JP2001048639A - Glass-ceramic composition, circuit board using the same and its production - Google Patents

Glass-ceramic composition, circuit board using the same and its production

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JP2001048639A JP11221215A JP22121599A JP2001048639A JP 2001048639 A JP2001048639 A JP 2001048639A JP 11221215 A JP11221215 A JP 11221215A JP 22121599 A JP22121599 A JP 22121599A JP 2001048639 A JP2001048639 A JP 2001048639A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a glass-ceramic composition excellently matchable with an Ag or Au conductor material as well as provided with good ceramic characteristics and to produce a circuit board using the glass-ceramic composition. SOLUTION: The glass-ceramic composition has a glass to ceramic weight ratio of (40-60):(60-40) and the glass has an Li2O-free composition consisting of, by weight, 40-60% SiO2, 5-9% Al2O3, 1-10% B2O3, 3-5% Na2O+K2O, 3-15% CaO+MgO+ZnO and 15-40% PbO and has 650-780 deg.C softening point. The circuit board contains a laminated substrate 41 obtained by laminating insulating substrates 42a-42d and a conductor circuit formed on the surface of each of the insulating substrates, and the insulating substrates comprise the glass-ceramic composition. A wiring layer 54 and a via hole conductor 56 are disposed in the laminated substrate 41.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば回路基板や
チップ部品に用いられるガラスセラミック組成物、それ
を用いた回路基板及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass ceramic composition used for, for example, a circuit board or a chip component, a circuit board using the same, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年のセラミック基板の高性能化、チッ
プ部品の小型化等の要求に対しガラスセラミック基板が
実用化されつつある。その詳細な組成、製造方法等は特
公平6−97565号や特公平6−69902号等に記
載されている。
2. Description of the Related Art In recent years, glass ceramic substrates have been put into practical use in response to demands for higher performance of ceramic substrates and miniaturization of chip components. The detailed composition, production method and the like are described in JP-B-6-97565 and JP-B-6-69902.

【0003】例えば、特公平6−97565号公報の実
施例1には、ガラスセラミック組成物として、ガラスと
Al23の重量比が66:34(33.5重量%:1
7.1重量%)であり、そのうちガラスの組成がPbO
17.2重量%、B234.5重量%、SiO256.
5重量%、Al239.1重量%、CaO8.6重量
%、Na2O2.4重量%、K2O1.7重量%であり、
ガラスの変形温度が590℃、軟化点が660℃、軟化
点と変形温度との差が70℃のものが開示されており、
このガラスセラミック組成物を焼成して得られたガラス
セラミック複合体としてのテープは寸法安定性の優れた
ものであったと記載されている。
[0003] For example, in Example 1 of Japanese Patent Publication No. 6-97565, the weight ratio of glass to Al 2 O 3 is 66:34 (33.5% by weight: 1) as a glass ceramic composition.
7.1% by weight), of which the glass composition is PbO
17.2 wt%, B 2 O 3 4.5 wt%, SiO 2 56.
5 wt%, Al 2 O 3 9.1 wt%, CaO 8.6 wt%, Na 2 O 2.4 wt%, K 2 O 1.7 wt%,
A glass having a deformation temperature of 590 ° C, a softening point of 660 ° C, and a difference between the softening point and the deformation temperature of 70 ° C is disclosed,
It is described that the tape as a glass-ceramic composite obtained by firing this glass-ceramic composition had excellent dimensional stability.

【0004】また、特公平6−69902号公報の実施
例1には、ガラスセラミック組成物として、ガラス60
重量%とAl2340重量%からなり、ガラスの組成が
SiO250重量%、Al236重量%、PbO35重
量%、(MgO+CaO+SrO+BaO)5重量%、
ZnO1重量%、B230.5重量%、(Li2O+N
2O+K2O)0重量%、(TiO2+ZrO2)2.5
重量%のものが開示されており、この組成物をスラリー
化してグリーンシートとした後、焼成して得られた基板
は抵抗強度や熱伝導率が大きく、耐熱性、耐薬品性に優
れていると記載されている。また、グリーンシート上に
スクリーン印刷によりAg−Pd導体を形成し、これを
積層した後焼成して製造したガラスセラミック複合体と
しての多層回路素子は、ハンダ濡れ性や接着強度に優れ
ていると記載されている。
[0004] Further, in Example 1 of Japanese Patent Publication No. 6-69902, glass 60 is used as a glass ceramic composition.
% By weight and 40% by weight of Al 2 O 3 , and the composition of the glass is 50% by weight of SiO 2, 6% by weight of Al 2 O 3 , 35% by weight of PbO, 5% by weight of (MgO + CaO + SrO + BaO),
ZnO 1% by weight, B 2 O 3 0.5% by weight, (Li 2 O + N
a 2 O + K 2 O) 0% by weight, (TiO 2 + ZrO 2 ) 2.5
By weight, the composition is slurried to form a green sheet, and the substrate obtained by firing is large in resistance strength and thermal conductivity, and excellent in heat resistance and chemical resistance. It is described. Moreover, it is described that a multilayer circuit element as a glass-ceramic composite manufactured by forming an Ag-Pd conductor on a green sheet by screen printing, laminating this, and then firing is excellent in solder wettability and adhesive strength. Have been.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のガラスセラミック組成物又はガラスセラミック複合体
は、本来その内部あるいは表面に導体経路が形成され、
回路基板として使用されるものであるにもかかわらず、
各種導体材料とのマッチング性については十分に検討さ
れていなかった。
However, these glass-ceramic compositions or glass-ceramic composites essentially have conductor paths formed inside or on the surface thereof.
Despite being used as a circuit board,
The matching with various conductor materials has not been sufficiently studied.

【0006】そこで、本発明者はこの点について検討を
重ねたところ、下記の課題を見出した。即ち、ガラスの
軟化点が高すぎる場合には、グリーンシート上にAg系
又はAu系の導体回路をスクリーン印刷した後焼成を行
ったときに導体材料がセラミック中へ拡散し、セラミッ
クの絶縁抵抗や誘電率等の電気的特性が悪化して設計ど
おりの性能が得られないおそれがあった。また、ガラス
の軟化点が低すぎる場合には、Ag系又はAu系の導体
材料が十分に焼結しないため、ガラスセラミック複合体
と導体回路との密着強度が不十分になるおそれがあっ
た。特に問題となることの1つには、導体材料と共に焼
成する際の基板の反り、変形であり、例えば100×1
00mm程度の大板に10×10mm程度の個片が多数
個配列されているような形状の基板では、この反り、歪
みの発生は基板焼成後のハンダ印刷工程、部品実装工程
に致命的な欠陥となった。
Therefore, the present inventor has repeatedly examined this point, and found the following problem. That is, when the softening point of the glass is too high, the conductor material is diffused into the ceramic when performing firing after screen-printing an Ag-based or Au-based conductor circuit on the green sheet, and the insulation resistance and the insulation resistance of the ceramic are reduced. There is a possibility that the electrical characteristics such as the dielectric constant are deteriorated and the performance as designed cannot be obtained. If the softening point of the glass is too low, the Ag-based or Au-based conductor material does not sinter sufficiently, and the adhesion strength between the glass ceramic composite and the conductor circuit may be insufficient. One of the particular problems is the warpage and deformation of the substrate when firing together with the conductor material.
In a substrate having a shape in which a large number of individual pieces of about 10 × 10 mm are arranged on a large plate of about 00 mm, the occurrence of the warpage and distortion is a fatal defect in a solder printing process and a component mounting process after firing the substrate. It became.

