記録マークの時間的な長さをnTとしたとき(T
は基準クロック周期、nは2以上の整数)、 記録マークの時間的長さnTを、 【数8】η1 T、α1 T、β1 T、α2 T、β2 T、・
・・、 αi T、βi T、・・・、αm T、βm T、η2 T (ただし、mはパルス分割数でm=n−k、kは0≦k
≦2なる整数とする。また、Σi (αi +βi )+η1
+η2 =nとし、η1 はη1 ≧0なる実数、η2 はη2
≧0なる実数、0≦η1 +η2 ≦2.0とする。α
i (1≦i≦m)はαi >0なる実数とし、βi (1≦
i≦m)はβi >0なる実数とし、Σαi <0.5nと
する。α1 =0.1〜1.5、β1 =0.3〜1.0、
βm =0〜1.5とし、αi=0.1〜0.8(2≦i
≦m)とする。なお、3≦i≦mなるiにおいてαi +
βi-1 =0.5〜1.5の範囲にあり、かつ、iによら
ず一定とする。)の順に分割し、 αi T(1≦i≦m)の時間内においては記録層を溶融
させるにたるPw≧Peなる記録パワーPwの記録光を
照射し、βi T(1≦i≦m)の時間内においては、0
<Pb≦0.2Pe(ただし、βm Tにおいては、0<
Pb≦Peとなりうる)なるバイアスパワーPbの記録
光を照射することを特徴とする光学的情報記録用媒体の
光記録方法。49. In recording information on the optical information recording medium according to claim 1, an erasing power P capable of crystallizing an amorphous between recording marks.
e, and the time length of one recording mark is nT (T
Is the reference clock cycle, n is an integer of 2 or more), and the time length nT of the recording mark is expressed as follows: η 1 T, α 1 T, β 1 T, α 2 T, β 2 T,.
.., Α i T, β i T,..., Α m T, β m T, η 2 T (where m is the number of pulse divisions, m = nk, and k is 0 ≦ k)
≤2. Also, Σ i (α i + β i ) + η 1
+ Η 2 = n, η 1 is a real number satisfying η 1 ≧ 0, η 2 is η 2
A real number satisfying ≧ 0, and 0 ≦ η 1 + η 2 ≦ 2.0. α
i (1 ≦ i ≦ m) is a real number satisfying α i > 0, and β i (1 ≦ m)
i ≦ m) is a real number satisfying β i > 0, and Σα i <0.5n. α 1 = 0.1 to 1.5, β 1 = 0.3 to 1.0,
β m = 0 to 1.5, α i = 0.1 to 0.8 (2 ≦ i
≦ m). Note that α i + for i where 3 ≦ i ≦ m.
β i-1 is in the range of 0.5 to 1.5 and is constant regardless of i. Divided in the order of) irradiated with recording light barrel Pw ≧ Pe becomes recording power Pw to melt the recording layer is in the α i T (1 ≦ i ≦ m) of time, β i T (1 ≦ i ≦ Within time m), 0
<Pb ≦ 0.2Pe (However, in β m T, 0 <
An optical recording method for an optical information recording medium, which comprises irradiating recording light with a bias power Pb that satisfies Pb ≦ Pe).
口数NAが0.55〜0.9の対物レンズを通して記録
層に集光させ、データの記録再生を行う光記録方法であ
って、 m=n−1もしくはm=n−2、 α1 =0.3〜1.5、 α1 ≧αi =0.2〜0.8(2≦i≦m)、 αi +βi-1 =1.0(3≦i≦m)、 0≦Pb≦1.5(mW)、 0.3≦Pe/Pw≦0.6 である請求項49に記載の光記録方法。50. An optical recording method for recording and reproducing data by condensing light having a wavelength of 350 to 680 nm on a recording layer through an objective lens having a numerical aperture NA of 0.55 to 0.9, = N-1 or m = n-2, α 1 = 0.3 to 1.5, α 1 ≧ α i = 0.2 to 0.8 (2 ≦ i ≦ m), α i + β i-1 = 50. The optical recording method according to claim 49, wherein 1.0 (3≤i≤m), 0≤Pb≤1.5 (mW), and 0.3≤Pe / Pw≤0.6.
