JP2001043504A - Head amplifier - Google Patents

Head amplifier

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JP2001043504A
JP2001043504A JP11213009A JP21300999A JP2001043504A JP 2001043504 A JP2001043504 A JP 2001043504A JP 11213009 A JP11213009 A JP 11213009A JP 21300999 A JP21300999 A JP 21300999A JP 2001043504 A JP2001043504 A JP 2001043504A
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JP
Japan
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head
amplifier
amplifying
inverse
output
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JP11213009A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Kaneko
真二 金子
Kenji Nakamura
健次 中村
Hiroshi Miura
浩 三浦
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control a generation factor of distortion and a decrease in an S/N even if characteristic compensation at a subsequent stage is not necessitated, by offsetting amplifier input capacitance according to negative feedback and positive feedback by a balanced amplification means constructed by symmetrically arranging a 1st amplifier for inverse-amplifying one end output of a head and a 2nd amplifier for non-inverse-amplifying the other end output of the head. SOLUTION: A head amplifier 100 is provided with an inverse-amplifying part 10 and a non-inverse-amplifying part 20. The inverse-amplifying and non- inverse-amplifying parts 10, 20 negatively feed back the reproduced outputs vas feedback elements CNF1, RNF1, CNF2, and RNF2 while controlling the output impedances of one end side and the other end side of the head 1 via bias elements Rb1, Rb2, while the amplifiers positively feed back the reproduced outputs via the feedback elements CPF1, CPF2. And, when the positive feedback level is made lower than the negative feedback level by the feedback element CPF2, the input capacitance of the inverse- and non-inverse-amplifying parts 10, 20 can be offset, it is possible to avoid the decreasing of S/N by using high resistance for the bias elements Rb1, Rb2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、VTR等の磁気記
録再生装置に用いて好適なヘッドアンプに関する。
The present invention relates to a head amplifier suitable for use in a magnetic recording / reproducing apparatus such as a VTR.

【0002】[0002]

【従来の技術】VTR等の磁気記録再生装置では、ヘッ
ドの誘導成分Lと、線間浮遊容量を含むヘッドアンプ前
置増幅段の入力容量Cとによる共振(以下、ヘッド共振
と称す)を利用して、ヘッドが誘起する再生信号を伝送
帯域内で所望の周波数特性に等化する技術が用いられて
いる。
2. Description of the Related Art A magnetic recording / reproducing apparatus such as a VTR utilizes resonance caused by an inductive component L of a head and an input capacitance C of a preamplifier stage including a stray capacitance between lines (hereinafter referred to as head resonance). Then, a technique of equalizing a reproduced signal induced by the head to a desired frequency characteristic in a transmission band is used.

【0003】ヘッドおよび前置増幅段からなるヘッドア
ンプが出力する再生信号は、必要帯域における周波数振
幅特性FLが単調であって、かつ群遅延特性GDが平坦
でないと、ヘッドアンプ後段での特性補償が困難にな
り、信号歪みの発生要因になり易い。その為、従来のヘ
ッドアンプでは、ヘッド共振周波数が必要帯域内に入り
込まないように回路定数を定めている。
A reproduced signal output from a head amplifier composed of a head and a preamplifier stage has a characteristic compensation in a stage subsequent to the head amplifier unless the frequency amplitude characteristic FL in the required band is monotonous and the group delay characteristic GD is not flat. And it is likely to cause signal distortion. Therefore, in the conventional head amplifier, the circuit constant is determined so that the head resonance frequency does not enter the required band.

【0004】(a)第1の従来例 図5は、そうしたヘッドアンプ(第1の従来例)の構成
を示す回路図である。この図において、信号発生器SG
が発生する出力は、負荷抵抗Rgを介して1Tカップリ
ングされることにより一定磁束を発生する。巻線ヘッド
1(以下、ヘッド1と略称する)は、1Tカップリング
にて生成される一定磁束に応じた誘導起電力(再生信
号)を発生する。ソース接地されるFET2は、ヘッド
1が出力する再生信号を電流増幅する。
(A) First conventional example FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of such a head amplifier (first conventional example). In this figure, the signal generator SG
Generates a constant magnetic flux by being 1T-coupled through a load resistor Rg. The winding head 1 (hereinafter, abbreviated as head 1) generates an induced electromotive force (reproduction signal) corresponding to a constant magnetic flux generated by 1T coupling. The FET 2 whose source is grounded amplifies the current of the reproduction signal output from the head 1.

