JP2001049110A - Low dielectric resin composition - Google Patents

Low dielectric resin composition

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JP2001049110A JP11226981A JP22698199A JP2001049110A JP 2001049110 A JP2001049110 A JP 2001049110A JP 11226981 A JP11226981 A JP 11226981A JP 22698199 A JP22698199 A JP 22698199A JP 2001049110 A JP2001049110 A JP 2001049110A
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邦生 木村
Yoshihiko Yamashita
祐彦 山下
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject composition having excellent electric characteristics (low dielectric property) and heat resistance, especially useful for a high-frequency electronic parts for circuit board, insulating material, etc., by making the composition include a specific fluorine-containing aryl ether ketone polymer. SOLUTION: This composition comprises a fluorine-containing aryl ether ketone polymer of formula I [X is a halogen, a lower alkyl or a lower alkoxy; q is 0-4; n is a polymerization degree; m is 0 or 1; R1 is a group of formula II (X' and q' are as shown for X and q, respectively; p is 0 or 1) ; R2 is a bifunctional aromatic group] (e.g. a polymer of formula III, etc.). The polymer is obtained, for example, by subjecting 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride and an alkoxybenzene to a Friedel-Crafts reaction in an organic solvent to give p-(2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl)alkoxybenzene, dealkylating p-(2,3,4,5,6- pentafluorobenzoyl)alkoxybenzene to give a compound of formula IV (q is 0 or 1) and heating the compound in the presence of a basic compound in an organic solvent.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は低誘電性樹脂組成物
に関するものである。より詳しくは、本発明は、優れた
電気的特性(低誘電性)及び耐熱性を有し、特に、配線
基板や絶縁材料等の高周波電子部品に有用な低誘電性樹
脂組成物に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a low dielectric resin composition. More specifically, the present invention relates to a low dielectric resin composition having excellent electrical properties (low dielectric properties) and heat resistance, and particularly useful for high-frequency electronic components such as wiring boards and insulating materials. .

【0002】[0002]

【従来の技術】エンジニアリングプラスチックは、電子
・電気部品、自動車部品や機械部品などの用途に用いら
れるプラスチックであり、一般に、その耐熱温度が高く
なるほど誘電率及び誘電正接が高くなる傾向にあるた
め、耐熱性及び低誘電性を双方とも有するプラスチック
は存在しなかった。
2. Description of the Related Art Engineering plastics are plastics used for applications such as electronic and electric parts, automobile parts and mechanical parts. Generally, the higher the heat-resistant temperature, the higher the dielectric constant and the dielectric loss tangent. There were no plastics that had both heat resistance and low dielectric properties.

【0003】例えば、耐熱性のエンジニアリングプラス
チックとして代表的な、ポリイミド(PI)、ポリエー
テルイミド(PEI)、ポリフェニレンサルファイド
(PPS)、ポリアリレート(PAR)、液晶ポリマー
(LCP)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリケ
トン(PK)等は優れた耐熱性及び機械特性を有し、様
々な用途に用いられているが、これらのポリマーは特に
高周波領域における誘電率が高いため、これらを高周波
電子機器に使用するには限界があるという問題がある。
また、ポリアセタール(POM)、ポリエチレンテレフ
タレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(P
BT)、ポリアミド(PA)等のエンジニアリングプラ
スチックは耐熱性の面でも不十分である上、高誘電性で
もあり、高周波電子機器への使用には適さない。
For example, typical examples of heat-resistant engineering plastics include polyimide (PI), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfide (PPS), polyarylate (PAR), liquid crystal polymer (LCP), and polyether sulfone ( PES), polyketone (PK), etc. have excellent heat resistance and mechanical properties and are used for various applications. However, these polymers have a high dielectric constant especially in a high frequency range, and therefore, they are used for high frequency electronic devices. There is a problem that there is a limit to use.
In addition, polyacetal (POM), polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (P
Engineering plastics such as BT) and polyamide (PA) are inadequate in terms of heat resistance and also have high dielectric properties, and are not suitable for use in high-frequency electronic devices.

【0004】一方、エンジニアリングプラスチックの中
でも耐熱温度の低い変性ポリフェニレンエーテル(PP
E)、ポリカーボネート(PC)、また、ポリエチレン
(PE)、ポリプロピレン(PP)やポリスチレン(P
St)等汎用プラスチックは、誘電率が低い点では高周
波信号を利用する電子機器に適した絶縁材料といえる
が、やはり耐熱温度の低さにより使用環境が大きく限定
される。よって、現在のところ耐熱性と低誘電性を兼ね
備えた重合体は存在していない。
On the other hand, modified polyphenylene ether (PP) having a low heat resistance temperature among engineering plastics
E), polycarbonate (PC), polyethylene (PE), polypropylene (PP) and polystyrene (P
General-purpose plastics such as St) are insulative materials suitable for electronic devices utilizing high-frequency signals in that they have a low dielectric constant. However, their use environments are greatly limited due to their low heat-resistant temperatures. Therefore, at present, there is no polymer having both heat resistance and low dielectric properties.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、優れた電気的特性(低誘電性)及び耐熱性双方
を兼ね備えた低誘電性樹脂組成物を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a low dielectric resin composition having both excellent electrical properties (low dielectric properties) and heat resistance.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記事情
を鑑みて鋭意検討を行なった結果、本願発明者らがこれ
まで研究を行ってきた含フッ素アリールエーテルケトン
重合体が低誘電性及び耐熱性双方に優れていること着目
し、このような重合体を使用することにより耐熱性と低
誘電性を兼ね備えた樹脂組成物が得られることを発見
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies in view of the above circumstances, and as a result, have found that a fluorine-containing aryl ether ketone polymer which the present inventors have studied so far has a low dielectric constant. Focusing on both excellent and heat resistance, it was discovered that by using such a polymer, a resin composition having both heat resistance and low dielectric properties can be obtained, and based on this finding, the present invention It was completed.

【0007】すなわち、上記目的は、下記(1)〜
(7)により達成される。
[0007] That is, the above objects are as follows:
This is achieved by (7).

【0008】(1)下記式(I):(1) The following formula (I):

【0009】[0009]

【化11】 Embedded image

【0010】ただし、Xはハロゲン原子、低級アルキル
基または低級アルコキシ基を表わし、qは0〜4の整数
であり、nは重合度を表し、mは0または1の整数であ
り、およびR1は下記式(II):
Wherein X is a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, q is an integer of 0 to 4, n is a degree of polymerization, m is an integer of 0 or 1, and R 1 Is the following formula (II):

【0011】[0011]

【化12】 Embedded image

【0012】この際、X’はハロゲン原子、低級アルキ
ル基または低級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の
整数であり、pは0または1の整数であり、およびR2
は2価の芳香族基を表わす、で示される含フッ素アリー
ルエーテルケトン重合体を含む低誘電性樹脂組成物。
In this case, X 'represents a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, q' is an integer of 0 to 4, p is an integer of 0 or 1, and R 2 is
Represents a divalent aromatic group, and comprises a fluorine-containing aryl ether ketone polymer represented by the formula:

【0013】(2)前記含フッ素アリールエーテルケト
ン重合体は、下記式(III):
(2) The fluorinated aryl ether ketone polymer has the following formula (III):

【0014】[0014]

【化13】 Embedded image

【0015】ただし、nは重合度を表し、mは0または
1の整数であり、およびR1は下記式(II):
Wherein n represents the degree of polymerization, m is an integer of 0 or 1, and R 1 is the following formula (II):

【0016】[0016]

【化14】 Embedded image

【0017】この際、X’はハロゲン原子、低級アルキ
ル基または低級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の
整数であり、pは0または1の整数であり、およびR2
は2価の芳香族基を表わす、で示される、前記(1)に
記載の低誘電性樹脂組成物。
In this case, X ′ represents a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, q ′ is an integer of 0 to 4, p is an integer of 0 or 1, and R 2 is
Represents a divalent aromatic group, and is represented by the formula (1).

【0018】(3)前記式(I)において、R1は下記
式(IV):
(3) In the above formula (I), R 1 is the following formula (IV):

【0019】[0019]

【化15】 Embedded image

【0020】この際、pは0または1の整数であり、お
よびR2は2価の芳香族基を表わす、で示される、前記
(1)または(2)に記載の低誘電性樹脂組成物。
In this case, p is an integer of 0 or 1, and R 2 represents a divalent aromatic group, wherein the low dielectric resin composition according to the above (1) or (2), .

【0021】(4)前記式(II)において、R2は下
記7種:
(4) In the above formula (II), R 2 is the following 7 types:

【0022】[0022]

【化16】 Embedded image

【0023】のいずれかである、前記(1)〜(3)の
いずれか一に記載の低誘電性樹脂組成物。
The low dielectric resin composition according to any one of the above (1) to (3), which is any one of the above.

【0024】(5)前記含フッ素アリールエーテルケト
ン重合体は下記式(V):
(5) The fluorine-containing aryl ether ketone polymer has the following formula (V):

【0025】[0025]

【化17】 Embedded image

【0026】ただし、nは重合度を表す、で示される、
前記(1)に記載の低誘電性樹脂組成物。
Wherein n represents the degree of polymerization,
The low dielectric resin composition according to the above (1).

【0027】(6)前記含フッ素アリールエーテルケト
ン重合体は下記式(VI):
(6) The fluorine-containing aryl ether ketone polymer has the following formula (VI):

【0028】[0028]

【化18】 Embedded image

【0029】ただし、nは重合度を表す、で示される、
前記(1)に記載の低誘電性樹脂組成物。
Wherein n represents the degree of polymerization,
The low dielectric resin composition according to the above (1).

【0030】(7)前記含フッ素アリールエーテルケト
ン重合体は下記式(VII):
(7) The fluorinated aryl ether ketone polymer has the following formula (VII):

【0031】[0031]

【化19】 Embedded image

【0032】ただし、nは重合度を表し、およびR2
下記7種:
Wherein n represents the degree of polymerization, and R 2 represents the following seven types:

【0033】[0033]

【化20】 Embedded image

【0034】のいずれかである、で示される、前記
(1)に記載の低誘電性樹脂組成物。
The low dielectric resin composition according to the above (1), which is represented by any one of the above.

