JP2001040183A - Resin paste composition and semiconductor apparatus by use thereof - Google Patents

Resin paste composition and semiconductor apparatus by use thereof

Info

Publication number
JP2001040183A
JP2001040183A JP11215472A JP21547299A JP2001040183A JP 2001040183 A JP2001040183 A JP 2001040183A JP 11215472 A JP11215472 A JP 11215472A JP 21547299 A JP21547299 A JP 21547299A JP 2001040183 A JP2001040183 A JP 2001040183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste composition
resin paste
component
resin
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11215472A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisayuki Naito
久幸 内藤
Yasuo Miyamoto
泰雄 宮本
Moritoshi Yoshida
守利 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP11215472A priority Critical patent/JP2001040183A/en
Publication of JP2001040183A publication Critical patent/JP2001040183A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin paste composition and a semiconductor apparatus by its use for improving peel strength to a support member configured by mainly an organic material, especially the peel strength after absorbing moisture, for improving reflow resistance of a semiconductor apparatus assembled by use thereof without poor wire bonding caused by occurrence of bleed and without problems such as detachment of a sealing material with controlling a lower hygroscopic rate, and further for improving reliability connected to a temperature cycle after practical equipment. SOLUTION: A resin paste composition comprises (A) an epoxy resin or its modified substance, (B) a curing agent reactive to the above described component (A), (C) a glycol ether solvent and (D) a fluoro compound having surface activity. A semiconductor apparatus is constituted by sealing after sticking a semiconductor device to a support member using the resin paste composition.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はIC、LSI等の半
導体素子をガラス/エポキシ樹脂、ガラス/BT(ビス
マレイミドトリアジン)樹脂、ポリイミド等の有機素材
を主体として構成された支持部材に接着するのに好適な
樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for bonding a semiconductor element such as an IC or an LSI to a support member mainly composed of an organic material such as glass / epoxy resin, glass / BT (bismaleimide triazine) resin, or polyimide. And a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の実装方式は高密度実装の点
から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行し
た。さらにパッケージの構造も高集積化に伴うピン数の
増加からBGA(ボールグリッドアレイ)、CSP(チ
ツプスケールパッケージ)等の名称で表現されるエリア
端子型素子へと変化している。表面実装方式では基板へ
の実装には基板全体を赤外線等で加熱するリフローソル
ダリングが用いられ、パッケージが200℃以上の高温
に加熱されるため、パッケージ内部、特に接着剤層中ま
たは封止材中に含まれる水分の急激な気化・膨張により
パッケージクラツクが発生し、半導体装置の信頼性が低
下するという問題があった。エリア端子型素子では、有
機素材を主体として構成された支持部材に半導体素子を
接着し片面のみの封止が行われた構造が最も一般的であ
るが、支持部材の片面が露出しさらに基材が吸湿性、透
湿性の高い有機素材から構成されるため、ダイボンド層
の吸湿が起こりやすくリフローソルダリングによるパッ
ケージクラツクの問題は特に深刻である。
2. Description of the Related Art The mounting method of semiconductor devices has shifted from the conventional pin insertion method to the surface mounting method in view of high-density mounting. Further, the structure of the package has been changed to an area terminal type element represented by a name such as BGA (ball grid array) or CSP (chip scale package) due to an increase in the number of pins due to high integration. In the surface mounting method, reflow soldering, which heats the entire board with infrared light or the like, is used for mounting on the board, and the package is heated to a high temperature of 200 ° C or more, so the inside of the package, especially in the adhesive layer or in the sealing material There has been a problem that package cracks occur due to rapid vaporization / expansion of water contained therein, and the reliability of the semiconductor device is reduced. In the area terminal type element, a structure in which a semiconductor element is bonded to a support member mainly composed of an organic material and only one side is sealed is most commonly used. Is made of an organic material having high hygroscopicity and moisture permeability, the die bond layer easily absorbs moisture, and the problem of package cracking due to reflow soldering is particularly serious.

【0003】特にパッケージの薄型化の要求から20〜
100μmの厚みのポリイミドフィルムを基材として用
いたエリア端子型素子では、さらに吸湿が起こりやす
く、一方で基材が容易に変形するため水分の膨張により
容易に剥離を生じパッケージクラツクが極めて起こりや
すい問題があった。これを解決するための方法として
は、ダイボンド材の弾性率を高くし変形し難くすること
により支持部材の変形を抑え剥離を抑える手法が用いら
れてきた。
[0003] In particular, 20-
In an area terminal type element using a polyimide film having a thickness of 100 μm as a base material, moisture absorption is more likely to occur, while the base material is easily deformed, so that it easily peels off due to expansion of water and package cracks are extremely likely to occur. There was a problem. As a method for solving this problem, a technique has been used in which the elasticity of the die bond material is increased to make it difficult to deform, thereby suppressing the deformation of the support member and suppressing the separation.

