JP2001043959A - POROUS SiC HEATING ELEMENT - Google Patents
POROUS SiC HEATING ELEMENTInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ディーゼルエン
ジンの排ガス中の煤除去フィルターや、焼却炉の煤煙除
去フィルター等に用いる多孔質ＳｉＣ発熱体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a porous SiC heating element used for a filter for removing soot from exhaust gas from a diesel engine, a filter for removing soot from an incinerator, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】ディーゼ
ルエンジンの排ガスや、焼却炉の排ガスに混在する煤を
除去するための従来装置は、煙道中に設けたフィルタと
ヒータとから構成されている。すなわち、排ガス中に混
在する煤はフィルタによって捕捉され、フィルタの回り
に設けたヒータによって加熱されることにより、燃焼ガ
スとして処理されて、大気中に排出されている。2. Description of the Related Art A conventional apparatus for removing soot mixed in exhaust gas from a diesel engine or exhaust gas from an incinerator is composed of a filter and a heater provided in a flue. . That is, the soot mixed in the exhaust gas is captured by the filter, heated by the heater provided around the filter, processed as a combustion gas, and discharged into the atmosphere.
【０００３】しかしながら、従来装置では、煙道内にフ
ィルタを加熱するためのヒータを設けるスペースが必要
であるため、排ガスの通路が狭くなる問題がある。そこ
で、フィルタ機能とヒータ機能を併せ持つ多孔質ＳｉＣ
発熱体を適用することにより、排ガス通路を十分に確保
することが考えられるが、そのためには、この多孔質Ｓ
ｉＣ発熱体に通電するための電極部が７５０℃以上の高
温下で使用できる耐熱性を有している必要がある。とこ
ろが、従来の多孔質ＳｉＣ発熱体の電極部は、多孔質Ｓ
ｉＣの表面にＡｇをろう付けしたりＡｇペーストを焼き
付けたりしたものであり、前者のＡｇろう処理した電極
部では、Ａｇろう中に含有されるＣｕが酸化するため
に、ＳｉＣとの間の電気抵抗が増加し、かつ接着力が低
下するという問題がある。また、後者のＡｇペーストを
焼き付けた電極部の場合にも、ガラス成分が分離するこ
とにより、同じくＳｉＣとの間の電気抵抗の増加と、接
着力の低下とをきたすという問題がある。さらに、Ａｇ
メッキにより電極部を構成することも考えられるが、Ｓ
ｉＣが多孔質であるために活性化処理剤が内部にしみ込
み、フィルタ機能が低下するという問題がある。However, the conventional apparatus requires a space for providing a heater for heating the filter in the flue, so that there is a problem that the passage of the exhaust gas becomes narrow. Therefore, porous SiC having both a filter function and a heater function
It is conceivable to secure a sufficient exhaust gas passage by applying a heating element.
It is necessary that an electrode portion for supplying electricity to the iC heating element has heat resistance that can be used at a high temperature of 750 ° C. or more. However, the electrode part of the conventional porous SiC heating element is porous SC.
Ag is brazed or Ag paste is baked on the surface of iC. In the former electrode part treated with Ag brazing, since Cu contained in Ag brazing is oxidized, the electric current between SiC and SiC is reduced. There is a problem that the resistance increases and the adhesive strength decreases. Also, in the case of the latter electrode portion in which the Ag paste is baked, there is also a problem that separation of the glass component causes an increase in electric resistance with SiC and a decrease in adhesive strength. Furthermore, Ag
Although it is conceivable that the electrode portion is formed by plating,
Since iC is porous, there is a problem that the activating agent permeates into the inside and the filter function is deteriorated.
