JP2001052926A - Inductance element, electron gun, and cathode-ray tube - Google Patents

Inductance element, electron gun, and cathode-ray tube

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JP2001052926A
JP2001052926A JP11221980A JP22198099A JP2001052926A JP 2001052926 A JP2001052926 A JP 2001052926A JP 11221980 A JP11221980 A JP 11221980A JP 22198099 A JP22198099 A JP 22198099A JP 2001052926 A JP2001052926 A JP 2001052926A
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inductance
inductance element
electron gun
hole
circuit
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Akihiro Kojima
章弘 小嶌
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize an inductance element which operates in a vacuum and in an environment where a high-voltage is applied in a cathode tube and so on. SOLUTION: For example, on both surfaces of a rectangular insulating substrate 11, which is composed of a ceramic substrate and so on having a through hole 13 substantially at the center, inductance circuits 12-1 and 12-2 are formed to configure a plate-like inductance element 10. The inductance circuits 12-1 and 12-2 are formed each by patterning an electrical conductor into a rectangular spiral and the like around the through hole 13 serving as the center. Further, an electrical conductor 14 is applied to the wall surface of the through hole 13. Terminals 12-1A and 12-2A of the respective inductance circuits 12-1 and 12-2 are electrically connected to each other through the electrical conductor 14. The other terminals 12-1B and 12-2B serve as terminals of the inductance element 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタンス素
子、このインダクタンス素子を搭載した電子銃およびこ
の電子銃を内蔵した陰極線管に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inductance element, an electron gun equipped with the inductance element, and a cathode ray tube incorporating the electron gun.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子銃において、第1フォーカス電極に
は電子ビームの偏向に同期した交流電圧が印加される一
方、第2フォーカス電極には画面全域で電子ビームの形
状を均一にするために一定の直流電圧が印加される。こ
のように、第2フォーカス電極に第1フォーカス電極と
異なる電圧を印加するには、一般的に、当該電子銃を内
蔵する陰極線管の外部に専用の直流電源を用意し、この
直流電源からの直流電圧をリード線を通して陰極線管の
内部に供給することになる。したがって、外部電源を設
ける分だけ製品のコストアップにつながる。
2. Description of the Related Art In an electron gun, an AC voltage synchronized with deflection of an electron beam is applied to a first focus electrode, while a constant voltage is applied to a second focus electrode in order to make the shape of the electron beam uniform over the entire screen. Is applied. As described above, in order to apply a voltage different from that of the first focus electrode to the second focus electrode, generally, a dedicated DC power supply is prepared outside the cathode ray tube incorporating the electron gun, and the DC power from the DC power supply is generally used. A DC voltage is supplied to the inside of the cathode ray tube through a lead wire. Therefore, the cost of the product is increased by the provision of the external power supply.

【0003】そのため、従来より、第1フォーカス電極
に印加する交流電圧を、電子銃に搭載した低周波数成分
透過機能回路(ローパスフィルタ)を通すことによって
一定の直流電圧を取り出し、これを第2フォーカス電極
に印加する直流電圧として用いることにより、外部電源
を不要とし、製品のコスト低減を図る試みが行われてい
た。
For this reason, conventionally, a constant DC voltage is extracted by passing an AC voltage applied to a first focus electrode through a low-frequency component transmission function circuit (low-pass filter) mounted on an electron gun. Attempts have been made to reduce the cost of products by eliminating the need for an external power supply by using it as a DC voltage applied to the electrodes.

【0004】ところで、低周波数成分透過機能回路とし
ては、通常、容量素子およびインダクタンス素子の組み
合わせからなる回路構成のものが用いられる。ここで、
インダクタンス素子としては、単純に金属単線をコイル
形状に巻回したものが一般的に知られている。
As the low-frequency component transmission function circuit, a circuit having a circuit configuration including a combination of a capacitance element and an inductance element is generally used. here,
As an inductance element, an element obtained by simply winding a single metal wire into a coil shape is generally known.

【0005】ところが、インダクタンス素子について、
真空中での使用、真空管製作時の高熱(約400度)で
の耐熱性、長期使用期間中のガス放出などを考えると、
有機樹脂系での絶縁処理は難しい。しかし、単なる裸線
のコイル形状では、製造工程でコイル線上の金属製のご
みの付着、キズ等による突起の発生が避けられない。こ
れらの欠陥は、完成後の実働状態において、陰極線管内
では約30kV程度の高電圧が印加されることによって
放電、落雷現象を引き起こす。
However, regarding the inductance element,
Considering the use in a vacuum, the heat resistance at high heat (about 400 degrees) when producing the vacuum tube, and the gas release during the long-term use,
Insulation treatment with organic resin is difficult. However, in the case of a mere bare wire coil, it is inevitable that metal dust adheres to the coil wire, and a projection due to a scratch or the like occurs in the manufacturing process. These defects cause discharge and lightning in a cathode ray tube when a high voltage of about 30 kV is applied in a working state after completion.

【0006】上述した理由から、陰極線管内で使用する
低周波数成分透過機能回路にはインダクタンス素子を用
いることができないため、インダクタンス素子の代わり
に抵抗素子を用いて擬似低周波数成分透過機能回路を構
成しているのが現状である。
[0006] For the above-described reason, an inductance element cannot be used in a low-frequency component transmission function circuit used in a cathode ray tube. Therefore, a pseudo low-frequency component transmission function circuit is configured by using a resistance element instead of an inductance element. That is the current situation.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】つまり、インダクタン
ス素子の代わりに抵抗素子を用いて構成した擬似低周波
数成分透過機能回路の場合には、インダクタンス成分を
持たないことから、インダクタンス素子を用いて構成し
た回路のような低周波数成分の透過特性(平滑化特性)
が得られないため、透過後の直流電圧に脈流が含まれる
ことになる。
That is, in the case of a pseudo low frequency component transmission function circuit constituted by using a resistance element instead of an inductance element, since the circuit has no inductance component, it is constituted by using an inductance element. Transmission characteristics of low frequency components such as circuits (smoothing characteristics)
Is not obtained, the DC voltage after transmission includes a pulsating flow.

