JP2001043987A - Discharge lamp device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車の前照灯に
用いられる高圧放電灯を点灯させる放電灯装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a discharge lamp device for lighting a high-pressure discharge lamp used for a headlight of an automobile.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、高圧放電灯（以下、ランプとい
う）の点灯装置（以下、バラストという）においては、
ランプの点灯始動時に、スタータトランスを用いて高電
圧パルスを得、この高電圧パルスによりランプの電極間
に絶縁破壊による放電を生じさせてアーク放電を形成
し、その後、安定点灯に移行させるようにしている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a lighting device (hereinafter, referred to as a ballast) for a high pressure discharge lamp (hereinafter, referred to as a lamp),
At the start of lamp lighting, a starter transformer is used to obtain a high-voltage pulse, and this high-voltage pulse causes a discharge due to dielectric breakdown between the electrodes of the lamp to form an arc discharge. ing.
【０００３】本発明者らは、このようなバラストとし
て、以下に示すものを試作し、検討を行った。図４は、
そのバラスト２００の電気的な回路構成を示しており、
図５は、バラスト２００の組付け構造を示している。以
下、図４、図５を用いてバラスト２００についての説明
を行う。[0003] The present inventors have prototyped and studied the following ballast as such a ballast. FIG.
It shows an electrical circuit configuration of the ballast 200,
FIG. 5 shows an assembly structure of the ballast 200. Hereinafter, the ballast 200 will be described with reference to FIGS.
【０００４】まず、図４に基づいてバラスト２００の回
路構成を説明する。First, the circuit configuration of the ballast 200 will be described with reference to FIG.
【０００５】バラスト２００は、直流電源である車載バ
ッテリ１に接続されており、点灯スイッチＳＷがオンさ
れると、自動車用前照灯として用いられるランプ２に電
力供給を行うように構成されている。このバラスト２０
０は、フィルタ回路３、直流電源回路としてのＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ４、点灯補助回路５、インバータ回路６、
始動回路７などの回路機能部を有している。[0005] The ballast 200 is connected to a vehicle-mounted battery 1 which is a DC power supply, and is configured to supply power to a lamp 2 used as a vehicle headlight when a lighting switch SW is turned on. . This ballast 20
0 is a filter circuit 3, DC-D as a DC power supply circuit
C converter 4, lighting auxiliary circuit 5, inverter circuit 6,
It has a circuit function unit such as a starting circuit 7.
【０００６】フィルタ回路３は、コンダクタ３１とコン
デンサ３２によって構成されており、ＤＣ−ＤＣコンバ
ータ４が発生する電磁波ノイズを除去する役割を果た
す。[0006] The filter circuit 3 is composed of a conductor 31 and a capacitor 32 and plays a role in removing electromagnetic wave noise generated by the DC-DC converter 4.
【０００７】ＤＣ−ＤＣコンバータ４は、バッテリ１側
に配された１次巻線４１ａとランプ２側に配された２次
巻線４１ｂを有するフライバックトランス４１と、１次
巻線４１ａに接続されたスイッチング素子としてのＭＯ
Ｓトランジスタ４２と、２次巻線４１ｂに接続された整
流用のダイオード４３と、出力平滑用のコンデンサ４
４、及びコンデンサ４５から構成され、バッテリ電圧Ｖ
Ｂを昇圧した昇圧電圧を出力する。すなわち、ＭＯＳト
ランジスタ４２がオンすると、１次巻線４１ａに１次電
流が流れて１次巻線４１ａにエネルギーが蓄えられ、Ｍ
ＯＳトランジスタ４２がオフすると、１次巻線４１ａの
エネルギーが２次巻線４１ｂを介して放出される。そし
て、このような動作を繰り返すことにより、ダイオード
４３と平滑用コンデンサ４４の接続点から高電圧を出力
する。The DC-DC converter 4 is connected to a flyback transformer 41 having a primary winding 41a provided on the battery 1 side and a secondary winding 41b provided on the lamp 2 side, and the primary winding 41a. MO as switching element
S transistor 42, rectifier diode 43 connected to secondary winding 41b, and output smoothing capacitor 4
4 and a capacitor 45, and the battery voltage V
A boosted voltage obtained by boosting B is output. That is, when the MOS transistor 42 is turned on, a primary current flows through the primary winding 41a and energy is stored in the primary winding 41a.
When the OS transistor 42 is turned off, the energy of the primary winding 41a is released via the secondary winding 41b. By repeating such an operation, a high voltage is output from the connection point between the diode 43 and the smoothing capacitor 44.
【０００８】点灯補助回路５は、コンデンサ５１と抵抗
５２から構成され、点灯スイッチＳＷがオンした後にラ
ンプ２への印加電圧と同じ電圧にコンデンサ５１が充電
されると共に、ランプ２の電極間での絶縁破壊によりラ
ンプ両端間の電圧が低下すると、コンデンサ５１に充電
された電荷をランプ２を介して放電させることにより速
やかにアーク放電に移行させる。The lighting auxiliary circuit 5 comprises a capacitor 51 and a resistor 52. After the lighting switch SW is turned on, the capacitor 51 is charged to the same voltage as the voltage applied to the lamp 2, and the voltage between the electrodes of the lamp 2 is increased. When the voltage between both ends of the lamp decreases due to the dielectric breakdown, the electric charge charged in the capacitor 51 is discharged through the lamp 2 so as to promptly shift to arc discharge.
【０００９】インバータ回路６は、ランプ２を交流（矩
形波）点灯させるもので、Ｈブリッジ回路６１とブリッ
ジ駆動回路６２、６３から構成されている。Ｈブリッジ
回路６１は、Ｈブリッジ状に配置された半導体スイッチ
ング素子を成すＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄから
なる。ブリッジ駆動回路６２、６３は、制御回路１０か
らの制御信号によって、ＭＯＳトランジスタ６１ａ、６
１ｄとＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃを交互にオン
オフ駆動する。この結果、ランプ２の放電電流の向きが
交互に切り替わり、ランプ２の印加電圧（放電電圧）の
極性が反転してランプ２が交流点灯する。The inverter circuit 6 illuminates the lamp 2 with an alternating current (rectangular wave) and comprises an H-bridge circuit 61 and bridge drive circuits 62 and 63. The H-bridge circuit 61 includes MOS transistors 61a to 61d which form semiconductor switching elements arranged in an H-bridge shape. The bridge drive circuits 62 and 63 control the MOS transistors 61a and 61
1d and the MOS transistors 61b and 61c are alternately turned on and off. As a result, the direction of the discharge current of the lamp 2 is alternately switched, the polarity of the applied voltage (discharge voltage) of the lamp 2 is reversed, and the lamp 2 is turned on by AC.
