JP2001051288A - Liquid crystal display device and production thereof - Google Patents

Liquid crystal display device and production thereof

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JP2001051288A
JP2001051288A JP11229322A JP22932299A JP2001051288A JP 2001051288 A JP2001051288 A JP 2001051288A JP 11229322 A JP11229322 A JP 11229322A JP 22932299 A JP22932299 A JP 22932299A JP 2001051288 A JP2001051288 A JP 2001051288A
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JP
Japan
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liquid crystal
electrode line
substrate
electrode
display device
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JP11229322A
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Japanese (ja)
Inventor
Takao Tomono
孝夫 友野
Shigemi Otsu
茂実 大津
Takashi Shimizu
敬司 清水
Hidekazu Akutsu
英一 圷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a liquid crystal display device which does not require complicated positioning by forming display electrode lines and common electrode lines, in such a manner that the electric field generated by applying a voltage between the display electrode lines and the common electrode lines is almost parallel to the interface between a liquid crystal composition layer and the other substrate. SOLUTION: Display electrode lines 34 and common electrode lines 36a, 36b are formed, in such a manner that the electric field generated by applying a voltage between the display electrode lines 34 and common electrode lines 36a, 36b is almost parallel to the interface between the liquid crystal composition layer and to the other substrate 12. When a voltage is applied between the display electrode lines 34 and common electrode lines 36a, 36b, the direction of the electric field becomes one represented by the arrow line in the figure passing through the liquid crystal composition layer. Moreover, scanning electrode lines 14, signal electrode lines 28, common electrode lines 36a, 36b and display electrode lines 34 functions as a black matrix, which fills the space in a color filter layer 40. Moreover, these lines prevent a semiconductor active film 20 of a TFT 18 as an active element from being exposed to light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、横方向電界方式の
液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lateral electric field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の液晶表示装置においては、液晶層
を駆動する電極は、一方の基板に設けた単純マトリック
スあるいはアクティブ素子型の電極と、他方の基板に設
けた透明電極からなるものであり、この1対の基板を対
向させて基板に垂直な方向の電圧を印加することにより
動作させる、ツイストネマチック表示方式に代表される
表示方式(縦方向電界方式)が採用されている。
2. Description of the Related Art In a conventional liquid crystal display device, electrodes for driving a liquid crystal layer are composed of a simple matrix or active element type electrode provided on one substrate and a transparent electrode provided on the other substrate. A display method (vertical electric field method) represented by a twisted nematic display method, in which the pair of substrates are opposed to each other and operated by applying a voltage in a direction perpendicular to the substrates, is adopted.

【0003】一方、液晶に印加する電界の方向を基板に
対してほぼ平行な方向にする方式(横方向電界方式)と
して、1枚の櫛歯電極を用いた方式が特開平9-33946お
よび特開平10-48652号公報に提案されている。この場
合、電極は透明である必要はなく、導電性が高く不透明
な金属を用いても構わない。
On the other hand, as a method of making the direction of an electric field applied to the liquid crystal substantially parallel to the substrate (lateral electric field method), a method using a single comb-teeth electrode is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-33946. It is proposed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-48652. In this case, the electrode does not need to be transparent, and an opaque metal having high conductivity may be used.

【0004】この横方向電界方式には従来の縦方向電界
方式に比べて幾つかの利点がある。すなわち、透明電極
のITOの表面には通常数十nmの凹凸があり、その周辺で
配向不良ドメインが発生する。このため、縦方向電界方
式による液晶表示では、視覚方向を変化させた際の輝度
変化が著しく、中間調表示を困難にしていた。しかし、
横方向電界方式にすることにより、視覚特性が良好で多
階調表示が容易になった。
The horizontal electric field method has several advantages over the conventional vertical electric field method. That is, the surface of the ITO of the transparent electrode usually has irregularities of several tens of nm, and a misalignment domain occurs around the irregularities. For this reason, in the liquid crystal display by the vertical electric field method, the luminance changes when the visual direction is changed is remarkable, and it has been difficult to display halftones. But,
By using the lateral electric field method, visual characteristics are good and multi-tone display is easy.

【0005】横方向電界方式でも縦方向電界方式と同様
に、アクティブマトリックス基板とカラーフィルタ基板
の正確な位置合わせが必要である。このため、量産性が
よく低コストのカラーフィルターの製造法であっても、
位置合わせに必要な設備を使用する必要があり、設備コ
ストが巨額に成っていた。さらに、若干のずれが素子の
開口率に大きく影響し、高いコントラストが実現できに
くくなっていた。TFT液晶基板側に電着法によりカラ
ーフィルターを一体形成することができればフォトリソ
グラフィーによるパターニングをする必要がなく、かつ
カラーフィルターをマトリックス基板とは別の基板に設
けた場合に必要となる煩雑な位置合わせを行う必要がな
い。この観点から特公平3−45804号公報には、電
着法を用いTFT基板上ににカラーフィルターを形成す
る方法を含むマトリックス型多色表示装置用基板の製造
方法が提案されている。
In the horizontal electric field system, as in the case of the vertical electric field system, accurate alignment between the active matrix substrate and the color filter substrate is required. For this reason, even if it is a method of manufacturing a color filter with good mass productivity and low cost,
It was necessary to use equipment required for alignment, and the equipment cost was enormous. Further, a slight shift greatly affects the aperture ratio of the element, and it has been difficult to realize high contrast. If a color filter can be integrally formed on the TFT liquid crystal substrate by an electrodeposition method, there is no need for patterning by photolithography, and a complicated position required when the color filter is provided on a substrate different from the matrix substrate. There is no need to make adjustments. From this point of view, Japanese Patent Publication No. 3-45804 proposes a method of manufacturing a matrix type multicolor display device substrate including a method of forming a color filter on a TFT substrate using an electrodeposition method.

【0006】しかし、前記方法によって作製されるマト
リックス型多色表示装置用基板は、縦電界方式の液晶表
示装置に使用されるものであり、横電界方式の液晶表示
装置であってなおかつTFTマトリックス基板上にカラ
ーフィルターを一体に成形して、上記のような不利を招
く位置合わせの必要のない液晶表示装置は実現されてい
ない。
However, the matrix type multi-color display device substrate manufactured by the above method is used for a vertical electric field type liquid crystal display device, and is a horizontal electric field type liquid crystal display device and a TFT matrix substrate. A liquid crystal display device which does not require the above-described disadvantageous alignment by integrally forming a color filter thereon has not been realized.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたもので、その目的は、能動素子の遮光膜お
よびブラックマトリックスを特別に作製する必要がな
く、煩瑣な位置合わせを行う必要がない液晶表示装置を
提供すること、および前記液晶表示装置を安価に作製す
ることができる製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to eliminate the necessity of specially fabricating a light-shielding film and a black matrix of an active element and to perform a complicated alignment. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device free from defects and to provide a manufacturing method capable of manufacturing the liquid crystal display device at low cost.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的は、以下の液晶
表示装置およびその製造方法を提供することにより解決
される。 (1)(1)少なくとも一方が光透過性の一対の基板の
一方の基板の上に、行および列方向に配列された走査電
極線と信号電極線、画素電極、表示電極線、共通電極
線、前記表示電極線の駆動を制御する能動素子、および
カラーフィルタ層とが設けられたアクティブマトリック
ス基板と、(2)前記少なくとも一方が光透過性の一対
の基板の他方の基板と、(3)前記アクティブマトリッ
クス基板と前記他方の基板の間に配置された誘電異方性
の液晶分子を含む液晶組成物層とを少なくとも有する液
晶表示装置であって、前記表示電極線および共通電極線
の間に電圧を印加することによって生ずる電界が前記液
晶組成物層と前記他方の基板の界面に対してほぼ平行な
電界となるように前記表示電極線および共通電極線が構
成されていることを特徴とする液晶表示装置。
The above object can be attained by providing the following liquid crystal display device and a method of manufacturing the same. (1) (1) Scan electrode lines and signal electrode lines, pixel electrodes, display electrode lines, and common electrode lines arranged in rows and columns on one of a pair of substrates, at least one of which is light transmissive. An active matrix substrate provided with an active element for controlling driving of the display electrode line and a color filter layer; (2) the other substrate of a pair of substrates, at least one of which is light-transmitting; A liquid crystal display device having at least a liquid crystal composition layer containing liquid crystal molecules having dielectric anisotropy disposed between the active matrix substrate and the other substrate, wherein The display electrode line and the common electrode line are configured such that an electric field generated by applying a voltage is an electric field substantially parallel to an interface between the liquid crystal composition layer and the other substrate. A liquid crystal display device according to symptoms.