【0008】この脈流を含む直流電圧を第2フォーカス
電極に印加したのでは、画面全域で電子ビームのスポッ
ト形状を均一にする、という所期の目的を十分に達成で
きないことになる。このような理由から、電子銃および
陰極線管の技術分野では、真空中でも使用可能なインダ
クタンス素子が切望されているのが現状である。また、
そのような素子であれば、単なる回路素子としての応用
だけでなく、発生する磁界によって真空中の電子ビーム
をより近傍にて操作することに応用することも可能であ
る。
If the DC voltage including the pulsating current is applied to the second focus electrode, the intended purpose of making the spot shape of the electron beam uniform over the entire screen cannot be sufficiently achieved. For these reasons, in the technical field of electron guns and cathode ray tubes, there is a strong demand for inductance elements that can be used even in vacuum. Also,
Such an element can be applied not only to application as a simple circuit element but also to operation of an electron beam in a vacuum more closely by a generated magnetic field.

【0009】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、真空中での使用が可
能で、しかも回路素子以外の用途にも使用できるインダ
クタンス素子、このインダクタンス素子を搭載した電子
銃およびこの電子銃を内蔵した陰極線管を提供すること
にある。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an inductance element which can be used in a vacuum and can be used for applications other than circuit elements. And a cathode ray tube incorporating the electron gun.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明によるインダクタ
ンス素子は、貫通孔を有する絶縁基板の両面において該
貫通孔の周りに渦巻き状に形成されたインダクタンス回
路を有し、各面のインダクタンス回路の各々の一端部が
貫通孔を通して電気的に接続された構成となっている。
そして、インダクタンス回路上が絶縁被膜で被覆されて
いる。
The inductance element according to the present invention has an inductance circuit formed spirally around the through hole on both sides of the insulating substrate having the through hole, and each of the inductance circuits on each surface is provided. Are electrically connected to each other through a through hole.
And the inductance circuit is covered with an insulating film.

【0011】本発明による電子銃は、上記構成のインダ
クタンス素子を搭載し、例えば、当該インダクタンス素
子を用いて、電子ビームの偏向に同期した交流電圧の直
流成分を取り出す低周波数成分透過機能回路を構成した
り、あるいはカソード電極から発せられる電子ビームを
収束させる電磁収束素子を構成する。
An electron gun according to the present invention is provided with an inductance element having the above-described configuration, and for example, a low-frequency component transmission function circuit for extracting a DC component of an AC voltage synchronized with the deflection of an electron beam using the inductance element. Or an electromagnetic focusing element for focusing an electron beam emitted from the cathode electrode.

【0012】本発明による陰極線管は、上記構成のイン
ダクタンス素子を電子銃と共に受像管バルブ内に内蔵
し、例えば、電子銃において当該インダクタンス素子を
用いて上述した如く構成したり、あるいは受像管バルブ
内において電子銃から出射される電子ビームを偏向する
偏向素子を構成する。
In the cathode ray tube according to the present invention, the inductance element having the above-described structure is built in the picture tube together with the electron gun. Constitutes a deflection element for deflecting the electron beam emitted from the electron gun.

【0013】上記構成のインダクタンス素子、これを搭
載した電子銃およびこれを内蔵した陰極線管において、
インダクタンス素子が絶縁基板上に形成されたインダク
タンス回路によって構成されることで板状形状の素子と
なる。したがって、コイル形状の場合の用途以外にも種
々の用途への適用が可能となる。
In the inductance element having the above configuration, an electron gun equipped with the inductance element, and a cathode ray tube incorporating the same,
When the inductance element is constituted by an inductance circuit formed on an insulating substrate, the element becomes a plate-shaped element. Therefore, it can be applied to various uses other than the use in the case of the coil shape.

【0014】特に、インダクタンス回路上が絶縁被膜で
被覆されていることで、絶縁性の保持、回路パターンか
らのガス放出、パターンの永年劣化を防止できるので、
真空中での使用が可能となる。しかも、各面のインダク
タンス回路の各々の一端部が、導通部によって貫通孔を
通して電気的に接続されているため、ジャンパー線を用
いて接続しなくても済む。
In particular, since the inductance circuit is covered with an insulating film, insulation can be maintained, gas can be released from the circuit pattern, and long-term deterioration of the pattern can be prevented.
It can be used in a vacuum. In addition, since one end of each of the inductance circuits on each surface is electrically connected through the through-hole by the conductive portion, it is not necessary to connect them using a jumper wire.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一
実施形態に係るインダクタンス素子を示す構成図であ
り、(A)はその表面図、(B)はその側面図、(C)
はその裏面図をそれぞれ示している。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. 1A and 1B are configuration diagrams showing an inductance element according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a surface view, FIG. 1B is a side view, and FIG.
Respectively shows the rear view.

【0016】本実施形態に係るインダクタンス素子10
は、セラミック基板などからなる例えば矩形形状の絶縁
基板11と、この絶縁基板11の両面に例えば矩形形状
の渦巻き状に電気伝導体がパターン形成されてなるイン
ダクタンス回路12-1,12-2とを有する構成となって
いる。インダクタンス回路12-1,12-2は、互いに逆
巻きにパターン形成される。絶縁基板11の略中央部に
は貫通孔13が穿設され、この貫通孔13の壁面には電
気伝導体14が塗布されている。
The inductance element 10 according to the present embodiment
Is composed of, for example, a rectangular insulating substrate 11 made of a ceramic substrate or the like, and inductance circuits 12-1 and 12-2 in which electric conductors are formed on both surfaces of the insulating substrate 11 in a rectangular spiral shape, for example. Configuration. The inductance circuits 12-1 and 12-2 are formed in reverse winding patterns. A through hole 13 is formed substantially at the center of the insulating substrate 11, and an electric conductor 14 is applied to a wall surface of the through hole 13.

【0017】そして、この電気伝導体14は、両面のイ
ンダクタンス回路12-1,12-2の各々の一端部12-1
A,12-2Aを電気的に接続する導通部を構成してい
る。また、インダクタンス回路12-1,12-2の各々の
他端部12-1B,12-2Bが、本インダクタンス素子1
0の両端部となる。真空中での用途の場合には、インダ
クタンス回路12-1,12-2上を、ガラス膜などの絶縁
被膜(図示せず)によって被覆される。
The electric conductor 14 is connected to one end 12-1 of each of the inductance circuits 12-1 and 12-2 on both sides.
A and 12-2A constitute a conductive portion for electrically connecting them. The other ends 12-1B and 12-2B of the inductance circuits 12-1 and 12-2 are connected to the inductance element 1-1.
0 at both ends. In the case of application in a vacuum, the inductance circuits 12-1 and 12-2 are covered with an insulating film (not shown) such as a glass film.