【0007】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、セラミックの種々の特性が良好なばかりでなく、A
g系又はAu系導体材料とのマッチング性も良好なガラ
スセラミック組成物、それを用いた回路基板及びその製
造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and not only has various characteristics of ceramics excellent, but also
It is an object of the present invention to provide a glass ceramic composition having good matching with a g-based or Au-based conductor material, a circuit board using the same, and a method for manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段、発明の実施の形態及び発
明の効果】上記課題を解決するため、第1発明のガラス
セラミック組成物は、ガラスセラミック組成物であっ
て、ガラスとセラミックの重量比が40〜60:60〜
40であり、前記ガラスの組成は、SiO2:40〜6
0重量%、Al23:5〜9重量%、B23:1〜10
重量%、Na2O+K2O:3〜5重量%、CaO+Mg
O+ZnO:3〜15重量%、PbO:15〜40重量
%であってLi2Oを含まず、前記ガラスの軟化点が6
50〜780℃であることを特徴とする。
Means for Solving the Problems, Embodiments of the Invention and Effects of the Invention In order to solve the above-mentioned problems, a glass-ceramic composition of the first invention is a glass-ceramic composition, and has a weight ratio of glass to ceramic. Is 40-60: 60-
Is 40, the composition of the glass, SiO 2: forty to six
0% by weight, Al 2 O 3 : 5 to 9% by weight, B 2 O 3 : 1 to 10
Wt%, Na 2 O + K 2 O: 3~5 wt%, CaO + Mg
O + ZnO: 3 to 15% by weight, PbO: 15 to 40% by weight, not containing Li 2 O, and having a softening point of 6
The temperature is 50 to 780 ° C.

【0009】このガラスセラミック組成物は、ガラスの
物性として、軟化点と屈伏点との差が95℃以上である
こと、ガラス転移点が520〜620℃であることが好
ましい。このガラスセラミック組成物の焼成は、酸化雰
囲気下、焼成温度800〜930℃で行うのが好まし
い。セラミックとしては、アルミナ、シリカ、ムライ
ト、マグネシア、チタニア、ジルコニア、スピネル、フ
ォルステライト、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カ
ルシウムなどを単独でもしくは適宜混合して用いること
が好ましい。
This glass-ceramic composition preferably has, as physical properties of glass, a difference between a softening point and a yield point of 95 ° C. or more, and a glass transition point of 520 to 620 ° C. The firing of the glass ceramic composition is preferably performed in an oxidizing atmosphere at a firing temperature of 800 to 930 ° C. As the ceramic, it is preferable to use alumina, silica, mullite, magnesia, titania, zirconia, spinel, forsterite, strontium titanate, calcium titanate, or the like alone or in a suitable mixture.

【0010】第2発明の回路基板は、回路基板であっ
て、複数枚の絶縁基板が積層されてなる積層基板と、前
記複数枚の絶縁基板の各々の少なくとも表面に形成され
た導体回路と、を含み、前記絶縁基板が、第1発明のガ
ラスセラミック組成物からなることを特徴とする。
A circuit board according to a second aspect of the present invention is a circuit board, comprising: a laminated board formed by laminating a plurality of insulating boards; a conductor circuit formed on at least a surface of each of the plurality of insulating boards; Wherein the insulating substrate is made of the glass-ceramic composition of the first invention.

【0011】導体回路は、Ag系又はAu系の導体から
なり、インダクタンス回路又はキャパシタンス回路を有
することが好ましい。
The conductor circuit is made of an Ag-based or Au-based conductor, and preferably has an inductance circuit or a capacitance circuit.

【0012】第3発明の回路基板の製造方法は、第1発
明のガラスセラミック組成物からなるグリーンシートを
得るステップと、前記グリーンシートの少なくとも表面
に、Ag系あるいはAu系の導体層を形成するステップ
と、導体層が形成されたグリーンシートを、複数枚積層
するステップと、積層されたグリーンシートを、酸化雰
囲気下、焼成温度800〜930℃で焼成するステップ
と、を備えたことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a circuit board, wherein a green sheet comprising the glass-ceramic composition of the first aspect is obtained, and an Ag-based or Au-based conductor layer is formed on at least the surface of the green sheet. And a step of laminating a plurality of green sheets on which the conductor layers are formed, and a step of firing the stacked green sheets at a firing temperature of 800 to 930 ° C. in an oxidizing atmosphere. I do.

【0013】ところで、低抵抗導体を使用した回路基板
としては、従来よりCu導体を使用したものが知られて
いる。このCu導体を使用した回路基板においては、基
板材料として、耐熱エポキシ樹脂が用いられる。耐熱エ
ポキシ樹脂は、マイクロ波帯における誘電体損失が大き
いため信号の伝送損失も大きく、マイクロ波帯で使用す
る基板用途にはこのような樹脂は適さないという問題が
あった。このため、マイクロ波帯用としては導体損失と
誘電体損失の双方が小さいものが要求され、この点でA
g系又はAu系導体材料を使用した、本発明の回路基板
が優れている。
As a circuit board using a low-resistance conductor, a circuit board using a Cu conductor is conventionally known. In a circuit board using the Cu conductor, a heat-resistant epoxy resin is used as a board material. The heat-resistant epoxy resin has a large signal transmission loss due to a large dielectric loss in a microwave band, and has a problem that such a resin is not suitable for a substrate used in a microwave band. For this reason, it is required for the microwave band that both the conductor loss and the dielectric loss are small.
The circuit board of the present invention using a g-based or Au-based conductor material is excellent.

【0014】本発明のガラスセラミックス組成物におい
て、ガラスとセラミックの重量比を40〜60:60〜
40としたのは、以下の理由による。即ち、ガラスとセ
ラミックの重量全体を100としたときのガラスの含有
量が40未満では、ガラスセラミック組成物を焼成して
絶縁基板を形成する際にセラミック粒子のまわりを覆う
ガラス成分量が不足し、良好な濡れが形成できず、基板
の見かけ気孔率がゼロにならず、基板強度が低下し、一
方、ガラスの含有量が60を越えると、十分な曲げ強度
が得られないからである。なお、ガラスセラミック組成
物はガラスとセラミックのみで構成されていてもよい
し、その他の成分を含んでいてもよい。また、好ましい
数値範囲はガラスとセラミックの重量比が45〜55:
55〜45である。
In the glass-ceramic composition of the present invention, the weight ratio of glass to ceramic is 40-60: 60-
The reason for setting to 40 is as follows. That is, if the glass content is less than 40 when the total weight of the glass and the ceramic is 100, the amount of the glass component surrounding the ceramic particles is insufficient when the glass ceramic composition is fired to form an insulating substrate. This is because good wettability cannot be formed, the apparent porosity of the substrate does not become zero, and the substrate strength decreases. On the other hand, if the glass content exceeds 60, sufficient bending strength cannot be obtained. The glass-ceramic composition may be composed of only glass and ceramic, or may contain other components. A preferable numerical range is such that the weight ratio of glass to ceramic is 45 to 55:
55-45.