【００１０】始動回路７は、Ｈブリッジ回路６１の中点
電位とバッテリ１の負極端子との間に配置され、１次巻
線７１ａと２次巻線７１ｂを有する高電圧発生用トラン
ス７１、ダイオード７２、抵抗７４、コンデンサ７５、
及び一方向性半導体素子であるサイリスタ７６から構成
されている。なお、高電圧発生用トランス７１の１次巻
線７１ａはコンデンサ７５に接続され、２次巻線７１ｂ
はＨブリッジ回路６１とランプ２との間に設けられてい
る。The starting circuit 7 is disposed between the midpoint potential of the H-bridge circuit 61 and the negative terminal of the battery 1, and includes a transformer 71 for generating high voltage having a primary winding 71a and a secondary winding 71b, 72, a resistor 74, a capacitor 75,
And a thyristor 76 which is a unidirectional semiconductor element. The primary winding 71a of the high-voltage generating transformer 71 is connected to the capacitor 75, and the secondary winding 71b
Is provided between the H-bridge circuit 61 and the lamp 2.
【００１１】そして、この始動回路７は、ランプ２の点
灯始動時にランプ２に高電圧パルスを印加してランプ２
を点灯させる。すなわち、点灯スイッチＳＷがオンする
と、ＭＯＳトランジスタ６１ａ、６１ｄとＭＯＳトラン
ジスタ６１ｂ、６１ｃが交互にオンオフ駆動され、ＭＯ
Ｓトランジスタ６１ｂ、６１ｃがオンの時にコンデンサ
７５が充電され、ＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃが
オフの時にサイリスタ７６がオンするよう制御回路１０
にてサイリスタ７６のゲート信号が制御される。The starting circuit 7 applies a high-voltage pulse to the lamp 2 at the start of lighting of the lamp 2 to
Lights up. That is, when the lighting switch SW is turned on, the MOS transistors 61a and 61d and the MOS transistors 61b and 61c are alternately turned on and off, and the
When the S transistors 61b and 61c are turned on, the capacitor 75 is charged, and when the MOS transistors 61b and 61c are turned off, the thyristor 76 is turned on.
Controls the gate signal of the thyristor 76.
【００１２】サイリスタ７６にゲート信号が印加される
と、コンデンサ７５が高電圧発生用トランス７１の１次
巻線７１ａを介して放電し、高電圧発生用トランス７１
の２次巻線７１ｂに高電圧パルスが発生する。この高電
圧パルスがランプ２に印加され、ランプ２の電極間で絶
縁破壊し、ランプ２を点灯始動させる。When a gate signal is applied to the thyristor 76, the capacitor 75 discharges through the primary winding 71a of the high-voltage generating transformer 71, and the high-voltage generating transformer 71
A high voltage pulse is generated in the secondary winding 71b. This high voltage pulse is applied to the lamp 2, causing dielectric breakdown between the electrodes of the lamp 2 and starting the lamp 2.
【００１３】上記したＭＯＳトランジスタ４２、ブリッ
ジ回路６２、６３、サイリスタ７６は、制御回路１０に
よって制御される。この制御回路１０には、ＤＣ−ＤＣ
コンバータ４の間のランプ電圧（すなわちインバータ回
路６に印加される電圧）ＶＬ及びインバータ回路６から
バッテリ１の負極側に流れるＩＬなどが入力されてい
る。なお、電流ＩＬは電流検出抵抗８により電圧として
検出される。The above-described MOS transistor 42, bridge circuits 62 and 63, and thyristor 76 are controlled by the control circuit 10. The control circuit 10 includes a DC-DC
A ramp voltage (ie, a voltage applied to the inverter circuit 6) VL between the converters 4, an IL flowing from the inverter circuit 6 to the negative electrode side of the battery 1, and the like are input. The current IL is detected as a voltage by the current detection resistor 8.
【００１４】また、ＭＯＳトランジスタ９は逆接保護用
の素子であり、取り替え時にバッテリ１が逆接続された
場合に、回路機能部内に逆電圧が印加されないようにす
る。The MOS transistor 9 is a reverse connection protection element, and prevents a reverse voltage from being applied to the circuit function unit when the battery 1 is reversely connected at the time of replacement.
【００１５】制御回路１０は、ＭＯＳトランジスタ４２
をＰＷＭ信号によってオンオフさせるＰＷＭ制御回路、
ランプ電圧ＶＬをサンプルホールドするサンプルホール
ド回路、サンプルホールドされたランプ電圧ＶＬとラン
プ電流ＩＬに基づいてランプ電力を所望値に制御するラ
ンプパワー制御回路と、Ｈブリッジを制御するＨブリッ
ジ制御回路を備えている。The control circuit 10 includes a MOS transistor 42
A PWM control circuit for turning on and off the switch by a PWM signal;
A sample and hold circuit that samples and holds the lamp voltage VL, a lamp power control circuit that controls the lamp power to a desired value based on the sampled and held lamp voltage VL and the lamp current IL, and an H bridge control circuit that controls the H bridge ing.
【００１６】また、サイリスタ７６のゲートはゲート回
路１１の端子４０１に接続されている。このゲート回路
１１は、端子４０２において制御回路１０と接続されて
おり、この端子４０２を通じて送られてくる制御回路１
０からの信号に基づいてサイリスタ７６のゲート信号を
出力するようになっている。なお、ゲート回路１１は、
端子４０３においてアース接続されている。The gate of the thyristor 76 is connected to the terminal 401 of the gate circuit 11. The gate circuit 11 is connected to the control circuit 10 at a terminal 402, and the control circuit 1 sent through the terminal 402
The gate signal of the thyristor 76 is output based on the signal from 0. Note that the gate circuit 11
The terminal 403 is grounded.
【００１７】上記構成のバラスト２００の点灯動作につ
いて説明する。The lighting operation of the ballast 200 having the above configuration will be described.
【００１８】点灯スイッチＳＷがオンすると、図４に示
す各部に電源が供給される。そして、ＰＷＭ制御回路に
よってＭＯＳトランジスタ４２がＰＷＭ制御される。そ
の結果、フライバックトランス４１の作動によってバッ
テリ電圧ＶＢを昇圧した電圧がＤＣ−ＤＣコンバータ４
から出力される。また、Ｈブリッジ制御回路によって、
Ｈブリッジ回路６１におけるＭＯＳトランジスタ６１ａ
〜６１ｄが対角線の関係で交互にオンオフされる。これ
により、ＤＣ−ＤＣコンバータ４から出力された電圧
が，Ｈブリッジ回路６１を介して始動回路７のコンデン
サ７５に供給され、コンデンサ７５が充電される。When the lighting switch SW is turned on, power is supplied to each section shown in FIG. Then, the PWM control circuit performs PWM control on the MOS transistor 42. As a result, the voltage obtained by boosting the battery voltage VB by the operation of the flyback transformer 41 is applied to the DC-DC converter 4.