口数NAが0.55〜0.65の対物レンズを通し、基
板を介して記録層に集光させ、最短マーク長を0.35
〜0.45μmの範囲として、データの記録再生を行う
光記録方法であって、 nは1〜14の整数とし、 m=n−1とし、 Pbは線速によらず一定とし、 Pe/Pwは0.4〜0.6の範囲で線速度に応じて変
化しうるものとし、(i)記録線速度3〜4m/sの範
囲においては、基準クロック周期TをToとし、 α1 =0.3〜0.8、 α1 ≧αi =0.2〜0.4であってiによらず一定
(2≦i≦m)、 α2 +β1 ≧1.0、 αi +βi-1 =1.0(3≦i≦m)、 βm =0.3〜1.5とし、 αi T(1≦i≦m)の時間内においては記録パワーP
w1 の記録光を照射し、(ii)記録線速度6〜8m/
sの範囲においては、基準クロック周期TをTo/2と
し、 α’1 =0.3〜0.8、 α’1 ≧α’i =0.3〜0.5であってiによらず一
定(2≦i≦m)、 α’i +β’i-1 =1.0(3≦i≦m)、 β’m =0〜1.0とし、 αi T(1≦i≦m)の時間内においては記録パワーP
w2 の記録光を照射するとしたとき、 α’i >αi (2≦i≦m)、かつ、0.8≦Pw1 /
Pw2 ≦1.2である請求項49又は50に記載の光記
録方法。51. A light having a wavelength of 600 to 680 nm passes through an objective lens having a numerical aperture NA of 0.55 to 0.65, is focused on a recording layer via a substrate, and has a minimum mark length of 0.35.
An optical recording method for recording / reproducing data in a range of up to 0.45 μm, wherein n is an integer of 1 to 14, m = n−1, Pb is constant regardless of the linear velocity, and Pe / Pw Can be varied according to the linear velocity in the range of 0.4 to 0.6. (I) In the range of the recording linear velocity of 3 to 4 m / s, the reference clock cycle T is To, and α 1 = 0 0.3 to 0.8, α 1 ≧ α i = 0.2 to 0.4, constant irrespective of i (2 ≦ i ≦ m), α 2 + β 1 ≧ 1.0, α i + β i− 1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), β m = 0.3 to 1.5, and the recording power P within the time α i T (1 ≦ i ≦ m)
irradiating the recording light of w 1, (ii) recording linear velocity 6-8 m /
In the range of s, the reference clock cycle T is To / 2, α ′ 1 = 0.3 to 0.8, α ′ 1 ≧ α ′ i = 0.3 to 0.5, and regardless of i Constant (2 ≦ i ≦ m), α ′ i + β ′ i−1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), β ′ m = 0 to 1.0, α i T (1 ≦ i ≦ m) Recording power P
when the irradiation with recording light of w 2, α 'i> α i (2 ≦ i ≦ m), and, 0.8 ≦ Pw 1 /
The optical recording method according to claim 49, wherein Pw 2 ≦ 1.2.
録用媒体を角速度一定で回転させて情報を複数のマーク
長により記録する方法であって、 記録領域最内周での線速度が2〜4m/sとなり記録領
域最外周での線速度が6〜10m/sとなるように該媒
体を回転させ、 該記録領域は半径によって区切られた複数ゾーンからな
り、各ゾーン内の平均線速度に応じて記録密度がほぼ一
定となるように基準クロック周期Tを変化させる記録方
法であって、 ゾーンによらずmを一定とし、 外周ゾーンから内周ゾーンに向かって、Pb/Pe及び
/又はαi (iは1≦i≦mの少なくとも一つ)を単調
に減少させる請求項49に記載の光記録方法。52. A method for recording information with a plurality of mark lengths by rotating an optical information recording medium having a predetermined recording area at a constant angular velocity, wherein the linear velocity at the innermost circumference of the recording area is 2 to 50. The medium is rotated such that the linear velocity at the outermost periphery of the recording area becomes 4 to 10 m / s, and the recording area comprises a plurality of zones separated by a radius. This is a recording method in which the reference clock period T is changed so that the recording density becomes substantially constant in accordance with the above, wherein m is constant irrespective of the zone, and Pb / Pe and / or α from the outer zone toward the inner zone. 50. The optical recording method according to claim 49, wherein i (i is at least one of 1? i? m) is monotonously reduced.