【0015】ガラスの成分につき、SiO2はガラスの
ネットワークフォーマーでありガラスの基本組成である
が、このSiO2の含有量を40〜60重量%としたの
は、40重量%未満では軟化点が650℃よりも低くな
る傾向にあり、60重量%を越えると軟化点が780℃
よりも高くなる傾向にあり十分な強度が得られないから
である。
Regarding the components of glass, SiO 2 is a network former of glass and is a basic composition of glass. However, the content of SiO 2 is set to 40 to 60% by weight. Tends to be lower than 650 ° C., and if it exceeds 60% by weight, the softening point is 780 ° C.
This is because the strength tends to be higher than this, and sufficient strength cannot be obtained.

【0016】ガラスの成分につき、Al23はガラスの
溶解性あるいはガラス特性の耐水性を向上させるもので
あるが、このAl23の含有量が2重量%未満ではガラ
ス溶融時に失透するおそれがあり、10重量%を越える
と軟化点が高くなりすぎる。Al23好ましい含有量
は、5重量%〜9重量%である。
With respect to the glass components, Al 2 O 3 improves the solubility of the glass or the water resistance of the glass properties. However, if the content of Al 2 O 3 is less than 2% by weight, the glass is devitrified during melting. If it exceeds 10% by weight, the softening point becomes too high. Al 2 O 3 preferred content is 5 wt% to 9 wt%.

【0017】ガラスの成分につき、B23はガラスのフ
ラックス成分として軟化点を下げる役割を果たすが、こ
のB23の含有量を1〜10重量%としたのは、1重量
%未満では軟化点が高くなる傾向にあり、10重量%を
越えるとAg系又はAu系の導体材料と共に焼成する際
にガラスが流動しすぎて絶縁基板中へAg又はAuが拡
散するおそれがあるからである。
Regarding the components of glass, B 2 O 3 plays a role of lowering the softening point as a flux component of glass. However, the content of B 2 O 3 is set to 1 to 10% by weight, less than 1% by weight. The softening point tends to increase, and if it exceeds 10% by weight, the glass may flow too much when firing together with an Ag-based or Au-based conductor material, and Ag or Au may diffuse into the insulating substrate. is there.

【0018】ガラスの成分につき、(Na2O+K2O)
はガラスの軟化点を下げる役割を果たすが、この(Na
2O+K2O)の含有量を3〜5重量%としたのは、3重
量%未満では軟化点が高くなる傾向にあり、5重量%を
越えると絶縁基板の絶縁抵抗を低下させるからである。
また、同じアルカリ金属酸化物としてはLi2Oも同様
の作用を奏するが、このLi2Oはイオン半径が小さく
ガラス中を動きやすいため、Ag系又はAu系の導体材
料と共に焼成する際に回路基板中へAg又はAuが拡散
しやすくなる。このため、本発明ではガラス成分中にL
2Oを含まない。
Regarding the components of the glass, (Na 2 O + K 2 O)
Plays a role in lowering the softening point of glass.
2 O + K 2 O) of the content was 3-5% by weight of at less than 3% by weight tends to softening point is high, because decreases the insulation resistance of the insulating substrate exceeds 5 wt% .
In addition, as the same alkali metal oxide, Li 2 O has a similar effect. However, since Li 2 O has a small ionic radius and easily moves in glass, a circuit is required when firing with an Ag-based or Au-based conductor material. Ag or Au is easily diffused into the substrate. For this reason, in the present invention, L is contained in the glass component.
Does not contain i 2 O.

【0019】ガラスの成分につき、(CaO+MgO+
ZnO)はガラスの熱膨張係数を調整すると共に軟化点
を下げる役割を果たすが、この(CaO+MgO+Zn
O)の含有量を3〜15重量%としたのは、3重量%未
満では上記役割を十分果たさず、15重量%を越えると
失透したりガラス化が困難になったりするからである。
Regarding the components of the glass, (CaO + MgO +
ZnO) adjusts the thermal expansion coefficient of the glass and lowers the softening point, and this (CaO + MgO + Zn)
The reason why the content of O) is 3 to 15% by weight is that if it is less than 3% by weight, the above-mentioned role is not sufficiently fulfilled, and if it exceeds 15% by weight, devitrification or vitrification becomes difficult.

【0020】ガラスの成分につき、PbOはガラスのフ
ラックス成分としてガラスの軟化点を下げる役割を果た
すが、このPbOの含有量を15〜40重量%としたの
は、この範囲を外れると逆に軟化点が高くなる傾向にあ
るからである。
Regarding the glass components, PbO plays a role of lowering the softening point of the glass as a flux component of the glass, but the content of PbO is set to 15 to 40% by weight. This is because the points tend to be higher.

【0021】ここで、ガラス成分中のB23、(Na2
O+K2O)、PbOはいずれも軟化点を下げる役割を
果たすため、これらの成分を単独で用いて軟化点を下げ
ることも考えられる。しかし、B23あるいは(Na2
O+K2O)のいずれかを単独で用いて軟化点を十分に
下げようとすると、多量過ぎて別の不具合(前者ではA
g又はAuのセラミックへの拡散、後者では絶縁抵抗の
低下)が発生してしまうので、不適当である。また、P
bOを単独で用いて軟化点を十分に下げようとしても、
PbOは多量すぎると逆に軟化点が上昇するため、不適
当である。したがって、軟化点が650〜780℃の範
囲になるように、B23、(Na2O+K2O)、PbO
の各成分を上述の数値範囲内で適宜定める必要がある。
Here, B 2 O 3 , (Na 2
O + K 2 O) and PbO both play a role in lowering the softening point, so it is conceivable to use these components alone to lower the softening point. However, B 2 O 3 or (Na 2
O + K 2 O) alone, if it is attempted to sufficiently lower the softening point, the amount is too large and another defect (A in the former case) occurs.
It is not suitable because g or Au diffuses into the ceramic, and in the latter case, the insulation resistance decreases. Also, P
Even if bO alone is used to lower the softening point sufficiently,
If PbO is too large, the softening point rises conversely, which is inappropriate. Accordingly, B 2 O 3 , (Na 2 O + K 2 O), PbO are used so that the softening point is in the range of 650 to 780 ° C.
Need to be appropriately determined within the above numerical range.

【0022】本発明のガラスセラミックス組成物におい
て、軟化点を650〜780℃としたが、この数値範囲
に限定したのは、これらの物性が下限値を下回るとAg
系又はAu系の導体材料と共に焼成する際にセラミック
は焼結するが導体材料が十分焼結しないおそれがあり、
これらの物性が上限値を上回ると焼成温度が高くなりす
ぎてAg又はAuが絶縁基板に拡散するおそれがあるか
らである。
In the glass-ceramic composition of the present invention, the softening point was set at 650 to 780 ° C., but the reason why the softening point was limited to this range was that if these physical properties were lower than the lower limit, the softening point was changed to Ag.
When sintering together with Au-based or Au-based conductor material, the ceramic sinters, but the conductor material may not be sufficiently sintered,
If these properties exceed the upper limit, the firing temperature becomes too high and Ag or Au may diffuse into the insulating substrate.