Output from Also, by the H-bridge control circuit,
MOS transistor 61a in H-bridge circuit 61
61d are turned on and off alternately in a diagonal relationship. Thus, the voltage output from the DC-DC converter 4 is supplied to the capacitor 75 of the starting circuit 7 via the H-bridge circuit 61, and the capacitor 75 is charged.
【００１９】この後、ゲート回路１１は、Ｈブリッジ制
御回路から出力されるＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１
ｄの切替タイミングを知らせる信号に基づいて、サイリ
スタ７６にゲート信号を出力し、サイリスタ７６をオン
させる。そして、サイリスタ７６がオンすると、コンデ
ンサ７５が放電し、トランス７１を通じて、ランプ２に
高電圧パルスが印加される。その結果、ランプ２が電極
間で絶縁破壊し、点灯始動する。Thereafter, the gate circuit 11 includes the MOS transistors 61a to 61 output from the H-bridge control circuit.
A gate signal is output to the thyristor 76 based on a signal notifying the switching timing of d, and the thyristor 76 is turned on. When the thyristor 76 is turned on, the capacitor 75 is discharged, and a high voltage pulse is applied to the lamp 2 through the transformer 71. As a result, the lamp 2 is broken down between the electrodes, and the lighting is started.
【００２０】この後、Ｈブリッジ回路６１によりランプ
２への放電電圧の極性（放電電流の向き）を交互に切り
替えることで、ランプ２が交流点灯される。そして、ラ
ンプパワー制御回路により、ランプ電流ＩＬとランプ電
圧ＶＬ（サンプルホールド回路によってサンプルホール
ドされたもの）とに基づいて、ランプ電力が所定値なる
ように制御される。これにより、ランプ２が安定点灯す
る。After that, the polarity of the discharge voltage to the lamp 2 (direction of the discharge current) is alternately switched by the H-bridge circuit 61, so that the lamp 2 is turned on by AC. The lamp power control circuit controls the lamp power to a predetermined value based on the lamp current IL and the lamp voltage VL (sampled and held by the sample and hold circuit). Thereby, the lamp 2 is stably lit.
【００２１】なお、サンプルホールド回路は、Ｈブリッ
ジ回路６１の切替タイミングに同期してその切替時に発
生する過渡電圧をマスクし、過渡電圧発生時以外のラン
プ電圧ＶＬをサンプリングしてホールドする。The sample-and-hold circuit masks a transient voltage generated at the time of switching of the H-bridge circuit 61 in synchronization with the switching timing of the H-bridge circuit 61, and samples and holds the ramp voltage VL other than when the transient voltage is generated.
【００２２】図７にゲート回路１１の構成の詳細を示
す。ゲート制御ＩＣ４１６は、トランジスタ４１０、４
１１に対して互いに異なるレベルのゲート信号を出力
し、例えばトランジスタ４１０をオンさせる時には、ト
ランジスタ４１１をオフさせるようになっている。この
ゲート制御ＩＣ４１６は、サイリスタ７６を導通させる
場合にはトランジスタ４１０がオン、トランジスタ４１
１がオフとなるよう作動する。このため、端子４０１の
電位は、図示しない定電圧源に接続された端子４１７を
電流供給源として抵抗４１３及び抵抗４１４によって分
圧された電位となる。これにより、サイリスタ７６のゲ
ートにハイレベル信号（ゲート電流）が出力され、サイ
リスタ７６をオンさせるようになっている。なお、コン
デンサ４１５は、トランジスタ４１１の寄生容量が発生
する高周波ノイズを除去し、この高周波ノイズによって
サイリスタ７６がオンしてしまうのを防止するためのも
のである。FIG. 7 shows the configuration of the gate circuit 11 in detail. The gate control IC 416 includes the transistors 410 and 4
Gate signals of different levels are output to the transistor 11 and, for example, when the transistor 410 is turned on, the transistor 411 is turned off. The gate control IC 416 turns on the transistor 410 and turns on the transistor 41 when the thyristor 76 is turned on.
1 is turned off. Therefore, the potential of the terminal 401 is a potential divided by the resistors 413 and 414 using the terminal 417 connected to a constant voltage source (not shown) as a current supply source. As a result, a high-level signal (gate current) is output to the gate of the thyristor 76, and the thyristor 76 is turned on. Note that the capacitor 415 is for removing high-frequency noise generated by the parasitic capacitance of the transistor 411 and for preventing the thyristor 76 from being turned on by the high-frequency noise.
【００２３】次に、上記構成のバラストの２００の組付
け構造について説明する。Next, an assembly structure of the ballast 200 having the above-described configuration will be described.
【００２４】バラスト２００は、図５に示すように、上
記回路構成が配置されたバスバーケース２０を、カバー
部材２１及びベース２２によって覆い、カバー部材２１
及びベース２２をネジ２３によって固定することによっ
て構成される。As shown in FIG. 5, the ballast 200 covers the bus bar case 20 in which the above-described circuit configuration is arranged with a cover member 21 and a base 22.
And the base 22 is fixed by screws 23.
【００２５】バスバーケース２０の表面には、上記回路
構成の各部を電気的に接続するターミナル２４がインサ
ート形成されている。このターミナル２４のパターン構
成を図６に示す。On the surface of the bus bar case 20, a terminal 24 for electrically connecting each part of the above-mentioned circuit configuration is formed by insert. FIG. 6 shows a pattern configuration of the terminal 24.
【００２６】上記回路構成において、Ｈブリッジ回路６
１、制御回路１０、ゲート回路１１、ＭＯＳトランジス
タ９、４２、ダイオード４３、７２、抵抗８、５２、７
４という半導体装置として形成可能な部分は、ハイブリ
ッドＩＣ（以下、ＨＩＣという）１００としてＩＣ化さ
れて一体形成される（図４参照）。そして、その他の部
分（本回路構成では、トランス４１、７１やコンデンサ
３２、４４、４５、５１、７５、及びサイリスタ７６）
がＨＩＣ１００とは別体で構成される。In the above circuit configuration, the H bridge circuit 6
1, control circuit 10, gate circuit 11, MOS transistors 9, 42, diodes 43, 72, resistors 8, 52, 7
The portion 4 that can be formed as a semiconductor device is integrated as a hybrid IC (hereinafter, referred to as HIC) 100 (see FIG. 4). And other parts (in this circuit configuration, transformers 41 and 71, capacitors 32, 44, 45, 51 and 75, and thyristor 76)
Are configured separately from the HIC100.
【００２７】このため、ＨＩＣ１００とその他の部分と
をターミナル２４にて電気的に接続させることによって
上記回路構成が構成される。これにより、上記図４に示
す回路機能部が形成される。For this reason, the above-mentioned circuit configuration is constituted by electrically connecting the HIC 100 and other parts at the terminal 24. Thus, the circuit function unit shown in FIG. 4 is formed.