【0005】R1,C1はゲートバイアス素子である。
FET2の出力を電圧に変換するトランジスタ3は、F
ET2のドレイン端子からの帰還容量を小さくする為に
ベース接地される。R2,R3およびC2はバイアス素
子、R4,R5は出力抵抗である。4は増幅された信号
電圧を低インピーダンス化する出力トランジスタであ
る。
[0005] R1 and C1 are gate bias elements.
Transistor 3, which converts the output of FET 2 to a voltage,
The base is grounded to reduce the feedback capacitance from the drain terminal of ET2. R2, R3 and C2 are bias elements, and R4 and R5 are output resistors. Reference numeral 4 denotes an output transistor for reducing the impedance of the amplified signal voltage.

【0006】上記構成によれば、入力容量CがCSD+C
DG+|A|・CDSとなり、ヘッド1の誘導成分をLK
すると、ヘッド共振周波数f0は1/2π(LK・C)
1/2になる。具体的な特性例としては、図7に図示する
ように、ヘッド共振周波数f0をピークに単調増加/減
少する周波数振幅特性FLになる一方、SN比および群
遅延特性GDについてもほぼヘッド共振周波数f0にて
ピークとなる特性になる。
According to the above arrangement, the input capacitance C is C SD + C
DG + | A | · C DS , and assuming that the inductive component of the head 1 is L K , the head resonance frequency f 0 is ππ (L K · C)
1/2 . As a specific example of the characteristic, as shown in FIG. 7, the frequency amplitude characteristic FL monotonically increases / decreases with the peak at the head resonance frequency f 0 , while the SN ratio and the group delay characteristic GD are almost equal to the head resonance frequency. made to the characteristics to be a peak at f 0.

【0007】ところで、第1の従来例では、ヘッド共振
を利用して高SN比を得るようにしているので、後段に
ヘッド共振特性をダンピングするfQ補償回路を設け、
群遅延特性GDを平坦化する調整が必要となる。そこ
で、近年ではそうした調整を不要にすべく、ヘッドアン
プ内でヘッド共振特性をダンピングする第2および第3
の従来例も案出されている。
In the first conventional example, a high SN ratio is obtained by utilizing head resonance. Therefore, an fQ compensation circuit for damping head resonance characteristics is provided at a subsequent stage.
Adjustment for flattening the group delay characteristic GD is required. Therefore, in recent years, in order to make such adjustment unnecessary, the second and third damping head resonance characteristics in the head amplifier have been proposed.
Conventional examples have been devised.

【0008】(b)第2の従来例 次に、図8および図10を参照して第2の従来例につい
て説明する。図8は、第1の従来例と同様、カスコード
型で形成された第2の従来例によるヘッドアンプの構成
を示す回路図である。この図において、上述した第1の
従来例と共通する回路要素には同一の番号を付し、その
説明を省略する。
(B) Second Conventional Example Next, a second conventional example will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a head amplifier according to a second conventional example formed of a cascode type, similarly to the first conventional example. In this figure, circuit elements common to the above-mentioned first conventional example are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0009】図8に示すヘッドアンプが図5に図示した
第1の従来例と相違する点は、ヘッド1に対して並列に
抵抗Rd(500Ω程度)を介挿し、ヘッド共振をダン
ピングすることにある。このような構成によれば、図1
0に図示する特性から明らかなように、第1の従来例の
特性(図7参照)に比べ、ダンピングにより群遅延特性
GDがより平坦化され、周波数振幅特性FLも単調な特
性となる為、後段での特性補償を不要にしている。
The head amplifier shown in FIG. 8 differs from the first conventional example shown in FIG. 5 in that a resistor Rd (about 500Ω) is inserted in parallel with the head 1 to dampen head resonance. is there. According to such a configuration, FIG.
As is clear from the characteristics shown in FIG. 0, the group delay characteristics GD are flattened by the damping and the frequency amplitude characteristics FL are also monotonous characteristics as compared with the characteristics of the first conventional example (see FIG. 7). This eliminates the need for characteristic compensation in the subsequent stage.