【0023】また、軟化点と屈伏点(変形温度ともい
う)との差は95℃以上が好ましい。その理由はこの差
が95℃未満ではAg系又はAu系導体材料と共に焼成
した際の反りが大きくなるからである。特にこの差は9
5〜120℃であることが好ましい。なお、同様の理由
から、屈伏点は555〜685℃、ガラス転移点は52
0〜620℃の範囲であることが好ましい。
The difference between the softening point and the yield point (also referred to as the deformation temperature) is preferably 95 ° C. or more. The reason is that if this difference is less than 95 ° C., the warpage when firing together with the Ag-based or Au-based conductor material becomes large. Especially this difference is 9
Preferably it is 5 to 120 ° C. For the same reason, the yield point is 555-685 ° C., and the glass transition point is 52
It is preferably in the range of 0 to 620 ° C.

【0024】本発明のガラスセラミックス組成物は、ガ
ラス成分にPbOを含むため、焼成は酸化雰囲気下(例
えば大気雰囲気下)で行うことが好ましい。還元雰囲気
下で焼成した場合には、PbOが還元されて絶縁抵抗の
低下を引き起こすおそれがあるからである。また、この
ように酸化雰囲気下で焼成を行う場合には、導体材料と
して酸化されにくいAg系又はAu系を用いることが好
ましく、例えばAg系導体材料としてはAg−Pd、A
g−Ptなどを用いることができる。更に、焼成しよう
とするグリーンシート中の有機物を蒸発(焼失)させる
と共に、導体材料とのマッチング性(ガラスセラミック
と導体材料を焼成した際の両者の焼結性、Ag又はAu
の拡散防止等)を考慮すると、焼成温度は800〜93
0℃とすることが好ましい。
Since the glass-ceramic composition of the present invention contains PbO in the glass component, it is preferable that the firing be performed in an oxidizing atmosphere (for example, in an air atmosphere). This is because when firing in a reducing atmosphere, PbO may be reduced to cause a decrease in insulation resistance. In the case where firing is performed in an oxidizing atmosphere as described above, it is preferable to use an Ag-based or Au-based material that is hardly oxidized as a conductor material. For example, Ag-Pd, A
g-Pt or the like can be used. Further, the organic matter in the green sheet to be fired is evaporated (burned out), and at the same time, the matching property with the conductor material (the sinterability of both the glass ceramic and the conductor material when the conductor material is fired, Ag or Au).
Taking into account the prevention of the diffusion of
The temperature is preferably set to 0 ° C.

【0025】[0025]

【実施例】[実施例1〜5、比較例1〜5]表1のガラ
ス組成となるように各種成分を混合し、これを溶融後固
化、粉砕し、平均粒径3〜5μmのガラス粉末を得た。
そして、このガラス粉末と、平均粒径3μmのα−アル
ミナとを表1の割合で混合し、実施例1〜5、比較例1
〜5のガラスセラミック組成物を得た。次いで、各ガラ
スセラミック組成物100重量部に対して、バインダ成
分としてアクリル系の樹脂を10重量部、可塑剤として
ジブチルフタレートを5重量部、さらに有機溶剤として
メチルエチルケトンを適量添加して混合し、スラリーに
した後、ドクターブレード法によりグリーンシート(厚
み0.3mm)を作製した。
EXAMPLES [Examples 1 to 5, Comparative Examples 1 to 5] Various components were mixed so as to obtain the glass compositions shown in Table 1, and then melted, solidified and pulverized to obtain glass powder having an average particle size of 3 to 5 μm. I got
Then, this glass powder and α-alumina having an average particle size of 3 μm were mixed at the ratio shown in Table 1, and Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 were mixed.
~ 5 glass ceramic compositions were obtained. Next, 10 parts by weight of an acrylic resin as a binder component, 5 parts by weight of dibutyl phthalate as a plasticizer, and an appropriate amount of methyl ethyl ketone as an organic solvent were added to 100 parts by weight of each glass ceramic composition, and mixed and mixed. After that, a green sheet (thickness: 0.3 mm) was produced by a doctor blade method.

【0026】尚、ガラス転移点、軟化点、屈伏点は、測
定器として(株)リガク製の型式:TG−DTA TA
S300を用い、試料粉末を白金製のアンプルに30〜
50mg入れ、室温から1200℃までを10℃/mi
nにて昇温することにより行った。
The glass transition point, softening point and sagging point were measured by Rigaku Corporation as TG-DTA TA.
Using S300, put the sample powder in a platinum ampoule
50 mg, 10 ° C / mi from room temperature to 1200 ° C
The temperature was raised at n.

【0027】[0027]

【表1】 ・セラミックの種々の特性試験 得られたグリーンシートを表2に記載した焼成温度にて
焼成して絶縁基板とし、該基板について下記の項目を評
価した。その結果を表2に示した。
[Table 1] Various Ceramic Property Tests The obtained green sheets were fired at the firing temperatures shown in Table 2 to form insulating substrates, and the following items were evaluated for the substrates. The results are shown in Table 2.

【0028】見かけ気孔率:JIS−C2141(電
気絶縁用セラミック材料試験方法)に準じて試験を行っ
た。
Apparent porosity: The test was performed according to JIS-C2141 (Testing method for ceramic materials for electrical insulation).

【0029】曲げ強度:JIS−R1601(ファイ
ンセラミックスの曲げ強さ試験方法)にて3点曲げ試験
を行った。
Bending strength: A three-point bending test was performed according to JIS-R1601 (Bending strength test method for fine ceramics).

【0030】ヤング率:JIS−R1602の超音波
パルス法にて行った。
Young's modulus: This was measured by the ultrasonic pulse method of JIS-R1602.

【0031】誘電率、誘電損失:基板を厚み0.63
mmに研磨加工した後、誘電体共振器摂動法にて測定し
た。
Dielectric constant, dielectric loss: thickness of substrate is 0.63
After being polished to a thickness of 0.2 mm, the measurement was performed by the dielectric resonator perturbation method.

【0032】耐電圧:JIS−C2110にて行っ
た。
Withstand voltage: Measured according to JIS-C2110.

【0033】熱膨張率:JIS−R1618にて行っ
た。
Thermal expansion coefficient: Measured according to JIS-R1618.

【0034】熱伝導率:JIS−R1611にて行っ
た。
Thermal conductivity: Measured according to JIS-R1611.

【0035】・同時焼結性試験 Agメタライズペーストを次のようにして調製した。即
ち、平均粒径3μmのAg粉末100重量部に対して、
ガラスセラミック組成物中のガラスと同じ組成のガラス
粉末を2重量部添加し、これに有機バインダとしてエチ
ルセルロース及び溶剤としてブチルカルビトールを定量
添加し、3本ロールにて混合することにより、調製し
た。得られたペーストを、縦50×横50×厚み0.3
(mm)のグリーンシートに縦30×横30×厚み20
(μm)の条件にてスクリーン印刷した。これを表2中
に記載のあるそれぞれのセラミックの焼成温度にて焼成
してAg粉末とセラミックを同時に焼結させ、焼成後の
回路基板の反りを測定した。またその際の基板の着色を
目視にて評価した。その結果を表2に示した。なお、A
g拡散発生時には基板と導体との境界部が黄色に着色し
た。
-Simultaneous sinterability test An Ag metallized paste was prepared as follows. That is, for 100 parts by weight of Ag powder having an average particle size of 3 μm,
A glass powder was prepared by adding 2 parts by weight of glass powder having the same composition as the glass in the glass ceramic composition, quantitatively adding ethyl cellulose as an organic binder and butyl carbitol as a solvent, and mixing with a three-roll mill. The obtained paste is vertically 50 × horizontal 50 × thickness 0.3.
(Mm) green sheet 30 × 30 × 20
(Μm) screen printing. This was fired at the firing temperature of each ceramic described in Table 2 to simultaneously sinter the Ag powder and the ceramic, and the warpage of the fired circuit board was measured. The coloring of the substrate at that time was visually evaluated. The results are shown in Table 2. Note that A
At the time of g diffusion, the boundary between the substrate and the conductor was colored yellow.