ーンに分割され、最内周側を第1ゾーン、最外周側を第
pゾーンとし、第qゾーン(ただし、qは1≦q≦pの
整数)における角速度をωq 、平均線速度を<vq >
ave 、最大線速度を<vq >max 、最小線速度を<vq
>min 、基準クロック周期をTq 、最短マークの時間的
長さをnmin Tq とすると、 <vp >ave /<v1 >ave は1.2〜3の範囲であっ
て、<vq >max /<vq >min は1.5以下であり、
(i)同一ゾーン内では、ωq 、Tq 、αi 、βi 、P
e、Pb、及びPwは一定であり、最短マークの物理的
長さnmin Tq <vq >ave は0.5μm以下であり、
Tq <vq >ave は1≦q≦pなる全てのqに対してほ
ぼ一定であり、かつ、 m=n−1もしくはm=n−2、 α1 =0.3〜1.5、 α1 ≧αi =0.2〜0.8(2≦i≦m)、 αi +βi-1 =1.0(3≦i≦m)、 0≦Pb≦1.5(mW)、 0.4≦Pe/Pw≦0.6 であり、(ii)各ゾーンごとにPb、Pw、Pe/P
w、αi (1≦i≦m)、β1 、βm は可変であり、外
周ゾーンから内周ゾーンに向かって、少なくともα
i (iは2≦i≦mの少なくとも一つ)を単調に減少さ
せる請求項52に記載の光記録方法。53. The recording area is divided into p zones by radius, the innermost side being a first zone, the outermost side being a pth zone, and a qth zone (where q is 1 ≦ q ≦ p). Ω q , and the average linear velocity is <v q >
ave , the maximum linear velocity is <v q > max , and the minimum linear velocity is <v q
> Min , the reference clock period is T q , and the time length of the shortest mark is n min T q , <v p > ave / <v 1 > ave is in the range of 1.2 to 3, and <v q > max / < vq > min is 1.5 or less;
(I) Within the same zone, ω q , T q , α i , β i , P
e, Pb, and Pw are constant, the physical length of the shortest mark n min T q <v q > ave is 0.5 μm or less;
T q <v q > ave is substantially constant for all q satisfying 1 ≦ q ≦ p, and m = n−1 or m = n−2, α 1 = 0.3 to 1.5, α 1 ≧ α i = 0.2 to 0.8 (2 ≦ i ≦ m), α i + β i−1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), 0 ≦ Pb ≦ 1.5 (mW), 0.4 ≦ Pe / Pw ≦ 0.6, (ii) Pb, Pw, Pe / P for each zone
w, α i (1 ≦ i ≦ m), β 1 , and β m are variable, and at least α from the outer zone toward the inner zone.
53. The optical recording method according to claim 52, wherein i (i is at least one of 2≤i≤m) is monotonously reduced.
wmax 、最小値をPwmin とするとき、Pwmax /Pw
min ≦1.2である請求項53に記載の光記録方法。54. The maximum value of Pw in the recording area is P
When you w max, the minimum value and Pw min, Pw max / Pw
The optical recording method according to claim 53, wherein min ≦ 1.2.