【0010】(c)第3の従来例 次に、図9および図11を参照して第3の従来例につい
て説明する。図9は、第1の従来例と同様、カスコード
型で形成された第3の従来例によるヘッドアンプの構成
を示す回路図である。この図において、上述した第1の
従来例と共通する回路要素には同一の番号を付し、その
説明を省略する。
(C) Third Conventional Example Next, a third conventional example will be described with reference to FIGS. 9 and 11. FIG. FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a head amplifier according to a third conventional example formed of a cascode type, similarly to the first conventional example. In this figure, circuit elements common to the above-mentioned first conventional example are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0011】図9に示すヘッドアンプが図5に図示した
第1の従来例と相違する点は、帰還素子CNF,RNFおよ
びバイアス抵抗Rbを設け、これらを介して負帰還を施
すことでヘッド共振をダンピングすることにある。ここ
で、帰還容量CNFを大きく、帰還抵抗RNFを十分小さく
して負帰還レベルを大きくして等価的にヘッド1の起電
流を増幅すれば、図11に図示する特性から明らかなよ
うに、第1の従来例の特性(図7参照)に比べ、群遅延
特性GDがより平坦になるうえ、周波数振幅特性FLも
単調な特性となるから、この場合も後段での特性補償が
不要になる。
The difference between the head amplifier shown in FIG. 9 and the first conventional example shown in FIG. 5 is that the feedback amplifiers C NF and R NF and the bias resistor Rb are provided, and negative feedback is performed via these components. The purpose is to dampen head resonance. Here, if the feedback capacitance C NF is increased, the feedback resistance R NF is sufficiently reduced, and the negative feedback level is increased to amplify the electromotive current of the head 1 equivalently, as is apparent from the characteristics shown in FIG. As compared with the characteristics of the first conventional example (see FIG. 7), the group delay characteristic GD becomes flatter and the frequency amplitude characteristic FL becomes monotonous. Therefore, in this case, the characteristic compensation at the subsequent stage is unnecessary. Become.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】さて、上述したよう
に、ヘッド共振周波数が必要帯域内に入り込まないよう
した第1の従来例によるヘッドアンプでは、ヘッドドラ
ムの外側に前置増幅段を設ける態様とすると、図6
(イ)に図示するように、ロータリトランスRTを用い
てヘッド1と前置増幅段とを結合する構成になるが、か
かる構成では同図(ロ)に示すように、巻き数比に応じ
た相互インダクタンスMおよび漏洩インダクタンス分が
生じてヘッド共振周波数の低下を招き、これを防ぐには
ヘッド1の巻線数を小さくしなければならず、結果的に
ヘッド巻数、ロータリトランスの巻数比および前置増幅
段の入力容量等の組合せが制限されてしまい、設計自由
度が失われる、という弊害がある。
As described above, in the head amplifier according to the first conventional example in which the head resonance frequency does not enter the required band, a mode in which a preamplifier is provided outside the head drum. Then, FIG.
As shown in (a), the configuration is such that the head 1 and the preamplifier stage are coupled by using a rotary transformer RT. In such a configuration, as shown in (b) of FIG. Mutual inductance M and leakage inductance cause the head resonance frequency to decrease. To prevent this, the number of turns of the head 1 must be reduced, and as a result, the number of turns of the head, the turn ratio of the rotary transformer, and the There is a disadvantage that the combination of the input capacitance of the preamplifier stage and the like is limited, and the degree of freedom in design is lost.

【0013】また、再生速度(例えば倍速再生)に応じ
て前置増幅段で使用するFETの個数を切り替える態様
とする場合、かかる態様では並列使用されるFETの性
能指数M(相互コンダクタンスgm/ゲート容量Cg)
が使用個数倍に増加する為、例えば、図12に図示する
ように、4つのFET2−1〜2−4を並列使用する
と、1:2の昇圧トランスSTを使用するのと等価にな
るので、上記と同様にヘッド共振周波数の低下を招き、
この場合も設計自由度が失われる。
In the case where the number of FETs used in the preamplifier stage is switched according to the reproduction speed (for example, double speed reproduction), in such an embodiment, the figure of merit M (mutual conductance gm / gate) of the FETs used in parallel is used. Capacity Cg)
For example, as shown in FIG. 12, if four FETs 2-1 to 2-4 are used in parallel, as shown in FIG. 12, it becomes equivalent to using a 1: 2 step-up transformer ST. As in the above, the head resonance frequency is reduced,
Also in this case, the degree of freedom in design is lost.