【0018】このように構成されたインダクタンス素子
10は、その形状が板状であることから、その用途とし
ては、従来のコイル形状のインダクタンス素子の場合の
用途以外にも、電磁収束素子や偏向素子など種々の用途
が考えられる。その具体的な用途(応用例)について
は、後で詳細に説明する。特に、インダクタンス回路1
2-1,12-2上が絶縁被膜で被覆されていることから、
絶縁性の保持、回路パターンからのガス放出、パターン
の永年劣化を防止できるため、真空中での使用が可能と
なる。
Since the inductance element 10 configured as described above has a plate-like shape, it can be used not only for the conventional coil-shaped inductance element but also for an electromagnetic focusing element and a deflection element. Various applications are conceivable. The specific application (application example) will be described later in detail. In particular, the inductance circuit 1
Since 2-1 and 12-2 are covered with an insulating film,
Since insulation retention, gas emission from the circuit pattern, and long-term deterioration of the pattern can be prevented, use in a vacuum is possible.

【0019】しかも、絶縁基板11の両面に形成された
インダクタンス回路12-1,12-2は、その各一端部1
2-1A,12-2Aが貫通孔13を通して電気伝導体14
によって電気的に接続されているため、各一端部12-1
A,12-2Aをジャンパー線(導線)を用いて接続しな
くても、本インダクタンス素子10を構成できる。ジャ
ンパー線を用いて接続する構成をとった場合には、本イ
ンダクタンス素子10に電流を流したときに形成される
磁場を乱すことになるため好ましくない。
In addition, the inductance circuits 12-1 and 12-2 formed on both surfaces of the insulating substrate 11 have one ends 1 thereof.
2-1A and 12-2A pass through the through hole 13 and the electric conductor 14
Are electrically connected to each other, so that each end 12-1
The inductance element 10 can be configured without connecting A, 12-2A using a jumper wire (conductor). It is not preferable that the connection is made by using a jumper wire because a magnetic field formed when a current flows through the inductance element 10 is disturbed.

【0020】なお、本インダクタンス素子10を複数枚
積層し、かつ上層のインダクタンス素子の裏面側のイン
ダクタンス回路12-2の端部12-2Bと下層のインダク
タンス素子の表面側のインダクタンス回路12-1の端部
12-1Bとを、各層ごとに順次接続した構成を採ること
も可能である。これによれば、インダクタンス回路12
-1,12-2を形成するパターン(電気伝導体)の巻数が
多くなるため、発生する磁界の強度を増加させることが
できる。この技術は、インダクタンス回路12-1,12
-2上を絶縁被膜で被覆した素子、被覆しない素子のいず
れの場合にも適用可能である。
It is to be noted that a plurality of the present inductance elements 10 are stacked, and the end 12-2B of the inductance circuit 12-2 on the back side of the upper inductance element and the inductance circuit 12-1 on the front side of the lower inductance element are formed. It is also possible to adopt a configuration in which the end 12-1B is sequentially connected for each layer. According to this, the inductance circuit 12
Since the number of turns of the pattern (electric conductor) forming -1, 12-2 increases, the intensity of the generated magnetic field can be increased. This technology uses the inductance circuits 12-1 and 12-1.
-2 It can be applied to both the element covered with the insulating film and the element not covered.

【0021】ここで、上記構成のインダクタンス素子1
0の具体的な作成方法について説明する。先ず、予め貫
通孔(13)を穿設した例えばアルミナセラミック基板
(11)を焼結し、その表面に周知の厚膜印刷技術によ
って電気伝導体からなる回路パターンを印刷してインダ
クタンス回路(12-1,12-2)を形成する。次に、例
えばガラスペーストにより被膜処理をし、焼成する。
Here, the inductance element 1 having the above configuration
A specific method of creating 0 will be described. First, for example, an alumina ceramic substrate (11) having a through-hole (13) formed therein is sintered, and a circuit pattern made of an electric conductor is printed on the surface of the substrate by a known thick-film printing technique. 1, 12-2) are formed. Next, a coating process is performed with, for example, a glass paste, and firing is performed.

【0022】なお、上記実施形態では、矩形形状の絶縁
基板11に対して矩形形状の渦巻き状にインダクタンス
回路12-1,12-2をパターン形成するとしたが、絶縁
基板11およびインダクタンス回路12-1,12-2の形
状は任意であり、例えば、円形形状の絶縁基板に対して
円形形状の渦巻き状にインダクタンス回路をパターン形
成する態様や、矩形形状の絶縁基板に対して円形形状の
渦巻き状にインダクタンス回路をパターン形成する態様
などが考えられる。
In the above-described embodiment, the rectangular spirally wound inductance circuits 12-1 and 12-2 are formed on the rectangular insulating substrate 11, but the insulating substrate 11 and the inductance circuit 12-1 are patterned. , 12-2 may have any shape, for example, a pattern in which an inductance circuit is formed in a circular spiral on a circular insulating substrate, or a circular spiral on a rectangular insulating substrate. An embodiment in which an inductance circuit is formed in a pattern can be considered.

【0023】また、上記実施形態においては、絶縁基板
11としてアルミナセラミック基板を用いた場合を例に
とって説明したが、これに限られるものではなく、表面
が絶縁処理された磁性体基板、好ましくは強磁性体基
板、具体例としては、セラミック被膜処理されたフェラ
イト基板を用いることも可能である。これによれば、発
生する磁束を集中させることができる。
In the above embodiment, the case where the alumina ceramic substrate is used as the insulating substrate 11 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and a magnetic substrate whose surface is insulated, preferably a strong substrate is used. It is also possible to use a magnetic substrate, specifically, a ferrite substrate that has been subjected to a ceramic coating treatment. According to this, the generated magnetic flux can be concentrated.

【0024】さらには、本インダクタンス素子10の用
途によっては、当該素子10が発生する磁界が周囲の磁
場に影響を与えたり、逆に当該素子10が周囲の磁場の
影響を受けてはいけない場合がある。このような場合に
は、少なくともインダクタンス回路12-1,12-2の周
囲を、フェライト等の磁性体で覆って磁気的にシールド
する構成を採れば良い。
Further, depending on the use of the present inductance element 10, there are cases where the magnetic field generated by the element 10 does not affect the surrounding magnetic field, or conversely, the element 10 must not be affected by the surrounding magnetic field. is there. In such a case, at least the periphery of the inductance circuits 12-1 and 12-2 may be covered with a magnetic material such as ferrite and magnetically shielded.

【0025】次に、上記実施形態に係るインダクタンス
素子10の用途、即ち応用例について説明する。
Next, the use of the inductance element 10 according to the above embodiment, that is, an application example will be described.