【0035】(8)下記式(VIII):(8) The following formula (VIII):

【0036】[0036]

【化21】 Embedded image

【0037】この際、X’はハロゲン原子、低級アルキ
ル基または低級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の
整数であり、pは0または1の整数であり、およびR2
は2価の芳香族基を表わす、で示される含フッ素アリー
ルエーテルケトン重合体を含む低誘電性樹脂組成物。
In this case, X ′ represents a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, q ′ is an integer of 0 to 4, p is an integer of 0 or 1, and R 2 is
Represents a divalent aromatic group, and comprises a fluorine-containing aryl ether ketone polymer represented by the formula:

【0038】(9)下記式(IX):(9) The following formula (IX):

【0039】[0039]

【化22】 Embedded image

【0040】ただし、nは重合度を表し、mは0または
1の整数であり、およびR1は下記式(IV):
Wherein n represents the degree of polymerization, m is an integer of 0 or 1, and R 1 is the following formula (IV):

【0041】[0041]

【化23】 Embedded image

【0042】この際、pは0または1の整数であり、お
よびR2は下記7種:
In this case, p is an integer of 0 or 1, and R 2 is the following 7 types:

【0043】[0043]

【化24】 Embedded image

【0044】のいずれかである、で表される基である、
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体を含
む低誘電性樹脂組成物。
Is a group represented by
A low dielectric resin composition comprising a fluorinated aryl ether ketone polymer represented by the formula:

【0045】[0045]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0046】本発明は、下記式(I):The present invention provides a compound represented by the following formula (I):

【0047】[0047]

【化25】 Embedded image

【0048】で示される含フッ素アリールエーテルケト
ン重合体(以下、単に「含フッ素アリールエーテルケト
ン重合体」ともいう)を含む低誘電性樹脂組成物を提供
するものである。
The present invention provides a low dielectric resin composition containing a fluorine-containing aryl ether ketone polymer represented by the formula (hereinafter, also simply referred to as “fluorine-containing aryl ether ketone polymer”).

【0049】上記式(I)で示される含フッ素アリール
エーテルケトン重合体の各繰り返し単位は、下記式:
Each repeating unit of the fluorine-containing aryl ether ketone polymer represented by the above formula (I) has the following formula:

【0050】[0050]

【化26】 Embedded image

【0051】で示されるp−テトラフルオロベンゾイレ
ン基(本明細書では、単に「p−テトラフルオロベンゾ
イレン基」ともいう)及び下記式:
A p-tetrafluorobenzoylene group represented by the following formula (hereinafter also referred to simply as “p-tetrafluorobenzoylene group”) and the following formula:

【0052】[0052]

【化27】 Embedded image

【0053】で示されるオキシアルキレン基(本明細書
では、単に「オキシアルキレン基」ともいう)がベンゼ
ン環の任意の位置に(オルト位、メタ位またはパラ位
に、特に好ましくはパラ位に)それぞれ結合し、残位が
Xで置換されるまたは置換されない構造を有するもので
ある。
The oxyalkylene group represented by the formula (hereinafter simply referred to as "oxyalkylene group") is located at any position of the benzene ring (ortho, meta or para position, particularly preferably para position). Each has a structure that is bonded to each other and substituted or unsubstituted by X.

【0054】上記式(I)において、Xは、ハロゲン原
子、例えば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子及びヨウ
素原子、好ましくはフッ素原子;低級アルキル基、例え
ば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル及びブチ
ル等の炭素原子数1〜6、好ましくは炭素原子数1〜4
の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、好ましくはメチル
及びエチル、ならびにトリフルオロメチル等のこれらの
ハロゲン化アルキル基;低級アルコキシ基、例えば、メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ及びブ
トキシ等の炭素原子数1〜6、好ましくは炭素原子数1
〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基、好ましくは
メトキシ及びエトキシ、ならびにトリフルオロメトキシ
等のこれらのハロゲン化アルコキシ基などを表わす。こ
れらのうち、フッ素原子が特にXとして好ましく使用さ
れる。上述したように、Xは、p−テトラフルオロベン
ゾイレン基及びオキシアルキレン基が結合しない残位の
水素原子の代わりに置換される基であるが、ベンゼン環
へのXの結合数、即ち、式(I)におけるqの値は、0
〜4の整数である。
In the above formula (I), X represents a halogen atom such as a fluorine atom, a bromine atom, a chlorine atom and an iodine atom, preferably a fluorine atom; a lower alkyl group such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl and butyl. C1 to C6, preferably C1 to C4
Linear or branched alkyl groups, preferably methyl and ethyl, and their halogenated alkyl groups such as trifluoromethyl; lower alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy and butoxy; 1-6, preferably 1 carbon atom
And 4 straight-chain or branched-chain alkoxy groups, preferably methoxy and ethoxy, and halogenated alkoxy groups thereof such as trifluoromethoxy. Of these, a fluorine atom is particularly preferably used as X. As described above, X is a group substituted for a residual hydrogen atom to which the p-tetrafluorobenzoylene group and the oxyalkylene group are not bonded, and the number of bonds of X to the benzene ring, that is, the formula: The value of q in (I) is 0
-4.

【0055】また、上記式(I)において、mは0また
は1の整数であり、R1は、下記式(II):
In the above formula (I), m is an integer of 0 or 1, and R 1 is the following formula (II):

【0056】[0056]

【化28】 Embedded image

【0057】で表される基である。Is a group represented by

【0058】上記式(II)において、X’は、ハロゲ
ン原子、例えば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子及び
ヨウ素原子、好ましくはフッ素原子;低級アルキル基、
例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル及び
ブチル等の炭素原子数1〜6、好ましくは炭素原子数1
〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、好ましくはメ
チル及びエチル、ならびにトリフルオロメチル等のこれ
らのハロゲン化アルキル基;低級アルコキシ基、例え
ば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ
及びブトキシ等の炭素原子数1〜6、好ましくは炭素原
子数1〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基、好ま
しくはメトキシ及びエトキシ、ならびにトリフルオロメ
トキシ等のこれらのハロゲン化アルコキシ基などを表わ
す。これらのうち、フッ素原子が特にX’として好まし
く使用される。また、X’のベンゼン環への結合数、即
ち、式(II)におけるq’の値は、0〜4の整数であ
る。すなわち、本発明において、R1は、好ましくは、
下記式(IV):
In the above formula (II), X ′ is a halogen atom, for example, a fluorine atom, a bromine atom, a chlorine atom and an iodine atom, preferably a fluorine atom;
For example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl and the like have 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 carbon atom.
Linear or branched alkyl groups, preferably methyl and ethyl, and their halogenated alkyl groups such as trifluoromethyl; lower alkoxy groups such as carbon atoms such as methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy and butoxy; A linear or branched alkoxy group having 1 to 6 atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms, preferably a halogenated alkoxy group such as methoxy and ethoxy, and trifluoromethoxy. Among these, a fluorine atom is particularly preferably used as X ′. Further, the number of bonds of X ′ to the benzene ring, that is, the value of q ′ in the formula (II) is an integer of 0 to 4. That is, in the present invention, R 1 is preferably
The following formula (IV):

【0059】[0059]

【化29】 Embedded image

【0060】で表される基である。Is a group represented by

【0061】また、上記式(II)及び(IV)におい
て、pは0または1の整数である。R2は、2価の芳香
族基、例えば、o−、m−またはp−フェニレン、2価
のナフタレン、ビフェニル、アントラセン、o−、m−
またはp−テルフェニル、フェナントレン、ジベンゾフ
ラン、ビフェニルエーテル、ビフェニルスルホン、およ
び下記5式:
In the above formulas (II) and (IV), p is an integer of 0 or 1. R 2 is a divalent aromatic group, for example, o-, m- or p-phenylene, divalent naphthalene, biphenyl, anthracene, o-, m-
Or p-terphenyl, phenanthrene, dibenzofuran, biphenyl ether, biphenyl sulfone, and the following five formulas:

【0062】[0062]

【化30】 Embedded image

【0063】などの2価の芳香族基が挙げられる。な
お、本発明による2価の芳香族基において、芳香環に直
接結合する水素がハロゲン原子、低級アルキル基または
低級アルコキシ基で置換されていてもよい。これらのう
ち、下記7種:
And other divalent aromatic groups. In the divalent aromatic group according to the present invention, hydrogen directly bonded to the aromatic ring may be substituted with a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group. Of these, the following seven:

【0064】[0064]

【化31】 Embedded image

【0065】で示される芳香族基がR2として好ましく
使用される。
The aromatic group represented by is preferably used as R 2 .

【0066】さらに、上記式(I)において、nは、重
合度を表わし、具体的には、2〜5000、好ましくは
5〜500である。さらに、本発明において、含フッ素
アリールエーテルケトン重合体は、同一の繰り返し単位
からなるものであってもまたは異なる繰り返し単位から
なるものであってもよく、後者の場合には、その繰り返
し単位はブロック状であったもまたはランダム状であっ
てもよい。
Further, in the above formula (I), n represents the degree of polymerization, and is specifically 2 to 5000, preferably 5 to 500. Further, in the present invention, the fluorinated aryl ether ketone polymer may be composed of the same repeating unit or may be composed of different repeating units.In the latter case, the repeating unit is a block. It may be in the form of a shape or a random shape.

【0067】上記記載から、本発明において特に好まし
く使用される含フッ素アリールエーテルケトン重合体
は、下記式(III):
From the above description, the fluorine-containing aryl ether ketone polymer particularly preferably used in the present invention is represented by the following formula (III):

【0068】[0068]

【化32】 Embedded image

【0069】で示されるものである。なお、上記式(I
II)において、R1及びmは、上記式(I)における定
義と同様である。
Is shown. Note that the above formula (I
In II), R 1 and m are the same as defined in the above formula (I).