【0014】一方、ヘッド1に対して並列に抵抗Rdを
介挿してヘッド共振をダンピングする第2の従来例によ
るヘッドアンプではSN比が低下する問題があり、さら
に負帰還を施してヘッド共振をダンピングする第3の従
来例によるヘッドアンプでは、信号周波数に応じて帰還
量が変化するので、必要帯域内で帰還レベルを大きくと
れない場合には群遅延特性GDや周波数振幅特性FLが
変動して歪み発生要因になる虞がある。
On the other hand, the head amplifier according to the second conventional example, in which the head resonance is damped by interposing a resistor Rd in parallel with the head 1, has a problem that the SN ratio is reduced. In the head amplifier according to the third conventional example for damping, the feedback amount changes according to the signal frequency. Therefore, if the feedback level cannot be increased within the required band, the group delay characteristic GD and the frequency amplitude characteristic FL vary. There is a possibility that this may be a factor for generating distortion.

【0015】結局、以上の内容を換言すると、従来のヘ
ッドアンプは、ヘッド共振周波数が必要帯域内に入り込
まないようにすると、高SN比を実現し得るものの、後
段での特性補償を必要としたり、設計自由度が失われる
といった弊害が生じ、一方、後段での特性補償を不要に
すると、SN比の低下を招致したり、歪み発生要因が生
じる虞がある、という互いに相反した問題を持つことに
なる。
In other words, in other words, the conventional head amplifier can achieve a high S / N ratio if the head resonance frequency does not fall within the required band, but requires characteristic compensation at a subsequent stage. However, there is an adverse effect that the degree of freedom in design is lost. On the other hand, if the characteristic compensation in the subsequent stage is not required, there is a conflicting problem that the SN ratio may be reduced or a distortion may be caused. become.

【0016】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、後段での特性補償を不要にしながらも歪み発
生要因やSN比低下を抑え、しかも設計自由度を保つこ
とができるヘッドアンプを提供することを目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and a head amplifier capable of suppressing distortion generation factors and a decrease in SN ratio and maintaining design flexibility while eliminating the need for characteristic compensation in a subsequent stage. It is intended to provide.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明では、ヘッド誘導成分および
アンプ入力容量によるヘッド共振を用いて出力特性改善
を図るようにしたヘッドアンプにおいて、ヘッドの一端
側出力を負帰還させつつ正帰還させて反転増幅する第1
の増幅部と、ヘッドの他端側出力を負帰還させつつ正帰
還させて非反転増幅する第2の増幅部とを対称配置して
なる平衡増幅手段を形成し、前記平衡増幅手段は負帰還
および正帰還に応じて前記アンプ入力容量を相殺するこ
とを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a head amplifier for improving output characteristics using head resonance caused by a head induction component and an amplifier input capacitance. The first in which the output of one end of the head is positively fed back while negatively fed back and amplified in reverse.
And a second amplifier for non-inverting amplification by negatively feeding back the output of the other end of the head while negatively feeding back the output of the head are formed symmetrically. And canceling out the amplifier input capacitance according to positive feedback.

【0018】また、請求項2に記載の発明では、ヘッド
誘導成分およびアンプ入力容量によるヘッド共振を用い
て出力特性改善を図るようにしたヘッドアンプにおい
て、高抵抗素子にて制限されたヘッドの一端側出力を負
帰還させつつ正帰還させて反転増幅する第1の増幅部
と、高抵抗素子にて制限されたヘッドの他端側出力を負
帰還させつつ正帰還させて非反転増幅する第2の増幅部
とを対称配置してなる平衡増幅手段を形成し、前記平衡
増幅手段は負帰還量より小さい正帰還量に応じて前記ア
ンプ入力容量を相殺することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in a head amplifier in which output characteristics are improved by using head resonance caused by a head induction component and an amplifier input capacitance, one end of the head limited by a high resistance element is provided. A first amplifying unit that inverts and amplifies the output of the head by negatively feeding back the output of the head, and a second amplifying unit that performs non-inverting amplification by feeding back the output of the other end of the head limited by the high resistance element while negatively feeding back the output. And a symmetrical arrangement of the amplifying section, and the balanced amplifying means cancels the amplifier input capacitance according to a positive feedback amount smaller than a negative feedback amount.