【0009】(2)前記カラーフィルター層が、カラー
フィルター層形成予定部分に設けられた画素電極を着色
材を含む水系の電着液に接触させ、かつ走査電極線と信
号電極線からの信号により選択された能動素子をスイッ
チングすることにより、選択された画素電極に電圧を印
可して該画素電極上に析出させた着色電着膜であること
を特徴とする前記(1)に記載の液晶表示装置。 (3)前記能動素子が走査電極線の上に配置されている
ことを特徴とする前記(1)または(2)に記載の液晶
表示装置。 (4)前記能動素子が走査電極線から離れて配置されて
いることを特徴とする前記(1)または(2)に記載の
液晶表示装置。 (5)前記アクティブマトリックス基板または前記他方
の基板の少なくとも1方に液晶配向制御層が設けられて
いることを特徴とする前記(1)ないし(4)のいずれ
か1に記載の液晶表示装置。 (6)前記能動素子が薄膜トランジスタであることを特
徴とする前記(1)ないし(5)のいずれか1に記載の
液晶表示装置。 (7)薄膜トランジスタが、走査電極線を兼ねるゲート
電極とゲート絶縁膜と半導体活性層と半導体活性層を保
護するチャンネル保護膜と半導体活性層に不純物がドー
プされたオーミックコンタクト層とその上部に形成され
た信号電極線を兼ねるドレイン電極とソース電極から構
成されることを特徴とする前記(1)ないし(6)のい
ずれか1に記載の液晶表示装置。
(2) The color filter layer contacts a pixel electrode provided at a portion where a color filter layer is to be formed with an aqueous electrodeposition liquid containing a coloring material, and receives a signal from a scanning electrode line and a signal electrode line. The liquid crystal display according to the above (1), characterized in that it is a colored electrodeposition film deposited on the selected pixel electrode by switching the selected active element to apply a voltage to the selected pixel electrode. apparatus. (3) The liquid crystal display device according to (1) or (2), wherein the active element is arranged on a scanning electrode line. (4) The liquid crystal display device according to (1) or (2), wherein the active element is arranged apart from a scanning electrode line. (5) The liquid crystal display device according to any one of (1) to (4), wherein a liquid crystal alignment control layer is provided on at least one of the active matrix substrate and the other substrate. (6) The liquid crystal display device according to any one of (1) to (5), wherein the active element is a thin film transistor. (7) A thin film transistor is formed on a gate electrode also serving as a scanning electrode line, a gate insulating film, a semiconductor active layer, a channel protective film for protecting the semiconductor active layer, an ohmic contact layer doped with impurities in the semiconductor active layer, and an upper portion thereof. The liquid crystal display device according to any one of the above (1) to (6), comprising a drain electrode and a source electrode also serving as a signal electrode line.

【0010】(8)(1)少なくとも一方が光透過性の
一対の基板の一方の基板の上に走査電極線、能動素子お
よび能動素子に接続された信号電極線を形成する工程、
カラーフィルター層形成部分にフォトリソ法により光透
過性の導電膜からなる画素電極を形成する工程、前記画
素電極を着色材を含む水系の電着液に接触させ、かつ走
査電極線と信号電極線からの信号により選択された能動
素子をスイッチングすることにより、選択された画素電
極に電圧を印可し画素電極上に着色電着膜を析出させて
カラーフィルター層を形成する工程、フォトリソ法によ
り表示電極線および共通電極線を形成する工程とを含む
アクティブマトリックス基板を作製する工程、および
(2)少なくとも一方が光透過性の一対の基板の他方の
基板と前記アクティブマトリックス基板との間に誘電異
方性の液晶分子を含む液晶組成物層とを配置する工程を
含むことを特徴とする前記(1)に記載の液晶表示装置
の製造方法。 (9)画素電極に印加される電圧が5V以下であること
を特徴とする前記(8)に記載の液晶表示装置の製造方
法。
(8) (1) forming a scanning electrode line, an active element, and a signal electrode line connected to the active element on one of a pair of substrates, at least one of which is light-transmitting;
A step of forming a pixel electrode made of a light-transmitting conductive film by a photolithography method on a color filter layer forming portion, contacting the pixel electrode with an aqueous electrodeposition solution containing a coloring material, and forming the pixel electrode from a scanning electrode line and a signal electrode line; A voltage is applied to the selected pixel electrode by switching the active element selected by the signal of (a), a colored electrodeposition film is deposited on the pixel electrode to form a color filter layer, and a display electrode line is formed by a photolithographic method. Forming an active matrix substrate including a step of forming a common electrode line, and (2) a dielectric anisotropy between at least one of the pair of light-transmissive substrates and the active matrix substrate. And (c) arranging a liquid crystal composition layer containing liquid crystal molecules according to (1). (9) The method according to (8), wherein the voltage applied to the pixel electrode is 5 V or less.

【0011】(10)(1)少なくとも一方が光透過性
の一対の基板の一方の基板の上に、行および列方向に配
列された走査電極線と信号電極線、画素電極、表示電極
線、共通電極線、前記表示電極線の駆動を制御する能動
素子、およびカラーフィルタ層とが設けられたアクティ
ブマトリックス基板と、(2)前記少なくとも一方が光
透過性の一対の基板の他方の基板および該基板に設けら
れた共通電極線と、(3)前記アクティブマトリックス
基板と前記共通電極線が設けられた他方の基板の間に配
置された誘電異方性の液晶分子を含む液晶組成物層とを
少なくとも有する液晶表示装置であって、前記表示電極
線および共通電極線の間に電圧を印加することによって
生ずる電界が前記液晶組成物層と前記他方の基板の界面
に対してほぼ平行な電界となるように前記表示電極線お
よび共通電極線が構成されていることを特徴とする液晶
表示装置。
(10) (1) A scanning electrode line, a signal electrode line, a pixel electrode, a display electrode line, and a scanning electrode line arranged in the row and column directions on one of a pair of substrates, at least one of which is light transmissive. An active matrix substrate provided with a common electrode line, an active element for controlling the driving of the display electrode line, and a color filter layer; (2) the other substrate of a pair of substrates, at least one of which is light-transmitting; A common electrode line provided on a substrate, and (3) a liquid crystal composition layer containing liquid crystal molecules having dielectric anisotropy disposed between the active matrix substrate and the other substrate provided with the common electrode line. At least a liquid crystal display device, wherein an electric field generated by applying a voltage between the display electrode line and the common electrode line is substantially parallel to an interface between the liquid crystal composition layer and the other substrate. The liquid crystal display device, wherein the display electrode lines and the common electrode line is configured such that the electric field.

【0012】(11)(1)少なくとも一方が光透過性
の一対の基板の一方の基板の上に走査電極線、能動素子
および能動素子に接続された信号電極線を形成する工
程、カラーフィルター層形成部分にフォトリソ法により
光透過性の導電膜からなる画素電極を形成する工程、前
記画素電極を着色材を含む水系の電着液に接触させ、か
つ走査電極線と信号電極線からの信号により選択された
能動素子をスイッチングすることにより、選択された画
素電極に電圧を印可し画素電極上に着色電着膜を析出さ
せてカラーフィルター層を形成する工程、フォトリソ法
により表示電極線を形成する工程、とを含むアクティブ
マトリックス基板を作製する工程、(2)少なくとも一
方が光透過性の一対の基板の他方の基板にフォトリソ法
により共通電極線を形成する工程、および(3)前記共
通電極線が設けられた他方の基板と前記アクティブマト
リックス基板との間に誘電異方性の液晶分子を含む液晶
組成物層とを配置する工程を含むことを特徴とする前記
(10)に記載の液晶表示装置の製造方法。
(11) (1) A step of forming a scanning electrode line, an active element, and a signal electrode line connected to the active element on one of a pair of substrates at least one of which is light-transmitting, a color filter layer A step of forming a pixel electrode made of a light-transmitting conductive film by a photolithography method on the formation portion, contacting the pixel electrode with an aqueous electrodeposition solution containing a coloring material, and using signals from a scanning electrode line and a signal electrode line; A step of applying a voltage to the selected pixel electrode by switching the selected active element, depositing a colored electrodeposition film on the pixel electrode to form a color filter layer, and forming a display electrode line by a photolithography method And (2) forming a common electrode line on the other of the pair of light-transmissive substrates by a photolithography method. And (3) disposing a liquid crystal composition layer containing liquid crystal molecules having dielectric anisotropy between the other substrate provided with the common electrode lines and the active matrix substrate. The method for producing a liquid crystal display device according to the above (10), which is characterized in that:

【0013】なお、本発明において、共通電極線を、少
なくとも一方が光透過性の一対の基板のうち走査電極線
等を設けた方の基板に設ける場合、共通電極線を含めて
「アクティブマトリックス基板」と称し、また共通電極
線を、少なくとも一方が光透過性の一対の基板のうちの
他方の基板に設ける場合は、アクティブマトリックス基
板とは共通電極線が設けられていない、走査電極線等を
設けた方の基板をさす。
In the present invention, when the common electrode line is provided on the substrate on which at least one of the pair of light-transmitting substrates is provided with the scanning electrode line or the like, the "active matrix substrate" including the common electrode line is included. In addition, when the common electrode line is provided on the other substrate of at least one of the pair of light-transmissive substrates, the common electrode line is not provided with the active matrix substrate. Refers to the substrate provided.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下に本発明の液晶表示装置およ
びその製造方法について詳細に説明する。本発明の液晶
表示装置は、少なくとも一方が光透過性の一対の基板の
一方の基板の上に、行および列方向に配列された走査電
極線と信号電極線、画素電極、表示電極線、前記表示電
極線の駆動を制御する能動素子、カラーフィルタ層、お
よび共通電極線を設けあるいは共通電極線を設けていな
いアクティブマトリックス基板を有し、該アクティブマ
トリックス基板に共通電極線を設けない場合は、前記少
なくとも一方が光透過性の一対の基板の他方の基板に共
通電極線を設け、前記表示電極線および共通電極線の間
に電圧を印加することによって生ずる電界が、前記アク
ティブマトリックス基板と前記他方の基板の間に配置さ
れた、誘電異方性の液晶分子を含む液晶組成物層と前記
他方の基板の界面に対して、ほぼ平行な電界となるよう
に前記表示電極線および共通電極線が構成されているこ
とを特徴とする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a liquid crystal display device of the present invention and a method for manufacturing the same will be described in detail. The liquid crystal display device of the present invention has a scanning electrode line and a signal electrode line, a pixel electrode, a display electrode line, at least one of which is arranged on one of a pair of light-transmitting substrates in a row and column direction. An active element for controlling the driving of the display electrode lines, a color filter layer, and an active matrix substrate provided with a common electrode line or a common electrode line is not provided.If the active matrix substrate is not provided with a common electrode line, An electric field generated by applying a voltage between the display electrode line and the common electrode line is provided on at least one of the pair of light-transmissive substrates, and the electric field is generated by applying a voltage between the display electrode line and the common electrode line. The electric field is substantially parallel to the interface between the liquid crystal composition layer containing the dielectrically anisotropic liquid crystal molecules and the other substrate, which is disposed between the substrates. Wherein the display electrode line and the common electrode line is formed.