【0004】しかしながら一方で、ポリイミドフィルム
を基材としたエリア端子型素子においてダイボンド材の
弾性率が高い場合には、配線板への実装後の温度サイク
ルによる半田ボールヘの応力が大きくなり接続信頼性が
低下する問題があった。さらにエリア端子型素子では配
線密度が高くワイヤーボンドパツドとダイボンディング
パツドとの接近又はダイボンド部分への配線等の構造上
の問題からダイボンディング材に対して絶縁性並びにワ
イヤーボンドバツドヘの汚染がないことが要求される。
しかしながら金メツキ上及び有機基板上でブリードの発
生が無く、耐リフロー性に優れるダイボンド材は得られ
ていなかった。
On the other hand, when an area terminal type element using a polyimide film as a base material has a high elastic modulus of a die bonding material, a stress applied to a solder ball due to a temperature cycle after mounting on a wiring board is increased, and connection reliability is increased. There was a problem of the decrease. Furthermore, in the area terminal type element, the wiring density is high, and due to structural problems such as the proximity of the wire bond pad and the die bonding pad or the wiring to the die bond portion, the insulating property to the die bonding material and contamination of the wire bond pad. Is required.
However, no bleeding occurred on the gold plating and the organic substrate, and a die bonding material excellent in reflow resistance was not obtained.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、有機素材を
主体として構成された支持部材に対するピール強度、特
に吸湿後のピール強度を向上させ、ブリードの発生によ
るワイヤーボンド不良、封止材の剥離等の問題が無く、
かつ吸湿率を低く抑えることによりこれを用いて組み立
てられた半導体装置の耐リフロー性を向上し、さらに実
装後の温度サイクルに対する接続信頼性を向上できる樹
脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置を提供す
るものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention improves the peel strength of a support member composed mainly of an organic material, particularly, the peel strength after moisture absorption, causes poor wire bonding due to bleeding, and peels off a sealing material. There is no problem such as
A resin paste composition and a semiconductor device using the same that can improve the reflow resistance of a semiconductor device assembled using the same by suppressing the moisture absorption rate and improve the connection reliability against a temperature cycle after mounting. To provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)エポキ
シ樹脂又はその変性物、(B)前記(A)成分と反応し
うる硬化剤、(C)グリコールエーテル系溶剤、及び、
(D)界面活性を有するフッ素化合物を含有してなる樹
脂ペースト組成物に関する。また本発明は、さらに
(E)充填材を含有する前記樹脂ペースト組成物に関す
る。
The present invention provides (A) an epoxy resin or a modified product thereof, (B) a curing agent capable of reacting with the component (A), (C) a glycol ether-based solvent, and
(D) The present invention relates to a resin paste composition containing a fluorine compound having surface activity. The present invention also relates to the resin paste composition further containing (E) a filler.

【0007】また本発明は、前記(A)成分が、室温
(25℃)において流動性を持たない固形エポキシ樹脂
又はその変性物である樹脂ペースト組成物に関する。ま
た本発明は、前記(A)成分を7〜95重量%、(B)
成分を0.1〜15重量%、(C)成分を2〜30重量
%、(D)成分を0.05〜5重量%及び(E)成分を
2〜90重量%含有する樹脂ペースト組成物に関する。
The present invention also relates to a resin paste composition wherein the component (A) is a solid epoxy resin having no fluidity at room temperature (25 ° C.) or a modified product thereof. In the present invention, the component (A) may be contained in an amount of 7 to 95% by weight,
Resin paste composition containing 0.1 to 15% by weight of component, 2 to 30% by weight of component (C), 0.05 to 5% by weight of component (D) and 2 to 90% by weight of component (E) About.

【0008】また本発明は、室温(25℃)における粘
度が1500〜8000ポイズである前記樹脂ペースト
組成物に関する。また本発明は、前記(A)成分が、ブ
タジエン重合体若しくはブタジエン共重合体により変性
されたエポキシ樹脂である前記樹脂ペースト組成物に関
する。
The present invention also relates to the resin paste composition having a viscosity at room temperature (25 ° C.) of 1500 to 8000 poise. The present invention also relates to the resin paste composition, wherein the component (A) is an epoxy resin modified with a butadiene polymer or a butadiene copolymer.

【0009】また本発明は、前記のいずれかに記載の樹
脂ペースト組成物を用いて、半導体素子を支持部材に接
着した後、封止してなる半導体装置に関する。また本発
明は、前記支持部材が、有機素材を主体として構成され
たものである半導体装置に関する。さらに本発明は、前
記の有機素材を主体として構成された支持部材が、ポリ
イミドフィルムを基材として構成された部材である半導
体装置に関する。
The present invention also relates to a semiconductor device comprising a semiconductor element bonded to a supporting member and sealed using the resin paste composition according to any one of the above. Further, the present invention relates to a semiconductor device in which the support member is mainly composed of an organic material. Further, the present invention relates to a semiconductor device in which the support member mainly composed of the organic material is a member composed mainly of a polyimide film.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明に用いられる(A)エポキ
シ樹脂又はその変性物において、エポキシ樹脂として
は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するビスフェ
ノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールAD
型、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型
等のフェニルグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリ
シジルアミン型エポキシ樹脂、ポリスルフィド型エポキ
シ樹脂等を用いることができる。これらの市販品として
は、エピコート801、806、828、834、15
2(以上、油化シェルエポキシ(株)製)、エポトートY
D−128、YDF−8170、YDPN−638P、
YH434(以上、東都化成(株)製)、フレップ(東レ
チオコール(株)製)等を挙げることができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the epoxy resin (A) used in the present invention or a modified product thereof, the epoxy resin may be a bisphenol A type, a bisphenol F type or a bisphenol AD having two or more epoxy groups in one molecule.
Phenyl glycidyl ether type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, polysulfide type epoxy resin, etc., such as a cresol novolak type, a phenol novolak type and the like. These commercial products include Epicoat 801, 806, 828, 834, 15
2 (both manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), Epototo Y
D-128, YDF-8170, YDPN-638P,
YH434 (both manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), FLEP (manufactured by Toray Thiokol Co., Ltd.) and the like can be mentioned.

【0011】また、エポキシ樹脂の変性物としては、上
記エポキシ樹脂をブタジエン重合体若しくはブタジエン
共重合体により変性したもの、CTBN(カルボキシ末
端ブタジエンニトリル共重合体)との反応生成物や、ダ
イマー酸やゴムで変性したものなどを挙げることができ
る。これらの変性物の市販品としては、YD−172
(ダイマー酸で変性したもの)、YR−207(ゴムで
変性したもの)(以上、東都化成(株)製)、ACRエポ
キシR−1309、R−1437−2、R−1206
(以上、旭電化工業(株)製)等の変性エポキシ樹脂が挙
げられる。
Examples of the modified epoxy resin include those obtained by modifying the above epoxy resin with a butadiene polymer or a butadiene copolymer, a reaction product with CTBN (carboxy-terminated butadiene nitrile copolymer), dimer acid, and the like. Examples thereof include those modified with rubber. Commercial products of these modified products include YD-172.
(Modified with dimer acid), YR-207 (modified with rubber) (all manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), ACR epoxy R-1309, R-1437-2, R-1206
(Above, manufactured by Asahi Denka Kogyo KK).