【００２８】具体的には、ＨＩＣ１００とターミナル２
４との電気的接続は、ＨＩＣ１００をバスバーケース２
０内に収容したのち、ＨＩＣ１００の各端子１２ａ〜１
２ｋとターミナル２４とをＡｌワイヤ等でワイヤボンデ
ィングすることによって行われ、ＨＩＣ１００以外のそ
の他の部分については、その他の部分をバスバーケース
２０内に収容したのち、その他の部分の端子をターミナ
ル２４に溶接、はんだ付け等することによって行ってい
る。Specifically, the HIC 100 and the terminal 2
HIC100 is connected to busbar case 2
0, each terminal 12a-1 of the HIC 100
2k and the terminal 24 are wire-bonded with an Al wire or the like. For other parts other than the HIC 100, the other part is accommodated in the bus bar case 20, and then the terminals of the other parts are welded to the terminal 24. This is done by soldering.
【００２９】そして、図６に示すターミナル２４の部分
２４ａ及び部分２４ｂはそれぞれ、図５に示すバスバー
ケース２０に固定されたグロメット内に配設された出力
線２５、２６に接続されており、この出力線２５、２６
を介してランプ２に接続される。The portions 24a and 24b of the terminal 24 shown in FIG. 6 are respectively connected to output lines 25 and 26 provided in grommets fixed to the bus bar case 20 shown in FIG. Output lines 25, 26
Is connected to the lamp 2 via the.
【００３０】また、ターミナル２４はバッテリ１の正極
側と接続される端子２７ａと、負極側（すなわちアース
側）に接続される端子２７ｂとを有しており、端子２７
ｂはバラスト２００のアースを取るアース接続部２７ｃ
に接続されている。そして、ターミナル２４の端子２７
ａ、２７ｂは、バスバーケース２０に形成されたコネク
タ部２８よりバスバーケース２０の外部に引き出されて
おり、このコネクタ部２８においてバッテリ１に接続さ
れた配線と接続される。The terminal 24 has a terminal 27a connected to the positive electrode side of the battery 1 and a terminal 27b connected to the negative electrode side (that is, the ground side).
b is a ground connection part 27c for grounding the ballast 200
It is connected to the. And terminal 27 of terminal 24
a and 27b are drawn out of the bus bar case 20 from a connector portion 28 formed in the bus bar case 20, and are connected to the wiring connected to the battery 1 at the connector portion 28.
【００３１】上記したネジ２３は、このアース接続部２
７ｃにおいてバスバーケース２０とベース２２とをネジ
締め固定し、アース接続部２７ｃとベース２２とをアー
ス接続している。なお、カバー２１及びベース２２は、
これらに収納される回路機能部を放射ノイズから保護す
べく、金属で構成されている。The screw 23 is connected to the ground connection 2
At 7c, the bus bar case 20 and the base 22 are screwed and fixed, and the ground connection portion 27c and the base 22 are grounded. The cover 21 and the base 22 are
It is made of metal in order to protect the circuit function units housed therein from radiation noise.
【００３２】[0032]
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは上記試作
したバラスト２００について鋭意検討を行った。The present inventors have conducted intensive studies on the above-produced ballast 200.
【００３３】上記構成においては、始動回路７を構成す
るサイリスタ７６のカソード端子をアース接続する必要
がある。この場合、アース接続される端子の共通化を図
るという観点から、回路構成中の他の部位にアース接続
される配線が存在するのであれば、このアース接続され
る配線にサイリスタ７６のカソード端子から引き出され
る配線を連結することが好ましい。In the above configuration, it is necessary to connect the cathode terminal of the thyristor 76 constituting the starting circuit 7 to ground. In this case, from the viewpoint of commonizing the terminals connected to the ground, if there is a wiring connected to the ground at another part in the circuit configuration, the wiring connected to the ground is connected to the cathode terminal of the thyristor 76 from the cathode terminal. It is preferable to connect the drawn wires.
【００３４】上記構成においては、ＤＣ−ＤＣコンバー
タ４を構成するコンデンサ４５の負極側がアースに接続
されるため、配線Ｐを構成するターミナル２４を介し
て、サイリスタ７６のカソード端子をコンデンサ４５の
負極側端子に電気的に接続したのち、ターミナル２４の
端子１２ｃにおいて、ＨＩＣ１００のアース接続される
配線パターン１００ａ（図４参照）に接続している。In the above configuration, since the negative electrode side of the capacitor 45 constituting the DC-DC converter 4 is connected to the ground, the cathode terminal of the thyristor 76 is connected to the negative electrode side of the capacitor 45 via the terminal 24 constituting the wiring P. After being electrically connected to the terminals, the terminal 12c of the terminal 24 is connected to the wiring pattern 100a (see FIG. 4) of the HIC 100 which is grounded.
【００３５】図６中に、ターミナル２４に接続されるコ
ンデンサ４５、サイリスタ７６の電気的配線状態を示
す。FIG. 6 shows an electrical wiring state of the capacitor 45 and the thyristor 76 connected to the terminal 24.
【００３６】上述したように、端子１２ｃにおいて、Ｈ
ＩＣ１００はターミナル２４とワイヤボンディングで接
続される。このように構成されたものでは、点灯時にサ
イリスタ７６のゲート回路１１がゲート信号を出力して
いないにも関わらずサイリスタ７６が導通してしまう誤
動作が起こり、点灯できないことがあるという問題が生
じた。As described above, at the terminal 12c, H
The IC 100 is connected to the terminal 24 by wire bonding. In such a configuration, there occurs a malfunction that the thyristor 76 becomes conductive even when the gate circuit 11 of the thyristor 76 does not output a gate signal at the time of lighting, and there is a problem that lighting may not be performed. .
【００３７】これは、スイッチＳＷのオンによりＤＣ−
ＤＣコンバータ４が作動開始し、ＭＯＳトランジスタ４
２がスイッチング作動を行うと、コンデンサ４５がスイ
ッチングに応じて充放電を行い、その充放電電流によっ
て図５のＡ、Ｂ間で電位差が生じるからであり、充放電
電流が負極性になるとＢ点電位に対してＡ点電位が負電
圧になって、サイリスタ７６を導通させてしまうのであ
る。This is because the DC-
When the DC converter 4 starts operating, the MOS transistor 4
When the switching operation of the capacitor 2 is performed, the capacitor 45 performs charging and discharging according to the switching, and the charging and discharging current causes a potential difference between A and B in FIG. The potential at the point A becomes negative with respect to the potential, causing the thyristor 76 to conduct.