【0015】本発明の液晶表示装置においては、カラー
フィルターと走査電極線と信号電極線、画素電極、表示
電極線、共通電極線、前記表示電極線の駆動を制御する
能動素子が一体に成形されているアクティブマトリック
ス基板を用いるため、従来必要であったカラーフィルタ
ーが設けられた基板とアクティブマトリックス基板との
位置合わせを行うことが不要となる。
In the liquid crystal display device of the present invention, a color filter, a scanning electrode line, a signal electrode line, a pixel electrode, a display electrode line, a common electrode line, and an active element for controlling driving of the display electrode line are integrally formed. Since the active matrix substrate is used, it is not necessary to perform the alignment between the substrate provided with the color filter and the active matrix substrate, which has been conventionally required.

【0016】また、前記走査電極線、信号電極線、共通
電極線および表示電極線はカラーフィルタのブラックマ
トリックスとしての機能および能動素子への光を遮断す
る機能を果すため、新たに遮光膜を設ける必要がなく、
高精度の液晶表示装置を提供できる。また、本発明の液
晶表示装置において、液晶配向制御膜をアクティブマト
リックス基板または前記他方の基板の少なくとも1方
の、液晶組成物層に接する面に形成することが好まし
い。
The scanning electrode lines, signal electrode lines, common electrode lines and display electrode lines are provided with a new light shielding film in order to fulfill the function as a black matrix of the color filter and the function of blocking light to the active elements. No need,
A highly accurate liquid crystal display device can be provided. In the liquid crystal display device according to the present invention, it is preferable that the liquid crystal alignment control film is formed on at least one of the active matrix substrate and the other substrate, the surface being in contact with the liquid crystal composition layer.

【0017】次に図を用いて本発明の液晶表示装置およ
びその製造方法を説明する。図1は本発明の液晶表示装
置を、能動素子であるTFTを横切るように基板に対し
て垂直方向に切断した(図2のX−X断面)断面図を模
式的に示すものである。図中、10は少なくとも一方が
光透過性の一対の基板の一方の基板、12は少なくとも
一方が光透過性の一対の基板の他方の基板(以下、単に
「他方の基板」ということがある。)、14は走査電極
線、14aはゲート電極、16はゲート絶縁膜、18は
能動素子としてのTFT、20は半導体活性層、22は
チャンネル保護膜、24は半導体活性層に不純物がドー
プされたオーミックコンタクト膜、26はソース電極、
28はドレイン電極(信号電極線)、30はカラーフィ
ルター層形成時に電極となる画素電極(仮想線で示
す)、34は表示電極線(一部仮想線で表されてい
る)、36aおよび36bは共通電極線、40は画素電
極の上に形成されたカラーフィルター層、42および4
6は液晶配向制御膜、44は誘電異方性の液晶分子を含
む液晶組成物層をそれぞれ示す。また、図1において液
晶組成物層を通る矢印線は、表示電極線34と共通電極
線36aおよび36bの間に電圧が印加された場合に生
ずる電界の方向を示している。
Next, a liquid crystal display device of the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device of the present invention cut in a direction perpendicular to a substrate so as to cross a TFT as an active element (cross section taken along line XX in FIG. 2). In the figure, reference numeral 10 denotes at least one of a pair of substrates that are light-transmitting, and 12 denotes at least one of the other substrates of a pair of light-transmitting substrates (hereinafter, may be simply referred to as “the other substrate”). ), 14 are scanning electrode lines, 14a is a gate electrode, 16 is a gate insulating film, 18 is a TFT as an active element, 20 is a semiconductor active layer, 22 is a channel protective film, and 24 is a semiconductor active layer doped with impurities. Ohmic contact film, 26 is a source electrode,
28 is a drain electrode (signal electrode line), 30 is a pixel electrode (indicated by a virtual line) which becomes an electrode when a color filter layer is formed, 34 is a display electrode line (partially represented by a virtual line), and 36a and 36b are The common electrode line, 40 is a color filter layer formed on the pixel electrode, 42 and 4
Reference numeral 6 denotes a liquid crystal alignment control film, and reference numeral 44 denotes a liquid crystal composition layer containing liquid crystal molecules having dielectric anisotropy. In FIG. 1, an arrow line passing through the liquid crystal composition layer indicates a direction of an electric field generated when a voltage is applied between the display electrode line 34 and the common electrode lines 36a and 36b.

【0018】図1中、走査電極線14、信号電極線2
8、共通電極線36a、36bおよび表示電極線34
は、カラーフィルター層40の間を埋めるブラックマト
リックスとして機能するとともに、かつ能動素子の半導
体活性膜20が光に曝されるのを防いでいる。また、図
1には、表示電極線34および共通電極線36aと36
bの間に電圧を印加することによって生ずる電界が主と
して前記液晶組成物層と前記他方の基板の界面に対して
ほぼ平行な電界となることが示されている。共通電極線
36bと表示電極線34の間に電圧が印加され、液晶分
子が図のように配向することによりスイッチングが行わ
れる。共通電極線36aと表示電極線34の間にも電圧
が印可され同様に液晶が配向されるが、この部分は走査
電極線、信号電極線、共通電極線および表示電極線によ
り遮光されているためこの部分の配向に基づく色の発現
は視認されない。
In FIG. 1, scanning electrode lines 14, signal electrode lines 2
8, common electrode lines 36a, 36b and display electrode lines 34
Functions as a black matrix filling the space between the color filter layers 40 and prevents the semiconductor active film 20 of the active element from being exposed to light. FIG. 1 shows the display electrode lines 34 and the common electrode lines 36a and 36a.
It is shown that an electric field generated by applying a voltage during the period "b" is an electric field substantially parallel to the interface between the liquid crystal composition layer and the other substrate. Switching is performed by applying a voltage between the common electrode line 36b and the display electrode line 34 and orienting the liquid crystal molecules as shown. A voltage is applied between the common electrode line 36a and the display electrode line 34, and the liquid crystal is similarly oriented. However, this portion is shielded by the scanning electrode line, the signal electrode line, the common electrode line, and the display electrode line. The appearance of color based on the orientation of this portion is not visually recognized.

【0019】また、図2は図1の液晶表示装置のアクテ
ィブマトリックス基板(液晶配向制御膜を設ける前の状
態)を示す平面図であり、図2中、14は走査電極線、
22はチャンネル保護膜、26はソース電極、28は信
号電極線、34は表示電極線、36aおよび36bは共
通電極線をそれぞれ示す。図2には、走査電極線、信号
電極線、共通電極線および表示電極線によりアクティブ
マトリックス基板が遮光される状態が示されている。
FIG. 2 is a plan view showing the active matrix substrate (before the liquid crystal alignment control film is provided) of the liquid crystal display device shown in FIG. 1. In FIG.
Reference numeral 22 denotes a channel protective film, 26 denotes a source electrode, 28 denotes a signal electrode line, 34 denotes a display electrode line, and 36a and 36b denote common electrode lines. FIG. 2 shows a state where the active matrix substrate is shielded from light by the scanning electrode lines, the signal electrode lines, the common electrode lines, and the display electrode lines.

【0020】また、図3は本発明の液晶表示装置の他の
一例の断面図を示すもので、共通電極線を1対の基板の
他方の基板12に設けた例を示す。この例の液晶表示装
置の場合においても図1と同様に共通電極線36aおよ
び36bと表示電極線34の間に電圧が印可され液晶が
配向される。この例の場合共通電極線を他方の基板に設
けるため製造プロセスは図で示す液晶表示装置に比較し
て煩雑とはなるが、別の基板に共通電極線を設けること
により配線の断線確率を低下させることができる。
FIG. 3 is a cross-sectional view of another example of the liquid crystal display device of the present invention, in which a common electrode line is provided on the other substrate 12 of the pair of substrates. Also in the case of the liquid crystal display device of this example, similarly to FIG. 1, a voltage is applied between the common electrode lines 36a and 36b and the display electrode line 34, and the liquid crystal is aligned. In this case, since the common electrode line is provided on the other substrate, the manufacturing process becomes complicated as compared with the liquid crystal display device shown in the figure.However, by providing the common electrode line on another substrate, the disconnection probability of the wiring is reduced. Can be done.

【0021】図4はさらに他の液晶表示装置の一例をア
クティブマトリックス基板の平面図を用いて説明するも
ので、能動素子であるTFTが走査電極線14とは離れ
た場所に設けられている。この例においても走査電極線
14、信号電極線28、表示電極線34、ならびに共通
電極線36aおよび36bにより、カラーフィルター層
以外の部分を遮光するブラックマトリックスの機能を果
たしている。
FIG. 4 illustrates still another example of the liquid crystal display device with reference to a plan view of an active matrix substrate. A TFT, which is an active element, is provided at a position separated from the scanning electrode lines 14. Also in this example, the scanning electrode lines 14, the signal electrode lines 28, the display electrode lines 34, and the common electrode lines 36a and 36b function as a black matrix for shielding portions other than the color filter layer.