【0026】先ず、第1応用例として、インダクタンス
素子10を用いて低周波数成分透過機能回路(ローパス
フィルタ)を構成し、これを電子銃に搭載する場合を例
にとって説明する。なお、電子銃は陰極線管に内蔵され
て使用されるもの、即ち真空中で使用されるものである
ことから、本応用例の場合には、図1におけるインダク
タンス回路12-1,12-2上が絶縁被膜で被覆された構
成のインダクタンス素子が用いられることになる。
First, as a first application example, a case where a low-frequency component transmission function circuit (low-pass filter) is formed using the inductance element 10 and mounted on an electron gun will be described as an example. Since the electron gun is used by being built in a cathode ray tube, that is, used in a vacuum, in the case of this application example, the electron gun is mounted on the inductance circuits 12-1 and 12-2 in FIG. Is covered with an insulating film.

【0027】また、電子銃に搭載して用いる場合には、
本インダクタンス素子10が発生する磁界が陰極線管内
の磁場に影響を与えたり、逆に本インダクタンス素子1
0が周囲の磁場の影響を受けてはいけない。したがっ
て、その使用に当たっては、図2に示すように、本イン
ダクタンス素子10を強磁性体による磁気シールドケー
ス15に収納して用いるようにする。さらに、絶縁基板
11の貫通孔13内に強磁性体16を埋設することで、
磁気回路を構成するようにする。
When used by mounting on an electron gun,
The magnetic field generated by the inductance element 10 affects the magnetic field in the cathode ray tube, or conversely, the inductance element 1
0 must not be affected by the surrounding magnetic field. Therefore, in use, as shown in FIG. 2, the present inductance element 10 is used by being housed in a magnetic shield case 15 made of a ferromagnetic material. Further, by embedding the ferromagnetic material 16 in the through hole 13 of the insulating substrate 11,
Configure a magnetic circuit.

【0028】本インダクタンス素子10は、図3に示す
ように、その両端部に寄生する浮遊容量C1,C2とに
よって低周波数成分透過機能回路17を構成する。この
低周波数成分透過機能回路17は、多段電界収束電子銃
内において、ある電界収束電極(フォーカス電極)に印
加される周期的に変動する電圧、即ち電子ビームの偏向
に同期した交流電圧(例えば、パラボラ状電圧)から、
周期的に変動しない電圧、即ち一定の直流電圧を生成す
る働きをする。
As shown in FIG. 3, the inductance element 10 constitutes a low-frequency component transmission function circuit 17 with stray capacitances C1 and C2 parasitic at both ends. The low-frequency component transmission function circuit 17 generates a periodically fluctuating voltage applied to a certain electric field focusing electrode (focus electrode) in the multi-stage electric field focusing electron gun, that is, an AC voltage synchronized with the deflection of the electron beam (for example, Parabolic voltage)
It functions to generate a voltage that does not fluctuate periodically, that is, a constant DC voltage.

【0029】この低周波数成分透過機能回路17を構成
するインダクタンス素子10を、多段電界収束電子銃に
搭載した場合の実装例を図4に示す。なお、本実施形態
に係るインダクタンス素子10は、先述したように、真
空中で使用可能であることから、電子銃に搭載して陰極
線管に内蔵することができる。
FIG. 4 shows a mounting example in which the inductance element 10 constituting the low frequency component transmission function circuit 17 is mounted on a multi-stage electric field focusing electron gun. Since the inductance element 10 according to the present embodiment can be used in a vacuum as described above, it can be mounted on an electron gun and incorporated in a cathode ray tube.

【0030】図4において、多段電界収束電子銃20
は、第1グリッド電極21、第2グリッド電極22、第
3グリッド電極電極23、第4グリッド電極24、第5
グリッド電極25、第6グリッド電極26および第7グ
リッド電極27を有し、これらのグリッド電極21〜2
7が絶縁体である一対のビードガラス28A,28Bに
よって支持された構成となっている。
In FIG. 4, a multi-stage electric field focusing electron gun 20
Are the first grid electrode 21, the second grid electrode 22, the third grid electrode electrode 23, the fourth grid electrode 24,
A grid electrode 25, a sixth grid electrode 26, and a seventh grid electrode 27;
7 is supported by a pair of bead glasses 28A and 28B which are insulators.

【0031】上記構成の多段電界収束電子銃20におい
て、第3グリッド電極23、第4グリッド電極24およ
び第5グリッド電極25によって4重極電子レンズが構
成され、第5グリッド電極25、第6グリッド電極26
および第7グリッド電極27によってフォーカスレンズ
(主電子レンズ)が構成されている。また、第3グリッ
ド電極23および第5グリッド電極25が第1フォーカ
ス電極となり、第4グリッド電極24が第2フォーカス
電極となる。
In the multistage electric field focusing electron gun 20 having the above-described configuration, a quadrupole electron lens is formed by the third grid electrode 23, the fourth grid electrode 24, and the fifth grid electrode 25, and the fifth grid electrode 25, the sixth grid Electrode 26
A focus lens (main electron lens) is constituted by the seventh grid electrode 27. Further, the third grid electrode 23 and the fifth grid electrode 25 serve as a first focus electrode, and the fourth grid electrode 24 serves as a second focus electrode.

【0032】第1フォーカス電極(23,25)には、
電子ビームの偏向に同期したパラボラ波の交流電圧(フ
ォーカス電圧)が印加される。これは、電子銃と画面と
の距離が電子ビームの偏向角によって変化するため、画
面上での収束を一様にするために必要な電圧である。第
2フォーカス電極(24)には、ある一定の直流電圧が
印加される。これは、各電極の開口形状と電位差によっ
て電子ビームの画面上のスポット形状が変化するため、
画面全域で電子ビームのスポット形状を均一にするため
に必要な電圧である。
The first focus electrodes (23, 25) have
An AC voltage (focus voltage) of a parabolic wave synchronized with the deflection of the electron beam is applied. This is a voltage required to make the convergence on the screen uniform since the distance between the electron gun and the screen changes depending on the deflection angle of the electron beam. A certain DC voltage is applied to the second focus electrode (24). This is because the spot shape on the screen of the electron beam changes due to the opening shape of each electrode and the potential difference.
This voltage is required to make the spot shape of the electron beam uniform over the entire screen.