【0019】本発明では、ヘッド出力を負帰還させつつ
正帰還させて平衡増幅する構成にしたから、負帰還およ
び正帰還に応じてアンプ入力容量を相殺してヘッド共振
周波数を必要帯域外に追い出すことが可能になる。これ
により、必要帯域における群遅延特性GDおよび周波数
振幅特性FLの変動が少なくなる為、歪み発生要因を抑
えることが可能になる。また、負帰還にてヘッド共振を
ダンピングするので、後段での特性補償が不要になる。
さらに、高抵抗素子にてヘッド出力を制限するので、帰
還によりヘッド共振をダンピングする態様でありながら
SN比低下を回避できる。加えて、アンプ入力容量の相
殺によりヘッド共振周波数が上昇するから、ロータリト
ランスRTを用いてヘッドと前置増幅段とを結合する態
様や、再生速度に応じて前置増幅段で使用するFETの
個数を切り替える態様にも柔軟に対応でき、ヘッド巻
数、ロータリトランスの巻数比および前置増幅段の入力
容量を自由に組合せることが可能になり、設計自由度が
保たれる。
According to the present invention, the head output is positively fed back while the head output is negatively fed back, and balanced amplification is performed. Therefore, the amplifier input capacitance is canceled in accordance with the negative feedback and the positive feedback to drive the head resonance frequency out of the required band. It becomes possible. As a result, the fluctuations of the group delay characteristic GD and the frequency amplitude characteristic FL in the required band are reduced, so that it is possible to suppress the cause of distortion. Further, since the head resonance is damped by the negative feedback, the characteristic compensation at the subsequent stage is not required.
Further, since the head output is limited by the high-resistance element, a reduction in the SN ratio can be avoided in a mode in which the head resonance is damped by feedback. In addition, since the head resonance frequency rises due to the cancellation of the amplifier input capacitance, the mode in which the head and the preamplifier stage are coupled using the rotary transformer RT or the FET used in the preamplifier stage depending on the reproduction speed are used. It is possible to flexibly cope with a mode in which the number is switched, and it is possible to freely combine the number of head turns, the turn ratio of the rotary transformer, and the input capacity of the preamplifier stage, and the degree of design freedom is maintained.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は実施の一形態による
ヘッドアンプ100の構成を示す回路図である。ヘッド
アンプ100は、ヘッド1の一端側出力を反転増幅する
反転増幅部10と、ヘッド1の他端側出力を非反転増幅
する非反転増幅部20とを備えた平衡増幅器を形成す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a head amplifier 100 according to one embodiment. The head amplifier 100 forms a balanced amplifier including an inverting amplifier 10 that inverts and amplifies the output of one end of the head 1 and a non-inverting amplifier 20 that amplifies the output of the other end of the head 1 in a non-inverting manner.

【0021】反転増幅部10では、ヘッド1の一端側出
力を電流増幅するFET11、このFET11のゲート
バイアス抵抗R11、FET11の出力を電圧に変換す
るトランジスタ12、このトランジスタ12のバイアス
素子R12,R13,C11、出力抵抗R14,R15
および出力トランジスタ13を備え、ヘッド1の一端側
出力インピーダンスをバイアス抵抗Rb1で制限しつ
つ、帰還素子CNF1,RN F1を介して再生出力を負帰還さ
せる一方で、帰還素子CPF1を介して再生出力を正帰還
させる。
In the inverting amplifier 10, the FET 11 amplifies the current on one end of the head 1, the gate bias resistor R11 of the FET 11, the transistor 12 for converting the output of the FET 11 into a voltage, the bias elements R12, R13, C11, output resistors R14, R15
And the output transistor 13. While the output impedance at one end of the head 1 is limited by the bias resistor Rb1, the reproduction output is negatively fed back through the feedback elements C NF1 and R N F1 , while the output impedance is fed through the feedback element C PF1. The playback output is fed back positively.

【0022】一方、非反転増幅部20では、ヘッド1の
他端側出力を電流増幅するFET21、このFET11
のゲートバイアス抵抗R21、FET21の出力を電圧
に変換するトランジスタ22、このトランジスタ22の
バイアス素子R12,R13,C11、出力抵抗R2
2,R23および出力トランジスタ23を備え、ヘッド
1の他端側出力インピーダンスをバイアス抵抗Rb2で
制限しつつ、帰還素子C NF2,RNF2を介して再生出力を
負帰還させる一方で、帰還素子CPF2を介して再生出力
を正帰還させる。
On the other hand, in the non-inverting amplifier 20,
FET 21 that amplifies the current of the other end side output, this FET 11
Gate bias resistor R21, the output of FET21
The transistor 22 for converting to
Bias elements R12, R13, C11, output resistance R2
2, a head including R23 and an output transistor 23
1 with the bias resistance Rb2
While limiting, the feedback element C NF2, RNF2Playback output via
The feedback element CPF2Playback output via
Positive feedback.