【0012】本発明に用いられる(A)成分において、
ブリードを抑制するためには環球法による軟化点が60
〜100℃にあり、その結果、室温(25℃)において
流動性を持たない固形のエポキシ樹脂を用いることが好
ましい。具体的には、エピコート1001、1004、
180H65(以上、油化シェルエポキシ(株)製)、Y
DCN−701S、YDF−2001(以上、東都化成
(株)製)、DEN438,QUATREX2010(以
上、ダウ・ケミカル日本(株)製)等を挙げることが出来
る。
In the component (A) used in the present invention,
To suppress bleed, the softening point by the ring and ball method should be 60
-100 ° C, and as a result, it is preferable to use a solid epoxy resin having no fluidity at room temperature (25 ° C). Specifically, the epicoats 1001, 1004,
180H65 (all manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), Y
DCN-701S, YDF-2001 (Toto Kasei
DEN438, QUATREX2010 (all manufactured by Dow Chemical Japan Co., Ltd.) and the like.

【0013】中でも、ブタジエン重合体又はブタジエン
共重合体により変性されたエポキシ樹脂であることが、
エポキシ樹脂とグリコールエーテル系溶剤との相溶性、
吸湿後の接着力等の点で好ましい。
[0013] Among them, an epoxy resin modified with a butadiene polymer or a butadiene copolymer,
Compatibility between epoxy resin and glycol ether solvent,
It is preferable in terms of adhesive strength after moisture absorption.

【0014】本発明における(A)成分のエポキシ樹脂
は、PGE(商品名、日本化薬(株)製)、PP−101
(商品名、東都化成(株)製)、ED−502、503、
509(以上商品名、旭電化工業(株)製)等の1分子中
に1個以上のエポキシ基を有する反応性希釈剤を含有す
ることができる。前記反応性希釈剤をあまり多く含むと
ブリードを発生させる傾向にあるので、使用する場合、
その使用量は、(A)成分100重量部中10重量部以
下であることが好ましい。
The epoxy resin of the component (A) in the present invention is PGE (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), PP-101.
(Trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), ED-502, 503,
A reactive diluent having one or more epoxy groups in one molecule such as 509 (trade name, manufactured by Asahi Denka Kogyo KK) can be contained. If the reactive diluent is included in too much, it tends to generate bleed, so when used,
The amount used is preferably 10 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the component (A).

【0015】本発明の樹脂ペースト組成物において、
(A)成分は、組成物の総量に対して7〜95重量%使
用されることが好ましく、10〜90重量%使用される
ことがより好ましい。この量が95重量%を超えると高
温時の接着性が低下し、耐リフロー性が低下する傾向が
あり、7重量%未満であると硬化後のペーストが脆くな
り強度が低下する傾向がある。
[0015] In the resin paste composition of the present invention,
Component (A) is preferably used in an amount of 7 to 95% by weight, more preferably 10 to 90% by weight, based on the total amount of the composition. If the amount exceeds 95% by weight, the adhesiveness at high temperatures tends to decrease, and the reflow resistance tends to decrease. If the amount is less than 7% by weight, the cured paste becomes brittle and the strength tends to decrease.

【0016】(A)成分と反応しうる硬化剤である
(B)成分としては、(A)成分と150℃以下の温度
で反応するものであることがダイボンド時の硬化温度を
抑制し、熱応力を低減する点で好ましい。このような硬
化剤としては、主として二核体、三核体からなるフェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、これ
らのキシレン共重合体、ジシアンジアミド、ヒドラジド
誘導体、ベンゾグアナミン、ベンゾオキサジン環を有す
る樹脂、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテト
ラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物を用いることができ
る。
The component (B), which is a curing agent capable of reacting with the component (A), reacts with the component (A) at a temperature of 150 ° C. or less to suppress the curing temperature at the time of die bonding. It is preferable from the viewpoint of reducing stress. Examples of such a curing agent include a phenol novolak resin, a cresol novolak resin, a xylene copolymer thereof, a dicyandiamide, a hydrazide derivative, a benzoguanamine, a resin having a benzoxazine ring, and a methylhexahydro resin. Acid anhydrides such as phthalic anhydride and methyltetrahydrophthalic anhydride can be used.

【0017】また、上記以外に、テトラフェニルホスホ
ニウム・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフ
ィン・トリフェニルボラン等のリン酸誘導体、2−ウン
デシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−
4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェ
ニル−4,5−ジシアノエトキシメチルイミダゾール、
2−フェニルイミダゾール−イソシアヌル酸付加体等の
イミダゾール誘導体等の硬化剤又は硬化促進剤を(B)
成分として用いることができる。
Other than the above, phosphoric acid derivatives such as tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate, triphenylphosphine / triphenylborane, 2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-
4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenyl-4,5-dicyanoethoxymethylimidazole,
(B) a curing agent or a curing accelerator such as an imidazole derivative such as an adduct of 2-phenylimidazole-isocyanuric acid;
It can be used as a component.

【0018】本発明の樹脂ペースト組成物において、
(B)成分は組成物の総量に対して0.1〜15重量%
使用されることが好ましく、0.5〜10重量%使用さ
れることがより好ましい。この量が15重量%を超える
と未反応の硬化物が残り、ペーストの特性(吸水率な
ど)が悪化する傾向があり、0.1重量%未満であると
ペースト硬化物の強度が低下し耐リフロー性が低下する
傾向がある。
In the resin paste composition of the present invention,
Component (B) is 0.1 to 15% by weight based on the total amount of the composition.
It is preferably used, more preferably 0.5 to 10% by weight. If this amount exceeds 15% by weight, an unreacted cured product remains, and the properties (such as water absorption) of the paste tend to deteriorate. If this amount is less than 0.1% by weight, the strength of the cured paste decreases and the paste resistance decreases. Reflow properties tend to decrease.