【００３８】つまり、Ｂ点電位に対してＡ点電位が負電
圧になった時、サイリスタ７６のカソード電位はＡ点の
電位、ゲート回路１１の基準電位はＢ点の電位となって
いるため、ゲート端子電圧に対しカソード端子電圧が低
くなってゲート電流が流れ、サイリスタ７６が導通する
のである。That is, when the potential at the point A becomes negative with respect to the potential at the point B, the cathode potential of the thyristor 76 is the potential at the point A and the reference potential of the gate circuit 11 is the potential at the point B. The gate terminal voltage becomes lower than the gate terminal voltage, a gate current flows, and the thyristor 76 conducts.
【００３９】なお、このときには、図７に示すゲート駆
動ＩＣ４１６によってトランジスタ４１０がオフ、トラ
ンジスタ４１１がオン状態とされているが、Ｂ点電位に
対しＡ点電位が負電圧になると、端子４０３からコンデ
ンサ４１５、抵抗４１４、トランジスタ４１１の寄生ダ
イオード４１２及び抵抗４１３を介し、端子４０１、端
子１２ｊを経て、サイリスタ７６のゲート電流がカソー
ドに向かって流れ込む。Note that at this time, the transistor 410 is turned off and the transistor 411 is turned on by the gate drive IC 416 shown in FIG. Through the terminal 415, the resistor 414, the parasitic diode 412 of the transistor 411, and the resistor 413, the gate current of the thyristor 76 flows toward the cathode via the terminals 401 and 12j.
【００４０】本発明は上記点に鑑みて、ランプを始動す
るための始動回路にスイッチング素子として用いられる
サイリスタの誤作動を防止することを目的とする。In view of the above, it is an object of the present invention to prevent a thyristor used as a switching element in a starting circuit for starting a lamp from malfunctioning.
【００４１】[0041]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、スイッチング素子（４
２）及びゲート回路（１１）が共にハイブリッドＩＣ基
板（１００）上に形成され、コンデンサ（４５）の負極
側端子は第１の配線部材（２４）に接続されたのち、第
１の端子（１２ｃ）を介してハイブリッドＩＣ基板に接
続されており、サイリスタ（７６）のカソード端子は第
２の配線部材（２４）に接続されたのち、第１の端子と
は異なる第２の端子（１２ｍ）を介してハイブリッドＩ
Ｃ基板に接続されており、第１、第２の端子は、ハイブ
リッドＩＣ基板上にて電気的に接続されていることを特
徴としている。In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the switching element (4
2) and the gate circuit (11) are both formed on the hybrid IC substrate (100), and the negative terminal of the capacitor (45) is connected to the first wiring member (24). ), The cathode terminal of the thyristor (76) is connected to the second wiring member (24), and then the second terminal (12m) different from the first terminal is connected to the thyristor (76). Hybrid I through
The first and second terminals are electrically connected on the hybrid IC substrate.
【００４２】このように、コンデンサの負極側端子が接
続される第１の端子と、サイリスタのカソード端子が接
続される第２の端子を別々に設けることによって、第１
の端子とコンデンサの負極側端子との接続部において生
じる電位差によって、サイリスタのカソード端子がゲー
ト端子よりも低電位になることを防止することができ
る。これにより、サイリスタのカソード端子がゲート端
子よりも低電位となることによるサイリスタの誤作動を
防止することができる。As described above, by separately providing the first terminal to which the negative terminal of the capacitor is connected and the second terminal to which the cathode terminal of the thyristor is connected, the first terminal is connected.
And the negative terminal of the capacitor can prevent the cathode terminal of the thyristor from having a lower potential than the gate terminal. This can prevent the thyristor from malfunctioning due to the cathode terminal of the thyristor having a lower potential than the gate terminal.
【００４３】請求項２に記載の発明においては、コンデ
ンサ（４５）の負極側端子は第１の端子（１２ｃ）を介
してハイブリッドＩＣ基板（１００）に接続され、スイ
ッチング素子（４２）との電気的接続が成されており、
サイリスタのカソード端子は第１の端子とは異なる第２
の端子（１２ｍ）を介してハイブリッドＩＣ基板に接続
され、ハイブリッドＩＣ基板上に形成されたアースに接
続される部位に電気的接続が成されていることを特徴と
している。According to the second aspect of the present invention, the negative terminal of the capacitor (45) is connected to the hybrid IC substrate (100) via the first terminal (12c), and the electrical connection with the switching element (42). Connection is established,
The cathode terminal of the thyristor is a second terminal different from the first terminal.
The terminal (12m) is connected to the hybrid IC substrate, and is electrically connected to a portion connected to the ground formed on the hybrid IC substrate.
【００４４】このように、コンデンサの負極側端子が接
続される第１の端子と、サイリスタのカソード端子が接
続される第２の端子を別々に設け、さらに第２の端子を
介してハイブリッドＩＣ基板上のアースに接続される部
位に電気的に接続されるようにすれば、サイリスタのカ
ソード端子をアース接続されるゲート端子と同等の電位
にすることができる。これにより、サイリスタの誤作動
を防止することができる。As described above, the first terminal to which the negative terminal of the capacitor is connected and the second terminal to which the cathode terminal of the thyristor is connected are separately provided, and the hybrid IC substrate is connected via the second terminal. When the thyristor is electrically connected to the above-mentioned portion connected to the ground, the potential of the cathode terminal of the thyristor can be made equivalent to that of the gate terminal connected to the ground. Thereby, malfunction of the thyristor can be prevented.
【００４５】例えば、請求項３に示すように、ゲート回
路のうちアース接続される第３の端子（４０３）からア
ースに向けて延設された第１の配線パターン（１００
ｂ）に、第２の端子から延設された第２の配線パターン
（１００ｃ）を接続するようにすればよい。For example, as described in claim 3, the first wiring pattern (100) extending from the third terminal (403) of the gate circuit connected to the ground to the ground.
The second wiring pattern (100c) extending from the second terminal may be connected to b).
【００４６】請求項４に記載の発明においては、第２の
配線パターンを含むカソード端子からアースに至るまで
の電気配線は、スイッチング素子をオンにしたときにお
けるＤＣ−ＤＣコンバータの電流経路となる第３の配線
パターンを通過しないようになっていることを特徴とし
ている。According to the present invention, the electric wiring from the cathode terminal including the second wiring pattern to the ground is a current path of the DC-DC converter when the switching element is turned on. 3 does not pass through.
【００４７】このように、カソード端子からアースに至
るまでの電気配線を、高周波ノイズを含む大電流が流れ
るＤＣ−ＤＣコンバータの電流経路を通過しないように
構成することで、カソード端子が高周波ノイズの影響を
受けないようにすることができる。As described above, by configuring the electric wiring from the cathode terminal to the ground so that it does not pass through the current path of the DC-DC converter through which a large current including high-frequency noise flows, the cathode terminal has high-frequency noise. Can be unaffected.
【００４８】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。Note that the reference numerals in parentheses of the above means indicate the correspondence with specific means described in the embodiments described later.