【0023】このように、反転増幅部10および非反転
増幅部20を対称配置して平衡増幅器を形成したヘッド
アンプ100では、帰還素子CPF2にて負帰還レベルよ
り小さい正帰還レベルとすると、各増幅部10,20に
おける入力容量Cが相殺される為、ヘッド共振周波数を
必要帯域外に追い出すことが出来、また、バイアス抵抗
Rb1,Rb2を高抵抗(例えば10KΩ以上)にすれ
ば、帰還によりヘッド共振をダンピングする態様であり
ながらも、SN比低下を回避することができる。
As described above, in the head amplifier 100 in which the inverting amplifier 10 and the non-inverting amplifier 20 are symmetrically arranged to form a balanced amplifier, if the feedback element CPF2 has a positive feedback level smaller than the negative feedback level, Since the input capacitance C in the amplifiers 10 and 20 is offset, the head resonance frequency can be driven out of the required band, and if the bias resistors Rb1 and Rb2 are set to high resistance (for example, 10 KΩ or more), the head is returned by feedback. Despite the mode of damping the resonance, it is possible to avoid a decrease in the SN ratio.

【0024】図2は、こうしたヘッドアンプ100の周
波数特性を示しており、この図から判るように、前述し
た第1の従来例(図7参照)とほぼ同等のSN比特性と
なり、しかも群遅延特性GDや周波数振幅特性FLにつ
いては第2の従来例(図10参照)および第3の従来例
(図11参照)に比べてそのピークがヘッド共振周波数
の上昇に連れて高域側にシフトして必要帯域での変動が
少なくなっている為、歪み発生要因を除去し得るように
なっている。
FIG. 2 shows the frequency characteristics of such a head amplifier 100. As can be seen from FIG. 2, the SN ratio characteristics are almost the same as those of the first conventional example (see FIG. 7), and the group delay is also shown. The characteristic GD and the frequency amplitude characteristic FL have their peaks shifted to higher frequencies as the head resonance frequency increases as compared with the second conventional example (see FIG. 10) and the third conventional example (see FIG. 11). Therefore, the fluctuation in the required band is reduced, so that the distortion generation factor can be removed.

【0025】さらに、入力容量Cの相殺によりヘッド共
振周波数が上昇するから、ロータリトランスRTを用い
てヘッド1と前置増幅段とを結合する態様や、再生速度
に応じて前置増幅段で使用するFETの個数を切り替え
る態様にも柔軟に対応でき、ヘッド巻数、ロータリトラ
ンスの巻数比および前置増幅段の入力容量を自由に組合
せることが可能になり、設計自由度が保たれる。
Further, since the head resonance frequency rises due to the cancellation of the input capacitance C, the head 1 and the preamplifier are coupled using the rotary transformer RT, or used in the preamplifier according to the reproduction speed. Therefore, the number of head turns, the turn ratio of the rotary transformer, and the input capacitance of the preamplifier stage can be freely combined, and the degree of design freedom is maintained.

【0026】なお、上述した実施の一形態では、FET
入力によるヘッドアンプについて言及したが、本発明の
要旨はこれに限定されるものではなく、図3に図示する
ようにオペアンプICを用いた構成でも得られる特性は
同じである。但し、入力に抵抗値の小さいバイアス抵抗
を使用すると、SN比の改善が損われるので、トランス
やインダクタを介した入力形態にする必要が生じる。ま
た、広帯域の前置増幅段を使用する際には、位相遅延が
無視出来なくなり、正帰還をかけることができないの
で、その様な場合には、図4に図示するように、CR回
路網にて帰還をかけて等価な特性を得るようにすれば良
い。
In the embodiment described above, the FET
Although the head amplifier based on the input has been described, the gist of the present invention is not limited to this, and the characteristics obtained by the configuration using the operational amplifier IC as shown in FIG. 3 are the same. However, if a bias resistor having a small resistance value is used for the input, the improvement of the SN ratio is impaired, so that it is necessary to use an input form via a transformer or an inductor. Also, when using a wideband preamplifier stage, the phase delay cannot be ignored and positive feedback cannot be applied. In such a case, as shown in FIG. Then, feedback may be applied to obtain equivalent characteristics.