【0019】本発明では、(C)成分としてグリコール
エーテル系溶剤が用いられる。これを用いることにより
作業性に優れ、かつ、ブリードが抑制されたペーストが
得られる。ここで、グリコールエーテル系溶剤とは、一
般にグリコールの少なくとも片末端のOHがアルコキシ
基などの形でエーテル結合を形成するものをいう。グリ
コールエーテル系溶剤としては、沸点が常圧(一般に1
気圧)において150℃以上のものであることが、蒸発
速度が遅く得られるペーストの作業性に優れるので好ま
しく、250℃以下のものがより好ましい。このような
グリコールエーテル系溶剤としては、ブトキシエタノー
ル、ブトキシエチルアセテート、エトキシエトキシエタ
ノール、ブトキシエトキシエタノール、エトキシエトキ
シエチルアセテート等の溶剤を用いることができる。
In the present invention, a glycol ether solvent is used as the component (C). By using this, a paste which is excellent in workability and in which bleed is suppressed can be obtained. Here, the glycol ether solvent generally means a solvent in which at least one terminal OH of the glycol forms an ether bond in the form of an alkoxy group or the like. Glycol ether solvents have a boiling point of normal pressure (generally 1
(Atmospheric pressure) of 150 ° C. or higher is preferable because the workability of the paste obtained at a low evaporation rate is excellent, and 250 ° C. or lower is more preferable. As such a glycol ether-based solvent, solvents such as butoxyethanol, butoxyethyl acetate, ethoxyethoxyethanol, butoxyethoxyethanol, and ethoxyethoxyethyl acetate can be used.

【0020】本発明の樹脂ペースト組成物において、
(C)成分は組成物総量中、2〜30重量%含まれるこ
とが好ましく、5〜20重量%含まれることがより好ま
しい。2重量%未満では、(D)成分である界面活性を
有するフッ素化合物を添加した場合の効果が低下しブリ
ードが増大する傾向にあり、30重量%を超えると充填
剤と樹脂成分とのなじみが悪化し、やはりブリードが増
大する傾向にある。
In the resin paste composition of the present invention,
The component (C) is preferably contained in an amount of 2 to 30% by weight, more preferably 5 to 20% by weight, based on the total amount of the composition. If the amount is less than 2% by weight, the effect of adding a fluorine compound having surface activity as the component (D) tends to decrease, and bleeding tends to increase. If the amount exceeds 30% by weight, the affinity between the filler and the resin component is poor. Bleeding tends to increase.

【0021】(D)成分として、界面活性を有するフッ
素化合物が用いられるが、前記(C)成分に可溶である
ことが好ましい。これを用いることにより、ブリード抑
制の効果を向上できる。このようなフッ素化合物は、そ
の構造として、一般に一分子中にフッ素原子が結合した
が疎水性を示す部分(一部又は全部の水素原子がフッ素
原子に置換されたフルオロアルキル基など)と、カルボ
ン酸、スルホン酸、硫酸、リン酸、アミン、アンモニウ
ム又はそれらの塩、水酸基、アルキレングリコール鎖等
の親水性を示す部分を有するものである。例えば、フル
オロアルキルカルボン酸(アルキル部分の炭素数2〜2
0)、パーフルオロアルキルカルボン酸(アルキル部分
の炭素数7〜20)、パーフルオロアルキルスルホン酸
塩(アルキル部分の炭素数4〜12、塩としてリチウム
塩、カリウム塩、ナトリウム塩など)、パーフルオロア
ルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム
塩(アルキル部分の炭素数6〜10)、モノパーフルオ
ロアルキルエチルリン酸エステル(アルキル部分の炭素
数6〜16)などが挙げられる。このようなフッ素化合
物の市販品の例としては、ペンタデカフルオロ−n−オ
クタン酸や、メガファツクF−815、R−08(以
上、商品名 大日本インキ化学工業(株)製)等を挙げる
ことができる。
As the component (D), a fluorine compound having surface activity is used, and it is preferable that the fluorine compound is soluble in the component (C). By using this, the effect of suppressing bleeding can be improved. Such a fluorine compound generally has a structure in which a fluorine atom is bonded in one molecule but exhibits hydrophobicity (such as a fluoroalkyl group in which some or all hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom) and a carboxylic acid. It has a hydrophilic portion such as an acid, sulfonic acid, sulfuric acid, phosphoric acid, amine, ammonium or a salt thereof, a hydroxyl group, or an alkylene glycol chain. For example, a fluoroalkylcarboxylic acid (an alkyl moiety having 2 to 2 carbon atoms)
0), perfluoroalkyl carboxylic acid (alkyl group having 7 to 20 carbon atoms), perfluoroalkyl sulfonic acid salt (alkyl group having 4 to 12 carbon atoms, lithium salt, potassium salt, sodium salt, etc. as salt), perfluoroalkyl Examples thereof include alkylsulfonamidopropyltrimethylammonium salt (alkyl moiety having 6 to 10 carbon atoms) and monoperfluoroalkylethyl phosphate (alkyl moiety having 6 to 16 carbon atoms). Examples of commercially available fluorine compounds include pentadecafluoro-n-octanoic acid, Megafac F-815, R-08 (all trade names, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) and the like. Can be.

【0022】本発明の樹脂ペースト組成物において、
(D)成分は組成物総量中、0.05〜5重量%含まれ
ることが好ましく、0.05〜2重量%含まれることが
より好ましい。0.05重量%未満では、ブリード抑制
の効果が低下する傾向にあり、5重量%を超えると基材
との接着力が低下する傾向にある。
In the resin paste composition of the present invention,
Component (D) is preferably contained in an amount of 0.05 to 5% by weight, more preferably 0.05 to 2% by weight, based on the total amount of the composition. If it is less than 0.05% by weight, the effect of suppressing bleeding tends to decrease, and if it exceeds 5% by weight, the adhesion to the substrate tends to decrease.