【0033】本応用例では、多段電界収束電子銃20上
に、図4に示すように、本実施形態に係るインダクタン
ス素子10を搭載して低周波数成分透過機能回路17を
構成する一方、当該低周波数成分透過機能回路17にお
いて第1フォーカス電極(23,25)に印加される交
流電圧を、当該低周波数成分透過機能回路17で平滑化
することによって直流電圧を生成し、この直流電圧を第
2フォーカス電極(24)に印加するようにしている。
In this application example, as shown in FIG. 4, the low frequency component transmission function circuit 17 is formed by mounting the inductance element 10 according to the present embodiment on the multistage electric field focusing electron gun 20, as shown in FIG. The DC voltage is generated by smoothing the AC voltage applied to the first focus electrodes (23, 25) in the frequency component transmitting function circuit 17 in the low frequency component transmitting function circuit 17, and this DC voltage is converted to the second voltage. The voltage is applied to the focus electrode (24).

【0034】このように、電子銃20に搭載したインダ
クタンス素子10を用いて低周波数成分透過機能回路1
7を構成し、この低周波数成分透過機能回路17を用い
て第2フォーカス電極(24)に印加する一定の直流電
圧を電子銃20自体で生成するようにしたことで、陰極
線管の外部に専用の直流電源を設け、リード線を通して
陰極線管内に直流電圧を取り込む構成をとる必要がなく
なる。
As described above, the low-frequency component transmitting function circuit 1 using the inductance element 10 mounted on the electron gun 20 is used.
7, and a constant DC voltage applied to the second focus electrode (24) is generated by the electron gun 20 itself by using the low frequency component transmission function circuit 17, so that it is dedicated to the outside of the cathode ray tube. It is no longer necessary to provide a DC power supply and to take a DC voltage into the cathode ray tube through the lead wire.

【0035】特に、インダクタンス素子10を用いて低
周波数成分透過機能回路17を構成するようにしたこと
で、従来のように、抵抗素子を用いて低周波数成分透過
機能回路を構成した場合に比べてより良好な低周波数成
分の透過特性(平滑化特性)を得ることができる。した
がって、交流電圧を確実に平滑化できるため、脈流を含
まない直流電圧を第2フォーカス電極(24)に印加で
きる。その結果、画面全域で電子ビームのスポット形状
を確実に均一にできる。
In particular, since the low-frequency component transmission function circuit 17 is configured by using the inductance element 10, compared with the conventional configuration in which the low-frequency component transmission function circuit is configured by using a resistance element, as compared with the conventional case. It is possible to obtain better transmission characteristics (smoothing characteristics) of low frequency components. Therefore, since the AC voltage can be reliably smoothed, a DC voltage that does not include a pulsating flow can be applied to the second focus electrode (24). As a result, the spot shape of the electron beam can be reliably made uniform over the entire screen.

【0036】なお、本応用例では、インダクタンス素子
10を用いて低周波数成分透過機能回路17を構成し、
電子銃20に搭載して陰極線管内に内蔵するとしたが、
このような用途以外にも、インダクタンス素子10をチ
ョーク素子として真空管内に内蔵する用途も考えられ
る。
In this application example, the low-frequency component transmission function circuit 17 is configured by using the inductance element 10,
It is said that it is mounted on the electron gun 20 and built in the cathode ray tube,
In addition to such uses, a use in which the inductance element 10 is built in a vacuum tube as a choke element is also conceivable.

【0037】図5は、第1応用例に係る多段電界収束電
子銃20を内蔵した陰極線管の全体像を示す概略斜視図
である。図5において、受像管バルブ31の開口部には
内面に蛍光面が設けられたパネル32が装着され、受像
管バルブ31の後端部には電子ビームを出射する電子銃
33が封入されている。この電子銃33として、第1応
用例に係る多段電界収束電子銃20が用いられる。ま
た、受像管バルブ31のネック部には、電子銃33から
出射される電子ビームを偏向するコーン形状の偏向ヨー
ク34が取り付けられている。
FIG. 5 is a schematic perspective view showing an overall image of a cathode ray tube incorporating a multi-stage electric field focusing electron gun 20 according to the first application example. In FIG. 5, a panel 32 having an inner surface provided with a fluorescent screen is attached to the opening of the picture tube valve 31, and an electron gun 33 for emitting an electron beam is sealed at the rear end of the picture tube valve 31. . As the electron gun 33, the multi-stage electric field focusing electron gun 20 according to the first application example is used. A cone-shaped deflection yoke 34 for deflecting the electron beam emitted from the electron gun 33 is attached to the neck of the picture tube 31.

【0038】上述した第1応用例では、多段電界収束電
子銃20において、インダクタンス素子10を低周波数
成分透過機能回路17を構成する回路素子として用いる
場合を例にとって説明したが、カソード電極から発せら
れる電子ビームを収束させる電磁収束素子として用いる
ことも可能である。以下に、これを第2応用例として説
明する。
In the first application example described above, the case where the inductance element 10 is used as a circuit element constituting the low-frequency component transmission function circuit 17 in the multi-stage electric field focusing electron gun 20 has been described as an example, but is emitted from the cathode electrode. It can also be used as an electromagnetic focusing element for focusing an electron beam. This will be described below as a second application example.

【0039】この第2応用例に係るインダクタンス素子
10′は、図6(A)〜(C)に示すように、略中央部
に大口径の導通孔43を有する例えば円形形状の絶縁基
板41の両面に、インダクタンス回路42-1,42-2を
渦巻き状に形成し、導通孔43の内壁に塗布された電気
伝導体44を通してインダクタンス回路42-1,42-2
の各一端部42-1A,42-2Aを電気的に接続した構成
となっている。
As shown in FIGS. 6A to 6C, an inductance element 10 'according to the second application example is formed of a circular insulating substrate 41 having a large-diameter conductive hole 43 at a substantially central portion. On both sides, inductance circuits 42-1 and 42-2 are formed in a spiral shape, and the inductance circuits 42-1 and 42-2 are passed through an electric conductor 44 applied to the inner wall of the conduction hole 43.
Are electrically connected to one end portions 42-1A and 42-2A.

【0040】上記構成のドーナッツ形状のインダクタン
ス素子10′において、その両端部42-1B,42-2B
間に一定方向の電流を流すと、その電流の方向に応じた
回転方向の磁界がリングの周りに発生する。なお、貫通
孔43内に、リング状の強磁性体を嵌め込むことによ
り、より強い磁界を発生させることができる。
In the donut-shaped inductance element 10 'having the above structure, both ends 42-1B and 42-2B are provided.
When a current in a certain direction flows between them, a magnetic field in a rotational direction corresponding to the direction of the current is generated around the ring. Note that a stronger magnetic field can be generated by fitting a ring-shaped ferromagnetic material into the through-hole 43.