【0070】なお、本発明による含フッ素アリールエー
テルケトン重合体の製造方法については詳述するが、こ
の記載から、式(I)で示される含フッ素アリールエー
テルケトン重合体の末端は、p−テトラフルオロベンゾ
イレン基側がフッ素であり、オキシアルキレン基側が水
素原子であると、即ち、式(I)で示される含フッ素ア
リールエーテルケトン重合体は、下記式(VIII):
The method for producing the fluorinated aryl ether ketone polymer according to the present invention will be described in detail. When the fluorobenzoylene group side is fluorine and the oxyalkylene group side is a hydrogen atom, that is, the fluorinated aryl ether ketone polymer represented by the formula (I) has the following formula (VIII):

【0071】[0071]

【化33】 Embedded image

【0072】で示される重合体、好ましくは下記式(I
X):
A polymer represented by the following formula (I):
X):

【0073】[0073]

【化34】 Embedded image

【0074】で示される重合体であると考えられる。It is considered to be a polymer represented by the following formula:

【0075】以下、本発明において好ましく使用される
上記式(III)で示される含フッ素アリールエーテル
ケトン重合体について以下に詳述するが、上記式(I)
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体は、
例えば、置換した化合物を代わりに出発原料として使用
する、または下記合成方法において各工程間若しくは全
工程終了後の生成物の相当するベンゼン環に所望の置換
基を公知の方法を用いて導入するなどによって、当業者
により同様にして調製できる。
Hereinafter, the fluorine-containing aryl ether ketone polymer represented by the formula (III) preferably used in the present invention will be described in detail.
A fluorine-containing aryl ether ketone polymer represented by
For example, a substituted compound is used as a starting material instead, or a desired substituent is introduced into a corresponding benzene ring of a product between each step or after completion of all steps in a synthesis method described below using a known method. Can be similarly prepared by those skilled in the art.

【0076】上記式(III)において、mが0の場合
には、下記式(V):
In the above formula (III), when m is 0, the following formula (V):

【0077】[0077]

【化35】 Embedded image

【0078】ただし、nは重合度を表す、で示される含
フッ素アリールエーテルケトン重合体となる。
Here, n represents a degree of polymerization, and is a fluorinated aryl ether ketone polymer represented by the following formula.

【0079】また、上記式(III)において、mが1
でありかつpが0である場合には、下記式(VI):
In the above formula (III), m is 1
And p is 0, the following formula (VI):

【0080】[0080]

【化36】 Embedded image

【0081】ただし、nは重合度を表す、で示される含
フッ素アリールエーテルケトン重合体となる。
Here, n represents a degree of polymerization, and is a fluorinated aryl ether ketone polymer represented by the following formula.

【0082】さらに、上記式(III)において、mが
1でありかつpが1である場合には、下記式(VI
I):
Further, in the above formula (III), when m is 1 and p is 1, the following formula (VI)
I):

【0083】[0083]

【化37】 Embedded image

【0084】ただし、nは重合度を表し、およびR2
前記のとおりである、で示される含フッ素アリールエー
テルケトン重合体となる。なお、上記式(VII)で
は、nは、重合度を表わすが、好ましくは、2〜200
0、より好ましくは5〜200である。
Here, n represents the degree of polymerization, and R 2 is as described above. In the above formula (VII), n represents the degree of polymerization.
0, more preferably 5 to 200.

【0085】本発明において、低誘電性樹脂組成物は、
単一の種類の含フッ素アリールエーテルケトン重合体か
らなってもあるいは2種以上の含フッ素アリールエーテ
ルケトン重合体からなってもよく、所望の電気的特性
(低誘電性)及び耐熱性等の諸特性を考慮して適宜選択
される。具体的には、以下の実施例で製造される4F−
PEK、4F−PEEK、BPDE−6FBA、BPD
E−BA、BPDE−HF、BPDE−BF、BPDE
−HQ、BPDE−RS及びBPDE−(3,4’−B
A)からなる群より選ばれる少なくとも2種の組み合わ
せなどが挙げられる。
In the present invention, the low dielectric resin composition comprises
It may be composed of a single kind of fluorinated aryl ether ketone polymer or of two or more kinds of fluorinated aryl ether ketone polymers. It is appropriately selected in consideration of characteristics. Specifically, 4F- manufactured in the following examples
PEK, 4F-PEEK, BPDE-6FBA, BPD
E-BA, BPDE-HF, BPDE-BF, BPDE
-HQ, BPDE-RS and BPDE- (3,4'-B
A combination of at least two kinds selected from the group consisting of A) is exemplified.

【0086】または、本発明の低誘電性樹脂組成物は、
含フッ素アリールエーテルケトン重合体に加えて、電気
特性及び耐熱性が著しく低下しない範囲で、構造の異な
る他の樹脂を配合してもよい。この際使用される他の樹
脂としては、具体的には、ポリエチレン(PE)、ポリ
プロピレン(PP)、ポリスチレン(PS)、ポリメチ
ルメタクリレート(PMMA)、ABS樹脂及びAS樹
脂等の汎用樹脂;ポリアセテート(POM)、ポリカー
ボネート(PC)、ポリアミド(PA:ナイロン)、ポ
リエチレンテレフタレート(PET)及びポリブチレン
テレフタレート(PBT)等のエンジニアリングプラス
チック;ならびにポリフェニレンスルフィド(PP
S)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリケトン
(PK)、ポリイミド(PI)、ポリシクロヘキサンジ
メタノールテレフタレート(PCT)、ポリアリレート
(PAR)及び各種液晶ポリマー(LCP)等の熱可塑
性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹
脂等の熱硬化性樹脂などが挙げられる。また、他の樹脂
を本発明の低誘電性樹脂組成物中に配合する場合、他の
樹脂の配合量は、電気特性及び耐熱性が著しく低下しな
い範囲であれば特に制限されないが、通常、全原料に対
して、0〜50重量%、好ましくは、全原料に対して、
0〜30重量%である。
Alternatively, the low dielectric resin composition of the present invention comprises
In addition to the fluorinated aryl ether ketone polymer, another resin having a different structure may be blended as long as the electrical properties and heat resistance are not significantly reduced. Other resins used at this time include, for example, general-purpose resins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), polymethyl methacrylate (PMMA), ABS resin and AS resin; polyacetate (POM), engineering plastics such as polycarbonate (PC), polyamide (PA: nylon), polyethylene terephthalate (PET) and polybutylene terephthalate (PBT); and polyphenylene sulfide (PP)
S), thermoplastic resins such as polyethersulfone (PES), polyketone (PK), polyimide (PI), polycyclohexanedimethanol terephthalate (PCT), polyarylate (PAR) and various liquid crystal polymers (LCP), epoxy resins, Thermosetting resins such as phenolic resins and novolak resins are exemplified. When other resins are blended in the low dielectric resin composition of the present invention, the blending amount of the other resins is not particularly limited as long as the electrical properties and heat resistance are not significantly reduced. 0 to 50% by weight based on the raw materials, preferably based on all the raw materials,
0 to 30% by weight.

【0087】本発明による含フッ素アリールエーテルケ
トン重合体は、例えば、K. Kimuraet al., Polymer Pre
prints, Vol. 39, No. 2, 1998に記載される方法によっ
て製造される。
The fluorinated aryl ether ketone polymer according to the present invention is described, for example, in K. Kimura et al., Polymer Pre.
It is manufactured by the method described in prints, Vol. 39, No. 2, 1998.

【0088】より詳細に述べると、本発明による含フッ
素アリールエーテルケトン重合体が上記式(V)または
上記式(VI)で示される際の、含フッ素アリールエー
テルケトン重合体の製造方法を以下に説明する。
More specifically, the method for producing the fluorinated aryl ether ketone polymer when the fluorinated aryl ether ketone polymer according to the present invention is represented by the above formula (V) or the above formula (VI) will be described below. explain.

【0089】まず、2,3,4,5,6−ペンタフルオ
ロベンゾイルクロライドを、有機溶剤中でフリーデルク
ラフツ触媒の存在下で、例えば、メトキシベンゼンやエ
トキシベンゼン等のアルコキシベンゼンまたは4−メト
キシジフェニルエーテルや4−エトキシジフェニルエー
テル等の4−アルコキシジフェニルエーテルとフリーデ
ルクラフツ反応させることにより、p−(2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾイル)アルコキシベンゼ
ンまたは4−アルコキシ−4’−(2,3,4,5,6
−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテルをそ
れぞれ得、この反応産物を脱アルキル化反応することよ
って、下記式(X):
First, 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride is converted into an organic solvent in the presence of a Friedel-Crafts catalyst, for example, with an alkoxybenzene such as methoxybenzene or ethoxybenzene or 4-methoxydiphenyl ether. P- (2,3,4) by a Friedel-Crafts reaction with 4-alkoxydiphenyl ether such as
5,6-pentafluorobenzoyl) alkoxybenzene or 4-alkoxy-4 ′-(2,3,4,5,6
-Pentafluorobenzoyl) diphenyl ether, and the reaction product was subjected to a dealkylation reaction to give the following formula (X):

【0090】[0090]

【化38】 Embedded image

【0091】ただし、qは0または1の整数である、で
示される2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイ
ル化合物を得る。
However, q is an integer of 0 or 1, to obtain a 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl compound represented by the following formula:

【0092】上記フリーデルクラフツ反応において、ア
ルコキシベンゼンまたは4−アルコキシジフェニルエー
テルの使用量は、2,3,4,5,6−ペンタフルオロ
ベンゾイルクロライド1モル当たり、0.8〜1.2モ
ル、好ましくは0.9〜1.1モルである。この際、ア
ルコキシベンゼンまたは4−アルコキシジフェニルエー
テルの使用量が0.8モル未満では、アルコキシベンゼ
ンまたは4−アルコキシジフェニルエーテルに過剰に
2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル基が導
入されてしまい好ましくない。これに対して、アルコキ
シベンゼンまたは4−アルコキシジフェニルエーテルの
使用量が1.2モルを越えると、未反応のアルコキシベ
ンゼンまたは4−アルコキシジフェニルエーテルが多量
に残り、生産性の面で好ましくない。
In the above-mentioned Friedel-Crafts reaction, the amount of alkoxybenzene or 4-alkoxydiphenyl ether used is preferably 0.8 to 1.2 moles per mole of 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride. Is 0.9 to 1.1 mol. At this time, if the amount of the alkoxybenzene or 4-alkoxydiphenyl ether used is less than 0.8 mol, an excessive amount of 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl group is introduced into the alkoxybenzene or 4-alkoxydiphenyl ether. Not preferred. On the other hand, if the amount of the alkoxybenzene or 4-alkoxydiphenyl ether exceeds 1.2 mol, a large amount of unreacted alkoxybenzene or 4-alkoxydiphenyl ether remains, which is not preferable in terms of productivity.