【0022】次に本発明の液晶表示装置において、共通
電極線がアクティブマトリックス基板上に設けられる液
晶表示装置の製造方法について説明する。図5(A)な
いし図5(E)は本発明の液晶表示装置の特にアクティ
ブマトリックス基板の製造プロセスを示す工程図であ
る。まず図5(A)に示すように基板の上にフォトリソ
法により能動素子たとえばTFT18を作製する。TF
Tの作製はフォトリソ法などを利用して常法に従って実
施される。基板10および12としてはガラス等が用い
られ、走査電極線14としてはTa/Cr等が用いられ
る。基板10の上に形成される走査電極線14はゲート
電極14aを兼ねる。走査電極線14を形成した基板の
上にゲート絶縁膜16を形成する。ゲート絶縁膜16と
してはP−CVD法によって形成されるSiNx膜や、
ゾルゲル法によって形成されるSiOxなどが適してい
る。膜厚は2000〜3000オングストロームが適切
である。このゲート絶縁膜16の上にアモルファスシリ
コン、ポリシリコンなどからなる半導体活性膜20、S
iNx等からなるチャンネル保護膜22、半導体活性膜
に不純物を高濃度にドープしたn+a−Si,n+pol
y−Siなどのオーミックコンタクト膜24を順次積層
形成した後、さらに、Ti、Cr等で構成するソース電
極26、信号電極線を兼ね備えるドレイン電極28を形
成してTFT18とする。TFT18を走査電極線14
の上に配置することも、また走査電極線とは離れた位置
に配置することも可能で、いずれの場合でも走査電極
線、信号電極線、共通電極線および表示電極線がブラッ
クマトリックスの機能を発揮する。次にTFT18が形
成された基板の上に全面に光透過性の導電膜たとえばI
TO膜を成膜し、フォトリソ法を用いて画素電極30の
パターンを形成する。画素電極30の厚さは500〜1
500Åの範囲が好ましい。
Next, a method of manufacturing a liquid crystal display device in which a common electrode line is provided on an active matrix substrate in the liquid crystal display device of the present invention will be described. FIGS. 5A to 5E are process diagrams showing a manufacturing process of a liquid crystal display device of the present invention, particularly, an active matrix substrate. First, as shown in FIG. 5A, an active element such as a TFT 18 is formed on a substrate by a photolithography method. TF
The production of T is performed according to a conventional method using a photolithography method or the like. Glass or the like is used for the substrates 10 and 12, and Ta / Cr or the like is used for the scanning electrode lines 14. The scanning electrode lines 14 formed on the substrate 10 also serve as the gate electrodes 14a. A gate insulating film 16 is formed on the substrate on which the scanning electrode lines 14 have been formed. As the gate insulating film 16, a SiNx film formed by a P-CVD method,
SiOx formed by a sol-gel method is suitable. The film thickness is suitably from 2000 to 3000 angstroms. A semiconductor active film 20 made of amorphous silicon, polysilicon, or the like,
n + a-Si, n + pol in which a channel protection film 22 made of iNx or the like and a semiconductor active film are heavily doped with impurities.
After sequentially forming an ohmic contact film 24 of y-Si or the like, a source electrode 26 made of Ti, Cr or the like and a drain electrode 28 also serving as a signal electrode line are formed to form the TFT 18. The TFT 18 is connected to the scanning electrode line 14
Can be placed above the scanning electrode lines, or at a position separated from the scanning electrode lines.In each case, the scanning electrode lines, signal electrode lines, common electrode lines, and display electrode lines function as a black matrix. Demonstrate. Next, a light-transmitting conductive film such as I
A TO film is formed, and a pattern of the pixel electrode 30 is formed by using a photolithography method. The thickness of the pixel electrode 30 is 500 to 1
A range of 500 ° is preferred.

【0023】その後図5(B)に示すように、層間絶縁
膜51を形成する。層間絶縁膜51を設ける方法として
は、たとえばSiNx等をP-CVD法で成膜したり、ポリ
イミド溶液をロールコータ等で塗布して絶縁膜の形成を
行った後、フォトリソ法により信号電極線部分が絶縁膜
で覆われるように前記絶縁膜をパターニングする方法が
挙げられる。
Thereafter, as shown in FIG. 5B, an interlayer insulating film 51 is formed. As a method of providing the interlayer insulating film 51, for example, a film of SiNx or the like is formed by a P-CVD method, or a polyimide solution is applied by a roll coater or the like to form an insulating film. A method of patterning the insulating film so that the insulating film is covered with the insulating film.

【0024】次に図5(C)に示すように画素電極上に
カラーフィルター層を形成する。まず前記基板を着色材
を含有する電着液に浸漬する(図示せず)。この際、最
終的なカラーフィルターの赤色画素に相当する画素電極
に電圧を印加すべく、走査電極線および信号電極線にゲ
ート電圧およびソース電圧をかけ、選択されたTFTが
ON状態になるようにして、選択された画素電極に接続
しているソース電極に電圧を印加し、選択的に赤色のカ
ラーフィルター層を形成する。水洗後、順次電着液を代
えて緑および青のカラーフィルター層を形成する。図5
(C)では赤色のカラーフィルター層のみを形成する工
程を示し、緑および青のカラーフィルター層形成工程は
省略している。電着液については後述する。
Next, as shown in FIG. 5C, a color filter layer is formed on the pixel electrode. First, the substrate is immersed in an electrodeposition solution containing a coloring material (not shown). At this time, in order to apply a voltage to a pixel electrode corresponding to a red pixel of a final color filter, a gate voltage and a source voltage are applied to the scanning electrode line and the signal electrode line so that the selected TFT is turned on. Then, a voltage is applied to the source electrode connected to the selected pixel electrode to selectively form a red color filter layer. After washing with water, the electrodeposition liquid is changed in order to form green and blue color filter layers. FIG.
(C) shows the step of forming only the red color filter layer, and omits the steps of forming the green and blue color filter layers. The electrodeposition liquid will be described later.

【0025】その後基板の上に、図5(D)に示すよう
に表示電極線34と共通電極線36aおよび36bを形
成する。まず導電性膜、たとえばアルミニウム皮膜を真
空蒸着等により形成し(図示せず)、フォトリソ法によ
りパターニングして表示電極線および共通電極線を形成
する。次いでこの上に図5(E)に示すように液晶配向
制御膜42を設けアクティブマトリックス基板とする。
液晶配向制御膜42としてはポリイミド等の有機高分子
膜をラビング処理して配向制御機能を持たせた有機配向
膜、無機質材料を基板に対して一定の方向に斜めに蒸着
する斜方蒸着法で成膜した無機配向膜、主鎖が揃った高
分子をLB膜で成膜した高分子配向膜などが用いられる。
Thereafter, display electrode lines 34 and common electrode lines 36a and 36b are formed on the substrate as shown in FIG. First, a conductive film, for example, an aluminum film is formed by vacuum evaporation or the like (not shown), and is patterned by a photolithography method to form a display electrode line and a common electrode line. Next, a liquid crystal alignment control film 42 is provided thereon as shown in FIG.
As the liquid crystal alignment control film 42, an organic polymer film such as polyimide is rubbed to provide an alignment control function, an organic alignment film, and an oblique evaporation method in which an inorganic material is obliquely evaporated on a substrate in a certain direction. An inorganic alignment film formed as a film, a polymer alignment film formed of a polymer having a uniform main chain as an LB film, and the like are used.

【0026】次に前記図1のようにアクティブマトリッ
クス基板と対向する他方の基板12にも液晶配向制御膜
46を形成し、アクティブマトリックス基板と対の基板
の間に間隔(たとえば数μm)を設け、この間隔の間に
誘電異方性の液晶分子を含む液晶を注入して液晶組成物
層44を形成し、封止することにより液晶表示装置を作
製する。
Next, as shown in FIG. 1, a liquid crystal alignment control film 46 is also formed on the other substrate 12 facing the active matrix substrate, and a space (for example, several μm) is provided between the active matrix substrate and the pair of substrates. A liquid crystal containing liquid crystal molecules having a dielectric anisotropy is injected into the gap to form a liquid crystal composition layer 44, which is sealed to manufacture a liquid crystal display device.

【0027】本発明の液晶表示装置の製造方法において
は、カラーフィルター層の形成をフォトリソグラフィ工
程を使用せず電着法により選択された画素電極上に選択
された色の着色膜を形成することができるため、低コス
トで高精度の液晶表示装置を提供できる。共通電極線が
他方の基板に設けられる液晶表示装置は、上記の製造方
法において共通電極線を、他方の基板にフォトリソ法に
より形成する以外は同様にして作製される。
In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a color filter layer is formed by forming a color film of a selected color on a pixel electrode selected by an electrodeposition method without using a photolithography process. Therefore, a low-cost and high-precision liquid crystal display device can be provided. The liquid crystal display device in which the common electrode line is provided on the other substrate is manufactured in the same manner as in the above manufacturing method except that the common electrode line is formed on the other substrate by a photolithography method.

【0028】本発明の液晶表示装置の製造方法において
は、カラーフィルター層の形成をフォトリソグラフィ工
程を使用せず電着法により、選択された画素電極上に選
択された色の着色膜を形成することができ、またカラー
フィルター層を能動素子が設けられた基板の上に一体的
に形成するため煩瑣な位置合わせを省くことができ、低
コストで高精度の液晶表示装置を提供できる。
In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a color filter layer is formed on a selected pixel electrode by an electrodeposition method without using a photolithography process. In addition, since the color filter layer is integrally formed on the substrate provided with the active elements, complicated positioning can be omitted, and a low-cost and high-precision liquid crystal display device can be provided.