【００４９】[0049]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１に本発明の一実施形態を適用し
たバラストの回路構成を示し、図２に図１に示すバラス
トの組付け構造を示す。また、図３に図２に示すバラス
トのターミナルのパターン構成を示す。なお、図１〜図
３において、上述した図４〜図６に示すものと同じ符号
を付したものは、同一もしくは均等のものであることを
示している。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a circuit configuration of a ballast to which one embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 shows an assembling structure of the ballast shown in FIG. FIG. 3 shows a pattern configuration of the ballast terminal shown in FIG. In FIGS. 1 to 3, the same reference numerals as those shown in FIGS. 4 to 6 denote the same or equivalent components.
【００５０】以下、これらの図に基づいて本実施形態に
おけるバラストの構成について説明する。ただし、本実
施形態におけるバラストは上述した図４〜図６に示した
ものと概ね同様の構成を有しているため、異なる部分に
ついてのみ説明する。なお、本実施形態に示すバラスト
のゲート回路は図７に示すものと同じ構成となってい
る。Hereinafter, the configuration of the ballast according to the present embodiment will be described with reference to these drawings. However, the ballast according to the present embodiment has substantially the same configuration as that shown in FIGS. 4 to 6 described above, and thus only different parts will be described. The ballast gate circuit shown in the present embodiment has the same configuration as that shown in FIG.
【００５１】この実施形態においては、図１に示よう
に、サイリスタ７６のカソード端子は、ＨＩＣ１００の
端子（第２の端子）１２ｍに接続されている。一方、コ
ンデンサ４５の負極側端子は端子（第１の端子）１２ｃ
を介してＨＩＣ１００に接続されている。このように、
サイリスタ７６のカソード端子が接続される端子１２ｍ
とコンデンサ４５の負極側端子が接続される端子１２ｃ
を２つに分けて構成し、それぞれ別々にＨＩＣ１００と
接続されるようにしている。In this embodiment, as shown in FIG. 1, the cathode terminal of the thyristor 76 is connected to the terminal (second terminal) 12m of the HIC 100. On the other hand, the negative terminal of the capacitor 45 is a terminal (first terminal) 12c.
Is connected to the HIC 100 via the. in this way,
Terminal 12m to which the cathode terminal of thyristor 76 is connected
12c to which the negative terminal of the capacitor 45 is connected
Is divided into two, and each is separately connected to the HIC 100.
【００５２】また、端子１２ｍは、ＨＩＣ１００内に配
設された配線パターンを介して、Ｃ点においてゲート回
路１１をアース接続する配線パターン１００ｂに電気的
に接続されている。The terminal 12m is electrically connected to a wiring pattern 100b for connecting the gate circuit 11 to the ground at a point C via a wiring pattern provided in the HIC 100.
【００５３】すなわち、ゲート回路１１のアース端子４
０３から引き出された配線パターン１００ｂは、ＭＯＳ
トランジスタ９を介してアースに接続されているが、こ
のアース端子４０３からＭＯＳトランジスタ９に至るま
での間に位置するＣ点において、端子１２ｍまで延設さ
れる配線パターンが接続されている。That is, the ground terminal 4 of the gate circuit 11
The wiring pattern 100b pulled out from the MOS
Although connected to the ground via the transistor 9, a wiring pattern extending to the terminal 12 m is connected at a point C located between the ground terminal 403 and the MOS transistor 9.
【００５４】このように、ほとんど電流が流れないゲー
ト回路１１のアース端子４０３から引き出される配線パ
ターン１００ｂにサイリスタ７６のカソード端子を接続
しているため、サイリスタ７６のカソード端子の電位が
ゲート回路１１のアース端子４０３の電位と同等となる
ようにできる。As described above, the cathode terminal of the thyristor 76 is connected to the wiring pattern 100b drawn from the ground terminal 403 of the gate circuit 11 through which little current flows. The potential can be made equal to the potential of the ground terminal 403.
【００５５】図３に示すターミナル２４のパターンで見
てみると、サイリスタ７６のカソード端子が接続される
端子１２ｍと、コンデンサ４５の負極側が接続される端
子１２ｃとが分断されている。そして、端子１２ｃと端
子１２ｍは、ターミナル２４の下方に配置されるＨＩＣ
１００（図３では図示していない）内の配線パターン１
００ａ〜１００ｃを介して電気的に接続された状態とな
っている（図１、図２参照）。Referring to the pattern of the terminal 24 shown in FIG. 3, the terminal 12m to which the cathode terminal of the thyristor 76 is connected and the terminal 12c to which the negative electrode side of the capacitor 45 is connected are separated. The terminal 12c and the terminal 12m are connected to the HIC disposed below the terminal 24.
100 (not shown in FIG. 3)
It is in a state of being electrically connected through the lines 00a to 100c (see FIGS. 1 and 2).
【００５６】このような構成においては、ゲート回路の
端子４０３とサイリスタ７６のカソード端子とが同電位
となるため、ランプ２の点灯時にサイリスタ７６のゲー
ト回路１１がゲート信号を出力していないにも関わらず
サイリスタ７６が導通してしまう誤動作を防止すること
ができる。従って、確実にランプ２の点灯を行うことが
できる。In such a configuration, since the terminal 403 of the gate circuit and the cathode terminal of the thyristor 76 have the same potential, the gate circuit 11 of the thyristor 76 does not output a gate signal when the lamp 2 is turned on. Regardless, a malfunction in which the thyristor 76 becomes conductive can be prevented. Therefore, the lamp 2 can be reliably turned on.
【００５７】また、スイッチＳＷのオンによりＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ４が作動開始し、ＭＯＳトランジスタ９が
スイッチング作動すると、コンデンサ４５はスイッチン
グに応じて充放電を行い、その充放電電流によって図２
の点Ａ、Ｂ間に電位差を発生させるが、サイリスタ７６
のカソード端子がＣ点に接続されゲート回路１１の基準
電位となる端子４０３もＣ点に接続されているため、点
Ａ、Ｂ間の電位差の影響を何ら受けることはない。When the switch SW is turned on, DC-D
When the C converter 4 starts operating and the MOS transistor 9 performs a switching operation, the capacitor 45 charges and discharges in accordance with the switching, and the charging and discharging current shown in FIG.
A potential difference is generated between the points A and B of the thyristor 76.
Is connected to the point C and the terminal 403 serving as the reference potential of the gate circuit 11 is also connected to the point C, so that there is no influence of the potential difference between the points A and B at all.