【0093】上記フリーデルクラフツ反応において効果
的に使用されるフリーデルクラフツ触媒としては、塩化
アルミニウム、塩化アンチモン、塩化第二鉄、塩化第一
鉄、四塩化チタン、三フッ化ホウ素、四塩化錫、塩化ビ
スマス、塩化亜鉛、塩化水銀及び硫酸等が挙げられる。
また、フリーデルクラフツ触媒の使用量は、2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイルクロライド1モ
ルに対して、0.5〜10モル、好ましくは1〜5モル
である。
Examples of the Friedel-Crafts catalyst effectively used in the Friedel-Crafts reaction include aluminum chloride, antimony chloride, ferric chloride, ferrous chloride, titanium tetrachloride, boron trifluoride, tin tetrachloride. , Bismuth chloride, zinc chloride, mercury chloride and sulfuric acid.
The amount of Friedel Crafts catalyst used was 2, 3,
It is 0.5 to 10 mol, preferably 1 to 5 mol, per 1 mol of 4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride.

【0094】上記フリーデルクラフツ反応において使用
される有機溶剤は、酸クロライドと反応しないものでな
ければならない。このような有機溶剤としては、例え
ば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、二
硫化炭素及びニトロベンゼン等が挙げられる。この有機
溶剤における2,3,4,5,6−ペンタフルオロベン
ゾイルクロライドの濃度は、1〜50重量%、好ましく
は5〜30重量%である。反応は、反応系を撹拌状態に
保ちながら、0〜150℃、好ましくは0〜100℃の
温度で行なわれる。
The organic solvent used in the Friedel-Crafts reaction must not react with the acid chloride. Examples of such an organic solvent include dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, carbon disulfide, and nitrobenzene. The concentration of 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride in this organic solvent is 1 to 50% by weight, preferably 5 to 30% by weight. The reaction is carried out at a temperature of 0 to 150 ° C, preferably 0 to 100 ° C, while keeping the reaction system under stirring.

【0095】このような反応によって得られる生成物
は、反応混合物に水を注加し、ジクロロメタン、ジクロ
ロエタンまたは四塩化炭素等の抽出剤で抽出した後、有
機層を抽出物から分離し、抽出剤を留去することにより
得られる。さらに、この生成物を、必要であれば、メタ
ノールまたはエタノールで再結晶化することによって、
白色結晶として得てもよい。
The product obtained by such a reaction is obtained by pouring water into the reaction mixture, extracting with an extractant such as dichloromethane, dichloroethane or carbon tetrachloride, separating the organic layer from the extract, and extracting the extractant. Is obtained by distillation. Further, by recrystallizing the product, if necessary, with methanol or ethanol,
It may be obtained as white crystals.

【0096】次に、脱アルキル化処理について、以下に
説明する。すなわち、脱アルキル化反応は、酸、アルカ
リまたは有機金属試薬などを用いて行うことができる。
試薬としては、例えば、臭化水素、ヨウ化水素、トリフ
ルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、濃塩酸、ヨウ化マグネ
シウムエーテラート(magnesium iodide etherate)、塩
化アルミニウム、臭化アルミニウム、三塩化ホウ素、三
ヨウ化ホウ素、水酸化カリウム及びグリニヤール試薬な
どが挙げられる。試薬の使用量は、p−(2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾイル)アルコキシベンゼ
ンまたは4−アルコキシ−4’−(2,3,4,5,6
−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテル1モ
ルに対して、0.1モル以上、好ましくは0.1〜30
モルである。
Next, the dealkylation treatment will be described below. That is, the dealkylation reaction can be performed using an acid, an alkali, or an organometallic reagent.
Reagents include, for example, hydrogen bromide, hydrogen iodide, trifluoroacetic acid, pyridine hydrochloride, concentrated hydrochloric acid, magnesium iodide etherate, aluminum chloride, aluminum bromide, boron trichloride, triiodide And boron hydroxide, potassium hydroxide and Grignard reagent. The amount of the reagent used is p- (2,3,4,
5,6-pentafluorobenzoyl) alkoxybenzene or 4-alkoxy-4 ′-(2,3,4,5,6
0.1 mol or more, preferably 0.1 to 30 mol, per 1 mol of (pentafluorobenzoyl) diphenyl ether.
Is a mole.

【0097】本発明において、脱アルキル化反応は、無
溶媒下で行われてもあるいは溶媒中で行われてもよい
が、反応効率や反応制御などを考慮すると、溶媒中で行
われることが好ましい。
In the present invention, the dealkylation reaction may be carried out without a solvent or in a solvent, but is preferably carried out in a solvent in consideration of reaction efficiency and reaction control. .

【0098】本発明において、溶媒中で脱アルキル化反
応を行う際に効果的に使用される溶媒としては、例え
ば、水、酢酸、無水酢酸、ベンゼン及びテトラヒドロフ
ランなどが挙げられる。また、この溶媒中でのp−
(2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ア
ルコキシベンゼンまたは4−アルコキシ−4’−(2,
3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニ
ルエーテルの濃度は、1〜50重量%、好ましくは5〜
30重量%である。反応は、0〜250℃、好ましくは
50〜200℃の温度で行なわれる。
[0098] In the present invention, examples of the solvent effectively used for performing the dealkylation reaction in the solvent include water, acetic acid, acetic anhydride, benzene and tetrahydrofuran. In addition, p-
(2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl) alkoxybenzene or 4-alkoxy-4 '-(2
The concentration of (3,4,5,6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether is 1 to 50% by weight, preferably 5 to 50% by weight.
30% by weight. The reaction is carried out at a temperature of 0-250C, preferably 50-200C.

【0099】さらに、このようにして得られた上記式
(X)で示される2,3,4,5,6−ペンタフルオロ
ベンゾイル化合物を、塩基性化合物の存在下で有機溶媒
中で、30〜250℃、好ましくは50〜200℃の反
応温度で加熱することによって、上記式(V)および
(VI)で示される含フッ素アリールエーテルケトン重
合体が得られる。
Further, the thus obtained 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl compound represented by the above formula (X) is treated with an organic solvent in the presence of a basic compound in an amount of 30 to By heating at a reaction temperature of 250 ° C, preferably 50 to 200 ° C, a fluorinated aryl ether ketone polymer represented by the above formulas (V) and (VI) is obtained.

【0100】上記重合反応で使用される有機溶媒として
は、例えば、N−メチル−2−ピロリジノン、N,N−
ジメチルアセトアミド及びメタノール等の極性溶媒やト
ルエンなどが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で
または2種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
As the organic solvent used in the above polymerization reaction, for example, N-methyl-2-pyrrolidinone, N, N-
Examples include polar solvents such as dimethylacetamide and methanol, and toluene. These organic solvents may be used alone or in the form of a mixture of two or more.

【0101】また、有機溶媒における上記式(X)で示
される2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル
化合物の濃度は、5〜50重量%、好ましくは、10〜
30重量%である。
The concentration of the 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl compound represented by the above formula (X) in the organic solvent is 5 to 50% by weight, preferably 10 to 50% by weight.
30% by weight.

【0102】トルエンや他の同様の溶媒を反応の初期段
階に使用する際には、フェノキシド生成の際に副生する
水を、重合溶媒に関係なく、トルエンの共沸物として除
去できる。
When toluene or another similar solvent is used in the initial stage of the reaction, water produced as a by-product during the production of phenoxide can be removed as an azeotrope of toluene regardless of the polymerization solvent.

【0103】本発明において使用される塩基性化合物
は、重縮合反応によって生成するフッ化水素を捕集する
ことにより重縮合反応を促進するよう作用する。このよ
うな塩基性化合物としては、例えば、炭酸カリウム、炭
酸リチウム及び水酸化カリウムが挙げられる。
The basic compound used in the present invention acts to accelerate the polycondensation reaction by collecting hydrogen fluoride generated by the polycondensation reaction. Examples of such a basic compound include potassium carbonate, lithium carbonate and potassium hydroxide.

【0104】また、上記重合反応において、塩基性化合
物の使用量は、使用される上記式(X)の2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾイル化合物1モルに対し
て、0.5〜10モル、好ましくは0.5〜5モルであ
る。
In the above-mentioned polymerization reaction, the amount of the basic compound used may be 2, 3, 4, 4 of the above formula (X).
The amount is 0.5 to 10 mol, preferably 0.5 to 5 mol, per 1 mol of the 5,6-pentafluorobenzoyl compound.

【0105】重合反応終了後は、反応溶液より蒸発等に
より溶媒の除去を行ない、必要により留出物を洗浄する
ことによって、所望の重合体が得られる。または、反応
溶液を重合体の溶解度が低い溶媒中に加えることによ
り、重合体を固体として沈殿させ、沈殿物を濾過により
分離することによって、重合体を得てもよい。
After completion of the polymerization reaction, the solvent is removed from the reaction solution by evaporation or the like, and if necessary, the distillate is washed to obtain a desired polymer. Alternatively, the polymer may be obtained by adding the reaction solution to a solvent having a low solubility of the polymer to precipitate the polymer as a solid, and separating the precipitate by filtration.

【0106】次に、本発明による含フッ素アリールエー
テルケトン重合体が上記式(VII)で示される際の、
含フッ素アリールエーテルケトン重合体の製造方法を以
下に説明する。
Next, when the fluorinated aryl ether ketone polymer according to the present invention is represented by the above formula (VII),
The method for producing the fluorinated aryl ether ketone polymer will be described below.

【0107】まず、2,3,4,5,6−ペンタフルオ
ロベンゾイルクロライドを、有機溶剤中でフリーデルク
ラフツ触媒の存在下で、ジフェニルエーテルとフリーデ
ルクラフツ反応させることよって、下記式(XI):
First, 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride is subjected to a Friedel-Crafts reaction with diphenyl ether in an organic solvent in the presence of a Friedel-Crafts catalyst to obtain the following formula (XI):

【0108】[0108]

【化39】 Embedded image

【0109】で示される4,4’−ビス(2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテ
ル(以下、「BPDE」とも略称する)を得る。
4,4'-bis (2,3,4,
5,6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether (hereinafter abbreviated as “BPDE”) is obtained.

【0110】上記フリーデルクラフツ反応において、ジ
フェニルエーテルの使用量は、2,3,4,5,6−ペ
ンタフルオロベンゾイルクロライド1モル当たり、0.
4〜0.6モル、好ましくは0.45〜0.55モルで
ある。すなわち、ジフェニルエーテルの使用量が0.4
モル未満では、ジフェニルエーテルに過剰に2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル基が導入されて
しまい好ましくない。これに対して、ジフェニルエーテ
ルの使用量が0.6モルを越えると、未反応のジフェニ
ルエーテルが多量に残り、生産性の面で好ましくない。
In the above-mentioned Friedel-Crafts reaction, the amount of diphenyl ether to be used is 0.1 mol per mol of 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride.
It is 4 to 0.6 mol, preferably 0.45 to 0.55 mol. That is, the amount of diphenyl ether used is 0.4
If the molar ratio is less than 2,3, 2,3,3
A 4,5,6-pentafluorobenzoyl group is introduced, which is not preferable. On the other hand, if the amount of diphenyl ether exceeds 0.6 mol, unreacted diphenyl ether remains in a large amount, which is not preferable in terms of productivity.