【0041】このインダクタンス素子10′を、多段電
界収束電子銃20において、図7に示すように、電子ビ
ームの中心軸Oに対して貫通孔43の中心が合致するよ
うに2個(10′A,10′B)対面配置する。そし
て、これらインダクタンス素子10′A,10′Bに
は、リングの周りに逆回りの磁界が発生するように電流
を流すようにする。
As shown in FIG. 7, two inductance elements 10 '(10'A) are provided in the multi-stage electric field focusing electron gun 20 so that the center of the through-hole 43 coincides with the center axis O of the electron beam. , 10'B). Then, a current is caused to flow through these inductance elements 10'A and 10'B so that a reverse magnetic field is generated around the ring.

【0042】このように、2つのインダクタンス素子1
0′A,10′Bを対面配置するとともに、これら素子
10′A,10′Bの各リングの周りに逆回りの磁界を
発生させることにより、2つのインダクタンス素子1
0′A,10′B間に磁気レンズが形成される。この磁
気レンズは、貫通孔43を通過する電子ビームを収束さ
せる作用をなす。すなわち、2つのインダクタンス素子
10′A,10′Bは、電子ビームを収束させる電磁収
束素子として機能する。
As described above, the two inductance elements 1
0'A and 10'B are arranged face-to-face, and a counter-rotating magnetic field is generated around each ring of these elements 10'A and 10'B, whereby two inductance elements 1
A magnetic lens is formed between 0'A and 10'B. This magnetic lens functions to converge the electron beam passing through the through hole 43. That is, the two inductance elements 10'A and 10'B function as electromagnetic focusing elements for focusing the electron beam.

【0043】上述したように、2つのインダクタンス素
子10′A,10′Bを電磁収束素子として多段電界収
束電子銃20に搭載することにより、電子ビームを収束
させるための磁界をよりビーム近傍で発生させることが
できるため、より少ない消費電力で電子ビームを収束さ
せることができる。また、電界収束に比べて磁界収束
は、電子ビームの速度が速いほど収束力が増大するた
め、高電圧加速の電子銃になるほど有利である。
As described above, by mounting the two inductance elements 10'A and 10'B on the multi-stage electric field focusing electron gun 20 as electromagnetic focusing elements, a magnetic field for converging the electron beam is generated closer to the beam. Therefore, the electron beam can be converged with less power consumption. Further, the magnetic field convergence is more advantageous for a high voltage acceleration electron gun because the convergence of magnetic field convergence increases as the speed of the electron beam increases, as compared with electric field convergence.

【0044】なお、本応用例では、インダクタンス素子
10′A,10′Bを電子ビームを収束させる電磁収束
素子として用いる場合を例にとって説明したが、電子ビ
ームに限らず、荷電粒子に対しても同様に適用可能であ
る。
In this application example, the case where the inductance elements 10'A and 10'B are used as an electromagnetic focusing element for focusing an electron beam has been described as an example. It is equally applicable.

【0045】続いて、本発明の第3応用例について説明
する。この第3応用例では、陰極線管において、電子銃
から出射される電子ビームを偏向させる偏向素子とし
て、従来の偏向コイルに代えて、本実施形態に係るイン
ダクタンス素子10を用いる場合に例にとっている。
Next, a third application example of the present invention will be described. In the third application example, a case where the inductance element 10 according to the present embodiment is used in a cathode ray tube as a deflection element for deflecting an electron beam emitted from an electron gun, instead of a conventional deflection coil.

【0046】図8は、インダクタンス素子10を偏向素
子として用いた場合の動作原理を説明する動作模式図で
ある。図8において、電子ビームの通路を挟んで上下
に、2つのインダクタンス素子10A,10Bを対面配
置するとともに、これら素子10A,10Bを直列に接
続し、その両端部間に電流を流すようにする。すると、
インダクタンス素子10A,10Bにはその面に対して
垂直な磁界が電流の方向に応じた方向に発生する。
FIG. 8 is an operation schematic diagram for explaining the operation principle when the inductance element 10 is used as a deflection element. In FIG. 8, two inductance elements 10A and 10B are arranged facing each other up and down with the electron beam path therebetween, and these elements 10A and 10B are connected in series so that a current flows between both ends. Then
A magnetic field perpendicular to the surfaces of the inductance elements 10A and 10B is generated in a direction corresponding to the direction of the current.

【0047】その結果、磁界に対して垂直な面内におい
て、電流の大きさおよび方向に応じた大きさおよび方向
の力が電子ビームに対して作用する。したがって、イン
ダクタンス素子10A,10Bに対してのこぎり波の電
流を流すことにより、電子ビームを水平方向(画面の左
右方向)に偏向させることができる。同様の動作原理に
より、2つのインダクタンス素子10A,10Bを、電
子ビームの通路を挟んで左右に対面配置し、のこぎり波
の電流を流すことにより、電子ビームを垂直方向(画面
の上下方向)に偏向させることができる。
As a result, in a plane perpendicular to the magnetic field, a force having a magnitude and direction corresponding to the magnitude and direction of the current acts on the electron beam. Therefore, the electron beam can be deflected in the horizontal direction (left and right directions of the screen) by passing a sawtooth current to the inductance elements 10A and 10B. According to the same operation principle, the two inductance elements 10A and 10B are disposed to face each other across the path of the electron beam, and a current of a saw-tooth wave is caused to deflect the electron beam in the vertical direction (vertical direction of the screen). Can be done.

【0048】図9は、インダクタンス素子10を偏向素
子として用いた第3応用例に係る陰極線管の全体像を示
す概略斜視図である。図9において、受像管バルブ51
の開口部には内面に蛍光面が設けられたパネル52が装
着され、受像管バルブ51の後端部には電子ビームを出
射する電子銃53が封入されている。また、受像管バル
ブ51のネック部分の内側には、電子銃53から出射さ
れる電子ビームを偏向する偏向素子54が内蔵されてい
る。
FIG. 9 is a schematic perspective view showing an overall image of a cathode ray tube according to a third application example using the inductance element 10 as a deflection element. In FIG. 9, the picture tube valve 51
A panel 52 having a fluorescent screen provided on the inner surface is mounted in the opening of the image display device, and an electron gun 53 for emitting an electron beam is sealed in the rear end of the picture tube 51. A deflection element 54 for deflecting the electron beam emitted from the electron gun 53 is provided inside the neck portion of the picture tube 51.