口数NAが0.55〜0.65の対物レンズを通し、基
板を介して記録層に集光させ、データの記録再生を行う
光記録方法であって、 上記記録領域の最内周が半径20〜25mmの範囲にあ
り、最外周が半径55〜60mmの範囲にあり、最内周
側ゾーンの平均線速度が3〜4m/sであり、 第qゾーン(ただし、qは1≦q≦pの整数)における
角速度をωq 、平均線速度を<vq >ave 、最大線速度
を<vq >max 、最小線速度を<vq >min 、基準クロ
ック周期をTq 、最短マークの時間的長さをnmin Tq
とすると、 nは1〜14の整数であり、 m=n−1であり、 ωq 、Pb及びPe/Pwはゾーンによらず一定であ
り、 Tq <vq >ave は1≦q≦pなる全てのqに対してほ
ぼ一定であり、かつ、 【数9】(<vq >max −<vq >min )/(<vq >
max +<vq >min )<10%を満たし、 (i)第1ゾーンにおいては、 α1 1=0.3〜0.8、 α1 1≧α1 i =0.2〜0.4であってiによらず一定
(2≦i≦m)、 α1 2+β1 1≧1.0、 α1 i +β1 i-1 =1.0(3≦i≦m)とし、 (ii)第pゾーンにおいては、 αp 1 =0.3〜0.8、 αp 1 ≧αp i =0.3〜0.5であってiによらず一
定(2≦i≦m)、 αp i +βp i-1 =1.0(2≦i≦m)とし、(ii
i)他のゾーンにおいては、α1 i ≦αq i ≦α
p i (2≦i≦m)とし、αq 1 はα1 1とαp 1 との間
の値とする請求項52乃至54のいずれかに記載の光記
録方法。55. Optical recording for recording and reproducing data by condensing light having a wavelength of 600 to 680 nm through an objective lens having a numerical aperture NA of 0.55 to 0.65 and a recording layer via a substrate. The innermost circumference of the recording area is in a radius of 20 to 25 mm, the outermost circumference is in a radius of 55 to 60 mm, and the average linear velocity of the innermost zone is 3 to 4 m / s. In the q-th zone (where q is an integer of 1 ≦ q ≦ p), the angular velocity is ω q , the average linear velocity is <v q > ave , the maximum linear velocity is <v q > max , and the minimum linear velocity is <v. q > min , the reference clock period is T q , and the time length of the shortest mark is n min T q
Then, n is an integer of 1 to 14, m = n−1, ω q , Pb and Pe / Pw are constant regardless of the zone, and T q <v q > ave is 1 ≦ q ≦ It is substantially constant for all q of p, and ## EQU9 ## (< vq > max- < vq > min ) / (< vq >
max + <v q> min) < meets 10%, (i) in the first zone, α 1 1 = 0.3~0.8, α 1 1 ≧ α 1 i = 0.2~0.4 constant irrespective of i a is (2 ≦ i ≦ m), α 1 2 + β 1 1 ≧ 1.0, and α 1 i + β 1 i- 1 = 1.0 (3 ≦ i ≦ m), (ii ) in the first p zone, constant regardless of the alpha p 1 = 0.3 to 0.8, a α p 1 ≧ α p i = 0.3~0.5 i (2 ≦ i ≦ m), α p i + β p i−1 = 1.0 (2 ≦ i ≦ m), and (ii)
i) In other zones, α 1 i ≦ α q i ≦ α
and p i (2 ≦ i ≦ m ), α q 1 is an optical recording method according to any one of claims 52 to 54 to a value between alpha 1 1 and alpha p 1.
>αp 1 )である請求項55に記載の光記録方法。56. A α 1 1 ≧ α q 1 ≧ α p 1 ( provided that, alpha 1 1
The optical recording method according to claim 55, wherein> α p 1 ).
ンによらず一定であり、α1 、αi (2≦i≦m)のみ
をゾーンにより変化させる請求項55又は56に記載の
光記録方法。57. The method according to claim 55, wherein Pb, Pe / Pw, β 1 and β m are constant irrespective of the zone, and only α 1 and α i (2 ≦ i ≦ m) are changed by the zone. Optical recording method.