【0029】次に上記の方法5において、アクティブマ
トリックス基板のカラーフィルター層を形成するのに用
いる電着液について説明する。本発明のカラーフィルタ
ー層は実質的に絶縁性着色電着膜からなっている。着色
電着膜を析出させる電着液は、画素電極の上にカラーフ
ィルター層として機能する着色膜を析出させることが可
能な電着液であれば特に制限なく使用することができる
が、たとえば少なくとも溶液のpH変化に対応して溶解
度が変化するイオン性分子と、電着膜を所望の色に着色
するための染料、顔料、色素等の着色材(後記のように
着色材自体がイオン性分子であることがある)とを含有
する電着液を使用することができる。
Next, the electrodeposition solution used for forming the color filter layer of the active matrix substrate in the above method 5 will be described. The color filter layer of the present invention substantially comprises an insulating colored electrodeposition film. The electrodeposition liquid for depositing the colored electrodeposition film can be used without particular limitation as long as it is an electrodeposition liquid capable of depositing a color film functioning as a color filter layer on the pixel electrode. Ionic molecules whose solubility changes in response to changes in the pH of the solution, and coloring materials such as dyes, pigments, and pigments for coloring the electrodeposited film to a desired color (the coloring material itself is an ionic molecule as described below) May be used.

【0030】前記イオン性分子としてはイオン性高分子
たとえば、陰イオン性解離基であるカルボキシル基等を
有するアニオン性高分子化合物;陽イオン性解離基であ
るアミノ基、イミノ基等を有するカチオン性高分子化合
物等が挙げられ、中でも、イオン性解離基を有する親水
性モノマーと疎水性モノマーとの共重合体が好ましく、
ランダム共重合体が特に好ましい。イオン性高分子とし
ては電着液の液安定性の観点からは、適度な親水性を有
している必要があり、一方、電着膜の膜強度及び耐水性
の観点からは、適度な疎水性を有している必要がある。
Examples of the ionic molecule include an ionic polymer, for example, an anionic polymer compound having a carboxyl group as an anionic dissociating group; and a cationic polymer compound having an amino group or an imino group as a cationic dissociating group. High molecular compounds and the like, among which, a copolymer of a hydrophilic monomer having an ionic dissociation group and a hydrophobic monomer is preferable,
Random copolymers are particularly preferred. It is necessary that the ionic polymer has appropriate hydrophilicity from the viewpoint of the liquid stability of the electrodeposition liquid, while from the viewpoint of the film strength and water resistance of the electrodeposition film, it is necessary to have an appropriate hydrophobicity. It is necessary to have nature.

【0031】電着材料として用いるイオン性高分子に要
求される疎水性と親水性のバランスは、例えば、以下の
ようなモノマー単位の疎水性基の数と、親水性基の数と
で表すことができる。即ち、イオン性高分子が、疎水性
モノマーと親水性モノマーとの共重合体である場合、モ
ノマー単位の疎水性基数と親水性基数との総和に対する
疎水性基の数としては、40〜80%が好ましく、55
〜70%がより好ましい。前記疎水性基数の割合が、4
0%未満であると、電着膜の耐水性や膜強度が不十分と
なることがあり、80%を超えると、イオン性高分子の
水系溶媒に対する親和性が低下し沈殿を生じたり、電着
液の粘度が高くなりすぎて、均一な電着膜を形成できな
いことがある。一方、疎水性基の数が前記範囲にある
と、水系溶媒との親和性も高く、電着液の液性が安定化
するとともに、電着効率も高いので好ましい。
The balance between hydrophobicity and hydrophilicity required for an ionic polymer used as an electrodeposition material can be expressed by, for example, the number of hydrophobic groups and the number of hydrophilic groups in a monomer unit as shown below. Can be. That is, when the ionic polymer is a copolymer of a hydrophobic monomer and a hydrophilic monomer, the number of hydrophobic groups based on the sum of the number of hydrophobic groups and the number of hydrophilic groups in the monomer unit is 40 to 80%. Is preferred, and 55
~ 70% is more preferred. The ratio of the number of the hydrophobic groups is 4
If it is less than 0%, the water resistance and film strength of the electrodeposited film may be insufficient, and if it exceeds 80%, the affinity of the ionic polymer for the aqueous solvent may be reduced to cause precipitation, In some cases, the viscosity of the liquid is too high to form a uniform electrodeposition film. On the other hand, when the number of the hydrophobic groups is in the above range, the affinity with the aqueous solvent is high, the liquidity of the electrodeposition liquid is stabilized, and the electrodeposition efficiency is high.

【0032】また、前記親水基としては、該親水基の数
の50%以上が、pHの変化により水溶性から非水溶
性、或いは、この逆に可逆的に変化しうる親水基である
ことが好ましい。前記親水基の数が、50%未満である
と、水に対する溶解度が低すぎて水に溶けなくなること
がある。陰イオン性解離基を有する親水性モノマーとし
ては、メタクリル酸、アクリル酸、メタクリル酸ヒドロ
キシエチル、アクリルアミド、無水マレイン酸、無水ト
リメリト酸、無水フタル酸、ヘミメリット酸、コハク
酸、アジピン酸、プロピオル酸、フマル酸、イタコン酸
等のカルボキシル基を有するモノマー、及びこれらの誘
導体が挙げられる。中でも、メタクリル酸またはアクリ
ル酸をモノマーとするイオン性高分子は、pHの変化に
よる状態変化が急峻であるとともに、水系液体への親和
性も高い点で好ましい。
Further, as the hydrophilic group, at least 50% of the number of the hydrophilic groups is a hydrophilic group which can be changed from water-soluble to water-insoluble, or vice versa, by a change in pH. preferable. If the number of the hydrophilic groups is less than 50%, the solubility in water may be too low to be insoluble in water. Examples of the hydrophilic monomer having an anionic dissociating group include methacrylic acid, acrylic acid, hydroxyethyl methacrylate, acrylamide, maleic anhydride, trimellitic anhydride, phthalic anhydride, hemi-mellitic acid, succinic acid, adipic acid, and propiolic acid. And monomers having a carboxyl group such as fumaric acid and itaconic acid, and derivatives thereof. Among them, an ionic polymer containing methacrylic acid or acrylic acid as a monomer is preferable because the change in state due to a change in pH is sharp and the affinity for an aqueous liquid is high.

【0033】イオン性高分子に疎水性を与える疎水性モ
ノマーとしては、エチレン、ブタジエン等のオレフィ
ン、スチレン、α−メチルスチレン、α−エチルスチレ
ン、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタク
リル酸ブチル、アクリロニトリル、酢酸ビニル、アクリ
ル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メ
タクリル酸ラウリル等が挙げられる。中でも、スチレ
ン、α−メチルスチレンは、疎水化効率が高く、電着析
出効率が良好である点、また親水性モノマーとの共重合
の際の制御性が高い点で好ましい。尚、疎水性モノマー
は、2種類以上を組合わせて用いてもよい。
Examples of hydrophobic monomers that impart hydrophobicity to the ionic polymer include olefins such as ethylene and butadiene, styrene, α-methylstyrene, α-ethylstyrene, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, butyl methacrylate, and acrylonitrile. , Vinyl acetate, methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, lauryl methacrylate and the like. Among them, styrene and α-methylstyrene are preferred in that they have high hydrophobicity efficiency, good electrodeposition deposition efficiency, and high controllability at the time of copolymerization with a hydrophilic monomer. In addition, you may use a hydrophobic monomer in combination of 2 or more types.

【0034】イオン性高分子の疎水性と親水性のバラン
スは、アニオン性高分子を用いる場合は、酸価によって
示すこともできる。アニオン性高分子の酸価は、電着特
性が良好となる点で、60〜300が好ましく、90〜
195が特に好ましい。前記アニオン性高分子の酸価
が、60未満であると、水系溶媒への親和性が低くな
り、アニオン性高分子が沈殿したり、電着液の粘度が高
くなりすぎて、均一な電着膜が形成できないことがあ
り、300を超えると、形成された電着膜の耐水性が低
下したり、電着効率が低下することがある。
The balance between the hydrophobicity and hydrophilicity of the ionic polymer can also be indicated by the acid value when using an anionic polymer. The acid value of the anionic polymer is preferably from 60 to 300, and more preferably from 90 to 300, in that the electrodeposition property is improved.
195 is particularly preferred. If the acid value of the anionic polymer is less than 60, the affinity for the aqueous solvent is low, the anionic polymer is precipitated, and the viscosity of the electrodeposition solution is too high, and the uniform electrodeposition is performed. In some cases, the film cannot be formed, and when it exceeds 300, the water resistance of the formed electrodeposited film may be reduced, and the electrodeposition efficiency may be reduced.

【0035】前記イオン性高分子の分子量としては、電
着膜の膜特性等の観点から、重量平均分子量が6.0×
103〜2.5×104が好ましく、9.0×103
2.0×104がより好ましい。前記重量平均分子量
が、6.0×103未満であると、膜が不均一となり、
耐水性が低下する結果、電着膜中にクラックが発生した
り、電着膜が粉末化して、堅牢性の高い電着膜が得られ
ないことがあり、2.5×104を超えると、水系溶媒
との親和性が低下し、沈殿が生じたり、電着液の粘度が
高すぎて電着膜が不均一となることがある。
As for the molecular weight of the ionic polymer, the weight average molecular weight is 6.0 × from the viewpoint of the film properties of the electrodeposited film.
10 3 to 2.5 × 10 4 are preferred, and 9.0 × 10 3 to
2.0 × 10 4 is more preferred. When the weight average molecular weight is less than 6.0 × 10 3 , the film becomes non-uniform,
Results poorly water resistant, conductive cracks may be generated during film deposition, electrodeposition film was triturated, may not more robust electrodeposition film can be obtained, and when it exceeds 2.5 × 10 4 In some cases, the affinity with the aqueous solvent may be reduced to cause precipitation, or the viscosity of the electrodeposition solution may be too high, resulting in an uneven electrodeposition film.