【0049】偏向素子54は、電子銃53から出射され
る電子ビームを、画面の左右方向に偏向すべく、当該電
子ビームの通路を挟んで上下に対面配置された一対のイ
ンダクタンス素子10A,10Bと、電子ビームを画面
の上下方向に偏向すべく、当該電子ビームの通路を挟ん
で左右に対面配置された一対のインダクタンス素子10
C,10Dとから構成されている。一対のインダクタン
ス素子10A,10Bには水平偏向回路(図示せず)か
らのこぎり波の水平偏向電流が供給され、一対のインダ
クタンス素子10C,10Dには垂直偏向回路(図示せ
ず)からのこぎり波の垂直偏向電流が供給される。
The deflecting element 54 includes a pair of inductance elements 10A and 10B which are vertically arranged with the path of the electron beam therebetween so as to deflect the electron beam emitted from the electron gun 53 in the horizontal direction of the screen. A pair of inductance elements 10 disposed on the left and right sides of the path of the electron beam so as to deflect the electron beam in the vertical direction of the screen.
C and 10D. A pair of inductance elements 10A and 10B is supplied with a horizontal deflection current of a sawtooth wave from a horizontal deflection circuit (not shown), and a pair of inductance elements 10C and 10D is a vertical deflection circuit of a sawtooth wave from a vertical deflection circuit (not shown). A deflection current is supplied.

【0050】上述したように、2組のインダクタンス素
子10A,10Bとインダクタンス素子10C,10D
とを用いて偏向素子54を構成しかつ受像管バルブ51
内に内蔵し、発生する磁界によって電子銃53から出射
される電子ビームを偏向するようにしたことにより、従
来のように、受像管バルブ51外に配置された偏向コイ
ルによって磁界偏向する場合よりも、電子ビームのより
近傍で磁界を発生させることができるため、より少ない
消費電力で効率良く電子ビームを偏向することができ
る。
As described above, two sets of inductance elements 10A and 10B and inductance elements 10C and 10D
And the deflecting element 54 and the picture tube valve 51
Built-in, and deflects the electron beam emitted from the electron gun 53 by the generated magnetic field, as compared with the conventional case in which the magnetic field is deflected by a deflection coil disposed outside the picture tube valve 51. Since the magnetic field can be generated closer to the electron beam, the electron beam can be efficiently deflected with less power consumption.

【0051】なお、本応用例では、2組のインダクタン
ス素子10A,10Bとインダクタンス素子10C,1
0Dとを電子ビームを偏向させる偏向素子として用いる
場合を例にとって説明したが、電子ビームに限らず、荷
電粒子に対しても同様に適用可能である。
In this application example, two sets of inductance elements 10A and 10B and inductance elements 10C and 1C are used.
Although the case where 0D is used as a deflecting element for deflecting an electron beam has been described as an example, the present invention is not limited to the electron beam, and is similarly applicable to charged particles.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
インダクタンス素子、これを搭載した電子銃およびこれ
を内蔵した陰極線管において、インダクタンス素子を絶
縁基板上に形成したインダクタンス回路によって構成
し、板状形状の素子としたことにより、コイル形状の場
合の用途以外にも種々の用途への適用が可能となり、特
にインダクタンス回路上を絶縁被膜で被覆することで、
絶縁性の保持、回路パターンからのガス放出、パターン
の永年劣化を防止できるので、真空中での使用が可能と
なる。
As described above, according to the present invention,
Inductance elements, electron guns equipped with the same, and cathode ray tubes incorporating the same, the inductance element is formed by an inductance circuit formed on an insulating substrate, and is a plate-shaped element. It can be applied to various applications, especially by covering the inductance circuit with an insulating film.
Since insulation retention, gas emission from the circuit pattern, and long-term deterioration of the pattern can be prevented, use in a vacuum is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係るインダクタンス素子
を示す構成図であり、(A)はその表面図、(B)はそ
の側面図、(C)はその裏面図をそれぞれ示している。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an inductance element according to an embodiment of the present invention, wherein (A) is a front view, (B) is a side view, and (C) is a back view.

【図2】第1応用例での使用形態の構成例を示す断面図
である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a usage form in a first application example.

【図3】インダクタンス素子を用いて構成された低周波
数成分透過機能回路の等価回路図である。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a low-frequency component transmission function circuit configured using an inductance element.

【図4】インダクタンス素子を多段電界収束電子銃に搭
載した場合の実装例を示す概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a mounting example when an inductance element is mounted on a multi-stage electric field focusing electron gun.

【図5】第1応用例に係る多段電界収束電子銃を内蔵し
た陰極線管の全体像を示す概略斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view showing an overall image of a cathode ray tube incorporating a multi-stage electric field focusing electron gun according to a first application example.

【図6】第2応用例に係るインダクタンス素子を示す構
成図であり、(A)はその表面図、(B)はその側面
図、(C)はその裏面図をそれぞれ示している。
6A and 6B are configuration diagrams illustrating an inductance element according to a second application example, wherein FIG. 6A is a front view, FIG. 6B is a side view, and FIG. 6C is a rear view.

【図7】第2応用例における電磁収束素子の動作原理を
説明する模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an operation principle of an electromagnetic focusing element according to a second application example.

【図8】第3応用例における偏向素子の動作原理を説明
する模式図である。
FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an operation principle of a deflection element according to a third application example.

【図9】第3応用例に係る偏向素子を内蔵した陰極線管
の全体像を示す概略斜視図である。
FIG. 9 is a schematic perspective view showing an overall image of a cathode ray tube incorporating a deflection element according to a third application example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,10A,10B,10C,10D、10′,1
0′A,10′B…インダクタンス素子、11,41…
絶縁基板、12-1,12-2,41-1,42-2…インダク
タンス回路、13,43…貫通孔、14,44…電気伝
導体(導通部)、15…磁気シールドケース、17…低
周波数成分透過機能回路(ローパスフィルタ)、20…
多段電界収束電子銃
10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10 ', 1
0'A, 10'B ... inductance elements, 11, 41 ...
Insulating substrate, 12-1, 12-2, 41-1, 42-2: inductance circuit, 13, 43: through hole, 14, 44: electric conductor (conductive portion), 15: magnetic shield case, 17: low Frequency component transmission function circuit (low-pass filter), 20 ...
Multi-stage electric field focusing electron gun

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // H01F 27/28 H01F 15/02 K ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // H01F 27/28 H01F 15/02 K