光学的情報記録用媒体に情報を記録するにあたり、記録
マーク間には、非晶質を結晶化しうる消去パワーPeの
記録光を照射し、一つの記録マークの時間的な長さをn
Tとしたとき(Tは基準クロック周期、nは2以上の整
数)、記録マークの時間的長さnTを、 【数10】η1 T、α1 T、β1 T、α2 T、β2 T、
・・・、 αi T、βi T、・・・、αm T、βm T、η2 T (ただし、mはパルス分割数でm=n−k、kは0≦k
≦2なる整数とする。また、Σi (αi +βi )+η1
+η2 =nとし、η1 はη1 ≧0なる実数、η2 はη2
≧0なる実数、0≦η1 +η2 ≦2.0とする。α
i (1≦i≦m)はαi >0なる実数とし、βi (1≦
i≦m)はβi >0なる実数とする。α1 =0.1〜
1.5、β1 =0.3〜1.0、βm =0〜1.5と
し、2≦i≦mなるiにおいてαi は0.1〜0.8の
範囲にあり、かつ、iによらず一定とする。なお、3≦
i≦mなるiにおいてαi +βi-1 は0.5〜1.5の
範囲にあり、かつ、iによらず一定とする。)の順に分
割し、 αi T(1≦i≦m)の時間内においては記録層を溶融
させるにたるPw≧Peなる記録パワーPwの記録光を
照射し、βi T(1≦i≦m)の時間内においては、0
<Pb≦0.2Pe(ただし、βm Tにおいては、0<
Pb≦Peとなりうる)なるバイアスパワーPbの記録
光を照射し、 線速度によらずm、αi +βi-1 (3≦i≦m)、α1
T、及びαi T(2≦i≦m)を一定とし、線速度が小
さいほどβm が単調に増加するように変化させることを
特徴とする光記録方法。58. In recording information on the optical information recording medium according to any one of claims 1, 4, and 7, a recording light having an erasing power Pe capable of crystallizing an amorphous state between recording marks. And irradiates the time length of one recording mark to n
When T is defined as T (T is a reference clock cycle, n is an integer of 2 or more), the time length nT of the recording mark is expressed as follows: η 1 T, α 1 T, β 1 T, α 2 T, β 2 T,
..., Α i T, β i T,..., Α m T, β m T, η 2 T (where m is the number of pulse divisions, m = nk, and k is 0 ≦ k)
≤2. Also, Σ i (α i + β i ) + η 1
+ Η 2 = n, η 1 is a real number satisfying η 1 ≧ 0, η 2 is η 2
A real number satisfying ≧ 0, and 0 ≦ η 1 + η 2 ≦ 2.0. α
i (1 ≦ i ≦ m) is a real number satisfying α i > 0, and β i (1 ≦ m)
i ≦ m) is a real number satisfying β i > 0. α 1 = 0.1 ~
1.5, β 1 = 0.3 to 1.0, β m = 0 to 1.5, α i is in the range of 0.1 to 0.8 at 2 ≦ i ≦ m, and It is constant regardless of i. Note that 3 ≦
In the case of i ≦ i, α i + β i−1 is in the range of 0.5 to 1.5 and is constant regardless of i. Divided in the order of) irradiated with recording light barrel Pw ≧ Pe becomes recording power Pw to melt the recording layer is in the α i T (1 ≦ i ≦ m) of time, β i T (1 ≦ i ≦ Within time m), 0
<Pb ≦ 0.2Pe (However, at β m T, 0 <
Irradiating recording light with a bias power Pb of Pb ≦ Pe, m, α i + β i−1 (3 ≦ i ≦ m), α 1 irrespective of the linear velocity
An optical recording method wherein T and α i T (2 ≦ i ≦ m) are fixed, and β m is changed so that β m monotonously increases as the linear velocity decreases.
wmax 、最小記録パワーをPwmin とするとき、 Pwmax /Pwmin ≦1.2、 Pe/Pw=0.4〜0.6、 0≦Pb≦1.5(mW) である請求項58に記載の光記録方法。59. The maximum recording power at each recording linear velocity is P
When w max, the minimum recording power and Pw min, Pw max / Pw min ≦ 1.2, Pe / Pw = 0.4~0.6, claim 58 is 0 ≦ Pb ≦ 1.5 (mW) 2. The optical recording method according to 1.