【0111】上記フリーデルクラフツ反応において効果
的に使用されるフリーデルクラフツ触媒としては、塩化
アルミニウム、塩化アンチモン、塩化第二鉄、塩化第一
鉄、四塩化チタン、三フッ化ホウ素、四塩化錫、塩化ビ
スマス、塩化亜鉛、塩化水銀及び硫酸等が挙げられる。
また、フリーデルクラフツ触媒の使用量は、2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイルクロライド1モ
ルに対して、0.5〜10モル、好ましくは1〜5モル
である。
The Friedel-Crafts catalyst effectively used in the Friedel-Crafts reaction includes aluminum chloride, antimony chloride, ferric chloride, ferrous chloride, titanium tetrachloride, boron trifluoride, tin tetrachloride. , Bismuth chloride, zinc chloride, mercury chloride and sulfuric acid.
The amount of Friedel Crafts catalyst used was 2, 3,
It is 0.5 to 10 mol, preferably 1 to 5 mol, per 1 mol of 4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride.

【0112】上記フリーデルクラフツ反応において使用
される有機溶剤としては、酸クロライドと反応しない溶
剤が使用できる。このような有機溶剤としては、例え
ば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、二
硫化炭素及びニトロベンゼン等が挙げられる。この有機
溶剤における2,3,4,5,6−ペンタフルオロベン
ゾイルクロライドの濃度は、1〜50重量%、好ましく
は5〜30重量%である。また、反応は、反応系を撹拌
状態に保ちながら、0〜150℃、好ましくは0〜10
0℃の温度で行なわれる。
As the organic solvent used in the Friedel-Crafts reaction, a solvent that does not react with acid chloride can be used. Examples of such an organic solvent include dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, carbon disulfide, and nitrobenzene. The concentration of 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride in this organic solvent is 1 to 50% by weight, preferably 5 to 30% by weight. The reaction is carried out at 0 to 150 ° C., preferably 0 to 10 ° C., while maintaining the reaction system in a stirring state.
It is performed at a temperature of 0 ° C.

【0113】このような反応によって得られる生成物
は、反応混合物に水を注加し、ジクロロメタン、ジクロ
ロエタンまたは四塩化炭素等の抽出剤で抽出した後、有
機層を抽出物から分離し、抽出剤を留去することにより
得られる。さらに、この生成物を、必要であれば、メタ
ノールまたはエタノールで再結晶化することによって、
白色結晶として得てもよい。
The product obtained by such a reaction is obtained by pouring water into the reaction mixture, extracting with an extractant such as dichloromethane, dichloroethane or carbon tetrachloride, separating the organic layer from the extract, and extracting the extractant. Is obtained by distillation. Further, by recrystallizing the product, if necessary, with methanol or ethanol,
It may be obtained as white crystals.

【0114】さらに、このようにして得られた上記式
(XI)で示される4,4’−ビス(2,3,4,5,
6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテル
(BPDE)を、塩基性化合物の存在下で有機溶媒中
で、下記式(XII):
Further, the 4,4′-bis (2,3,4,5,5) thus obtained represented by the above formula (XI) is obtained.
6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether (BPDE) is reacted with an organic solvent in the presence of a basic compound in the following formula (XII):

【0115】[0115]

【化40】 Embedded image

【0116】ただし、R2は上記式(II)及び(I
V)における定義と同様である、で示される2価のフェ
ノール化合物と共に加熱することよって、上記式(VI
I)で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体
が得られる。
However, R 2 is represented by the above formulas (II) and (I)
By heating with a divalent phenol compound represented by the same formula (VI) as defined in (V), the compound represented by the above formula (VI)
A fluorinated aryl ether ketone polymer represented by I) is obtained.

【0117】上記反応において、反応温度は、20〜1
50℃、好ましくは50〜120℃である。この際、こ
のように低温度で反応することで副反応を抑制し、重合
体のゲル化を防止することができる。
In the above reaction, the reaction temperature is from 20 to 1
The temperature is 50 ° C, preferably 50 to 120 ° C. At this time, by reacting at such a low temperature, side reactions can be suppressed, and gelation of the polymer can be prevented.

【0118】上記重合反応で使用される有機溶媒として
は、例えば、N−メチル−2−ピロリジノン、N,N−
ジメチルアセトアミド及びメタノール等の極性溶媒やト
ルエンなどが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で
または2種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
Examples of the organic solvent used in the above polymerization reaction include N-methyl-2-pyrrolidinone, N, N-
Examples include polar solvents such as dimethylacetamide and methanol, and toluene. These organic solvents may be used alone or in the form of a mixture of two or more.

【0119】また、有機溶媒における4,4’−ビス
(2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジ
フェニルエーテルの濃度は、5〜50重量%、好ましく
は、10〜30重量%である。
Further, the concentration of 4,4′-bis (2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether in the organic solvent is 5 to 50% by weight, preferably 10 to 30% by weight. .

【0120】トルエンや他の同様の溶媒を反応の初期段
階に使用する際には、フェノキシド生成の際に副生する
水を、重合溶媒に関係なく、トルエンの共沸物として除
去できる。
When toluene or another similar solvent is used in the initial stage of the reaction, water produced as a by-product during the production of phenoxide can be removed as an azeotrope of toluene regardless of the polymerization solvent.

【0121】本発明において使用される塩基性化合物
は、重縮合反応によって生成するフッ化水素を捕集する
ことにより重縮合反応を促進するよう作用し、さらにフ
ェノール化合物をより反応性の高いアニオンに変える作
用がある。このような塩基性化合物としては、例えば、
炭酸カリウム、炭酸リチウム及び水酸化カリウムが挙げ
られる。
The basic compound used in the present invention acts to accelerate the polycondensation reaction by collecting hydrogen fluoride produced by the polycondensation reaction, and further converts the phenol compound to a more reactive anion. It has the effect of changing. Examples of such a basic compound include, for example,
Potassium carbonate, lithium carbonate and potassium hydroxide.

【0122】また、上記重合反応において、塩基性化合
物の使用量は、使用される4,4’−ビス(2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエ
ーテル1モルに対して、1〜20モル、好ましくは1〜
10モルである。
In the above polymerization reaction, the amount of the basic compound used is 4,4′-bis (2,3,3
4,5,6-pentafluorobenzoyl) 1 to 20 mol, preferably 1 to 2 mol per 1 mol of diphenyl ether
10 moles.

【0123】上記重合反応において使用される2価のフ
ェノール化合物としては、上記式(XII)で示される
ものであれば特に制限されないが、例えば、2,2−ビ
ス(4−ビドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,
3−へキサフルオロプロパン(以下、「6FBA」とい
う)、ビスフェノールA(以下、「BA」という)、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン
(以下、「HF」という)、ビスフェノールF(以下、
「BF」という)、ハイドロキノン(以下、「HQ」と
いう)、レゾルシノール(以下、「RS」という)およ
び2−(3−オキシフェニル)−2−(4’−オキシフ
ェニル)プロパン(以下、「3,4’−BA」という)
などが挙げられる。また、2価のフェノール化合物の使
用量は、4,4’−ビス(2,3,4,5,6−ペンタ
フルオロベンゾイル)ジフェニルエーテル1モルに対し
て、0.8〜1.2モル、好ましくは0.9〜1.1モ
ルである。
The divalent phenol compound used in the above polymerization reaction is not particularly limited as long as it is represented by the above formula (XII), and for example, 2,2-bis (4-bidoxyphenyl)- 1,1,1,3,3
3-hexafluoropropane (hereinafter, referred to as “6FBA”), bisphenol A (hereinafter, referred to as “BA”),
9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene (hereinafter, referred to as “HF”), bisphenol F (hereinafter, referred to as “HF”)
“BF”), hydroquinone (hereinafter “HQ”), resorcinol (hereinafter “RS”) and 2- (3-oxyphenyl) -2- (4′-oxyphenyl) propane (hereinafter “3”). , 4'-BA ")
And the like. The amount of the dihydric phenol compound used is preferably 0.8 to 1.2 mol, preferably 1 mol of 4,4′-bis (2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether. Is 0.9 to 1.1 mol.

【0124】重合反応終了後は、反応溶液より蒸発等に
より溶媒の除去を行ない、必要により留出物を洗浄する
ことによって、所望の重合体が得られる。または、反応
溶液を重合体の溶解度が低い溶媒中に加えることによ
り、重合体を固体として沈殿させ、沈殿物を濾過により
分離することによって、重合体を得てもよい。
After the completion of the polymerization reaction, the solvent is removed from the reaction solution by evaporation or the like, and if necessary, the distillate is washed to obtain a desired polymer. Alternatively, the polymer may be obtained by adding the reaction solution to a solvent having a low solubility of the polymer to precipitate the polymer as a solid, and separating the precipitate by filtration.

【0125】[0125]

【実施例】つぎに、実施例を参照しながら、本発明をさ
らに詳細に説明する。
Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples.

【0126】なお、下記実施例において、物性の評価
は、つぎのようにして行なった。
In the following examples, physical properties were evaluated as follows.

【0127】NMRスペクトルは、500MHz
1H)、125MHz(13C)または470MHz(
19F)で操作してVarian Unity 500を
用いて記録した。4,4’−ジフルオロベンゾフェノン
は、19F−NMR測定用の内部標準として使用した。
The NMR spectrum was 500 MHz
( 1 H), 125 MHz ( 13 C) or 470 MHz (
Recorded using a Varian Unity 500 operating at 19 F). 4,4′-Difluorobenzophenone was used as an internal standard for 19 F-NMR measurement.

【0128】熱安定性は、窒素または空気雰囲気下に2
0℃/分の加熱速度でPerkin−Elmer TG
A7を用いて測定した。
The thermal stability was measured under nitrogen or air atmosphere.
Perkin-Elmer TG at a heating rate of 0 ° C./min
It measured using A7.