【０００４】上記のような従来の問題点に鑑み、この発
明は、耐熱性を有する電極部が表面に形成された、フィ
ルタ機能を具備する多孔質ＳｉＣ発熱体を提供すること
を目的とする。[0004] In view of the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to provide a porous SiC heating element having a filter function and having a heat-resistant electrode formed on the surface.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
のこの発明の多孔質ＳｉＣ発熱体は、両端部に電極を形
成した多孔質ＳｉＣ発熱体において、上記電極部が、多
孔質ＳｉＣの表面に、スパッタリング法もしくはイオン
プレーティング法により形成された導電性の金属からな
る第１層と、上記第１層の上に、ＡｇメッキもしくはＡ
ｇペースト法により形成された第２層とを有することを
特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a porous SiC heating element having electrodes formed on both ends thereof, wherein the electrode portion is formed on a surface of the porous SiC. A first layer made of a conductive metal formed by a sputtering method or an ion plating method, and Ag plating or A on the first layer.
and a second layer formed by a g paste method.
【０００６】上記構成の多孔質ＳｉＣ発熱体は、電極の
第１層をスパッタリング法もしくはイオンプレーティン
グ法により形成するので、極く表層に限定して金属薄膜
を形成できる。このため、多孔質ＳｉＣ発熱体のフィル
タ機能を損なうことがない。また、上記第１層の上にＡ
ｇペースト法やＡｇメッキ処理法でＡｇもしくはＡｇを
含む第２層を形成するので、ＳｉＣとの間の接着力が確
保され、かつＡｇが耐酸化性を有しているので、高温環
境下においても抵抗が変化し難いものとなる。すなわ
ち、この発明は、スパッタリング法もしくはイオンプレ
ーティング法を用いることによって、導電性の金属を多
孔質ＳｉＣ発熱体の表層にのみ薄膜として形成すること
ができ、この金属薄膜が、Ａｇペースト法やＡｇメッキ
法の下地処理として有効であることを見出し、かかる知
見に基づいて完成されたものである。In the porous SiC heating element having the above structure, the first layer of the electrode is formed by a sputtering method or an ion plating method, so that a metal thin film can be formed only on the surface layer. Therefore, the filter function of the porous SiC heating element is not impaired. Further, A is formed on the first layer.
Since the second layer containing Ag or Ag is formed by the g paste method or the Ag plating method, the adhesive force with SiC is secured, and since Ag has oxidation resistance, it can be used in a high-temperature environment. Also, the resistance hardly changes. That is, according to the present invention, a conductive metal can be formed as a thin film only on the surface layer of a porous SiC heating element by using a sputtering method or an ion plating method. It has been found that it is effective as a base treatment of a plating method, and has been completed based on such knowledge.
【０００７】上記多孔質ＳｉＣ発熱体の第１層を構成す
る導電性の金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓ
ｎ等の種々の金属を用いることができるが、特にＡｇで
あるのが好ましく（請求項２）、この場合には、耐酸化
性に優れ、電気抵抗が極めて小さい下地層を安価に得る
ことができる。上記多孔質ＳｉＣは、密度が１．５〜
２．２ｇ／ｃｍ３であり、気孔率が３０〜６０％であ
り、平均気孔径が５〜１５μｍである燒結体が好ましい
（請求項３）。これは、多孔質ＳｉＣの密度が２．２ｇ
／ｃｍ３を超えると、フィルタとして有効に機能しなく
なり、１．５ｇ／ｃｍ３未満では強度不足を来たすから
であり、また、気孔率が３０〜６０％、平均気孔径が５
〜１５μｍの範囲を外れる場合にも、フィルタとして有
効に機能しなくなるからである。As the conductive metal constituting the first layer of the porous SiC heating element, Ag, Cu, Zn, Ni, S
Various metals such as n can be used, but Ag is particularly preferable (claim 2). In this case, an underlayer having excellent oxidation resistance and extremely low electric resistance can be obtained at low cost. it can. The porous SiC has a density of 1.5 to
A sintered body having 2.2 g / cm 3 , a porosity of 30 to 60%, and an average pore diameter of 5 to 15 μm is preferable (claim 3). This is because the density of the porous SiC is 2.2 g.