【0036】[0036]

【表2】 ・評価結果 表2から明らかなように、実施例1のガラスセラミック
組成物から得られた絶縁基板及び回路基板は、いずれの
セラミック特性も良好であり、Ag系導体材料と共に焼
成した際の反りも極めて少なくAg拡散もみられず、グ
リーンシート、回路基板として満足のいく特性が得られ
た。
[Table 2] Evaluation Results As is evident from Table 2, the insulating substrate and the circuit board obtained from the glass ceramic composition of Example 1 had good ceramic characteristics, and also exhibited warpage when fired with an Ag-based conductor material. Very little Ag diffusion was observed, and satisfactory characteristics as a green sheet and a circuit board were obtained.

【0037】実施例2、3のガラスセラミック組成物か
ら得られた絶縁基板及び回路基板は、実施例1と比較し
て、ガラスとアルミナの重量比が異なる以外は同様であ
るが、実施例1と同様、いずれのセラミック特性も良好
であり、Ag系導体材料と共に焼成した際の反りが極め
て少なくAg拡散もみられず、グリーンシート、回路基
板として満足のいく特性が得られた。
The insulating substrates and circuit boards obtained from the glass-ceramic compositions of Examples 2 and 3 were the same as Example 1 except that the weight ratio of glass to alumina was different. Similarly to the above, all the ceramic characteristics were good, the warpage when sintered with an Ag-based conductor material was extremely small, and no Ag diffusion was observed, and satisfactory characteristics as a green sheet and a circuit board were obtained.

【0038】実施例4、5のガラスセラミック組成物か
ら得られた絶縁基板及び回路基板は、実施例1と比較し
て、ガラス組成が異なる以外はほぼ同様であるが、実施
例1と同様、Ag系導体材料と共に焼成した際の反りが
極めて少なくAg拡散もみられなかった。なお、実施例
4は、軟化点を低下させる主成分である“B23とK 2
O+Na2OとPbO”の合計量が他の実施例に比べて
少ないため、軟化点が高くなった。
The glass-ceramic compositions of Examples 4 and 5
The obtained insulating substrate and circuit board were compared with those in Example 1.
Therefore, it is almost the same except that the glass composition is different.
As in Example 1, warpage when fired with an Ag-based conductor material was
Very little Ag diffusion was observed. Example
No. 4 is "B" which is a main component for lowering the softening point.TwoOThreeAnd K Two
O + NaTwoThe total amount of O and PbO "is smaller than in the other embodiments.
Due to the small number, the softening point was high.

【0039】比較例1のガラスセラミック組成物から得
られた絶縁基板及び回路基板は、実施例1と比較して、
ガラス組成が異なる点(特にLi2Oを含む点)、およ
び、ガラス転移点Tg、屈伏点Td、軟化点Tsが共に
低い上、(Ts−Td)が86℃と小さい点が異なる以
外はほぼ同様であるが、Ag系導体材料と共に焼成した
際のAg拡散による変色がみられ、グリーンシート、回
路基板として満足のいく特性が得られなかった。
The insulating substrate and the circuit board obtained from the glass ceramic composition of Comparative Example 1 were different from those of Example 1 in that
Almost except that the glass composition is different (particularly the point containing Li 2 O), the glass transition point Tg, the sag point Td, and the softening point Ts are all low and (Ts−Td) is as small as 86 ° C. Similarly, discoloration due to Ag diffusion when sintering together with the Ag-based conductor material was observed, and satisfactory characteristics as a green sheet and a circuit board were not obtained.

【0040】比較例2のガラスセラミック組成物から得
られた絶縁基板及び回路基板は、実施例1と比較して、
ガラス組成が異なる点(特にLi2Oを含む点)および
(Ts−Td)が92℃と小さい点が異なる以外はほぼ
同様であるが、Ag系導体材料と共に焼成した際の反り
が大きく、Ag拡散による変色もみられ、グリーンシー
ト、回路基板として満足のいく特性が得られなかった。
The insulating substrate and the circuit board obtained from the glass ceramic composition of Comparative Example 2 were different from those of Example 1 in that
This is almost the same except that the glass composition is different (particularly, the point containing Li 2 O) and the (Ts−Td) is as small as 92 ° C., but the warpage when fired together with the Ag-based conductor material is large. Discoloration due to diffusion was also observed, and satisfactory characteristics as green sheets and circuit boards were not obtained.

【0041】比較例3、4のガラスセラミック組成物か
ら得られた絶縁基板及び回路基板は、実施例1と比較し
て、ガラスとアルミナの重量比が異なる以外はほぼ同様
であるが、ガラスが多すぎる比較例3ではセラミックの
曲げ強度が低く、ガラスが少なすぎる比較例4では見か
け気孔率がゼロにならず焼結が不十分であり、共に実用
に適さなかった。
The insulating substrates and circuit boards obtained from the glass-ceramic compositions of Comparative Examples 3 and 4 were almost the same as Example 1 except that the weight ratio of glass to alumina was different. In Comparative Example 3 which was too large, the flexural strength of the ceramic was low, and in Comparative Example 4 where the glass was too small, the apparent porosity was not zero and the sintering was insufficient, and both were not suitable for practical use.

【0042】尚、本発明の実施例1のガラスセラミック
組成物から得られた絶縁基板について、粉末X線回折を
行ったところ、アノサイト( anorthite )の存在が確
認された。
When the insulating substrate obtained from the glass ceramic composition of Example 1 of the present invention was subjected to powder X-ray diffraction, the presence of anorthite was confirmed.

【0043】本発明のガラスセラミック組成物から得ら
れる絶縁基板を応用してマイクロ波回路チップを作成す
ることができる。
A microwave circuit chip can be prepared by applying an insulating substrate obtained from the glass ceramic composition of the present invention.

【0044】次に、本発明を適用したマイクロ波回路チ
ップの一例としてのローパスフィルタ内蔵カプラと、そ
れを構成するインダクタンス回路及びキャパシタンス回
路について説明する。
Next, a coupler with a built-in low-pass filter as an example of a microwave circuit chip to which the present invention is applied, and an inductance circuit and a capacitance circuit constituting the coupler will be described.