【0129】固有粘度の測定は、0.5dL/gの濃度
かつ25℃の温度でジメチルアセトアミド(DMAc)
中でOstwald−Fenske粘度計を用いること
によって行なった。
The intrinsic viscosity was measured at a concentration of 0.5 dL / g and a temperature of 25 ° C. using dimethylacetamide (DMAc).
The test was performed by using an Ostwald-Fenske viscometer in the apparatus.

【0130】実施例1:2,3,4,5,6−ペンタフ
ルオロ−4’−ヒドロキシベンゾフェノンの合成 2,3,4,5,6−ペンタフルオロ−4’−メトキシ
ベンゾフェノン6.0g、氷酢酸40mlおよび48%
臭化水素水溶液30mlを、コンデンサーを備えた丸底
フラスコに供給した。この混合物を一晩還流に供した
後、室温にまで冷却した。生成物をジエチルエーテルで
抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、さらに留
去した。留出物をトルエンから再結晶して、3.7g
(収率78.8%)の2,3,4,5,6−ペンタフル
オロ−4’−ヒドロキシベンゾフェノン(以下、「HP
BP」という)を白色結晶として得た。この生成物の融
点は、142〜143℃であった。また、結晶のNMR
化学シフトを表1に示す。
Example 1 Synthesis of 2,3,4,5,6-pentafluoro-4'-hydroxybenzophenone 6.0 g of 2,3,4,5,6-pentafluoro-4'-methoxybenzophenone, ice Acetic acid 40 ml and 48%
30 ml of aqueous hydrogen bromide solution was supplied to a round bottom flask equipped with a condenser. The mixture was refluxed overnight and then cooled to room temperature. The product was extracted with diethyl ether, dried over magnesium sulfate, filtered and evaporated. The distillate was recrystallized from toluene, 3.7 g
(Yield 78.8%) of 2,3,4,5,6-pentafluoro-4′-hydroxybenzophenone (hereinafter referred to as “HP
BP ") as white crystals. The melting point of this product was 142-143 ° C. In addition, NMR of the crystal
The chemical shifts are shown in Table 1.

【0131】実施例2:4−ヒドロキシ−4’−(2,
3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニ
ルエーテルの合成 滴下ロートおよび塩化カルシウム乾燥管を備えた250
ml容の三つロフラスコに、水酸化ナトリウムの存在下
にヨウ化エチルとp−フェノキシフェノールとから合成
した4−エトキシジフェニルエーテル3.5g、塩化ア
ルミニウム5.4gおよび乾燥ジクロロエタン30ml
を仕込んだ。2,3,4,5,6−ペンタフルオロ安息
香酸およびチオニルクラロイドから合成された2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイルクロライド3.
7gならびに乾燥ジクロロエタン10mlの溶液を、攪
拌しながらフラスコ中に徐々に滴下させた。滴下終了
後、反応混合物を室温で一晩攪拌した。少量の水を、反
応混合物に非常にゆっくり加え、15分間攪拌し続け
た。ついで、反応混合物を250mlの水中に注加し、
これをジクロロメタンで抽出した。有機層を集めて、水
洗し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、蒸発させた。
活性炭処理しメタノールからの再結晶により、4−エト
キシ−4’−(2,3,4,5,6−ペンタフルオロベ
ンゾイル)ジフェニルエーテル(以下、「EPDE」と
いう)の白色結晶を得た(収率60.4%)。
Example 2: 4-hydroxy-4 '-(2,
Synthesis of 3,4,5,6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether 250 equipped with dropping funnel and calcium chloride drying tube
In a three ml flask having a capacity of 3.5 ml, 3.5 g of 4-ethoxydiphenyl ether synthesized from ethyl iodide and p-phenoxyphenol in the presence of sodium hydroxide, 5.4 g of aluminum chloride and 30 ml of dry dichloroethane
Was charged. 2,3,4,5,6-pentafluorobenzoic acid and 2,3,3 synthesized from thionyl claroid
4,5,6-pentafluorobenzoyl chloride
A solution of 7 g and 10 ml of dry dichloroethane was slowly dropped into the flask with stirring. After the addition was completed, the reaction mixture was stirred at room temperature overnight. A small amount of water was added very slowly to the reaction mixture and stirring was continued for 15 minutes. The reaction mixture is then poured into 250 ml of water,
This was extracted with dichloromethane. The organic layers were collected, washed with water, dried over sodium sulfate, filtered and evaporated.
By treatment with activated carbon and recrystallization from methanol, white crystals of 4-ethoxy-4 ′-(2,3,4,5,6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether (hereinafter referred to as “EPDE”) were obtained (yield). 60.4%).

【0132】コンデンサーを備えたフラスコに、EPD
E 2.1g、氷酢酸14mlおよび48%臭化水素水
溶液11mlを仕込んだ。この混合物を一晩還流させた
後、室温まで冷却した。生成物をエーテルで抽出し、硫
酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、蒸発させた。トルエン
からの再結晶によって、4−ヒドロキシ−4’−(2,
3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニ
ルエーテル(以下、「HPDE」という)の白色結晶を
得た(収率78.8%)。HPDEの融点は、136〜
137℃であった。また、結晶のNMR化学シフトを表
1に示す。
In a flask equipped with a condenser, add EPD
E 2.1 g, glacial acetic acid 14 ml and 48% aqueous hydrogen bromide solution 11 ml were charged. The mixture was refluxed overnight and then cooled to room temperature. The product was extracted with ether, dried over sodium sulfate, filtered and evaporated. By recrystallization from toluene, 4-hydroxy-4 ′-(2,
White crystals of 3,4,5,6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether (hereinafter referred to as “HPDE”) were obtained (yield: 78.8%). The melting point of HPDE is 136-
137 ° C. Table 1 shows the NMR chemical shifts of the crystals.

【0133】[0133]

【表1】 [Table 1]

【0134】実施例3:4,4’−ビス(2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテ
ルの合成 ジフェニルエーテル6.8g、塩化アルミニウム26.
8gおよび乾燥ジクロロエタン60mlを、滴下ロート
および塩化カルシウム(CaCl2)乾燥管を備えた2
50ml容の三つ口フラスコに仕込んだ。2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾクロライド18.5gお
よび乾燥ジクロロエタン15mlよりなる溶液を、攪拌
しながらゆっくりフラスコ中に滴下した。滴下終了後、
反応混合物を室温で一晩攪拌した。少量の水を、反応混
合物に非常にゆっくり加え、15分間攪拌し続けた。つ
いで、反応混合物を250mlの水中に注加し、ジクロ
ロメタンで抽出した。有機層を集めて、水洗し、硫酸ナ
トリウムで乾燥し、濾過し、蒸発させた。活性炭処理し
メタノールからの再結晶により、4,4’−ビス(2,
3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニ
ルエーテル(以下、「BPDE」という)の白色結晶を
生成した(収率61.2%)。BPDEの融点は、12
5〜127℃である。結晶のNMR化学シフトを上記表
1に示す。
Example 3: 4,4'-bis (2,3,4,4
Synthesis of 5,6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether 6.8 g of diphenyl ether, aluminum chloride 26.
8 g and 60 ml of dry dichloroethane were added to a flask equipped with a dropping funnel and a calcium chloride (CaCl 2 ) drying tube.
It was charged in a 50 ml three-necked flask. 2,3,4
A solution consisting of 18.5 g of 5,6-pentafluorobenzochloride and 15 ml of dry dichloroethane was slowly dropped into the flask with stirring. After dropping,
The reaction mixture was stirred overnight at room temperature. A small amount of water was added very slowly to the reaction mixture and stirring was continued for 15 minutes. Then the reaction mixture was poured into 250 ml of water and extracted with dichloromethane. The organic layers were collected, washed with water, dried over sodium sulfate, filtered and evaporated. By treatment with activated carbon and recrystallization from methanol, 4,4′-bis (2,2
White crystals of 3,4,5,6-pentafluorobenzoyl) diphenyl ether (hereinafter referred to as “BPDE”) were produced (yield 61.2%). The melting point of BPDE is 12
5-127 ° C. The NMR chemical shifts of the crystals are shown in Table 1 above.

【0135】実施例4 HPBP0.5g、重質炭酸カリウム0.36g、ジメ
チルアセトアミド(DMAc)2mlおよびトルエン1
mlを、ディーンスタークトラップ、コンデンサー、マ
グネティック撹拌機および窒素供給管を備えた25ml
容の丸底フラスコに仕込んだ。この混合物を160℃に
加熱し、トルエンを留去した。この混合物を3時間還流
させた。冷却後、この溶液を急速撹拌下に1%の酢酸を
含有する水中に注加した。析出した重合体を濾過により
捕集し、水洗した後、乾燥した。得られた化合物の収率
は90%であった。この化合物の粘度は、ジメチルアセ
トアミド中で0.5g/dLの濃度、25℃の温度で測
定したところ、0.18dL/gであった。また、ジメ
チルアセトアミドに対する不溶解分は11.5%であっ
た。
Example 4 0.5 g of HPBP, 0.36 g of heavy potassium carbonate, 2 ml of dimethylacetamide (DMAc) and 1 ml of toluene
25 ml with Dean Stark trap, condenser, magnetic stirrer and nitrogen supply
Charged into a round bottom flask. The mixture was heated to 160 ° C. and toluene was distilled off. The mixture was refluxed for 3 hours. After cooling, the solution was poured into water containing 1% acetic acid under rapid stirring. The precipitated polymer was collected by filtration, washed with water, and dried. The yield of the obtained compound was 90%. The viscosity of this compound was 0.18 dL / g as measured in dimethylacetamide at a concentration of 0.5 g / dL at a temperature of 25 ° C. The insoluble content in dimethylacetamide was 11.5%.