Exceeds / cm 3, no longer function effectively as a filter, is because cause insufficient strength is less than 1.5 g / cm 3, The porosity is 30% to 60%, an average pore diameter of 5
This is because even if the thickness is out of the range of 15 μm, the filter does not function effectively.
【０００８】[0008]
【実施例】以下この発明の実施例について詳述する。こ
の実施例の多孔質ＳｉＣ発熱体は下記の製法を用いて製
造した。ただし、この発明は、この実施例のみに限定さ
れるものではない。Embodiments of the present invention will be described below in detail. The porous SiC heating element of this example was manufactured using the following manufacturing method. However, the present invention is not limited to only this embodiment.
【０００９】すなわち、純度が９７％以上の高純度のＳ
ｉＣ粉末（ＧＣ８０００）８４重量％に、第１成分とし
てのＮｉＯ粉末（試薬１級）を８重量％、第２成分とし
てＣｒ２Ｏ３粉末（試薬１級）を８重量％、それぞれ添
加し、さらに、成形助材としてポリエチレングリコール
＃４０００（３部）およびメタノール溶剤としてステア
リン酸（１部）を添加し、ボールミルで混合した後、ス
プレードライヤーで乾燥造粒する。このようにして得ら
れた造粒粉を金型にとり、１０００〜２０００ｋｇ／ｃ
ｍ２の面圧を加えて、所定形状の板状体に成形した後、
これを真空焼成炉にセットし、１５００℃までは１０
−１〜１０−２Ｔｏｒｒ下で焼成し、つづいて、アルゴ
ンガス（大気圧）下で２０００℃まで昇温し、１時間保
持して焼成を完了した。That is, high-purity S having a purity of 97% or more
To 84% by weight of iC powder (GC8000), 8% by weight of NiO powder (reagent first grade) as a first component and 8% by weight of Cr 2 O 3 powder (reagent first grade) as a second component were added. Further, polyethylene glycol # 4000 (3 parts) as a molding aid and stearic acid (1 part) as a methanol solvent are added, mixed by a ball mill, and dried and granulated by a spray drier. The granulated powder thus obtained is put into a mold, and 1000 to 2000 kg / c.
In addition the surface pressure of the m 2, was formed into a plate-like body of a predetermined shape,
This is set in a vacuum firing furnace, and up to 1500 ° C.
Firing was performed under -1 to 10 -2 Torr, and subsequently, the temperature was raised to 2000 ° C under an argon gas (atmospheric pressure), and the temperature was maintained for 1 hour to complete the firing.
【００１０】上記の製法を用いて得られた多孔質ＳｉＣ
燒結体は、板状体（１０×５×６０ｍｍ３）で、密度が
１．８ｇ／ｃｍ３、気孔率が５０％、平均的気孔径が９
μｍであり、曲げ強度が７ｋｇ／ｍｍ２である。次に、
図１に示すように、上記多孔質ＳｉＣ燒結体２の両端部
の表面に、第１層１ａおよび第２層１ｂからなる５ｍｍ
巾の電極部１を形成して、多孔質ＳｉＣ発熱体を得た。
上記電極部１の第１層１ａ（下地層）は、スパッタリン
グ装置を用いて、純度９９．９９％のＡｇを約１μｍの
厚さコートした。[0010] Porous SiC obtained using the above-mentioned manufacturing method
The sintered body was a plate-like body (10 × 5 × 60 mm 3 ) having a density of 1.8 g / cm 3 , a porosity of 50%, and an average pore diameter of 9
μm, and the bending strength is 7 kg / mm 2 . next,
As shown in FIG. 1, 5 mm of a first layer 1a and a second layer 1b are formed on the surfaces of both ends of the porous SiC sintered body 2.
An electrode portion 1 having a width was formed to obtain a porous SiC heating element.
The first layer 1a (base layer) of the electrode section 1 was coated with Ag having a purity of 99.99% to a thickness of about 1 μm using a sputtering apparatus.