【0045】図1は、携帯電話機に用いられるローパス
フィルタ内蔵カプラを示す概略図である。図1に示すよ
うに、ローパスフィルタ内蔵カプラ10は、8層の絶縁
基板12を積層して構成される。各絶縁基板12は、上
記実施例1の絶縁基板の表面などに必要な回路要素を形
成したものである。ローパスフィルタ内蔵カプラ10の
サイズは、長さ3.2mm、幅1.6mm、高さ1.3
mmである。図1は概略図であり、縦方向の縮尺と横方
向の縮尺とは同一でなないことに留意されたい。ローパ
スフィルタ内蔵カプラ10の両側面に形成された6つの
凹部11には、1つの層の回路要素と他の層の回路要素
とを電気的に接続するための層間導体としての配線13
が設けられている。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a coupler with a built-in low-pass filter used in a mobile phone. As shown in FIG. 1, the low-pass filter built-in coupler 10 is configured by laminating eight insulating substrates 12. Each insulating substrate 12 is one in which necessary circuit elements are formed on the surface of the insulating substrate of the first embodiment. The size of the low-pass filter built-in coupler 10 is 3.2 mm in length, 1.6 mm in width, and 1.3 in height.
mm. It should be noted that FIG. 1 is a schematic diagram, and the vertical scale and the horizontal scale are not the same. Wirings 13 as interlayer conductors for electrically connecting circuit elements of one layer and circuit elements of another layer are provided in six concave portions 11 formed on both side surfaces of the coupler 10 with a built-in low-pass filter.
Is provided.

【0046】図2(a)及び図2(b)は、図1に示す
ローパスフィルタ内蔵カプラの積層基板のうち、インダ
クタンス回路が設けられた基板とキャパシタンス回路が
設けられた基板とを示す図である。
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a substrate provided with an inductance circuit and a substrate provided with a capacitance circuit among the laminated substrates of the coupler with a built-in low-pass filter shown in FIG. is there.

【0047】図2(a)に示す絶縁基板12aには、イ
ンダクタンス回路14a及び14bと、層間導体として
のバイアホール導体16と、該バイアホール導体16と
電気的に接続されたコンタクト領域18とが形成されて
いる。図2(b)に示す絶縁基板12bには、キャパシ
タンス回路20a、20b及び20cが形成され、絶縁
基板12cには、キャパシタンス回路22が形成されて
いる。
On the insulating substrate 12a shown in FIG. 2A, inductance circuits 14a and 14b, a via-hole conductor 16 as an interlayer conductor, and a contact region 18 electrically connected to the via-hole conductor 16 are provided. Is formed. 2B, capacitance circuits 20a, 20b and 20c are formed on the insulating substrate 12b, and a capacitance circuit 22 is formed on the insulating substrate 12c.

【0048】図2(a)に示すインダクタンス回路14
a及び14bと、コンタクト領域18とは、絶縁基板1
2aの上に積層される絶縁基板の回路要素と電気的に接
続され、バイアホール導体16は、絶縁基板12aの下
に積層される絶縁基板の回路要素と電気的に接続され
る。図2(b)に示すキャパシタンス回路20a、20
b及び20cとキャパシタンス回路22との間で形成さ
れる静電容量により、キャパシタンスが形成される。
The inductance circuit 14 shown in FIG.
a and 14b and the contact region 18
The via-hole conductor 16 is electrically connected to the circuit element of the insulating substrate laminated below the insulating substrate 12a. The capacitance circuits 20a, 20 shown in FIG.
A capacitance is formed by the capacitance formed between b and 20c and the capacitance circuit 22.

【0049】次に、上述のローパスフィルタ内蔵カプラ
10の製造方法を、図3を参照して説明する。図3は、
図2(b)に示す絶縁基板12cを9個取りするセラミ
ックグリーンシートの平面図である。グリーンシート3
0の上面には、キャパシタンス回路を形成するための銀
ペーストからなる回路パターン32がスクリーン印刷に
より形成されている。図3において、点線34は各絶縁
基板を形成する際の切断線を示している。この点線34
に沿って、図1に示す凹部11を形成するための通孔3
6がパンチにより打ち抜かれている。
Next, a method for manufacturing the above-described coupler 10 with a built-in low-pass filter will be described with reference to FIG. FIG.
It is a top view of the ceramic green sheet which takes nine insulating substrates 12c shown in FIG.2 (b). Green sheet 3
A circuit pattern 32 made of silver paste for forming a capacitance circuit is formed on the upper surface of the screen 0 by screen printing. In FIG. 3, a dotted line 34 indicates a cutting line when each insulating substrate is formed. This dotted line 34
Along the through hole 3 for forming the recess 11 shown in FIG.
6 is punched by a punch.

【0050】各絶縁基板12に図2(a)及び図2
(b)に示すような必要な回路パターンを形成したもの
を8層積層し、次に、通孔36の内壁面に銀プラチナペ
ーストをスクリーン印刷法で印刷する。次に、図3に示
す点線34に沿って切断を行う。次に、絶縁基板を構成
するグリーンシート及び回路パターンを構成する銀プラ
チナペーストを同時に焼成する。これにより、図1に示
すローパスフィルタ内蔵カプラが得られる。
FIG. 2A and FIG.
Eight layers each having a necessary circuit pattern as shown in (b) are laminated, and then silver platinum paste is printed on the inner wall surface of the through hole 36 by a screen printing method. Next, cutting is performed along a dotted line 34 shown in FIG. Next, the green sheet forming the insulating substrate and the silver platinum paste forming the circuit pattern are simultaneously fired. Thus, the coupler with a built-in low-pass filter shown in FIG. 1 is obtained.

【0051】図4は、本発明が適用されたパワーアンプ
を示す一部切欠断面図である。図4に示すように、パワ
ーアンプ40は、4層の絶縁基板42a〜42dを積層
して構成されるが、積層基板41の中央部にはキャビテ
ィ44が設けられている。キャビティ44の領域におけ
る絶縁基板42c、42dは2層構造をなしている。こ
のキャビティ44を規定する絶縁基板42b上には、集
積回路が作りつけられた半導体チップ46が搭載されて
いる。キャビティ44を取り囲むステップ部48と半導
体チップ46とは、ボンディングワイヤ50により電気
的に接続されている。最上層である第4層の絶縁基板4
2d上には、抵抗等のチップ部品52が取り付けられて
いる。積層基板41の内部には、配線層54やバイアホ
ール導体56が設けられている。
FIG. 4 is a partially cutaway sectional view showing a power amplifier to which the present invention is applied. As shown in FIG. 4, the power amplifier 40 is configured by laminating four layers of insulating substrates 42 a to 42 d, and a cavity 44 is provided in the center of the laminated substrate 41. The insulating substrates 42c and 42d in the region of the cavity 44 have a two-layer structure. On the insulating substrate 42b defining the cavity 44, a semiconductor chip 46 on which an integrated circuit is formed is mounted. The step portion 48 surrounding the cavity 44 and the semiconductor chip 46 are electrically connected by bonding wires 50. Fourth-layer insulating substrate 4 as the uppermost layer
A chip component 52 such as a resistor is mounted on 2d. The wiring layer 54 and the via-hole conductor 56 are provided inside the laminated substrate 41.

【0052】次に、上記パワーアンプの製造方法につい
て説明するが、はじめに、該パワーアンプに用いられる
積層基板の製造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing the power amplifier will be described. First, a method of manufacturing a laminated substrate used in the power amplifier will be described.