【００５８】なお、ＨＩＣ１００内においてアース接続
される部位は他にもあり、例えば端子１２ｃと点Ｂの間
において、サイリスタ７６のカソード端子に接続される
配線パターン１００ｃを接続することも可能であると考
えられる。しかしながら、この端子１２ｃと点Ｂの間
は、図１の矢印で示したように、トランス４１の１次巻
線４１ａ、ＭＯＳトランジスタ４２、コンデンサ４５を
通じて流れる多大な電流の経路となっており、この多大
な電流に含まれる高周波ノイズの影響を受け易い箇所で
あるため、上記構成を採用するのが適しているといえ
る。It should be noted that there are other parts connected to the ground in the HIC 100. For example, a wiring pattern 100c connected to the cathode terminal of the thyristor 76 can be connected between the terminal 12c and the point B. Conceivable. However, between the terminal 12c and the point B, as shown by the arrow in FIG. 1, is a path of a large current flowing through the primary winding 41a of the transformer 41, the MOS transistor 42, and the capacitor 45. Since it is a portion that is easily affected by high-frequency noise included in a large amount of current, it can be said that the above configuration is suitable.
【００５９】（他の実施形態）上記実施形態では、ＨＩ
Ｃ１００として全てが１枚の基板で構成されたものを示
したが、図８に示すようにしてもよい。(Other Embodiments) In the above embodiment, the HI
Although C100 is shown as being composed entirely of one substrate, it may be configured as shown in FIG.
【００６０】図８（ａ）は、スイッチング素子としての
ＭＯＳトランジスタ４２をパワーブロック状態にして、
回路基板とは別置きした形態を示す。なお、４２ａはシ
リコンチップ、４２ｂは窒化アルミ（ＡｌＮ）基板、４
２ｃはアルミワイヤである。１００ａはハイブリッドＩ
Ｃのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）基板、２２は金属アースであ
る。FIG. 8A shows a state in which the MOS transistor 42 as a switching element is in a power block state.
The figure shows a form placed separately from the circuit board. 42a is a silicon chip, 42b is an aluminum nitride (AlN) substrate,
2c is an aluminum wire. 100a is Hybrid I
C is an alumina (Al 2 O 3 ) substrate, and 22 is a metal ground.
【００６１】シリコンチップ４２ａは窒化アルミ基板４
２ｂにはんだ付けされ、窒化アルミ基板４２ｂは接着剤
により金属ケース２２に接着される。アルミナ基板１０
０ａは、金属ケース２２に接着剤にて接着される。The silicon chip 42a is made of the aluminum nitride substrate 4
2b, and the aluminum nitride substrate 42b is bonded to the metal case 22 with an adhesive. Alumina substrate 10
Oa is bonded to the metal case 22 with an adhesive.
【００６２】ＭＯＳトランジスタ４２が形成されたシリ
コンチップ４２ａの表面にあるソース電極とゲート電極
部には、それぞれアルミワイヤの超音波ボンディングに
より接続し、他方をアルミナ基板１００ａ上のボンディ
ングパッド部に超音波ボンディングにより接続してい
る。ドレイン電極はチップ横に配置したボンディングパ
ッド部とアルミナ基板１００ａ上のボンディングパッド
部とをアルミワイヤの超音波ボンディングにより接続し
ている。The source electrode and the gate electrode on the surface of the silicon chip 42a on which the MOS transistor 42 is formed are connected by ultrasonic bonding of aluminum wires, respectively, and the other is connected to the bonding pad on the alumina substrate 100a by ultrasonic. They are connected by bonding. The drain electrode connects the bonding pad portion arranged on the side of the chip and the bonding pad portion on the alumina substrate 100a by ultrasonic bonding of an aluminum wire.
【００６３】図８（ｂ）は、ＭＯＳトランジスタ４２を
パワーブロック状態にして回路基板上に搭載した形態を
示す。４２ｂは過渡熱を吸収するためのヒートシンク
で、銅またはモリブデンなどの金属材料である。その他
の符号は図６（ａ）と同じである。FIG. 8B shows an embodiment in which the MOS transistor 42 is mounted on a circuit board in a power block state. Reference numeral 42b denotes a heat sink for absorbing transient heat, which is a metal material such as copper or molybdenum. Other symbols are the same as those in FIG.
【図１】本発明の一実施形態におけるバラスト２００の
回路構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a ballast 200 according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示すバラスト２００の組付け構造を示す
図である。FIG. 2 is a diagram showing an assembly structure of the ballast 200 shown in FIG.
【図３】図２に示すバラスト２００のターミナル２４の
パターン構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a pattern configuration of a terminal 24 of the ballast 200 shown in FIG.
【図４】本発明者らが試作したバラスト２００の回路構
成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a ballast 200 prototyped by the present inventors.
【図５】図４に示すバラスト２００の組付け構造を示す
図である。FIG. 5 is a view showing an assembly structure of the ballast 200 shown in FIG.
【図６】図５に示すバラスト２００のターミナル２４の
パターン構成を示す図である。6 is a diagram showing a pattern configuration of a terminal 24 of the ballast 200 shown in FIG.
【図７】図４に示すゲート回路１１の回路構成の詳細を
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing details of a circuit configuration of a gate circuit 11 shown in FIG. 4;
【図８】他の実施形態におけるＨＩＣ１００の構造を示
した図である。FIG. 8 is a diagram showing a structure of a HIC 100 according to another embodiment.
１…バッテリ、２…ランプ、４…ＤＣ−ＤＣコンバー
タ、６…インバータ回路、６１…Ｈブリッジ回路、７…
始動回路、９…ＭＯＳトランジスタ、１０…制御回路、
１１…ゲート回路、１２ａ〜１２ｂ及び４０１〜４０３
…端子。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Battery, 2 ... Lamp, 4 ... DC-DC converter, 6 ... Inverter circuit, 61 ... H bridge circuit, 7 ...