【００１１】上記電極部１の第２層１ｂは、第１層１ａ
の上にＡｇペースト処理もしくはＡｇメッキ処理を行っ
て形成したものであり、Ａｇペースト処理を行った実施
例１の場合は、Ａｇペーストを塗布した後、８５０℃で
焼き付けて約１００μｍのＡｇ膜とし、Ａｇメッキ処理
を行った実施例２の場合は、Ａｇメッキ浴を用いた電気
メッキ法により、約１０μｍのＡｇ膜とした。表１は、
上記の実施例１，２の、熱処理前と７５０℃で２００時
間加熱後の電気抵抗の変化を測定した結果を示すもので
ある。なお、表１中の比較例１は、電極部をスパッタリ
ングによるＡｇ薄膜（厚み約１μｍ）のみで構成した場
合であり、比較例２は、Ａｇろうを真空中で９００℃に
てＳｉＣ焼結体に下地処理を行うことなく直接焼き付け
て電極部を構成したものであり、比較例３は、実施例１
と同一のＡｇペースト処理を施して電極部を構成したも
のである。The second layer 1b of the electrode section 1 is composed of a first layer 1a
Is formed by performing an Ag paste process or an Ag plating process on the substrate. In the case of the embodiment 1 in which the Ag paste process is performed, the Ag paste is applied and then baked at 850 ° C. to form an Ag film of about 100 μm. In the case of Example 2 in which Ag plating was performed, an Ag film of about 10 μm was formed by an electroplating method using an Ag plating bath. Table 1
It is a result of measuring a change in electric resistance before heat treatment and after heating at 750 ° C. for 200 hours in Examples 1 and 2 described above. Comparative Example 1 in Table 1 is a case where the electrode portion was composed of only an Ag thin film (thickness of about 1 μm) by sputtering, and Comparative Example 2 was a SiC sintered body at 900 ° C. in a vacuum. The electrode portion was directly baked without performing a base treatment on the electrode portion.
An electrode portion was formed by performing the same Ag paste processing as described above.
【００１２】[0012]
【表１】 [Table 1]
【００１３】表１から明らかなように、Ａｇ薄膜からな
る第１層１ａを形成した実施例１、２は、熱処理前後で
電気抵抗がほとんど変化していないのに対して、比較例
１〜３は、何れも熱処理前後で電気抵抗の変化が大き
い。したがって、実施例１、２は７５０℃の環境下にお
いても良好な耐熱性を有することが分かる。また、実施
例１の結果と比較例３の結果とを比較すると、第１層１
ａのＡｇ薄膜が熱処理後の第２層１ｂの変質を防止し
て、スパッタリング法によるＡｇの薄膜がガラス成分の
分離を抑制する効果を有していることが明らかである。As is clear from Table 1, in Examples 1 and 2 in which the first layer 1a made of an Ag thin film was formed, the electric resistance hardly changed before and after the heat treatment, whereas in Comparative Examples 1 to 3. All have large changes in electrical resistance before and after heat treatment. Therefore, it can be seen that Examples 1 and 2 have good heat resistance even in an environment of 750 ° C. In addition, comparing the result of Example 1 with the result of Comparative Example 3, it was found that the first layer 1
It is clear that the Ag thin film a prevents the second layer 1b from being altered after the heat treatment, and the Ag thin film formed by the sputtering method has an effect of suppressing the separation of glass components.