Σαi <0.5nである請求項59に記載の光記録方
法。60. When the recording linear velocity is 5 m / s or less,
The optical recording method according to claim 59, wherein Σα i <0.5n.
βH m 、最小記録線速度におけるβm をβL m としたと
き、 他の記録線速度におけるβm は、βL m とβH m の間の
値とし、 記録線速度によらずPb、Pe/Pw比が一定である請
求項59に記載の光記録方法。61. When the beta m at the maximum recording linear velocity beta H m, the beta m at the minimum recording linear velocity was set to beta L m, the beta m in other recording linear velocity, the beta L m and beta H m 60. The optical recording method according to claim 59, wherein Pb and Pe / Pw ratio are constant regardless of the recording linear velocity.
請求項58乃至60のいずれかに記載の光記録方法。62. The optical recording method according to claim 58, wherein β m is constant irrespective of the recording linear velocity.
録用媒体を回転させて情報を複数のマーク長により記録
する方法であって、 記録領域を半径方向に複数のゾーンに分割し、各ゾーン
内においては、線速度一定で記録を行うものとし、 最内周ゾーンにおける記録線速度vinと最外周ゾーンに
おける記録線速度vou t の比vout /vinが1.2〜2
であり、βm を各ゾーンの線速度に応じて変化させる請
求項58乃至62のいずれかに記載の光記録方法。63. A method for recording information by a plurality of mark lengths by rotating an optical information recording medium having a predetermined recording area, wherein the recording area is divided into a plurality of zones in a radial direction, and each zone is divided into a plurality of zones. in inner, shall perform recording at a constant linear velocity, the ratio v out / v in the recording linear velocity v ou t at the recording linear velocity v in the outermost zone in the innermost zone is 1.2 to 2
, And the optical recording method according to any one of claims 58 to 62 is changed in accordance with beta m to the linear velocity of each zone.
録用媒体を回転させて情報を複数のマーク長により記録
する方法であって、 記録領域を半径方向に複数のゾーンに分割し、各ゾーン
内においては、線速度一定で記録を行うものとし、 最内周ゾーンにおける記録線速度vinと最外周ゾーンに
おける記録線速度vou t の比vout /vinが1.2〜2
であり、 αi =0.3〜0.6(2≦i≦m)及びβm =0〜
1.5とし、 線速度によらずm、αi +βi-1 (3≦i≦m)、α1
T、Pe/Pw、及びPbを一定とし、線速度に応じて
αi 及び/又はβm を変化させる請求項49に記載の光
記録方法。64. A method for recording information by a plurality of mark lengths by rotating an optical information recording medium having a predetermined recording area, wherein the recording area is divided into a plurality of zones in a radial direction, and each zone is divided into a plurality of zones. in inner, shall perform recording at a constant linear velocity, the ratio v out / v in the recording linear velocity v ou t at the recording linear velocity v in the outermost zone in the innermost zone is 1.2 to 2
Α i = 0.3 to 0.6 (2 ≦ i ≦ m) and β m = 0 to
1.5, m, α i + β i-1 (3 ≦ i ≦ m), α 1 irrespective of the linear velocity
T, Pe / Pw, and Pb to be constant, an optical recording method according to claim 49 for changing the alpha i and / or beta m according to the linear velocity.
の光学的情報記録用媒体に対して情報の記録を行うにあ
たり、基準クロック周期Tq は、各ゾーンの溝蛇行の基
準周期Twq の倍数もしくは約数として発生せしめるこ
とを特徴とする光記録方法。Upon performing recording of information to 65. An optical information recording medium according to any one of claims 45 to 48, the reference clock period T q is the reference period Tw q of the groove meandering in each zone An optical recording method characterized by being generated as a multiple or a divisor.
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