【0027】[0027]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、ヘッド
の一端側出力を負帰還させつつ正帰還させて反転増幅す
る第1の増幅部と、ヘッドの他端側出力を負帰還させつ
つ正帰還させて非反転増幅する第2の増幅部とを対称配
置してなる平衡増幅手段を形成し、前記平衡増幅手段は
負帰還および正帰還に応じて前記アンプ入力容量を相殺
するので、ヘッド共振周波数を必要帯域外に追い出すこ
とが出来、これにより必要帯域における群遅延特性GD
および周波数振幅特性FLの変動が少なくなり、歪み発
生要因を抑えることができる。また、負帰還にてヘッド
共振をダンピングするので、後段での特性補償が不要に
なる。請求項2に記載の発明によれば、高抵抗素子にて
制限されたヘッドの一端側出力を負帰還させつつ正帰還
させて反転増幅する第1の増幅部と、高抵抗素子にて制
限されたヘッドの他端側出力を負帰還させつつ正帰還さ
せて非反転増幅する第2の増幅部とを対称配置してなる
平衡増幅手段を形成し、前記平衡増幅手段は負帰還量よ
り小さい正帰還量に応じて前記アンプ入力容量を相殺す
るので、帰還によりヘッド共振をダンピングする態様で
ありながらSN比低下を回避できる。加えて、アンプ入
力容量の相殺によりヘッド共振周波数が上昇するから、
ロータリトランスRTを用いてヘッドと前置増幅段とを
結合する態様や、再生速度に応じて前置増幅段で使用す
るFETの個数を切り替える態様にも柔軟に対応でき、
ヘッド巻数、ロータリトランスの巻数比および前置増幅
段の入力容量を自由に組合せることが可能になり、設計
自由度を保つことができる。
According to the first aspect of the present invention, the first amplifying unit for inverting and amplifying the output of one end of the head by negatively feeding back the output of the head and negatively feeding back the output of the other end of the head. A balanced amplifying unit is formed by symmetrically arranging a second amplifying unit that performs non-inverting amplification by performing positive feedback while the balanced amplifying unit cancels the amplifier input capacitance according to negative feedback and positive feedback. The head resonance frequency can be driven out of the required band, whereby the group delay characteristic GD in the required band is obtained.
In addition, the fluctuation of the frequency amplitude characteristic FL is reduced, and the cause of distortion can be suppressed. In addition, since the head resonance is damped by negative feedback, it is not necessary to perform characteristic compensation at a subsequent stage. According to the second aspect of the present invention, the first amplifying section that inverts and amplifies the output of one end of the head limited by the high-resistance element while performing negative feedback and negative feedback, and is limited by the high-resistance element. And a second amplifying unit that non-inverts and amplifies the output of the other end of the head by performing a negative feedback while providing a negative feedback, to form a balanced amplifying unit. Since the amplifier input capacitance is canceled in accordance with the amount of feedback, it is possible to avoid a reduction in the SN ratio while damping the head resonance by feedback. In addition, since the head resonance frequency increases due to the cancellation of the amplifier input capacitance,
It is also possible to flexibly cope with a mode in which the head and the preamplifier are coupled using the rotary transformer RT and a mode in which the number of FETs used in the preamplifier is switched according to the reproduction speed.
The number of turns of the head, the ratio of the number of turns of the rotary transformer, and the input capacity of the preamplifier stage can be freely combined, and the degree of design freedom can be maintained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の一形態によるヘッドアンプの構
成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a head amplifier according to an embodiment of the present invention.

【図2】実施の一形態の周波数特性例を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a frequency characteristic according to the embodiment;

【図3】オペアンプICを用いたヘッドアンプの構成例
を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of a head amplifier using an operational amplifier IC.

【図4】広帯域の前置増幅段を使用する際の帰還回路例
を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a feedback circuit when a wideband preamplifier stage is used.

【図5】第1の従来例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a first conventional example.

【図6】ロータリトランスRTを用いてヘッド1と前置
増幅段とを結合する場合の等価回路を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an equivalent circuit in a case where the head 1 and a preamplifier stage are coupled using a rotary transformer RT.

【図7】第1の従来例の周波数特性を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing frequency characteristics of a first conventional example.

【図8】第2の従来例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a second conventional example.

【図9】第3の従来例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a third conventional example.

【図10】第2の従来例の周波数特性を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating frequency characteristics of a second conventional example.

【図11】第3の従来例の周波数特性を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing frequency characteristics of a third conventional example.