【0053】上述の実施例1と同様に、グリーンシート
(厚み0.15mm)を作成し、100mm×100m
mの大きさに切断したものを準備する。各層のグリーン
シートには、必要な回路パターンをAg及び/又はPt
のペーストを用いてスクリーン印刷法によりマトリック
ス状に印刷し、また、下から3層目及び4層目となるシ
ートには、ステップ部48及びキャビティ44を形成す
るための通孔をマトリックス状に形成する。次に、回路
パターンが印刷されたグリーンシートを積層して、グリ
ーンシートと回路を形成するAg及び/又はPtペース
トを同時焼成する。焼成した大型積層基板を図6〜図8
に示す。
A green sheet (thickness: 0.15 mm) was prepared in the same manner as in Example 1 described above, and 100 mm × 100 m
Prepare a piece cut to the size of m. In the green sheet of each layer, a necessary circuit pattern is made of Ag and / or Pt.
Is printed in the form of a matrix by screen printing using the paste described above, and through holes for forming the step portions 48 and the cavities 44 are formed in the form of a matrix in the sheets forming the third and fourth layers from the bottom. I do. Next, the green sheets on which the circuit patterns are printed are laminated, and the green sheets and the Ag and / or Pt paste forming the circuits are simultaneously fired. 6 to 8 show the fired large laminated substrate.
Shown in

【0054】図6に示すように、大型積層基板60は、
互いに直交するX方向及びY方向に拡がる多数のチップ
領域62からなり、点線で示す切断線64で切断するこ
とにより、1つの積層基板60から多数個のパワーアン
プ用基板を作ることができる。
As shown in FIG. 6, a large laminated substrate 60 is
A large number of power amplifier substrates can be formed from one laminated substrate 60 by cutting along a cutting line 64 indicated by a dotted line, comprising a large number of chip regions 62 extending in the X direction and the Y direction orthogonal to each other.

【0055】図7は、図6に示す線VII−VIIに沿った断
面図である。図7に示すように、縁部を除く積層基板の
長さは63mmであり、1つのチップ領域の長さは7m
mである。また、積層基板60全体の長さは75mmで
ある。
FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII shown in FIG. As shown in FIG. 7, the length of the laminated substrate excluding the edge is 63 mm, and the length of one chip region is 7 m.
m. The overall length of the laminated substrate 60 is 75 mm.

【0056】図8は、図7に示す部分Sの拡大図であ
る。図8に示すように、積層基板60は、層La、L
b、Lc及びLdからなる。各層には、金属配線、パッ
ド等を形成するためにメタライズ層が設けられる。層L
aの下面には、AgPtメタライズ層が設けられ、上面
にはAgメタライズ層が設けられる。層Lb、層Lc及
び層Ldの上面にはAgPtメタライズ層が設けられ
る。また、層Laの下面と、層Lb、Lc及びLdの露
出部には、メタライズ層を覆うようにして絶縁のための
セラミックコートが形成される。このように、積層基板
60は、Ag及び/又はPtのメタライズ層が設けられ
た絶縁基板を、複数枚積層したものを焼成したものであ
るが、上述したように、絶縁基板の組成を本発明の範囲
内とすることにより、該絶縁基板が導体層と物性的にマ
ッチングするため、上記のような大型積層基板60を作
成しても焼成後の積層基板に反りや変形は殆どない。
FIG. 8 is an enlarged view of the portion S shown in FIG. As shown in FIG. 8, the laminated substrate 60 includes layers La, L
b, Lc and Ld. Each layer is provided with a metallized layer for forming a metal wiring, a pad and the like. Layer L
On the lower surface of a, an AgPt metallized layer is provided, and on the upper surface, an Ag metallized layer is provided. An AgPt metallized layer is provided on the upper surfaces of the layers Lb, Lc, and Ld. A ceramic coat for insulation is formed on the lower surface of the layer La and on the exposed portions of the layers Lb, Lc and Ld so as to cover the metallized layer. As described above, the laminated substrate 60 is obtained by firing a laminate of a plurality of insulating substrates provided with a metallized layer of Ag and / or Pt. When the thickness is within the range, the insulating substrate is physically matched with the conductor layer. Therefore, even if the large-sized laminated substrate 60 is formed as described above, the laminated substrate after firing hardly warps or deforms.

【0057】次に、集積回路及びチップ部品を実装し、
図示しない電磁シールド用メタルキャップが取り付けら
れる。その後、図6に示す点線64で切断する。これに
より、1つの基板から多数のパワーアンプ部品が得られ
る。
Next, the integrated circuit and the chip parts are mounted,
An electromagnetic shield metal cap (not shown) is attached. Thereafter, cutting is performed along a dotted line 64 shown in FIG. Thereby, many power amplifier components can be obtained from one substrate.

【0058】図4に示すパワーアンプは、図5に示す従
来のパワーアンプに比べて小型化している。これは、従
来のパワーアンプ用基板は1層の基板410からなるの
で、基板表面にしか配線及び回路要素を設けることがで
きないため、大きな面積が必要であったためである。本
発明が適用された積層基板では基板内部に配線及び必要
であれば回路要素を設けることができるため、従来より
もコンパクトなパワーアンプが得られる。
The power amplifier shown in FIG. 4 is smaller than the conventional power amplifier shown in FIG. This is because the conventional power amplifier substrate is composed of the single-layer substrate 410, so that wiring and circuit elements can be provided only on the substrate surface, so that a large area is required. In the laminated substrate to which the present invention is applied, wiring and circuit elements can be provided inside the substrate if necessary, so that a more compact power amplifier than before can be obtained.

【0059】以上のように、本発明が適用された内部に
メタライズ層を有する積層基板は、大型であっても反り
や変形がないことが特徴である。たとえば、上記75m
m×75mmの4層の大型積層基板60における焼成後
の反りは40μm以下である。従って、このような大型
の積層基板を用いて、パワーアンプを高い生産効率で作
ることができる。また、パワーアンプを小型化すること
ができる。
As described above, the laminated substrate to which the present invention is applied and which has a metallized layer inside is characterized in that it is not warped or deformed even if it is large. For example, the above 75m
The warpage of the large-sized laminated substrate 60 having four layers of m × 75 mm after firing is 40 μm or less. Therefore, a power amplifier can be manufactured with high production efficiency using such a large-sized laminated substrate. Further, the power amplifier can be downsized.

【0060】なお、上記実施例では、本発明が適用され
る回路構成として、ローパスフィルタ内蔵カプラとパワ
ーアンプについて説明したが、本発明はローパスフィル
タ、ハイパスフィルタ等のフィルタ回路、その他のマイ
クロ波回路に応用することができる。
In the above embodiment, a coupler with a built-in low-pass filter and a power amplifier have been described as circuit configurations to which the present invention is applied. However, the present invention relates to filter circuits such as a low-pass filter and a high-pass filter, and other microwave circuits. It can be applied to

【0061】尚、本発明の実施の形態は、上記実施形態
に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に
属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもな
い。
The embodiments of the present invention are not limited to the above-mentioned embodiments at all, and it goes without saying that various forms can be adopted as long as they fall within the technical scope of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例が適用された、携帯電話に用
いられるローパスフィルタ内蔵カプラを示す概略図であ
る。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a low-pass filter built-in coupler used in a mobile phone to which an embodiment of the present invention is applied.

【図2】図1に示すローパスフィルタ内蔵カプラの積層
基板を示す斜視図であり、(a)は、インダクタンス回
路が設けられた基板を示し、(b)は、キャパシタンス
回路が設けられた基板を示す。
2A and 2B are perspective views showing a laminated substrate of the coupler with a built-in low-pass filter shown in FIG. 1, wherein FIG. 2A shows a substrate provided with an inductance circuit, and FIG. 2B shows a substrate provided with a capacitance circuit; Show.