【0023】本発明においては、一般的に(E)充填材
が用いられる。用いられる(E)充填材としては特に制
限はなく、導電性及び非導電性の各種のものが用いられ
るが、非導電性のものであるとシリコンチップ下の配線
間の絶縁を保つ点で好ましく、非導電性のものとして
は、例えば、窒化棚素、窒化珪素、窒化炭素、窒化アル
ミ、酸化珪素、酸化アルミ、炭酸カルシウム、タルク、
マイカ、チタン酸カリウム、ダイヤモンド粉体、これら
の粉体に表面処理を施した微粉体等の絶縁性の無機粉体
を用いることができる。非導電性充填材の形状としては
特に制限はなく、球状、針状、板状あるいは、破砕形状
の結晶または非晶性粒子を用いることができる。
In the present invention, a filler (E) is generally used. The (E) filler used is not particularly limited, and various conductive and non-conductive materials are used, but non-conductive materials are preferable in that they maintain insulation between wires under the silicon chip. Non-conductive materials include, for example, silicon nitride, silicon nitride, carbon nitride, aluminum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, calcium carbonate, talc,
Insulating inorganic powders such as mica, potassium titanate, diamond powder, and fine powder obtained by subjecting these powders to surface treatment can be used. The shape of the non-conductive filler is not particularly limited, and spherical or acicular, plate-like, or crushed crystalline or amorphous particles can be used.

【0024】本発明の樹脂ペースト組成物において、
(E)成分の配合量は作業性を損なわない範囲でその種
類により変更されるが、組成物総量中、2〜90重量%
含まれることが好ましく、20〜85重量%含まれるこ
とがより好ましい。2重量%未満であると、加熱時の接
着強度が低下する傾向があり、90重量%を超えると粘
度が増大し、樹脂ペースト組成物の作業性が低下する傾
向がある。
In the resin paste composition of the present invention,
The amount of the component (E) varies depending on the type within a range that does not impair workability, but is 2 to 90% by weight based on the total amount of the composition.
It is preferably contained, more preferably 20 to 85% by weight. If it is less than 2% by weight, the adhesive strength at the time of heating tends to decrease, and if it exceeds 90% by weight, the viscosity increases and the workability of the resin paste composition tends to decrease.

【0025】本発明になる樹脂ペースト組成物には、さ
らに必要に応じて、アクリロニトリルブタジエンゴム、
スチレンブタジエンゴム、ウレタンアクリレート等の靭
性改良材、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿
剤、シランカツプリング剤、チタンカツプリング剤、酸
無水物等の接着力向上剤、ノニオン系界面活性剤、シリ
コーン油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラ
ツプ剤、前記(C)成分以外の溶剤等を適宜添加するこ
とができる。
The resin paste composition according to the present invention may further contain, if necessary, acrylonitrile-butadiene rubber,
Toughness improvers such as styrene-butadiene rubber and urethane acrylate, hygroscopic agents such as calcium oxide and magnesium oxide, silane coupling agents, titanium coupling agents, adhesion enhancers such as acid anhydrides, nonionic surfactants, silicone oils And the like, an ion trapping agent such as an inorganic ion exchanger, a solvent other than the component (C), and the like can be appropriately added.

【0026】本発明になる樹脂ペースト組成物の粘度
は、室温(25℃)において、1500〜8000ポイ
ズであることが好ましい。1500ポイズ未満ではダイ
ボンド後、ペーストが配線に沿ってブリードを起こす傾
向にあり、8000ポイズを超えると吐出が困難となり
作業性が劣る傾向にある。
The viscosity of the resin paste composition according to the present invention is preferably from 1500 to 8000 poise at room temperature (25 ° C.). If it is less than 1500 poise, the paste tends to bleed along the wiring after die bonding, and if it exceeds 8000 poise, discharge becomes difficult and workability tends to be poor.

【0027】本発明になる樹脂ペースト組成物を製造す
るには、前記(A)〜(E)の各成分を、必要に応じて
用いられるその他の各種添加剤とともに、一括または分
割して、撹絆器、らいかい器、3本ロール、プラネタリ
ーミキサー等の分散・溶解装置に添加し、必要に応じて
加熱して混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペー
スト状とすればよい。前記分散・溶解装置は適宜組み合
わせることができる。
In order to produce the resin paste composition according to the present invention, each of the components (A) to (E) together with other various additives used as necessary is divided into batches or divided portions and stirred. It can be added to a dispersing / dissolving device such as a bonder, a grinder, a three-roller, or a planetary mixer, and if necessary, heated to mix, dissolve, pulverize, knead or disperse to form a uniform paste. . The dispersing / dissolving devices can be appropriately combined.

【0028】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した樹脂ペースト組成物を用いて、半導体素子と
支持部材とを接着した後、封止することにより半導体装
置とすることができる。本発明の樹脂ペースト組成物
は、支持部材として、有機素材を主体として構成された
ものに好適に用いられる。有機素材を主体として構成さ
れた支持部材としては、ガラス/エポキシ樹脂、ガラス
/BT樹脂、ポリイミド樹脂等の有機素材を主体とした
ものが挙げられ、その形態としては、フィルム状、板状
等の支持部材が挙げられる。
In the present invention, a semiconductor device can be obtained by bonding a semiconductor element and a support member using the resin paste composition produced as described above, and then sealing the semiconductor element and the support member. The resin paste composition of the present invention is suitably used for a support member mainly composed of an organic material. Examples of the supporting member mainly composed of an organic material include those mainly composed of an organic material such as glass / epoxy resin, glass / BT resin, and polyimide resin. A supporting member.