【図12】FETを並列使用した場合の等価回路を示す
図である。
FIG. 12 is a diagram showing an equivalent circuit when FETs are used in parallel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…反転増幅部(第1の増幅部)、11…FET、1
2,13…トランジスタ、Rb1,R11,R12,R
13,C11…バイアス素子、R14,R15…出力抵
抗、CNF1,RNF1,CPF1…帰還素子、20…非反転増
幅部(第2の増幅部)、21…FET、22,23…ト
ランジスタ、Rb2,R21…バイアス素子、R22,
R23…出力抵抗、CNF2,RNF2,CPF2…帰還素子、
100…ヘッドアンプ(平衡増幅手段)。
10: inverting amplifier (first amplifier), 11: FET, 1
2, 13 ... transistor, Rb1, R11, R12, R
13, C11: bias element, R14, R15: output resistance, CNF1 , RNF1 , CPF1 : feedback element, 20: non-inverting amplifier (second amplifier), 21: FET, 22, 23: transistor, Rb2, R21 ... bias element, R22,
R23: output resistance, CNF2 , RNF2 , CPF2 : feedback element,
100 head amplifier (balanced amplification means)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5D030 AA02 BA17 BA21 BA22 5J090 AA01 AA12 AA13 AA22 CA21 CA41 CA64 CA72 DN01 FA09 FA17 HA02 HA09 HA18 HA25 HA29 HA35 HN16 KA02 KA12 KA13 KA47 MA04 MA08 MA12 MA13 MA17 MA21 MN03 MN04 NN05 NN06 SA10 TA01 TA03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5D030 AA02 BA17 BA21 BA22 5J090 AA01 AA12 AA13 AA22 CA21 CA41 CA64 CA72 DN01 FA09 FA17 HA02 HA09 HA18 HA25 HA29 HA35 HN16 KA02 KA12 KA13 KA47 MA04 MA08 MA12 MA13 MA17 MA21 NN05 SA10 TA01 TA03

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ヘッド誘導成分およびアンプ入力容量に
よるヘッド共振を用いて出力特性改善を図るようにした
ヘッドアンプにおいて、 ヘッドの一端側出力を負帰還させつつ正帰還させて反転
増幅する第1の増幅部と、ヘッドの他端側出力を負帰還
させつつ正帰還させて非反転増幅する第2の増幅部とを
対称配置してなる平衡増幅手段を形成し、 前記平衡増幅手段は負帰還および正帰還に応じて前記ア
ンプ入力容量を相殺することを特徴とするヘッドアン
プ。
1. A head amplifier in which output characteristics are improved by using head resonance caused by a head induction component and an amplifier input capacitance, wherein the one end of the head is positively fed back while being negatively fed back, and the first output is inverted and amplified. An amplifying unit and a second amplifying unit that non-invertingly amplifies by non-inverting and amplifying the output of the other end of the head by performing a negative feedback are formed in a balanced amplifying unit. A head amplifier for canceling the amplifier input capacitance according to positive feedback.
【請求項2】 ヘッド誘導成分およびアンプ入力容量に
よるヘッド共振を用いて出力特性改善を図るようにした
ヘッドアンプにおいて、 高抵抗素子にて制限されたヘッドの一端側出力を負帰還
させつつ正帰還させて反転増幅する第1の増幅部と、高
抵抗素子にて制限されたヘッドの他端側出力を負帰還さ
せつつ正帰還させて非反転増幅する第2の増幅部とを対
称配置してなる平衡増幅手段を形成し、 前記平衡増幅手段は負帰還量より小さい正帰還量に応じ
て前記アンプ入力容量を相殺することを特徴とするヘッ
ドアンプ。
2. A head amplifier in which an output characteristic is improved by using head resonance caused by a head induction component and an amplifier input capacitance. The first amplifying unit for inverting and amplifying and the second amplifying unit for non-inverting and amplifying the output of the other end of the head, which is limited by the high-resistance element, is negatively fed back while being positively fed back. A head amplifier, comprising: a balanced amplifying means, wherein the balanced amplifying means cancels the amplifier input capacitance according to a positive feedback amount smaller than a negative feedback amount.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1758243A1 (en) * 2005-08-26 2007-02-28 Acqiris SA Low offset Sample-and-Hold and Amplifier
JP2014011668A (en) * 2012-06-29 2014-01-20 Sumitomo Electric Device Innovations Inc Electronic circuit
WO2023238818A1 (en) * 2022-06-08 2023-12-14 株式会社村田製作所 Power amplification circuit

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