【0036】また、前記イオン性高分子は、ガラス転移
点が80℃以下で、流動開始点が180℃以下、分解点
が150℃以上であると、基板上に形成されたイオン性
高分子からなる電着膜を別の画像保持基材上に熱転写す
る場合に、転写制御が容易となり好ましい。
When the ionic polymer has a glass transition point of 80 ° C. or less, a flow starting point of 180 ° C. or less, and a decomposition point of 150 ° C. or more, the ionic polymer formed from the ionic polymer When the electrodeposited film is thermally transferred onto another image holding substrate, transfer control is facilitated, which is preferable.

【0037】また前記イオン性分子としては着色材自体
(イオン性着色材)を用いることもできる。イオン性着
色材としては、トリフェニルメタンフタリド系、フェノ
サジン系、フェノチアジン系、フルオレセイン系、イン
ドリルフタリド系、スピロピラン系、アザフタリド系、
ジフェニルメタン系、クロメノピラゾール系、ロイコオ
ーラミン系、アゾメチン系、ローダミンラクタル系、ナ
フトラクタム系、トリアゼン系、トリアゾールアゾ系、
チアゾールアゾ系、アゾ系、オキサジン系、チアジン
系、ベンズチアゾールアゾ系、キノンイミン系の染料、
及びカルボキシル基、アミノ基、又はイミノ基を有する
親水性染料等が挙げられる。この着色材が電着能を有す
る場合は、電着材料はこの着色材のみからなっていても
よい。
As the ionic molecule, a coloring material itself (ionic coloring material) can be used. Examples of ionic coloring materials include triphenylmethanephthalide, phenosadine, phenothiazine, fluorescein, indolylphthalide, spiropyran, azaphthalide,
Diphenylmethane, chromenopyrazole, leuco auramine, azomethine, rhodamine lactal, naphtholactam, triazene, triazole azo,
Thiazole azo, azo, oxazine, thiazine, benzothiazole azo, quinone imine dyes,
And a hydrophilic dye having a carboxyl group, an amino group, or an imino group. When the coloring material has an electrodeposition ability, the electrodeposition material may be composed only of the coloring material.

【0038】いずれのイオン性分子を電着材料として選
択するかは、イオン性分子が有するpHの変化に対応し
た溶解度の変化特性を目安にすることができる。本発明
に用いられる電着材料は、溶液のpH変化に依存して、
急激に溶解度が変化する性質を有するものが好ましい。
例えば、溶液の±2.0のpH変化に対応して、より好
ましくは、±1.0のpH変化に対応して状態変化(溶
存状態→沈殿、又は沈殿→溶存状態)するものが好まし
い。このような溶解度特性を有するイオン性分子を電着
材料として用いれば、より迅速に電着膜を作製でき、ま
た耐水性に優れた電着膜を作製することができる。
Which of the ionic molecules is selected as the electrodeposition material can be determined based on the change characteristics of the solubility corresponding to the change of the pH of the ionic molecules. The electrodeposition material used in the present invention depends on the pH change of the solution,
Those having the property of rapidly changing the solubility are preferred.
For example, it is preferable that the solution changes its state (dissolved state → precipitated or precipitated → dissolved state) in response to a pH change of ± 2.0 of the solution, more preferably, in response to a pH change of ± 1.0. If ionic molecules having such solubility characteristics are used as an electrodeposition material, an electrodeposition film can be produced more quickly, and an electrodeposition film having excellent water resistance can be produced.

【0039】さらに、電着材料として用いるイオン性分
子は、pHの変化に対応する状態変化(溶存状態→析出
の変化と析出→溶存状態の変化)にヒステリシスを示す
ものが好ましい。即ち、pHの減少又は増加に対応する
析出状態への変化は急峻であり、かつpHの増加又は減
少に対応する溶存状態への変化は緩慢であると、着色電
着膜の安定性が向上するので好ましい。
Further, the ionic molecules used as the electrodeposition material preferably exhibit hysteresis in a state change corresponding to a change in pH (dissolved state → change in precipitation and change in precipitation → dissolved state). That is, the change to the precipitation state corresponding to the decrease or increase of the pH is steep, and the change to the dissolved state corresponding to the increase or decrease of the pH is slow, and the stability of the colored electrodeposition film is improved. It is preferred.

【0040】本発明で使用する電着液に添加する着色材
自体は必ずしも電着能を有する必要はなく、イオン性分
子たとえばイオン性高分子がが電着する際に、着色材を
取り込んで凝集、析出することにより着色電着膜が形成
されてもよい。また、着色材自体がイオン性分子であっ
て、電着能を有する場合は、電着材料は着色材のみから
なっていてもよい。本発明においては、着色材として顔
料を含有するとともに、イオン性高分子を含有させた電
着材料を用いると、形成した着色電着膜の耐光性を向上
させることができ、特に好ましい。
The colorant added to the electrodeposition solution used in the present invention does not necessarily have to have an electrodeposition ability. When an ionic molecule, for example, an ionic polymer is electrodeposited, the colorant is taken in and coagulated. The colored electrodeposition film may be formed by deposition. When the coloring material itself is an ionic molecule and has an electrodeposition ability, the electrodeposition material may be composed of only the coloring material. In the present invention, the use of an electrodeposition material containing a pigment as the coloring material and an ionic polymer can improve the light resistance of the formed colored electrodeposition film, which is particularly preferable.

【0041】[0041]

【実施例】以下に実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。 <実施例1>はじめに、厚さ0.7mmの無アルカリガラ
ス基板(コーニング製1737ガラス)上に、常法によ
りTFT(薄膜トランジスタ)を形成した。この例では
走査電極の上に能動素子であるTFTが形成されるよう
な配置とした。走査電極線はTa/Crで形成されてお
り、走査電極線はゲート電極を兼ねている。ゲート絶縁
膜はSiNxからなり、半導体活性膜はi-a-Siから
なっている。チャンネル保護膜はSiNxで構成され、
その上部にn+−a−Siからなるオーミックコンタクト
膜を形成し、その上部にTiからなるソース電極と信号
電極線を兼ねるドレイン電極を形成した。さらに、その
上部にITO膜を1500Åに成膜した後、フォトリソ法
により画素電極パターンを作製した。次にその上部にS
iNxをP-CVD法で成膜した後フォトリソ法により信号
電極線部分が覆われるようにパターニングして層間絶縁
膜を形成した。
The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the present invention is limited to these Examples. Example 1 First, a TFT (thin film transistor) was formed on a 0.7 mm-thick non-alkali glass substrate (Corning 1737 glass) by a conventional method. In this example, the arrangement is such that a TFT as an active element is formed on the scanning electrode. The scanning electrode lines are formed of Ta / Cr, and the scanning electrode lines also serve as gate electrodes. The gate insulating film is made of SiNx, and the semiconductor active film is made of ia-Si. The channel protective film is composed of SiNx,
An ohmic contact film made of n + -a-Si was formed thereon, and a source electrode made of Ti and a drain electrode serving also as a signal electrode line were formed thereon. Further, an ITO film was formed thereon at 1500 °, and a pixel electrode pattern was formed by a photolithography method. Next, S
After iNx was formed by a P-CVD method, patterning was performed by a photolithography method so as to cover the signal electrode line portion, thereby forming an interlayer insulating film.

【0042】層間絶縁膜を形成した基板を、スチレンー
アクリル酸共重合体(分子量13,000、疎水基/(親水基+疎
水基)のモル比65%、酸価150)とアゾ系赤色超微粒子顔料
を固形分比率で1対2に分散させた顔料を含む電着液
(pH=7.8、導電率=50mS)に浸漬させた。ま
た、最終的なカラーフィルターの赤色画素に相当する選
択されたTFTがON状態になるようにして、選択され
た画素電極に接続しているドレイン電極に電圧を印加
し、画素電極を作用電極として、飽和カロメル電極に対
し作用電極が2.5Vになるようにポテンショスタット
で10秒間電圧を印加した。なお、カウンター電極には
白金黒を利用した。その結果、画素電極上にレッドのカ
ラーフィルター層が形成された。これを純水で洗浄し
た。
A substrate having an interlayer insulating film formed thereon was treated with a styrene-acrylic acid copolymer (molecular weight 13,000, molar ratio of hydrophobic group / (hydrophilic group + hydrophobic group) 65%, acid value 150) and azo red ultrafine particle pigment Was immersed in an electrodeposition solution (pH = 7.8, conductivity = 50 mS) containing a pigment in which 1: 2 was dispersed at a solid content ratio. Also, a voltage is applied to the drain electrode connected to the selected pixel electrode so that the selected TFT corresponding to the red pixel of the final color filter is turned on, and the pixel electrode is used as a working electrode. A voltage was applied for 10 seconds with a potentiostat so that the working electrode became 2.5 V with respect to the saturated calomel electrode. Note that platinum black was used for the counter electrode. As a result, a red color filter layer was formed on the pixel electrode. This was washed with pure water.

【0043】次に、前記基板をスチレンーアクリル酸共
重合体(分子量13,000、疎水基/(親水基+疎水基)のモル比
65%、酸価150)とフタロシアニングリーン系超微粒子顔料
を固形分比率で1対2に分散させた電着液に浸漬させ
た。また、最終的なカラーフィルターの緑色画素に相当
する選択されたTFTがON状態になるようにして、選
択された画素電極に接続しているドレイン電極に電圧を
印加し、また赤色カラーフィルター層の場合と同様に電
圧を印加した。その結果画素電極上にグリーンのカラー
フィルター層が形成された。これを純水で洗浄した。
Next, the substrate was treated with a styrene-acrylic acid copolymer (molecular weight 13,000, hydrophobic group / (hydrophilic group + hydrophobic group) molar ratio).
It was immersed in an electrodeposition solution in which 65%, an acid value of 150) and a phthalocyanine green-based ultrafine pigment were dispersed at a solid content ratio of 1: 2. Also, a voltage is applied to the drain electrode connected to the selected pixel electrode so that the selected TFT corresponding to the green pixel of the final color filter is turned on. Voltage was applied as in the case. As a result, a green color filter layer was formed on the pixel electrode. This was washed with pure water.