【0136】実施例5 実施例4の方法において、ジメチルアセトアミドの代わ
りにN−メチル−2−ピロリジノンを用いる以外は実施
例4と同様にして、HPBPの重合体(以下、「4F−
PEK」という)を製造した。その結果、収率85%、
粘度0.23dL/g、ジメチルアセトアミドに対する
不溶解分は6.0%であった。また、この4F−PEK
のIRスペクトルを図3に示す。 実施例6〜10 実施例4の方法において、HPBP0.5gの代わりに
HPDE0.5gを用い、表2に示す条件下で重合を行
う以外は実施例4と同様にして、重合体を製造した。そ
の結果を表2に示す。
Example 5 In the same manner as in Example 4 except that N-methyl-2-pyrrolidinone was used instead of dimethylacetamide, a polymer of HPBP (hereinafter referred to as "4F-
PEK "). As a result, the yield was 85%,
The viscosity was 0.23 dL / g, and the insoluble content in dimethylacetamide was 6.0%. Also, this 4F-PEK
Is shown in FIG. Examples 6 to 10 Polymers were produced in the same manner as in Example 4 except that in place of 0.5 g of HPBP, 0.5 g of HPDE was used and polymerization was performed under the conditions shown in Table 2. Table 2 shows the results.

【0137】[0137]

【表2】 [Table 2]

【0138】実施例11 実施例4の方法において、HPBP0.5gの代わりに
HPDE0.5gを用い、さらにジメチルアセトアミド
の代わりにN−メチル−2−ピロリジノンを用いる以外
は実施例4と同様にして、HPDEの重合体(以下、
「4F−PEEK」という)を製造した。その結果、収
率82%、粘度0.53dL/g、ジメチルアセトアミ
ドに対する不溶解分0.2%であった。また、この4F
−PEEKの19F−NMRスペクトルおよびIRスペク
トルを、それぞれ、図1および図4に示す。なお、19
−NMRスペクトルにおいて、19F化学シフトは4,
4’−ジフルオロベンゾフェノン=−110.1ppm
に相当するppmで示される。
Example 11 The procedure of Example 4 was repeated, except that 0.5 g of HPDE was used instead of 0.5 g of HPBP, and N-methyl-2-pyrrolidinone was used instead of dimethylacetamide. HPDE polymer (hereinafter, referred to as HPDE polymer)
"4F-PEEK"). As a result, the yield was 82%, the viscosity was 0.53 dL / g, and the insoluble content in dimethylacetamide was 0.2%. In addition, this 4F
The 19 F-NMR spectrum and IR spectrum of -PEEK are shown in FIGS. 1 and 4, respectively. In addition, 19 F
In the NMR spectrum, the 19 F chemical shift was 4,
4'-difluorobenzophenone = -110.1 ppm
Is shown in ppm corresponding to

【0139】実施例12 実施例5で得られた4F−PEKおよび実施例11で得
られた4F−PEEKの熱安定性を測定したところ、表
3及び4に示す結果が得られた。
Example 12 The thermal stability of 4F-PEK obtained in Example 5 and 4F-PEEK obtained in Example 11 were measured. The results shown in Tables 3 and 4 were obtained.

【0140】[0140]

【表3】 [Table 3]

【0141】[0141]

【表4】 [Table 4]

【0142】実施例13〜20 トルエンから再結晶により精製された6FBA 1.2
g(またはBA 0.82g,HF 1.25g,BF
0.71g,HQ 0.39g,RS 0.39gま
たは3,4’−BA 0.82g)、重質炭酸カリウム
1.48g、DMAc 13mlおよびトルエン10m
lを、ディーンスタークトラップ、コンデンサー、マグ
ネティック撹拌機および窒素供給管を備えた100ml
容の三つ口丸底フラスコに仕込んだ。この混合物を16
0℃に加熱し、2時間還流に供し、ついでトルエンを留
去した。実施例3で合成されたBPDE 2.0gをこ
の混合物に添加し、表5に示す条件下で重合を行なっ
た。冷却後、この溶液を急速撹拌下に1%酢酸を含有す
る水中に注加した。析出した重合体を濾過により捕集
し、水洗した後、乾燥した。その結果を表5に示す。ま
た、実施例14で得られた重合体の19F−NMRスペク
トルを図2に示し、さらに実施例14〜19で得られた
重合体のIRスペクトルを図5〜10にそれぞれ示す。
なお、19F−NMRスペクトルにおいて、19F化学シフ
トは4,4’−ジフルオロベンゾフェノン=−110.
1ppmに相当するppmで示される。
Examples 13 to 20 6FBA 1.2 purified by recrystallization from toluene
g (or BA 0.82 g, HF 1.25 g, BF
0.71 g, HQ 0.39 g, RS 0.39 g or 3,4'-BA 0.82 g), heavy potassium carbonate 1.48 g, DMAc 13 ml and toluene 10 m
100 ml with Dean Stark trap, condenser, magnetic stirrer and nitrogen supply
A three-necked round bottom flask was charged. Add this mixture to 16
The mixture was heated to 0 ° C., refluxed for 2 hours, and toluene was distilled off. 2.0 g of BPDE synthesized in Example 3 was added to this mixture, and polymerization was performed under the conditions shown in Table 5. After cooling, the solution was poured under rapid stirring into water containing 1% acetic acid. The precipitated polymer was collected by filtration, washed with water, and dried. Table 5 shows the results. FIG. 2 shows a 19 F-NMR spectrum of the polymer obtained in Example 14, and FIGS. 5 to 10 show IR spectra of the polymers obtained in Examples 14 to 19.
In the 19 F-NMR spectrum, the 19 F chemical shift was 4,4′-difluorobenzophenone = −110.
It is shown in ppm corresponding to 1 ppm.

【0143】[0143]

【表5】 [Table 5]

【0144】実施例21 実施例14〜20で得られたBPDEの重合体(以下、
「8F−PEKEK」という)の熱安定性を測定したと
ころ、表6及び7に示す結果が得られた。
Example 21 The polymer of BPDE obtained in Examples 14 to 20 (hereinafter referred to as “Polymer”)
When the thermal stability of "8F-PEKEK" was measured, the results shown in Tables 6 and 7 were obtained.

【0145】[0145]

【表6】 [Table 6]

【0146】[0146]

【表7】 [Table 7]

【0147】実施例22 実施例14〜17及び20で得られたBPDEの重合体
の誘電率(ε)を、1MHzの周波数で、25℃の温度
で、インピーダンス測定法によって測定し、その結果を
下記表8に示す。
Example 22 The dielectric constant (ε) of the polymer of BPDE obtained in Examples 14 to 17 and 20 was measured at a frequency of 1 MHz at a temperature of 25 ° C. by an impedance measurement method. It is shown in Table 8 below.

【0148】[0148]

【表8】 [Table 8]

【0149】[0149]

【発明の効果】上述したように、本発明の低誘電性樹脂
組成物は、式(I)で示される含フッ素アリールエーテ
ルケトン重合体を含むことを特徴とするものである。し
たがって、本発明の低誘電性樹脂組成物は、優れた電気
的特性(低誘電性)及び耐熱性を有する式(I)で示さ
れる含フッ素アリールエーテルケトン重合体を含むの
で、耐熱性と低誘電性を兼ね備えており、コーティング
用組成物などとしておよび配線基板や絶縁材料等の高周
波電子部品に好適である。
As described above, the low dielectric resin composition of the present invention is characterized by containing the fluorine-containing aryl ether ketone polymer represented by the formula (I). Therefore, the low dielectric resin composition of the present invention contains the fluorinated aryl ether ketone polymer represented by the formula (I) having excellent electrical properties (low dielectric properties) and heat resistance. It also has dielectric properties and is suitable as a coating composition or the like and for high-frequency electronic components such as wiring boards and insulating materials.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 実施例11で得られた4F−PEEKの19
−NMRスペクトルである。
FIG. 1 19 F of 4F-PEEK obtained in Example 11
-It is an NMR spectrum.

【図2】 実施例14で得られたBPDE−6FBAの
19F−NMRスペクトルである。
FIG. 2 shows the BPDE-6FBA obtained in Example 14.
It is a 19 F-NMR spectrum.

【図3】 実施例5で得られた4F−PEKのIRスペ
クトルである。
FIG. 3 is an IR spectrum of 4F-PEK obtained in Example 5.

【図4】 実施例11で得られた4F−PEEKのIR
スペクトルである。
FIG. 4 IR of 4F-PEEK obtained in Example 11
It is a spectrum.

【図5】 実施例14で得られたBPDE−6FBAの
IRスペクトルである。
FIG. 5 is an IR spectrum of BPDE-6FBA obtained in Example 14.

【図6】 実施例15で得られたBPDE−BAのIR
スペクトルである。
FIG. 6 IR of BPDE-BA obtained in Example 15
It is a spectrum.

【図7】 実施例16で得られたBPDE−HFのIR
スペクトルである。
FIG. 7 IR of BPDE-HF obtained in Example 16
It is a spectrum.

【図8】 実施例17で得られたBPDE−BFのIR
スペクトルである。
FIG. 8 IR of BPDE-BF obtained in Example 17
It is a spectrum.

【図9】 実施例18で得られたBPDE−HQのIR
スペクトルである。
FIG. 9 IR of BPDE-HQ obtained in Example 18.
It is a spectrum.