【図3】図2(b)に示す絶縁基板を9個取りするセラ
ミックグリーンシートの平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a ceramic green sheet for obtaining nine insulating substrates shown in FIG. 2 (b).

【図4】本発明が適用されたパワーアンプを示す一部切
り欠き断面図である。
FIG. 4 is a partially cutaway sectional view showing a power amplifier to which the present invention is applied.

【図5】従来のパワーアンプの側面図である。FIG. 5 is a side view of a conventional power amplifier.

【図6】本発明が適用された大型積層基板を示す斜視図
である。
FIG. 6 is a perspective view showing a large laminated substrate to which the present invention is applied.

【図7】図6に示す線VII−VIIに沿う断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII shown in FIG. 6;

【図8】図7に示す領域Sの拡大図である。8 is an enlarged view of a region S shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10−−−ローパスフィルタ内蔵カプラ 12,12a,12b,12c−−−絶縁基板 14a,14b−−−インダクタンス回路 20a,20b,20c−−−キャパシタンス回路 22−−−キャパシタンス回路 30−−−グリーンシート 32−−−回路パターン 34−−−切断線 40−−パワーアンプ 41−−−積層基板 42a,42b,42c,42d−−−絶縁基板 54−−−配線層 56−−−バイアホール導体 60−−−大型積層基板 62−−−チップ領域 64−−−切断線 10 --- Coupler with built-in low-pass filter 12, 12a, 12b, 12c --- Insulating substrate 14a, 14b --- Inductance circuit 20a, 20b, 20c --- Capacitance circuit 22 --- Capacitance circuit 30 --- Green sheet 32 --- Circuit pattern 34 --- Cutting line 40 --- Power amplifier 41 --- Multi-layer board 42a, 42b, 42c, 42d --- Insulating board 54 --- Wiring layer 56 --- Via-hole conductor 60- --- Large laminated substrate 62 ---- Chip area 64 ----- Cutting line

フロントページの続き (72)発明者 吉田 美隆 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Fターム(参考) 4G030 AA07 AA08 AA09 AA16 AA36 AA37 BA12 CA08 GA20 GA25 GA27 PA07 PA22 5E346 AA12 AA15 AA38 BB01 CC18 CC38 CC39 DD02 EE24 EE27 GG08 GG09 Continued on the front page (72) Inventor Yoshitaka Yoshida 14-18 Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi F-term in Japan Special Ceramics Co., Ltd. 4G030 AA07 AA08 AA09 AA16 AA36 AA37 BA12 CA08 GA20 GA25 GA27 PA07 PA22 5E346 AA12 AA15 AA38 BB01 CC18 CC38 CC39 DD02 EE24 EE27 GG08 GG09

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラスセラミック組成物であって、 ガラスとセラミックとの重量比が40〜60:60〜4
0であり、 前記ガラスの組成は、 SiO2:40〜60重量%、 Al23:5〜9重量%、 B23:1〜10重量%、 Na2O+K2O:3〜5重量%、 CaO+MgO+ZnO:3〜15重量%、 PbO:15〜40重量%であってLi2Oを含まず、 前記ガラスの軟化点が650〜780℃であることを特
徴とするガラスセラミック組成物。
1. A glass-ceramic composition wherein the weight ratio of glass to ceramic is 40-60: 60-4.
0, the composition of the glass, SiO 2: 40 to 60 wt%, Al 2 O 3: 5~9 wt%, B 2 O 3: 1~10 wt%, Na 2 O + K 2 O: 3~5 A glass-ceramic composition, characterized in that the weight percentage of CaO + MgO + ZnO: 3 to 15% by weight, the content of PbO: 15 to 40% by weight and not containing Li 2 O, and the softening point of the glass is 650 to 780 ° C.
【請求項2】 前記ガラスの軟化点と屈伏点との差が9
5℃以上であることを特徴とする請求項1に記載のガラ
スセラミック組成物。
2. The method according to claim 1, wherein the difference between the softening point and the sag point of the glass is 9
The glass ceramic composition according to claim 1, wherein the temperature is 5 ° C or higher.
【請求項3】 前記ガラスのガラス転移点が520〜6
20℃であることを特徴とする請求項1又は2に記載の
ガラスセラミック組成物。
3. The glass transition point of said glass is 520-6.
The glass-ceramic composition according to claim 1, wherein the temperature is 20 ° C. 4.
【請求項4】 前記セラミックが、アルミナ、シリカ、
ムライト、マグネシア、チタニア、ジルコニア、スピネ
ル、フォルステライト、チタン酸ストロンチウム、チタ
ン酸カルシウム又はこれらの混合物であることを特徴と
する、請求項1〜3のいずれかに記載のガラスセラミッ
ク組成物。
4. The method according to claim 1, wherein the ceramic is alumina, silica,
The glass-ceramic composition according to any one of claims 1 to 3, which is mullite, magnesia, titania, zirconia, spinel, forsterite, strontium titanate, calcium titanate or a mixture thereof.
【請求項5】 回路基板であって、 複数枚の絶縁基板が積層されてなる積層基板と、 前記複数枚の絶縁基板の各々の少なくとも表面に形成さ
れた導体回路と、 を含み、 前記絶縁基板が、請求項1〜4のいずれかに記載のガラ
スセラミック組成物からなることを特徴とする回路基
板。
5. A circuit board, comprising: a laminated substrate formed by laminating a plurality of insulating substrates; and a conductor circuit formed on at least a surface of each of the plurality of insulating substrates. A circuit board comprising the glass ceramic composition according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 前記導体回路は、Ag系又はAu系の導
体からなることを特徴とする、請求項5記載の回路基
板。
6. The circuit board according to claim 5, wherein the conductor circuit is made of an Ag-based or Au-based conductor.
【請求項7】 前記積層基板において、1つの絶縁基板
の表面に形成された導体回路が、それとは異なる絶縁基
板の表面に形成された導体回路に、層間導体により電気
的に接続されていることを特徴とする、請求項5又は6
に記載の回路基板。
7. In the laminated substrate, a conductor circuit formed on a surface of one insulating substrate is electrically connected to a conductor circuit formed on a surface of a different insulating substrate by an interlayer conductor. 7. The method according to claim 5, wherein
A circuit board according to claim 1.
【請求項8】 前記導体回路は、インダクタンス回路又
はキャパシタンス回路を有することを特徴とする請求項
5〜7のいずれかに記載の回路基板。
8. The circuit board according to claim 5, wherein the conductor circuit has an inductance circuit or a capacitance circuit.
【請求項9】 回路基板の製造方法であって、 請求項1〜4のいずれかに記載のガラスセラミック組成
物からなるグリーンシートを得るステップと、 前記グリーンシートの少なくとも表面に、Ag系あるい
はAu系の導体層を形成するステップと、 導体層が形成されたグリーンシートを、複数枚積層する
ステップと、 積層されたグリーンシートを、酸化雰囲気下、焼成温度
800〜930℃で焼成するステップと、 を備えた回路基板の製造方法。
9. A method for producing a circuit board, comprising: obtaining a green sheet comprising the glass-ceramic composition according to claim 1; and at least a surface of the green sheet comprising an Ag-based or Au-based sheet. Forming a series of conductive layers, laminating a plurality of green sheets on which the conductive layers are formed, and firing the stacked green sheets at a firing temperature of 800 to 930 ° C. in an oxidizing atmosphere. The manufacturing method of the circuit board provided with.
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