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 貫通孔を有する絶縁基板と、 前記絶縁基板の両面において前記貫通孔の周りに渦巻き
状に形成されたインダクタンス回路と、 前記絶縁基板の両面に形成された前記インダクタンス回
路の各々の一端部を前記貫通孔を通して電気的に接続す
る導通部とを備えたことを特徴とするインダクタンス素
子。
1. An insulating substrate having a through hole, an inductance circuit formed spirally around the through hole on both surfaces of the insulating substrate, and each of the inductance circuits formed on both surfaces of the insulating substrate. And a conducting part for electrically connecting one end through the through hole.
【請求項2】 前記インダクタンス回路上を被覆する絶
縁被膜を有することを特徴とする請求項1記載のインダ
クタンス素子。
2. The inductance element according to claim 1, further comprising an insulating coating covering the inductance circuit.
【請求項3】 前記インダクタンス回路が形成された前
記絶縁基板が複数枚積層され、かつ各絶縁基板のインダ
クタンス回路の端部が順次接続されたことを特徴とする
請求項1記載のインダクタンス素子。
3. The inductance element according to claim 1, wherein a plurality of the insulating substrates on which the inductance circuits are formed are stacked, and ends of the inductance circuits of the respective insulating substrates are sequentially connected.
【請求項4】 前記インダクタンス回路が形成された前
記絶縁基板が複数枚積層され、かつ各絶縁基板のインダ
クタンス回路の端部が順次接続されたことを特徴とする
請求項2記載のインダクタンス素子。
4. The inductance element according to claim 2, wherein a plurality of the insulating substrates on which the inductance circuits are formed are stacked, and ends of the inductance circuits of the respective insulating substrates are sequentially connected.
【請求項5】 前記絶縁基板がセラミック基板であるこ
とを特徴とする請求項1記載のインダクタンス素子。
5. The inductance element according to claim 1, wherein said insulating substrate is a ceramic substrate.
【請求項6】 前記絶縁基板が表面が絶縁処理された磁
性体基板であることを特徴とする請求項1記載のインダ
クタンス素子。
6. The inductance element according to claim 1, wherein the insulating substrate is a magnetic substrate whose surface is insulated.
【請求項7】 前記貫通孔内に、絶縁処理された磁性体
が設けられていることを特徴とする請求項1記載のイン
ダクタンス素子。
7. The inductance element according to claim 1, wherein an insulated magnetic body is provided in the through hole.
【請求項8】 前記インダクタンス回路が形成された前
記絶縁基板が、磁気シールドケースに収納されているこ
とを特徴とする請求項1記載のインダクタンス素子。
8. The inductance element according to claim 1, wherein the insulating substrate on which the inductance circuit is formed is housed in a magnetic shield case.
【請求項9】 貫通孔を有する絶縁基板の両面において
該貫通孔の周りに渦巻き状にインダクタンス回路が形成
され、各面のインダクタンス回路の各々の一端部が前記
貫通孔を通して電気的に接続されるとともに、前記イン
ダクタンス回路上が絶縁被膜で被覆されてなるインダク
タンス素子を搭載したことを特徴とする電子銃。
9. An insulated substrate is formed spirally around the through hole on both sides of the insulating substrate having the through hole, and one end of each of the inductance circuits on each surface is electrically connected through the through hole. An electron gun having an inductance element having the inductance circuit covered with an insulating film.
【請求項10】 前記インダクタンス素子を用いた構成
された低周波数成分透過機能回路を有し、 電子ビームの偏向に同期した交流電圧が第1のフォーカ
ス電極に、この交流電圧を前記低周波数成分透過機能回
路を通して得られる直流電圧が第2のフォーカス電極に
それぞれ印加されることを特徴とする請求項9記載の電
子銃。
10. A low-frequency component transmission function circuit using the inductance element, wherein an AC voltage synchronized with electron beam deflection is applied to a first focus electrode, and the AC voltage is transmitted to the low-frequency component. The electron gun according to claim 9, wherein a DC voltage obtained through the function circuit is applied to each of the second focus electrodes.
【請求項11】 前記インダクタンス素子は、カソード
電極から発せられた電子ビームを収束させる電磁収束素
子を構成することを特徴とする請求項9記載の電子銃。
11. The electron gun according to claim 9, wherein said inductance element forms an electromagnetic focusing element for focusing an electron beam emitted from a cathode electrode.
【請求項12】 貫通孔を有する絶縁基板の両面におい
て該貫通孔の周りに渦巻き状にインダクタンス回路が形
成され、各面のインダクタンス回路の各々の一端部が前
記貫通孔を通して電気的に接続されるとともに、前記イ
ンダクタンス回路上が絶縁被膜で被覆されてなるインダ
クタンス素子を、電子銃と共に受像管バルブ内に内蔵し
たことを特徴とする陰極線管。
12. An insulated substrate is formed spirally around both sides of an insulating substrate having a through hole, and one end of each of the inductance circuits on each surface is electrically connected through the through hole. A cathode ray tube, wherein an inductance element having the inductance circuit covered with an insulating film is built in a picture tube bulb together with an electron gun.
【請求項13】 前記電子銃は前記インダクタンス素子
を用いて構成された低周波数成分透過機能回路を有し、 電子ビームの偏向に同期した交流電圧が第1のフォーカ
ス電極に、この交流電圧を前記低周波数成分透過機能回
路を通して得られる直流電圧が第2のフォーカス電極に
それぞれ印加されることを特徴とする請求項12記載の
陰極線管。
13. The electron gun has a low-frequency component transmission function circuit configured by using the inductance element. An AC voltage synchronized with the deflection of the electron beam is applied to a first focus electrode, and the AC voltage is applied to the first focus electrode. 13. The cathode ray tube according to claim 12, wherein a DC voltage obtained through the low frequency component transmission function circuit is applied to each of the second focus electrodes.
【請求項14】 前記インダクタンス素子は、前記電子
銃内においてカソード電極から発せられた電子ビームを
収束させる電磁収束素子を構成することを特徴とする請
求項12記載の陰極線管。
14. The cathode ray tube according to claim 12, wherein said inductance element forms an electromagnetic focusing element for focusing an electron beam emitted from a cathode electrode in said electron gun.
【請求項15】 前記インダクタンス素子は、前記受像
管バルブ内において前記電子銃から出射された電子ビー
ムを偏向する偏向素子を構成することを特徴とする請求
項12記載の陰極線管。
15. The cathode ray tube according to claim 12, wherein the inductance element constitutes a deflection element for deflecting an electron beam emitted from the electron gun in the picture tube valve.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2004068860A1 (en) * 2003-01-28 2004-08-12 Sharp Kabushiki Kaisha Information server apparatus, client terminal apparatus, sub-client terminal apparatus, information processing method, and storage medium having stored program therefor

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