【0029】本発明の樹脂ペースト組成物を用いて半導
体素子をポリイミドフィルム配線板等の支持部材に接着
させるには、まず支持部材上に樹脂ペースト組成物をデ
ィスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等に
より塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブ
ン、ヒートブロツク等の加熱装置を用いて加熱硬化する
ことにより行うことができる。このときの加熱温度とし
ては、一般に120〜200℃の温度が用いられる。さ
らに、ワイヤボンド工程を経たのち、通常の方法により
封止することにより完成された半導体装置とすることが
できる。
In order to adhere a semiconductor element to a support member such as a polyimide film wiring board using the resin paste composition of the present invention, first, the resin paste composition is dispensed on the support member, screen printing method, stamping method and the like. After applying, the semiconductor element is pressure-bonded, and then heat-cured using a heating device such as an oven or a heat block. As the heating temperature at this time, a temperature of 120 to 200 ° C. is generally used. Further, after a wire bonding step, the semiconductor device is sealed by an ordinary method to obtain a completed semiconductor device.

【0030】[0030]

【実施例】次に、実施例により本発明を説明する。用い
た材料は次の通りである。 (1)エポキシ樹脂 ・YDF−170(商品名、東都化成(株)製、ビスフェ
ノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量 170) ・PP−101(商品名、東都化成(株)製、アルキルフ
ェニルグリシジルエーテル、エポキシ当量 230) ・DEN438(商品名、ダウ・ケミカル日本(株)製、
フェノールノボラツク型エポキシ樹脂、エポキシ当量
180)
Next, the present invention will be described by way of examples. The materials used are as follows. (1) Epoxy resin ・ YDF-170 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 170) ・ PP-101 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., alkylphenylglycidyl ether, Epoxy equivalent 230) ・ DEN438 (trade name, manufactured by Dow Chemical Japan Co., Ltd.)
Phenol novolat type epoxy resin, epoxy equivalent
180)

【0031】(2)硬化剤 ・H−1(商品名、明和化成(株)製フェノールノボラツ
ク樹脂、OH当量;106) ・ジシアンジアミド (3)硬化促進剤 ・2PHZ(商品名、四国化成工業(株)製、イミダゾー
ル類) ・TPP−K(商品名、北興化学工業(株)製、有機リン
化合物)
(2) Curing agent H-1 (trade name, phenol novolak resin manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., OH equivalent: 106) Dicyandiamide (3) Curing accelerator 2PHZ (trade name, Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.) TPP-K (trade name, Hokuko Chemical Co., Ltd., organic phosphorus compound)

【0032】(4)ブタジエン共重合体 HaycarCTBN1300X9(商品名、宇部興産
(株)製、カルボキシ末端ブタジエンアクリロニトリル共
重合体、カルボキシル基当量1500) (5)溶剤 ・ブトキシエタノール(沸点170℃) ・エトキシエトキシエチルアセテート(沸点217℃)
(4) Butadiene copolymer HaycarCTBN1300X9 (trade name, Ube Industries)
Co., Ltd., carboxy-terminated butadiene acrylonitrile copolymer, carboxyl group equivalent 1500) (5) Solvent-butoxyethanol (boiling point 170 ° C)-ethoxyethoxyethyl acetate (boiling point 217 ° C)

【0033】(6)フッ素系界面活性剤 ・ペンタデカフルオロ−n−オクタン酸 (7)充填剤 ・窒化ホウ素粉末(水島合金鉄(株)製) ・酸化アルミ粉末(YKK(株)製)(6) Fluorosurfactant • Pentadecafluoro-n-octanoic acid (7) Filler • Boron nitride powder (manufactured by Mizushima Alloy Iron Co., Ltd.) • Aluminum oxide powder (manufactured by YKK Corporation)

【0034】(8)エポキシ樹脂変性物溶液の調製 前記DEN438を25重量部、HaycarCTBN
1300X9を75重量部、エトキシエトキシエチルア
セテート30重量部及びトリフェニルフォスフィン
0.3重量部を110℃に加熱し、2時間撹拌を続け、
均一なブタジエン共重合体変性エポキシ樹脂の溶液を得
た。 (9)硬化剤溶液の調製 H−1 50重量部及びエトキシエトキシエチルアセテ
ート 50重量部を110℃に加熱し、1時間撹絆を続
け、均一なフェノール樹脂溶液を得た。
(8) Preparation of Epoxy Resin Modified Solution 25 parts by weight of DEN438, Haycar CTBN
75 parts by weight of 1300X9, 30 parts by weight of ethoxyethoxyethyl acetate and triphenylphosphine
0.3 parts by weight is heated to 110 ° C. and stirring is continued for 2 hours,
A homogeneous butadiene copolymer-modified epoxy resin solution was obtained. (9) Preparation of Curing Agent Solution 50 parts by weight of H-1 and 50 parts by weight of ethoxyethoxyethyl acetate were heated to 110 ° C. and stirred for 1 hour to obtain a uniform phenol resin solution.

【0035】実施例1〜2及び比較例1〜2 表1に示す配合割合で各材料を混合し、3本ロールを用
いて混練した後、5トル(Torr)以下で10分間脱泡処
理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。この樹脂ペース
ト組成物の特性(粘度、ピール強度)を下記に示す方法
で調べた。その結果を表1に示す。
Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 Each material was mixed at the compounding ratios shown in Table 1 and kneaded using a three-roll mill, followed by defoaming at 5 Torr or less for 10 minutes. This was performed to obtain a resin paste composition. The properties (viscosity, peel strength) of this resin paste composition were examined by the following methods. Table 1 shows the results.

【0036】(1)粘度:EHD型回転粘度計(東京計
器(株)製)を用いて25℃における粘度(Pa・s)を測定
した。 (2)ピール強度:ポリイミド配線基板(日立化成工業
(株)製)を5mm幅の短冊状に切り出し、これに樹脂ペー
スト組成物を塗布し、この上に8mm×10mmのSiチッ
プ(厚さ0.4mm)を圧着し、さらにオーブンで150
℃まで30分で昇温し150℃で1時間硬化させた。こ
れをチップ側をヒートブロツクに載せ固定し、フィルム
の端をバネばかりの端に固定して引っ張り上げ240℃
における引き剥がし強さ(g/5mm幅)を測定した。
(1) Viscosity: The viscosity (Pa · s) at 25 ° C. was measured using an EHD type rotational viscometer (manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.). (2) Peel strength: polyimide wiring board (Hitachi Chemical Industries, Ltd.)
Co., Ltd.) was cut into strips having a width of 5 mm, a resin paste composition was applied thereto, and an 8 mm × 10 mm Si chip (0.4 mm in thickness) was pressed thereon, and then 150 mm in an oven.
The temperature was increased to 30 ° C. in 30 minutes, and cured at 150 ° C. for 1 hour. Place the chip on a heat block and fix it. Fix the end of the film to the end of the spring only and pull it up.
Was measured for the peel strength (g / 5 mm width).