Starting circuit, 9: MOS transistor, 10: control circuit,
11 gate circuits, 12a to 12b and 401 to 403
... terminals.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀井 泰聡 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 米今 健二 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 小田 悟市 静岡県清水市北脇500番地 株式会社小糸 製作所静岡工場内 (72)発明者 市川 知幸 静岡県清水市北脇500番地 株式会社小糸 製作所静岡工場内 Ｆターム(参考） 3K072 AA11 AC01 BA05 BB01 BB10 DD08 EB05 EB07 GA03 GB18 GC04 HA10 HB03 3K082 AA33 BA04 BA24 BA25 BA33 BC09 BC24 BC25 BC29 BD03 BD04 BD26 BD32 CA32 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasutoshi Horii 1-1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi Prefecture Inside DENSO Corporation (72) Inventor Kenji Yoneima 1-1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi Stock Company (72) Inventor Satoru Oda 500 Kitawaki, Shimizu, Shizuoka Prefecture Koito Manufacturing Co., Ltd.Shizuoka Plant (72) Inventor Tomoyuki Ichikawa 500 Kitawaki Shimizu City, Shizuoka Prefecture Koito Manufacturing Shizuoka Plant F-term (reference) 3K072 AA11 AC01 BA05 BB01 BB10 DD08 EB05 EB07 GA03 GB18 GC04 HA10 HB03 3K082 AA33 BA04 BA24 BA25 BA33 BC09 BC24 BC25 BC29 BD03 BD04 BD26 BD32 CA32
Claims (4)
（４１）と、前記トランスの１次巻線（４１ａ）に直列
接続されたスイッチング素子（４２）と、直列接続され
た前記トランス及び前記スイッチング素子に並列接続さ
れたコンデンサ（４５）とを有してなり、前記昇圧した
昇圧電圧を出力するＤＣ−ＤＣコンバータ（４）と、 サイリスタ（７６）を有し、高圧放電灯（２）の点灯始
動時に前記サイリスタをオンさせ、前記ＤＣ−ＤＣコン
バータが出力した昇圧電圧に基づいて、高電圧パルスを
前記高圧放電灯に印加する始動回路（７）と、 前記サイリスタをオンさせるゲート信号を発生させるゲ
ート回路（１１）と、を備え、 前記スイッチング素子及び前記ゲート回路が共にハイブ
リッドＩＣ基板（１００）上に形成され、 前記コンデンサの負極側端子は第１の配線部材（２４）
に接続されたのち、第１の端子（１２ｃ）を介して前記
ハイブリッドＩＣ基板に接続されており、 前記サイリスタのカソード端子は第２の配線部材（２
４）に接続されたのち、前記第１の端子とは異なる第２
の端子（１２ｍ）を介して前記ハイブリッドＩＣ基板に
接続されており、 前記第１、第２の端子は、前記ハイブリッドＩＣ基板上
にて電気的に接続されていることを特徴とする放電灯装
置。1. A transformer (41) for boosting a voltage from a DC power supply, a switching element (42) connected in series to a primary winding (41a) of the transformer, and the transformer and the switching element connected in series. A DC-DC converter (4) that has a capacitor (45) connected in parallel with the element and outputs the boosted voltage; and a thyristor (76) for lighting a high-pressure discharge lamp (2). Turning on the thyristor at the time of starting and applying a high voltage pulse to the high pressure discharge lamp based on the boosted voltage output by the DC-DC converter; and generating a gate signal for turning on the thyristor. A gate circuit (11), wherein the switching element and the gate circuit are both formed on a hybrid IC substrate (100); Negative terminal of the capacitors is the first wiring member (24)
And then connected to the hybrid IC substrate via a first terminal (12c), and the cathode terminal of the thyristor is connected to a second wiring member (2
After being connected to 4), a second terminal different from the first terminal is connected.
A discharge lamp device, wherein the first and second terminals are electrically connected on the hybrid IC substrate via the terminal (12m). .
（４１）と、前記トランスの１次巻線（４１ａ）に直列
接続されたスイッチング素子（４２）と、直列接続され
た前記トランス及び前記スイッチング素子に並列接続さ
れたコンデンサ（４５）とを有してなり、前記昇圧した
昇圧電圧を出力するＤＣ−ＤＣコンバータ（４）と、 サイリスタ（７６）を有し、高圧放電灯（２）の点灯始
動時に前記サイリスタをオンさせ、前記ＤＣ−ＤＣコン
バータが出力した昇圧電圧に基づいて、高電圧パルスを
前記高圧放電灯に印加する始動回路（７）と、 前記サイリスタをオンさせるゲート信号を発生させるゲ
ート回路（１１）と、を備え、 前記スイッチング素子及び前記ゲート回路が共にハイブ
リッドＩＣ基板（１００）上に形成され、 前記コンデンサの負極側端子は第１の端子（１２ｃ）を
介して前記ハイブリッドＩＣ基板に接続され、前記スイ
ッチング素子との電気的接続が成されており、 前記サイリスタのカソード端子は前記第１の端子とは異
なる第２の端子（１２ｍ）を介して前記ハイブリッドＩ
Ｃ基板に接続され、ハイブリッドＩＣ基板上に形成され
たアースに接続される部位に電気的接続が成されている
ことを特徴とする放電灯装置。2. A transformer (41) for boosting a voltage from a DC power supply, a switching element (42) connected in series to a primary winding (41a) of the transformer, and the transformer and the switching element connected in series. A DC-DC converter (4) that has a capacitor (45) connected in parallel with the element and outputs the boosted voltage; and a thyristor (76) for lighting a high-pressure discharge lamp (2). Turning on the thyristor at the time of starting and applying a high voltage pulse to the high pressure discharge lamp based on the boosted voltage output by the DC-DC converter; and generating a gate signal for turning on the thyristor. A gate circuit (11), wherein the switching element and the gate circuit are both formed on a hybrid IC substrate (100); A negative terminal of the sensor is connected to the hybrid IC substrate via a first terminal (12c), and is electrically connected to the switching element. A cathode terminal of the thyristor is connected to the first terminal. Is connected to the hybrid I through a different second terminal (12m).
A discharge lamp device, wherein a portion connected to the C substrate and connected to the ground formed on the hybrid IC substrate is electrically connected.
の端子（４０３）を有し、 前記ハイブリッドＩＣ基板には、前記第３の端子から前
記アースに向けて延設された第１の配線パターン（１０
０ｂ）が備えられていると共に、前記第２の端子から延
設され前記第１の配線パターンに接続された第２の配線
パターン（１００ｃ）を備えていることを特徴とする請
求項１又は２に記載の放電灯装置。3. The circuit according to claim 2, wherein said gate circuit is connected to a ground.
And a first wiring pattern (10) extending from the third terminal to the ground on the hybrid IC substrate.
0b) and a second wiring pattern (100c) extending from the second terminal and connected to the first wiring pattern. The discharge lamp device according to item 1.
１の端子と前記スイッチング素子とがハイブリッドＩＣ
基板上に形成された第３の配線パターン（１００ａ）を
介して電気的接続が成されており、 前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、前記スイッチング素子を
オンさせたときに、前記トランス、前記スイッチング素
子、前記第３の配線パターン、及び前記コンデンサの順
に流れる電流経路を形成するようになっており、 前記第２の配線パターンを含む前記カソード端子から前
記アースに至るまでの電気配線は、前記第３の配線パタ
ーンを通過しないようになっていることを特徴とする請
求項３に記載の放電灯装置。4. A hybrid IC comprising a first terminal connected to a negative electrode side of the capacitor and the switching element.
An electrical connection is made via a third wiring pattern (100a) formed on a substrate, and the DC-DC converter turns on the switching element when the transformer, the switching element, A current path flowing in the order of the third wiring pattern and the capacitor is formed, and an electric wiring from the cathode terminal including the second wiring pattern to the ground is the third wiring pattern. The discharge lamp device according to claim 3, wherein the discharge lamp device does not pass through the wiring pattern.
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|---|---|---|---|---|
| JP2008532251A (en) * | 2005-03-04 | 2008-08-14 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | High-intensity discharge lamp ballast circuit for automobiles |
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