【0044】次に、前記基板をスチレンーアクリル酸共
重合体(分子量13,000、疎水基/(親水基+疎水基)のモル比
65%、酸価150)とフタロシアニンブルー系超微粒子顔料を
固形分比率で1対2に分散させた電着液に浸漬させた。
また、最終的なカラーフィルターの青色画素に相当する
選択されたTFTがON状態になるようにして、選択さ
れた画素電極に接続しているドレイン電極に電圧を印加
し、また赤色カラーフィルター層の場合と同様に電圧を
印加した。その結果画素電極上にブルーのカラーフィル
ター層が形成された。
Next, the substrate was treated with a styrene-acrylic acid copolymer (molecular weight 13,000, hydrophobic group / (hydrophilic group + hydrophobic group) molar ratio).
It was immersed in an electrodeposition solution in which 65%, an acid value of 150) and a phthalocyanine blue-based ultrafine particle pigment were dispersed at a solid content ratio of 1: 2.
Also, a voltage is applied to the drain electrode connected to the selected pixel electrode so that the selected TFT corresponding to the blue pixel of the final color filter is turned on. Voltage was applied as in the case. As a result, a blue color filter layer was formed on the pixel electrode.

【0045】このカラーフィルタの各画素は電着後、導
電性はほとんど示さず、絶縁性の性質を示した。
After the electrodeposition, each pixel of the color filter showed little conductivity and showed an insulating property.

【0046】その上部にAlを蒸着して、フォトリソ工
程の後、表示電極線および共通電極線を形成した。その
後ポリイミドからなる液晶配向制御膜を形成した。前記
図2で示されるようなアクティブマトリックス基板が得
られた。走査電極線、信号電極線、表示電極線および共
通電極線はTFTおよび透明画素電極部分以外を遮光す
る構造となっている。アクティブマトリックス基板基板
は以上のようにして作製され、対となる他方の透明基板
にも前記と同じ液晶配向制御膜を成膜した。この基板と
アクティブマトリックス基板との間に数ミクロン程度の
間隔を空けここに液晶を注入し、封止することにより液
晶表示装置を作製した。
Al was vapor-deposited on the upper portion, and after the photolithography process, display electrode lines and common electrode lines were formed. Thereafter, a liquid crystal alignment control film made of polyimide was formed. An active matrix substrate as shown in FIG. 2 was obtained. The scanning electrode line, the signal electrode line, the display electrode line, and the common electrode line have a structure that blocks light except for the TFT and the transparent pixel electrode portion. An active matrix substrate was manufactured as described above, and the same liquid crystal alignment control film as described above was formed on the other transparent substrate to be paired. A liquid crystal display was manufactured by injecting and sealing a liquid crystal here with an interval of about several microns between the substrate and the active matrix substrate.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の液晶表示装置によると、カラー
フィルターと走査電極線と信号電極線、画素電極、表示
電極線、共通電極線、前記表示電極線の駆動を制御する
能動素子が一体に成形されているため、従来必要であっ
たカラーフィルターが設けられた基板とアクティブマト
リックス基板との位置合わせを行うことが不要となる。
また、本発明の液晶表示装置においては走査電極線、信
号電極線、表示電極線および共通電極線が、カラーフィ
ルタのブラックマトリックスとしての機能、および能動
素子への光を遮断する機能を果すため、新たに遮光膜を
設ける必要がなく、高精度の液晶表示装置を提供でき
る。また本発明の液晶表示装置の製造方法においては、
カラーフィルター層の形成をフォトリソグラフィ工程を
使用せず電着法により、選択された画素電極上に選択さ
れた色の着色膜を形成することができ、またカラーフィ
ルター層を能動素子が設けられた基板の上に一体的に形
成するため、煩瑣な位置合わせを省くことができ、低コ
ストで高精度の液晶表示装置を提供できる。
According to the liquid crystal display device of the present invention, a color filter, a scanning electrode line, a signal electrode line, a pixel electrode, a display electrode line, a common electrode line, and an active element for controlling the driving of the display electrode line are integrally formed. Since it is molded, it is not necessary to perform the alignment between the substrate provided with the color filter and the active matrix substrate, which has been required conventionally.
Further, in the liquid crystal display device of the present invention, the scanning electrode line, the signal electrode line, the display electrode line and the common electrode line, the function as a black matrix of the color filter, and the function of blocking light to the active element, It is not necessary to newly provide a light shielding film, and a high-precision liquid crystal display device can be provided. In the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention,
The color filter layer can be formed by the electrodeposition method without using a photolithography process to form a colored film of a selected color on a selected pixel electrode, and the color filter layer is provided with an active element. Since they are formed integrally on the substrate, complicated alignment can be omitted, and a low-cost and high-precision liquid crystal display device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の液晶表示装置の一例の断面および液
晶にかかる電界の方向を模式的に示す図である。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section of an example of a liquid crystal display device of the present invention and a direction of an electric field applied to a liquid crystal.

【図2】 図1の液晶表示装置を構成するアクティブマ
トリックス基板の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of an active matrix substrate included in the liquid crystal display device of FIG.

【図3】 本発明の液晶表示装置の他の例の断面および
液晶にかかる電界の方向を模式的に示す図である。
FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a cross section of another example of the liquid crystal display device of the present invention and a direction of an electric field applied to the liquid crystal.

【図4】 本発明の他の液晶表示装置を構成するアクテ
ィブマトリックス基板の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of an active matrix substrate included in another liquid crystal display device of the present invention.

【図5】 本発明の液晶表示装置を製造する工程を示す
図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a process of manufacturing the liquid crystal display device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、12:基板、14:走査電極線、14a:ゲート
電極、16:ゲート絶縁膜、18:TFT、20:半導
体活性膜、22:チャンネル保護膜、24:オーミック
コンタクト膜、26:ソース電極、28:ドレイン電極
(信号電極線)、30:画素電極、31:層間絶縁膜、
34:表示電極線、36a、36b:共通電極線、40
カラーフィルター層、42、46:液晶配向制御膜、4
4:液晶組成物層
10, 12: substrate, 14: scanning electrode line, 14a: gate electrode, 16: gate insulating film, 18: TFT, 20: semiconductor active film, 22: channel protective film, 24: ohmic contact film, 26: source electrode, 28: drain electrode (signal electrode line), 30: pixel electrode, 31: interlayer insulating film,
34: display electrode line, 36a, 36b: common electrode line, 40
Color filter layers, 42 and 46: liquid crystal alignment control film, 4
4: Liquid crystal composition layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 29/786 H01L 29/78 612D 21/336 619B (72)発明者 清水 敬司 神奈川県足柄上郡中井町境430グリーンテ クなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 圷 英一 神奈川県足柄上郡中井町境430グリーンテ クなかい 富士ゼロックス株式会社内 Fターム(参考) 2H048 BA02 BA11 BA62 BB02 BB22 BB44 2H091 FA02Y FB02 FC06 FD04 GA13 LA12 LA13 LA15 2H092 GA14 JA26 JA35 JB05 JB54 KA04 KA05 KA12 KA18 KA24 KB04 KB25 MA08 MA10 MA13 MA27 MA37 NA27 PA02 PA08 PA09 5C094 AA12 AA43 AA44 AA48 BA03 BA43 CA19 CA24 CA25 DA13 DB04 EA04 EA05 EA07 EB02 ED03 FA01 FA02 FB12 FB14 FB15 GA10 GB10 5F110 BB01 CC07 DD02 EE04 EE14 EE37 FF02 FF03 FF21 FF30 GG02 GG13 GG15 GG35 HK03 HK04 HK09 HK14 HK16 HK32 HM18 NN03 NN12 NN24 NN27 NN35 NN36 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) H01L 29/786 H01L 29/78 612D 21/336 619B (72) Inventor Keiji Shimizu 430 Nakaicho Sakai, Ashigara-gun, Kanagawa Prefecture Green Tech Nakai Fuji Xerox Co., Ltd. (72) Inventor Eiichi Akutsu 430 Nakai-cho, Ashigarakami-gun, Kanagawa Prefecture Green Tech Naka Fuji Fuji Xerox Co., Ltd. F-term (reference) 2H048 BA02 BA11 BA62 BB02 BB22 BB44 2H091 FA02Y FB02 FC06 FD04 GA13 LA12 LA13 LA15 2H092 GA14 JA26 JA35 JB05 JB54 KA04 KA05 KA12 KA18 KA24 KB04 KB25 MA08 MA10 MA13 MA27 MA37 NA27 PA02 PA08 PA09 5C094 AA12 AA43 AA44 AA48 BA03 BA43 CA19 CA24 CA25 DA13 DB04 EA04 EB04 EA04 EB04 5F110 BB01 CC07 DD02 EE04 EE14 EE37 FF02 FF03 FF21 FF30 GG02 GG13 GG15 GG35 HK03 HK04 HK09 HK14 HK16 HK32 HM18 NN03 NN12 NN24 NN27 NN35 NN36