【0037】(3)ブリード評価:配線幅0.3mm、配
線ピツチ0.5mmの金メツキ付銅配線のある配線ポリイ
ミド配線基板を用い、配線上に実施例及び比較例により
得た樹脂ペースト組成物を80μg/mm2塗布し、シリコ
ンチツプをダイボンド後、密閉された金属シヤーレ中で
硬化しペースト端部からのブリードの長さを評価した。
2mm以上ではボンディングパツドを汚染し実用上使用で
きない。硬化条件:150℃まで30分で昇温、150
℃で1時間硬化。
(3) Evaluation of bleed: A resin paste composition obtained by using Examples and Comparative Examples on a wiring using a wiring polyimide wiring substrate having a copper wiring with gold plating and having a wiring width of 0.3 mm and a wiring pitch of 0.5 mm. Was applied at 80 μg / mm 2, and the silicon chip was die-bonded, cured in a sealed metal dish, and the length of the bleed from the end of the paste was evaluated.
If it is more than 2 mm, the bonding pad is contaminated and cannot be used practically. Curing conditions: temperature rise to 150 ° C in 30 minutes, 150
Cured at ℃ for 1 hour.

【0038】(4)耐リフロー性:実施例及び比較例に
より得た樹脂ペースト組成物を用い、ポリイミド配線基
板(日立化成工業(株)製)とSiチツプを下記の硬化条
件により硬化し接着した。その後、日立化成工業(株)製
エポキシ封止材(商品名CEL−9200)により封止
し、半田リフロー試験用パッケージを得た。そのパッケ
ージを温度及び湿度がそれぞれ85℃、85%の条件に
設定された恒温恒湿槽中で48時間吸湿させた。その後
半田リフローを行い、パッケージの外部クラツクの発生
数を超音波顕微鏡で観察した。5個のサンプルについて
クラツクの発生したサンプル数を示す。 チツプサイズ:10mm×10mm パッケージ:24mm×24mm 硬化条件:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化。
(4) Reflow resistance: A polyimide wiring board (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) and a Si chip were cured and bonded under the following curing conditions using the resin paste compositions obtained in Examples and Comparative Examples. . Thereafter, the package was sealed with an epoxy sealing material (CEL-9200, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) to obtain a package for a solder reflow test. The package was allowed to absorb moisture for 48 hours in a thermo-hygrostat set at a temperature and humidity of 85 ° C. and 85%, respectively. Thereafter, solder reflow was performed, and the number of external cracks generated in the package was observed with an ultrasonic microscope. The number of samples in which cracks occurred for five samples is shown. Chip size: 10 mm x 10 mm Package: 24 mm x 24 mm Curing conditions: Heat up to 150 ° C in 30 minutes, cure at 150 ° C for 1 hour.

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【0040】表1の結果から、本発明の樹脂ペースト組
成物(実施例1及び2)は従来の樹脂ペースト組成物
(比較例1)に比較してブリードの発生が極めて少な
く、耐リフロー性が優れていた。
From the results shown in Table 1, it can be seen that the resin paste compositions of the present invention (Examples 1 and 2) generate much less bleed and have lower reflow resistance than the conventional resin paste compositions (Comparative Example 1). It was excellent.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明の樹脂ペースト組成物は、支持部
材に対するピール強度、特に吸湿後のピール強度を向上
しているので、特に有機素材を主体として構成された支
持部材を用いた半導体装置のダイボンディング材として
使用した場合に、支持部材(金メッキ配線上又は有機素
材(例えばポリイミド基板))上でのブリードの発生に
よるワイヤーボンド不良、封止材の剥離等の問題が無
い。その結果、本発明の半導体装置は、半田リフロ時の
リフロークラツクの発生が低減され、信頼性が向上され
たものである。
The resin paste composition of the present invention has improved the peel strength with respect to the support member, especially the peel strength after moisture absorption, so that the resin paste composition of the semiconductor device using the support member mainly composed of an organic material can be used. When used as a die bonding material, there is no problem such as defective wire bonding and peeling of a sealing material due to occurrence of bleed on a supporting member (on a gold-plated wiring or an organic material (for example, a polyimide substrate)). As a result, in the semiconductor device of the present invention, the occurrence of reflow crack during solder reflow is reduced, and the reliability is improved.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/52 H01L 21/52 E (72)発明者 吉田 守利 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎事業所内 Fターム(参考) 4J002 CC032 CD051 CD061 CD111 CD131 CD181 ED027 EF028 EL136 ER016 ER026 EU116 EU186 EV238 EV288 EW048 EW146 EW176 EY016 FD142 FD146 4J036 AA01 AD08 AF06 AH04 CD04 DA01 DB15 DC41 DC46 DD07 DD09 FA10 FA14 FB07 5F047 AA17 BA23 BA34 BA51 BB11──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/52 H01L 21/52 E (72) Inventor Moritoshi Yoshida 4-3-1-1, Higashicho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. Yamazaki Works F-term (reference) 4J002 CC032 CD051 CD061 CD111 CD131 CD181 ED027 EF028 EL136 ER016 ER026 EU116 EU186 EV238 EV288 EW048 EW146 EW176 EY016 FD142 FD146 4J036 AA01 AD08 AF06 DC04 DB01 DB01 FA01 FB07 5F047 AA17 BA23 BA34 BA51 BB11