【００１４】また、上記実施例１，２に係る多孔質Ｓｉ
Ｃ発熱体は、第１層１ａが多孔質ＳｉＣの表層にのみ形
成されており、多孔質ＳｉＣ燒結体２の長手方向におけ
る通気性（フィルター機能）を損なう虞れがないことが
確認された。また、多孔質ＳｉＣ発熱体に、イオンプレ
ーティング法によって第一層を形成した場合も、スパッ
タリング法で第一層を形成した場合と同様の効果が確認
された。The porous Si according to Examples 1 and 2
In the C heating element, the first layer 1a was formed only on the surface layer of porous SiC, and it was confirmed that there was no risk of impairing the permeability (filter function) in the longitudinal direction of the porous SiC sintered body 2. Also, when the first layer was formed on the porous SiC heating element by the ion plating method, the same effect as when the first layer was formed by the sputtering method was confirmed.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る多孔質Ｓ
ｉＣ発熱体によれば、電極部の抵抗が、高温環境下にお
いても変化することなく、表層の金属薄膜が多孔質Ｓｉ
Ｃ燒結体の通気性を阻害しないので、高温環境下で用い
る煤除去用のフィルタとして特に好適なものとなる。As described above, the porous S according to claim 1
According to the iC heating element, the resistance of the electrode section does not change even in a high temperature environment, and the surface metal thin film is made of porous Si.
Since the permeability of the C sintered body is not impaired, it becomes particularly suitable as a soot removal filter used in a high temperature environment.
【００１６】請求項２に係る多孔質ＳｉＣ発熱体によれ
ば、第１層がＡｇ薄膜で構成されるので、耐酸化性に優
れ、電気抵抗が極めて小さい下地層を安価に得ることが
できる。According to the porous SiC heating element of the second aspect, since the first layer is made of an Ag thin film, an underlayer having excellent oxidation resistance and extremely low electric resistance can be obtained at low cost.
【００１７】請求項３に係る多孔質ＳｉＣ発熱体によれ
ば、フィルタ機能を有効に発揮できるので、高温環境下
で用いる煤除去用のフィルタとしてより好適なものとな
る。According to the porous SiC heating element according to the third aspect, since the filter function can be effectively exhibited, it becomes more suitable as a soot removal filter used in a high temperature environment.
【図１】多孔質ＳｉＣ発熱体の一部欠截斜視図である。FIG. 1 is a partially cutaway perspective view of a porous SiC heating element.
１ 電極部 １ａ 第１層 ２ａ 第２層 ２ 多孔質ＳｉＣ燒結体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electrode part 1a 1st layer 2a 2nd layer 2 Porous SiC sintered body
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１２年７月１４日（２０００．７．１
４）[Submission date] July 14, 2000 (2007.1.
4)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００５[Correction target item name] 0005
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
のこの発明の多孔質ＳｉＣ発熱体は、両端部に電極を形
成した多孔質ＳｉＣ発熱体において、上記多孔質ＳｉＣ
は、気孔率が３０〜６０％であり、平均気孔径が５〜１
５μｍの燒結体であり、上記電極部が、多孔質ＳｉＣの
表面に、スパッタリング法もしくはイオンプレーティン
グ法により形成されたＡｇからなる第１層と、上記第１
層の上に、ＡｇメッキもしくはＡｇペースト法により形
成された第２層とを有することを特徴とするものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The porous SiC heating element of the present invention for achieving the above object, in the porous SiC heating element having electrodes formed on both end portions, the porous SiC
Has a porosity of 30 to 60% and an average pore diameter of 5-1.
A sintered body having a thickness of 5 μm, wherein the electrode portion has a first layer made of Ag formed on a surface of porous SiC by a sputtering method or an ion plating method;
A second layer formed by Ag plating or an Ag paste method is provided on the layer.