【図10】 実施例19で得られたBPDE−RSのI
Rスペクトルである。
FIG. 10 shows I of BPDE-RS obtained in Example 19.
It is an R spectrum.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記式(I): 【化1】 ただし、Xはハロゲン原子、低級アルキル基または低級
アルコキシ基を表わし、qは0〜4の整数であり、nは
重合度を表し、mは0または1の整数であり、およびR
1は下記式(II): 【化2】 この際、X’はハロゲン原子、低級アルキル基または低
級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の整数であり、
pは0または1の整数であり、およびR2は2価の芳香
族基を表わす、で示される含フッ素アリールエーテルケ
トン重合体を含む低誘電性樹脂組成物。
(1) The following formula (I): Wherein X represents a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, q is an integer of 0 to 4, n represents a degree of polymerization, m is an integer of 0 or 1, and R is
1 is the following formula (II): At this time, X ′ represents a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, q ′ is an integer of 0 to 4,
p is an integer of 0 or 1, and R 2 represents a divalent aromatic group. A low dielectric resin composition comprising a fluorinated aryl ether ketone polymer represented by the following formula:
【請求項2】 該含フッ素アリールエーテルケトン重合
体は、下記式(III): 【化3】 ただし、nは重合度を表し、mは0または1の整数であ
り、およびR1は下記式(II): 【化4】 この際、X’はハロゲン原子、低級アルキル基または低
級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の整数であり、
pは0または1の整数であり、およびR2は2価の芳香
族基を表わす、で示される、請求項1に記載の低誘電性
樹脂組成物。
2. The fluorinated aryl ether ketone polymer has the following formula (III): Here, n represents the degree of polymerization, m is an integer of 0 or 1, and R 1 is the following formula (II): At this time, X ′ represents a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, q ′ is an integer of 0 to 4,
The low dielectric resin composition according to claim 1, wherein p is an integer of 0 or 1, and R 2 represents a divalent aromatic group.
【請求項3】 該式(I)において、R1は下記式(I
V): 【化5】 この際、pは0または1の整数であり、およびR2は2
価の芳香族基を表わす、で示される、請求項1または2
に記載の低誘電性樹脂組成物。
3. In the formula (I), R 1 is the following formula (I)
V): Here, p is an integer of 0 or 1, and R 2 is 2
Or a divalent aromatic group.
3. The low dielectric resin composition according to item 1.
【請求項4】 該式(II)において、R2は下記7
種: 【化6】 のいずれかである、請求項1〜3のいずれか1項に記載
の低誘電性樹脂組成物。
4. In the formula (II), R 2 represents the following 7
Species: The low dielectric resin composition according to any one of claims 1 to 3, which is one of the following.
【請求項5】 該含フッ素アリールエーテルケトン重合
体は下記式(V): 【化7】 ただし、nは重合度を表す、で示される、請求項1に記
載の低誘電性樹脂組成物。
5. The fluorine-containing aryl ether ketone polymer has the following formula (V): The low dielectric resin composition according to claim 1, wherein n represents a degree of polymerization.
【請求項6】 該含フッ素アリールエーテルケトン重合
体は下記式(VI): 【化8】 ただし、nは重合度を表す、で示される、請求項1に記
載の低誘電性樹脂組成物。
6. The fluorine-containing aryl ether ketone polymer has the following formula (VI): The low dielectric resin composition according to claim 1, wherein n represents a degree of polymerization.
【請求項7】 該含フッ素アリールエーテルケトン重合
体は下記式(VII): 【化9】 ただし、nは重合度を表し、およびR2は下記7種: 【化10】 のいずれかである、で示される、請求項1に記載の低誘
電性樹脂組成物。
7. The fluorinated aryl ether ketone polymer has the following formula (VII): Here, n represents the degree of polymerization, and R 2 represents the following seven kinds: The low dielectric resin composition according to claim 1, which is represented by any one of the following.
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Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002062823A (en) * 2000-08-21 2002-02-28 Nippon Shokubai Co Ltd Plastic substrate for display element
JP2002322271A (en) * 2001-04-25 2002-11-08 Nippon Shokubai Co Ltd Polyether ketone and method for producing the same
JP2003082091A (en) * 2001-09-07 2003-03-19 Nippon Shokubai Co Ltd Fluorine-containing aryl ether ketone polymer
WO2003062875A1 (en) 2002-01-23 2003-07-31 Nitto Denko Corporation Optical film, multilayer polarization plate, liquid crystal display comprising them, and spontaneous emission display
US6819382B2 (en) 2002-01-24 2004-11-16 Nitto Denko Corporation Method for producing substrate of liquid crystal cell and method for producing liquid crystal panel
US7052747B2 (en) 2002-12-19 2006-05-30 Nitto Denko Corporation Birefringent optical film, elliptically polarizing plate using the same, and liquid crystal display using the same
US7123328B2 (en) 2002-04-18 2006-10-17 Nitto Denko Corporation Polarization plate having optical compensation function and liquid crystal display device using the same
WO2006118323A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Nippon Shokubai Co., Ltd. Composition containing fluorine-containing aromatic polymer and laminated body containing fluorine-containing aromatic polymer
JP2006328385A (en) * 2005-04-28 2006-12-07 Nippon Shokubai Co Ltd Fluorine-containing aromatic polymer containing composition
US7153547B2 (en) 2002-12-19 2006-12-26 Nitto Denko Corporation Birefringent optical film, elliptically polarizing plate using the same, and liquid crystal display using the same
US7223452B2 (en) 2003-05-02 2007-05-29 Nitto Denko Corporation Optical film, method for producing the same, and image display device using the same
US7270858B2 (en) 2002-02-19 2007-09-18 Nitto Denko Corporation Inclined optical compensation film, method for producing the same and liquid crystal display including the same
US7428029B2 (en) 2002-07-30 2008-09-23 Nitto Denko Corporation Optical film and its manufacturing method
US7494689B2 (en) 2003-09-16 2009-02-24 Nitto Denko Corporation Method for manufacturing a birefringent film
US7535531B2 (en) 2003-08-01 2009-05-19 Nitto Denko Corporation Birefringent optical film, laminated polarizing plate, liquid crystal display and image
US7557883B2 (en) 2006-07-12 2009-07-07 Nitto Denko Corporation Polarizing plate with optical compensation layer, method of producing the same, and liquid crystal panel, liquid crystal display, and image display including the same
US7586571B2 (en) 2003-09-01 2009-09-08 Nitto Denko Corporation Composite double refraction member
WO2010032834A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 セイコーエプソン株式会社 Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor device, electronic device, electronic apparatus and composition for forming insulating layer
JP2010074088A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp Organic semiconductor device, method for manufacturing the same, electronic device, electronic apparatus, and composition for forming insulation layer
JP2010074087A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor device, electronic device, electronic apparatus, and composition for forming insulating layer
US7833457B2 (en) 2003-12-16 2010-11-16 Nitto Denko Corporation Method for producing birefringent film, optical film and image display device using the same
JP2010283332A (en) * 2009-05-07 2010-12-16 Seiko Epson Corp Organic transistor, method of manufacturing organic transistor, electro-optical device, and electronic equipment
US7867414B2 (en) 2004-10-07 2011-01-11 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing a birefringent film, optical film using the same, liquid crystal panel, liquid crystal display device and imaged display device
CN114907689A (en) * 2022-05-07 2022-08-16 宁波金鼎紧固件有限公司 High-toughness wear-resistant composite material for rail transit fastener

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002062823A (en) * 2000-08-21 2002-02-28 Nippon Shokubai Co Ltd Plastic substrate for display element
JP2002322271A (en) * 2001-04-25 2002-11-08 Nippon Shokubai Co Ltd Polyether ketone and method for producing the same
JP4688371B2 (en) * 2001-09-07 2011-05-25 株式会社日本触媒 Fluorine-containing aryl ether ketone polymer
JP2003082091A (en) * 2001-09-07 2003-03-19 Nippon Shokubai Co Ltd Fluorine-containing aryl ether ketone polymer
WO2003062875A1 (en) 2002-01-23 2003-07-31 Nitto Denko Corporation Optical film, multilayer polarization plate, liquid crystal display comprising them, and spontaneous emission display
US6819382B2 (en) 2002-01-24 2004-11-16 Nitto Denko Corporation Method for producing substrate of liquid crystal cell and method for producing liquid crystal panel
US7270858B2 (en) 2002-02-19 2007-09-18 Nitto Denko Corporation Inclined optical compensation film, method for producing the same and liquid crystal display including the same
US7123328B2 (en) 2002-04-18 2006-10-17 Nitto Denko Corporation Polarization plate having optical compensation function and liquid crystal display device using the same
US7428029B2 (en) 2002-07-30 2008-09-23 Nitto Denko Corporation Optical film and its manufacturing method
US7153547B2 (en) 2002-12-19 2006-12-26 Nitto Denko Corporation Birefringent optical film, elliptically polarizing plate using the same, and liquid crystal display using the same
US7052747B2 (en) 2002-12-19 2006-05-30 Nitto Denko Corporation Birefringent optical film, elliptically polarizing plate using the same, and liquid crystal display using the same
US7223452B2 (en) 2003-05-02 2007-05-29 Nitto Denko Corporation Optical film, method for producing the same, and image display device using the same
US7535531B2 (en) 2003-08-01 2009-05-19 Nitto Denko Corporation Birefringent optical film, laminated polarizing plate, liquid crystal display and image
US7586571B2 (en) 2003-09-01 2009-09-08 Nitto Denko Corporation Composite double refraction member
US7494689B2 (en) 2003-09-16 2009-02-24 Nitto Denko Corporation Method for manufacturing a birefringent film
US7833457B2 (en) 2003-12-16 2010-11-16 Nitto Denko Corporation Method for producing birefringent film, optical film and image display device using the same
US7867414B2 (en) 2004-10-07 2011-01-11 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing a birefringent film, optical film using the same, liquid crystal panel, liquid crystal display device and imaged display device
US8487050B2 (en) 2005-04-28 2013-07-16 Nippon Shokubai Co., Ltd. Composition containing fluorine-containing aromatic polymer and laminated body containing fluorine-containing aromatic polymer
WO2006118323A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Nippon Shokubai Co., Ltd. Composition containing fluorine-containing aromatic polymer and laminated body containing fluorine-containing aromatic polymer
JP4562686B2 (en) * 2005-04-28 2010-10-13 株式会社日本触媒 Fluorine-containing aromatic polymer-containing composition
JP2006328385A (en) * 2005-04-28 2006-12-07 Nippon Shokubai Co Ltd Fluorine-containing aromatic polymer containing composition
US7557883B2 (en) 2006-07-12 2009-07-07 Nitto Denko Corporation Polarizing plate with optical compensation layer, method of producing the same, and liquid crystal panel, liquid crystal display, and image display including the same
US20110175092A1 (en) * 2008-09-22 2011-07-21 Takuro Yasuda Organic semiconductor element, method of manufacturing organic semiconductor element, electronic device, electronic equipment and insulating layer forming composition
JP2010074087A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor device, electronic device, electronic apparatus, and composition for forming insulating layer
JP2010074088A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp Organic semiconductor device, method for manufacturing the same, electronic device, electronic apparatus, and composition for forming insulation layer
WO2010032834A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 セイコーエプソン株式会社 Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor device, electronic device, electronic apparatus and composition for forming insulating layer
US8698142B2 (en) 2008-09-22 2014-04-15 Seiko Epson Corporation Organic semiconductor element, method of manufacturing organic semiconductor element, electronic device, electronic equipment and insulating layer forming composition
JP2010283332A (en) * 2009-05-07 2010-12-16 Seiko Epson Corp Organic transistor, method of manufacturing organic transistor, electro-optical device, and electronic equipment
CN114907689A (en) * 2022-05-07 2022-08-16 宁波金鼎紧固件有限公司 High-toughness wear-resistant composite material for rail transit fastener
CN114907689B (en) * 2022-05-07 2023-11-07 宁波金鼎紧固件有限公司 High-toughness wear-resistant composite material for rail transit fasteners

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