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂又はその変性物、
(B)前記(A)成分と反応しうる硬化剤、(C)グリ
コールエーテル系溶剤、及び、(D)界面活性を有する
フッ素化合物を含有してなる樹脂ペースト組成物。
(A) an epoxy resin or a modified product thereof,
A resin paste composition comprising (B) a curing agent capable of reacting with the component (A), (C) a glycol ether-based solvent, and (D) a fluorine compound having surface activity.
【請求項2】 さらに(E)充填材を含有する請求項1
記載の樹脂ペースト組成物。
2. The method according to claim 1, further comprising (E) a filler.
The resin paste composition as described in the above.
【請求項3】 (A)成分が、室温(25℃)において
流動性を持たない固形エポキシ樹脂又はその変性物であ
る請求項1又は2記載の樹脂ペースト組成物。
3. The resin paste composition according to claim 1, wherein the component (A) is a solid epoxy resin having no fluidity at room temperature (25 ° C.) or a modified product thereof.
【請求項4】 (A)成分を7〜95重量%、(B)成
分を0.1〜15重量%、(C)成分を2〜30重量
%、(D)成分を0.05〜5重量%及び(E)成分を
2〜90重量%含有する請求項2又は3記載の樹脂ペー
スト組成物。
4. Component (A) is 7 to 95% by weight, component (B) is 0.1 to 15% by weight, component (C) is 2 to 30% by weight, and component (D) is 0.05 to 5%. 4. The resin paste composition according to claim 2, comprising 2 to 90% by weight of the component (E).
【請求項5】 室温(25℃)における粘度が1500
〜8000ポイズである請求項1、2、3又は4記載の
樹脂ペースト組成物。
5. A viscosity at room temperature (25 ° C.) of 1500
The resin paste composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin paste composition has a viscosity of up to 8000 poise.
【請求項6】 (A)成分が、ブタジエン重合体若しく
はブタジエン共重合体により変性されたエポキシ樹脂で
ある請求項1、2、3、4又は5記載の樹脂ペースト組
成物。
6. The resin paste composition according to claim 1, wherein the component (A) is an epoxy resin modified with a butadiene polymer or a butadiene copolymer.
【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載の樹脂ペ
ースト組成物を用いて、半導体素子を支持部材に接着し
た後、封止してなる半導体装置。
7. A semiconductor device obtained by bonding a semiconductor element to a support member using the resin paste composition according to claim 1 and sealing the semiconductor element.
【請求項8】 支持部材が、有機素材を主体として構成
されたものである請求項7記載の半導体装置。
8. The semiconductor device according to claim 7, wherein the support member is mainly composed of an organic material.
【請求項9】 有機素材を主体として構成された支持部
材が、ポリイミドフィルムを基材として構成された部材
である請求項8記載の半導体装置。
9. The semiconductor device according to claim 8, wherein the support member mainly composed of an organic material is a member mainly composed of a polyimide film.
JP11215472A 1999-07-29 1999-07-29 Resin paste composition and semiconductor apparatus by use thereof Pending JP2001040183A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11215472A JP2001040183A (en) 1999-07-29 1999-07-29 Resin paste composition and semiconductor apparatus by use thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11215472A JP2001040183A (en) 1999-07-29 1999-07-29 Resin paste composition and semiconductor apparatus by use thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001040183A true JP2001040183A (en) 2001-02-13

Family

ID=16672947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11215472A Pending JP2001040183A (en) 1999-07-29 1999-07-29 Resin paste composition and semiconductor apparatus by use thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001040183A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002241473A (en) * 2001-02-16 2002-08-28 Taiyo Ink Mfg Ltd Thermosetting epoxy resin composition and its molding and multilayer printed wiring board
JP2005194502A (en) * 2003-12-12 2005-07-21 Shin Etsu Chem Co Ltd Liquid epoxy resin composition and semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002241473A (en) * 2001-02-16 2002-08-28 Taiyo Ink Mfg Ltd Thermosetting epoxy resin composition and its molding and multilayer printed wiring board
JP2005194502A (en) * 2003-12-12 2005-07-21 Shin Etsu Chem Co Ltd Liquid epoxy resin composition and semiconductor device
JP4557148B2 (en) * 2003-12-12 2010-10-06 信越化学工業株式会社 Liquid epoxy resin composition and semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07103350B2 (en) Conductive resin paste
JP2003221573A (en) Adhesive material and semiconductor device using the same
JP3991268B2 (en) Film adhesive for connecting circuit members and semiconductor device using the same
JP3461023B2 (en) Adhesive and semiconductor device
JPH1192740A (en) Resin paste composition and semiconductor device
JPH0536738A (en) Conductive resin paste and semiconductor device
JPH06151480A (en) Conductive resin paste and semiconductor device
JP2001040183A (en) Resin paste composition and semiconductor apparatus by use thereof
JPH10237157A (en) Liquid resin composition, and semiconductor apparatus made by using the same
JPH07238268A (en) Adhesive and semi-conductor unit
JP2003335924A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP3511126B2 (en) Non-conductive resin paste and semiconductor device
JP3770993B2 (en) Liquid resin composition and semiconductor device manufactured using the liquid resin composition
JP5098175B2 (en) Resin composition and semiconductor device produced using resin composition
JPH11106454A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP3259501B2 (en) Conductive resin paste composition and semiconductor device
JP2000226432A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JPH1050142A (en) Electrically conductive resin paste composition and semi-conductor device
JPH11228787A (en) Resin paste composition semiconductor device using the same
JPH10195408A (en) Conductive resin paste composition and semiconductor device using the same
JPH06196513A (en) Adhesive and semiconductor device
JPH09194813A (en) Conductive resin paste composition and semiconductor device
JPH0881669A (en) Electrically conductive resin paste composition and semiconductor device
JP4816835B2 (en) Non-conductive resin paste composition and semiconductor device using the same
JP2003147316A (en) Adhesive resin paste composition and semiconductor device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060726

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081204

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090409