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００７[Correction target item name] 0007
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００７】また、上記多孔質ＳｉＣ発熱体の第１層を
構成する導電性の金属が、Ａｇであるので、耐酸化性に
優れ、電気抵抗が極めて小さい下地層を安価に得ること
ができる。上記多孔質ＳｉＣは、気孔率が３０〜６０％
であり、平均気孔径が５〜１５μｍであるが、これは気
孔率が３０〜６０％、平均気孔径が５〜１５μｍの範囲
を外れる場合には、フィルタとして有効に機能しなくな
るからである。さらに、上記多孔質ＳｉＣの密度は１．
５〜２．２ｇ／ｃｍ３であるのが好ましい（請求項
２）。これは、多孔質ＳｉＣの密度が２．２ｇ／ｃｍ３
を超えると、フィルタとして有効に機能しなくなり、
１．５ｇ／ｃｍ３未満では強度不足を来たすからであ
る。 [0007] The conductive metal constituting the first layer of the porous SiC heating element, since it is Ag, excellent oxidation resistance, electrical resistance can be obtained at low cost a very small base layer. The porous SiC is, the gas porosity is 30% to 60%
, And the an average pore diameter of 5 to 15 [mu] m, which porosity 30% to 60%, when the average pore diameter is out of the range of 5 to 15 [mu] m is because not function effectively as a filter. Further, the density of the porous SiC is 1.
It is preferably from 5 to 2.2 g / cm 3.
2). This is because the density of the porous SiC is 2.2 g / cm 3.
, It will no longer function effectively as a filter,
If it is less than 1.5 g / cm 3 , the strength will be insufficient.
You.
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１６[Correction target item name] 0016
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１６】特に、第１層がＡｇ薄膜で構成されるの
で、耐酸化性に優れ、電気抵抗が極めて小さい下地層を
安価に得ることができる。In particular, since the first layer is made of an Ag thin film, an underlayer having excellent oxidation resistance and extremely low electric resistance can be obtained at low cost.
【手続補正５】[Procedure amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１７[Correction target item name] 0017
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１７】請求項２に係る多孔質ＳｉＣ発熱体によれ
ば、フィルタ機能を有効に発揮できるので、高温環境下
で用いる煤除去用のフィルタとしてより好適なものとな
る。According to the porous SiC heating element according to claim 2, since it effectively exhibit a filter function, a more suitable as a filter for soot removal using a high temperature environment.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K092 PP15 PP20 QA05 QB09 QB32 QC07 QC25 QC53 QC58 VV09 VV28 4G001 BA01 BA12 BA22 BA71 BB01 BB12 BB22 BC17 BC41 BC54 BC55 BC57 BC72 BD01 BD14 BD22 BE33 BE34 4K029 AA04 BA04 BB02 BB03 BC03 BD00 CA00 CA03 CA05 GA00 GA03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference) 3K092 PP15 PP20 QA05 QB09 QB32 QC07 QC25 QC53 QC58 VV09 VV28 4G001 BA01 BA12 BA22 BA71 BB01 BB12 BB22 BC17 BC41 BC54 BC55 BC57 BC72 BD01 BD14 BD22 BE33 BE34 4K0429 AA04 BA03 CA00 CA03 CA05 GA00 GA03
Claims (3)
体において、 上記電極部が、 多孔質ＳｉＣの表面に、スパッタリング法もしくはイオ
ンプレーティング法により形成された導電性の金属から
なる第１層と、 上記第１層の上に、ＡｇメッキもしくはＡｇペースト法
により形成された第２層とを有することを特徴とする多
孔質ＳｉＣ発熱体。1. A porous SiC heating element having electrodes formed at both ends, wherein the electrode portion is made of a conductive metal formed on a surface of porous SiC by a sputtering method or an ion plating method. A porous SiC heating element comprising: a first layer; and a second layer formed on the first layer by Ag plating or an Ag paste method.
載の多孔質ＳｉＣ発熱体。2. The porous SiC heating element according to claim 1, wherein said conductive metal is Ag.
の多孔質ＳｉＣ発熱体。3. The sintered body according to claim 1, wherein the porous SiC has a density of 1.5 to 2.2 g / cm 3 , a porosity of 30 to 60%, and an average pore diameter of 5 to 15 μm. 2. The porous SiC heating element according to 1.
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1999
- 1999-07-28 JP JP21388299A patent/JP3165416B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013191318A1 (en) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | 주식회사 알란텀 | Metal foam heating body for catalytic converter and method for manufacturing same |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3165416B2 (en) | 2001-05-14 |
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