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (1)少なくとも一方が光透過性の一対
の基板の一方の基板の上に、行および列方向に配列され
た走査電極線と信号電極線、画素電極、表示電極線、共
通電極線、前記表示電極線の駆動を制御する能動素子、
およびカラーフィルタ層とが設けられたアクティブマト
リックス基板と、(2)前記少なくとも一方が光透過性
の一対の基板の他方の基板と、(3)前記アクティブマ
トリックス基板と前記他方の基板の間に配置された誘電
異方性の液晶分子を含む液晶組成物層とを少なくとも有
する液晶表示装置であって、前記表示電極線および共通
電極線の間に電圧を印加することによって生ずる電界が
前記液晶組成物層と前記他方の基板の界面に対してほぼ
平行な電界となるように前記表示電極線および共通電極
線が構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
(1) A scanning electrode line and a signal electrode line, a pixel electrode, a display electrode line, and a common electrode arranged in a row and a column direction on one of a pair of substrates, at least one of which is light transmissive. An electrode element, an active element for controlling driving of the display electrode element,
An active matrix substrate provided with an active matrix substrate and a color filter layer; (2) the other of the pair of substrates, at least one of which is light-transmissive; and (3) disposed between the active matrix substrate and the other substrate. And a liquid crystal composition layer containing a liquid crystal molecule having a dielectric anisotropy formed by applying a voltage between the display electrode line and the common electrode line. The liquid crystal display device, wherein the display electrode line and the common electrode line are configured to have an electric field substantially parallel to an interface between a layer and the other substrate.
【請求項2】 前記カラーフィルター層が、カラーフィ
ルター層形成予定部分に設けられた画素電極を着色材を
含む水系の電着液に接触させ、かつ走査電極線と信号電
極線からの信号により選択された能動素子をスイッチン
グすることにより、選択された画素電極に電圧を印可し
て該画素電極上に析出させた着色電着膜であることを特
徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
2. The color filter layer, wherein a pixel electrode provided in a portion where a color filter layer is to be formed is brought into contact with an aqueous electrodeposition liquid containing a coloring material, and is selected by signals from a scanning electrode line and a signal electrode line. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a voltage is applied to a selected pixel electrode by switching the active element, and the electrode device is a colored electrodeposition film deposited on the pixel electrode.
【請求項3】 前記能動素子が走査電極線の上に配置さ
れていることを特徴とする請求項1または請求項2に記
載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active element is arranged on a scanning electrode line.
【請求項4】 前記能動素子が走査電極線から離れて配
置されていることを特徴とする請求項1または請求項2
に記載の液晶表示装置。
4. The device according to claim 1, wherein the active element is disposed apart from the scanning electrode line.
3. The liquid crystal display device according to 1.
【請求項5】 前記アクティブマトリックス基板または
前記他方の基板の少なくとも1方に液晶配向制御層が設
けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項4
のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
5. A liquid crystal alignment control layer is provided on at least one of the active matrix substrate and the other substrate.
The liquid crystal display device according to any one of the above.
【請求項6】 前記能動素子が薄膜トランジスタである
ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1
項に記載の液晶表示装置。
6. The method according to claim 1, wherein the active element is a thin film transistor.
A liquid crystal display device according to the item.
【請求項7】 薄膜トランジスタが、走査電極線を兼ね
るゲート電極とゲート絶縁膜と半導体活性層と半導体活
性層を保護するチャンネル保護膜と半導体活性層に不純
物がドープされたオーミックコンタクト層とその上部に
形成された信号電極線を兼ねるドレイン電極とソース電
極から構成されることを特徴とする請求項1ないし請求
項6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
7. A thin film transistor comprising: a gate electrode also serving as a scanning electrode line; a gate insulating film; a semiconductor active layer; a channel protective film for protecting the semiconductor active layer; an ohmic contact layer doped with impurities in the semiconductor active layer; 7. The liquid crystal display device according to claim 1, comprising a drain electrode and a source electrode which also serve as the formed signal electrode lines.
【請求項8】 (1)少なくとも一方が光透過性の一対
の基板の一方の基板の上に走査電極線、能動素子および
能動素子に接続された信号電極線を形成する工程、カラ
ーフィルター層形成部分にフォトリソ法により光透過性
の導電膜からなる画素電極を形成する工程、前記画素電
極を着色材を含む水系の電着液に接触させ、かつ走査電
極線と信号電極線からの信号により選択された能動素子
をスイッチングすることにより、選択された画素電極に
電圧を印可し画素電極上に着色電着膜を析出させてカラ
ーフィルター層を形成する工程、フォトリソ法により表
示電極線および共通電極線を形成する工程とを含むアク
ティブマトリックス基板を作製する工程、および(2)
少なくとも一方が光透過性の一対の基板の他方の基板と
前記アクティブマトリックス基板との間に誘電異方性の
液晶分子を含む液晶組成物層とを配置する工程を含むこ
とを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方
法。
8. A step of forming a scan electrode line, an active element, and a signal electrode line connected to the active element on one of a pair of substrates, at least one of which is light-transmissive, forming a color filter layer. Forming a pixel electrode made of a light-transmitting conductive film on a portion by a photolithographic method, contacting the pixel electrode with an aqueous electrodeposition solution containing a coloring material, and selecting the pixel electrode based on signals from a scanning electrode line and a signal electrode line; By applying a voltage to a selected pixel electrode by switching the active element, and depositing a colored electrodeposition film on the pixel electrode to form a color filter layer, a display electrode line and a common electrode line by a photolithographic method. Forming an active matrix substrate, comprising: forming a substrate; and (2)
A step of arranging a liquid crystal composition layer containing liquid crystal molecules having dielectric anisotropy between at least one of the pair of light-transmitting substrates and the active matrix substrate. 2. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to item 1.
【請求項9】 画素電極に印加される電圧が5V以下で
あることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置の
製造方法。
9. The method according to claim 8, wherein the voltage applied to the pixel electrode is 5 V or less.
【請求項10】 (1)少なくとも一方が光透過性の一
対の基板の一方の基板の上に、行および列方向に配列さ
れた走査電極線と信号電極線、画素電極、表示電極線、
前記表示電極線の駆動を制御する能動素子、およびカラ
ーフィルタ層とが設けられたアクティブマトリックス基
板と、(2)前記少なくとも一方が光透過性の一対の基
板の他方の基板と該基板に設けられた共通電極線と、
(3)前記アクティブマトリックス基板と前記共通電極
線が設けられた他方の基板の間に配置された誘電異方性
の液晶分子を含む液晶組成物層とを少なくとも有する液
晶表示装置であって、前記表示電極線および共通電極線
の間に電圧を印加することによって生ずる電界が前記液
晶組成物層と前記他方の基板の界面に対してほぼ平行な
電界となるように前記表示電極線および共通電極線が構
成されていることを特徴とする液晶表示装置。
10. A scanning electrode line and a signal electrode line, a pixel electrode, a display electrode line, and a scanning electrode line arranged in a row and a column direction on one of a pair of substrates, at least one of which is light transmissive.
An active matrix substrate provided with an active element for controlling driving of the display electrode line and a color filter layer; and (2) at least one of the pair of light-transmitting substrates is provided on the other substrate and the substrate is provided on the substrate. Common electrode wire,
(3) A liquid crystal display device having at least a liquid crystal composition layer containing liquid crystal molecules having dielectric anisotropy disposed between the active matrix substrate and the other substrate provided with the common electrode lines, The display electrode line and the common electrode line such that an electric field generated by applying a voltage between the display electrode line and the common electrode line becomes an electric field substantially parallel to an interface between the liquid crystal composition layer and the other substrate. A liquid crystal display device comprising:
【請求項11】 (1)少なくとも一方が光透過性の一
対の基板の一方の基板の上に走査電極線、能動素子およ
び能動素子に接続された信号電極線を形成する工程、カ
ラーフィルター層形成部分にフォトリソ法により光透過
性の導電膜からなる画素電極を形成する工程、前記画素
電極を着色材を含む水系の電着液に接触させ、かつ走査
電極線と信号電極線からの信号により選択された能動素
子をスイッチングすることにより、選択された画素電極
に電圧を印可し画素電極上に着色電着膜を析出させてカ
ラーフィルター層を形成する工程、フォトリソ工程によ
り表示電極線を形成する工程、とを含むアクティブマト
リックス基板を作製する工程、(2)少なくとも一方が
光透過性の一対の基板の他方の基板にフォトリソ法によ
り共通電極線を形成する工程、および(3)前記共通電
極線が設けられた他方の基板と前記アクティブマトリッ
クス基板との間に誘電異方性の液晶分子を含む液晶組成
物層とを配置する工程を含むことを特徴とする請求項1
0に記載の液晶表示装置の製造方法。
11. A step of forming a scan electrode line, an active element and a signal electrode line connected to the active element on one of a pair of substrates at least one of which is light-transmitting, and forming a color filter layer. Forming a pixel electrode made of a light-transmitting conductive film on a portion by a photolithographic method, contacting the pixel electrode with an aqueous electrodeposition solution containing a coloring material, and selecting the pixel electrode based on signals from a scanning electrode line and a signal electrode line; Applying a voltage to a selected pixel electrode by switching the selected active element, depositing a colored electrodeposition film on the pixel electrode to form a color filter layer, and forming a display electrode line by a photolithography process And (2) forming a common electrode line on the other of the pair of light-transmissive substrates by a photolithography method. And (3) disposing a liquid crystal composition layer containing liquid crystal molecules having dielectric anisotropy between the other substrate provided with the common electrode lines and the active matrix substrate. Claim 1
0. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to item 0.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003114445A (en) * 2001-07-31 2003-04-18 Hitachi Ltd Liquid crystal display
JP2005115404A (en) * 2005-01-24 2005-04-28 Nec Lcd Technologies Ltd Liquid crystal display device
CN106200169A (en) * 2016-07-08 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 Display panels and manufacture method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003114445A (en) * 2001-07-31 2003-04-18 Hitachi Ltd Liquid crystal display
JP2005115404A (en) * 2005-01-24 2005-04-28 Nec Lcd Technologies Ltd Liquid crystal display device
CN106200169A (en) * 2016-07-08 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 Display panels and manufacture method thereof

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